UNIVERSITY Of DAMASCUS

Engineering Faculty, ECEN Department

‫الكترونٌات دقٌقة‬
‫سنة رابعة هندسة الكترونٌة‬
ً‫ تقنٌة الحفر الضوئ‬: ‫الفصل الثالث‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

)Photolightography( )‫(اللٌثوغرافٌا الضوئٌة‬

‫الدكتور المهندس مفٌد حافظ ناصٌف‬

1
Dr. NASSIF
 )Photolightography( ً‫تقنٌة الحفر الضوئ‬
Photolithography -- Definitions

Thin Films Polish

, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

Patterned Photolith
wafer Diffusion ography Etch

Test/Sort
Implant

*
Photolithography is at the Center of the Wafer Fabrication Process
‫تقننٌة الحفر الضوئً تعتبر قلب أو مركز عملٌة تصنٌع الدارات المتكاملة على الوٌفر‬
2
Dr. NASSIF
 )Photolightography Process( )‫تقنٌة الحفر الضوئً (اللٌثوغرافٌا الضوئٌة‬

1. Surface Preparation ‫تحضٌر السطح‬

Ten Basic Steps 2. Photoresist Application ‫تطبٌق المقاومة‬
of ‫الضوئٌة‬
Photolithography 3. Soft Bake ً‫التسخٌن األول‬
4. Align & Expose* *‫المحاذاة والتوجٌه‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

‫الخطوات األساسٌة‬ 5. Develop ‫اإلظهار أو اإلخراج‬

‫لتقنٌة‬ 6. Hard Bake ‫التسخٌن الثانوي لدرجات عالٌة‬
ً‫الحفر الضوئ‬ 7. Inspection ‫اإلختبار‬
8. Etch ً‫الحفر الكٌمٌائ‬
9. Resist Strip ‫نزع طٌقة المقاومة الضوئٌة‬
‫المتبقٌة‬
10. Final Inspection ً‫اإلختبار النهائ‬

* Some processes may include a Post-exposure Bake

Dr. NASSIF
3
 1. Surface Preparation (HMDS vapor prime)

 Dehydration bake in
enclosed chamber with
exhaust ‫تسخٌن فً فرن مغلق مع‬ HMDS
‫مخرج للغازات‬
 Clean and dry wafer surface
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

(hydrophobic) ‫تنظٌف و تجفٌف‬

‫سطح الوٌفر‬
 Hexamethyldisilazane
(HMDS) ‫تطبٌق معالجة كٌمٌائٌة خاصة‬
 Temp ~ 200 - 250°C ‫درجة‬
‫حرارة‬
 Time ~ 60 sec. ‫الزمن‬

4
Dr. NASSIF
 2. Photoresist Application ‫تثبٌت المقاومة الضوئٌة‬

• Wafer held onto vacuum

chuck ‫ٌتم تثبٌت الوٌفر على حامل‬
photoresist
‫دائري مفرغ‬ dispenser
• Dispense ~5ml of
photoresist ‫وضع كمٌة من سائل‬
‫كٌمٌائً (طالء) ٌمثل مادة المقاومة‬
‫الضوئٌة‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

• Slow spin ~ 500 rpm ‫تدوٌر‬

‫الوٌفر مع الطالء ببطئ بالبداٌة‬
• Ramp up to ~ 3000 - 5000
rpm ‫رفع سرعة الدوران إلى قٌم كبٌرة‬
• Quality measures: ‫معاٌٌر الجودة‬
:‫تتعلق ب‬ vacuum chuck
▫ Time ‫الزمن‬
▫ Speed ‫السرعة‬ to vacuum
▫ Thickness ‫السماكة‬ pump spindle
▫ Uniformity ‫درجة اإلنتظام‬
▫ particles & defects ‫درجة ظهور‬
‫حبٌبات أو عٌوب‬
5
Dr. NASSIF
 ‫أنواع المادة المستحلبة الضوئٌة ‪Resist Tone‬‬
‫ٌوجد نوعٌن من المادة المستحلبة الضوئٌة ‪Photoresist‬‬
‫مقاومة موجبة ‪Positive Resist‬‬ ‫‪‬‬

