CHƯƠNG 2: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU ĐIỆN

§2.1. CÁC THÔNG SỐ CỦA BỘ KHUẾCH ĐẠI VÀ YÊU CẦU ĐỐI VỚI BỘ
KHUẾCH ĐẠI TUYẾN TÍNH
1. Các thông số của bộ khuếch đại (KĐ)
a. Hệ số KĐ
Ký hiệu hệ số KĐ là K
Công thức tính K:
- Hệ số KĐ điện áp: Ku = Uo/Ui
- Hệ số khuếch đại dòng điện Ki = Io/Ii
- Hệ số khuếch đại là một giá trị dương ví dụ K = 100. Nhưng trong kỹ thuật
có thể dùng hệ số KĐ tính theo đề xi bem (dB) được tính như sau: K(dB) =
20lg(|K|).
b. Trở kháng lối vào
Ký hiệu: Zi
Công thức tính Zi = Ui/Ii
c. Trở kháng ra
Ký hiệu Zo
Công thức tính: Zo = Uoht/Ioht
Với Uohtlà điện áp ra khi hở mạch tải còn Ioht là dòng ngắn mạch tải
d. Dải thông của bộ KĐ
Ký hiệu ∆f
Công thức tính: ∆f = fh - fl
Với fh là tần số giới hạn trên và fl là tần số giới hạn dưới. ứng với các tần số là fh
và fl giá trị của K giảm √2 lần hoặc 3dB so với ở tần số trung bình.
2. Những yêu cầu với bộ KĐ tuyến tính
- Với K:
Phải đảm bảo được giá trị của K theo ý định thiết kế.
Giá trị của K không thay đổi trong suốt thời gian bộ khuếch đại hoạt động để
đảm bảo tín hiệu ra tỷ lệ tuyến tính với tín hiệu vào.
- Dải thông: Bộ khuếch đại có giải thông càng lớn càng tốt. Khi dó giá trị fh rất
lớn và giá trị fl vô cùng nhỏ, dẫn tới méo ở vùng tần số cao và thấp giảm.
- Bộ khuếch đại có mức tạp âm càng nhỏ càng tốt.
- Bộ khuếch đại có khả năng chống quá tải biên độ và quá tải tần số.
- Bộ khuếch đại hoạt động ổn định trước tác động của nhiệt độ và các tác nhân
khác của môi trường, tuổi thọ cao.

1
 §2.2. Phân loại các bộ khuếch đại
1. Phân loại theo linh kiện tích cực trong bộ khuếch đại
Bộ KĐ dùng Transistor: linh kiện tích cực trong mạch là Transistor lưỡng cực
hoặc Transistor trường.
Bộ KĐ dùng IC tuyến tính (KĐ thuật toán).
Bộ KĐ dùng IC và Transistor.
2. Phân loại theo dạng tín hiệu vào ra
Bộ khuếch đại điện áp
Bộ khuếch đại dòng điện
Bộ biến đổi dòng thành áp: Tín hiệu vào là dòng điện và ra là điện áp
Bộ biến đổi áp thành dòng: Tín hiệu vào là áp và ra là dùng điện

ui K
uo ii K io ii K uo ui K io

Hình 2.1. Các sơ đồ khuếch đại

3. Phân loại theo tính chất biến đổi của tín hiệu vào ra theo thời gian
a. Sự biến đổi của tín hiệu theo thời gian
Tín hiệu 1 chiều là tín hiệu có biên đô không thay đổi hoặc thay đổi rất chậm
theo thời gian.
Tín hiệu xoay chiều: Là tín hiệu có giá trị thay đổi tuần hoàn theo thoài gian.
Tín hiệu xung: Là tín hiệu có giá trị biên độ thay đổi liên tục theo thời gian trong
1 khoảng thời gian.
b. Bộ KĐ 1 chiều
Bộ khuếch đại 1 chiều có khả năng khuếch đại tín hiệu 1 chiều, tín hiệu xoay
chiều và cả tín hiệu xung.
Nối tầng trong bộ khuếch đại này là nối tầng trực tiếp bằng dây dẫn hoặc bằng
điện trở. Vì vậy các tầng trong bộ KĐ có mối liên hộ với nhau về dòng 1 chiều. Việc
điều chỉnh chế độ của tầng này sẽ ảnh hưởng đến chế độ của tầng khác.
Bộ khuếch đại 1 chiều lý tưởng sẽ có fl = 0.
c. Bộ KĐ xoay chiều hoặc xung
Bộ KĐ xoay chiều hoặc xung không thể KĐ tín hiệu 1 chiều.
Nối tầng trong bộ khuếch đại này là nối tần gián tiếp dùng tụ điện hoặc biến áp
hoặc ghép quang học. Vì vậy việc điều chỉnh chế độ của tầng này sẽ không ảnh hưởng
đến chế độ của tầng khác.
Bộ KĐ có fl>0.

