Tính chất điện

• Độ dẫn điện và điện trở?

• Phân biệt vật liệu dẫn điện, bán dẫn và cách điện?

• Các yếu tố ảnh hưởng tới độ dẫn

• Ảnh hưởng tạp chất, nhiệt độ tới bán dẫn

Chapter 18 - 1
 Mạch tích hợp
• Scanning electron micrographs of an IC:
Al (d) (a)
(d)

Si
(doped)
45 mm 0.5 mm
• A dot map showing location of Si (a semiconductor):
-- Si shows up as light regions. (b)

• A dot map showing location of Al (a conductor):

-- Al shows up as light regions. (c)

Fig. (d) from Fig. 12.27(a), Callister & Rethwisch 3e.

Figs. (a), (b), (c) from Fig. 18.27, Callister
(Fig. 12.27 is courtesy Nick Gonzales, National
& Rethwisch 8e.
Semiconductor Corp., West Jordan, UT.)
Chapter 18 - 2
 Sự dẫn điện
• Định luật Ohm's: V=IR
Điện thế (volts = J/C) Điện trở (Ohms)
C = Coulomb Cường độ dòng (amps = C/s)

• Điện trở riêng, r:

- Tính chất vật liệu phụ thuộc hình dạng và kích thước
Diện tích bề mặt
RA

 l
Cường độ dòng

• Độ dẫn điện s 1

 

 Chapter 18 - 3
 Tính chất điện
• So sánh điện trở ?

2 2  8
D R1  
D  D2
2

  
 2 
 

2D   R1
R2   
2
2D  D 2
8
   
   2 
• Tương tự dòng nước trong ống
• Điện trở phụ thuộc hình dạng và kích thước.


Chapter 18 - 4
 Định nghĩa
Định nghĩa khác

J= <= another way to state Ohm’s law

dòng I
J mật độ dòng   like a flux
diên tích bê măă A
  Điện thế = V/

J =  (V/ )

Dòng điện độ dẫn điện thế

Chapter 18 - 5
 So sánh độ dẫn điện
• Các giá trị ở nhiệt độ phòng (Ohm-m)-1 = ( - m)-1
METALS conductors CERAMICS
-10
Silver 6.8 x 10 7 Soda-lime glass 10 -10-11
Copper 6.0 x 10 7 Concrete 10 -9
Iron 1.0 x 10 7 Aluminum oxide <10-13

SEMICONDUCTORS POLYMERS
Silicon 4 x 10 -4 Polystyrene <10 -14
Germanium 2 x 10 0 Polyethylene 10 -15-10-17
GaAs 10 -6
semiconductors insulators
Selected values from Tables 18.1, 18.3, and 18.4, Callister & Rethwisch 8e.

Chapter 18 - 6
 Ví dụ
Dây dẫn cần bán kính (D) là bao nhiêu để V < 1.5 V?

  100 m

Cu wire - I = 2.5 A +

 V

100 m
< 1.5 V
 V
R 
A I 2.5 A
D 2
4 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
D > 1.87 mm

Chapter 18 - 7
Cấu trúc dải năng lượng electron

Adapted from Fig. 18.2, Callister & Rethwisch 8e.

Chapter 18 - 8
Biểu diễn cấu trúc vùng năng lượng

Adapted from Fig. 18.3,

Callister & Rethwisch 8e.

Chapter 18 - 9
 Sự dẫn điện & chuyển electron
• Kim loại (Chất dẫn):
-Vùng trống và vùng lấp một phần hoặc đầy chồng lấp lên nhau
Partially filled band Overlapping bands
-Năng lượng nhiệt kích
thích electron chuyển lên
Energy Energy
empty
vùng trống có mức năng
band
lượng cao hơn empty
GAP
band
- Vùng trống bị chồng lấp
bởi vùng lấp đầy. partly
filled filled

filled states
band

filled states
band

filled filled
band band

Chapter 18 -10
 Cấu trúc dải năng lượng:
Cách điện & Bán dẫn
• Cách điện: • Bán dẫn:
- Band gap rộng (> 2 eV) -Band gap hẹp (< 2 eV)
- Một số electron bị kích thích -Nhiều electrons bị kích thích qua
qua band gap band gap
Energy empty Energy empty
conduction conduction
band band
GAP ?
GAP
filled filled

filled states
filled states

valence valence
band band

filled filled
band band
Chapter 18 - 11
 Kim loại: Ảnh hưởng của nhiệt độ và tạp
chất tới điện trở
• Tạp chất làm tăng điện trở
-- grain boundaries
These act to scatter
-- dislocations
electrons so that they
-- impurity atoms take a less direct path.
-- vacancies
6 i
a t %N
• Resistivity
Resistivity, r

