LỜI NÓI ĐẦU

Kính chào thầy (cô)!

Lời đầu tiên chúng em xin phép gửi đến thầy cô lời chúc sức khỏe và lời
chào trân trọng nhất.
Thông qua sự hướng dẫn và giúp đỡ chân thành, tận tâm của thầy Lê
Hồng Nam và thầy Phan Trần Đăng Khoa, cũng như sự giúp đỡ của các anh
chị, bạn bè xung quanh, chúng em đã tích lũy được vốn kiến thức về việc
thiết kế là một mô hình mạch điện hoàn chỉnh cùng với đó là tinh thần
rèn luyện đam mê tìm tòi học hỏi từng chút một, Chăm chỉ nghiên cứu
đọc sách, tài liệu tham khảo và các lần khảo sát thực tế mô hình sản
phẩm, chúng em đã hoàn thành đồ án một cách hoàn thiện nhất có thể.
Mặc dù vậy chúng em còn rất nhiều sai sót và hạn chế trong việc thi công
mạch cũng như làm báo cáo một cách đầy đủ và chi tiết. Vì vậy chúng
em rất mong có sự đóng góp giúp đỡ đưa ra những lời nhận xét của thầy
cô để chúng em có thể nhìn được những ưu điểm để phát huy, những
nhược điểm cần khắc phục để hoàn thiện hơn và tích lũy thêm kinh
nghiệm cho sau này. Cuối cùng chúng em xin gửi lời cảm ơn đến thầy Lê
Hồng Nam và thầy Phan Trần Đăng Khoa đã giúp đỡ hướng dẫn tận tình
chúng em từ những ngày ban đầu đến lúc hoàn thiện phần mạch để
hoàn thành đồ án này tốt nhất có thể.
Chúng em xin chân thành cảm ơn!
 Yêu cầu thiết kế:
- Công suất: 30W
- Loại mạch: OTL đơn
- BW: 16Hz-25Hz
- Trở kháng vào: 150K 
- Trở kháng loa: 4 
- Méo phi tuyến 0.2%
- Vin: 0,7V
* Phân công nhiệm vụ:
TT Họ và tên Nhiệm vụ Mức độ đóng góp
1 Trần Quốc Đạt Thiết kế, mô phỏng, thi công mạch 50%
2 Huỳnh Đức Hùng Thiết kế, mô phỏng tầng thúc 25%
3 Trần Lê Thiên Hưng Thiết kế, mô phỏng tầng ngõ vào 25%
 Mục lục
A. Lý thuyết
Chương 1. Khuếch đại tín hiệu nhỏ
1.1 Mở đầu chương

1.2. Phân cực BJT

1.2.1. Phân cực cố định ( Base)
1.2.2. Phân cực hồi tiếp Collector
1.2.3. Phân cực hồi tiếp Emitter
1.2.4. Phân cực bằng phân áp
1.2.5 Nhận xét
1.3. Cách mắc BJT

1.3.1. Mạch E chung

1.3.2. Mạch C chung

1.3.3. Mạch B Chung

1.3.4. Nhận xét

1.4. Kết luận chương

Chương 2: Mạch khuếch đại hồi tiếp

2.1. Mở đầu chương

2.2. Hồi tiếp là gì

2.3. Phân loại

2.4. Công thức
2.4.1. Hồi tiếp điện áp nối tiếp (khuếch đại điện áp)
2.4.2 Hồi tiếp dòng điện song song (khuếch đại dòng điện)
2.4.3. Hồi tiếp dòng điện nối tiếp (khuếch đại truyền dẫn)
2.4.4. Hồi tiếp điện áp song song (khuếch đại truyền trở)
2.5. Đặc điểm từng loại
2.6 Nhận xét
2.7 Kết luận chương
Chương 3: Khuếch đại công suất
3.1. Mở đầu chương
3.2. Bộ khuếch đại chế độ A, B, AB
3.3 Bộ khuếch đại công suất chế độ A
3.3.1. Đặc tuyến
3.3.2. Hiệu suất của chế độ A
3.4 Chế độ B
3.4.1. Hiệu suất của chế độ B
3.4.2. Chế độ đẩy kéo
3.5. Chế độ AB
3.5.1. Sơ đồ mạch:
3.5.2. Đặc tuyến:
3.6. Mạch khuếch đại công suất OTL
3.7. Mạch khuếch đại Darlington
3.8. Kết luận chương
B Thiết kế
4.1. Tính toán nguồn cung cấp
4.2. Tính toán tầng công suất
4.3. Tính toán tầng thúc
4.4. Tính toán tầng ngõ vào
C Mô phỏng và thi công
1. Mô phỏng
1.1 Tầng công suất
1.2 Tầng thúc
1.3 Tầng ngõ vào
1.4 Toàn mạch
2. Thi công
D. Phần phụ lục
A. Lý thuyết

Chương 1: Khuếch đại tín hiệu nhỏ

1.1. Mở đầu chương

Muốn truyền được tín hiệu đi xa thì người ta phải khuếch đại tín hiệu để làm cho
nó lớn hơn. Khuếch đại tín hiệu là cách dùng để biến đổi từ một tín hiệu đầu vào
nhỏ trở thành một tín hiệu lớn hơn nhiều lần ở đầu ra. Để làm được việc đó thì
chúng ta cần phải đi phân cực cho BJT và lắp các mạch E chung, B chung, C
chung. Dưới đây là phần trình bày chi tiết về các công việc để đi khuếch đại tín
hiệu như đã nói ở trên.

1.2 Phân cực BJT

Phân cực gồm có 4 loại: Phân cực cố định, phân cực hồi tiếp collector, phân cực
hồi tiếp emitter, phân cực bằng cầu phân áp.

