Güç Elektroniği - Kocaeli Üniversitesi Do - Dr.nurettin Abut Ders Notları.

Dr.N.
Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
G ELEKTRON
Do. Dr. Nurettin ABUT
Kocaeli niversitesi
Mhendislik Fakltesi
Elektrik Mhendislii Blm
G
ELEKTRON
Do. Dr. N. ABUT
1
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON-1
Bu Kitap
C2
T1
D1
R4
D2
C3
RY
VS
L1=10mH
R2=12,5
35W
DGA
girii 45
30V
10V 4W
R5
20KHz
100
C1=0,33
100V
Tr1
2N6292
50
GTO
L2
5mH
R3
15W0V
(b)
Do.Dr.Nurettin ABUT
Kocaeli niersitesi
Mhendislik Fakltesi
2002
eemdersnotlari.com
REFERANS
ALINARAK DERS
ANLATILMAKTADIR
Genel Konularda
Referanslarda
Verilen Dier
Kaynaklardadan da
Yararlanlabilir.
2
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
NDEKLER
YARARLI EK
HATIRLATMALAR
Ek A FAZLI SSTEMLER Ek D FOURIER ANALZ
VE DENKLEMLER
Ek
B
DEVRELER
MAGNETK
(ELEKTRK- ELEKTRONK
PROBLEMLER N)
Ek C DA GEC DURUM
ANALZ
LAPLACE
Ek E
YARDIMCI FORMLLER
(ve
REFERANS
KAYNAKLAR
DNMLER)
3
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
G elektronii yariletken devreler,

Anahtarlama annda ve g dnmnde
oluan kayplar azaltrlar.
ok ksa srede anahtarlama yaparlar.
Ama-kapama
anlarnda
harmonik
bileenler olutururlar.
Bu olumsuz etkileri yok etmek veya en
aza indirmek gerektiinden, harmonik
nleme dzenekleriyle birlikte karmak
yapda olmasna neden olur.
4
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Genel olarak g yariletken elemanlar;

Dorultucu
diyotlar,
G tranzistrleri
G MOSFET'leri (
Tristrler veya SCRs
eklinde snflandrlabilir.
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DA
2
DA
GENEL KAPSAM
AA
4
AA
ekil 1.1. G Elektroniinde enerji dntrme

ekilleri
6
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
elektronii gelimesinden nce, g

denetimi klasik yntemler kullanlmasna
karlk, yariletken
teknolojisinin
gelimesiyle yerini, g elektronii
elemanl
devrelere
brakmtr.
Balangta
ama-kapama
olarak
tasarlanan g kumandas, sonralar hem
ama-kapama ve hem de denetim amal
olarak gelitirilen yntemler genel olarak
snflandrlacak olursa;
7
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Elle (Manual) kumanda

Gaz tpleriyle (Lambalar) kumanda:
Direnle kumanda:
Deiken reaktansla kumanda:
Oto transformotorlar ile kumanda:
Dner makinalarla kumanda:
i1
i2
B
i
+
v1 N1
[weber/m2 ]
Bdoy
r
N
+
N2
v2
-
Br
-Hc
A
H azalyor
H artyor
Balang (B=0)
1 =+S 1
H [A-tur]
(a)
-Bdoy
(b)
ekil B1.(a)Magnetik halka ekirdek, (b)teorik B-H mknatslama zerisi

eemdersnotlari.com
8
ekil B5 Tek fazl bir ototransformotoru
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Elle
(Manual) kumanda
Direnle kumanda:
9
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Yariletken elemanlarla
kumanda:
Bu elemanlar;
Diyotlar,
Tristrler,
G tranzistrleri ve
G MOSFET'leri
olarak g elektroniinin
temel yariletken devre
elemanlarn
olutururlar.
Yariletken (Diyot, SCR, Triyak, IGBT, MOSFET, GTO, LASCR,
MCT) grn
eemdersnotlari.com
10
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Yariletken
elemanlarla
kumanda
11
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
1.2. ELEKTRONK ANAHTARLAMA LE

G DENETM
+Vcc
G denetiminde, bu yntemlerin
kullanm artk hemen hemen tarihe
Tr
karmak zeredir.
Gnmz
+Vbe
teknolojisinde g denetiminin;
Elemanlarnn kk boyutta olmas,
mrlerinin uzun olmas,
F
Otomasyonda bilgisayar denetimine
imkan
tanmas
gibi
birok
avantajlarndan dolay elektronik
devrelerle
yaplmas
tercih
edilmektedir.
eemdersnotlari.com
+VA
SCR
VG
12
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Faz denetimi:
Faz denetim devreleri, genelde bir tristr ve bir
dorultucu nitesinden olumakta ve tek fazl
bir yk hem DA ve hem de AA olarak
besleyebilir.
R YAA
+
A AYkn denetimi
v YAA
vS
SCR
G v SCR
iG
iSCR
K
eemdersnotlari.com
13
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Faz denetimi: DA Ykn denetimi
vS
iSCR
RYDA vYDA
A
SCR
G vSCR
iG
K
14
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Tetikleme
kumanda darbeleri
(pulses) olmadan tristr iletime
gemez. Tristrn tam peryotta
iletime gemesi iin her pozitif
yar peryot banda tetiklenmesi
gerekir.
15
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
vs
Vm
0
GENEL KAPSAM
vs
Vm
/3
-Vm
vDA
Vm
/3
-Vm
vDA
Vm
ekil 1.2.(a) da bir

RY yknn AA ile
besleme, (b) de DA
ile ve tek tristr
kullanlarak, beslenmesi
/3
VG
VG
iSCR iY
Im
0
/3
/3
/3
vSCR
Vm
0
/3
/3
srasnda tristrn
60 de tetiklenmesi
sonucu tristr ve
yk akm-gerilimlerinin
deiimleri
grlmektedir.
vYDA
Vm
vYAA
Vm
0
iSCR =iY
Im
vSCR
Vm
0
/3
/3
-Vm
eemdersnotlari.com
2
(a)
2
(b)
16
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Elle (Manual) kumanda

Direnle kumanda:
Sfr
gerilim anahtar ile denetim:
17
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
vY
Vm
12
(a)
10
vY
Vm
12
12
12
12
(b)
10
vY
Vm
12
11
11
(c)
10
11
ekil 1.3.Sfr gerilim anahtar (a) Tam yk, (b) Yarm yk, (c) Yk dk oranda
besleme durumunda gerilim deiimleri.
18
eemdersnotlari.com
GENEL KAPSAM
G ELEKTRON
vY
Vm
12
(a)
10
vY
Vm
12
12
12
12
(b)
10
vY
Vm
12
11
11
(c)
10
11
ekil 1.3.Sfr gerilim anahtar (a) Tam yk, (b) Yarm yk, (c) Yk dk oranda
19
besleme durumunda gerilim deiimleri.
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
Tr1
T2
T1
+
vS
Filtre
Devresi
1:1
RY
1:16
Tr2
ekil 1.4.Tek fazl evirici iin prensip devre

20
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
v (t)
Vm
/3
/3
v (t)
Vm
0
v (t)
Vm
-Vm
ekil 1.5.Elektronik g denetimi devreleri k erileri deiimi

(a)Faz denetimi, (b)Sfr gerilim anahtar, (c)Evirici.
eemdersnotlari.com
21
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
22
eemdersnotlari.com
G Elektronii
W ax| TUhg
Teekkrler!!
gx~t zx~ xx
g{t~ y |xx tw tx|
23
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
G ELEKTRON
Do. Dr. Nurettin ABUT
Kocaeli niversitesi
Mhendislik Fakltesi
Elektrik Mhendislii Blm
G
ELEKTRON
Do. Dr. N. ABUT
1
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
YARILETKENLER
BLM-2
YARILETKEN DEVRE ELEMANLARI
2.1.YARILETKEN
Jn=ATe-B/T A/cm2
(2.1)
A:Katot malzemesine bal bir katsay,

T: Katot yzeyinin mutlak scakl K,
B=e.W/K eklinde malzemeye bal bir sl katsay olup
e=1,6x10-19 C olarak elektronun yk,
W=16 [eV] deeri arasnda k enerjisi,
K=1,38x10-23 Joule/K olarak Boltzmann sabitidir.
2
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
YARILETKENLER
YARILETKEN DEVRE ELEMANLARI

2.1.YARILETKEN
foto elektronik emisyon

Wp=hf=hc/
Joule
(2.2)
Wp:Bir fotonun tad enerji,

h: 6,62x10-34 Joule.s olarak Planc sabiti,
f:Elektro magnetik dalgann frekans Hz,
:Dalga boyu m,
c: 3x108 m/s olarak k hzdr.
3
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
Kovalent
balar
YARILETKENLER
ekil 2.1.Bir yariletken

malzemede valans
elektronlar.
Valans
elektronlar
Silisyum
iyonlar
(Si 4+)
4
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
Kovalent
balar
YARILETKENLER
Serbest Krlan
elektron kovalent ba
Oyuk
ekil 2.2.
Bir silisyum
kristalinde bozulan
kovalent ba ve
serbest elektron
Valans
elektronlar
Silisyum
iyonlar
(Si 4+)
5
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
YARILETKENLER
Kovalent ba
bozulmu iyonlar
(a)
4 5
Kovalent bal
iyonlar
9 10 11 12
(b)
(c)
(d)
ekil 2.3.Bir silisyum kristalinde oyuklarn hareketi
6
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
Serbest elektron
YARILETKENLER
Kovalent
balar
ekil 2.4.
ine antimon konmu
bir silisyum kristali
Valans
elektronlar
Silisyum
iyonlar
(Si 4+)
Antimon
iyonu 5+
7
eemdersnotlari.com
DYOT
G ELEKTRON
Negatif (alan)
iyon
eklem
Pozitif (veren)
iyon
xp
xn
uyb
0
p
oyuk
(a)
n
elektron
(c)
V volt
ekil 2.5. p-n eklem diyotu (a)pn eklemi yaps, (c)iletime.

8
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
ekil 2.5. p-n eklem diyotu

(d)iletime, (d)kesime
kutuplanmas.
Metal
tabakalar
(b)
p
IA
DYOT
n
V
(d)
(e)
n
V
IS
9
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DYOT
Yaylm oyuk-akm younluu Jp;
dp
Jp e Dp
dt
A / m
2
(2.4)
eklinde tanmlanabilir.
Burada;
Dp:oyuklar (elektronlar iin Dn) iin difzyon sabiti m2/s dr. Toplam
oyuk akm veya difzyon akm;
10
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DYOT
Toplam oyuk akm veya difzyon akm;
dp
Jp e p p e Dp
dt
A / m
2
(2.5)
dr. Burada;
p: oyuk hareket kabiliyeti cm2/Vs
Genel anlamda bir iyonun hareket kabiliyeti olan ; v,
hz cm/s ve , elektriksel alan V/cm olmak zere 1
[V/cm]lik bir elektriksel alanda, bu iyonun
kazanabildii =v/ hzdr.
11
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DYOT
Toplam elektron akm ise;
dp
Jp e p p e Dp
dt
A / m
2
(2.6)
olur. Burada; n: elektron hareket kabiliyeti cm2/Vs dr.