‫كافة المناطق التً تتعرض لألشعة فوق البنفسجٌة النافذة من‬ ‫‪‬‬

‫القناع تتفكك وتذوب (أي ٌتم طباعة نفس نموذج القناع)‬

‫كافة المناطق التً تحجب عنها األشعة فوق البنفسجٌة تبقى‬ ‫‪‬‬
‫‪, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018‬‬

‫على حالها‬
‫مقاومة سالبة ‪Negative Resist‬‬ ‫‪‬‬

‫‪ ‬كافة المناطق التً تتعرض لألشعة فوق البنفسجٌة النافذة‬

‫من القناع تتحول لمواد بولٌمٌرٌة صعبة اإلزالة‬

‫‪ ‬كافة المناطق التً تحجب عنها األشعة فوق البنفسجٌة‬

‫تتفكك وتتحلل (أي ٌتم طباعة عكس نموذج القناع)‬

‫‪Dr. NASSIF‬‬ ‫‪6‬‬

 Negative Lithography
‫ كافة المناطق التً تتعرض لألشعة فوق البنفسجٌة النافذة من القناع تتحول لمواد بولٌمٌرٌة صعبة‬
.)‫( ) (أي ٌتم طباعة عكس نموذج القناع‬islands) ‫اإلزالة أي تصبح نافرة و تسمى بالجزر‬
‫ كافة المناطق التً تحجب عنها األشعة فوق البنفسجٌة تتفكك وتتحلل وتذوب بمحلول الكشف‬
.)Window( ‫(اإلظهار) و تسمى بالنوافذ‬
Areas exposed to light become
Ultraviolet Light
polymerized and resist the
develop chemical.
Chrome island
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

on glass mask Island

Exposed area
of
Window
photoresist
photoresist
Shadow on
photoresist

photoresist
oxide oxide
silicon substrate silicon substrate

Resulting pattern after the

resist is developed.

7
Dr. NASSIF
 Positive Lithography
‫ كافة المناطق التً تتعرض لألشعة فوق البنفسجٌة النافذة من القناع تتفكك وتذوب بمحلول‬
.)‫ (أي ٌتم طباعة نفس نموذج القناع‬،)Window( ‫الكشف (اإلظهار) و تسمى بالنوافذ‬
‫ كافة المناطق التً تحجب عنها األشعة فوق البنفسجٌة تبقى على حالها (تصبح نافرة و تسمى‬
) (islands) ‫بالجزر‬
Ultraviolet Light
Areas exposed to light
become photosoluble.
Chrome island
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

on glass mask Island

Shadow on
photoresist
Window
photoresist

Exposed area
of photoresist
photoresist
oxide oxide
silicon substrate silicon substrate

Resulting pattern after the

resist is developed.

Dr. NASSIF 8
 3. Soft Bake ‫التسخٌن‬
 Partial evaporation of photo-resist
solvents ‫التبخٌر الجزئً لمذٌبات المقاومة‬
‫الضوئٌة‬
 Improves adhesion ‫ٌحسن اإللتصاق‬
 Improves uniformity ‫ٌحسن التجانس‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

 Improves etch resistance ‫ٌحسن‬

‫مقاومة الحفر‬
 Improves line width control ‫ٌحسن‬
‫التحكم بعرض الخط‬
 Optimizes light absorbance
characteristics of photoresist ‫ٌحسن‬
‫خصائص امتصاص الضوء للمقاومة الضوئٌة‬