1.2.1 Phân cực cố định

Hình 1.1
- Giả sử BJT hoạt động ở vùng tích cực (khuếch đại)
- Áp dụng KVL đối với mạch ngõ vào: VCC − IB R B − vbe = 0
VCC − VBE
- IB =
RB

với VBE = 0.7V nếu là loại Silic, VBE = 0.3V nếu là loại Ge
- Do đó, dòng Ig phụ thuộc vào giá trị điện áp điện trở Rg
- Trong vùng khuếch đại Ic = β . Ib
 VCC
- Icsat =
RC

- Phương trình đường tải tĩnh: VCE = VCC - IC R C

1.2.2. Phân cực hồi tiếp Collector

Hình 1.2
VCC − VBE
- Vcc =
RB + β(RB + RE )

- IC = βIB
- VCE = VCC − (R C + R E )IC
1.2.3. Phân cực hồi tiếp Emitter

Hình 1.3
 VCC − VBE
- IB =
RB + (β+1)RE

- Trong vùng khuếch đại: IC = βIB

- Phương trình đường tải tĩnh : VCE = VCC − (R E + R B )IC
VCC
- Icsat =
RE + RC

1.2.4. Phân cực bằng cầu phân áp

Hình 1.4
R2
- VBB = VCC .
R1 + R2

- R BB = R1 // R 2
VBB − VBE
- IB =
RBB + (β+1)RE

- Vùng khuếch đại: IC = βIB

- VCE = VCC − (R E + R B ) . IC
VCC
- Icsat =
(RE + RC )

1.2.5 Kết luận:

Vậy với cách phân cực cố định,vì dòng ra lớn nên thường được ứng dụng trong các
tầng công suất lớn. Với phân cực hồi tiếp Emitter có điện trở hồi tiếp Re nên tăng
độ ổn định của mạch hơn. Phân cực hồi tiếp Collector thì mang lại khả năng hồi
tiếp tiếp hơn hồi tiếp cực Emitter. Còn phân cực bằng cầu phân áp nhờ ưu điểm
xac định điểm làm việc tĩnh Q ít phục thuộc vào β mà được sử dụng phổ biến trong
các mạch khuếch đại.
1.3 Các cách mắc BJT

1.3.1. E chung

- Sơ đồ mạch:

Hình 1.5

- Mô hình tín hiệu nhỏ :

Hình 1.6
𝑔𝑚 Rin
- Hệ số khuyếch đại diện áp : Av = − . RL với Rin = R1//R2//r𝜋.
1+gmRE Ri + Rin

(Ri + Rin )
- Hệ số khuyếch đại dòng : Ai =
R3

- Hệ số khuyếch đại công suất Ap = Av. Ai

- Rout = r0//Rc
 (Ri + Rin )
- Điều kiện cảu vi để mạch hoạt động tuyến tính vi ≤ 0,005
Rin

1.3.2. C chung
- Sơ đồ mạch:

Hình 1.7

- Mô hình tín hiệu nhỏ :

Hình 1.8
gm.RL .Rin
-Hệ số khuếch đại điện áp: Av =
(1+gm.RL)(Ri + Rin )

- R in =𝑟π.(1 + 𝑔𝑚. R L )//R b

 (Ri + Rin )
- Hệ số khuyếch đại dòng: Ai = Av
R7

- Hệ số khuếch đại công suất: Ap = Av .Ai

(Ri + Rin )
- Điều kiện vi để mạch hoạt động tuyến tính vi ≤ 0,005. .(1 + gm.R L )
Rin

- Tín hiệu vào và ra đồng pha.

1.3.3. B chung
- Sơ đồ mạch:

Hình 1.9
- Mô hình tín hiệu nhỏ:

Hình 1.10
 gm.RL .Rin 1
- Hệ số khuếch đại điện áp: Av = với R in = //R6
(Ri + Rin ) gm

(Ri + Rin )
- Hệ số khuếch đại dòng: Ai = Av
R7

- Hệ số khuếch đại công suất: Ap = Av .Ai

- R out = R ic //R6
(Ri + Rin )
-Điều kiện để mạch hoạt động tuyến tính vi ≤ 0,005.
Rin

- Tín hiệu vào và ra đồng pha.

1.3.4. Nhận xét

Mạch khuếch đại công suất thường có 3 tầng: tầng ngõ vào, tầng thúc và tầng công
suất. Mạch E chung thường được lắp ở tầng ngõ vào và tầng thúc. Nếu ở tầng ngõ
vào lắp theo kiểu E chung thì ở tầng tiếp theo là tầng thúc cũng phải được lắp theo
kiểu E chung và ngược lại vì tín hiệu qua E chung thì sẽ bị đảo chiều nên cần hai
lần đảo chiều để tín hiệu về giống dạng ban đầu. E chung thì được sử dụng ở hai
tầng này vì E chung có hệ số khuếch đại điện áp cao (cao nhất trong cách loại).
Cũng giống như kiểu mạch E chung thì B chung cũng được lắp tại hai tầng là tầng
ngõ vào và tầng thúc. Tuy nhiên tín hiệu qua B chung lại không bị đảo như khi qua
E chung, hệ số khuếch đại dòng điện thì cũng khá cao chỉ thấp hơn E chung. Vì hai
tầng trước đã đi khuếch đại điện áp nên ở tầng cuối ta phải đi khuếch đại dòng điện
nếu muốn tín hiệu đầu ra có công suất cao hơn. Vì thế nên kiểu C chung thường
được sử dụng ở tầng cuối (tầng công suất). Vì ở mạch C chung thì dòng điện được
khuếch đại cao nhất so với các mạch còn lại.

1.4. Kết luận chương

Qua chương này chúng ta có thể thấy cách chúng ta đi phân cực và lắp mạch ảnh
hưởng rất nhiều đến quá trình khuếch đại tín hiệu. Vì thế ta cần phải chọn phương
án phù hợp nhất để khuếch đại tín hiệu nhỏ.
 Chương 2: Mạch khuếch đại hồi tiếp
2.1 Mở đầu chương

Để mạch khuếch đại hoạt động ổn định thì trong mạch ta cần có hồi tiếp để thực
hiện điều đó. Chương này sẽ nói về hồi tiếp là gì, các loại hồi tiếp và công dụng
của nó. Trong chương này ta chỉ tìm hiểu đến các loại hồi tiếp âm.