(Silisyum eklemi iin 300 K de 1500 cm2/Vs, germanyum iin
ise yaklak 3900 cm2/Vs deerindedir). Her zaman, np dr.
Eklem blgesinde, yk aknn ters ynnde, ekil 2.5.(c) de
grld gibi;
K TJ N A N D
V
ln
2
e
n
i
[V ]
(2.7)
ile tanmlanabilen ve uzay yk blgesi potansiyeli de

denen bir gerilim oluur ve bir akm akar.
12
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DYOT
T2
+i A mA
+iA A
T1
vA
-VZ
0 +vA V
-vA
+v A V
scaklklardan
T1 T2
+iA
(a)
Is
T2 T1
-iA A
(b)
13
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
Katot ular
DYOT
VRRM
Renk kodu
Katot ular
Katot ular
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
(g)
14
ekil 2.7.eitli diyotlarn fiziksel grnm ve balant u durumlar.

eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DYOT ve soutucu profili
15
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DYOT
Diyot Denklemi; diyot iletime

teorik olarak;
V A / V
I A IS e
[ A]
kutuplandnda,
(2.10)
eklinde bir akm akar. Burada; IS, diyot tkama

doyma akm A, V:Diyotun iletime girmesini
salayacak eik gerilimi V, : Yariletken malzemeye
bal bir sabit (Silisyum iin normal akmda 2
alnabilir) tir.
Diyot IA akm, yaklak;

V A / V
I A IS e
[ A]
(2.11)
eklinde deiir. VA>V ise, IA > 0 olur.

eemdersnotlari.com
16
G ELEKTRON
DYOT Edeer devresi
A
+ i A mA
+
-
-vZ
- 0,2
0,2 0,4 0,6
1 A
1/R f e imli
ze ri
K
A+
0,8
+ v A V
(b)
IS
-iA A
1/R r e imli
ze ri
IA
VA
(a)
Rf
+
V
-
Rf
(c)
ekil 2.9. (a)Uygulamada bir diyodun zerisi, (b)Diyot iletim

edeer devresi (iletim blgesindeki 1/Rf eimli doru), (c)uyb kaak
akmlar gz nne alnarak oluturulan kesim edeer devresi
(kesim blgesinde 1/Rr eimli doru ile ideale yakn diyot olarak lineer edeer zerisi).
17
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DYOT Edeer devresi
+iA mA
R
IA
VS/R
IAQ
ix
Q
VS
VA
(a)
VS
(b)
VAQ
Elektrik
devresi
Vx
(c)
VS +vA V
ekil 2.10.(a)Diyot devresi, (b)yk dorusu, (c)herhangi bir

devre eleman edeeri.
18
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
DYOT Edeer devresi
+iA mA
+iA mA
VS/R1
VS4/R
VS3/R
VS2/R
VS/R2
VS1/R
(a)
R1 R2 R3 R4
Q4
VS/R3
Q1 Q2
Q3
Q2
VS/R4
Q3
Q4
Q1
VS1 VS2 VS3 VS4 .+vA V 0
(b)
VS
+vA V
ekil 2.11.(a)R sabit VS deiken, (b)VS sabit R deiken,

konumu iin diyot yk erileri
19
eemdersnotlari.com
G ELEKTRON
GENEL KAPSAM
20
eemdersnotlari.com
G Elektronii
WA ax| TUhg
Teekkrler!!
21
eemdersnotlari.com
Dr.N. Abut KO MHENDSLK FAKLTES
2.3.ZEL DYOTLAR
2.3.1. Zener Diyot
Zener diyotlar kesime kutuplamada zel bir
davran gsterirler.
Zener, sabit devrilme gerilimine sahip bir diyottur.
letim zerisi normal diyot gibi olup, kesim
zerisi ise VZ=VA geriliminde sabit kalyor
kabul edilir.
Bu zelliinden faydalanlarak sabit bir gerilim
elde etmede veya gerilim
ayarlayclarnda
(reglatrlerinde) kullanlrlar.
eemdersnotlari.com
+iA mA
K
-10V
VZ = -5V
vA V
T1'de T2'de
T1 T2
0+
IZK
A
(a)
T1'de
T1'de
(b)
ekil 2.15.Zener diyot (a)sembolleri ve (b)T1 ve T2

zerilerindeki farklar.
eemdersnotlari.com
scaklklarnda
K
+
VZ
VA
IZ
K
+
RZ
(dinamik) (a)
A
ekil 2.16.(a)Zener +
IS
diyot edeer
devresi, (b)kk VS
sinyal edeer devre
modeli, (c)ayar
devresi
eemdersnotlari.com
rz
(statik)
(b)
RZ
DZ
(c)
IZ
IY
RY
CT
+
VO
-
Zener
diyotlar gerilim snrlama yaparken srekli

grev yapabilmeleri ve ar akmlardan zarar
grmemeleri iin kullanldklar yerlerde;
Ters kutuplamal,
Zener
geriliminden (retici deeri) daha dk

gerilim uygulanmamal ve
Bir
seri
direnle akm snrlamas yaplacak
ekilde
devreye balanmaldr.
eemdersnotlari.com
IS
+
RZ
IZ
R1
RY
IY
-
6V
400 mW
D
C
DZ
eemdersnotlari.com
+
-
(b)
2,2 K
DZ
(a)
VS
100K
1030 V
RZ
1 741
6
2
4
R2
R3
+
VO 8 V
-
(c)
RY
ekil 2.17 Zener diyot a)Gerilim

standard, b)Yarm dalga
dorultucu ayar, c)Pratik bir
gerilim ayarlama uygulama devresi.
2.3.2. Tayrektr (Thyrector)

Aard arda ters seri bal iki zener
diyodu gibi alr.
Geici ve ani
ykselen gerilimleri nlemede kullanlan
bir diyottur. Her iki ynl kutuplamal
balantda da ayn davranlar gsterir.
Diyotlardan biri her zaman ak, yani
iletime kutuplanm grnr. Bu anda
dier diyot ayn bir zener zerisi
gsterir.
eemdersnotlari.com
IA A
T1
-VD
VD
VA V
T2
(a)
(b)
ekil 2.18.Thyrector a)sembol ve b)iletim zerisi.

eemdersnotlari.com
2.3.3 . SCHOTTKY (Barrier=Engel) Diyodu

Schottky engel diyodunda eklem blgesi
metal yariletken devreden oluur. Sonuta
yariletken veya omik zellik gsterir. ki
tabakas arasndaki yk tayc younluu
farkndan dolay, engelde bir potansiyel oluur.
Az katkl silisyum (veya galyum arsenit)
kullanldnda,
bu alminyum-silisyum
ekleme Schottky diyot denir. Silisyum bir
diyotla schottky diyot zerisi karlatrlrsa
zeriler arasnda belirgin iki fark vardr.
eemdersnotlari.com
Schottky
barier diyot
bariyer
n tipi
silisyum
ift n+
katkl
+iA mA
Silisyum diyot
K
(a)
(b)
Silisyum
diyot
Schottky barier
diyot
Is
(c)
V sc V si +vA
V
ekil 2.19.(a)Schottky diyot sembol, (b)yariletken

tabakalar, (c)Schottky ve silisyum diyot zerisi,
eemdersnotlari.com
ounluk elektronlar metale engel

zerinden aktarlarak metaldeki dier
elektronlardan daha fazla enerjiye sahip
olmalar termal dengeyi salar. Bu
aktarlan elektronlar, scak elektron diye
adlandrlr.
Baz
uygulamalarda
schottky diyota scak elektron diyodu
da denmektedir.
eemdersnotlari.com

SMX Tipi otki diyotlarda kodlama
S S x b yy
Ters gerilim
9 = 90V
10 = 100V
TO-220AC
SMX Paketi
1 = SMA (DO-214AC)
2 = SMB (DO-214AA)
3 = SMC (DO-214AB)
SMA
SMB
eemdersnotlari.com
Engel Ykseklii
Bo = Standard
H = Yksek
SMC
Yzeysel tip
Schottky Engel Diyodu

TO-220 & TO-3P Tipi
otki diyotlarda kodlama
MBR C xx b yy PP
Paket Tipi
bo = tek TO-220AC, ITO-220AC or TO-263AB
CT = Merkez ulu TO-220AB, ITO-220AB or TO-263AB
PT = Merkez ulu TO-247AD
Ters Gerilim (V)
Engel Ykseklii
Bo = Standard
H = Yksek
Iletim Akm (A)
Paket Snf
Bo = Standard
B = Yzey tipli TO-263AB
F = Yaltlm TO-220
TO-220AC
TO-220AB
TO-247AD
TO-263
Orta (Medium) Eklem (Barrier) otki Diyot

eemdersnotlari.com
100V Schottky Uygulamalar
Yksek frekansl g kaynaklar
Serbest gei diyotlar grevi
Kutuplama korumas
Ak-Pil doldurma dzenleri
Gzlem devreleri
AA/DA dntrcler (Dorultucular)
DA/DA dntrcler (DA ayarlayclar)
eemdersnotlari.com
+iA A
30 -
metal bariyer
SiO2
uy blgesi
n tipi silisyum tabaka
100
10
V
0,9
+vA V
- 0,01
-0,1
0,5
-1
0.7
-10
(b)
0,5
-100
-iA mA
ekil 2.20.(a) schottky diyot yariletken tabakalar,

(b) Schottky ve pn diyot zerileri
eemdersnotlari.com
0,7 0,9
n blgesi
akm
10 -
K
(a)
0,5
20 -
SiO2
ift n katkl
silisyum tabaka
1,0

Seim Tablosu
IF(AV)
(A)
1.5
2.0
10
20
Device
Eleman
SS29 - SS210
SB2H90 - SB2H100
MBR1090 - MBR10100
MBRF1090 - MBRF10100
MBRB1090 - MBRB10100
MBR10H90 - MBR10H100
MBRF10H90 - MBRF10H100
MBRB10H90 - MBRB10H100
MBR10H90CT - MBR10H100CT
MBRF10H90CT - MBRF10H100CT
MBRB10H90CT - MBRB10H100CT
MBR2090CT - MBR20100CT
MBRF2090CT - MBRF20100CT
MBRB2090CT - MBRB20100CT
MBR20H90CT - MBR20H100CT
MBRF20H90CT - MBRF20H100CT
MBRB20H90CT - MBRB20H100CT
eemdersnotlari.com
V(BR) Range Max VF @

IF
(V)
(V)
(A)
DO-214AA (SMB) 90 - 100
0.75
1.0
DO-204AC
90 - 100
0.85
2.0
TO-220AC
90 - 100
0.80
10
ITO-220AC
90 - 100
0.80
10
TO-263AB
90 - 100
0.80
10
TO-220AC
90 - 100
0.77
10
ITO-220AC
90 - 100
0.77
10
TO-263AB
90 - 100
0.77
10
TO-220AB
90 - 100
0.76
5
ITO-220AB
90 - 100
0.76
5
TO-263AB
90 - 100
0.76
5
TO-220AB
90 - 100
0.95
20
ITO-220AB
90 - 100
0.95
20
TO-263AB
90 - 100
0.95
20
TO-220AB
90 - 100
0.88
20
ITO-220AB
90 - 100
0.88
20
TO-263AB
90 - 100
0.88
20
Package
Paketi
TJ Max
(C)
115
150
150
150
150
175
175
175
150
150
150
150
150
150
175
175
175
2.3.4. DIAC
Seri ters bal iki diyot gibi alr.
Thyrector'den farkl olarak zener iermez.
Bu diyotlarda byk akmlardan dolay
oluan yksek scaklk, dk devrilme
gerilimlerine
sebep
olmaktadr.
Dolaysyla
tetiklemede
kolaylk
salanmaktadr.
Genel olarak diyaklar geni oranda SCR
ve triyak tetikleme devrelerinde yardmc
eleman olarak kullanlmaktadrlar.
eemdersnotlari.com
Diyak iin baz z deerler;

Diac tipi:
261-334
VBD
= 32 V
Ipk
= 1 A (TA=25 C ve 20s iin)
Tdepo = Tiltm = - 40 ile +150 C

TJmaks.= 100 C
PT
eemdersnotlari.com
= 150 mW (TA = 40 C iin)
Diac tipi:
BR100 261-930
VBD = 32 V
Ipk
= 2 A (TA=25 C ve 20s iin)
Tdepo = Tiltm =-55 ile +125 C

TJmaks= 100 C
PT
eemdersnotlari.com
= 150 mW (TA=40 C)
IA A
-VD
0
(a)
VD VA V
(b)
ekil 2.21 Diac eleman (a)genel sembol, (b)zerisi.
eemdersnotlari.com
2.3.5. SHOCKLEY Diyodu

okley diyodu tetikleme devrelerinde
kullanlan bir yariletken elemandr.
Kesim blgesinde normal bir diyot
gibi davranr. letim blgesinde ise
devrilme gerilimine kadar iletmez.
Sonra ani olarak iletir ve gerilim
dm dk deerlerde olur.
eemdersnotlari.com
IA A
p
n
p
n
(a)
(b)
-VD
0
(c)
VD VA V
(d)
ekil 2.22 Shockley diyodu (a)Sembol, (b)pn edeeri,

(c)tranzistr edeer devresi (d)akm gerilim zerisi
eemdersnotlari.com
s
R
Vs
t
(a)
(b)
ekil 2.23.(a)Shockley diyotlu salnm

devresi, (b)tesdere dii k salnm
eemdersnotlari.com
2.3.6. SIDAC (Silicon Diode for Alternating

Current: AAda iki Ynl Yariletken Diyot)
Sidak (sidac) eleman, iki ynl akm

iletebilen zel bir diyot olup diyak gibi
belirli devrilme geriliminde ileterek
zerindeki gerilimi yaklak sfra
indirir ve iletken gibi davranr.
eemdersnotlari.com
iA
RS eimi
vA
(c)
(a)
(b)
ekil 2.24.(a)Sidak sembul, (b)akm-gerilimzerisi (teorik), (c)deneysel

gsterimi
(50V/div., 20mA/div. Ve RY=14K)
eemdersnotlari.com

Geici koruma
amal sidac
D S1
vS
f
k gerilimi
korumas
Ay arlay c
C2
C1
(a)
v Y 100V
RY
D S2
vC
VB 0
R
+
_
V SV B0
DS
vC
0
iY
RY
iY
0
t
(c)
(b)
R ( VS-VB 0)/IB 0
R ( VS-VTM )/IH
t=RC[1/(1-VB 0/VS)]
ekil 2.25.(a)AA/DA dntrcde koruma amal sidac kullanm,