2
4. Bộ KĐ tín hiệu nhỏ và KĐ công suất
a. Bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ
Bộ KĐ làm việc với tín hiệu đầu vào có công suất nhỏ và phát ra tín hiệu có công
suất cũng nhỏ. Bộ KĐ tốt tín hiệu đầu vào 2 cực tính và thường là các tầng đầu và trong
gian của máy khuếch đại.
b. Bộ KĐ công suất
Bộ KĐ làm việc với tín hiệu đầu vào có biên độ lớn và phát ra công suất lớn. Bộ
KĐ tốt tín h iệu vào 1 cực tính và thường là các tầng cuối cảu máy khuếch đại.
5. Bộ KĐ dải rộng và KĐ chọn lọc.
a. Bộ KĐ dải rộng
Là bộ KĐ có dải thông lớn, tần số cắt trên rất lớn và tần số cắt dưới rất nhỏ.
b. Bộ KĐ chọn lọc
Là bộ khuếch đại có dải thông rất hẹp khi đó tần số cắt trên và tần số cắt dưới rất
gần nhau.

3
 §2.3. Hồi tiếp âm trong bộ khuếch đại
1. Khái niệm hồi tiếp và phân loại
Hồi tiếp là đưa một phần hoặc toàn bộ tín hiệu ra trời lại lối vào của bộ KĐ. Hồi
tiếp cps thể do ký sinh hoặc do người thiết kế rạo ra nhằm đạt được mực đích gì đó.
Hồi tiếp có 2 loại là hồi tiếp âm và hồi tiếp dương.
- Hồi tiếp là hồi tiếp dương nếu pha của tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào.
Vì vậy hồi tiếp dương thức đẩy quá trình quá độ trong mạch xảy ra nhanh hơn.
Hồi tiếp dương hay được ứng dụng trong các sơ đồ tạo dao động phát xung.
- Hồi tiếp là hồi tiếp âm nếu pha của tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào.
2. Các cách mắc hồi tiếp

Hình 2.2. Các sơ đồ hồi tiếp trong bộ khuếch đại

3. Hồi tiếp âm cải thiện các thông số của bộ khuếch đại
a. Hệ số KĐ
Hồi tiếp âm làm giảm hệ số của bộ KĐ. Khi mắc hồi tiếp âm thì hệ số KĐ giảm
đi (1+βhtK) lần.
Mặc dù hồi tiếp âm làm giảm hệ số KĐ của bộ KĐ nhưng hồi tiếp âm lại rất hay
được sử dụng trong ứng dụng các mạch KĐ. Hiện nay các mạch KĐTT (Khuếch Đại
Thuật Toán) có hệ số KĐ rất lớn, nhờ có hồi tiếp âm mà ta có thể làm giảm hệ số KĐ
của KĐTT từ đó tạo ra các bộ KĐ có hệ số KĐ mong muốn.
b. Độ ổn định của hệ số KĐ

4
 K dK K
Từ công thức K ht  ta có dK ht  => K ht  Do đó:
1   ht K 1   ht K  1   ht K 
2 2

K ht 1 K

K ht 1   ht K  K
Đại lượng ∆Kht/Kht là độ không ổn định tương đối của hệ số LĐ của bộ KĐ có
hồi tiếp và so với đại lượng ∆K/K nó nhỏ hơn (1+βhtK) lần.
c. Dải thông của bộ KĐ
Đặc tuyến biên độ tần số của bộ KĐ có hồi tiếp âm như trên hình 2.3. Hệ số KĐ
là Kht, tần số giới hạn là flht và tần số giới hạn trên là fhht.
Hồi tiếp âm trong bộ khuếch đại làm giảm ngưỡng cắt dưới của tần số và làm
tăng ngưỡng cắt trên của tần số hay nói cách khác nó mở rộng dải thông của bộ khuếch
đại.