2.2 Hồi tiếp là gì?

Mạch hồi tiếp là mạch lấy một phần năng lượng ngõ ra đưa về đầu vào để làm tăng
độ ổn định của mạch và cải thiện chất lượng của mạch.
2.3. Phân loại:
Hồi tiếp âm gồm có 4 loại:
- Hồi tiếp âm điện áp nối tiếp.
- Hồi tiếp âm dòng điện song song.
- Hồi tiếp âm dòng điện nối tiếp.
- Hồi tiếp âm điện áp song song.
2.4. Sơ đồ khối, công thức, sơ đồ mạch từng loại
2.4.1. Hồi tiếp âm điện áp nối tiếp (khuếch đại điện áp)

Hình 2.1 Sơ đồ khối hồi tiếp âm điện áp nối tiếp

 Hình 2.2 Sơ đồ mạch hồi tiếp âm điện áp nối tiếp
-Hệ số khuếch đại vòng hở:
V0
Av =
Vε
- Hệ số hồi tiếp :
Vfb
βv =
V0
- Hệ số khuếch đại vòng kín:
V0
AvF =
Vi
2.4.2 Hồi tiếp âm dòng điện song song (khuếch đại dòng điện)

Hình 2.3 Sơ đồ khối hồi tiếp âm dòng điện song song

 Hình 2.4 Sơ đồ mạch hồi tiếp âm dòng điện song song
- Hệ số khuếch đại vòng hở:
I0
Ai =
Iε
- Hệ số hồi tiếp :
Ifb
βi =
I0
- Hệ số khuếch đại vòng kín:
I0
AiF =
Ii
2.4.3. Hồi tiếp âm dòng điện nối tiếp (khuếch đại truyền dẫn)

Hình 2.5 Sơ đồ khối hồi tiếp âm dòng điện nối tiếp

 Hình 2.6 Sơ đồ mạch hồi tiếp âm dòng điện nối tiếp

.- Hệ số khuếch đại vòng hở:

I0
Ag =
Vε
- Hệ số hồi tiếp :
Vfb
βz =
I0
- Hệ số khuếch đại vòng kín :
V0
AgF =
Vi
2.4.4. Hồi tiếp âm điện áp song song (khuếch đại truyền trở)

Hình 2.7 Sơ đồ khối hồi tiếp âm điện áp song song

 Hình 2.8 Sơ đồ khối hồi tiếp âm điện áp song song
- Hệ số khuếch đại vòng hở :
V0
Az =
Iε
- Hệ số hồi tiếp :
Ifb
βg =
V0
- Hệ số khuếch đại vòng kín :
V0
Azf =
Ii

2.5 Đặc điểm từng loại:

- Hồi tiếp điện áp nối tiếp : Ổn định tín hiệu điện áp ngỏ ra theo điện áp ngỏ vào,
ổn định hàm truyền là hệ số khuếch đại điện áp.
- Hồi tiếp dòng điện song song : Ổn định tín hiệu dòng điện ngỏ ra theo dòng điện
ngỏ vào, ổn định hàm truyền là hệ số khuếch đại dòng điện.
- Hồi tiếp dòng điện nối tiếp : Ổn định tín hiệu dòng điện ngỏ ra theo điện áp ngỏ
vào, ổn định hàm truyền là hệ số khuếch đại truyền dẫn.
- Hồi tiếp điện áp song song : Ổn định tín hiệu điện áp ngỏ ra theo dòng điện ngỏ
vào, ổn định hàm truyền là hệ số khuếch đại truyền trở.
2.6 Nhận xét:
- Nói chung các dạng hồi tiếp dùng để ổn định các thông số được khuếch đại (điện
áp hay dòng điện) theo các thông số ngỏ ra (điện áp hay dòng điện).
2.8. Kết luận chương

Trong chương này chúng ta đã tìm hiểu vì thế nào là hồi tiếp và các loại hồi tiếp
âm. Tuỳ vào mỗi loại hồi tiếp mà sẽ có cách mắc và công dụng riêng của chúng
giúp cho mạch khuếch đại công suất ổn định hơn.
 Chương 3: Khuếch đại công suất
3.1. Mở đầu chương
Khi nói đến âm thanh mạnh mẽ từ các loa lớn hoặc công suất cần thiết để kích hoạt
các thiết bị điện tử mạnh mẽ, khái niệm về khuếch đại công suất trở thành một
phần quan trọng của cuộc sống hàng ngày. Chúng ta thường gặp chúng trong các
ampli công suất, loa mạnh, và thậm chí trong các thiết bị phát sóng truyền hình và
radio. Trong chương này, chúng ta sẽ tìm hiểu khuếch đại công suất, khám phá
cách chúng hoạt động, cũng như ưu điểm và nhược điểm của từng loại.
3.2. Bộ khuếch đại chế độ A, B, AB
Tùy theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân mạch khuếch đại
công
suất ra thành các loại chính như sau:
- Khuếch đại công suất loại A
- Khuếch đại công suất loại AB
- Khuếch đại công suất loại B:

Hình 3.1
 Hình 3.2 Mô tả việc phân loại các mạch khuếch đại công suất
3.3. Bộ khuếch đại công suất chế độ A

Hình 3.3 Sơ đồ mạch chế độ A

Tín hiệu được khuếch đại gần như tuyến tính, nghĩa là
tín hiệu ngõ ra thay đổi tuyến tính trong toàn bộ chu kỳ 360o của tín hiệu ngõ vào
(Transistor hoạt động cả hai bán kỳ của tín hiệu ngõ vào).
3.3.1. Đặc tuyến

Hình 3.3.1: Đặc tuyến BJT ở chế độ A

- Dòng điện và điện áp đầu vào tồn tại 360o trong 1 chu kỳ của tín hiệu vào.
 - Phân tích trên đặc tuyến ngõ vào IB/VCE của transistor, mạch khuếch đại chế
độ A có điểm làm việc tĩnh Q ở khoảng giữa của đặc tuyến và có VBE = 0,65 (V)
đến 0,7 (V) và VBE = 0,2 đến 0,25 (V) (loại Gr). Khi transistor nhận được tín hiệu
xoay chiều ở cực B thì dòng IB sẽ thay đổi theo tín hiệu xoay chiều.
- Phân tích đặc tuyến ngõ ra IC/VCE của transistor, mạch khuếch đại chế độ A có
điểm hoạt động tĩnh Q ở giữa đường tải và VCE = VCC. Khi dòng điện IB bị thay
đổi theo tín hiệu xoay chiều sẽ làm cho dòng điện IC bị thay đổi và kéo theo điện áp
VCE cũng thay đổi.
- Các đặc điểm của chế độ A:
+ Khuếch đại trung thực tín hiệu xoay chiều (khuếch đại cả hai bán kì tín hiệu
xoay chiều hình sin).
+ Dùng cho mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ.
3.3.2. Hiệu suất của chế độ A:
Hiệu suất:
3.4. Chế độ B:

Hình 3.4: Sơ đồ mạch chế độ B

- Điểm làm việc nằm ở ranh giới giữa vùng ngưng dẫn và vùng dẫn.

