172 L8 F 28 E88 D8289 K8 GL

เอก ารประกอบการ อนรายวิชา
เครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า
Electrical Instruments and Measurements
อภิฌาน กาญจนวาป ถิตย์

Ph.D. in Telecommunications
าขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิก ์
คณะเทคโนโลยี
มหาวิทยาลัยราชภัฏอุดรธานี
2555
คานา
เอก ารประกอบการ อนวิชาเครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า รหั วิชา 5582120 จานวน

หน่วยกิต 3(3-0-6) ใช้ประกอบการเรียนการ อนหลั ก ูตรวิศวกรรมศา ตรบัณฑิต าขาวิช า
วิศวกรรมอิเล็กทรอนิก ์ คณะเทคโนโลยี มหาวิทยาลัยราชภัฏอุดรธานี เอก ารประกอบการ อนนี้
เหมาะ าหรับนักศึกษาระดับปริญญาตรี มุ่งเน้นให้นักศึกษาผู้เรียนมี องค์ความรู้เกี่ยวกับการ
ออกแบบเครื่องมือวัดทางไฟฟ้าแบบพื้นฐานจากเครื่องมือวัดชนิดเข็มชี้หรือเครื่องมือวัดแบบพีเอ็ม
เอ็มซี ซึ่งต้องอาศั ยความรู้ ในด้านการวิเคราะห์ว งจร เช่น กฎของโอห์ม กฎของเคอร์ชอฟฟ์ เป็น
าคัญ เนื้อหาของเอก ารแบ่งออกเป็นทั้งหมด 10 บท ประกอบด้วย มาตรวิทยาเบื้องต้น การ
วิเคราะห์วงจรกระแ ตรงเบื้องต้น เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี แอมมิเตอร์กระแ ตรง โวลต์มิเตอร์
กระแ ตรง โอห์มมิเตอร์ บริดจ์กระแ ตรง ไฟฟ้ากระแ ลับ ไดโอดและการประยุกต์ใช้ในตัวเรียง
กระแ และโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ คาศัพท์ทางวิชาการโดยเฉพาะด้านวิศวกรรมไฟฟ้าที่ใช้ใน
เอก ารประกอบการ อนเล่มนี้ ผู้เรียบเรียงอ้างอิงตามพจนานุกรมศัพท์วิศวกรรมไฟฟ้า ฉบับว ท.
พ.ศ. 2554 ่วนศัพท์ทางด้านมาตรวิทยาผู้เรียบเรียงพยายามอ้างอิงจากเว็บไซต์และเอก ารของ
ถาบันมาตรวิทยาแห่งชาติ
ผู้เรียบเรียงขอขอบคุณบิดา มารดา ภรรยา และคณาจารย์ าขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิก ์
ที่เป็ น กาลั งใจ นั บ นุ น ให้ การเรี ย บเรียงเอก ารประกอบการ อนเล่ มนี้ให้ าเร็จไปด้ว ยดี และ
นอกจากนั้นผู้เรียบเรียงต้องขอขอบคุณผู้เขียนหนัง ือและตาราที่ได้ใช้ในการอ้างอิง
ุดท้ายผู้เรียบเรียงหวังเป็นอย่างยิ่งว่าเอก ารประกอบการ อนเล่มนี้จะเป็นประโยชน์ต่อ
การเรียนของนักศึกษา าขาวิชาวิศวกรรมวิศวกรรมอิเล็กทรอนิก ์
อภิฌาน กาญจนวาป ถิตย์

30 พฤษภาคม 2555
[2]
ารบัญ
หน้า
คานา [1]
ารบัญ [2]
ารบัญรูป [8]
ารบัญตาราง [15]
รายละเอียดของรายวิชา 1
แผนบริหารการ อนประจาบทที่ 1 9
บทที่ 1 มาตรวิทยาเบื้องต้น 11
1.1 บทนา 11
1.2 ประเภทของมาตรวิทยา 12
1.3 หน่วยงานกากับดูแลมาตรวิทยาของประเทศไทย 12
1.4 หน่วยงานกากับดูแลมาตรวิทยาระหว่างประเทศ 13
1.5 ระบบหน่วยวัดเอ ไอ 14
1.6 ลาดับชั้นของมาตรฐานการวัด 17
1.7 มาตรฐานการวัดแห่งชาติของประเทศไทย 18
1.8 การ อบเทียบและการ อบกลับได้ 27
1.9 วิธีการของการวัด 24
1.9.1 วิธีการวัดโดยตรง 28
1.9.2 วิธีการวัดโดยอ้อม 29
1.10 ่วนประกอบเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า 29
1.11 ศัพท์บัญญัติมาตรวิทยา 31
คาถามท้ายบท 36
เอก ารอ้างอิง 36
บทที่ 2 การวิเคราะห์วงจรกระแ ตรงเบื้องต้น 39
2.1 บทนา 39
2.2 ความต้านทาน 39
2.2.1 ตัวต้านทาน 43
2.2.2 การต่อตัวต้านทาน 43
2.2.2.1 แบบอนุกรม 43
[3]
2.2.2.2 แบบขนาน 45
2.2.2.3 แบบผ ม 48
2.2.3 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทาน 49
2.2.3.1 ชุดตัวต้านทานแบบอนุกรม 49
2.2.3.2 ชุดตัวต้านทานแบบขนาน 49
2.2.3.3 ชุดตัวต้านทานแบบผ ม 50
2.3 กฎของโอห์ม 50
2.4 กฎของเคอร์ชอฟฟ์ 57
2.4.1 กฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ 57
2.4.2 กฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ 58
2.4.3 การแก้ปัญหาวงจรด้วยกฎของเคอร์ชอฟฟ์ 60
2.5 ทฤษฎีบทของเทเวนิน 65
บทที่ 3 เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี 73
3.1 บทนา 73
3.2 การเกิดแรงบนลวดตัวนาใน นามแม่เหล็ก 76
3.3 แกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาล 77
3.4 เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี 78
3.4.1 โครง ร้างพื้นฐาน 79
3.4.2 แรงทางกล 80
3.4.2.1 แรงเบี่ยงเบน 80
3.4.2.2 แรงควบคุม 83
3.4.2.3 แรงหน่วง 84
3.4.3 ความไวกระแ 85
3.4.4 ข้อดี 86
3.4.5 ข้อเ ีย 87
3.4.6 ัญลักษณ์ 87
3.4.7 การหาความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ 88
3.4.8 การหากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล 89
[4]
บทที่ 4 แอมมิเตอร์กระแ ตรง 95
4.1 บทนา 95
4.2 การขยายพิ ัยการวัดแอมมิเตอร์ 95
4.2.1 แบบพิ ัยการวัดเดียว 95
4.2.2 แบบหลายพิ ัยการวัด 100
4.2.2.1 ชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย 100
4.2.2.2 ชนิดอาร์ตันชันต์หรือยูนิเวอร์แซลชันต์ 103
4.3 การต่อแอมมิเตอร์เข้ากับวงจร 107
4.4 ความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์ 107
4.4.1 ชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย 107
4.4.2 ชนิดอาร์ตันชันต์ 108
4.5 ผลการโหลดของแอมมิเตอร์ 110
บทที่ 5 โวลต์มิเตอร์กระแ ตรง 117
5.1 บทนา 117
5.2 การขยายพิ ัยการวัดโวลต์มิเตอร์ 117
5.2.1 แบบพิ ัยการวัดเดียว 117
5.2.2 แบบหลายพิ ัยการวัด 122
5.2.2.1 ชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัย 122
5.2.2.2 ชนิดยูนิเวอร์แซล 123
5.3 การต่อโวลต์มิเตอร์เข้ากับวงจร 128
5.4 ความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์ 129
5.4.1 แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัย 129
5.4.2 แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซล 130
5.4.3 การหาความต้านทานภายในโดยวิธีอ้อม 130
5.5 ผลการโหลดของโวลต์มิเตอร์ 132
บทที่ 6 โอห์มมิเตอร์ 140
[5]
6.1 บทนา 140

6.2 โอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรม 140
6.2.1 แบบพื้นฐาน 140
6.2.2 แบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรม 144
6.2.3 แบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนาน 148
6.2.3.1 แบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนานหลายพิ ัยการวัด 156
6.3 โอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน 158
บทที่ 7 บริดจ์กระแ ตรง 167
7.1 บทนา 167
7.2 วีต โตนบริดจ์ 167
7.2.1 วีต โตนบริดจ์ ภาวะ มดุล 168
7.2.2 วีต โตนบริดจ์ ภาวะไม่ มดุล 171
7.2.3 วีต โตนบริดจ์ ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อย 175
7.2.4 ข้อจากัดของวีต โตนบริดจ์ 180
7.3 เคลวินบริดจ์ 181
7.4 การประยุกต์ใช้งานบริดจ์กระแ ตรง 184
บทที่ 8 ไฟฟ้ากระแ ลับ 188
8.1 บทนา 188
8.2 การค้นพบแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนา 189
8.3 หลักการของเครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแ ลับ 190
8.4 พารามิเตอร์ของ ัญญาณคลื่นไซน์ 194
8.4.1 คาบและความถี่ 194
8.4.2 ความถี่เชิงมุมหรือความเร็วเชิงมุม 195
8.4.3 แรงดัน ูง ุดหรือแรงดันค่ายอด 196
8.4.4 แรงดันชั่วขณะ 196
8.4.5 แรงดันค่ายอดถึงยอด 197
8.4.6 แรงดันค่าเฉลี่ย 197
[6]
8.4.7 แรงดันประ ิทธิผลและแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย 198

8.4.8 ฟอร์มแฟกเตอร์ 203
8.4.9 เคร ต์แฟกเตอร์ 204
บทที่ 9 ไดโอดและการประยุกต์ใช้ในตัวเรียงกระแ 208
9.1 บทนา 208
9.2 ่วนประกอบของไดโอด 208
9.3 รอยต่อพีเอ็นและบริเวณปลอดพาหะ 208
9.4 การไบแอ ไดโอด 209
9.5 คุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอด 210
9.6 การหากระแ และแรงดันของวงจรไดโอดด้วยวิธีวาดเ ้นโหลด 214
9.7 แบบจาลองเชิงเ ้นแบบเป็นช่วงของไดโอด 217
9.7.1 การหาค่าความชันของกราฟเ ้นตรงและการหาตาแหน่งจุดแยก 219
9.8 การประยุกต์ใช้ไดโอดในตัวเรียงกระแ 221
9.8.1 การประยุกต์ใช้ในตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น 221
9.8.2 ค่าเฉลี่ยของแรงดันเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น 223
9.8.3 ค่าเฉลี่ยของกระแ เอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น 224
9.8.4 การประยุกต์ใช้ในตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ 225
9.8.5 ค่าเฉลี่ยแรงดันเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ 227
9.8.6 ค่าเฉลี่ยกระแ เอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ 228
บทที่ 10 โวลต์มิเตอร์กระแ ลับ 233
10.1 บทนา 233
10.2 การขยายพิ ัยการวัดโวลต์มิเตอร์ 233
10.2.1 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียว 233
10.2.2 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด 238
10.2.3 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์พิ ัยการวัดเดียว 240
10.2.4 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์หลายพิ ัยการวัด 242
10.3 ความต้านทานภายในและความไวกระแ ลับ 245
[7]
10.3.1 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด 245

10.3.2 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์ 247
บรรณานุกรม 250
[8]
ารบัญรูป
รูปที่ หน้า
รูปที่ 1.1 ตราชั่งและน้าหนักถ่วงที่ค้นพบในอารยธรรมลุ่มแม่น้า ินธุ 11
รูปที่ 1.2 กิโลกรัมต้นแบบระหว่างประเทศ 14
รูปที่ 1.3 ตุ้มน้าหนัก 1 กิโลกรัมต้นแบบ หมายเลข 80 19
รูปที่ 1.4 เครื่องวัดความดันมาตรฐานแบบเพร เชอร์บาลานซ์ 19
รูปที่ 1.5 เครื่องวัด ุญญากาศมาตรฐานแบบแคแพซิแทนซ์ไดอะแฟรมเกจ ปินนิงโรเตอร์เกจ
และไอออไนเซชันเกจ 20
รูปที่ 1.6 เครื่องกลมาตรฐานวัดแรงแบบน้าหนักตายตัว 20
รูปที่ 1.7 เครื่องวัดความแข็งร็อกเวลล์ระดับปฐมภูมิ 21
รูปที่ 1.8 เครื่องวัดความแข็งวิกเกอร ์ระดับปฐมภูมิ 21
รูปที่ 1.9 เครื่องกลวัดแรงบิดแบบน้าหนักตายตัวระดับปฐมภูมิ 22
รูปที่ 1.10 เครื่องมือวัดอัตราการไหลของน้าแบบลูก ูบ 22
รูปที่ 1.11 ชุดวัดอัตราการไหลของแก๊ แบบโซนิกนอซเซิลและแบบแลมินาร์ 23
รูปที่ 1.12 ชุดมาตรฐานความต่างศักย์ไฟฟ้าแบบรอยต่อโจเซฟ ัน 23
รูปที่ 1.13 กลุ่มตัวต้านทานไฟฟ้ามาตรฐาน 1 โอห์ม 24
รูปที่ 1.14 นาฬิกาซีเซียม 24
รูปที่ 1.15 ชุดเซลล์กาเนิดอุณหภูมิ ณ จุดคงที่ 25
รูปที่ 1.16 อุปกรณ์กาเนิดแ งเลเซอร์จากแก๊ ฮีเลียมนีออน และควบคุมเ ถียรภาพ
ของความยาวคลื่นด้วยแก๊ ไอโอดีน 25
รูปที่ 1.17 เครื่องมือวัดค่าความไวของไมโครโฟนมาตรฐาน 26
รูปที่ 1.18 เครื่องมือวัดค่าความไวของหัววัดการ ั่น ะเทือนมาตรฐาน 26
รูปที่ 1.19 ระบบเตรียม ารละลายมาตรฐานความเป็นกรด-ด่าง 27
รูปที่ 1.20 ลาดับชั้นของการ อบเทียบและ ายโซ่การ อบกลับได้ 28
รูปที่ 1.21 แผนภาพกรอบของ ่วนประกอบเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า 29
รูปที่ 1.22 แผนภาพกรอบ ่วนประกอบแอมมิเตอร์ที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี 31
รูปที่ 2.1 ัญลักษณ์ของตัวต้านทาน (ก) ค่าคงที่ (ข) ปรับค่าได้ 43
รูปที่ 2.2 ตัวต้านทานค่าคงที่แบบมีขา 43
รูปที่ 2.3 การต่อตัวต้านทานแบบอนุกรมจานวน N ตัว 44
รูปที่ 2.4 การต่อตัวต้านทาน าหรับตัวอย่างที่ 2.4 44
รูปที่ 2.5 การต่อตัวต้านทานแบบขนานจานวน N ตัว 45
[9]

รูปที่ 2.7 การต่อตัวต้านทานขนานกัน 2 ตัว 46
รูปที่ 2.9 การต่อตัวต้านทานแบบผ ม 48
รูปที่ 2.11 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานแบบอนุกรม 49
รูปที่ 2.12 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานแบบขนาน 50
รูปที่ 2.13 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานแบบผ ม 50
รูปที่ 2.14 วงจร าหรับตัวอย่างที่ 2.8 51
รูปที่ 2.17 ามเหลี่ยมความ ัมพันธ์ระหว่างตัวแปรในกฎของโอห์ม 52
รูปที่ 2.18 การกาหนดเครื่องหมายบวกลบให้กับตัวต้านทาน 53
รูปที่ 2.20 การกาหนดทิศทางกระแ ในวงจร าหรับตัวอย่างที่ 2.11 54
รูปที่ 2.22 การกาหนดทิศทางกระแ ในวงจร าหรับตัวอย่างที่ 2.12 55
รูปที่ 2.23 การไหลของกระแ เข้าออกจากโนด 58
รูปที่ 2.24 วงจรตัวอย่าง าหรับอธิบายกฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ 59
รูปที่ 2.25 การกาหนดทิศทางกระแ และเครื่องหมายบวกลบให้กับตัวต้านทาน 60
รูปที่ 2.26 รูปวงจร าหรับตัวอย่างที่ 2.13 63
รูปที่ 2.27 การแทนวงจรที่ซับซ้อนด้วยวงจร มมูลเทเวนิน 65
รูปที่ 2.29 การเปิดวงจรที่ตาแหน่งตัวต้านทาน R5 66
รูปที่ 2.30 การ มมติการไหลของกระแ ในวงรอบปิด 67
รูปที่ 2.31 การลัดวงจรแหล่งจ่ายแรงดันเพื่อหาความต้านทาน มมูลเทเวนิน 68
รูปที่ 2.32 การต่อโหลดเข้ากับวงจร มมูลเทเวนินที่ได้ 69
รูปที่ 2.33 รูปวงจร าหรับคาถามท้ายบทข้อที่ 5 70
รูปที่ 2.34 รูปวงจร าหรับคาถามท้ายบทข้อที่ 6 70
รูปที่ 3.1 การค้นพบการเบี่ยงเบนของเข็มทิศที่วางใกล้เ ้นลวดที่มีกระแ ไฟฟ้า 73
รูปที่ 3.2 ลุยจิ แกลแวนิ ผู้ค้นพบว่ากระแ ไฟฟ้าทาให้ขาของกบที่ตายแล้วกระตุก 74
รูปที่ 3.3 ดาร์ ันวาลผู้ประดิษฐกัลวานอมิเตอร์แบบขดลวดเคลื่อนที่ 74
[10]
รูปที่ 3.4 เอ็ดเวิร์ด เว ตันผู้พัฒนาการออกแบบแกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาล

ให้มีประ ิทธิภาพมากขึ้น 75
รูปที่ 3.5 แกลแวนอมิเตอร์ของเว ตัน 75
รูปที่ 3.6 การเกิดแรงเบี่ยงเบนของขดลวดที่มีกระแ ไฟฟ้าไหลผ่าน 77
รูปที่ 3.7 กฎมือซ้ายของเฟรมมิ่ง 77
รูปที่ 3.8 ่วนประกอบ าคัญของแกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาล 78
รูปที่ 3.9 โครง ร้างพื้นฐานของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี 79
รูปที่ 3.10 แกนและเบ้ารูปตัววี 80
รูปที่ 3.11 ความกว้างและความลึกหรือความยาวของขดลวด 81
รูปที่ 3.12 เข็มชี้หยุดนิ่งเมื่อแรงเบี่ยงเบนเท่ากับแรงควบคุมจาก ปริง 83
รูปที่ 3.13 การแกว่งของเข็มชี้เนื่องจากแรงเฉื่อย 84
รูปที่ 3.14 ัญลักษณ์ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี 88
รูปที่ 3.15 การหาความต้านทานของขดลวดเคลื่อนที่ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
โดยการใช้โอห์มมิเตอร์ และ (ข) โดยการใช้แอมมิเตอร์และโวลต์มิเตอร์ 89
รูปที่ 3.17 การหากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
(ก) โดยการใช้แหล่งจ่ายแรงดันปรับค่าได้ และ (ข) โดยการใช้ตัวต้านทานปรับค่าได้ 89
รูปที่ 4.1 วงจรแอมมิเตอร์แบบพิ ัยการวัดเดียว 95
รูปที่ 4.2 เกลบนหน้าปัดแอมมิเตอร์เป็นแบบเชิงเ ้น 97
รูปที่ 4.3 วงจรแอมมิเตอร์ าหรับตัวอย่างที่ 4.1 97
รูปที่ 4.4 วงจรแอมมิเตอร์ในตัวอย่างที่ 4.2 98
รูปที่ 4.5 วงจรแอมมิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย 101
รูปที่ 4.6 ลักษณะ วิตช์ต่อก่อนตัด 101
รูปที่ 4.7 วงจรแอมมิเตอร์ าหรับตัวอย่างที่ 4.4 102
รูปที่ 4.8 วงจรแอมมิเตอร์หลายพิ ัยการวัดชนิดอาร์ตันชันต์ 103
รูปที่ 4.9 วงจรแอมมิเตอร์ชนิดอาร์ตันชันต์ าหรับตัวอย่างที่ 4.5 106
รูปที่ 4.10 ัญญลักษณ์ของแอมมิเตอร์ 107
รูปที่ 4.11 การต่อแอมมิเตอร์อนุกรมกับวงจร 107
รูปที่ 4.12 (ก) กระแ ในวงจรที่ยังไม่ได้ต่อแอมมิเตอร์ และ (ข) กระแ ในวงจร
ขณะทีม่ ีการต่อแอมมิเตอร์ 111
รูปที่ 5.1 วงจรโวลต์มิเตอร์แบบพิ ัยการวัดเดียว 117
[11]
รูปที่ 5.2 เกลบนหน้าปัดโวลต์มิเตอร์เป็นแบบเชิงเ ้น 118

รูปที่ 5.3 วงจรโวลต์มิเตอร์ าหรับตัวอย่างที่ 5.1 119
รูปที่ 5.6 วงจรโวลต์มิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานเฉพาะพิ ัย 122
รูปที่ 5.7 วงจรโวลต์มิเตอร์ในตัวอย่างที่ 5.5 123
รูปที่ 5.8 วงจรโวลต์มิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซล 124
รูปที่ 5.11 ัญญลักษณ์ของโวลต์มิเตอร์ 128
รูปที่ 5.12 การต่อโวลต์มิเตอร์ขนานกับตัวต้านทานในวงจร 129
รูปที่ 5.13 (ก) กระแ ในวงจรที่ยังไม่ได้ต่อแอมมิเตอร์ และ (ข) กระแ ในวงจร
ขณะทีม่ ีการต่อแอมมิเตอร์ 132
รูปที่ 6.1 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบพื้นฐาน 140
รูปที่ 6.2 วงจรโอห์มมิเตอร์ าหรับตัวอย่างที่ 6.1 142
รูปที่ 6.3 เกลของโอห์มมิเตอร์ที่ออกแบบในตัวอย่างที่ 6.2 143
รูปที่ 6.4 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรม 144
รูปที่ 6.5 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนาน 149
รูปที่ 6.6 กาหนดกระแ ไหลในวงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทาน
ปรับศูนย์ต่อขนาน 150
รูปที่ 6.8 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนานหลายพิ ัยการวัด 156
รูปที่ 6.10 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน 159
รูปที่ 6.11 การกาหนดกระแ ไหลในวงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน 160
รูปที่ 7.1 วงจรวีต โตนบริดจ์ 167
รูปที่ 7.2 วงจรวีต โตนบริดจ์ที่ใช้วิเคราะห์บริดจ์ ภาวะ มดุล 168
รูปที่ 7.3 ตัวอย่างวีต โตนบริดจ์ที่มจี าหน่ายเพื่อการศึกษา 169
รูปที่ 7.4 วงจรวีต โตนบริดจ์ าหรับตัวอย่างที่ 7.1 170
รูปที่ 7.5 การกาหนดกระแ ในวงจรวีต โตนบริดจ์ าหรับตัวอย่างที่ 7.2 170
รูปที่ 7.6 วงจรวีต โตนบริดจ์ที่ปลดแกลแวนอมิเตอร์ออก 172
[12]
รูปที่ 7.7 ความต้านทานที่เกิดขึ้นระหว่างโนด a และโนด b 172

รูปที่ 7.8 การต่อแกลแวนอมิเตอร์เข้ากับวงจร มมูลเทเวนิน 173
รูปที่ 7.9 วงจรวีตโตนบริดจ์ใน ภาวะไม่ มดุล าหรับตัวอย่างที่ 7.3 174
รูปที่ 7.10 วงจรวีตโตนบริดจ์ใน ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อย 175
รูปที่ 7.11 วงจรวีต โตนบริดจ์ใน ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อยที่ปลดแกลแวนอมิเตอร์ออก 175
รูปที่ 7.12 ความต้านทานที่เกิดขึ้นระหว่างโนด a และโนด b 176
รูปที่ 7.15 กราฟความ ัมพันธ์ระหว่างอุณหภูมิกับความต้านทานของ Rv 179
รูปที่ 7.16 วงจรเคลวินบริดจ์ 181
รูปที่ 7.17 ตัวอย่างเคลวินบริดจ์ที่มีจาหน่ายเพื่อการศึกษา 181
รูปที่ 7.18 วงจรเคลวินบริดจ์ที่ใช้ในการวิเคราะห์ 182
รูปที่ 7.19 กิ่งของวงจรฝั่งขวามือของแกลแวนอมิเตอร์จากโนด c ถึงโนด e 182
รูปที่ 7.20 การประยุกต์บริดจ์กระแ ตรงในการควบคุมความร้อน 184
รูปที่ 8.1 ไมเคิล ฟาราเดย์ นักวิทยาศา ตร์ชาวอังกฤษ 188
รูปที่ 8.2 การเคลื่อนที่ของลวดตัวนาภายใน นามแม่เหล็ก 189
รูปที่ 8.3 ่วนประกอบของเครื่องกาเนิดไฟฟ้าเบื้องต้น 190
รูปที่ 8.4 แรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาที่ตาแหน่ง 0 องศา 191
รูปที่ 8.5 แรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาที่ตาแหน่ง 0-90 องศา 191
รูปที่ 8.9 ลักษณะ ัญญาณคลื่นไซน์เทียบกับเวลา 194
รูปที่ 8.10 การเปรียบเทียบ ัญญาณคลื่นไซน์กับการเคลื่อนที่เป็นวงกลม 195
รูปที่ 8.11 ค่าแรงดันพื้นฐานแบบต่าง ๆ ของ ัญญาณคลื่นไซน์ 196
รูปที่ 8.12 ัญญาณคลื่นไซน์ าหรับตัวอย่างที่ 8.1 201
รูปที่ 9.1 รอยต่อพีเอ็นและบริเวณปลอดพาหะ 209
รูปที่ 9.2 การไบแอ ไปหน้า 210
รูปที่ 9.3 การไบแอ ย้อนกลับ 210
รูปที่ 9.4 ตัวอย่างกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดเมื่อกาหนดให้
VT = 0.0259 V, 2 และ I S 60 10 9 A 212
รูปที่ 9.5 กราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดเบอร์ 1N400X ใน เกลลอการิทึม 213
[13]
รูปที่ 9.6 (ก) วงจรไดโอด (ข) เ ้นโหลดที่วาดลงบนกราฟคุณลักษณะกระแ และ

แรงดันของไดโอด 215
รูปที่ 9.7 เ ้นโหลดบนกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดในตัวอย่างที่ 9.2 217
รูปที่ 9.8 กราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดอุดมคติ 217
รูปที่ 9.9 (ก) แผนภาพวงจรของแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วง (ข) กราฟคุณลักษณะของ
แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงเปรียบเทียบกับกราฟคุณลักษณะที่ไม่เป็นเชิงเ ้น 218
รูปที่ 9.10 การกาหนดจุดบนกราฟเ ้นโค้งเพื่อหาความชันของกราฟเ ้นตรงและตาแหน่ง
ของจุดแยก 219
รูปที่ 9.11 กราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอด าหรับตัวอย่างที่ 9.3 220
รูปที่ 9.12 (ก) ตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น และ (ข) การใช้แบบจาลองเชิงเ ้น
แบบเป็นช่วงของไดโอดในวงจรตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น 221
รูปที่ 9.13 เปรียบเทียบ ัญญาณอินพุตกับ ัญญาณเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น 222
รูปที่ 9.14 เปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น
กรณีที่คิดค่า VD0 และกรณีที่ไม่คิดค่า VD0 224
รูปที่ 9.15 ตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ 225
รูปที่ 9.16 การใช้แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอดในตัวเรียงกระแ
แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ 226
รูปที่ 9.17 เปรียบเทียบ ัญญาณอินพุตกับ ัญญาณเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ
แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ 227
รูปที่ 9.18 เปอร์เซ็นต์ความแตกต่างระหว่างค่าแรงดันกระแ ตรงของตัวเรียงกระแ
ทั้ง องแบบ 229
รูปที่ 10.1 วงจรพื้นฐานโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียว 234
รูปที่ 10.2 เกลของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ
รูปที่ 10.3 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ าหรับตัวอย่างที่ 10.1 236
รูปที่ 10.4 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียว
ที่ใช้งานจริง 237
รูปที่ 10.6 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด 238
รูปที่ 10.8 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์
พิ ัยการวัดเดียว 240
[14]
รูปที่ 10.10 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์

หลายพิ ัยการวัด 243
[15]
ารบัญตาราง
ตารางที่ หน้า
ตารางที่ 1.1 ปริมาณฐานและหน่วยฐานของหน่วยวัดเอ ไอ 16
ตารางที่ 1.2 ตัวอย่างปริมาณอนุพันธ์และหน่วยอนุพันธ์ 16
ตารางที่ 2.1 ตัวอย่างค่าความต้านทานจาเพาะวั ดุตัวนาชนิดต่าง ๆ 40
รายละเอียดของรายวิชา
หมวดที่ 1 ข้อมูลทั่วไป
1. รหั และชื่อรายวิชา
5582120 เครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า
2. จานวนหน่วยกิต
3(3-0-6)
3. หลัก ูตรและประเภทของรายวิชา
วิศวกรรมศา ตรบัณฑิต าขาวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิก ์ วิชาเฉพาะกลุ่มพื้นฐานทาง
วิศวกรรม
4. อาจารย์ผู้รับผิดชอบรายวิชาและผู้ อน
นายอภิฌาน กาญจนวาป ถิตย์
5. ภาคการศึกษา/ชั้นปีที่เรียน
ภาคการศึกษาที่ 1 ปีการศึกษา 2555 ชั้นปีที่ 3
6. รายวิชาที่ต้องเรียนมาก่อน
ไม่มี
7. รายวิชาที่ต้องเรียนพร้อมกัน
ไม่มี
8. ถานที่เรียน
อาคาร TB5 มหาวิทยาลัยราชภัฏอุดรธานี ศูนย์การศึกษา ามพร้าว
9. วันที่จัดทาหรือปรับปรุงรายละเอียดของรายวิชาครั้งล่า ุด
1 พฤษภาคม 2555
หมวดที่ 2 จุดมุ่งหมายและวัตถุประ งค์

1. จุดมุ่งหมายของรายวิชา
1. ามารถอธิบายเกี่ยวกับความรู้ทางมาตรวิทยาเบื้องต้น เช่น ประเภทของมาตรวิทยา
หน่วยงานที่กากับดูแลมาตรวิทยาของประเทศไทยและระหว่างประเทศ ระบบหน่วยวัด
เอ ไอ ลาดับชั้นของมาตรฐานการวัด การ อบเทียบและการ อบกลับได้ วิธีการวัด
และ ่ ว นประกอบของเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า ศัพท์บัญญัติทางมาตรวิทยา และการ
คานวณความคลาดเคลื่อนการวัดแบบต่าง ๆ
2. ามารถวิเคราะห์ และคานวณวงจรไฟฟ้า ด้วยการใช้กฎของโอห์ ม และกฎของเคอร์
ชอฟฟ์ เพื่อเป็นพื้นฐานในการวิเคราะห์และออกแบบวงจรเครื่องมือวัดทางไฟฟ้าแบบ
พื้นฐาน และ ามารถใช้ทฤษฎีบทเทเวนินช่วยวิเคราะห์การเปลี่ยนโหลด
2 รายละเอียดของรายวิชา
3. ามารถอธิบายวิธีการเกิดแรงบนลวดที่วางใน นามแม่เหล็ก โครง ร้างและการทางาน

ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี รวมทั้งคานวณแรงทางกลที่เกิดขึ้น
4. ามารถออกแบบ คานวณ และวิเคราะห์การขยายพิ ัยการวัดแบบต่าง ๆ ของวงจร
แอมมิเตอร์กระแ ตรงที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
5. ามารถออกแบบ คานวณ และวิเคราะห์การขยายพิ ัยการวัดแบบต่าง ๆ ของวงจร
โวลต์มิเตอร์กระแ ตรงที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
6. ามารถออกแบบ คานวณ และวิเคราะห์วงจรโอห์มมิเตอร์แบบอนุกรมและแบบขนานที่
ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
7. ามารถออกแบบ คานวณ และวิเคราะห์วงจรบริดจ์กระแ ตรงเพื่อใช้ในการวัดความ
ต้านทาน ทั้งแบบวีต โตนบริดจ์และแบบเคลวินบริดจ์
8. ามารถอธิบายเกี่ยวกับการกาเนินไฟฟ้ากระแ ลับรูปคลื่นไซน์จากเครื่องกาเนิดไฟฟ้า
และคานวณพารามิเตอร์ต่าง ๆ ของ ัญญาณรูปคลื่นไซน์
9. ามารถอธิบ ายการทางานของไดโอด แบบจาลองเชิงเ ้ นเป็นช่ว งของไดโอด และ
ออกแบบและคานวณวงจรประยุกต์ไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่นและแบบเต็ม
คลื่นชนิดบริดจ์
10. ามารถออกแบบ ค านวณ และวิ เ คราะห์ ก ารขยายพิ ั ย การวั ด วงจรโวลต์ มิ เ ตอร์
กระแ ลับที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ทั้งแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นและ
ตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์
2. วัตถุประ งค์ในการพัฒนา/ปรับปรุงรายวิชา
-
หมวดที่ 3 ลักษณะและการดาเนินการ
1. คาอธิบายรายวิชา
ศึกษาเกี่ยวกับมาตรวิทยาเบื้องต้น การวิเคราะห์ คานวณวงจรด้วย กฎของโอห์ม กฎของ
เคอร์ชอฟฟ์ ทฤษฎีบทของเทเวนิน โครง ร้างและการทางานของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี การ
ออกแบบและคานวณแอมมิเตอร์กระแ ตรง การออกแบบและคานวณโวลต์มิเตอร์กระแ ตรง การ
ออกแบบและคานวณโอห์มมิเตอร์ การออกแบบและคานวณบริดจ์กระแ ตรง คานวณพารามิเตอร์
ไฟฟ้ากระแ ลับ การทางานของไดโอดและคานวณวงจรประยุกต์ใช้ในตัวเรียงกระแ ออกแบบและ
คานวณโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ
เอก ารประกอบการ อนวิชาเครือ่ งมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า
2. จานวนชั่วโมงที่ใช้ต่อภาคการศึกษา
บรรยาย ฝึกปฏิบัติ ศึกษาด้วยตนเอง
อนเ ริม
(ชั่วโมง) (ชั่วโมง) (ชั่วโมง)
45 0 90 ตามความต้องการของ
นักศึกษาเฉพาะราย
3.จานวนชั่วโมงต่อ ัปดาห์ที่อาจารย์ให้คาปรึกษาและแนะนาทางวิชาการแก่นักศึกษาเป็น
รายบุคคล
- อาจารย์ประจารายวิชาแจ้งให้นักศึกษาทราบเกี่ยวกับห้องทางาน ตาราง อน เวลาว่าง
ในแต่ละ ัปดาห์
- อาจารย์ประจาวิชาจัดเวลาให้คาปรึกษาอย่างน้อย 1 ชั่วโมงต่อ ัปดาห์
หมวดที่ 4 การพัฒนาผลการเรียนรู้ของนักศึกษา
1. คุณธรรมจริยธรรม
1.1 คุณธรรมจริยธรรมที่ต้องพัฒนา
1) ความอดทนและความรับผิดชอบ
2) ความมี ัมมาคาระวะ
3) ความมีวินัยและการตรงต่อเวลา
4) การแต่งกายและบุคลิกภาพ
1.2 วิธี อน
1) เน้นผู้เรียนเป็นศูนย์กลาง
1.3 วิธีการประเมินผล
1) ังเกตพฤติกรรมการแ ดงออกในชั้นเรียน
2) ังเกตพฤติกรรมการเข้าเรียน การ ่งงาน
3) ประเมินผลการนาเ นองานที่มอบหมาย
2. ความรู้
2.1 ความรู้ที่ต้องได้รับ
1) มีความรู้ความเข้าใจเกี่ยวกับการทางานของเครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า
2) มีความรู้ความเข้าใจในการวิเคราะห์ คานวณ ออกแบบ วงจรของเครื่องมือวัดทาง
ไฟฟ้า
บรรยาย การเรียนรู้แบบมี ่วนร่วมภาคทฤษฎี
1) ทด อบความรู้ความเข้าใจ
3 ทักษะทางปัญญา
3.1 ทักษะทางปัญญาที่ต้องพัฒนา
พัฒนาความ ามารถในการคิดอย่างเป็นระบบ มีการนาความรู้ใน ่วนของทฤษฎีมา
ังเคราะห์
1) วิธีการ อนแบบต่างๆ ในภาคทฤษฎี
2) มอบหมายงานให้ศึกษาด้วยตนเองจากเว็บไซต์
1) ทด อบความรู้ความเข้าใจ
2) ตรวจผลงาน
4 ทักษะความ ัมพันธ์ระหว่างบุคคลและควา มรับผิดชอบที่ต้องพัฒนา

4.1 ทักษะความ ัมพันธ์ระหว่างบุคคลและความรับผิดชอบที่ต้องพัฒนา
1) พัฒนาทักษะในการ ร้าง ัมพันธภาพระหว่างผู้เรียนด้วยกัน
2) พัฒนาความเป็นผู้นาและผู้ตามในการทางานเป็นทีม
3) พัฒนาการเรียนรู้ด้วยตนเอง และมีความรับผิดชอบในงานที่มอบหมาย
1) มอบหมายงานทั้งรายบุคคลและรายกลุ่ม
1) ังเกตการนาเ นอผลงาน พฤติกรรมการทางานเป็นทีม
2) ตรวจผลงาน รายงานการศึกษาค้นคว้า
5 ทักษะการวิเคราะห์เชิงตัวเลข การ ื่อ าร การใช้เทคโนโลยี าร นเทศ

5.1 ทักษะการวิเคราะห์เชิงตัวเลข การ ื่อ าร การใช้เทคโนโลยี าร นเทศที่ต้อง
พัฒนา
1) ทักษะในการ ื่อ ารทั้งการพูด การฟัง การเขียน โดยการทารายงาน
2) ทักษะในการวิเคราะห์ข้อมูล
3) ทักษะในการ ืบค้นข้อมูลทางอินเทอร์เน็ต
4) ทักษะในการใช้เทคโนโลยีในการ ื่อ าร
5) ทักษะในการใช้อุปกรณ์และเทคโนโลยีในการนาเ นอผลงาน
1) มอบหมายงานให้ศึกษาค้นคว้าด้วยตนเองจากเว็บไซต์
2) นาเ นอผลงานโดยใช้รูปแบบและเทคโนโลยีที่เหมาะ ม
1) ังเกตพฤติกรรมในการ ื่อ าร
2) ตรวจ อบความเหมาะ มในการเลือกใช้ ื่อเทคโนโลยี
3) ตรวจผลงาน
หมวดที่ 5 แผนการ อนและการประเมินผล

1. แผนการ อน
ครั้ง เรื่อง จานวน กิจกรรม/การบ้าน/
ที่ ชัว่ โมง อื่น ๆ
1 แนะนาการเรียนการ อน จุดมุ่งหมายและวัตถุประ งค์ 3 ค้นคว้าและทา
ของรายวิชาวิธีการวัดผล วิธีการประเมินผล ทรัพยากร รายงานตามที่ได้รับ
ประกอบการเรี ย นการ อน ประเภทของมาตรวิทยา มอบหมาย
หน่วยงานกากับดูแลมาตรวิทยา ระบบหน่วยวัดเอ ไอ
2 ลาดับชั้น มาตรฐานการวัด มาตรฐานการวัดแห่งชาติ 3 ทาแบบฝึกหัดและ
ของไทย การ อบเทียบและการ อบกลับได้ วิธีการของ ทาการบ้าน
การวัด ่วนประกอบของเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า ศัพท์
บัญญัติมาตรวิทยา ความคลาดเคลื่อนการวัด
3 ความต้ านทาน ตัว ต้านทาน การต่อตัว ต้านทานแบบ 3 ทาแบบฝึกหัดและ
อนุ กรมและแบบขนาน การต่อตัว ต้านทานแบบผ ม ทาการบ้าน
การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทาน
4 กฎของโอห์ม กฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ กฎแรงดันของ 3 ทาแบบฝึกหัดและ
เคอร์ชอฟฟ์ ทาการบ้าน
5 การแก้ปัญหาวงจรด้วยกฎของเคอร์ชอฟฟ์ ทฤษฎีบท 3 ทาแบบฝึกหัดและ
ของเทเวนิน ทาการบ้าน
6 ประวัติความเป็นมาของแกลแวนอมิเตอร์ การเกิดแรง 3 ทาแบบฝึกหัดและ
บนลวดตัวน าใน นามแม่เหล็ก แกลแวนอมิเตอร์ของ ทาการบ้าน
ดาร์ ันวาล เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
7 อบกลางภาค 3
8 การขยายพิ ัยการวัดแอมมิเตอร์ การต่อแอมมิเตอร์เข้า 3 ทาแบบฝึกหัดและ
กับวงจร ความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์ ผลการ ทาการบ้าน
โหลดของแอมมิเตอร์
9 การขยายพิ ัย การวัดโวลต์มิเตอร์กระแ ตรง การต่อ 3 ทาแบบฝึกหัดและ
โวลต์ มิ เ ตอร์ ก ระแ ตรงเข้ า กั บ วงจร ความต้ า นทาน ทาการบ้าน
ภายในของโวลต์มิเตอร์กระแ ตรง ผลการโหลดของ
โวลต์มิเตอร์กระแ ตรง
10 โอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบพื้นฐาน, แบบตัวต้านทาน 3 ทาแบบฝึกหัดและ
ปรับศูนย์ ต่ออนุกรม, แบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อ ทาการบ้าน
ขนาน และโอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน
11 วีต โตนบริดจ์ใน ภาวะ มดุล วีต โตนบริดจ์ใน ภาวะ 3 ทาแบบฝึกหัดและ
ไม่ มดุล วีต โตนบริดจ์ ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อย ทาการบ้าน
ข้ อ จ ากั ด ของวี ต โตนบริ ด จ์ เคลวิ น บริ ด จ์ การ
ประยุกต์ใช้งานบริดจ์กระแ ตรง
12 การค้นพบแรงเคลื่อนไฟฟ้า เหนี่ยวนา หลักการเครื่อง 3 ทาแบบฝึกหัดและ
กาเนิดไฟฟ้ากระแ ลับ คาบและความถี่ ัญญาณคลื่น ทาการบ้าน
ไซน์ พารามิเตอร์ต่าง ๆของ ัญญาณคลื่นไซน์
13 ่วนประกอบของไดโอด รอยต่อพีเอ็นและบริเวณปลอด 3 ทาแบบฝึกหัดและ
พาหะ การไบแอ ไดโอด คุ ณ ลั ก ษณะกระแ และ ทาการบ้าน
แรงดันของไดโอด
14 การหากระแ และแรงดันไดโอดด้วยวิธีวาดเ ้นโหลด 3 ทาแบบฝึกหัดและ
แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอด การประยุกต์ใช้ ทาการบ้าน
ไดโอดในตัวเรียงกระแ
15 การขยายพิ ัยการวัดโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัว 3 ทาแบบฝึกหัดและ
เรียงกระแ ครึ่งคลื่นและตัว เรียงกระแ เต็มเคลื่นชนิด ทาการบ้าน
บริ ด จ์ คว ามต้ า นทานภายในของโว ลต์ มิ เ ตอร์
กระแ ลับ ความไวกระแ ลับ
16 ทบทวนเนื้อหาตั้งแต่ ัปดาห์ที่ 8 ถึง ัปดาห์ที่ 15 เพื่อ 3 ทาแบบฝึกหัด
เตรียมตัว อบปลายภาค
17 อบปลายภาค 3
2. แผนการประเมินผลการเรียนรู้
งาน/กิจกรรมที่ใช้ในการประเมิน ปั ดาห์ที่ ัด ่วนของคะแนน

1. คุณธรรมจริยธรรม ตลอดภาคการศึกษา 10
2. การปฏิบัติงานเดี่ยว 30
2.1 แบบฝึกหัด ตลอดภาคการศึกษา
2.2 แบบทด อบ
2.3 รายงาน
3. อบกลางภาค ปั ดาห์ที่ 7 30
4. อบปลายภาค ัปดาห์ที่ 17 30
หมวดที่ 6 ทรัพยากรประกอบการเรียนการ อน
1. ตาราและเอก ารหลัก
เอก ารประกอบการ อนวิชาเครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า
2. เอก ารและข้อมูลแนะนา
U.A. Bakshi, A. V. Bakshi and K.A. Bakshi. (2009). Electrical Measurements
and Instrumentation. Technical Publications Pune.
ประยูร เชี่ยววัฒนา. (2537). เครื่องวัดและการวัดทางไฟฟ้า. มาคม ่งเ ริมเทคโนโลยี
(ไทย-ญี่ปุ่น).
มงคล ทอง งคราม. (2534). ทฤษฎีเครื่องวัดไฟฟ้า. รามาการพิมพ์.
ศักรินทร์ โ นันทะ. (2553). เครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า. ซีเอ็ดยูเคชั่น.
เอก ไชย วั ดิ์. (2547). การวัดและเครื่องวัดไฟฟ้า. มาคม ่งเ ริมเทคโนโลยี (ไทย-
ญี่ปุ่น).
3. แหล่งเรียนรู้
- เว็บไซต์ต่าง ๆ ที่เกี่ยวข้องกับรายวิชา
หมวดที่ 7 การประเมินและปรับปรุงการดาเนินการของรายวิชา
1. กลยุทธ์การประเมินประ ิทธิผลของรายวิชาโดยนักศึกษา
1) การประเมินประ ิทธิผลรายวิชาโดยนักศึกษาใช้วิธีตอบแบบ อบถามเพื่อประเมินผู้ อน
และประเมินความพึงพอใจต่อรายวิชา
2. กลยุทธ์การประเมินการ อน
การเก็บข้อมูลเพื่อประเมินการ อนมีกลยุทธ์ดังนี้
1) ระดับผลการเรียนของนักศึกษา
3. การปรับปรุงการ อน
เมื่อได้ผลประเมินการ อน นาข้อมูลมาวิเคราะห์หาแนวทางพัฒนาปรับปรุงการเรียนการ
อนให้ดีขึ้น
4. การทวน อบมาตรฐานผล ัมฤทธิ์ของนักศึกษาในรายวิชา

1) ทวน อบจากคะแนนข้อ อบ
2) ทวน อบจากการตรวจผลงานที่มอบหมาย
5. การดาเนินการทบทวนและวางแผนปรับปรุงประ ิทธิผลของรายวิชา
ผลจากการประเมินโดยนักศึกษาและการประเมินจากระดับผลการเรียนของนักศึกษา จะใช้
ในการวางแผนปรับปรุงการ อนและรายละเอียดวิชา เพื่อให้เกิดคุณภาพมากขึ้นดังนี้
แผนบริหารการ อนประจาบทที่ 1
มาตรวิทยาเบื้องต้น
หัวข้อเนื้อหา
1.1 บทนา
1.2 ประเภทของมาตรวิทยา
1.3 หน่วยงานกากับดูแลมาตรวิทยาของประเทศไทย
1.4 หน่วยงานกากับดูแลมาตรวิทยาระหว่างประเทศ
1.5 ระบบหน่วยวัดเอ ไอ
1.6 ลาดับชั้นของมาตรฐานการวัด
1.7 มาตรฐานการวัดแห่งชาติของประเทศไทย
1.8 การ อบเทียบและการ อบกลับได้
1.9 วิธีการของการวัด
1.9.1 วิธีการวัดโดยตรง
1.9.2 วิธีการวัดโดยอ้อม
1.10 ่วนประกอบของเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า
1.11 ศัพท์บัญญัติมาตรวิทยา
วัตถุประ งค์เชิงพฤติกรรม
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจเกี่ยวกับมาตรวิทยาเบื้องต้น เช่น การแบ่งประเภทของมาตร
วิทยา หน่วยงานกากับดูแลมาตรวิทยา ระบบหน่วยวัดเอ ไอ ลาดับชั้นของมาตรฐานการวัด
และมาตรฐานการวัดแห่งชาติของประเทศ
2. เพื่อให้ผู้เรียนเข้าใจความหมายของคาว่าการ อบเทียบและการ อบกลับได้
3. เพื่อให้ผู้เรียนรู้ประเภทของการวัดทั้งวิธีวัดโดยตรงและวิธีวัดโดยอ้อม
4. เพื่ อให้ ผู้ เ รี ย นรู้ ่ ว นประกอบของเครื่อ งมือ วัด และ ามารถแยะแยะ ่ ว นประกอบของ
เครื่องมือวัดจริงได้
5. เพื่อให้ผู้เรียนรู้จักคาศัพท์ที่ใช้ในวงการมาตรวิทยา
6. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่าความคลาดเคลื่อนแบบต่าง ๆ ได้
วิธี อนและกิจกรรมการเรียนการ อนประจาบท

1. บรรยายเนื้อหาในแต่ละหัวข้อ พร้อมยกตัวอย่างประกอบ
2. ศึกษาจากเอก ารประกอบการ อน
10 แผนบริหารการ อนประจาบทที่ 1
3. ผู้ อน รุปเนื้อหา
4. ทาแบบฝึกหัดเพื่อทบทวนบทเรียน
5. ผู้เรียนถามข้อ ง ัย
6. ผู้ อนทาการซักถาม
7. ผู้เรียนศึกษาความรู้เพิ่มเติมด้วยการทารายงาน
ื่อการเรียนการ อน
1. เอก ารประกอบการ อนวิชาเครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า
2. ภาพเลื่อน
การวัดและการประเมินผล
1. ประเมินจากการซักถามในชั้นเรียน
2. ประเมินจากความร่วมมือและความรับผิดชอบต่อการเรียน
3. ประเมินจากการทาแบบฝึกหัดทบทวนท้ายบทเรียน
บทที่ 1
มาตรวิทยาเบื้องต้น
(Introduction to Metrology)
1.1 บทนา
การวัด (Measurement) คือ ปฏิบัติการด้วยการใช้เครื่องมือที่มีจุดประ งค์เพื่อการตัด ิน
ค่าออกมาเป็นตัวเลขของปริมาณที่ต้องการวัด เช่น การชั่งน้้าหนักด้วยเครื่องชั่งน้้าหนัก การอ่าน
ระดับอุณหภูมิของอากาศด้วยเทอร์โมมิเตอร์ การวัดมีความ ้าคัญต่อการด้าเนินชีวิตของมนุษย์มา
ตั้งแต่ครั้งโบราณกาล ดังจะเห็นได้จากหลักฐานระบบการชั่งตวงวัดทีไ่ ด้ปรากฏในอารยธรรมลุ่มแม่น้า
ินธุ (Indus Valley Civilization) เมื่อประมาณ ามพันปีก่อนคริ ตกาลดังแ ดงในรูปที่ 1.1
ปัจจุบันการวัดก็ยังด้ารงอยู่ในหลาย ๆ กิจกรรมประจ้าวันของมนุษย์ การวัดนอกจากจะมีประโยชน์
กับมนุษย์แล้วยังมีความ ้าคัญต่อความรู้ทางวิชาการในหลากหลาย าขา เช่น าขาวิทยาศา ตร์
าขาวิศวกรรมศา ตร์ าขาแพทย์ศา ตร์ าขาเศรษฐศา ตร์ ฯลฯ
รูปที่ 1.1 ตราชั่งและน้้าหนักถ่วงที่ค้นพบในอารยธรรมลุ่มแม่น้า ินธุ

(ที่มาของภาพ: http://downloads.bbc.co.uk/rmhttp/schools/primaryhistory/images/
indus_valley/trade_and_travel/i_scales.jpg)
วิทยาศา ตร์แห่งการวัดและการประยุกต์ใช้ เรียกว่า มาตรวิทยา (Metrology) ประกอบไป

ด้วยกิจกรรม 3 กิจกรรมหลัก ได้แก่ การก้าหนดนิยามหรือค้าจ้ากัดความของการวัด การท้าให้นิยาม
การวัดเป็นจริงในทางปฏิบัติ รวมถึงการก้าหนดมาตรฐานการวัด และการเชื่อมโยงผลการวัดกลับไป
ยังมาตรฐานการวัด หรือที่เรียกว่า การ อบกลับได้ของการวัด (Traceability of Measurement)
12 บทที่ 1 มาตรวิทยาเบื้องต้น
บทนี้ ่วนแรกจะอธิบายถึง องค์ประกอบต่าง ๆ ที่เกี่ยวข้องกับมาตรวิทยาเบื้องต้น ได้แก่

ประเภทของมาตรวิทยา หน่วยงานก้ากับดูแลมาตรวิทยาทั้งของประเทศไทยและระหว่างประเทศ
ระบบหน่วยวัดเอ ไอ ล้าดับชั้นของมาตรฐานการวัด มาตรฐานการวัดแห่งชาติของประเทศไทย และ
การ อบเที ย บและการ อบกลั บ ได้ ่ ว นที่ องจะเกี่ ย วกั บ วิ ธี ก ารวั ด ของเครื่ อ งมื อ วั ด แ ละ
่ ว นประกอบของเครื่ อ งมื อ วั ด อย่ า งไรก็ ต าม เนื่ อ งจากเอก ารประกอบการ อนนี้ ใ ช้ ้ า หรั บ
ประกอบการ อนวิชาเครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า การยกตัวอย่างและการอธิบายจึงจะเกี่ยวกับ
เครื่องมือวัดทางไฟฟ้าเท่านั้น
1.2 ประเภทของมาตรวิทยา (Types of Metrology)

ามารถแบ่งประเภทของมาตรวิทยาออกเป็น 3 ประเภท ได้แก่
1. มาตรวิทยาเชิงวิทยาศา ตร์ (Scientific Metrology) เกี่ยวข้องกับการ ร้างระบบของ
หน่วยวัด, หน่วยของการวัด, การพัฒนาวิธีการวัดแบบใหม่, การท้าให้มาตรฐานการวัด
เป็นจริง และการ ่งต่อการ อบกลับได้ของการวัดจากมาตรฐานการวัดไปยังผู้ใช้งาน
2. มาตรวิทยาเชิงอุต าหกรรม (Industrial Metrology) เกี่ยวกับการประยุกต์การวัดทาง
วิทยาศา ตร์ไปใช้กับการผลิตและกระบวนการต่าง ๆ ที่เกี่ยวข้อง, การท้าให้เครื่องมือ
วัดมีความเหมาะ มในการน้าไปใช้ และการ อบเทียบ (Calibration) เครื่องมือวัดและ
ควบคุมคุณภาพการวัดของเครื่องมือวัด
3. มาตรวิทยาเชิงกฎหมาย (Legal Metrology) เกี่ยวข้องกับกิจกรรมที่มีผลจากความ
ต้องการทางกฎหมายที่เกี่ยวข้องกับการวัด , หน่วยของการวัด, เครื่องมือวัดและวิธีการ
วัด, ความต้องการทางกฎหมายอาจเกิดจากความต้องการใน ิ่งเหล่านี้ เช่น การป้องกัน
ุขภาพ ความปลอดภัยของ าธารณะ ิ่งแวดล้อม การจัดเก็บภาษี การป้องกันผู้บริโภค
และการค้าเ รี
1.3 หน่วยงานกากับดูแลมาตรวิทยาของประเทศไทย
ประเทศไทยมี ถาบันมาตรวิทยาแห่งชาติ (National Institute of Metrology) ังกัด
กระทรวงวิทยาศา ตร์ และเทคโนโลยี เป็นหน่ว ยงานของรัฐ ที่บริห ารงานเป็นอิ ระ จัดตั้ง ตาม
พระราชบัญญัติพัฒนาระบบมาตรวิทยาแห่งชาติ พ.ศ. 2540 ปัจจุบัน ถานที่ตั้งอยู่ที่เทคโนธานี
ต้าบลคลองห้า อ้าเภอคลองหลวง จังหวัดปทุมธานี ถาบันมาตรวิทยาแห่งชาติ เป็น ถานที่เก็บ
รักษามาตรฐานการวัดแห่ งชาติ นอกจากนั้น ยังมีห น้าที่ นับ นุนการถ่ายทอดความถูกต้องของ
มาตรฐานการวัดไป ู่ผู้ใช้งานภายในประเทศ และการวิจัยพัฒนาด้านมาตรวิทยา ถาบันมาตรวิทยา
แห่งชาติจึงเกี่ยวข้องกับมาตรวิทยาเชิงวิทยาศา ตร์และเชิงอุต าหกรรม ่วนด้านมาตรวิทยาเชิง
กฎหมาย ประเทศไทยได้มีการก้าหนดพระราชบัญญัติมาตราชั่งตวงวัด พ.ศ. 2542 มี ้านักงานกลาง
ชั่งตวงวัด ั งกัดกระทรวงพาณิช ย์ ปัจจุบัน ถานที่ตั้งอยู่ที่ กรมการค้าภายใน ต้าบลบางกระ อ

อ้าเภอเมือง จังหวัดนนทบุรี ตัวอย่างหน้าที่ความรับผิดชอบของ ้านักงานกลางชั่งตวงวัด เช่น การ
ก้าหนดหลักเกณฑ์การเป็นผู้ประกอบธุรกิจที่เกี่ยวข้องกับเครื่องชั่งตวงวัด จัดเก็บและวิเคราะห์
ข้อมูล ถิติเกี่ยวกับงานชั่งตวงวัด
1.4 หน่วยงานกากับดูแลมาตรวิทยาระหว่างประเทศ
เพื่อให้การซื้อขายแลกเปลี่ยน ินค้าระหว่างประเทศเป็นไปอย่างราบรื่น ในปี ค.ศ. 1875
นานาประเทศจึงได้มีข้อตกลงระหว่างประเทศว่ าด้วย มาตรวัดปริมาณทางกายภาพเพื่อให้ประเทศ
มาชิ ก ใช้ ร ะบบของหน่ ว ยวั ด แบบเดี ย วกั น ข้ อ ตกลงนี้ เ รี ย กว่ า นธิ ั ญ ญาเมตริ ก (Metre
Convention or Treaty of the Metre) เบื้องต้นมีประเทศทั้งหมด 17 ประเทศร่วมลงนามใน
นธิ ัญญาที่ประเทศฝรั่งเศ ปัจจุบันประเทศ มาชิกที่ลงนามใน นธิ ัญญาเมตริกมีทั้งหมด 55
ประเทศ ประเทศไทยได้ลงนามในปี ค.ศ. 1912 นธิ ัญญาเมตริก ่งผลให้มีการพัฒนากลไกซึ่งท้า
ให้เกิดความเชื่อมั่นในความเท่าเทียมกันของมาตรฐานการวัดปริมาณทางกายภาพระหว่างประเทศ
โดยได้ก้าหนดให้มีการจัดตั้งองค์กรระหว่างประเทศและการด้าเนินการเพื่อให้บรรลุวัตถุประ งค์ที่
ก้าหนดไว้ องค์กรระหว่างประเทศที่ นธิ ัญญาเมตริกก้าหนดให้จัดตั้งขึ้น ได้แก่
1) การประชุมทั่วไปว่าด้วยการชั่งตวงวัด (General Conference of Weights and
Measures: CGPM) มีชื่อย่อว่า ซีจีพีเอ็ม เป็นการประชุมที่จัดขึ้นทุก ๆ 4 ถึง 6 ปี มี
ผู้แทนจากประเทศ มาชิกเข้าร่วมการประชุม การประชุมครั้งที่ 11 ที่จัดขึ้นในปี ค.ศ.
1960 ได้มีการจัดตั้งระบบหน่วยวัดระหว่างประเทศ (International System of
Units: SI Units) หรือ ระบบหน่วยวัดเอ ไอ
2) คณะกรรมการชั่งตวงวัดระหว่างประเทศ (International Committee for Weights
and Measures: CIPM) มีชื่อย่อว่า ซีไอพีเอ็ม เป็นองค์กรที่ท้าหน้าที่ให้ค้าปรึกษาแก่
การประชุมทั่วไปว่าด้วยการชั่งตวงวัด ปัจจุบันประกอบด้วย มาชิกทั้งหมด 18 คนจาก
ประเทศ มาชิก นอกจากนั้นต่อมาภายหลัง คณะกรรมการชั่งตวงวัดระหว่างประเทศได้
จัดตั้งคณะกรรมการที่ปรึกษาหลายคณะเพื่อท้าหน้าที่ให้ ค้าปรึกษาทางวิช าการต่อ
คณะกรรมการชั่งตวงวัดระหว่างประเทศ เช่น คณะกรรมการที่ปรึ กษาด้านไฟฟ้าและ
แม่เหล็ก (Consultative Committee for Electricity and Magnetism: CCE)
คณะกรรมการที่ปรึ กษาด้านการวัดความร้อน (Consultative Committee for
Thermometry: CCT) คณะกรรมการที่ปรึกษาด้านความยาว (Consultative
Committee for Length: CCL)
3) ้านักงานชั่งตวงวัดระหว่างประเทศ (International Bureau of Weights and

Measures: BIPM) มีชื่อย่อว่า บีไอพีเอ็ม เป็นห้องปฏิบัติการตั้งอยู่ใกล้กรุงปารี
ประเทศฝรั่งเศ และเป็น ถานที่เก็บรักษาวัตถุที่เป็น กิโลกรัมต้นแบบระหว่างประเทศ
(International Prototype of Kilogram) (แ ดงในรูปที่ 1.2) นอกจากนั้น ้านักงาน
ชั่งตวงวัดระหว่างประเทศยังมีหน้าที่ให้บริการมาตรวิทยาต่อการประชุมทั่วไปว่าด้วย
การชั่งตวงวัดและคณะกรรมการชั่งตวงวัดระหว่างประเทศ
รูปที่ 1.2 กิโลกรัมต้นแบบระหว่างประเทศ

(ที่มาของภาพ:
http://www.bipm.org/utils/common/img/mass/prototype.jpg)
1.5 ระบบหน่วยวัดเอ ไอ (SI Units)