(b)sidakl salnm reteci devresi ve (c)k sinyalleri deiimi
eemdersnotlari.com
DS
+
vS
iA
(VT, IT)
I5
iY
RY
Eim=1/RY
(a)
RY RS
I3
(Vkpm, Ikpm)
(c)
IH
I1
(VB0, IB0)
0 V1 V2 V3 V4 V5
vA
(b)
(c)
ekil 2.26.(a)AAda R ykl devrede sidak ve (b)akm-gerilim yk zerisi, (c)fiziksel grn
V1..,V5: srasyla t=1, ...,5 anlarndaki gerilimler

I1..., I5: srasyla t=1, ...,5 anlarndaki akmlar
eemdersnotlari.com
IIKLA ALIAN
(OPTK) ELEMANLAR
Ik dzgn bir enerji dalmna sahip
elektrik ve magnetik alandan oluan bir
dalga olarak tanmlanabilir. Buna gre de
elektro magnetik spektrumda yer alr.
Fakat
n
dier
zellikleri
incelendiinde, enerji tayan paracklar
da denen fotonlar dan oluur.
eemdersnotlari.com
2.3.7. Foto Diyot

(Photo Diode, Ikla alan Diyot)
Bir p-n eklemine ters kutuplamal gerilim

uygulandnda, elektron ve oyuklar biri
birinden uzaklarlar. Eklemin uyb'si
bym olur. Uygun dalga boyundaki
k nlar bu blgeye ulatnda oyukelektron iftlerinin domasna neden
olurlar. Kapama gerilimine ters ynde bir
akmn olumasna neden olurlar.
eemdersnotlari.com
Ik fotonlarndaki enerji alglanma ile

beraber fotovoltaik etki ile de elektrie
dntrlr. Bunun iin de ayrca
belirli bir gerilime ihtiya duymazlar.
Ik gerilimli hcre de denen bu
(photovoltaic cell) elemanlar ktan
elektrik elde etmede de kullanlabilirler.
Eklem blgesine ulaan k nlar
ters yndeki akm arttrmaya balar.
eemdersnotlari.com
RF
K
is
ilemsel
kuvvetlendirici
is
K
eo= is RF
RY
eo= is RY
A
+
-
(a)
(b)
ekil 2.28 Fotodiyotun (a)fotovoltaik, (b)fotoiletken zelliinden

yararlanlarak kullanlan rnek devreler
eemdersnotlari.com
Foto diyot
tipleri
OP900SL
OP913SL
OP913WSL
A Ik akm
14.0
120.0
40
ID nA Karanlk akm
10.0
25.0
25.0
VRB, V Kesim devre gerilimi
150
32.0
32.0
tr Ykselme sresi ns
tf Dme sresi ns
100
100
Voc, mV ak devre gerilimi
400.0
300.0
Isc, A ksa devre akm
120.0
40.0
Cj pF toplam kapasitesi
150.0
150.0
ton ns ama sresi

toff ns kapama sresi
50.0
50.0
50.0
50.0
Sembol
Ip
eemdersnotlari.com

D e i ik dalg a bo ylu foto nlar
M av i K rmz K zl te s i
(nfrare d)
optik
tabak a
Ko n tak
w - uyb
n tipi silisyum tabaka
A
(a)
(b)
+ i A A
I k s z o rtam
ze ris i
I k l o rtam
ze ris i
VR B
+ v A V
Vo c , ak de v re
( k u) g e rilimi
I k k s a de v re k
e tk i ak m
D ire n e ris i
(c)
ekil 2.29 Fotodiyot (a)sembolleri, (b)eklem yaps ve k

etkisi, (c) zerileri
eemdersnotlari.com
p
tabakas
O k s it
tabak as
n
tabak a
Metal
kontak

%
100
GaAs
GaP:N
80
60
nsan
gz
40
20
0
200
Mor
tesi
GaAs:Si
Germanyum
diyot
GaAs 0.15 P0.85 :N
GaAs 0.35 P0.65 :N
Silisyum
diyot
GaAs 0.35 P0.65 :N

500
Grlebilir
1000
Yakn kzl tesi
1500
2000
nm
Orta kzl tesi nla
ekil 2.30 Silisyum ve germanyum fotodiyotlarn bal hassasiyetlerinin

deiim zerileri
eemdersnotlari.com
eemdersnotlari.com
eemdersnotlari.com
eemdersnotlari.com
2.3.8. Ik Yayan Diyot

(LED : Light Emmiting Diode)
LEDler,
iletime kutuplandnda elektro

magnetik radyasyon yayarlar. Bu ma, elektro
magnetik spektrumda mor tesi ile kzl tesi
arasnda bir madr. Yaylan nlar, eklem
blgesinin d plastik veya metallerle kaplanarak
odaklanr. Dalga boyunu etkileyen faktr, eleman
oluturan yariletken malzemenin zelliidir.
plak gzle grlebilir spektral band'ta krmz,
sar ve yeil renklerde LED'ler retilebilmektedir.
eemdersnotlari.com
LED'ler ile, deiik gsterge klar, ses

donanm, yedi paral saysal gstergeler (seven
segment displays), lme devreleri, telefonlar,
konutlarda kullanm amal sinyal ve bilgi
sistemleri, elence sistemleri gibi birok alanda
kullanlmaktadrlar. Birden fazla flamanl olup tek
renk dnda farkl klar verebilen LEDler de
vardr. Uzaktan kumanda donanmnda olduu
gibi. Yariletken radyasyonun, dk iletme
scakl, titreim-darbelerine kar mekanik
dayanm, boyutlarnn kkl gibi stnlkleri
vardr.
eemdersnotlari.com
e le ktronlar
e .VA
ile tim band

e .(VA -VS)
VS
ortalama
Eg
n
uyb
(a)
oyuklar
(b)
(c)
ekil 2.31 LED eklemi (a)gerilim uygulanmam durum, (b)iletime

kutuplama gerilimi ile iletme durumu, (c)LED sembolleri
eemdersnotlari.com
2.3.9. Kzltesi In Yayan Diyot

(IRED: InfraRed Emmiting Diode)
GaAs tipi bir fotodiyot olup, yaklak
900nm civarnda dalga boyu n
yayarak yaklak 1,43eV luk eklem
aral enerjisine sahip zel diyotlardr.
Bu tip diyotlarda anahtarlama iletim
sresi 50ns civarndadr.
eemdersnotlari.com
Tablo 2.4 Baz IRED'lere ait zdeerler

Klf ekli
IRED
tipi
Yarm a
derece
Parlaklk mW/sr
(IA=100 mA'de)
VA
V
-IA A
LD242
60
2,5.12,5
Plastik
LD271
25
7,0 . 20,0
5 mm plastik
LD273
25
15,0
5 mm
SFH400
12,5 64,0
Cam lens
SFH402
40
1,6 8,0
Yass cam p.
SFH409
20
15,0
3 mm
OP123/4
24
2,34 mm herm.
1,5
100(-2V'da)
OP130/1/2
18
5 mm hermetic
1,75
100(-2V'da)
OP130W
50
5 mm hermetic
1,75
100(-2V'da)
OP290/1
50
5 mm plastik
4,0
100(-2V'da)
OP140A
40
4,57 mm plastik
1,6
100(-2V'da)
OP169A
46
4,19 mm plastik
1,6
100(-2V'da)
eemdersnotlari.com
Oksit tabakalar LED

sistemi
p
Plastik
Au tel
N-GaAs-Si
N-GaAs
effaf
(a)
Anot
N-GaAs
Metal temas
tabakalar
Katot
(b)
ekil 2.32 Kzltesi k yayan (IRED) diyotun

(a) yariletken yaps, (b)fiziksel gsterimi
eemdersnotlari.com
2.3.10. Lazer Diyot

Birden fazla yariletken tabakal
GaAlAs tipi
diyot olan lazer
diyotlarda, cevap verme sresi ok
ksadr. Al katksnn tm aktif
blgede bulunan diyotun yayd
nlarn dalga boyu 820-880nm
arasndadr.
eemdersnotlari.com

e Radyasyon
[mW] gc
12
Balant
eridi
Oksit maske
10
p
tabaka
GaAs
Aktif
blge
6
4
In k
n tabaka alan
2
IA
Laser n
demeti
(a)
(b)
100
200
300 mA
ekil 2.33 Lazer diyodu (a)Yariletken yaps, (b)Anot akm-radyasyon

gc zerisi
eemdersnotlari.com
2.3.11. Tnel Diyodu (Tunnel Diode)

Normal bir p-n eklem diyotunun uzay yk
blgesi, p ve n tabakalarndaki potansiyeller
arasnda bir duvar grevi yapar. Yariletkende
normalde bulunan katk younluu 10-8'den, 103'e arttrlrsa, yariletken zellii deierek tnel
diyotunda olduu gibi, normalde 5 mikron
civarnda olan duvar genilii, katk atomu
younluunun karekk ile ters orantl olarak
deiir. Tnel diyotu bu zellikleri tayan
yariletkenlerden olumutur.
eemdersnotlari.com
IA
K
Ip
IV
Vp
(a)
Rs
VV
VF
Ls
CJ
VA
-Rn
Tnel akm
Katk yk akm
(b)
Toplam diyot akm
(c)
ekil 2.34 Tnel diyodu (a)sembol, (b)iletim-kesim zerisi,

(c)negatif (-Rn) diren blgesinde kk iaret edeer devresi
eemdersnotlari.com
2.4.TRANZSTR
Tranzistrler,
iki amala kullanlan

ululardr. Bu amalardan biri anahtar
olarak kullanlmas, dieri ise ykseltici
grevi yapacak ekilde kullanlmasdr.
Anahtar uygulamalar g elektroniinde
nemli yer tutarlar. Diyot ve tranzistrler
tek ynl bir anahtar kabul edilebilir.
Tranzistrn iki ucu, tek kutuplu anahtar
gibi alr. nc u ise bu iki ucu
harekete geirme, denetleme grevi yapar.
eemdersnotlari.com
c
IC
VCB
b
IB
+
VB E
e
(a)
c
+ IC
VCE
IE
VCB
b IB
VEB
+
e
(b)
IE
(c)
ekil 2.36 Bipolar tranzistr (a)npn, (b)pnp sembolleri, (c)fiziksel grn
eemdersnotlari.com
G Elektronii
WA ax| TUhg
Teekkrler!!
eemdersnotlari.com
2.4.TRANZSTR
Tranzistrler,
iki amala kullanlan

ululardr. Bu amalardan biri anahtar
olarak kullanlmas, dieri ise ykseltici
grevi yapacak ekilde kullanlmasdr.
Anahtar uygulamalar g elektroniinde
nemli yer tutarlar. Diyot ve tranzistrler
tek ynl bir anahtar kabul edilebilir.
eemdersnotlari.com
c
+ IC
VCB
b
IB
+
VBE
e
(a)
c
+ IC
VCE
IE
VCB
b IB
VEB
+
e
(b)
IE
(c)
ekil 2.36 Bipolar tranzistr (a)npn, (b)pnp sembolleri, (c)fiziksel grn
eemdersnotlari.com
2.4.1 ki Kutuplu Eklem Tranzistr

(BJT:Bipolar Junction Transistor)
BJT Tranzistrde
ular;
Baz (base),
Emiter (emmiter) ve
Kolektr
(collector)
isimlendirilirler.
eemdersnotlari.com
diye
Rc
25
Rc
25
c
s
+
Rb=5 b
Eb=5V
IC
(a)
Rb=5 b
IB +
VBE
Vcc
40V
IE
+
Eb=5V
c
-
IB
VEB
IC
+
IE
e
(b)
ekil 2.37 ki kutuplu tranzistrlerin iletime kutuplanmas

(a) npn iletimi (b) pnp iletimi
eemdersnotlari.com
Vcc
10V
RE
5K
IC mA
RC
25
50
c
IC
IB +
VBE IE
- e
(a)
VCC=VE
+ 40V
-
IE=200 A
40
160
30
120
20
80
10
0
Yk
dorusu
40
0
2
(b)
ICE0
10
VCB V
ekil 2.38 2N2907A tipi npn tranzistrn (a) tek kaynaa bal ortak emiter
montaj devresi, (b)k zerisi.
eemdersnotlari.com
a
v1 i1
b
+c
i2
Ki1
v2
b
RS
+
vs
i1
-
a
i2
Ki1
c
+
v2
-
RY
b
b (b)
(a)
ekil 2.39.(a)deal bir akm denetlemeli akm kayna,
(b) devre modeli.
eemdersnotlari.com
IE
+
BE
IB
VCB
(a)
FIED
R ICD
IE
+ E
IED
IE
+ VED
(b)
IB B
ekil 2.43.(a)npn tranzistr akmbileenleri, (b)geni sinyal