Hình 3.4.1: Đặc tuyến BJT ở chế độ B

- Dòng điện và điện áp ra tồn tại trong 1 nửa chu kỳ của tín hiệu vào.
- Phân tích trên đặc tuyến ngõ vào VBE / IB thì mạch khuếch đại chế độ B có
điểm hoạt động tĩnh Q nằm ở điểm VBE =0 nên IB =0 và IC =0. Khi transistor nhận
được tín hiệu xoay chiều ở cực B thì chỉ có một nửa chu ký được khuếch đại,Vi làm
phân cực thuận mối nối VBE và IB tăng lên, còn một bán kỳ làm giảm phân cực mối
nối BE xuống vùng ngưng dẫn nên không được khuếch đại.
- Phân tích đặc tuyến tren ngõ ra IC/VCE thì mạch khuếch đại chế độ B có điểm
hoạt động tĩnh Q nằm trên đường biên giữa vùng khuếch đại và vùng ngưng dẫn
VCE =VCC. Khi dòng điện IB tăng theo tín hiệu xoay chiều thì dong IC cũng tang
lên và làm cho điện áp VCE giảm xuống. Ở ngõ ra cũng chỉ có một bán kỳ được
khuếch đại.
 - Các đặc điểm của khuếch đại chế độ B:
+ Khi không có tín hiệu thì transistor không dẫn.
+ Mỗi transistor chỉ dẫn 1 bán kỳ nên muốn có đủ chu kỳ thì phải dùng 2 transistor
để khuếch đại luân phiên.
+ Dùng cho các mạch khuếch đại có biên độ lớn.
+ Hiệu suất cao do công suất tiêu hao điện nhỏ.
+ Tín hiệu ra bị méo xuyên tâm.
3.4.1. Hiệu suất của chế độ B:

3.4.2. Chế độ đẩy kéo:

Hình 3.4.2: Mạch đẩy kéo

3.5. Chế độ AB:
- Ta có thể sửa lại vấn đề méo trong mạch loại B nhưng vẫn cải thiện hiệu suất
bằng cách kết hợp 2 loại A và B.
3.5.1. Sơ đồ mạch:

Hình 3.5: Sơ đồ mạch chế độ AB

3.5.2. Đặc tuyến:

Hình 3.5.1: Đặc tuyến BJT ở chế đồ AB

 - Trên đặc tuyến ngõ vào điểm làm việc tĩnh Q ở giữa hạng A và B (chế độ A và
B). Khi transistor nhận được tín hiệu xoay chiều ở cực B thì bán kỳ âm được rơi vào
vùng dưới transistor không dẫn và không có tín hiệu ra.
- Trên đặc tuyến ngõ ra điểm làm việc tĩnh Q nằm trong vùng gần ngưng dẫn nên
VCE ≈ VCC. Ở điểm làm việc tĩnh chỉ có bán kỳ dương của tín hiệu được khuếch
đại vì làm dòng IC tăng lên. Tín hiệu ra bị đảo pha so với tín hiệu ngõ vào nên chỉ
có bán kỳ âm của tín hiệu ở ngõ ra.
- Đặc điểm của mạch khuếch đại chế độ AB.
+ Khi không có tín hiệu thì các dòng IB, IC có giá trị rất nhỏ so với chế độ A
+ Mỗi transistor chỉ khuếch đại một bán kỳ
+ Hiệu suất cao do công suất tiêu thụ điện nhỏ
+ Tín hiệu ra không bị méo xuyên tâm.
*Khác với chế độ B, 2 cực B của BJT không nối trực tiếp với nhau mà được đặt
điện áp 1 chiều Vcc.
3.6 Mạch OTL
3.7. Mạch khuếch đại Darlington:

Hình 3.7 Mạch Darlington

- IE1 = IE2
- Ở chế độ tĩnh: IE1 = (1+ β1).IB1
IE2 = (1+ β2). IB2 = (1+ β2).IE1 = (1+ β2). (1+ β1).IB1
IE2 = = β1.β2.IB1 = β.IB1
Vậy hệ số khuếch đại dòng của mạch: β = β1.β2.

3.8. Kết luận chương:

Như vậy, ta đã hiểu được cơ sở lí thuyết của các mạch khuếch đại, các chế độ liên quan
đến mạch OCL. Nhưng để cải thiện sự ổn định của mạch thì ta cần một thành phần đó là
Hồi tiếp. Trong chương sau chúng ta sẽ tìm hiểu thành phần Hồi tiếp hoạt động như thế
nào.
B. Thiết kế

Hình 1.1 Sơ đồ mạch

1.1 Tính toán nguồn cung cấp
Gọi IL: dòng điện cực đại qua tải
VL là điện áp cực đại qua tải
ILhd là dòng điện hiệu dụng qua tải
VLhd là điện áp hiệu dụng qua tải
Ta có:
IL=ILhd.√2
VL=VLhd.√2
2
VLhd V2
PL = RL .I Lhd
2
= = L
RL 2 RL
 VL = 2 PL RL = 2.30.4 = 15,5(V )
VL 15,5
 IL = = = 3,875 A
RL 4

Chọn hệ số sử dụng nguồn là 0,8

2VL 2.15,5
 Vcc = = = 38, 75V
0,8 0,8
 Chọn nguồn cung cấp Vcc=40V
1.2. Tính toán tầng công suất

Hình 4.2 Sơ đồ tầng công suất

1.2.1. Tính chọn R1, R2
Vì mạch làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm trong khoảng
20÷50mA.
Vì dòng emitter, collector gần như bằng nhau để tiện cho việc tính toán thiết kế
Ta chọn IE/Q1=IE/Q2=20mA
Dòng cực đại qua Q1, Q2
IEmax/Q1= IEmax/Q2= IE/Q1+IL= 0,02+3,875=3,895 A
R1, R2 có tác dụng cân bằng dòng nên phải lớn nhưng do ở đây ta muốn công suất
trên loa lớn nhất nên phải chọn R1, R2 nhỏ để giảm thiểu hao phí ta chọn
VR1 1 V 16
 = VR1  L = = 0,8V
VL 20 20 20