การประชุมทั่วไปว่าด้วยการชั่งตวงวัดครั้ง ที่ 1 มีมติให้ ร้างมาตรฐานต้นแบบ ้าหรับหน่วย
เมตร ซึ่งเป็นหน่วยการวัดความยาว และหน่วยกิโลกรัม ซึ่งเป็นหน่วยการวัดน้้าหนัก และเพื่อน้าไปใช้
ร่วมกับหน่วยวินาที ซึ่งนิยามจากปรากฏการณ์ทางดาราศา ตร์ใน มัยนั้น จึงถือว่า เมตร กิโลกรัม
และวินาที เป็นหน่วยวัดพื้นฐาน 3 หน่วยแรกของ นธิ ัญญาเมตริก ในปี ค.ศ. 1954 ได้มีการรับรอง
หน่วยวัดพื้นฐานเพิ่มเติม ประกอบด้วย หน่วยแอมแปร์ ซึ่งเป็นหน่วยกระแ ไฟฟ้า หน่วยเคลวิน ซึ่ง
เป็นหน่วยของอุณหภูมิทางอุณหพลศา ตร์ และหน่วยแคนเดลา ซึ่งเป็นหน่วยของความเข้มการ ่อง
ว่าง ในปี ค.ศ. 1960 ได้ตั้งชื่อระบบของหน่วยวัดที่ประกอบด้วยหน่วยฐานทั้ง 6 หน่วยว่า ระบบ
หน่ว ยวัดระหว่างประเทศ หรือระบบหน่วยวัดเอ ไอ ซึ่งเป็น หน่วยของการวัดที่มีพื้นฐานมาจาก
ปริมาณของหน่วยวัดโดยการท้าให้เป็นจริงจากนิยามของแต่ละปริมาณฐาน ในปีค.ศ. 1972 ระบบ
หน่วยวัดเอ ไอได้เพิ่มหน่วยฐานอีกหนึ่งหน่วย คือ หน่วยโมล ซึ่งเป็นหน่วย ้าหรับปริมาณของ าร

จึงท้าให้ระบบหน่วยวัดเอ ไอประกอบด้วยหน่วยฐานทั้งหมด 7 หน่วย ประกอบด้วย
1) ความยาว (Length) หน่วยวัดความยาวในระบบหน่วยเอ ไอ คือ เมตร (Metre: m)
ก้าหนดนิยาม 1 เมตร คือ ระยะทางที่แ งเดินทางใน ุญญากาศในช่วงเวลา 1/299,792,458 วินาที
2) มวล (Mass) หน่วยวัดมวลในระบบหน่วยเอ ไอ คือ กิโลกรัม (Kilogram: kg) ก้าหนด
นิยาม 1 กิโลกรัม คือ หน่วยของมวลซึ่งเท่ากับมวลของกิโลกรัมต้นแบบระหว่างประเทศที่เป็นวัตถุ
ทรงกระบอกท้าจากโลหะผ มระหว่างแพลทินัมกับอิริเดียม
3) เวลา (Time) หน่วยวัดเวลาในระบบหน่วยเอ ไอ คือ วินาที (Second: s) ก้าหนดนิยาม
1 วินาที คือ ระยะเวลาทีเ่ ท่ากับ 9,192,631,770 รอบ ของการแผ่รัง ีที่ มนัยกับการเปลี่ยนระดับไฮ
เพอร์ไฟน์ องระดับของอะตอมซีเซียม 133 ที่อยู่ใน ถานะพื้น (Ground State)
4) กระแ ไฟฟ้า (Electric Current) หน่วยวัดกระแ ไฟฟ้าในระบบหน่วยเอ ไอ คือ
แอมแปร์ (Ampere: A) ก้าหนดนิยาม 1 แอมแปร์ คือ ปริมาณกระแ ไฟฟ้าซึ่งท้าให้เกิดแรงขนาด
2x10-7 นิวตันต่อเมตร ระหว่างเ ้นลวด 2 เ ้นที่มีความยาวอนันต์ มีพื้นที่ภาคตัดขวางเล็กมากจนไม่
ต้องค้านึงถึง และเ ้นลวด 2 เ ้นวางขนานกันด้วยระยะห่าง 1 เมตรใน ุญญากาศ
5) อุณหภูมิทางอุณหพลศา ตร์ (Thermodynamic Temperature) หน่วยวัดอุณหภูมิใน
ระบบหน่วยเอ ไอ คือ เคลวิน (Kelvin: K) ก้าหนดนิยาม 1 เคลวิน คือ หน่วยของอุณหภูมิทางอุณ
หพลศา ตร์ ซึ่ ง เท่ า กั บ 1/273.16 ของอุ ณ หภู มิ ท างอุ ณ หพลศา ตร์ ข องจุ ด าม ถานะของน้้ า
ความหมายจุ ด าม ถานะของน้้ า คื อ จุ ด ที่ น้ า อยู่ ใ น ภาวะ มดุ ล ระหว่ า งความเป็ น ของแข็ ง
ของเหลว และไอ อุณหภูมิทางอุณหพลศา ตร์ที่จุด าม ถานะของน้้า เท่ากับ 273.16 เคลวิน
6) ความเข้มของการ ่อง ว่าง (Luminous Intensity) หน่วยวัดความเข้มของการ ่อง ว่าง
ในระบบหน่วยวัดเอ ไอ คือ แคนเดลา (Candela: cd) ก้าหนดนิยาม 1 แคนเดลา คือ ความเข้มของ
การ ่อง ว่างในทิศทางหนึ่งที่ก้าหนดของแหล่งก้าเนิดแ ง ีเดียวที่ความถี่ 540x1012 เฮิรตซ์ ด้วย
ความเข้มของ ่อง ว่างขนาด 1/683 วัตต์ต่อ เตอเรเดียนในทิศทางเดียวกันนั้น
7) ปริมาณของ าร (Amount of Substance) หน่วยวัดปริมาณ ารในระบบหน่วยวัดเอ
ไอ คือ โมล (Mole: mol) ก้าหนดนิยาม 1 โมล คือ หน่วยของปริมาณ ารของระบบที่ประกอบด้วย
องค์ประกอบมูลฐาน ซึ่งมีจ้านวนเท่ากับจ้านวนอะตอมของคาร์บอน 12 ที่มมี วล 0.012 กิโลกรัม
นอกจากหน่วยฐานทั้ง 7 หน่วย ยังมีการก้าหนดหน่วยวัด มุมขึ้นมา 2 หน่วย คือ การวัดมุม
ในพื้นที่ 2 มิติ มีหน่วยเป็น เรเดียน (Radian: rad) เป็นมุมระหว่างเ ้นรัศมี 2 เ ้นที่ลากจากจุด
ศูนย์กลางของวงกลมไปยังเ ้นรอบวง และการวัดมุมของปริมาตรทรงกลม มีหน่วยเป็น เตอเรเดียน
(Steradian: sr) เป็นมุมตันระหว่างเ ้นรัศมีที่ลากจากจุดศูนย์กลางไปยังพื้นที่บนผิวของทรงกลมที่มี
พื้นที่เท่ากับ ี่เหลี่ยมจัตุรั ที่ด้านแต่ละด้านยาวเท่ากับเ ้นรัศมีของทรงกลม หน่วยที่ก้าหนดขึ้นมา
นอกเหนือจากหน่วยฐานจะเรียกว่า หน่วยอนุพันธ์ (Derived Units) ซึ่งได้ก้าหนดขึ้นมามากมาย
หน่วยอนุพันธ์เกิดจากการรวมกันระหว่างหน่วยฐาน และระหว่างหน่วยอนุพันธ์ด้วยกันเอง ตารางที่

1.1 เป็นตารางแ ดงหน่วยฐาน และตารางที่ 1.2 เป็นตารางแ ดงตัวอย่างของหน่วยอนุพันธ์
ตารางที่ 1.1 ปริมาณฐานและหน่วยฐานของหน่วยวัดเอ ไอ

Base quantity Name of unit Unit symbol
length meter m
mass kilogram kg
time second s
electric current ampere A
thermodynamic temperature kelvin K
luminous intensity candela cd
amount of substance mole mol
ตารางที่ 1.2 ตัวอย่างปริมาณอนุพันธ์และหน่วยอนุพันธ์

Expression Expression
Unit in terms of in terms of
Derived quantity Name of unit
symbol other SI SI base
units units
area square meter m2 - -
volume cubic meter m3 - -
speed, velocity meter per second m/s - -
meter per second
acceleration m/s2 - -
squared
plane angle radian rad - m·m-1 = 1
solid angle steradian sr - m2·m-2 = 1
frequency hertz Hz - s-1
force newton N - m·kg·s-2
pressure, stress pascal Pa N/m2 m-1·kg·s-2
energy, work, quantity of

joule J N·m m2·kg·s-2
heat
power, radiant flux watt W J/s m2·kg·s-3
electric charge, quantity
coulomb C - s·A
of electricity
electric potential
difference, volt V W/A m2·kg·s-3·A-1
electromotive force
capacitance farad F C/V m-2·kg-1·s4·A2
electric resistance ohm V/A m2·kg·s-3·A-2
electric conductance siemens S A/V m-2·kg-1·s3·A2
magnetic flux weber Wb V·s m2·kg·s-2·A-1
magnetic flux density tesla T Wb/m2 kg·s-2·A-1
inductance henry H Wb/A m2·kg·s-2·A-2
Celsius temperature degree Celsius °C - K
1.6 ลาดับชั้นของมาตรฐานการวัด (Hierarchy of Measurement Standard)

มาตรฐานการวัด โดยความหมายรวม คือ การท้าให้นิยามการวัดเป็นจริงซึ่ง ามารถท้าได้
ด้วยระบบวัดหรือวั ดุอ้างอิง เพื่อให้ ระบบวัดหรือวั ดุอ้างอิง ามารถใช้ ในการอ้างอิง การวัดที่มี
มาตรฐานการวัดจึงมีรูปแบบ, วิธีการ หรือวั ดุอ้างอิงเดียวกัน มาตรฐานการวัดเป็นปัจจัยที่มี
ความ ้าคัญอย่างมากในระบบการวัด เมื่อการวัดมีมาตรฐานและการใช้หน่วยวัดที่มีมาตรฐานก็จะ
ช่วยเพิ่มระดับความเชื่อมั่นต่อผลของการวัด มาตรฐานการวัดจึงมีความ ้าคัญ ต่อหลายวงการ เช่น
การค้า การวิจัย การผลิต ินค้าอุต าหกรรม ฯลฯ
มาตรฐานการวัดได้ก้าหนดให้มีหลายล้าดับชั้นเพื่อประโยชน์ของการ อบเทียบและการ อบ
กลับได้ ทั้งนี้มาตรฐานการวัดที่อยู่ในระดับ ูงจะมีความถูกต้องการวัด ูงกว่ามาตรฐานการวัดที่มี
ระดับต่้ากว่า มาตรฐานการวัดประกอบด้วย
1) มาตรฐานการวัดระหว่างประเทศ (International Measurement Standard) เป็น
มาตรฐานที่ เ ป็ น ที่ ย อมรั บ โดยความตกลงระหว่ า งประเทศ เพื่ อ ใช้ เ ป็ น ฐานในการ
ก้ า หนดค่ า ให้ กั บ มาตรฐานอื่ น ๆ ที่ เ กี่ ย วข้ อ ง องค์ ก รที่ ใ ช้ ม าตรฐานการวั ด นี้ คื อ
้านักงานชั่งตวงวัดระหว่างประเทศ
2) มาตรฐานการวัดปฐมภูมิ (Primary Measurement Standard) เป็นมาตรฐานที่
ก้าหนดไว้ หรือได้รับการยอมรับอย่างกว้างขวางว่ามีคุณภาพทางมาตรวิทยา ูง ุด และ
ค่าที่ได้จากมาตรฐานปฐมภูมิได้รับการยอมรับโดยไม่มีการอ้างอิงถึงมาตรฐานอื่นที่เป็น
ปริ ม าณเดี ย วกั น องค์ก รที่ใ ช้ ม าตรฐานการวั ดนี้ คื อ ถาบั น มาตรวิ ท ยาของแต่ ล ะ
ประเทศ
3) มาตรฐานการวัดแห่งชาติ (National Measurement Standard) เป็นมาตรฐานที่
ได้รับการยอมรับจากทางการในระดับประเทศ เพื่อใช้เป็นฐานในการก้าหนดค่า ของ
ปริมาณที่เกี่ยวข้องไปยังมาตรฐานอื่น ๆ มาตรฐานการวัดแห่งชาติบ่อยครั้งจะเป็น
มาตรฐานการวัดปฐมภูมิ
4) มาตรฐานการวัดทุติยภูมิ (Secondary Measurement Standard) เป็นมาตรฐานที่ค่า
ของปริมาณได้มาจากการเปรียบเทียบกับมาตรฐานการวัดปฐมภูมิของปริมาณที่เป็น
ประเภทเดียวกัน การ อบเทียบมาตรฐานการวัดทุติยภูมิจะอ้างอิงกับมาตรฐานการวัด
ปฐมภูมิ องค์กรที่ใช้มาตรฐานการวัดทุติยภูมิ คือ ห้องปฏิบัติ การ อบเทียบของภาครัฐ
และเอกชน
5) มาตรฐานการวัดใช้งาน (Working Measurement Standard) เป็นมาตรฐานที่ใช้เป็น
ประจ้า ้าหรั บการ อบเทียบหรือทวน อบเครื่องมือวัดหรือระบบการวัด การ อบ
เทียบมาตรฐานการวัดจะอ้างอิงกับมาตรฐานทุติยภูมิ องค์กรที่ใช้มาตรฐานการวัดใช้
งาน คือ ห้องปฏิบัติการ อบเทียบในโรงงานอุต าหกรรมต่าง ๆ
1.7 มาตรฐานการวัดแห่งชาติของประเทศไทย
ถาบันมาตรวิทยาแห่งชาติได้เก็บรักษามาตรฐานแห่งชาติของประเทศไทย ประกอบด้วย
1) มาตรฐานการวั ด แห่ ง ชาติ ด้ า นมวล คื อ ตุ้ ม น้้ า หนั ก 1 กิ โ ลกรั ม ต้ น แบบ หมายเลข 80
(National Prototype No. 80) ดังแ ดงในรูปที่ 1.3
รูปที่ 1.3 ตุ้มน้้าหนัก 1 กิโลกรัมต้นแบบ หมายเลข 80

http://www.nimt.or.th/AboutUs/national_standard/04standard.png)
2) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความดัน คือ เครื่องวัดความดันมาตรฐานแบบเพร เชอร์บา

ลานซ์ (Pressure Balance) ทั้งแก๊ และไฮดรอลิก ซึ่งมีพิ ัยการวัด ูง ุดที่ 500 เมกกะพา
คัล (500 MPa) ดังแ ดงในรูปที่ 1.4
รูปที่ 1.4 เครื่องวัดความดันมาตรฐานแบบเพร เชอร์บาลานซ์

3) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้าน ุญญากาศ คือ เครื่องวัด ุญญากาศมาตรฐานแบบแคแพซิ

แทนซ์ไดอะแฟรมเกจ (Capacitance Diaphragm Gauge) ปินนิงโรเตอร์เกจ (Spinning
Rotor Gauge) และไอออไนเซชันเกจ (Ionization Gauge) พิ ัยการวัดต่้า ุดที่ 10-6 พา คัล
ดังแ ดงในรูปที่ 1.5
รูปที่ 1.5 เครื่องวัด ุญญากาศมาตรฐานแบบแคแพซิแทนซ์ไดอะแฟรมเกจ

ปินนิงโรเตอร์เกจ และไอออไนเซชันเกจ
4) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านแรง คือ เครื่องกลมาตรฐานวัดแรงแบบน้้าหนักตายตัว (Dead

Weight Force Standard Machine : DWM) วิ ัย ามารถ 1 กิโลนิวตัน, 10 กิโลนิวตัน,
100 กิโลนิวตัน และ 500 กิโลนิวตัน ดังแ ดงในรูปที่ 1.6
รูปที่ 1.6 เครื่องกลมาตรฐานวัดแรงแบบน้้าหนักตายตัว

5) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความแข็ง คือ เครื่องวัดความแข็งร็อกเวลล์ระดับปฐมภูมิ พิ ัย

การวัด 20 ถึง 65 ความแข็งร็อกเวล ์ เกลซี (Haardness Rockwell Scale C: HRC) ดัง
แ ดงในรูปที่ 1.7 และเครื่องวัดความแข็งวิกเกอร ์ระดับปฐมภูมิ พิ ัยการวัด 200 ถึง 900
ความแข็งวิกเกอร ์เกล ดังแ ดงในรูปที่ 1.8
รูปที่ 1.7 เครื่องวัดความแข็งร็อกเวลล์ระดับปฐมภูมิ

รูปที่ 1.8 เครื่องวัดความแข็งวิกเกอร ์ระดับปฐมภูมิ

6) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านแรงบิด คือ เครื่องกลวัดแรงบิดแบบน้้าหนักตายตัวระดับปฐม

ภูมิ (Primary Deadweight Torque Machine) พิ ัยการวัด 1 ถึง 1000 นิวตันเมตร ดัง
แ ดงในรูปที่ 1.9
รูปที่ 1.9 เครื่องกลวัดแรงบิดแบบน้้าหนักตายตัวระดับปฐมภูมิ

7) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านอัตราการไหล คือ เครื่องมือวัดอัตราการไหลของน้้าแบบลูก ูบ

(Piston Prover) วิ ัย ามารถ 0.00032 ลูกบาศก์เมตรต่อวินาที ดังแ ดงในรูปที่ 1.10 และ
ชุดวัดอัตราการไหลของแก๊ แบบโซนิกนอซเซิล (Sonic Nozzle) และแบบแลมิ นาร์
(Laminar) วิ ัย ามารถ 0.0167 ลูกบาศก์เมตรต่อวินาที ดังแ ดงในรูปที่ 1.11
รูปที่ 1.10 เครื่องมือวัดอัตราการไหลของน้้าแบบลูก ูบ

รูปที่ 1.11 ชุดวัดอัตราการไหลของแก๊ แบบโซนิกนอซเซิลและแบบแลมินาร์

8) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความต่างศักย์ไฟฟ้า คือ ชุดมาตรฐานความต่างศักย์ไฟฟ้าแบบ

รอยต่อโจเซฟ ัน (Josephson Junction Voltage Standard) พิ ัยการวัด 1 โวลต์และ 10
โวลต์ ดังแ ดงในรูปที่ 1.12
รูปที่ 1.12 ชุดมาตรฐานความต่างศักย์ไฟฟ้าแบบรอยต่อโจเซฟ ัน

9) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความต้านทานไฟฟ้า ก้าหนดจากกลุ่มตัวต้านทานไฟฟ้า
มาตรฐาน 1 โอห์ม ดังแ ดงในรูปที่ 1.13
รูปที่ 1.13 กลุ่มตัวต้านทานไฟฟ้ามาตรฐาน 1 โอห์ม

10) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านเวลา คือ นาฬิกาซีเซียม (Caesium Atomic Clock) มี

ความถูกต้อง 1x10-12 ดังแ ดงในรูปที่ 1.14
รูปที่ 1.14 นาฬิกาซีเซียม

11) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านอุณหภูมิ คือ ชุดเซลล์ก้าเนิดอุณหภูมิ ณ จุดคงที่ (Fixed Point

Cell) ตั้งแต่อุณหภูมิ -38.8344 องศาเซลเซีย (เซลล์จุด าม ถานะของปรอท) ถึง 961.78
องศาเซลเซีย (เซลล์จุดแข็งตัวของเงิน) ดังแ ดงในรูปที่ 1.15
รูปที่ 1.15 ชุดเซลล์ก้าเนิดอุณหภูมิ ณ จุดคงที่

12) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความยาว คือ ความยาวคลื่นของแ งเลเซอร์ที่ได้จากอุปกรณ์

ก้าเนิดแ งเลเซอร์จากแก๊ ฮีเลียมนีออน และควบคุมเ ถียรภาพของความยาวคลื่นด้วยแก๊
ไอโอดีน (Iodine Stabilized Helium Neon Laser) ดังแ ดงในรูปที่ 1.16
รูปที่ 1.16 อุปกรณ์ก้าเนิดแ งเลเซอร์จากแก๊ ฮีเลียมนีออน และควบคุมเ ถียรภาพ

ของความยาวคลื่นด้วยแก๊ ไอโอดีน
13) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านเ ียง คือ เครื่องมือมาตรฐานด้านเ ียงระดับปฐมภูมิ เป็น

เครื่องมือวัดค่าความไวของไมโครโฟนมาตรฐาน พิ ัยการวัด 20 ถึง 20,000 Hz ดังแ ดงใน
รูปที่ 1.17
รูปที่ 1.17 เครื่องมือวัดค่าความไวของไมโครโฟนมาตรฐาน

14) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านการ ั่น ะเทือน คือ ชุดเครื่องมือมาตรฐานการ ั่น ะเทือน

ระดับปฐมภูมิ เป็นเครื่องมือวัดค่าความไวของหัววัดการ ั่น ะเทือนมาตรฐาน พิ ัยการวัด
50 ถึง 5000 Hz ดังแ ดงในรูปที่ 1.18
รูปที่ 1.18 เครื่องมือวัดค่าความไวของหัววัดการ ั่น ะเทือนมาตรฐาน

15) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านวั ดุอ้างอิงความเป็นกรด-ด่างของ ารละลาย คือ ระบบเตรียม

ารละลายมาตรฐานความเป็นกรด-ด่าง โดยวิธีวัดความเป็นกรด-ด่างระดับปฐมภูมิ (Primary
Method of pH Measurement : Harned Cell) ดังแ ดงในรูปที่ 1.19
รูปที่ 1.19 ระบบเตรียม ารละลายมาตรฐานความเป็นกรด-ด่าง

1.8 การ อบเทียบและการ อบกลับได้ (Calibration and Traceability)

การ อบเทียบ หมายถึง การด้าเนินการเพื่อหาความ ัมพั นธ์ระหว่างค่าที่เครื่อ งมือวัดบ่งชี้
หรือค่าบ่งชี้ของวั ดุกับค่าอ้างอิงของปริมาณที่ถูกวัด ว่ามีความคลาดเคลื่อนไปมากน้อยเท่าใด การ
อบเทียบเครื่องมือวัดหรือวั ดุจะอ้างอิงกับ มาตรฐานที่ ูงกว่าซึ่งมีความคลาดเคลื่อนน้อยกว่า เมื่อ
เ ร็จ ิ้นการ อบเทียบจะมีการออกใบรายงานผลการ อบเทียบที่รายงานค่าความบ่ายเบนหรือค่าแก้
พร้อมค่าความไม่แน่นอนของการวัด (Uncertainty)
การ อบกลับได้ หมายถึง มบัติของผลการวัดที่ ามารถโยงกับมาตรฐานการวัดแห่งชาติ
หรือมาตรฐานการวัดปฐมภูมิ ซึ่งเป็นที่ยอมรับโดยการเปรียบเทียบกันอย่างเป็นลูกโซ่ และจะต้อง
รายงานค่า ความไม่ แ น่ น อนของการวัด ด้ ว ย หรือ กระบวนการย้ อนกลั บของการ อบเที ยบจาก
มาตรฐานการวัดแห่งชาติหรือมาตรฐานการวัดปฐมภูมิไปจนถึงเครื่องมือวัดของผู้ใช้งาน
Calibration Hierarchy Traceability Chain
Primary Measurement Standard
Secondary Measurement Standard
Working Measurement Standard
Measurement Instrumentation
รูปที่ 1.20 ล้าดับชั้นของการ อบเทียบและ ายโซ่การ อบกลับได้
รูปที่ 1.20 แ ดงล้าดับชั้นของการ อบเที ยบจากมาตรฐานการวัด ปฐมภูมิล งไปจนถึง

เครื่องมือวัดของผู้ใช้งาน และลูกศรชี้ขึ้นจากเครื่องมือวัดของผู้ใช้งานไปที่มาตรฐานการวัด ปฐมภูมิ
แ ดงถึง ายโซ่การ อบกลับได้ของการวัด
1.9 วิธีการของการวัด (Methods of Measurement)

ามารถแบ่งวิธีการของการวัดของเครื่องมือวัดออกได้เป็น 2 วิธี ได้แก่ 1) วิธีการวัดโดยตรง
2) วิธีการวัดโดยอ้อม ามารถอธิบายได้ดังนี้
1.9.1 วิธีการวัดโดยตรง (Direct Measurement)

การวัดโดยตรงเป็นวิธีการวัดที่เครื่องมือวัดใช้ปริมาณที่ต้องการวัดโดยตรงเพื่อแ ดงการบ่งชี้
บนเครื่องมือวัด เช่น การวัดกระแ ไฟฟ้าด้วยเครื่องมือวัดกระแ หรือแอมมิเตอร์ที่ ร้างจากเครื่องมือ
วัดแบบขดลวดเคลื่อนที่แม่เหล็กถาวร หรือเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี เมื่อกระแ ไหลผ่านขดลวด
เคลื่ อนที่จ ะท้าให้ เข็มชี้ของแอมมิเตอร์เกิดการเบี่ยงเบน แอมมิเตอร์จึงวัดกระแ ด้ว ยวิธีการวัด
โดยตรง วิธีการวัดโดยตรง ามารถแบ่งออกเป็นวิธีการย่อย ได้แก่ วิธีการเบี่ยงเบน (Deflection
Methods) และวิธีการเปรียบเทียบ (Comparison Methods) ามารถอธิบายได้ดังนี้
 วิธีการเบี่ยงเบน เป็นวิธีการที่ปริมาณที่ต้องการวัด ท้าให้เข็มชี้ของเครื่องมือวัดเกิด
การเบี่ยงเบน ตัวอย่างของเครื่องมือวัดที่ใช้วิธีการวัดแบบนี้ เช่น แอมมิเตอร์ โวลต์
มิเตอร์ โอห์มมิเตอร์ที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
 วิธีการเปรียบเทียบ เป็นวิธีการที่น้าปริมาณที่ต้องการวัดไปเปรียบเทียบกับปริมาณ
อ้างอิงจากนั้นน้าไปแ ดงผลการวัด ตัวอย่างของเครื่องมือวัดที่ใช้วิธีก ารวัดแบบนี้
เช่น โพเทนชิโอมิเตอร์ที่แรงดันที่ต้องการวัดได้รับการเปรียบเทียบกับแรงดันอ้างอิง
ที่ทราบค่า บริดจ์กระแ ตรงที่ตัวต้านทานที่ต้องการวัดได้รับการเปรียบเทียบกับตัว
ต้านทานอ้างอิงที่ทราบค่า วิธีการเปรียบเทียบยัง ามารถแบ่งเป็นชนิดย่อย คือ
o วิธีการเทียบศูนย์ (Null Methods) เป็นวิธีการวัดที่เมื่อท้าการปรับค่า
ปริมาณที่ต้องการวัดให้เท่ากับปริมาณอ้างอิงแล้ว ่วนแ ดงผลจะให้ค่าที่
เท่ากับศูนย์ ตัวอย่างเครื่องมือวัดที่ใช้วิธีการเทียบศูนย์ เช่น บริดจ์กระแ
ตรงที่ใช้หาค่าตัวต้านทานที่ต้องการทราบค่า จะใช้กัลวานอมิเตอร์เป็นตัว
แ ดงผล เมื่อเข็มชี้ของกัลวานอมิเตอร์ชี้ที่ต้าแหน่งศูนย์กระแ ที่ไหลผ่าน
กิ่งของตัวต้านทานแต่ละกิ่งจะมีค่าเท่ากัน
o วีธีการหาความแตกต่าง (Differential Methods) เป็นวิธีการวัดที่หา
ความแตกต่ า งที่ มี ข นาดเล็ ก มาก ๆ ระหว่ า งปริ ม าณที่ ต้ อ งการวั ด กั บ
ปริมาณอ้างอิง
1.9.2 วิธีการวัดโดยอ้อม (Indirect Measurement)

วิธีการวัดโดยอ้อม เป็นวิธีการวัดที่เครื่องมือวัดจะไม่วัดปริมาณที่ต้องการวัดโดยตรง แต่จะ
ใช้การวัดจากพารามิเตอร์อื่น ๆ ที่มีความ ัมพันธ์กับปริมาณนั้น ตัวอย่างเช่น การวัดการใช้พลังงาน
ไฟฟ้าในตัวต้านทาน จะใช้การวั ดแรงดันตกคร่อมตัวต้านทานและวัดกระแ ที่ไหลผ่านตัวต้ านทาน
จากนั้นหาผลลัพธ์การคูณ ระหว่างกระแ และแรงดันก็จะได้ปริมาณการใช้พลังงานของตัวต้านทาน
หรือการวัดความต้านทานของตัวต้านทาน จะใช้การวัดกระแ ที่ไหลผ่านตัวต้านทานและวัดแรงดัน
ตกคร่อมตัวต้านทาน จากนั้นหาผลลัพธ์ การหารระหว่างแรงดันและกระแ ด้วยกฎของโอห์มก็จะได้
ค่าความต้านทาน
Primary Data Data Data

Quantity to
Sensing Conditioning Transmission Presentation Observer
be measured
Element Element Element Element
รูปที่ 1.21 แผนภาพกรอบของ ่วนประกอบเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า
1.10 ่วนประกอบเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า (Electrical Measurement Elements)

่ ว นประกอบของเครื่ อ งมื อ วั ด ทางไฟฟ้ า ที่ แ ดงในแผนภาพกรอบดั ง รู ป ที่ 1.21
ประกอบด้วย 4 ่วน ได้แก่ 1) ่วนตรวจรู้เบื้องต้น (Primary Sensing Element) 2) ่วนปรับ
ภาพข้อมูล (Data Conditioning Element) 3) ่วน ่งผ่านข้อมูล (Data Transmission
Element) และ 4) ่วนแ ดงผลข้อมูล (Data Presentation Element) แต่ละ ่วนประกอบ

ามารถอธิบายได้ดังต่อไปนี้
 ่วนตรวจรู้เบื้องต้น เป็น ่วนแรกของเครื่องมือวัดที่รับปริมาณที่ต้องการวัดเข้ามา
ตัวอย่างเช่น ่วนตรวจรู้เบื้องต้นของแอมมิเตอร์ คือ ่วนของขดลวดเคลื่อนที่ที่รับ
กระแ ไฟฟ้าเข้ามา ในกรณีที่ปริมาณที่ต้องการวัดไม่ ใช่ปริมาณทางไฟฟ้าจะต้องใช้
ตัวแปลง (Transducer) ท้าหน้าที่แปลงปริมาณทางกายภาพให้เป็นปริมาณทาง
ไฟฟ้ า ตั ว อย่ า งของตั ว แปลง เช่ น เทอร์ โ มคั ป เปิ ล ท้ า หน้า ที่ แ ปลงอุณ หภู มิ เ ป็ น
แรงเคลื่อนไฟฟ้า ตัวแปลงจึงอยู่ใน ่วนของ ่วนตรวจรู้เบื้องต้น
 ่ ว นปรั บ ภาพข้ อ มู ล มี ห น้ า ที่ ป รั บ ภาพของ ั ญ ญาณ เนื่ อ งจากในบางครั้ ง
ัญญาณไฟฟ้าที่ ่ งต่อจาก ่ว นตรวจรู้เบื้องต้นอาจมี ัญญาณรบกวนผ มอยู่จึง
จ้าเป็นต้องก้าจัด ัญญาณรบกวนทิ้งโดยใช้ วงจรกรองความถี่ (Filter) หรือขนาด
ของ ั ญ ญาณมี ข นาดต่้ า เกิ น ไปจ้ า เป็ น ต้ อ งขยาย ั ญ ญาณโดยใช้ ว งจรขยาย
(Amplifier) หรือระบบของเครื่องมือวัดเป็นดิจิตอล แต่ ัญญาณไฟฟ้าที่รับเข้ามา
เป็น ัญญาณแอนะลอก จึงจ้าเป็นต้องมีการแปลง ัญญาณแอนะลอกเป็น ัญญาณ
ดิ จิ ต อลด้ ว ยวงจรแปลง ั ญ ญาณแอนะลอกเป็ น ดิ จิ ต อล (Analog-to-Digital
Converter) ทั้งหมดนี้อยู่ใน ่วนปรับ ภาพข้อมูล
 ่วน ่งผ่านข้อมูล ในบางครั้ง ่วนประกอบของระบบในเครื่องมือวัดแยกออกจาก
กัน ในทางกายภาพ ตั ว อย่า งเช่น ่ ว นปรั บ ภาพข้ อมู ล เป็น วงจรไฟฟ้า แต่ ่ ว น
แ ดงผลข้อมูลเป็ นการแ ดงด้วยกลไก จึงจ้าเป็นที่ต้องมีการ ่ งผ่านข้อมูลหรือ
ัญญาณจาก ่วนประกอบหนึ่งไปยังอีก ่วนประกอบหนึ่ง ่วน ่งผ่านข้อมูลจึงท้า
หน้าที่นี้
 ่วนแ ดงผลข้อมูล เป็น ่วนที่ท้าหน้าที่แ ดงผลให้กับผู้ใช้งาน ่วนแ ดงผลข้อมูล
อาจอยู่ในรูปของหน้าปัดมีเข็มชี้ หรืออยู่ในรูปของการแ ดงตัวเลขด้วยจอแอลซีดี
หรื อจอแอลอีดี หรื อ ในบางครั้งอาจมีก ารบันทึกข้อมูล ลงในหน่ว ยความจ้าของ
เครื่องมือวัด ก็จะอยู่ใน ่วนแ ดงผลข้อมูล
ตัวอย่าง ่วนประกอบของแอมมิเตอร์ที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีแ ดงได้ดังรูปที่

