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［国家集成电路工程领域工程硕士系列教材丿

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电压基准是模拟电路设计 中不可或缺的一个单元模块，它为系统提供直流参考电压，
对电路性能，例如运算放大器的电压 增 益 和 噪声，都有显著的影响。 本 章主要讨论在
“ ”
CMOS技术中电压基准的产生，符重讨论通用的 带隙 技术。 首先，研究带隙电压基准
的基本原理，并介绍常用的带隙电压基准电路结构 ，以及衡员带隙电压基准性能的方法，
接着针对其中的 一 种结构介绍带隙电压基准的设计流程，随后分析带隙电压基准 输出噪
声和仿真方法，最后介绍一种低温漂带隙电压基准的结构和设计流程。

8. 1 带隙电压基准的性能参数

8. 1.1 温漂系数

温漂系数是衡狱带隙基准电压源输出电压随温度变化的一个性能参数， 其单位为
°
ppm/ C (lppm = 10-6) 。 表示当温度变化 1 "C时，输出电压变化的百万分比。 其计算公式为
6
［（基准电压最大值 － 基准电压最小值）／（基准电压的平均值X温度范围）]Xl0
符号表达式为
V叩• -Vmm
T= X 106 (ppm/°C) (8-1)
Vmean (Tmax - Tmtn)

8. I. 2 输出噪声

输出噪声是衡扯带隙基准电压源输出端噪声大小的一个性能参数。 该参数对噪声敏
感系统十分重要，例如，模拟－数字转换器 (analog心 gital converter, ADC 入低噪声放大器
(low noise amplifier, LNA) 等。 其计算方法为：测旮带隙基准的输出端的噪声谱密度，在
关心的频率范围内对噪声谱进行积分，然后对积分值进行开方，从而获得带隙基准输出端
在关心的频率范围内的噪声大小。

8. I. 3 功耗

功耗是衡朵电路 在正常工作情况下消耗电流多少的一个参数。 为了获得更小的噪声

以及更快的响应速度，都需要增加功耗。 然而芯片由千应用的要求，以及散热条件的制
约，其功耗是受到制约的。 因此每个单元电路都会有相应的功耗要求。

8. 1. 4 电源抑制比

电源抑制比 (power supply reject ratio, PSRR) 是衡租电路对电源线上噪声的 抑制能力的

参数。 对于带隙电压基准，在本章中定义电源抑制比为：电源电压变化引起的输出的增益。
 第8章 带隙电压基准 · 197 •

RSRR = dB20(6vouT/ 6·000) (8-2)

8. 2 带隙电压基准的基本原理

带隙电压基准的基本原理是将两个拥有相反温度系数(temp erature coefficient)的电

压以合适的权重相加，最终获得 具有零温度
系数的基准电压。例如，电压亿拥有正温�
度系数，电压亿拥有负温度系数，存在 合适
产：
的权痲a和p满足
a • 型 +{3 ．翌 = 0 (8-3) v_ (费 <o)
aT aT
这样就得到具有零温度系数的基准电压，其原 图8-1 带隙电压基准的一般原理
理如图8-1所示。基准电压的基本表达式为
v邸F = a又+ f3V- (8-4)
双极型晶体管(BJT)有以下两个特性：＠双极型晶体管的基极－发射极电压CVsE)电
压与绝对温度成反比；＠在不同的集电极电流 下，两个双极型品体管的基极－发射极电压
的差值(6VeE)与绝对温度成正比。因此，双极品体管可构成带隙电压基准的核心。

8.2.1 负温度系数电压

对于一个双极型晶体管，其集电极电流 (le) 与基极－发射极电压CVeE)的关系为

le = Isexp(VsdV-r ) (8-5)
其中，Is是双极型品体管的饱和电流； V-r =kT/q ,k为玻尔兹曼常常，q为电子电荷。进
一步利用饱和电流K的计算公式，可以得到VeE电压的温度系数为(IJ
avBE YsE - (4 + m)V T
—
凡/q
(8-6)
aT T
其中，m:=::::::-1.5, 尽= 1. 12 eV是硅的带隙能狱。当V8£:=::::::750mV, T= 300K时，aVsd
aT:=:::::: -1. SmV/"C。
从式(8-6)可见，Vs £ 电压的温度系数本身与温度有关，因此如果正温度系数是一个固
定值，与温度无关，那么在带隙电压基准中的温度补偿就会出现误差。这也是在后文中，
只能使得基准电压在一个温度点上获得零温度系数的原因。