VR1 0.8
 R1 = R2 = = = 0.21
I E / Q1 3,895

1 1
Công suất trở R1, R2: PR1 = PR 2 = R1.I L2 = .0, 2.4, 05 = 1.64W
2 2

Chọn R1, R2 là trở 0,22  /5W

1.2.2. Tính chọn Q1, Q2
IL
Công suất nguồn cung cấp Pcc= Vcc.Icctb = Vcc.

1
Công suất loa PL = RL .I Lhd
2
= RL I L2
2
1
Công suất tiêu tán của R1, R2 PR = 2 PR1 = RL I L2
2
Vcc I L 1
 Công suất tiêu tán của hai BJT là Ptt = Pcc − PL − PR = − RL I L2 − R1I L2
 2
V I 1 1
 Công suất tiêu tán của một BJT Ptt /Q1 = Ptt /Q 2 = cc L − RL I L2 − R1I L2 (1)
2 4 2
Công suất tiêu tán cực đại của BJT là lấy đạo hàm Ptt/Q1 theo IL cho bằng 0
dPttQ1 Vcc 1
= − ( RL + R1 ) I L 0 = 0
dI L 2 2
Vcc 40
= I L 0 = = = 3A
 ( RL + R1)  (4 + 0.22)
Vcc.IL 1
= Ptt max Q1 = − ( RL + R1).I L2
2 4
40.3 1
= − (4 + 0, 22).32 = 9, 6W
2 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q1
Vcc 40
PdcQ1 = VCEQ1.I CQ1  I EQ1 = .0, 02 = 0.4W
2 2
Công suất tiêu tán cực đại trên Q1 là
PttQ1 = Ptt max Q1 + PdcQ1 = 9, 6 + 0, 4 = 10W

Chọn Q1, Q2 là một cặp BJT bổ phụ lần lượt là 2SD718, 2SC688
1.2.3. Tính chọn R3,R4
Chọn β=100
Dòng Base tĩnh của Q1:
I EQ1 0.02
I BQ1 = = = 0,198mA
1+  101

Dòng Base cực đại của Q1:

I E max Q1 3.895
I B max Q1 = = = 38, 6mA
1+  101

Để R3, R4 không ảnh hưởng đến dòng ra ở chế độ xoay chiều thì , RR 43 phải thỏa
mãn điều kiện: 𝑍acQ1 ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 𝑍dcQ1
𝑅3, 𝑅4 ≪ 𝑍dcQ1) để rẽ dòng nhiệt.
𝑅3, 𝑅4 ≫ 𝑍acQ1 để giảm tổn thất tín hiệu.
Từ đặc tuyến của D718 ta có
𝐼𝐸𝑄 = 0,02 𝐴 => 𝑉𝐵𝐸𝑄 = 0,6𝑉
𝐼𝐸maxQ1 = 3,895 𝐴 => 𝑉𝐵𝐸𝑝 = 0,95𝑉
VBEQ1 + VR1 0, 6 + 0, 02.0, 22
Z dcQ1 = = = 3052
I BQ1 0,198.10−3
(VBE max + VR1max ) − (VBEQ1 + VR1 )
Z acQ1 =
I B max Q1 − I BQ1
(0,95 + 0, 22.3,895) − (0, 6 + 0, 22.0, 02)
= = 31
38, 6.10−3 − 0,198.10−3
Vậy: 31 Ω ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 3852Ω
Chọn R3=R4=200 Ω
1.2.4. Tính chọn Q3, Q4
Dòng tĩnh qua R3
 VBEQ1 + VR1 0, 6 + 0, 02.0, 22
I R3 = = = 3mA
R3 200

Dòng cực đại R3

VBE max Q1 + VR1max 0,95 + 3.895.0, 22
I R3 = = = 9mA
R3 200

Dòng Emitter tĩnh của Q3

I EQ 3 = I R 3 + I BQ1 = 3 + 0.198 = 3,198mA

Dòng Emitter cực đại qua Q3

I EQ 3max = I R 3max + I BQ1max = 9 + 38, 6 = 47, 6mA

Trở kháng xoay chiều tại cực B của Q1:

VBEQ1max − VBEQ1 0,95 + 0, 22.3,895 − (0, 6 + 0, 02.0, 22)
Z acQ1 = = = 27
I EQ 3max − I EQ 3 47, 6.10−3 − 3,198.10−3

So sánh với Zac/Q1 tính ở trước là ta thấy khi thêm R3, R4 vào thì sai khác không
đáng kể.
Như vậy, trở kháng xoay chiều của Q3 là:
Z acQ 3 = Z acQ1 + (1 +  ) RL = 27 + (1 + 55).4 = 251

Để tìm được Q3, Q4 ta tìm công suất tiêu tán lớn nhất của chúng. Gọi IE1 là biên
độ dòng AC chạy qua Q3, ta có:
Dòng cung cấp xoay chiều trung bình cho Q3 :
I E1
I tbQ 3 =

Công suất cung cấp cho tải của Q3:

1 1
PQ 3 = Z acQ 3 .I E21 = Z acQ 3 . 
2 0
( I E1.sin t ) 2 dt = I E21.Z acQ 3
4

Công suất cung cấp cho tải của Q3:

2.Vcc. I E1 1
PttQ 3 = Pcc / q 3 − Pt / Q 3= − I E21.Z acQ 3
 4
Lấy đạo hàm theo IE1 và cho Ptt/Q3= 0 ta được:
Vậy công suất tiêu tán lớn nhất do dòng xoay chiều rơi trên Q3 :
2.Vcc. I E10 1 2.40.0, 064 1
Ptt max ac Q1 = − I E21.Z acQ 3 = − .475, 6.0, 0642 = 0, 491W
 4  4

Công suất tiêu tán tĩnh trên Q3 :

P PdcQ 3 = Vcc. I EQQ 3 = 40.3, 72.10−3 = 0, 09W

Công suất tiêu tán tĩnh trên Q3 :