1.22 จากรูป ่วนตรวจรู้เบื้องต้น คือ ขดลวดเคลื่อนที่ ่วนปรับ ภาพข้อมูล คือ แม่เหล็กและขดลวด
ซึ่งท้าหน้าที่แปลง ัญญาณไฟฟ้าให้อยู่ในรูปของแรง แรงจะ ่งผ่านไปยังเข็มชี้ด้วยการเชื่อมต่ อทาง
กลไก ซึ่งอยู่ใน ่วน ่งผ่านข้อมูล ุดท้าย ่วนแ ดงผลข้อมูล คือ เข็มชี้และ เกลบนหน้าปัด
Magnets and
Current Mechanical Pointer and
Moving Coil other Observer
Linkages Scale
components
Primary Data Data Data
Sensing Conditioning Transmission Presentation
รูปที่ 1.22 แผนภาพกรอบ ่วนประกอบแอมมิเตอร์ที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
1.11 ศัพท์บัญญัติมาตรวิทยา (Vocabulary of Metrology)

ศัพท์บัญญัติบาง ่วนที่จ้าเป็นในการท้าความเข้าใจเนื้อหาของเอก ารประกอบการ อนนี้
่วนใหญ่เรียบเรียงจากเอก ารที่แปลโดย ้านักมาตรวิทยาแห่งชาติ บาง ่วนมาจากหนัง ือที่อ้างอิง
ในบรรณานุกรม ประกอบด้วยค้าศัพท์ดังต่อไปนี้
การวัด (Measurement) หมายถึง กระบวนการทางการทดลองที่ท้าให้ได้มาซึ่งค่าปริมาณ

ที่ ามารถใช้เป็นตัวแทนของปริมาณ ๆ หนึ่งได้อย่างมีเหตุผล
ความถูกต้องการวัด (Measurement Accuracy) หมายถึง ความใกล้เคียงกันระหว่างค่า

ปริมาณที่วัดได้ (Measured quantity value) กับค่าปริมาณจริง (True quantity value) ของ ิ่งที่
ถูกวัด (Measurand) (หมายเหตุ: ความถูกต้องการวัด ไม่ได้เป็นปริมาณและไม่ได้ก้าหนดค่าเป็น
ตัวเลข อย่างไรก็ตามความคลาดเคลื่อนการวัด (Measurement error) ที่เป็นค่าปริมาณและ
ก้าหนดค่าเป็นตัวเลขอาจใช้แ ดงถึงความถูกต้องการวัด)
ค่าปริมาณจริง (True Quantity Value) หมายถึง ค่าจริงของปริมาณที่ ถูกวัดซึ่งอาจมี

เพียงค่าเดียวหรืออาจเป็นชุดของค่าปริมาณจริงหลาย ๆ ค่า อย่างไรก็ตามค่าปริมาณจริงนี้ไม่ ามารถ
ทราบค่าได้ทั้งในทางหลักการและในทางปฏิบัติ ดังนั้นค่าปริมาณอ้างอิง (Reference quantity
value) จึง ามารถใช้แทนค่าปริมาณจริง
ค่าปริมาณอ้างอิง (Reference Quantity Value) หมายถึง ค่าปริมาณที่ถูกใช้เป็นฐาน

ในการเปรี ย บเที ย บกั บ ค่ า อื่ น ๆ ของปริ ม าณประเภทเดี ย วกั น ค่ า ปริ ม าณอ้ า งอิ ง อาจเป็ น ค่ า
ปริมาณ ัญนิยม (Conventional quantity value) หรืออาจได้มาจากค่าปริมาณที่วัดได้ที่ความไม่
แน่นอนการวัดเล็กมากจน ามารถละเลยความไม่แน่นอนการวัดนั้นได้
ค่าปริมาณ ัญนิยม (Conventional Quantity Value) หมายถึง ค่าปริมาณของปริมาณ

หนึ่งที่ได้จากข้อตกลงตามวัตถุประ งค์ที่ก้าหนด เช่น ความเร่งมาตรฐานของการตกอย่างอิ ระ
เท่ากับ 9.80665 ms-2 ค่าปริมาณ ัญนิยมของมวลมาตรฐาน เท่ากับ 100.00357 g
ความไม่แน่นอนการวัด (Measurement Uncertainty) หมายถึง พารามิเตอร์ที่ใช้บอก

ลักษณะของการกระจายของค่าปริมาณต่าง ๆ ของ ิ่งที่ถูกวัด
ความคลาดเคลื่อนการวัด (Measurement Error) หรืออาจเรียกอีกอย่างหนึ่งว่า

ความคลาดเคลื่อน ัมบูรณ์ (Absolute Error) หมายถึง ค่าปริมาณที่วัดได้ลบด้วยค่าปริมาณอ้างอิง
ามารถแ ดงได้ด้วย มการต่อไปนี้
 X  Xm  Xr (1.1)
เมื่อ  X หมายถึง ความคลาดเคลื่อนการวัด

Xm หมายถึง ค่าปริมาณที่วัดได้
Xr หมายถึง ค่าปริมาณอ้างอิง
อย่างไรก็ตามความคลาดเคลื่อนการวัดนี้ไม่ ามารถแ ดงถึงความถูกต้องการวัดได้อย่างชัดเจน เช่น

ความคลาดเคลื่อนการวัดของตัวต้านทานตัวหนึ่งเท่ากับ 5  อาจไม่มีความ ้าคัญมากนักหากตัว
ต้านทานตัวนั้นมีค่าอยู่ในหลักกิโลโอห์มหรือเมกกะโอห์ม แต่จะมีความ ้าคัญมากหากตัวต้านทานตัว
นั้ น มี ค่ า อยู่ ใ นหลั ก ิ บ โอห์ ม หรื อ ร้ อ ยโอห์ ม ดั ง นั้ น ่ ว นใหญ่ คุ ณ ภาพของการวั ด จะแ ดงด้ ว ย
ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ (Relative measurement error) ซึ่งเป็นอัตรา ่วนระหว่างความ
คลาดเคลื่อนกับค่าปริมาณอ้างอิง ดังแ ดงใน มการที่ (1.2) ่วน มการที่ (1.3) ใช้ ้าหรับหา
เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์
X
r  (1.2)
Xr
% r   r  100 (1.3)
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 1.1 โวลต์มิเตอร์เครื่องหนึ่งวัดแรงดันได้ 220.11 V และค่าปริมาณอ้างอิงแรงดันนั้น
เท่ากับ 220.42 V จงค้านวณหา ความคลาดเคลื่อนการวัด , ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ และ
เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์
วิธีท้า ใช้ มการที่ (1.1) หาความคลาดเคลื่อน
 X = 220.11 V - 220.42 V = -0.31 V
ใช้ มการที่ (1.2) หาความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์
 r = -0.31 V/220.42 V = -0.0014
ใช้ มการที่ (1.3) หาเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์
% r = (0.0014).100 = -0.14%
____________________________________________________________________
ความคลาดเคลื่อนการวัดจากัด (Limiting Error) หมายถึง ค่าเบี่ยงเบนจากค่าปริมาณ

ระบุ (Nominal Value) ที่ปรากฏบนเครื่องมือวัดหรือวั ดุ ค่าเบี่ยงเบนดังกล่าวซึ่งแ ดงความ
คลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัดจะแ ดงอยู่ มการต่อไปนี้
X r  X n   Xl (1.4)
เมื่อ Xr หมายถึง ค่าปริมาณอ้างอิง

X n หมายถึง ค่าปริมาณระบุ
 X l หมายถึง ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด
ความคลาดเคลื่อนการวัดจากัด ัมพัทธ์ (Relative Limiting Error) หมายถึง อัตรา ่วน

ระหว่างความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัดและค่าปริมาณระบุ ามารถเขียนเป็น มการได้ดังนี้
 Xl
 rl  (1.5)
Xn
เมื่อ  rl หมายถึง ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์

X n หมายถึง ค่าปริมาณระบุ
 X l หมายถึง ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด
และเมื่อคิดเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์จะแ ดงได้ดังนี้
% rl   rl  100 (1.6)
โดยปกติบริษัทผู้ผลิตเครื่องมือวัดจะรับรองเครื่องมือวัดว่า ามารถแ ดงผลการวัดที่มีความ

คลาดเคลื่อนการวัดภายในช่วงที่จ้ากัด เครื่องมือวัดแบบเข็มชี้ที่อาศัยหลักการของขดลวดเคลื่อนที่
ใน นามแม่เหล็กถาวรจะระบุ ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัดของเครื่องมือวัดด้วยเปอร์เซ็นต์การ
เบี่ยงเบนจากค่าเบี่ยงเบนเต็ม เกล (±Percentage of Full Scale Deflection) หมายถึง ค่าที่อ่าน
ได้ที่ต้าแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกลจะมีความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัดที่เมื่อคิดเป็นเปอร์เซ็นต์แล้วจะมี
ค่าอยู่ภายในช่วงที่ระบุไว้ แต่ความคลาดเคลื่อนการวัด จ้ากัดจะมีค่าเพิ่มมากขึ้นหากค่าที่อ่านได้จาก
เครื่องมือวัดไม่ได้อยู่ที่ต้าแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล เช่น แอมมิเตอร์เครื่องหนึ่งได้รับการระบุว่าปริมาณ
กระแ ที่วัดได้ที่พิ ัยการวัด 0-100 mA จะมีความคลาดเคลื่อนการวัด จ้ากัดเท่ากับ ±5% ของ
ต้าแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล ดังนั้น หากน้าแอมมิเตอร์นั้นไปวัดกระแ แล้วอ่านค่า ได้เท่ากับ 100 mA
จะค้านวณความคลาดเคลื่อนการวัด จ้ากัดได้เท่ากับ ± (100 mA)(5/100) = ±5 mA แ ดงว่าค่า
ปริมาณกระแ อ้างอิงจะมีค่าอยู่ภายในช่วง 100 mA-5 mA หรือเท่ากับ 95 mA และ 100 mA+5
mA หรือเท่ากับ 105 mA เมื่อคิดเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์จ้ากัดจะเท่ากับ
(±5 mA/100 mA)(100) = 5% แต่ถ้าน้าแอมมิเตอร์ไปวัดกระแ แล้วอ่านค่าได้เท่ากับ 10 mA
ความคลาดเคลื่ อนการวัดจ้ ากัด จะมีค่าเท่าเดิม คือ ±5 mA ดังนั้น เมื่อคิดเปอร์เซ็นต์ความ
คลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์จะเท่ากับ (±5 mA/10 mA)(100) = 50%
เช่นเดียวกับบริษัทผู้ผลิตเครื่องมือวัด บริษัทผู้ผลิตวั ดุ เช่น ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุ ก็จะ
รับรองค่าที่ระบุบนวั ดุนั้นว่ามีความคลาดเคลื่อนอยู่ภายช่วงที่จ้ากัด เช่น ตัวต้านทานขนาด 4.7 k
มีเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด 5% หมายถึง ตัวต้านทานตัวนั้นมีค่าปริมาณอ้างอิงอยู่
ในช่วง 4.7 k ± (5/100)(4.7 k) = 4.7 k ± 0.235 k หรือระหว่างค่า 4.465 k และค่า
4.935 k
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 1.2 แอมมิเตอร์เครื่องหนึ่งที่พิ ัยการวัด ูง ุด 50 mA ระบุความคลาดเคลื่อนการวัด
จ้ากัดว่ามีค่าเท่ากับ ±1% ของค่าที่ต้าแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล จงค้านวณหา
ก) ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัดในหน่วยมิลลิแอมป์
ข) เมื่อค่าที่อ่านจากแอมมิเตอร์เท่ากับ 40 mA จงค้านวณหาช่วงของปริมาณกระแ อ้างอิง
และเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์
ค) เมื่อค่าที่อ่านจากแอมมิเตอร์เท่ากับ 10 mA จงค้านวณหาช่วงของปริมาณกระแ อ้างอิง
และเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์
วิธีท้า ก) ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัดในหน่วยมิลลิแอมป์ จะเท่ากับ
±(1/100)(50 mA) = ±0.5 mA
ข) ใช้ มการที่ (1.4) หาช่วงของปริมาณกระแ อ้างอิง แทนค่า X n = 40 mA และ  X l = 0.5 mA

ลงใน มการ จะได้
Xr  40  0.5 mA
นั่นคือ ค่าปริมาณอ้างอิงมีค่าอยู่ในช่วง 39.5 mA และ 40.5 mA
ใช้ มการที่ (1.6) ค้านวณหาเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์ แทนค่า X n = 40

mA และ  X l = 0.5 mA ลงใน มการ จะได้
0.5
% rl   100 = ±1.25%
40
ค) ใช้ มการที่ (1.4) หาช่วงของปริมาณกระแ อ้างอิง แทนค่า X n = 10 mA และ  X l = 0.5 mA

Xr  10  0.5 mA
นั่นคือ ค่าปริมาณอ้างอิงมีค่าอยู่ในช่วง 9.5 mA และ 10.5 mA
ใช้ มการที่ (1.6) ค้านวณหาเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์ แทนค่า X n = 10

mA และ  X l = 0.5 mA ลงใน มการ จะได้
0.5
% rl   100 = ±5%
10
____________________________________________________________________
คาถามท้ายบท
1. จงอธิบายประเภทของมาตรวิทยา
2. จงอธิบายหน่วยฐานของระบบหน่วยวัดเอ ไอ
3. จงอธิบายล้าดับชั้นของมาตรฐานการวัด
4. จงอธิบายความหมายของการ อบเทียบและการ อบกลับได้
5. จงอธิบายความหมายของวิธีการวัดโดยตรงและวิธีการวัดโดยอ้อม
6. จงอธิบาย ่วนประกอบของเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า
7. โวลต์มิเตอร์เครื่องหนึ่งวัดแรงดันได้ 19.2 V และค่าปริมาณอ้างอิงแรงดันนั้นเท่ากับ 19.5 V
จงค้านวณหา ความคลาดเคลื่อนการวัด , ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ และเปอร์เซ็นต์ความ
คลาดเคลื่อน ัมพัทธ์
8. แอมมิเตอร์เครื่องหนึ่งที่พิ ัยการวัด ูง ุด 100 mA ระบุความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัดว่ามี
ค่าเท่ากับ ±1% ของค่าที่ต้าแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล จงค้านวณหา
a. ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัดในหน่วยมิลลิแอมป์
b. เมื่อค่าที่อ่านจากแอมมิเตอร์เท่ากับ 90 mA จงค้านวณหาช่วงของปริมาณกระแ
อ้างอิงและเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์
c. เมื่อค่าที่อ่านจากแอมมิเตอร์เท่ากับ 10 mA จงค้านวณหาช่วงของปริมาณกระแ
อ้างอิงและเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนการวัดจ้ากัด ัมพัทธ์
เอก ารอ้างอิง
U.A. Bakshi, A. V. Bakshi and K.A. Bakshi. (2009). Electrical Measurements and
Instrumentation. Technical Publications Pune.
ชัยบูรณ์ กัง เจียรณ์. (2550). การวัดและเครื่องมือวัด. มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีมหานคร.
ถาบันมาตรวิทยาแห่งชาติ. (2548). มาตรวิทยาเบื้องต้น. ถาบันมาตรวิทยาแห่งชาติ
http://kanchanapisek.or.th/kp6/sub/book/book.php?page=main&book=35
http://www.nimt.or.th/nimt/upload/contentfile/attach-lab_news-125-466.doc
การวิเคราะห์วงจรกระแ ตรงเบื้องต้น
2.1 บทนา
2.2 ความต้านทาน
2.2.1 ตัวต้านทาน
2.2.2 การต่อตัวต้านทาน
2.2.2.1 แบบอนุกรม
2.2.2.2 แบบขนาน
2.2.2.3 แบบผ ม
2.2.3 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทาน
2.2.3.1 ชุดตัวต้านทานแบบอนุกรม
2.2.3.2 ชุดตัวต้านทานแบบขนาน
2.2.3.3 ชุดตัวต้านทานแบบผ ม
2.3 กฎของโอห์ม
2.4 กฎของเคอร์ชอฟฟ์
2.4.1 กฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์
2.4.2 กฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์
2.4.3 การแก้ปัญหาวงจรด้วยกฎของเคอร์ชอฟฟ์
2.5 ทฤษฎีบทเทเวนิน
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจเกี่ยวกับ ความต้านทาน การต่อตัวต้านทานแบบอนุกรม แบบ
ขนาน และแบบผ ม การค านวณความต้ า นทานรวมของการต่ อ ตั ว ต้ า นทาน การต่ อ
แหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทาน
2. เพื่อให้ผู้เรียนเข้าใจกฎของโอห์ม ามารถใช้กฎของโอห์มในการคานวณหากระแ แรงดัน
และความต้านทานได้
3. เพื่อให้ผู้เรียนเข้าใจกฎกระแ และแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ ามารถตั้ง มการจากกฎกระแ
และกฎแรงดัน ของเคอร์ชอฟฟ์ และ ามารถคานวณเพื่อแก้ปัญหาวงจรด้วยกฎของเคอร์
ชอฟฟ์
4. เพื่อให้ผู้เรียนเข้าใจทฤษฎีบทเทเวนิน ามารถใช้ทฤษฎีบทเทเวนินคานวณเพื่อหาค่าแรงดัน
หรือกระแ ในวงจรที่มีการเปลี่ยนแปลงโหลด

7. ผู้เรียนศึกษาความรู้เพิ่มเติมด้วยการมอบหมายการบ้าน
บทที่ 2
การวิเคราะห์วงจรกระแ ตรงเบื้องต้น
(Introduction to DC Circuits Analysis)
2.1 บทนา
การออกแบบเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า โดยเฉพาะอย่างยิ่งเครื่องมือวัดชนิดแอนะลอก จาเป็นที่
จะต้องมีความรู้ด้านการวิเคราะห์วงจรกระแ ตรง เนื่องจาก ่วนประกอบที่ าคัญของเครื่องมือวัด
ทางไฟฟ้าก็คือ วงจรซึง่ ประกอบด้วยอุปกรณ์พื้นฐานต่าง ๆ เช่น แหล่งจ่ายแรงดัน ตัวต้านทาน บทนี้
จึงจะอธิบายเกี่ยวกับความรู้เบื้องต้นที่จาเป็นในการวิเคราะห์วงจร ประกอบด้วย ความต้านทาน ตัว
ต้านทาน การต่อตัวต้านทานแบบต่าง ๆ การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานแบบต่าง ๆ
กฎของโอห์ม กฎของเคอร์ชอฟฟ์ และทฤษฎีบทของเทเวนิน
2.2 ความต้านทาน (Resistance)

ความต้านทาน (Resistance: R) เป็น ภาพของวั ดุตัวนาที่ต่อต้านการไหลของกระแ ไฟฟ้า
วั ดุตัวนาทุกประเภทจะมีความต้านทาน ระบบหน่วยวัดเอ ไอของความต้านทาน คือ โอห์ม (Ohm)
ใช้ ัญลักษณ์โอเมก้า () หน่วยโอห์มตั้งตามชื่อของจอร์จ ไซมอน โอห์ม นักฟิ ิก ์ชาวเยอรมันผู้ตั้ง
กฎของโอห์ม (Ohm’s Law) ค่าความต้านทานจะขึ้นอยู่กับคุณ มบัติของวั ดุตัวนา ดังต่อนี้
1. ความต้านทาน R จะแปรผันตรงกับความยาวของวั ดุ ตัวนา l  R  l  หมายถึง วั ดุ

ที่มีความยาวมาก ค่าความต้านทานก็จะ ูง ขณะที่วั ดุที่มีความ ั้นมาก ค่าความ
ต้านทานก็จะต่า
2. ความต้านทาน R จะแปรผกผันกับพื้นที่หน้าตัดของวั ดุตัวนา A R    1
A
หมายถึง
วั ดุ ตั ว น าที่ มี พื้ น ที่ ห น้ า ตั ด กว้ า ง ค่ า ความต้ า นทานก็ จ ะต่ า ขณะที่ วั ดุ ตั ว น าที่ มี
พื้นที่หน้าตัดแคบ ค่าความต้านทานก็จะ ูง
3. ความต้านทาน R จะแปรผันตรงกับความต้านทานจาเพาะ (Electrical Resistivity: )
ของวั ดุตัวนา  R    หมายถึง วั ดุตัวนาที่มีความต้านทานจาเพาะ ูง ค่าความ
ต้านทานก็จะ ูง ขณะที่วั ดุตัวนาที่มีความต้านทานจาเพาะต่า ค่าความต้านทานก็จะต่า
ตารางที่ 2.1 แ ดงตัว อย่างค่าความต้านทานจาเพาะของวั ดุตัวนาชนิดต่าง ๆ ที่
อุณหภูมิ 20 องศาเซลเซีย
40 บทที่ 2 การวิเคราะห์วงจรกระแ ตรงเบื้องต้น
จากคุณ มบัติทั้ง ามข้อที่มีผ ลต่อค่าความต้านทานของวั ดุตัวนา จึง ามารถเขียนเป็น

มการเพื่อหาค่าความต้านทานได้ดังต่อไปนี้
l
R (2.1)
A
เมื่อ R คือ ค่าความต้านทาน มีหน่วยเป็นโอห์ม (Ohm: ),  คือ ค่าความต้านทานจาเพาะของ

วั ดุตัวนา มีหน่วยเป็นโอห์มเมตร (.m), l คือ ความยาวของวั ดุตัวนา มีหน่วยเป็นเมตร (Meter:
m) และ A คือ พื้นที่หน้าตัดของวั ดุตัวนา มีหน่วยเป็นตารางเมตร (m2)
ตารางที่ 2.1 ตัวอย่างค่าความต้านทานจาเพาะวั ดุตัวนาชนิดต่าง ๆ

Material  (·m) at 20
Carbon (graphene) 1×10−8
Silver 1.59×10−8
Copper 1.68×10−8
Gold 2.44×10−8
Aluminium 2.82×10−8
Tungsten 5.60×10−8
Zinc 5.90×10−8
Nickel 6.99×10−8
Lithium 9.28×10−8
Iron 1.0×10−7
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.1 จงคานวณหาค่าความต้านทาน R ของลวดตัวนาที่ทาด้วยวั ดุทองแดงมีความยาว l
เท่ากับ 1 m, 10 m และ 100 m มีพื้นที่หน้าตัดรูปวงกลม A ขนาดเ ้นผ่านศูนย์กลาง D เท่ากับ 1
mm และความต้านทานจาเพาะของทองแดงเท่ากับ 1.68×10−8 .m
วิธีทา มการพื้นที่หน้าตัดรูปวงกลม คือ

A   r2 (2.2)
เมื่อ r คือ รัศมีของวงกลม ซึ่งมีค่าเท่ากับครึ่งหนึ่งของขนาดเ ้นผ่านศูนย์กลาง ดังนั้น
D
r (2.3)
2
แทนค่า D = 1 mm ลงใน มการที่ (2.3) จะได้
1  103
r = 0.5 mm
2
แทนค่า r = 0.5 mm ลงใน มการที่ (2.2) จะได้
A    0.5  103  = 0.785 um2

2
จากนั้นใช้ มการที่ (2.1) หาค่าความต้านทาน R แทนค่า  = 1.68×10−8 .m และ A =

0.785 um2 โดยกาหนดให้ความยาว l มีค่า 1 m, 10 m และ 100 m จะได้
ที่ความยาว 1 m
1
R  1.68  108 = 21.4 m
0.785  106
10
R  1.68  108 = 214 m
0.785  106
100
R  1.68  108 = 2.14 
0.785  106
ตัวอย่างที่ 2.2 จงคานวณหาพื้นที่หน้าตัดของลวดตัวนาทาด้วยวั ดุทองแดงที่มีความยาว 2 km มี

ค่าความต้านทาน R ของลวดตัวนาเท่ากับ 2 k และความต้านทานจาเพาะของทองแดงเท่ากับ
1.68×10−8 .m
วิธีทา แก้ มการที่ (2.1) จะได้พื้นที่หน้าตัด A ของลวดตัวนา ดังนี้
 l
A (2.4)
R
แทนค่า  = 1.68×10−8 .m, l = 2 km และ R = 2 k ลงใน มการที่ (2.4) จะได้
1.68  108  2  103

A 3 = 1.68  108 m2 = 0.0168 mm2
2  10
ตัวอย่างที่ 2.3 ต้องการพันขดลวดที่ทาด้วยวั ดุทองแดงให้มีความต้านทานเท่ากับ 1 k

ลวดทองแดงมีพื้นที่หน้าตัด 0.1 mm2 และความต้านทานจาเพาะของทองแดงเท่ากับ 1.68×10−8
.m จงคานวณหาความยาวลวดทองแดงที่ต้องใช้
วิธีทา แก้ มการที่ (2.1) จะได้ความยาว l ของลวดทองแดง ดังนี้
AR
l (2.5)

แทนค่า  = 1.68×10−8 .m, A = 0.1 mm2 และ R = 1 k ลงใน มการที่ (2.5) จะได้
0.1  106  1  103

l = 5952.38 m
1.68  108
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2.2.1 ตัวต้านทาน (Resistor)

ตัว ต้านทาน เป็ น อุป กรณ์ทางไฟฟ้าแบบพา ซีพที่ ร้างขึ้นเพื่อใช้ต้านทานการไหลของ
กระแ ในวงจร ตัวต้านทานแบ่งออกเป็น 2 ประเภท ได้แก่ ตัวต้านทานค่าคงที่ และตัวต้านทานปรับ
ค่าได้ เช่น ทริ มเมอร์ เทอร์มิ เตอร์ วารี เตอร์ โพเทนชิออมิเตอร์ ัญญลักษณ์ของตัวต้านทาน
ค่าคงทีแ่ ละตัวต้านทานปรับค่าได้ แ ดงในรูปที่ 2.1 (ก) และ (ข) ตามลาดับ
(ก) (ข)
รูปที่ 2.1 ญ
ั ลักษณ์ของตัวต้านทาน (ก) ค่าคงที่ (ข) ปรับค่าได้
รูปที่ 2.2 ตัวต้านทานค่าคงที่แบบมีขา

(ที่มาของภาพ: http://en.wikipedia.org/wiki/Resistor#mediaviewer/File:Resistor.jpg)
ตัว ต้านทานที่มั กใช้ในวงจรเครื่องมื อวัดทางไฟฟ้า จะเป็น ตัว ต้านทานแบบมีขาดั งแ ดง

ตัวอย่างในรูปที่ 2.2 ซึ่งจะเห็นแถบ ีที่พิมพ์อยู่บนตัวต้านทาน แถบ ีดัง กล่าวจะใช้ในการระบุค่า
ความต้านทานและเปอร์ เซ็น ต์ค่าความคลาดเคลื่ อน ั มพัทธ์ ตัวต้านทานแบบมีขา ามารถแบ่ง
ออกเป็นชนิดต่าง ๆ เช่น ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film Resistor) จะมีราคาถูก แต่
เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนจากัด ัมพัทธ์จะประมาณ 5% หรือ 10% ตัวต้านทานแบบฟิล์มโลหะ
(Metal Film Resistor) เป็นชนิดที่มีคุณภาพเนื่องจากเปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ต่า
ประมาณ 0.5%, 1% หรือ 2% จึงเหมาะกับวงจรที่ต้องการความถูกต้อง ูง เช่น วงจรกรองความถี่
วงจรประมวล ัญญาณแบบแอนะลอก วงจรเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า
2.2.2 การต่อตัวต้านทาน
2.2.2.1 แบบอนุกรม (Series Resistor)
การต่อตัวต้านทานแบบอนุกรม คือ การนาตัวต้านทาน องตัวขึ้นไปมาต่อเรียงลาดับกันไป
อย่างต่อเนื่อง ดังแ ดงในรูปที่ 2.3 มีตัวต้านทานจานวน N ตัว ต่ออนุกรมกัน เริ่มตั้งแต่ตัวต้านทาน
R1, R2, R3 ไปจนถึงตัวต้านทานลาดับ ุดท้าย RN
R1 R2 R3 RN
รูปที่ 2.3 การต่อตัวต้านทานแบบอนุกรมจานวน N ตัว
ค่าความต้านทานรวม (Total Resistance: RT) ของการต่อตัวต้านทานแบบอนุกรมจะเพิ่ม

มากขึ้น ซึ่งคานวณได้จากค่าความต้านทานของตัวต้านทานแต่ละตัวบวกกัน ดัง มการต่อไปนี้
RT  R1  R2  R3  ...  RN (2.6)
เพื่อลดรูป มการที่ (2.6) จะเขียนใหม่ให้อยู่ในรูปของ ัญลักษณ์แทนการบวก (Summation

Notation) ได้ดังนี้
N
RT   Ri (2.7)
i 1
เมื่อ i คือ ลาดับที่ของตัวต้านทาน และ N คือ จานวนทั้งหมดของตัวต้านทานที่ต่ออนุกรมกัน

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.4 ตัวต้านทานทั้งหมด 4 ตัว ประกอบด้วยตัวต้านทาน R1 มีค่า 1 k, ตัวต้านทาน R2
มีค่า 2 k, ตัวต้านทาน R3 มีค่า 0.5 k และตัวต้านทาน R4 มีค่า 0.5 k ทั้งหมดต่ออนุกรมกัน
ตามรูปที่ 2.4 จงคานวณหาความต้านทานรวม
R1 R2 R3 R4
1 k 2 k 0.5 k 0.5 k
รูปที่ 2.4 การต่อตัวต้านทาน าหรับตัวอย่างที่ 2.4
วิธีทา ใช้ มการที่ (2.7) หาค่าความต้านทานรวม แทนค่า N = 4, R1 = 1 k, R2 = 2 k, R3 =

