BÖLÜM – 12

SeramiklerinYapı ve
Özellikleri
1 12-SeramiklerinYapı ve
Özellikleri

 12.1 GİRİŞ VE TEMEL KAVRAMLAR

 12.2 KRİSTAL YAPILAR
 12.3 Silikat Seramikler
 12.4 Karbon
 12.5 Seramiklerde Kusurlar
 12.6 İyonik Malzemelerde Yayınma
 12.7 Seramik Malzemelerin Faz Diyagramları
 12.8 Seramiklerin Gevrek Kırılması
 12.9 Gerilme—Birim Şekil Değişimi Davranışı
 12.10 Plastik Deformasyon Mekanizmaları
 12.11 Mekanik Davranışa Ait Bazı Değerlendirmeler
4 History of Materials

1.05.2022
Ceramics

7 1.05.2022
 Ceramics
 The word ceramic can be traced back to the Greek term keramos, mean
"burned stuff" or "burned earth"
 Ceramics can be defined as inorganic, nonmetallic materials. They are typically
crystalline in nature and are chemical compounds made of at least one metallic
element and one of five non metallic elements (C, N, O, P, or S).
 Types
 Oxides
 carbides,
 nitrides,
 cermets, etc.
(e.g., Al2O3, NaCl, SiC, SiO2)
 Ceramic materials display a wide range of properties which facilitate their use in
many different product areas

8 1.05.2022
Elements in Ceramics

9 1.05.2022
Ceramics

 Distinguishing features
 Except for glasses, atoms are regularly arranged (crystalline ) Composed of a
mixture of metal and nonmetal atoms
 Lower density than most metals
 Stronger than metals
 Low resistance to fracture: low toughness or brittle
 Low ductility or malleability: low plasticity
 High melting point
 Poor conductors of electricity and heat
 Single crystals are transparent

10 1.05.2022
 Ceramics

11 1.05.2022
12 1.05.2022
Ceramics - Classification

Ceramics

13 1.05.2022
 Ceramics - Classification
 glasses (Supercooled liquid)
 flat glass (windows), container glass (bottles), pressed and blown glass (dinnerware), glass fibers
(home insulation), and advanced / specialty glass (optical fibers).
 clay products - structural
 bricks, sewer pipes, roofing tiles, clay floor and wall tiles and flue linings.
 clay products - whitewares
 dinnerware, floor and wall tile, sanitaryware, electrical porcelain and decorative ceramics.
 refractories
 bricks and monolithic products
 abrasives
 natural (garnet, diamond, etc.) and synthetic (silicon carbide, diamond, fused alumina, etc.),
abrasives that are used for grinding, cutting, polishing, lapping, or pressure blasting of materials.
 cements
 Portland cement is a mixture of CaO, SiO2 and Al2 O3 which "sets" when mixed with water.
 advanced ceramics
14 1.05.2022
 Advanced Ceramics
 Advanced “New ceramics” for electronic, computer, aerospace industries.
Carbides: with Silicon, tungsten, titanium, or tantalum carbides
Extreme hardness and wear resistance allows Use for cutting tools and abrasives
 Pure oxides (Al2O3),

Nitrides: with Boron, Silicon, or titanium Nitrides

Ti-Nitride used as surface coating for cutting tools is brittle so B-nitride is added
Boron Nitride is called cubic boron nitride (CBN) is used for cutting tools.
 Non-silicate glasses and many others

15 1.05.2022
Teknik Seramikler
Dekoratif seramikler
Aşındırıcılar
Refrakter tuğlalar
Advanced Ceramics

20 1.05.2022
 Ceramics

95 5

31 5 Temp eratu res are in

65 0 Celsius d egrees.
14 65 Temp s marked w ith
an * s ig nify ascent
temperatures.

*11 75
*42 5 98 0

*43 0 * 42 0
*40 5

21 1.05.2022
22 GİRİŞ VE TEMEL KAVRAMLAR
 Seramiklerin birçoğu metalik ve metalik olmayan elementler arasındaki bileşikler
olup atomlar arası bağları ya tamamen iyonik veya kısmen iyonik olmasına
rağmen, bazıları da kovalent özellikte atomlar arası bağlardan oluşan bileşiklerdir.

 Seramik Yunanca “keramikos” kelimesinden türeyen “yanmış malzeme” (toprak)

manasına gelen bir terimdir. Bu terim aynı zamanda, seramik malzemelerde
 istenilen özellikleri elde etmek için başvurulan ve pişirme adı verilen yüksek sıcaklık
ısıl işleminin de gerekli olduğunu işaret eder.
23 GİRİŞ
 Son 60 yıla bakıldığında, esas hammaddesi kil olan bu sınıftaki en önemli
malzemeler “geleneksel seramikler” olarak bilinen porselen, tuğla, fayans
iken, buna ilave olarak camlar ve yüksek sıcaklık seramikleri de bu gruptan
sayılmaktadır. Son zamanlarda ise bu malzemelerin temel özelliklerinin
anlaşılmasında ve az rastlanır özelliklerinin sebeplerinin bilinmesinde çok
önemli gelişmeler kaydedilmiştir.
 Sonuç olarak bu malzemelerin yeni nesilleri ortaya çıkmış ve seramik terimi
daha geniş manada anlaşılır olmuştur. Bir şekilde bu malzemeler
hayatımızda elektronik, bilgisayar, iletişim, havacılık ve bu malzemelerin
kullanımına dayalı diğer endüstrilerde geniş bir kullanım alanı bulmuştur.
 Bu bölümde, seramik malzemelerde bulunan kristal yapı türlerinin ve atomik
nokta kusurlarının yanı sıra seramiklerin mekanik özellikleri de incelenecektir.
Bu malzemelerin üretim teknikleri ve uygulamaları bundan sonraki seramik
yapılar bölümünde ele alınacaktır.
24 Seramik Yapılar
 Seramikler en az iki elementten oluşur ve
çoğunlukla bileşen sayısı daha fazla
olduğundan genel olarak seramik kristal
yapıları metallerin kristal yapılarından daha
karmaşıktır.
 Bu malzemelerin atomik bağları saf iyonik
ile tamamen kovalent aralığındadır ve
çoğu seramikler bu iki bağ tipini bir arada
gösterir.
 Atomların iyonik karakter derecesi elektro
negativitelerine bağlıdır. Tablo 12.1 ‘de
bilinen bazı seramik malzemeler için yüzde
olarak iyonik karakter değerleri verilmiştir.
25 12.2 KRİSTAL YAPILAR
 Atomik bağı ağırlıklı olarak iyonik olan seramik malzemeler için, kristal yapılarının
atomların yerine elektrikle yüklü iyonlardan oluştuğu düşünülebilir.
 Metal iyonları veya katyonlar pozitif (+) yükle yüklenmiştir, bunun nedeni valans
elektronlarını negatif yüklü ametal iyonları ve anyonlarına vermiş olmalarıdır.
 Her bileşen iyonunun elektrik yükü büyüklüğü ile katyon ve anyonun göreceli
boyutları, kristal seramik malzemelerin kristal yapısını etkileyen bileşen iyonlarına
ait iki özellikti.
 İlk özellikle ilgili olarak kristal, elektriksel olarak nötr olmalıdır; diğer bir ifadeyle,
tüm pozitif yüklü katyon yükleri eşit sayıdaki negatif yüklerle dengelenmelidir.
 Bir bileşiğin kimyasal formülü, katyonların anyonlarına oranı, ya da bu şarj
dengesini sağlayan bileşimi gösterir.
26 12.2 KRİSTAL YAPILAR

 Örneğin, kalsiyum florürde her bir kalsiyum iyonunun +2 şarjı (Ca +2), bununla
ilgili olarak her flor iyonun tek bir negatif şarjı (F-) vardır. Bu nedenle, CaF2’ün
kimyasal formülüne yansıdığı gibi (Ca +2) iyonlarının
 iki katı kadar (F -) iyonu bulunmalıdır.
 İkinci kriter, katyon ve anyonların iyon yarıçaplarının boyutları sırasıyla, rc ve
rA’yı içerir.
 Metalik elementler iyonize olduklarında, elektronlarını verdiklerinden,
katyonlar normalde anyonlardan daha küçüktür ve dolayısıyla, rc/rA oranı
her ikisinin birleştiği halden daha küçüktür. Her katyon, mümkün olduğunca
en yakın komşu anyonları bulundurmayı tercih eder. Anyonlar ise en yakın
komşularının maksimum sayıda katyonlardan oluşmasını arzu eder.
27 Şekil 12.1 ‘de gösterildiği gibi, bir katyonu çevreleyen anyonların tamamının
katyon ile temas etmesi durumunda, seramik kristal yapının kararlı olması söz
konusudur.
Koordinasyon sayısı (yani katyon için en yakın komşu anyon sayısı) katyon-anyon
yarıçapı oranı ile ilgilidir.

Belirli bir koordinasyon sayısı için, katyon-anyon temasının sağlandığı (Şekil 12. 1)
bir kritik veya minimum rc/rA oranı vardır ve bu oran, sadece geometrik olarak
(Örnek Problem 12. 1 ) belirlenebilir.
 Koordinasyon numaraları ve en yakın komşu geometrileri, çeşitli rc/rA oranları için
28
Tablo 12.2’de verilmiştir. 0,155 den az rc/rA oranları için, çok küçük katyon, doğrusal
bir şekilde iki anyona bağlanır.

rc/rA oranı 0,155 ve 0,225 arasında bir değer alıyor ise koordinasyon sayısı bu katyon
için 3 ‘tür. Bunun anlamı; her katyon, katyon merkezinde bulunan düzlemsel bir
eşkenar üçgen şeklinde üç anyon ile çevrilidir.