P tt max Q 3 = PdcQ 3 + Ptt max ac Q 3 = 0, 09 + 0491 = 0,581W

Chọn Q3, Q4 lần lượt là 2SC2073 và 2SA940

1.2.5 Tính mạch lọc Zobell
Cấu tạo của loa bao gồm một cuộn cảm và một điện trở có ZL = RL + j𝜔L. Như
vậy trở kháng loa phụ thuộc vào tần số. Khi tần số cao trở kháng loa càng lớn dẫn
đến méo tín hiệu. Mạch lọc Zobel là mạch ổn định trở kháng loa không đổi ở tần số
cao. C mắc nối tiếp với R và tất cả mắc song song với tải RL. Ở tần số cao tụ ngắn
mạch giảm tải ngõ ra tức là XL ↑, XC ↓ ⇒ RL không đổi.
Ta có:
1
ZL = ( + R9 ) / /( j L + RL )
jC1

1
( + R9 ).( j L + RL )
jC1
=
1
( + R9 ) + ( j L + RL )
jC1

RL L
R9 RL + R9 j L + +
jC1 C1
=
1
+ R9 + j L + RL
jC1

Để không phụ thuộc vào tầng số thì ZL=RL

RL L R
=> R9 RL + R9 j L + + = R9 RL + L + RL2 + j L.RL
jC1 C jC1
 𝐿
𝐶1
= RL2
=> {
R9 j L = j L.RL = R9 = RL = 4 

Vì cảm kháng của loa thường rất nhỏ khoảng 0,1uH

L 0,1.10−6
=> C1 = = = 6, 25nF
RL2 42

Chọn R9=4,7  , 10nF

1.2.6 Tính chọn tụ C2
Tụ C2 là tụ tín hiệu ra loa, để tín hiệu không bị giữ lại trên tụ thì ta chọn
1 1
ZC 2 = RL = .4 = 0,8
5 5
1 1
= C2 = = = 12434uF
2 f min Z C 2 2 .16.0,8

Chọn C2=10000uF/63V
1.3. Tầng thúc

Hình 4.3 Sơ đồ tầng thúc

- Để tính tầng thúc ta chọn βQ3 = 70
 IEQ3max 47,6mA
IBQ3 = = = 0,67 ( mA )
1 + βQ3 1 + 70

IEQ/Q3 3,198
IBQ/Q3 = = = 0,045 ( mA )
1 + βQ3 1 + 70

1.3.1. Tính chọn D1, D2, D3 và biến trở RV2

- Để tránh méo tín hiệu xuyên tâm, đồng thời ổn định điểm làm việc cho các cặp
BJT khuếch đại công suất thì các tổ hợp này phải làm việc ở chế độ AB
- Chọn D1,D2,D3 là loại 1N4007
- Để Q1,Q2 làm việc ở chế độ dòng tĩnh 20mA thì điện áp trên tiếp giáp BE của
các tổ hợp BJT ở chế độ tĩnh là 0,6V.
- Ta có:
VBQ3Q4 = VBEQ3 + VBEQ1 + VBEQ4 + VBEQ2 + VR1 + VR2
= 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,05 × 0,22 + 0,05 × 0,22 = 2,422 ( V)
- Để dòng tĩnh Q5 ít thay đổi và tránh méo tín hiệu
ICQ5 = 130 × IBQ/Q3 = 130 × 0,045 = 5,85 (mA)
- Dòng cực đại qua Q5
ICQ5max = 130 × IBQ3 = 130 × 0,67 = 87,1 (mA)
VQ1Q2 −3VD 2,422−3×0,7
RV2 = = = 55
ICQ5 5,85.10−3

=> Chọn RV2 = 100, sau đó từ từ chỉnh lại

1.3.2. Tính toán transistor Q5 làm nguồn dòng:
- Q5 tạo dòng điện ổn định phân cực Q6 và ổn định điểm làm việc của hai cặp
Darlington ở tầng khuếch đại công suất.
- Dòng collector qua Q5:
ICQ5 = ICQ6 = 5,85 (mA)
=> Chọn D4,D5 là diode 1N4007
- Dòng qua diode là dòng phân áp cho Q5 chọn dòng phân cực IBQ5 ≪ ID
- Mà để diode ghim ổn định dòng: ID = 8 (mA)
- Chọn dòng phân áp: IR7 = 9 (mA) => VD = 0,7 (V)
- Sụt áp trên R7 : VR7 = VCC − VD1 − VD2 = 40 − 0,7 − 0,7 = 38,6 (V)
VR7 38,6
R7 = = = 4,29 ( kΩ )
IR7 9 × 10−3
=> Chọn R7: 4,7 kΩ
PR7 = (IR7 )2 × R 7 = (9 × 10−3 )2 × 4,7 × 103 = 0,38 ( W )
VD4 + VD5 − VBEQ5 0,7 + 0,7 − 0,6
RV1 = = = 136,8 (V)
ICQ5 5,85 × 10−3
=> Chọn VR1 = 200, sau đó từ từ chỉnh lại
VCC
VCE/Q5 = − RV1 − VBEQ3 − VBEQ1 − VR1
2
40
= − (0,7 + 0,7 − 0,6) − 0,6 − 0,6 − 0,05 × 0,22
2
= 17,989 (V)
PDC/Q5 = VCE/Q5 × ICQ5 = 17,989 × 5,85 × 10−3 = 0,1 (W)
Tra datasheet chọn Q5 là: 2SA103
1.3.3. Tính chọn BJT thúc Q6:
- Q6 làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc làm việc và đảo
pha cho tầng công suất.
- Q6 được chọn làm việc ở chế độ A, Q6 có tải lớn nên hệ số khuếch đại lớn.
- Vì Q6 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hòa và gây ra méo tín hiệu
do đó cần phải mắc hồi tiếp âm một chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm làm
việc.
- R5, R6 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R6 còn làm nhiệm vụ hồi tiếp âm AC
cho Q6.
- Do Q6 làm việc ở chế độ A, để tránh suy giảm tín hiệu, ta có thể chọn trước điện
áp tĩnh trên điện trở hồi tiếp một chiều R5, R6 là 2V
=> VR5 + VR6 = 2 (V)
- Để tránh hồi tiếp âm quá nhiễu, làm giảm hệ số khuếch đại của Q6, ta chọn R6 >
R5
VR5 + VR6 2
R5 + R6 = = = 341 (V)
ICQ6 5,85×10−3

