Tịnh Đáo KTMDT

1
ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA
KHOA ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
ĐỒ ÁN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ

ĐỀ TÀI:
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT OTL NGÕ VÀO VI SAI
Giảng viên hướng dẫn : Lê Hồng Nam

Sinh viên thực hiện : Nguyễn Đại Đáo 17DT1 106170006
Tôn Thất Tịnh 17DT1 106170062
SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

2
MỤC LỤC
Chương 1: Khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT.................................................4
I. Khuếch đại tính hiệu nhỏ.............................................................................4
II. Cách mắc BJT.............................................................................................4
2.1 Khuếch đại dùng E chung......................................................................5
2.2 Khuếch đại dùng C chung......................................................................7
2.3 Mạch khuếch đại dùng B chung............................................................9
III. Mạch phân cực...........................................................................................8
3.1 Mạch phân cực bằng dòng cố định........................................................9
3.2 Mạch phân cực bằng cầu phân áp.........................................................9
3.3 Mạch phân cực bằng hồi tiếp âm điện áp song song..........................10
Chương 2: Hồi tiếp trong bộ khuếch đại.........................................................11
I. Mạch khuếch đại hồi tiếp...........................................................................11
II. Phân loại mạch khuếch đại hồi tiếp.........................................................11
2.1 Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp – điện áp.......................................11
2.2 Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp – dòng điện...................................13
2.3 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song – dòng điện...............................16
2.4 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song – điện áp...................................18
Chương 3: Khuếch đại công suất.....................................................................20
I. Phân loại mạch khuếch đại công suất.......................................................17
1. Khuếch đại chế độ A...............................................................................17
2. Mạch khuếch đại chế độ B.....................................................................23
3. Mạch khuếch đại chế độ AB...................................................................24
II. Mạch khuếch đại công suất......................................................................26
1.Mạch khuếch đại công suất OTL............................................................26
2.Mạch khuếch đại công suất OCL...........................................................27
3.Mạch khuếch đại Darlington..................................................................27
Chương 4: Thiết kế mạch khuếch đại OTL........................................................

3
I. Yêu cầu...........................................................................................................
II. Sơ đồ khối mạch khuếch đại OTL ngõ vào vi sai.......................................
1. Sơ đồ mạch tổng quát.................................................................................
2. Sơ đồ nguyên lý và hoạt động....................................................................
3. Mạch nguồn bảo vệ.....................................................................................
III. Tính toán......................................................................................................
3.1 Tính toán nguồn........................................................................................
3.2 Tầng khuếch đại công suất.......................................................................
3.3 Tính toán tầng lái......................................................................................
3.4 Tính chọn BJT thúc Q6:...........................................................................
3.5 Tính toán tần nhận tín hiệu vào...............................................................
IV. Đánh giá mạch..............................................................................................
4.1 Mô phỏng tín hiệu ngõ vào và ngõ ra......................................................
4.2 Mô phỏng dòng ra loa:..............................................................................

4
CHƯƠNG I: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

Mở đầu chương
Trong chương này, sẽ đề cập tới khuếch đại tín hiệu nhỏ với phần tử điều khiển là
BJT. Khi có một sự thay đổi tín hiệu điện áp ở Vin , làm thay đổi cường độ dòng điện đi
qua cực B. Với các đặc tính khuếch đại dòng điện của BJT, chỉ cần dao động nhỏ ở Vin
sẽ khuếch đại sự thay đổi đó và xuất tín hiệu ra ở cực C hay Vout. Và các thông số chính
của mạch khi khuếch đại:
 Độ lợi điện áp
 Độ lợi dòng điện
 Tổng trở kháng vào
 Tổng trở kháng ra
Mỗi BJT có thể có nhiều cách mắc khác nhau, tùy thuộc vào chức năng như dùng để
khuếch đại dòng, khuếch đại điện áp hay cả hai.
I. Khuếch đại tính hiệu nhỏ

Khuếch đại là quá trình làm biến đổi một đại lượng( dòng điện hoặc điện áp) từ biên độ
nhỏ thành biên độ lớn mà không làm thay đổi dạng của nó.
II. Cách mắc BJT

Trong thực tế, có 3 cách mắc cơ bản. Đó là cách mắc E chung (EC), B chung (BC), C
chung (CC).
2.1 Mạch khuyếch đại E chung ( EC )

5
 Sơ đò tương đương
 Trở kháng vào Zin = (R1//R2) // Rpi

Với Rpi= Vbe/ib
 Trở kháng ra: Zout=Rc//r0
 Hệ số khuếch đại điện áp

6
V0 V 0. Vbe Zin Zin

AV = Vi = Vbe . Vi = Avt. Ri + Zin = Ri + Zin .gmR2
Với Avt là hệ số KĐ điện áp của transistor:

Vce −Bin . Rl −gm.Vbe
Avt= Vbe =
Vbe
= Vbc =¿ -gmRl
Trong đó: RL= ro // Rc // Rt

Gm =40 Ic
io Vo
 Hệ số khuếch đại dòng điện : Ai= Ii với io= Rt
Vi io Vo Ri + Zịn Ri + Zin
Ii = Ri + Zin => Ai= i1 = Rt . Vi
= A v.
Rl . vi
Nhận xét: Tín hiệu vào và ra ngược pha nhau:

o Khi Vi ↑ => ii↑ => iD ↑ => ic ↑ => Vo=Vcc - IcRC ↓
o Khi Vi ↓ => ii↓ => iD ↓ => ic ↓ => Vo=Vcc - IcRC ↑
Ưu nhược điểm và ứng dụng
Ưu điểm
 Mạch khuyếch đại E chung thường được định thiên sao cho điện áp UCE
khoảng 60% ÷ 70 % Vcc
 Có khả năng khuếch đại dòng và áp
 Dòng điện tín hiệu ra lớn hơn dòng tín hiệu vào nhưng không đáng kể
 Mạch mắc theo kiểu E chung như trên được ứng dụng nhiều nhất trong thiết
bị điện tử.
Nhược điểm
 Tín hiệu đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào
Ứng dụng
 Sử dụng trong khuếch đại tầng thúc ( chủ yếu khuếch đại dòng, việc khuếch
đại áp không quá chú trọng)
2.2Mạch khuếch đại C chung

7
 sơ đồ tương đương
 Trở kháng vào

Zin = Rb // Rib ( Rib = rπ + (B+1)(RE // Rt)
−gm. Rl
Avt = 1+ gm . Rl (RL = RE // Rt )
Ri + Zin
Ai = AV . Rt
Hệ số khuếch đại điện áp tại cửa ra:

8
Hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch:
Trở kháng vào nhìn từ cực nền xuống masse:
Trở kháng ra toàn mạch:
Hệ số khuếch đại dòng điện:
Điện áp vào cùng pha điện áp ra

Ưu điểm
 Cường độ của tín hiệu ra mạnh hơn cường độ của tín hiệu vào nhiều lần
 Tín hiệu ra cùng pha với tín hiệu vào
 Tổng trở vào lớn ( vài trăm ohm), tổng trở ra nhỏ ( vài chục ohm ), không
khuếch đại áp ( Av ~1)

9
Nhược điểm
 Mạch chỉ khuếch đại dòng, không khuếch đại áp
Ứng dụng: Mạch trên được ứng dụng nhiều trong các mạch khuyếch đại đêm
(Damper), và ứng dụng rất nhiều trong các mạch ổn áp nguồn.
2.3Mạch khuếch đại B chung
 Sơ đồ tương đương
Trở kháng vào: Zin = RE // RiE

10
1 1
Với Rie = gm =¿ 40 Ic
Trở kháng ra: Zout = RC // RiC
Ric = ro [ 1+gm(RI // RE)
Hệ số khuếch đại điện áp:
Vo Zin
Av = Vi = ℜ+Zin . gm( Rc // RE)
Hệ số khuếch đại dòng điện:
Ri + Zin
Ai = Av . Rt

