Тема: Режими роботи та схеми увімкнення біполярного

транзистора

В залежності від способу приєднання переходів транзистора до

зовнішніх джерел напруги він може працювати в
режимах відсічки, насичення або активному.
Режим відсічки транзистора маємо тоді, коли емітерний та
колекторний переходи приєднані до зовнішніх джерел напруги у зворотньому
для них напрямку (зверніться до попередніх дописів щоб пригадати, що таке
зворотний напрямок увімкнення напівпровідникового переходу). При такому
увімкненні через обидва p-n переходи будуть протікати дуже малі зворотні
струми емітера (IЕБЗ) та колектора (ІКБЗ), обумовлені неосновними носіями
заряду.

Струм бази буде дорівнювати сумі струмів обох переходів і в залежності

від основи напівпровідника становитиме у кремнієвих транзисторів одиниці
мікроамперів, у германієвих одиниці міліамперів.
Режим насичення транзистора маємо тоді, коли емітерний та
колекторний переходи приєднані до зовнішніх джерел напруги у прямому для
них напрямку.

Отже струм бази буде дорівнювати сумі струмів колектора (ІК.нас) та

емітера (ІЕ.нас).
Режими відсічки та насичення застосовуються для роботи транзисторів
в імпульсних, деякий ключових схемах, тобто — в режимах перемикання. Для
підсилення сигналів використовують активний режим.
Від бази, емітера й колектора зроблені виводи. Залежно від того, який з
виводів є загальним для вхідного і вихідного кола, розрізняють три схеми
включення транзистора:
 із загальною базою (ЗБ),
загальним емітером (ЗЕ),
загальним колектором (ЗК).
Розглянемо роботу транзистора n-р-n типу в активному режимі,
включеного за схемою із загальною базою (рис. 4.2). Зовнішні напруги двох
джерел живлення Ебе й Екб у цьому режимі подають до транзистора таким
чином, щоб забезпечувався зсув емітерного переходу П1 у прямому напрямку
(пряма напруга), а колекторного переходу П2 – у зворотному напрямку
(зворотна напруга). Причому |Екб|> |Ебе|.

Рис. 4.2. Принцип дії біполярного транзистора n-p-n типу.

Оскільки p-n перехід П1 зміщений у прямому напрямку, через область
емітера починає протікати струм емітера Iе. Відбувається інжекція
електронів через перехід П1 у базу, де електрони є неосновними носіями
заряду й переміщаються в ній за рахунок дифузії.
Так як ширина бази невелика, тільки мала частина електронів устигає
рекомбінувати з діркам, а більша частина електронів дійде до колекторного
переходу П2. Рекомбінація електронів у базі викликає відповідний струм у
зовнішньому для базі колі – струм бази Iб.
Електрони, що ввійшли в область колекторного переходу П2 попадають
у сильне прискорюючи електричне поле, створене напругою Екб, і втягуються
в область колектора (екстракція), створюючи в зовнішньому колі транзистора
колекторний струм Iк.
Таким чином, у транзисторі протікає три струми – струм емітера,
колектора й бази, які зв’язані між собою співвідношенням
Iк = Iе – Iб .
 У реальному транзисторі через колекторний р-n перехід тече невеликий
зворотний струм Iкбо (одиниці мікроамперів), створений неосновними носіями
зарядів бази й колектора. Зворотний струм протікає по колу: -Екб, база-
колектор, +Екб.
Напрям струму в зовнішньому колі (рис. 4.2) відрізняється від напрямку
потоку електронів усередині транзистора, тому що прийнято вважати, що
струм протікає від більшого потенціалу до меншого, тобто від «+» до «-».
Фізичні процеси в транзисторі типу р-n-р протікають аналогічно
процесам у транзисторі типу n-p-n.
Для схеми включення транзистора із ЗБ струм емітера Iі є вхідним
струмом, а струм колектора Iк – вихідним. Струм колектора є частиною струму
емітера - їх відношення являє собою частку носіїв зарядів, що інжектовані у
базу, яка досягла колектора й називається коефіцієнтом передачі струму
α = ΔIк / Δ Ie .
Оскільки вихідний струм менше вхідного, то α < 1 (звичайно α =
0,99…0,997). Альтернативне позначення коефіцієнта передачі струму – h21б.
У схемі із ЗЕ вихідним струмом є струм колектора, а вхідним – струм
бази. Їхнє відношення визначає коефіцієнт підсилення за струмом
β = ΔIк / Δ Iб .
Т.к. α ≈ 1, то коефіцієнт підсилення за струмом дорівнює β = 50…300. У
довідковій літературі коефіцієнт передачі струму позначається h21е.
Вихідний струм транзистора залежить від вхідного струму. Тому
біполярний транзистор – напівпровідниковий прилад, керований струмом.
Зміни струму емітера, викликані зміною напруги емітерного переходу,
повністю передаються в колекторне коло, викликаючи зміну струму
колектора. Через те, що напруга колекторного джерела живлення Екб значно
більше ніж емітерного Ебе, то й потужність, споживана в колі колектора Рк,
буде значно більше потужності в колі емітера Ре. Таким чином, забезпечується
можливість керування великою потужністю в колекторному ланцюзі
транзистора за рахунок малої потужності, що затрачується в емітерному колі,
тобто має місце посилення потужності.
 Давайте зробимо певні висновки з того, про що ми дізналися:
— основним режимом у якому використовується транзистор є активний
режим;
— якої б структури транзистор (NPN чи PNP) не використовувався у
колах, в активному режимі його емітерний перехід знаходиться завжди у
прямому увімкненні, колекторний – у зворотному;
— стрілка на позначенні електрода емітера вказує на напрямок
протікання струму через емітерний перехід (він різний у транзисторів різної
структури);
— незалежно від схеми увімкнення транзистора співвідношення струмів
його електродів завжди відповідає рівнянню: ІЕ = ІБ + ІК.