(veya DA) edeer devresi
eemdersnotlari.com
ICD
VCB
IC
+
IC
[mA]
-25
Doyma
blgesi
letim blgesi
IE=25 mA
IE
RE
-15
15
+
VEE
-5
+1.0 0.8
0.4
(a)
+ IC
+
VEB - - VCB
IB
VCB V
-0.4 -0.8 -1.2
VCC
+
5
0
(b)
IC0
ekil 2.44.(a)Ortak baz montajl 2N2907A (pnp Si katkl) tranzistrn k

zerileri (b)OB balant devresi
eemdersnotlari.com
RC
I C I CS (e
I E I E 0 (e
VCB
V
VEB
V
1)
1) R I C
I C F I E I C 0 (e
eemdersnotlari.com
VCB
V
1)
IE
mA
8
VCB =10 V
1V
0V
4
Kollektr
ak
IC
RC
500
IE
+ VCC
40 V
-
B
IB
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 VEB V

(a)
+
VB E
-
E
(b)
ekil 2.39.Ortak baz montajl tranzistrn (a) giri zerisi,

(b)balant emas.
eemdersnotlari.com
2.4.2.Tranzistrn DA Modeli
Tranzistrlerin,
DA
modeli
kartlrken, ortak emiter ve ortak baz
montaj yaklak ayn devre modeli
ile modellenebilir.
eemdersnotlari.com
IB
VBE
R0
V IB
ICE(doy)
VFBE(doy)
BE(doy)
F IB
E
(a)
ekil 2.47 Bir npn tranzistr a)DA modeli,
b)eklem blgesi alma modeli
eemdersnotlari.com
E
(b)
2.4.3.Tranzistrn Anahtar Edeeri

Kolektr-emiter
akm, baz akmyla
denetlenirken, tranzistr adeta bir anahtar gibi
davranr.
Giri gerilimi vs, anahtara kumanda eder.
tT1 durumunda vs=V1 olarak emiter-baz
tkamaya girer.
Pratikte vo=VCC alnabilir.
eemdersnotlari.com

v0
+VCC
IR
VCC
R
IC
IB + VBE
VCE(doy)
(a)
vs
V2
IC
IC(doy)
+VCC
T 1 T2
V1
v0
vs
0,9IC(doy)
RY
50 K
(b)
0,1IC(doy)
T1
(c)
td
ton
T2
tr
ts
tf
toff
ekil 2.48.(a) Diyot gibi davranan npn tranzistr. (b)Anahtar tranzistr,

(c)vo ve ic'nin deiimleriyle gecikme, ykselme, depolama
ve dme srelerinin ama kapama srelerine gre oranlar.
eemdersnotlari.com
G Elektronii
WA ax| TUhg
Teekkrler!!
eemdersnotlari.com
Tranzistr
2.4.4. Diyot Olarak Tranzistr

Tranzistr
iki ekleme sahip olmasna

ramen, diyot olarak kullanlabilir.
Tranzistrn iki kaps ksa devre
edilerek
veya
tmdevre
(ICs)
retimindeki tasarm srasnda darya
sadece iki u kartlarak diyot gibi
kullanlr.
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve Darlington
2.4.5. Darlington Tipi G Tranzistrleri

G
tranzistrlerinde, baz ucundan yaplan

srme ilemi srasnda, byk kolektr
akmlarnda byk baz akmlar gerektirir.
rnein 100A'lik kolektr akmna sahip bir g
tranzistrnde 10A'lk bir baz akm gerekir. Bu
amala, bir tranzistr, dier bir tranzistr iletime
srecek ekilde balanp ortak kolektr beslemesi
eklinde akm kazanc arttrlarak darlington
balant oluturulur.
eemdersnotlari.com

Vdent.
R(doy)
Src Tr
(gerekli ise)
Rb2
Rb1
Rb1
Anahtar T r
Rb2
VCC
AnahtarT r
Src T r
R(doy)
DGe.Dur
RY
(a)
Vdent.
RY
Rb2
Rb1
Anahtar T r
Src T r
+
VCC
Vdent.
Re1
RY
(c)
ekil 3.49 Tranzistrlerin darlington balama ekilleri

eemdersnotlari.com
+
VCC
(b)

+12V
Srlecek
Darlington
Tr1
40 mF
R4
R1
D1
R2
D2
Tr4
T r5
2,2mF
47
R3 =100
Tr2
R3
C3 0,1F
8
47
CB
R10
R11
47
Tr3
16
7
10K
D3
R6
15 CA
R4 =435mF
10
L1
R5
11
14
4
5
10
C1 =10F
1,5K
R9
0,1
C2
ekil 3.50 Darlington bal tranzistr ve src prensip devresi

eemdersnotlari.com
R8

Alan Etkili Tranzistrler
2.5 ALAN
ETKL TRANZSTRLER
FET:Field Effect Transistor
ulu bir eleman olup geni bir uygulama alan

vardr. MOSFET ve JFET olmak zere iki zel
yap ekli tranzistr tipi bulunmaktadr. FET'ler
tmdevre yongas zerinde, normal iki kutuplu
tranzistrlerden daha az yer kaplarlar. rnein
100.000 MOSFET,
tek bir yonga zerinde
oluturulabilir.
eemdersnotlari.com

n+
p+
G
S
p tipi kanal
n tipi kanal
Tranzistr
tutucusu
(Sktrma yay)
n+
p+
(c)
(a)
D
D
IG
ID
IG
+
VDS
-
ID
+
VDS
-
G +
VGS
-
G +
VGS
S
(b)
IS
(d)
IS
Soutucu
profil
ekil 2.52.(a)n kanal JFET yaps ve (b)sembol, (c)p kanal JFET yaps ve (d)sembol
eemdersnotlari.com

Alan
etkili tranzistrler FET ve JFET

olarak iki guruptur.
ID
mA
O mik (ve ya
doyumsuz ) blge
VGS=0,2V
VG G
+
ID
IG
+
VDS
G +
VG S
IS
- S
(a)
VG G
+
-1,0
-1,5
-2,0
-2,5
-3,0
10
20
30
(b)
ekil 2.53.(a)2N4869 n-kanal JFET devresi, (b)k zerileri.

eemdersnotlari.com
De vrilme
blge si
0
-0,5
Sabit akm
(ve ya doyma)
blge si
40
50
VDS V

Tranzistr ve Mosfet
2.5.2.
Alan
G MOSFET'leri (Power MOSFETs)
etkili tranzistrlerin, g
devrelerinde kullanlan tipidir. Son
yllarda gelien teknoloji ile MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor) ler 500V ve 30 A
snrnda alabilecek zelliklerde
retilmektedirler.
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve Mosfet
D
G
D
+
VDS
+
VGS S
D
G
D
G
ekil 2.59 MOSFET sembolleri (arttrlm ve eksiltilmi tip)
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve Mosfet
tranzistrlerinden
daha dk gte
kumanda sinyalleri ile
denetlenebilirler.
S
G
Yksek
frekanslarda
kullanlabilirler. (zellikle
1-10GHz arasnda)
(b)
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve Mosfet
D
D
Al
Metal
G
-----p
S
n
(b)
SiO 2
n
p
(a)
Si
(c)
Metal
G
+++++++
+++++++
ekil 2.55.(a)Arttrlm modda alan n-kanal MOS yaps,

(b)n-kanal kesiti, (c)p-kanal kesiti.
eemdersnotlari.com
S
p

Tranzistr ve Mosfet
D
D
Al
Metal
G
-----p
S
n
(b)
SiO 2
n
p
(a)
Si
(c)
Metal
G
+++++++
+++++++
ekil 2.55.(a)Arttrlm modda alan n-kanal MOS yaps,

(b)n-kanal kesiti, (c)p-kanal kesiti.
eemdersnotlari.com
S
p

Tranzistr ve Mosfet
Kapdaki metal alan ile n veya p
yariletken
blge aras,
dielektrik
(elektriksel yaltkan) oksit tabakas ile
yaltml bir paralel kondansatr zellii
gsterir. Dolaysyla bu tip FET'lerin
kaplar yaltlm olur ve bu FET'ler
IGFET (Insulated Gate FET) olarak da
tanmlanr.
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve Mosfet
2.5.3.VMOS
veya GFET'leri
MOSFET'lerde
tayclar, sorce'den drain'e

yatay olarak akarlar. Modern retim
teknolojileri ile, MOS'larda yksek giri
empedans ve yksek anahtarlama hzlar elde
edilmektedir. Byle MOSFET'lere, yksek
yaylml MOS veya VMOS (Vertical MOS)
denir. retim zelliklerinden dolay, akm
dikey olarak, elektronlarn ak ynnn ters
ynnde akar.
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve Mosfet
+5V
R1 =270
+5V
IC1
4N35
Denetim
TTL gir.
R2
4.7k 4
3
5
8 Vcc
Reset
IC
555
k.
Dentl.
GND
C1
R3
7
220
+V
C4
R4
100
R6
6
2
C3 +
C2
0.047F
D1
1N914
D2
RY
4.7k
Tr1
2N3904
0.01F
C3 , C4 =10 F, 16 V
ekil 2.63 Pratik MOSFET src devresi
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve Mosfet
2.6
2.6. TEK EKLEML TRANZSTRLER

(UJT :Uni Junction Transistor)
2.6.1.
Standart UJT
ulu bir eleman olan UJT, bir tranzistr

gibi davranr. Genel olarak, uygulamalarda bir
osilatr devresi olarak kullanlr. Bazen de
akm veya gerilim alglaycs grevi grr.
UJT'ler geni oranda tristr tetikleme eleman
olarak kullanlrlar.
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve Mosfet
b2
b2
e
b2
b2
Rb2
Rb2
b1
b1
b1
(c)
(b)
(a)
Rb1
Rb1
b1
(d)
S
R2
220
50K
+
E
10V -
R3
vc
6,3V
b2
e
b1
R1 v o
100
+v o
(e)
ekil 2.64.(a)UJT sembol, (b)diyot edeeri, (c)anahtar edeeri

(d)p-n eklem yaps, (e)UJT'li bir uygulama (tetikleme) devresi.
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve UJT
2.6.2.CUJT
Srekli
(Complementary UJT)
alma gerilimi dk, daha

kararl bir UJT'dir. Standart UJT ile
ayn z deerlere sahiptir. Aralarndaki
fark, standart UJT'ye gre uygulanan
gerilimin ters kutuplu olmasdr.
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve IGBT
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)
MOSFETlere benzer bir yariletken

yaps
olan
yaltml
kapl
tranzistrlerdir. MOSFETten en nemli
fark, drain ucunu p+ tabakas oluturur.
IGBTler, iki kutuplu tranzistrlerden
farkl olarak denetim parametreleri;
giri akm yerine, giri ve gate-source
gerilimleridir.
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve IGBT
iD
VG S nin azalma
Yn
iD
Drain
VG S4
Kollektr
VG S3
Gate
Gate
VG S2
VG S1
VRM
VG S(th)
(b)
VDSS
vG S
Emmiter E
Source S
(d)
(c)
vDS
(a)
C (2)
C (2)
D (1)
D (1)
S
n+
e3
e2
e1
G
SiO2
n+
n-
n+
p+
L (3)
L (3)
(e)
E
(f)
(g)
(h)
ekil 2.57 IGBT iin (a)akm-gerilim k ve (b)aktarm zerisi, (c),(d), (e), (f) ve
(g) n kanal gsterim sembolleri, (h)yar iletken yaps
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve IGBT
Drain
+
Drain
Re Ve1
Re
- Ve +
+
ID Rkanal
-
Source
(a)
Rk
Source
(b)
ekil 2.58 IGBT iin (a)normal almada edeer devre

(b)tam veya tristr edeer devresi
eemdersnotlari.com

Tranzistr ve IGBT
IGBTlerin
Tipik baz parametreleri;
VCES, Kollektr-Emiter Gerilimi (VGS = 0da) :600 V
VGE, Kap-Emiter Gerilimi
IC,
: 20 V
Kollektr Akm (srekli ve TC =25 C de)
ICM,
Kollektr Akm (darbeli iletimde )
PT, Toplam Kayp G (TC=25C de)
TJ, letme Scakl (Tdepo.)
TJ, Maksimum Eklem Scakl
TJC, Eklem-Gvde Isl Direnci
VGE(th), Kap Eik Gerilimi
eemdersnotlari.com
:6A
:25 A
:40W
:-65 ile 150C

:150C
:3,25 W/C
:2,5 ile 5V aras

IGBT
td(on),
Gecikme Sresi
tr, Ykselme
td(o ff),
Sresi
Kesim Gecikme Sresi
:170 ns
:540 ns
:3,4 s
IGBTlerde
iletim kayplarnn MOSFETlere

oranla daha dk olmasndan dolay yksek
gerilimli uygulamalarda, MOSFETlerin yerine
tercih edilirler.
Akmn
sfr geiinde anahtarlama veya rezonans

anahtarlama tekniklerinin kullanlmasyla yzlerce
KHz
anahtarlama
frekans
oranlarnda
altrlabilirler.
eemdersnotlari.com