Ưu điểm
 Mạch khuếch đại điện áp khá lớn
 Tổng trở vào nhỏ ( vài chục ohm), tổng trở ra lớn ( vài trăm ohm ), mạch không
khuếch đại dòng( Ai ~ 1)
 Có tính ổn định nhiệt
Nhược điểm
 khuyếch đại về điện áp và không khuyếch đại về dòng điện
Ứng dụng
 Mach mắc kiểu B chung rất ít khi được sử dụng trong thực tế do không đảm bảo
được yếu tố: Ki = 1, Ku không quá lớn
CHƯƠNG II : HỒI TIẾP TRONG BỘ KHUẾCH ĐẠI
Các khiếm khuyết trong mạch mắc Base chung, Emiter chung, hay Collector chung ở các
dạng ghép RC hay biến áp có thể cải thiện được chất lượng bằng phương pháp bù hổi tiếp
âm. Bốn dạng mạch hổi tiếp sau đây đều làm giảm độ khuếch đại, song lại mở rộng dải
tần Bw, giảm méo, tạp , nhiễu ở mức tối thiểu và làm ổn định độ khuếch đại toàn mạch,
đặc biệt khi thiế kế tăng âm loại công suất lớn cần bảo vệ quá tải hay khi hở tải cho cặp
Transistor công suất cuối.
I. Mạch khuếch đại hồi tiếp

Sơ đồ khối

11
Hồi tiếp là lấy một phần tín hiệu đầu ra đưa trở lại đầu vào làm thay đổi đầu vào
 Hồi tiếp âm là làm giảm nhỏ đầu vào Vin, để ổn định điểm làm việc tĩnh.
 Hồi tiếp dương là làm tăng điện áp Vin, sử dụng vào mạch tạo dao động.
Tính hiệu vào tầng khuếch đại bao gồm tín hiệu vào và tín hiệu hồi tiếp
Đặc điểm hồi tiếp âm
 Zv lớn, Zr nhỏ
 Tính hiệu ra ổn định hơn
 Cải thiện đáp ứng tần số
 Mở rộng vùng hoạt động tuyến tính
 Giảm nhiễu
II. Phân loại mạch khuếch đại hồi tiếp
2.1 Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp – điện áp
 Sơ đồ khối
Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra: Zr

Ngắn mạch tín hiệu đầu vào Us = 0, ta có:
U = I.Zr + kUv
Us = 0  U = -Uf

12
U = I.Zr –kUf = IZr – kβU

Zrf = U/I = Zr/(1+kβ).
Trở kháng ra giảm đi (1+βk) lần.
 Sơ đồ mạch
Giải thích: Tín hiệu hồi tiếp là điện áp Vf ngang qua Re và tín hiệu lẫy mẫu là Vo ngang
qua Re. Như vậy, đây là trường hợp của mạch hồi tiếp điện thế nối tiếp
Vf
Ta có: Vo = Vf¿ =1
Vo
Vì Rs được xem là một thành phần của mạch khuếch đạim Vi = Vs và:
Vo Vo β . Ib . ℜ β .. ℜ
Av = = = =
Vi Vs Vs Rs+ β . ℜ
' β .. ℜ Rs+ β . ( ℜ+ ℜ)
F = 1 + β . Av =1+ =
Rs+ β . ℜ Rs+ β . ℜ
Av ℜ
=
Suy ra, Av = F ℜ+ℜ + Rs
( )
β
Điện trở ngõ vào của mạch là:

Rs+ β . ( ℜ+ ℜ )
Rif = Ri.F = ( Rs+ β . ℜ. ) . =Rs+ β ( ℜ+ ℜ)
Rs+ β . ℜ
Với Ri = Rs + β . ℜ là điện trở ngõ vào của mạch không có hồi tiếp.

13
Ro ∞
Vì Re được xem như tải Rl nên Rof = =
1+ β . Avnl ∞
'
Trong đó: Ro tiến đến ∞ , Avnl = Rllim

→∞
Av=∞ nên Ro’ = Re nên :
Ro ' Rs+ β . ( ℜ+ ℜ )
Rof’ = =
F Rs+ β . ℜ
' Rs+ β . ℜ. Rs
Và: Rof = lim Ro f = =ℜ+
Rl → ∞ β β
Kết luận: Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và ra, giảm
méo tín hiệu, mở rộng bang thông và ổn định hàm truyền. Nhưng lại làm giảm biên độ tín
hiệu và có thể kém ổn định ở tần số cao.
2.2 Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp – dòng điện
 Sơ đồ khối
Tín hiệu hồi tiếp tỉ lệ với dòng điện đầu ra và song song với tín hiệu vào.
 Hệ số khuếch đại:
Ir Uf
K= ; β=
Uv Ir
Ir
Ir Ir Uv K
Kf = = = =
Us Uv + βIr Ir 1+ βK
1+ β
Uv
 Trở kháng vào:
Uv Us−Uf Us−βIr Us− βkUv
Iv= = = =
Zv Zv Zv Zv
 IvZv=Us−βkUv
 Us=IvZv + βkUv=IvZv ( 1+ βk )

14
Us
 Zvf = =( 1+ βk ) Zv
Iv
 Trở kháng vào tăng lên ( 1+ βk ) lần
 Trở kháng ra:
U U U
I= +kUv= −kUf = −kβIr
Zr Zr Zr
U =Zr ( I + kβIs )=( 1+ βk ) IZr
U
 Zrf = =Zr(1+ βk)
I
® Trở kháng ra tăng ( 1+ βk ) lần so với khi không có hồi tiếp.
 Sơ đồ mạch:
Giải thích:
Tín hiệu hồi tiếp Xf = Vf là điện thế ngang qua điện Re và là cách nối tiếp.
Nếu cho Io = 0 (Rl = ∞ ¿nghĩa là dòng cực thu bằng 0 nên Vf ngang qua Re cũng bằng 0.
Vậy mạch lấy mẫu dòng điện ngõ ra, suy ra đây là mạch hồi tiếp dòng nối tiếp.
Vì điện thế hồi tiếp tỉ lệ với Io là dòng điện được lấy mẫu vào Vf xuất hiện ngang qua Re
trong mạch tại ngõ ra và không phải ngang qua Re trong mạch ngõ vào.
Vf −ℜ
β'= = =−ℜ
Io Io
Io −β . Is −β
Vì Vs = Vi nên: Gm = = =
Vi Vs Rs+ β . ℜ+ ℜ
' +β .ℜ Rs+ β . ℜ+ ℜ.(1+ β )
F = 1 + β . Gm=1+ =
Rs+ β . ℜ+ ℜ r 6+ β . ℜ+ ℜ
Gm −β
Và Gmf = F =
r 6+ β . ℜ+ ( 1+ β ) . ℜ
Nếu Re là một điện trở cố định, được dẫn truyền của mạch hồi tiếp rất ổn định, dòng qua
tải được cho là:

15
−β Vs
Io = Gmf. Vs = =ℜ
r 6+ β . ℜ+ ( 1+ β ) . ℜ
Dòng qua tải tỷ lệ trực tiếp với điện thế ngõ vào và dòng này chỉ cùng thuộc Re.
Độ lợi ddienj thế cho tải:
Io . Rl −β
Avf = Vs =Gm . Rl=
r 6+ β . ℜ+ ( 1+ β ) . ℜ
Ri = Rs + β . ℜ+ ℜ
Vậy Rif = Rs + β . ℜ+ ( 1+ β ) . ℜ
Vì Ro ≠ ∞nên Rof = Ro. (1 + β ' . Gm ¿=∞ vìvậy Ro f ' =Rl /¿ Rof =Rl
Kết luận: Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và ra, giảm
méo tín hiệu, mở rộng bang thông và ổn định hàm truyền. Nhưng lại làm giảm biên độ tín
hiệu và có thể kém ổn định ở tần số cao.
2.3 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song – dòng điện
Sơ đồ khối
Tín hiệu hồi tiếp tỷ lệ với dòng điện đầu ra và song song với tín hiệu đầu vào.
Ir
 Hệ số khuếch đại: k=
Iv
Uv kIv kIv k
Kf = = = =
Is Iv + If Iv+ βIs 1+ βk
Uv
Uv Uv Uv Uv Iv Zv
Zvf = = = = = =
Is Iv+ If Iv+ βIr Iv+ βkIv 1+ βk 1+ βk
® Trở kháng vào giảm đi (1+βk) lần.
 Trở kháng ra:
U U Ur
I= +kUv= −kUf = −kβI
Zr Zr Zr