0,225 ve 0,414 arasındaki rc/rA için koordinasyon sayısı 4 tür; her dört köşesinde de
bir anyon olmak üzere, dörtyüzlünün (tetrahedra) merkezinde katyon yer
almaktadır.

rc/rA oranın 0,414 ile 0,732 arasındaki değerleri için, tabloda gösterildiği gibi her
köşesinde bir anyon olmak üzere anyonlarla çevrili bir oktahedral (altıyüzlünün)
merkezinde de katyon yer almış olarak düşünülebilir.

Koordinasyon sayısı 8 olan, 0,732 ile 1,0 arasında rc/rA oranı için ise merkezinde
katyon konumlandırılmış bir küp ve kübün her köşesinden anyonlar vardır. Yarıçap
oranı birden büyük olduğu durum için ise koordinasyon sayısı 12’dir. Seramik
malzemeler için en yaygın koordinasyon numaraları 4, 6 ve 8’dir. Tablo 12.3, seramik
malzemelerde yaygın olan bazı anyon ve katyon iyon yarıçaplarını vermektedir.
 Tablo 12.2’de belirtilen,
29 koordinasyon sayısı ve
katyon-anyon yarıçapları
oranları arasındaki ilişkiler,
geometrik prensipler göz
önüne alınarak ve “sert
küre” iyonları varsayımına
dayanmaktadır; bu
nedenle, bu ilişkiler
sadece tahminidir ve
istisnalar söz konusudur.
Örneğin, rc/rA oranı
0,414’ten fazla olan ve
bağları yüksek derecede
kovalent olan (ve yönlü)
bazı seramik bileşiklerin
koordinasyon sayısı (6
yerine) 4’tür.
30
Bir iyonun boyutu çeşitli
faktörlere bağlıdır.
Bunlardan biri,
koordinasyon sayısıdır ve
iyonik yarıçapı artış
eğiliminde iken en yakın
komşu zıt yüklü iyonların
sayısı da artar. Tablo
12.3’te koordinasyon
sayısı 6 olan elementlerin
iyonik yarıçapları
verilmiştir. Bu nedenle,
koordinasyon sayısı 4
olduğunda yarıçap
daha küçük,
koordinasyon sayısı 8
olduğunda ise yarıçap
daha büyük olacaktır.
31

Ayrıca, iyonun yük değeri onun yarıçapını etkilemektedir. Örneğin, Tablo 12.3 ‘den, Fe +2 ve
Fe +3 için yarıçapları sırasıyla 0,077 ve 0,069 nm’dir.

Bu değerler, bir demirin atom yarıçapı olan 0,124 nm den farklı olabilir.

Bir elektron bir atomdan ya da iyondan geri alınırsa, kalan değerlik elektronları çekirdeğe sıkıca
bağlı hale gelir; bu durumda, iyonik yarıçapta bir miktar azalma meydana gelir. Tersine,
elektronlar bir atom ya da iyona eklendiğinde ise iyonik boyut artar.
 AX-Tipi Kristal Yapılar
32

Bilinen seramik malzemelerin bazıları eşit sayıda

katyon ve anyon bulundururlar. Bunlar genellikle AX
bileşikler olarak adlandırılır, burada A katyon ve X ise
anyondur. AX bileşikler için birçok farklı kristal yapıları
vardır, her biri normalde belirli bir yapıya karşılık gelir
ve genel bir malzemenin adını taşır.

Şekil 12.2 Kaya tuzu veya

sodyum klorürün (NaCl)
kristal yapılarının birim
hücresi
 KAYA TUZU YAPISI
33
Belki de en yaygın AX kristal yapısı, sodyum klorür
(NaCl) ya da kaya tuzu türüdür. Hem katyon ve
hem de anyonların koordinasyon sayısı 6’dır ve
katyon-anyon yarıçapı oranı yaklaşık 0,414 ve
0,732 arasındadır.

Bu birim hücre için kristal yapısında (Şekil 12.2)

küp merkezinde bulunan katyon ve 12 adet olan
küp kenarların her birinin ortasında bir anyon ile
YMK düzeni oluşturulur. Eşdeğer kristal yapı,
katyonların yüzey merkezli kübik yerleşimiyle
oluşmaktadır. Böylece, kaya tuzu kristal yapısı biri
katyonlar ve diğeri de anyonlardan oluşan ve
birbiri içine geçmiş iki YMK kafesten oluştuğu
düşünülebilir. Bu kristal yapıya sahip yaygın
seramik malzemelerden bazıları NaCl, MgO,
MnS, LiF ve FeO’dir.
 Şekil 12.3 Sezyum klorürün (CsCl) kristal
yapısına ait birim hücre
34
SEZYUM KLORÜR YAPISI

Şekil 12.3 sezyum klorür (CsCl) kristal yapısına

ait birim hücreyi göstermektedir ve burada
her iki iyon türü için koordinasyon sayısı ise
8’dir. Küpün merkezinde tek bir katyon, her bir
köşesinde birer anyon bulunmaktadır.
Anyonlar ile katyonların yer değiştirmesi (veya
tam tersi durumda) aynı kristal yapıyı oluşturur.
Bu yapı, iki farklı iyon türünün birleşmesinden
oluşmadığı için, bir HMK kristal yapısı değildir.
35
ÇİNKO BLEND YAPISI
Üçüncü bir yapı türü koordinasyon sayısı 4 olan
AX yapısıdır. Bu yapıda bütün iyonlar tetrahedral
(dört yüzlü) olarak koordine edilmektedir. Bu
yapıya çinko blend veya sfalerit yapısı ya da
mineralojik terim olarak çinko sülfür (ZnS) yapısı
da denir. Bir birim hücre yapısı Şekil 12.4’te
gösterilmiştir. Kübik hücrede tüm köşe ve yüzey
pozisyonları, S atomları tarafından işgal edilmiş
iken Zn atomları iç tetrahedral pozisyonları
doldurmuşlardır. Zn ve S atomu pozisyonları
tersine çevrilirse eşdeğer bir yapı sonucu ortaya
çıkar. Böylece, her Zn atomu dört adet S atomu
veya tam tersi ile bağlanır. Çok sık olarak ZnS,
ZnTe ve SiC içeren bu gibi kristal yapılar (Tablo
12.1) yoğun kovalent atomik bağları içeren
bileşikler oluştururlar.
 36

AmXp Tipi Kristal Yapıları

Katyonların ve anyonların yükleri benzer değilse, bileşikte m ve
/veya p≠ 1 olmak üzere, kimyasal formülü ise AmXp, şeklinde
olabilir. Buna örnek AX2 olabilir ki bu yapının genel olarak bilinen
bir kristal yapısı florittir (CaF2).

Tablo 12.2’ye göre, CaF2 için iyonik yarıçapları oranı rc/rA yaklaşık
0,8 ve koordinasyon sayısı 8’dir. Köşelerde flor iyonları varken küp
merkezlerinde ise kalsiyum iyonları konumlandırılmıştır.

Kimyasal formülünden anlaşılacağı üzere, sadece Ca +2

iyonlarının yarısı kadar F- iyonları mevcuttur, bu nedenle kristal
yapısı CsCl’e benzerdir (Şekil 12.3). İstisna olarak sadece yarım
küpün merkezindeki pozisyonlara Ca +2 iyonlarının yerleşmiş
olduğu yapı da vardır. Bir birim hücre Şekil 12.5’te belirtildiği gibi,
sekiz küpten oluşur. Bu kristal yapıya sahip diğer bileşikler ise Zr02
(kübik), U02, Pu02 ve Th02’dir.
 37

AmBnXp Tipi Kristal Yapılar

AmBnXp Tipi Kristal Yapılar birden fazla katyon tipi seramik bileşikler
için de mümkündür. Bu iki katyon türü için (A ve B olarak
gösterilen) kimyasal formül, AmBnXp olarak tanımlanabilir.

Gerek Ba +2 ve gerekse Ti +4 katyonlarına sahip olan Baryum

titanat (Ba Ti03) bu sınıftandır. Bu malzeme bir perovskite kristal
yapıya sahiptir ve oldukça ilginç olan elektromekanik özellikleri
daha sonra ele alınacaktır.

120°C üzerindeki sıcaklıklarda, kristal yapısı kübiktir. Bu yapıya ait

birim hücre Şekil l2.6’da gösterilmiştir. Ba +2 iyonları küpün sekiz
köşesinde de yer alırken ve Ti+4 iyonu küpün merkezinde tek
başına yerleşmiştir. Küpün altı yüzünde de O-2 iyonları bulunur.
 Tablo 12.4’te katyon-anyon oranları ve koordinasyon numaraları açısından,
kaya tuzu, sezyum klorür, çinko blend, florit ve Perovskite kristal yapılarına ait
38 özet bilgiler ve her biri için örnekler verilmiştir. Doğal olarak, birçok başka
seramik kristal yapıların da bulunması mümkündür.
 Anyonların Sıkı Paketlenmiş Kristal Yapıları
39
Metaller YMK ve SPH kristal yapılarını oluşturacak şekilde birbirinin üzerine
düzlemler halinde dizilmiştir. Çok sayıda seramik kristal yapıların da benzer
şekilde sıkı paketlenmiş iyonlar ve birim hücreler bakımından aynı olduğu kabul
edilebilir. Genel olarak, sıkı paketlenmiş düzlemler büyük anyonlardan
oluşmaktadır. Bu düzlemlerin birbiri üzerine dizilmesiyle ortaya çıkan ve
katyonların yerleşebildiği küçük atomlararası (arayer) boşlukları oluşabilir.
40 Şekil 12.7’de görüleceği gibi, bu arayer boşlukların, iki farklı türü vardır.
Dört atomla çevrili olan (her bir düzlemde üç ve bitişik düzlemde ise tek
bir) bu tür tetrahedral yerleşimdir.

Dört yüzlü tetrahedral yapıyı çevreleyen kürelerin merkezlerinden çekilen

düz çizgiler, tetrahedral konumu oluşturur ve buna tetrahedral yerleşim
denir.