Hình 2.3. Đặc tuyến biên độ - tần số của sơ đồ khuếch đại hồi tiếp âm
d. Trở kháng vào
Hồi tiếp âm làm tăng trở kháng lối vào của bộ KĐ lên (1+βhtK) lần đối với hồi
tiếp âm nói tiếp.
Hồi tiếp âm làm giảm trở kháng lối vào của bộ KĐ lên (1+βhtK) lần đối với hồi
tiếp âm song song.
e. Trở kháng ra
Hồi tiếp âm làm tăng trở kháng lối vào của bộ KĐ lên (1+βhtK) lần đối với hồi
tiếp âm về dòng điện
Hồi tiếp âm làm giảm trở kháng lối vào của bộ KĐ lên (1+βhtK) lần đối với hồi
tiếp âm về điện áp.

5
 §2.4. Sơ đồ khuếch đại dùng Transistor
1. Ba kiểu tầng KĐ dùng Transistor
Trong bộ khuếch đại Transistor thường được mắc theo 3 sơ đồ là Emitter chung,
Base chung và Colector chung nhưn hình sau:

Hình 2.4a. Sơ đồ C chung (CC)

Hình 2.4b. Sơ đồ E chung (EC)

Hình 2.4c. Sơ đồ B chung (CB)

6
2. Mạch định điểm làm việc ban đầu cho Transistor
Trước hết phải lựa chịn kiểu sơ đồ mắc Transistor trong 3 kiểu sơ đồ CC, CB,
CE.
Điểm làm việc ban đầu của Transistor có thể được chọn ở điểm A (chế độ A),
điểm B (chế độ B) hoặc điểm AB (chế độ AB). Nếu tầng KĐ được chọn để KĐ tín hiệu
nhỏ thì chọn điểm làm việc A, còn nếu tầng khuếch đại công suất thì thường chọn điểm
B hoặc AB hoặc có thể sát với điểm C như hình vẽ.

Hình 2.5. Các chế độ khuếch đại của transistor

Khi điểm làm việc đã được chọn thì ta có thể xác định được các đại lượng U CEO
và ICO và các thông số khác của mạch.
Có hai kiểu mạch định điểm làm việc ban đầu cho Transistor bao gồm:
C
- Kiểu mạch định áp như hình 2.3 ở đây ta tạo thiên áp cho cực base nhờ điện
EC R2
Ico trở phân áp. Khi đó U BE   RE I E và U CE  EC  RC I C  RE I E thay đổi R1
R1  R2
A
hoặc R2 dẫn tới thay đổi UBE thay đổi IB thay đổi IC, thay đổi UCE . Bằng cách
lựa chọn giá trị điện trở phù hợp ta có thể xác định được giá trị U CEO và ICO
theo ý muốn.
- Kiểu mạch định dòng: tạo thiên áp cho base nhờ điện trở R1 như hình vẽ