.3 2
(10 -8 Ohm-m)

5 +3 %Ni
Cu 12 a t increases with:
4 + 1 .
C u i -- temperature
ed %N
3 rm at -- wt% impurity
defo d
+ 1. 12
Cu -- %CW
2 i
” C u
1 r e  = thermal
t
“Pu
0 -200 -100 0 T (ºC) + impurity
Adapted from Fig. 18.8, Callister & Rethwisch 8e. (Fig. 18.8
adapted from J.O. Linde, Ann. Physik 5, p. 219 (1932); and C.A.
+ deformation
Wert and R.M. Thomson, Physics of Solids, 2nd ed., McGraw-Hill
Book Company, New York, 1970.) Chapter 18 -12
 Ước lượng độ dẫn Adapted from Fig.
18.9, Callister &
• Đặt vấn đề: Rethwisch 8e.
-Xác định độ dẫn  của hợp kim Cu-Ni có yield strength là 125 MPa.

180
Yield strength (MPa)

(10 -8 Ohm-m)
50

Resistivity, r
160
140 40
125 30
120
100 20
21 wt% Ni 10
80
60 0
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
wt% Ni, (Concentration C) wt% Ni, (Concentration C)
Adapted from Fig. 7.16(b), Callister & Rethwisch 8e. 8
  30 x 10 Ohm  m
From step 1:
1
   3.3 x 10 6(Ohm  m)1
CNi = 21 wt% Ni 
Chapter 18 -13
Hạt tích điện trong điện môi và bán dẫn
Adapted from Fig. 18.6(b),
Callister & Rethwisch 8e.
Hai loại hạt tích điện:
Electron tự do
– Điện tích âm
– Trong vùng dẫn

Lỗ trống
– Tích điện dương
– Không có electron trong
vùng hóa trị

Dịch chuyển với tốc độ khác nhau- drift velocities

Chapter 18 -14
 Bán dẫn tinh khiết
• Bán dẫn nguyên chất: Si & Ge
– Nhóm IVA

• Hợp chất bán dẫn

– III-V Ex: GaAs & InSb
– II-VI Ex: CdS & ZnTe
– The wider the electronegativity difference between
the elements the wider the energy gap.

Chapter 18 -15
 Bán dẫn do chuyển Electron & lỗ trống

• Khái niệm electron và lỗ trống:

valence electron hole electron hole
electron Si atom
pair creation pair migration

- + - +

no applied applied applied

electric field electric field electric field

Adapted from Fig. 18.11,

• Độ dẫn điện tính bởi công thức: Callister & Rethwisch 8e.

# holes/m3
  n e e  p e  h
hole mobility
# electrons/m3 electron mobility
Chapter 18 -16
 Số hạt mang điện
Độ dẫn bán dẫn tinh khiết
  n e e  p e  h

• với bán dẫn hợp chất n = p = ni

  = ni|e|(e + h)

• Ex: GaAs
 10 6 (  m) 1
ni  
e  e   h  (1.6 x10 19 C)(0.85  0.45 m2 /V  s)

For GaAs ni = 4.8 x 1024 m-3

For Si ni = 1.3 x 1016 m-3
Chapter 18 -17
 Bán dẫn tinh khiết: Độ dẫn phụ thuộc T

• Si tinh khiết:
-- s tăng với T
-- Ngược với kim loại
  ni e e  h 

E gap / kT
ni  e


Vật liệu band gap (eV)

Si 1.11
 Ge 0.67
GaP 2.25
CdS 2.40

Selected values from Table 18.3,

Adapted from Fig. 18.16, Callister & Rethwisch 8e.
Callister & Rethwisch 8e. Chapter 18 -18
 Intrinsic vs Extrinsic Conduction
• Tinh khiết:
-- Si tinh khiết
-- # electrons = # holes (n = p)
• Tạp chất:
-- Tính dẫn phụ thuộc tạp chất tạo electron hoặc lỗ trống dư
-- n ≠ p