0.5 k และ R4 = 0.5 k ลงใน มการ จะได้
4
RT   Ri  R1  R2  R3  R4
i 1
RT = 1 k+2 k+0.5 k+0.5 k = 4 k
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2.2.2.2 แบบขนาน (Parallel Resistors)

การต่อตัวต้านทานแบบขนาน คือ การนาตัวต้านทานตั้งแต่ 2 ตัวขึ้นไปมาต่อคร่อมกัน
มมติว่าตัวต้านทานทุกตัวมีขา 2 ขา เรียกว่าขา A และขา B การต่อคร่อมหมายถึง ขา A ของตัว
ต้านทานแต่ละตัวจะต่อเข้าหากัน ่วนขา B ของตัวต้านทานแต่ละตัวก็ต่อเข้าหากันเช่นเดียวกัน ดัง
แ ดงในรูปที่ 2.5
R1
R2
R3
RN
รูปที่ 2.5 การต่อตัวต้านทานแบบขนานจานวน N ตัว
ค่าความต้านทานรวมของการต่อตัวต้านทานแบบขนานจะลดลง ซึ่งคานวณได้จาก มการ

ดังต่อไปนี้
1 1 1 1 1
    ...  (2.8)
RT R1 R2 R3 RN
เพื่อลดรูป มการที่ (2.8) จะเขียนใหม่ให้อยู่ในรูปของ ัญลักษณ์แทนการบวก ได้ดังนี้
1 N1
 (2.9)
RT i 1  Ri 
เมื่อ i คือ ลาดับที่ของตัวต้านทาน และ N คือ จานวนทั้งหมดของตัวต้านทานที่ต่อขนานกัน

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.5 ตัวต้านทานทั้งหมด 4 ตัว ประกอบด้วยตัวต้านทาน R1 มีค่า 1 k, ตัวต้านทาน R2
มีค่า 2 k, ตัวต้านทาน R3 มีค่า 0.5 k และตัวต้านทาน R4 มีค่า 0.5 k ทั้งหมดต่อขนานกัน
ตามรูปที่ 2.6 จงคานวณหาความต้านทานรวม
R1 1 k
R2 2 k
R3 0.5 k
R4 0.5 k
วิธีทา ใช้ มการที่ (2.9) หาค่าความต้านทานรวม แทนค่า N = 4, R1 = 1 k, R2 = 2 k, R3 =

0.5 k และ R4 = 0.5 k ลงใน มการ จะได้
1 41 1 1 1 1
    
RT i 1  Ri  R1 R2 R3 R4
1 1 1 1 1
   
RT 1  103 2  103 0.5  103 0.5  103
1
 0.0055 
RT
เพราะฉะนั้นจะได้
1
RT   181.81
0.0055
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
R1
R2
รูปที่ 2.7 การต่อตัวต้านทานขนานกัน 2 ตัว
กรณีที่มีตัวต้านทานต่อขนานกัน 2 ตัว ซึ่งพบมากในวงจรเครื่องมือวัดทางไฟฟ้าที่ออกแบบ

จากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ดังแ ดงในรูปที่ 2.7 จะหาความต้านทานรวมได้ ดังนี้
1 1 1
 
RT R1 R2
หาตัวคูณร่วมน้อยของตัว ่วนได้เท่ากับ R1  R2 ดังนั้น
1 R R
 2  1
RT R1  R2 R1  R2
1 R1  R2

RT R1  R2
เพราะฉะนั้นจะได้ มการ าเร็จรูปที่ ะดวกในการคานวณหาตัวต้านทานต่อขนานกัน 2 ตัว ดังนี้
R1  R2
RT  (2.10)
R1  R2
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.6 ตัวต้านทานทั้งหมด 2 ตัว ประกอบด้วยตัวต้านทาน R1 มีค่า 1 k และตัว
ต้านทาน R2 มีค่า 2 k ต่อขนานกันตามรูปที่ 2.8 จงคานวณหาค่าความต้านทานรวม
R1 1 k
R2 2 k
วิธีทา ใช้ มการที่ (2.10) คานวณหาค่าความต้านทานรวม แทนค่า R1 = 1 k และ R2 = 2 k

ลงไปจะได้
1  103  2  103
RT  = 666.66 
1  103  2  103
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2.2.2.3 แบบผ ม (Mixed Resistors)

การต่อตัวต้านทานแบบผ ม คือ การนาตัวต้านทานที่ต่ออนุกรมและที่ต่อแบบขนานมาต่อ
รวมกัน ดังแ ดงในรูปที่ 2.9 ดังนั้น ถ้าช่วงใดต่อแบบอนุกรมก็ให้รวมกันแบบอนุกรม ช่วงใดต่อแบบ
ขนานก็ให้รวมกันแบบขนาน เ ร็จแล้วนาความต้านทานรวมแต่ละ ่วนมาบวกกันก็จะได้เป็นความ
ต้านทานรวมของวงจรผ ม
R1
R2
R5 R6 R7
R3
R4
รูปที่ 2.9 การต่อตัวต้านทานแบบผ ม
จากรูปที่ 2.9 ตัวต้านทาน R1, R2, R3 และ R4 ต่อขนานกัน ่วนตัวต้านทาน R5, R6 และ R7
ต่ออนุกรมกัน ความต้านทานรวมของการต่อผ มนี้ จะเท่ากับ
 1 
RT     R5  R6  R7 (2.11)
  1 / R1    1 / R2   1 / R3   1 / R 
4 
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.7 ตัวต้านทาน R1 ค่า 1 k, R2 ค่า 0.5 k, R3 ค่า 0.5 k และ R4 ค่า 200 
ต่อขนานกัน และตัวต้านทาน R5 ค่า 1 k, R6 ค่า 200  และ R7 ค่า 200  ต่ออนุกรมกันตาม
รูปที่ 2.10 จงคานวณหาค่าความต้านทานรวม
R1 1 k
R2 0.5 k
R5 1 k R6 200  R7 200 
R3 0.5 k
R4 200 

วิธีทา ใช้ มการที่ (2.11) คานวณหาค่าความต้านทานรวม แทนค่า R1 = 1 k, R2 = 0.5 k, R3

= 0.5 k, R4 = 200 , R5 = 1 k, R6 = 200  และ R7 = 200  ลงไปจะได้
 1  3
RT     1  10  200  200
 1 / 1  10   1 / 0.5  10   1 / 0.5  10   1 / 200  
3 3 3
RT = 1.5 k
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2.2.3 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทาน
2.2.3.1 ชุดตัวต้านทานแบบอนุกรม
การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานที่ต่ออนุกรมกันดังแ ดงในรูปที่ 2.11 จะพบว่า
ค่าของแหล่งจ่ายแรงดันจะเท่ากับผลรวมของแรงดันตกคร่อมตัวต้านทานแต่ละตัว ดัง มการต่อไปนี้
V  VR1  VR2  VR3 (2.12)
R1 R2 R3
VR1 VR2 VR3

V
รูปที่ 2.11 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานแบบอนุกรม
2.2.3.2 ชุดตัวต้านทานแบบขนาน
การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานที่ต่อขนานกันดังแ ดงในรูปที่ 2.12 จะพบว่า
แรงดันตกคร่อมตัวต้านทานแต่ละตัวจะมีค่าเท่ากับค่าของแหล่งจ่ายแรงดัน ดัง มการต่อไปนี้
V  VR1  VR 2  VR 3 (2.13)
V VR1 R1 VR2 R2 VR3 R3
รูปที่ 2.12 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานแบบขนาน
2.2.3.3 ชุดตัวต้านทานแบบผ ม
การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานแบบผ ม ดังแ ดงรูปที่ 2.13 จะพบว่าแรงดัน
ตกคร่อมตัวต้านทานที่ต่อขนานกันจะเท่ากัน และเมื่อนาแรงดันตกคร่อมชุดตัวต้านทานแบบขนานไป
รวมกับแรงดันตกคร่อมชุดตัวต้านทานที่ต่ออนุกรมกันแต่ละตัว ผลรวมทั้งหมดจะมีเท่ากับค่าของ
แหล่งจ่ายแรงดัน ดัง มการต่อไปนี้
VR 2  VR 3 (2.14)
V  VR1  VR 2 (2.15)
R1
VR1
V VR2 R2 VR3 R3
รูปที่ 2.13 การต่อแหล่งจ่ายแรงดันเข้ากับชุดตัวต้านทานแบบผ ม
2.3 กฎของโอห์ม (Ohm’s Law)

จอร์จ ไซมอน โอห์ม นักฟิ ิก ์ชาวเยอรมันได้ระบุความ ัมพันธ์ระหว่างแรงดัน หรือความ
ต่างศักย์ กระแ และความต้านทาน ดังนี้ กระแ I ที่ไหลผ่านจุด องจุดบนตัวนาจะแปรผันตรงกับ
ความต่างศักย์ V ระหว่างจุด องจุดนั้น  I  V  และกระแ จะแปรผกผันกับความต้านทาน
  1
ระหว่างจุด องจุดนั้น I  ดังนั้น จึง ามารถเขียนเป็น มการที่เรียกว่า กฎของโอห์ม ได้ดังนี้
R
V
I (2.16)
R
เมื่อ I คือ กระแ มีหน่วยเป็นแอมแปร์ , V คือ ความต่างศักย์ระหว่างจุด องจุด มีหน่วยเป็นโวลต์

และ R คือ ความต้านทาน มีหน่วยเป็นโอห์ม จากกฎของโอห์มจะเห็นว่า ถ้าให้ความต้านทานมี
ค่าคงที่ เมื่อความต่างศักย์มีค่า ูงขึ้น กระแ ที่ไหลระหว่างจุด องจุดก็จะ ูงขึ้นตามไปด้วย ในทานอง
เดียวกันถ้าให้ความต่างศักย์ระหว่างจุด องจุดมีค่าคงที่ เมื่อความต้านทานมีค่า ูงขึ้นกระแ ที่ไหล
ผ่านระหว่างจุด องจุดจะมีค่าลดลง
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.8 จงคานวณหากระแ ที่ไหลในวงจรที่อยู่ในรูปที่ 2.14 เมื่อตัวต้านทานมีขนาด 10
k และแหล่งจ่ายแรงดันมีขนาด 5 V
10 k
5V
รูปที่ 2.14 วงจร าหรับตัวอย่างที่ 2.8
วิธีทา ใช้กฎของโอห์มใน มการที่ (2.16) คานวณหากระแ ที่ไหลในวงจร แทนค่า V = 5 V และ R

= 10 k จะได้
5
I = 0.5 mA
10  103
ตัวอย่างที่ 2.9 จงคานวณหาค่าของตัวต้านทาน R ที่อยู่ในรูปที่ 2.15 เมื่อแหล่งจ่ายแรงดันมีขนาด

10 V และกระแ ที่ไหลในวงจรมีค่าเท่ากับ 10 mA
R
10 mA
10 V

วิธีทา แก้ มการที่ (2.16) เพื่อหาค่าของตัวต้านทาน จะได้
V
R (2.17)
I
แทนค่า V = 10 V และ I = 10 mA ลงใน มการที่ (2.17) จะได้
10
R = 1 k
10  103
ตัวอย่างที่ 2.10 จงคานวณหาค่าของแหล่งจ่ายแรงดัน V ที่อยู่ในรูปที่ 2.16 เมื่อตัวต้านทาน R มี

ขนาด 1.5 k และกระแ ที่ไหลในวงจรมีค่าเท่ากับ 5 mA
1.5 k
5 mA
V
วิธีทา แก้ มการที่ (2.16) เพื่อหาค่าของแรงดัน จะได้
V  I R (2.18)
แทนค่า I = 5 mA และ R = 1.5 k ลงใน มการที่ (2.18) จะได้
V  5  103  1.5  103 = 7.5 V

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
I R
รูปที่ 2.17 ามเหลี่ยมความ ัมพันธ์ระหว่างตัวแปรในกฎของโอห์ม
จาก มการที่ (2.16), (2.17) และ (2.18) ามารถนามาเขียนเป็น ามเหลี่ยมแ ดง

ความ ัมพันธ์ร ะหว่างตัวแปรต่าง ๆ ในกฎของโอห์มเพื่อช่วยในการจดจา มการ ดังแ ดงในรูปที่
2.17 อย่างไรก็ตามมีประเด็นที่ต้องพิจารณาต่อไป คือ การกาหนดเครื่องหมายบวกและลบให้กับตัว
ต้ า นทานที่ มี ก ระแ ไหลผ่ า นเพื่ อ ใช้ แ ดงถึ ง แรงดั น ตกคร่ อ มตั ว ต้ า นทานตั ว นั้ น ต าแหน่ ง ที่ มี
เครื่องหมายบวก หมายถึง ตาแหน่งที่ศักย์ไฟฟ้า ูง ตาแหน่งที่มีเครื่องหมายลบ หมายถึง ตาแหน่งที่
ศักย์ ไฟฟ้าต่า การระบุ เครื่ องหมายมาจากธรรมชาติการไหลของกระแ ที่จะไหลจากตาแหน่งที่
ศักย์ไฟฟ้า ูงไปยังตาแหน่งที่ศักย์ไฟฟ้าต่า ดังนั้น การกาหนดเครื่องหมายบวกลบให้กับตัวต้านทาน
เบื้องต้นจะต้อง มมติทิศทางการไหลของกระแ ในวงจรขึ้นมาก่อน จากนั้นให้ตาแหน่งที่กระแ ไหล
เข้าตัวต้านทานเป็นเครื่องหมายบวก ่วนตาแหน่งที่กระแ ไหลออกตัวต้านทานเป็ นเครื่องหมายลบ
ดังแ ดงในรูปที่ 2.18 หากการคานวณค่ากระแ หรือแรงดันตกคร่อมตัวต้านทานผลลัพธ์มีค่าติดลบ
แ ดงว่าทิศทางที่กระแ ไหลจริง ๆ ในวงจร จะเป็นทิศที่ตรงกันข้ามกับทิศ ทางที่ มมติขึ้นมา การ
กาหนดตาแหน่งเครื่องหมายบวกลบให้กับตัวต้านทานจะมีความ าคัญต่อการวิเคราะห์วงจรด้วยกฎ
ของเคอร์ชอฟฟ์ ซึ่งจะได้กล่าวต่อไป
I VR
R
รูปที่ 2.18 การกาหนดเครื่องหมายบวกลบให้กับตัวต้านทาน
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.11 จงคานวณหาค่าแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R1 และ R2 ที่อยู่ในรูปที่ 2.19 เมื่อตัว
ต้านทาน R1 มีขนาด 1.5 k และ R2 มีขนาด 3 k และแหล่งจ่ายแรงดันมีค่าเท่ากับ 5 V
R1
1.5 k
5V 3 k R2
วิธีทา มมติทิศทางการไหลของกระแ ในวงจร จะได้เครื่องหมายบวกลบให้กับตัวต้านทาน R1 และ

R2 ดังแ ดงในรูปที่ 2.20
I VR1
R1 1.5 k
R2
5V VR2
3 k
รูปที่ 2.20 การกาหนดทิศทางกระแ ในวงจร าหรับตัวอย่างที่ 2.11
จากนั้นคานวณหาความต้านทานรวมของการต่ออนุกรมระหว่างตัวต้านทาน R1 และ R2 โดย

ใช้ มการที่ (2.7) แทนค่า R1 = 1.5 k, R2 = 3 k และ N = 2 จะได้
2
RT   Ri  R1  R2
i 1
RT  1.5k  3k = 4.5 k
ใช้ มการที่ (2.16) ในการคานวณหากระแ ที่ไหลในวงจร แทนค่า V = 5 V และ R = 4.5

k จะได้
5
I = 1.11 mA
4.5  103
ใช้ มการที่ (2.18) คานวณหาแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R1 แทนค่า I = 1.11 mA และ R = 1.5

k ลงใน มการ จะได้
VR1  1.11  103  1.5  103 = 1.665 V
ใช้ มการที่ (2.18) คานวณหาแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 แทนค่า I = 1.11 mA และ

R = 3 k ลงใน มการ จะได้
VR 2  1.11  103  3  103 = 3.33 V

และเนื่องจากผลรวมแรงดันตกคร่อมตัวต้านแต่ละตัวที่ต่ออนุกรมกันจะเท่ากับแรงดันของ
แหล่งจ่าย ดังนั้น จะได้
V = VR1+VR2 (2.19)
แทนค่า VR1 = 1.665 V และ VR2 = 3.33 V ใน มการที่ (2.19) จะได้
V  1.665  3.33  4.995  5 V
ตัวอย่างที่ 2.12 จงคานวณหาค่าแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R1, R2 และ R3 ที่อยู่ในรูปที่ 2.21 เมื่อ

ตัวต้านทาน R1 มีขนาด 3 k, R2 และ R3 ซึ่งต่อขนานกันมีขนาด 1 k เท่ากัน และแหล่งจ่าย
แรงดันมีค่าเท่ากับ 5 V
R1 3 k
R2 R3
5V 1 k 1 k
วิธีทา มมติทิศทางการไหลของกระแ ในวงจร จะได้เครื่องหมายบวกลบให้กับตัวต้านทาน R1, R2

และ R3 ดังแ ดงในรูปที่ 2.22
I VR1
R1 3 k
R2 R3
5V 1 k VR2 VR3 1 k
รูปที่ 2.22 การกาหนดทิศทางกระแ ในวงจร าหรับตัวอย่างที่ 2.12

จากนั้นคานวณหาความต้านทานรวม RT1 ของการต่อขนานกันระหว่างตัวต้านทาน R2 และ

R3 โดยใช้ มการที่ (2.10) แทนค่า R2 = 1 k และ R3 = 1 k จะได้
1  103  1 1031  106

RT 1  
1  103  1  103 2  103
RT 1  0.5  103 = 0.5 k
คานวณหาความต้านทานรวม RT2 ของการต่ออนุกรมกันระหว่าง R1 และ RT1 โดยใช้ มการ

ที่ (2.7) แทนค่า R1 = 3 k และ RT1 = 0.5 k จะได้
RT 2  3k  0.5k = 3.5 k
จากนั้นคานวณค่ากระแ ที่ไหลในวงจรโดยใช้ มการที่ (2.16) แทนค่า V = 5 V และ R =

RT2 = 3.5 k ลงใน มการจะได้
5
I = 1.428 mA
3.5  103
ใช้ มการที่ (2.18) คานวณหาแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R1 แทนค่า I = 1.428 mA และ

R = R1 = 3 k ลงใน มการ จะได้
VR1  1.428  103  3  103 = 4.284 V
การคานวณหาแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 หรือ R3 มี องวิธี วิธีแรกใช้ความรู้เรื่อง

ผลรวมแรงดันตกคร่อมตัวต้านแต่ละตัวที่ต่ออนุกรมกันจะเท่ากับแรงดันของแหล่งจ่าย จะได้
5 = 4.284+VR2 (2.20)
แก้ มการที่ (2.20) เพื่อหา VR2 ซึ่งมีค่าเท่ากับ VR3 จะได้
VR2 = 5-4.284 = 0.716 V (2.21)

วิธีที่ องคานวณหาแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 หรือ R3 ใช้ มการที่ (2.18) แทนค่า I =

1.428 mA และ R = RT1 = 0.5 k ลงใน มการ จะได้
VR 2  1.428  103  0.5  103 = 0.714 V (2.22)
เมื่อเปรียบเทียบผลลัพธ์จาก มการที่ (2.21) และ มการที่ (2.22) จะมีความแตกต่างกัน

0.002 V ซึ่งเป็นผลเนื่องมาจากการปัดเศษการคานวณ
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2.4 กฎของเคอร์ชอฟฟ์ (Kirchhoff’s Laws)

เนื่องจากกฎของโอห์มไม่เหมาะ าหรับนามาใช้ในการวิเคราะห์วงจรที่มีความซับซ้อนมาก ๆ
กุ ตาฟ โรเบิร์ต เคอร์ชอฟฟ์จึงได้พัฒนากฎ าหรับการวิเคราะห์วงจรขึ้นมามีจานวน 2 กฎ ได้แก่ กฎ
กระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ (Kirchhoff’s Current Law) และกฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ (Kirchhoff’s
Voltage Law) จะได้อธิบายรายละเอียดของแต่ละกฎดังต่อไปนี้
2.4.1 กฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ (Kirchhoff’s Current Law)

กฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ กล่าวไว้ว่า ผลรวมของกระแ ที่ไหลเข้าไปที่โนดใด ๆ จะมีค่า
เท่ากับผลรวมกระแ ที่ไหลออกจากโนดนั้น ๆ หรือในอีกความหมายหนึ่ง คือ ผลรวมทางพีชคณิต
ของกระแ ที่โนดใด ๆ มีค่าเท่ากับศูนย์ ามารถเขียนเป็น มการได้ดังนี้
N
 Ik  0 (2.23)
k 1
เมื่อ k คือ ลาดับที่ของกระแ ที่ไหลเข้าหรือออกจากโนด, N คือ จานวนกระแ ที่ไหลเข้าหรือออก

จากโนด และ ik คือ กระแ ที่ไหลเข้าหรือออกจากโนดลาดับที่ k
ความหมายของ โนด (Node) ที่ระบุในกฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ หมายถึง จุดในวงจรที่
่วนประกอบของวงจร (เช่น ตัวต้านทาน แหล่งจ่ายแรงดัน) มาบรรจบกัน อาจเรียก ่วนประกอบ
ของวงจรว่า กิ่ง (Branch) ดังนั้น การบรรจบกันของตัวต้านทาน 2 ตัว ก็ถือว่าเป็นโนด อย่างไรก็ตาม
การประยุกต์ใช้กฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์จะใช้กับโนดที่มีการบรรจบกันของกิ่งที่มากกว่า 2 กิ่งขึ้นไป
I2
I3
I1
I4
รูปที่ 2.23 การไหลของกระแ เข้าออกจากโนด
เมื่อพิจารณารูปที่ 2.23 พบว่ามีกระแ ที่ไหลเข้าโนดจานวน 2 กระแ คือ กระแ I2 และ I4

ขณะที่มีกระแ ไหลออกจากโนดจานวน 2 กระแ คือ กระแ I1 และ I3 เมื่อใช้กฎกระแ ของเคอร์
ชอฟฟ์ความหมายแรก จะได้ มการ
I2  I4  I1  I3 (2.24)
เมื่อใช้กฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ความหมายที่ องจะต้องกาหนดเครื่องหมายให้กับกระแ ที่ไหลเข้า

เป็นบวก กระแ ที่ไหลออกเป็นลบ ดังนั้นจะได้ มการ
4
 Ik  0
k 1
I1  I2  I3  I4  0 (2.25)
ังเกตว่า มการที่ (2.24) ที่ได้จากความหมายแรกของกฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ และ

มการที่ (2.25) ที่ได้จากความหมายที่ องของเคอร์ชอฟฟ์จะมีค่าเท่ากัน
2.4.2 กฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ (Kirchhoff’s Voltage Law)

กฎแรงดันของเคอร์ ชอฟฟ์ กล่าวไว้ว่า ผลรวมแรงดันของแหล่งจ่ายแรงดันในวงรอบปิด
(Closed Loop) ใด ๆ จะเท่ากับผลรวมของแรงดันตกคร่อมตัวต้านทานในวงรอบปิดนั้น ๆ หรือใน
อีกความหมายหนึ่ง ผลรวมทางพีชคณิตของแรงดันในวงรอบปิดใด ๆ จะเท่ากับศูนย์ ดังนั้นจะได้
N
 Vk  0 (2.26)
k 1
เมื่อ k คือ ลาดับที่ของแรงดันในวงรอบปิด , N คือ จานวนแรงดันในวงรอบปิด และ Vk คือ แรงดัน

ลาดับที่ k
A VR1 VR3
B C
R1 R3
V Loop 1 VR2 R2 Loop 2 VR4 R4
D
รูปที่ 2.24 วงจรตัวอย่าง าหรับอธิบายกฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์
ความหมายของ วงรอบปิด (เพื่อความ ะดวกอาจเรียกว่า วงรอบ) ที่ระบุในกฎกระแ ของ

เคอร์ชอฟฟ์ หมายถึง เ ้นทางปิดใด ๆ ในวงจรที่เมื่อเริ่มต้นเ ้นทางจากโนดใดแล้ว เ ้นทางนั้นจะวน
กลับมายังโนดเริ่มต้น จากวงจรในรูปที่ 2.24 จะมีจานวนวงรอบ 2 วงรอบ วงรอบแรกจะเริ่มจากโนด
A ไปยังโนด B ไปยังโนด D และกลับไปยังโนด A อาจเรียกชื่อวงรอบนี้เพื่อความ ะดวกว่า วงรอบที่
1 วงรอบที่ องจะเริ่มจากโนด B ไปยังโนด C ไปยังโนด D และกลับไปยังโนด B เรียกชื่อวงรอบนี้ว่า
วงรอบที่ 2
การตั้ง มการแรงดันจะต้อง มมติทิศทางการวนในวงรอบ อาจเป็นการวนทวนเข็มนาฬิกา
หรือตามเข็มนาฬิกาก็ได้ แต่ตัวอย่างในรูปที่ 2.24 จะเป็นการวนรอบตามเข็มนาฬิกาทั้ง องวงรอบ
นอกจากนั้นการตั้ง มการแรงดันจะต้องเป็นไปตามกฎของการวนในวงรอบ ดังนี้ เมื่อพบเครื่องหมาย
บวกก่อนเครื่องหมายลบ ต้องให้แรงดันนั้นมีค่าบวก แต่ถ้าพบเครื่องหมายลบก่อนเครื่องหมายบวก
ต้องให้แรงดันนั้นมีค่าลบ ตัวอย่างเช่น ในวงรอบที่ 1 เมื่อเริ่มจากแหล่งจ่ายแรงดัน V จะได้ –V
เนื่องจากพบเครื่องหมายลบก่อน วนต่อไปถึงตัวต้านทาน R1 พบเครื่องหมายบวกก่อน จะได้ +VR1
วนต่อไปถึงตัวต้านทาน R2 พบเครื่องหมายบวกก่อน จะได้ +VR2 จึง ามารถตั้ง มการแรงดันของ
วงรอบที่ 1 ได้ดังนี้
V  VR1  VR 2  0 (2.27)
ในวงรอบที่ 2 เมื่อเริ่มจากตัวต้านทาน R2 พบเครื่องหมายลบก่อน จะได้ -VR2 วนต่อไปถึงตัวต้านทาน

R3 พบเครื่องหมายบวกก่อน จะได้ +VR3 วงต่อไปถึงต้วต้านทาน R4 พบเครื่องหมายบวกก่อน จะได้
+VR4 การตั้ง มการแรงดันของวงรอบที่ 2 จะได้
VR 2  VR 3  VR 4  0 (2.28)
VR1 I1 I3 VR3
A B C
R1 I2 R3
V Loop 1 VR2 R2 Loop 2 VR4 R4
D
รูปที่ 2.25 การกาหนดทิศทางกระแ และเครื่องหมายบวกลบให้กับตัวต้านทาน
2.4.3 การแก้ปัญหาวงจรด้วยกฎของเคอร์ชอฟฟ์
การแก้ปัญหาวงจรด้วยกฎของเคอร์ชอฟฟ์ จะเริ่มจากการกาหนดกระแ พร้อมกับ มมติทิศ
ทางการไหลผ่ านกิ่ ง ต่ า ง ๆ ในวงจรขึ้ นมาก่ อ น จากนั้น จึ ง ก าหนดเครื่อ งหมายบวกลบให้ กั บ ตั ว
ต้านทานที่กระแ ไหลผ่าน ตาแหน่งที่กระแ ไหลเข้า ตัวต้านทานให้มีเครื่องหมายบวก ตาแหน่งที่
กระแ ไหลออกจากตัวต้านทานให้มีเครื่องหมายลบ เครื่องหมายบวกลบแ ดงถึงแรงดันตกคร่อมตัว
ต้านทาน ดังแ ดงตัวอย่างในรูป 2.25 จากรูปจะพบว่ากิ่งของแหล่งจ่ายแรงดัน V และกิ่งของตัว
ต้านทาน R4 ไม่ได้กาหนดกระแ ขึ้นมา เนื่องจากโนด A มีจานวนกิ่งที่มาบรรจบเพียงแค่ 2 กิ่ง คือ
กิ่งของแหล่งจ่ายแรงดัน V และกิ่งของตัวต้านทาน R1 ดังนั้น กระแ ที่ไหลเข้าและออกจากโนด A จึง
เป็นกระแ เดียวกัน ไม่มีความจาเป็นในการกาหนดกระแ ไหลผ่านกิ่งของแหล่งจ่ายแรงดัน V ขึ้นมา
ให้ซ้าซ้อนกับการกาหนดกระแ ที่ไหลผ่านกิ่งของตัวต้านทาน R1 ด้วยเหตุผลที่อธิบายนี้จึงไม่ต้อง
กาหนดกระแ ให้ไหลผ่านกิ่งของตัวต้านทาน R4 เนื่องจากเป็นกระแ เดียวกับที่ไหลผ่านกิ่งของตัว
ต้านทาน R3 เมื่อได้กระแ และเครื่องหมายบวกลบคร่อมตัวต้านทานจะ ามารถตั้ง มการกระแ ที่
ไหลเข้าออกโนด B ได้ดังนี้
I1  I2  I3  0 (2.29)
ว่ นการตั้ง มการแรงดันของวงรอบได้อธิบายในหัวข้อที่แล้ว ดังนั้น วงรอบที่ 1 และวงรอบ

ที่ 2 จะเป็นไปตาม มการที่ (2.27) และ (2.28) ตามลาดับ
เมื่อตั้ง มการกระแ และแรงดันได้แล้ว ตัวแปรที่ต้องการหาคาตอบ คือ ตัวแปรกระแ I1, I2
และ I3 จึงต้องแปลงแรงดันตกคร่อมตัวต้านทานแต่ละตัวให้อยู่ในรูปของตัวแปรกระแ ด้วยการใช้กฎ
ของโอห์ม ดังนี้
VR1  I1R1 (2.30)

VR 2  I2 R2 (2.31)
VR 3  I3 R3 (2.32)
VR 4  I3 R4 (2.33)
จากนั้นแทน มการที่ (2.30) และ (2.31) ลงใน มการที่ (2.27) จะได้
V  I1R1  I2 R2  0 (2.34)
I1R1  I2 R2  V (2.35)
และแทน มการที่ (2.31), (2.32) และ (2.33) ลงใน มการที่ (2.28) จะได้
I2 R2  I3 R3  I3 R4  0 (2.36)
เมื่อพิจารณา มการที่ (2.35) และ (2.36) จะพบว่ามีตัวแปรกระแ I2 เท่านั้นที่เป็นตัวแปรที่อยู่ในทั้ง

อง มการ ไม่เพียงพอที่จะนาไปหาคาตอบ จึงต้องเปลี่ยนรูปตัวแปรทั้ง อง มการให้ตรงกัน โดย
แปลงตัวแปรกระแ I3 ให้อยู่ในรูปตัวแปร I1 และ I2 จาก มการที่ (2.29) จะได้
I3  I1  I2 (2.37)
แทน มการที่ (2.37) ใน มการที่ (2.36) จะได้
I2 R2   I1  I2  R3   I1  I2  R4  0
I2 R2  I1R3  I2R3  I1R4  I2R4  0
 R3  R4  I1   R2  R3  R4  I2  0 (2.38)
ดังนั้น จะได้ มการที่ ามารถนาไปหาคาตอบ ซึ่งมาจาก มการที่ (2.35) และ (2.38) ดังนี้
R1I1  R2 I2  V (2.39)
 R3  R4  I1   R2  R3  R4  I2  0 (2.40)
การหาคาตอบของ มการที่ (2.39) และ (2.40) ซึ่งเป็น มการเชิงเ ้น จะ ามารถใช้วิธีการ

