Professional Documents
Culture Documents
Physics ch.14.2
Physics ch.14.2
Uploaded by
dolar buhaCopyright
Available Formats
Share this document
Did you find this document useful?
Is this content inappropriate?
Report this DocumentCopyright:
Available Formats
Physics ch.14.2
Physics ch.14.2
Uploaded by
dolar buhaCopyright:
Available Formats
Semiconductor Electronics
14
(સેનમકન્ડકટરઇલેક્ટ્રોનીક્ટ્સ,દ્રવ્યો,રચનાઓઅનેસાદાપરરપથો)
પ્રસ્તાવના(INTRODUCTION) :-
અર્ધવાહકનીઅગત્યતા:-
• બર્ા જ ઇલેક્ટ્રોનનક્ટ્સ સાર્નો અર્ધવાહકના બનેલા છે . ઉદા. મોબાઈલ, TV, કેલ્કક્ટ્યુલેટર,
કોમ્પ્યુટર,પામટોપ,ટેબ્લેટ,ડીજીટલ,કેમેરા, LCD, LED…
• જે રચનાઓ વડે ઈલેક્ટ્રોનનો પ્રવાહ નનયંનિત કરી શકાય તે રચનાઓને ઇલેક્ટ્રોનનક્ટ્સ
પરરપથનાબંર્ારણીયએકમોકહેછે .
• 1948 માં સેનમકન્ડક્ટ્ટર રાન્ઝીસ્ટરની શોર્ થઇ તે પહેલા પ્રવાહ નનયંનિત કરવા
શુન્યાવકાનશત નળીઓ વપરાતી હતી. આ નળીમાં e − એક જ રદશામાં ગનત કરી શકતા
હોવાથીતેનેવાલ્કવકહેવાય.
✓ ડાયોડવાલ્કવ: બેઇલેક્ટ્રોડ(કેથોડ,એનોડ(્લેટ))
✓ રાયોડવાલ્કવ: િણઇલેક્ટ્રોડ(કેથોડ,એનોડ,ગ્રીડ)
✓ ટેરોડવાલ્કવઅથવાપેન્ટોડવાલ્કવ: ચારઅથવાપાંચઇલેક્ટ્રોડ.
• આવીનનવાધતનળીમાં ગરમથયેલકેથોડમાંથીઈલેક્ટ્રોનમળે છે અને જુ દાઇલેક્ટ્રોડવચ્ચે
વોલ્કટેજ બદલી ઈલેક્ટ્રોનના પ્રવાહને નનયંનિત કરી શકાય. આવી, નળીઓમાં શૂન્યવકાશ
જરૂરીછે .
• મયાધદા:-મોટું કદ, વર્ુ પાવરવાપરે, ઉંચાવોલ્કટેજપરકાયધ કરે, આયુષ્યટૂંકું,નવશ્વસનીયતા
ઓછી.
આર્ુનનકઘનઅવસ્થાઅર્ધવાહકઇલેક્ટ્રોનનક્ટ્સ:
• 1930 માં જાણવા મળયું કે કેટલાંક અર્ધવાહકો અને તેમના જોડાણો વડે નવદ્યુતભાર
વાહકોનીસંખ્યાઅનેતેમનીરદશાનનયંનિતકરીશકાયછે .આમાટેસામાન્યઉદ્દીપકોજે વા
કેપ્રકાશ,ઉષ્મા,નાનાવોલ્કટેજ…નીજજરૂરપડે.
• ફાયદા :- નાનું કદ, ઓછો પાવર વાપરે, ઓછા વોલ્કટેજ પર કાયધ કરે, લાંબુ આયુષ્ય,
નવશ્વસનીયતાવર્ુ,શૂન્યવકાશનીજરૂરનથી.
(
નવદ્યુતવાહકતા ( ) અનેઅવરોર્કતા = 1
) નાઆર્ારેદ્રવ્યોનું વગીકરણ:-
1. ર્ાતુવાહકો(Metal Conductor) :-
વાહકતા વર્ુઅનેઅવરોર્કતાઓછી
= 10−2 થી 10−8 m
= 102 થી 108 sm −1
2. અવાહકો(Insulator) :-
વાહકતા ઓછીઅનેઅવરોર્કતાવર્ુ
= 1011 થી 1019 m
= 10−11 થી 10−19 sm −1
3. અર્ધવાહક(Semiconductor) :-
વાહકતાર્ાતુથીઓછી,અવાહકથીવર્ુ.
અવરોર્કતા ર્ાતુથીવર્ુ,અવાહકથીઓછી
= 10−5 થી 106 m
= 105 થી 10−6 sm −1
Page 1
14.2 Physics
અર્ધવાહકનાબેપ્રકાર:-
1. પ્રાથનમકઅર્ધવાહક(તાત્વીકઅર્ધવાહક):- Si, Ge
2. નમશ્ર(સંયોનજત)અર્ધવાહક:-
(i) અકાબધનનક:- Cds, CdSe, GaAs, InP….
(ii)કાબધનનક:-એન્રસીન, અશુનધર્ઉમેરેલાથોલોસાઈનાઈન્સવગેરે…..
(iii) કાબધનનક પોલીમર :- પોલીપાયરોલ, પોલીથીઓફેન, પોલીએનનલન
વગેર…ે ..
ઉજાધપટ(બેન્ડ)(Energy band) :-
] :-
• બોહરનાપરમાણંમોડેલઅનુસારઅલગકરેલાપરમાણમાંઈલેક્ટ્રોનતેનીઉજાધઅનુસારજે
–તે કક્ષામાંફરતોહોયછે . પરંતુ આવાપરમાણં જ્યારેપાસ પાસેઆવીઘનપદાથધ બનાવે
ત્યારે પાસ પાસે આવેલાપરમાણની બાહ્ય કક્ષાઓ એકબીજાની ખુબનજીકઆવે અથવા
એકબીજાપરવ્યા્ત(Overlap)પણથઇશકે છે .જે નાલીર્ે ઘનપદાથધમાં ઈલેક્ટ્રોનની
ગનતસ્વતંિપરમાણમાંઈલેક્ટ્રોનનીગનતકરતાઅલગહોયછે .
• ઘન પદાથધના સ્ફરટકમાં આવેલા
ઇલેક્ટ્રોનને ચોક્ટ્કસ નસ્થનત એટલે કે
ચોક્ટ્કસ ઉજાધ હોય છે . આથી, દરેક
ઈલેક્ટ્રોનનેચોક્ટ્કસઉજાધસ્તરહોયછે .
સ્ફરટકમાં આવેલ દરેક ઇલેક્ટ્રોનની
ઉજાધ દશાધવતા સ્તરોને ઉજાધ પટ્ટ
(Energy Band)કહેછે .
• વેલેન્સ ઈલેક્ટ્રોનની ઉજાધ દશાધવતા
સ્તરોને વેલન્ે સ બેન્ડ (Velance
Band)કહેછે .
• વેલેન્સબેન્ડનીઉપરઆવેલાઉજાધપટ્ટનેકંડકશનબેન્ડ(Conduction Band)કહેછે .
• વેલેન્સબેન્ડઅનેકંડકશનબેન્ડ વચ્ચેનાગેપનેફોરનબડનગેપ(ઉજાધગેપ-Eg) કહેછે .
• બાહ્યઉજાધનીગેરહાજરીમાંબર્ાજઈલેક્ટ્રોનવેલેન્સબેન્ડમાંહોયછે .
• જ્યારેકંડકશનબેન્ડનુંલઘુતમઉજાધસ્તર,વેલેન્સબેન્ડમાંમહતમઉજાધસ્તરકરતાંનીચુંહોય
ત્યારે વેલેન્સ બેન્ડમાં રહેલા ઈલેક્ટ્રોન સહેલાઈથી કંડકશન બેન્ડમાં જઈ શકે છે . સામાન્ય
રીતેકંડકશનબેન્ડ ખાલીહોયછે ,પરંતુજ્યારેતેવેલેન્સબેન્ડપરવ્યા્ત(Overlap)થાય
ત્યારેઈલેક્ટ્રોનતેમાંમુક્ટ્તરીતેગનતકરીશકેછે . આથી,આવાપદાથોસુવાહકબનેછે .
• જો વેલેન્સ અને કંડકશન બેન્ડ વચ્ચે અમુક ગેપ હોય તો કંડકશન બેન્ડમાં પણ મુક્ટ્ત
ઈલેક્ટ્રોનહોતોનથી.આથી,આવાપદાથોનેનવદ્યુતઅવાહકકહેવાય.
• વેલેન્સ બેન્ડમાં આવેલ ઈલેક્ટ્રોન બાહ્ય ઉજાધ મેળવીને કંડકશન બેન્ડ અને વેલેન્સ બેન્ડ
વચ્ચેનીજગ્યાપરકરીશકે છે . આમથતા,આઈલેક્ટ્રોનકંડકશનબેન્ડમાં જાયઅને વેલેન્સ
બેન્ડમાં રીક્ટ્ત (ખાલી) ઉજાધ સ્તરો ઉત્પન્ન કરે છે જે માં વેલેન્સ ઈલેક્ટ્રોન આવી શકે. આ
ઘટનાથી કંડકશન બેન્ડમાં ઈલેક્ટ્રોનના કારણે અને વેલેન્સ બેન્ડમાં રરક્ટ્ત સ્થાનોના કારણે
વહનથવાનીશક્ટ્યતાઊભીથાયછે .આથી,આવાપદાથોઅર્ધવાહકબનેછે .
અર્ધવાહકો, સુવાહકો અને અવાહકો માટે ઊજાધ સ્તરો (Energy band For
Semiconductors, Conductors And Insulators) :-
] :-
• Si માંઈલેક્ટ્રોનરચના ( Z = 14 ) → 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
• Geમાંઈલેક્ટ્રોનરચના ( Z = 32) → 1s2 2s2 2p6 3s2 3P6 3d10 4s2 4p2
• Si નીસૌથીબહારનીકક્ષાિીજી(n=3)અને Ge નીસૌથીબહારનીકક્ષા (n=4)છે .
એટલેકેSi કેGeમાંકુલ8 વેલેન્સઅવસ્થાઓછે .જે માંથી4ભરાયેલઅને4ખાલીછે .
Page 2
Semiconductor Electronics 14.3
• Si કે Ge ના N પરમાણં ભેગા મળી સ્ફટીક બનાવે તો સ્ફટીક માટે કૂલ 8N ઊજાધ સ્તરો
મળે.જે માંથી4Nભરાયેલઅને4Nખાલીહશે.
• આ 4N ભરાયેલ ઊજાધ સ્તરો એક બીજાની પાસ પાસે ગોઠવાઈને એક બેન્ડની રચના કરે
જે ને વેલન્ે સ બેન્ડ કહે છે . તેવીજ રીતે 4N ખાલી ઊજાધ સ્તરો એક બીજાની પાસ પાસે
ગોઠવાઈનેએકબેન્ડનીરચનાકરે જે નેકંડકશનબેન્ડકહે છે .બંને વચ્ચેનાગેપનેફોરનબડન
ગેપ(Eg) કહેછે .જે દ્રવ્યનાપ્રકારપરઆર્ારરતછે .
• નનરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને વેલેન્સ બેન્ડ 4N
વેલેન્સ ઈલેક્ટ્રોન વડે સંપૂણધ ભરાયેલો હોય
છે . નનરપેક્ષ શૂન્ય તાપમાને 4N ઉજાધ સ્તરો
ર્રાવતોકંડકશનબેન્ડસંપૂણધખાલીછે .
• કંડકશન બેન્ડનું લઘુતમ ઉજાધ સ્તર Ec વડે
દશાધવ્યું છે અને વેલેન્સબેન્ડનું મહતમ ઉજાધ
સ્તર Ev વડે દશાધવેલ છે . બેન્ડના તનળયાની
સપાટીવચ્ચેનીખાલીજગ્યાનેઉજાધબેન્ડઅંતરાલ(Eg) (ફોરનબડનગેપ)કહેછે .
રકસ્સો: I
• અવાહકો માટે બેન્ડ ડાયાગ્રામ બાજુ ની
આકૃનતમાંદશાધવેલછે .
• આ રકસ્સામાં કંડકશન બેન્ડ અને વેલેન્સ બેન્ડ
વચ્ચેઉજાધગેપ Eg ( Eg 3eV ) ખુબમોટોહોય
છે . આથી, વેલેન્સબેન્ડ માંથી ઈલેક્ટ્રોન સંક્રાનત
કરી કંડકશન બેન્ડમાં જઈ શકતા નથી. તેથી
નવદ્યુતવહનશક્ટ્યનથી.
• આ ઉજાધ ગેપ એટલો મોટો હોય છે કે તાપીય ઉદ્દીપનથી પણ કોઈ ઈલેક્ટ્રોનને વેલેન્સ
બેન્ડથીકંડકશનબેન્ડસુર્ીમોકલીશકતોનથી.
• આ પરરનસ્થનતમાં નવદ્યુતવહન માટે મુક્ટ્ત ઈલેક્ટ્રોન મળતાં નથી. આથી, આવા દ્રવ્યોનો
અવરોર્ખુબજવર્ારેઅનેવાહકતાખુબજઓછીહોયછે .
રકસ્સો: II
• ર્ાતુમાટેઉજાધસ્તરોબેન્ડડાયાગ્રામનીચેનીબંનેઆકૃનતમાંદશાધવેલછે .
• ર્ાતુમાં કંડકશનબેન્ડ અને વેલેન્સબેન્ડઆંનશકભરાયેલઅને એકબીજાનીખુબજનજીક
અથવા એકબીજા પર વ્યાપી (Overlap) હોય. આથી, વેલેન્સ બેન્ડના ઈલેક્ટ્રોન
સહેલાઈથીકંડકશનબેન્ડ બેન્ડમાં જઈશકે છે .આથી,વેલેન્સબેન્ડઅને કંડકશનબેન્ડમાં
ઈલેક્ટ્રોનનીજગ્યાઓખાલીહોયછે .
• આપરરનસ્થનતમાંનવદ્યુતવહનમાટેમોટીસંખ્યામાં
મુક્ટ્ત ઈલેક્ટ્રોન મળે છે . જે થી નવદ્યુતવહન શક્ટ્ય
બને. આથી, આવા દ્રવ્યોનો અવરોર્ ઓછો હોય
છે અનેવાહકતાવર્ુહોયછે .
રકસ્સો: III
• અર્ધવાહકો માટે બેન્ડ ડાયાગ્રામ આકૃનતમાં
દશાધવેલછે .
Page 3
14.4 Physics
( )
• અર્ધવાહકો માટે કંડકશન બેન્ડ અને વેલેન્સ બેન્ડ વચ્ચે ઉજાધ ગેપ Eg Eg 3eV નાનો
હોય છે . ઉજાધ ગેપ (તફાવત) નાનો હોવાથી ઓરડાના તાપમાને વેલેન્સ બેન્ડમાં રહેલા
કેટલાંકઈલેક્ટ્રોનપુરતીઉજાધ મેળવીને ઉજાધ ગેપપસારકરી કંડકશનબેન્ડમાં આવે છે . આ
પરરનસ્થનતમાં નવદ્યુતવહન માટે થોડા પ્રમાણમાં મુક્ટ્ત ઈલેક્ટ્રોન મળે છે . આથી, આવા
દ્રવ્યોનોઅવરોર્વાહકોકરતાવર્ુઅનેઅવાહકોકરતાઓછોહોયછે અનેવાહકતાવાહકો
કરતાઓછીઅનેઅવાહકકરતાવર્ુહોયછે .
શુવર્(આંતરરક) અર્ધવાહક(Intrinsic Semiconductar) :-
] :-
• C, Si, Ge જે વાઅર્ધવાહકોડાયમંડસ્ફટીકબંર્ારણર્રાવેછે .જે આકૃનતમાંદશાધવેલછે .
• ડાયમંડસ્ફટીકબંર્ારણમાં દરેકપરમાણં નાજીકતમચારપાડોશીપરમાણઓવડે ઘેરાયેલો
હોયછે .
• આપણે જાણીએછીએકે C, Si, Geને ચારવેલેન્સઈલેક્ટ્રોનહોયછે .આથી,C, Si કે Ge
નોદરેકપરમાણં ચારપાડોશીપરમાણં સાથે એકઈલેક્ટ્રોનનીભાગીદારીકરીસહસંયોજક
બંર્ બનાવે છે . ભાગીદારી પામેલા આ બે ઈલેક્ટ્રોન તેમના સંકળાયેલા પરમાણઓ વચ્ચે
આગળ -પાછળગનતકરતારહેછે અનેતેમનેમજબુતરીતેબાંર્ીરાખેછે .
• નીચેનીઆકૃનતમાં દશાધવેલC, Si કે Geનાબંર્ારણને નવવપરરમાણમાં રેખાકૃતકયુું છે .જે
કોવેલેન્ટ બંર્ને વર્ુ સ્પષ્ટ કરે છે . આકૃનતમાં 0 K તાપમાને આદશધ પરરનસ્થનત દશાધવેલ છે
જે માંએકપણબંર્તૂટેલનથી.
• આવી પરરનસ્થનત નીચા તાપમાને હોય છે . જે મ તાપમાન વર્ે તેમ આ ઈલેક્ટ્રોનને વર્ુ
ઉષ્માઉજાધ પ્રા્તથાયછે અને કેટલાંકઈલેક્ટ્રોનબંર્માંથીછુ ટાપડીઅને મુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોન
બનેજે નવદ્યુતવહનમાંફાળોઆપેછે .
Page 4
Semiconductor Electronics 14.5
હોલસંકલ્કપનાઅનેઅર્ધવાહકોનવદ્યુતવહન:-
] :-
• O K તાપમાને C, Si કે Ge નાબર્ાં જવેલેન્સઈલેક્ટ્રોનસહસંયોજકબંર્માં જકડાયેલ
હોયછે એટલે કે એકપણમુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોનહોતોનથી.આથી,O K તાપમાને C, Si કે Ge
જે વાશુવર્અર્ધવાહકોઅવાહકોતરીકેવતેછે .
• ઓરડાનાતાપમાને ઉષ્મીયગનતનાલીર્ે C, Si કે Geનાસહસંયોજકબંર્માં ભંગાણપડે
છે . આથી, સહસંયોજક બંર્ માંથી ઈલેક્ટ્રોન મુક્ટ્ત થઇ નવદ્યુતવહનમાં ભાગ લે છે .
સહસંયોજકબંર્માંથીઈલેક્ટ્રોનછુ ટોપડીજવાથીસહસંયોજકબંર્માંઈલેક્ટ્રોનનીજગ્યા
ખાલીપડેછે .આખાલીજગ્યાનીચેનીઆકૃનત(a)માંદશાધવેલછે .
• આ ખાલી જગ્યા ર્ન નવદ્યુતભાર (+q) ની જે મ વતે છે . આ ખાલી જગ્યાને હોલ
(Hole)કહે છે .હોલજાણે કે પરરણામીર્નનવદ્યુતભારર્રાવતોઆભાસીમુક્ટ્તકણહોય
તેમવતેછે .
• હોલ ર્ન નવદ્યુતભારની જે મ વતધતો હોવાથી ઈલેક્ટ્રોનને આકર્ધવાની વૃનત ર્રાવે છે . જો
બીજા કોઈ સહસંયોજક બંર્માં ભંગાણ થાય તો ત્યાંથી છુ ટો પડેલ ઈલેક્ટ્રોન આ હોલમાં
ગોઠવાયછે .આમ,અર્ધવાહકોએવાઅનવવતીયગુણર્મધર્રાવેછે કેજે માંઈલેક્ટ્રોનઉપરાંત
હોલગનતકરેછે .
• ર્ારોકે આકૃનત(a) માં દશાધવ્યામુજબસ્થાન1 પાસે એકહોલછે .હોલનીગનતઆકૃનત
(b) માંદશાધવ્યામુજબજોઈશકાયછે .ર્ારોકે સ્થાન2 પાસેસહસંયોજકબંર્માંભંગાણ
થતા મુકત થયેલ ઈલેક્ટ્રોન ખાલી સ્થાન 1 (હોલ) માં કૂદીને જાય. આમ, આ કૂદકા પછી
હોલસ્થાન2 પાસેઅનેઈલેક્ટ્રોનસ્થાન1 પાસેહોય.
• આમ,દેખીતીરીતેહોલસ્થાન1 થી2 સુર્ીઅનેઈલેક્ટ્રોનસ્થાન2 થીસ્થાન1 સુર્ીગનત
કરે છે .અહીંમુક્ટ્તથયેલઈલેક્ટ્રોનનજીકનાહોલમાં ફરીબંનર્તઅવસ્થામાં આવીજાયછે .
આથી,આવાઈલેક્ટ્રોનનેબંનર્તઈલેક્ટ્રોનકહેવાય.
• આથી,મુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોનનીગનતથીબંનર્તઈલેક્ટ્રોનનીગનતનેઅલગકરવાબંનર્તઈલેક્ટ્રોનની
ગનતનેહોલનીગનતસ્વરૂપેદશાધવવામાંઆવેછે . અહી,નોંર્ોકેમૂળજે ઈલેક્ટ્રોનમુક્ટ્તહતો
તેહોલનીગનતમાટેનીપ્રરક્રયામાંભાગલેતોનથી.
• અર્ધવાહકોમાંનવદ્યુતવહનબેપ્રકારેજોવામળેછે :
1.મુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોનનીગનત
2.હોલ(બંનર્તઈલેક્ટ્રોન)નીગનત
• મુક્ટ્ત ઈલેક્ટ્રોનસ્વતંિરીતે વાહક (કન્ડકશન) ઈલેક્ટ્રોનતરીકે ગનત કરે છે જે ના પરરણામે
આપેલ નવદ્યુતક્ષેિની અસર હેઠળ ઈલેક્ટ્રોન પ્રવાહ Ie મળે છે . જ્યારે હોલ નવદ્યુતક્ષેિની
અસર હેઠળ ઋણ નસ્થનતમાન તરફ ગનત કરે છે . જે ના પરરણામે હોલ પ્રવાહ Ih મળે છે .
આમ,કુલનવદ્યુતપ્રવાહI એઈલેક્ટ્રોનપ્રવાહIe અને હોલપ્રવાહIh નાસરવાળાજે ટલો
હોયછે .
Page 5
14.6 Physics
I = Ie + Ih
I = n e A e e + n h A h e (∵નવદ્યુતપ્રવાહ I =nAVdq)
V
= eA ( n e e + n h h )
R
E
= eA ( n e e + n h h )
A
1 e
= = e ne e + nh h (∵મોબીનલટી e = )
E E E
= e ( n e e + n h h )
• અિે એ નોંર્વું જોઈએ કે અર્ધવાહકોમાં ઈલેક્ટ્રોન અને હોલના ઉદ્દભવની પ્રરક્રયાઉપરાંત
ઈલેક્ટ્રોનના હોલ સાથે ભળવાની (પુનઃ સંયોજનની) પ્રરક્રયા પણ ચાલુ હોય છે . સંતુલન
નસ્થનતમાંનવદ્યુતભારવાહકોનાઉદ્દભવદરઅનેએકબીજામાંભળવાનોદરસમાનહોયછે .
• T = OK એશુવર્અર્ધવાહકઉપરનીઆકૃનત(a)માં દશાધવ્યામુજબઅવાહકતરીકે વતે
છે .ઊંચાતાપમાને(T > O K)ઉષ્માઉજાધનાકારણેવેલેન્સબેન્ડમાંરહેલાકેટલાંકઈલેક્ટ્રોન
ઉત્તેનજત થઈને કન્ડકશનબેન્ડમાં આવે છે . T > O K એ ઉષ્મીય રીતે ઉત્તેનજત થયેલા
ઈલેક્ટ્રોન કન્ડકશન બેન્ડને આંનશક રીતે ભરી દે છે . આથી, શુવર્ અર્ધવાહકો ઉજાધ બેન્ડ
આકૃનત(b)માંદશાધવ્યામુજબહોયછે .
• અિે કન્ડકશનબેન્ડમાં કેટલાંકઈલેક્ટ્રોનને દશાધવ્યાછે તેઓવેલેન્સબેન્ડમાંથીઆવ્યાછે
તથાત્યાંએટલાજહોલઉત્પન્નકરતાઆવ્યાછે .
• શુવર્(આંતરરક)અર્ધવાહકોમાંમુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોનનીસંખ્યાne, હોલનીસંખ્યા nh જે ટલી હોય
છે .એટલેકે
ne = n h = n i → n i :એશુવર્(આંતરરક)વાહકસંખ્યાછે .
01
1. C, Si અનેGeએકસમાનલેટીસબંર્ારણછે ,શામાટેC અવાહકછે જ્યારેSiઅનેGe
અર્ધવાહકછે ? (ઉદા:-14.1)
ઉકેલ:-
• C, Siઅને Geનાબંર્બનાવતાચારઈલેક્ટ્રોનઅનુક્રમેબીજી,િીજીઅનેચોથીકક્ષામાંછે .
આથી, આ પરમાણંઓ માંથી એક ઈલેક્ટ્રોનને બહાર કાઢવા માટે જરૂરી ઉજાધ (એટલે કે
આયનીકરણઉજાધ Eg)Geમાટે સૌથીઓછી,Siમાટે તેનાથીવર્ુ અને Cમાટે સૌથીવર્ુ
હોયછે .આથી,વહનમાટે મુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોનસંખ્યાGeઅને Siમાં નોંર્પાિછે પણCમાટે
અવગણ્યછે એવીનાનીછે .
Page 6
Semiconductor Electronics 14.7
02
2. કાબધન, સીલીકોન અને જમેનીયમ દરેકને ચાર વેલન્ે સ ઈલેક્ટ્રોન હોય છે . તેમેને અનુક્રમે
(E ) ,(E )
g C g Si ( )
અને Eg
Ge
જે ટલાઊજાધ બેન્ડગેપવડે દશાધવવામાં આવે છે .નીચેના
માંથીકયું નવર્ાનસત્યછે ?
