2.6.

ELEKTROSTATİK ALAN İÇİNDEKİ İLETKENLER

Buraya kadar, sadece, serbest uzay veya havadaki durgun yük dağılımlarının
elektrik alanı incelendi, şimdi, maddesel ortam içinde alanın davranışı
incelenecektir. Genel olarak, maddeler elektriksel özelliklerine göre, üç gruba
ayrılırlar. Bu gruplar, iletkenler, yarı iletkenler ve yalıtkanlar (dielektrikler)’dir.
Kabaca, pozitif yüklü bir çekirdek ile, bu çekirdek etrafındaki yörüngelerde
dönen elektronlardan oluşan atom modeline göre, iletken atomlarının en dış
kabuklarındaki elektronlar yörüngelerine gevşek bir şekilde bağlıdırlar ve
kolayca, bir atomdan diğerine geçebilirler. Metallerin pek çoğu bu gruba girerler.
Ancak, yalıtkan veya dielektrik maddelerin atomlarındaki elektronlar,
yörüngelerine sıkı bir şekilde bağlıdırlar. Dışarıdan bir elektrik alanın
uygulanması halinde bile, normal durumlarından ayrılmazlar. Yarı iletkenlerin
elektriksel özellikleri ise, iletkenler ile yalıtkanların özellikleri arasında kalır ve
az sayıda serbestçe hareket edebilen yüklere sahiptirler.
Katı maddelerin band teorisine göre, elektronların izinli enerji bandları vardır. Bu
bandların herbiri, oldukça yakın aralıklı, ama ayrık enerji seviyelerinden oluşur. Bu
enerji bandları arasında yasak bölgeler veya aralıklar vardır. Bu yasak bölgelerde,
katı atomlarının elektronları bulunamaz. İletkenler, kısmen elektronlarla dolu üst
enerji bandına veya kısmen dolu üst üste binmiş üst band çiftine sahiptir. Üst üste
binmiş bu bandlardaki, elektronlar, sadece küçük bir enerji değişimi ile bir banddan
diğerine geçebilir. İzolatör veya dielektrikler, üst bandları tamamen dolu olan
maddelerdir. Bu yüzden, bir sonraki yüksek banda kadar büyük bir enerji aralığının
varlığı sebebiyle, normal olarak iletim oluşmaz. Eğer, yasak bölgenin enerji aralığı
bağıl olarak küçükse, bir sonraki banda geçiş için, az miktarda bir dış enerji, dolu
üst banddaki elektronları uyarmaya yetebilir ve iletim oluşur. Bu maddelere, yarı
iletkenler denir.
Bir maddesel ortamın makroskobik elektriksel özelliği, iletkenlik denilen bir
temel parametre ile karekterize edilebilir. Ancak bu bölümde, akım akışı ile
ilgilenilmeyeceğinden ve sadece, maddesel ortamdaki elektrostatik alan
inceleneceğinden dolayı, iletkenliğin tanımı şu anda önemli değildir. Bu bölümde,
bir iletkenin yüzeyindeki ve cismin içindeki elektrik alan ve yük dağılımı ele
alınacaktır.
Bir iletkenin içinde bir miktar pozitif (veya negatif) yük bulunduğunu kabul
edelim. Bu durumda, iletken içinde bir elektrik alan oluşacak ve bu alan, yüklere bir
kuvvet uygulayarak onları birbirinden uzaklaştıracaktır. Yüklerin birbirlerinden
uzaklaşma hareketi, bütün yükler iletken yüzeyine ulaşıncaya kadar devam edecek
ve iletkenin iç tarafında hem yük, hem de elektrik alan sıfır oluncaya kadar, aynı
şekilde kendi kendilerine tekrar dağıtacaklardır. Bundan dolayı, statik şartlar altında,
bir iletkenin içinde,
ρ =0 (2.64)
r
E=0 (2.65)
 r
dir. Bir iletkenin içinde yük yoksa ( ρ = 0 ), E sıfır olmalıdır. Çünkü Gauss
kanununa göre, iletkenin iç tarafında oluşturulan bir kapalı yüzeyden dışarı doğru
çıkan elektrik akısı sıfır olmalıdır.
Bir iletkenin yüzeyindeki yük dağılımı, yüzeyin şekline bağlıdır. Eğer, elektrik alan
şiddetinin, bir teğetsel kuvvet oluşturan ve yükleri hareket ettiren teğetsel
bileşeni mevcut ise, yüklerin denge halinde olmayacağı açıktır. Bundan dolayı,
r
statik şartlarda, bir iletkenin yüzeyindeki E -alanı her yerde yüzeye diktir. Başka bir
deyişle; bir iletkenin yüzeyi, statik şartlarda, bir eşpotansiyel yüzeydir. Zaten,
r
bir iletkenin iç tarafındaki her yerde E = 0 olduğundan, bütün iletken aynı
elektrostatik potansiyele sahiptir. Yüklerin bir iletken yüzeyi üzerinde tekrar
dağılması ve denge durumuna ulaşması için, sonlu bir zaman gerekir. Bu zaman,
maddenin iletkenliğine bağlıdır. Bakır gibi bir iyi iletken için, bu zaman 10-19s.
mertebesindedir. Bu süre, çok kısa bir geçiş dönemini gösterir.
Şekil.2.17’de, bir iletken ile serbest uzay arasındaki arayüzey (veya sınır yüzeyi)
gösterilmiştir. Genişliği ab=cd=∆w, yüksekliği bc=da=∆h olan abcda çevresini göz
r r
önüne alalım, ab ve cd kenarları sınır yüzeyine paraleldir. ∫ E ⋅ dl = 0 denklemi
C

uygulanarak, iletken içinde elektrik alanın sıfır olduğu dikkate alınarak, ∆h → 0 için,