Hình 2.6. Phân áp cho Transistor

7
 Khi đó UEC = UEB+R1IB+R3IE suy ra UEB = UEC-R1IB- R3IE
UBE = Ec- R1IB - R3IE-R2IB-R2IC
UBE = Ec- R1IB – (RE+RC)(IB+βIB)
Do đó việc thay đổi R1 sẽ làm thay đổi IC và UEC.
Khi nhiệt độ của môi trường thay đổi cũng như trong quá trình Transistor hoạt
động thì UEB, β, ICBO thay đổi theo nhiệt độ dẫn tới hiện tượng dịch điểm làm việc tĩnh.
Vì vậy cần lưu ý đến việc ông định điểm làm việc ban đầu cho tần KĐ.
Để ồn định điểm làm việc người ta thường áp dụng mạch định áp có hồi tiếp âm
về dòng điện. Thông thường thì mạch định dòng ổn định hơn mạch định áp. Một biện
pháp nữa là lắp cánh tản nhiệt cho Transistor.
3. So sánh các kiểu mắc CC, CE và CB
Cùng một Transitor nhưng được mắc theo 3 kiểu khác nhau ta sẽ thu được các
tầng khuếch đại có thông số khác nhau như trong bảng:
Sơ đồ CE CB CC
Tham số
Ku Lớn Lớn ~1
Ki Lớn Nhỏ Lớn
Zi Trung bình Nhỏ Lớn
Zo Từ tb đến lớn Lớn Nhỏ
o
φ 180 0 0
Với φ là góc lệch giữa điện áp ra và điện áp vào
Từ số liệu trong bảng ta có:
- Kiểu CE có Ku và Ki lớn nên hệ số KĐ công suất lớn và tín hiệu ra ngược pha
với tín hiệu vào.
- Kiểu CB có hệ số KĐ công suất kém hơn so với kiểu CE nhưng tín hiệu ra
cùng pha tín hiệu vào. Ưu thế của kiểu CB là khả năng làm việc ở tần số cao.
- Kiểu CC có hệ số KĐ công suất kém hơn CE, tín hiệu ra giống hệ tín hiệu
vào về mặt biên độ. Nhưng ưu thế của tầng CC là trở kháng lối vào lớn trở
kháng lối ra nhỏ nên CC thường được sử dụng để ghép nối giữa nguồn có nội
trở lớn và tải ra có trở kháng nhỏ.
4. Tầng khuếch đại công suất
Tầng cuối của bộ KĐ thường KĐ tín hiệu có biên độ khá lớn để phát lên tải nên
nó hay được thiết kế theo kiểu CC.
Các thông số của tầng KĐ công suất
Po
- Hệ số KĐ công suất: K p 
Pi
8
 Po
- Hiệu suất:  
PCC
Pi là công suất nguồn tín hiệu vào, Po là công suất nguồn tín hiệu ra và Pcc là công
suất nguồn.
Có hai kiểu tầng KĐ công suất:
- Tầng KĐ công suất đơn: Tầng KĐ này chỉ sử dụng 1 transistor làm việc ở
chế độ A và có thể mắc theo kiểu CE hoặc CC. Hiệu suất của tầng KĐ kiểu
này cỡ 25% nên ít được ứng dụng trong thực tế.
- Tầng KĐ công suất kéo đầy push-pull: Tầng dùng 2 transistor làm việc ở chế
độ B hặc AB cho nên 2 transistor luân phiên làm việc. Hiệu suất cỡ 78.5% và
hay được ứng dụng trong thực tế.
Tầng KĐ công suất kéo đẩy gồm 2 loại: Tầng KĐ công suất đẩy kéo dùng biến
áp (KĐ công suất song song) và tầng KĐ công suất không dùng biến áp (KĐ công suất
nối tiếp). Trong thực tế tầng KĐ công suất không có biến áp hay được sử dụng vì ưu
điểm kích thước nhỏ do không có biến áp, dễ chế tạo thành IC, đặc tính tần số tốt.

9
 §2.5. SƠ ĐỒ KĐ DÙNG KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN
1. Khuếch đại thuật toán (KĐTT)
a. Định nghĩa
KĐTT là sơ đồ khuếch đại ghép nối trực tiếp có hệ số khuếch đại rất lớn, có hai
lối vào 1 lối ra với điện trở vào rất lớn và điện trở ra rất nhỏ.
b. Ký hiệu
- Nguồn nuôi cho KĐTT là nguồn cộng trừ có điểm chung
với Vs+ là điện áp nguồn dương, Vs- là điện áp nguồn âm.
- Lối vào V+ được gọi là lối vào không đảo, khi tín hiệu vào
lối này thì gia số tín hiệu ra cùng pha với gia số tín hiệu vào