Схеми увімкнення біполярного транзистора

В електричне коло транзистор включають таким чином, що один з його
виводів є вхідним, другий – вихідним, а третій – загальним для вхідного і
вихідного кіл. Як було відзначено раніше, залежно від того, який електрод є
загальним, розрізняють три схеми включення транзисторів: ЗБ, ЗЕ і ЗК. Ці
схеми для транзистора типу р-n-р наведені на рис.. Для транзистора n-р-n типу
схеми включення відрізняються лише полярністю напруг і напрямком струмів.

Рисунок Схеми включення біполярного транзистора p-n-p типу: а) ЗБ; б)

ЗЕ; в) ЗК.
Не залежно від схеми включення фізичні процеси в транзисторі не
змінюються, але суттєво змінюються вхідні й вихідні величини.

Для схеми із ЗБ:

− вхідні величини Iвх = Iе, Uвх = Uеб;
− вихідні величини Iвих = Iк, Uвих = Uкб;
− вхідний опір малий і становить 30-100 Ом, тому що вхідне коло являє
собою відкритий емітерный перехід;
− вихідний опір високий і становить 0,5-2,0 МОм, тому що вихідний
ланцюг являє собою закритий колекторний перехід.
 Для схеми із ЗЕ:
− вхідні величини Iвх = Iб, Uвх = Uбе;
− вихідні величини Iвих = Iк, Uвих = Uке;
− вхідний опір малий (близько 100-1000 Ом);
− вихідний опір високий і становить 2-20 кОм.

Для схеми із ЗК:

− вхідні величини Iвх = Iб, Uвх = Uбк;
− вихідні величини Iвих = Iе, Uвих = Uке;
− вхідний опір високий ( близько 0,1-1,0 МОм), тому що вхідне коло
являє собою колекторний перехід, включений у зворотному напрямку;
− вихідний опір низький і становить 50-500 Ом.

Характеристики біполярного транзистора

Характеристики біполярного транзистора переважно нелінійні і
виражаються складними формулами, незручними практично. Тому простіше
та наочніше використовувати графіки залежності параметрів транзистора між
собою. Також зручніше зображати виміряні показання параметрів
конкретного транзистора графічним способом.
Статичні характеристики біполярного транзистора з ОЕ
Статичні характеристики біполярного транзистора відображають
залежність між напругами та струмами на його вході та виході за відсутності
навантаження, і будуть різні залежно від обраного способу включення
транзистора. В основному застосовуються характеристики транзистора зі
схемами включення із загальною базою (ЗБ) та загальним емітером (ЗЕ).

Iе,мА I к , мА
Uкб  0В
2 I б  8 мА
5В
I б  6 мА
I б  4 мА
1
I б  2 мА
10В
I б  0 мА
0 100 200 Uеб,B 0 10 20 U к б , B
а)
б)

Рисунок Типові вхідні а) та вихідні б) характеристики для схеми зі спільною

базою
 Статичні характеристики транзистора показують залежність між
струмами й напругами на його вході і виході (аналог ВАХ діода), та
використовуються для розрахунку робочого режиму транзистора. Найбільш
поширеним є вхідні та вихідні статичні характеристики для двох основних
схем включення транзистора: для схеми зі спільною базою та схеми зі
спільним емітером.
Для схем зі спільною базою вхідна характеристика – це залежність
струму емітера від напруги між емітером та базою при постійній величині
напруги між колектором й базою,

I e  f (U e б ) U к б  const
.

Сімейство кривих аналогічне відносно одна одної, змінна напруга U к б

незначно впливає на струм емітера.

Для напруг колектора U к , характеристики майже зливаються, відповідно

до цього у довідниках наводять дві характеристики – для U к б =0 та U к б  0.

Вихідні характеристики транзистора для схеми зі спільною базою –
це залежність струму колектора від напруги на колекторі при зміні струму
емітера,

I к  f (U к б ) Iе  const
.
Типові вихідні характеристики наведені на рис. б.
Згідно з наведених характеристик, можна сказати, що

1. напруга U к б для нормальної роботи транзистора є зворотною;

2. сімейство вихідних характеристик є лініями з невеликим нахилом,

відповідно струм колектора незначно залежить від зміни напруги U к б ;

3. струм колектора I к б 0 є некерованим і повністю відповідає зворотній вітці

p-n-переходу;
4. при зміні полярності напруги U к б струм I к б різко змінюється, і при
U к б  0, 01 В дорівнює нулю.

U к e  0В 5В 10В
I б , мА I к , мА I б  1 мА
0,8 40 I б  800 мкА
I б  600 мкА
0,6 30
I б  400 мкА
0,4 20 I б  200 мкА
0,2 10
I б  0 мкА
0,8 1,0 U б e , B 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 U к e , B
а) б)

Рисунок Типові вхідні а) та вихідні б) характеристики для схеми зі спільним

емітером
Статичні вхідні характеристики для схеми зі спільним емітером –
це залежність струму бази від напруги між базою та емітером при постійному
значенні напруги між колектором та емітером

I б  f (U б е )  const
U к е

При збільшенні U к е струм бази Iб

зменшується. Типові вхідні
характеристики для схеми зі спільним емітером мають вигляд, наведений на
рис.,а.
Вихідні характеристики транзистора для схеми зі спільним
емітером – це залежність струму колектора від напруги між колектором та
емітером при постійному струмі бази. Типові вихідні характеристики наведені
на рис. б