Diğer yerleşim tipi Şekil 12.7’deki her iki düzlemde üç iyon içermek üzere
toplam altı iyon küresi bulunduran yapıdır. Bir oktahedron, bu altı küre
merkezlerinin birleşmesinden üretilmiş olduğundan, bu oluşuma bir
oktahedral yerleşim denir.

Böylece, tetrahedral ve oktahedral boşlukları dolduracak katyonlar için

koordinasyon sayıları sırasıyla 4 ve 6’dır. Ayrıca, bu anyon kürelerin her
birisi için, bir oktahedral ve iki tetrahedral boşlukları söz konusudur.
41
 Bu tür seramik kristal yapılar iki faktöre bağlıdır: (1) Sıkı paket anyon düzlemlerinin
42 istiflenmeleri (YMK ve SPH’nin her ikisi için ve sırasıyla ABCABC.... ve ABABAB dizileri) ve
(2) arayer boşlukların hangi şekilde katyonlar ile doldurulduğudur.

Örneğin, daha önce ele alınan kaya tuzu kristal yapısını göz önüne alırsak, birim
hücresinde kübik simetrisi söz konusudur ve Şekil 12.2’den kontrol edilebileceği gibi, her
bir katyonun (Na + iyonu), altı Cl - iyonu ile yakın komşuluğu vardır. Diğer bir ifadeyle,
merkezdeki Na iyonuna en yakın komşu olarak küpün her bir yüzeyinin merkezlerine
yerleşmiş altı adet Cl iyonları bulunmaktadır. Kübik simetrili kristal yapısı, anyonların sıkı
paketlenmiş YMK dizilimi olarak kabul edilir ve tüm düzlemler
{ 111 } tipindedir.

Katyonlar oktahedral boşluklara yerleşmiş ve en yakın altı adet komşu anyonlara

sahiptir. Ayrıca, tüm oktahedral boşlukları dolu olup, her bir anyon başına tek bir
oktahedral boşluğu düşmekte, dolayısıyla katyonlar ile anyonların oranı 1 :1 ‘dir. Bu
kristal yapı için, birim hücre ve sıkı paketlenmiş anyon düzlemi istifleme düzenleri
arasındaki ilişki Şekil 12.8 ‘de gösterilmiştir.
43 Tamamı olmamakla birlikte, örneğin çinko blend ve
Perovskite yapıları da dahil olmak üzere diğer
seramik kristal yapıları da benzer bir şekilde ele
alınabilir.

Spinel yapı AmBnXp türü yapı, magnezyum

alüminat veya spinelde (MgAl2O4) bulunmaktadır.
Bu yapısı ile 0-2 iyonları YMK kafes oluştururken, Mg+2
iyonları tetrahedral boşlukları doldururlar ve Al+3
iyonları ise oktahedral boşluklara yerleşirler.

Manyetik seramikler veya ferritler, bu spinel yapısının

hafif değişik bir biçimi olan bir kristal yapıya
sahiptirler ve manyetik özellikleri tetrahedral ve
oktahedral boşlukların doluluklarından (bkz. 20.5)
etkilenirler.
 Seramik Yoğunluk Hesaplamaları
44
Metaller için 3.5’te açıklanana benzer bir şekilde, birim hücre verileriyle kristal
yapıya sahip bir seramik malzemenin teorik yoğunluğunu hesaplamak
mümkündür.

Bu durumda, aşağıdaki gibi, Denklem 3.5’in değiştirilmiş bir halini kullanarak

yoğunluk tespit edilebilir.
45 12.3 SİLİKAT SERAMİKLER
Silikatlar öncelikle, yer kabuğunda en çok bulunan iki elementten, silisyum ve oksijenden oluşan
malzemelerdir. Dolayısıyla toprak, kayalar, killer ve kum, toplu olarak silikatlar grubunda yer
alırlar.

Bu malzemelerin kristal yapılarını birim hücreler açısından tanımlamak yerine, bir tetrahedra Si04
yani dörtyüzlünün (Şekil 12.9) çeşitli düzenlemelerini kullanmak daha uygundur.

Silisyum atomu dörtyüzlünün merkezine konumlanmış olup her bir silisyum atomu tetrahedra
köşelerinde yer alan dört ayrı oksijen atomuna bağlanmıştır. Bu yapı silikatların temel birimi
olduğundan, çoğunlukla negatif yüklü bir birim olarak ele alınır.

Atomlararası Si—O bağları önemli oranda kovalent karekterli (Tablo 12.1), yönlü ve göreceli
olarak daha güçlü olduğundan, çoğunlukla silikatlar iyonik olarak kabul edilmez. Si—O
bağlarının karakteri ne olursa olsun, her dört oksijen atomu, kararlı bir elektronik yapıya ulaşmak
için fazladan bir elektrona ihtiyaç duyduğundan, her tetrahedron Si04 -4 (dörtyüzlünün) ile ilişkili
olarak kuralına uygun şekilde elektriksel yükü —4’tür.

Si04 -4 üniteleri bir, iki ve üç boyutlu düzenlemelerle birleştirilerek farklı şekillerde ve çeşitli silikat
yapılar halinde ortaya çıkarlar.
46
47
Silika

Kimyasal olarak, en basit silikat malzeme silisyum dioksit veya silika (Si02)’dır. Yapısal
olarak, her tetrahedronun köşesindeki oksijen atomları, komşu tetrahedra ile paylaşılarak
üç boyutlu bir ağ oluştururlar.

Bu nedenle silika, elektriksel olarak nötrdür ve bütün atomlarının kararlı elektronik yapıları
vardır. Bu koşullar altında kimyasal formülünde gösterildiği gibi, 0 atomlarının Si atomlarına
oranı 1 :2.’dir. Bu tetrahedra düzenli ve sıralı bir şekilde dizilmiş ise silikanın bir kristal yapısı
oluşur.

Silikanın üç ana polimorfik kristal yapısı vardır. Bunlar kuvars, kristobalit (Şekil 12.10) ve
tridimittir. Bunların yapıları oldukça karmaşık olsa da nispeten daha kolay erişilebilir
(boşluklu); yani atomları sıkı paketlenmiş değildir. Bunun bir sonucu olarak, kristal yapılı
silika, nispeten düşük yoğunluğa sahiptir. Örneğin, oda sıcaklığında kuvarsın yoğunluğu
sadece 2,65 g/cm3’tür. Si-0 atomlararası yüksek bağ kuvveti yüksek ergime sıcaklığı
1710°C olarak yansır.
48
49

Silika Camları

Silika, aynı zamanda sıvı bir malzemenin özelliği olan, yüksek derecede rastgele
atomsal dizilime sahip bir amorf katı veya cam olarak da bulunabilir ve bu
malzemeye, ergimiş fused,) silika ya da camsı silika denir.

Kristal yapılı silika gibi, temel kafes yapısı tetrahedra olan bu yapıda ayrıca, önemli bir
düzensizlik vardır. Kristal ve amorf silika yapıları Şekil 3.23 ‘te şematik olarak
karşılaştırılmıştır. Diğer oksitler (örneğin, B203 ve Ge02) camsı yapılar (Şekil l2.9’da
gösterildiği gibi çok yüzlü oksit yapılar) da oluşabilir, bu malzemelerin yanı sıra, Si02 gibi
malzemelere ağ yapıcılar da denir.
50 Kaplar, pencereler ve bunun gibiler için yaygın olarak
kullanılan inorganik camlar silika camlar olup, bunlara
CaO ve Na20 gibi oksitler de ilave edilmiştir. Bu oksitler
çok yüzlü ağlar (şebekeler) oluşturmazlar.

Bunun yerine onların katyonları kristal kafes içine yerleşir

ve SiO4-4 ağları değiştirdikleri için, bu oksit ilavelerine
şebeke düzenleyiciler denir.

Örneğin, Şekil 12.11 ‘de verilen sodyum silikat cam

yapısının şematik bir gösterimidir. Ancak yine de diğer
oksitler, Ti02 ve Al203 gibi ağ düzenleyicisi olmayanlar,
silikonun yerine geçerek yapının bir parçası haline
gelirler ve bu şekilde şebekeyi kararlı hale getirirler, bu
oksitlere ara düzenleyiciler denir.

Uygulama açısından, bu değiştiriciler ve ara

düzenleyiciler camın ergime noktasını ve viskozitesini
düşürür ve daha düşük sıcaklıklarda kolay şekil
almalarını sağlarlar.
51
Silikatlar

Çeşitli silikat minerallerinde, tetrahedranın SiO4-4

köşesindeki bir, iki veya üç oksijen atomu diğer
tetrahedralar tarafından paylaşılır ve oldukça
karmaşık yapılar oluştururlar. Bunlardan bazıları
Şekil 12.12’de gösterilmiştir. Formülleri SiO4 -4,
Si2O7-6,
Si309-6 ve bunun benzerleridir.

Şekil 12. 12e’deki gibi tek zincir]i yapılar da

mümkündür. Ca +2, Mg +2 ve Al +3 gibi pozitif
yüklü katyonların iki görevi vardır: Birincisi, birim
kafes yapısındaki negatif yüklerin telafisi ile
elektriksel yük (şarj) dengesi elde edilir; ikincisi,
bu katyonlar birlikte iyonik bağla tetrahedraya
bağlanırlar.
52
Basit Silikatlar
Bu silikatlar, yapısal olarak en basit olanları izole tetrahedra
(Şekil 12.1 2a) içerir. Örneğin, forsterit de (Mg2SiO4) her Mg+2
iyonun altı oksijenle yakın komşuluğu mevcut olup bu
şekilde her tetrahedron ile ilişkili iki Mg+2 iyonlarının eşdeğeri
vardır.
Tabakalı Silikatlar
Her bir tetrahedral yapıda, her üç oksijen iyonunun
paylaşımı ile iki boyutlu bir levha ya da tabakalı yapı (Şekil
12.13) üretilebilir. Bu yapı için tekrarlanan birim kafes yapısı
(Si2O5)-2 formülü ile temsil edilebilecektir. Net negatif şarj,
sayfa düzleminin dışına yansıtılan bağlanmayan oksijen
atomları ile ilişkilidir. Elektronötralite normalde fazla
katyonlara sahip ikinci bir düzlemsel levha yapısı ile
kurulmuş olup Si205 levhasındaki serbest oksijen atomlarının
bu yapıya bağlanmasıyla oluşur. Bu tür malzemeler, levhalı
veya tabakalı silikatlar olarak adlandırılır ve kil ve diğer
minerallerin karakteristik temel yapılarını oluşturur.
53 12.4 KARBON
Karbon, çeşitli polimorfik formları yanı sıra amorf hali de bulunan bir elementtir. Bu grup
malzemeler aslında herhangi bir geleneksel metal, seramik ya da polimer sınıflama içine
girmemektedir.

