雙載體電晶體的結構與操作原理

E p+ n p C E n+ p n C

iE B iC iE B iC
E C E C

iB B iB B

•射極特別被標出，箭號所指的極為n型半導體，和二極體的符號一致。
•在沒接外加偏壓時，兩個pn接面都會形成空乏區，將中性的p型區和n型
區隔開。

半導體物理與元件 5-1
中興物理 孫允武
BJT被偏壓在順向活性區(forward active)
空乏區
E p+ n p C

順向偏壓 逆向偏壓
B

VEB VBC
位能 無外加偏壓
EB接面的空乏區由於在順
E B C 向偏壓會變窄，載體看到
的位障變小，射極的電洞
電洞位能分佈 會注入到基極，基極的電
子也會注入到射極；
電子位能分佈
位能 偏壓在順向活性區 而BC接面的空乏區則會變
寬，載體看到的位障變大，
E B C 故本身是不導通的。

半導體物理與元件 5-2
中興物理 孫允武
 射極的電洞注入基極的n型中性
pnp電晶體在順向活性區時主要的電流種類
區，馬上被多數載體電子包圍
遮蔽，然後朝集極方向擴散，
射極電洞注入基極 同時也被電子復合。

復
當沒有被復合的電洞到達BC接
電洞位能分 面的空乏區時，會被此區內的
合 WB 佈 電場加速掃入集極，電洞在集
E B C
p+ n p 極中為多數載體，很快藉由漂
移電流到達連結外部的歐姆接
IpE→B 點，形成集極電流IC。
IpE→C
IE IC
IC的大小和BC間逆向偏壓的大
逆向飽和電流 小關係不大。基極外部僅需提
IErec InB→E 供與注入電洞復合部分的電子
流IBrec，與由基極注入射極的電
IBrec
子流InB→E（這部分是電晶體作
IB 用不需要的部分）。
復 電子位能分
InB→E在射極與與電洞復合，即
合基極電子注入射極
佈
InB→E=IErec。

半導體物理與元件 5-3
中興物理 孫允武
電流關係
射極電流 IE=IpE→B+ IErec = IpE→B+ InB→E =IpE→C+ IBrec + InB→E
基極電流 IB= InB→E + IBrec= IErec + IBrec
集極電流 IC =IpE→C= IE - IErec - IBrec= IE - IB
IE = IC + IB
射極注入基極的電洞流大小是由EB接面間的順向偏壓大小來控制，和二極體
的情形類似，在啟動電壓附近，微小的偏壓變化，即可造成很大的注入電流
變化。更精確的說，BJT是利用VEB（或VBE）的變化來控制IC，而且提供之IB
遠比IC小。

I ~ I ∝e
C E
qVEB / kT

電晶體設計時，射極的摻雜濃度較基極的高許多，如此由射極注入基極的射
極主要載體電洞IpE→B電流會比由基極注入射極的載體電子電流InB→E大很多，
電晶體的效益比較高。

半導體物理與元件 5-4
中興物理 孫允武
基極中性區的寬度WB愈窄，電洞通過基極的時間愈短，被多數載體
電子復合的機率愈低，到達集極的有效電洞流IpE→C愈大，基極必須提
供的復合電子流也降低，電晶體的效益也就愈高。
WB
IpE→B
IpE→C
復
合 C
E 電洞位能
B

集極的摻雜通常最低，如此可增大CB極的崩潰電壓，並減小BC間逆
向偏壓的pn接面的逆向飽和電流ICBO，這裡我們忽略這個逆向飽和電
流。

半導體物理與元件 5-5
中興物理 孫允武
 電晶體的效益相關參數 注入效率(injection efficiency)