• n-type Tạp chất: (n >> p) • p-type Tạp chất: (p >> n)

Phosphorus atom Boron atom
hole
4+ 4+ 4+ 4+ conduction 4+ 4+ 4+ 4+
  n e e electron   p e h
4+ 5+ 4+ 4+ 4+ 3+ 4+ 4+
valence
4+ 4+ 4+ 4+ electron 4+ 4+ 4+ 4+

Adapted from Figs. 18.12(a)

no applied Si atom no applied
& 18.14(a), Callister & electric field electric field
Rethwisch 8e. Chapter 18 -19
 Bán dẫn tạp chất: Độ dẫn – Nhiệt độ
• Si pha tạp:
-- s tăng với tạp chất doped

-- reason: imperfection sites undoped

lower the activation energy to 3

concentration (1021/m3)
produce mobile electrons.

Conduction electron

freeze-out
2

extrinsic

intrinsic
• Comparison: intrinsic vs
extrinsic conduction... 1
-- extrinsic doping level:
1021/m3 of a n-type donor
impurity (such as P). 0
-- for T < 100 K: "freeze-out“, 0 200 400 600 T (K)
thermal energy insufficient to
excite electrons. Adapted from Fig. 18.17, Callister & Rethwisch
8e. (Fig. 18.17 from S.M. Sze, Semiconductor
-- for 150 K < T < 450 K: "extrinsic" Devices, Physics, and Technology, Bell
-- for T >> 450 K: "intrinsic" Telephone Laboratories, Inc., 1985.)

Chapter 18 -20
 Ghép chỉnh lưu p-n
• Allows flow of electrons in one direction only (e.g., useful
to convert alternating current to direct current).
• Processing: diffuse P into one side of a B-doped crystal.

-- No applied potential: + p-type

+ +
n-type
- - Adapted from
Fig. 18.21
no net current flow. + + - - - Callister &
Rethwisch
8e.
-- Forward bias: carriers
flow through p-type and p-type + - n-type
+ + -
n-type regions; holes and ++- - -
electrons recombine at + -
p-n junction; current flows.

-- Reverse bias: carriers p-type n-type -

+
flow away from p-n junction; - + + - - +
junction region depleted of + + - -
carriers; little current flow.
Chapter 18 -21
 Tính chất của ghép chỉnh lưu

Fig. 18.22, Callister & Rethwisch 8e. Fig. 18.23, Callister & Rethwisch 8e.
Chapter 18 -22
Transistor tiếp xúc

Fig. 18.24, Callister & Rethwisch 8e.

Chapter 18 -23
 MOSFET Transistor
Integrated Circuit Device

Fig. 18.26, Callister &

Rethwisch 8e.

• MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)

• Integrated circuits - state of the art ca. 50 nm line width

– ~ 1,000,000,000 components on chip
– chips formed one layer at a time

Chapter 18 -24
 Ceramics sắt từ
• Experience spontaneous polarization

BaTiO3 -- ferroelectric below

its Curie temperature (120ºC)

Fig. 18.35, Callister &

Rethwisch 8e.
Chapter 18 -25
Vật liệu áp điện (Piezoelectric Materials)
Piezoelectricity
– application of stress induces voltage
– application of voltage induces dimensional change

stress-free with applied

stress
Adapted from Fig. 18.36, Callister & Rethwisch 8e. (Fig. 18.36 from Van Vlack, Lawrence H., Elements of
Materials Science and Engineering, 1989, p.482, Adapted by permission of Pearson Education, Inc.,
Upper Saddle River, New Jersey.)
Chapter 18 -26
 Summary
• Electrical conductivity and resistivity are:
-- material parameters
-- geometry independent
• Conductors, semiconductors, and insulators...
-- differ in range of conductivity values
-- differ in availability of electron excitation states
• For metals, resistivity is increased by
-- increasing temperature
-- addition of imperfections
-- plastic deformation
• For pure semiconductors, conductivity is increased by
-- increasing temperature
-- doping [e.g., adding B to Si (p-type) or P to Si (n-type)]
• Other electrical characteristics
-- ferroelectricity
-- piezoelectricity Chapter 18 -27