Лабораторна робота ЛР 2

Дослідження вольт-амперних характеристик транзистора,

розрахунок h-параметрів за ВАХ
Мета. Навчитися знімати вольт-амперні характеристики (ВАХ) та ви-
вчити їх особливості для малопотужного низькочастотного транзистора (на
фізичному макеті МП40, на стимуляторі Multisim PN2907A або будь-який
аналог за вашим вибором) для схем із спільною базою і спільним емітером.
Навчитись визначати малосигнальні h-параметри за характеристиками в виб-
раній робочій точці.
Зміст. В роботі знімають ВАХ (вхідні, вихідні, зворотного зв’язку, пря-
мої передачі) для схеми з спільною базою і спільним емітером. За характери-
стиками в робочій точці визначають h-параметри.
Особливості виконання. ЛР2 в змішаному режимі навчання режимі ро-
бота виконується of-line на фізичному макеті, схема якого показана на
рис.1.1 та шляхом симуляції схеми в середовищі Multisim (в режимі on-line
або безпосередньо на занятті).

1. Теоретичні відомості
Біполярний транзистор (БТ) – це НП прилад, який має два електронно-діркових пе-
реходи, які взаємодіють між собою. БТ складається з трьох областей р- та п-типу, що чер-
гуються між собою, між якими утворюються два електронно-діркові переходи (емітерний
(ЕП) та колекторний (КП)).
НП області можуть чергуватися у послідовності p-n-p або n-p-n. Зовнішній вигляд,
структури та умовне позначення біполярного транзистора показані на рис.6.1. Середню
область транзистора називають базою (Б), одну крайню область, що призначена для
інжекції носіїв у базу, називають емітером (Е), іншу, що призначена для екстракції носіїв з
бази, – колектором (К). Стрілка на емітері вказує, в якому напрямку рухається струм.
Один з p-n переходів транзистора між Е та Б називають емітерним переходом (ЕП),
другий – між К та Б – колекторним (КП).

Рис.1.1. Зовнішній визляд деяких БТ, структура та схемне позначення

1.4. Режими роботи біполярного транзистора
В транзисторі можливі чотири комбінації напруг, що подаються на переходи (ЕП та
КП). Відповідно розрізнюють чотири режими роботи БТ:
Режим насичення – обидва переходи відкриті (максимальний струм, мінімальний
опір, струм колектора не керується струмом емітера). Режим насичення не придатний для
підсилення.
 Активний режим – емітерний перехід відкритий, колекторний – закритий. Актив-
ний режим роботи транзистора придатний для підсилення слабкого сигналу.
Режим відсічки - обидва переходи закриті. Струм через транзистор не протікає.
Інверсний активний режим – колекторний перехід відкритий, емітерний – закри-
тий. Іноді застосовується для підсилення сигналів в інтегральних мікросхемах. За харак-
теристиками гірший ніж активний.
2.1. Вольт-амперні характеристики БТ
Залежності між струмами і напругами на вході та виході БТ є вольт-амперними
характеристиками (ВАХ) транзистора. Вони можуть бути статичними і динамічними.
Статичні характеристики визначаються при постійних напругах на електродах і за відсут-
ності опору навантаження. Динамічні – при змінних напругах і за наявності опору наван-
таження.
Транзистор в електричних схемах використовується як чотириполюсник (рис.2.1),
що характеризується чотирма величинами: вхідним і вихідним напругами і вхідним і ви-
хідним струмами (Uвх, Uвих, IВХ, ІВИХ). Функціональні залежності між цими величинами і є
статичними характеристиками транзистора. Дві з них беруть як незалежні змінні, а дві що
залишилися є залежними від цих незалежних змінних. Як правило, незалежними є вхідний
струм і вихідна напруга. Тоді:
U ВХ  f1 ( I ВХ ,U ВИХ ) та І ВХ  f 2 ( I ВХ ,U ВИХ ) .
U ВХ  f1 ( I ВХ ,U ВИХ ) та І ВХ  f 2 ( I ВХ ,U ВИХ ) .