射極電洞注入基極 I pE → B I pE → B
γ= =
IE I pE → B + I nB → E
復 電洞位能分
合 WB 佈 傳輸因子(transport factor)
E B C
p+ I pE →C I pE →C
n p
αT = =
IpE→B I pE → B I pE →C + I Brec
IpE→C
IE IC 共基極極電流增益(common
base current gain)
逆向飽和電流
IErec InB→E IC I pE →C
α= = = γα T
I E I pE → B + I nB → E
IBrec
共射極電流增益(common
IB emitter current gain)
復 電子位能分
合基極電子注入射極
佈 IC IC α
β= = =
I B I E − IC 1 − α
半導體物理與元件 5-6
中興物理 孫允武
 υ EB / VT
電流增益與BJT參數的關係 pnp BJT n p 0e
EC
參考二極體方程式的推導過程 InB→C
p
AE qDn n p 0 2
AE qD n υ EB /VT B C
υ EB / VT EV
I nB→ E = e = n i
e p
E
Ln N AE Ln 復
n 合
⎛ dp ⎞ ⎛p ⎞
I pE →C = AE qD p ⎜ ⎟ ≈ AE qD p ⎜⎜ n 0 ⎟⎟eυ EB / VT QB
IpE→C
⎝ dx ⎠ ⎝ WB ⎠ IpE→B
AE qD p ni2 υ EB / VT υ EB / VT
WB
= e = ISe
N DBWB 可以計算 υ EB / VT
這裡忽略了一個小 注入效率γ pn 0 e
≈ iC 的基極復合電流

基極復合電流 QB AE qpn 0WB υ EB / VT QB：基極儲存少數載體

I Brec = ≈ e
τB 2τ B τB：基極少數載體生命期
AE qni2WB υ EB / VT
= e
2τ B N DB
半導體物理與元件 5-7
中興物理 孫允武
 基極總電流
iB = I nB →C + I Brec
⎛ AE qDn ni2 AE qni2WB ⎞ υ EB / VT ⎛ Dn N DB WB 1 WB2 ⎞ υ / V
= ⎜⎜ + ⎟⎟e = IS ⎜ + ⎟e EB T
2τ B N DB ⎠ ⎜D N L τ ⎟
⎝ N AE Ln ⎝ p AE n 2 D p B ⎠
υ EB / VT iE iC
根據定義 iC = βiB = I S e E C

故⎛⎜ Dn N DB WB 1 WB ⎞⎟ ⎛ Dn N DB WB 1 WB2 ⎞
2
β =1 ⎜ + =1 ⎜ ⎟
⎜ D N L + 2 L2 ⎟
iB B
⎟
⎝ D p N AE Ln 2 D pτ B ⎠ ⎝ p AE n p ⎠

iC i β 若要求β(或α）愈
α= = C =
iE iC + iB 1 + β 大愈好，則左式
分母應愈小愈好：
1 1 Dn N DB WB 1 WB2
α= ≈1− = 1− − = γαT NAE>>NDB
1 + 1/ β β 2
D p N AE Ln 2 Lp WB<<Ln
Dn N DB WB 1 WB2 npn型較pnp型好
γ = 1− αT = 1 −
D p N AE Ln 2 L2p 半導體物理與元件 5-8
中興物理 孫允武
npn電晶體的相關公式

iC = βiB = I S eυ BE / VT iE iC
E C
AE qDn ni2
IS = iB B
N ABWB

⎛ D p N AB WB 1 WB2 ⎞ ⎛ D p N AB WB 1 WB2 ⎞
β = 1 ⎜⎜ + ⎟=1
⎟
⎜
⎜ D N L + 2 L2 ⎟
⎟
⎝ Dn N DE Lp 2 Dnτ B ⎠ ⎝ n DE p n ⎠

1 D p N AB WB 1 WB2
α ≈1− = 1− − = γαT
β Dn N DE Lp 2 Ln2

D p N AB WB 1 WB2
γ = 1− αT = 1 −
Dn N DE Lp 2 L2n

半導體物理與元件 5-9
中興物理 孫允武
 pnp與npn BJT的比較
電流方向 電流方向

射極電洞注入基極 射極電子注入基極

E C E C
p 復合 p IC
n
復合 n IC
IE IE
n p
VEB IB VBE IB
B B

Transit time & recombination time

τt:基極少數載體通過基極的平均時間
WB
IE→B QB
QB IE→C
QB τt 1 τt
αT = = ≈1−
QB QB τt τB
復 τt τt
+
τB
1+
τB
合 C
E
B QB 1 WB2
基極少數 τt =
τB 載體位能 2 DB 半導體物理與元件 5-10
中興物理 孫允武
例題 有一批npn電晶體， α分佈在0.990到0.995之間，請求出他們
的β分佈範圍。
α α = 0.990 β=
0.990
= 99.0
β= 1 − 0.990
1−α 0.995
α = 0.995 β= = 199
1 − 0.995