IGBT
! ... KARILATIRMA
Tablo 2.5 IGBT, MOSFET ve iki kutuplu eklem tranzistrlerinin
karlatrlmas (Direnler 10Alik akm deeri iindir)
zdeer
MOSFET IGBT Tranzistr
Akm [A]
20
20
20
*
Gerilim [V]
500
600
500
RDS(on) [ ](TJ= 25 C)
0,2
0,24
0,18
RDS(on) [ ](TJ= 150 C)
0,6
0,23
0,24
Anahtarlama sresi [ns]
40
200
200
eemdersnotlari.com

IGBT
IGBTlerin
MOSFETlerden bir fark da

ters
paralel
bal
bir
diyotlarnn
olmaydr. Bu nedenle devre tasarmclar,
motor denetiminde IGBT kullandklarnda
ykte oluabilecek zt emklarn olumsuz
etkilerini nlemek iin devreye ters paralel
bal bir diyot kullanrlar.
eemdersnotlari.com

IGBT
Tka indktans
edeeri (LS)
Deiken
DA +
Kayn.
-
Kap
Sinyal
reteci
Yarletken
ksadevre
el.
Vgg
Lk
+
VSG
+
IY
Deiken
yk
LY
ic
Aktif
Kap
Src
Devre
iG G
+
+
vGE
-
vCE
ekil 2.60 ndktif ykl IGBT koruma devresi

eemdersnotlari.com
lme
Devresi
Blm Sonu
gXfX^^e_Xe
N. ABUT
eemdersnotlari.com
Dr.N. Abut KO MHENDSLK FAKLTES nurettinabut@hotmail.com
TRISTR-SCR
2.7.TRSTR (SCR:Silicon Controlled Rectifier),

Yariletken denetimli dorultucu
G
denetimi ana
devre elemanlarnn
en
nemlilerinden biridir. Drt ayr yariletken
tabakadan olumutur. almas, seri bal npn
ve pnp tipli iki tranzistrn almas gibidir.
Tristrn tranzistr edeer devresi, ekil 2.69.(c)
den grld gibi, npn ve pnp tipi iki
tranzistrn
biri
birini
srecek
ekilde
balanmasndan olumutur.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
Tristrn
anoduna (+) katoduna () olmak zere

bir gerilim uygulandnda, tristr iletime
kutuplanm olur.
Kap
devresine,
ak
S anahtar
kapatlarak,
bir
tetikleme gerilimi
s
uygulandnda,
belirli aamalarla,
+
tristr
iletime VG
geer.
eemdersnotlari.com
SC
R
G
IG
IA
K
(a)
+
Deiken
- VS
IA
[A]
TRISTR-SCR zerileri
(1)
(2)
IH
VRB
IGHIG1IG2IG3IGnIG0=0 (yani
tetikleme yok)
(8)
(7)
0 VH V1 V2 V3 Vn VFB(IG=0)
(5)
(4)
(4)
(6)
eemdersnotlari.com
Vlatc
VA [V]
TRISTR-SCR
R
A
SCR
+
VG
eemdersnotlari.com
s
IG
Deiken
+
VS
K
(b)
IA
[A]
TRISTR-SCR zerileri
(1)
(2)
IH
VRB
tetikleme yok)
(8)
(7)
(5)
(4)
(4)
(6)
eemdersnotlari.com
Vlatc
VA [V]
R
R
A
SCR
SCR
s
+
VG
IG
IA
K
(a)
IA
[A ]
+
s
Deiken
+
VS
VG
-
IG
Deiken
+
VS
K
(b)
(1)
(2)
IGH >IG1 >IG2 >IG3 >IGn >IG0 =0 (yani
tetikleme yok)
IH
VRB
(8)
(7)
0
(5)
V H V 1 V2 V3
(4)
Vn VFB(IG =0)
VA [V]
(3)
(6)
Vlatc
(c)
ekil 2.71 Tristrn (a)iletime kutuplama, (b)kesime kutuplama,

(c)iletim-kesim-tkama zerileri.
eemdersnotlari.com
A
A TRISTR-SCR
Dr.N. Abut KO MHENDSLK
FAKLTES nurettinabut@hotmail.com
A
p1
e1
n1
G
p2
Anot
e3
n2
(a)
e2
n1
p1
Ie1 =IA
n1
Tr1
p2
(b)
Anot
p1
ep
n1
n1
p2
e2
n1 e2
p2
p2
n2
IG
G
(d)
p2
e3
Katot
(-)
Ic1
b2
Tr2
bp
Tpnp
cp
Icp
cep
G(K)
Ien
IE =IK
(c)
Ibp =IG(n) G(A)

Iep
cen
IG(p)=Ib
(f)
Icn
Tnpn
en
(-) tran zistr m odeli, (d)kap darbesi

ekil 2.69 T ristr n (a)sem bol , (b)p-n eklemKatot
leri, (c) iki
(e) balan g c, (e)iletim an n da tristr an ot
u ygu lan d n da tristrde kap akm
akm n n yariletken blgelerde da lm , (f)eklem kapasiteleri.
eemdersnotlari.com
c2
Ic2
e3
n2
IG(n) G(A)
e2
A
e1
n1
b1
IG(p)
(+)
p1
e1
G(K)
c1
n2
K
(+)
p2
e1
Ien =IK
A
p1
p2
n2
(a)
e2
n1
e3
(+)
n2
Anot
Ic
b2
IG(n) G(A)
c2
Ic2
Tr2
IG(p)
(+)
e2
IE =IK
K
A
p1
n1
n1
p2
n1 e2
e2
p2
p2
n2
IG
(-)
ep
e1
n1
Katot
G(K)
(c)
e1
(d)
b1
p1
p2
p2
e1
Tr1
n1
(b)
Anot
Ie1 =IA
p1
e1
n1
G
Dr.N. Abut KOA

MHENDSLK FAKLTES nurettinabut@hotmail.com
TRISTR-SCR
p2
e3
e3
n2
G
(e)
Katot
(-)
bp
Tpnp
cp
Icp
cep
G(K)
Ien
Ibp =IG(n) G(A)

Iep
cen
IG(p)=Ib
(f)
Icn
Tnpn
en
Ien =IK
ekil 2.69 Tristrn (a)sembol, (b)p-n eklemleri, (c) iki tranzistr modeli, (d)kap darbesi
uygulandnda tristrde kap akmbalangc, (e)iletimannda tristr anot
akmnn yariletken blgelerde dalm, (f)eklemkapasiteleri.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
Dr.N. Abut KO
A MHENDSLK FAKLTES nurettinabut@hotmail.com
Ie1 =IA
p1
p1
e1
n1
G
e2 G
p2
Anot
n1
Anot
(+)
(+)
e1
e1
n1
n1
n1
n1 e 2
e2
p2
p2
n2
(d)
Katot
Iep =IA
p1
IG
(-)
p2
e3
e3
n2
G
(e )
Katot
IE =IK
p1
p2
Tr2
e2
(c)
IG(n) G(A)
c2
Ic2
IG(p)
(b)
b1
Ic 1
b2
G(K)
p2
n2
(a)
Tr1
c1
p2
e3
n2
n1
e1
ep
bp Ibp =IG (n) G(A)

Iep
Tpnp
cp
Ic p
c ep
G(K)
Ien
c en
IG (p)=Ibn
(f)
Icn
Tnpn
en
Ien =IK
(-)
ekil 2.69 Tristrn (a)sembol, (b)p-n eklemleri, (c) iki tranzistr modeli, (d)kap darbesi
uygulandnda tristrde kap akm balangc, (e)iletim annda tristr anot
akmnn yariletken blgelerde dalm, (f)eklem kapasiteleri.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
2.7.1.Tristrn
Tristrn
iletimi
anoduna () katoduna (+)

ynde bir gerilim uygulandnda, kap
devresindeki s anahtar kapatlsa bile
tristr iletmeyecektir.
Yani kesim
blgesinde alacaktr. Bu blgede,
tristr bir diyot gibidir.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
R
A
SCR
+
VG
eemdersnotlari.com
s
IG
Deiken
+
VS
K
(b)
TRISTR-SCR
R ayarl direnci ile

tristr ularndaki, VRB
ters gerilimi arttrlarak
VFB pozitif devrilme
gerilimine (Voltage of
Forward
Breakover)
ulatnda, diyotlarda
olduu gibi, ters ynde
tristrden bir akm
akar ve tristr iletken
hale gelir.
Anot
p1
e1
n1
n1 e2
p2
p2
e3
n2
G
(e)
eemdersnotlari.com
(+)
Katot
(-)
TRISTR-SCR
Tristrn
anoduna (+) katoduna () olmak zere

bir gerilim uygulandnda, tristr iletime
kutuplanm olur.
Kap
devresine,
ak
S anahtar
kapatlarak,
bir
tetikleme gerilimi
s
uygulandnda,
belirli aamalarla,
+
tristr
iletime VG
geer.
eemdersnotlari.com
SC
R
G
IG
IA
K
(a)
+
Deiken
- VS
IA
[A]
TRISTR-SCR zerileri
(1)
(2)
IH
VRB
tetikleme yok)
(8)
(7)
(5)
(4)
(4)
(6)
eemdersnotlari.com
Vlatc
VA [V]
R
R
A
SCR
SCR
s
+
VG
IG
IA
K
(a)
IA
[A ]
+
s
Deiken
+
VS
VG
-
IG
Deiken
+
VS
K
(b)
(1)
(2)
IGH >IG1 >IG2 >IG3 >IGn >IG0 =0 (yani
tetikleme yok)
IH
VRB
(8)
(7)
0
(5)
V H V 1 V2 V3
(4)
Vn VFB(IG =0)
VA [V]
(3)
(6)
Vlatc
(c)
ekil 2.71 Tristrn (a)iletime kutuplama, (b)kesime kutuplama,

(c)iletim-kesim-tkama zerileri.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
Tablo 2.7
VDRM
[V]
VRRM [V]
IT(ort)
[A]
IG
[mA]
VG
[V]
VDRMmaks. [V]
VRRMmaks. [V]
IT(or 180) [A]
di/dt [A/s]
Tjmaks. [C]
dv/dt [V/s]
IH
[mA]
IRRM [mA]
IDRM [mA]
RthJC [C/W]
RthJA [C/W]
THY500-40
500
500
40
60
2,5
500(TJ=125C)
500(TJ=125C)
40(TC=85C)
100
125
200(TC=125C)
25 tipik
10 maks
10 maks
0,5
-
eemdersnotlari.com
Baz Tristrler iin rnek

THY800-26
800
800
26
40
3
800(TC=125C)
800(TC=125C)
26(TC=80C)
175(TJ=125C)
135
200(TC=110C)
25 tipik
5 maks
5 maks
1,1
-
BTY79-400R
400
400
6,4
30
3
400(TC=125C)
400(TC =125C)
6,4(TC =90C)
20(TJ =125C)
135
50(TC=100C)
15 tipik
2,5 maks
2,5 maks
3,1
-
z deerler
BTX18-400
400
500
1
5
2
400(TC =125C)
500(TC =125C)
1 (TJ =105C)
100(TJ =125C)
125
20 min
5 tipik
1,5 maks
1,5 maks
10
-
C203YY
60
60
0,8
0,2
0,8
60(TC=125C)
60(TC=125C)
0,8(TC=25C)
125
20 tipik
5 maks
0,001
0,005
125
230
TRISTR-SCR
Tristrlerin
i1-Gerilim
eitli artlarda iletimi salanabilir.
etkisiyle iletim (VA > VFB)
1+2=1 olur.
Fakat iletmede bu tip iletime srme ekli kullanlmaz.
i2-Hz
etkisiyle iletim (Gerilim deime hz dVA/dtdVA/dtkrt)
i3-Scaklk
i4-Ima
etkisiyle iletim (TJ TJretim)
enerjisiyle iletim
(k, radyoaktivite, elektromagnetik
dalgalar vs. etkisi)
i5-Tranzistr
etkisiyle iletim (IG)
Tranzistrlerin bazna bir
gerilim uygulayarak, yani ekil 2.70.(b) de G ucuna bir darbe gerilim

uygulanmas durumunda tranzistr iletime geer. Buna kapdan tetikleme
veya tristrn atelenmesi denir. p blgesinden karlan kap ucundan
tetiklenen tristrlere klasik tristrler denir.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
VG
mV
0
IA A
0,9.IT
ton
td
tp td
tp
Anot
olursa SCR rahatlkla iletime girer
p1
Kesim
komutu
tr
e1
n1
n1 e2
t ms p
- di/dt sndrme G
(kesim)
di/dt
QR
IRRM
tq
eemdersnotlari.com
iyileme
sresi
(e)
Katot
(-)
Tekrar
t ms
poz. Ger.
VDRM
U
VR
VRRM
e3
n2
dv/dt dV/dt krtk.
V
0
p2
IT
0,1.IT
0
VA
V
(+)
t ms
TRISTR-SCR
IG
mA
IA A
VA V
VT
0,9IA
Pth W
t ms
Pth
IA
VA
0,1IA
0
t0
td t1
tr
t2
ts
t ms
t3
ekil 2.73 SCR kap darbesi srasnda kap-katot akmlar

eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
RY
LY
iA
SCR
~
v (t)=V m sin t
IG
RP
(a)
LP
RY
RY
LY
SCR
iA
CP
LY
iA
SCR
~
v (t)=V m sin t
(b)
IG
v (t)=V m sin t
IG
(c)
ekil 2.74.(a)Omik-endktif yk denetleyen tristr iletimi, (b)yke paralel bobin,