Рис.2.1. БТ як чотириполюсник

На практиці зручніше користуватися функцією однієї зміної. Для переходу до та-

ких функцій необхідно другу змінну, яка називається в цьому випадку параметром харак-
теристики, підтримувати постійною. В результаті маємо чотири типи характеристик тран-
зистора:
 вхідна характеристика (основна):
U ВХ  f1 ( I ВХ ) при U ВИХ  const
 характеристика зворотної передачі (зв'язку) за напругою:
U ВХ  f 2 (U ВИХ ) при І ВХ  const
 характеристика (прямої) передачі струму, яка ще називається керуючою або
передавальною характеристикою:
І ВИХ  f3 (І ВХ ) при U ВИХ  const
 вихідна характеристика (основна):
І ВИХ  f 4 (U ВИХ ) при І ВХ  const .
 Залежності від того, який електрод є спільним відносно вхідного та вихідного кіл,
розрізняють три схеми вмикання транзистора: схему із спільною базою (СБ) – спільним
електродом є база; схему із спільним м емітером (СЕ) – спільним електродом є емітер;
схему із спільним колектором (СК) – спільним електродом є колектор (рис.1.17). ВАХ
транзистора залежать від схеми ввімкнення.

Рис.1.17. Схема зі спільною базою (СБ) – а, зі спільним емітером (СЕ) – б та спільним ко-
лектором (СК) – в

Таблиця 2.1.
Порівняння трьох схем ввімкнення транзистора
Зсув
Ku Ki Kp Rвх Rвих
фази

Rк
СБ  α≈1 Ku малий великий нема
h11Б

Rк Rк
СЕ  β 2 середній великий є (180о)
h11Е h11Е

СК <1 β+1 Ki середній малий нема

Основними схемами ввімкнення є схеми зі спільною базою та спільним емітером.

Полярності напруг на електродах залежать від структури транзистора (n-p-n – на
колектор подається плюс джерела живлення, р-n-р – на колектор подається мінус джерела
живлення). Статичні характеристики транзистора задаються або аналітичними виразами,
або представлені графічно. Вони можуть бути розраховані, але частіше всього вони зні-
маються експериментально.
Для прикладу схему для зняття ВАХ p-n-p транзистора в схемі зі спільним еміте-
ром зображено на рис.2.2.
 Рис.2.2. Схема зняття статичних характеристик БТ

2.2. Вольт-амперні характеристики БТ в схемі зі СБ

Вхідна ВАХ в схемі зі СБ
В схемі зі СБ (рис.2.3) вхідним струмом є струм бази IЕ, а вихідним –
струм колектора IК, відповідно, вхідною напругою є UЕБ, а вихідною – на-
пруга UКБ.
Таким чином вхідна характеристика в схемі СБ є залежністю емітерної
напруги UЕБ від струму емітера IЕ при постійних значеннях колекторної на-
пруги UКБ
U ЕБ  f ( I Е ) U .
КБ const

Однак, реально в довідниках наводиться зворотна залежність.

I Е  f (U ЕБ ) U .
КБ const

Сімейство вхідних ВАХ германієвого та кремнієвого БТ приведено на

рис.2.4. Вхідні характеристики кремнієвих транзисторів зміщені від початку
координат в бік прямих напруг на Uпор = 0,6...0,7 В (рис.2.4,б.) а германієвих
– на 0,2 – 0,4 В (рис.2.4,а.).
Нижче всіх характеристик проходить характеристика при напрузі
UКБ=0. Це пов’язано з тим, що при відсутності колекторної напруги струм
емітера буде проходити через емітерний перехід і базу (рис.2.4), оскільки ко-
лекторний перехід закритий (внутрішній опір джерела колекторної напруги
дорівнює нулю).

Рис.2.3. Еквівалентна схема транзистора зі СБ при UКБ=0

 Це означає, що вхідна характеристика схеми зі СБ при UКБ=0 аналогіч-
на ВАХ p-n переходу діода.