故β分佈在99.0和199之間。這裡可以看出α一點點的變化會造成b很大的變化。

例題 一npn電晶體，β=100，偏壓在順向活性區，IC=10 mA。求出IE與IB。

IC 10 mA
IB = = = 0.1 mA
β 100
I E = ( β + 1) I B = 101 × 0.1 mA = 10.1 mA

半導體物理與元件 5-11
中興物理 孫允武
 Ebers-Moll模型
pnp BJT被偏壓在順向活性區(forward active)的大訊號模型
More details
E p+ n p C
iC = α F iE + I CBO
順向偏壓 逆向偏壓
B DE
E
C
VEB VBC iDE αFiDE
iE iC DC
E C
ICBO
電流很小的部分
iB B B 逆向偏壓的二極體

DE α F iDE = I S (eυ EB / VT
)
− 1 ≈ I S eυ EB / VT
C
E
iDE =
IS
αF
(eυ EB / VT
−1 )
iDE αFiDE
B 半導體物理與元件 5-12
中興物理 孫允武
Ebers-Moll （EM） Model for pnp BJTs

E DE DC iE
C iC
E C
iDE iDC
iB B

αRiDC αFiDE
B

(
iDE = I SE eυ EB / VT − 1 ) α F I SE = α R I SC = I S
iDC = I SC (e υ CB / VT
− 1) αF: forward alpha
αR: reverse alpha
iDE =
IS
αF
(e
υ EB / VT
− 1) iE = iDE − α R iDC
iC = −iDC + α F iDE
iDC =
IS
αR
(e
υ CB / VT
−1 ) iB = iE − iC = (1 − α F )iDE + (1 − α R )iDC
半導體物理與元件 5-13
中興物理 孫允武
 E DE DC
The pnp BJT terminal currents C

iE iDE iDC iC

iE =
IS
αF
(eυ EB / VT
) (
− 1 − I S eυCB / VT − 1 ) αRiDC
B
αFiDE
iB
(
iC = I S e υ EB / VT
−1 − ) IS
αR
(e υ CB / VT
−1 )
iB =
βF
IS
(e υ EB / VT
−1 + ) IS
βR
(e υ CB / VT
−1 )
αF
βF =
1−αF
αR
βR =
1−αR
半導體物理與元件 5-14
中興物理 孫允武
Ebers-Moll （EM） Model for npn BJTs E DE DC
C
iE iC
E C iE iDE iDC iC

iB B
αRiDC αFiDE
B
iB

iE =
αF
IS
(eυ BE / VT
) (
− 1 − I S eυ BC / VT − 1 )
iC = I S e ( υ BE / VT
)
−1 −
IS
αR
(e υ BC / VT
−1)
iB =
βF
IS
(e υ EB / VT
−1 + ) IS
βR
(eυ CB / VT
−1 )
αF αR
βF = βR =
1−αF 1−αR 半導體物理與元件 5-15
中興物理 孫允武
四種操作模式 (Four modes of operation)

Forward Active Reverse Active Cut Off Saturation

(順向活性） (逆向活性) (截止) (飽和)
BE接面 ON OFF OFF ON
BC接面 OFF ON OFF ON
基極少數
載體分佈 E
及電位能 E B
E B B C C E B
C C
應用 VCCS or CCCS 少用 開關或數位電 開關或數位電
放大或線性電路 路 路
開關或數位電路
重要特性 iC=αiE E,B&C are all |VBE|~0.7V
iC=βiB open. (斷路)
VCE ≤ 0.2V
|VBE|~0.7V
IC
VCE ≥ 0.2V = β forced < β
IB

半導體物理與元件 5-16
中興物理 孫允武
 BJT的三種基本接法與特性

•BJT有三隻接腳，每隻接腳可以給定一個電壓及一個通過的電流，總共
有六個電訊號的參數，他們相互之間的關係即BJT的電流電壓特性。
•電晶體是用作一個同時具有輸入埠(input port)與輸出埠(output port)的所
謂雙埠元件(two-port device) 。通常雙埠元件的輸入埠與輸出埠各有兩隻
接腳，故電晶體必須有一隻接腳給輸入與輸出埠共用，電晶體在電路中
的接法也以此來分類命名。
•基極的電流太小，不適合當作輸出端，而集極並不和控制電流的EB接面
相接，不適合當作輸入端。
•三種共同端各自只對應一種輸出輸入端組合方式，最後只有三種常用接
法，各稱為共基極(common-base)、共射極(common-emitter)、及共集極
(common-collector)組態(configurations)。