Serbest
Uzay
r n̂E n
E
∆s

∆w a ρS
b
d r
∆h İletken E = 0
c

Şekil.2.17: İletken-serbest uzay sınır yüzeyi

 r r
∫ E ⋅ dl = E t ∆w = 0
abcda

veya
Et = 0 (2.66)
r
elde edilir. Buna göre; bir iletkenin yüzeyindeki E -alanının teğetsel bileşeni
r
sıfırdır. İletken yüzeyinde E -alanının normal (dik) bileşeni En’i bulmak için, üst
r
yüzeyi serbest uzayda, alt yüzeyi iletken içinde (burada E = 0 dır) bulunan ince bir
r r Q
kutu, Gauss yüzeyi olarak alınabilir. ∫∫ E ⋅ ds = denklemi kullanılarak,
S ε0
r r ρ s ∆S
∫∫ E ⋅ d s = E ∆ S =
S
n
ε0
veya
ρs
En = (2.67)
ε0
 r
elde edilir. Bu yüzden, bir iletken serbest uzay sınırındaki E -alanının normal
bileşeni, iletken üzerindeki yüzeysel yük yoğunluğunun serbest uzayın
dielektrik katsayısına bölümüne eşittir.
Yüksüz bir iletken elektrostatik alan içine yerleştirilirse; bu alan, iletkende gevşek
olarak bulunan elektronların alana zıt yönde, pozitif yüklerin alan ile aynı yönde
hareketine neden olacaktır. Bu indüklenmiş serbest yükler, iletken yüzeyinde
dağılacak ve bir indüklenmiş alan oluşacaktır. Bu alan ile iletkenin iç tarafındaki ve
yüzeyindeki alanlar birbirlerini yok edecek şekildedir. Yüzeysel yük dağılımı
dengeye ulaştığında, Denk.(2.64)-(2.67) ile verilen dört bağıntının hepsi sağlanacak
ve iletken, tekrar bir eş-potansiyel madde olacaktır.
***************************************************************
Örnek 2.10: İç yarıçapı Ri, dış yarıçapı Ro olan bir küresel iletken kabuğun
merkezinde pozitif Q noktasal yükü bulunduğuna göre, R radyal uzaklığının
r
fonksiyonu olarak E ve V'yi bulunuz.
Çözüm 2.10: Problemin geometrisi, Şekil.2.18'de gösterilmiştir. Küresel simetri
r
olduğundan, Gauss kanununu kullanarak E 'yi ve daha sonra, integrasyon yolu ile
V’yi belirlemek, en kolay yoldur. Bu problemde, üç ayrı bölge söz konusudur:
(a) R>Ro, (b) Ri ≤ R ≤ R0 ve (c) R<Ri. Bu bölgelerde, uygun şekilde küresel Gauss
r
yüzeyleri oluşturulacaktır. Bu üç bölgede, E = Rˆ E R olacağı açıktır.
a) R>Ro (Gauss yüzeyi S1) bölgesi: Burada,
r r 2 Q
∫∫ E ⋅ d s = E R1 4πR =
S ε0
Q
E R1 = 2
(2.68)
4πε 0 R
yazılabilir. Bu alan, iletken kabuk yokken, bir Q noktasal yükünün alanı ile aynıdır.
Sonsuzdaki noktaya göre potansiyel,
R
Q
V1 = − ∫ ( E R1 )dR = (2.69)
∞
4πε 0 R
 +
+ +
-
- 3S -
+ R0 +
- +Q - İletken
S
+ 2- Ri - + Kabuk
S1 - -
+ - +