16
® I ( 1+kβ ) Zr =Ur
U
® Zrf = I =Zr ( 1+kβ )
Mạch ở trên dung 2 transistor liên lạc trực tiếp dung hồi tiếp cực phát của Q2 về cực vào
của Q1 qua trở R’.Đầu tiên, ta đổi nguồn tín hiệu V6 thành nguồn gồm có dòng điện Is =
Vs
chạy vào và mắc vào song song với Rs.
Rs
Để xác định hoặc lấy mẫu, ta cho Vo = 0 (Rc2 = 0) điều này không làm giảm Io và không
làm cho dòng qua Re của Q2 xuống 0 và dòng If không giảm xuống 0, vậy mạch này
không phải lấy mẫu điện thế.
Bây giời cho Io = 0 ( Rc = ∞ ), dòng If sẽ bằng 0, vậy mạch lấy mẫu bằng dòng được. Đó
là mạch hồi tiếp dòng điện song song. Điện thế VB2 rất lớn đối với Vi , do Q1 khuếch
đại. Vb2 ngược pha so với Vi. Vì tác động emitter follower, Ve2 thay đổi rất ít so với Vb
và 2 điện thế này cùng pha. Vậy Vb2 có biên độ lớn hơn Vi là Vb và có pha ngược với
Vi.
Nếu tín hiệu vào tăng làm cho Is tăng và If cũng tăng, Ii = Is –If sẽ nhỏ hơn trong trường
hợp không có hồi tiếp. Nên mạch này là mạch hồi tiếp âm.
Tín hiệu hồi tiếp là dong If chạy qua điện trở R’ nằm trong mạch ngõ ra, ta có:
Ib2 < Ic2 = | Io|
If ℜ
β= =
Io R' +ℜ
Điện trở ngõ vào giảm, điện trở ngõ ra tăng và độ lớn dòng điện Aif ổn định,

17
Io 1 ℜ+ R '
ta có: Aif = = =
Is β ℜ
Độ lợi điện thế, ta có:
Vo Io . Rc 2 Rc 2 R' + ℜ Rc 2 Rc 2
Avf = = = Aif . = ℜ . =
Vs I 6. Rs Rs Rs β . Rs
Nếu Re, R’, Rc2, Rs ổn định thì Avf ổn định (đọc lập với thông số của BJT, nhiệt độ
bằng sự giao động của nguồn điện thế V6).
Kết luận
 Hồi tiếp nối tiếp làm tăng trở kháng vào, hồi tiếp song song làm giảm trở kháng
vào.
 Hồi tiếp điện áp làm giảm trở kháng ra, hồi tiếp dòng điện làm tăng trở kháng ra.
 Trở kháng vào lớn và trở kháng ra nhỏ là mong muốn của hầu hết các tầng khuếch
đại. Hồi tiếp điện áp nối tiếp đáp ứng cả 2 yêu cầu trên.
 Khi hệ số hồi tiếp thay đổi sẽ làm thay đổi hệ số khuếch đại trở kháng vào – ra của
mạch có hồi tiếp.
 Bộ khuếch đại hồi tiếp âm còn giúp giảm méo tần số do làm thay đổi hệ số khuếch
đại theo tần số trong mạch giảm một cách đáng kể.
 Khi có hồi tiếp âm sẽ làm nhỏ tín hiệu nhiễu, giảm méo phi tuyến
2.4 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song – điện áp

Sơ đồ khối
Tín hiệu hồi tiếp tỉ lệ với điện áp đầu ra và ssong song với tín hiệu vào.
 Hệ số khuếch đại:
Ur KIv KIv KIv K
Kf = = = = =
Is Iv + If Iv + βUr Iv + βkIv 1+ βK

18
Uv
Uv Uv Uv Iv Zv
Zvf = = = = =
Us Iv + If Iv+ βUr Ur 1+ βK
1+ β
Iv
 Zv giảm đi (1+βK) lần khi mạch có hồi tiếp
 Trở kháng ra: nối hở mạch đầu vào Is = 0, => Iv = -If.
Ta có: Ur=Ir . Zr + KIv=IrZr−KIf =IrZr−KβUr
 Ur ( 1+ βK ) =IrZr
Ur Zr
 Zrf = =
Ir 1+ βK
Mạch ở trên là 1 tầng cực phát chung vơi tín điện trở R’ được nối tiếp từ ngõ ra trở về
ngõ vào. Mạch trộn song song và Xf là dòng điện If chạy qua R’.
Nếu Vo = 0, dòng hồi tiếp If sẽ giảm tới 0 chỉ bằng kiểu lấy mẫu điện thế được sử dụng.
Vậy mạch là mạch khuếch đại hồi tiếp điện thế song song. Như vậy, độ lợi truyền Af =
Rmf được ổn định và cả hai điện trở ngõ vào ra đều bị giảm.
Vì tín hiệu hồi tiếp là dòng điện, nguồn tín hiệu được biểu diễn bằng nguồn tương đương
Vs
Narton với Is = .
Rs
Tín hiệu hồi tiếp là dòng điện If chạy qua điện trở R’ nằm trong mạch ngõ ra, ta có
If −1
β= =
Vo R '

19
Vo 1
Rmf = = =−R '
Is β
Nếu R’ là một điện trở ổn định thì điện trở truyền sẽ ổn định, độ lợi điện thế với mạch hồi
tiếp:
Vo Vo 1 −R ' Rmf
Avf = = = = =
Vs R 6. Is β Is Rs R6
Kết luận
Mạch khuếch đại hồi tiếp nối tiếp điện áp cải thiện tổng trở vào và ra, giảm méo tín hiệu,
mở rộng bang thông và ổn định hàm truyền. Nhưng lại làm giảm biên độ tín hiệu và có
thể kém ổn định ở tần số cao
Mạch khuếch đại hồi tiếp giúp cải thiện các tính chất của bộ khuếch đại, nâng coa chất
lượng của bộ khuếch đại, kết hợp với tầng thúc đẻ đảm bảo tín hiệu ít bị méo phi tuyến và
cho ra chất lượng âm thanh tốt.

20
Chương 3: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
Mạch khuếch đại công suất có nhiệm vụ tạo ra một công suất đủ lớn để kích thích tải.
Công suất ra có thể từ vài trăm mw đến vài trăm watt. Như vậy mạch công suất làm việc
với biên độ tín hiệu lớn ở ngõ vào: do đó ta không thể dùng mạch tương đương tín hiệu
nhỏ để khảo sát như trong các chương trước mà thường dùng phương pháp đồ thị.
Tùy theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân mạch khuếch đại công suất
ra thành các loại chính như sau.
I. Phân loại mạch khuếch đại công suất

1. Khuếch đại chế độ A
. Khuếch đại công suất chế độ A
Tính hiệu khuếch đại gần như tuyến tính, nghĩa là tín hiệu ngõ ra thay đổi tuyến tính tỏng
toàn bộ chu kì 360o của tín hiệu ngõ vào( transistor hoạt động ở cả hai bán kì).
 Khảo sát phân cực:
Khi có tín hiệu vào, để dòng Ic có thể biến đổi tốt nhất, điểm tĩnh Q phải được phân cực
sao cho:

21
Icsat Vcc
Ic = và Vce =
2 2
Đặc điểm chính là tín hiệu ngõ ra của BJT luôn ở trong vùng tích cực có nghĩa là BJT
được phân cực sao cho tín hiệu ngõ ra luôn biến thiên theo tín hiệu ngõ vào.
Tín hiệu khuếch đại trong cả chu kì 2ᴫ.
Vcc
Điểm làm việc tĩnh Q(Vce, Ic) thõa mãn điều kiện Vce =
2
Đây là điểm phân cực để cho mạch có hiệu suất lớn nhất.
 Khảo sát xoay chiều:
Khi đưa tín hiệu Vi vào ngõ vào, dòng Ic và điện thế Vce sẽ thay đổi quanh điểm làm
việc tĩnh Q.
Với tín hiệu ngõ vào nhỏ, nên dòng điện và điện áp ra cũng ít thay đổi.
Với tín hiệu ngõ vào lớn, ngõ ra sẽ thay đổi rất nhiều quanh điểm Q, dòng Ic sẽ thay đổi
quanh giá trị (0, Icsat) mA. Còn Vce thay đổi giữa hai giới hạn ( 0, Vcc).
 Khảo sát công suất:
Công suất hữu ích trên tải:
Rl . Ilp
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿𝐼𝑅𝑀𝑆 = . Ilp = Vcc.Ilp/2
2

22
Công suất nguồn cung cấp:

Pcc = 2Vcc.𝐼lp
Hiệu suất của chế độ A:
Ilp
Vcc .
𝜂= 2 1
= =25 %
2Vcc . Ilp 4
 Kết luận:
Tầng ngõ ra thường yêu cầu trở kháng ngõ vào lớn, trở kháng ngõ ra nhỏ và hệ số
khuếch đại điện khá đều. Độ rộng của tín hiệu ra không bị hạn chế bở transistor bởi vì
nó luôn hoạt động.
Hiệu suất mạch khuếch đại thấp.
 Ưu điểm:
 Tín hiệu ngõ ra khuếch đại trong cả chu kì theo tín hiệu vào.
 Ít biến dạng
 Nhược điểm:
 Do được phân cực làm việc tối ưu, nên tiêu hao năng lượng lớn
 Hiệu suất của mạch thấp thường là ƞ = 25%
 Ứng dụng:
 Được sử dụng trong các mạch trung gian như khuếch đại cao tần, khuếch
đại trung tần, tiền khuếch đại, …
2. Mạch khuếch đại chế độ B

Đặc điểm phân cực là điện áp Vbe = 0 v vì vậy khi đó tín hiệu ngõ vào phải vượt qua
điện áp ngưỡng Vy của BJT thì mới có tín hiệu ở ngõ ra
Tín hiệu chỉ khuếch đại ở 1 bán kì dương hoặc âm tùy thuộc loại BJT là npn hay pnp
Mạch khuếch đại công suất thường được ghép dạng PUSH – PULL

23
 Khảo sát công suất

Công suất hữu ích trên tải trong 1 chu kì:
Rl . Ilp
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿𝐼𝑅𝑀𝑆 = . Ilp = Vcc.Ilp/2
2
Công suất nguồn cung cấp trong 1 chu kì:

Π
Pcc 1 ∫ Ilp .sin wtd (wt) Vcc . Ilp
=Vcc . Ic=Vcc . . 2.
2 2π 0 = π
Công suất nguồn cung cấp trong 1 chu kì:

Vcc . Ilp
Pcc =
π
Hiệu suất của mạch khuếch đại công suất chế đọ B mắc đẩy kéo:
Ilp
Vcc .
2 π
𝜂= = =78,5 %
Vcc . Ilp 4
2.
π
 Kết luận:
Mạch khuếch đại công suất chế độ B được cải thiện hơn so với mạch khuếch đại
chế độ A, nhưng méo phi tuyến lớn, độ méo tăng lên khi kích thước tín hiệu tăng.
 Ưu điểm:
 Mạch không hoạt động khi không có tín hiệu vào
 Năng lượng tiêu hao ít
 Hiệu suất cao từ 50-75%

24
 Tín hiêu ra bị méo xuyên tâm

 Yêu cầu cần phải có nguồn đôi
 Thường được sử dụng trong các mạch khuếch đại công suất đẩy kéo như công suất
âm tần, công suất mành của tivi, ...
3. Mạch khuếch đại chế độ AB
Đặc điểm là sự cải tiến nhược điểm méo xuyên tâm cuẩ lớp B bằng cách nâng áp phân
cực điểm tĩnh Q sao cho nằm trong vùng giữa lớp A và lớp B, mạch được phân cực có
Vbe gần bằng Vy của BJT. Vì vậy tính hiệu ngõ ra hơn nữa chu kì.
Mạch khuếch đại công suất thường được ghép dạng đối xứng bổ phụ, có nghĩa là hai BJT
có cùng thông số nhưng một là npn và một là pnp
Mạch thiết kế dung nguồn đôi là mạch khuếch đại công suất dạng OCL (Output Capactor
– Less)
 Kết luận:
Mạch khuếch đại chế độ AB chủ yếu dung để giảm bớt méo xuyên tâm cho chế độ B
lúc tín hiệu ở ngõ vào còn yếu. Nó được Dùng để làm tầng kích thích cho tầng công
suất cuối chế độ B.


25
 Ưu điểm:
 Hiệu suất cao
 Tiêu hao năng lượng khi không có tín hiệu ngõ vào ít hơn lớp A
 Tín hiệu ngõ ra ít bị méo
 Ứng dụng: Sử dụng trong mạch công suất đẩy kéo
II. Mạch khuếch đại công suất

1. Mạch khuếch đại công suất OTL
 Đặc điểm:
 Mạch sử dụng nguồn đơn, mạc đơn giản
 Q1 và Q2 không đối xứng
 Có sử dụng tụ xuất âm
 Ưu điểm:
 Hiệu suất cao, tín hiệu ra không bị méo xuyên tâm, tụ xuất âm ngăn dòng 1
chiều nhỏ cho thành phần xoay chiều đi qua, bảo vệ loa.
 Mạch đơn giản, không cồng kềnh, chỉ sử dụng một nguồn đơn.
 Q1 và Q2 không đối xứng, khó cân chỉnh điểm giữa do có tụ xuất âm nên gây
1
tổn hao tín hiệu ở tần số thấp, tần số cắt của mạch f C = .
2 π . ¿¿
 Méo phi tuyến lớn, do 2 Transistor không đối xứng.
 Băng thông bị co hẹp (ảnh hưởng từ tụ Ct).

26
 Có thể khiến âm thanh ra loa bớt chân thực, bị hao tổn.
2. Mạch khuếch đại công suất OCL

 Sơ đồ mạch
 Đặc điểm:
 Mạch OCL dung 2 Transistor Q1, Q2 hoàn toàn giống hau về đăch tính
 Sử dụng nguồn đôi
 Dùng mạch đảo pha trước
 Tín hiệu đưa thẳng ra loa không cần qua tụ lọc
 Ưu điểm
 Không bị méo ở tần số thấp
 Bang thông được mở rộng
 Hiệu suấ cao (làm việc ở chế độ AB)
 Tín hiệu ra chân thực
 Nhược điểm
 Mạch khó thiết kế, nếu có thay đổi dòng ra sẽ làm cho loa dễ cháy
 Sử dụng nguồn đôi
 Do tải ghép trực tiếp nên phải có mạch bảo vệ quá công suất, mạch đóng tải
chậm
 Q1 và Q2 đòi hỏi sự giống nhau về đặc tín kỹ thuật

27
3. Mạch khuếch đại Darlington

Mạch Darlington là mạch gồm 2 Transistor cùng kiểu NPN hoặc PNP kết nối theo cách
thức để khuếch đại dòng của Transistor đầu được khuếch đại them bởi Transistor thứ hai.
Sơ đồ mạch
 Mạch Darlington cơ bản
 Đặc điểm:
 Điện trở vào lớn (vài M)
 Điện trở ra nhỏ (vài k)
 Độ khuếch đại dòng lớn
 Độ Ku nhỏ 1 trên tải Emitter
 Cách phân cực giống tầng Emitter follower có hổi tiếp cực E
 Dòng IEQ1 là IBQ2
 Mạch Darlington tương đương