半導體物理與元件 5-17
中興物理 孫允武
 npn電晶體三種常用接法
IC IE

IE IC
E

輸出埠
C

輸出埠
IB

輸出埠
輸入埠

C IB
E

輸入埠
輸入埠
B B
B C
E

(a)共基極(common-base) (b)共射極(common-emitter)(c)共集極(common-collector)
輸入端：E 輸入端：B 輸入端：B
輸出端：C 輸出端：C 輸出端：E
在順向活性區之電流增益
I E IC + I B
IC
=α
IC
=β = = β +1
IE IB IB IB
Common-base Common-emitter
current gain current gain 半導體物理與元件 5-18
中興物理 孫允武
輸入與輸出特性曲線

要瞭解雙埠元件在電路中對直流訊號的行為，我們必須要知道：
(1)輸入特性(input characteristics)，
(2)輸出特性(output characteristics)，
(3)轉換特性(transfer characteristics)。
前兩項是指輸入或輸出埠各自兩端點間的電流與電位差的關係，而第三
項是指輸出端的電流或電壓對輸入端電流或電壓的函數關係。

輸入端電流 輸出端電流 輸出電壓/電流

不同輸
入訊號

輸出埠電壓 輸入電壓/電流
輸入埠電壓

輸入特性曲線 輸出特性曲線 轉換特性曲線

半導體物理與元件 5-19
中興物理 孫允武
 npn電晶體之共基極特性曲線
IE 順向活性區
IC 飽和區
IE (mA)
E C 10 10
IC
8
VEB VCB (mA) 8
6 6
B 輸出特性
4 4
2 2
0 0
IE (mA) 截止區
0 4 8 12 VCB (V)
10
8
10
6 IC 10 IC 8
4 (mA) 8 (mA) 6
6
2 4
4
0 2 2
0 0
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8
-VEB (V) 0 2 4 6 8 10 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8
IE (mA) -VEB (V)
輸入特性 轉換特性
半導體物理與元件 5-20
中興物理 孫允武
 npn電晶體之共射極特性曲線
IC 順向活性區
飽和區
IB(µA)
C 10 100
IB IC
VCE 8 80
(mA)
B 6 60 輸出特性
VBE E 4 40
2 20
0 0
IB 截止區
(µA) 0 4 8 12 VCE (V)
100
80 10
IC 10 IC 8
60 (mA) 8 (mA) 6
40 6
4 4
20
2 2
0
0 0
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 0 20 40 60 80 100 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8
VBE (V) IB (µA) VBE (V)
轉換特性
輸入特性 半導體物理與元件 5-21
中興物理 孫允武
 有關飽和模式的VCEsat 以npn電晶體為例
利用EM模型 eVBE / VT
, eVBC / VT
>> 1
IS
iC ≈ I S e VBE / VT
− eVBC / VT = β forced I B
αR
IS IS
iB = eVBE / VT + eVBC / VT = I B
βF βR
上二式可解得 I eV β F − β forced
BC / VT
= IB
1/α R − β F / β R
S

1 β F − β forced
I S eVBE / VT = IB + β forced I B
α R 1/ α R − β F / β R

β forced (1 / α R + β F / β R )
1
e (VBE −VBC )/ VT = +
αR β F − β forced
β + 1 β forced ((β R + 1) / β R + β F / β R ) 1 + (β forced + 1) / β R
= R + =
βR β F − β forced 1 − β forced / β F

1 + (β forced + 1) / β R
VCEsat = VT ln
1 − β forced / β F 半導體物理與元件 5-22
中興物理 孫允武
假設βF=50， βR =0.1，VT=25mV，對不同的βforced計算VCEsat得下表

βforced 50 48 45 40 30 20 10 1 0
VCEsat ∞ 235 211 191 166 147 123 76 60
(mV)

簡易模型VCEsat取～0.2V

IC

constant IB

VCE

半導體物理與元件 5-23
中興物理 孫允武
非理想特性(Second Order Effect)