9
Dr. NASSIF
 4. Alignment and Exposure ‫المحاذاة و التوجٌه للقناع على سطح الوٌفر‬
 Transfers the mask image to the resist-
coated wafer ‫نقل صورة القناع إلى سطح الوٌفر المغطى‬ UV Light Source
‫بالمقاومة الضوئٌة‬
 Activates photo-sensitive components of
photoresist ‫تفعٌل العناصر الحساسة للضوء فً المقاومة‬
‫الضوئٌة‬
Mask
Quality measures: ‫معاٌٌر الجودة‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018


 Line-width resolution ‫الخط‬ ‫دقة عرض‬
 overlay accuracy ‫دقة التراكب‬
 particles & defects ‫الجسٌمات والعٌوب‬

 Alignment errors (many different types) ‫هناك‬

l
‫أنواع مختلفة من األخطاء‬

 Double sided alignment especially important

in micro machines ً‫محاذاة مضاعفة (مزدوجة) هامة ف‬
‫حالة اإلستخدام فً األجهزة المٌكروٌة‬ Resist

10
Dr. NASSIF
 ‫‪4. Alignment and Exposure‬‬ ‫المحاذاة و التوجٌه للقناع على سطح الوٌفر‬

‫‪ ‬تحضٌر القناع الضوئً ‪Photo mask preparation‬‬

‫• القناع الضوئً ٌحدد أماكن جمٌع النوافذ على طبقة األوكسٌد وٌحدد مساحتها العملٌة التً ستحدث فٌها خطوة‬
‫االنتشار‬
‫• ٌحتوي كل قناع بشكل أساسً على صفٌحة تصوٌر ٌحضر علٌها جمٌع النوافذ المراد فتحها قبل حصول عملٌة‬
‫االنتشار حٌث تكون النوافذ معتمه وباقً الصفٌحة شفاف‬
‫• ٌحتوي كل قناع على ‪:‬‬
‫‪ .1‬جمٌع النوافذ المراد فتحها فً الدارة التكاملٌة‬
‫‪, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018‬‬

‫‪ .2‬جمٌع المساحات متشابهه لجمٌع الدارات فً الشرٌحة المتكاملة‬

‫• لكل مرحلة من مراحل إنتاج الدارة المتكاملة ٌوجد قناع مختلف‬
‫• إنتاج دارة نموذجٌة ٌحتاج إلى ما ٌزٌد عن ‪ 12‬قناع‬
‫• ٌجب وجود تجانس تام ومحكم بٌن قناع وآخر ٌلٌه على التسلسل‬
‫• انخفاض تكلفة القناع الضوئً زاد من قدرة إنتاج كمٌات كبٌره من العناصر فً آن واحد ← زٌادة أهمٌة‬
‫الدارات المتكاملة‬

‫‪11‬‬
‫‪Dr. NASSIF‬‬
 ‫‪4. Alignment and Exposure‬‬ ‫المحاذاة و التوجٌه للقناع على سطح الوٌفر‬

‫‪ ‬تحضٌر القناع الضوئً ‪Photo mask preparation‬‬

‫• ٌتم التحضٌر فً بادئ االمر باستخدام قناع نموذجً ‪ Master‬بأبعاد‬
‫‪ 1m × 1m‬حٌث ٌتم فً بعض األحٌان استخدام فلمٌن من البالستٌك‬
‫أحدهما مظلم واآلخر شفاف وٌكونان بشكل صفائح مع بعضهما‬
‫• تمر آلة القطع لتشكٌل المساحات واألجزاء على الفٌلم المظلم وذلك‬
‫إلظهار المناطق الشفافة (شعاع القطع االلكترونً بقطر ‪) 1μm‬‬
‫• بعد ذلك ٌتم تصوٌر القناع بعد القص باستخدام خلفٌة مضاءة إلنتاج‬
‫‪, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018‬‬