Рис.2.4.Вхідні ВАХ БТ зі СБ:

а) – германієвий транзистор; б)– кремнієвий транзистор
Зміна напруги UКБ слабо впливає на струм IЕ, тому вхідні характерис-
тики, зняті при UКБ≠0, майже збігаються. При нульових і малих прямих і зво-
ротних напругах UЕБ емітерний перехід є закритим. При цьому буде протіка-
ти малий зворотний струм IЕБ0.
У схемі зі СБ температура сильно впливає на вхідні характеристики.
Температурний дрейф вхідних характеристик значний: з ростом температури
при прямих напругах UЕБ струм IЕ збільшується і характеристики зміщуються
вліво, при зворотних напругах UЕБ зворотній струм IЕБ0 також збільшується.

Рис.2.5. Вплив температури на вхідні ВАХ БТ зі СБ

Вихідні (колекторні) характеристики в схемі зі СБ

Вихідними ВАХ є залежності вихідного струму IК від вихідної напруги
UКБ при постійному вхідному струмі IЕ
I К  f (U КБ ) I  const .
Е

Наближено вихідні ВАХ можна описати виразом

 U БК
I К  І Е  I КБ 0 (exp  1) .
Т
Якщо струм емітера дорівнює нулю, а на колекторний перехід подаєть-
ся зворотне зміщення, і вихідна характеристика аналогічна зворотній гілці
ВАХ реального р-п переходу (рис.2.6).

Рис.2.6. Вихідні ВАХ БТ зі СБ

I – активний режим, ІІ – режим насичення, ІІІ – режим відсічки
Вихідна ВАХ аналогічна зворотній гілці колекторного переходу. В режим пробою при до-
слідженнях транзистор не вводити UБК>UПРБ

Якщо збільшувати струм ІE, то вихідні характеристики зміщуються

вверх на α ІE.
Невеликий нахил характеристик відносно осі абсцис пояснюється за-
лежністю α і струму ІКБ0 від напруги UБК. Початковий відрізок характеристик
зсунуто від початку координат в сторону додатних напруг UБК. При UБК = 0 і
ІЕ > 0, в колі колектора протікає початковий струм. Щоб звести цей струм до
нуля, необхідно змістити колекторний перехід у прямому напрямі.
На сімействі вихідних ВАХ розрізняють чотири ділянки, які характерні для різних
режимів роботи БТ.
Ділянка І, яка розміщена у першому квадранті вище від струму ІКБ0, відповідає ак-
тивному режиму роботи. В цій області з підсиленням електричних сигналів майже не спо-
стерігається нелінійних спотворень.
Ділянка ІІ, розміщена у другому квадранті, відповідає режиму насичення, коли
обидва переходи відкриті, тобто зміщено у прямому напрямі. За певних умов транзистор
може перейти з активного режиму (АР) в режим насичення (РН) без зміни полярності на-
пруги джерела живлення. В режимі насичення транзистор повністю відкритий і його опір
мінімальний.
Ділянка ІІІ, розміщена у першому квадранті нижче від струму ІКБ0, відповідає ре-
жиму відсічки (РВ). В цьому режимі транзистор повністю закритий. Його опір максималь-
ний.
Ділянка ІV відповідає пробою колекторного переходу. При пробої внаслідок ла-
винного множення носіїв заряду струм колектора. Ця ділянка небезпечна для роботи,
оскільки лавинний пробій може перейти в тепловий, і транзистор вийде з ладу.
 Температурний дрейф вихідних характеристик є невеликим (рис.2.6
пунктирна лінія). Це пояснюється залежністю IК=αIЕ+IКБ0, тому що диферен-
ційний коефіцієнт передачі струму емітера α слабо залежить від температури.
Зворотній струм колектора IКБ0 змінюється швидко з ростом температури, але
він малий порівняно зі струмом IК і мало впливає на залежність вихідних ха-
рактеристик від температури.
Таким чином малий температурний дрейф вихідних характеристик
транзистора в схемі зі СБ пояснюється слабкою залежністю коефіцієнту пе-
редачі струму емітера α від температури і відносно малим зворотнім струмом
колектора IКБ0.
Характеристики прямої передачі
Характеристики прямої передачі (рис.2.7,а) встановлюють залежність
струму колектора від струму емітера за постійної напруги на колекторі:
IК  f (ІЕ ) U  const
БК

В активному режимі IК=αIЕ+IКБ0, тому ВАХ має вигляд прямих ліній.