1. VBE(ON)的溫度效應
2. Early Effect---IC是VCE的函數
3. iB是VCB的函數
4. 漏電流與電晶體的崩潰(breakdown)
5. 有關電流增益β
6. 電容、串聯電阻與高頻模型
7. BJT的data sheet

半導體物理與元件 5-24
中興物理 孫允武
VBE(ON)的溫度效應

υ BE / VT
iC = I S e
溫度的函數

∆ VBE(ON) /∆T~-2mV/ºC
VBE(ON)

半導體物理與元件 5-25
中興物理 孫允武
Early Effect---IC是VCE的函數
Base width modulation effect 基極寬度調變效應

Or iB=…

1/ro
1

υ BE / VT ⎛ υCE ⎞ VA: Early Voltage 約在50～100V

iC = I S e ⎜⎜1 + ⎟⎟
⎝ VA ⎠ 半導體物理與元件 5-26
中興物理 孫允武
 Early Effect的物理機制 W’B

在forward active時 WB
當VCE增加，VBE幾乎不變，而BC接面 IE→B
的逆向偏壓變大，有效的基極寬度 QB IE→C
QB
(W’B)變小，載體通過基極的時間(τt)變
短，由射極到達集極的載體比例變大，
復 τt
合 C
IC變大。 E QB
1 D p N AB WB 1 WB2 τB 基極少數
α ≈1− = 1− − = γαT 載體位能
β Dn N DE Lp 2 Ln2
B
D p N AB WB 1 WB2 1 WB2
γ = 1− αT = 1 − τt =
Dn N DE Lp 2 L2n 2 DB

WB ↓⇒ α , β ↑

半導體物理與元件 5-27
中興物理 孫允武
Early Effect對電晶體電路模型的影響
共射極電路的輸出阻抗ro
−1 −1 −1
⎡ ∂iC ⎤ ⎡ ISe υ BE / VT
⎤ ⎡ IC VA ⎤
ro ≡ ⎢ ⎥ =⎢ ⎥ =⎢ ⎥
⎣ ∂υCE υ BE = constant ⎦ ⎣ VA ⎦ + υ
⎣ A A CE ⎦
V V
VA + υCE VA
= ≈ if υCE << VA
IC IC

大訊號等效電路
ro
B IB C
β IB α IE
0.7V ro C
E
VBE(ON)
IE 0.7V
VBE(ON)
E
B
一般在大訊號分析並不考慮ro

半導體物理與元件 5-28
中興物理 孫允武
小訊號等效電路

C
ib
βib αi e
C
B gm υbe gm υbe
υbe rπ ro
B ro
υbe re
ie
E

E
一般都把υbe記做υπ

半導體物理與元件 5-29
中興物理 孫允武
iB是VCB的函數

固定iE時，υCB增加，iC會
跟著增加，也就是說iB會
減少。我們用一個電阻rµ
做為此效應之模型。
Hybrid-π model變成如下圖：

ib rµ
B C
g m υπ
υπ rπ ro
rµ很少考慮

半導體物理與元件 5-30
中興物理 孫允武
 漏電流與電晶體的崩潰(breakdown)

pnp 電晶體的共基極與共射極輸出特性曲線

ICBO與ICEO CXO中的O代表第三之接腳open
iC = α (iC + iB ) + I CBO
iC = βiB + I CEO αi I
I CEO = ( β + 1) I CBO
iC = B + CBO = βiB + ( β + 1) I CBO
iC = αiE + I CBO 1−α 1−α
半導體物理與元件 5-31
中興物理 孫允武
 為什麼ICEO比ICBO大？ EC
InB→C ICBO
p
B C
當iB=0，BC接面的逆向電流ICBO會引 p
E EV
起EB接面的載體注入，而注入的大小
n
恰為ICBO的β倍，此時之EC間電流即
ICEO =( β+1)ICBO 。 QB
IpE→C
IpE→B

BVCBO與BVCEO

CEO的接法叫CBO的接法
更易產生BC接面的壘增崩
潰，故| BVCBO |>| BVCEO |。
原因和BC接面的電流會引
起BE接面的注入電流，即
電流放大的效應有關。
MODEL：
BVCEO = BVCBO η
β
η =3~6 半導體物理與元件 5-32
中興物理 孫允武
有關電流增益β