Ancak, 12.2 ‘de incelendiği gibi, çinko blende benzer kristal yapısından dolayı, karbonun
bir polimorfik formu olan elmas, grafit ve diğer polimorfik formları, bazen seramik olarak
sınıflandırılması nedeniyle, bu bölümde incelenmek üzere seçilmiştir.

Karbon malzemelerin davranışları, yapıları ve özellikleri, grafit, elmas, fullerenler ve karbon

nanotüplerin mevcut ve potansiyel kullanımı üzerinde durulacaktır.
54 Elmas

Elmas, oda sıcaklığında ve atmosferik

basınçta yarı-kararlı bir karbon
polimorfudur. Kristal yapısı çinko blendin
bir çeşidi olup Şekil 12.15’te gösterilen
birim hücre de belirtildiği gibi (Zn ve S’ün
her ikiside) tüm boşluklara karbon
atomları yerleşmiştir.

Böylece, her bir karbon diğer dört karbon

ile bağlanmıştır ve bu bağlar tamamen
kovalenttir. Bu yapıya uygun bir
isimlendirme ile elmas kübik kristal yapı
denir. Periyodik tabloda bulunan diğer
IVA grubu elementleri de aynı yapıya
sahiptir [örneğin, germanyum, silisyum ve
13°C’nin altında gri kalay].
55 Elmasın fiziksel özellikleri oldukça dikkat çekicidir.

Son derece sert (bilinen en sert malzeme) ve

çok düşük bir elektrik iletkenliğine sahip olması,
kristal yapısı ve güçlü atomlar arası kovalent bağlarıyla ilgilidir.

Ayrıca, ametal bir malzeme için alışılmadık derecede yüksek bir ısıl iletkenliğin yanında
elektromanyetik spektrumun görünür ve kızılötesi bölgelerinde optik saydam ve yüksek
kırılma indeksine sahiptir.
Göreceli olarak büyük elmas tek kristaller, değerli taş (mücevher) olarak kullanılır.
Sanayide, elmas, diğer yumuşak malzemeleri (bkz. 13.6) zımparalama ya da kesmek için
kullanılmaktadır. Günümüzde sentetik elmas üretmek için 1950’lerin ortalarından
başlayarak, bazı teknikler geliştirilmiştir.
Endüstriyel kalitede malzemelerin büyük bir kısmı sentetik iken, bazıları mücevher
kalitesindedir. Son birkaç yıl içinde, ince film şeklinde elmas imal edilmiştir.

Film büyütme teknikleri, buhar fazlı kimyasal reaksiyonları takiben biriktirme (film) safhasını
içerir. Maksimum film kalınlıkları milimetre seviyesindedir. Ayrıca, henüz üretilen filmlerin
hiçbirinde doğal elmasın uzun mesafeli kristal düzenliliği yoktur. Elmas çok kristalli bir
malzemedir ve çok küçük ve/veya nispeten büyük taneler içerebilir.
56

Ayrıca elmas da amorf karbon ve grafit de bulunabilir. Bir elmas ince film
yüzeyinin tarama elektron mikroskobu görüntüsü (SEM) Şekil 12.16’da
gösterilmiştir. Elmas filmlerin, mekanik, elektrik ve optik özellikleri kütlesel elmas
malzemelerinkine yakındır. Yeni ve daha iyi ürünler üretmek amacıyla, istenen
özellikleri sağlamak için ince film tekniği kullanılmış ve kullanılmaya devam
edecektir. Örneğin; matkaplar, kalıplar, rulmanlar, bıçak ve diğer takımların
yüzeyleri yüzey sertliğini artırmak için elmas filmlerle kaplanırken, elmas kaplama
uygulaması saydam kalması istenen bazı lenslerin ve radar tertibatlarının
dayanımlarını artırmak için yapılan kaplamalar da geliştirilmişir.
 Grafit
57
Karbonun başka bir polimorfu grafitdir. Elmasdan
oldukça farklı bir kristal yapıya sahip olan grafit (Şekil
12.17) aynı zamanda oda sıcaklığı ve basınç altında
elmasdan daha ka rarlıdır.

Grafit yapısı hekzagonal olarak düzenlenmiş karbon

atomu katmanlarından oluşur ve bu katmanların
içindeki her karbon atomu üç eşdüzlemsel komşu
atoıı1ara güçlü kovalent bağlarla bağlıdır.

Dördüncü bağlanma elektronu katmanlar arasındaki

van der Waals tipi zayıf bağların katkısı ile sağlanır. Bu
zayıf tabakalar arası bağların bir sonucu olarak,
tabakalar arası bölünmenin (klivaj) oluşması kolaydır.
Bu, grafitin mükemmel olan yağla yıcılık özelliğinde
artış sağlar. Ayrıca, elektriksel iletkenlik, hekzagonal
levhalara paralel kristalografik yönde nispeten
yüksektir.
 Grafitin diğer istenen özellikleri şunlardır:
58
yüksek sıcaklıklarda yüksek dayanım ve
kimyasal kararlılık ve oksitleyici olmayan ortamlarda, yüksek ısıl iletkenlik, düşük ısıl
genleşme katsayısı ve
yüksek ısıl (termal) şok direnci, gazların yüksek adsorbsiyonu ve iyi işlenebilirlik.

Grafit, elektrikli fırınlarda ısıtma elemanı olarak yaygın biçimde kullanımının yanısıra;
ark kaynağı için elektrot olarak, metalurjik potalarda, metal alaşımlar ve seramikler
için döküm kalıbı olarak,

yüksek sıcaklık refrakter ve izolasyonları için, roket egsoz çıkışlarında, kimyasal reaktör
kaplarında, elektrik kontaklarında, fırçalar ve dirençlerde kullanılır.

Pillerde, elektrotlarda ve hava temizleme cihazlarında kullanımı ise sayılabilecek diğer

örnekler arasındadır.
 Fulerenler
59
1985 yılında keşfedilen karbonun başka bir polimorfik formudur. Birbirinden
ayrı moleküler şekilde bulunur ve içi boş küresel bir küme olarak altmış
karbon atomundan oluşur; C60 tek bir molekülü simgeler. Her molekül,
geometrik dizilişleri bakımından hem altıgen (altı karbon atomu) hem de
beşgen (beş karbon atomu) oluşturmak için birbirine bağlanmış karbon
atomları gruplarından oluşur. Şekil 12.18’de gösterildiği gibi böyle bir
molekül, iki beşgenin bir ortak yüzeyi paylaşmadan dizildiği gibi, 20 altıgen
ve 12 beşgenden oluştuğu tespit edilmiştir, moleküler yüzey böylece bir
futbol topundaki simetriyi sergiler.

C60 moleküllerinden oluşan malzeme, R. Buckminster Fullerin adının onuruna

Bukminstefideren olarak bilinir.
Elmas ve grafit, katı ağlar olarak adlandırılırlar ki karbon atomları katının
tamamı boyunca komşu atomları ile birincil bağ oluştururlar. Bukminster
fulerende bu küresel molekülleri oluşturmak için karbon atomları birlikte
bağlıdır. Katı halde C60 birimi kristal yapı biraraya gelerek paketleme ile
yüzey merkezli kübik bir dizilim oluşturur.
Saf bir kristal katı olarak bu malzeme, elektriksel açıdan yalıtkandır. Ancak,
uygun empürite ilaveleriyle, son derece iletken ve yarı iletken olabilir.
 12.5 SERAMİKLERDE KUSURLAR
63 Noktasal Atom Hataları
Atom kusurları seramik bileşiklerde matris (ana yapı) atomlarında bulunabilir.
Metallerde olduğu gibi, seramiklerde de hem boşluklar hem de atomlararası arayer
boşluklarının bulunması mümkündür; ancak, seramik malzemeler en az iki çeşit
iyondan oluştuklarından, her iyon tipi için hatalar söz konusu olabilir. Örneğin,
NaC1’de Na arayer atomları ile boşlukları ve Cl arayer ile boşlukları bulunabilir.
Anyon arayer boşluklarının kayda değer yoğunlukta olması ihtimal dışıdır. Anyonlar,
nispeten büyüktür ve küçük bir arayer boşluğu içine sığabilmesi için, çevresindeki
iyonları büyük kuvvetlerle iterek germesi gerekir. Anyon ve katyon boşlukları ile bir
katyon arayer boşluğu Şekil 12.20’de gösterilmiştir.
64

Kusurlu yapı ifadesi genellikle seramik malzemelerdeki atom kusurlarının türlerini ve

yoğunluklarını belirtmek için kullanılır. Kusurlu yapılar düşünüldüğünde atomlar yüklü
iyonlar halinde bulunduğundan, elektronlarda elektriksel yük dengesi koşulu
sağlanmalıdır.

Elektronötralite (elektronlarda elektriksel yük dengesi), iyonlardaki pozitif ve negatif yük

sayısının eşit sayıda olma durumudur. Bunun bir sonucu olarak, seramiklerdeki hatalar,
tek başına meydana gelmezler. Bu tür bir hata katyon boşluğu ve katyon arayer
boşluğu çiftinden oluşmaktadır. Buna Frenkeİ hatası (Şekil 12.2 1) denir.