28
Ở tầng thứ 2:
I0 Ie2
Zi2 = hfe2.RE Ki2 = = =hfe 2
I i2 I b2
Ở tầng thứ nhất, không thể dùng phương pháp tính gần đúng để tính. Bởi phương pháp
1 1
này, ta xem tải R L ≪ h e nên đã bỏ qua hiệu ứng R L ≪ h e trong mạch.
o o
Ở tầng này, tải RL1  Zie là điện trở vào tầng thứ 2, về độ lớn, không thể coi như nối tắt
1 1
so với h e . Vì vậy, ở tầng thứ nhất cần phải tính tới hiệu ứng của h e 1 .
o o
Phương trình Kirchhoff

V0
I 0=hfeI B + I =hfeI B + =hfeI i+ h0 e V 0
1
H0 e
Kết luận
Các loại mạch khuếch đại công suất được trình bày ở chương vẫn vẫn chưa thể đảm bảo
công suất vào ra nên phải có các biện pháp cải tạo, bảo vệ mạch như mắc Darlington để
tăng khả năng khuếch đại, phối hợp trở kháng dung mạch lọc Zobell để hạn chế sự thay
đổi trở kháng loa theo tần số của mạch

29
Chương 4: Thiết kế mạch khuếch đại OTL

- Yêu cầu:
 Loại mạch: OTL
 Ngõ vào: Vi sai
 Công suất: 25W
 Trở kháng loa: 8 Ohm
 Trở kháng vào: 220KΩ
 Băng thông: 0.05KHz ÷20KHz.
 Méo phi tuyến: 0.25%.
 CMRR: 70dB.
Sơ đồ mạch
I. Phần nguồn:
1. Biên độ tín hiệu ra loa

30
Tín hiệu vào của mạch khuyếch đại có dạng sin: v=V sin ω t .
Xem hệ thống là tuyến tính thì tín hiệu ra trên tải:
v L =V L sin ω t+V CE 0i L =I L sin ω t + I C 0
với V L , I L : là biên độ điện áp và dòng ra trên tải.

V CE 0 , I C 0 : là điện áp và dòng điện DC trên tải.
Do tầng công suất làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh và điện áp tĩnh
rơi trên tải không đáng kể .
Do vậy: v L =V L sin ω ti L =I L sin ω t
Gọi V Lh d , I Lh d : là điện áp hiệu dụng và dòng điện hiệu dụng trên tải.
VL I
V Lh d = , I Lh d = L
√2 √2
Khi đó công suất trên tải :
V 2L h d V 2L
P L=R L . I 2Lh d = = ⇒ V L =√2 P L R L =√ 2.25 .8=20(V )
RL 2
V L 20
⇒ I L= = =2,5( A)
RL 8
2. Điện ấp cung cấp nguồn
Để đảm bảo về mặt năng lượng và tránh nhiễu phi tuyến thì điện áp nguồn
phải bằng hai lần điện áp trên loa. Mặc khác, vì Q1 ,Q 2 làm việc ở chế độ AB
nên chọn hệ số sử dụng nguồn là 0,75.
2V L 2.20
Do vậy: V CC = = =53.3(V )
0,75 0,75
Ta chọn nguồn cung cấp là : V CC =65 V .
3. Công suất cung cấp

Dòng cung cấp trung bình:
π
1 1 π I
I CCtb= ∫ I L sin ω t . dωt= I L cos ω t|0 = L
2π 0 π π

31
Công suất nguồn cung cấp:

IL 2,5
PCC =V CC =65 =51,8(W )
π π
4. Hiệu suất của mạch

PL 25
η= = .100 %=48,26 %
PCC 51 , 8
II. Tầng khuếch đại công suất
Tầng khuyếch đại công suất có nhiệm vụ phát trên loa một tín hiệu âm
tầng được xác định theo yêu cầu thiết kế P L=25 W .
Các BJT làm việc ở mức điện áp cao, các dòng collector Q1 ,Q 2 rất lớn.
Vì vậy, Q1 ,Q 2 phải được chọn phù hợp đồng thời phải chọn nguồn, dòng
nguồn khong được vượt quá giá trị cho phép của BJT nhưng cũng phải
đủ lớn để đảm bảo công suất và hiệu suất của mạch.
Để tránh méo xuyên tâm đồng thời đảm bảo hiệu suất của mạch , ta
chọn Q1 ,Q 2 làm việc ở chế độ AB.Vì mạch làm việc ở chế độ AB nên
dòng tĩnh collector nằm trong khoảng 20 ÷ 50 mA. Ở đây ta chọn:
I E =I E =I E =50 mA .
Q Q1 Q2
Dòng đỉnh qua Q1 ,Q 2 là:

I E 1 =I E 2 =I E + I L =50.1 0−3 +2,5=2,55( A)
P P Q1
1. Tính chọn R1 , R 2
R1 , R 2 có tác dụng cân bằng dòng , ổn định nhiệt nên phải có kích thước
lớn để chịu được công suất lớn.
Dạng tín hiệu trên R1 , R 2 là: i e1 =ie 2=I L sin ω t .
Nếu chọn R1 , R 2 lớn thì tổn hao trên loa nhiều do đó phải chọn sao cho
tín hiệu ra loa là lớn nhất. Để tránh tổn thất tín hiệu ra loa ta thường
chọn:
R1 1 RL 8
≥ ⇒ R1 ≥ = =0,4 Ω⇒ R1 =R 2=0,39(Ω)
R L 20 20 20
Ta chọn: R1=R 2=0,39 Ω.

Công suất tiêu hao trên R1 , R 2 là:

32
2
1 2 1 IL
P R 1=PR 2= R 1 I L h d= R1 =0,39 ¿ ¿
2 2 2
0,39 Ω
Vậy chọn R1=R 2= 5 W
2. Chọn cặp Q1 ,Q 2
IL
Công suất nguồn cung cấp : PCC =V CC I TB =V CC
π
2 1 2
Công suất loa: P L=R L I L h d= 2 R L I L
1 2
Công suất tiêu tán của R1 , R 2: P R=2 PR 1 = 2 R 1 I L
Vậy công suất tiêu tán của hai BJT Q1 ,Q 2 là :

V CC I L 1 2 1 2
Ptt =PCC −P L −P R = − RL I L− R1 I L
π 2 2
Công suất tiêu tán của một BJT, chẳn hạn BJT Q1 là:
Ptt V CC I L 1 2
Ptt /Q 1 =P tt/ Q 2= = − ( R L + R 1) I L
2 2π 4
Ta thấy công suất tiêu tán của BJT Q1 phụ thuộc vào I L theo hàm bậc
hai. Để tìm công suất tiêu tán cực đại ta lấy đạo hàm của Ptt /Q 1 theo I L
và cho bằng 0.
d Ptt / Q1 V CC 1
= − (R + R ) I =0
dIL 2π 2 L 1 L
V CC 65
⇒ I L= = =2,47 A
π (RL + R1) π (8+0,39)
V CC I L0 1 2 65.2,47 1
⇒ Ptt max / Q 1= − (R L + R1) I L0 = − (8+0,39) ¿
2π 4 2. π 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q1:

V CC 65
P DC/ Q 1=V CE/ Q 1 . I C/ Q 1 ≈ I EQ= .0,05=1,625W
2 2
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên Q1 là:

33
Ptt ∑ max /Q 1=Ptt max /Q 1+ P DC /Q 1=12,76+1,625=14,4 W
Vì Q1 ,Q 2 là cặp BJT bổ phụ nên ta chọn Q1 ,Q 2 thỏa mãn điều kiện:

I C > I E 1 p=2,55 A
V CE 0> V CC=65V PC > ( 2 ÷3 ) Ptt ∑ max =28,8:43,2W
Tra cứu ta chọn được: Q1 : 2 SD718 ; Q2 :2 SB 688.