R = 70( Ω )
Chọn { 5
R 6 = 270 (Ω )
- Điện áp rơi trên R5, R6 là:
VR5R6 = (R 5 + R 6 )ICQ6 = (70 + 270) × 5,85 × 10−3 = 1,99 ( V )
- Điện thế trên cực CE của Q6:
VCC
VCE/Q6 = − RV1 − VBE/Q4 − VBE/Q2 − VR5R6
2
40
= − (0.7 + 0.7 − 0.6) − 0.6 − 0.6 − 1,99 = 16,01 ( V )
2
- Công suất tiêu tán tĩnh trên Q6 :
PDC/Q6 = VCE/Q6 × ICQ6 = 16,01 × 5,85 × 10−3 = 0,09 ( W )
Vì Q6 làm việc ở chế độ A nên
Pttmax/Q6 = PDC/Q6 = 0,09 ( W )
Tra datasheet ta chọn Q6 là: 2SC2383
1.3.4. Tính chọn tụ C3
Nguyên tắc chọn các tụ là giá trị trở kháng của tụ (tại tần số bé nhất trong băng thông
phải ngỏ hơn nhiều so với giá trị trở kháng (thông thường ta chọn nhỏ hơn hoặc bằng
1
).
10

Chọn f = 16
𝐶3 là tụ thoát xoay chiều 𝑄6 ,
1 270 1 1
Chọn 𝑋𝐶3 = 𝑅6 = = 27(Ω) ⇒ 𝐶3 = = = 368.6 (𝜇𝐹)
10 10 2𝜋𝑓.𝑋𝐶3 2.3,14.16.27

Chọn 𝐶3 = 330 (𝜇𝐹)

1.4 Tầng ngõ vào

Hình 4.4 Sơ đồ tầng ngõ vào

Chọn 𝛽𝑄6 = 100
𝐼𝐶𝑄6 5,85 × 10−3
𝐼𝐵𝑄6 = = = 5,85 × 10−5 𝐴
𝛽𝑄6 100
Để không ảnh hưởng đến điểm làm việc Q7, ta chọn 𝐼𝐶𝑄7 >> IBQ6
 𝐼𝐶𝑄7 = 10𝐼𝐵𝑄6 = 10 × 5,85 × 10−5 = 0.585 𝑚𝐴
 𝐼𝑅15 = 𝐼𝐶𝑄7 − 𝐼𝐵𝑄6 = 0.585 × 10−3 - 5,85 × 10−5 = 0,5265
𝑚𝐴
 VVR4 = 𝑉𝐵𝐸𝑄6 + 𝑉𝑅5𝑅6 = 0,6 + 2= 2,6V
𝑉𝑅15
 VVR4 = =4938,2716Ω
𝐼𝑅15

Chọn 𝑉𝑅4 = 20kΩ sau đó tinh chỉnh sau

R10 càng lớn thì tác dụng hồi tiếp ấm dòng 1 chiều càng lớn điểm làm việc của Q7
càng ổn định.
1 2 𝑉𝐶𝐶
 𝑉𝑅10 = ( : ) =2 : 4
10 10 2
𝑉𝑅10 2∶ 4
𝑅10 = = = ( 3,9: 6,8 ) kΩ
𝐼𝐶𝑄7 0.585×10−3
Chọn R10= 5,1k Ω
𝑉𝑅10 = 𝑅10 × 𝐼𝐶𝑄7 = 5100 × 0.585 × 10−3 = 2,9835V
Vì Q7 hoạt động ở chế độ A . Để Q7 khuếch đại không bị méo và có biên độ đủ
lớn thì điểm làm việc tải tính phải nằm ở giữa đường tải động.
𝑉𝑐𝑐
VCEQ7 = = 10 (v)
2.2

VR11 = Vcc/2 – VR10 – VCEQ7 – VVR4

= 40/2 – 2,9835 – 10 – 2,6 = 4,4165 (V)
R11= VR11/ICQ7 = 4,4165/(0,585m) = 7550 Ω
Chọn R11= 5,1kΩ
𝑉𝑅14 = 𝑉𝐵𝑄7 = 𝑉𝐸𝑄7 − 𝑉𝐵𝐸𝑄7
𝑉𝐶𝐶 40
𝑉𝐸𝑄7 = − 𝑉𝑅10 = – 2,9835 = 17,0165V
2 2

 𝑉𝑅14 = 17,0165 – 0,6 = 16,4165V

𝑉𝐶𝑄7 0.585×10−3
 𝐼𝐵𝑄7 = = = 5,85µA
𝛽 100

Chọn 𝐼𝑅14 ≥ 7 𝐼𝐵𝑄7 = 10 × 5,85 × 10−6 = 40,95 µA

𝑉𝑅14 16,4165
 𝑅14 = = = 400891,33 Ω
𝐼𝑅14 40,95×10−6

Chọn R14 = 220k ( sử dụng biến trở RV5 = 500k sau đó tinh chỉnh)
Ta có Zin= 150 k Ω
𝑅13 .𝑅14
𝑍𝑖𝑛 = = 150 kΩ
𝑅13 +𝑅14

 𝑅13 = 471.4 kΩ
Chọn R13=560kΩ
𝐼𝑅8 = 𝐼𝑅13 = 40,95 µA
𝑉𝑅8 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑅13 − 𝑉𝑅14
= 40 – 220× 103 × 40,95× 10−6 – 560× 103 × 40,95.10−6 = 8,095V
𝑉𝑅8 8,095
𝑅8 = = = 197680,0977 Ω
𝐼𝑅8 40,95×10−6

Chọn R8= 680 kΩ

Ta có công suất tiêu tán tĩnh:𝑃𝑡𝑡𝐷𝐶𝑄7 = 𝑉𝐶𝐸𝑄7 . 𝐼𝐶𝑄7 =10 × 0,585 × 10−3 = 5,85𝑚𝑉
Tra datasheet ta chọn BJT 2SA1013
. Tính chọn 𝑽𝑹𝟑 :
𝐾0 1 𝑉𝐿 15,5
Ta có: 𝐾 = = ; 𝐾= = = 15,6
1+𝐾 0 .𝐾ℎ𝑡 𝐾ℎ𝑡 √2.𝑉𝑖𝑛 √2.0,7