เขียน มการในรูปของเมทริกซ์และใช้ดีเทอร์มิแนนต์ช่วยหาคาตอบของตัวแปรเชิงเ ้น จะเริ่มด้วย
การเขียน มการในรูปแบบของเมทริกซ์ ดังนี้
 R1 R2   I1  V 
R  R 
  R2  R3  R4  I2   0 
(2.41)
3 4
จากนั้นนาค่า ัมประ ิทธิ์ของ I1 และ I2 มาหาค่าดีเทอร์มิแนนต์ จะได้
det  R   R1  R2  R3  R4   R2  R3  R4  (2.42)
การหาคาตอบของตัวแปร I1 จะนาคอลัมน์ค่าคงที่ของ มการที่ (2.41) แทนลงในคอลัมน์ ัมประ ิทธิ์

ของ I1 แล้วนาผลลัพธ์ไปหารด้วยดีเทอร์มิแนนต์ค่า ัมประ ิทธ์ I1 และ I2 ใน มการที่ (2.42) ดังนั้น
 V R2 
det  
 0   R2  R3  R4  
I1   
R1  R2  R3  R4   R2  R3  R4 
V  R2  R3  R4 
I1  (2.43)
R1  R2  R3  R4   R2  R3  R4 
การหาคาตอบของตัวแปร I2 จะนาคอลัมน์ค่าคงที่ของ มการที่ (2.41) แทนลงในคอลัมน์ ัมประ ิทธิ์

ของ I2 แล้วนาผลลัพธ์ไปหารด้วยดีเทอร์มิแนนต์ค่า ัมประ ิทธ์ I1 และ I2 ใน มการที่ (2.42) ดังนั้น
  R1 V
det  
 R3  R4 0  
I2   
R1  R2  R3  R4   R2  R3  R4 
V  R3  R4 
I2  (2.44)
R1  R2  R3  R4   R2  R3  R4 
เมื่อได้คาตอบของตัวแปร I1 และ I2 ก็นาไปแทนค่าลงใน มการที่ (2.37) เพื่อหาค่าของตัวแปร I3

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.13 จงคานวณหาค่ากระแ I1, I2 และ I3 ที่ไหลในวงจรในรูปที่ 2.26 โดยใช้การคานวณ
ด้วยวิธีกฎของโอห์มเปรียบเทียบกับวิธีกฎของเคอร์ชอฟฟ์ เมื่อกาหนดแหล่งจ่ายแรงดัน V เท่ากับ 5
V ค่าตัวต้านทาน R1, R2, R3 และ R4 เท่ากับ 2 k, 1 k, 2 k และ 1 k ตามลาดับ
VR1 I1 I3 VR3
R1 2 k I2 R3 2 k
R2 R4
5V VR2 1 k VR4 1 k
รูปที่ 2.26 รูปวงจร าหรับตัวอย่างที่ 2.13
วิธีทา การคานวณด้วยวิธีกฎของโอห์ม เริ่มต้นจากหาความต้านทานรวมในวงจร จะได้
1
RT  1 1  R1 (2.45)

 R3  R4  R2
เมื่อแทนค่า R1 = 2 k, R2 = 1 k, R3 = 2 k และ R4 = 1 k ลงใน มการที่

(2.45) จะได้
1
RT 1  1 1  2k = 2.75 k

 2k  1k 1k 
การหากระแ รวมที่ไหลในวงจร ซึ่งก็คือกระแ I1 จากกฎของโอห์ม จะใช้ มการที่ (2.16)
แทนค่า V = 5 V และ R = RT1 = 2.75 k ใน มการจะได้
5
I = 1.81 mA
2.75  103
จากนั้นหาแรงดันตกคร่อม ่วนต่อขนานตัวต้านทาน ซึง่ มีความต้านทานรวมเท่ากับ
1
RT 2  1 1 = 750 

 
2k  1k 1k
แรงดันตกคร่อม ่วนต่อขนานตัวต้านทานจะหาได้จากกฎของโอห์ม โดยใช้ มการที่ (2.18)

แทนค่า I = 1.81 mA และ R = RT2 = 750  ลงใน มการ จะได้
VRT 2  1.81  103  750 = 1.357 V
จากนั้นหากระแ I2 จากกฎของโอห์ม จะใช้ มการที่ (2.16) แทนค่า V = VRT2 = 1.357 V

และ R = R2 = 1 k ใน มการจะได้
1.357
I2  = 1.357 mA
1  103
และหากระแ I3 จากกฎของโอห์ม จะใช้ มการที่ (2.16) แทนค่า V = VRT2 = 1.357 V

และ R = R3+R4 = 3 k ใน มการจะได้
1.357
I3  = 0.452 mA
3  103
เมื่อคานวณด้วยวิธีกฎของเคอร์ชอฟฟ์ เนื่องจากวงจรในรูปที่ 2.26 เป็นวงจรที่ได้อธิบาย

วิธีการใช้กฎของเคอร์ชอฟฟ์ในการหาคาตอบของกระแ I1, I2 และ I3 เรียบร้อยแล้ว จึงจะใช้ มการที่
(2.43), (2.44) (2.37) ในการหาคาตอบของกระแ I1, I2 และ I3 ตามลาดับ
แทนค่า R1 = 2 k, R2 = 1 k, R3 = 2 k, R4 = 1 k และ V = 5 V ลงใน มการที่

(2.43) จะได้
I1 
 
5 1k  2k  1k
= 1.81 mA
2k1k  2k  1k   1k  2k  1k 
แทนค่า R1 = 2 k, R2 = 1 k, R3 = 2 k, R4 = 1 k และ V = 5 V ลงใน มการที่

(2.44) จะได้
I2 

5 2k  1k  = 1.363 mA

2k 1k  2k  1k  1k 2k  1k   
แทนค่า I1 = 1.81 mA และ I2 = 1.363 mA ลงใน มการที่ (2.37) จะได้
I3 = 1.81 mA - 1.363 mA = 0.447 mA
จะเห็นว่าทั้ง องวิธีให้คาตอบที่ใกล้เคียงกัน าหรับเหตุที่คาตอบไม่ตรงกันเนื่องมาจากการ

ปัดเศษผลลัพธ์จากการคานวณในหลายขั้นตอนเมื่อใช้วิธีกฎของโอห์ม
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
2.5 ทฤษฎีบทของเทเวนิน (Thevenin’s Theorem)

ในวงจรที่ต้องมีการเปลี่ยนโหลดของวงจร การใช้กฎของเคอร์ชอฟฟ์วิเคราะห์อาจเ ียเวลา
เนื่องจากต้องเริ่มต้นคานวณใหม่ทั้งหมดเมื่อโหลดเปลี่ยนแปลง วิศวกรไฟฟ้าชาวฝรั่งเศ ชื่อ ลีออน
ชาร์ล ์ เทเวนิน (Leon Charles Thevenin) จึงได้คิดค้นทฤษฎีที่เหมาะกับการวิเคราะห์วงจรที่ ต้อง
มีการเปลี่ยนโหลดของวงจร ภายหลังเรียกทฤษฎีนี้ว่า ทฤษฎีบทของเทเวนิน ซึ่งกล่าวไว้ว่า วงจรเชิง
เ ้นที่ประกอบด้วยแหล่งจ่ายแรงดัน แหล่งจ่ายกระแ และมีเฉพาะความต้านทาน จะ ามารถแทนที่
วงจรนั้นด้วยแหล่งจ่ายแรงดัน มมูลที่ต่ออนุกรมอยู่กับความต้านทาน มมูล ดังแ ดงในรูปที่ 2.27
จากรูปขั้ว A และขั้ว B จะเป็นขั้ว าหรับการต่อโหลดของวงจร การคานวณหาแหล่งจ่ายแรงดัน
มมูล Vth และความต้านทาน มมูล Rth ามารถอธิบายได้ดังนี้
Rth
A A
Vth
B B
Black box
รูปที่ 2.27 การแทนวงจรที่ซับซ้อนด้วยวงจร มมูลเทเวนิน
การคานวณหาแหล่งจ่ายแรงดัน มมูล Vth จะต้องเปิดวงจร ณ ตาแหน่งโหลดของวงจร

จากนั้นคานวณหาแรงดันที่ขั้วเปิดทั้ง อง ค่าที่ได้จะได้เป็นค่าของแหล่งจ่ายแรงดัน มมูล Vth ่วน
การคานวณหาความต้านทาน มมูล Rth จะต้องลัดวงจรของแหล่งจ่ายแรงดันทั้งหมดที่มีในวงจร
และเปิดวงจรของแหล่งจ่ายกระแ ทั้งหมดที่มีในวงจร จากนั้นคานวณหาความต้านทานรวมระหว่าง
ขั้วเปิดทั้ง อง ก็จะได้ค่าความต้านทาน มมูล Rth เมื่อได้วงจร มมูลเทเวนินก็ ามารถใ ่โหลดกลับ
เข้ามาที่ขั้วเปิดและใช้การวิเคราะห์ว งจรด้วยด้ว ยกฎของโอห์ม และกฎของเคอร์ชอฟฟ์ในการหา
แรงดันตกคร่อมโหลดหรือกระแ ที่ไหลผ่านโหลดนั้น
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 2.14 จงคานวณหาค่ากระแ ที่ไหลผ่านตัวต้านทาน R5 และแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน
R5 ในวงจรที่อยู่ในรูปที่ 2.28 โดยใช้ทฤษฎีบทของเทเวนิน
R1 R4
2 k 1 k
R2 1 k
15 V R5 1 k
R3 1 k
วิธีทา เปิดวงจรที่ตาแหน่งตัวต้านทาน R5 จะได้รูปวงจรดังแ ดงในรูปที่ 2.29
R1 R4
A
2 k 1 k
R2 1 k
15 V
R3 1 k
B
รูปที่ 2.29 การเปิดวงจรที่ตาแหน่งตัวต้านทาน R5
จากนั้นคานวณหาแหล่งจ่าย มมูลเทเวนิน Vth ที่ขั้วเปิด A-B ด้วยกฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์

มมติทิศทางการไหลของกระแ ในวงรอบปิด จะได้แรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R1, R2 และ R3
(หมายเหตุ R4 ไม่มีกระแ ไหลผ่านจึงไม่มีแรงดันตกคร่อม) ดังแ ดงในรูปที่ 2.30 เมื่อใช้กฎแรงดัน

ของเคอร์ชอฟฟ์ จะได้
-15+VR1+VR2+VR3 = 0
VR1+VR2+VR3 = 15 (2.46)
VR1 R4
A
2 k 1 k
VR2 1 k
15 V
I
VR3 1 k
B
รูปที่ 2.30 การ มมติการไหลของกระแ ในวงรอบปิด
เมื่อใช้กฎของโอห์มแปลง มการที่ (2.46) ให้อยู่ในรูปแบบตัวแปรกระแ จะได้
I  R1  I  R2  I  R3  15
I  R1  R2  R3   15 (2.47)
แทนค่า R1 = 2 k, R2 = 1k และ R3 = 1k ลงใน มการที่ (2.47) จะได้
I(2 k+1k+1k) = 15
I(4 k) = 15 (2.48)
แก้ มการที่ (2.48) จะได้กระแ ที่ไหลในวงรอบปิด ดังนี้
15
I = 3.75 mA (2.49)
4  103
จากรูปที่ 2.30 แรงดันที่ขั้วเปิด A-B คือ แรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 รวมกับแรงดันตก

คร่อมตัวต้านทาน R3 ดังนั้น จะได้แรงดัน มมูลเทเวนิน Vth ดังนี้
Vth  I  R2  R3  (2.50)
แทนค่า I = 3.75 mA, R2 = 1 k และ R3 = 1 k ลงใน มการที่ (2.50) จะได้
Vth  3.75  10 3 1  103  1  103  = 7.5 V (2.51)
R1 R4
A
2 k 1 k
R2 1 k
R3 1 k
B
รูปที่ 2.31 การลัดวงจรแหล่งจ่ายแรงดันเพื่อหาความต้านทาน มมูลเทเวนิน
การหาความต้านทาน มมูลเทเวนิน Rth ซึ่งเป็นความต้านทานรวมระหว่างขั้วเปิด A-B ให้

ลัดวงจรแหล่งจ่ายแรงดัน จะได้ดังรูปที่ 2.31 จากรูปจะได้
 1 
Rth     R4 (2.52)
1
 1 / R  1 /  R2  R 
3 
แทนค่า R1 = 2 k, R2 = 1k และ R3 = 1k ลงใน มการที่ (2.52) จะได้
 1  3
Rth   3   1  10 = 2 k (2.53)
1 / 2  10  1 / 1  10  1  10  
3 3
จาก มการที่ (2.51) และ (2.53) จะได้วงจร มมูลของเทเวนิน และเมื่อนาโหลด R5 ไปต่อที่

ขั้วเปิด A-B จะแ ดงได้ดังรูปที่ 2.32
2 k A
7.5 V
R5 1 k
B
รูปที่ 2.32 การต่อโหลดเข้ากับวงจร มมูลเทเวนินที่ได้
จากรูปที่ 2.32 ามารถหากระแ ที่ไหลในวงจรได้จากกฎของโอห์ม ดังต่อไปนี้
7.5
I 3 = 2.5 mA (2.54)
 2  10 3
 1  10 
และ ามารถหาแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R5 ได้จากกฎของโอห์ม ดังนี้
VR 5  2.5  103  1  103 = 2.5 V (2.55)

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
1. จงคานวณหาค่าความต้านทาน R ของลวดตัวนาที่ทาด้วยวั ดุทองแดงมีความยาว l เท่ากับ
1 km มีพื้นที่หน้าตัดรูปวงกลม A ขนาดเ ้นผ่านศูนย์กลาง D เท่ากับ 0.1 mm และความ
ต้านทานจาเพาะของทองแดงเท่ากับ 1.68×10−8 .m
2. ตัวต้านทานทั้งหมด 5 ตัว ประกอบด้วยตัวต้านทาน R1 มีค่า 2 k, ตัวต้านทาน R2 มีค่า 2
k, ตัวต้านทาน R3 มีค่า 1.5 k, ตัวต้านทาน R4 มีค่า 2.5 k และตัวต้านทาน R5 มี
ค่า 3.5 k ทั้งหมดต่ออนุกรมกัน จงคานวณหาความต้านทานรวม
3. ตัวต้านทานทั้งหมด 5 ตัว ประกอบด้วยตัวต้านทาน R1 มีค่า 2 k, ตัวต้านทาน R2 มีค่า 2
k, ตัวต้านทาน R3 มีค่า 1.5 k, ตัวต้านทาน R4 มีค่า 2.5 k และตัวต้านทาน R5 มี
ค่า 3.5 k ทั้งหมดต่อขนานกัน จงคานวณหาความต้านทานรวม
4. จงคานวณหาค่าแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R1 และ R2 ที่ต่ออนุกรมกันและต่ออยู่กับ
แหล่งจ่ายแรงดัน กาหนดให้ตัวต้านทาน R1 มีขนาด 2.5 k และ R2 มีขนาด 1 k และ
แหล่งจ่ายแรงดันมีค่าเท่ากับ 3 V
5. จงคานวณหาค่ากระแ I1, I2 และ I3 ที่ไหลในวงจรในรูปที่ 2.33 โดยใช้การคานวณด้วยวิธี

กฎของโอห์มเปรียบเทียบกับวิธีกฎของเคอร์ชอฟฟ์ เมื่อกาหนดแหล่งจ่ายแรงดัน V เท่ากับ
7 V ค่าตัวต้านทาน R1, R2, R3 และ R4 เท่ากับ 1 k, 1 k, 1 k และ 1 k
ตามลาดับ
R1 1 k R3 1 k
R2 R4
7V 1 k 1 k
รูปที่ 2.33 รูปวงจร าหรับคาถามท้ายบทข้อที่ 5
6. จงคานวณหาค่ากระแ ที่ไหลผ่านตัวต้านทาน R5 และแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R5 ใน

วงจรที่อยู่ในรูปที่ 2.34 โดยใช้ทฤษฎีบทของเทเวนิน
R1 R4
3 k 1 k
R2 2 k
12 V R5 2 k
R3 1 k
รูปที่ 2.34 รูปวงจร าหรับคาถามท้ายบทข้อที่ 5
J. David Irwin and Robert M. Nelms. (2011). Basic Engineering Circuit Analysis.
Wiley.
ชัด อินทะ ี. (2553). วงจรไฟฟ้ากระแ ตรง. ซีเอ็ดยูเคชั่น.
บรรณญั ติ บริ บู ร ณ์. (2555). เอก ารประกอบการ อนวิ ชาวงจรไฟฟ้า . มหาวิท ยาลั ย ราชภั ฏ
อุดรธานี.
เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
3.1 บทนา
3.2 การเกิดแรงบนลวดตัวนาใน นามแม่เหล็ก
3.3 แกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาล
3.4 เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
3.4.1 โครง ร้างพื้นฐานของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
3.4.2 แรงทางกลของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
3.4.2.1 แรงเบี่ยงเบน
3.4.2.2 แรงควบคุม
3.4.2.3 แรงหน่วง
3.4.3 ความไวกระแ ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
3.4.4 ข้อดีของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
3.4.5 ข้อเ ียของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
3.4.6 ัญญลักษณ์ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
3.4.7 การหาความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่
3.4.8 การหากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
1. เพื่อให้ ผู้ เรี ย นมีความเข้าใจการเกิดแรงบนลวดตัว นาที่ว างอยู่ใน นามแม่เหล็ ก อันเป็น
พื้นฐาน าคัญของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
2. เพื่อให้ผู้เรียนเข้าใจ ่วนประกอบและการทางานของแกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาล ซึ่ง
เป็นเครื่องมือวัดกระแ ขนาดเล็ก ๆ และเป็นเครื่องมือวัดแบบพื้นฐานของเครื่องมือวัดแบบ
พีเอ็มเอ็มซี
3. เพื่อให้ผู้เรียนเข้าใจเกี่ยวกับโครง ร้างของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
4. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาแรงเบี่ยงเบน แรงบิดเบี่ยงเบน และแรงบิดควบคุมที่เกิดขึ้น
ในเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
5. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาความไวกระแ ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
6. เพื่ อ ให้ ผู้ เ รี ย น ามารถอธิ บ ายข้ อ ดี แ ละข้ อ เ ี ย ของเครื่ อ งมื อ วั ด แบบพี เ อ็ ม เอ็ ม ซี และ
ัญลักษณ์เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีในวงจร
7. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหา ความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ และกระแ เบี่ยงเบนเต็ม

เกลของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี

บทที่ 3
เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
(Permanent Magnet Moving Coil Instrument)
3.1 บทนา
ในปีค.ศ. 1820 นักฟิ ิก ์และนักเคมีชาวเดนมาร์ก ชื่อ ฮาน ์ คริ เตียน เออร์เ ตด (Hans
Christian Orsted) ค้นพบโดยบังเอิญว่าเมื่อนาเข็มทิศไปวางใกล้ ๆ กับลวดตัวนาที่มีกระแ ไฟฟ้า
ไหลผ่านจะทาให้เข็มทิศเกิดการเบี่ยงเบน ดังแ ดงในรูปที่ 3.1 จึง รุปได้ว่ากระแ ที่ไหลผ่านลวด
ตัวนาทาให้เกิด นามแม่เหล็กล้อมรอบลวดตัวนา ปรากฏการณ์ที่ค้นพบนี้นามาซึ่งการศึกษาค้นคว้า
เครื่องมือวัดกระแ ไฟฟ้าที่มีขนาดเล็ก ๆ ที่เรียกว่า แกลแวนอมิเตอร์ (Galvanometer)
รูปที่ 3.1 การค้นพบการเบี่ยงเบนของเข็มทิศที่วางใกล้เ ้นลวดที่มีกระแ ไฟฟ้า

(ที่มาของภาพ: http://images.fineartamerica.com/images-medium-large/
3-hans-christian-oersted-granger.jpg)
ในเบื้องต้นของการพัฒนายังไม่ได้เรียกชื่อเครื่องมือวัด ชนิดนี้ว่าแกลแวนอมิเตอร์ จนกระทั่ง

ปีค.ศ. 1836 จึงได้ใช้ชื่อว่าแกลแวนอมิเตอร์ ซึ่งเป็นชื่อที่ตั้งตามชื่อนักฟิ ิก ์ชาวอิตาลีที่มีชื่อว่า ลุยจิ
แกลแวนิ (Luigi Galvani) (รูปที่ 3.2) ผู้ที่ค้นพบในปีค.ศ. 1786 ว่ากระแ ไฟฟ้าทาให้ขาของกบที่ตาย
แล้วกระตุก
74 บทที่ 3 เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
รูปที่ 3.2 ลุยจิ แกลแวนิ ผู้ค้นพบว่ากระแ ไฟฟ้าทาให้ขาของกบที่ตายแล้วกระตุก

(ที่มาของภาพ: http://www.pile.fr/parlons/wp-content/uploads/2014/01/luigi-
galvani.jpg)
รูปที่ 3.3 ดาร์ ันวาลผู้ประดิษฐกัลวานอมิเตอร์แบบขดลวดเคลื่อนที่

(ที่มาของภาพ: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/2/2d/Jacques-
Ars%C3%A8ne_d%27Arsonval.jpg)
ต่อมาในปีค.ศ. 1882 นักฟิ ิก ์ชาวฝรั่งเศ ชื่อ ดาร์ ันวาล (Jacques-Arsene D’Arsonval) (รูปที่
3.3) ได้ประดิษฐ์แกลแวนอมิเตอร์ที่ ใช้ขดลวดที่ ามารถหมุน ได้ภายใต้ นามแม่เหล็กหรือขดลวด
เคลื่อนที่ (Moving Coil) ต่อมานักเคมีชาวอเมริกันชื่อว่า เอ็ดเวิร์ด เว ตัน (Edward Weston) (รูปที่
3.4) ได้พัฒนาวิธีการออกแบบแกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาลให้ มีประ ิทธิภาพมากขึ้น แต่ยังคง

หลักการของขดลวดเคลื่อนที่ตัดผ่าน นามแม่เหล็ก แกลแวนอมิเตอร์ที่เว ตันออกแบบดังแ ดงในรูป
ที่ 3.5 นี้มีความใกล้เคียงกับแกลแวนอมิเตอร์ที่ใช้ในปัจจุบัน อย่างไรก็ตาม แกลแวนอมิเตอร์ของดาร์
ันวาลก็ถือได้ว่าเป็นรากฐาน าคัญยิ่งของการออกแบบเครื่องมือวัดทางไฟฟ้าชนิดแอนะลอก เช่น
แอมมิเตอร์ โอห์มมิเตอร์ ที่ใช้ในปัจจุบัน เนื่องจากแกลแวนอมิเตอร์ ของดาร์ ันวาลและเว ตัน ใช้
หลักการของขดลวดเคลื่อนที่ตัดผ่าน นามแม่เหล็ก (Permanent Magnet Moving Coil: PMMC)
จึงเรียกเครื่องมือวัดที่ใช้หลักการนี้ว่า เครื่องมือวัดแบบขดลวดเคลื่อนที่แม่เหล็กถาวร หรือเครื่องมือ
วัดแบบพีเอ็มเอ็มซี แต่ในเอก ารประกอบการ อนนี้จะเรียกว่า เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
รูปที่ 3.4 เอ็ดเวิร์ด เว ตันผู้พัฒนาการออกแบบแกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาลให้มีประ ิทธิภาพ

มากขึ้น
(ที่มาของภาพ: http://electronicdesign.com/site-
files/electronicdesign.com/files/uploads/2006/10/weston180x224.jpg)
รูปที่ 3.5 แกลแวนอมิเตอร์ของเว ตัน

(ที่มาของภาพ: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/e/e2
D%27Arsonval_ammeter_movement.jpg)
ในบทนี้จะได้อธิบายถึงการเกิดแรงบนลวดตัวนาใน นามแม่เหล็ก แกลแวนอมิเตอร์ของดาร์

ันวาล และจะได้อธิบายรายละเอียดเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีที่ประกอบด้วย โครง ร้างพื้นฐาน
ของเครื่องมือวัด แรงทางกลที่ประกอบด้วยแรงเบี่ยงเบน แรงควบคุม และแรงหน่วง ความไวกระแ
ของเครื่องมือวัด แบบพีเอ็มเอ็มซี ข้อดีและข้อเ ียของเครื่องมือวัด แบบพีเอ็มเอ็มซี ัญลักษณ์
เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีในวงจรไฟฟ้า การหาความต้านทานของขดลวดเคลื่อนที่ และการหา
กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล
3.2 การเกิดแรงบนลวดตัวนาใน นามแม่เหล็ก

จากการค้นพบของเออร์เ ตดที่ว่าเมื่อมีกระแ ไหลผ่านลวดตัวนาจะทาให้เกิด นามแม่เหล็ก
ล้อมรอบลวดตัวนา ดังนั้น หากวางลวดตัวนาในแนวตั้งฉากกับ นามแม่เหล็ก ของแม่เหล็กถาวร
นามแม่เหล็กที่ล้อมรอบลวดตัวนาจะทาปฏิกิริยากับ นามแม่เหล็กของแม่เหล็กถาวร ดังแ ดงในรูป
ที่ 3.6 จะเห็นว่าฟลักซ์แม่เหล็กของลวดตัวนาจะผลักกับฟลักซ์แม่เหล็กของแม่เหล็กถาวร การผลัก
กันระหว่างฟลักซ์แม่เหล็ก จาก นามแม่เหล็กทั้ง องแหล่งจะทาให้เกิดแรงเบี่ยงเบนเกิดขึ้นที่ลวด
ตัวนา าหรับทิศทางของแรงเบี่ยงเบนที่เกิดขึ้นจะเป็นไปตามกฎที่คิดค้นโดยวิศวกรไฟฟ้าชาวอังกฤษ
ชื่อ เซอร์จอห์น แอมโบร เฟลมมิ่ง (Sir Johan Ambrose Fleming) จึงเรียกกฎนี้ว่า กฎมือซ้าย
ของเฟลมมิ่ง (Fleming's left-hand rule) ซึ่งใช้หาทิศทางการเคลื่อนที่ของขดลวดตัวนาภายใน
มอเตอร์ จากรูปที่ 3.7 เมื่อกางนิ้วหัวแม่มือ นิ้วชี้ และนิ้วกลางของมือซ้ายออก โดยให้ทั้ง ามนิ้วตั้ง
ฉากซึ่งกันและกัน นิ้วหัวแม่มือจะชี้ทิศทางการเคลื่อนที่ของขดลวดหรือชี้ทิศทางของแรงที่เกิดขึ้น (F)
นิ้วชี้จะชี้ทิศทางของเ ้นแรงแม่เหล็ก (B) และนิ้วกลางจะชี้ทิศทางการไหลของกระแ ไฟฟ้าในขดลวด
(I) ดังนั้นแรงที่เกิดขึ้นกับขดลวดในรูปที่ 3.6 จะมีทิศทางชี้ขึ้นข้างบนเมื่อกระแ ไหลเข้ามาที่ขดลวด
แต่เมื่อกระแ ไหลออกจากขดลวด แรงที่เกิดขึ้นจะมีทิศทางชี้ลงข้างล่าง ด้วยวิธีการนี้ขดลวดจะเกิด
การเบี่ยงเบนภายใน นามแม่เหล็กของแม่เหล็กถาวร ขดลวดจะเบี่ยงเบนได้มากหรือน้อยขึ้นอยู่กับ
หลายปัจจัย เช่น ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็ก และจานวนรอบของขดลวด เป็นต้น เนื่องจากความ
หนาแน่น ฟลั กซ์แม่เหล็ก ที่ ูงและจ านวนรอบของขดลวดที่มากขึ้น จะทาให้แรงที่เกิดเพิ่มมากขึ้น
หลักการนี้จึงใช้ในการออกแบบแกลแวนอมิเตอร์ชนิดขดลวดเคลื่อนที่แม่เหล็กถาวร
I
N S
I
Top View
Force
N S
Force
Field flux
Front View
รูปที่ 3.6 การเกิดแรงเบี่ยงเบนของขดลวดที่มีกระแ ไฟฟ้าไหลผ่าน
รูปที่ 3.7 กฎมือซ้ายของเฟรมมิ่ง
3.3 แกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาล (Galvanometer of D’Arsonval)

จากหลักการของแรงเบี่ยงเบนที่เกิดขึ้นกับลวดตัวนาดังที่ได้อธิบาย นักฟิ ิก ์ชาวฝรั่งเศ ชื่อ
ดาร์ ันวาล จึงได้นาไปออกแบบแกลแวนอมิเตอร์ ซึ่งมี ่วนประกอบที่ าคัญดังแ ดงในรูปที่ 3.8 ดังนี้
ขดลวดเคลื่อนที่ (Moving Coil), แม่เหล็กถาวร (Permanent Magnet) และกระจก (Mirror)
ขดลวดเคลื่อนที่ คือ เ ้นลวดทองแดงอาบน้ายาที่มีขนาดเล็กพันล้อมรอบแกนเหล็ก (Iron Core)
จานวนหลาย ๆ รอบ แกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาลจะแขวนขดลวดด้วยเ ้นลวดในแนวแกนตั้ง
เพื่อให้ ขดลวด ามารถหมุน ได้ร อบแกนในลั กษณะ มมาตร การทางานของอุปกรณ์จะ ามารถ
อธิบายได้ดังนี้
Mirror
Moving Coil
Permanent Magnet
Iron Core
รูปที่ 3.8 ่วนประกอบ าคัญของแกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาล
เมื่อมีกระแ ไฟฟ้าไหลผ่านขดลวดจะทาให้ เกิด นามแม่เหล็กรอบ ๆ ขดลวด แต่เนื่องจาก

ขดลวดวางอยู่ใน นามแม่เหล็กที่เกิดจากแม่เหล็กถาวรรูปเกือกม้า ทาให้เกิดแรงที่ขดลวดและจะทา
ให้เกิดการเบี่ยงเบนของกระจกที่แขวนอยู่กับเ ้นลวด ลาแ งที่ ่องไปยังกระจกที่เบี่ยงเบนจะเป็นตัว
บ่งชี้ถึงปริมาณของกระแ ที่ไหลผ่านขดลวด ่วนแกนเหล็กทาหน้าที่เป็นช่องทางเดิน ของฟลักซ์
แม่เหล็กจากแม่เหล็กถาวรทาให้ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็ก ูงขึ้น ่งผลให้แรงที่เกิดขึ้นบนขดลวด
มากขึ้นตามไปด้วย การที่แรงบนขดลวด ูงขึ้นขดลวดจึงเบี่ยงเบนได้มากขึ้น ทาให้ความไวกระแ ของ
แกลแวนอมิเตอร์ ูงขึ้นตามไปด้วย
3.4 เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี (Permanent Magnet Moving Coil: PMMC)