Tên P(W) F T oC V CE I C (A) β
(V)
2SD71 80 12MHz 150 120 8 55/160
8
2SB688 80 12MHz 150 120 8 55/160
3. Tính chọn R3 , R 4
Trong tính toán ta chọn:
β Q 1=β Q 2=β min
Dòng Base tĩnh của Q1 :

I EQ / Q 1 50
I BQ /Q 1 = = =0,89 mA
1+ β1 1+55
Dòng Base cực đạI của Q1 :

I Ep /Q 1 2,55
I BQp/ Q 1= = =45,53 mA
1+ β 1 1+55
Để R3 , R 4 không ảnh hưởng đến dòng ra ở chế độ xoay chiều thì

R3 , R 4 phải thỏa mãn điều kiện: Z B 1 M (ac ) ≪ R3 , R 4 ≪Z B 1 M (dc ).
R3 , R 4 ≪Z B 1 M (dc ) : để rẽ dòng nhiệt.
R3 , R 4 ≫Z B 1 Mac : để giảm tổn thất tín hiệu.
Với Z B 1 Mac , Z B 1 Mdc : là điện trở xoay chiều và một chiều từ cực Base Q1
đến M.
Từ đặc tuyến vào của Q1 (2 SD 718) ta có:
I BQ=0,89 mA ⇒ V BEQ=0,6 V
I Bp=45,53 mA ⇒ V BEp=0,85 V

34
Vậy:
V B 1 MQ V BEQ /Q 1 +V R 1 0,6 +0,05.0,39
Z B 1 M (dc) = = = =696,07(Ω)
I BQ/ Q 1 I BQ/ Q 1 0,89.1 0−3
V −V B 1 MQ (V BEp/Q 1 +V R 1 p)−(V BEQ/ Q 1+ V R 1 )
Z B 1(ac)= B 1 Mp =
I Bp/ Q 1−I BQ /Q1 I Bp/ Q1−I BQ /Q 1
(0,85+ 0,39.2,55)−(0,6+ 0,05.0,39)
Z B 1(ac)= =27,45 (Ω)
(45,53−0,89)1 0−3
Vậy: 27,45≪ R3 , R 4 ≪696,07 (1)

I BQ /Q 1 =0,89 mA=¿ C họn I EQ / Q 3=60 mA
¿> I R 3=I Q3−I BQ /Q 1=60−45,53=14,46 mA
V BEp +V R 1 p 0,85+2,55.0,39
¿> R 3= = =117 Ω (2)
I R3 14,46
100 Ω
Từ (1)(2)=> Chọn R3=R 4= 2W
4. Tính chọn Q3 ,Q 4
V BEQ/ Q 1 +V R 1 0,6+0,05.0,39
Dòng tĩnh qua R3 : I R 3 Q = R3
=
100
=6,2mA
V BEp/Q 1+V R 1 p 0,85+ 2,55.0,39
Dòng cực đại qua R3 : I R 3 p= R3
=
100
=18,45 mA
Dòng emitter qua Q3 : I EQ /Q 3=I R 3 Q + I BQ /Q 1=6,2+0,89=7,1 mA

I Ep /Q 3 =I R 3 p + I Bp/ Q 1=18,45+ 45,53=64 mA
Khi đó trở kháng xoay chiều từ BQ 1lúc này là:
V B 1 p−V B 1 Q (0,85+0,39.2,55)−(0,6+ 0,05.0,39)

Z'B 1(ac )= = =21,53(Ω)
I Ep/ Q 3−I EQ/ Q 3 (64−7,1)1 0
−3
So sánh với Z B 1 ac tính ở trước là ta thấy khi thêm R3 , R 4 vào thì sai khác
không đáng kể.
Như vậy, tải xoay chiều của Q3 là:
Zt /Q 3=Z 'B 1 ac +(1+ β 1) RL =21,53+(1+55).8=469,53(Ω)
Để tìm được Q3 ,Q 4 ta tìm công suất tiêu tán lớn nhất của chúng. Gọi I E 3
là biên độ dòng AC chạy qua Q3, ta có:
Dòng cung cấp xoay chiều trung bình cho Q3 :

35
I E3
I tb/Q 3=
π
Công suất nguồn cung cấp cho Q3:

V CC . I E 3
PCC /Q 3=V CC I tb/Q 3=
π
Công suất cung cấp cho tải của Q3 :

π
1
Pt / Q 3=Zt / Q 3 . I 2E 3=Zt / Q 3 ∫ ¿¿
2π 0
Công suất tiêu tán xoay chiều trên Q3 :

V CC 1 2
Ptt /Q 3 =PCC /Q 3 −P t /Q 3 = I E 3− Z t /Q 3 I E 3
π 4
Lấy đạo hàm theo I E 3 M và cho bằng 0 ta được:

2V CC 2.65
I E 30= = =0,09( A)
π Z t /Q 3 π .469,53
Vậy công suất tiêu tán lớn nhất do dòng xoay chiều trên rơi trên Q3 là:
V CC I E 3 M 0 1 2 65.0,09 1
Ptt max / Q 3= − Z t I E 3 M 0= − .469,53. ¿
π 4 Q3 π 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q3 :

V CC 65 −3
Pdc / Q 3= I EQ/ Q 3= .7,1 .1 0 =0,23 (W )
2 2
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên Q3 :

Ptt ∑ max =PDC /Q 3 + Pttmax /Q 3 =0,23+0,92=1,15 W
Vậy chọnQ3 ,Q 4 là cặp bổ phụ thỏa mãn điều kiện sau:

PC > ( 2 ÷3 ) P tt ∑ ❑ =( 2 ÷3 ) 1,15 W = ( 2,3:3,45 ) W
Q3
I C > I Cp/ Q 3=64 mAV CE 0> V CC=65V
Ta chọn: Q3 :TI 41 C ; Q4 :TIP 42 C

36
Tên P(W) f(MHz) T oC V CEo (V ) IC(A ) β
TIP41C 65 3 150 100 6 75

TIP42C 65 3 150 100 6 75
III. Tính tầng lái
Để tính toán tầng lái ta chọn β Q 3=75
I Ep /Q 3 64 I EQ /Q 3 7,1
⇒ I B 3 p= = =0,84( mA)⇒ I B 3 Q = = =93,42(μA)
1+ β Q 3 1+75 1+ β Q 3 1+ 75
1. Tính chọn V R7 , D1 , D 2 , D3
Để tránh méo tín hiệu xuyên tâm đồng thời ổn định điểm làm việc cho
các cặp BJT khuyếch đại công suất thì các tổ hợp này phải làm việc ở
chế độ AB. Vì vậy, ta dùng D1 , D2 , D3 ,VR7 để tạo ra áp ban đầu cho các
BJT để khi có tín hiệu vào thì các BJT khuyếch đại công suất dẫn ngay.
Chọn D1 , D2 , D3 : là loại D1N4007 là loại diode cần dung.
Để Q1 ,Q 2 làm việc ở chế độ dòng tĩnh 50mA thì điện áp trên tiếp giáp
BE của các tổ hợp BJT ở chế độ tĩnh là 0,6V.
Ta có: V B 3 B 4 Q =V BE 3 +V BE 1+V BE 2+ V BE 4 +V R 1 Q +V R 2 Q
V B 3 B 4 Q =0,6+0,6 +0,6+0,6+ 0,05.0,39+0,05.0,39=2,44 (V )
Để dòng tĩnh Q 6ít thay đổi và tránh méo tín hiệu ta chọn:
I (CQ 6)=20 I B 3 p=20.0,84=16,8(mA ) và dùng Diode để ổn định áp phân cực
cho tầng lái.
Như vậy, ba diode D1 , D2 , D3 và VR7 đảm bảo cho Q 1 ,Q3 và Q2 ,Q 4 làm
việc ở chế độ AB, tức là V B 3 B 4 Q =2,44 V ngay khi có tín hiệu vào.
Lợi dụng tính chất ghim áp của diode ( dòng qua diode tăng nhưng áp
đặt lên diode hầu như không đổi. Muốn được như vậy ta chọn sao cho
điểm làm việc nằm trong đoạn tuyến tính nhất(đoạn thẳng)).
V B 3 B 4 Q −3 V D 2,44−3.0,7
Lúc này: VR 7= I CQ5
= =20,3 (Ω)
16,8.1 0−3
Chọn VR7=100 Ω/20,3 Ω. Sau đó hiệu chỉnh lại.