(c)yke paralel olarak balanan seri diren-kondansatr elemanlar.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
2.7.2.
Tristrn Sndrlmesi
(Turn-off: Commutation: Kesim, Komutasyon)

Tristrn
komutasyonu,
iletimden tekrar kesime
geerek akmn sfrlanmasdr.
Tristr ksa devre edilmesi (anot-katot ksa devre),
Anot akmna baka bir yol bulunmas (akm aktarm),
Alternatif gerilimin negatifi yar peryodundaki gibi, anodun

katoda gre daha negatif yaplmas, veya
SCR akmn tutma akm seviyesinin altna drmek (IAIH)
gerekir. Buna tristrn sndrlmesi veya komutasyonu

denir.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
rnek
tq
olarak; GE C158 tristr iin bu deerler:
= 25s
TJ = +125C
IT
= 150A
VR = 50 V
dv/dt = 200 V/s
di/dt = 5A/s ve (kap deeri; VG=10V, IG=100mA)
eklindedir.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
i.Kap Akm
le Kapama
Bu tr bir yntem, kk anot yzeyine sahip tristrlerde

uygulanr. GTO (Gate Turn-off Thyristor: Kapdan
Sndrmeli Tristrler) diye isimlendirilen bu tr
tristrlerde nceleri anahtarlama gc dk devre
uygulamalar yaplmakta iken gnmzde ilerleyen
retim teknolojileri ile birka yz KW gcn aan
MW mertebelerine yakn g denetim devrelerinde
kullanlabilir hale gelmilerdir.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
ii.Negatif
Gerilim Etkisiyle Kapama
Negatif gerilim etkili sndrme ile tristrn kesim

konumuna alnmas yani kapatlmasdr. Tristr
anoduna
negatif bir gerilim
uygulanarak
gerekletirilir.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
Ls
RY
LY
iA
s1
Vs
+
s2
SCR
is
IG
+
IA =IY
VS
K
0
(a)
vA /iA
V/A
Im
(=IY )
IRM
vA t0
(di/dt)s
t s
t1 t2 t3
t4
t5
t6
(dv/dt)s
VT1-T2
t s
0
IRRM
Depolama
yk
(c)
dv/dt
ye gre
dolma
t s
Vs
VRRM
(b)
ekil 2.76.(a)Tristr sndrme devresi, (b)SCR, (c)Triyak iin sndrme annda anot akm
ve gerilimi deiimleri.
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
G
A
K
+ vA
IA =IY
vL
L
VS
-
+
vC
C
-
ekil 2.77 Tristrn L-C rezonans

devresi ile sndrlmesi
eemdersnotlari.com
TRISTR-SCR
ii.Negatif
Gerilim Etkisiyle Kapama
Negatif gerilim etkili sndrme ile tristrn kesim

konumuna alnmas yani kapatlmasdr. Tristr
anoduna
negatif bir gerilim
uygulanarak
gerekletirilir.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - PUT
2.8.ZEL TP TRSTRLER
2.8.1.PUT
(Programmable Unijunction Transistor)
Bu
tip tristrn kap elektrotu, p-n-p-n

blgelerinden anoda yakn olan n tabakasndan
alnmtr.
Normal
PUT
tristr gibi zeriye sahiptir.
elemannn zaman (geciktirme) devrelerinde,

mantk
ve
SCR
tetikleme devrelerinde
kullanlmas tristrlerle en nemli farklardr.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - PUT

A
A
G
G
K
(a)
K
IA
mA
V RB
(c)
+ Vs
RY
R3
IH
V FB V A V
VC
R2
v S(t)=V msint
f
P UT
R1
(b)
(d)
ekil 2.78 PU T, (a)Sembol, (b) zerisi, (c)Tranzistr edeeri,

(d)PU T ile tasarlanan bir SCR tetikleme devresi
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - AGSCR
2.8.2.AGSCR,
(The Amplyfying-Gate SCR: Ykseltici kapl tristr )

AGSCR
bir tristrdr. ok kk deerler olan

50A'den kk tetikleme akmnda almas bir
stnldr.
denetiminde,
klabilir.
tmdevre
1000A ve
1200V'un
zerine
olarak retilirken, ykseltici kap zellii

kazandrlr. Kap darbesi ile nce pilot SCR
eklemleri iletime girer.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - AGSCR
Ykse ltici
kap yaps
Kap
Katot metal
yzeyi
Pilot
SCR
n1
A
p1
n2
p2
Rp
G
K
G
K
(a)
(c)
Rp
Anot metal
yzeyi
(b)
ekil 2.79 AGSCR'nin (a)sembol, (b)yariletken yaps,

(d)SCR edeer devresi
eemdersnotlari.com
IA
OZEL SCR - GTO
2.8.3.GTO Kapdan Sndrmeli Tristr

(Gate Turn-off Thyristor)
Normal
tristrlerden fark, kesim konumuna

alnrken,
normal
tristrlerin
sndrme
yntemlerinin dnda
kap devresinden
de
sndrlebilmesidir.
Tetiklemede
Kap
kapdan bir darbe uygulanIr
darbe akmnn tersi ynnde bir akm

uygulandnda kesime girerler.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - GTO
n+
p
K
(a)
plazma
n
(b)
plazma
n
A
(c)
ekil 2.80 GTO tristr (a)sembolleri, (b)kap kesim akm

balangc annda, (c)daha sonraki aamalarda plazma ve
yariletken blgelerdeki yk dalmlar.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - GTO

C2
0,04
600V
D1
RCA
D2201M
1N1345B
T1
D2
R4
200
35W
C3
15
200V
ekirdek
Siemens
L1 =10mH
R2 =12,5
C1 =0,33
35W
+
DGA
girii 45
30V 10V 4W
20KHz
100V
Tr1
2N6292
R5
100
50
E55
(M 55)
G5001E
L2
5mH
R3
15W0V
ekil 2.81 GTO ile rnek bir uygulama devresi

eemdersnotlari.com
RY
160V
OZEL SCR - GTO
BTW58-1300R GTO tristr iin zdeerleri;

VDRM =1300V (Kapamada 1500V)
Tekrarl kapama gerilimi
VD
=750 V
Srekli kesim gerilimi
IAef
=7,5A
letimde etkin akm
IAor
=6,5A
letimde ortalama akm
IAden. =25A
tf
= 250ns
Denetlenebilen akm
Akmn azalma zaman
Tdepo. =(40C)-(+150C)
Depolama scaklk aral
TJ
Eklem scakl
=120C
PT =65W (TA=25C'de)
Maksimum iletim kayb
RthJC =1,5C/W
sl diren
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - GTO
RthCA =0,3C/W
D sl diren
dv/dt=10kV/s (VGR=5V)
Gerilim ykselme hz
=1kV/s (VGR=10V)
VAT =3V (IA=5A, IG=0,2A)
Anot-katot gerilim dm
VGR =(3V) - (10V)
Kesim kap gerilimi
VGT =1,5V (TJ=25C, VG=12V)
letim kap gerilimi
IGT =200mA (TJ=25C, VG=12V) letim kap akm

td
=0,25s [IA=5A, VA=250V, IGF=500mA] Ama a. Yay.gecikme sresi
tr
=1s
ts
=0,5s
tf
=0,25s [VGG=10V, LG=0,8H, IA=5A, VA=250V]
[IA=5A, VA=250V, IGF=500 mA]
Ama akm. ykselme sresi
[VGG=10V, LG=0,8H, IA=5A, VA=250V]
eklinde retici kataloglarnda verilir.

eemdersnotlari.com
Depolama sresi
Dme sresi
OZEL SCR - SUS
2.8.4.SUS (Silicon Unilateral Switch silisyumlu tek ynl anahtar)

Tetikleme, lojik ve zamanlama devrelerinde kullanlan bir
yariletken elemandr. 0,5A ve 20V'dan daha kk
kapasitelidir.
rnek olarak 2N4987 SUS iin baz z deerler,
VS=VFB= 610V
Anahtarlama gerilimi
IS = 0,5mA (maksimum)
Anahtarlama akm
VH = 0,7V (25C'de yaklak)
Tutma gerilimi
IH = 1,5mA
Maksimum tutma akm
VF = 1,5V (IF=175mA'de) letimdeki gerilim dm deeri

VRB= 30V
VG0= 3,5V
eemdersnotlari.com
Kesime kutuplama gerilimi

Kap darbe gerilimi minimum tepe deeri
OZEL SCR - SUS
A
IA
A
+
VS=15V
mA
IF
(a)
K
VRB
(c)
IH
0 VH VF VFB=VS
(b)
R1
10K
K
C
VA V 0,1
R2
20
Tetikleme
devresi
VO
(Darbe
genilii)
(d)
ekil 2.83 SUS (a)sembol (b)zerisi (c)edeer devresi

(d)Osilatr k gerilimi lm devresi
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - SUS
2.8.5.SBS (Silicon Bilateral Switch :

Yariletken iki ynl anahtar)
Her
iki ynde akm geirir.
ki SUS'un
eklidir.
Kap
ters
paralel
balanm
devresine zener balanarak AA ile

tetiklenen SBS'nin, tetikleme gerilimi
kltlebilir.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - SBS
T1
T1
+IA
mA
R2
Dz2
-VRB
T2
(a) T1
+IH
-IH =-IS +VFB VA V
Dz1
R1
T2
-IA
T2 (b)
(d)
(c)
ekil 2.84 SBS (a)sembol, (b)SUS edeer devresi (c)zerisi,

(d)tranzistr edeer devresi
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - SCS
2.8.6.SCS (Silicon Controlled

Yariletken Denetimli Anahtar)
Drt
Switch
ulu tristrdr.
PUT'daki
gibi bir anot kap ve SCR'deki gibi bir

katot kap vardr. Her iki kapdan tetiklenebilir.
Anoda
doru, ters aktlmak istenen byk akmlar

SCS'yi kesime sokar. (OR) kaps gibi alr.
Zamanlama,
mantk ve
tetikleme
devresi
uygulamalar ile dk g
kapasitesine sahip
uygulamalarda kullanlmaktadr.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - SCS
SCS'nin zerisi normal tristrler gibidir.

BRY39 294-176 tipi bir SCS iin z deerler;
VD=VR= 70V
IT = 250mA (TC=85C),
IT =175mA (TA=25C)
ITm
= 3A
VDRM =VRRM= 70V
di/dt
= 20A/s
VGKm = 5V
IGKm
= 100mA
VGm
= 70V
Tdepo = 65C ile +200C
TJ
= +125C
RthJA = 450C/W
RthJA = 150C/W (25C'nin zerinde)
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - SCS
AG
K
AG
KG
KG
K
(a)
(b)
A
K
KG
AG
(c)
ekil 2.85 SCS (a)sembol (b)tranzistr edeer

devresi (c)BRY39 tipi SCS'nin fiziksel u ekli
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - LAS
2.8.7.Ikla alan Tristrler

alan diyot tristr, LAS
Activated Switch)
D
Ikla
(Light
kap balants yoktur.
Ik,
pencere gibi olan kapsndan

girdiinde tetiklenir.
Kapama
gibidir.
eemdersnotlari.com
ve iletim zerisi
tristr
OZEL SCR - LAS
Ikla alan tristr,

Activated SCR)
LASCR
(Light
LAS'den
fark, bir k kaynayla

tetiklenebildii gibi kap devresinden bir
darbe gerilimi ile tetiklenebilir olmasdr.
Ik
olmadan da
normal
kapdan tetiklenebilir.
eemdersnotlari.com
SCR gibi
OZEL SCR - LAS
Ikla alan SCS

Anot
veya katot kaplaryla tetiklenebilmenin

dnda nc yol olarak bir k kaynayla
tetiklenebilir.
LAPUT
Normal
PUTdan tek fark, LAPUT'un ayn

zamanda kla da almasdr.
Bu
elemann kullanmnda da her iki tetikleme

ekli birlikte veya ayr ayr olarak kullanlabilir.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - LASCR

A
K
(a)
KG
(c)
(e)
A
KG
K
(b)
AG
AG
K
K
(d)
(f)
ekil 2.86 Ikla alan tristrler (a)LAS, (b)LASCR,

(c)ve tranzistr edeer devresi, (d)LASCS,
(e)ve tranzistr edeer devresi, (d)LAPUT
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - LASCR
RY
R1
vS(t)
=Vm sint ekil 2.87 LASCR
(a)LASCR ile SCR
f
tetikleme uygulamas,
SCR
(b)normalde kapal,
k ile tetiklenen
SCR, (c)normalde
ak, k ile kapanan
A
SCR
R4 LASCR
C
R2
R3
A
(a)
R1
R1
SCR
LASCR
R2
SCR
D1
LASCR
R2
K
K
(b)
eemdersnotlari.com
(c)
OZEL SCR - LASCR