+
ER

0 R
V Ri R0

Q
4πε 0 R0
R
0
Şekil.2.18: Bir iletken kabuğun merkezindeki +Q yükünün elektrik alan şiddeti ve potansiyel değişimi
dir.
b) Ri ≤ R ≤ R0 (Gauss yüzeyi S2) bölgesi: Denk.(2.65)’den dolayı,
E R2 = 0 (2.70)
dir. Diğer taraftan, iletken kabuk içinde ρ = 0 olduğundan ve S2 yüzeyi içinde kalan
toplam yük miktarının sıfır olması gerektiğinden dolayı, R=Ri’deki iç kabuk
yüzeyinde (-Q)’ya eşit miktarda negatif yükün; R=Ro’daki dış kabuk yüzeyinde de
(+Q)’ya eşit miktarda bir pozitif yükün indüklenmesi gerekir. İletken kabuk bir
eşpotansiyel cisimdir. Bu yüzden,
Q
V2 = V1 R = R = (2.71)
0 4πε 0 R0
yazılabilir.
c) R<Ri (Gauss yüzeyi S3) bölgesi: Gauss kanunu uygulanırsa, ER3 alanının, birinci
bölgede elde edilen Denk.(2.68) ile aynı olduğu görülür. Buna göre,
 Q
E R3 = 2
(2.72)
4πε 0 R
yazılabilir. Bu bölgedeki potansiyel ise,
Q
V3 = − ∫ E R3 dR + C = +C
4πε 0 R
dir. Burada, integrasyon sabiti C, R=Ri’deki V3 potansiyeli Denk.(2.71) deki V2’ye
eşitlenerek belirlenir. Bu durumda,
Q ⎛ 1 1⎞
C= ⎜⎜ − ⎟⎟
4πε 0 ⎝ R0 Ri ⎠
ve
Q ⎛1 1 1⎞
V3 = ⎜⎜ + − ⎟⎟ (2.73)
4πε 0 ⎝ R R0 Ri ⎠
elde edilir. Üç bölgedeki ER ve V’nin R’ye göre değişimleri Şekil.2.18b ve c’de
verilmiştir.
***************************************************************
2.7. ELEKTROSTATİK ALANDAKİ DİELEKTRİKLER
İdeal dielektriklerde serbest yükler bulunmaz. Bir dielektrik madde, bir elektrik
alan içine yerleştirilirse, iletkenlerdeki gibi yüzeye doğru hareketlenen ve iç tarafta
yük yoğunluğu ile elektrik alanı sıfır yapan hiçbir indüklenmiş serbest yük bulunmaz.
Ancak, dielektriklerde bağlı yükler bulunduğundan, dielektriklerin, içine
yerleştirildikleri elektrik alanı etkilemediği de söylenemez. Bütün maddesel
ortamlar, pozitif yüklü bir çekirdek ile bu çekirdek etrafındaki negatif yüklü
elektronlardan oluşur. Her ne kadar, dielektrik molekülleri, makroskobik anlamda,
nötr ise de; dışardan bir elektrik alanın uygulanması, her yüklü parçacığa bir
kuvvetin etki etmesine neden olur ve sonuçta, pozitif ve negatif yüklerin zıt
yönlerde hareketi meydana gelir. Bu yer değiştirmeler, atomik boyutlara göre
küçük olmalarına rağmen, dielektrik maddenin kutuplanmasına ve elektrik dipollerin
oluşmasına yol açar (Şekil.2.19).
Elektrik dipollerin elektrik potansiyeli ve elektrik alan
şiddeti sıfır olamayacağına göre; indüklenmiş elektrik - + - + -+
dipoller, dielektrik maddenin iç ve dış taraflarındaki - + - + -+
elektrik alanını değiştirecektir.
- + - + -+
-+ -+ -+
Şekil.2.19: Kutuplanmış dielektrik ortam kesiti -+ -+ -+
-+ -+ -+
Bazı dielektrik molekülleri, harici kutuplama alanı olmasa dahi, -+ -+ -+
daimi dipol momentlerine sahiptir. Bu moleküller, genellikle, iki -+ -+ -+
veya daha fazla farklı atomlardan oluşur ve bunlara, polar
olmayan moleküllerin (yani, daimi dipol momentlerine sahip Harici Alan
olmayan moleküllerin) aksine, polar moleküller denir. Polar moleküllerin dipol
momentleri, 10-30 (C.m) mertebesindedir. Harici alan yoksa, polar dielektrikteki her
bir dipol rasgele yönlenir ve makroskobik olarak, net dipol momenti sıfır olur.
Uygulanan harici elektrik alan, her dipole bir tork uygulayacak ve dipolleri,
Şekil.2.19’dakine benzer şekilde, sıraya sokacaktır.
2.7.1. KUTUPLANMIŞ DİELEKTRİKLERİN EŞDEĞER YÜK DAĞILIMLARI
İndüklenmiş dipollerin makroskobik etkisini analiz etmek için,
n∆ V
r
r ∑ Pk
k =1
P = lim (C/m2) (2.74)
∆V → 0 ∆V
r
ile bir polarizasyon (kutuplanma) vektörü ( P ) tanımlanır. Burada, n birim
hacimdeki atom sayısıdır. Denk.(2.74)’ün payı, çok küçük bir ∆v hacminde bulunan
r
indüklenmiş dipol momentlerinin vektörel toplamını gösterir. P vektörü, elektrik
dipol momentinin hacimsel yoğunluğudur, dv ′ hacim elemanının dipol momenti
r r r
dp , dp = Pdv ′ şeklindedir ve bu,
r
P ⋅ Rˆ
dV = 2
dv ′ (2.75)
4πε 0 R
gibi bir elektrostatik potansiyel oluşturur (bkz.Denk.(2.48)). Dielektriğin V ′ hacmi
üzerinden integral alınarak, kutuplanmış dielektrik potansiyeli,
 r
1 P ⋅ Rˆ
V= ∫∫∫ dv ′ (2.76)
4πε 0 V ′ R 2

şeklinde elde edilir. Burada R, dv ′ hacim elemanının sabit bir gözlem noktasına
uzaklığıdır. Kartezyen koordinatlar sisteminde,
R 2 = ( x − x ′)2 + ( y − y ′ )2 + ( z − z ′ )2 (2.77)
dir ve 1/R’nin (') işaretli gözlem noktasının koordinatlarına göre gradyenti,
⎛ 1⎞ Rˆ
∇ ′⎜ ⎟ = 2 (2.78)
⎝ R⎠ R
dir. Böylece, Denk.(2.76),
1 r ⎛1⎞
V= ∫∫∫ P ⋅ ∇ ′ ⎜ ⎟dv ′ (2.79)
4πε 0 V ′ ⎝ R⎠
r r
şeklinde yazılabilir. Burada, A = P ve f=1/R olmak üzere,
r r r
∇ ′ ⋅ ( f A) = f ∇ ′ ⋅ A + A ⋅ ∇ ′f (2.80)
vektörel eşitliği kullanılarak, Denk.(2.79) ile verilen eşitlik,
 r r
1 ⎡ ⎛ P ⎞ ′
∇ ⋅P ⎤
V= ⎢ ∫∫∫ ∇ ′ ⋅ ⎜⎜ ⎟⎟ dv ′ − ∫∫∫ dv ′ ⎥ (2.81)
4πε 0 ⎢⎣ V ′ ⎝ R⎠ V′ R ⎥⎦
şeklinde yazılabilir. Bu denklemin sağındaki ilk hacim integrali, diverjans teoremi ile
kapalı yüzey integraline dönüştürülebilir. Böylece,