37
2. Tính toán Q 6 làm nguồn dòng

Q 6 tạo dòng điện ổn định phân cực và ổn định điểm làm việc của cho
hai cặp Dalington ở tầng khuyếch đại công suất. Chính nội trở nguồn
dòng ở chế độ xoay chiều lớn nên tăng hệ số khuyếch đại của tầng lái,
phối hợp trở kháng với trở kháng vào lớn của 2 cặp Dalington làm nâng
cao hiệu suất của mạch.
- Dòng collector qua Q 6: I CQ/Q 6=16,8 mA
- Chọn D4 ,D5 là điode D1N4007 .
Chọn dòng qua hai diode là dòng phân áp cho Q 6.
Chọn dòng phân áp I pa=12 mA.Lúc này V D=0,7 V .
Sụt áp trên R10 là: V R 10=V CC −V D 4−V D 5=65−0,7−0,7=63,6(V )
V R 10 63,6
⇒ R10= = =5,3(KΩ)
I pa 12.1 0−3
Chọn R10=4,7 KΩ.

V D 4 +V D 5−V BE 0,7+0,7−0,6
Tính chọn VR6: VR6= I CQ/ Q 6
= =66,6 (Ω)
12.1 0−3
Chọn V R 6=¿100 Ω / 66,6 Ω sau đó hiệu chỉnh lại.

Do Q5 hoạt động chế độ A, nên ta chọn điện áp VR5=0,7V
0,7
VR 5= =58,3 ( Ω)
12.10−3
Chọn VR5=100 (Ω)/58,3( Ω) sau đó hiệu chỉnh lại.

Do Q 6 hoạt động chế độ A được dùng làm nguồn dòng nên công suất
tiêu tán lớn nhất của nó là công suất tiêu tán tĩnh.
Điện áp DC trên tiếp giáp CE của Q 6 là:
V CC 65
V CE/ Q 6= −V VR 5 −V BE −V BE −V VR 6= −0,7−0,6−0,6−( 0,7+ 0,7−0,6 )
2 Q4 Q2 2
V CE/ Q 6=29,8 (V )⇒ P DC/ Q 6=V CE /Q 6 . I C 6 Q =29,8.12.1 0−3 =0,36 W Vậy ta chọn Q 6 thỏa
các điều kiện sau:

38
I C > I C 6 Q=12 mA
{
V CEo >V CE/ Q 6=29,8 V
PC > P DC/ Q 6=0,36W
Dựa vào bảng tra cứu ta chọn Q 6: 2SC2383

Tên P(mW) f(MHz) T 0C V CE (V ) IC(A ) β
2SC238 900 50 150 160 1 60/200

3
3. Tính chọn BJT thúc Q5
Transistor Q5làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc
làm việc và đảo pha cho tầng công suất. Q5 được chọn làm việc ở chế độ A.
Q 5 có tải lớn nên hệ số khuyếch đại lớn,ta phải chọn điểm làm việc của Q5
sao cho khi không có tín hiệu vào điện thế vào cực E của Q1 ,Q 2 ≈ 0, lúc này
sụt áp trên tải ≈ 0.
Điện thế trên cực C, E của Q5:
V CC 65
V CE/ Q 5= −VR 5 −V EB −V EB −V R 1= −0,7−0,6−0,6−0,05.0,39=30,6 (V )
2 Q3 Q1 2
Công suất tiêu tán tĩnh của Q5:

P DC/ Q 5=V CE/ Q 5 . I C/ Q 5=30,6.12 .1 0−3=0,37(W )
Do ta chọn I C/ Q 5» I BP /Q 3 nên khi có tín hiệu vào thì dòng I BP /Q 3không ảnh
hưởng nhiều đến dòng dòng cực đại qua Q5.
Từ những tính toán trên ta chọn Q 5phải thõa những điều kiện sau:
PC > P tt max /Q 5 =0,37 W
{ I C > I C max /Q 5=12mA

V CE >V CC =30,6 V
Theo tra cứu ta chọn Q5: 2SA1013 có các thông số sau:

39
Tên P(mW) f(MHz) T oC V CE (V ) IC(A ) β
2SA101 900 100 150 160 1 60/320

3
4. Tính chọn nguồn dòng Q 9

I Ep /Q 5 12
I Bp /Q 5= = =0,2 mA
1+ β 5 1+60
Chọn I C/ Q 7=10 I Bp /Q 5=2mA

I E / Q 9=I C/ Q 9=2 I C/ Q 7=4 mA
0,7.2−0,6
VR 19= =200 Ω
4. 10−3
Chọn VR19 = 500Ω/200 Ω có thể hiệu chỉnh lại

Chọn dòng phân áp cho Q 9là dòng làm việc của diode D6 là I D 6 =10 mA .
V cc −V D 6−V D 7 65−0,7−0,7
⇒ R11 = = =6,36 KΩ
10 mA 10.10−3
Chọn R21=5,6 KΩ
Q9 làm việc ở chế độ khếch đại,chọn điểm làm việc tĩnh ở giữa điểm
làm việc của đường đặc tuyến ra (Ic,Vce).
- VCE/Q11=Vcc/2=65/2=32,5V.
Vậy công suất tiêu tán trên Q 9 là(chủ yếu là công suất 1 chiều):
Ptt /Q 9=V CE/ Q 9 . I C/ Q 9=32,5.4 .1 0−3=130 mW
Chọn Q11thỏa các điều kiện sau:

PC > Ptt/ Q 9=130 mW
{ I C > 2 I C /Q 9=8 mA
V CE >V CC =65 V
Tra danh sách transistor ta chọn Q 9 là : 2SC2383

Tên P(mW) f(MHz) T oC V CE (V) I C (mA) β
2SC238 900 50 150 160 1 60/200

40
3
5. Tầng khuếch đại vi sai:
R13 có nhiệm vụ phân cực đưa đến chân B/Q5.
VR13=VR12=VBE/Q5+VE/Q5=0,6+0,7=1,3V
IE/Q7=IC/Q7/2=1mA
Để phối hợp trở kháng giữa tầng thúc và tầng khuyếch đại vi sai ta chọn:
1,3
R13=R12= =1,3(KΩ)
1.1 0−3
Chọn R13=R12=1 KΩ
Q 7 và Q 8hoạt động ở chế độ khếch đại nên VCE/Q7=Vcc /2=65/2=32,5V.
Do đó cần chọn Q 7 và Q 8như Q9 (được chọn làm nguồn dòng như trên)
PC > Ptt/ Q 9=130 mW
{ I C > 2 I C /Q 9=8 mA
V CE >V CC =65 V
Tra danh sách transistor ta chọn Q 7 và Q 8 là : 2SC2383

Tên P(mW) f(MHz) T oC V CE (V) I C (mA) β
2SC238 900 50 150 160 1 60/200

3
Biến trở V R14dùng đểcân bằng dòng Emitor cho Q 7 và Q 8 do đó ta chọn

V R14có giá trị nhỏ.
Chọn V R14=100 Ω
Xét tầng vi sai có mạch như hình vẽ:

41
Vì mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế sao cho ở chế độ tỉnh hai nhánh
cân bằng nhau.
V CC
{ V B /Q 8=
2
R15 /¿ R 16=R17
(1)
Vì thế R15 /¿ R16quyết định trở kháng vào của mạch. Theo yêu cầu thiết
kế thì Z¿ =220 KΩnên chọn R15 /¿ R16=220 KΩ (2)
R15=560 KΩ
{
Từ (1) và (2) ta tính được: R16=390 KΩ có thể hiệu chỉnh lại
R17=220 KΩ
6. Tính toán các thông số còn lại