จากที่ได้กล่าวในบทนาแล้วว่า นักเคมีชาวอเมริกันที่มีชื่อว่า เว ตัน ได้พัฒนาแกลแวนอ
มิเตอร์ของดาร์ ันวาลให้มีประ ิทธิภาพมากยิ่งขึ้น อาทิ การใช้เดือยแทนการแขวนด้วยเ ้นลวด การ
ใช้เข็มชี้แทนการ ่ อ งแ งไปยั งกระจก การใช้ ปริ งเกลี ยวเพื่อ ดึ งเข็มชี้ให้ กลั บ ู่ ตาแหน่งเริ่มต้ น
เครื่ องมื อวั ด ทางไฟฟ้า แบบแอนะลอกในปัจ จุบั น จึง มีลั ก ษณะใกล้ เคี ยงกับเครื่อ งมื อวัด ที่เว ตั น
ออกแบบ แต่ กระนั้ น ก็ยังคงอาศัยหลั กการที่ ดาร์ ั นวาลได้คิดค้นขึ้นมา ในหั วข้อนี้จะได้อธิบาย
เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีที่มีการใช้งานในปัจจุบัน
รูปที่ 3.9 โครง ร้างพื้นฐานของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี

(ที่มาของภาพ http://www.ref-wiki.com/technical-information/141-
fundamentals/31394-ammeter.html)
3.4.1 โครง ร้างพื้นฐาน

โครง ร้างพื้นฐานของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ดังแ ดงในรูปที่ 3.9 ประกอบด้วย
1. แม่เหล็กถาวรรูปเกือกม้า (Permanent Magnet) ทาหน้าที่ ร้าง นามแม่เหล็ก
ระหว่างขั้วเหนือและขั้วใต้
2. ขั้ว แม่เหล็ก (Pole Shoe) เป็นเหล็ กที่ต่อกับปลายแม่เหล็กถาวรรู ปเกือกม้า มี
วัตถุประ งค์เพื่อลดช่องอากาศที่อยู่ระหว่างขั้วแม่เหล็กกับขดลวดเคลื่อนที่ ให้น้อยที่ ุด
เพื่อที่จะทาให้ฟลักซ์แม่เหล็กจากขั้วเหนือไหลผ่านขดลวดเคลื่อนไปยังขั้วใต้มากที่ ุด
และจะทาให้ความหนาแน่นของฟลักซ์แม่เหล็ก ูงขึ้น
3. แกนเหล็กอ่อน (Soft Iron Core) แกนเหล็กอ่อนจะทาหน้าที่เช่นเดียวกับขั้วแม่เหล็ก
คือ ลดช่องอากาศระหว่างขั้วแม่เหล็กเพื่อทาให้ความหนาแน่นของฟลักซ์แม่เหล็ก ูงขึ้น
4. เข็มชี้ (Pointer) ทาหน้าที่เป็นเข็มชี้แ ดงปริมาณไฟฟ้าที่วัดได้ โดยทั่วไปการแ ดง
ปริมาณไฟฟ้าที่วัดได้จะมี เกลบนหน้าปัดของเครื่องมือวัด เพื่อความ ะดวกในการอ่าน
ค่าของผู้ใช้งาน
5. ปริง (Spring) เป็นลักษณะคล้ายก้นหอยม้วนเป็นวงกลมหลายวงซ้อนกัน ติดอยู่กับ
ด้ า นบนและด้ า นล่ า งของขดลวดเคลื่ อ นที่ ปริ ง นี้ มั ก ท าด้ ว ยฟอ เฟอร์ บ รอนซ์
(Phosphor Bronze) ที่มีความต้านทานต่า เนื่องจากการป้อนกระแ ไฟฟ้าไปยัง
ขดลวดเคลื่อนที่จะป้อนผ่าน ปริง จึงไม่ต้องการการลดทอนของกระแ นอกจากนั้น
ปริ ง ยั ง ต้ อ งไม่ มี ่ ว นประกอบของอนุ ภ าคเหล็ ก เพื่ อ ไม่ ใ ห้ รั บ ผลกระทบจาก
นามแม่เหล็ก หน้าที่ของ ปริงนอกจากจะใช้เป็นเ ้นทางเดินของกระแ ยังใช้ต้านการ
เคลื่อนที่ของขดลวดเคลื่อนที่และดึงเข็มชี้ให้กลับ ู่ตาแหน่งศูนย์
6. ว่ นถ่วงน้าหนัก (Counter Weight) ทาหน้าที่ ร้างความ มดุลให้กับเข็มชี้

7. ปุ่มปรับศูนย์ (Zero Adjustment) เป็น กรูที่ใช้ปรับเพื่อเลื่อนตาแหน่งของเข็มชี้ให้ชี้ที่
ตาแหน่งศูนย์ก่อนการนาเครื่องมือวัดไปใช้วัดปริมาณไฟฟ้า
8. ขดลวดเคลื่อนที่ (Moving Coil) เป็นขดลวดทองแดงอาบน้ายาพันอยู่บนกรอบ
อะลูมิเนียม กรอบอะลูมิเนียมจะทาให้เกิดกระแ วน (Eddy Current) เพื่อลดการ
แกว่งของเข็มชี้ ที่ใกล้หยุดนิ่ง ขดลวดเคลื่อนที่จะยึดติดกับ ปริง เข็มชี้ และแกน เมื่อ
ป้อนกระแ ไฟฟ้าเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ จะเกิดแรงและจะทาให้ขดลวดเกิดการ
เบี่ยงเบนตามหลักการที่ได้อธิบายไปแล้ว
9. แกนและเบ้า (Pivot and Jewel Bearing) แกนเป็น ่วนที่ต่อออกมาจากขดลวด
เคลื่อนที่ ่วนปลายของแกนจะต้องแหลมและเบ้าซึ่งเป็น ่วนที่รองรับแกนจะมีลักษณะ
คล้ายรูปตัววีในอักษรภาษาอังกฤษ เบ้าจะทาจากเพชรหรือแก้วเพื่อลดแรงเ ียดทานให้
มากที่ ุดในขณะที่ขดลวดเคลื่อนที่หมุน
Pointer Pivot
Moving Coil
Jewel Bearing
รูปที่ 3.10 แกนและเบ้ารูปตัววี
3.4.2 แรงทางกล (Mechanical Forces)

แรงทางกลที่เกิดขึ้นกับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี จะประกอบด้วย 1) แรงเบี่ยงเบน
(Deflecting Force) 2) แรงควบคุม (Controlling Force) และ 3) แรงหน่วง (Damping Force)
ดังจะได้อธิบายรายละเอียดของแต่ละแรงต่อไปนี้
3.4.2.1 แรงเบี่ยงเบน (Deflecting Force)

แรงเบี่ยงเบนเป็นแรงที่เกิดจากการการผลักกันระหว่าง นามแม่เหล็กของขดลวดเคลื่อนที่
และ นามแม่เหล็กของแม่เหล็กถาวร แรงเบี่ยงเบนทาให้เข็มชี้เคลื่อนที่จากตาแหน่งที่อยู่ทางด้านซ้าย
ไปทางด้านขวา ขนาดของแรงเบี่ยงเบนจะขึ้นอยู่กับ กระแ , ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็ก , ความ
ยาวของขดลวด และจานวนรอบของขดลวด ามารถคานวณได้ดัง มการต่อไปนี้
F = NBil (3.1)
เมื่อ F คือ แรงเบี่ยงเบน มีหน่วยเป็นนิวตัน (Newton: N),

N คือ จานวนรอบของขดลวด,
B คือ ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็กของแม่เหล็กถาวร มีหน่วยเป็นเท ลาหรือเวเบอร์ต่อ
ตารางเมตร (Telsla :T, Wb/m2),
i คือ กระแ มีหน่วยเป็นแอมแปร์ (Ampere: A) และ
l คือ ความยาวหรือความลึกของขดลวด มีหน่วยเป็นเมตร (Meter: m)
Breadth of coil: b
Pivot
Length or
depth of
coil: l
รูปที่ 3.11 ความกว้างและความลึกหรือความยาวของขดลวด
เมื่อต้องการหาแรงบิดเบี่ยงเบน (Deflection Torque) จะคูณด้วยความกว้างของขดลวด

ซึง่ แ ดงในรูปที่ 3.11 เข้าไปใน มการที่ (3.1) จะได้
Td = NBilb (3.2)
เมื่อ Td คือ แรงบิดเบี่ยงเบน มีหน่วยเป็นนิวตันเมตร (N.m) และ

b คือ ความกว้างของขดลวด มีหน่วยเป็นเมตร
เนื่องจากพื้นที่หน้าตัดของขดลวด A ซึ่งมีค่าเท่ากับผลคูณระหว่างความกว้างของขดลวด b
และความยาวของขดลวด l จะทาให้ได้ มการต่อไปนี้
A  bl (3.3)
เมื่อ A คือ พื้นที่หน้าตัดของขดลวด มีหน่วยเป็นตารางเมตร (m2)

ถ้าต้องการหาแรงบิดเบี่ยงเบน Td จากพื้นที่หน้าตัดของขดลวด จะแทน มการที่ (3.3) ลงใน

มการที่ (3.2) จะได้
Td = NBiA (3.4)
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 3.1 ขดลวดเคลื่อนที่ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีมีจานวนรอบของขดลวดเท่ากับ
200 รอบ ขดลวดมีความยาวและความกว้างเท่ากับ 3 cm และ 2 cm ตามลาดับ จงคานวณหาแรง
เบี่ยงเบน F และแรงบิดเบี่ยงเบน Td ที่เกิดขึ้น เมื่อกาหนดให้ความหนาแน่นของฟลักซ์แม่เหล็กมีค่า
เท่ากับ 0.5 เท ลา และปริมาณกระแ ที่ไหลผ่านขดลวดเท่ากับ 100 uA
วิธีทา ใช้ มการที่ (3.1) คานวณแรงเบี่ยงเบน F แทนค่า N = 200, B = 0.5 T, i = 100 uA, l = 3
cm ใน มการ จะได้
F  200  0.5  100  106  3  102  3  104 N
และใช้ มการที่ (3.2) คานวณหาแรงบิดเบี่ยงเบน Td แทนค่า b = 2 cm ใน มการ จะได้
Td  200  0.5  100  106  3  10 2  2  10 2  6  10 6 N.m
ตัวอย่างที่ 3.2 ขดลวดเคลื่อนที่ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีมีจานวนรอบของขดลวดเท่ากับ

100 รอบ ขดลวดมีพื้นที่หน้าตัด 6 ตารางเซนติเมตร จงคานวณหาแรงบิดเบี่ยงเบน Td ที่เกิดขึ้น เมื่อ
กาหนดให้ความหนาแน่นของฟลักซ์แม่เหล็กมีค่าเท่ากับ 1 เท ลา และปริมาณกระแ ที่ไหลผ่าน
ขดลวดมีค่าเท่ากับ 80 uA
วิธีทา ใช้ มการที่ (3.4) ในการหาแรงบิดเบี่ยงเบน แทนค่า N = 100, A = 10 cm2, B = 1 และ

i = 80 uA ใน มการ จะได้
Td  100  1  80  106  6  104  4.8  106 N.m

____________________________________________________________________
3.4.2.2 แรงควบคุม (Controlling Force)

แรงควบคุมนี้ เกิดจาก ปริ งที่มีลั กษณะคล้ ายก้นหอย เมื่อมีการป้อนกระแ ไฟฟ้าให้ กับ
ขดลวดเคลื่อนที่ ขดลวดจะหมุนทาให้ ปริงรัดตัวแน่นขึ้นเพื่อทาหน้าที่ต้านแรงเบี่ยงเบนที่เกิดขึ้น เข็ม
ชี้จะหยุดนิ่งเมื่อปริมาณของแรงเบี่ยงเบนมีค่าเท่ากับปริมาณของแรงควบคุม ดังแ ดงในรูปที่ 3.12
นอกจากนั้นแรงควบคุมจะทาหน้าที่ดึงเข็มชี้กลับ ู่ตาแหน่งศูนย์ ที่อยู่ทางซ้าย ุด เมื่อไม่มีการป้อน
กระแ ไฟฟ้าให้กับขดลวดเคลื่อนที่
Scale
Pointer
Deflecting Force
Controlling Force
Spring
Moving Coil
รูปที่ 3.12 เข็มชี้หยุดนิ่งเมื่อแรงเบี่ยงเบนเท่ากับแรงควบคุมจาก ปริง
การคานวณแรงบิดควบคุมจะใช้ค่าคงที่ของ ปริงและมุมที่เข็มชี้เบี่ยงเบน ดัง มการต่อไปนี้
Tc  k (3.5)
เมื่อ Tc คือ แรงบิดควบคุม มีหน่วยเป็นนิวตันเมตร,

k คือ ค่าคงที่ของ ปริง มีหน่วยเป็น นิวตันเมตรต่อองศา (N.m/degree) และ
 คือ มุมที่เข็มชี้เบี่ยงเบน มีหน่วยเป็นองศา (Degree)
ถ้าแรงบิดควบคุมมีค่าเท่ากับแรงบิดเบี่ยงเบน มการที่ (3.5) จะเท่ากับ มการที่ (3.2) และ

จะ ามารถหามุมที่เข็มชี้หยุดนิ่งได้ดังต่อไปนี้
Tc  Td
k  NBilb
NBilb
 (3.6)
k
จาก มการที่ (3.6) จะเห็นได้ว่า ค่าของมุมที่เข็มชี้เบี่ยงเบนจะแปรผันตามกระแ ที่ป้อนเข้า

ไปในขดลวดเคลื่ อนที่ ในขณะที่ค่าพารามิเตอร์อื่น ๆ เป็นค่าที่ ไม่เปลี่ ยนแปลง ดังนั้น เกลของ
ปริมาณกระแ เมื่อวัดด้วยเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีจึงเป็นแบบเชิงเ ้น
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 3.3 จากการคานวณหาค่าแรงบิดเบี่ยงเบนในตัวอย่างที่ 3.1 และ 3.2 จงคานวณหามุม
ที่เข็มชี้หยุดนิ่ง เมื่อกาหนดให้ค่าคงที่ของ ปริงเท่ากับ 2 uN.m/degree
วิธีทา ใช้ มการที่ (3.6) คานวณหามุมที่เข็มชี้หยุดนิ่งที่ แทนค่า Td = NBilb = 6  106 N.m จาก
ตัวอย่างที่ 3.1 และ k = 2 uN.m/degree ลงไปจะได้
6  106
  3 องศา
2  106
และเมื่อแทนค่า Td = 4.8  106 N.m จากตัวอย่างที่ 3.2 และ k = 2 uN.m/degree ลงไปจะได้
4.8  106
  2.4 องศา
2  106
____________________________________________________________________
Pointer oscillation range
รูปที่ 3.13 การแกว่งของเข็มชี้เนื่องจากแรงเฉื่อย
3.4.2.3 แรงหน่วง (Damping Force)

เข็มชี้ทเี่ คลื่อนที่เมื่อใกล้จะถึงจุดที่แรงเบี่ยงเบนและแรงควบคุมมีค่าเท่ากัน จะเกิดการแกว่ง
เนื่องจากแรงเฉื่อย ดังแ ดงในรูปที่ 3.13 การแกว่งจะเกิดขึ้นจนกว่าแรงเฉื่อยจะหมดลง การลด
การแกว่งของเข็มชี้จะอาศัยแรงหน่วง แต่แรงหน่วงที่ ร้างขึ้นนี้จะต้องเกิดขึ้นเฉพาะกรณีที่ขดลวดมี
การเคลื่อนที่เท่านั้น ดังนั้น การ ร้างแรงหน่วงต้องอาศัยกระแ วน (Eddy Current) ที่เกิดขึ้นบน
กรอบอะลูมิเนียมที่ขดลวดทองแดงพันอยู่ ามารถอธิบายได้ดังนี้ เมื่อขดลวดหมุนตัด นามแม่เหล็ก
ของแม่เหล็กถาวรจะเกิดแรงเคลื่อนไฟฟ้า (Electromotive Force) แรงเคลื่อนนี้จะทาให้เกิดกระแ

ที่เรียกว่า กระแ วน ไหลอยู่ในกรอบอะลูมิเนียม กระแ วนนี้จะเหนี่ยวนาให้เกิด นามแม่เหล็กที่มี
ทิศทางตรงกันข้ามกับการหมุนของขดลวด จึงทาให้เกิดแรงต้านการหมุนของขดลวดเคลื่อนที่ แรง
ต้านนี้คือ แรงหน่วง ที่จะทาให้เข็มชี้หยุดนิ่งโดยไม่เกิดการแกว่ง แรงหน่วงจะหมดไปเมื่อขดลวดหยุด
หมุนเนื่องจากไม่เกิดแรงเคลื่อนไฟฟ้าและกระแ วน อย่างไรก็ตามแรงหน่วงที่เกิดขึ้นจะต้องมีขนาดที่
พอเหมาะ (Critical Damping) ที่จะทาให้เข็มชี้หยุดนิ่งได้อย่างรวดเร็ว หากแรงหน่วงมีมากเกินไป
(Over Damping) จะทาให้การเคลื่อนที่ของเข็มชี้ใช้เวลานานจนกว่าจะหยุดนิ่ง หรือหากแรงหน่วงมี
น้อยเกินไป (Under Damping) จะทาให้เข็มชี้ใช้เวลาในการแกว่งก่อนหยุดนิ่งมากเกินไป
3.4.3 ความไวกระแ (Current Sensitivity)

ความไวกระแ ของเครื่ องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี Si จะนิยามจากอัตรา ่ วนมุมที่เข็มชี้
เบี่ยงเบนไปที่จุดหยุดนิ่ง  ต่อกระแ ไฟฟ้าที่ไหลเข้ามาที่ขดลวดเคลื่อนที่ i ดังนั้น

Si  (3.7)
i
เมื่อแก้ มการที่ (3.6) เพื่อหาอัตรา ่วนมุมต่อกระแ ไฟฟ้า จะได้
 NBlb
 (3.8)
i k
และเมื่อแทน มการที่ (3.3) ลงใน มการที่ (3.8) จะได้
 NBA
 (3.9)
i k
จาก มการที่ (3.9) จะได้ความไวกระแ อีกความหมายหนึ่ง คือ อัตรา ่วนระหว่างค่าคงที่ใน

ระบบไฟฟ้าของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี (นั่นคือ จานวนรอบขดลวด ความหนาแน่นของฟลักซ์
แม่เหล็ก และขนาดพื้นที่หน้าตัดของขดลวดเคลื่อนที่ ) และค่าคงที่ของ ปริง ดังนั้นการเพิ่มความไว
กระแ ของเครื่ องมื อวั ดแบบพีเ อ็ม เอ็ม ซีต้อ งเพิ่มจ านวนรอบขดลวด ความหนาแน่นของฟลั ก ซ์
แม่เหล็ก ขนาดพื้นที่หน้าตัดของขดลวดเคลื่อนที่ และต้องลดค่าคงที่ของ ปริง ่วนหน่วยของความ
ไวกระแ โดยทั่วไปมักจะใช้ หน่วยองศาต่อปริมาณกระแ ขนาดไมโครแอมแปร์ (degree/uA)
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 3.4 เมื่อกาหนดปริมาณกระแ i ที่ไหลเข้าขดลวดเคลื่อนที่ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็ม
เอ็มซีเท่ากับ 80 uA และมุม  ที่เข็มชี้เบี่ยงเบนเท่ากับ 2.4 องศา จงคานวณหาความไว
กระแ ไฟฟ้า
วิธีทา ใช้ มการที่ (3.7) หาความไวกระแ ไฟฟ้า แทน i = 80 uA และ  = 2.4 องศา ลงไปจะได้
2.4
Si  = 0.03 องศา/uA
80  106
ตัวอย่างที่ 3.5 จากตัวอย่างที่ 3.4 จงคานวณหาจานวนรอบของขดลวดเคลื่อนที่ N เมื่อกาหนดค่า

ความหนาแน่นของฟลักซ์แม่เหล็ก B เท่ากับ 1.5 เท ลา, พื้นที่หน้าตัดของขดลวด A เท่ากับ 10
ตารางเซนติเมตร และค่าคงที่ของ ปริง k เท่ากับ 4 uN.m/degree
วิธีทา แก้ มการที่ (3.9) เพื่อหาค่าของ N จะได้
 k
N (3.10)
i BA
แทน มการที่ (3.7) ลงใน มการที่ (3.10) จะได้
k
N  Si (3.11)
BA
จากนั้นแทนค่า Si = 0.03 degree/uA, B = 1.5 T, k = 4 uN.m/degree และ A = 10 cm2 ลงใน

0.03 4  106
N  = 80 รอบ
1  106 1.5  10  104
____________________________________________________________________
3.4.4 ข้อดี (Advantages of PMMC)

ข้อดีของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีมีหลายข้อ ได้แก่
1. เกลบนหน้าปัดมีขนาด ม่าเ มอ
2. แม่เหล็กถาวรมีกาลัง ูงทาให้อัตรา ่วนระหว่างแรงบิดและน้าหนักแม่เหล็ก ูง ามารถ

ใช้กระแ ไฟฟ้าที่มีขนาดเล็กในการทางาน
3. ความไวกระแ ของเครื่องมือวัด ูง ามารถวัดกระแ ที่มีขนาดต่า ๆ ได้
4. การใช้กระแ วนเพื่อให้เกิดแรงหน่วงการแกว่งของเข็มชี้เป็นวิธีการที่มีประ ิทธิภาพ
5. ใช้กาลังงานไฟฟ้าต่าในการทางาน
6. มีความเที่ยงตรงการวัด ูง
7. ามารถขยายพิ ัยการวัดได้
8. นามแม่เหล็กจากภายนอกไม่มีผลต่อการทางานของเครื่องมือวัด
3.4.5 ข้อเ ีย (Disadvantages of PMMC)

ข้อเ ียของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ได้แก่
1. เหมาะ าหรับการวัดไฟฟ้ากระแ ตรงเท่านั้น หากจะนาไปใช้วัดไฟฟ้ากระแ ลับต้อง
ผ่านตัวเรียงกระแ
2. ไม่ ามารถนาไปวัดปริมาณกระแ ที่มีค่า ู ง ๆ ได้ เนื่องจากในการออกแบบขดลวด
เคลื่อนที่ต้องการน้าหนักที่เบาเพื่อลดแรงเ ียดทานต้านการหมุน ขดลวดจึงมีขนาดเล็ก
และเ ้นลวดทองแดงก็มีขนาดเ ้นผ่านศูนย์กลางที่เล็กมากเช่นกัน ทาให้ไม่ ามารถรับ
ปริมาณกระแ ที่มีค่า ูงได้
3. อายุ ก ารใช้ ง านของแม่ เ หล็ ก ถาวรและ ปริ ง ควบคุ ม ที่ ม ากขึ้ น จะท าให้ เ กิ ด ความ
คลาดเคลื่อนการวัดเพิ่ม ูงขึ้นไปด้วย
4. แรงเ ียดทานทีเ่ กิดขึ้นจากการใช้แกนและที่รองรับทาให้เกิดความคลาดเคลื่อนการวัด
5. มีโครง ร้างที่ไม่ทนทานต่อการกระทบกระเทือน
6. อุณหภูมิมีผลต่อความต้านทานของขดลวดทาให้เกิดความคลาดเคลื่อนการวัด ูงขึ้น
3.4.6 ญ ั ลักษณ์ (Symbol of PMMC)

ั ญลั กษณ์ในวงจรไฟฟ้า ของเครื่อ งมือวัด แบบพี เอ็มเอ็ มซีมีไ ด้ห ลายแบบ แต่ ในเอก าร
ประกอบการ อนนี้จะใช้ ัญญลักษณ์ดังแ ดงในรูปที่ 3.14 ที่ประกอบด้วย เกลบนหน้าปัดของ
เครื่องมือวัดและตัวต้านทาน Rm ซึ่งหมายถึง ความต้านทานภายในของขดลวดเคลื่อนที่ และ Im
หมายถึง กระแ ไฟฟ้าที่ไหลผ่านขดลวดเคลื่อนที่ และหากกระแ ไฟฟ้าที่ไหลผ่านขดลวดเคลื่อนที่ทา
ให้เข็มชี้เบี่ยงเบนไปที่ตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (Full Scale Deflection: FSD) จะเรียกกระแ นั้น
ว่า กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล (FSD current) ซึง่ แทนด้วยตัวแปร Ifs
Rm
Im
รูปที่ 3.14 ัญลักษณ์ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
Standard Ammeter
Rs
A
Standard Voltmeter
Rm Rm
Fixed Power
W Im V
Supply
(ก) (ข)
รูปที่ 3.15 การหาความต้านทานของขดลวดเคลื่อนที่ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
(ก) โดยการใช้โอห์มมิเตอร์ และ (ข) โดยการใช้แอมมิเตอร์และโวลต์มิเตอร์
3.4.7 การหาความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ (Determination of Moving Coil Resistance)

การหาความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm ามารถหาได้โดยการต่อเครื่องมือวัดความ
ต้านทานหรือโอห์มมิเตอร์ที่มีมาตรฐานเข้ากับขั้วของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ดังแ ดงในรูปที่
3.15 (ก) อย่างไรก็ตามโอห์มมิเตอร์ที่เหมาะ าหรับนามาวัดควรเป็นชนิดดิจิทั ล เนื่องจาก ามารถวัด
ค่าได้ละเอียดและมีความคลาดเคลื่อนการวัดต่ากว่าชนิดแอนะลอก อีกวิธีหนึ่ง ามารถใช้การต่อ
แหล่งจ่ายแรงดันเข้าไปที่เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีเพื่อให้เกิดการไหลของกระแ ในวงจร ดังแ ดง
ในรูปที่ 3.15 (ข) แต่เพื่อป้องกันความเ ียหายจากกระแ ที่อาจไหลมากเกินไปควรต่อตัวต้านทาน Rs
เพื่อจากัดการไหลของกระแ จากนั้นใช้แอมมิเตอร์ที่มีมาตรฐานวัดค่ากระแ ที่ไหลผ่านขดลวด
เคลื่อนที่ Im และใช้โวลต์มิเตอร์ที่มีมาตรฐานวัดค่าแรงดันตกคร่อมเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี V
ุดท้ายจึงใช้กฎของโอห์มในการหาความต้านทาน Rm ดัง มการต่อไปนี้
V
Rm  (3.11)
Im
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 3.6 รูปที่ 3.16 เป็นวิธีการหาความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm โดยการป้อนแรงดันจาก
แหล่งจ่ายขนาด 5 V ต่อตัวต้านทานจากัดกระแ ขนาด 10 kW ใช้แอมมิเตอร์วัดกระแ Im ได้
เท่ากับ 416 uA และใช้โวลต์มิเตอร์วัดแรงดันตกคร่อมเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีได้เท่ากับ 0.83 V
จงคานวณหาความต้านทาน Rm
RS=10k
A
Rm
V=0.83 V
Power Supply
Im = 416uA V
5V
วิธีทา ใช้ มการที่ (3.11) หาความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm แทน Im = 416 uA และ V = 0.83

V ลงไปใน มการ จะได้
0.83
Rm 
 1995.19 W
416  106
____________________________________________________________________
3.4.8 การหากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล (Determination of FSD Current)

การหากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs ามารถทาได้โดยการต่อแหล่งจ่ายแรงดัน ที่ ามารถ
ปรับค่าได้อย่างละเอียดเข้ากับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ดังแ ดงในรูปที่ 3.17 (ก) การกาหนดค่า
เริ่มต้นของแหล่งจ่ายแรงดันปรับค่าได้ต้องเริ่มจากศูนย์โวลต์ จากนั้น ใช้แอมมิเตอร์ที่มีมาตรฐานวัด
กระแ ที่ไหลในวงจรขณะที่ค่อย ๆ ปรับแรงดันให้เพิ่มขึ้นจนเข็มชี้เบี่ยงเบนไปที่ตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม
เกล แล้วจึงอ่านค่ากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลจากแอมมิเตอร์ แต่หากไม่มีแหล่งจ่ายแรงดันปรับค่า
ได้อย่างละเอียดก็ ามารถใช้แหล่งจ่ายแรงดันค่าคงที่ แต่ต้องใช้ตัวต้านทานปรับค่า ละเอียดได้ต่อ
อนุกรมกับ เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ดังแ ดงในรูปที่ 3.17 (ข) การกาหนดค่าเริ่มต้นของตัว
ต้านทานปรับค่าได้ควรเริ่มที่ค่า ูง ๆ เพื่อป้องกันไม่ให้กระแ ไหลเข้าไปที่เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
มากเกินไปจนขดลวดเกิดความเ ียหาย จากนั้นค่อย ๆ ปรับลดค่าตัวต้านทานจนเข็มชี้ เบี่ยงเบนไปที่
ตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล แล้วจึงอ่านค่ากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลจากแอมมิเตอร์
Standard Ammeter Standard Ammeter

VR
A A
Rm Rm
Variable Power Fixed Power
Supply Supply
(ก) (ข)
รูปที่ 3.17 การหากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
(ก) โดยการใช้แหล่งจ่ายแรงดันปรับค่าได้ และ (ข) โดยการใช้ตัวต้านทานปรับค่าได้
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 3.7 รูปที่ 3.18 เป็นวิธีการหากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลโดยการป้อนแรงดันจาก
แหล่งจ่ายแรงดันปรับค่าได้ พบว่าแอมมิเตอร์อ่านค่ากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs ได้เท่ากับ 96 uA
และความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm มีค่าเท่ากับ 2 kW จงคานวณหาค่าของแหล่งจ่ายแรงดัน
96 uA
A
2k
Variable Power
Supply
วิธีทา แก้ มการที่ (3.11) เพื่อหาค่าแรงดันของแหล่งจ่าย จะได้
V  Im  Rm (3.12)
แทนค่า Im = Ifs และ Rm = 2 kW ลงใน มการที่ (3.12) จะได้
V  I fs  Rm  96  106  2000 = 0.192 = 19.2 mV
ตัวอย่างที่ 3.8 รูปที่ 3.19 เป็นวิธีการหากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลโดยใช้ตัวต้านทานปรับค่าได้

พบว่าแอมมิเตอร์อ่านค่ากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs ได้เท่ากับ 120 uA ความต้านทานขดลวด
เคลื่อนที่ Rm มีค่าเท่ากับ 1.5 kW และแหล่งจ่ายแรงดันมีค่าเท่ากับ 3 V จงคานวณหาค่าตัวต้านทาน
ปรับค่าได้
Ifs = 120 uA
VR
A
1.5k
Power Supply
3V
วิธีทา จากกฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์จะได้ มการต่อไปนี้

V  I fs  VR  I fs  Rm (3.13)
เมื่อแก้ มการที่ (3.13) เพื่อหาค่าของ VR จะได้
V  I fs  Rm
VR  (3.14)
I fs
แทนค่า Ifs = 120 uA, V = 3 V และ Rm = 1.5 kW ลงใน มการที่ (3.14) จะได้
3  120  106  1.5  103

