淺論電子學

開課學校：國立交通大學

授課教授：陳龍英 教授

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 單元一：基本半導體概念

 單元二：接面二極體

 單元三：雙極性接面電晶體

 單元四：金氧半場效電晶體

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單元三：雙極性接面電晶體
(Bipolar Junction Transistors)(BJTs)
 3-1 元件結構
 3-2 電流與電壓特性
 3-3 偏壓電路及直流分析
 3-4 小訊號電路模型
 3-5 基本放大器

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3-1 元件結構(Device Structure)
• 二極體為兩端元件，其缺點為：沒有放大功能，因此用途有限。
• 需要一個具有放大功能的元件，應至少為三端元件
。 如何製作一個電流控制(current controlled),電流放大器(current amplifier)的元件？
。 需求： ii io
vi
▪ Ri ：小  電流易進入元件  順偏的 pn 接面


▪ Ro：大  電流易推動負載  逆偏的 pn 接面 is RS A  ii vo RL

Ri 
Ro
▪ A ：大(≠0)  仍有輸出訊號 (io, vo)
io Ri Ro
Rs
?
vs
vs is  is RS RL
Rs

Thevenin’s Norton’s Ri Ro load

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 。 小 Ri  大 Ro

p n p E C

B
small Ri large Ro

。 Transfer Resistor  Transistor

。 電晶體發明人：Bardeen, Shockley, Brattain, in Bell Lab, 獲諾貝爾物理獎

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● 平面型電晶體(Planar transistor)
• npn

。 E ：射極 (emitter)
。 B ：基極 (base)
。 C ：集極 (collector)

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● 如何使 A 增大 (≠0)
Small W B
W B  L n
N D  N A
• npn n+ p n
ND NA
IC
IE

IE recombination
IC
recombination
IB2

very
small
I B1

。 IC + IB = IE I B  I B1  I B 2

。 應使 IC ≈ IE  IB1、IB2 要小
。 平面型電晶體製作上  WB 要小
 NE >> NB >> NC

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● 電路符號

npn C pnp E

I C
IE

I B
I B

B B

IE IC

E C

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● 工作區

射極接面 集極接面 工作區 備註

Forward Reverse (Forward) Active I E  IC  I B
順向偏壓 逆向偏壓 主動區
Reverse Reverse Cutoff I B  0 IC  0 IE  0
逆向偏壓 逆向偏壓 截止區
Forward Forward Saturation VCE, sat  0.1 ~ 0.2 V
順向偏壓 順向偏壓 飽和區
Reverse active
Reverse Forward
( or Inverted) 不常用
逆向偏壓 順向偏壓
反向主動區

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3-2電流與電壓特性 (I-V Characteristics)
• 以主動區之 npn 電晶體為例 C

iE  iC  I S exp  BE 
v
iC
 VT 
iB
。 Scale current B
2 
A qD n
I S  E n i ~ 10 14 A vBE
N AWB  iE
iC  1 i
iB  iE  iB  iC  iC  C iC  I C  ic iB  I B  ib
   E

iC iC I C ic
    共射極電流增益(Common emitter current gain) : 50 ~ 200
iB iB I B ib

iC iC I C ic
     共基極電流增益(Common base current gain)
  1 iE iE I E ie

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• 輸入特性(Input characteristics) – iE (iB) - vBE iB iE
iE
iB
 IS  vBE 
i 
 B  exp  V 
 T 

iE  I S exp  vBE 
   VT 
vBE
0.5V 0.7V

• 轉換特性(Transfer characteristics) – iC - vBE iC

iC  I S exp  BE 
v  2mV
C
T
 VT 

vBE
0.5V 0.7V

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• 輸出特性(Output characteristics) – iC - vCE
由 iC  I S exp  vBE V 
 T 

。 當 vBE 為定值時， iC 應亦維持定值，而與輸出電壓 vCE 無關

vCE
▪ 即   ，電晶體在主動區時跨於集極、射極間的輸出電阻 ro 應為 ∞
iC
。 實際上，電流 iC 在主動區，不是維持定值，而會隨著 vCE 增加而微增
▪ VA: 厄列電壓(Early voltage)，其值視製程而定，一般在 10 ~ 100 V 之間
▪ vCE,sat 為電晶體工作於飽和區時，跨於集極 (C) 與射極 (E) 間的電壓，一般為 0.1 ~ 0.2 V
iC vBE 3 iC iC vBE 3

vBE 2 vBE 2
Q
I CQ iC
vCE
vBE1 vBE1

vCE vBE vCE

0.2V 0.5V  VA 0.2V vCEQ
v CE , sat

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● 厄列效應 (Early Effect)
• 為何電流 iC 在主動區，不是維持定值，而會隨著 VCE 增加而微增？
。 當集極接面(collector junction)逆向偏壓增加時，其空乏區變更寬，等效的基極寬度(WB)會變
窄，使得集極電流隨之增加，此稱厄列效應 (Early Effect)
vCE ↑  WB ↓  IS ↑  IC ↑ ( I S  1W )
B