8.2.2 正温度系数电压

如果两个同样的 晶体管<Is1 = [52 = ls,Is为双极晶体管饱和电流）偏笠的集电极电流

分别为n儿和 Io, 并忽略它们的基极电流，那么它们基极－发射极电压差值为
!:,.VsE =VsE1 -Vs£2

=VT ln�-VTln� = VT lnn (8-7)

ls1 I笠
I
因此，VeE的差值就表现出正温度系数[ ]
 · 198 · 模拟集成电路设计与仿真

at::.VaE k
=—Inn> 0 (8-8)
aT q
从式(8-8)中可以看出，这个温度系数与温度本身以及集电极电流无关。

8.2.3 实现零温度系数的基准电压

利用上面的正、负温度系数的电压，可以设计一个零温度系数的基准电压，有以下
关系：
VREF =a•VaE + /3• (V Inn)
T (8-9)
°
因为aV adaT =-1. 5mV/ C ,aVT /aT=O. 087mV/°C, 因此令a = l, 只要满足式(8-10),
便可得到零温度系数的VREF
{3• Onn)(O. 087mV/°C) = 1. 5mV/°C (8- 10)
即为 f3• Onn):::::::; 17. 2 (8-11)

8. 3 常用带隙电压基准结构

以下介绍两种常用的带隙电压基准的电路结构：
(1) 先产生一个和绝对温度成正比(proportional to absolute temperature ,PTAT)的
电流，再通过电阻将该电流转变为电压，并与双极型品体管的V旺相加，最终获得和温度
无关的基准电压。
(2) 通过运算放大器完成YsE和丛伍的加权相加，在运算放大器的输出端产生和温
度无关的基准电压。

8.3.1 利用PTAT电流产生基准电压

1. 电路结构和基准电压的生成

在8. 2. 2节中介绍了，如果两个双极品体管工作在不相等的电流密度下，那么它们的
基极发射极电压的差值就与绝对温度成正比。 那么将该电压差值作用在一个电阻上，并
利用电流镜拷贝流过该电阻的电流，就可以获得PTAT电流。 图8-2给出了一个常用的
产生PTAT电流的电路结构[ I•
在图8-2所水的电路中，Ms、M6和Ms构成电流镜，并且有

(t) s = (产） =点. (产） 8

6
(8-12)

使得I, =
Iz = IdM, 因此流过双极晶体管Q I 和Q 2 的电流相等，进而Q I 和Q 2 基极－发射
极电压的差值为AVsE =VTlnn, 和绝对温度成正比。 其中 n是Q, 和Q 2 管并联个数的比
值。 另外，运算放大器 A 1 的存在，使得节点X和Y有相同的电位，即Vx::=::::Vy 。 因此，电
阻凡上的压降为双极晶体管 QI和 Q2基极－发射极电压的差值 AVaE =VT lnn。 因 此
Ms、M6和Ms管的源漏电流分别为
I1 = I2 = (VT •lnn)/R 1 (8-13)
J3 = M•( VT •lnn)/R 1 (8-14)
 • 200 · 模拟集成电路设计与仿贝

Y
X+-X
= Av1
1+Av1依－即
� 1

(31 - {Jz
I Av1 -oo (8- 17)

根据图 8-3 中的电路图有以下关系：

1(31 l=gmsCR1 +RQ1) (8- 18)
I (32 I =gm6Ro2 (8-19)
其中，Ro; 表示双极型晶体管Q; 发射极对地的等效电阻，
VT ＝ VT ＝ R1
RQ1 = Ro2 ＝ Inn
(8-20)
le VTlnn/R1
将式(8-18)和式(8-19)代入式(8-17), 可得

JAi do,cd-loop = = (8-21)

/31 - /32 gm sRt
另外， 从图 8-3 中可得基准电压为
R2
Y RtF = Yei::. QJ ＋ -•M• 贮• Inn (8-22)
R1
在8.2.3 节中的计算已经表明，为了使得基准电压拥有笭温度 系数，需要满足
R2
—•M• ln n = l7.2
R1
17. 2R1
即为 R2 (8-23)
M Inn

又因为
恺） M8 = M( 孚） MS
(8-24)

所以 伍= M• Ios (8-25)
gm s = M•gm5 (因为Vcsa = V心 (8-26)
Roi (8-27)
Ro3
M
得到从误差放大器输入端到基准电压 输出端的总增益为
A,0U1I =Aclo•ed loop•gm8 (R2+RQJ)