D1
D2
Rp
R1 =39K
RY
Triac
LASCR
C 0,1 F
(a)
D1
D2
Rp
D4
R 1 =33K
Diac 32 V
D3
0,1 F
(b)
eemdersnotlari.com
ekil 2.88 Darlington

ile tetiklenen LASCR
ile tasarlanm,
(a) normalde kapal,
RY +v S(t) (b) normalde ak AA
220 V rlesi grevi yapan devre
Tri ac f=50 Hz
R2
LASCR
D 5 Tr1
f=50 Hz
Diac 32 V
D3
D4
+v S(t)
220 V
OZEL SCR - TRIAC
2.8.8.ki ynl tristr, TRIAC

Ters
paralel bal iki tristr gibi

tanmlanabilir. Her iki ynde de tristr
olarak grev yapar.
Triyaklar
iletime srlrken, drt ayr

iletim konumunda altrlabilirler. Her
bir konumun tetikleme dzenei
farkldr.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - TRIAC
T1
B1
T2
B2
(c)
ekil 2.89 ki ynl tristr TRIAC, (a)sem bol,

(b)iletim -kesim zerisi,
(c)u ve fiziksel grnleri
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - TRIAC
I T1
m A
T1
IF
B1
(-V FB ) V R B
IH
VF VH
0 VH VF
IH
T2
(c)
V FB V A V
B2
(b)
IF
I T2
m A
ek il 2 .8 9 k i yn l tristr T R IA C , (a )sem b ol ,
(b )iletim -k esim ze risi,
(c)u v e fizik sel g r n leri
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - TRIAC
IT1
mA
T1
IF
B1
(-VFB) VRB
IH
VF VH
0 VH VF
IH
T2
VFB VAV
B2
(c)
(b)
IF
IT2
(c)
mA
ekil 2.89 ki ynl tristr TRIAC, (a)sembol,

(b)iletim-kesim zerisi,
(c)u ve fiziksel grnleri
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - TRIAC
T1
T1
Gate
Gate
n2
p2
n1
p1
n3
p2
n4
n1
p1
n4
T2
x
T2
ekil 2.90 Triyak yariletken yapsnn farkl eksenlerden

kesit grn
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - TRIAC
(+ +)
T2
T2
p1
e1
e2
e3
n4
e5
n1
n2
p 2 n3
G (+)
T1
p1
n1
p2
n1
p2
n2
(+)
e4
(0)
(+ +)
(0) T1
(a)
ekil 2.91 Triyak tetiklemesi iin kutuplama konumlar

eemdersnotlari.com
OZEL SCR - TRIAC
(+ +)
T2
T2
p1 n4
e1
e2
e3
e5
n1
n2
p2 n3
G (+)
(0)
T1
(a)
p1
n1
p2
n1
p2
n2
(+)
e4
T2
(+ +)
(0) T1
(+ +)
n4
e1
e2
e3
p1
n1
n2
(0)
p2 n3
T1
(+ +) T2
p1
n1
p2
e5
n1
p2
G(-)
G n3
e4
(-)
(b)

eemdersnotlari.com
n1
p2
n2
(0)T1
OZEL SCR - TRIAC

(+ +)
T2
T2
p1
e1
e2
e3
n4
p 2 n3
n2
G (+)
e1
e2
e3
n1
n2
p2
(+ +) T2
n3
T1
n1
p2
G (-)
G n3
e4
(-)
(a)
(+) T1
e3
e2
e1
n2
n3
p2
G (-)
n3
p2
n1
(-)
T1
n4
(- -)
T2
e5
(c)
(+)
n3
p2
n1
n1
p1
T2 (-)
n3
p2
n1
e3
e2
e1

eemdersnotlari.com
n1
p2
n2
(0)T1
T1
G
e4
p1
n1
p2
e5
p1
(0)
(0) T1
T1
(+ +)
n4
n1
p2
n2
(+)
e4
(0)
p1
n1
p2
e5
n1
T2
(+ +)
(+)
OZEL SCR - TRIAC

(+ +)
T2
T2
p1
e1
e2
e3
n4
p 2 n3
n2
G (+)
e1
e2
e3
(+ +) T2
n1
p2
G (-)
G n3
e4
(-)
n1
p2
n2
(0)
n3
T1
(a)
(+) T1
e3
e2
e1
n2
n3
p2
G (-)
n3
p2
n1
(-)
(+) T1
T1
n4
(- -)
T2
e5
(c)
(+)
n3
p2
n1
n1
p1
(0)T1
T2 (-)
n3
p2
n1
(+)
G (+ +)
e4
e3
e2
e1
T1
n2
n3
p2
G
(+ +)
n1
p1
n4
(- -)
T2
n2
p2
n1
e5
(d)

eemdersnotlari.com
n1
p2
n2
(b)
G
e4
p1
n1
p2
e5
p1
(0) T1
T1
(+ +)
n4
n1
p2
n2
(+)
e4
(0)
p1
n1
p2
e5
n1
T2
(+ +)
p2
n1
p1
T2
p2
n1
p1
n1
p1
(- -) n4
OZEL SCR - TRIAC

T a b l o 2 .8 T ri ya k zd e erl eri
T riyak z d e e ri
V DR M [ V ]
IT
[A ]
ITm ax
[A ]
d i/d t [A / s ]
I G m a x [A ]
P G m a x [W ]
P G o r t . [W ]
T d e p o [ C ]
TJ
[ C ]
U T 0 (= V Tm ) [V ]
d v /d t [V / s ]
IH
[m A ]
I D R M [m A ]
T riyak
2 6 2 -0 2 8
400
0 ,3 5 (T A =
tip i
2 6 2 -7 3 1
800
8 (T A C = 5 7 C )
4 5 C )
(T J =
6
1 2 5 C )
70
50
2
1
0 ,1
-4 0 , + 1 5 0
-4 0 , + 1 2 5
1 ,4 . 1 ,7
2 0 (T J = 1 2 5 C )
10
0 ,0 5
100
2
5
0 ,5
-4 0 , + 1 2 5
-4 0 , + 1 2 5
1 ,5 5
5 0 0 (T J = 1 0 5 C )
50
1 ,5 (T J = 1 0 5 C )
(T J = 1 2 5 C )
I G T (+ )(K nm .1 ) [m A ]
(-)(K n m .2 )
(+ )(K n m .3 )
(-)(K n m .4 )
V G T [V ]
R th J C [ C /W ]
eemdersnotlari.com
5
10
10
5
2
100
50
50
50
50
2 ,5
5
TC
= 2 5 C
OZEL SCR - MCT
2.8.9.MCT (MOSFET Controlled Thyristor)

Tristr-tranzistr karm
olan MCT,
tristr gibi alan ve MOSFET gibi de
denetlenebilen bir elemandr.
Yapsnda iki MOSFET bulundurur. Ayn
kap sinyaline balanan bu kaplardan biri
iletimde iken dieri kesimde olur. Bu
nedenle bunlardan birine ak FET dierine
de kapal-FET denebilir.
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - MCT

Anot
Anot
Gate
Kapal
FET
Gate
Kapal
FET
Ak
FET
Ak
FET
Katot
(a)
Katot
Anot
(c)
Gate
Gate
Anot
Katot
(d)
Katot
(b)
ekil 2.92 MCT iin (a)p kanal edeer devre ve (b)sembol,

(c)n kanal edeer devre ve (d)sembol
eemdersnotlari.com
OZEL SCR - QUADRC
2.8.10. QUADRAC (Triyak+Diyak)

Tek paket iine yerletirilmi
bir triyak ve bunu
tetikleyecek ekilde bal diac
elemanlarndan oluur.
MT1
Quadrac
G
Triyak gibi akm her iki

ynde aktabilir. AA
MT2
anahtarlar ve faz denetimi
ekil 2.93 Quadrac sembol
yapmak zere, hz, scaklk ve
k denetiminde kullanlmak
zere gelitirilmitir.
eemdersnotlari.com
SCR SNUBBERS
2.9. TRSTR KORUMA DEVRES

(SCR Snubber Circuits)
Tristr iletime veya kesime girdiinde,

indktif bileenli ykte gerilim ykselmeleri
oluur.
Buna gre RS, CS elemanlar zerinden
geecek bir akm akar. Dolaysyla RS, CS
koruma elemanlarn hesaplarken gerilimin
maksimum deeri nemli rol oynar.
eemdersnotlari.com
SCR SNUBBERS
Tristre paralel bal RC elemannn fonksiyonlar;

Devredeki ve ykteki geici olaylarla ykselen
gerilimlerden tristr korumas,
Kapama durumunu destekleyerek ve dV/dt'yi
snrlamas,
Kesim geriliminin tepe deerini azaltmas,
Devrenin anahtarlama kayplarn azaltmas
Olarak tanmlanabilir.
eemdersnotlari.com
SCR SNUBBERS
220V
vs (t)
RY
IY
A
SCR
G
IG
RS
VA
CS
ekil 2.94 AA ebekeden beslenen tristr

koruma (gerilim sndrme) devresi
eemdersnotlari.com
SCR SNUBBERS
DFW
LSeri
IY
RY
SCR
IY
vs (t)
CS
IG
(a)
RS
VA
LY
RY
+
-
DS
A
RP
DS
CS
K
SCR
IG
G
RS
LS
CS
K
(c)
RS
CS
G IG
(b)
LS
IY
Vsda
RS
LSeri
GTO
(d)
IG
G
ekil 2.95 (a)RY yk ve tristr koruma devresi, (b)DA kaynandan, (c) ve (d)genel
RY-LY ykn denetleyen GTO ve LS-DS-RS-CS koruma devresi,
eemdersnotlari.com
SCR SNUBBER APPLICATIONS
Triyak
Ls
iYAA
D1
+
vs , f
Rs
Cs
DA Motoru D3
iYDA
(-)
(di/dt)s
(+)
Ra
D4
La
D2
ekil 2.99 Denetimsiz kpru dorultucu ile triyakl faz denetimi
eemdersnotlari.com
SCR SNUBBER APPLICATIONS
1A
50Hz
VCC Rgir
1 10V/ s
2
MOC
3021
6 180
0,1
G
2,4K
C1
L=318mH
vS
1V/ s
denetleyici
ekil 2.101 Hassas kap devreli triyak sndrme dzeni ve

faz denetimi yapan k balantl tetikleme
eemdersnotlari.com
Dr.N. Abut KO MHENDSLK FAKLTES nurettinabut@yahoo.com
SCR KYIPLARI
2.10. TRSTRN KAYIPLARI

Genel olarak bir tristrdeki g kayplar:
Tetikleme (kap devresi) kayplar, (PG)
Anahtarlama
kayplar, (PS)
(iletim-kesim=ama-kapama)
letim kayplar, (P )
Kapama veya sndrme kayplar (PD+PR )

dir.
eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
Tetikleme kayb;
PG=VG.IG
Anahtarlama
PS0
W alnabilir.
Pozitif Kapama kayplar;
PD=VDiD
(2.114)
Negatif kapama kayplar;
PR=VRiR W
(2.115)
pi = viii
(2.116)
letim kayplar;
kayplar,
Tristrn ekleminde harcanacak g, bir p-n ekleminin iletim

zerisinden yaklam yaplarak hesaplanabilir.
letimde olan bir yariletken p-n ekleminde Q alma noktas
iin, vi=UT0+U ve kk genden, tg=U'/I=RT olarak bu
alma noktas iin p-n ekleminin gstermi olduu diren
bulunur.
eemdersnotlari.com
SCR SOUTUCULARI
20
mm
(a)
100
mm
78 mm
12 mm
24
mm
8 mm
(d)
(b)
70 mm
110
mm
101,3 mm
(c) 20 mm
(e)
100 mm
ekil 2.102 Tristrler iin deiik ekillerde soutucu profilleri

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
90
P G = 2 W ( k a p de vr e s i g k a y b )
P io r [ W ]
di /dt | m a k s = 2 0 A / s
5 0 - 4 0 0 H z 'l i k f re k a n s l a rda
Ek l e m s ca k l n da g s t e r i l m i t i r .
80
70
% 5 0 i l e tm e
fr e k a n s n da
% 33
60
% 25
50
% 1 6 ,7
40
% 8 ,3
30
t
20
10
% i l e tm e fr e k an s = 1 0 0 t/ T
0
10
20
30
40
50
60
70
Ii o r [ A ]
e k il 2 .1 0 3 K a r e d a lg a e k lin d e k i b ir s in y a li
d e n e tle y e n tr is t r i in o r ta la m a ile tim k a y p la r
eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
IA
A
Q
Ii
P
0
UT0 U Vi
VA V
ekil 2.104 Bir pn ekleminin iletim zerisi

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
IA
A
Q
Ii
P
0
UT0 U Vi
VA V