(a)(Eg)Si < (Eg)Ge < (Eg)C
(b)(Eg)C < (Eg)Ge > (Eg)Si
(c)(Eg)C > (Eg)Si > (Eg)Ge
(d)(Eg)C = (Eg)Si = (Eg)Ge (સ્વા:-14.3)
ઉકેલ:-(C)(Eg)C > (Eg)Si > (Eg)Ge
• C, Si અને Ge ને બંર્ બનાવતા ચાર e − અનુક્રમે બીજી, િીજી અને ચોથી કક્ષામાં છે .
આથી, આ પરમાણઓ માંથી એક e − બહાર કાઢવા માટે જરૂરી ઊજાધ (એટલે કે
આયનીકરણઊજાધ Eg) Ge માટે સૌથી ઓછી,Si માટે તેનાથીવર્ુ અને C માટે સૌથીવર્ુ
હોયછે .
અશુવર્(બાહ્ય)અર્ધવાહક(Extrinsic Semiconductor):-
] :-
• શુવર્ અર્ધવાહકની વાહકતા તેના તાપમાન પર આર્ાર રાખે છે પરંતુ ઓરડાના તાપમાને
તેનીવાહકતાઘણીઓછીહોયછે . હકીકતમાં આવાઅર્ધવાહકોનીમદદથીકોઈઅગત્યના
ઈલેક્ટ્રોનનકસાર્નોબનાવીનશકાય. આથી,તેમનીવાહકતાવર્ારવીજરૂરીબને છે . આવું
અશુનવર્ઓનોઉપયોગકરવાથીથઇશકેછે .
• જ્યારે શુવર્અર્ધવાહકમાં ખુબઓછાપ્રમાણમાં જે મ કે દસલાખે અમુકસંખ્યા (PPm-
Parts per million)નીયોગ્યઅશુનવર્ઉમેરવામાં આવે ત્યારે અર્ધવાહકવાહકતાઅનેક
ગણીવર્ીજાયછે . આવા,દ્રવ્યોઅશુવર્અર્ધવાહકોઅથવાબાહ્યઅર્ધવાહકોકહેવાયછે .
• શુવર્ અર્ધવાહકની વાહકતાવર્ારવામાટે હેતુપૂવધક ઇચ્છનીય અશુનવર્ઉમેરવાનીઘટનાને
ડોપીંગ (Dopping) અને અશુનવર્ પરમાણઓને ડોપન્ટસ (Dopants) કહે છે . આવા
પદાથધનેડો્ટસેમીકાન્ડકટરપણકહેછે .
• ડોપન્ટ(અશુનવર્પરમાણં)એવોહોવોજોઈએકેજે
✓ શુવર્અર્ધવાહકસ્ફટીકનીરચનાનેનવકૃતનકરે.
✓ ડોપન્ટ પરમાણઓ અને અર્ધવાહક પરમાણઓના કદ લગભગ સમાન હોવા
જોઈએ. જે થી અશુનવર્ પરમાણઓ સ્ફટીકમાં મૂળભૂત અર્ધવાહક પરમાણં
જે ટલુજસ્થાનરોકે.
• ચારસંયોજકતા(વેલેન્સી)ર્રાવતાટેરાવેલેન્ટSi કે Geમાં ડોપીંગકરવામાટે બે પ્રકારના
ડોપન્ટસનોઉપયોગથાયછે .
(i) પેન્ટાવેલેન્ટઅશુનવર્(વેલન્ે સી5):-જે મકે,આસેનનક(As),એન્ટીમની(Sb),
ફોસ્ફરસ(P)વગેર.ે
(ii)રાઈવેલેન્ટ અશુનવર્ (વેલન્ે સી 3):- જે મ કે, ઇન્ડીયમ (In), બોરોન (B),
એલ્કયુનમનનયમ(Al)વગેર.ે
• આપણે હવે સમજીશું કે કેવી રીતે ડોપીંગ અર્ધવાહકમાં વાહક નવદ્યુતભારોની સંખ્યા (અને
તેથીવાહકતા)બદલેછે .
• Si અને Geઆવતધ કોષ્ટકનાચોથાસમૂહ(ગ્રુપ)માંઆવે છે .આથી,આપણે ડોપીંગમાટેનું
તત્વ નજીકના પાંચમાં કે િીજા સમૂહ માંથી પસંદ કરીએ છીએ કે જે થી અપેક્ષા મુજબ
ડોપીંગકરવાનાપરમાણનુંકદSiકેGeનાકદજે ટલુંહોય.
• Si કે Geમાં પેન્ટાવેલેન્ટઅને રાયવેલેન્ટડોપન્ટબે સંપૂણધ જુ દાપ્રકારનાઅર્ધવાહકોઆપે
છે જે નીચેસમજાવ્યાછે .
Page 7
14.8 Physics
(i) N -પ્રકારનોઅર્ધવાહક(N-type Semiconductor):-
• આકૃનતમાં દશાધવ્યા મુજબ જ્યારે શુવર્ અર્ધવાહક (Si કે Ge) માં પેન્ટાવેલેન્ટ અશુનધર્
ઉમેરવામાં આવે ત્યારે અશુનવર્ પરમાણં યજમાન અર્ધવાહક પરમાણં સ્થાને ગોઠવાય છે .
પેન્ટાવેલેન્ટ અશુનવર્ પરમાણંના 5 વેલેન્સ ઈલેક્ટ્રોન માંથી 4 વેલેન્સ ઈલેક્ટ્રોન નજીકના
ચારઅર્ધવાહકપરમાણં સાથે સહસંયોજકબંર્બનાવવામાં વપરાયજાયછે . જ્યારે પાંચમો
ઈલેક્ટ્રોન સ્ફટીકને વર્ારાના ઈલેક્ટ્રોન તરીકે પ્રા્ત થાય છે . આ પાંચમો ઈલેક્ટ્રોન જનક
પરમાણંસાથેઅત્યંતનબળીરીતેબંનર્તરહેછે . કારણકેપાંચમોઈલેક્ટ્રોનબંર્બનાવવામાં
વપરાતાચારઈલેક્ટ્રોનનેપરમાણંનાઅસરકારકગભધનાભાગતરીકેજુ એછે .
• આપાંચમાં ઈલેક્ટ્રોનને મુક્ટ્તકરવામાટે જરૂરીઆયોનાઈઝેશનઉજાધ ઘણીઓછીહોયછે .
આથી,ઓરડાનાતાપમાને પણતે અર્ધવાહકસ્ફટીકમાં ગનતકરવામાટે મુક્ટ્તથાયછે .ઉદા.
તરીકેઆઈલેક્ટ્રોનનેમુક્ટ્તકરવાજરૂરીઉજાધજમેનનયમમાટે0.01 eVઅનેનસનલકોનમાટે
0.05 eV છે . આ ઉજાધ નસનલકોન માંથી ઈલેક્ટ્રોનને મુક્ટ્ત કરવા જરૂરી ઉજાધ 1.1eV અને
જમેનનયમ માંથીઈલેક્ટ્રોનનેમુક્ટ્તકરવાજરૂરીઉજાધ0.72eVકરતાઘણીઓછીછે .
• આમ, પેન્ટાવેલેન્ટ અશુનવર્ પરમાણં યજમાન સ્ફટીકને નવદ્યુતભાર વાહકનું દાન કરે છે .
આથી,પેન્ટાવેલેન્ટઅશુનવર્નેદાતા (Donar)અશુનવર્કહેવાયછે .
• વહનમાટે પ્રા્યએવાઈલેક્ટ્રોનોનીસંખ્યાનોઆર્ારડોપીંગ(ઉમેરેલઅશુનવર્)નાપ્રમાણ
પરછે .અનેતેતાપમાનનાવર્ારાપરઆર્ારરાખતીનથી.
• બીજી બાજુ ઉષ્મીય દોલનોના લીર્ે કેટલાંક ઈલેક્ટ્રોન અર્ધવાહક પરમાણંના સહસંયોજક
બંર્ માંથી છુ ટા પડી ઈલેક્ટ્રોન અને હોલનું નનમાધણ કરે છે . પરંતુ આ રીતે મળતા હોલની
સંખ્યા nh ડોનર અશુનવર્ વડે મળતા ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ne કરતા ઘણી ઓછી હોય છે .
આથી, આ પ્રકારના અર્ધવાહકોમાં મેજોરીટી નવદ્યુતભાર વાહકો તરીકે ઈલેક્ટ્રોન અને
માઈનોરીટીનવદ્યુતભારવાહકોતરીકેહોલહોયછે .
• મેજોરીટી નવદ્યુતભાર વાહકો એટલે કે ઈલેક્ટ્રોન પરનો નવદ્યુતભાર ઋણ (Negative)
હોવાથી આ અર્ધવાહકોને N-પ્રકારના અર્ધવાહકો કહેવાય. અહી, એ નોંર્ો કે N-પ્રકારના
અર્ધવાહકો નવદ્યુતની દ્રષ્ટીએ તટસ્થ હોય છે . એટલે કે N-પ્રકારના અર્ધવાહક પર કૂલ
નવદ્યુતભારશૂન્યહોયછે .
• ઉપરનીઆકૃનતમાં N-પ્રકારનાઅર્ધવાહકોમાટે ઊજાધસ્તરોપણદશાધવેલછે .જે માં અશુનવર્
પરમાણંના ઊજાધ સ્તરો (ED) કન્ડકશન બેન્ડ (EC) ના તનળયાના સ્તરની ખુબજ નજીક
હોય છે . આથી, ઓરડાના તાપમાને તેને થોડી ઉષ્માઊજાધ મળતા ઈલેક્ટ્રોન અશુનવર્
પરમાણંના ઊજાધસ્તર માંથી સંક્રાંનત કરી કન્ડકશન બેન્ડમાં જાય છે . (એટલે કે અશુનવર્
પરમાણં ર્ન આયનીકૃત થાય છે .) આ ઉપરાંત ઉષ્મીય ગનતઉજાધના લીર્ે થોડા ઈલેક્ટ્રોન
વેલેન્સ બેન્ડ માંથી સંક્રાંનત કરી કન્ડકશન બેન્ડમાં જાય છે . આથી, વેલેન્સબેન્ડમાં થોડા
પ્રમાણમાંહોલઅનેકન્ડકશનબેન્ડમાંમોટીસંખ્યામાંમુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોનમળેછે .
• N -પ્રકારનાઅર્ધવાહકોમાટે n e n h
Page 8
Semiconductor Electronics 14.9
(ii) P -પ્રકારનોઅર્ધવાહક(P- type Semiconductor) :-
• આકૃનતમાં દશાધવ્યા મુજબ જ્યારે શુવર્ અર્ધવાહક (Si કે Ge) માં રાઈવેલેન્ટ અશુનવર્
ઉમેરવામાંઆવેત્યારેઅશુનવર્પરમાણંયજમાનઅર્ધવાહકપરમાણંનાસ્થાનેગોઠવાયછે .
રાઈવેલેન્ટઅશુનવર્પરમાણંના3વેલેન્સઈલેક્ટ્રોનનજીકનાિણઅર્ધવાહકપરમાણં સાથે
સહસંયોજક બંર્ બનાવવામાં વપરાય છે . જ્યારે ચોથા પડોશી પરમાણં અને અશુનવર્
પરમાણં વચ્ચેનો સહસંયોજક બંર્માં આકૃનતમાં દશાધવ્યા મુજબ એક ઈલેક્ટ્રોનની જગ્યા
ખાલીપડે છે .જે ને હોલકહેવાય. આમરાઈવેલેન્ટઅશુનવર્પરમાણં સ્ફટીકને હોલનું દાન
કરેછે .
• આ હોલ ઈલેક્ટ્રોન સ્વીકારવાની વૃનત ર્રાવતા હોવાથી રાઈવેલેન્ટ અશુનવર્ એકસે્ટર
(Accepter)અશુનવર્કહેછે .
• સ્ફટીકમાં પડોસી Si પરમાણંને હોલની જગ્યાએ એક ઈલેક્ટ્રોનની જરૂરરયાત હોવાથી
બાજુ માં આવેલાપરમાણંનીબહારનીકક્ષામાં આવેલોઈલેક્ટ્રોનકુદીને આજગ્યાપૂરે છે .
જે નાપરરણામે તેના પોતાના મૂળસ્થાને જગ્યાકે હોલઉત્પન્નથાયછે .આમ,કન્ડકશન
માટેહોલપ્રા્તથાયછે .
• અિે નોંર્ોકે રાઈવેલેન્ટબહારનોપરમાણં જ્યારે ચોથાઈલેક્ટ્રોનનીબાજુ નાSiપરમાણં
સાથેભાગીદારીકરેત્યારેપરરણામસ્વરૂપેતેઋણનવદ્યુતભારીતબનેછે .
• બીજી બાજુ ઉષ્મીય દોલનોના લીર્ે કેટલાંક ઈલેક્ટ્રોન અર્ધવાહક પરમાણંના સહસંયોજક
બંર્ માંથીછુ ટાપડીઈલેક્ટ્રોનઅનેહોલનુંનનમાધણકરેછે . પરંતુઆરીતેમળતાઈલેક્ટ્રોનની
સંખ્યા ne એકસે્ટર અશુનવર્ વડે મળતા હોલની સંખ્યા nh કરતા ઘણી ઓછી હોય છે .
આથી, આવા પદાથધમાં મેજોરીટી વાહકો તરીકે હોલ અને માઇનોરીટી વાહકો તરીકે
ઈલેક્ટ્રોન છે . તેથી રાઈવેલેન્ટ અશુનવર્ઓ ડોપ કરેલા અશુવર્ અર્ધવાહક P-પ્રકારના
અર્ધવાહકોકહેવાયછે .
• મેજોરીટી નવદ્યુતભાર વાહકો એટલે કે હોલ ર્ન (Positive) નવદ્યુતભારની જે મ વતધતા
હોવાથી આ અર્ધવાહકોને P-પ્રકારના અર્ધવાહકો કહેવાય. અહી, એ નોંર્ો કે P-પ્રકારના
અર્ધવાહકો નવદ્યુતની દ્રષ્ટીએ તટસ્થ હોય છે . એટલે કે P-પ્રકારના અર્ધવાહક પર કૂલ
નવદ્યુતભારશૂન્યહોયછે .
• ઉપરનીઆકૃનતમાં P -પ્રકારનાઅર્ધવાહકોમાટે ઊજાધસ્તરોપણદશાધવેલછે .જે માં અશુનવર્
પરમાણંનાઊજાધસ્તરો (EA)વેલેન્સબેન્ડ(EV) નાટોચનાસ્તરનીખુબજનજીકહોયછે .
આથી,ઓરડાનાતાપમાનેતેનેથોડીઉષ્માઊજાધમળતાઈલેક્ટ્રોનવેલેન્સબેન્ડ માંથીસંક્રાંનત
કરીઅશુનવર્પરમાણંનાઊજાધસ્તરમાંજાયછે . (એટલે કેઅશુનવર્પરમાણં ઋણઆયનીકૃત
થાયછે .)આઉપરાંતઉષ્મીયગનતઉજાધનાલીર્ે થોડાઈલેક્ટ્રોનવેલેન્સબેન્ડમાંથીસંક્રાંનત
કરીકન્ડકશનબેન્ડમાં જાયછે .આથી,વેલેન્સબેન્ડમાં મોટા પ્રમાણમાં હોલઅને કન્ડકશન
બેન્ડમાંથોડીસંખ્યામાંમુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોનમળેછે .
• આથી,P-પ્રકારનાઅર્ધવાહકોમાટે n h n e
• શુવર્ અર્ધવાહકોમાં ઈલેક્ટ્રોન અને હોલ ઉત્પન્ન થવાની પ્રરક્રયા અને તેમના
પુનઃસંયોજનનીપ્રરક્રયાએકસાથેજથતીહોયછે .આથી,સંતલ
ુ નનસ્થનતમાંઈલેક્ટ્રોન-હોલ
ઉત્પન્નથવાનોદરઅનેતેમનાપુનઃસંયોજનનોદરસમાનહોયછે .
Page 9
14.10 Physics
• પુનઃસંયોજનનોદર n e n h
• પુનઃસંયોજનનોદર R n e n h જ્યાં,R = પુનઃસંયોજન અચળાંક
• શુવર્કેઅંતગધતઅર્ધવાહકમાટે n e = n h = n i હોવાથી
• શુવર્કેઅંતગધતઅર્ધવાહકમાટેપુનઃસંયોજનનોદર R n e n h = R n i
2
• પરંતુ શુવર્ અને અશુવર્ અર્ધવાહકના સ્ફરટક બંર્ારણ સમાન હોવાથી તથા ઉપર યુક્ટ્ત
પ્રરક્રયા થમોડાયનેમીક્ટ્સના નનયમોને અનુસરથી હોવાથી બંને માટે પુનઃસંયોજનનો દર
સમાનમળે.
n e n h = n i2
03
3. ર્ારોકે શુવર્સ્ફટીકમાં 5 1028 પરમાણં /m3 છે .તેને 1 ppm ઘનતા(સાંદ્રતા) સાથે
As વડે ડ્રોપ કરવામાં આવે છે . ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ઘનતા ગણો.
n i = 1.5 1016 m −3 આપેલછે . (ઉદા:-14.2)
ઉકેલ:-
• 1ppm → 10 લાખએટલેકે 106 પરમાણંદીઠ1 As અશુનવર્પરમાણં
સ્ફટીકમાં 5 1028 પરમાણં /m3 → ( ? )
5 1028 atoms
1 m3 માંઅશુનવર્પરમાણં = = 5 1022
10 6
m3
• As પરમાણંપેન્ટાવેલેન્ટહોવાથીAs નાદરેકપરમાણંરદઠએકવર્ારાનોઈલેક્ટ્રોનમળે.
ne = nD = 5 1022 પરમાણં /m3
• અર્ધવાહકમાટે
nenh = n2i
( )
2
n2i 1.5 1016
nh = =
ne 5 1022
2.25 1032
nh = = 0.45 1010 = 4.5 10 હોલ /m
9 3
5 1022
−
• અહી, e વર્ારે → માટેnપ્રકારનોઅર્ધવાહક
04
4. એક m3 દીઠ સીલીકોનનાપરમાણંઓનીસંખ્યા 5 1028 છે .તેને એકજસમયે (એક
સાથે) અસેનીકના 5 1022 પરમાણં /m3 અને ઇનન્ડયમના 5 1020 પરમાણં /m3
વડે ડોપપંગ કરવામાં આવે છે . ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ગણો. n i = 1.5 1016
/m3 . આદ્રવ્યN -પ્રકારનું કેP-પ્રકારનું હશે? (સ્વા:-14.8)
ઉકેલ:-
• સીલીકોનપરમાણંનીસંખ્યા = 5 1028 પરમાણં /m3
• આસેનનકપરમાણંનીસંખ્યા = 5 1022 પરમાણં /m3
• ઇનન્ડયમપરમાણંનીસંખ્યા = 5 1026 પરમાણં /m3
• શુવર્નવદ્યુતવાહકોનીસંખ્યા = 5 106 / m3
• e − નીસંખ્યા
ne = n As − nIn
Page 10
Semiconductor Electronics 14.11
ne = 500 10 − 5 10
20 20
ne = 495 1020 = 4.95 1022 e− / m3
• nen h = n2I પરથી
n2I
nh =
ne
(1.5 10 )
2
16
2.25 1032
nh = =
4.95 1022 4.95 1022
n h = 4.54 109 હોલ /m3
• અહીં ne n h હોવાથીn-પ્રકારનોઅર્ધવાહકછે .
05
5. N-પ્રકારનાનસનલકોનમાટેનીચેનાનવર્ાનોમાંથીકયું સાચું છે ?
(A) ઈલેક્ટ્રોનમેઝોરીટીવાહકોઅનેરાઈવેલન્ે ટપરમાણઓડોપન્ટછે .
(B)ઈલેક્ટ્રોનમાઈનોરીટીવાહકોછે અનેપેન્ટાવેલન્ે ટપરમાણઓડોપન્ટછે .
(C)હોલ્કસમાઈનોરીટીવાહકોછે અનેપેન્ટાવેલન્ે ટપરમાણઓડોપન્ટછે .
(D)હોલ્કસમેઝોરીટીવાહકોછે અનેરાઈવેલન્ે ટપરમાણઓડોપન્ટછે . (સ્વા:-14.1)
ઉકેલ :- (C) N-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં હોલ્કસ માઈનોરીટી વાહકો છે અને પેન્ટાવેલેન્ટ
પરમાણઓડોપન્ટછે .
06
6. P-પ્રકારનાનસનલકોનમાટેઉપરનાનવર્ાનોમાંથીકયું સાચું છે ? (સ્વા:-14.2)
(A) ઈલેક્ટ્રોનમેઝોરીટીવાહકોઅનેરાઈવેલન્ે ટપરમાણઓડોપન્ટછે .
(B)ઈલેક્ટ્રોનમાઈનોરીટીવાહકોછે અનેપેન્ટાવેલન્ે ટપરમાણઓડોપન્ટછે .
(C)હોલ્કસમાઈનોરીટીવાહકોછે .અનેપેન્ટાવેલન્ે ટપરમાણઓડોપન્ટછે .
(D)હોલ્કસમેઝોરીટીવાહકોછે અનેરાઈવેલન્ે ટપરમાણઓડોપન્ટછે .
ઉકેલ:- (D) P-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં હોલ મેઝોરીટીવાહકો છે અને રાઈવેલેન્ટ પરમાણંઓ
ડોપન્ટછે .
07
7. P-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે એકસેપટર લેવલ વેલન્ે સબેન્ડથી 50 meV ઉપર છે . તો
વેલન્ે સબેન્ડમાંહોલઉત્પન્નકરવામાટેઆપાતપ્રકાશનીમહત્તમતરંગલંબાઈશોર્ો.
ઉકેલ:-
• વેલેન્સબેન્ડમાં હોલ ઉત્પન્નકરવા માટે ઈલેક્ટ્રોનને વેલેન્સબેન્ડ માંથી એકસેપટરલેવલમાં
મોકલવાપડે.આથી,ઈલેક્ટ્રોનનેલઘુતમ50 meVઊજાધઆપવીપડે.
hc 6.625 10 ( 3 10 )
−34 8
hc
E= = = = 2.48 10−5 m
e Ee 50 10 (1.6 10 )
−3 −19
08
8. જમેનીયમ માંથી બનાવેલ N પ્રકારના અર્ધવાહકની વાહકતા 6 −1cm −1 છે . જો
આપણેઆN પ્રકારનાઅર્ધવાહકમાંઈલેક્ટ્રોનનીમોબીલીટી3850 cm2v-1s-1 જોઈતી
હોયતો ઉમેરવાપડતાઅશુનવર્દાતાપરમાણંનીઘનતાશોર્ો.
ઉકેલ:-
• N પ્રકારના અર્ધવાહકની વાહકતા મોટા ભાગે મુક્ટ્ત ઈલેક્ટ્રોનને આભારી હોય છે . N
પ્રકારનાઅર્ધવાહકમાંએકદાતાપરમાણંએકઈલેક્ટ્રોનઆપતોહોવાથી n e = n d
Page 11
14.12 Physics
= n ee e n e = n d =
e e
6 102
nd =
3880 10−4 (1.6 10−19 )
impurity atom
n d = 9.7 1021
m3
09
9. 300 K તાપમાને શુધર્સીલીકોનસ્ફરટકમાં પ્રત્યેકઘનસેન્ટીમીટરદીઠઈલેક્ટ્રોન-હોલના
જોડકાની સંખ્યા 1.072 1010 , ઈલેક્ટ્રોનની મોબીનલટી e = 480 cm2 V −1s −1
અને હોલની મોબીનલટી h = 1350 cm2 V −1s −1 હોય તો આપેલ તાપમાને
સીલીકોનસ્ફરટકનીવાહકતાશોર્ો.
ઉકેલ:-
• અર્ધવાહકનીવાહકતા
= e ( n e e + n h h )
−3
• શુવર્અર્ધવાહકમાટે n e = n h = 1.072 10 cm
10
= 1.6 10−19 (1.072 1010 ( 480 ) + 1.072 1010 (1350 ) )
= 3.14 10−5 −1cm −1
10
10. એક શુધર્ સીલીકોન અર્ધવાહકનો બેન્ડગેપ 1.12 eV છે . ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની
મોબોલોટીઅનુક્રમે0.140 m2v-1s-1 અને0.050 m2v-1s-1છે .જે તાપમાનથીસ્વતંિ
છે . આ અર્ધવાહકમાં નવદ્યુતભાર વાહકોની સંખ્યા ઘનતાનો તાપમાન (T) સાથે સંબર્
ં
Eg
−
n i = n0 e વડે આપવામાં આવે છે . અહી, n0 અચળાંક, Eg બેન્ડગેપ અને
2K B T
બોલ્કટઝમેન અચળાંક KB =1.38 X 10-23 JK-1 છે . તો સીલીકોનની 400 K and
200 K તાપમાનેનવદ્યુતવાહકતાશોર્ો. (સ્વા:-14.9 જે વો)
ઉકેલ:-
• અર્ધવાહકનીવાહકતા
= e ( n e e + n h h ) (∵શુવર્અર્ધવાહકમાટે n e = n h = n i )
= n i e ( e + h )
Eg
−
= e ( e + h ) n 0e 2K BT
Eg
− 1.121.610−19
400 e ( e + h ) n 0 e
Eg
(1.38X10−23 )800 16.23
2K B 400
= = e K B 800
= e =e
200 −
Eg
e ( e + h ) n 0 e 2K B 200
11
11. એક સીલીકોન અર્ધવાહક નમુનામાં એક ઘન મીટર દીઠ 1019 ફોસફરસ પરમાણં
ઉમેરવામાં આવે છે . જો શુધર્ સીલીકોનની અવરોર્કતા 3000 ohm-metre અને
ઈલેક્ટ્રોનઅનેહોલનીમોબીલીટીઅનુક્રમે 0.15 m2v-1s-1 અનેand 0.030 m2v-1
s-1 હોયતોઆપેલનમુનાનીઅવરોર્કતાશોર્ો.