。 考慮厄列效應後， iC 式應修正為
Wdep 
 
iC   I S exp  vBE  (1  CE )
v WB 
  VT  VA
E C
。 跨於集極、射極間的輸出電阻 ro 並非 ∞
VA  VCEQ VA
ro   (VA  VCEQ )
I CQ IC B

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 iB
 VCC

● 電晶體開關(Switch) iC RC

取 iB – vBE 為等電壓降 0.7V 模型:

C vC vO 

• 當 vI < 0.7V RB
B
vI Q
 EB接面: 逆偏 & CB接面: 逆偏 0.7V
vBE
iB
E
 電晶體(Q)工作在截止區
 iB = 0, iC = 0
 vC = VCC - iC × RC = + VCC iB , iC , vC (vO )

• 當 vI > 0.7V ， vC > vCE,sat = 0.2V

vC (vO )  VCC

 EB接面: 順偏 & CB接面: 逆偏 • 當 vI ↑ ↑ iC

I C ( sat )
 電晶體工作在主動區  電晶體進入飽和區 iB

vI  0.7V
 iB 
RB
 vC = VCE,sat = 0.2V
VCC  VCE ,sat vI
 iC    iB 
VCE ( sat ) =0.2V
(斜率為 iB 的 β 倍) iC   I C ,sat 0.7V
RC
cut-off active saturation
 vC = VCC - iC × RC
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3-3 偏壓電路及直流分析
(Biasing Circuit and DC Analysis )
• 功用
。 透過偏壓電路的適當設計，建立電晶體適中且穩定的工作點 (operating point) (Q 點)：
IC、VC 值
▪ 如此電晶體操作時，能維持在主動區不會進入截止區或飽和區
• 偏壓電路類型
。 固定偏壓電路
。 自偏壓電路
。 電流回授式偏壓電路
。 混合型偏壓電路
。 定電流偏壓電路

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  VC C
● 電流回授式偏壓電路
R1 IC RC

• 此為典型的應用在 discrete BJT 的偏壓電路 VC

• IC ↑ (IE ↑)  VE ↑  (VB- VE)= VBE ↓ IB

 IC ↓ (IE ↓)  …
VB
。 工作點 (Q) 穩定! (由於 RE 的作用)
VE
IE
• 若無 RE，可能發生以下的情況:  VCC R2 RE

。 IC ↑  T ↑  IC ↑  熱跑脫 (thermal runaway)

• 求出此電路在 DC 時的特性 Thevenin’s Theorem
R1 R BB  R1 || R 2
。 IB、IC、IE、VB、VC、VE 
R2
• 可利用 Thevenin’s Theorem 化簡 V BB  VCC 
R2
R1  R2

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 VC C
• 假設電晶體 Q 工作在 主動區:
IC RC

(1) I E  (  1) I B VC
IB
RBB  R1 || R2
(2) VBB  I B RBB  VBE  I E RE ( 取 VBE  0.7 V ) 
+
R2 VB
V BB  VCC  VBE
R1  R2 - VE
▪ ∴可以解出 IB 以及 IE  即可解得其他的 I 、V 值
RE

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 VC C

VBB  0.7
IB 
RBB  (   1) RE IC RC

VBB  0.7 VC
I E  (   1) I B  (   1)
RBB  (   1) RE IB
RBB  R1 || R2
VBB  0.7 
 +
RBB VB
 RE V BB  VCC 
R2
VBE
(   1) R1  R2 - VE
RE

• 從基極端看，RE 被放大 (β+1) 倍，因為電流 IE = (β+1) IB

• 從射極端看，RBB 被縮小 (β+1) 倍，因為電流 IB = IE / (β+1)
• 此觀念稱為「電阻反射」，僅使用在主動區

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 VC C

• 直流分析 IC RC

IC    I B VC

VB  I E RE  0.7 (或 VB  VBB  I B RBB ) RBB  R1 || R2

IB

VC  VCC - I C RC +

R2 VB
。 若 VBC (=VB-VC) < 0.5 V ，集極接面為逆偏， V BB  VCC  VBE
R1  R2 - VE
此電晶體確實工作於主動區 RE

。 若 VBC > 0.5 V ，表示集極接面應為順偏，電晶體應工作在飽和區，

故 VCE = VCE,sat = 0.2 V ，重新分析此電路

VC  VE  0.2 …… (1) VCC  VC VBB  VB VE

 
VB  VE  0.7 …… (2) RC RBB RE …… (3)