=
1
•M•g ms(
17. 2R1 +坠
卢I Minn M)
17.2R1 R1
=—•M•gms( +-)
卢1 Minn Minn
＝坠J. = M• 邑+ _!__ (8-28)
In n R1 In n
综合考虑MOS管的热噪声和闪烁噪声。 MOS管沟道中噪声电流的谱密度为

芦= 4kT祁 m+ 己
Kg� (8-29)

图 8-5 给出了图 8-4 中带隙电压基准的电路实现。 为了计算带隙基准的输出噪声，

需要将各个MOS管所产生的噪声等效到误差放大器的输入端(Ms管除外，因为该管不
在反馈环路中），再乘以式(8-28)计符出的系统增益 。 因此，注意到Rq1 =RQ2 =Rq, 可计
算得到各个MOS管在输出端产生的噪卢
2

亡I M3,4 =[ 4kT丫釭!+
吐
凡 g�3 M
心 C。,(WL)d ] R1 +上
lnn)(邑 (8-30)
 第81,'c 带隙电压基准 · 201 ·

武 IM。 1 = [4kT勹卢＋ 瓦森丘］（贷 M+ 点） 2

.
(8-31)

汇 IM, = [ 4kTyg志十己树�]<R1+R 矿（贵M+ 点） (8-32)

2
亡 IM,= [ 4k乃g n,8 十三：：瓦］（凡＋贷） (8-33)

片Kl

Ms

Iii
R,

Qi

图 8-5 带隙基准电压源中主要 MOS 管的噪声

8.3.2 在运放的输出端产生基准电压

1. 电路结构和基准电压的生成

通过图 8-6 中的电路，可以在运放的输出端直接实现正温度系数电压和负温度系数

电压的加权相加[1,Z
]

在图 8-6 中，由千放大器A 1 的存在，使得节点 X 和 Y 有相同的电位，即Vx =Vy。因

为凡和凡相同，因此流过双极晶体管Q, 和Q的电流值为
VREF -Vx,Y (8-3 4)
Ic,Q1 = Ic,qz =
R1.2
根据 8. 2. 2 节中的分析，Q和Qz基极－发射极电压的差值为丛伍 =VTlnn, 和绝对
温度成正比，其中n是Qz和Q I 管并联个数的比值。因此流过电阻凡和凡的电流为
VTlnn/R 3 , 则运算放大器输出端的电压为
(R 2 +R 3 ) • r (8-35)
VR£1' = VsE,Q2 + V lnn
R3

根据 8. 2. 3 节的分析，当R2,凡和n满足关系
CR 2 +R 3 )
R3
~ —17Inn
�2 时，带隙电压基准可
以在 T=300K 时获得零温度系数。

2. 输出噪声

图 8-7 展示了图 8-6 中带隙电压基准的反馈环路。其中A1是放大器，培益为Av1 ;Bi

 · 202 • 模拟集成电路设计与仿贞

R, R,

YT 夕，
v旺I·
x令
-!- y阳

x_

图8-6 带隙电压基准电路 图8-7 带隙基准电压源的

系统结构图
是 R 1 和 QI 构成的分压网络，增益为伈；比是 R 2 , 凡和 Q2 构成的分压网络，增益为伐。
由图 8-7 得到系统的传递函数为
[<X+-f31 V R£F )-(X_-132 V 旺F)]Av1 = VREF (8-36)

因此，当误差放大器的增益足够大时
VREF = Av1 � 1 I
X.._- x_ 1 + Av1 (/3 1 -/32) /31 - /32 Av1-oo
(8-37)

RQ
I /31 I = (8-38)
R1 +RQ
R 3 +R Q
I /32 I= (8-39)
R 3 +R2 +R Q

A I closed-loop ＝ 伈 一 伈 ＝
1 1
I Rl +R Q RQ
Rz+R l +R Q 凡 +R Q
(Rz +Rl +R心CR 1 +R砬
(R3 +R砬<R 1 +R砬-(Rz +RJ +R Q )R Q
(R2 +R 3 +R心CR1 +R心
R 1 凡+RQR1 +R3 凡+R�-R 2 凡-R3氐-R�
= (R2 +R3 +R Q HR1 +R心 (8-40)
R 1 R3
根据式 (8-35)和 8. 2. 3 节中的分析，电阻 Rz, 凡和双极晶体管并联个数比值 n 的关
系为

R 1 = Rz = (岩— 1)R 3 (8-41)

VT VT
R Q =�= = =邑 (8-42)
Ic t::.VadR3 VTlnn/R3 lnn

I A I dosed-loop =I_.!_ I= (Rz +R 3 +R Q )(R1 +R砬

/31 伐
一
凡 R3