ઉકેલ:-
Page 12
Semiconductor Electronics 14.13
• અર્ધવાહકનીવાહકતા
= e ( n e e + n h h )
• શુવર્અર્ધવાહકમાટે n e = n h = n i
= n i e ( e + h )
1 1
= =
n i e ( e + h )
1 1
ni = =
e ( e + h ) 3000 (1.6 10 ) ( 0.15 + 0.030 )
−19
n i = 1.157 1016
• એક ઘન મીટર દીઠ 1019 ફોસફરસ પરમાણં ઉમેરવામાં આવે તો N પ્રકારનો અર્ધવાહક
બને.જે માંઈલેક્ટ્રોનનીસંખ્યાઘનતા1019ઈલેક્ટ્રોન/m3 મળે.
• Nપ્રકારનાઅર્ધવાહકમાટે
1 1 1
= = = 19 = 4.17 m
(
n ee e 10 ( 0.15) 1.6 10−19 )
P-N જં કશન:-
] :-
• ડાયોડ, રાન્ઝીસ્ટરજે વીઘણીરચનાઓ માટે P-N જં કશનએપ્રાથનમકબંર્ારણીય એકમ
છે .આથી,અન્યઅર્ધવાહકનીરચનાઓનું કાયધ સમજવામાટે P-Nજં કશનનીકાયધ પવર્નત
સમજવીખુબઉપયોગીછે .
P-N જં કશનનીરચના:-
• શુવર્ અર્ધવાહકનું પાતળું સ્તર નવચારો તેના થોડો નવસ્તારમાં રાયવેલેન્ટ અશુનવર્ અને
બાકીના નવભાગમાં પેન્ટાવેલેન્ટ અશુનવર્ ઉમેરવામાં આવે તો P-પ્રકારના અર્ધવાહક, N-
પ્રકારનાઅર્ધવાહક અનેP-Nજં કશનતૈયારથાયછે .
અથવા
• P-પ્રકારના અર્ધવાહકનું પાતળું સ્તર નવચારો તેના થોડા નવસ્તારમાં પેન્ટાવેલેન્ટ અશુનવર્
ઉમેરવામાં આવે તો P-પ્રકારના અર્ધવાહક સ્તરના (પતરી) ના થોડાક ભાગને N-પ્રકારના
અર્ધવાહકમાંફેરવીશકાય.હવેઆપતરી(સ્તર) P-નવસ્તારઅનેN-નવસ્તારર્રાવેછે તથા
PઅનેNનવસ્તારોવચ્ચેર્ાનત્વકજં કશનપણર્રાવેછે .
અથવા
• N-પ્રકારનાઅર્ધવાહકનું પાતળું સ્તરનવચારોતેનાથોડાનવસ્તારમાં (નવભાગમાં)રાયવેલેન્ટ
અશુનવર્ ઉમેરવામાં આવે તો N-પ્રકારના અર્ધવાહક સ્તર (પતરી) ના થોડાક ભાગને P-
પ્રકારનાઅર્ધવાહકમાંફેરવીશકાય.હવેઆપતરી(સ્તર) P-નવસ્તારઅનેN-નવસ્તારર્રાવે
છે તથાPઅનેNનવસ્તારોવચ્ચેર્ાનત્વકજં કશનપણર્રાવેછે .
• P-N જં કશનનીરચનાદરનમયાનબેઅગત્યનીપ્રરક્રયાઓથાયછે :
1.નવસરણ(Diffusion)
2.વહન( Drift)
Page 13
14.14 Physics
• આપણેજાણીએછીએકેN-પ્રકારનાઅર્ધવાહકમાંઈલેક્ટ્રોનનીસંખ્યાઘનતાહોલનીઘનતા
કરતાવર્ુ હોય છે . તે જ રીતે P-પ્રકારનાઅર્ધવાહકમાં હોલનીસંખ્યાઘનતાઈલેક્ટ્રોનની
સંખ્યાઘનતાકરતાવર્ુહોયછે .આથી,PઅનેN-તરફનાનવસ્તારોનાનવદ્યુતભારવાહકોની
સંખ્યા ઘનતામાં તફાવતના લીર્ે P-નવભાગ માંથી હોલ N-નવભાગ તરફ અને N-નવભાગ
માંથીઈલેક્ટ્રોનP-નવભાગતરફનવસરણ(Diffusion)પામે છે . મેજોરીટીનવદ્યુતભારોની
આપ્રકારનીગનતનાકારણેજં કશન માંથીજે પ્રવાહપસારથાયતેનેનવસરણ (Diffusion)
પ્રવાહકહેછે . આપ્રવાહ(mA)નાક્રમનોહોયછે .
• જ્યારેઈલેક્ટ્રોન N → P તરફજાયત્યારેપાછળતેN -નવસ્તારમાંર્નઆયન(આયનીકૃત
ડોનર) અને હોલ P → N તરફ જાય ત્યારે પાછળ તે P-નવસ્તારમાં ઋણ આયન
(આયનીકૃતએકસે્ટર)રાખતોજાયછે . આર્નઅને ઋણઆયનગનતશીલનથી કારણકે
તે આજુ બાજુ નાપરમાણઓ વડે બંનર્તહોયછે . જે મજે મઈલેક્ટ્રોન N → P તરફઅને
હોલ P → N તરફજતાજાયતેમતેમજં કશનનીનજીકN-નવભાગમાંર્ન–આયનોનુંસ્તર
અને (ર્નસ્પેસચાજધ )P-નવભાગમાં ઋણઆયનોનું સ્તર(ઋણસ્પેસચાજધ )વર્તું જાય.
જં કશનની બંને બાજુ ના આ સ્પેશ ચાજધ નવસ્તારને ડે્લેશન નવસ્તાર કહે છે . ડે્લેશન
નવસ્તારની જાડાઈ માઈક્રોમીટરના દશમાં ભાગના ક્રમની હોય છે . જં કશનની આરપારની
ઈલેક્ટ્રોનઅનેહોલનીપ્રારંનભકગનતનવર્ીનેલીર્ેઆનવસ્તાર પોતપોતાનામેજોરીટીચાજધ
કેરરયરનીદ્રષ્ટીએખાલીથઈજાયછે .
• જં કશન નજીક N-નવભાગમાં ર્ન આયનો અને P-નવભાગમાં ઋણ આયનો ભેગા થવાના
લીર્ે જં કશનમાં N થી P તરફનું નવદ્યુતક્ષેિ ઉત્પન્ન થાય છે . આ નવદ્યુતક્ષેિના કારણે
જં કશનના P-તરફનો ઈલેક્ટ્રોન (માઈનોરીટી ચાજધ ) N-તરફ અને N-તરફનો હોલ
(માઈનોરીટી ચાજધ ) P-તરફની રદશામાં ગનત કરે છે . નવદ્યુતક્ષેિના કારણે થતી માઈનોરીટી
નવદ્યુતભારનીઆગનતનેડ્રીફટ(વહન)કહેછે . આમ,ડ્રીફટપ્રવાહશરુથાયછે . જે નવસરણ
(રડફયુઝન)પ્રવાહનીનવરુવર્રદશામાં હોયછે . શરૂઆતમાં રડફયુઝનપ્રવાહમોટોહોયછે .
જે મ રડફયુઝન (નવસરણ) પ્રરક્રયા આગળ વર્ે તેમ જં કશનની બંને બાજુ ના સ્પેશ ચાજધ
નવસ્તારમોટાથતાજાયછે . જે નવદ્યુતક્ષેિનીતીવ્રતાવર્ારેછે અનેડ્રીફટપ્રવાહપણવર્ેછે .
જ્યાંસુર્ીરડફયુઝનપ્રવાહઅનેડ્રીફટપ્રવાહસરખાનથાયત્યાંસુર્ીઆપ્રરક્રયાચાલ્કયાકરે
છે .આરીતે P-Nજં કશનરચાયછે .જં કશનનીસંતુલનનસ્થનતમાં P-Nજં કશન માંથીકોઈ
ચોખ્ખોનવદ્યુતપ્રવાહવહેતોનથી.
• જં કશન નજીક N-નવભાગમાં ર્ન આયનો અને P-નવભાગમાં ઋણ આયનો ભેગા થવાના
લીર્ે જં કશનની બંને બાજુ ના નવસ્તારમાં નસ્થનતમાનનો તફાવત સજાધય છે . આ
નસ્થનતમાનના તફાવતને ડે્લેશન પોટેનન્શયલ અથવા બેરરયર પોટેનન્શયલ કહે છે . આ
નસ્થનતમાનનીધ્રુવીયતાએવીહોયછે કેજે નવદ્યુતવાહકોનાપ્રવાહને રોકેકે જે થીસંતુલનની
નસ્થનતસજાધય.
• ઉપરની આકૃનતમાં સંતુલન નસ્થનતમાં રહેલ P-N જં કશન અને જં કશનની આસપાસ
નસ્થનતમાન દશાધવ્યુ છે . N-નવસ્તાર ઈલેક્ટ્રોન ગુમાવે છે જ્યારે P-નવસ્તાર ઈલેક્ટ્રોન મેળવે
છે . આથી, P- નવસ્તારની સાપેક્ષે N-નવસ્તાર ઘન નવદ્યુતભારરત બને છે . આ નસ્થનતમાન
ઈલેક્ટ્રોનની N–નવસ્તાર માંથી P-નવસ્તાર તરફની (મેજોરીટી નવદ્યુતભારોની) ગનતને રોકતું
હોવાથીતેનેબેરીયરપોટેનન્શયલપણકહેછે .
• જં કશનનાનવદ્યુતક્ષેિનાલીર્ે ઈલેક્ટ્રોનપરનવદ્યુતક્ષેિ(E)નીનવરુવર્બળલાગે અને હોલ
પરનવદ્યુતક્ષેિ(E)નીરદશામાંબળલાગે.
• ડી્લેશનસ્તરનીપહોળાઈઅશુનવર્પરઆર્ારરત
Page 14
Semiconductor Electronics 14.15
✓ અશુનવર્ ઓછી → ડી્લેશન સ્તરની પહોળાઈ વર્ુ → ડી્લેશન સ્તરમાં નવદ્યુતક્ષેિ
નબળું
✓ અશુનવર્ વર્ુ → ડી્લેશન સ્તરની પહોળાઈ ઓછી થાય → ડી્લેશન સ્તરમાં
નવદ્યુતક્ષેિપ્રબળ
P-N જં કશનડાયોડનીકાયધપવર્નત(ફોરવડધઅનેરરવસધબાયસલાક્ષનણકતા):-
ફોરવડધબાયસનીઅસરહેઠળP-N જં કશનડાયોડ:-
• જ્યારે PN જં કશનડાયોડનાબે છે ડાવચ્ચે બાહ્યવોલ્કટેજV એવીરીતે આપવામાં આવે કે
જે થી P-નવસ્તારને બેટરીના ર્ન છે ડા સાથે અને N-નવસ્તારને બેટરીના ઋણ છે ડા સાથે
જોડવામાંઆવેત્યારેતેનેફોરવડધબાયસકયોકહેવાય.
• PN જં કશનડાયોડને આપેલવોલ્કટેજડી્લેશનનવસ્તારનાબે છે ડાવચ્ચે લાગે છે કારણકે
ડી્લેશન નવસ્તારમાં કોઈગનત કરીશકે તેવાનવદ્યુતભારો નહોવાથી ડી્લેશનનવસ્તારનો
અવરોર્N- નવસ્તારઅનેP- નવસ્તારનાઅવરોર્કરતાઘણોવર્ારેહોયછે .
• PN જં કશન ડાયોડની ફોરવડધ બાયસ નસ્થનતમાં બાહ્ય બેટરીના વોલ્કટેજ ( V ) ડાયોડની
અંદરના વોલ્કટેજ (જં કશનના વોલ્કટેજ) V0 કરતાં નવરુવર્ હોય છે . આથી, બેરરયર
પોટેનન્શયલઘટીને ( V0 − V ) થાયઅને ડી્લેશનસ્તરનીપહોળાઈઅને ઊંચાઈઘટે છે .
(એટલે કે બાહ્ય બેટરીનું નવદ્યુતક્ષેિ જં કશનના નવદ્યુતક્ષેિની નવરુવર્ હોય છે . આથી,
જં કશનનીઅંદરનવદ્યુતક્ષેિઘટેછે .)
• ડાયોડની ફોરવડધ બાયસ નસ્થનતમાં ડે્લેશન સ્તરનું નવદ્યુતક્ષેિ નબળું પડવાથી P નવભાગ
અને N નવભાગમાં આવેલા મેજોરીટી ચાજધ કેરરયર જં કશનને સરળતાથી ક્રોસ કરે છે .
આથી,ડીફ્યુજનપ્રવાહમાં વર્ારોથાયછે .એટલે કે N-નવસ્તારમાનાઈલેક્ટ્રોન(મેજોરીટી
વાહકો) ડે્લેશન નવસ્તાર પસાર કરીને P-નવસ્તારમાં આવે છે . (જ્યાં તેઓ માઈનોરીટી
વાહકોકહેવાય)તે જરીતે P નવસ્તાર માંથીહોલ(મેજોરીટીવાહકો)જં કશનપસારકરીને
N-નવસ્તારમાંપહોંચેછે .(જ્યાંતેઓમાઈનોરીટીવાહકોબને છે .)ફોરવડધબાયસનીઅસર
હેઠળઆપ્રરક્રયાનેમાઈનોરીટીઇન્જે ક્ટ્શન(દાખલકરવું)કહેવાયછે .
• આપ્રરક્રયાનાલીર્ે જં કશનનીસીમાપાસે બંને બાજુ માઈનોરીટીવાહકોનીસંખ્યાઘનતા
જં કશનની દુરના છે ડા કરતા ઘણી વર્ે છે . આ સંખ્યા ઘનતાના તફાવતના કારણે P-તરફ
દાખલથયેલાઈલેક્ટ્રોનજં કશનનીP-તરફનીર્ારપાસેથીP-નવસ્તારનાબીજાછે ડે પહોંચે
છે . તેજરીતેN-તરફદાખલથયેલાહોલજં કશનનીN-તરફનીર્ારથીN-નવસ્તારનાબીજા
છે ડેપંહોચેછે . નવદ્યુતભારવાહકોનીબંનેતરફનીઆગનતનાકારણેનવદ્યુતપ્રવાહરચાયછે .
• જો લગાડેલ વોલ્કટેજ ઓછો હોય તો બેરરયર પોટેનન્શયલ સંતુલન નસ્થનત કરતા થોડુંકજ
ઘટશે અને દ્રવ્યમાનાથોડીક સંખ્યાનાવાહકોજજે સૌથીઉપરનાઊજાધ સ્તરોમાં હોય તે
પુરતીઊજાધમેળવીનેજં કશનમાંથીપસારથશે.આમ,નવદ્યુતપ્રવાહપણઓછોહશે.
• આપણે જો લગાડેલ વોલ્કટેજ નોંર્પાિ વર્ારીએ તો બેરીયર પોટેનન્શયલની ઊંચાઈ ઘટશે
અનેવર્ારેનવદ્યુતભારવાહકોપ્રનતઊજાધમેળવશેઅનેનવદ્યુતપ્રવાહવર્ેછે .
• ડાયોડનો કુલ ફોરવડધ નવદ્યુતપ્રવાહ હોલ ડીફ્યુઝન પ્રવાહ અને રૂરઢગત ઈલેક્ટ્રોન ડીફ્યુઝન
પ્રવાહનાસરવાળાજે ટલોહોયછે . આપ્રવાહનુંમૂલ્કયલગભગmA નાક્રમનુંહોયછે .
Page 15
14.16 Physics
• ફોરવડધ બાયસદરનમયાનપણરડ્રફટપ્રવાહહાજરહોયછે .પરંતુ તે દાખલથયેલા(ઇન્જે ક્ટ્ટ
થયેલા) નવદ્યુત વાહકોના કારણે મળતાં mA ના ક્રમના પ્રવાહની સરખામણીમાં અવગણી
શકાયતેટલો ( A ) હોયછે .
રરવસધબાયસનીઅસરહેઠળP-Nજં કશનડાયોડ:-
• જ્યારે PN જં કશનડાયોડનાબે છે ડાવચ્ચે બાહ્યવોલ્કટેજV એવીરીતે આપવામાં આવે કે
જે થી P-નવસ્તારને બેટરીના ઋણ છે ડા સાથે અને N-નવસ્તારને બેટરીના ર્ન છે ડા સાથે
જોડવામાંઆવેત્યારેતેનેરરવસધબાયસકયોકહેવાય.
• PN જં કશનડાયોડને આપેલવોલ્કટેજડી્લેશનનવસ્તારનાબે છે ડાવચ્ચે લાગે છે કારણકે
ડી્લેશન નવસ્તારમાં કોઈગનત કરીશકે તેવાનવદ્યુતભારો નહોવાથી ડી્લેશનનવસ્તારનો
અવરોર્N- નવસ્તારઅનેP- નવસ્તારનાઅવરોર્કરતાઘણોવર્ારેહોયછે .
• PN જં કશનડાયોડનીરીવસધ બાયસનસ્થનતમાં બાહ્યબેટરીનાવોલ્કટેજ ( V ) અને ડાયોડની
અંદરના વોલ્કટેજ (જં કશનના વોલ્કટેજ) V0 એકજ રદશામાં હોય છે . આથી, બેરરયર
પોટેનન્શયલવર્ીને ( V0 + V ) થાયઅને ડી્લેશનસ્તરનીપહોળાઈઅને ઊંચાઈવર્ે છે .
(એટલે કે બાહ્ય બેટરીનું નવદ્યુતક્ષેિ જં કશનના નવદ્યુતક્ષેિની રદશામાંજ હોય છે . આથી,
જં કશનનીઅંદરનવદ્યુતક્ષેિવર્ેછે .)
• ડાયોડનીરીવસધ બાયસનસ્થનતમાં ડે્લેશનસ્તરનું નવદ્યુતક્ષેિપ્રબળથવાથીP નવભાગઅને
Nનવભાગમાં આવેલામેજોરીટીચાજધ કેરરયરજં કશનને ક્રોસકરવામાં મુશ્કેલીઅનુભવે છે .
આથી, ડીફ્યુજન પ્રવાહ ફોરવડધ બાયસની નસ્થનત કરતા ઘટે છે . એટલે કે ઈલેક્ટ્રોનનો
N → P તરફનોપ્રવાહઅનેહોલનો P → N તરફનોપ્રવાહ(ડીફ્યુજનપ્રવાહ)રૂંર્ાઇછે .
• વળીજં કશનનાનવદ્યુતક્ષેિનીરદશાએવીહોયછે કે જે થીજોP-તરફનાઈલેક્ટ્રોનકે N-
તરફના હોલ તેમની અસ્તવ્યસ્ત ગનત દરનમયાન જં કશનની પાસે આવે તો તે મેજોરીટી
નવસ્તાર તરફ ર્કેલાઈજાય છે . નવદ્યુતવાહકોના આ રડ્રફટ (ર્કેલાઈજવા) ને કારણે ડ્રીફટ
નવદ્યુતપ્રવાહવહે છે . આમાઈનોરીટીનવદ્યુતભારોનીગનતનાલીર્ે રડ્રફટપ્રવાહઅમુક A
નાક્રમનોહોયછે .
• ડાયોડનો રરવસધ પ્રવાહ, લગાડેલ વોલ્કટેજ પર ખાસ આર્ાર રાખતો નથી. આપેલ થોડોક
વોલ્કટેજ પણ માઈનોરીટી વાહકોને જં કશનની એક બાજુ થી બીજી બાજુ લઇ જવા માટે
પૂરતાહોયછે .આપ્રવાહલગાડેલવોલ્કટેજવડે સીનમતથતોનથી.પરંતુ તે જં કશનનીબંને
બાજુ માઈનોરીટી વાહકોની સંખ્યા ઘનતા વડે સીનમત થાય છે . રરવસધ બાયસ ની અસર
હેઠળ નવદ્યુતપ્રવાહ ક્રાંનત રરવસધ બાયસ વોલ્કટેજ સુર્ી સ્વતંિ હોય છે . જે ને બ્રેકડાઉન
વોલ્કટેજ (Vbr) કહે છે . જ્યારે V = Vbr હોય ત્યારે ડાયોડનો રરવસધ નવદ્યુતપ્રવાહ અત્યંત
ઝડપથીવર્ેછે .ત્યારબાદવોલ્કટેજનોથોડોકવર્ારોપણનવદ્યુતપ્રવાહમાંઘણોમોટોફેરફાર
કરેછે .
• જોરરવસધ પ્રવાહને બાહ્યપરરપથવડે (તેનાનનમાધતાવડે દશાધવેલ)ચોક્ટ્કસમૂલ્કયથીઓછા
મૂલ્કયથીનનયંનિતકરવામાંનઆવે તોPN જં કશનનાશપામે છે . એકવખતતે નનક્ટ્કકરેલ
મૂલ્કયકરતાવર્ીજાયએટલે ડાયોડવર્ુ પડતોગરમથઇને નાશપામે છે . આજપ્રમાણે જો
ફોરવડધ પ્રવાહનનક્ટ્કકરેલમૂલ્કયકરતાવર્ીજાયતોપણડાયોડવર્ુ પડતોગરમથઇને નાશ
પામેછે .
Page 16
Semiconductor Electronics 14.17
P-N જં કશન ડાયોડની ફોરવડધ અને રીવસધ બાયસ લાક્ષણીકતાનો અભ્યાસ કરવા માટેની
પ્રાયોનગકગોઠવણ:-
• આકૃનત(a) અને (b)માં ડાયોડનીV-I લાક્ષણીકતાઓનો(એટલે કે આપેલવોલ્કટેજસાથે
નવદ્યુતપ્રવાહના ફેરફારનો) અભ્યાસ કરવા માટે પરરપથની ગોઠવણી દશાધવી છે .
પોટેનન્શયોમીટર (કે રીઓસ્ટેટ) મારફતે બેટરીને ડાયોડ સાથે જોડવામાં આવે છે કે જે થી
ડાયોડને લગાડેલ વોલ્કટેજ બદલી શકાય છે . વોલ્કટેજના જુ દા આપેલ મૂલ્કયો માટે
નવદ્યુતપ્રવાહના મૂલ્કયો નોંર્વામાં આવે છે . આકૃનત (c) માં દશાધવ્યા મુજબ V અને I નો
આલેખ દોરવામાં આવે છે . નોંર્ો કે ફોરવડધ બાયાસમાં માપન દરનમયાન અપેનક્ષત પ્રવાહ
મોટોહોવાથીપ્રવાહમાપવાઆપણે નમલીએનમટરનોઉપયોગકરીએછીએ.જ્યારે રરવસધ
બાયસદરનમયાનપ્રવાહમાપવામાટેમાઈક્રોમીટર ( A ) નોઉપયોગકરીએછીએ.
• આકૃનત (c) માં તમેં જોઈ શકોકે ફોરવડધ બાયસમાં શરૂઆતમાં જ્યાં સુર્ી ડાયોડના છે ડા
વચ્ચેનો વોલ્કટેજ અમુક ચોક્ટ્કસ મૂલ્કય સુર્ી ના વર્ે ત્યાં સુર્ી નવદ્યુતપ્રવાહ નહીવત રીતે
ર્ીમેથીવર્ે છે .અમુકલાક્ષનણકવોલ્કટેજપછીબાયસવોલ્કટેજનાનજીવાવર્ારાસાથે પણ
ડાયોડપ્રવાહઘણોબર્ો(ચરઘાતાંકરીતે)વર્ેછે .આવોલ્કટેજનેરેશોલ્કડવોલ્કટેજકેકટઇન
વોલ્કટેજ (Knee Voltage)કહે છે .(જે જમેનીયમડાયોડમાટે 0.3V અને નસનલકોન
ડાયોડમાટે 0.7V જે ટલોહોયછે .)
• ડાયોડને રરવસધ બાયસમાં જોડવામાં આવે ત્યારે નવદ્યુતપ્રવાહઅનતસુક્ષમ ( −A ) હોયછે
અનેબાયસવોલ્કટેજનાફેરફારસાથેલગભગઅચળરહેછે .તેનેરરવસધ સેચ્યુરેશન(સંતૃ્ત)
પ્રવાહકહેછે .
• આમછતાનવનશષ્ઠરકસ્સાઓમાટે ઘણાઊંચારરવસધ બાયસ(બ્રેકડાઉનવોલ્કટેજ)માટે આ
પ્રવાહ એકદમ વર્વા લાગે છે . સામાન્ય ઉપયોગ માં લેવાતા ડાયોડને રરવસધ સેચ્યુરેશન
પ્રવાહનાનવસ્તારથીઆગળઉપયોગમાંલેવાતાનથી.
• સામાન્યરીતેp-n જં કશનડાયોડનવદ્યુતપ્રવાહનુંવહનએકરદશામાંજથવાદેછે .(ફોરવડધ
બાયસમાં) રરવસધ બાયસના અવરોર્ કરતા ફોરવડધ બાયસ અવરોર્ ઓછો હોય છે . આ
ગુણર્મધનોઉપયોગએસીવોલ્કટેજનારેકટીફીકેશન(એકદશીકરંટ)માંથાયછે .
• ડાયોડમાટેઆપણેવોલ્કટેજનાનાનાફેરફાર V અને I નાગુણોત્તરનેડાયનેનમક(ચલ)
અવરોર્તરીકેવ્યાખ્યાનયતકરીએછીએ.