Bu boşluk, katyonun normal pozisyonunu terk ederek arayer bir boşluğa taşınmış hali gibi
düşünülebilir. Katyon bir arayer olarak aynı pozitif elektriksel yükü sağlar; bunun nedeni,
elektriksel yükte bir değişikliğin olmamasıdır.
65 Schottky hatası
AX malzemelerde bulunan diğer bir kusur türü ise Schottky hatası olarak bilinen,
bir katyon-boşluk anyon boşluk çifti, Şekil 12.2 1 ‘de şematik olarak verilmiştir. Bu
kusurun, bir katyon-anyon çiftinin kristalin içinden alınarak kristalin dış yüzeyine
yerleştirilmesiyle oluştuğu düşünülebilir. Katyon ve anyonların her ikisi de aynı
elektriksel yüke sahip olduklarından ve aynı zamanda elektriksel yük dengesinin
sağlanması gerektiğinden, her bir anyon boşluğu için bir katyon boşluğu vardır.
66 Bir Frenkel veya bir Schottky hatası oluşumuyla anyon, katyon oranı değişmez. Başka
hiçbir kusur yok ise malzemenin stokiyometrik olduğu söylenir. Iyonik bileşiklerde
kimyasal formülün öngördüğü gibi, anyonların katyonlara oranının tam olduğu bir
durum söz konusu ise bu stokiyometri olarak tanımlanabilir. Örneğin, Na iyonlarının Cl
iyonlarına oranı tam olarak 1:1 ise NaCl stokiyometriktir. Bu oranın tam olarak
sağlanmadığı, yani aksi durumda seramik bileşikler stokiyometrik değillerdir.

Stokiyometrik olmama durumu bazı seramik malzemelerde iki değerlikli (ya da iyonik)
iyon türlerinden biri için oluşabilir. Demir oksit (wüstit, FeO) böyle bir malzemedir; bunun
nedeni, demirde Fe+2 ve Fe+3 hallerinin her ikisi de bulunabilir ve bu iyon türlerinin her
birinin sayısı, sıcaklık ve ortamın oksijen basıncına bağlıdır.

Fe+3 iyon oluşumu, fazla dan +1 yük ilavesiyle kristalin elektronötralitesini (yük dengesini)
bozar; bu durum, bazı hatalar ile dengelenmelidir. Oluşan her iki Fe+3 iyonu için (Şekil
12.22) bu bir Fe+2 boşluğu oluşturur (veya iki pozitif yükün ortadan kaldırılması). Fe
iyonundan bir fazla 0 iyonu bulunduğundan kristal artık stokiyometrik değildir; ancak,
elektriksel olarak nötr kalır. Bu olay, demir oksitte oldukça yaygındır ve genellikle Fe
eksikliğinden stokiyometrik olma yan bir durumu belirtmek için, gerçekte, kimyasal
formülü Fe1-xO (burada x, 1 ‘den küçük ve oldukça değişken olan ondalık sayı) olarak
yazılır.
 Fe1-xO Stoikyometrik olmayan
67 FeO Stoikyometrik
68
Frenkel ve Schottky kusurlarının her ikisinin de denge sayılarının artması metallerdeki boşluk
sayısının artmasına (Denklem 4. 1) benzer bir şekilde sıcaklığa bağlıdır. Frenkel kusurları
aşağıdaki ifadeye göre, katyon—boşluk katyon-arayer kusur çifti sayısı (Nfr)
sıcaklığa bağlıdır:

Burada Qfr, her Frenkel kusuru oluşumu için gerekli olan enerji, ve N toplam kafes
konumlarının sayısıdır ( k ve T sırasıyla, Boltzmann sabiti ve mutlak sıcaklığı temsil eder). 2
faktörü üstel sayının paydası olarak bulunmaktadır. Bunun nedeni, iki kusurun (bir kayıp yani
yerinde olmayan katyon ve bir arayer katyonu) her biri Frenkel ile ilişkili olmasıdır.

Benzer şekilde, Schottky kusurları için, AX-tipi bir bileşikte, denge sayısı (Ns) sıcaklığın bir
fonksiyonudur; Burada Qs Schottky kusuru oluşum enerjisini temsil eder.
 69
Seramiklerde Empüriteler Şekil 12.23 Bır iyonik bileşikte arayer, anyon-
yeralan ve katyon-yer alan empürite
atomlarının şematik gösterimi.
Seramik malzemelerde empürite atomları metallerde
olduğu gibi, katı çözeltileri oluştururlar. Katı çözeltilerde,
yeralan ve arayer türlerinin her ikiside mümkündür. Bir
arayer için, empürite iyonu yarıçapı anyonla
karşılaştırıldığında nispeten küçük olmalıdır. Hem anyon
hem de katyonun her ikiside bulunduğundan, yeralan
empürite, matris iyonunun yerini elektriksel anlamda en
benzer olanla değiştirir; empürite atomu normal bir
seramik malzemede katyon oluşturursa, bu büyük bir
olasılıkla bir ana katyonun yerine geçer.

Örneğin, sodyum klorürde Na+ ve Cl- iyonlarının yerine

sırasıyla büyük olasılıkla Ca+2 ve 0-2 empürite iyonları yer
alır. Katyon ve anyonun yer değiştirmesi gibi arayer
empüritelerine ait şematik gösterimler Şekil 12.23’te
verilmiştir.
 12.6 İYONİK MALZEMELERDE YAYINMA
70

Iyonik bileşiklerde yayınma olgusu, biribiriyle zıt elektrik yüküne sahip iki tür iyonun yayınma
hareketlerinin göz önüne alınmasını gerektirdiği için, metallerdekinden çok daha
karmaşıktır.

Bu malzemelerde yayınma genellikle bir boşluk mekanizmasıyla (Şekil 5.3a) oluşur. Ayrıca,
12.5 ‘te belirtildiği gibi, iyonik bir malzemenin yük dengesini korumak için boşluklarla ilgili
olarak aşağıdakiler sıralanabilir:

(1) Çiftler (anyon-katyon) halinde iyon boşlukları oluşur [Schottky kusurları gibi (Şekil 12.2 1)].

(2) Stokiyometrik olmayan bileşikler oluştururlar (Şekil 12.22) ve

(3) bunlar (boşluklar), matris iyonlarının (Örnek Problem 12.5) yeralan empürite iyonlarından
farklı elektriksel yüke sahip olmasıyla meydana gelirler.
71
Her ne durumda olursa olsun, tek başına bir iyonun yayınma hareketi aslında bu
iyonun elektrik yükünün transfer edilmesine bağlıdır.

Bu hareketli iyonun yakın çevresindekilerle elektriksel yük dengesini koruyabilmesi için,

bu iyona, eşit ve zıt elektriksel yüklü başka bir tür iyon eşlik etmelidir.

Bunun için olası elektrik yüklü türler şunlardır: başka bir boşluk, bir empürite atomu ya
da elektronik bir taşıyıcı [yani serbest elektron veya delik (bkz. 18.6)].

Elektrik yüklü bu çiftlerin yayınma hızını, en yavaş hareket eden türlerin yayınma hızı
belirler.

Sonuç olarak, iyonik katılar için yayınma verilerinin çoğu elektriksel iletkenlik
ölçümlerinden elde edilir.
 12.7 SERAMİK MALZEMELERİN FAZ DİYAGRAMLARI

72 Faz diyagramları, çok sayıda seramik sistemler için deneysel olarak belirlenmiştir. İkili
veya iki bileşenli faz diyagramlarında sık rastlanan iki bileşenli bileşiklere ait ortak bir
element genellikle oksijendir. Bu diyagramlar, metal—metal sistemlerine benzer
düzene sahiptir ve aynı şekilde yorumlanır.

Al203—Cr203 Sistemi

Şekil 12.24’te görülen alüminyum oksit-krom oksit sistemi nispeten basit seramik faz di
yagramlarından biridir. Bu diyagram, izomorf bakır-nikel faz diyagramı (Şekil 9.3a) ile aynı
şekilde oluşan uçak kanadı şeklinde olan iki fazlı bir katı-sıvı bölgeyle ayrılmış tek sıvı ve tek
katı faz bölgelerini içerir.

Al203—Cr203 yeralan bir katı çözelti olup Al+3 ile Cr+3 biribirlerinin yerine geçerler. Alüminyum
ile krom iyonlarının her ikisinin de aynı elektriksel yüke ve benzer yarıçaplara (sırasıyla 0,053
ve 0,062 nm) sahip olması nedeniyle, Al203 ‘ün ergime noktasının altındaki tüm bileşimlerde
katı çözelti mevcuttur. Ayrıca, Al203—Cr203’ün ikisi de aynı kristal yapıya sahiptir.
73
 MgO- Al203 Sistemi
74
Şekil 12.25’te verilen magnezyum oksit-alüminyum oksit sistemine ait faz diyagramı,
kurşun-magnezyum diyagramına (Şekil 9.20) pek çok açıdan benzerdir. Diyagramda
görüldüğü gibi, kimyasal formülü MgA12O4 (veya MgO- Al203 ) olan bir arabileşik ya
da spinel denilen bir bileşik bulunmaktadır. Spinel, ayrı bir bileşik olmasına rağmen
[kompozisyon mol% 50 Al203 - mol% 50 MgO (ağırlıkça % 72 Al203 -28 ağırlıkça % 28
MgO)], faz diyagramında tek fazlı bir alan olarak bulunmak yerine Mg2Pb (Şekil
9.20)’deki gibi dikey bir çizgi olarak temsil edilmektedir.