I К
Проте внаслідок залежності коефіцієнта α від струму ІЕ (   ) характерис-
I Е
тики мають відхилення від лінійного закону. Зміщення характеристик у верх
в разі підвищення напруги на колекторі пов’язано зі збільшенням струму ІКБ0
і коефіцієнта α.

Рис.2.7. ВАХ прямої передачі (а) та зворотного зв’язку (б)

транзистора в схемі СБ
Характеристики зворотного зв’язку
ВАХ зворотного зв'язку це:
U ЕБ  f (U БК ) при І Е  const
Ця залежність пояснюється наявністю внутрішнього зворотного зв’язку
в БТ. Зі збільшенням напруги UБК напруга UЕБ зменшується. З підвищенням
UБK зворотний зв’язок у транзисторі послаблюється (рис.2.7,б). При зростанні
струму ІЕ характеристики зміщуються вверх, оскільки збільшується прямий
спад напруги на емітерному переході.
 2.3. Вольт-амперні характеристики БТ в схемі зі СЕ
Вхідні ВАХ в схемі зі СЕ
Вхідна характеристика в схемі СЕ є залежністю напруги на емітерному
переході від струму бази за постійної напруги на колекторі
U БЕ  f ( I Б ) U
КЕ  const

Однак, реально в довідниках наводиться зворотна залежність

I Б  f (U БЕ ) U  const .
КЕ

Сімейство вхідних характеристик транзистора приведено на рис.2.8,а.

Струм бази має дві складові: рекомбінаційну ІБрек і складову зворотного
струму колектора: I Б  I Брек  I КБ 0  (1   ) I Е  I КБ 0

Рис.2.8. Вхідні (а) та вихідні (б) ВАХ БТ зі СЕ

Вхідна ВАХ аналогічна прямій гілці відповідного переходу, а вихідна - зворотній.
В режим пробою при дослідженнях транзистор не вводити UЕК>UПРБ

Якщо напруга на колекторі дорівнює нулю, то в колі бази протікає

тільки рекомбінаційний струм і ВАХ має вигляд експоненти:
U
I Б  (1   ) І ЕБ 0 (exp ЕБ  1) .
Т
При подачі зворотної напруги на колекторний перехід із вказаної скла-
дової віднімається струм ІКБ0, тому з підвищенням |UБK| вхідні характеристи-
ки зсуваються праворуч і перетинають вісь напруг.
З ростом температури збільшується як прямий, так і зворотній струми
бази (рис.2.9). Температура на статичні ВАХ в схемі зі СЕ має суттєвий
вплив.
 Рис.2.9. Вплив температури на вхідні ВАХ БТ зі СЕ

Вихідні ВАХ в схемі зі СЕ

Вихідні характеристики транзистора в схемі зі СЕ це
I К  f (U КЕ ) I
Б const

Аналітично вихідні ВАХ можна записати, як:

 I U U
IК  I Б  КБ 0 (exp ЕК  1)  І Б  I КЕ 0 (exp ЕК  1) ,
1  1 Т Т
де β − коефіцієнт підсилення за струмом у схемі із СЕ; ІKE0 − зворотний
колекторний струм у схемі із СЕ. Зворотний струм − це струм у колі колек-
тора за умови, що струм бази дорівнює нулю. Цей струм називають наскріз-
ним.
Сімейство вихідних характеристик наведено на рис.2.8,б. Загальний характер зале-
жностей аналогічний характеру зворотної гілки ВАХ р-п переходу, оскільки більшу час-
тину напруги джерела живлення прикладено до колекторного переходу в зворотному на-
прямі. Однак струм ІКЕ0 більший за струм ІКБ0 у схемі із СБ. Це пояснюється тим, що за
умови ІБ = 0 і зворотному зміщенні КП ЕП перебуватиме під невеликою прямою напру-
гою. Тому через КП буде протікати струм ІКБ0 і струм дірок, які інжектуються з емітера в
базу.
I К  I E  I КБ 0   (I K  I E )  I КБ 0
Струм колектора, при умові коли струм ІБ = 0 відповідає струму ІКЕ0, тоді
I КБ 0
I К  I КБ 0  I E   I КБ 0  (   1) I КБ 0
1
Якщо струми бази відмінні від нуля, вихідні характеристики на початкових відріз-
ках перетинають вісь абсцис, і якщо напруга на колекторі дорівнює нулю (режим коротко-
го замикання на виході), то струм колектора ІК змінює свій напрям (рис.2.8, б). Зміщення
характеристик вверх при збільшенні струму ІБ відбувається відповідно до виразу
 I КБ 0 U U
IК  IБ  (exp ЕК  1)  І Б  I КЕ 0 (exp ЕК  1) .
1  1 Т Т
 Відомо, що струм IК буде визначатися не напругою UЕК, а напругою на колектор-
ному переході UКП.
UКП (БК)=UБЕ-UКЕ
При малих напругах UКЕ (до UКЕ< UБЕ) напруга UКП є виявляється прямою. З рос-
том напруги UКЕ струм IК буде різко зростати. При UКЕ= UБЕ UКП=0, перехід починає за-
криватися і при UКЕ>UБЕ напруга UКП стає зворотною і ріст струму IК майже припиняєть-
ся. Характеристики будуть йти більш полого (майже паралельно осі абсцис). З ростом те-
мператури характеристики зміщуються вверх і збільшується їх нахил. Це змінює режим
транзистора.
Характеристики прямої передачі
Характеристики прямої передачі це залежність струму колектора від
струму бази при постійної напруги на колекторі I К  f ( І Б ) U ЕК const
Тобто I К  І Б  I КЕ 0
Коефіцієнта β сильніше залежить від режиму роботи транзистора ніж α, то характе-
ристики прямої передачі у схемі із СЕ мають більшу нелінійність, ніж у схемі із СБ
(рис.2.11, а).

Рис.2.11. Характеристики прямої передачі (а)

та зворотного зв’язку (б) БТ у схемі із СЕ

Якщо напруга на колекторі відрізняється від нуля, характеристики відсікають на

осі ординат значення струмів, які відповідають ІКЕ0(UЕК).
Характеристики зворотного зв’язку
Характеристики зворотного зв’язку − це залежність напруги на емітер-
ному переході від напруги на колекторі за постійного струму бази:
U ЕБ  f (U ЕК ) при І Б  const .
Оскільки напругу UЕК у схемі зі СЕ прикладено до обох переходів тран-
зистора, то очевидно, що з підвищенням UЕК буде зростати і напруга UЕБ
(рис.2.11,б). З підвищенням струму бази характеристики зміщуються вверх,
тому що збільшується пряме падіння напруги на емітерному переході.
Рис. ВАХ транзисторів в схемах зі спільною базою та емітером
 2.6. Малосигнальні схеми заміщення транзистора
Як бачимо транзистор – це активний (здатний перетворювати енергію
джерела сигналу) нелінейний чотирьохполюсник (рис.2.12,а), який описуєть-
ся сімейством характеристик, нелінійними функціями двох змінних

.
В залежності від схеми ввімкнення транзистора i1, i2, u1, u2 відповіда-
ють ті чи інші реальні напруги и струми.