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 VC C
● 定電流偏壓電路
RC

• 此電路的定電流源 (constant current source) 使 IE = I 之定電流值，故

Q 點得以穩定
• 定電流源電路 RB IE

。 Q1 和 Q2 為匹配(matched)的電晶體 I

。 β 大  忽略基極電流

V  (VEE )  VBE VC C
I REF  CC
R
I REF R I
。 Q1 和 Q2 有相同的 VBE ，若 Q2 工作於主動區
Q1 Q2
V  VEE  VBE +
I  I REF  CC  定值 VBE
R -

• 定電流源亦稱為電流鏡(current mirror)
VEE (或接地)

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• 定電流偏壓電路的直流分析
VC C
IE  I
I
IB  RC
 1 IC
VC
VB  - I B RB VB
IB

VE  VB - VBE +
VE
IC    I RB
VBE IE
-
VC  VCC - I C RC I

。 VBC 應 < 0.5 V

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3-4 小訊號電路模型(Small-signal Circuit Models)
• 每一個電壓或電流訊號，皆包含直流成分＋訊號成分

iB  I B  ib
vBE  VBE  vbe
iC  I C  ic
vCE  VCE  vce
iE  I E  ie
vBE VBE vbe

 

t t t

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• 分析各種 BJT 放大器的特性時，需借助 BJT 小訊號模型
• 小訊號要多小，才能夠適用於 BJT 小訊號模型分析？
V
。 若 vbe  VT ，通常取 vbe  T  6 mV 為小訊號近似(small signal approximation)
4
(VBE  vbe )   vbe   vbe 
• 由 iC  I S exp  
 I C exp    I C 1   exp x  1  x
 VT  VT   VT 

• 即當 vbe 為小訊號( vbe  VT )時， ic 訊號與 vbe 訊號具有線性關係：

IC
ic  vbe
VT
• gm – 互導(mutual conductance) 或 跨導(transconductance)
ic I
gm   C
vbe VT
i    vBE  I
或 gm  C   S
I exp    C
vBE V vBE   VT  VBE VT
BE

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• 基極電阻(Base resistance)
。 基極輸入端電壓訊號與基極輸入電流訊號的比值
1
vbe vBE  1 iC   VT VT
r       
ib iB   vBE  gm IC IB
• gm 與 rπ 之關係:
IC
g m  r  
IB

• BJT小訊號的電路模型為何？
。 小訊號模型
▪ π-模型(π-model)
▪ T-模型(T-model)

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 
● π-模型(π-model) ic
 gm  v  V
IC
ic
ib
 be T
B C  vbe VT
  r  
vbe r g m vbe  ib IB

  ib g  r  IC  
 m  I
 B

E
• 在 π-模型中， vbe 常表為 vπ
• 考慮厄列效應： (ro  )
ib ic

B C
。 輸出電阻(Output resistance) 

iC VA  VCEQ VA 1 v be r g m v be
ro

ro  [ ]1    
  ib

vCE VBE const.

I CQ I CQ IC
E
 ：CE short-circuit current gain

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 由vbe  ie re  ib r 得：
● T-模型(T-model)
C

ic  vbe VT
 re  i  I
  ie
g mvbe
ib
  ib  e E

 r  (   1)re
B 
ie  g  ic  I C
vbe
 m vbe VT

re
 I
 g m  re  C  
E
C
 IE
• 考慮厄列效應：
  ie
g mvbe
ib
  ib
ro
B 

vbe
re


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3-5 基本放大器(Basic Amplifiers)
• 可分為三種組態
。 共射極組態 CE (Common Emitter Configuration)
。 共基極組態 CB (Common Base Configuration)
。 共集極組態 CC (Common Collector Configuration) (Emitter Follower)
• 假設
。 採定電流偏壓電路， Q 點位置恰當
。 輸入端已化簡成戴維寧等效電路
。 vbe << VT → 小訊號近似
。 ro >> RC , RL
• 對此三種組態(CE、CB、CC)的基本參數特性: (考慮中低頻)
。 Rin 、Rout、Ai 、Av、Gv (輸入電阻、 輸出電阻、電流增益 、電壓增益、總電壓增益)
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● 共射極放大器 (CE Amplifier)
• 假設直流分析(DC Analysis)已經完成，僅考慮訊號部分
。 視旁路電容(bypass capacitor) CE 為短路 RC
V CC
vo
C
RC

vO v i
RS R

out
C B

vs +
RS
v I
R out
-
B
E
+ R in
-
v S  VS  v s
E
R in

Thevenin's equ. ckt C

I E

 V EE

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 使用 π-模型分析此電路，計算 Rin 、Rout、Ai 、Av、Gv (輸入電阻、 輸出電阻、電流增益 、電
壓增益、總電壓增益)

vi v ii  ib ic
(1) Rin    r
Rs
vo
ii ib B C
vi    ib
(2) i i vs v r ro RC
Ai  o  c
g m v

io
ii ib
ro E
 (   ib )  R in

ro  RC   ro
    Ro Rout

ib ro  RC

• β：共射極短路電流增益 (common emitter short circuit current gain)