Diğer bir ifadeyle, spinelin bileşik olarak kararlı olduğu bir bileşim aralığı
bulunmaktadır. Böylece, spinelin mol % 50 Al203 -mol % 50 MgO kompozisyonun
dışında stokiyometrik olmadığı bileşimlerde vardır. Ayrıca, öncelikle elektriksel yük ve
Mg+2 ve Al+3 iyonlarının yarıçapları farklılıkları nedeniyle (0,072 karşı 0,053 nm) Şekil
12.25’in sol ucunda yaklaşık 1400°C nin altında MgO içinde Al203 sınırlı
çözünmektedir. Aynı nedenlerle, katı çözelti eksikliği ile kanıtlandığı gibi, faz
diyagramının sağ uç tarafinda gerçekte MgO içinde Al203 çözünmez.

Ayrıca, iki ötektik bulunur, biri öbür uçta spinel faz alanının yanında ve diğeri
stokiyometrik spineldir ve yaklaşık 2100 °C de uyumlu olarak ergir.
75
 Zr02—CaO Sistemi
76
Diğer önemli bir seramik ikili sistemi ise, faz diyagramının bir kısmı Şekil 12.26’da gösterilen,
zirkonyum oksit (zirkonya) ve kalsiyum oksit (kalsit)dir. Yatay eksen sadece yaklaşık ağırlıkça
% 31 CaO (mol % 50 CaO)’a kadar uzanır ve bu bileşimde CaZrO3 oluşur.

Burada bir ötektik (2250°C’de ve ağırlıkça % 23 CaO) ve iki ötektoid (l000°C’de ve

ağırlıkça % 2,5 CaO ve 850°C’de ve ağırlıkça % 7,5 CaO) reaksiyonlarının bu sistemde
olduğunu belirtmek faydalı olacaktır.

Şekil 12.26’dan görülebileceği gibi, Zr02’nın fazları, bu sistemde üç farklı kristal yapıya
sahiptir: bunlar tetragonal, monoklinik ve kübiktir.

Saf Zr02 yaklaşık 1150°C’de bir tetragonal-monoklinik faz dönüşümü geçirir. Nispeten
büyük bir hacimsel değişimle birlikte bu dönüşüme eşlik ederek çatlakların oluşumuna yoi
açtığından seramiği işe yaramaz hale getirir. Bu sorun, yaklaşık ağırlıkça % 3 ila % 7
arasında CaO ekleyerek zirkonyayı “kararlı hale getirme” ile çözülmektedir. Bu
kompozisyon aralığı boyunca ve yaklaşık l000°C’nin üzerindeki sıcaklıklarda ve tetragonal
ve kübik fazların her ikiside mevcuttur.
77
78

Si02—Al203 Sistemi

Birçok seramik refrakterin temel bileşenleri bu iki malzemeden oluştuğundan,

ticari alümina silika—sistemi önemlidir. Şekil 12.27’de Si02—Al203 faz diyagramı
verilmiştir. Ötektik sıcaklık altında ve hemen üstünde, yüksek silikalı bölgede,
silikanın kararlı polimorfik formu kristobalittir ve birim hücresi Şekil 12.1O’da
gösterilmiştir. Alümina ve silika karşılıklı çözünür değildir ve faz diyagramında her
iki uç kısımda katı çözeltinin bulunmaması bunun en önemli göstergesidir.

Şekil 12.27’de dikkati çeken ve dar bir faz alanında yeralan müllit arabileşiği
3Al2O3—2SiO2 1890°C’de uyumsuz ergir. 1587°C’de ağırlıkça % 7,7 A1203’de
tek bir ötektik vardır. Refrakter seramiklerin yapısında silika ve alümina vardır.
79
 12.8 SERAMİKLERİN GEVREK KIRILMASI
80

Oda sıcaklığında kristal ve kristal olmayan seramiklerin her ikisi de uygulanan

çekme yükünün etkisiyle çoğu zaman herhangi bir plastik deformasyon
göstermeden kırılırlar.
Gevrek kırılma, parçanın kesitine dik yönde uygulanan yükün etkisiyle malzemenin
bir kesitinde çatlak oluşumu ve ilerlemesiyle gerçekleşir. Kristalin seramiklerde
çatlak büyümesi ya tane içi (yani tanelerin içinden geçerek) ya da taneler arası
(yani tane sınırları boyunca) olabilir. Tane içi kırılmada, çatlak, belirli kristal
düzlemleri boyunca ilerler (veya kilivaj, yarılma); bunlar yüksek atom yoğunluklu
düzlemlerdir.
Çoğu seramik malzemeler için deneysel olarak ölçülen kırılma dayanımı,
atomlararası bağ kuvvetinden hareketle teorik olarak hesaplanan değerinden
önemli ölçüde düşüktür. Bu fark, malzemenin her yerinde bulunabilen, çok küçük
ve gerilme yığılmasına yol açan malzeme kusurlarıyla açıklanabilir. Kusurların
bulunduğu noktalarda, uygulanan çekme gerilmesinin değeri artar ve ayrıca
çatlakları yavaşlatan veya yönünü değiştiren plastik deformasyon gibi bir
mekanizma da söz konusu değildir.
 Tek fazlı (monolitik) seramikler için, gerilmenin artması, Denklem 8. 1 ‘e göre, çatlak
81 uzunluğuna ve çatlak ucu eğrilik yarıçapına bağlı olup gerilmedeki artış, uzun ve sivri
geometriye sahip kusurlarda en büyüktür. Malzemenin bünyesinden giderilmesi
veya kontrol edilmesi neredeyse imkansız olan bu gerilme arttırıcı kusurlar; çok ince
yüzey veya iç çatlaklar (mikro çatlaklar, kılcal), iç gözenekler, inklüzyonlar ve tane
köşeleri şeklinde karşımıza çıkabilir. Örneğin, nem ve atmosfer kirletici maddeler bile,
yeni çekilmiş cam elyafta yüzey çatlaklarına yol açabilir. Bu, malzemenin
dayanımını istenmeyen şekilde etkileyecektir. Bir kusurun ucundaki gerilme yığılması
sonuçta malzemenin kırılmasına yol açabilen bir çatlak ilerlemesine dönüşebilir.
Yapısında çatlak bulunan bir seramik malzemenin, kırılmaya karşı gösterdiği direnç,
kırılma tokluğu ile ifade edilir. 8.5’te açıklandığı gibi düzlem şekil değiştirme kırılma
tokluğu KIc (12.5) ifadesine göre tanımlanır.

Burada Y boyutsuz bir parametre veya bir fonksiyon olup hem numune hem de çatlak
geometrisine bağlıdır. uygulanan gerilme ve a ise yüzey çatlak uzunluğu ya da
hacmin içindeki bir çatlak uzunluğunun yarısıdır. Denklem 12.5’in sağ tarafındaki
büyüklük, malzemenin düzlem birim şekil değiştirme kırılma tokluğundan daha küçük
ise çatlak ilerlemesi gerçekleşmez. Seramik malzemeler için düzlem birim şekil
değiştirme kırılma tokluğu değerleri metallerden daha küçüktür, bu tipik olarak
10 Mpa 𝑚 mertebelerindedir.
82 Bazı koşullar altında, gerilme statik karakterde ise ve Denklem 12.5’in sağ
tarafının Kıc’den daha küçük olduğu durumda, seramik malzemelerin
kırılması çatlakların yavaş ilerlemesiyle oluşur. Bu olaya, statik yorulma veya
gecikmiş kırılma denir.

Bu tip kırılmalar, özellikle atmosferde nem bulunması durumunda çevresel

koşullara karşı hassastır. Mekanizmayla ilişkili olarak, bir gerilmeli-korozyon
süreci muhtemelen çatlak ucunda meydana gelir.

Ayrıca, artan gerilme ile doğal olarak malzemenin kırılma süresi azalır.
Dolayısıyla bir malzemenin statik yorulma dayanımı için, gerilmenin
uygulama süresi de bir koşul olarak belirtilmelidir.

Bu tür kırılmaya, özellikle silikat camları duyarlıdır, aynı zamanda, porselen,

portland çimentosu, yüksek alümina seramikleri, baryum titanat ve silisyum
nitrür dahil olmak üzere diğer seramik malzemelerde de bu tür kırılmalar
meydana geldiği gözlenmiştir.
83
Kırılgan seramik bir malzemeden üretilmiş çok
sayıda numuneler teste tabi tutulduğunda,
genellikle kırılma dayanımı değeri önemli ölçüde
değişiklik ve saçılma gösterir. Örnek olarak,
silisyum nitrür malzeme için kırılma dayanımı
dağılımı Şekil 12.28’de gösterilmiştir. Bu olay,
kırılma dayanımının, malzemede çatlak
başlatma yeteneğine sahip bir kusurun bulunma
ihtimaline bağlı olmasıyla açıklanabilir. Bu olasılık,
aynı malzemeden alınan bir numuneden diğer
bir numuneye, malzemenin üretim tekniğine ve
üretim sonrası göreceği işleme bağlı olarak
değişebilir.

Numune boyutu veya hacmi de kırılma

dayanımını etkiler ve numune boyutu
büyüdükçe, malzemenin kusur içerme olasılığıda
o kadar artar ve buna bağlı olarak da kırılma
dayanımı düşer.
84 Basma gerilmeleri için malzemede mevcut herhangi bir kusur ile gerilmedeki
artışın ilişkilendirilmesi söz konusu değildir. Bu nedenle, kırılgan seramiklerin basma
gerilmesine karşı gösterdikleri dayanım, çekme gerilmesindekinden çok daha
fazladır (10 kat civarında) ve bundan dolayı seramikler genellikle yüklerne
koşullarının basma türünde olduğu durumlarda kullanılmaktadır.

Ayrıca, kırılgan bir seramiğin kırılma dayanımı, o seramiğin yüzeyinde kalıntı (artık)
basma gerilmeleri oluşturularak önemli ölçüde artırılabilir. Bunu gerçekleştirmenin
yollarından bir tanesi temperleme ısıl işlemidir.
Deney verilerini kullanarak, malzemenin kırılma riskini belirleyen bazı istatistiksel
teoriler geliştirilmiştir. Bunlar burada ele alınan konunun kapsamı dışında
kalmaktadır.