V
rd =
I
Page 17
14.18 Physics
12
12. શું આપણે p-પ્રકારનાઅર્ધવાહકચોસલાને ભૌનતકરીતે બીજાn-પ્રકારના અર્ધવાહકસાથે
જોડીનેp-nજં કશનબનાવીશકીએ? (ઉદા:-14.3)
ઉકેલ :- ના ! કોઈ પણ ચોસલું ભલેને ગમે તેટલું સપાટ હોય, તો પણ સ્ફરટકમાંના આંતર
પરમાનણ્વકઅંતર(~2થી3) થીતોવર્ુ ખરબચડું હોયજઅને તેથીપરમાનણ્વકસ્તરે
સતત જોડાણશક્ટ્યનથી.જોઆમકરવામાં આવે તોવહેતાનવદ્યુતભારવાહકોમાટે આ
જં કશનઅસતત(Discontinuty) નવસ્તારતરીકેકાયધકરશે.
13
13. આકૃનતમાં એક નસનલકોન ડાયોડની V – I
લાક્ષનણકતાદશાધવીછે .
(a) ID = 15 mA અને
(b) VD = –10 V માટેડાયોડનોઅવરોર્શોર્ો.
(ઉદા:-14.4)
ઉકેલ : I = 10 mA થીI = 20 mA વચ્ચે ડાયોડની
લાક્ષનણકતાદશાધવતાવક્રને ઉવગમ પબંદુમાંથીપસારથતીસીર્ીરેખાર્ારીએ, તો આપણે
ઓહમ(Ohm’s) નાનનયમનોઉપયોગ કરીનેઅવરોર્શોર્ીશકીએ:
(a) વક્રપરથી I = 20 mA માટે V = 0.8 V
અનેI = 10 mAમાટે V = 0.7 V
V ( 0.8 − 0.7 ) V 0.1
આથી rfb = = = = 10
I ( 20 − 10 ) mA 10 10−3
(b)વક્ર પરથીV = –10 Vમાટે I = –1 μA
V 10V
આથી rrb = = = 1107
I 1A
14
14. બાયપસંગ કયાધ વગરના p-n જં કશનમાં, હોલ p-નવસ્તારમાંથી n-નવસ્તારમાં નવસરણ
(Diffuse)પામેછે કારણકે
(a) n-નવસ્તારનામુક્ટ્તઇલેક્ટ્રોનતેમનેઆકર્ેછે .
(b) તેઓનસ્થનતમાનતફાવતનાકારણેજં કશનમાંથઈનેગનતકરેછે .
(c)p-નવસ્તારમાંહોલનીસંખ્યા-ઘનતાn-નવસ્તારકરતાંવર્ુહોયછે .
(d)ઉપરના બર્ા. (સ્વા:- 14.4)
ઉકેલ:-(c)p-નવસ્તારમાંહોલનીસંખ્યા-ઘનતાn-નવસ્તારકરતાંવર્ુહોયછે .
15
15. જ્યારે p-nજં કશનનેફોરવડધબાયસઆપવામાંઆવે ત્યારેતે
(a) પોટેનન્શયલબેરરયર(નીઊંચાઈ)વર્ારેછે .
(b) બહુ મતીવાહકોનોપ્રવાહઘટાડીનેશૂન્યકરેછે .
(c)પોટેનન્શયલબેરરયર(નીઊંચાઈ)ઘટાડેછે .
(d)ઉપરના માંથીએકપણનહીં. (સ્વા:- 14.5)
ઉકેલ:-(c)પોટેનન્શયલબેરરયલ(નીઊંચાઈ)ઘટાડેછે .
Page 18
Semiconductor Electronics 14.19
16
16. p-nજં કશનડાયોડમાં પ્રવાહI નું સમીકરણઆમુજબછે :
eV
I = I0 exp − 1
2k B T
જ્યાં, I0 ને રરવસધ સેચ્યુરશ
ે નપ્રવાહકહે છે , Vએડાયોડનાછે ડાઓવચ્ચે લાગતોવોલ્કટેજ
છે .જે ફોરવડધ બાયસમાટે ર્નઅને રરવસધ બાયસમાટે ઋણછે તથાIએડાયોડમાંથી
પસાર થતો પ્રવાહ, kB બૉલ્કટઝમેન અચળાંક (8.6 × 10–5 eV/K) અને T નનરપેક્ષ
તાપમાનછે .જો આપેલડાયોડમાટે I0 =5 × 10–12 AઅનેT = 300 Kહોય તો
(a) 0.6 V જે ટલાફોરવડધવોલ્કટેજમાટેફોરવડધપ્રવાહકેટલોહશે?
(b) જો ડાયોડ પરનો વોલ્કટેજ વર્ારીને 0.7 V કરવામાં આવે તો તેમાંથી પસાર થતાં
પ્રવાહમાંકેટલોવર્ારોથશે?
(c) ડાયનેનમકચલ(Dyanamic) અવરોર્કેટલોહશે?
(d)જોરરવસધબાયસવોલ્કટેજ1 V થી2 V થાયતોપ્રવાહનું મૂલ્કયશોર્ો.
(સ્વા:- 14.10)
ઉકેલ:-
−2
• I0 = 5 10 A , T = 300K
• K B = 8.6 10−5 eVK = 8.6 10−5 1.6 10−19 J / K = 13.76 10−24 J / K
(i) 0.6 V જે ટલાફોરવડધવોલ્કટેજમાટેફોરવડધપ્રવાહ
KeVT
I = I0 e B − 1
1.610−19 0.6
I = 5 10 e
−12
− 1
−5
8.610 1.610−19 300
(
I = 5 10−12 e23.25 − 1 )
(
I = 5 10−12 2.718
(23.25)
−1 )
(
I = 5 10−12 1.2512 1010 − 1 ) (∵-1 નેઅવગણતા)
I = 5 10−12 1.2512 1010
I = 0.06256A
(ii) જે ટલાફોરવડધવોલ્કટેજ 0.6 V થી0.7 Vકરતાફોરવડધપ્રવાહમાંવર્ારો
KeVT
I' = I0 e B − 1
1.610−19 0.7
I' = 5 10−12 e 8.610 1.610 300 − 1
−5 −19
(
I' = 5 10−12 e27.13 − 1 )
I' = 5 10−12 ( 2.718 − 1)
27.13
I' = 5 10−12 (6.07 10 − 1)11
I' = 5 10−12 6.07 1011
I' = 30.35 10−1 = 3.035A
Page 19
14.20 Physics
• પ્રવાહનોવર્ારો = I'− I = 3.035 − 0.06256
I = 2.972A
(iii) ડાયનેનમકઅવરોર્Rd
V
Rd =
I
0.7 − 0.6
Rd = = 0.0336
2.972
−12
(iv) રરવસધ વોલ્કટેજ1 V થી2 V કરતાડાયોડમાંથીસંતૃ્તપ્રવાહ I0 = 5 10 A પસાર
થાયજે અચળરહેછે .કારણકેરરવસધબાયસમાંડાયનેનમકઅવરોર્અનંતહોયછે .
17
17. એકPN જં કશનનાડે્લેશનનવસ્તારનીપહોળાઈ400 nm છે .અને તેમાં નવદ્યુતક્ષેિની
તીવ્રતા 5 105 V / m છે . તો (𝟏) પોટેન્શીયલબેરીયરનું મુલ્કય શોર્ો. (𝟐) 𝐍 નવભાગ
માંથી કોઈ એક મુક્ટ્ત ઈલેક્ટ્રોન 𝐏 નવભાગમાં દાખલ થઈ શકે તે માટે તેની પાસે કેટલી
લઘુતમગતીઉજાધહોવીજોઈએ?
ઉકેલ:-
(
• પોટેન્શીયલબેરીયર V = Ed = 5 105 400 10−9 = 0.2 V )
• મુક્ટ્તઈલેક્ટ્રોનPનવભાગમાંદાખલથઈશકેતેમાટેતેનીપાસેકેટલીલઘુતમગતીઉજાધ
W = K = eV = 1.6 10−19 ( 0.2) = 3.2 10−18 V = 0.2 eV
PN જં કશનડાયોડ
ફોરવડધબાયસ રીવસધબાયસ
Pછે ડો(એનોડ)વર્ુનસ્થનતમાનેઅનેN Pછે ડો(એનોડ)ઓછાનસ્થનતમાનેઅનેN
છે ડો(કેથોડ)ઓછાનસ્થનતમાને છે ડો(કેથોડ)વર્ુનસ્થનતમાને
નવદ્યુતપ્રવાહ(mA) નાક્રમનો નવદ્યુતપ્રવાહ(µA) નાક્રમનો
જં કશનનીબંનેતરફનાનવભાગમાં જં કશનનીબંને તરફનાનવભાગમાં મેજોરીટી
માઈનોરીટીઇન્જે ક્ટ્શન ઇન્જે ક્ટ્શન
આદશધડાયોડમાટેફોરવડધઅવરોર્RF=0 આદશધડાયોડમાટેરીવસધઅવરોર્RR=α
અનેડે્લેશનપોટેન્શીયલVd=0 (અનંત) અનેડે્લેશનપોટેન્શીયલVd=0
વ્યવહારમાંSi અનેGe ડાયોડમાટેડે્લેશન વ્યવહારમાંSi અનેGe ડાયોડમાટેડે્લેશન
પોટેન્શીયલઅનુક્રમેVd=0.7 eVઅને Vd પોટેન્શીયલઅનુક્રમેVd=0.7 eVઅને Vd
=0.3 eVઅનેડાયોડનોઅવરોર્લગભગ =0.3 eVઅનેડાયોડનોઅવરોર્લગભગ
0 થી100 Ω વચ્ચે 106 Ω થીઅનંત
Page 20
Semiconductor Electronics 14.21
18
18. નીચેનીઆકૃનતમાંદશાધવેલકયોPN જં કશનડાયોડરીવસધબાયસમાંછે ?
(A) (B)
(C) (D)
ઉકેલ:-(C) ડાયોડનીરીવસધ બાયસનસ્થનતમાં કેથોડએનોડનીસાપેક્ષે વર્ુ નસ્થનતમાને આવેલ
હોય.
19
19. નીચેનીઆકૃનતમાંબેસમાનPN જં કશનડાયોડનેિણજુ દીજુ દીરીતેબેટરીસાથેજોડેલ
છે .તોકયાબે પરીપથોમાં PN જં કશનડાયોડનાબે છે ડાવચ્ચે પોટેન્શીયલડ્રોપસમાન
મળે?
ઉકેલ:-પરરપથ1અને2
20
20. નીચે દશાધવલ ે પરીપથમાં જયારે (1) VP > VQ અને (2) VQ > VP હોયત્યારે P અને Q
પબંદુ વચ્ચેસમતુલ્કયઅવરોર્શોર્ો.
ઉકેલ:-
Case 1 :- જયારે VP > VQ હોયત્યારે ડાયોડફોરવડધ બાયસમાં
હશે. આથી, ડાયોડનો અવરોર્ શૂન્ય લેવાય. હવે
આપણે આપેલ પરીપથને બાજુ માં દશાધવ્યા પ્રમાણે
નવચારીશકીએ.
12 4
R PQ = =3
12 + 4
Case 2 :- જયારે VQ > VP હોય ત્યારે ડાયોડ રીવસધ
બાયસમાં હશે. આથી, ડાયોડનો અવરોર્ અનંત
(ઓપન સકીટ કંડીશનમાં) લેવાય. હવે આપણે
Page 21
14.22 Physics
આપેલપરીપથનેબાજુ માંદશાધવ્યાપ્રમાણેનવચારીશકીએ.
R PQ = 12
21
21. Si ડાયોડઅને Geડાયોડનીચેનીઆકૃનતમાં દશાધવ્યાપ્રમાણે જોડેલછે .તોVo અને Iનું
મુલ્કયશોર્ો.જોહવે Geડાયોડઉલટાવીનાખવામાં આવે તોVo અને Iનું મુલ્કયશોર્ો.
અહી,નોંર્ોકેSi ડાયોડઅનેGeડાયોડઅનુક્રમે0.7 V અને0.3 Vમાટેવાહકબનેછે .
ઉકેલ:-
Case 1 :- અહી, નોંર્ો કે Ge ડાયોડ Si ડાયોડ પહેલા વાહક બની જશે. આથી, આઉટપુટ
વોલ્કટેજ KVL પરથીV0 = 12 – 0.3 = 11.7 V મળે. તથા લોડ અવરોર્માંથી
V 11.7
વહેતોનવદ્યુતપ્રવાહ I L = 0 = = 2.34 mA મળે.
R L 5000
Case 2 :- Geડાયોડને ઉલટાવતાGeડાયોડરીવસધ બાયસમાં આવે આથી,Geડાયોડવાહક
બનશે નનહ.પરંતુ Si ડાયોડવાહકબનશે.આથી,આઉટપુટવોલ્કટેજKVL પરથી
V0 = 12 – 0.7 = 11.3 V મળે. તથા લોડ અવરોર્માંથી વહેતો નવદ્યુતપ્રવાહ
V 11.3
IL = 0 = = 2.26 mA મળે.
R L 5000
22
22. નીચે દશાધવલ
ે પરીપથમાં 4 Ω અને 8 Ω ના અવરોર્ માંથી પસાર થતો નવદ્યુતપ્રવાહ
શોર્ો.
ઉકેલ:-
• ઉપરની આકૃનતમાં ડાયોડ D1 ફોરવડધ બાયસ અને અને ડાયોડ D2 રીવસધ બાયસ હોવાથી
ડાયોડD1 વાહકબનશે અને ડાયોડD2 વાહકબનશે નનહ.આથી,4 Ω માંથીપ્રવાહવહે
અને8Ωમાંથીપ્રવાહવહેનનહ.
12
• 4 Ω માંથીવહેતોપ્રવાહ I 4 = = 3 A
4
23
23. નીચેદશાધવલ
ે પરીપથમાંબંને ડાયોડઅનેલોડઅવરોર્માંથીવહેતોનવદ્યુતપ્રવાહશોર્ો.
Page 22
Semiconductor Electronics 14.23
ઉકેલ:-
• અહી, બંને ડાયોડ ફોરવડધ બાયસમાં હોવાથી
આપેલ પરરપથને બાજુ માં દશાધવ્યા પ્રમાણે
દોરીશકાય.આપેલપરરપથમાં લોડઅવરોર્ને
સમાંતરવોલ્કટેજહંમેશાGe ડાયોડનાકટઓફ
વોલ્કટેજ જે ટલાજ રહે. આથી, લોડ
અવરોર્માંથીપ્રવાહ
V 0.3
IL = L = = 60 A
R L 5 103
• હવે,KVLનોઉપયોગકરતાSi ડાયોડમાંથીનવદ્યુતપ્રવાહ
10 − I ( 3 103 ) − I ( 2 103 ) − 0.7 − I L ( 5 103 ) = 0
10 − I ( 3 103 ) − I ( 2 103 ) − 0.7 − 60 10−6 ( 5 103 ) = 0
10 − I ( 3 103 ) − I ( 2 103 ) − 0.7 − 0.3 = 0
9 − I ( 3 103 ) − I ( 2 103 ) = 0
I = 1800 A
• Ge ડાયોડમાંથીનવદ્યુતપ્રવાહ
I = I1 + I L
1800A = I1 + 60A
I1 = 1740 A
• અહી,નોંર્ોકે જયારે આપેલપરીપથમાં લાગુ પાડેલવોલ્કટેજ1 V થીવર્ુ હોયત્યારે લોડ
અવરોર્ને સમાંતર વોલ્કટેજ 0.3 V મળશે. અને લોડ અવરોર્માંથી વહેતો નવદ્યુત પ્રવાહ
હંમેશા 60 A રહેશે.
24
24. નીચે દશાધવલ
ે પરરપથમાં ડાયોડનાફોરવડધ અવરોર્ 100 Ω અને રીવસધ અવરોર્106 Ω
છે .તોઆપેલપરરપથમાંથીવહેતોનવદ્યુતપ્રવાહશોર્ો.જોબેટરીને ઉલટાવવામાં આવે
તોડાયોડમાંથીવહેતોનવદ્યુતપ્રવાહશોર્ો.
ઉકેલ:-
• અહી, ડાયોડ રીવસધ બાયસમાં હોવાથી આપેલ પરરપથને
બાજુ માં દશાધવ્યા પ્રમાણે દોરી શકાય. આથી, આપેલ પરરપથ
માંથીપ્રવાહ KVL પરથી
2 + 0.7 − I (106 ) − I (103 ) = 0
2.7 − I (1000 + 1)103 = 0
I = 2.69 A
• હવે, બેટરીને ઉલટાવતા ડાયોડ ફોરવડધ બાયસમાં હોવાથી
આપેલપરરપથને બાજુ માં દશાધવ્યાપ્રમાણે દોરીશકાય.આથી,
આપેલપરરપથમાંથીપ્રવાહ KVL પરથી
2 − 0.7 − I (100 ) − I (103 ) = 0
Page 23
14.24 Physics
1.3 − I (1100 ) = 0
I = 1.181 mA
25
25. નીચેદશાધવલે પરીપથમાંપ્રવાહવહેતોનહોયત્યારેડાયોડનેસમાંતરવોલ્કટેજડ્રોપ0.5 V
જે ટલોઅચળછે .આપેલડાયોડનામહત્તમપાવરરેટટંગ200 mW હોયતોડાયોડમાંથી
મહત્તમપ્રવાહમેળવવાઅવરોર્R નું મુલ્કયકેટલું હોવું જોઈએ?
ઉકેલ:-
• ડાયોડમાંમહત્તમપ્રવાહ
P 200 10−3
I= = = 400 10−3 A
V 0.5
• હવે, ડાયોડ ફોરવડધ બાયસમાં હોવાથી આપેલ પરરપથને
બાજુ માં દશાધવ્યા પ્રમાણે દોરી શકાય. આથી, આપેલ
પરરપથમાંથીપ્રવાહ KVL પરથી
2 − IR − 0.5 = 0
( )
1.5 − 400 10−3 R = 0
R = 3.75
26
26. નીચેદશાધવલ
ે પરીપથમાંબેટરીમાંથીવહેતોનવદ્યુતપ્રવાહશોર્ો.
ઉકેલ:-
• અહી, ડાયોડ D1 રીવસધ બાયસમાં અને ડાયોડ D2
ફોરવડધ બાયસમાં છે . આથી, આપેલ પરીપથને નીચે
પ્રમાણેદોરીશકાય.
• આપેલપરીપથનોસમતુલ્કયઅવરોર્
63
R eq = 4 + =6
6+3
• બેટરીમાંથીનવદ્યુતપ્રવાહ
30
I= =5 A
6
27
27. નીચેદશાધવલ
ે ડાયોડનેA.C. વોલ્કટેજલગાડતાઓઉટપુટવોલ્કટેજનું તરંગસ્વરૂપશોર્ો.
Page 24
Semiconductor Electronics 14.25
ઉકેલ:-
• ઇનપુટએ.સી.વોલ્કટેજનાએકઅર્ધચક્રમાટે ડાયોડફોરવડધ બાયસમાં હશે લોડઅવરોર્ના
બેછે ડાવચ્ચેઆઉટપુટવોલ્કટેજશૂન્યમળે.
• ત્યારપછીનાઅર્ધચક્રમાટે ડાયોડરીવસધ બાયસમાં હશે અને લોડઅવરોર્નાબે છે ડાવચ્ચે
આઉટપુટવોલ્કટેજશૂન્યમળે.
P-N જં કશનડાયોડનોરેનક્ટ્ટફાયરતરીકેઉપયોગ:-
• A.C. ઊજાધનું D.C. ઊજાધમાં રૂપાંતર કરતી રચનાને રેનક્ટ્ટફાયર પરરપથ કહેવાય. અને A.C.
ઊજાધનુંD.C.ઊજાધમાંરૂપાંતરકરવાનીપ્રરક્રયાનેરેનક્ટ્ટફીકેશનકહેવાય.
• જરૂરરયાત:-વ્યવહારમાંવાપરાતામોટાભાગનાઇલેક્ટ્રોનીક્ટ્સસાર્નોD.C. ઊજાધ પરકાયધ
કરે છે . પરંતુ આપણા ઘરોમાં A.C. વોલ્કટેજ આવે છે . આથી, A.C. ઊજાધનું D.C. ઊજાધમાં
રૂપાંતરકરવાનીજરૂરીયાતપડેછે .ઉ.દા.T.V, રેરડયો,કોમ્પ્યુટર,મોબાઈલવગેરે...
અર્ધતરંગરેનક્ટ્ટફાયર
• બાજુ ની આકૃનતમાં અર્ધતરંગ રેનક્ટ્ટફાયર પરરપથ દશાધવેલ છે . અહીં,
A.C. મેઈનવોલ્કટેજનેરાન્સફોમધરનાપ્રાથનમકગુંચળાસાથેજોડેલછે .
રાન્સફોમધરનાગૌણગુંચળાને P-N જં કશનડાયોડઅને લોડઅવરોર્
R L સાથે શ્રેણીમાં જોડેલછે .લોડઅવરોર્ R L ને સમાંતરઆઉટપુટ
વોલ્કટેજમેળવવામાંઆવેછે .
• ર્ારોકે ઇનપુટવોલ્કટેજનાપ્રથમર્નઅર્ધચક્રમાટે ગૌણગૂંચળાનોA
છે ડો B છે ડાની સાપેક્ષે ર્ન બને છે . આથી, P-N જં કશન ડાયોડ
ફોરવડધ બાયસમાં આવે છે અને લોડ અવરોર્ R L માંથીપ્રવાહ વહે
છે .આથી,લોડઅવરોર્ R L નેસમાંતરઆઉટપુટવોલ્કટેજમળેછે .
• હવે, ઇનપુટ વોલ્કટેજના અનુક્રમે આવતા બીજા ઋણ અર્ધચક્ર માટે
ગૌણગૂંચળાનોAછે ડોBછે ડાનીસાપેક્ષે ઋણબને છે .આથી, P-N
જં કશન ડાયોડ રીવસધ બાયસમાં આવે છે અને લોડ અવરોર્ R L
માંથી પ્રવાહ વહેતો નથી. આથી, લોડ અવરોર્ R L ને સમાંતર
આઉટપુટ વોલ્કટેજ મળશે નનહ. આ રીતે ક્રનમક અર્ધચક્રો માટે
પુનરાવતધનથયાકરેછે .
• આપરરપથમાં ઇનપુટA.C. વોલ્કટેજનાઅડર્ાતરંગમાટે જઆઉટપુટમળતોહોવાથીઆ
પરરપથનેઅર્ધતરંગરેનક્ટ્ટફાયરકહેવાય.
પૂણધ તરંગરેનક્ટ્ટફાયર
• ઈનપુટ A.C. વોલ્કટેજના બંને અર્ધચક્ર દરનમયાન લોડ અવરોર્ R L ને સમાંતર આઉટપુટ
મેળવવાની પ્રરક્રયાને પૂણધ તરંગ રેનક્ટ્ટરફકેશન કહેવાય. તથા આવા પરરપથોને પૂણધ તરંગ
રેનક્ટ્ટફાયરકહેવાય.
Page 25
14.26 Physics
• આકૃનતમાં બે P-N જં કશન ડાયોડ વડે બનતો પૂણધ તરંગ રેનક્ટ્ટફાયર
પરરપથ દશાધવેલ છે . અહીં ડાયોડ D1 અને D2 ના એનોડને સેન્ટર
ટેપ રાન્સફોમધરના ગૌણ ગુંચળાના છે ડા સાથે તથા બંને ડાયોડના
કેથોડને R L મારફતે રાન્સફોમધરનાસેન્ટરટેપસાથે જોડેલછે .સેન્ટર
ટેપ રાન્સફોમધરના C.T. છે ડાની બંને બાજુ આંટાની સંખ્યા સમાન
હોવાથી બંને ડાયોડને સમાન વોલ્કટેજમળે પરંતુ તેમની વચ્ચે 180
નોકળાતફાવતહોયછે .
• ર્ારોકે A.C વોલ્કટેજનાપ્રથમઅર્ધચક્રમાટે C.T. નીસાપેક્ષે A ર્ન,B
ઋણબને.આથી,ડાયોડ D1 ફોરવડધઅનેડાયોડ D2 રરવસધબાયસમાં
આવે. અને પરીપથમાં પ્રવાહ A − D1 − R L − CT − A માગધ વહન
પામેઅને R L નેસમાંતરઆઉટપુટમળે.
• હવે,ઇનપુટવોલ્કટેજનાઅનુક્રમે આવતાબીજાઅર્ધચક્રમાટે C.T. ની
સાપેક્ષે A ઋણઅને Bર્નબને.આથી,ડાયોડ D1 રરવસધ અને ડાયોડ
D2 ફોરવડધ બાયસમાં આવે. અને પરીપથમાં પ્રવાહ
B − D2 − R L − CT − B માગે વહન પામે અને R L ને સમાંતર
આઉટપુટમળે.
• પૂણધતરંગરેનક્ટ્ટફાયરઆપણને વોલ્કટેજનાર્નઅનેઋણબંને અર્ધ-ચક્ર
દરનમયાન આઉટપુટ વોલ્કટેજ મળે છે . આથી, દેખીતું છે કે અર્ધતરંગ
રેનક્ટ્ટફાયરનીસરખામણીમાંપૂણધતરંગરેનક્ટ્ટફાયરરેનક્ટ્ટફાઈડવોલ્કટેજકે
પ્રવાહમેળવવામાટેઆવર્ુકાયધક્ષમપરરપથછે .
• પૂણધ તરંગ રેનક્ટ્ટફાયર માટે બીજો પરરપથ પણ છે જે માં સેન્ટર ટેપ
રાન્સફોમધરનીજરૂરપડતીનથી, પરંતુતેમાંચાર ડાયોડનીજરૂરપડેછે .
ચારડાયોડવડેબનતોરેનક્ટ્ટફાયરપરરપથનીચેપ્રમાણેછે .
રફલ્કટરપરરપથો:-
• અર્ધતરંગકે પૂણધતરંગરેનક્ટ્ટફાયરનાઆઉટપુટમાં મળતોD.C. વોલ્કટેજસમય સાથે બદલાય
છે .(શુવર્D.C.નથી) આવાD.C. વોલ્કટેજને સ્પંદનયુક્ટ્તD.C.(Pulse D.C.)કહેવાય.