- Lối vào V- được gọi là lối vào đảo, khi tín hiệu vào lối này thì gia số tín hiệu ra
ngược pha với gia số tín hiệu vào.
- Vout là đầu ra của bộ KĐTT
c. Các thông số của KĐTT
Các thông số KĐTT lý tưởng KĐTT thực tế
Hệ số KĐ (Ko) ∞ ~105
Trở kháng lối vào ∞ ~2MΩ
(Ri)
Trở kháng lối ra 0 ~100Ω
(R0)
Dải thông (∆f) ∞ ~1MHz
U+=U-=0 Uo = 0 Uo ≠ 0
- Trên thực tế KĐTT có hệ số KĐ cỡ 105 lần ở vùng tần só thấp, lên vùng tần số
cao hệ số KĐ giam dần do sự ảnh hưởng của tụ kí sinh và các tham số của
transistor trong sơ đồ.
- Trở kháng lối vào của KĐTT thông thường cỡ MΩ nhưng cũng có một vài KĐTT
được chế tạo với trở kháng lối vào cực cao lên tới vài trăm MΩ thậm chí hàng
TΩ.
- Giá trị Uo ≠ 0 được gọi là điện thế offset của KĐTT xuất hiện do sự trôi điện áp
d. Sơ đồ khối của KĐTT

Hình 2.7. Sơ đồ khối của KĐTT

10
 - Tầng vào của KĐTT được thết kế theo kiểu KĐ vi sai nó có hai lối vào nên
KĐTT cũng có hai lối vào đảo và không đảo. Khối KĐ vi sai được thiết kế với
mức dòng vào rất nhỏ nên trở kháng lối vào rất lớn. Hệ số KĐ của sơ đồ vi sai
khá lớn, và nó không KĐ tín hiệu đồng pha tới hai lối vào, giảm nhiễu đầu vào.
- Tầng KĐ điện áp: KĐ tín hiệu ra từ tần vi sai tạo nên hệ số KĐ rất lớn cho
KĐTT.
- Tầng dịch mức: dịch mức 1 chiều sao cho U+ = U- = 0 thì Ura = 0.
Tầng ra được thiết kế theo sơ đồ kéo đẩy loại nối tiếp các Transistor mắc theo
sơ đồ CC nên điện trở ra nhỏ.
e. Phương pháp tính toán cho KĐTT
Khi tính toán cho KĐTT người ta thường sử dụng các tham số của KĐTT lý
tưởng để dễ dàng cho việc lý luận và thiết kế.
 Những kết quả dẫn ra đối với KĐTT lý tưởng
- Ko = ∞ nên U+- = Uo/Ko = 0 => U+ = U-
- Ri = ∞ nên I+- = Uv/Ri = 0 => I+ = I- = 0
 Phương pháp tính toán
- Viết phương trình Kiếc Khốp ở nút lối vào +
- Viết phương trình Kiếc Khốp ở nút lối vào –
- Cho U+ = U- để tìm Uo và K
2. Sơ đồ KĐ sử dụng KĐTT
a. Sơ đồ KĐ đảo pha

Hình 2.8. Sơ đồ KĐ đảo pha

Mạch khuếch đại đảo thực hiện hồi tiếp âm điện áp qua điện trở Rf, lối vào thuận
được nối đất.
- Phương trình Kirchhoff cho lối vào “–“
I- = If + I 1
Uo  U Ui U
  0 (1)
Rf R1
11
 - Phương trình Kirchhoff cho lối vào “+”
U+ = 0 (2)
Từ phương trình (1) và (2) ta có:
Uo Ui
 0
R f R1
Rf
 Uo   Ui
R1
Rf
- Vậy hệ số khuếch đại của mạch là K  
R1
 Tính chất của mạch
- Hệ số khuếch đại của mạch chỉ phụ thuộc vào Rf và R1 mặc cho hệ số KĐ của
KĐTT là rất lớn.
- Hệ số KĐ của mạch mang dấu âm chứng tỏ tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu
vào
- Điểm U- = 0 được gọi là điểm đất ảo.
- Trở kháng lối vào của mạch Rv = R1.
- Trở kháng lối ra của mạch Ro = RoKĐTT
- Đường tải làm việc của mạch:

Hình 2.9. Đường tài làm việc của sơ đồ KĐ đảo pha

Sơ đồ KĐ không đảo pha

Hình 2.10. Sơ đồ KĐ không đảo pha

12
 Tính toán hệ số khếch đại
- Tính toán tương tự như đối với mạch KĐ đảo pha ta thu được phương trình đặc
tuyến của mạch như sau:
 R 
U o  1  f Ui
 R1 
R
- Hệ số khuếch đại của mạch K  1  f
R1
 Tính chất của mạch
- Hệ số KĐ của mạch chỉ phụ thuộc vào R1 và Rf
- Hệ số KĐ của mạch mang dấu “+” chứng tỏ tín hiệu lối ra cùng pha với tín hiệu
lối vào.
- Trở kháng lối vào Ri = RiKĐTT
- Trở kháng lối ra Ro = RoKĐTT
- Đường đặc tuyến ra

Hình 2.11. Đường tải làm việc của sơ đồ khuếch đại không đảo pha

b. Sơ đồ lặp điện áp
Từ hệ số khuếch đại của mạch khuếch đại không đảo pha ta thấy nếu tăng giá trị
R1 lên vô cùng lớn hoặc giảm giá trị Rf tới 0 thì hệ số KĐ của mạch sẽ bằng 1 tức là tín
hiệu ra có cùng biên độ và cùng pha với tín hiệu vào. Từ đây ta có thể có 3 dạng mạch
lặp điện áp như sau:
 Trường hợp Rf = 0

Hình 2.12. Sơ đồ lặp Rf = 0

13
  Trường hợp R1 = ∞

Hình 2.13. Sơ đồ lặp R1 = 0

 Trường hợp Rf = 0 và R1 = ∞

Hình 2.14. sơ đồ lặp Rf = 0 và R1 = 0

 Đặc điểm của mạch
- Hệ số khuếch đại K = 1
- Tín hiệu ra giống hệt tín hiệu vào
- Trở kháng lối vào Ri = RiKĐTT
- Trở kháng lối ra Ro = RoKĐTT
Đường đặc tuyến có dạng giống hệt đường đặc tuyến của mạch khuếch đại không
đảo pha nhưng luôn có Uo = Ui.
c. Mạch khuếch đại tín hiệu tới cả hai lối vào

Hình 2.15. Sơ đồ khuếch đại vi sai

 Hệ số KĐ của mạch
 R  Rf
U o  1  f  U 2  U1
 R1  R1

14
  Đặc điểm của mạch
- Hệ số khuếch đại của mạch chỉ phụ thuộc thuộc vào Rf và R1.
- Tín hiệu ra là tổng hai tín hiệu thành phần khi lần lượt cho U1 và U2 lần lượt
bằng 0.
d. Sơ đồ tích phân

Hình 2.16. Sơ đồ tích phân

 Phương trình truyền tải của mạch
1
RC 
Uo   U i dt

Ở đây 𝜏 = 𝑅𝐶 được gọi là hằng số tích phân của mạch

Đối với tín hiệu hình sin mạch tích phân quay pha tín hiệu đi 90o và hệ số khuếch
đại tỷ lệ nghịch với tần số xung vào.
Mạch tích phân cũng được sử dụng làm bộ lọc thông thấp ứng dụng trong mạch
lọc tín hiệu.
e. Sơ đồ vi phân

Hình 2.17. Sơ đồ vi phân

 Phương trình truyền tải của mạch
dU i
U o   RC
dt
ở đây 𝜏 = 𝑅𝐶 được gọi là hằng số vi phân của mạch.

15
 Khi tín hiệu vào là hình sin thì sơ đồ vi phân quay pha tín hiệu đi một góc 90o
Sơ đồ vi phân có chức năng như một mạch lọc thông cao.
3. Các biện pháp bảo vệ KĐTT
a. Bảo vệ lối vào
Đối với U+- lối vào cỡ vài trăm mV thì KĐTT đã đạt bão hòa. Nếu điện áp vào
quá lớn thì có thể làm hỏng KĐTT, vì vậy cần phải bảo vệ lối vào.
Sơ đồ bảo vệ như hình vẽ. Trên sơ đồ có mắc thêm 2 diode có tác dụng bảo vệ.
Khi U+-< điện áp mở của diode (cỡ vài trăm mV) thì cả hai diode đều khóa và KĐTT
làm việc bình thường. Còn khi U+-> điện áp mở của diode thì cả 2 diode sẽ mở nhờ vậy
mà điện áp lối vào KĐTT không vượt quá vài trăm mV.