Рис.2.12. Транзистор, як чотирьохполюсник – (а), еквівалентна схема БТ – (б)

На практиці часто приходиться вирішувати задачу підсилення малих

сигналів. Малим називається змінний сигнал, при якому функціональна зміна
залежних змінних лінійно пов’язана зі зміною залежних. Це квазілінійний
режим. В цьому випадку на постійні складові струмів I(0) и напруг U(0,) що
визначають робочу точку транзистора, а на них накладені малі змінні сигнали
Δi(t), Δu(t) або:

Зв'язок між малими приростами лінійний і визначається повними ди-

ференціалами функцій f1 и f2:

Похідні перед незалежними змінними позначимо символами h11, h12,

h21, h22 и будемо називати h-параметрами транзистора. (В залежності від схем
ввімкнення в позначення будемо добавляти індекс, наприклад, h11Е або h11Б
або h11К). Задамо приріст струмів и напруг в вигляді малих гармонічних ко-
ливань. Тоді можна записати:
U1m = h11 I1m + h12 U2m ;
I2m = h21I1m + h22 U2m .
Цим рівнянням відповідає еквівалентна схема (рис.2.12,б).
h-параметри мають наступний зміст:

– вхідний опір транзистора при коротку замиканні на

виході для малої змінної складової струму (режим короткого замикання за

змінним струмом);

– коефіцієнт зворотного зв’язку за напругою при ро-

зімкнутому вході для змінної складової струму;

– диференціальний коефіцієнт передачі струму при

при коротку замиканні на виході для малої змінної складової;

– вихідна провідність транзистора при розімкнутому

вході для змінної складової.

Використовуються h-параметри на низьких частотах, коли вплив ємно-
сті переходів не значний. На високих частотах між змінними складовими
струмів и напруг з’являються фазові зсуви і параметри становляться компле-
ксними:

В цьому випадку використовуються Y-параметри.

 Якщо в якості незалежних змінних вибрати u1 и u2 , то, виконавши ана-
логічну лінеаризацію, отримаємо систему Y-параметрів (всі Y- параметри
мають розмірність провідності - См).

Визначення h-параметрів за ВАХ

Низькочастотні значення h-параметрів транзистора можна знайти з до-
помогою сімейств вхідних и вихідних ВАХ. Для цього:
1. Відмічають на характеристиках положення робочої точки за постій-
ним струмом, в якій визначаються h-параметри.
2. Визначаються малі прирости струмів и напруг відносно робочої точ-
ки и розраховують h-параметри.
В якості прикладу визначимо значення h11Е, h12Е, h21Е, h22Е - параметрів
транзистора в робочій точці, яка задається величинами IБ(0), IК (0), UБЕ (0),
UКЕ (0).
Параметри h22 и h21 визначають за вихідними характеристикам
(рис.2.13).

Умова iБ=const рівнозначна відсутності змінної складової IБ m. За харак-

теристиками визначаємо

Відзначимо, що приріст вибирають вздовж характеристики, знятої при

iБ =IБ (0).

При цьому:
 Рис.2.13 та рис.2.14 Визначення h – параметрів за ВАХ

Параметри h11Е та h12Е визначаються аналогічно за вхідними характери-

стиками транзистора (рис.2.14).

1. Схеми вимірювань
Схема макету приведена на рис. 2.15 та передній панелі фізичного при-
ладу.
 Рис. 2.15. Схема макету для дослідження ВАХ транзистора.
При положенні перемикача S1 в поз.1 вимірюються характеристики
транзистора в схемі із спільною базою, в поз.2 – спільним емітером. Поляр-
ність джерел живлення вказана для дослідження транзистора типу p-n-p .
Застереження: при роботі з транзистором на фізичному макеті забороня-
ється розривати коло бази увімкненого транзистора, перевищувати допустимі
значення струмів, напруг та потужності, яка розсіюється в колекторі.

