6/17/2015

Sơ đồ đo độ dẫn điện
Biến trở
Tính chất điện của
Vật liệu
Nguồn điện
Ampe kế

S Mẫu đo
Tiết diện
Vôn kế

Khái niệm về dẫn điện Độ biến thiên độ dẫn điện giữa các vật liệu

(VL Kim loại)

(VL Bán dẫn)

(VL cách điện)

1
 6/17/2015

Cấu trúc vùng năng lượng trong các vật rắn Cấu trúc vùng năng lượng trong các vật rắn

Vùng năng lượng

Khe vùng
Năng lượng

Vùng năng lượng

Năng lượng
a)

(a) Cấu trúc vùng năng lượng điện tử trong vật b) Khoảng cách
rắn (a) là kết quả của sự mở rộng các mức năng nguyên tử
lượng điện tử (b) khi các nguyên tử đứng gần Khoảng cách
nhau. cân bằng

Cấu trúc vùng năng lượng trong các vật rắn Phân loại vật liệu kỹ thuật điện

2
 6/17/2015

Phân loại vật liệu kỹ thuật điện Độ linh động điện tử

Vd: tốc độ đẩy
µe : độ linh động điện tử (có đơn vị:cm2/V.s)

Độ dẫn điện tỷ lệ với số điện tử

tự do và độ linh động điện tử:

n: số điện tử tự do-tức điện tử dẫn

trong một đơn vị thể tích
: giá trị tuyệt đối của điện tích một
điện tử (1.6x10-19C)

Độ linh động điện tử Điện trở suất của kim loại

Điện trở suất thực của kim loại:

ρt, ρi và ρd: điện trở suất của nhiệt độ,

tạp chất và biến dạng
1. Ảnh hưởng của nhiệt độ:
Tăng tuyến tính trong khoảng nhiệt độ
> -200oC

ρ0, a: là các hằng số cho riêng từng

kim loại.

3
 6/17/2015

Điện trở suất của kim loại Điện trở suất của kim loại
3. Ảnh hưởng của biến dạng đàn hồi (ρd):
2. Ảnh hưởng của tạp chất:

Gần đúng:

A: là hàng số phụ thuộc vào kim loại nền và

tạp chất
ci: là phần mol tạp chất kim loại
ρα, Vα: là điện trở suất riêng và phần thể
tích của kim loại α

Điện trở suất của hợp kim Cu-Ni theo thành

phần tạp chất

Vật liệu bán dẫn Cơ chế dẫn điện

4
 6/17/2015

Số phần tử mang điện Tính chất vật liệu bán dẫn

(Bán dẫn tinh khiết-Intrinsic semicondoctor)

(0.085 + 0.04) m2/V.s

7.02x1012/m3

Ảnh hưởng của nhiệt độ Vật liệu bán dẫn

5
 6/17/2015

Ảnh hưởng của nhiệt độ Bán dẫn loại n (n-type extrinsic semiconductor)
(điện tử ở vùng dẫn vượt xa lỗ trống vùng hóa trị: n >> p)

Bán dẫn loại p (p-type extrinsic semiconductor) Bán dẫn có phụ gia
(lỗ trống ở vùng hóa trị vượt xa điện tử ở vùng dẫn: p >> n) (Extrinsic semiconductor)
thiếu electron
(electron acceptor) lỗ trống

6
 6/17/2015

Bán dẫn có phụ gia

(Extrinsic semiconductor)

Nồng độ
electron và độ
dẫn của bán
dẫn có phụ gia
phụ thuộc vào
nhiệt độ như
thế nào????

Extrinsic region: All P donor state electrons are excited

Freeze-out region: Thermal energy is too low for exciting the electrons from P
donor states to the conduction band
Intrinsic region: Excitations across the band gap dominate

7
6/17/2015

8
6/17/2015

9
 6/17/2015

Ví dụ 1 Ví dụ 2
ρ A

ρ NA
A

Số ions Cl- trong một ô cơ sở là: 8x1/8 +

6x1/2 = 4 b)
Số ions Na+ trong một ô cơ sở là: 12x1/4 +
1=4
Số ions trong một ô cơ sở: n A (g/cm3)
4Na+ + 4Cl-  =
VC NA
Số phân tử NaCl trong một ô cơ sở là n = 4
Trong đó: n số nguyên tử/ions trong ô mạng cơ sở
A khối lượng nguyên tử (g/mol)
rNa+ =1.81x10-8cm VC Thể tích của ô cơ sở (= a3 cho mạng lặp phương)
rCl- = 0.98x10-8cm NA Số Avogadro = 6.023 x 1023 atoms/mol

Ví dụ 3
Ví dụ 3
Số nguyên tử trong ô cơ sở: n = 8x1/8 + 6x1/2 + 4 = 8

Số hiệu nguyên tử Z=14: 1s2 2s22p6 3s23p2

Si có cấu trúc giống Kim cương

Hằng số mạng aSi = 4.53 Å

10
 6/17/2015

Ví dụ 4

TÍNH CHẤT ĐIỆN MÔI TỤ ĐIỆN PHẲNG

Điện dung (C) – Điện lượng (Q)
C = Q/V (Culong/von, hay
Faraday F)

C = ε0 A/l
A: diện tích bề mặt
l: Khoảng cách giữa các bề mặt
εo: độ từ thẩm chân không (8.85x10-12 F/m)
Khi vật liệu điện môi điền đầy 2 tấm:
C = ε A/l
Trong đó: ε độ từ thẩm môi trường điện môi;
ε = εrεo

Mật độ điện tích mặt (Khi có chân không)

D = ε0 E
Trong trường hợp điện môi (còn gọi là độ
dịch chuyển điện môi)
D = εE

11
 6/17/2015

l l

(Trong trường hợp điên môi)

V/l

(Độ phân cực)

Ví dụ:
Xét một tụ điện tấm phẳng song song có diện tích mặt là 6.45x10-4
m2 và một tấm ngăn cách là 2x10-3 m và điện áp đăt lên tụ điện là
10V. Giả sử một vật liệu có hằng số điện môi là 6.0 được đặt vào
giữa hai tấm của tụ điện, hãy tính:
a) Điện dung
b) Số lượng điện tích lưu trữ trên mỗi tấm
c) Tính độ dịch chuyển điện môi
d) Độ phân cực A = 6.45x10-4 m2
L = 2x10-3 m
V = 10 von
εr = 6.0
Giải: εo= 8.85x10-12 F/m

a) Điện dung: C = ε A/l = εrεoA/l = [6.0x(8.85x10-12

F/m) 6.45x10-4]/2x10-3= 1.71x10-11F/m

12
 6/17/2015

b) Số lượng điện tích lưu trữ trên mỗi tấm:

Một số tóm tắt
Q = CV = (1.71x10-11F/m)x(10V) = 1.71x10-11 C

c) Tính độ dịch chuyển điện môi:

D = εE = εV/l = [(6.0)x(8.85x10-12
F/m)]x10V/2x10-3m = 2.66x10-7 C/m2

d) Độ phân cực:

P = εo(εr–1)E = D – εoV/l = 2.66x10-7 – [8.85x10-12

]x(10V)/2x10-3m = 2.22x10-7C/m2

Một số tóm tắt Một số tóm tắt

13
 6/17/2015

Một số tóm tắt

14