1
⇒ 𝐾ℎ𝑡 = = 0,064
15,6
𝑉𝑅3
𝐾ℎ𝑡 = = 0,064 ⇒ 𝑉𝑅3 = 349 (Ω)
𝑉𝑅3 + 𝑅10

Chọn VR3=800 Ω sau đó tinh chỉnh sau

1 680000
Chọn 𝑋𝐶4 = 𝑅8 = = 68000(Ω)
10 10
1 1
⇒ 𝐶4 = = = 0,146 (𝜇𝐹)
2𝜋𝑓. 𝑋𝐶4 2.3,14.16.6800
Chọn C4= 0,1(𝜇𝐹)
1 220000
Chọn 𝑋𝐶5 = 𝑉𝑅4 = = 22000(Ω)
10 10
1 1
⇒ 𝐶5 = = = 0,45(𝜇𝐹)
2𝜋𝑓. 𝑋𝐶5 2.3,14.16.2200
Chọn C5= 0,47(μF)
1 800
Chọn 𝑋𝐶6 = 𝑉𝑅3 = = 80(Ω)
10 10
1 1
⇒ 𝐶6 = = = 124,3398 (𝜇𝐹)
2𝜋𝑓. 𝑋𝐶6 2.3,14.16.80
Chọn C6 = 33 (𝜇𝐹)
Tổng hợp linh kiện
Q1 2SD718
Q2 2SC688
Q3 2SC2073
Q4 2SA940
Q5,Q7 A1013
Q6 2SC2383
R1,R2 0,22 Ω
R3,R4 220 Ω
R5 70Ω
R6 270Ω
R7 4.7KΩ
R8 680KΩ
R10, R11 5.1KΩ
R12 560KΩ
C1 10nF
C2 10000uF
C3 330uF
C4 0.1uF
C5 0.47uF
C6 33uF
VR1 200 Ω
VR2 100 Ω
VR3 1k Ω
VR4 500k Ω
C. Mô phỏng và thi công
1. Mô phỏng
1.1 Tầng công suất
* Phân cực tĩnh
VBQ3 VB4 VG
Tính toán 21,2V 18,8V 20V
Mô phỏng 21V 19V 20V

Hình 1.1.1 Kết quả mô phỏng phân cực tĩnh tầng công suất
- Nhận xét:
+ Điện áp đầu vào đã đủ phân cực cho tầng công suất, điện áp ngõ ra đã đủ
+ BJT làm việc đúng chế độ AB
* Khi có tín hiệu
 Hình 1.1.2 Kết quả mô phỏng khi có sóng của tầng công suất
Với đường màu xanh lá là tín hiệu ra loa, xanh dương là tín hiệu đầu vào cực B của
Q3, hồng là tín hiệu đầu vào cực B của Q4.
Ta thấy:
- Tín hiệu ra loa không bị méo, xén và đạt giá trị là 15,49V bằng với tính toán
15, 49
- Hệ số khuếch đại AV= = 0,9
17,16

=> đạt yêu cầu

1.2 Tầng thúc
* Phân cực tĩnh
VBQ6 VCQ6 VCQ5 VCEQ6
Tính toán 2,59 V 18,7 V 21,2 V 16,01 V
Mô phỏng 2,56V 19V 21V 17,1V

Hình 1.2.1 Kết quả mô phỏng phân cực tĩnh tầng thúc
- Nhận xét:
+ Điện áp ngõ ra đã đủ phân cực cho tầng công suất
+ BJT hoạt động đúng chế độ A
* Khi có tín hiệu
 Hình 1.2.2 Kết quả mô phỏng tầng thúc khi có tín hiệu
- Nhận xét
+ Tín hiệu ngõ vào và ngõ ra ngược pha nhau, sóng không bị méo, xén
17,2V
+ Hệ số khuếch đại Avt = = =492,8
35mV
=> đạt yêu cầu
1.3 Tầng ngõ vào
* Phân cực tĩnh:
VCEQ7 VBQ7 VCQ7 VCEQ7
Tính toán 2,6 V 12 V 21,2 V 8,5V
Mô phỏng 2,58V 11,3V 21V 8V
 Hình 1.3.1 Kết quả mô phỏng phân cực tĩnh tầng ngõ vào
- Nhận xét:
+ Điện áp ngõ ra là 2,56V đủ phân cực cho tầng thúc. VCE=… lệch so với lý thuyết
nhưng vẫn nằm trong khoảng cho phép
* Khi có tín hiệu

Hình 1.3.2 Kết quả mô phỏng tầng ngõ vào khi có tín hiệu
-Nhận xét:
+ BJT làm việc đúng chế độ A
+ Mạch không có khả năng khuếch đại do mục đích ban đầu của thiết kế tầng ngõ
vào của nhóm chỉ để phối hợp trở kháng.
+ Độ rộng xung: Từ đến ( gần đúng với tần số khi cấp tín hiệu vào). Tín hiệu
không bị méo hay xén.
1.4 Mô phỏngToàn mạch

Hình 1.4.1 Kết quả mô phỏng toàn mạch khi có tín hiệu
2. Thi công
2.1 Mạch in

2.2 Mô phỏng tín hiệu tầng ngõ vào

 - Nhận xét : sóng ngõ ra không bị xén và méo

D. Phần phụ lục

1.1 Tài liệu tham khảo
- Giáo trình điện tử kỹ thuật mạch điện tử (tập 1). Tác giả Ths. Nguyễn
Tấn Phước, tái bản tháng 6 năm 2008. (sách 1)
- Sách kỹ thuật mạch điện tử. Tác giả Phạm Minh Hà, xuất bản tháng 1
năm 2002.
- Microelectronic circuit design - Richard C. Jaeger, Travis M. Blalock.
- Mạch Điện Tử - Phạm Hồng Liên. (sách2)
- Electronics Devices and Circuit Theory 7th edition - ROBERT BOYLESTAD
and LOUIS NASHELSKY. (sách 3)
1.2 Công thức:
- Tầng công suất:
+ Tính toán phần nguồn:
● Công suất trên tải (Trang 93 sách 1).
● Hệ số sử dụng nguồn (9.22 sách 2).
+ Tính toán tầng công suất:
● Dòng đỉnh qua Q1,Q2 (3.2 sách 3).
● Dòng cung cấp cho Q1,Q2 trong 1 chu kỳ (16.19 sách 3).
● Công suất nguồn cung cấp (9.1 sách 2).
● Công suất tiêu tán của Q1,Q2,Q3,Q4 .
● Dòng Ib (4.2 , 4.3 sách 3)