Ancak, kırılgan seramik malzemeler için ölçülen kırılma dayanımındaki saçılma

(düzgün kararlı dağılım göstermeme) nedeniyle, 6.11 ve 6.12’de belirtilen
ortalama değerler ve güvenlik faktörleri normal olarak tasarım amaçlı
kullanılmaz.
85 Seramiklerin Fraktografisi (Kırık Yüzey İncelemesi)

Bir seramiğin kırılma olasılığının azaltılması için gerekli önlemlerin alınabilmesi

kırılma nedeninin araştırıldığı bazı çalışmaları gerekli kılar. Hasar analizi, normalde
çatlağa neden olan kusurun yeri, tipi ve kaynağının belirlenmesi üzerinde
yoğunlaşır. Çatlağın ilerleme yolu yanı sıra, kırık yüzeyinin mikro ölçekteki
özelliklerinin incelenmesini kapsayan fraktografik çalışma (bkz. 8.3) hasar
analizinin bir parçasıdır.

Böyle bir inceleme yapmak için basit ve ucuz araştırma ekipmanı kullanmak
mümkündür; örneğin, çoğunlukla büyüteç ve/veya ışık kaynağı ile birlikte düşük
güçte stereo binoküler optik mikroskop kullanılabilir. Yüksek büyütmeler gerekli
olduğunda, tarama elektron mikroskobundan yararlanılır.

Çatlak başlangıcı ve ilerlemesinden sonra, kritik bir (veya nihai) hız elde edene
kadar çatlağın hızı artar ve cam için, bu kritik değer yaklaşık ses hızının bir buçuk
katıdır. Bu kritik hıza ulaştıktan sonra, çatlak dallanarak büyür, bu süreç çatlak
takımları oluşuna ka dar art arda tekrarlanır. Tipik olarak sıkça rastlanan dört ayrı
zorlanma durumu için çatlak oluşumu görünümleri Şekil 12.29’da verilmiştir.
86

Çatlak başlangıcı ve
ilerlemesinden sonra, kritik bir
(veya nihai) hız elde edene
kadar çatlağın hızı artar ve
cam için, bu kritik değer
yaklaşık ses hızının bir buçuk
katıdır. Bu kritik hıza ulaştıktan
sonra, çatlak dallanarak büyür,
bu süreç çatlak takımları
oluşuna kadar art arda
tekrarlanır. Tipik olarak sıkça
rastlanan dört ayrı zorlanma
durumu için çatlak oluşumu
görünümleri Şekil 12.29’da
verilmiştir.
87 Büyük gerilmeler, daha fazla ve daha küçük çatlaklar veya daha fazla sayıda
kırık parçaları oluşur.

Çatlağın ilerleme davranışı, malzemenin mikroyapısı, gerilme ve de üretilen elastik

dalgalarla etkileşim halindedir. Bu etkileşimler kırık yüzeyinde ayırt edici özellikleri
oluşturur.

Bunlar çatlağın nerede başladığı ve çatlağa neden olan kusurun kaynağının ne

olduğu gibi önemli bilgiler sağlar. Ayrıca, yaklaşık olarak çatlağa neden olan
gerilme seviyesinin ölçümü yararlı olabilmektedir.

Gerilmenin büyüklüğü, seramik parçanın aşırı zayıf veya servis sırasında gerilmenin
beklenenden daha büyük olup olmadığının göstergesidir.
 Seramik parçaların kırık yüzeylerine ait bazı
özelliklerin şematik diyagramı yandaki
88
şekilde verilmektedir.

Çatlak ilerlemesinin başlangıçtaki hızlanma

aşamasında oluşan çatlak yüzeyi düz ve
pürüzsüzdür. Bu yüzey bölgesi, uygun bir
terimle ayna bölgesi (Şekil 12.30) olarak
adlandırılır.

Cam kırıkları için bu ayna bölgesi son

derece düz ve yüksek seviyede yansıtıcıdır.

Öte yandan, çok kristalli seramiklerde, düz

ayna olarak yüzeyleri pürüzlü ve taneli bir
dokuya sahip tir. Ayna bölgesinin dış
çevresi, kabaca dairesel olup merkezinde
çatlak orijini (başlangıç noktası) bulunur.
89

Geçiş bölgesinin dış

kısmında pürüzlü dokusuyla
çapak bölgesi yer
almaktadır. Çapak, çatlak
ilerlemesi yönünde, çatlak
kaynağından uzakta,
dairesel, bir merkezden
yayılan bir dizi desen ya da
çizgilerden oluşur. Bunlar
çatlak başlangıç bölgesi
yakınında kesişirler ve
çatlağın yerini kesin olarak
belirlemek için bu
oluşumdan yararlanılır.
90
Ayna bölgesi yarıçapı (Şekil 12.30, rm) ölçümünden hareketle, çatlak üreten gerilmenin
büyüklüğü hakkında kalitatif (nitel) bilgi edinilebilir. Bu yarıçap, yeni oluşan bir çatlağın
ilerleme hızının bir fonksiyonu olduğundan, hızlanma oranı ne kadar büyükse çatlak da
kritik hıza o kadar çabuk ulaşır ve dolayısıyla ayna bölgesinin yarıçapı da o kadar küçük
olacaktır.

Ayrıca, çatlak ilerleme hızı gerilme seviyesine bağlı olarak artmaktadır. Böylece, kırılmaya
neden olan gerilmenin seviyesi arttıkça, ayna bölgesi yarıçapının azaldığı deneysel
olarak gözlenmiştir;

k kırılmaya neden olan gerilme seviyesidir.

Ayrıca kırılma olayı sırasında elastik (sonik) dalgalar da oluşur ve çatlak ön cephesi
ilerlerken bu dalgaların kesiştiği yerde Waliner çizgileri olarak bilinen başka bir tür yüzey
oluşumu görülür. Wallner çizgileri yay şeklinde olup gerilme dağılımı ve çatlak ilerleme
yönleri ile ilgili olarak bilgi verirler.
Mekanik Özellikler

Tunç Çağı ‘ndan önce, insanların kullandığı eşyalar ve kaplar öncelikle taştan (seramik)
yapılmıştır. 3000 ila 4000 yıl önce metaller toklukları ve bunun sağladığı süneklik nedeniyle
yaygın kullanılır hale gelmiştir.

Tarihin büyük bir kısmı için, seramik malzemelerin kırılgan doğası nedeniyle uygulanabilirliği
sınırlı kalmıştır. Seramiklerin başlıca dezavantajı, çok az enerji absorbe ederek ani ve tamamen
kırılmaya olan eğilimleridir.

Birçok yeni kompozit ve çok fazlı seramikler tokluk artırmak için geliştiriliyor olsa da (doğal
olarak oluşan, deniz kabuklarını çoğu zaman taklit eden kompozit seramikler gibi) şu anda
kullanılmakta olan seramik malzemelerin çoğu kırılgandır .
92 12.9 GERİLME-BİRİM ŞEKİL DEĞİŞİMİ DAVRANIŞI

Eğme Dayanımı
Üç nedenden dolayı genelde gevrek olan seramiklerin gerilme-şekil değişimi
davranışı çekme deneyi ile tespit edilemez;
ilk olarak, gerekli geometriye sahip numuneler hazırlamak ve test etmek zordur.
İkincisi, cihaza ait çenelerin seramik malzemeyi kırılma oluşmaksızın kavraması
zordur;
üçüncüsü, seramikler sadece % 0,1 şekil değişiminden sonra kırılırlar.

Bu hesaplanması zor olan eğme gerilmelerinden sakınmak amacıyla çekme

numunelerinin mükemmel derecede düzgün olmasını zorunlu kılmaktadır. Bu
nedenle, daha uygun olan ve en sık uygulanan eğme deneyi olup, yuvarlak veya
dikdörtgen kesitli bir çubuk numune, üç veya dört nokta eğme yükü altında
kırılana kadar eğmeye zorlanır. Üç noktadan yükleme şekli, Şekil 12.32’de
gösterilmiştir.
93
Dikdörtgen ve dairesel kesitler için
gerilme, numune kalınlığı, eğilme
momenti ve kesit atalet momenti
kullanılarak hesaplanır; bu
parametreler, Şekil 12.32’de
belirtilmiştir. Maksimum çekme
gerilmesi (bu gerilme eşitlikler
kullanarak belirlenir) yükün doğrudan
uygulandığı noktanın altında,
numunenin alt yüzeyinde oluşur.
Seramiklerin çekme dayanımı, basma
dayanımlarının yaklaşık onda biri
olması ve çekme numunesinde
kırılmanın yaşanması nedeniyle, eğme
deneyi çekme deneyinin yerine
kullanılabilecek uygun bir test tekniğidir
94
Gevrek seramiklerin mekanik davranışına ait önemli bir parametresi, eğme
deneyinde kırılmanın oluştuğu gerilme değeri eğme dayanımı, kırılma modülü
veya kırılma dayanımı olarak bilinir. Dikdörtgen bir kesit için, eğme dayanımı e,
kırılmadaki yük Fk, mesnetler arası mesafe L’dir.

Dairesel kesitli numunelerde (12.7b) R numune yarıçapıdır.

95 Çoğu seramik malzemeler için karakteristik
eğme dayanımı değerleri Tablo 12.5’te
verilmiştir. Ayrıca, daha önce de açıklandığı gibi
e numunenin büyüklüğüne bağlıdır;
dolayısıyla, artan numune hacmiyle (yani
gerilmeden etkilenen numune hacmiyle) çatlak
üreten bir kusurun bulunma olasılığı da artmakta
ve sonuç olarak malzemenin eğme dayanımı
düşmektedir.