આવાpulse D.C. માંથીસ્થાયીD.C. આઉટપુટમેળવવામાટે સામાન્યરીતે આઉટપુટના
બે છે ડાવચ્ચે ( R L ને સમાંતર)ઇન્ડકટરકે કેપેનસટરજોડીશકાય.આવાસ્પંદનયુક્ટ્તD.C
નેશુવર્D.Cમાંફેરવવામાટેરફલ્કટરપરરપથોવપરાય.
કાયધપવર્નત:-
Page 26
Semiconductor Electronics 14.27
• જ્યારે કેપેનસટરના બે છે ડા વચ્ચે વોલ્કટેજ વર્ે ત્યારે કેપેનસટર ચાજધ થાય છે . R L ની
ગેરહાજરીમાં તે રેનક્ટ્ટફાઇડઆઉટપુટનામહતમવોલ્કટેજસુર્ીચાજધ થયેલરહે છે . R L ની
હાજરીમાં કેપેનસટરલોડમાં થઇરડસ્ચાજધ થાયછે અને બીજા અર્ધચક્રદરનમયાનકેપેનસટર
ફરીથીચાજધ થાયછે .
1
• કેપેનસટરનાબે છે ડાવચ્ચે વોલ્કટેજનાઘટવાનોદર પરઆર્ારરતછે .એટલે કે R L
R LC
અને C ના ગુણાકારના વ્યસ્ત પ્રમાણ માં હોય છે . જ્યાં, R LC = T (સમય અચળાંક)
સમયઅચળાંકમોટોકરવાC નું મૂલ્કયમોટું હોવું જોઈએ.આથી, કેપેસીટરઈનપુટરફલ્કટર
પરરપથોમાં મોટા કેપેસીટર વપરાય છે . કેપેસીટર ઈનપુટ રફલ્કટરનો ઉપયોગ કરીને મેળવેલો
આઉટપુટ વોલ્કટેજ રેનક્ટ્ટફાઈડ વોલ્કટેજનાં મહતમ (Peak) મૂલ્કયની નજીક હોય છે . પાવર
સ્લાયમાંમોટાભાગેઆપ્રકારનુંરફલ્કટરવપરાયછે .
અર્ધતરંગકેપૂણધતરંગરેકટીફાયર માટેકેટલાકયાદરાખવાજે વામુદ્દાઓ:-
(a) અર્ધતરંગકેપૂણધતરંગરેકટીફાયરપરરપથનાઆઉટપુટમાંમળતોD.C. વોલ્કટેજ અચળનથી.
પરંતુતેસ્પંદનયુક્ટ્ત(A.C. અનેD.C.નુંનમશ્રણ)છે .
(b) અર્ધતરંગરેકટીફાયરપરરપથનાઆઉટપુટમાંમળતાD.C. વોલ્કટેજનીઆવૃનત્તઇનપુટA.C.
વોલ્કટેજનીઆવૃનત્તજે ટલીજ જયારે પૂણધતરંગ રેકટીફાયરપરરપથનાઆઉટપુટમાં મળતા
D.C. વોલ્કટેજનીઆવૃનત્તઇનપુટA.C. વોલ્કટેજનીઆવૃનત્તકરતાબમણીહોયછે .
(c) અર્ધતરંગરેકટીફાયરપરરપથનાઆઉટપુટમાંમળતાD.C. વોલ્કટેજનુંએકચક્રપરસરેરાશ
VM ( out put ) IM ( out put )
Vavg = Vdc = અને Iavg = Idc =
VM ( out put )
જ્યાં, I M ( out put ) = જ્યાં R F = ડાયોડનોફોરવડધઅવરોર્
RL + RF
(d) પૂણધતરંગરેકટીફાયરપરરપથનાઆઉટપુટમાંમળતોD.C. વોલ્કટેજનુંએકચક્રપરસરેરાશ
2VM ( out put ) 2I M ( out put )
Vavg = Vdc = અને Iavg = Idc =
VM ( out put )
જ્યાં, I M ( out put ) = જ્યાં R F = ડાયોડનોફોરવડધઅવરોર્
RL + RF
(e) અર્ધતરંગરેકટીફાયરપરરપથનાઆઉટપુટમાંમળતાD.C. વોલ્કટેજ કેપ્રવાહનું rms
I M ( out put ) VM ( out put )
I rms = અને Vrms =
2 2
(f) પૂણધતરંગરેકટીફાયરપરરપથનાઆઉટપુટમાં મળતાD.C. વોલ્કટેજ કેપ્રવાહનુંrms
I M ( out put ) VM ( out put )
I rms = અને Vrms =
2 2
(f) ડાયોડનો ફોમધ ફેક્ટ્ટર (Form factor of the diode) એટલે rms પ્રવાહ અને સરેરાશ
પ્રવાહનોગુણોત્તર
I rms
✓ અર્ધતરંગરેકટીફાયરમાટે = = 1.57
Iavg 2
I
✓ પૂણધતરંગરેકટીફાયરમાટે rms = = 1.11
Iavg 2 2
Page 27
14.28 Physics
(g) રર્પલ ફેક્ટ્ટર (Ripple factor) (r) :- અસરકારક A.C. આઉટપુટ અને અસરકારક
I V
D.C. આઉટપુટવોલ્કટેજકેપ્રવાહનોગુણોત્તર r = ac = ac
Idc Vdc
I rms = Idc
2
+ Iac
2
I 2rms = Idc
2
+ Iac2
Iac = I rms
2
− Idc
2
1
Iac I 2rms − Idc
2
I rms
2
2
• રર્પલફેક્ટ્ટર r = = = 2 − 1
Idc Idc Idc
I M ( out put ) I M ( out put )
• અર્ધતરંગરેકટીફાયરમાટે Idc = અને I rms = મુકતા r = 1.21
2
2I M ( out put ) I M ( out put )
• પૂણધતરંગરેકટીફાયરમાટે Idc = અને I rms = મુકતા r = 0.48
2
(g) કાયધક્ષમતા (Efficiency) :- રેકટીફાયર પરરપથના આઉટપુટ D.C. પાવર અને ઇનપુટ
A.C. પાવરના ગુણોત્તરને રેકટીફાયર પરરપથની કાયધક્ષમતા કહે છે .
Pdc out I2 R 2
Idc
= = 2 dc L =
Pac in I rms ( R L + R F ) R
I 2rms 1 + F
RL
I M ( out put ) I M ( out put )
• અર્ધતરંગ રેકટીફાયર માટે Idc = અને I rms = મુકતા
2
0.406
= મળે.મહત્તમકાયધક્ષમતામાટે R L R F લેતા = 40.6%
RF
1 +
RL
2I M ( out put ) I M ( out put )
• પૂણધતરંગ રેકટીફાયર માટે Idc = અને I rms = મુકતા
2
0.812
= મહત્તમકાયધક્ષમતામાટે R L R F લેતા = 81.2%
RF
1 +
RL
28
28. અર્ધતરંગરેનક્ટ્ટરફકેશનમાંઈનપુટઆવૃનત્ત50 Hzહોયતોઆઉટપુટઆવૃનત્તકેટલીહશે?
આજઈનપુટઆવૃનત્તમાટેપૂણધ તરંગરેનક્ટ્ટફાયરનીઆઉટપુટઆવૃનત્તકેટલીહશે?
(સ્વા:- 14.6)
ઉકેલ:-અર્ધ તરંગરેનક્ટ્ટફાયરનાઆઉટપુટવોલ્કટેજનીઆવૃનત્તઈનપુટઆવૃનત્તજે ટલીજ(50
Hz) હોય છે . જયારે પૂણધ તરંગ રેનક્ટ્ટફાયરના આઉટપુટ વોલ્કટેજની આવૃનત્ત ઈનપુટ
વોલ્કટેજનીઆવૃનત્તથીબમણી(100 Hz)હોયછે .
29
29. એકઅર્ધતરંગરેકટીફાયરનોઈનપુટએ.સી.અને આઉટપુટડી.સી.અનુક્રમે 60 Wઅને
20 W છે . તો આ રેકટીફાયર પરરપથની કાયધક્ષમતા (Rectification Efficiency)
શોર્ો. આપેલપરરપથનીઆઉટપુટપાવરકાયધક્ષમતા(Power Efficiency)શોર્ો.
ઉકેલ:-
Page 28
Semiconductor Electronics 14.29
Pdc out 20
• રેકટીફીકેશનકાયધક્ષમતા = 100% = 100% = 33.33%
Pac in 60
• રેકટીફાયરપરરપથનીઆઉટપુટપાવરકાયધક્ષમતા
D.C. output power
= 100%
A.C. input power for half cycle
20
= 100% = 66.67%
30
30
30. એકસેન્ટરટેપરાન્સફોમધરસાથેનાપૂણધતરંગરેકટીફાયરપરરપથમાં લોડઅવરોર્નું મુલ્કય2
KΩ છે .તથાસેકન્ડરીગૂચ ં ળાને સમાંતરવોલ્કટેજV = 220sin(314t)વડે આપેલછે .
જોવાપરેલબંને ડાયોડનોફોરવડધ અવરોર્20 Ωહોયતોપ્રવાહનું મહત્તમમુલ્કય,D.C.
પ્રવાહનું મુલ્કયઅનેપ્રવાહનું rms મુલ્કયશોર્ો.
ઉકેલ:-
VM ( out put ) 220
• મહત્તમપ્રવાહ IM ( out put ) = = = 109 mA
R L + R F 2000 + 20
2I M ( out put ) 2 (109mA )
• પૂણધતરંગરેકટીફાયરમાટે Idc = = = 69.4 mA
3.14
IM ( out put ) 109 mA
• પૂણધતરંગરેકટીફાયરમાટે Irms = = = 77.06 mA
2 2
ઝેનરઅસરઅનેએવલાન્ચઅસર:-
• P-N જં કશનડાયોડનીરરવસધબાયસમાંહોયત્યારેતેમાંથીવહેતોનવદ્યુતપ્રવાહમાઈનોરીટી
ચાજધ કેરીયરનાલીર્ે A નાક્રમનોમળે છે .જોઆપણે રીવસધ બાયસવોલ્કટેજવર્ારતા
જઈએતોકોઈએકવોલ્કટેજઆગળરીવસધ પ્રવાહમાં ખુબજઝડપથીવર્ારોથાયછે .આ
રીવસધ બાયાસ વોલ્કટેજને બ્રેકડાઉન વોલ્કટેજ કહે છે . જો ડાયોડમાં અશુનધર્નું પ્રમાણ
વર્ારવામાં આવે તોબ્રેકડાઉનવોલ્કટેજmA નાક્રમનોપણમેળવીશકાય.ડાયોડમાં મળતો
આ રીવસધ પ્રવાહ મુખ્યત્વે બે પ્રકારની અસરોના લીર્ે મળે છે . (1) ઝેનર અસર (2)
એવલાન્ચઅસર
ઝેનરઅસર
• જોડાયોડમાં અશુનવર્વર્ુ હોયતોડાયોડમાં ડે્લેશનસ્તરસાંકડું હોયછે .આથી,ઓછા
રીવસધ બાયાસ વોલ્કટેજ માટે ડે્લેશન સ્તરમાં
નવદ્યુતક્ષેિ પ્રબળ બને છે . ઉદા :- જો ડે્લેશન
સ્તરનીજાડાઈ200 A0 હોય અને આપણે 2 V
નોરીવસધ બાયાસવોલ્કટેજલગાડીએતોડે્લેશન
V 2
સ્તરમાં નવદ્યુતક્ષેિ E = =
d 200 10−10
= 108 V મળે છે . આ પ્રબળ નવદ્યુતક્ષેિ
m
ડે્લેશન સ્તરમાં સહસંયોજક બંર્ માંથી
ઈલેક્ટ્રોનને ખેંચી મોટા પ્રમાણમાં ઈલેક્ટ્રોન અને
હોલના જોડકા ઉત્પન્ન કરે છે . આથી, રીવસધ
પ્રવાહમાં ખુબજ ઝડપથી વર્ારો થાય છે . આ
ઘટનાની સમજ સૌ પ્રથમ સી.ઈ.ઝેનરે આપી
હોવાથીઆઅસરનેઝેનરઅસરકહેવાય.
• ઝેનર ડાયોડની I – V લાક્ષનણકતા બાજુ ની
Page 29
14.30 Physics
આકૃનતમાં દશાધવીછે .આકૃનતપરથી જોઈશકાયછે કે જ્યારે રરવસધ બાયસવોલ્કટેજ(V),
ઝેનરડાયોડનાબ્રેકડાઉનવોલ્કટેજ(Vz) જે ટલોથાયત્યારે નવદ્યુતપ્રવાહમાંઘણો મોટોફેરફાર
(વર્ારો) થાય છે . નોંર્ો કે બ્રેકડાઉન વોલ્કટેજ Vz પછી રરવસધ બાયસ વોલ્કટેજમાં નજીવો
ફેરફારકરીરીવસધ નવર્ુતપ્રવાહમાં ઘણોમોટોફેરફાર કરીશકાયછે .બીજાશબ્દોમાં બ્રેકડાઉન
વોલ્કટેજ Vz પછી ઝેનર માંથી પસાર થતો નવદ્યુતપ્રવાહ ઘણો બર્ો બદલાય તો પણ ઝેનર
વોલ્કટેજઅચળરહે છે .ઝેનરડાયોડનાઆગુણર્મધનોઉપયોગસ્લાય વોલ્કટેજને (અચળ
રાખવા)રેગ્યુલેટકરવામાટેથાયછે કેજે થીતેઅચળરહે.
એવલાન્ચઅસર
• જોડાયોડમાં અશુનવર્ઓછીહોયતોડાયોડમાં ડે્લેશનસ્તરપહોળું હોયછે .આથી,વર્ુ
રીવસધ બાયાસવોલ્કટેજમાટે ડે્લેશનસ્તરમાં નવદ્યુતક્ષેિપ્રબળબને છે .આથી,માઈનોરીટી
ચાજધ કેરરયરજયારે ડે્લેશનસ્તરમાંથીપસાર થાય ત્યારે પ્રવેનગત ગનત કરીસહસંયોજક
બંર્ોનેતોડેછે .જે નાપરરણામેડે્લેશનસ્તરમાંઈલેક્ટ્રોનઅનેહોલનાજોડકાઉત્પન્નથાય
છે . આ રીતે ઉત્પન્ન થયેલ ઈલેક્ટ્રોન અને હોલ પણ ડે્લેશન સ્તરના નવદ્યુતક્ષેિ હેઠળ
પ્રવેનગત ગનત કરી વર્ુ સહસંયોજકબંર્ને તોડે છે . જે ના પરરણામે ડે્લેશન સ્તરમાં મોટા
પ્રમાણમાં ઈલેક્ટ્રોન અને હોલના જોડકા મળે છે . જે રીવસધ પ્રવાહમાં ખુબજ ઝડપથી
વર્ારોકરેછે .આઅસરનેએવલાન્ચઅસરકહેવાય.
• જો બ્રેકડાઉન વોલ્કટેજ 4V થી ઓછો તો ઝેનર અસરના લીર્ે બ્રેકડાઉન મળે. અને જો
બ્રેકડાઉનવોલ્કટેજ6 Vથીવર્ુતોએવલાગ્યઅસરનાલીર્ેબ્રેકડાઉનમળે.
ઝેનરડાયોડનોવોલ્કટેજરેગ્યુલટે રતરીકેઉપયોગ:-
• રેનક્ટ્ટફાયરપરરપથનોઉપયોગકરીબનાવેલD.C. પાવરસ્લાયમાંજોઇનપુટAC વોલ્કટેજ
બદલાય તો રાન્સફોમધરમાં ગૌણ ગુંચળાને સમાંતર મળતાં વોલ્કટેજ બદલાય અને પરરણામે
R L ને સમાંતર આઉટપુટ વોલ્કટેજ બદલાય. આથી, આવા પાવર સ્લાયને અનરેગ્યુલેટેડ
પાવરસ્લાયકહેવાય.
• જે પાવર સ્લાયમાં ઈનપુટ વોલ્કટેજ બદલતા આઉટપુટ વોલ્કટેજ અચળ રહેતો હોય તેવા
પાવરસ્લાયનેરેગ્યુંલેટપાવરસ્લાયકહેવાય.
• આકૃનતમાં ઝેનર ડાયોડનો ઉપયોગ કરી
બનાવેલ વોલ્કટેજ નનયામક પરરપથ
દશાધવેલછે .અહીંઝેનરડાયોડને રરવસધ
બાયસમાં જોડેલ છે . શ્રેણી અવરોર્
R S પ્રવાહનું નનયમન કહે છે . લોડ
અવરોર્ R L ને સમાંતર આઉટપુટ
વોલ્કટેજમેળવવામાંઆવેછે .
• અહીં લાગુ પડેલ ઈનપુટ વોલ્કટેજ જે
આઉટપુટ વોલ્કટેજ જોઈતા હોય તેના
કરતામોટાહોયતથાજે ટલાઆઉટપુટ
વોલ્કટેજજોઈતાહોયતેટલાબ્રેકડાઉનવોલ્કટેજનોઝેનેરડાયોડવાપરવોજોઈએ.
કાયધપધર્નત
• ઈનપુટવોલ્કટેજ VI વર્ે ત્યારે શ્રેણીઅવરોર્ R S માંથીપસારથતોપ્રવાહવર્ે.આથી, R S
ને સમાંતરવોલ્કટેજ VS = ISR S વર્ે.શ્રેણીઅવરોર્ને સમાંતરવોલ્કટેજમાં થયેલઆવર્ારો
ઇનપુટવોલ્કટેજમાં થયેલા વર્ારા જે ટલોહોય છે . VS = Vi આથી, આઉટપુટ વોલ્કટેજ
VO = VZ = અચળરહે.
• ઈનપુટવોલ્કટેજ VI ઘટે ત્યારે શ્રેણીઅવરોર્ R S માંથીપસારથતોપ્રવાહઘટે.આથી, R S
ને સમાંતરવોલ્કટેજ VS = ISR S ઘટે.શ્રેણીઅવરોર્ને સમાંતરવોલ્કટેજમાં થયેલઆઘટાડો
Page 30
Semiconductor Electronics 14.31
ઇનપુટ વોલ્કટેજમાં થયેલા ઘટાડા જે ટલો હોય છે . VS = Vi આથી, આઉટપુટ વોલ્કટેજ
VO = VZ = અચળરહે.
31
31. એક ઝેનર રેગ્યુલટે ડે પાવર સ્લાયમાં VZ = 6.0 V નો ઝેનર ડાયોડ રેગ્યુલેશન માટે
ઉપયોગમાંલીર્ેલછે .જરૂરીલોડપ્રવાહ4.0 mA અનેઅનરેગ્યુલટે ડે ઈનપુટ10.0 V છે .
શ્રેણીઅવરોર્RS નું મૂલ્કયકેટલું હોવું જોઈએ?સારારેગ્યુલશ
ે નમાટે RS નું મૂલ્કયએટલું
હોવું જોઈએકે જે થીઝેનરમાંથીપસારથતોપ્રવાહલોડ પ્રવાહકરતાં ઘણોમોટોહોય.
અહી,લોડપ્રવાહકરતાંપાંચ ગણોઝેનરપ્રવાહપસંદકરો. (ઉદા:-14.5)
ઉકેલ:-
• ઝેનરરેગ્યુલેટેડપાવરસ્લાયમાટે
IS = IL + IZ
IS = IL + 5IL = 6IL
IS = 6 ( 4mA ) = 24mA
• વળી
VI = VS + VZ
10 = VS + 6
VS = 4volt
• શ્રેણીઅવરોર્
V 4
RS = S = −3
= 0.1666 103 = 166.6
IS 24 10
32
32. આપેલપરીપથમાંઝેનરડાયોડમાંથીપસારથતાનવદ્યુતપ્રવાહ Iz નું મૂલ્કયશોર્ો.
ઉકેલ:-
• ઝેનરનેસમાંતરલોડઅવરોર્નાવોલ્કટેજ VZ = VL = 50V
• લોડઅવરોર્માંથીપ્રવાહ
V 50
IL = L = = 2.5 10−3 A = 2.5mA (અચળરહે.)
R L 20 103
• ઇનપુટવોલ્કટેજ Vi = VS + VL
220 = VS + 50
VS = 170volt
VS 170
• શ્રેણીઅવરોર્માંથીનવદ્યુતપ્રવાહ IS = = = 34 10−3 A = 34mA
RS 5 103
• હવે, IS = IZ + IL 34 = IZ + 2.5 IZ = 31.5mA
Page 31
14.32 Physics
33
33. આપેલપરીપથમાંઝેનરડાયોડમાંથીપસારથતાનવદ્યુતપ્રવાહ Iz નું મહતમઅનેલઘુતમ
મૂલ્કયશોર્ો.
ઉકેલ:-
VZ = VL = 50volt
VL 50
IL = = = 5mA આપ્રવાહઅચળરહે.
R L 10 103
જયારેઇનપુટવોલ્કટેજલઘુતમહોયત્યારે VI = 80V
VI = VS + VZ
80 = VS + 50
VS = 80 − 50 = 30 V
VS 30
• શ્રેણીઅવરોર્માંથીનવદ્યુતપ્રવાહ IS = = = 6mA
RS 5 108
• હવે, IS = IZ + IL
6mA = IZ + 5mA
IZ = 6mA − 5mA
IZ = 1mA
જયારેઇનપુટવોલ્કટેજમહત્તમહોયત્યારે VI = 120V
VI = VS + VZ
120 = VS + 50
VS = 120 − 50 = 70volt
VS 70
• શ્રેણીઅવરોર્માંથીનવદ્યુતપ્રવાહ IS = = = 14mA
RS 5 103
• હવે, IS = IZ + IL
14mA = IZ + 5mA
IZ = 9mA
ઓ્ટોઇલેક્ટ્રૉનનકજં કશનરડવાઈસીસ (Optoelectronic Junction Devices):-
• અત્યારસુર્ીઆપણે એજોયું કે આપેલઈલેક્ટ્રીકઈનપુટમાટે અર્ધવાહકડાયોડ કેવી રીતે
વતધ છે . આ પરરચ્છે દમાં આપણે એવા અર્ધવાહક ડાયોડ નવર્ે શીખીશું કે જે માં ફોટોનના
કારણે વાહકો ઉત્પન્નથાય છે . આ બર્ાસાર્નોને ઓ્ટોઇલેક્ટ્રોનનક રડવાઈસીસ કહે છે .
આપણેનીચેનાઓ્ટોઇલેક્ટ્રોનનકરડવાઈસીસનાંકાયધસમજીશું.
(i) ઓ્ટીકલ (પ્રકાશના) નસગ્નલને પરખવા (Detect) માટે ફોટોડાયોડસ (ફોટો
ડીટેક્ટ્ટસધ).
Page 32
Semiconductor Electronics 14.33
(ii) લાઈટએનમટીંગડાયોડ(LED) જે નવદ્યુતઊજાધનુંપ્રકાશમાંરૂપાંતરકરેછે .
(iii) ફોટોવોલ્કટીક રડવાઈસીસ જે ઓન્ટકલના નવરકરણને નવદ્યુતઊજાધમાં રૂપાંતરીત કરે
(સોલરસેલ)છે .
લાઈટએનમટટંગડાયોડ(L.E.D.) :-
નસવર્ાંત:-નવદ્યુતઊજાધનુંપ્રકાશઊજાધમાંરૂપાંતર
રચના:-
• વર્ુ પ્રમાણમાં અશુનવર્ ઉમેરેલ N અને P પ્રકારના અર્ધવાહકો ને જોડી P-N જં કશન
બનાવવામાં આવે છે . આ ડાયોડને પારદશધક પડમાં રાખવામાં આવે છે જે થી ઉત્સર્જધ ત
પ્રકાશબહારનીકળીશકે.
• LEDફોરવડધબાયાસમાંજઉપયોગમાંલેવામાંઆવેછે .
કાયધપવર્નત:-
• વર્ુ પ્રમાણમાં અશુનવર્ ર્રાવતા P-N જં કશન ડાયોડને ફોરવડધ બાયસ આપતાં ઈલેક્ટ્રોન
N → P તરફઅને હોલ P → N તરફગનતકરે.આથી,જં કશનનીબંને બાજુ માઈનોરીટી
ચાજધ વર્ે છે .આમાઈનોરીટીચાજધ મેજોરરટીવાહકોસાથે પુનઃસંયોજાયત્યારે બૅન્ડગેપ
(ઊજાધ તફાવત)જે ટલીઊજાધ કે તેનાથીસહેજઓછીઊજાધ ર્રાવતાફોટોનઉત્સજધ નપામે
છે .
• જ્યારે ડાયોડનો ફોરવડધ નવદ્યુતપ્રવાહ ઓછો હોય ત્યારે ઉત્સર્જધ ત પ્રકાશની તીવ્રતા પણ
ઓછીહોયછે .જે મફોરવડધપ્રવાહવર્ેતેમપ્રકાશનીતીવ્રતાવર્ેછે અનેએક મહત્તમમૂલ્કય
સુર્ી પહોચે છે . ફોરવડધ પ્રવાહને હજી પણ વર્ારતાં પ્રકાશની તીવ્રતા ઘટે છે . LED ને
એટલો બાયસઆપવામાંઆવેછે કેજે થીપ્રકાશઉત્સજધ નક્ષમતામહત્તમમળે.
• LED નીલાક્ષનણકતાSi ડાયોડજે વીજછે .પરંતુ તેમનારેશોલ્કડવોલ્કટેજવર્ુ હોયછે અને
દરેકરંગમાટેપણજુ દા જુ દાહોયછે .
• આLEDરરવસધ બ્રેકડાઉનવોલ્કટેજઘણાઓછાહોયછે . જે લગભગ5 V નીઆસપાસ
હોય છે . આથી, કાળજી રાખવી જોઈએ કે તેમના છે ડાઓ વચ્ચે ઊંચા રરવસધ વોલ્કટેજ ન
મળે.