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
IA
A
Q
Ii
P
0
UT0 U Vi
VA V

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
IA
A
Q
Ii
P
0
UT0 U Vi
VA V

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
IA
A
Q
Ii
U'
P
U T0
R
V A V

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
IA
A
Q
Ii
U'
P
UT0
R
U Vi
V A V

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
IA
A
vi=UT0+U
tg=U'/I=RT=U/Ii
Ii
U=RTIi
vi=UT0+RTii
pi(t)= viii
U'
=(UT0+RTii)ii
0
P
UT0
R
U Vi
V A V

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
IA
A
vi=UT0+U
tg=U'/I=RT=U/Ii
Ii
U=RTIi
vi=UT0+RTii
pi(t)= viii
=(UT0+RTii)ii
0
U'
P
U T0 U V i
V A V

eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
Tetikleme kayb;
PG=VG.IG
Anahtarlama
PS0
W alnabilir.
Pozitif Kapama kayplar;
PD=VDiD
Negatif kapama kayplar;
PR=VRiR W
letim kayplar;
kayplar,
pi = viii
(2.114)
(2.115)
(2.116)
Tristrn ekleminde harcanacak g, bir p-n ekleminin iletim

zerisinden yaklam yaplarak hesaplanabilir.
letimde olan bir yariletken p-n ekleminde Q alma noktas
iin, vi=UT0+U ve kk genden, tg=U'/I=RT olarak bu
alma noktas iin p-n ekleminin gstermi olduu diren
bulunur.
eemdersnotlari.com
SCR KYIPLARI
1
Pi
T
1
iT dt
T
T0
i dt
2
T
1
1
2
U T 0 iT dt R T
i
T dt
T 0
T 0
I or
2
I eff
U T 0 I or R T I eff2
( 2 . 117 )
olarak iletim toplam kayp gc bulunur. Tristrdeki

toplam g kayb PT ise tm bu kayplarn toplamdr.
PT = PG+PS+PD+ PR +Pi
eemdersnotlari.com
(2.118)
SCR KYIPLARI
400Hz'in
alnabilir.
altndaki
frekanslarda
PTPi
Yaplan deneysel almalar sonucunda, bir

SCR'deki toplam kayplar; iletim kayplar ve iletim
kayplarnn yzde onu toplamn gemedii
grlmtr. Pratik sonulara gre SCR eleman
toplam kayplar;
PT1,1Pi
olarak alnabilir.
eemdersnotlari.com
(2.119)
SCR KYIPLARI
RY
iA
+
v(t)
~ Vm sin t
IG
IA A
Im
(a)
(b)
-Im
eemdersnotlari.com
SCR
t s
ekil 2.105.(a)SCR ile denetlenen

yk devresi, (b)Yk akmnn
zamanla deiimine bal SCR kayp sreleri
SCR KYIPLARI
IG
mA
IA A
Im
-Im
PD
Pi
PG +PS
t s
PR
PS
(b)
ekil 2.105.(a)SCR ile denetlenen yk devresi, (b)Yk

akmnn zamanla deiimine bal SCR kayp sreleri
eemdersnotlari.com
TRAC KAYIPLARI
IA A
Im
RY
iA
+ v(t)
~ Vm sin t
TRYAK
(b)
2 2+ 3 ts
IA
A
Im
Im
PD
Pi
PR
(a)
PG+PS
PS PG+PS
PS
0 T1
T
t s
T2
(c)
ekil 2.106.(a) ki ynl akm ayar dalga ekli, (b) Triyakl AA ayarlayc devresi,
(c)Kare dalga fonksiyonu
eemdersnotlari.com
TRAC KAYIPLARI
VG mV
IA A0 tp
Im
t s
2 2 +
2 2+
3 ts
(a)
Im
ekil 2.106.(a) ki ynl akm ayar dalga ekli,
eemdersnotlari.com
TRAC KAYIPLARI
V G mV
2 2 +
I A A0 t p
Im
2 2 +
(a)
Im
PD
P G +P S
Pi
Pi
P S P G +P S
. PD P i
P S P G +P S
ekil 2.106.(a) ki ynl akm ayar ve tristrdeki kayplar,

eemdersnotlari.com
t s
3 t s
SCR KAYIP GC
Problem 2.15 Soutucu ile alan bir

tristr
tarafndan
denetlenen
devrede,
tristrden ekil 2.149'daki gibi bir akm
akmaktadr.
Tristr
zdeerleri;
UTo=1V,
RT=10m, i sl diren RthJC=0,15C/W, d sl
diren RthCA=0,35C/W, ortam scakl TA=25C
ve iletme scakl 55 ~ +125C arasndadr.
(a)PT=?, Toplam kayp g PT'y, hesaplaynz.
(b)UT=?,
zm 2.15 Verilenler: UTo=1V, RT=10m,
RthJC=0,15C/W, RthCA=0,35C/W, TA=25C ve
iletme scakl 55~125C arasndadr.
stenenler: (a)PT=?, (b)UT=?
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
IA
Im =150
Ior =Id
0
t1 =10
t2 =T=30
t s
ekil 2.149.Problem 2.15 iin SCR akm

eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
(a) PT = UTo Ior+ RT Ief

Ior=(t1/T) Im =(10/30) 150 = 50 A
Ief=(t1/T) Im=7500 A
PT = 150 +0,017500 = 125 W
(b)
eemdersnotlari.com
UT = UTo+RT IT = 1+0,01x150= 2,5 V
SCR KAYIP GC
Problem 2.16 Tristr denetimli devreden

ekil 2.150'daki gibi bir akm akmaktadr. Tristr
zdeerleri;
UTo=1,2 V, RT=10 m, ortam
scakl
TA=40C ve iletme scakl
55~125C arasndadr.
(a)Toplam kayp gc,
(b)Maksimum gerilim dmn hesaplaynz.
zm 2.16 Verilenler: UTo=1,2V, RT=10m,
TA=40C ve iletme scakl 55~125C.
stenenler: (a)PT=?, (b)UTmaks.=?
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
IA
A
Im =20
Ior=Id
0
t1 =10
t2 =T=20 t s
ekil 2.150.Problem 2.16 iin SCR akm

eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
(a)
0 < t < 10
10 < t < 20
iT(t) = 20 A
iT(t) = 0 A
Ior=1020/20=10 A ve I2ef=10202/20=200 A2
PT=1,210+1010-3200 = 12,2 W
(b) UTmaks = UTo+RT ITmaks =1,2+0,0120 =1,4 V
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
Problem 2.17 Soutucu ile alan bir

tristr ile denetlenen devreden, ekil 2.151'deki
gibi bir akm akmaktadr. Tristr zdeerleri;
UTo=1V, RT=10 m, ortam scakl TA=45C ve
iletme scakl 55~+125C arasndadr.
(a)Toplam kayp gc PT,
(b)Maksimum gerilim dmn UTmaks. bulunuz.
zm 2.17 Verilenler: UTo=1V, RT=10
m, TA=45C ve iletme scakl 55 ~ +125C
stenenler: (a) PT=?, (b) UTmaks.=?
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
IA A
150
t ra d.
ek il 2.151 Problem 2.17 iin SCR ak m

eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
(a)
0 < t <
iT(t)=150 sint A
< t < 2
iT(t)=0 A
Ior = Im/ = 150/ = 47,75 A

Ief= Im/4 = 150/4 = 5625 A
PT=147,75+0,015625 = 104 W
(b) UTomaks=UTo+RT IA = 1+0,01150 = 2,5 V
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
Problem 2.18 Bir tristrden, ekil 2.152'deki gibi (a,b,c,d)
akmlar akmaktadr. Tristr zdeerleri; UTo=1,1V, RT=2,2 m
deerlerindedir. Her bir akm ekli iin toplam kayp gc (PT)
hesaplaynz.
IA A
IA A
200
200
Ior
Ior
0
IA A
(a)
t rad.
IA A
t rad.
(c)
200
200
Ior
Ior
0
= /3
(b)
t rad.
= /3
(d)
ekil 2.152 Problem 2.18 iin SCR akm ekilleri

eemdersnotlari.com
t rad.
SCR KAYIP GC
zm 2.18 Verilenler: UTo=1,1V,

stenenler: PT=?
(a)
RT=2,2 m.
Ior=Im/ = 200/ = 63,662 A

Ief=Im/4 = 200/4 = 10 000 A
PT=1,163,662+0,002210 000 = 92,028 W

(b) PT =1,147,746+0,00228044,989=70,219 W
(c) PT =1,1127,323+0,002220 000 = 184,055 W
(d)PT =1,195,492+0,002216089,977=140,439 W
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
Problem 2.19 Dorultucu olarak kullanlan

silisyum bir diyodun
iletimdeki
gerilim
dm, UA=0,85V+0,0009.iA amper eklinde
deiken bir fonksiyondur. ekil 2.152.(a) da
k gerilim deiimi gsterildii gibi,
1Ph1W1P alma konumunda omik bir yk
beslerken akmn ortalama deeri Id=200 A
olduuna gre ortalama g kayb ne olur?
zm 2.19 Verilenler: UA=0,85V+0,0009.iA,
Id=200 A, ve k erileri. stenenler: PT =?
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
IA A
IA A
200
200
Ior
Ior
0
IA A
(a)
t rad.
IA A
t rad.
(c)
200
200
Ior
Ior
0
=/3
(b)
t rad.
=/3
t rad.
(d)
ekil 2.152 Problem 2.18 iin SCR akm ekilleri

eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
zm 2.19
Ior=Id=200 A'dr
Id = Ior = Im/'den, Im= 200 = 628,318 A
I2ef= I2m/4 = 98696,044 A2
PT =0,85200+0,000998696,044 = 258,826 W
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
Problem 2.20 Tek tristrle denetlenen ekil

2.153 daki devrede VS=220V, f=50Hz, UTo=1V,
RT=0,2 dur.
(a)=90 iken tristr ve ykteki gerilimlerin
deiimini iziniz.
(b)letimde g kayplarn hesaplaynz.
zm 2.20 Verilenler: VS=220 V, f=50 Hz,
UTo=1 V, RT=0,2 , VZ=30 V, VC=VD=15 V,
RY=100
stenenler: (a)=90 iken VA ve VY deiimi,
(b)PT=?
eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
RY =100
iY= iA
+
~ vs(t)=Vm sin
SCR
15V R
Rz
IG C
6F
DZ
30V
ekil 2.153 Problem 2.20 iin SCR denetimli devre

eemdersnotlari.com
SCR KAYIP GC
zm
2.20
v SCR V
220 2
(a)
=90'de
0 = /2
(=/2)
tristr ve yk
-220 2
gerilimi
V Y V
deiimi ekil
220 2
2.154'de
gsterilmektedir.
0
t rad.
= /2
t rad.
-220 2
ekil.2.154 =90'de V
eemdersnotlari.com
SCR
ve V Y deiimi
SCR KAYIP GC
zm 2.20
(b) Ior= 0,495 A
ve Ief2 =1,21 A
PT=10,495+0,21,21 = 0,737 W olarak

hesaplanr.
eemdersnotlari.com

Güç Elektroniği - Kocaeli Üniversitesi Do - Dr.nurettin Abut Ders Notları.

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Güç Elektroniği - Kocaeli Üniversitesi Do - Dr.nurettin Abut Ders Notları.

Uploaded by

Copyright:

Dr.N.

Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Elektrik Mhendislii Blm

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

G elektronii yariletken devreler,

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Genel olarak g yariletken elemanlar;

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

ekil 1.1. G Elektroniinde enerji dntrme

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

elektronii gelimesinden nce, g

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Elle (Manual) kumanda

ekil B1.(a)Magnetik halka ekirdek, (b)teorik B-H mknatslama zerisi

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

1.2. ELEKTRONK ANAHTARLAMA LE

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Faz denetimi: DA Ykn denetimi

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

ekil 1.2.(a) da bir

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Elle (Manual) kumanda

gerilim anahtar ile denetim:

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

ekil 1.4.Tek fazl evirici iin prensip devre

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

ekil 1.5.Elektronik g denetimi devreleri k erileri deiimi

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Elektrik Mhendislii Blm

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

A:Katot malzemesine bal bir katsay,

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

YARILETKEN DEVRE ELEMANLARI

foto elektronik emisyon

Wp:Bir fotonun tad enerji,

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

ekil 2.1.Bir yariletken

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

ekil 2.5. p-n eklem diyotu (a)pn eklemi yaps, (c)iletime.

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

ekil 2.5. p-n eklem diyotu

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Yaylm oyuk-akm younluu Jp;

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Toplam oyuk akm veya difzyon akm;

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Toplam elektron akm ise;

olur. Burada; n: elektron hareket kabiliyeti cm2/Vs dr.

ile tanmlanabilen ve uzay yk blgesi potansiyeli de

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

ekil 2.7.eitli diyotlarn fiziksel grnm ve balant u durumlar.

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES

DYOT ve soutucu profili