3. Робота на фізичному макеті

1. Встановити перемикач S1 в положення 1. Напруги на колекторі
(вольтметр 6) і емітері (зовнішній вольтметр, який під’єднано до клем Х1, Х2)
рівні нулю. Зняти сімейство вхідних характеристик U ЕБ =( I Е ) для U КБ = 0; -
5; -10 В. Струм I Е змінювати від 0 до 5 мA.
2. Зняти сімейство вихідних характеристик I К =(U КБ ) для I Е = 0; 1; 2;
5 мA. Напругу U КБ змінювати від 0 до -10В.
3. Зняти сімейство характеристик прямої передачі I К =( I Е ) для U КБ =
0; -5; -10 В. Струм I Е змінювати від 0 до 5 мA.
4. Зняти сімейство характеристик зворотного зв’язку U ЕБ =(U КБ ) для
I Е = 0; 1; 2; 5; 7 мA. Напругу U КБ змінювати від 0 до -10 В.
5. Встановити перемикач S1 в положення 2 для дослідження ВАХ тран-
зистора в схемі зі спільним емітером. Зняти сімейство вхідних характеристик
U ЕБ = ( I Б ) для U КЕ = 0; -5 В. Струм I Б змінювати від 0 до значення, за яко-
го струм колектора досягне I К = 5 мA.
6. Зняти сімейство вихідних характеристик I К =(U КЕ ) для I Б = 0; 50;
100 мкА. Напругу U КЕ змінювати від 0 до –5 В.
7. Зняти сімейство характеристик прямої передачі I К =( I Б ) для U КЕ =
0; -5 В. Струм I Б змінювати від 0 до значення, за якого струм колектора до-
сягне I К = 5 мA.
 8. Зняти сімейство характеристик зворотного зв’язку U ЕБ =( U КЕ ) для
I Б = 0; 50; 100 мкА. Напругу U КЕ змінювати в межах від 0 до –5 В.

2. Оброблення результатів вимірювань

1. Графічно визначити за отриманими сімействами ВАХ транзистора з
спільною базою та спільним емітером, його малосигнальні h-параметри в ро-
бочій точці U КБ = 5 В, I Е = 1 мА (СБ) та U КЕ = 5 В, I Б = 50 мкА (СЕ).
2. Порівняти знайдені h-параметри з паспортними даними.

Параметри досліджуваного транзистора.

На фізичному макеті досліджується транзистор МП40 (зарубіжний ана-
лог PN2907A) з наступними параметрами:
h11Б = 25…35 Ом h11E = 200…2000 Ом
h12 Б = 1.010-3…510-3 h12 E = 210 3 …1210 3
h21Б = 0,923…0.978 h21E = 12…45
h22 Б = 0.5…3.3 мкСм h22 E = 12…100 мкСм.
Режим роботи: U К = -5В; I Е = 1 мА.

3. Порядок виконання роботи в дистанційному режимі

1. Скласти у програмному пакеті Multisim схему для дослідження ВАХ

транзистора у колі зі СБ. Транзистор вибирається самостійно з транзисторів,
що є в базі Multisim. Можна вибрати, наприклад, і транзистор типу 2N4403.
Напруги на колекторі і емітері рівні нулю. Зняти сімейство вхідних характе-
ристик UЕБ = f(IE) для UКБ = 0; -5; -10В. Якщо це транзистор структури p-n-p
або UКБ = 0; +5; +10В якщо транзистор структури n-p-n. В подальшому не
забувати, що для транзисторів структури p-n-p полярність напруги на
колекторі відносно спільного електроду негативна, а для транзисторів
структури n-p-n – позитивна.
Струм IE змінювати від 0 до 5 мА.
Далі полярність напруг вказана для транзисторів структури p-n-p.
2. Зняти сімейство вихідних характеристик ІК = f(UКБ) для IE = 0; 1; 2; 5
мА. UКБ змінювати від 0 до -10В.
3. Зняти сімейство характеристик прямої передачі ІК = f(IE) для UКБ = 0;
-5; -10В. Струм IE змінювати від 0 до 5 мА.
4. Зняти сімейство характеристик зворотного зв’язку UЕБ = f(UКБ) для IE
= 0; 1; 2; 5; 7 мА. UКБ змінювати від 0 до -10В.
5. Скласти у програмному пакеті Multisim схему для дослідження ВАХ
транзистора у колі зі СЕ. Зняти сімейство вхідних характеристик UБЕ = f(IБ)
для UКЕ = 0; -5В. Струм IБ змінювати від 0 до значення, за якого струм колек-
тора досягне ІК = 5 мА.
6. Зняти сімейство вихідних характеристик ІК = f(UКЕ) для IБ = 0; 50; 100
мкА. UКЕ змінювати від 0 до -5В.
 7. Зняти сімейство характеристик прямої передачі ІК = f(IБ) для UКЕ = 0;
-5В. Струм IБ змінювати від 0 до значення, за якого струм колектора досягне
ІК = 5 мА.
8. Зняти сімейство характеристик зворотного зв’язку UБЕ = f(UКЕ) для IБ
= 0; 50; 100 мкА. UКЕ змінювати від 0 до -5В.