‫صوره مصغره بمقدار ‪ 25‬مره باستخدام كامٌرا متخصصة‬

‫• تصنع األقنعة من الكروم على شرائح من الزجاج تكون مساحتها ‪50‬‬
‫‪mm2‬‬

‫• عندما ٌتم إسقاط صورة القناع على الشرٌحة ‪ wafer‬لمرات متعدده‬

‫فً أماكن مختلفة ومتجاوره عن طرٌق تحرٌك الشرٌحة(أوعدسة الكمٌرا)‬
‫للٌمٌن والٌسار ولألمام والخلف فعندئذ تسمى هذه العملٌة ‪stepping‬‬
‫تتم بواسطة ‪ stepper‬وٌسمى القناع عندئذ بالقناع الشبكً ‪Reticle‬‬

‫• عادة تكون أبعاد المساحات على القناع أكبر بعدد من المرات عما ٌتوجب‬
‫أن تكون علٌه فً الشرٌحة )‪ (5, 2, 4, 10‬حٌث ٌتم ضبط األبعاد‬
‫على الشرٌحة باستخدام عملٌة اإلسقاط الضوئً باستخدام عدسات تصغٌر‬

‫‪12‬‬
‫‪Dr. NASSIF‬‬
 ‫المحاذاة و التوجٌه على سطح الوٌفر ‪4. Alignment and Exposure‬‬

‫‪‬‬ ‫)‪Mask aligner equipment (3 major types‬‬

‫طرق محاذاة القناع ( ئالث انواع )‬
‫محاذاة ملتصقة بٌن المقاومة الضوئٌة و القناع ‪،‬‬ ‫‪‬‬

‫محاذاة قرٌبة (مجاورة )‪.‬‬ ‫‪‬‬

‫محاذاة باإلسقاط الشعاعً‬ ‫‪‬‬

‫‪, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018‬‬

‫‪13‬‬
‫‪Dr. NASSIF‬‬
 5. Develop ‫اإلظهار أو اإلخراج أو الكشف‬
 Soluble areas of photoresist are
dissolved by developer
chemical ‫ٌتم حل المناطق القابلة للذوبان من‬ Developer
ً‫مقاومة للضوء بالكاشف الكٌمٌائ‬ Dispenser
‫موزع اإلظهار‬
 Visible patterns appear on wafer
: ‫تظهر النماذج المطبوعة على الوٌفر مثل‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

 Windows ‫النوافذ‬
 Islands ‫الجزر‬

 Quality measures: ‫معاٌٌر الجودة‬

 line resolution ‫جودة الخطوط‬ vacuum chuck
 Uniformity ‫اإلنتظام‬
 particles & defects ‫الحبٌبات و العٌوب‬
to vacuum spindle
pump

14
Dr. NASSIF
 Hard Bake ‫التسخٌن لدرجات عالٌة‬
6. Hard Bake ‫التسخٌن لدرجات عالٌة‬
 Evaporate remaining photoresist ‫إزالة بقاٌا‬
‫المقاومة الضوئٌة‬
 Improve adhesion ‫تحسٌن اإللتصاق‬
 Higher temperature than soft bake ‫التسخٌن‬
‫لدرجات حرارة أعلى من التسخٌن السابق‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

7. Development Inspection ‫اختبار‬

‫الطبقة السطحٌة‬
 Optical or scanning electron
microscope (SEM) metrology ‫إما ضوئٌا أو‬
‫بطرٌقة القٌاس عن طرٌق المسح اإللكترونً المجهري‬
 Quality measures: ‫معاٌٌر الجودة‬
particles & defects ‫الحبٌبات و العٌوب‬
critical dimensions ‫األبعاد الحرجة‬
Line width resolution ‫جودة عرض الخطوط‬
overlay accuracy ‫دقة الطبقة المتشكلة‬
Dr. NASSIF
15
 8. Plasma Etch-Or Add Layer ‫الحك الكٌمٌائً بواسطة البالزما أو إضافة طبقة‬