V=
1
r
P ⋅ nˆ ′
′ +
1 ( r
− ∇′ ⋅ P )
dv ′
∫∫
4πε 0 S ′ R
d s ∫∫∫
4πε 0 V ′ R
(2.82)

elde edilir. Burada nˆ ′ , dielektriğin yüzey elemanı ds′ ’ne dik ve bu yüzeyden dışarı
doğru yönlenmiş birim vektördür. Denk.(2.82)’nin sağındaki iki integralin
1 ρs 1 ρ
Denk.(2.57) ile verilen V = ∫∫ ds′ ve (2.56) ile verilen V = ∫∫∫ dv ′
4πε 0 S ′ R 4πε 0 V ′ R
eşitlikleri ile karşılaştırılması halinde, kutuplanmış bir dielektriğin elektrik potansiyeli
(ve bundan dolayı da, elektrik alan şiddeti), yoğunlukları,
r
ρ ps = P ⋅ nˆ (2.83)
r
ρ p = −∇ ⋅ P (2.84)
ile verilen yüzeysel ve hacimsel yük dağılımlarının katkılarından hesaplanabilir.
Bu denklemler sadece kaynak noktasını ihtiva ettiği için, n̂ ve ∇ vektörlerinin
r r
üzerindeki (') işareti basitlik amacı ile atılmıştır. ρ ps = P ⋅ nˆ ve ρ p = −∇ ⋅ P şeklinde

verilen yük yoğunluklarına, kutuplanma (polarizasyon) yük yoğunlukları veya

bağlı-yük yoğunlukları denir. Başka bir deyişle; alan hesaplarında, kutuplanmış bir
dielektrik yerine, bir eşdeğer yüzeysel kutuplanma yük yoğunluğu ρ ps ve bir

eşdeğer hacimsel kutuplanma yük yoğunluğu yerleştirilebilir. Bu durumda,

1 ⎡ ρ ps ρp ⎤
V= ⎢ ∫∫ ds′ + ∫∫∫ dv ′ ⎥ (2.85)
4πε 0 ⎢⎣ S ′ R V′ R ⎥⎦
yazılabilir.
r r
ρ ps = P ⋅ nˆ ve ρ p = −∇ ⋅ P eşitlikleri, bir vektörel bağıntı yardımı ile matematiksel
olarak türetilmiş olsa bile, yük dağılımları için fiziksel bir açıklama da sağlanabilir.
Şekil.2.19’dan açıkça görülmektedir ki; kutuplanma yönüne paralel olmayan
yüzeyler üzerinde, benzer şekilde yönlenmiş dipollerin uç yükleri mevcuttur.
Kutuplanmamış (nonpolar) bir dielektriğin hayali ∆s yüzey elemanını göz önüne
alalım. ∆s yüzey elemanına dik olarak harici bir elektrik alanın uygulanması
durumunda, bağlı yükler birbirlerinden d kadar uzaklaşırlar. Pozitif yük (+q) alan
yönünde d/2 kadar ve negatif yük (-q) alana ters yönde yine d/2 kadar hareket
ederler. Alan yönünde, ∆S yüzeyinden geçen net toplam yük ∆Q, nqd(∆s)
kadardır. Burada n, birim hacimdeki molekül sayısıdır. Harici alan ∆S yüzeyine dik
r
değilse, n̂ yönünde bağlı yükler arasındaki uzaklık, d ⋅ nˆ ve
r
∆Q = nq(d ⋅ nˆ )( ∆s ) (2.86)
r
olacaktır. Ancak, birim hacimdeki dipol momentini ifade eden nqd , kutuplanma
r
vektörü P ’nin tanımıdır. Bu nedenle,
r
∆Q = P ⋅ nˆ ( ∆s ) (2.87)
r
ve ρ ps = P ⋅ nˆ eşitliğinde verildiği gibi,
 ∆Q r
ρ ps = = P ⋅ nˆ
∆s
yazılabilir. Burada n̂ 'nin daima dışarı doğru yönelmiş yüzeye dik birim vektör olduğu
unutulmamalıdır. Son bağıntı, Şekil.2.19’daki yüzeyin sağ tarafında pozitif
yüzeysel yük ve sol tarafında negatif yüzeysel yük verir.
Bir V hacmini sınırlayan S yüzeyi için, kutuplanmanın sonucu olarak, V hacminden
r
dışarı akan net toplam yük Denk.(2.87) ile verilen ∆Q = P ⋅ nˆ ( ∆s ) eşitliğinin integre
edilmesi ile elde edilir. V hacmi içinde kalan net yük, bu integralin negatifine eşittir.
Buna göre,
r
ˆ ( r
)
Q = − ∫∫ P ⋅ nds = ∫∫∫ − ∇ ⋅ P dv = ∫∫∫ ρ p dv (2.88)
S V V
r
yazılabilir. Bu denklem, Denk.(2.84)'deki ρ p = −∇ ⋅ P hacimsel yük yoğunluğu ifade-
r
sini verir. Bundan dolayı, P 'nin diverjansı sıfır olmadığı sürece, kutuplanmış
dielektrik parçasının yüklenmiş olduğu görülür. Ancak, elektriksel olarak nötr olan
bir dielektrik madde ile başlandığından, kutuplanmadan sonra maddenin toplam
yükü sıfır olmalıdır. Bu durum,
r r
Toplam Yük = ∫∫ ρ ps ds + ∫∫∫ ρ p dv = ∫∫ P ⋅ nˆ ds − ∫∫∫ ∇ ⋅ Pdv = 0 (2.89)
S V S V

şeklinde ispatlanabilir. Burada, diverjans teoremi kullanılmıştır.

2.8. ELEKTRİK AKI YOĞUNLUĞU VE DİELEKTRİK SABİTİ
Kutuplanmış dielektrik ρ p hacimsel yük yoğunluğu oluşturacağından, dielektrik

içinde bilinen bir kaynak dağılımının elektrik alanının serbest uzaydakinden farklı
r
olması beklenir. Özellikle, ∇ ⋅ E = ρ ε 0 şeklindeki diverjans bağıntısının, ρ p ’nin

etkisini de içerecek şekilde, değiştirilmesi gerekir. Buna göre;

r 1
∇ ⋅ E = (ρ + ρ p ) (2.90)
ε0
r
yazılabilir. Denk.(2.84) ile verilen ρ p = −∇ ⋅ P eşitliği burada kullanılırsa,