Обробка результатів вимірювань

1. Графічно визначити за отриманими сімействами ВАХ транзистора зі

спільною базою та спільним емітером, його мало сигнальні h-параметри в
робочій точці UКБ = 5В, IE = 1мА (СБ) та UКЕ = 5В, IБ = 50мкА (СЕ).
2. Порівняти знайдені h-параметри з паспортними даними.

Хід роботи

1. Запустити програму Multisim можна з «робочого столу» (ярлик зна-

ходиться на ньому) або з панелі «пуск» (пуск→програми→National
Instrument→Circuit Design →Multisim) (рис.2.16).

Рис. 2.16. Вікно графічного редактора Multisim

2. Створити проект в програмі Multisim.

Проект – це файл, в якому формуватимуться та зберігатимуться опе-
рації. В деяких версіях він автоматично створюється, тому не завжди це пот-
рібно робити.
Для створення проекту виконати операції: File → New → Schematic Capture
(рис.2.17).
 Рис. 2.17. Послідовність створення проекту

3. Складаємо для дослідження схему зі СБ (рис. 2.18):

Рис. 2.18. Схема для вимірювання ВАХ для ввімкнення БТ зі спільною базою

4. Сімейства характеристик для схеми зі СБ (можна побудувати вручну

за точками або в будь-якій математичній програмі, що це дозволяє, напри-
клад Matlab).
5. Дослідження ВАХ транзистора у схемі зі СЕ.
Створюємо новий проект у якому будемо збирати схему дослідження ВАХ
транзистора у колі зі СЕ, основою для якого стане схема зі СБ. Копіюємо усі
елементи до нової схеми та приводимо її до вигляду, зображеному на
рис.2.28. Встановлюємо напругу колектора рівною 30В.

Рис. 2.19. Схема дослідження зі СЕ

6. Знімаємо сімейства характеристик для схеми зі СБ.

7. За знятими ВАХ розраховуємо значення h-параметрів для схем зі СЕ
та СБ. Для розрахунку також можна взяти вхідні та вихідні характеристика
для заданого транзистора в довідниках або в Інтернеті.
 5. Зміст звіту
1. Схеми дослідження ВАХ транзистора з спільною базою і спільним
емітером.
2. Сімейства ВАХ транзистора в схемах з спільною базою і спільним
емітером .
3. Визначені за характеристиками h-параметри ( h11Б ; h12 Б ; h21Б ; h22 Б ) в
схемі з спільною базою.
4. Визначені за характеристиками h-параметри ( h11E ; h12 E ; h21E ; h22 E )
транзистора з спільним емітером.
Список рекомендованої літератури
Елементна база радіоелектронної апаратури: В 4 ч. Ч. 3. Багатоперехідні структури
[Електронний ресурс]: навч. посіб. для студ. спеціальності 172 «Телекомунікації та радіо-
техніка» / КПІ ім. Ігоря Сікорського; уклад.: В.О.Піддубний, І.О.Товкач. – Електронні тек-
стові дані (1 файл: 3,09 Мбайт). – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2021. – 134 с. URL
https://ela.kpi.ua/bitstream/123456789/41348/1/EBRA_3.pdf