 Selective removal of upper layer of

wafer through windows in
photoresist: subtractive CF4
‫ إزالة انتقائٌة للطبقة العلٌا من الوٌفر (األكسٌد) من‬
.‫خالل النوافذ التً تم فتحها فً المقاومة الضوئٌة‬
 Two basic methods: ‫هناك طرٌقتٌن أساسٌتٌن‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

 wet acid etch ‫الحفر الكٌمٌائً الرطب بالحمض‬

 dry plasma etch ‫الحفر الجاف بالبالزما‬
 Quality measures:
 defects and particles ‫الحبٌبات و العٌوب‬
 step height ‫إرتفاع الخطوة‬
 Selectivity ‫اإلنتقائٌة‬
 critical dimensions ‫األبعاد الحرجة‬
 Adding materials (additive) ‫زٌادة مواد‬
:‫(إضافٌة) ٌتم عبر طرٌقتٌن رئٌسٌتٌن‬
 Two main techniques: ‫اثنٌن من التقنٌات‬
:‫الرئٌسٌة‬ Plasma
 Sputtering ‫الصب أو الدفق‬
 evaporation ‫التبخٌر‬

16
Dr. NASSIF
 9. Photoresist Removal (strip) )‫إزالة المقاومة الضوئٌة (التعرٌة‬

 No need for photoresist following

etch process ‫ال حاجة للمقاومة الضوئٌة‬
‫بعد عملٌة الحفر الكٌمٌائً للطبقة األوكسٌد‬ O2
 Two common methods: ‫هناك طرٌقتٌن‬
‫أساسٌتٌن‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

 wet acid strip ‫اإلزالة الرطبة بالحمض‬

 dry plasma strip ‫اإلزالة الجافة‬

‫بالبالزما‬
 Followed by wet clean to remove
remaining resist and strip
byproducts
‫ ٌتم اتباعها عن طرٌق تنظٌف رطب إلزالة بقاٌا‬ Plasma
‫المقاومة الضوئٌة و مواد التعرٌة المتبقٌة إن‬
‫وجدت‬
17
Dr. NASSIF
 10. Final Inspection

 Photoresist has been completely removed

‫ بالنهاٌة تكون المقاومة الضوئٌة تم إزالتها كلٌا‬
 Pattern on wafer matches mask pattern (positive
resist)
‫ النموذج على الوٌفر ٌطابق نماما لنموذج الفناع المستخدم (بحالة المقاومة‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

.) ‫الضوئٌة الموجبة)أو عكس نموذج القناع (بحالة المقاومة الضوئٌة السالبة‬

 Quality issues: ‫معاٌٌر الجودة‬

 Defects ‫العٌوب‬
 Particles ‫الحبٌبات‬

 step height )‫ارتفاع الخطوة (الدرجة‬

 critical dimensions ‫األبعاد الحدٌة‬

18
Dr. NASSIF
 ‫(‪)Photolightography‬‬ ‫ملخص تقنٌة الحفر الضوئً‬
‫‪ ‬تحضٌر النوافذ باستخدام الحفر الضوئً ‪: Photolightography :‬‬

‫‪ ‬الحفر الضوئً تقنٌة تستخدم لتحدٌد‬

‫شكل بنى الدارات التكاملٌة على‬
‫الشرٌحة‬
‫‪ ‬تتم عملٌة الحفر الضوئً من خالل‬
‫‪, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018‬‬

‫المراحل األساسٌة (المختصرة)التالٌة ‪:‬‬

‫‪ .1‬تحضٌر القناع الضوئً‬
‫‪ .2‬وضع مادة مستحلبة على الشرٌحة‬
‫‪ .3‬تسلٌط أشعة فوق البنفسجٌة على‬
‫القناع المتوضع فوق المادة‬
‫المستحلبة‬
‫‪ .4‬إزالة القناع والمادة المستحلبة‬

‫‪19‬‬
‫‪Dr. NASSIF‬‬
 )Photolightography( ً‫ملخص تقنٌة الحفر الضوئ‬
, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018