( r r
∇ ⋅ ε0E + P = ρ ) (2.91)
elde edilir. Şimdi, elektrik akı yoğunluğu veya elektrik deplasmanı olarak
adlandırılan ve,
r r r
D = ε 0 E + P (C/m2) (2.92)
r
şeklinde verilen yeni bir alan niceliği tanımlanacaktır. D vektörünün kullanılması,
r
kutuplanma vektörü P veya kutuplanma yük yoğunluğu ρ p ile uğraşmaksızın,

serbest yük dağılımı ile elektrik alan arasında bir diverjans bağıntısının
yazılabilmesini mümkün kılar. Denk.(2.92) eşitliği Denk.(2.91)’de kullanılırsa,
r
∇⋅D = ρ (2.93)
şeklinde yeni bir denklem elde edilir. Burada ρ , hacimsel serbest yük
r
yoğunluğudur. Denk.(2.93) ve (2.5) ile verilen ∇ × E = 0 denklemi, herhangi bir
ortamdaki elektrostatik alanın temel diferansiyel denklemleridir. Serbest uzayın
dielektrik katsayısı ε 0 ’ın bu iki denklemde gözükmediğine dikkat ediniz.
Denk.(2.93)'ün her iki tarafının hacim integrali alınarak,
 r
∫∫∫ ∇ ⋅ Ddv = ∫∫∫ ρdv (2.94)
V V

veya
r r
∫∫ D ⋅ ds = Q (C) (2.95)
S

şeklindeki integral formunda denklemler elde edilir. Denk.(2.95), Gauss

kanununun başka bir şekli olup, bu denkleme göre; herhangi bir kapalı
yüzeyden dışarı çıkan toplam elektrik deplasmanı akısı (veya basitçe,
yüzeyden dışarı çıkan elektrik akısı), yüzey içinde kalan serbest yüklerin
toplamına eşittir. Bilindiği gibi; simetri şartlarının geçerli olduğu durumlarda, bilinen
bir yük dağılımının elektrik alanının belirlenmesinde, Gauss kanunu oldukça
kullanışlıdır.
Ortamın dielektrik özellikleri lineer ve izotropik ise, kutuplanma elektrik alan şiddeti
ile doğru orantılıdır ve orantı sabiti, alanın yönünden bağımsızdır. χ e , elektrik
suseptibilite olarak adlandırılan boyutsuz bir büyüklük olmak üzere,
 r r
P = ε0χe E (2.96)
dir. Eğer χ e , elektrik alan E’den bağımsız ise dielektrik ortama lineer ve χ e ,
uzayın koordinatlarından bağımsız ise homojen ortam denir. Denk.(2.96)’daki
r r r
eşitlik, Denk.(2.92) ile verilen D = ε 0 E + P denkleminde kullanılırsa,
r r r r
D = ε 0 (1 + χ e ) E = ε 0ε r E = εE (C/m) (2.97)
elde edilir. Burada,
ε
ε r = 1+ χe = (2.98)
ε0
dir. ε r , bağıl dielektrik sabiti veya ortamın dielektrik sabiti olarak adlandırılan
boyutsuz bir sabittir, ε = ε 0ε r katsayısı, ortamın mutlak dielektrik sabiti (veya
kısaca, dielektrik katsayısı da denir)’dir ve birimi, Farad/metre (F/m)’dir. Havanın
dielektrik sabiti, 1.00059 dur. Bu yüzden, havanın dielektrik sabiti genellikle, serbest
uzayın dielektrik katsayısı ile aynı alınır.
ε r ’nin uzayın koordinatlarının fonksiyonu olabileceğine dikkat ediniz. ε r , konumdan
bağımsız ise, ortamın homojen olduğu söylenir. Lineer, homojen ve izotropik
bir ortama basit ortam denir. Bir basit ortamın bağıl dielektrik katsayısı,
sabittir.
***************************************************************
Örnek 2.11: İç yarıçapı Ri, dış yarıçapı Ro olan küresel dielektrik kabuğun
merkezinde, pozitif Q noktasal yükü bulunmaktadır. Kabuğun dielektrik sabiti ε r
r r r
olduğuna göre; E, V, D ve P niceliklerini R’nin fonksiyonu olarak belirleyiniz.
Çözüm 2.11: Bu problemin geometrisi, Örnek.2.10’da verilen geometri ile aynıdır.
İletken kabuk yerine dielektrik kabuk yerleştirilmiş olmasına rağmen, çözüm yolu
birbirine benzer. Küresel simetriden dolayı, (a) R>R0, (b) Ri ≤ R ≤ R0 ve (c) R<Ri
r r
bölgelerinde E ve D ’nin bulunması için, Gauss kanunu kullanılabilir. V potansiyeli
r r
E ’nin integralinin negatifinden, P kutuplanma vektörü ise,
r r r r
P = D − ε 0 E = ε 0 (ε r − 1) E (2.99)
 r r r
bağıntısından hesaplanabilir. E , D ve P vektörleri sadece radyal bileşenlere
sahiptir. Gauss yüzeylerini göstermeyen Şekil.2.20a’daki geometri gözönüne
alınarak, üç bölgedeki çözüm aşağıdaki gibi elde edilebilir.
a) R>R0 bölgesi: Bu bölgedeki durum, Örnek.2.10’daki ile tamamen aynıdır. Buna
göre, Denk.(2.68) ve (2.69)’dan,
Q
E R1 =
4πε 0 R 2
Q
V1 =
4πε 0 R
elde edilir. Denk.(2.97) ve (2.99)’dan,
r r r r Q
D = ε 0 (1 + χ e ) E = ε 0ε r E = εE D R1 = ε 0 E R1 = (2.100)
4πR 2
ve
r r r r
P = D − ε 0 E = ε 0 (ε r − 1) E PR1 = 0 (2.101)
elde edilir.
b) Ri ≤ R ≤ R0 bölgesi: Bu bölgede, doğrudan doğruya Gauss kanunu uygulanarak,
Q Q
E R2 = 2
= (2.102)
4πε 0ε r R 4πεR 2
Q
DR2 = (2.103)
4πR 2
r r r r ⎛ 1 ⎞ Q
P = D − ε 0 E = ε 0 (ε r − 1) E PR2 = ⎜⎜ 1 − ⎟⎟ (2.104)
⎝ εr
2
⎠ 4πR
Elde edilir. DR2’nin DR1 ile aynı ifadeye sahip olduğuna ve ER ile PR’nin R=Ro’da
süreksiz olduğuna dikkat ediniz. Bu yüzden, bu bölgede,
R0 R R
Q 1
V2 = − ∫ E R1dR − ∫ E R 2 dR = V1 − ∫ dR
∞ R0
R = R0 4πε 0 R R 2
0