Hình 2.18. Sơ đồ bảo vệ lối vào KĐTT

b. Bảo vệ lối ra
Khi tải lối ra xảy ra ngắn mạch làm cho dòng ra của KĐTT tăng đột ngột và có
thể làm hỏng mạch KĐTT.
Biện pháp bảo vệ: Mắc thêm điện trở lối ra của KĐTT như hình sau. Trị số của
điện trở cỡ vài trăm Ω với KĐTT loại LM709. Điện trở này có tác dụng giảm dòng
ngắn mạch sao cho các linh kiện trong KĐTT có thể chịu được dòng này.

Hình 2.19. Sơ đồ bảo vệ lối ra KĐTT

16
 §2.6. TẠP ÂM TRONG MÁY ĐIỆN TỬ
1. Tạp âm trong máy điện tử
1.1. Hiện tượng tạp âm trong máy điện tử
Với máy điện tử khi chưa đo đạc vẫn quan sát thấy có tín hiệu lối ra, đó chính là
tạp âm mà ta quen gọi là nhiễu. Tạp âm này có đặc điểm là biên độ nhỏ và có tần số
luôn thay đổi.
Luôn luôn có tạp âm trong máy điện tử vì:
- Các linh kiện điện tử sinh ra tạp âm.
- Máy điện tử luôn chịu sự tác động của môi trường ngoài như sóng phát thanh,
sóng phát hình, các động cơ đang hoạt động, tia vũ trụ, tia phóng xạ…
Tạp âm xuất hiện ở mọi điểm trong máy điện tử nhưng tạp âm ở lối vào bộ
khuếch đại cần được quan tâm nhất vì tạp âm này cũng được KĐ như tín hiệu. Khi tạp
âm lớn sẽ dẫn tới kết quả kém chính xác.
1.2. Các nguồn tạp âm
a. Tạp âm do cấu tạo
Đây là loại tạp âm được sinh ra trong máy điện tử do tác động của môi trường
xung quanh như sóng phát thanh, sóng phát hình…
b. Tạp âm của mạch điện
+ Tạp âm nhiệt:
- Các điện tử tự do trong vật dẫn điện luôn chuyển động tự do luôn luôn chuyển
động nhiệt theo mọi hướng sẽ tạo ra dòng điện cục bộ ở trong lòng vật dẫn.
Nhưng xét toàn bộ vật dẫn thì sẽ không có dòng điện chạy qua.
- Sự thay đổi rất nhanh của các dòng điện cục bộ gây nên sự thăng giáng điện
áp trên vật dẫn gọi là tạp âm nhiệt.
- Tạp âm nhiệt có dải tần số từ 0 đến ∞. Vì vậy người ta dùng đại lượng mật
độ phổ để biểu thị phổ tạp âm. Mật độ phổ là phân bố năng lượng của tạp âm
theo tần số.
dU t2
- Với tạp âm nhiệt: mật độ phổ là  4kTR . Trong đó k là hằng số Boltsman.
df
T là nhiệt độ tính theo thang Kevin, R là điện trở của vật dẫn. ta thấy R càng
cao hoặc nhiệt độ của vật dẫn càng lớn thì tạp âm nhiệt càng lớn.
+ Tạp âm gây bởi dòng vào của Transistor
- Sự thăng giáng dòng của transistor ví dụ dòng Ib hoặc Ig gây ra loại tạp âm
này.
dI it2
- Mật độ phổ của tạp âm  2eI i với e = 1.6×10-19 C
df
17
 + Tạp âm gây bởi dòng ra của Transistor
- Sự thăng giáng dòng ra của Transistor ví dụ Ic hoặc Id gây ra loại tập âm này
dI ot2
- Mật độ phổ tạp âm  2eF 2 I o với F là hệ số mà có trị số phụ thuộc vào loại
df
linh kiện và vào Io.
+ Tạp âm 1/f (Pink Noise)
- Là loại tạp âm có mật độ phổ tỷ lệ với 1/f. Loại tạp âm này rất nhỏ so với các
loại trên nên có thể bỏ qua
1.3. So sánh mức tạp âm của Transistor lưỡng cực (BJT) và transistor trường
(FET)
Dòng Ig của FET cỡ 10-9A, do đó, Ig<<Ib cuả BJT, vì thế tạp âm của bộ khuếch
đại dùng FET sẽ nhỏ hơn rất nhiều so với dùng BJT.
Đặc biệt nếu FET được làm lạnh thì tạp âm nhiệt giảm mạnh đến mức gần như
có thể bỏ qua được. Như vậy để bộ KĐ có mức tập âm nhỏ, thì tầng vào nên dùng FET
được làm lạnh bằng Nitơ lỏng hơn là dùng BJT.
2. Biện pháp khắc phục tạp âm
2.1. Với loại tạp âm do cấu tạo
Một biện pháp rất phổ biến là bọc kim nhũng bộ phận trong máy, mà ở đó tạp
âm có ảnh hưởng mạnh, ví dụ như tầng vào của khối KĐ. Bọc kim để tránh ảnh hưởng
của sóng điện từ, sóng gây nhiễu.
Một biện pháp khác là dùng chì hoặc bê tông để che chắn đầu ghi bức xạ
2.2. Với loại tạp âm của mạch điện
Nên chọn những linh kiện gây ra mức tạp âm nhỏ làm tầng đầu vào, dùng điện
trở chính xác, dây dẫn bọc kim.
Tuy nhiên không thể loại trừ hết tạp âm của mạch điện mà vẫn tồn tại tạp âm ở
mức độ nhất định. Khi đó ta phải sử dụng các mạch KĐ có mức tạp âm nhỏ, các mạch
KĐ chọn lọc, các mạch lọc để nâng cao tỷ số tín hiệu trên tạp âm (S/N).