• બજારમાં લાલ,પીળા,વાદળી,નારંગી,રંગનોપ્રકાશઉત્સજાધતીLED મળે છે .દશ્ય પ્રકાશ
આપે તેવી LED ની રચના માટે વપરાતાસેમીકન્ડક્ટ્ટરની બૅન્ડ ગેપઓછામાં ઓછી1.8
eVહોવીજોઈએ.(દશ્યપ્રકાશનીતરંગલંબાઈ0.4 μmથી 0.7 μm જે ટલીહોયછે એટલે
કે 3 eV થી 1.8 eV). ગેનલયમ આસેનાઈડ ફોસ્ફાઈડ (GaAs1–xPx) નું સેમીકન્ડક્ટ્ટર
સંયોજનજુ દાજુ દા રંગમાટેનીLED બનાવવાવપરાયછે .GaAs0.6P0.4 (Eg ~ 1.9 eV)
નોઉપયોગલાલLEDમાટે થાયછે .GaAS (Ec ~ 1.4 eV) નોઉપયોગઇન્રારેડLED
બનાવવામાટે થાયછે .આLED નો ઉપયોગરીમોટકન્રોલમાં, બગધલર(ચોરીરોકવામાટે)
ના એલામધ તંિમાં, પ્રકાશીય (Optical) સંચાર વ્યવસ્થા વગેરેમાં થાય છે . સફેદ પ્રકાશ
ઉત્સર્જધ ત કરતી LED બનાવવા માટે ખૂબ સંશોર્ન થઈ રહ્યું છે જે થી ઈન્કેન્ડેસન્ટ
(રફલામેન્ટવાળા)લેમ્પપનીજગ્યાએઉપયોગથઈશકે.
ફાયદા:-
• રોપજં દા વપરાશમાં લેવાતા ઓછા પાવરના ઈન્કેન્ડેસન્ટ લેમ્પપની સરખામણીમાં LED ના
ફાયદા આમુજબછે
(1) ઓછાકાયધકારીવોલ્કટેજઅનેઓછોપાવર.
Page 33
14.34 Physics
(2)ઝડપીકાયધઅનેગરમથવામાટેસમયનથીજોઈતો.
(3) ઉત્સર્જધ ત પ્રકાશની બૅન્ડ વીડથ 100 Å થી 500 Å જે ટલી છે , બીજા શબ્દોમાં તે
લગભગ(પણચોક્ટ્કસનનહ) એકરંગી(Monocrometic) છે .
(4)લાંબુઆયુષ્યઅનેમજબુત.
(5)ઝડપીચાલુ-બંર્થવાનીક્ષમતા.
ફોટોડાયોડ:-
નસવર્ાંત:- પ્રકાશનું નવદ્યુતસંકેતમાંરૂપાંતરણ
રચના:-
• ફોટોડાયોડનીરચનાP-Nજં કશનનીજે વીજછે .તેમાં પરદશધકબારી(હોલ)છે .જે માંથી
પ્રકાશP-N જં કશનપરપડે છે .ફોટોડાયોડને રરવસધ બાયસમાં જઉપયોગકરવામાં આવે
છે .
• P-N જં કશનરરવસધ બાયસમાં હોયત્યારે તેમાંથીસંતૃ્તપ્રવાહ(ડાકધ કરંટ)પસારથાયછે .
આ પ્રવાહના મૂલ્કયમાં ડાયોડમાં પર પ્રકાશ આપાત કરી અથવા ડાયોડનું તાપમાન વર્ારી
બદલીશકાયછે .
• જ્યારેP-N જં કશનપર બેન્ડગેપઊજાધ(Eg) કરતાવર્ુઊજાધર્રાવતાફોટોન(hf) આપાત
કરવામાં આવે ત્યારે આ ફોટોન જં કશનમાં શોર્ાય છે . આથી, જં કશનમાં આવેલા
સહસંયોજક બંર્માં ભંગાણ થતા ઈલેક્ટ્રોન-હોલ (e–h) જોડકાં ઉત્પન્ન થાય છે .
જં કશનમાં ઉત્પન્ન થયેલા આ e–h જોડકાંઓ ફરીથી સંયોજાય તે પહેલાં જં કશનના
નવદ્યુતક્ષેિનાકારણે પરસ્પરનવરુધર્રદશામાંગનતકરીઇલેક્ટ્રોનN-નવભાગમાંઅનેહોલP-
નવભાગમાં પહોંચી જાય છે . આ રીતે N-નવભાગમાં દાખલ થયેલ ઇલેક્ટ્રોન અને P-
નવભાગમાં દાખલથયેલહોલરીવસધ પ્રવાહમાં વર્ારોકરીદે છે .આથી,ડાયોડસાથે જોડેલ
લોડઅવરોર્માંનવર્ુતપ્રવાહવર્ેછે .
• આ રીતે મળતા ફોટો નવદ્યુતપ્રવાહનું મૂલ્કય આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા પર આર્ાર રાખે છે
(ફોટોનવદ્યુતપ્રવાહઆપાતપ્રકાશની તીવ્રતાનાસમપ્રમાણમાંહોયછે ).
• જોફોટોડાયોડને રરવસધ બાયસઆપવામાં આવ્યોહોય તોપ્રકાશનીતીવ્રતાના ફેરફારસાથે
નવદ્યુતપ્રવાહનો ફેરફાર જોવો સહેલો છે . આમ, પ્રકાશના નસગ્નલોની પરખ કરવા માટે
ફોટોડાયોડનો ઉપયોગફોટોરડટેક્ટ્ટરતરીકેકરીશકાયછે .
• ફોટોડાયોડનીI – V લાક્ષનણકતાઓમેળવવામાટેનો પરરપથઆકૃનત
(a) માં અને તેની ચોક્ટ્કસ I – V લાક્ષનણકતાઓ આકૃનત (b)માં
દશાવેલછે .
• ઉપયોગ:- CD ્લેયર, કોમ્પ્યુટર, નસક્ટ્યુરીટી, ઓ્ટીકલકોમ્પયુનીકેશન
34
34. 2.8 eV બેન્ડગેપઊજાધ ર્રવતાસેમીકન્ડકટરમાંથી P-N ફોટોડાયોડબનાવેલછે .શું તે
6000 nm તરંગલંબાઈનીપરખકરીશકે? (સ્વા:-14.7)
ઉકેલ:-
Page 34
Semiconductor Electronics 14.35
• જો ફોટોનની ઊજાધ > બેન્ડ ગેપ ઊજાધ હોય તો તેવા ફોટોન જં કશનમાં શોર્ાય અને ફોટો
પ્રવાહમાંફેરફારથાય.એટલેકેઆવાફોટોનનીપરખથઈશકે.
• ફોટોનનીઊજાધ E = hf
E=
hc
(
joule )
E=
hc
e
( )
ev
6.626 10−3 3 108
E=
6000 10−9 1.6 10−19
E = 0.207eV
• અહીંફોટોનનીઊજાધ hf Eg હોવાથીઆપેલફોટોડાયોડવડે 6000 nm તરંગલંબાઈની
પરખથઇશકેનનહ.
35
35. PN જં કશનબનાવવામાટે વપરાયેલદ્રવ્યનીબેન્ડગેપઊજાધ 1.5 eVછે .તોઆદ્રવ્યવડે
શોર્ાતીમહત્તમતરંગલંબાઈશોર્ો.
ઉકેલ:-
• જોફોટોનનીઊજાધ>બેન્ડગેપઊજાધહોયતોતેવાફોટોનજં કશનમાંશોર્ાય.
hf E g
c
h E g ( Joule )
c
h E g ( eV )
e
( 3 108 )
( 6.625 10 ) 1.6 10−19 1.5
−34
( )
8300 A 0
36
36. રીવસધ બાયસનાપ્રવાહ(~μA) નીસરખામણીમાં ફોરવડધ બાયસનોપ્રવાહવર્ુ (~mA)
હોવાનું જાણીતું છે . તો પછી શા માટે ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ રરવસધ બાયસમાં કરવામાં
આવેછે ? (ઉદા :-14.8)
ઉકેલ:-
• n-પ્રકારનાઅર્ધવાહકનોરકસ્સોધયાનમાંલઈએતોદેખીતુંછે કેમેજોરરટીનવદ્યુતવાહકએવા
ઈલેક્ટ્રોનનીસંખ્યાઘનતા (ne), માઇનોરરટીહોલસંખ્યાઘનતા (nh)કરતાં નોંર્ પાિવર્ુ
હોય (એટલે કે ne >> nh) છે . પ્રકાશ આપાત કરવાથી ર્ારોકે વર્ારાના ઉત્પન્ન થયેલા
ઇલેક્ટ્રોનઅનેહોલઅનુક્રમે∆neઅને∆nhછે .
ne' = ne + ∆ne
nh’ = nh + ∆nh
• અહીંયા ne' અને nh’ એ ચોક્ટ્કસ તીવ્રતા વાળો પ્રકાશ આપાત થયા પછી ઈલેક્ટ્રોન અને
હોલનીસંખ્યા ઘનતાછે . તથાneઅને nhએપ્રકાશનીગેરહાજરીમાં વાહકસંખ્યાઘનતા
છે .
• અહી,∆ne = ∆nhઅને ne >> nhહોવાથીબહુ મતીવાહકોનોઆંનશકફેરફાર(એટલે કે
∆ne/ne) એ માઇનોરરટીવાહકોના આવાફેરફાર (એટલે કે ∆nh/nh) ની સરખામણીમાં
ઘણો ઓછો હશે. સામાન્ય રીતે, આપણે એમ કહી શકીએ કે ફોટો અસરના કારણે રરવસધ
બાયસદરનમયાન માઈનોરરટીવાહકોનું પ્રભુત્વર્રાવતોરરવસધ બાયસપ્રવાહમાંનોઆંનશક
ફેરફારફોરવડધ બાયસપ્રવાહનાઆંનશકફેરફારનીસરખામણીમાંસરળતાથીમાપીશકાયછે .
Page 35
14.36 Physics
આથી, પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોટોડાયોડને મોટેભાગે રીવસધ બાયસમાં ઉપયોગમાં
લેવામાંઆવેછે .
❖ નોંર્ો કે e – h જોડકું ઉત્પન્ન કરવા માટે આપણે ઊજાધ વાપરવી પડે છે [ફોટો ઉત્તેજન
(Excitation), ઉષ્મીયઉત્તેજન વગેર]ે . આથી, જ્યારે ઇલેક્ટ્રોનઅને હોલપુનઃસંયોજાય
ત્યારે પ્રકાશના રૂપમાં (નવરકરણ વવારા પુનઃસંયોજન) અથવા ઉષ્માના રૂપમાં (નવરકરણ
વગર પુનઃસંયોજન) ઊજાધમુક્ટ્ત થાય છે . તેનો આર્ાર સેમીકન્ડક્ટ્ટર અને p-n જં કશનની
બનાવટ પર છે . LED બનાવવા માટે GaAs, GaAs - GaP જે વા સેમીકન્ડક્ટ્ટરોનો
ઉપયોગથાયછે .જે માંનવરકરણ વવારાથતુંપુનઃસંયોજનવર્ુપ્રભાવીહોયછે .
37
37. એક LED ને 6 V ની બેટરીઅને નલમીટીંગ અવરોર્ R સાથે જોડેલ LED ને સમાંતર
વોલ્કટેજડ્રોપ2 Vમળે છે તથા10 µAપ્રવાહપસારથાયછે .નલમીટીંગઅવરોર્Rનું
મુલ્કયશોર્ો.
ઉકેલ:-
V ( 6 − 2 )
• નલમીટીંગઅવરોર્ R = = = 400 K
I 10 10−6
સોલારસેલ:-
નસધર્ાંત:-
• પ્રકાશઊજાધનુંનવદ્યુતઊજાધમાંરૂપાંતરકરેછે .સોલરસેલએમૂળભૂતરીતે P-N જં કશનછે .
જે ના પર સૂયધપ્રકાશ પડે ત્યારે તે emf (વોલ્કટેજ) ઉત્પન્ન કરે છે . તે પણ ફોટો ડાયોડના
નસધર્ાંત(Photovolatic Effect ફોટોવોલ્કટીકઅસર)પરકાયધ કરે છે . ફરકએટલોકે કોઈ
બાહ્ય બાયસ આપવામાં આવતો નથી અને સૂયધપ્રકાશ આપાત થાય તે માટે જં કશનનું
ક્ષેિફળ(સપાટી)ઘણંમોટુંરાખવામાંઆવેછે કારણકેઆપણનેવર્ુ પાવરજોઈએછીએ.
રચના:-
• એક સાદો P-N જં કશન સોલર સેલ
આકૃનતમાં દશાધવ્યોછે . એકP-પ્રકારની
Si વેફર (લગભગ300μmજાડી) પર
(~0.3 μm) નું N-પ્રકારના Si નું
પાતળું સ્તર એક તરફ ડીફ્યુઝનની
પ્રરક્રયાવવારાતૈયારકરવામાં આવે છે .
P-Si ની બીજી બાજુ ને ર્ાતુ
(પાછળનું જોડાણ માટે) નું પડ
ચઢાવવામાં આવે છે . N-Si સ્તરની
ઉપર ર્ાતુની જાળીદાર નકશી (જોડાણ માટે) નું પડ ચઢાવવામાં આવે છે . તે આગળના
જોડાણ(Contanct) તરીકે કાયધ કરે છે . ર્ાતુનીજાળીદારનકશીસોલરસેલનાઘણાનાના
નવસ્તાર (< 15%) નેઆવરેછે જે થીસેલ પર પ્રકાશઉપરથીઆપાતકરીશકાય.વળી,N
નવભાગપાતળોહોવાથીફોટોનઊજાધગુમાવ્યાનસવાયજં કશનપરઆપાતથઇશકેછે .
કાયધપવર્નત:-
• જો PN જં કશન પર આપાત થતા ફોટોનની ઊજાધ hf બેન્ડગેપ ઊજાધ E g કરતા વર્ારે
hf Eg હોય તો આવા ફોટોન જં કશનમાં શોર્ાય છે . જં કશનમાં સહસંયોજક બંર્માં
ભંગાણ થતા ઈલેક્ટ્રોન અને હોલના જોડકા ઉત્પન્ન થાય છે . આ રીતે ઉત્પન્ન થતા
ઈલેક્ટ્રોનઅને હોલનાજોડકાજં કશનનાનવદ્યુતક્ષેિનાલીર્ે પરસ્પરનવરુવર્રદશામાં ગનત
કરીઈલેક્ટ્રોનN નવભાગમાં અને હોલ Pનવભાગમાં જમાથાયછે .આથી, P-નવસ્તારર્ન
અને N-નવસ્તાર ઋણ બને અને P-નવસ્તાર અને N-નવસ્તાર વચ્ચે નવદ્યુતનસ્થનતમાનનો
Page 36
Semiconductor Electronics 14.37
તફાવત (emf) ઉત્પન્ન થાય છે . જે ને ફોટો વોલ્કટીક emf (Photovolatic emf)
કહેવાય.
• આકૃનતમાં (a) દશાધવ્યા મુજબ જ્યારે બાહ્ય લોડ અવરોર્ જોડવામાં આવે છે ત્યારે
ફોટોપ્રવાહ IL લોડ અવરોર્માંથી વહે છે . સોલરસેલની એક લાક્ષનણક I-V લાક્ષનણકતા
આકૃનત (b)માંદશાધવીછે .
• નોંર્ો કે સોલરસેલની I-V લાક્ષનણકતા યામ પધર્નતના ચોથા ચરણમાં દોરવામાં આવે છે .
આનું કારણ એ છે કે સોલરસેલ નવદ્યુતપ્રવાહ મેળવતો નથી પણ તે લોડ અવરોર્ને
નવદ્યુતપ્રવાહપૂરોપાડેછે .
• આવાસોલારસેલવડે મળતુ emfખુબજઓછુ હોયછે .માટે ઘણાબર્ાસોલારસેલને
શ્રેણીમાંજોડીસોલારપેનલબનાવવામાંઆવેછે .
સોલરસેલબનાવવામાટેયોગ્યપદાથધની પસંદગીકરવામાટેનાઅગત્યનામાપદંડો:-
(i) બૅન્ડગેપ (Eg ~ 1.0 eV થી1.8 eV)
(ii) ઊંચુંપ્રકાશીયશોર્ણક્ષમતાવર્ુ(Optical Absorption) (~10–4 cm–1)
(iii) નવર્ુતવાહકતાવર્ુ
(iv) કાચોપદાથધ સરળતાથીમળતોહોવોજોઈએ
(v)ટકંમતમાંસસ્તા
• વ્યવહારમાં Si (Eg = 1.1 eV), GaAs (Eg = 1.43 eV), CdTe (Eg = 1.45 eV)
CuInSe2 (Eg = 1.04 eV) વગેરજે વા 1.5eV નીનજીકનીબેન્ડગેપ(ઊજાધ તફાવત)
ર્રાવતાસેમીકન્ડક્ટ્ટર સોલરસેલબનાવવામાટેનાઆદશધદ્રવ્યોછે .
• નોંર્ોકેસોલરસેલમાટેસૂયધપ્રકાશજહોવો જરૂરીનથી.કોઈપણપ્રકાશકેજે નાફોટોનની
ઊજાધબેન્ડગેપકરતાંવર્ુહોયતેચાલીશકે.
• સોલરસેલનોઉપયોગઉપગ્રહોને તથાઅવકાશીવાહનોને પાવરપૂરોપાડવાઅને કેટલાંક
કેલ્કક્ટ્યુલેટરોમાં પાવર સ્લાય તરીકે થાય છે . ઓછી ટકંમતના ફોટોવોલ્કટીક સેલનો ઉપયોગ
કરીમોટાપ્રમાણમાંસૂયધનીઊજાધમેળવવીએએકસંશોર્નનોનવર્યછે .
38
38. સોલરસેલમાંશામાટેSi અનેGaASપસંદકરવામાંઆવેછે ? (ઉદા :-14.7)
ઉકેલ:-
• આપણને મળતા સૂયધ નવરકરણનો વણધપટ
(Spectrum) આકૃનતમાંદશાધવ્યોછે .
• 1.5 eVપાસે તે મહત્તમછે .ફોટોનવડે ઉત્તેનજત
કરવા માટે hf > Eg હોવું જોઈએ. આથી જે
સોલર સેલ માટે બૅન્ડ ગેપ ~ 1.5 eV કે તેથી
ઓછી હોય તે સૂયધ ઊજાધના રૂપાંતર માટે મહત્તમ
ક્ષમતાથી કાયધ કરે. નસનલકોન માટે Eg ~1.1 eV
છે જ્યારે GaAsમાટે ~1.53 eV છે .હકીકતમાં
Si કરતાં GaAsવર્ુ સારું છે (વર્ુ ઊંચીબૅન્ડગેપ
હોવા છતાં) કારણ કે તેનો શોર્ણાંક પ્રમાણમાં
મોટોછે . જોઆપણે CdSકે CdSe(Eg ~ 2.4
Page 37
14.38 Physics
eV)જે વાપદાથોનો ઉપયોગકરીએતોઆપણે સૂયધ ઊજાધનાઊંચીઊજાધ ર્રાવતાભાગનો
જ ઉપયોગ ફોટો-રૂપાંતરણ માટે કરી શકીએ અને ઊજાધનો નોંર્પાિ ભાગ ઉપયોગમાં ન
આવે.
• પ્રશ્નએથાયકે :શામાટે આપણે PbS (Eg ~ 0.4 eV)જે વાપદાથધનોઉપયોગનકરી
શકીએ, જે સૂયધ ઊજાધનાવણધપટમાં મહત્તમનેઅનુરૂપfમાટે hf > Eg નીશરતનુંપાલનકરે
છે ? જોઆપણે આમકરીએતોમોટાભાગનાં સૂયધ નવરકરણસોલરસેલનાઉપરનાં સ્તરમાં
શોર્ાઈ જાય અને તે ડે્લેશન સ્તરની અંદર અથવા નજીક પહોંચી જ ન શકે. ઇલેક્ટ્રોન
હોલના કાયધક્ષમ રીતે છુ ટા પડવા માટે, જં કશનના નવરૂધર્ ક્ષેિના કારણે, ફોટો-જનરેશન,
જં કશનનીનજીકનાનવસ્તારમાંથવુંજોઈએ.
રડજીટલઇલેક્ટ્રોનીક્ટ્સઅનેલોજીકગેટ:-
નસગ્નલનાપ્રકારો:-
1. એનાલોગનસગ્નલ(Analog Signal) :- જે નસગ્નલનું મૂલ્કયસમયસાથે સતત
બદલાતુંહોયતેવાનસગ્નલનેએનાલોગનસગ્નલકહેવાય.
2. રડજીટલ નસગ્નલ (Digital Signal) :- જે નસગ્નલને ફક્ટ્ત બે જ મૂલ્કયો હોય
(low – 0, high - 1) તેવાનસગ્નલને ડીજીટલનસગ્નલ
કહેવાય.
• ડીજીટલ ઇલેક્ટ્રોનીક્ટ્સમાં ડીજીટલ નસગ્નલનો ઉપયોગ થાય છે . ઉદા.:- ઘરડયાળ,
કેલ્કક્ટ્યુલેટર,મોબાઈલ,કોમ્પ્યુટર,કોમ્પયુનીકેશનવગેરે ...
લોજીકગેટ(logic gate) :-જે ડીજીટલપરરપથતેનાઈનપુટઅને આઉટપુટવચ્ચે ચોક્ટ્કસ
લોજીકસંબંર્ોનુંપાલનકરેતેનેસામાન્યરીતેલોજીકગેટકહેછે .
• સામાન્યરીતેપાંચલોજીકગેટઉપયોગમાંલેવાયછે .NOTgate, AND gate, OR gate,
NAND gate, NOR gate
• લોજીકપરરપથોમાંબેપવર્નતવપરાયછે .
1. ર્નલોજીકપધર્નત:- વર્ુર્નવોલ્કટેજને1અનેઓછાર્નવોલ્કટેજ0લેવાય.
2. ઋણલોજીકપવર્નત:- વર્ુર્નવોલ્કટેજને0અનેઓછાર્નવોલ્કટેજને1લેવાય.
ટ્રુથટેબલ:-લોજીકગેટનાઈનપુટનેઅનુરૂપઆઉટપુટદશાધવતાટેબલનેટ્રુથટેબલકહેવાય.
બુલીયન સમીકરણ :- લોજીક ગેટના કાયધની ગાનણનતક સમજ આપતાં સમીકરણને બુલીયન
સમીકરણકહેવાય.
1. NOT ગેટ(Inverter) :-
• આસૌથીપ્રાથનમક(મૂળભૂત)ગેટછે .જે માંએકઈનપુટઅનેએકઆઉટપુટહોયછે .
• તેનો ઈનપુટ ‘0’ હોય તો તે આઉટપુટમાં ‘1’ આપે છે અને જયારે ઇનપુટ ‘1’ તો તે
આઉટપુટમાં ‘0’ આપે છે .એટલે કે તેનાઆઉટપુટમાં ઈનપુટનું ઉલટું આપે છે .આથી, તેને
ઈનવટધરપણકહેછે .
• આકૃનતમાંઆગેટનીસામાન્ય રીતેઉપયોગમાંલેવાતીસંજ્ઞાઅનેતેનુંટુથટેબલદશાધવેલછે .
Page 38
Semiconductor Electronics 14.39
• બુલીયનસમીકરણ: Y = A
2. OR Gate :-
• ORગેટનેબેકેવર્ુઈનપુટઅનેએકઆઉટપુટહોયછે .
• આકૃનતમાંતેનીલોનજકસંજ્ઞા અનેટુથટેબલદશાધવ્યાંછે .
• જોઈનપુટA અથવાઈનપુટBઅથવાબંને1હોયતોઆઉટપુટY= 1હોયછે . એટલેકે
જોએકપણઈનપુટઉચ્ચ(High) (1) હોયતોઆઉટપુટ1મળેછે .
• બુલીયનસમીકરણ: Y = A + B
3. AND Gate :-
• ANDગેટનેબેકેવર્ુઈનપુટઅનેએકઆઉટપુટહોયછે .
• ANDગેટનીલોનજકસંજ્ઞાઅનેટુથટેબલ આકૃનતમાંદશાધવ્યાછે .
• જ્યારે ઈનપુટA અને ઈનપુટBબંને 1 હોયત્યારે જANDગેટનોઆઉટપુટY= 1મળે
છે .
• બુલીયનસમીકરણ: Y = A B
4. NAND Gate :-
• તેનેબેકેવર્ારેઈનપુટઅનેએકઆઉટપુટહોયછે .
• AND ગેટનાઆઉટપુટનેNOTગેટનાઈનપુટમાંઆપવાથીઆગેટમળેછે .
• જોઈનપુટA અને Bબંને ‘1’ હોયતો‘Y’ આઉટપુટ0 મળે.આગેટનું નામNOT AND
પ્રકારનીવતધણંકથીપડયુંછે .
• આકૃનતમાંNANDગેટનીસંજ્ઞાઅનેટુથટેબલદશાધવ્યાછે .
• NAND ગેટનીમદદથીમૂળભૂતલોનજકગેટOR, AND, NOT તૈયારકરીશકાતાહોવાથી
NANDગેટનેસાવધનિકગેટ(Universal Gate)પણકહેછે .
• બુલીયનસમીકરણ: Y = A B
Page 39
14.40 Physics
5. NOR Gate :-
• તેનેબેકેવર્ારેઈનપુટઅનેએકઆઉટપુટહોયછે .
• ORગેટનાઆઉટપુટને NOTગેટનાઈનપુટમાં આપવાથીNOT-ORગેટ (એટલેકેNOR
ગેટ)મળેછે .
• જોતેનાબંનેઈનપુટAઅનેB ‘0’ હોયત્યારે જતેનોYઆઉટપુટ1મળેછે .