Q ⎡⎛ 1 ⎞ 1 1 ⎤
= ⎜
⎢ 1− ⎟
4πε o ⎢⎣⎜⎝ ε r ⎟ R + ε R⎥
⎠ 0 r ⎥⎦

(2.105)
elde edilir.
c) R<Ri bölgesi: Bu bölgedeki ortam, R>R0 bölgesindeki ortam ile aynı olduğundan,
Gauss yasasının uygulanması ile her iki bölge için,
Q
E R3 =
4πε 0 R 2
Q
DR3 =
4πR 2
PR3 = 0
ifadeleri elde edilir. V3 potansiyelinin bulunabilmesi için, ER3’ün negatif çizgisel
integrali V2’ye eklenmelidir. Buna göre,
R
Q ⎡⎛ 1 ⎞ 1 ⎛ 1 ⎞ 1 1⎤
V3 = V2 − ∫ E R3dR = ⎢⎜⎜ 1 − ⎟ − ⎜1 −
⎟R ⎜ ε
⎟
⎟ R + R⎥ (2.106)
R = Ri
Ri 4πε 0 ⎢⎣⎝ ε r ⎠ 0 ⎝ r ⎠ i ⎥⎦
yazılabilir.
 R0
+Q Dielektrik
Ri Kabuk

ER DR
ε0ER

0 R
PR

0 R
Ri R0
V
Şekil.2.20: Bir dielektrik kabuğun merkezindeki
+Q noktasal yükünün alan değişimleri
0 R
Ri R0
ε 0 E R ve DR’nin R’ye göre değişimleri Şekil.2.20b’de verilmiştir. ( DR − ε 0 E R ) farkı,
PR’ye eşittir ve Şekil.2.20c’de gösterilmiştir. Şekil.2.20d’deki V’nin grafiği, üç
bölgedeki V1, V2 ve V3 ‘ün toplam grafiğidir. DR’nin, bir ortamdan diğerine geçerken,
ani olarak değişmeyen sürekli bir eğri olduğuna ve PR’nin sadece, dielektrik ortamda
mevcut olduğuna dikkat ediniz. Şekil.2.20b ve c’deki grafikleri, Şekil.2.18b ve c’deki
grafiklerle karşılaştırmakta fayda vardır.
r r
Denk.(2.83) ve (2.84)’de verilen ρ ps = P ⋅ nˆ ve ρ p = −∇ ⋅ P denklemleri iç kabuk

yüzeyi üzerinde,
r ⎛ 1 ⎞ Q
ρ ps = P ⋅ ( − Rˆ ) = − PR 2 = − ⎜⎜ 1 − ⎟
⎟ 4πR 2 (2.107)
⎝ εr
R = Ri R = Ri R = Ri
⎠ i

dış kabuk yüzeyi üzerinde,

r ⎛ 1 ⎞ Q
ρ ps = P ⋅ Rˆ = PR 2 = ⎜⎜ 1 − ⎟
⎟ 4πR 2 (2.108)
⎝ εr
R = Ro R = Ro R = Ro
⎠ o

ve
 r 1 ∂ 1 ∂ 1 ∂
∇. A = 2 ( R 2 AR ) + ( Aθ sin θ ) + ( Aφ )
R ∂R R sin θ ∂θ R sinθ ∂φ
olduğundan,
r 1 ∂
ρ p = −∇ ⋅ P = − 2 ( R 2 PR 2 ) = 0 (2.109)
R ∂R
elde edilir. Denk.(2.107), (2.108) ve (2.109) ile verilen ifadeler, dielektrik kabuğun iç
tarafında, net hacimsel kutuplanma yükünün olmadığını göstermektedir. Ancak, iç
yüzeyde negatif yüzeysel kutuplanma yükleri, dış yüzeyde pozitif yüzeysel
kutuplanma yükleri mevcuttur. Bu yüzeysel yükler, radyal olarak içe doğru
yönlenmiş elektrik alan şiddeti oluştururlar. Bu durumda, merkezdeki +Q
r
noktasal yükünün ikinci bölgede oluşturduğu E -alanı küçülür.
***************************************************************
2.8.1. DİELEKTRİK DAYANIMI
Elektrik alanın, bir dielektrik maddedeki bağlı yüklerin küçük yer
değiştirmelerine sebep olduğu ve sonuçta, kutuplanmanın meydana geldiği
açıklanmıştı. Eğer, uygulanan elektrik alan çok şiddetli ise, moleküler yapıda daimi
deplasmanlar oluşur ve elektronlar, moleküllerden tamamen ayrılırlar. Böylece,
serbest yükler ortaya çıkar. Bunun sonucunda, madde iletken olur ve büyük akımlar
oluşabilir. Bu olaya, dielektrik delinmesi (veya bozulması) denir. Bir dielektrik
maddenin delinmeden dayanabildiği maksimum elektrik alan şiddetine
maddenin dielektrik dayanımı denir. Yaygın bazı maddelerin dielektrik dayanım-
ları Tablo.2.1’de verilmiştir. Bir maddenin dielektrik dayanımı, dielektrik sabiti ile
asla karıştırılmamalıdır.
Atmosferik basınçta, havanın dielektrik dayanımı 3kV/mm’dir. Elektrik alan
şiddeti, bu değeri aşarsa, hava delinmeye başlar, ağır iyonizasyon oluşur ve bunu,
kıvılcım (elektrik deşarjı) takip eder. Yük, sivri noktalarda yoğunlaşma eğilimi
gösterir. E n = ρ s ε 0 eşitliğinden dolayı sivri noktaların civarındaki elektrik alan
şiddeti, eğriliği küçük olan bir yüzey üzerindeki bir noktada var olan elektrik alan
şiddetinden daha büyüktür. Bu, paratoner'in çalışma prensibidir. Paratoner yoluyla
boşalma, nesneler yoluyla zarar verici boşalmayı önler.
Tablo.2.1: Bazı maddelerin dielektrik dayanımı
Madde Dielektrik Dayanım (V/m)
Hava (Atmosferik basınçta) 3x106
Mineral yağı 15x106
Polystyrene 20 x106
Lastik 25 x106
Cam 30 x106
Mika 200 x106