A. 溫度效應

溫度上升，β會增大。

原因：當溫度上生時，在基
極的少數載體生命期τB變長，
即較不易被復合，故到達集
極的機率增大，αt增大，也
就是β增大。

MODEL：
XTB
⎛T ⎞
β (T ) = β (TR )⎜⎜ ⎟⎟ XTB：temp. exponent>1
⎝ TR ⎠

半導體物理與元件 5-33
中興物理 孫允武
B. 靜態偏壓點影響β

IC太小時，漏電流(尤其是在表面及空乏區的復合或產生電流)必須考
慮，α減小，β也減小。 IC較大時，較不受漏電流影響。
IC太大時，會有串聯電阻效應及高注入效應(high-injection effect)，使
得β減小。

β的定義 一般不太區分
I CQ
hFE ≡ β dc ≡ dc β
I BQ

∆iC
h fe ≡ β ac ≡ dc β or incremental β
∆iB υCE = constant
輸出小訊號電壓為0→短路
hfe: forward short-circuit current gain
h parameters之一
半導體物理與元件 5-34
中興物理 孫允武
電容、串聯電阻與高頻模型

實際的IC電晶體結構圖

半導體物理與元件 5-35
中興物理 孫允武
各接面的電容 以npn BJT為例
The Base-Charging or Diffusion Capacitance Cde

即υBE改變時，在基極少數載體儲存量QB的變化，所產生的電容效應。
dQB diC
Cde = =τt = g mτ t QB =τ t iC = τ F iC τt or τF :
dυ BE dυ BE
forward base
IC I transit time
Cde = τ t =τF C
VT VT

The Base-Emitter Junction Capacitance Cje

C je 0 m: grading coefficient of the EBJ

C je = m
or junction~0.5
⎛ VBE ⎞
⎜⎜1 − ⎟⎟ V0e: EBJ built-in potential~0.9V
⎝ V0 e ⎠
C je ≅ 2C je 0
半導體物理與元件 5-36
中興物理 孫允武
 The Collector-Base Junction Capacitance Cµ

Cµ 0
Cµ = m
m: grading coefficient of the CBJ junction
⎛ VCB ⎞ 0.2~0.5
⎜⎜1 + ⎟⎟
V0c: EBJ built-in potential~0.75V
⎝ V0 c ⎠

The Base Ohmic Resistance rx

連結基極外界接點到Active的區域之間必須加上一連結於幾時Ω的
電阻。在高頻電子電路十分重要。在低頻的電路設計中可以忽略。
rx ib B’ rµ
B C
g m υπ
υπ rπ ro

E 半導體物理與元件 5-37
中興物理 孫允武
The High-Frequency Hybrid-π Model

rx Cµ
ib
B’ C
B
Cπ
rπ υπ g m υπ ro Cπ=Cje +Cµ

計算fT: unity-gain frequency

計算Ic/Ib

半導體物理與元件 5-38
中興物理 孫允武
I c = ( g m − sCµ )Vπ
Vπ = I b (rπ // Cπ // Cµ )
Ic g m − sCµ
h fe ≡ =
I b 1 / rπ + s (Cπ + Cµ )
若gm>>ωCµ，即頻率不是很高時

g m rπ β
h fe ≈ =
1 + s (Cπ + Cµ )rπ 1 + s (Cπ + Cµ )rπ
1
ωβ =
(Cπ + Cµ )rπ
ωT = β 0ω β
gm gm
ωT = fT =
Cπ + Cµ 2π (Cπ + Cµ ) 半導體物理與元件 5-39
中興物理 孫允武
fT對IC的關係
gm gm
fT = =
2π (Cπ + Cµ ) 2π (C je + Cde + Cµ )
I C / VT
=
⎛ IC ⎞
2π ⎜⎜ C je + τ F + Cµ ⎟⎟
⎝ VT ⎠

1/2πτF

半導體物理與元件 5-40
中興物理 孫允武
BJT的data sheet 以2N3904為例

半導體物理與元件 5-41
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半導體物理與元件 5-42
中興物理 孫允武
Spice Model
NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74.03 Bf=416.4 Ne=1.259
Ise=6.734 Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2
Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.493p
Mje=.2593 Vje=.75 Tr=239.5n Tf=301.2p
Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)

半導體物理與元件 5-43
中興物理 孫允武