• આકૃનતમાં NORગેટનીસંજ્ઞાઅનેતેનુંટુથટેબલદશાધવેલછે .
• NOR ગેટનીમદદથી મૂળભૂત લોનજકગેટ OR, AND, NOT તૈયારકરીશકાતાહોવાથી
NORગેટનેસાવધનિકગેટ(universal Gate)પણકહેછે .
• બુલીયનસમીકરણ:- Y = A + B
39
39. આકૃનતમાં દશાધવ્યામુજબઆપેલાઈનપુટAઅને Bમાટે મળતા ORગેટનાઆઉટપુટ
(તરંગસ્વરૂપ)(Y) નીસત્યતાચકાસો. (ઉદા :- 14.8)
ઉકેલ:-
નીચેમુજબનોંર્કરો:
• t < t1 માટે A = 0, B = 0 આથી Y = 0
• t1 થીt2 માટેA = 1, B = 0 આથી Y = 1
• t2 થીt3 માટે A = 1, B = 1 આથી Y = 1
• t3 થીt4 માટે A = 0, B = 1 આથી Y = 1
• t4 થીt5 માટે A = 0, B = 0 આથી Y = 0
• t5 થીt6 માટે A = 1, B = 0 આથી Y = 1
• t > t6 માટે A = 0, B = 1 આથી Y = 1
• આથી, તરંગસ્વરૂપYબાજુ નીઆકૃનતમાંદશાધવ્યામુજબમળશે.
40
40. આકૃનતમાં દશાધવ્યામુજબઆપેલાઈનપુટAઅને Bમાટે મળતા ANDગેટનાઆઉટપુટ
(તરંગસ્વરૂપ)(Y) નીસત્યતાચકાસો. (ઉદા :- 14.9)
Page 40
Semiconductor Electronics 14.41
ઉકેલ :-
નીચેમુજબનોંર્કરો:
• t ≤ t1 માટે A = 0, B = 0 આથી Y = 0
• t1 થીt2 માટે A = 1, B = 0 આથી Y = 0
• t2 થીt3 માટે A = 1, B = 1 આથી Y = 1
• t3 થીt4 માટે A = 0, B = 1 આથી Y = 0
• t4 થીt5 માટે A = 0, B = 0 આથી Y = 0
• t5 થીt6 માટે A = 1, B = 0 આથી Y = 0
• t > t6 માટે A = 0, B = 1 આથી Y = 0
• આપેલમૂલ્કયોપરથી, AND ગેટમાટેઆઉટપુટતરંગસ્વરૂપ નીચેમુજબદોરીશકાય.
41
41. આપેલઈનપુટAઅનેBમાટેNAND ગેટનાઆઉટપુટYમાટે આકૃનતદોરો.
(ઉદા :- 14.10)
ઉકેલ :-
નીચેમુજબનોંર્કરો:
• t ≤ t1 માટે A = 1, B = 1 આથી Y = 0
• t1 થીt2 માટે A = 0, B = 0 આથી Y = 1
• t2 થીt3 માટે A = 0, B = 1 આથી Y = 1
• t3 થીt4 માટે A = 1, B = 0 આથી Y = 1
• t4 થીt5 માટે A = 1, B = 1 આથી Y = 0
• t5 થીt6 માટે A = 0, B = 0 આથી Y = 1
• t > t6 માટે A = 0, B = 1 આથી Y = 1
• આપેલમૂલ્કયોપરથી NAND ગેટમાટેઆઉટપુટતરંગસ્વરૂપ બાજુ માંદશાધવ્યાપ્રમાણેદોરી
શકાય.
Page 41
14.42 Physics
BOOLEAN ALGEBRA BASICS LAW
1+0=1 A+0=A 1=0
0+1=1 A+1=1 0=1
1+1=1 A+A=A 0=0 A=A
0∙1=0 A∙0=0 1 + 1̅ = 1 A +A = 1
0∙1=0 A∙1=A 1̅ ∙ 1 = 0
AA =0
1∙1=1 A∙A=A
Commutative Law A +B = B + A
(ક્રમનોનનયમ) A.B=B.A
Associative Law A + (B + C) = (A + B) + C
(જૂ થનોનનયમ) A . (B . C) = (A . B) . C
Distributive Law A+B.C=(A+B).(A+C)
(નવભાજનનોનનયમ) A.(B+C)=A.B+A.C
Absorption Law A.(A+B)=A
(શોર્ણનોનનયમ) A+A.B=A
A + B = A.B
De Morgan's Law
A.B = A + B
42
( )
42. બુલીયનસમીકરણ Y = A + B B નું સાદુરૂપઆપીટ્રુથટેબલલખો.
ઉકેલ:-
• બુલીયનસમીકરણનુંસાદુરૂપ
Y = ( A + B) B
Y = ( A + B) + B
Y = A B + B
Y = B ( A + 1)
Y=B
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ આઉટપુટ
Y1 = A + B Y2 = ( A + B ) B
A B Y = ( A + B) B = B
0 0 0 0 1
0 1 1 1 0
1 0 1 0 1
1 1 1 1 0
43
( )
43. બુલીયન સમીકરણ Y = A B + A B અને Y = A + B + A B નું સાદુરૂપ આપી
ટ્રુથટેબલલખો.
ઉકેલ:-
• બુલીયનસમીકરણ Y = A B + A B નુંસાદુરૂપ
Y = A B + A B
Page 42
Semiconductor Electronics 14.43
(
Y = A B+B )
Y = A 1 = A
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ આઉટપુટ
A B Y1 = A B Y2 = A B
A B Y = A B + A B = A
0 0 1 1 1 0 1
0 1 1 0 0 1 1
1 0 0 1 0 0 0
1 1 0 0 0 0 0
( )
• બુલીયનસમીકરણ Y = A + B + A B નુંસાદુરૂપ
( )
Y = A + B + AB
Y = ( A + B) + A + B
Y = A+A+B+B
Y = 1+ B = 1
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ આઉટપુટ
A B
B Y1 = A + B Y2 = A B
( )
Y = A + B + AB =1
0 0 1 1 1 1
0 1 0 0 1 1
1 0 1 1 1 1
1 1 0 1 0 1
44
44. આકૃનતમાં દશાધવ્યામુજબતમને બે પરરપથઆપવામાં આવ્યાછે .દશાધવોકે પરરપથ(a)
OR ગેટતરીકેઅનેપરરપથ અને(b) AND ગેટતરીકેકામકરેછે . (સ્વા:- 14.11)
ઉકેલ:-
(1) પરરપથ(a) માટે:
ટ્રુથટેબલ
ઇનપુટ Y = Y1
Y1 = A + B
A B Y = A+B
0 0 1 0
0 1 0 1
1 0 0 1
1 1 0 1
• ટ્રુથટેબલપરથીમળતાંપરરણામીમૂલ્કયોપણA + B(OR gate) વવારામળતાંમૂલ્કયો
જે વાજછે .આથી,આપેલપરરપથOR ગેટનેસમતુલ્કયછે .
Page 43
14.44 Physics
(2) પરરપથ(b) માટે:
ટ્રુથટેબલ
ઇનપુટ Y = A+B
A B A B Y = A B
0 0 1 1 0
0 1 1 0 0
1 0 0 1 0
1 1 0 0 1
• ટ્રુથટેબલપરથીમળતાંપરરણામીમૂલ્કયો A B ( AND gate ) પરથીમળતાંમૂલ્કયોજે વાજ
છે . આથી,આપેલપરરપથAND ગેટનેસમતુલ્કયછે .
45
45. આકૃનતમાંદશાધવ્યામુજબજોડેલNAND ગેટનાપરરપથમાટેટુથટેબલલખો.આપરથી
આપરરપથવડેથતું ચોક્ટ્કસલોનજકકાયધ(Operation) જણાવો. (સ્વા:- 14.12)
ઉકેલ:-
ટ્રુથટેબલ
ઇનપુટ A Y = A A = A
0 1
1 0
• ટ્રુથટેબલપરથીમળતાંપરરણામીમૂલ્કયો Y = A (NOT gate) જે વાજછે . આથી,
આપેલપરરપથNOT gateનેસમતુલ્કયછે .
46
46. આકૃનતમાં દશાધવ્યામુજબતમને NAND ગેટનાબનેલાબે પરરપથઆપવામાં આવ્યા છે .
નેપરરપથોવડેથતું લોનજકઓપરેશનનક્ટ્કીકરો. (સ્વા:-14.13)
ઉકેલ:-
(1) પરરપથ(a) માટે:
Page 44
Semiconductor Electronics 14.45
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ
Y1 = A B Y = Y1 = A.B
A B
0 0 1 0
0 1 0 0
1 0 0 0
1 1 0 1
• ટ્રુથટેબલપરથીમળતાંપરરણામીમૂલ્કયો A B ( AND gate ) પરથીમળતાંમૂલ્કયોજે વાજ
છે . આથી,આપેલપરરપથAND ગેટનેસમતુલ્કયછે .
(2) પરરપથ(b) માટે:
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ
A B Y=A+B
A B
0 0 1 1 0
0 1 1 0 1
1 0 0 1 1
1 1 0 0 1
• ટ્રુથટેબલપરથીમળતાંપરરણામીમૂલ્કયોપણA + B(OR gate) વવારામળતાંમૂલ્કયો
જે વાજછે .આથી,આપેલપરરપથOR ગેટનેસમતુલ્કયછે .
47
47. NOR ગેટનો ઉપયોગ કરીને બનેલા નીચેની આકૃનતમાં આપેલ પરરપથ માટે ટુથ ટેબલ
લખોઅનેઆપરરપથકયું લોનજકઓપરેશન(OR, AND, NOT) કરેછે તેનક્ટ્કીકરો.
(સ્વા:-14.14)
ઉકેલ:-
Page 45
14.46 Physics
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ Y = Y1
Y1 = A + B
A B Y= A + B
0 0 1 0
0 1 0 1
1 0 0 1
1 1 0 1
• ટ્રુથ ટેબલ પરથી મળતાં પરરણામી મૂલ્કયો પણ A + B (OR gate) વવારા મળતાં મૂલ્કયો
જે વાજછે .આથી,આપેલપરરપથOR ગેટનેસમતુલ્કયછે .
48
48. માિNORગેટનોઉપયોગકરીને આકૃનત મુજબબનતાપરરપથોમાટે ટુથટેબલ લખો.
આપરરપથોવડેથતાલોનજક ઓપરેશન(OR, AND, NOT) નક્ટ્કીકરો.
(સ્વા:- 14.15)
ઉકેલ:-
(1) પરરપથ(a) માટે:
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટA આઉટપુટ Y = A
0 1
1 0
• ટ્રુથ ટેબલ પરથી મળતાં પરરણામી મૂલ્કયો Y = A (NOT gate) જે વા જ છે . આથી,
આપેલપરરપથNOT gateનેસમતુલ્કયછે .
(2) પરરપથ(b) માટે:
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ આઉટપુટ
A B Y = A.B
A B
0 0 1 1 0
0 1 1 0 0
1 0 0 1 0
1 1 0 0 1
• ટ્રુથટેબલપરથીમળતાંપરરણામીમૂલ્કયો A B ( AND gate ) પરથીમળતાંમૂલ્કયોજે વાજ
છે . આથી,આપેલપરરપથAND ગેટનેસમતુલ્કયછે .
Page 46
Semiconductor Electronics 14.47
49
49. નીચેની આકૃનત મુજબ બનતા પરરપથો માટે ટુથ ટેબલ લખો. આ પરરપથો વડે થતા
લોનજક ઓપરેશન(OR, AND, NOT, NOR, NAND, XOR, XNOR) નક્ટ્કીકરો.
ઉકેલ:-
(1) પરરપથ(a) માટે:
ટ્રુથટેબલ
ઇનપુટ Y = Y1 + Y2
A B Y1 = A B Y2 = A B
A B Y = A B
0 0 1 1 0 0 0
0 1 1 0 1 0 1
1 0 0 1 0 1 1
1 1 0 0 0 0 0
• ટ્રુથટેબલપરથીમળતાંપરરણામીમૂલ્કયો પરથીજોઈશકાયછે કેજયારે બંને ઇનપુટસમાન
થાયત્યારેઆઉટપુટશૂન્યમળેછે .જે XORગેટદશાધવેછે .
• XOR(Exclusive OR gate) ગેટમાટેપરરપથસંકેતનીચેપ્રમાણેછે .
(2) પરરપથ(b) માટે:
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ Y2 = A + B
Y1 = A B Y = Y1 Y2
A B
0 0 1 0 1
0 1 1 1 0
1 0 1 1 0
1 1 0 1 1
Page 47
14.48 Physics
• ટ્રુથટેબલપરથીમળતાંપરરણામીમૂલ્કયો પરથીજોઈશકાયછે કેજયારે બંને ઇનપુટસમાન
થાયત્યારેઆઉટપુટ“1”મળેછે .જે XNORગેટદશાધવેછે .
• XNORગેટમાટેપરરપથસંકેતનીચેપ્રમાણેછે .
50
50. નીચેનીઆકૃનતમુજબબનતાપરરપથોમાટેટુથટેબલ લખો.
ઉકેલ:-
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ Y2 = A B Y = Y1 + Y2
A B Y1 = A + B
A B
0 0 1 1 1 0 1
0 1 1 0 1 0 1
1 0 0 1 1 0 1
1 1 0 0 0 1 1
51
51. નીચેદશાધવલ
ે ઈનપુટનાકયામુલ્કયોમાટેઆપેલપરરપથમાંઆઉટપુટ “1” મળે?
(A) a = O, b = O, c = 1 (B) a = 1, b = 0, c = 0
(C) a = 1, b = 0, c = 1 (D) a = 0, b = 1, c = 0
ઉકેલ:-C
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ Y1 = A + B Y = ( A + B) C
A B C
0 0 1 0 0
1 0 0 1 0
1 0 1 1 1
0 1 0 1 0
Page 48
Semiconductor Electronics 14.49
52
52. નીચે દશાધવલ ે પરરપથમાં બર્ાજઈનપુટનામુલ્કયોHi અને Low હોયત્યારે આઉટપુટના
મુલ્કયોઅનુક્રમે.......
ઉકેલ:-
ટ્રુથટેબલ
ઈનપુટ Y1 = A B Y = A BC
A B C
1 1 1 1 0
0 0 0 0 1
53
53. નીચેનીઆકૃનતમાં એકલોજીકપરરપથઅને તેનામાટે ટ્રુથટેબલદશાધવલ ે છે .તો X વડે
દશાધવલે સંકતે કયોગેટદશાધવે છે ?
ઈનપુટ
Y
A B
1 1 1
0 1 1
1 0 1
0 0 0
ઉકેલ:-
• ઉપરોક્ટ્તટ્રુથટેબલપરથીજોઈશકાયછે કે જયારે બંને ઈનપુટશૂન્યછે ત્યારેજ આઉટપુટ
શૂન્યમળેછે .એટલેકેઅંનતમપરરણામOR ગેટદશાધવેછે .
Page 49
14.50 Physics
રાનન્ઝસ્ટર (Transistor) :-
• બેP-N જં કશનવળીરચનાનેરાનન્ઝસ્ટરકહેછે .
• તેનાબેપ્રકારછે .
1. PNP રાનન્ઝસ્ટર :- બે P પ્રકારના અર્ધવાહકોની વચ્ચે N પ્રકારના અર્ધવાહકની
પાતળીનચપહોયછે .
2. NPN રાનન્ઝસ્ટર :- બે N પ્રકારના અર્ધવાહકોની વચ્ચે P-પ્રકારના અર્ધવાહકની
ચીપહોયછે .
• રાનન્ઝસ્ટરનામધયભાગમાંઆવેલનચપનેબેઝ(Base)કહેછે . બેઝનીએકતરફનાભાગને
એનમટર(Emitter)અનેબીજીતરફનાભાગનેકલેકટર(Collector) કહેછે .
• આિણેયનવભાગોકદઅનેનવદ્યુતીયગુણર્મોનીદ્રનષ્ટએઅલગછે .
કદ ઘટતા અશુનવર્ અવરોર્કતા વાહકતા
ક્રમમાં ઘટતાક્રમમાં ઘટતાક્રમમાં ઘટતાક્રમમાં
C E B E
E C C C
B B E B
• એનમટરઅને બેઝવચ્ચેનાજં કશનનેએનમટરબેઝજં કશનઅથવાએનમટરજં કશનકહે છે .
કલેકટરઅનેબેઝવચ્ચેનાજં કશનનેકલેકટરબેઝજં કશનઅથવાકલેકટરજં કશનકહેછે .
• રાનન્ઝસ્ટરનેકાયધરતકરવાએનમટરજં કશનનેફોરવડધઅનેકલેકટરજં કશનનેરરવસધબાયસમાં
રાખવામાંઆવેછે .
• રાનન્ઝસ્ટરમાં નવદ્યુતપ્રવાહનું વહન ઈલેક્ટ્રોન અને હોલ એમ બે પ્રકારના ચાજધ કેરીયરના
લીર્ેથાય.આથી,રાનન્ઝસ્ટરનેBipolar junction Transistar (BJT) કહેવાય.
રાનન્ઝસ્ટરનીકાયધવાહી:-
Page 50
Semiconductor Electronics 14.51
• આકૃનતમાં NPN રાનન્ઝસ્ટરની કાયધ પવર્નત સમજવા માટેનો નવદ્યુત પરરપથ દશાધવેલ છે .
રાનન્ઝસ્ટરને કાયધરત કરવા માટે એનમટર જં કશનને VEE ( 0.5 to 1V ) બેટરી વડે ફોરવડધ
બાયસ અને કલેકટર જં કશનને VCE (5 to 10V ) બેટરી વડે રરવસધ બાયસમાં હોવાથી
ડે્લેશન નવસ્તારની પહોળાઈ ઓછી અને કલેકટર જં કશન રરવસધ બાયસમાં હોવાથી
ડે્લેશનનવસ્તારનીપહોળાઈવર્ુહોયછે .
• NPN રાનન્ઝસ્ટરમાં એનમટરમાં મેજોરીટી ચાજધ કેરરયર તરીકે ઈલેક્ટ્રોન અને બેઝમાં
મેજોરીટીચાજધ કેરરયરતરીકેહોલઆવેલહોયછે .
• એનમટર જં કશન ફોરવડધ બાયસમાં હોવાથી બેટરી VEE ની અસર હેઠળ મોટી સંખ્યામાં
ઈલેક્ટ્રોનએનમટરમાંદાખલથઇએનમટરપ્રવાહ ( IE ) નુંનનમાધણકરે.
• એનમટર જં કશન ફોરવડધ બાયસમાં હોવાથી ઈલેક્ટ્રોન એનમટર જં કશનને ક્રોસ કરી બેઝ
નવભાગમાં દાખલથાય.જે માંથીમાિ5% ઈલેક્ટ્રોનજહોલસાથે સંયોજાઈબેઝપ્રવાહ
( IB ) નુંનનમાધણકરે(કારણકેબેઝમાંઅશુનવર્ઓછીહોવાથીહોલઓછાહશે.)બાકીના
ઈલેક્ટ્રોન VCC બેટરી વડે આકર્ાધઈને કલેકટર ક્રોસ કરે છે . અને કલેકટર પ્રવાહ ( IC ) નું
નનમાધણકરેછે .
• જં કશનપાસેરકચોફનોપ્રથમનનયમલગાવતા.
IE = IC + IB
• અહીં IB → A નાક્રમનો IE અને IC → mA ક્રમનો
• વ્યવહારમાં ઇલેક્ટ્રોનીક્ટ્સ પરરપથોમાં બે ઈનપુટ અને
બે આઉટપુટ આવેલા હોય છે . જ્યારે રાનન્ઝસ્ટરમાં
માિ િણ જ ટર્મધનલ છે . આથી, કોઈ એક ટર્મધનલ
કોમનલઇિણજુ દાપરરપથોબનાવીશકાય.
1. કોમનબેઝપરરપથ(CB પરરપથ):-
I
• પ્રવાહગેઇન dc = C dc 1
IE
2. કોમનએનમટરપરરપથ(CE પરરપથ):-
I
• પ્રવાહગેઇન dc = C dc 1
IB
3. કોમનકલેકટરપરરપથ(CC પરરપથ):-
I
• પ્રવાહગેઇન dc = E dc 1
IB
54
54. રાનન્ઝસ્ટરનાCB પરરપથમાટે પ્રવાહગેઇન ( ) અને CE પરરપથમાટે પ્રવાહગેઇન
( ) વચ્ચેસંબર્ં મેળવો.
ઉકેલ:-
• રાનન્ઝસ્ટરમાટે
IE = IC + IB
=
IE I 1+
=1+ B
IC IC
Page 51
14.52 Physics
1 1 I I 1 1
= 1 + = C , = C = −1
IE IB
1 +1 1 1−
= =
=
1−
55
55. NPN રાનન્ઝસ્ટરનાએનમટરમાં 1 s માં 1010 ઈલેક્ટ્રોનબેટરી માંથીદાખલથાયછે .
જે માંથી 2% ઈલેક્ટ્રોન બેઝમાંના હોલ સાથે સંયોજાય છે . તો રાનન્ઝસ્ટર માટે
IE ,IB ,IC , dc , dc મેળવો.
ઉકેલ:-
• એનમટરપ્રવાહ IE = =
Q ne 10 1.6 10
=
10
(
−19
)
= 1.6 10−3 A = 1600A
−6
t t 1 10
• બેઝપ્રવાહ IB = IE ના2%
2
IB = 1600 = 32A
100
• રાનન્ઝસ્ટરમાટે
IE = IC + IB
IC = 1600 − 32
IC = 1568A
IC 1568A
• CB પરરપથ માટેપ્રવાહગેઇન = = = 0.98
IE 1600A
IC 1568A
• CE પરરપથ માટેપ્રવાહગેઇન = = = 49
IB 32A
રાનન્ઝસ્ટરનીલાક્ષનણકતા (Charastric Of Transistor) :-
• રાનન્ઝસ્ટરમાં વહેતા જુ દા પ્રવાહો અને વોલ્કટેજો વચ્ચે સંબંર્ દશાધવતા આલેખોને
રાનન્ઝસ્ટરનાનસ્થતલાક્ષનણકઆલેખકહેછે .
• ઈનપુટલાક્ષણીકતા:-રાનન્ઝસ્ટરનાઆઉટપુટવોલ્કટેજઅચળરાખીઈનપુટવોલ્કટેજઅને
ઈનપુટપ્રવાહવચ્ચેસંબંર્દશાધવતાઆલેખનેઈનપુટલાક્ષણીકતાઆલેખકહેછે .
• આઉટપુટલાક્ષનણકતા:-રાનન્ઝસ્ટરનોઈનપુટપ્રવાહઅચળરાખીઆઉટપુટવોલ્કટેજઅને
આઉટપુટપ્રવાહવચ્ચેસંબંર્દશાધવતાઆલેખનેઆઉટપુટલાક્ષણીકતાઆલેખકહેછે .
• આકૃનતમાં રાનન્ઝસ્ટરનીલાક્ષણીકતાનોઅભ્યાસકરવામાટે NPN રાનન્ઝસ્ટરસાથેનોCE
પરરપથદશાધવેલછે . VBB બેટરીવડે એનમટરજં કશનને ફોરવડધ અને VCC બેટરીવડે કલેકટર
જં કશનનેરરવસધબાયસમાંરાખેલછે .
Page 52
Semiconductor Electronics 14.53
ઈનપુટલાક્ષનણકતા:-
• રાનન્ઝસ્ટરની ઈનપુટ લાક્ષણીકતાનો અભ્યાસ કરવા માટે રરહોસ્ટેટ R 2 ની મદદથી
આઉટપુટ વોલ્કટેજ VCE નું કોઈ એક મૂલ્કય ગોઠવો (ઉદા :- VCE = 2 V ) અને R 1 ની
મદદથી ઈનપુટ વોલ્કટેજ VBE નું યોગ્ય ગાળામાં બદલતા જઈ ઈનપુટ પ્રવાહ IB નોંર્ો.
ત્યારબાદ VCE નાબીજામૂલ્કય(2V, 4V, 6V,….)માટેપ્રયોગનુંપુનરાવતધનકરો.
• IB → VBE નોઆલેખદોરતારાનન્ઝસ્ટરનીઈનપુટલાક્ષણીકતામળેછે .
આઉટપુટલાક્ષનણકતા:-
• રાનન્ઝસ્ટરની આઉટપુટ લાક્ષણીકતાનો અભ્યાસ કરવા માટે રરહોસ્ટેટ R 1 ની મદદથી
ઈનપુટપ્રવાહ IB નુંકોઈએકમૂલ્કયગોઠવો. અને R 2 નીમદદથીઆઉટપુટવોલ્કટેજ VCE ને
યોગ્યગાળાબદલતાજઈઆઉટપુટપ્રવાહ IC નોંર્ોત્યાર બાદ IB નાબીજામૂલ્કયો(20
A , 40 A , 60 A ,…)માટેપ્રયોગનુંપુનરાવતધનકરો.
• IC → ICE નો આલેખ દોરતા રાનન્ઝસ્ટરની આઉટપુટ લાક્ષનણકતા મળે. આલેખના મધય
ભાગને રાનન્ઝસ્ટરનો કાયધરત નવસ્તાર કહે છે . આ નવસ્તારમાં આઉટપુટ પ્રવાહ આઉટપુટ
વોલ્કટેજપરઆર્ારરતનથી.
રાનન્ઝસ્ટરનાપ્રાચલો:-
ઈનપુટ વોલ્કટેજમાં ફેરફાર
(1) ઈનપુટ અવરોર્ ( ri ) = ( )
ઈનપુટ પ્રવાહમાં ફેરફાર આઉટપુટ વોલ્કટેજ અચળ
V
ri = BE 1k થી 10k વચ્ચે
IB VCE =Const .
આઉટપુટ વોલ્કટેજમાં ફેરફાર
(2) આઉટપુટ અવરોર્ ( ro ) = ( )
આઉટપુટ પ્રવાહમાં ફેરફાર ઈનપુટ પ્રવાહ અચળ
V
r0 = CE 50k થી 100k વચ્ચે
IC IB =Const .