***************************************************************
Örnek 2.12: Yarıçapları b1 ve b2 olan (b2>b1), iletken bir telle birbirine bağlı iki
küresel iletkeni gözönüne alalım. İletkenler arasındaki mesafe, b2’ye göre çok büyük
olsun. Bu durumda, küresel iletkenler üzerindeki yüklerin düzgün olarak dağıldığı
düşünülebilir. Küreler üzerinde biriken toplam yük miktarı Q olduğuna göre; (a) İki
küre üzerindeki yükleri, (b) Küresel yüzeylerdeki elektrik alan şiddetini, bulunuz.

b1
b2

Q1 Q2

Şekil.2.21: Birbirine bağlı iletken küreler

Çözüm 2.12:
a) Bu problemin çözümü için, Şekil.2.21’i gözönüne alalım. Küresel iletkenler aynı
potansiyelde olduğundan,
 Q1 Q2
=
4πε 0 b1 4πε 0 b2
veya
Q1 Q2
=
b1 b2
elde edilir. Bundan dolayı, küreler üzerindeki yükler, kürelerin yarıçapları ile doğru
orantılıdır. Fakat,
Q1 + Q2 = Q
olduğundan,
b1
Q1 = Q
b1 + b2
ve
b2
Q2 = Q
b1 + b2
elde dilir.
b) İletken küre yüzeylerindeki elektrik alan şiddetleri,
Q1 Q2
E1n = , E2 n =
4πε 0 b12 4πε 0 b2 2
dir. Böylece,
2
E1n ⎛ b2 ⎞ Q1 b2
= ⎜⎜ ⎟⎟ =
E2 n ⎝ b1 ⎠ Q2 b1
elde edilir. Görüldüğü gibi; elektrik alan şiddetleri, yarıçaplarla ters orantılı ve eğriliği
daha büyük olan küçük küre yüzeyindeki elektrik alan daha büyüktür.
***************************************************************
2.9. ELEKTROSTATİK ALANLARIN SINIR ŞARTLARI
Genellikle, elektromanyetik problemler, fiziksel özellikleri farklı ortamları içerirler ve
iki ortam sınırındaki alan büyüklükleri arasındaki bağıntıların bilinmesini gerektirirler.
r r
Örneğin, bir geçiş yüzeyinde E ve D vektörlerinin nasıl değiştiğini belirlemek
isteyebiliriz. Bir iletken-serbest uzay sınırında sağlanması gereken sınır şartları,
E t = 0 ve E n = ρ s ε 0 ile verilmişti. Şimdi, Şekil.2.22’de gösterildiği gibi, iki genel
ortam arasındaki sınırı göz önüne alalım.
Her ikisi de sınıra paralel olan ve ∆w’ya eşit, ab ve cd kenarları sırasıyla 1. ve 2.
ortamda bulunan abcda yolunu oluşturalım. Süreksiz ortamları içeren bölgeler için
geçerli olduğu kabul edilen Denk.(2.8) bağıntısı, bu yola uygulanabilir. Eğer,
bc=da=∆h kenarlarının sıfıra yaklaştığı dikkate alınırsa, bu kenarların, yol etrafında
r
yazılan E 'nin çizgisel integraline katkıları ihmal edilebilir. Böylece,
r r r r r r
∫ E ⋅ d l = E1 ⋅ ∆ w + E 2 ⋅ ( − ∆ w ) = E1t ∆w − E 2t ∆w = 0
abcda
yazılabilir. Bu nedenle,
E1t = E2 t (2.110)