18
 §2.7. SƠ ĐỒ KHUẾCH ĐẠI XUNG TÁC ĐỘNG NHANH
1. Tính tác động nhanh của tầng KĐ
Ta đã biết rằng một tầng KĐ tác động nhanh là tầng KĐ có khả năng KĐ tốt tín
hiệu tới tần số cao. Khi xét đặc tuyến biên độ tần số (K = φ(f)) như hình dưới ta thấy
nếu f>fH thì K giảm rất mạnh.

fh

Hình 2.20. Đáp ứng biên độ - tần số của một bộ khuếch đại
Như vậy thì một tầng KĐ có fH càng lớn thì càng có khả năng khuếch đại tín hiệu
tần số cao tức là tầng KĐ hoạt động càng nhanh. Vì thế mà fH là đại lượng phản ánh
tính tác động nhanh của tầng khuếch đại.
Từ lập luận trên ta suy ra rằng nâng cao tính tác động nhanh của tầng KĐ thực
chất là thực hiện những biện pháp kỹ thuật nhằm tăng hệ số KĐ ở vùng tần số cao.
2. Các biện pháp để tạo và nâng cao tính tác động nhanh của tầng KĐ

Hình 2.21. Sơ đồ tác động nhanh cho transistor

19
 Hãy chọn các linh kiện tích cực (BJT, FET, IC, diode…) có khả năng làm việc
tốt ở vùng tần số cao.
Áp dụng hồi tiếp âm ở trong tầng và bộ KĐ, hồi tiếp âm sẽ cải thieenjdair thông
của tầng KĐ làm cho fH tăng lên.
Với transistor hãy lựa chọn kiểu sơ đồ có đặc tính tốt ở vùng tần số cao như kiểu
sơ đồ B chung hoặc C chung.
Trường hợp cần phải KĐ công suất hoặc đảo pha tín hiệu thì chọn kiểu sơ đồ E
chung nhưng khi đó không có khả năng hoạt động nhanh vì vậy cần tăng tính hoạt động
nhanh cho sơ đồ E chung.
Một biện pháp hay dùng để nâng cao tính tác động nhanh cho sơ đồ EC là mắc
thêm cuộn cảm L1 vào cực góp của Transistor như hình 2.21. Lúc này trở kháng của
cực gớp là Zc = R1+jLω, khi tần số tăng thì trở kháng này sẽ tăng do đó làm giảm dòng
cực góp hạn chế được sự tăng của điện áp ra do đó giảm méo so với trường hợp không
mắc cuộn cảm.

20