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 vo vo ( g m v )  (ro || RC ) ro || RC
(3) Av      g m  ( ro || RC )  
vi v v re
集極端的總電阻
 基極與集極間的電壓增益 A v    
射極端的總電阻
vo v vo r ( g m v )  (ro || RC )
(4) 總電壓增益 Gv     
vs vs v Rs  r v
r r
  g m  (ro || RC )    g m RC  
Rs  r Rs  r
(5) Ro ?
。 令 vs  0 ( is  0 ) (將輸入端之獨立訊號源設為 0 )，於輸出端施加一測試電壓 vt
，得一測試電流 it
it
Rs
vt
Ro   ro
it vs  0 vs  0 ckt vt
Ro
 Rout  ro || RC  RC
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● 共基放大器 (CB Amplifier)
• 假設直流分析已經完成，僅考慮訊號部分
 VCC
。 視耦合電容 (coupling capacitor) 為短路
RC

vo
C
Ro
B Rout

vi
E
R in
Rs

CC
vS I

Thevenin's equ. ckt

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 使用 T-模型分析此電路，計算 Rin 、Rout、Ai 、Av、Gv (輸入電阻、 輸出電阻、電流增
益 、電壓增益、總電壓增益)
re
      
C
設 or i i , v v v
Rs  re
i e i s o

(1) Rin  re (很小)  i

i e
o

   ie
g v m be
i  i
(2) Ai  o     1 B R b
C

ii  ie r

o

vo    ie  RC   RC vbe
ie

(3) Av  v   i  r 
re
re
i e e  Rout

vo    ie  RC
Ro
  RC
Rs E
ii
(4) Gv   
vs  ie  re  Rs  re  Rs 
vi
R in

vs

(5) Ro  
(6) Rout  Ro || RC   RC
 註: CB 的高頻響應是上述幾種放大器中最好的架構！

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● 共集極放大器 (CC Amplifier)
• 共集極放大器 (Common Collector Amplifier)
。 射極隨耦器(Emitter Follower)  V CC

• 假設直流分析已經完成，僅考慮訊號部分 C

。 CC 視為短路 Rs
vi

B
Ro
vs
E
vo

CC
RL
Thevenin's equ. ckt I R out
R in

 V EE

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 使用 T-模型分析此電路，計算 Rin 、Rout、Ai 、Av、Gv (輸入電阻、 輸出電阻、電流增益
、電壓增益、總電壓增益) C
C
g mvbe g mvbe
ii ib   ib ii ib   ib
Rs Rs vi
vi
ro
 B
  B

vs vbe re vs vbe re

 
E Ro E
R in R in
vo vo
io io RL
ro
RL Rout

Ro Rout

(1) Rin    1 re  ro || RL     1 RL (大) ro  RL  re

ro
   1  ib 
io ro  RL ro
(2) Ai       1     1 (大)
ii ib ro  RL

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  r || RL 
vi   o 
vo  re  ro || RL  ro || RL
(3) Av     1 (小)
vi vi re  ro || RL

  Ri     ro || RL  
 s 
v   
   i 
v   
(4) vo  vi   vo    Ri  Rs     re  ro || RL  
  
Gv          
vs  vs   vi   vs   vi 
   
   


Rin

ro || RL

  1RL

ro || RL
 1   1   1
Rin  Rs re  ro || RL Rs    1RL re  ro || RL (小)
• 電壓增益雖然小於 1 但接近 1 ，故共集極放大器又稱射極隨耦器
• 電壓增益雖然小於 1，但是
。  變化對電壓增益的影響小
。 Rs 變化對電壓增益的影響小
( Rs 可視為前一級放大器之輸出阻抗)

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  Rs   Rs   R 
(5) Ro    re  || ro    re  (小) ro   s  re 
   1     1     1 

 Rs   Rs 
Rout    re  || ro || RL    re  || RL (小)
   1     1 

大 Rs
共集極
vo
放大器

vs 小 RL

大 Ri 小 Ro

 因為共集極(common collector)組態具有高輸入阻抗，以及低輸出阻抗之特性，
因此通常用作輸出級(output stage)，或電壓緩衝器(buffer)使用！

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● 基本放大器比較 (設 ro >> RC , RL)
CE CB CC

Ai  最小  最大   1
 1

Ri r 最小 re 最大  1 RL

  RC RL
Av  g m RC  g m RC 最小 1
re re  RL

r   RC 最小   1R RL
Gv  g m RC   1
L

Rs  r re  Rs  Rs    1RL re  RL

 R 
Rout RC RC 最小  s  re  || RL
   1 

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