20
Dr. NASSIF
 ‫مثال عن تحضٌر النوافذ بواسطة الحفر الضوئً‬

‫• تحضر النوافذ التً ٌتم عبرها االنتشار عن طرٌق فتح مساحات معٌنة ضمن طبقة أوكسٌد السٌلٌكون‬
‫للشرٌحة كما ٌلً ‪:‬‬
‫‪ٌ .1‬تم وضع مقاومة تصوٌر حساسة للضوء ‪( Photoresist‬مستحلب ضوئً )على وجه شرٌحة‬
‫أوكسٌد السٌلٌكون وتكون هذه المادة حساسة لألشعة فوق البنفسجٌة (تتم العملٌة باستخدام‬
‫رشاش من األٌروزول أو بشكل قطرات سائلة ضمن جو خالً من الغازات تدور فٌه الشرٌحة‬
‫بسرعة ‪ 5000 -2000‬دورة فً الدقٌقة ) ضمن ضوء خافت‪.‬‬
‫‪, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018‬‬

‫‪ .2‬تتم محاذاه القناع المطلوب على المقاومة الحساسة للضوء‬

‫‪ .3‬تسلط األشعة فوق البنفسجٌة على القناع لٌتم تحدٌد نوافذ االنتشار‬

‫‪ٌ .4‬تم بعد ذلك اإلظهار أو اإلخراج أو الكشف عن النوافذ و إظهارها‪.‬‬

‫‪ٌ .5‬تم إزالة األجزاء غٌر المتحللة من المادة المستحلبة بواسطة مزٌج من حمض ‪Sulphuric‬‬
‫‪ acid‬وفوق أوكسٌد الهٌدروجٌن ‪. Hydrogen peroxide‬‬

‫‪ٌ .6‬تم حفر طبقة أوكسٌد للوصول للطبقة البلورٌه بهدف االنتشار عن طرٌق حمض الهٌدروفلورٌد‬
‫‪. Hydrofluoric acid‬‬
‫‪21‬‬
‫‪Dr. NASSIF‬‬
 ‫مثال عن تحضٌر النوافذ بواسطة الحفر الضوئً‬

‫‪ ‬تحضٌر النوافذ بواسطة الحفر الضوئً‬

‫ٌوضح الشكل (‪ )a‬غشاء رقٌق من طبقة األكسدة‬ ‫‪‬‬
‫(ثانً أكسٌد السلٌكون) التً تلً طبقة اإلبتاكسً على‬
‫ركٌزة أساسٌة من السٌلٌكون ( رقاقة السٌلٌكون أو‬
‫الوٌفر)‪.‬‬
‫ٌوضح الشكل (‪ )b‬طبقة رقٌقة من المقاومة الضوئٌة‬ ‫‪‬‬
‫الحساسة لألشعة فوق البنفسجٌة‪.‬‬
‫‪, MICROELECTRONICS Saturday, September 29, 2018‬‬

‫ٌوضح الشكل (‪ )c‬تسلٌط األشعة فوق البنفسجٌة على‬ ‫‪‬‬

‫طبقة المقاومة الضوئٌة من خالل القناع المناسب‬
‫للدارة المراد تصنٌعها ‪.‬‬
‫ٌوضح الشكل (‪)d‬عملٌة الكشف إلظهار النوافذ و‬ ‫‪‬‬
‫الجزر المطابقة للدارة المراد ثصنٌعها (وفق القناع‬
‫المسخدم ألجل ذلك)و ذلك بحالة المقاومة الموجبة‬
‫(ٌسار) و السالبة (ٌمٌن)‪. .‬‬
‫ٌوضح الشكل(‪)e‬عملٌة الحفر لطبقة الكسٌد بواسطة‬ ‫‪‬‬
‫محلول كٌمٌائً من خالل النوافذ المتشكلة سابقا ‪.‬‬
‫ٌوضح الشكل (‪ )f‬عملٌة إزالة أو نزع طبقة‬ ‫‪‬‬
‫المقاومة الضوئٌة المتبقٌة فوق األكسٌد ‪.‬‬
‫‪22‬‬
‫‪Dr. NASSIF‬‬