Page 53
14.54 Physics
આઉટપુટ પ્રવાહનો ફેરફાર
(3) પ્રવાહ ગેઇન ( ) = ( )
ઇનપુટ પ્રવાહનો ફેરફાર આઉટપુટ વોલ્કટેજ અચળ
I
Ai = = C 10 થી 100 વચ્ચે
I
B VCE =Const .
આઉટપુટ પ્રવાહનો ફેરફાર
(4) રાન્સકન્ડકટન્સ ( g m ) = ( )
ઇનપુટ વોલ્કટેજનો ફેરફાર
I
gm = C = (મ્પહો = mho ( )= −1
)
VBE ri
56
56. આપેલ પરરપથમાં બેઝ અવરોર્ RB પર +5 V આપતા VBE અને VCE શૂન્ય હોય તો
IC ,IB અને શોર્ો.
ઉકેલ:-
• ઈનપુટપરરપથમાંKVL
5 − IBR B − VBE = 0
( )
5 − IB 100 103 − 0 = 0
5 = IB 105
IB = 5 10−5 A
• આઉટપુટપરરપથમાંKVL
5 − ICR L − VCE = 0
( )
5 − IC 103 − 0 = 0
5 = IC 103 → IC = 5 10−3 A
5 10−3
IC
• પ્રવાહ ગેઇન = = −5
= 102 = 100
IB 5 10
57
57. આપેલ પરરપથમાં IB = 5 A, R B = 1 M , R L = 1.1 K , IC = 5 mA અને
Vcc = 6 V હોયતો VBE અને VCE નું મૂલ્કયશોર્ો.
Page 54
Semiconductor Electronics 14.55
ઉકેલ:-
• ઈનપુટપરીપથમાંKVL
6 − IBR B − VBE = 0
( )
6 − 5 10−6 1 106 − VBE = 0
VBE = 6 − 5
VBE = 1 volt
• આઉટપુટપરરપથમાં
6 − ICR L − VCE = 0
(
6 − 5 10−3 1.1 103 = VCE)
VCE = 6 − 5.5
VCE = 0.5 volt
CE એમ્પપલીફાયર :-
ઉપયોગ :-એમ્પપલીફાયરપરીપથોનું ઇલેક્ટ્રોનીક્ટ્સપરીપથોમાં આગવું મહત્વછે .મોટાભાગના
ઇલેક્ટ્રોનીક્ટ્સ પરીપથોમાં એમ્પપલીફાયર પરીપથોનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે . ઇલેક્ટ્રોનીક્ટ્સ
પરીપથોમાં જયારે આપણોપન્નારોનાનાનસગ્નલોસાથે પડે છે ત્યારે તેમને નવવર્ર્ધતકરવાની
જવાબદારી એમ્પપલીફાયર પરીપથો ઉપાડી લે છે . ઉદા :- માઈક્રોફોનના આઉટપુટમાં મળતો
વોલ્કટેજ,રેરડયોકેટી.નવ.માં એન્ટેનાવડેરીસીવથતાનસગ્નલોમાઈક્રોવોલ્કટનાક્રમનોહોયછે .
આનસગ્નલોનોનવવર્ર્ધતકરવાનીજવાબદારીએમ્પપલીફાયરપરીપથોઉપાડીલેછે .
રચના:-
• આકૃનતમાં NPN રાનન્ઝસ્ટરનો ઉપયોગ કરી બનાવેલ CE એમ્પપલીફાયર પરરપથ દશાધવેલો
છે . VBB બેટરીવડેએનમટર જં કશનનેફોરવડધબાયસઅને VCC બેટરીવડેકલેકટરજં કશનને
રરવસધ બાયસમાં રાખેલ છે . જે A.C. નસગ્નલને નવવર્ર્ધત કરવાનું હોય તેને રાનન્ઝસ્ટરના
એમીટરઅને બેઝવચ્ચે જોડવામાંઆવે છે .નવવર્ર્ધતનસગ્નલને રાનન્ઝસ્ટરનાકલેકટરઅને
એનમટરવચ્ચેલોડઅવરોર્ R L નેસમાંતરમેળવવામાંઆવેછે .
Page 55
14.56 Physics
• અહી નોંર્ો કે CE એમ્પપલીફાયર પરરપથમાં ઈનપુટ અને આઉટપુટ નસગ્નલ વચ્ચેનો કળા
તફાવત180 ડીગ્રીહોયછે .
કાયધપવર્નત:-
• રાનન્ઝસ્ટરના બેઝ પર નાનું AC નસગ્નલ Vs આપતા રાનન્ઝસ્ટરના ઈનપુટ વોલ્કટેજ VBE
બદલાયછે .આથી,ઈનપુટબેઝપ્રવાહIB માં ફેરફારથાય.IB માં થતોફેરફાર ( IB ) A
ના ક્રમનોહોય. IB માં ફેરફારના લીર્ે આઉટપુટપ્રવાહ IC માં થતોફેરફાર IC = IB
• CE પરરપથમાટેસુિો:-
mAના ક્રમનો મળે. આ પ્રવાહ મોટા અવરોર્ RL માંથી પસાર કરતા તેના બે છે ડા વચ્ચે • ઈનપુટઅવરોર્
મોટોનવવર્ર્ધતઆઉટપુટમળે.આમ,રાનન્ઝસ્ટરનસગ્નલનેનવવર્ર્ધતકરેછે .
ઈનપુટપરરપથમાટે:-
• નસગ્નલવોલ્કટેજ Vs નીગેરહાજરીમાં
VBE = VBB • આઉટપુટઅવરોર્
• નસગ્નલવોલ્કટેજVs નીહાજરીમાં
VBE + VBE = VBB + VS
• પ્રવાહગેઇન
• ઉપરનાસમીકરણપરથી VBE = VS
VBE
• ઈનપુટઅવરોર્ ri = પરથી, VBE = VS = Vi = ri IB
IB
• રાન્સકંડકટન્સ
આઉટપુટપરરપથમાટે:- 𝑂/𝑃 પ્રવાહનો ફેરફાર
VCC = ICR L + VCE gm =
𝐼/𝑃 વોલ્કટેજનો ફેરફાર
VCC = ICR L + VCE (∵ બેટરીનાવોલ્કટેજનોફેરફાર VCC = 0 )
0 = ICR L + VCE
VCE = −ICR L • વોલ્કટેજગેઇન
V0 = −ICR L
આઉટપુટ વોલ્કટેજનો ફેરફાર
• વોલ્કટેજગેઇન=
ઈનપુટ વોલ્કટેજનો ફેરફાર
I R R
A V = C L = − L
IBri ri • પાવરગેઇન
RL
A V = −
ri
A V = −g mR L
આઉટપુટ પાવરનો ફેરફાર
• પાવરગેઇન(Ap) =
ઈનપુટ પાવરનો ફેરફાર
Vo IC
A p =
Vi IB
A p = A v
R
A p = − L
ri
R
A p = −2 L
ri
Page 56
Semiconductor Electronics 14.57
58
58. CE રાનન્ઝસ્ટર એમ્પપલીફાયરમાં કલેકટર સ્લાય વોલ્કટેજ 10 V છે . ઈનપુટ નસગ્નલની
ગેરહાજરીમાં બેઝ પ્રવાહ 10 A અને કલેકટર એનમટર વચ્ચે વોલ્કટેજ 4 V મળે છે .
રાનન્ઝસ્ટરનોપ્રવાહગેઇન ( ) 300 છે .તોએમ્પપલીફાયરમાં લગાડેલલોડઅવરોર્ R L
નું મૂલ્કયશોર્ો.
ઉકેલ:-
• CE એમ્પપલીફાયરનાઆઉટપુટપરરપથમાંKVL :-
VCC = ICR L + VCE
VCC − VCE = ICR L
VCC − VCE
RL =
IC
10 − 4 10 − 4
RL = =
IB 300 10 10−6
6 105
RL = − 2 103 = 2k
3 102
59
59. CE રાનન્ઝસ્ટર એમ્પપલીફાયરમાંઈનપુટનસગ્નલલગાડતાબેઝએનમતરવચ્ચે 0.02 V નો
ફેરફારથાયછે .આથી,બેઝપ્રવાહમાં 20A નોફેરફારથાયછે . તો
(1) ઈનપુટઅવરોર્
(2)A.C. પ્રવાહગેઇન
(3)રાન્સકન્ડકટન્સ
(4)લોડઅવરોર્ 5 K હોયતોવોલ્કટેજગેઇનઅનેપ્રવાહગેઇનશોર્ો.
ઉકેલ:-
VBE = 0.02V
IB = 20A
R L = 5K
VBE = IBri
VBE 0.02 2 10−2
(1) ઈનપુટઅવરોર્ ri = = = = 103 = 1K
IB 2 10−5 2 10−5
IC 20 10−4
(2)A.C. પ્રવાહગેઇન = = = 102 = 100
IB 20 10 −6
IC 20 10−4 20 10−4
(3)રાન્સકન્ડકટન્સ g m = = = = 10−1 = 0.1mho
VBE 0.02 20 10−3
(4)લોડઅવરોર્ 5K હોયતોવોલ્કટેજગેઇનઅનેપ્રવાહગેઇન
R L −100 5 103
Av = − = = −500
ri 1 103
RL 5 103
A p = −2 = −100 −100 = −5 104
ri 1 103
Page 57
14.58 Physics
60
60. NPN CE એમ્પપલીફાયારમાં જ્યારે લોડઅવરોર્ 10 K છે ત્યારે વોલ્કટેજગેઇન200
મળેછે .તોરાન્સકંડકટન્સનું મૂલ્કયશોર્ો.જોપરરપથનોઈનપુટઅવરોર્ 1 K હોયતો
પ્રવાહગેઇનનીગણતરીકરો.
ઉકેલ:-
Av = 200
R L = 10 103
ri = 1 103
Av 200 200
• A v = −g mR L પરથી g m = = = = 2 10−2 = 0.02
RL RL 10 103
• gm = 0.02 = = 2 10−2 103 = 20
ri 1 103
61
61. CE એમ્પપલીફાયર માં 200 mV નું નસગ્નલ લગાડતા બેઝ પ્રવાહમાં 200 A ફેરફાર
થાયછે ,તોઈનપુટઅવરોર્શોર્ો.જોઆઉટપુટવોલ્કટેજનોફેરફાર2 Vહોયતોવોલ્કટેજ
ગેઇનકેટલોમળે?
ઉકેલ:-
• VS = VBE = 200mV
• IB = 200A
• VCE = 2V
VBE 200 10−3
ri = = = 103
IB 200 10 −6
VCE 2
Av = = = 10
VBE 200 10−3
62
62. NPN કોમન એનમટર એમ્પપલીફાયરમાં ઈનપુટ વોલ્કટેજ 100 mV ફેરફાર કરતા કલેકટર
પ્રવાહમાં 10 mA નોફેરફારથાયછે .જોઆA.C. પરરપથનોપ્રવાહગેઇન150 હોય
તોપાવરગેઇન4500 મેળવવાલોડઅવરોર્ R L નું મૂલ્કયકેટલું રાખવું જોઈએ?
ઉકેલ:-
• VBE = 100mV
• IC = 10mA
• A i = = 150
• A p = 4500
• પાવરગેઈન
Ap = AV Ai
A p = ( −g m R L )
I
A p = − C R L
VBE
Page 58
Semiconductor Electronics 14.59
−3
−10 10
4500 = R L 500
100 10−3
4500
RL = = 300
15
63
63. PNP CE એમ્પપલીફાયરમાટે A.C. પ્રવાહગેઇન100 છે .રાનન્ઝસ્ટરનોઈનપુટઅવરોર્
1K છે , તોઆ પરરપથમાટે પાવર ગેઇન 2000 મેળવવામાટે લોડ અવરોર્ R L નું
મૂલ્કયકેટલું રાખવું જોઈએ?
ઉકેલ:-
• A i = 100 =
• ri = 1K
• A P = 2000
• RL = ?
• પાવરગેઈન
AP = A V A i
R
A P = − L
ri
R
2000 = −100 L3 (100)
10
R
2= L
100
R L = 200
રાનન્ઝસ્ટરનોસ્વીચતરીકેઉપયોગ:-
• આદશધON/OFF નસ્વચજ્યારેOFF નસ્થનતમાંહોયત્યારેતેમાંથીકોઈપ્રવાહવહેતોનથી.
આનસ્થનતમાંનસ્વચનોઅવરોર્અનંતહોયછે .જ્યારેનસ્વચON નસ્થનતમાંહોયત્યારેતેનો
અવરોર્શૂન્યહોયછે અનેતેમાંથીમહત્તમપ્રવાહપસારથાયછે .
• આકૃનતમાંરાનન્ઝસ્ટરનોનસ્વચતરીકેઉપયોગદશાધવતોપરરપથદશાધવેલછે .
• ઈનપુટપરરપથમાંKVL :-
0 + VP − IBR B − VBE = 0
Vi = IBR B + VBE …(1)
• આઉટપુટપરરપથમાંKVL :-
VCC − ICR L − VCE = 0
VCE = V0 = VCC − ICR L …(2)
Case :- 1
• જ્યારે Vi = 0 અથવા કટ ઇન વોલ્કટેજથી
ઓછો હોય ત્યારે IB = 0 થાય. આથી,
IC = IB મુજબ IC = 0 થાય.આથીસમી.(2)પરથી V0 = VCC થાય.
• આ નસ્થનતમાં રાનન્ઝસ્ટરનો આઉટપુટ અવરોર્ લગભગ અનંત હોય અને રાનન્ઝસ્ટરની
OFF નસ્થનતકહેવાય.
Page 59
14.60 Physics
Case :- 2
• જ્યારે Vi > કટઇનવોલ્કટેજત્યારે IB 0 થાય.આથી, IC 0 અને VCC = ICR L થાય.
આથી, V0 = 0 થાય. આ નસ્થનતમાં રાનન્ઝસ્ટરનો આઉટપુટ અવરોર્ લગભગ શૂન્ય હોય
અનેરાનન્ઝસ્ટરનીON નસ્થનતદશાધવેછે .
રાનન્ઝસ્ટરનોઓનસ્સલેટરતરીકેઉપયોગ:-
:-
• ઉપયોગ :- ઈનચ્છત આવૃનત્ત વાળા વોલ્કટેજ કે પ્રવાહના દોલનો મેળવવા. અથવા ઈનચ્છત
આવૃનત્તવાળાનવદ્યુતચુંબકીયતરંગોમેળવવા.
રચના:-
• આકૃનતમાંNPN રાનન્ઝસ્ટરનો ઉપયોગકરીબનાવેલC.E. ઓનસ્સલેટરપરરપથદશાધવેલછે .
• VBB બેટરી વડે રાનન્ઝસ્ટરના એનમટર જં કશનને ફોરવડધ અને VCC બેટરી વડે કલેકટર
જં કશનને રરવસધબાયસમાંરાખેલછે .પરરપથનાઆઉટપુટઅને ઈનપુટવચ્ચે L.C. પરરપથ
દાખલકરેલછે .ઇન્ડકટર L1 અનેL એકબીજાસાથેઅન્યોઅન્યપ્રેરણથીસંકળાયેલાછે .
• ઓનસ્સલેટરપરીપથમાંઈનપુટવોલ્કટેજનીગેરહાજરીમાંપણઆઉટપુટમેળવીશકાયછે .
કાયધપવર્નત:-
• જ્યારેકળK ચાલુકરવામાંઆવેત્યારેઇન્ડકટર L1 માંથીકલેકટરપ્રવાહ IC પસારથાયછે .
આકલેકટરપ્રવાહ IC નુંમૂલ્કયસમયસાથેવર્ેછે .આથી, L1 સાથેચુંબકીયફ્લક્ટ્સવર્ેઅને
તેનાપરરણામેL સાથેસંકળાયેલફ્લક્ટ્સપણવર્ેઅનેકેપેનસટરCનીઉપરની્લેટર્નઅને
નીચેની્લેટઋણબને છે .જે રાનન્ઝસ્ટરનાફોરવડધ બાયસવોલ્કટેજનું મૂલ્કયપણવર્ારે છે .
આથી, IC પણવર્ે.જ્યાં સુર્ીકલેકટરપ્રવાહસંતૃ્તનબને ત્યાં સુર્ીઆપ્રરક્રયાચાલુ
રહેછે .
• જ્યારેકલેકટરપ્રવાહસંતૃ્તબનેત્યારેઇન્ડકટર L1 સાથેસંકળાયેલફ્લક્ટ્સબદલાવાનુંબંર્
થાય.આથી,L સાથેસંકળાયેલફ્લક્ટ્સઅચળબનેઅનેકેપેનસટરનીઉપરની્લેટઋણઅને
નીચેની ્લેટ ર્ન બનતી જાય. જે રાનન્ઝસ્ટર ના ફોરવડધ બાયસ વોલ્કટેજનું મૂલ્કય ઘટાડે
આથી IC ઘટે.જ્યાંસુર્ી IC શૂન્યનથાયત્યાંસુર્ીઆપ્રરક્રયાચાલ્કયાકરે.અનેકેપેનસટરC
રડસ્ચાજધ થયાકરે.
• આ પ્રરક્રયાનું પુનરાવતધન થયા કરે અને કલેકટર પ્રવાહ IC શૂન્ય અને મહતમ મૂલ્કય વચ્ચે
દોલનોકયાધકરે.અિેમળતાંદોલાનોનીઆવૃનત્ત
=
1
( = 2f )
LC
1
f=
2 LC
• VCC બેટરીના લીર્ે LC પરરપથને ઊજાધ મળે. આમ, ઓનસ્સલેટર વડે D.C. ઊજાધનું AC
ઊજાધમાંરૂપાંતરકરીશકાય.
Page 60
Semiconductor Electronics 14.61
વ્યાવહારરકઉપયોગ:-રેરડયો,T.V. અને રાન્સમીટરમાં ઉચ્ચઆવૃનત્તમેળવવા.ઓનસ્સલેટર
પરીપથનોઉપયોગકરી 109 Hz જે ટલીઉંચીઆવૃનત્તમેળવીશકાયછે .
54
64. રાનન્ઝસ્ટરઓનસ્સલેટરપરરપથમાં C = 100 PF કેપને સટન્સમાટે આઉટપુટનસગ્નલ1
MHz આવૃનત્ત વાળું મળે છે . તો 2 MHz આવૃનત્ત મેળવવા કેટલા મૂલ્કયનું કેપને સટર
વાપરવું જોઈએ?
ઉકેલ :-
• LC પરરપથમાંવોલ્કટેજકેપ્રવાહનાદોલનોનીઆવૃનત્ત
1
f=
2 LC
1
f
C
f2 C
= 1
f1 C2
2
f1 C1
=
f2 C2
2
2MHz 100PF
=
1MHz C2
100PF
C2 =
4
C2 = 25PF
રાનન્ઝસ્ટર અનેડાયોડનોઉપયોગકરીબનાવેલગેટ:-
:-
Page 61
14.62 Physics
Page 62
You might also like
- D.C. Circuit Imp 3 MarkDocument3 pagesD.C. Circuit Imp 3 MarkUk SalviNo ratings yet
- CBSE Class 12 Physics Sample Paper 2020.en - GuDocument13 pagesCBSE Class 12 Physics Sample Paper 2020.en - Gusagar panchalNo ratings yet
- GSEB Class 10 Science Notes Chapter 12 - GSEB SolutionsDocument6 pagesGSEB Class 10 Science Notes Chapter 12 - GSEB SolutionsKishan SolankiNo ratings yet
- M&RE - Final Exam 20NOV2023 GujaratiDocument26 pagesM&RE - Final Exam 20NOV2023 GujaratiankitsprajapatiNo ratings yet
- Gujarat Technological University: Diploma Engineering - Semester - 2 - Examination - Summer-2022Document2 pagesGujarat Technological University: Diploma Engineering - Semester - 2 - Examination - Summer-2022Heet GadhiyaNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument3 pagesGujarat Technological Universitykrish ki comedyNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument5 pagesGujarat Technological UniversityHeta PanchalNo ratings yet
- (Electrolys Is)Document34 pages(Electrolys Is)ganpatNo ratings yet
- Gujarat Technological University: Diploma Engineering - Semester - 1 - Examination - Winter - 2021Document3 pagesGujarat Technological University: Diploma Engineering - Semester - 1 - Examination - Winter - 2021Vatsal ModiNo ratings yet
- CH 13 NUCLEUS 2Document60 pagesCH 13 NUCLEUS 2dolar buhaNo ratings yet
- PHT 2020Document3 pagesPHT 2020Rick KingNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument2 pagesGujarat Technological UniversityMihir MaisuriaNo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 331103 Summer 2017Document2 pagesGtu Diploma in Aeronautical 331103 Summer 2017doyofit948No ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument4 pagesGujarat Technological UniversityDhaval MakwanaNo ratings yet
- D.C. Circuit Imp Questions 4 MarkDocument2 pagesD.C. Circuit Imp Questions 4 MarkUk SalviNo ratings yet
- TOM AssignmentDocument22 pagesTOM Assignmentalpesh Joliya ;No ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument4 pagesGujarat Technological UniversityRaj AminNo ratings yet
- Imp-Questions 4300005Document3 pagesImp-Questions 4300005PatelNo ratings yet
- Te 1Document4 pagesTe 1nitinmiskeNo ratings yet
- PHT 2021Document3 pagesPHT 2021Rick KingNo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 331103 Summer 2015Document3 pagesGtu Diploma in Aeronautical 331103 Summer 2015doyofit948No ratings yet
- FMHM 6Document10 pagesFMHM 6JaineshNo ratings yet
- DME Paper AnalysisDocument21 pagesDME Paper AnalysisPANTAX GAMINGNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument2 pagesGujarat Technological UniversityRjNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument2 pagesGujarat Technological UniversityRjNo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 331103 Summer 2014Document2 pagesGtu Diploma in Aeronautical 331103 Summer 2014doyofit948No ratings yet
- 3330904Document3 pages3330904ELENo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 3331101 Winter 2020Document4 pagesGtu Diploma in Aeronautical 3331101 Winter 2020doyofit948No ratings yet
- 3350903Document3 pages3350903Jigar SoniNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument5 pagesGujarat Technological UniversityNakum BhaveshNo ratings yet
- Unit 5 Wave Motion Its ApplicationsDocument1 pageUnit 5 Wave Motion Its ApplicationsPatelNo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 3331101 Winter 2017Document3 pagesGtu Diploma in Aeronautical 3331101 Winter 2017doyofit948No ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 3330103 Summer 2019Document3 pagesGtu Diploma in Aeronautical 3330103 Summer 2019doyofit948No ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument2 pagesGujarat Technological UniversityRajeshKoriyaNo ratings yet
- Yrestjyjytjydujgfngn YrhtyhthtghtgxhtghtgjhgtthyghDocument1 pageYrestjyjytjydujgfngn YrhtyhthtghtgxhtghtgjhgtthyghAnonymous naEAR9adNo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 3330103 Winter 2020Document4 pagesGtu Diploma in Aeronautical 3330103 Winter 2020doyofit948No ratings yet
- Chap 6 Theory 12 Physics by Sudhir Gambhava2023Document10 pagesChap 6 Theory 12 Physics by Sudhir Gambhava2023patelayush8141No ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument1 pageGujarat Technological UniversityAnonymous naEAR9adNo ratings yet
- Diploma Summer 2022Document3 pagesDiploma Summer 2022yash200patelworkNo ratings yet
- FhjyfcDocument3 pagesFhjyfcShivamNo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 3331101 Summer 2021Document3 pagesGtu Diploma in Aeronautical 3331101 Summer 2021doyofit948No ratings yet
- Ch-3 Fundamental Terms of ElectricityDocument35 pagesCh-3 Fundamental Terms of ElectricityganpatNo ratings yet
- Gtu Mechanical 3351902 Winter 2023Document4 pagesGtu Mechanical 3351902 Winter 2023kachhiyashyam25No ratings yet
- Diploma Summer 2019Document5 pagesDiploma Summer 2019ParthshahNo ratings yet
- Gujarat Technological University: Diploma Engineering - Semester - 5 (New) - Examination - Winter-2022Document3 pagesGujarat Technological University: Diploma Engineering - Semester - 5 (New) - Examination - Winter-2022SanjanaNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument4 pagesGujarat Technological Universitykrishgames546No ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument3 pagesGujarat Technological UniversityKrushil ParekhNo ratings yet
- Nov 16Document3 pagesNov 16bhattparthivNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument4 pagesGujarat Technological UniversityshekhadNo ratings yet
- Diploma Summer 2021Document2 pagesDiploma Summer 2021Mk TechnicalNo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 3331101 Winter 2018Document3 pagesGtu Diploma in Aeronautical 3331101 Winter 2018doyofit948No ratings yet
- Diploma Winter 2020Document4 pagesDiploma Winter 2020Mota MihirNo ratings yet
- Electric Charge and Field 1716343027Document7 pagesElectric Charge and Field 1716343027nindroda034No ratings yet
- Stereochemistry by Dr. U. P. Tarpada 1Document46 pagesStereochemistry by Dr. U. P. Tarpada 1suzaina mansuriNo ratings yet
- Gtu Diploma in Aeronautical 3330103 Summer 2021Document2 pagesGtu Diploma in Aeronautical 3330103 Summer 2021doyofit948No ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument3 pagesGujarat Technological UniversityMihir MaisuriaNo ratings yet
- Gujarat Technological University: Diploma Engineering - Semester - 5 (New) - Examination - Winter - 2021Document4 pagesGujarat Technological University: Diploma Engineering - Semester - 5 (New) - Examination - Winter - 2021Krushil ParekhNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument4 pagesGujarat Technological Universityk k suraniNo ratings yet
- Gujarat Technological UniversityDocument25 pagesGujarat Technological UniversityHarsh GadanNo ratings yet