- Tính tụ C 12:
Ta chọn tụ C 12sao cho ở tầng số thấp nhất thì sụt áp trên tụ rất nhỏ
so với sụt áp trên loa để không ảnh hưởng đến tín hiệu ra trên loa. Ta
1
chọn XC 5= R
10 L
1
XC 5= 1
1 ⇒ C 5= =3980 μF
2 π . f min R L 2. π .0,05 .103 .0,8
10
chọn C 5=4700 μF /50V

- Tính tụ C 2: C 2là tụ liên lac ngõ vào nên để sụt áp trên tụ không ảnh
hưởng đến tín hiệu vào và chất lượng của mạch ta chọn tụ C sao cho
1
XC2= Z
10 ¿

42
10 10
⇒ C 2= = =0,15 μF
2 π . finmin Z ¿ 2. π .0,05.1 03 .220 .10 3
Chọn tụ C 2=0,22 μF /50 V
- Tính tụ C 3:
Tụ C 3 kết hợp với R17 , R 19tạo thành mạch hồi tiếp âm để ổn định
thông số của mạch.Chọn tụ C 3 sao cho tỉ số hồi tiếp tín hiệu chỉ phụ
thuộc vào R17 , R 19 và sụt áp xoay chiều trên C 4nhỏ hơn R19rất nhiều.
1
Chọn R19=2,2 KΩChọn X C 3 = 10 R 19
10 10
⇒ C 3= = =1,5 μF
2 π . f min . R19 2. π .0,05.1 03 .2,2.1 03
Chọn C 3=22 μF
7. Tính VR 8 , R 9 ,C 4
Chọn I VR 8=I 9=20 I Bp/ Q5=4 mA
0,7+ 0,6
VR 8= =325 Ω
4.103
Chọn VR8=500 Ω /325 Ωrồi hiệu chỉnh lại

65−1,3
R9 = =15 K Ω
4.103
Tụ C 4 là tụ liên lạc giữa tầng vào vi sai và tầng lái nên chọn tụ C 4 sao cho sụt áp
trên tụ không ảnh hưởng đến tín hiệu vào tầng lái. Ta chọn tụ C 4 sao cho
1
X C 15 = Z Z¿ /Q 5=390 Ω
10 ¿/Q 5
10 10
⇒ C4= =
2 π . f min . Z ¿/ Q 5 2. π .0,05 .1 03 .390
Chọn C 4=100 μF /50V
8. Tính mạch lọc Zobel:

Cấu tạo của loa gồm một cuộn cảm và một điện trở có Z L =RL + jωL. Như vậy,
trở kháng loa phụ thuộc vào tần số. Khi tần số cao trở kháng loa càng lớn

43
dẫn đến méo tín hiệu.Mạch lọc Zobel là mạch ổn định trở kháng loa không
đổi ở tần số cao. C mắc nối tiếp với Rvà tất cả mắc song song với tải R L. Ở
tần số cao tụ ngắn mạch giảm tải ngõ ra tức là X L ↑ , X C ↓ → R Lkhông đổi.
1
Ta có: Ztd =(R+ jωc )/¿( R L + jωL)
Để không phụ thuộc vào tần số thì R18=R L =8 Ω và chọn tụ C 6sao cho
1
XC 6= R
10 L
10 10
⇒ C 6=
2 π . fL max . R L 2. π .20 .10 3 .8 =10
= μF
Với f max =20 KHz
Chọn C 6=10 μF /50 V
9. Kiểm tra độ méo phi tuyến

Trong mạch hầu hết các linh kiện làm việc ở chế độ A chỉ có cặp
Q1 ,Q 2làm việc ở chế độ AB nên độ méo phi tuyến toàn mạch phụ
thuộc chủ yếu ở Q1 ,Q 2.
Giả sử tín hiệu vào là hình sin và V ¿ =0,775 V . Lúc này điện áp đặt lên
tiếp giáp BE của Q1:V BE 1 (t )=V BE 1 Q +V BEm sin ω t
Trong đó: V BE 1 Q =0,6 V V BEm =V BEp−V BE 1Q =1−0,6=0,4 V
V BE V BEQ (¿ ωt)
V BEm sin
Gọi I C 0 là dòng rỉ của Q1 ,Q 2. I C =I C 0 e V =I C0 e
¿
VT VT
T
e
(¿ωt )
Khai triễn y=eV BEm sin
VT
¿
theo chuỗI Taylor:
2
V BEm 1 V BEm
y=1+
VT
sin ω t+
2 VT ( )
sin2 (¿ ωt )+..... ¿
Méo phi tuyến chủ yếu do hài bậc cao gây ra. Loại hài bậc cao và biến
(¿ 2 ωt)
đổi sin2 (¿ ωt )=1−cos ¿¿ ta được:
2
2 2
1 V BEm V BEm 1 V BEm
y=1+
4 V 2T
+
VT
sin(¿ ωt )−
4 VT ( )
cos( ¿ 2ωt )¿ ¿

44
Theo định nghĩa méo phi tuyến:

γ=
√∑
i=2
2
Iℑ
I 1m
Trong đó : I 1m : thành phần dòng cơ bản.

I ℑ: biên độ hài.
Loại bỏ các hài bậc cao ta được:

V 2BEm
I 2m 4 V 2T V BEm
γ= = =
I 1m V BEm 4 V T
VT
BEm 0,4 V
Khi chưa có hồi tiếp: γ = 4 V = 4.0,026 =3,84
T
γ
Khi có hồi tiếp: γ '= (1+ g R )g
m L
g: độ sâu hồi tiếp: g=128,01

βQ1 I E 1 Q 50 mA
gm : hỗ dẫn. gm = = =
r be/Q 1 V T 26 mV
γ 3,84
γ '= = =0,18 % <0,25 %
( 1+ g m R L )g 50
(1+ .8)128,01
25

Tịnh Đáo KTMDT

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Tịnh Đáo KTMDT

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

1

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

ĐỒ ÁN KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ

Giảng viên hướng dẫn : Lê Hồng Nam

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

CHƯƠNG I: KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

I. Khuếch đại tính hiệu nhỏ

II. Cách mắc BJT

2.1 Mạch khuyếch đại E chung ( EC )

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

 Trở kháng vào Zin = (R1//R2) // Rpi

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

V0 V 0. Vbe Zin Zin

Với Avt là hệ số KĐ điện áp của transistor:

Trong đó: RL= ro // Rc // Rt

Nhận xét: Tín hiệu vào và ra ngược pha nhau:

2.2Mạch khuếch đại C chung

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

 Trở kháng vào

Hệ số khuếch đại điện áp tại cửa ra:

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

Hệ số khuếch đại điện áp toàn mạch:

Trở kháng vào nhìn từ cực nền xuống masse:

Trở kháng ra toàn mạch:

Hệ số khuếch đại dòng điện:

Điện áp vào cùng pha điện áp ra

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

2.3Mạch khuếch đại B chung

Trở kháng vào: Zin = RE // RiE

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

Ưu nhược điểm và ứng dụng

CHƯƠNG II : HỒI TIẾP TRONG BỘ KHUẾCH ĐẠI

I. Mạch khuếch đại hồi tiếp

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra: Zr

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

U = I.Zr –kUf = IZr – kβU

Điện trở ngõ vào của mạch là:

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

Trong đó: Ro tiến đến ∞ , Avnl = Rllim

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

2.4 Mạch khuếch đại hồi tiếp song song – điện áp

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

Chương 3: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT

I. Phân loại mạch khuếch đại công suất

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

Công suất nguồn cung cấp:

2. Mạch khuếch đại chế độ B

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

 Khảo sát công suất

Công suất nguồn cung cấp trong 1 chu kì:

Công suất nguồn cung cấp trong 1 chu kì:

SVTH: NGUYỄN ĐẠI ĐÁO- TÔN THẤT TỊNH

 Tín hiêu ra bị méo xuyên tâm

3. Mạch khuếch đại chế độ AB