r
D1 n̂2

∆h ∆s

n̂1 r
r D2
E1
∆w 1. ortam
a ρS
b
d 2. ortam
∆h
c r
E2

Şekil.2.22: İki ortam arasındaki sınır

 r
dir. Bu eşitliğe göre; bir E -alanının teğetsel bileşeni bir sınır yüzeyinde
süreklidir. Eğer ortamlardan biri iletken ise, Denk.(2.110) ile verilen ifade
Denk.(2.66) ile verilen E t = 0 eşitliğine indirgenmiş olur. Birinci ve ikinci
ortamların dielektrik sabitleri ε 1 ve ε 2 ise,
D1t D2 t
= (2.111)
ε1 ε2
elde edilir.
Bir sınırdaki alanların normal bileşenleri arasında bir bağıntı elde etmek için, üst
yüzeyi 1. ortamda, alt yüzeyi 2. ortamda bulunan küçük bir kutu (bkz. Şekil.2.22)
oluşturulur. Yüzeylerin alanı ∆S ve kutunun yüksekliği ∆h da sıfıra gidebilecek
küçüklükte olsun. Kutuya Gauss kanunu uygulanarak,
r r r
( r
∫∫ D.ds = D1 ⋅ nˆ 2 + D2 ⋅ nˆ1 ∆S)
S (2.112)
r r
= nˆ 2 ⋅ ( D1 − D2 )∆S = ρ s ∆S
elde edilir. Burada, nˆ 2 = − nˆ1’dir. n̂1 ve n̂2 birim vektörleri, sırayla, 1. ve 2.
ortamlara dik ve yüzeyden dışarı doğru yönlenmiş birim normal vektörlerdir.
Denk.(2.112)’den,
r r
nˆ 2 ⋅ ( D1 − D2 ) = ρ s (2.113a)
veya
D1n − D2 n = ρ s (2.113b)
elde edilir. Burada, referans birim normal vektör 2. ortamdan dışarı doğru
yönlenmiştir.
r
Denk.(2.113)2e göre; E -alanının normal bileşeni, bir yüzeysel yükün mevcut
olduğu sınır yüzeyinde süreksizdir. Süreksizlik miktarı, yüzeysel yük
r
yoğunluğuna eşittir. Eğer, 2. ortam iletken ise, D2 = 0 ve Denk.(2.113b),
D1n = ε 1E1n = ρ s (2.114)
olur. Bunun yanında, 1. ortam serbest uzay ise, bu eşitlik Denk.(2.67) ile aynı olur.
Sınırında serbest yük bulunmayan ( ρ = 0 ) iki dielektrik söz konusu olursa,
 D1n = D2 n (2.115)
veya
ε 1E1n = ε 2 E2 n (2.116)
yazılabilir.
***************************************************************
Örnek 2.13: Bağıl dielektrik sabiti ε r = 3.2 olan bir dielektrik levha, serbest
r
uzayda E = xˆ E0 şeklinde verilen düzgün elektrik alan içine dik olarak
r r r
yerleştirilmiştir. Dielektrik madde içinde, E i , Di ve Pi büyüklüklerini belirleyiniz.
r
Çözüm 2.13: Dielektrik levhanın, orjinal E -alanını bozmadığını kabul edelim. Bu
durum, Şekil.2.23’de gösterilmiştir. Sınır yüzeyleri elektrik alana dik olduğundan,
sadece, dik alan bileşenlerinin göz önüne alınması gerekir. Ayrıca, serbest yükler
yoktur. Sol taraftaki sınır yüzeyinde, D1n = D2 n ile verilen sınır şartı sebebiyle,
r
Di = xˆ Di = xˆ D0
veya
r
Di = xˆ ε 0 E0
yazılabilir. Sınıra dik elektrik akı yoğunluğunda bir değişim yoktur. Dielektrik
levhanın iç tarafındaki elektrik alan şiddeti,
r 1 r 1 r E0
E i = Di = D = xˆ
ε ε 0ε r i 3.2
r
dir. Levha dışındaki kutuplanma vektörü sıfırdır ( P0 = 0 ). Levha içinde

r r r
E 0 = xˆ E 0 Ei E0

r r r
D0 = xˆ ε 0 E 0 Di D0

Serbest Serbest
Uzay ε r = 3.2 Uzay

Şekil.2.23: Düzgün elektrik alan içindeki dielektrik levha

 r r r ⎛ 1 ⎞ r 2
Pi = Di − ε 0 E i = xˆ ⎜ 1 − ⎟ε 0 E0 = xˆ 0.6875ε 0 E0 , (C/m )
⎝ 3 .2 ⎠
dir. Sağ taraftaki sınır yüzeyinde D1n = ε 1E1n = ρ s ile verilen sınır şartının benzer
şekilde uygulanması halinde, dielektrik levhanın sağ tarafında serbest uzaydaki
r r
orjinal E0 ve D0 elde edilecektir. Eğer, orjinal elektrik alan düzgün değilse, yani
r
E0 = xˆ E ( y ) ise, problemi tekrar çözünüz.
***************************************************************
Örnek 2.14: Dielektrik sabitleri ε 1 ve ε 2 olan iki dielektrik ortam, Şekil.2.24’de
gösterildiği gibi, yüksüz bir sınır ile birbirinden ayrılmıştır. 1. ortamda P1
noktasındaki elektrik alan şiddetinin büyüklüğü E1, yüzeyin normali ile yaptığı açı α 1
olduğuna göre; 2. ortamdaki P2 noktasında, elektrik alan şiddetinin büyüklüğünü ve
yönünü bulunuz.
Çözüm 2.14: E2t ve E2n bilinmeyenlerini belirleyebilmek için, iki denklem gereklidir,
E2t ve E2n, bulunduktan sonra, E2, ve α 2 elde edilecektir. E1t = E2 t ve D1n = D2 n
kullanılarak,
E2 sin α 2 = E1 sin α 1 (2.117)
ve
ε 2 E2 cos α 2 = ε 1E1 cos α 1 (2.118)
elde edilir. Birinci denklem, ikinci ile bölünerek,
r
α1 E1
P1 E1n
E1t
P2
r α2 E2n
E2
E2t

Şekil.2.24: İki dielektrik arasındaki sınır şartları

 tan α 2 ε 2
= (2.119)
tan α 1 ε 1
r
bulunur. E2 ’nin büyüklüğü ise,

E2 = E22t + E22n = ( E2 sin α 2 )2 + ( E2 cos α 2 )2

1/ 2
⎡ ⎛ ε ⎞
2⎤
= ⎢( E1 sin α 1 )2 + ⎜⎜ 1 E1 cos α 1 ⎟⎟ ⎥
⎣⎢ ⎝ ε2 ⎠ ⎥⎦

veya

⎡ 2 ⎤ 1/ 2
⎛ε ⎞
= E1 ⎢ sin2 α 1 + ⎜⎜ 1 cos α 1 ⎟⎟ ⎥ (2.120)
⎢⎣ ⎝ ε2 ⎠ ⎥⎦

şeklinde edilir.
***************************************************************
Şekil.2.24’ü göz önüne alarak, ε 1’in ε 2 ’den büyük mü yoksa küçük mü olduğunu
belirleyiniz.