Dahası belirli bir seramik malzeme için eğme

dayanımının büyüklüğü çekme deneyi ile
belirlenen kırılma dayanımından daha büyüktür.
Eğme ve çekme zorlanmaları altında dayanımın
farklı değerler alması gerilmeye maruz kalan
hacimlerdeki farklılıkla açıklanabilir: Çekme
numunesinde kesitinin tamamı çekme gerilmesi
etkisinde zorlanmasına rağmen, eğme
numunesinde sadece hacmin belirli bir oranı
veya bölgesi çekme gerilmesine maruzdur.
96
97
Elastik Davranış

Seramik malzemeler için, eğme deneylerinden elde

edilen elastik gerilme-birim şekil değişimi davranışı
eğrileri, metallerin çekme eğrilerine benzer. Seramik
malzemelere ait eğrilerde de gerilme ve birim şekil
değişimi arasında doğrusal bir ilişki vardır.

Şekil 12.3 3 ‘te alüminyum oksit ve camın kırılmaya

kadar olan gerilme-şekil değişimi davranışları
karşılaştırma amacıyla birlikte verilmiştir. Metallerin
çekme eğrisinde olduğu gibi burada da, elastik
bölgedeki eğim, elastiklik modülüne karşılık
gelmektedir.

Seramik malzemeler için elastiklik modülü değeri

yaklaşık 70 ile 500 GPa arasında değişir ve bu
metallerinkinden biraz daha yüksektir. Tablo 12.5 ‘te
çeşitli seramik malzemelerin elastiklik modülü
değerleri verilmiştir.
98 12.70 PLASTİK DEFORMASYON MEKANİZMALARI

Kristal Seramikler
Kristal seramiklerde plastik deformasyon, metallerde olduğu gibi, dislokasyon
hareketiyle (Bölüm 7) oluşur. Bu malzemelerin sert ve kırılgan olmasının
nedenlerinden biri kaymanın (veya dislokasyon hareketinin) zorluğudur.

İyonik bağ ağırlıklı kristal seramik malzemelerde, dislokasyonların hareket

edebileceği çok az sayıda kayma sistemi (bu düzlemler içinde kristal
düzlemleri ve doğrultuları) bulunmaktadır.

Bu, elektrik yüklü iyonların doğal bir sonucudur. Bazı yönlerde kaymanın
olabilmesi için, aynı yüklü şarj iyonları birbirleri ne yaklaşır; bunun nedeni,
elektrostatik itme modunda kaymanın çok kısıtlı olmasıdır ve buna göre
seramiklerin oda sıcaklığında plastik deformasyonu, nadiren ölçülebilir.

Bunun tersine, metallerde tüm atomlar elektriksel olarak nötr olduğu için, çok
daha fazla kayma sistemi çalışabilir ve dolayısıyla, dislokasyon hareketi çok
daha kolaydır
99 Amorf Seramikler

Düzenli bir atomsal yapıları olmadığından,

amorf seramiklerde plastik deformasyon
dislokasyon hareketiyle meydana gelmez.
Aksine, bu malzemeler viskoz akışla deforme
olurlar (şekil alırlar), sıvılar da aynı şekilde
deforme olmaktadır ve deformasyon oranı
uygulanan gerilmeyle orantılıdır.

Uygulanan bir kayma gerilmesine karşılık,

atomlararası bağlar kopmakta ve yeniden
oluşmak suretiyle atomlar veya iyonlar
birbirlerine üzerinde kayarak ilerlerler.

Ancak, bunun dislokasyon ile oluşan

herhangi bir tarzı veya yönü yoktur. Makro
ölçekte viskoz akışı Şekil 12.34’te
gösterilmiştir..
 Viskoz akışın karakteristik özelliği olan viskozite, amorf malzemenin deformasyona karşı
direncinin bir ölçüsüdür. Iki düz ve birbirine paralel plaka tarafindan uygulanan kayma
100 gerilmesi sıvıda viskoz akışı oluşturur. Viskozite η, uygulanan kayma gerilmesinin (τ), vizkoz
akışkan içerisinde gelişen hız gradyenine (dv/dy) oranı olarak tanımlanır ve aşağıdaki şekilde
ifade edilir:

Bu durum Şekil 12.34’te gösterilmiştir. Burada y, plakalar arasındaki düşey mesafeyi

belirtmektedir.

Viskozite birimleri poise (P) ve pascal-saniye (Pa.s)’dir;

1 P = 10 -5 Ns/cm2 ve 1 Pa.s= 1 Ns/m2. Bir sistemdeki bir birimin diğer birimlerdekine dönüşümü
10 P = 1 Pa.s’e göre yapılır.

Sıvıların nispeten düşük viskoziteleri vardır, örneğin oda sıcaklığında suyun viskozitesi, yaklaşık
10-3 Pa.s’dir.
Öte yandan, camların atomlararası bağları kuvvetli olduğu için oda sıcaklığındaki viskoziteleri
çok yüksektir. Artan sıcaklıkla birlikte, bağ kuvveti zayıflar, atomlar veya iyonların kayma
hareketi veya akışı kolaylaşır ve beraberinde viskozite de bir azalma oluşur.
 12.1 1 MEKANİK DAVRANIŞA AİT BAZI DEĞERLENDİRMELER
101
Gözenekliliğin Etkisi

13. 10 ve 13. 11 ‘de incelendiği gibi, bazı seramik üretim tekniklerinde, başlangıç malzemesi
toz formundadır. Bu toz partiküllerinin istenilen şekle sıkıştırma veya şekil verilmesinden sonra,
gözenekler (porozite) veya boşluklar bu toz partikülleri arasında yer almaktadır.

Takip eden ısıl işlem sırasında, bu gözeneklilik ortadan kaldırılacaktır. Ancak, bu gözenek
lerin giderilmesi genellikle tam olarak gerçekleştirilemediğinden bir miktar kalıntı gözenek
söz konusudur.

Kalıntı gözeneğin varlığı, hem elastik özellikler hem de dayanım üzerinde zararlı etkiye
sahiptir. Örneğin, bazı seramik malzemelerde E elastiklik modülünün büyüklüğü, gözenek
hacim oranı P ile Denklem l2.9’e göre azalır
102

Bu denklemde E0 gözeneksiz malzemenin elastiklik modülüdür.

Alüminyum oksitin, elastiklik modülüne, gözenek hacim oranının etkisi Şekil 12.35’te
gösterilmiştir. Şekildeki eğri, Denklem l2.9’un bir fonksiyonu olarak çizilmiştir. Gözeneklerin
varlığı, iki nedenden dolayı eğme dayanımını üzerinde azaltıcı etki yapar:
(1) Yükü taşıyan kesit alanının azalmasına yol açar ve
(2) gerilme yığılmasına ne den olan çentik gibi davranır; izole bir küresel gözenek,
uygulanan çekme gerilmesinin değerini 2 kat arttırır.

Gözenekliliğin dayanım üzerine etkisi oldukça çarpıcıdır; örneğin, % 10 hacimsel

gözenek, gözeneksiz bir malzemeye göre eğme dayanımını genellikle % 50 oranında
azaltır.
103
 Alüminyum oksitte gözenek hacminin eğme dayanımı üzerine olan etkisi Şekil
104 12.36’da gösterilmiştir. Eğme dayanımının gözenek hacim oranıyla (P) katlanarak
azaldığı deneysel olarak belirlenmiştir. Bu ifade de 0 ve n, deneysel sabitlerdir.
105
Sertlik

Seramik malzemeler, kırılgan ve çatlamaya karşı son derece duyarlı oldukları için, sertlik
ölçme ucunun seramik yüzeyine batmaya zorlanması yüzeyde aşırı çatlak oluşumuna ve
dolayısıyla da sertliğin yanlış ölçülmesine yol açmaktadır. Bu nedenle, sertliğin doğru bir
şekilde ölçülmesi kolay değildir.

Küresel sertlik ölçme uçları (Rockwell ve Brinell testleri gibi) ciddi çatlak oluşturma riski
taşıdığından, bu uçlar normalde seramik malzemeler için kullanılmaz. Aksine, bu tür
malzemelerin sertlikleri piramit formundaki uçların (6.10, Tablo 6.5) kullanıldığı Vickers ve
Knoop teknikleriyle ölçülür.

Seramik malzemelerin sertlikleri yaygın olarak Vickers ile ölçülür, ancak çok kırılgan
seramik malzemelerde, Knoop daha sık tercih edilir. Ayrıca, her iki teknikte, sertlik artan
yük (veya sertlik ölçme ucu batma derinliği) ile azalır, ancak sonuçta sabit bir sertlik
değeri platosuna ulaşır. Bu sertlik değeri, artık uygulanan yükten bağımsızdır ve
seramikten seramiğe, malzemeye özgü bir büyüklük olarak değişir. İdeal bir sertlik ölçme
deneyinde kullanılacak olan yükün aşırı çatlamaya yol açmayacak şekilde küçük
olmasına, aynı zamanda sertliğin yükten bağımsız olduğu plato yakınında yer alacak
kadar da yeterince büyük olmasına dikkat edilmelidir.
106

Muhtemelen seramiklerin en çok ölçülmesi istenen mekanik özelliği, sertlikleridir

ve bilinen en sert malzemeler bu gruba aittir. Tablo 12.6’da Vickers sertliklerine
göre sıralanmış farklı seramik malzemelerin bir listesi verilmiştir. Aşındırma veya
taşlama işlemle rinde genellikle bu malzemeler kullanılmaktadır
109

1.05.2022
110
Sürünme

Seramik malzemeler, yüksek sıcaklık ve gerilmelere (genellikle basınç) maruz

kalması durumunda genellikle sürünme deformasyonu gösterirler. Genel
olarak, seramiklerin zamana bağlı deformasyona uğramaları metallerin
sürünme davranışına (bkz. 8.12) benzer.

Ancak, seramiklerde sürünme olayı daha yüksek sıcaklıklarda gerçekleşir.

Seramik malzemenin sürünme davranışını sıcaklık ve gerilme seviyesinin bir
fonksiyonu olarak belirlemek için, yüksek sıcaklık ve basınç altında sürünme
deneyleri yapılır.