VR  = 23500 = 23.5 kW
120  106
____________________________________________________________________
1. จงอธิบายโครง ร้างพื้นฐานของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
2. ขดลวดเคลื่อนที่ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีมีจานวนรอบของขดลวดเท่ากับ 150 รอบ
ขดลวดมีความยาวและความกว้างเท่ากับ 1 cm และ 2 cm ตามลาดับ จงคานวณหาแรง
เบี่ยงเบน F และแรงบิดเบี่ยงเบน Td ที่เกิดขึ้น เมื่อกาหนดให้ความหนาแน่นของฟลักซ์
แม่เหล็กมีค่าเท่ากับ 1.5 เท ลา และปริมาณกระแ ที่ไหลผ่านขดลวดเท่ากับ 120 uA
3. จากการคานวณหาค่าแรงบิดเบี่ยงเบนในคาถามท้ายบทข้อที่ 2 จงคานวณหามุมที่เข็มชี้หยุด
นิ่ง เมื่อกาหนดให้ค่าคงที่ของ ปริงเท่ากับ 1 uN.m/degree
4. เมื่อกาหนดปริมาณกระแ i ที่ไหลเข้าขดลวดเคลื่อนที่ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
เท่ากับ 120 uA และมุม  ที่เข็มชี้เบี่ยงเบนเท่ากับ 2.2 องศา จงคานวณหาความไว
กระแ ไฟฟ้า
5. จงอธิบายข้อดีและข้อเ ียของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีมาอย่างละ 3 ข้อ
6. ในการหาความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm โดยการป้อนแรงดันจากแหล่งจ่ายขนาด 12 V
ต่อตัวต้านทานจากัดกระแ ขนาด 20 kW ใช้แอมมิเตอร์วัดกระแ Im ได้เท่ากับ 500 uA
และใช้โวลต์มิเตอร์วัดแรงดันตกคร่อมเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีได้เท่ากับ 1 V จง
คานวณหาความต้านทาน Rm
A. K. Sawhney. (1985). A Course in Electrical and Electronic Measurements and
Instrumentation. Dhanpat Rai&Sons.
Albert D. Helfric and Willian D. Cooper. (1990). Modern Electronic Instrumentation
and Measurement Techniques. Prentice-Hall.
ประยูร เชี่ยววัฒนา. (2537). เครื่องวัดและการวัดทางไฟฟ้า . มาคม ่งเ ริมเทคโนโลยี (ไทย-
เอก ไชย วั ดิ์. (2547). การวัดและเครื่องวัดไฟฟ้า. มาคม ่งเ ริมเทคโนโลยี (ไทย-ญี่ปุ่น).
http://en.wikipedia.org/wiki/Galvanometer
แอมมิเตอร์กระแ ตรง
4.1 บทนา
4.2 การขยายพิ ัยการวัดแอมมิเตอร์
4.2.1 แบบพิ ัยการวัดเดียว
4.2.2 แบบหลายพิ ัยการวัด
4.2.2.1 ชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย
4.2.2.2 ชนิดอาร์ตันชันต์หรือยูนิเวอร์แซลชันต์
4.3 การต่อแอมมิเตอร์เข้ากับวงจร
4.4 ความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์
4.4.1 ชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย
4.4.2 ชนิดอาร์ตันชันต์
4.5 ผลการโหลดของแอมมิเตอร์
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจวิธีการขยายการวัดแอมมิเตอร์ทั้งแบบพิ ัยการวัดเดียว และแบบ
หลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัยและชนิดอาร์ตันชันต์
2. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาความต้านทานชันต์ที่ต่อเข้าไปในเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็ม
ซี เพื่อ ร้างเป็นแอมมิเตอร์แบบพิ ัยการวัดเดียวและหลายพิ ัยการวัด
3. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจวิธีการต่อแอมมิเตอร์เข้ากับวงจรเพื่อวัดกระแ ที่ไหลในวงจร
4. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่าความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์
5. เพื่ อ ให้ ผู้ เ รี ย นมี ค วามเข้ า ใจผลการต่ อ แอมมิ เ ตอร์ เ ข้ า ไปในวงจรหรื อ ผลการโหลดของ
แอมมิเตอร์ และ ามารถคานวณหาค่าความคลาดเคลื่อนของกระแ ที่วัดได้

7. ผูเ้ รียนศึกษาความรู้เพิ่มเติมด้วยการมอบหมายการบ้าน
อ่ื การเรียนการ อน
บทที่ 4
แอมมิเตอร์กระแ ตรง
(DC Ammeter)
4.1 บทนา
เครื่องมือวัดกระแ หรือแอมมิเตอร์เป็นเครื่องมือวัดทางไฟฟ้าพื้นฐานที่ใช้วัดกระแ ที่ไหลใน
วงจร แอมมิเตอร์ชนิดแอนะลอก ามารถ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี แต่เนื่องจากเครื่องมือ
วัดแบบพีเอ็มเอ็มซีไม่ ามารถรับกระแ ที่มีค่า ูง ๆ ได้ จึงต้องนาตัวต้านทานชันต์ ไปต่อขนานกับ
เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีเพื่อแบ่งกระแ ที่จะไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ การขยายพิ ัยการวัด
กระแ ให้ ูงขึ้นจึงทาได้ด้วยการต่อตัวต้านทานชันต์ ในบทนี้จะได้อธิบายถึงการขยายพิ ัยการวัด
แอมมิเตอร์แบบพิ ัยการวัดเดียว และแอมมิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดทั้งชนิดตัวต้านทานชันต์
เฉพาะพิ ั ยและชนิ ด อาร์ ตัน ชัน ต์ห รือยูนิเวอร์แซลชันต์ นอกจากนั้นจะได้อธิบายถึงวิธีการต่อ
แอมมิ เตอร์ เข้ า ไปในวงจร การหาความต้ า นทานภายในของแอมมิ เ ตอร์ และผลการโหลดของ
แอมมิเตอร์เมื่อต่อเข้าไปในวงจร
4.2 การขยายพิ ัยการวัดแอมมิเตอร์ (Range Expansion of Ammeter)

4.2.1 แบบพิ ัยการวัดเดียว (Single Range)
Rm
I Im I
Ish Rsh
รูปที่ 4.1 วงจรแอมมิเตอร์แบบพิ ัยการวัดเดียว
ลักษณะของแอมมิเตอร์พิ ัยการวัดเดียวแ ดงในรูปที่ 4.1 จะพบว่าตัวต้านทานชันต์ Rsh จะ

ต่อขนานกับความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm การหาค่าของตัวต้านทานชันต์ มีวิธีการดังต่อไปนี้
กาหนดให้ I เป็นกระแ ูง ุดที่ต้องการวัดหรือพิ ัยการวัด ูง ุด ดังนั้น กระแ ที่ไหลผ่านขดลวด
เคลื่อนที่จะเท่ากับกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล นั่นคือ Im= Ifs และเนื่องจากตัวต้านทานชันต์ Rsh ต่อ
ขนานกับความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm ทาให้แรงดันที่ตกคร่อมตัวต้านทานทั้ง องเท่ากัน และ
ให้ Ish เป็นกระแ ที่ไหลผ่านตัวต้านทานชันต์ ดังนั้น
VRsh = VRm
96 บทที่ 4 แอมมิเตอร์กระแ ตรง
IshRsh = IfsRm
I
Rsh = fs Rm (4.1)
I sh
และจากกฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ กระแ ที่ไหลเข้าโนดจะเท่ากับกระแ ที่ไหลออกจากโนด จะได้

Ish=I-Ifs เมื่อแทนลงไปใน มการที่ (4.1) ทาให้ ามารถคานวณหาค่าของตัวต้านทานชันต์ ที่
ค่ากระแ ูง ุดต่าง ๆ ได้ดังนี้
I fs
Rsh = Rm (4.2)
I  I fs
ในทางกลับกัน เมื่อต้องการหาค่ากระแ ูง ุด I เมื่อทราบค่าตัวต้านทานชันต์ จะต้องแก้

Rm
I = Ifs + Ifs
R sh
 R 
I = Ifs  1  m  (4.3)
 Rsh 
มการที่ (4.3) นอกจากจะใช้เพื่อคานวณหาค่ากระแ ูง ุดแล้วยัง ามารถปรับปรุงเพื่อ

นาไปหาค่ากระแ ที่ตาแหน่งเบี่ยงเบนค่าต่าง ๆ บน เกล ด้วยการคูณค่าเปอร์เซ็นต์ตาแหน่งเบี่ยงเบน
บน เกลเข้าไป ดังนี้
 R 
ID = D.Ifs  1  m  (4.4)
 Rsh 
เมื่อ D คือ เปอร์เซ็นต์ตาแหน่งเบี่ยงเบนบน เกล และ

ID คือ กระแ ที่เปอร์เซ็นต์ตาแหน่งเบี่ยงเบนบน เกลนั้น
จาก มการที่ (4.4) จะเห็นว่าความ ัมพันธ์ระหว่างตาแหน่งเบี่ยงเบนบน เกล และกระแ ที่

ตาแหน่งเบี่ยงเบนบน เกลจะเป็นแบบเชิงเ ้น ดัง นั้น เกลบนหน้าปัดของแอมมิเตอร์จึงเป็น เกล
แบบเชิงเ ้นดังแ ดงในรูปที่ 4.2
รูปที่ 4.2 เกลบนหน้าปัดแอมมิเตอร์เป็นแบบเชิงเ ้น

____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 4.1 ในการออกแบบแอมมิเตอร์จากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ดังแ ดงในรูปที่ 4.3 ที่มี
กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 0.1 mA และมีความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 1
k จงคานวณหาค่าตัวต้านทานชันต์ Rsh เพื่อให้ ามารถวัดกระแ ได้ ูง ุด 100 mA
1000
100 mA Ifs = 0.1 mA
Rsh
รูปที่ 4.3 วงจรแอมมิเตอร์ าหรับตัวอย่างที่ 4.1
วิธีทา การคานวณหาตัวต้านทานชันต์ Rsh จะใช้ มการที่ (4.2) เมื่อแทนค่า Ifs = 0.1 mA, Rm =
1 k และ I = 100 mA ลงไปใน มการจะได้
0.1  103
Rsh =  1000 = 1.001 
100  103  0.1  103
ตัวอย่างที่ 4.2 จากวงจรแอมมิเตอร์ในรูปที่ 4.4 เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี มีความต้านทาน

ขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 1500  กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 90 uA และมีตัว
ต้านทานชันต์ Rsh ค่าเท่ากับ 2.7  ต่อขนานกับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี จงคานวณหากระแ
ูง ุด I ที่แอมมิเตอร์วัดได้
1500
I Ifs = 90 uA
2.7
รูปที่ 4.4 วงจรแอมมิเตอร์ในตัวอย่างที่ 4.2
วิธีทา ใช้ มการที่ (4.3) ในการหาค่ากระแ ูง ุด เมื่อแทนค่า Ifs = 90 uA, Rm = 1500  และ
Rsh = 2.7  ลงไปใน มการจะได้

I = 90  106 1 
1500
2.7 
= 50 mA
ตัวอย่างที่ 4.3 จากแอมมิเตอร์ที่ได้ออกแบบในตัวอย่างที่ 4.1 จงหาค่ากระแ I ที่

ก) ตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (FSD)
ข) ตาแหน่งที่ห้า ิบเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.5FSD) และ
ค) ตาแหน่งที่ยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.25FSD)
วิธีทา ก) หาค่ากระแ ที่ตาแหน่ง FSD

เมื่อใช้กฎของโอห์มในการหาแรงดันตกคร่อมความต้านทานภายในของเครื่องมือวัดแบบพี
เอ็มเอ็มซี จะได้
VRm = Ifs.Rm = 0.1 mA.1000  = 0.1 V
และเนื่องจาก VRm = Ish.Rsh จะได้ มการกระแ ที่ไหลผ่านตัวต้านทานชันต์ ดังนี้
Ish = VRm/Rsh = 0.1 V/1.001  = 0.0999 A
แต่ เนื่ องจากกระแ รวมมีค่าเท่ากั บ กระแ ที่ไ หลผ่ านตัว ต้ านทานชันต์ รวมกับกระแ ที่ไหลผ่ า น
เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ดังนั้น
I = Ish+Ifs = 0.0999 A+0.1 mA = 0.1 A หรือ 100 mA

ค่ากระแ ที่ตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกลจึงมีค่าเท่ากับ 100 mA

อีกวิธีหนึ่งใช้ มการที่ (4.4) ด้วยการแทนค่าตัวแปร D = 100% = 1 ลงไปใน มการจะได้
1000 
I100% = 1  0.1  103  1   = 0.1 A หรือ 100 mA
 1.001 
ข) หาค่ากระแ ที่ตาแหน่ง 0.5FSD

เนื่องจากกระแ ที่ไหลผ่านขดลวดเคลื่อนที่จะเท่ากับห้า ิบเปอร์เซ็นต์ของกระแ เบี่ยงเบน
เต็ม เกล ดังนั้น
Im = 0.5Ifs = (0.5)(0.1 mA) = 0.05 mA
และแรงดันตกคร่อมความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm จะมีค่าเท่ากับ
VRm = Im.Rm = 0.05 mA.1000  = 0.05 V
และกระแ Ish ที่ไหลผ่านตัวต้านทานชันต์ ามารถหาได้จาก
Ish = VRm/Rsh = 0.05 V/1.001  = 0.04995 A
และเนื่องจากกระแ รวมมีค่าเท่ากับกระแ ที่ไหลผ่านตัว ต้านทานชันต์รวมกับกระแ ที่ไหลผ่าน

I = Ish+Im = 0.04995 A+0.05 mA = 0.05 A หรือ 50 mA
ค่ากระแ ที่ตาแหน่งห้า ิบเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกลจะเท่ากับ 50 mA
เมื่อใช้การหาด้วย มการที่ (4.4) ด้วยการแทนค่าตัวแปร D = 50% = 0.5 ลงไปใน มการจะได้
1000 
I50% = 0.5  0.1  103  1   = 0.05 A หรือ 50 mA
 1.001 
ค) หาค่ากระแ ทีต่ าแหน่ง 0.25FSD

เนื่องจากกระแ ที่ไหลผ่านขดลวดเคลื่อนที่จะเท่ากับยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของกระแ เบี่ยงเบน
เต็ม เกล ดังนั้น
Im = 0.25Ifs = (0.25)(0.1 mA) = 0.025 mA
และแรงดันตกคร่อมความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm มีค่าเท่ากับ
VRm = Im.Rm = 0.025 mA.1000  = 0.025 V
และกระแ Ish ที่ไหลผ่านตัวต้านทานชันต์ ามารถหาได้จาก
Ish = VRm/Rsh = 0.025 V/1.001  = 0.024975 A
และเนื่องจากกระแ รวมมีค่าเท่ากับกระแ ที่ไหลผ่านตัว ต้านทานชันต์รวมกับกระแ ที่ไหลผ่ าน

I = Ish+Im = 0.024975 A+0.025 mA = 0.025 A หรือ 25 mA
ค่ากระแ ที่ตาแหน่งยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกลจะเท่ากับ 25 mA
เมื่อใช้ มการที่ (4.4) ด้วยการแทนค่าตัวแปร D = 25% = 0.25 ลงไปใน มการจะได้
1000 
I25% = 0.25  0.1  103  1   = 0.025 A หรือ 25 mA
 1.001 
____________________________________________________________________
4.2.2 แบบหลายพิ ัยการวัด (Multiple Ranges)

4.2.2.1 ชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย (Individual Shunt)
แอมมิเตอร์ที่ใช้งานโดยทั่ว ไปปกติจะมีหลายพิ ัยการวัด การออกแบบแอมมิเตอร์หลาย
พิ ัยการวัดอาจคานวณหาค่าตัวต้านทานชันต์ของแต่ละพิ ัยการวัด แต่วิธีนี้ตัวต้านทานชันต์แต่ละ
พิ ัยการวัดจะเป็นอิ ระแยกออกจากกัน เมื่อต้องการเปลี่ยนพิ ัยการวัดจึงต้องใช้ วิตช์ในการเลือก
พิ ัยการวัดดังแ ดงในรูปที่ 4.5 เรียกแอมมิเตอร์ชนิดนี้ว่า แอมมิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัว

ต้านทานชันต์ เฉพาะพิ ัย แอมมิเตอร์ชนิด นี้มีข้อดี คือ หากตัว ต้านทานชันต์ของพิ ัยการวัดใด
เ ียหาย พิ ัยการวัดอื่นจะยัง ามารถใช้งานได้ อย่างไรก็ตามในการใช้งานต้องระวังการเลือกพิ ัย
การวัดที่ไม่เหมาะ ม เช่น กระแ ที่ต้องการวัด ูงกว่าพิ ัยการวัดที่เลือก อาจก่อให้เกิดความเ ียหาย
กับขดลวดเคลื่อนที่ได้ ดังนั้น ในการใช้งานที่ถูกต้องจะต้องเริ่มจากพิ ัยการวัด ูง ุดก่อน แล้วจึง
ค่อย ๆ ปรับพิ ัยการวัดให้ลดต่าลงจนกระทั่งเข็มชี้แ ดงค่าการวัดเข้าใกล้ค่า ูง ุดของพิ ัยการวัดนั้น
แล้วจึงอ่านค่าที่วัดได้ วิธีการนี้จะทาให้ได้ค่าการวัดที่ถูกต้องมากที่ ุดและยัง ามารถป้องกันการ
เ ียหายของขดลวดเคลื่อนที่ ได้อีกด้วย ปัญหาอีกอย่างหนึ่งของแอมมิเตอร์ แบบหลายพิ ัยการวัด
ชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย คือ การเกิดความเ ียหายของขดลวดเคลื่อนที่ขณะเปลี่ยนพิ ัยการ
วัด เนื่ องจากขณะที่ กาลั ง เปลี่ ย นพิ ั ยการวัด แต่ วิตช์ยังต่อไปไม่ถึงพิ ั ยการวัดใหม่ จะทาให้ ตัว
ต้านทานชันต์ยังไม่ได้รับการต่อเข้ากับวงจรแอมมิเตอร์ ่งผลให้กระแ จานวนมากไหลผ่านขดลวด
เคลื่อนที่ การแก้ปัญหานี้จะต้องปลด ายวัดของแอมมิเตอร์ออกมาจากวงจรที่ต้องการวัดก่อนการ
เปลี่ยนพิ ัยการวัด หรือ อาจใช้ วิตช์ในการเลือกพิ ัย การวัดแบบ วิตช์ต่อก่อนตัด (Make-before
break switch) ดังแ ดงในรูปที่ 4.6 วิตช์นี้จะมีคุณ มบัติตรงที่ขณะกาลังบิด วิตช์เพื่อเลือกพิ ัย
การวัดใหม่ ตาแหน่งพิ ัยการวัดใหม่จะถูกต่อเข้ากับตัว วิตช์พร้อม ๆ กับตาแหน่ง พิ ัยการวัดเก่าที่
ยังไม่ได้ถูกตัดออกจาก วิตช์ ตาแหน่งพิ ัยการวัด เก่าจะถูกตัดออกจาก วิตช์ เมื่อบิด วิตช์ไปถึง
ตาแหน่งพิ ัยการวัดใหม่ การใช้ วิตช์ต่อก่อนตัดจึงทาให้มีตัวต้านทานชันต์ต่อเข้ากับวงจรตลอดเวลา
หรือการแก้ปัญหาอีกวิธีหนึ่งคือใช้การออกแบบแอมมิเตอร์แบบอาร์ตันชันต์ ดังที่จะได้อธิบายต่อไป
I
Rm
Rsh1 Rsh2 Rsh3
Selector Switch
รูปที่ 4.5 วงจรแอมมิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย
รูปที่ 4.6 ลักษณะ วิตช์ต่อก่อนตัด

____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 4.4 จากรูปที่ 4.7 จงคานวณหาค่าตัวต้านทานชันต์ Rsh1, Rsh2 และ Rsh3 เพื่อให้ ามารถ
วัดกระแ ได้ ูง ุด 1 mA, 10 mA และ 100 mA ตามลาดับ เมื่อกาหนดให้เครื่องมือวัดแบบพีเอ็ม
เอ็มซีมีกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 50 uA และมีความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ
2000 
I
2000
Rsh1 Rsh2 Rsh3
1mA 10mA
100mA
รูปที่ 4.7 วงจรแอมมิเตอร์ าหรับตัวอย่างที่ 4.4
วิธีทา ใช้ มการที่ (4.2) ในการคานวณหาตัวต้านทานชันต์ของแต่ละพิ ัยการวัด โดยการกาหนดค่า

ตัวแปร Ifs = 50 uA และ Rm = 2000  ของแต่ละพิ ัยการวัดให้เท่ากัน
ที่พิ ัยการวัดที่ 1 mA กาหนดค่า I = 1 mA ลงไปใน มการจะได้
50  106
Rsh1 =  2000 = 105.26 
1  103  50  106
50  106
Rsh2 =  2000 = 10.05 
10  103  50  106
50  106
Rsh3 =  2000 = 1 
100  103  50  106
____________________________________________________________________
4.2.2.2 ชนิดอาร์ตันชันต์หรือยูนิเวอร์แซลชันต์ (Ayrton Shunt or Universal Shunt)
แอมมิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิด อาร์ตันชันต์หรือยูนิเวอร์แซลชันต์ จะมีตัวต้านทาน
ชันต์ต่อขนานกับขดลวดเคลื่อนที่ตลอดเวลาดังแ ดงในรูปที่ 4.8 จากรูปพิ ัยการวัด ูง ุดคือ I3 และ
พิ ั ย การวัดต่า ุ ดคือ I1 ค่าตัว ต้ านทานชันต์ พิ ั ยการวัด ู งจะน าไปรวมเป็น ่ ว นหนึ่ งของค่าตั ว
ต้านทานชันต์พิ ัยการวัดที่ต่ากว่าลงไปตามลาดับ ข้อดีของแอมมิเตอร์แบบนี้ คือ ไม่ต้องปลด ายวัด
ของแอมมิเตอร์ออกจากวงจรเมื่อต้องการเปลี่ยนพิ ัยการวัด เนื่องจากขณะที่กาลังเปลี่ยนพิ ัยการ
วัดแต่ วิตช์ยังต่อไปไม่ถึงพิ ัยการวัดใหม่ ก็จะยังไม่มีกระแ ไหลเข้าไปในวงจร ทาให้ไม่เกิดความ
เ ียหายต่อขดลวดเคลื่อนที่ อย่างไรก็ตามข้อเ ียของแอมมิเตอร์แบบนี้ คือ เมื่อตัวต้านทานตัวหนึ่งตัว
ใดในวงจรเ ียหายจะทาให้ไม่ ามารถใช้งานแอมมิเตอร์ชนิดนี้ได้เลย
I1 Im
R1 Rsh1 Rm
I2
R2 Rsh2
I3
R3 Rsh3
รูปที่ 4.8 วงจรแอมมิเตอร์หลายพิ ัยการวัดชนิดอาร์ตันชันต์
ลักษณะการต่อวงจรของแอมมิเตอร์ชนิด อาร์ตันชันต์ตามรูปที่ 4.8 จะเห็นว่ามีพิ ัยการวัด

ทั้งหมด 3 พิ ัยการวัด ได้แก่ พิ ัยการวัด I1, I2 และ I3 วิธีการหา มการของตัวต้านทาน R1, R2 และ
R3 ต้องเริ่มจากการหาค่าของตัวต้านทานชันต์ Rsh1, Rsh2 และ Rsh1 ซึ่งเป็นตัวต้านทานชันต์เฉพาะของ
แต่ละพิ ัย มีวิธีการดังต่อไปนี้
1) เมื่อปรับพิ ัยการวัดไปที่ I1 จะ ามารถหา มการของ Rsh1 ดังนี้
(I1-Ifs)Rsh1= IfsRm
I fs
Rsh1= R (4.5)
 I1  I fs  m
และจากรูปที่ 4.8 จะได้ มการ Rsh1 ดังนี้
Rsh1 = R1+R2+R3 (4.6)
2) เมื่อปรับพิ ัยการวัดไปที่ I2 จะ ามารถหา มการของ Rsh2

เมื่อแก้ มการที่ (4.6) เพื่อหาค่าของ R1 จะได้
R1 = Rsh1- (R2+R3) (4.7)
และจากรูปที่ 4.8 จะได้ มการ Rsh2 ดังนี้
Rsh2 = R2+R3 (4.8)
เมื่อแทน มการที่ (4.8) ลงใน มการที่ (4.7) จะได้
R1 = Rsh1-Rsh2 (4.9)
และจากการต่อขนานกันระหว่าง Rsh2 และ Rm+R1 จะได้
VRsh2 = VRm+R1
(I2-Ifs)Rsh2 = Ifs(Rm+R1) (4.10)
แทนค่า R1 จาก มการที่ (4.9) ใน มการที่ (4.10) จะได้
(I2-Ifs)Rsh2 = Ifs(Rm+Rsh1-Rsh2) (4.11)
เมื่อแก้ มการที่ (4.11) เพื่อหาตัวแปร Rsh2 จะได้
I fs  Rm  Rsh1 
Rsh2 = (4.12)
I2
3) ปรับพิ ัยการวัดไปที่ I3 จะ ามารถหา มการของ Rsh3

จากการต่อขนานกันของ Rsh3 และ Rm+R1+R2 จะได้
VRsh3 = VRm+R1+R2
(I3-Ifs)Rsh3 = Ifs(Rm+R1+R2) (4.13)
เมื่อแก้ มการที่ (4.6) จะได้เพื่อหาค่าของ R1+R2 จะได้
R1+R2 = Rsh1-R3 (4.14)
เมื่อแทน R3 ด้วย Rsh3 ลงไปใน มการที่ (4.14) จะได้
R1+R2 = Rsh1-Rsh3 (4.15)
จากนั้นแทน มการที่ (4.15) ลงไปใน มการที่ (4.13) จะได้
(I3-Ifs)Rsh3 = Ifs(Rm+Rsh1-Rsh3) (4.16)
เมื่อแก้ มการที่ (4.16) เพื่อหาตัวแปร Rsh3 จะได้
I fs  Rm  Rsh1 
Rsh3 = (4.17)
I3
ดังนั้นจะ ามารถหาค่าของ R1, R2 และ R3 โดยใช้ มการดังต่อไปนี้
R1 = Rsh1-Rsh2 (4.18)
R2 = Rsh2-Rsh3 (4.19)
R3 = Rsh3 (4.20)
และใช้ มการที่ (4.6), (4.8) และ (4.17) ในการหาค่าของ Rsh1, Rsh2 และ Rsh3 ตามลาดับ
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 4.5 กาหนดพิ ัยการวัด I1, I2 และ I3 เท่ากับ 1 mA, 10 mA และ 100 mA ตามลาดับ
จงหาค่าของความต้านทาน R1, R2 และ R3 ในวงจรแอมมิเตอร์ชนิดอาร์ตันชันต์ที่แ ดงในรูปที่ 4.9
เมื่อกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลและความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ ในเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี

เท่ากับ 90 uA และ 4 k ตามลาดับ
Ifs = 90 uA
1 mA
R1 Rm = 4k
10 mA
R2
100 mA
R3
รูปที่ 4.9 วงจรแอมมิเตอร์ชนิดอาร์ตันชันต์ าหรับตัวอย่างที่ 4.5
วิธีทา ใช้ มการที่ (4.6) เพื่อหาค่าของ Rsh1 จะได้
Rsh1 = (90uA).(4k)/(1mA – 90uA) = 395.60 
ใช้ มการที่ (4.8) หาค่าของ Rsh2 จะได้
Rsh2 = (90uA).(4k+395.60 )/(10mA) = 39.56 
ใช้ มการที่ (4.17) หาค่าของ Rsh3 จะได้
Rsh3 = (90uA).(4k+395.60 )/(100mA) = 3.97 
ใช้ มการที่ (4.18) หาค่าของ R1 จะได้
R1 = 395.60 - 39.56 = 359.04 
ใช้ มการที่ (4.19) หาค่าของ R2 จะได้
R2 = 39.56 - 3.97 = 35.59 

และหา R3 จาก มการที่ (4.20) จะได้
R3 = 3.97 
____________________________________________________________________
4.3 การต่อแอมมิเตอร์เข้ากับวงจร
ัญญลักษณ์ของแอมมิเตอร์แทนแอมมิเตอร์ด้วยภาษาอังกฤษตัวพิมพ์ใหญ่ A อยู่ในวงกลม
ดังแ ดงในรู ป ที่ 4.10 ่ ว นการต่อ ใช้งานแอมมิเตอร์เพื่ อวัด กระแ ที่ไ หลในวงจรจะต้ องต่ อ
แอมมิเตอร์อนุกรมกับวงจรหรือกิ่งของวงจรที่ต้องการวัด ดังตัวอย่างในรูปที่ 4.11 เป็นลักษณะการ
ต่อแอมมิเตอร์อนุกรมกับวงจรเพื่อวัดกระแ ที่ไหลในวงจร อย่างไรก็ตามการต่อแอมมิเตอร์อนุกรม
กับวงจรที่ต้องการวัดกระแ จะเ มือนกับการต่อตัวต้านทานหรือโหลดเพิ่มเข้าไปในวงจรที่กาลัง วัด
ทาให้กระแ ไหลได้น้อยกว่าความเป็นจริง ดังนั้น ความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์จะมีผลต่อ
ความถูกต้องของการวัดกระแ การหาความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์ และผลการโหลดของ
แอมมิเตอร์จะได้กล่าวต่อไป
A
รูปที่ 4.10 ัญญลักษณ์ของแอมมิเตอร์
R
V A
รูปที่ 4.11 การต่อแอมมิเตอร์อนุกรมกับวงจร
4.4 ความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์ (Internal Resistance of Ammeter)

4.4.1 ชนิดตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย (Individual Shunt)
ความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์จะขึ้นอยู่กับความต้านทานของขดลวดเคลื่อนที่ Rm
และความต้ า นทานชั น ต์ Rsh ความต้ า นทานภายในของแอมมิ เ ตอร์ ห ลายพิ ั ย การวัด ชนิ ด ตั ว
ต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัยในรูปที่ 4.4 ของพิ ัยการวัด ใด จะมีความต้านทานภายในเท่ากับความ
ต้านทานรวมของการต่อขนานกันระหว่างความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm กับความต้านทานชันต์
พิ ั ย การวัดนั้ น จึ ง ามารถ รุ ป มการเพื่อหาความต้านทานภายในแต่ล ะพิ ั ยการวัดของวงจร
แอมมิเตอร์หลายพิ ัยการวัดแบบตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัย ได้ดังต่อไปนี้
ความต้านทานภายในของพิ ัยการวัด I1
Rm  Rsh1
Rin1 = (4.21)
Rm  Rsh1
Rm  Rsh2
Rin2 = (4.22)
Rm  Rsh2
Rm  Rsh3
Rin3 = (4.23)
Rm  Rsh3
4.4.2 ชนิดอาร์ตันชันต์ (Ayrton Shunt)

การหาความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์หลายพิ ัยการวั ดแบบอาร์ตันชันต์ในรูปที่ 4.8
จะพิจารณาได้ดังต่อไปนี้
- เมื่อเลือกพิ ัยการวัด I1 ค่าความต้านทานภายในจะคานวณได้จากผลรวมการต่อขนาน

กันระหว่าง Rm และ R1+R2+R3
- เมื่อเลือกพิ ัยการวัด I2 ค่าความต้านทานภายในจะคานวณได้จากการผลรวมการต่อ
ขนานกันระหว่าง Rm+R1 และ R2+R3 และ
- เมื่อเลือกพิ ัยการวัด I3 ค่าความต้านทานภายในจะคานวณได้จากการผลรวมการต่อ
ขนานกันระหว่าง Rm+R1+R2 และ R3
จึง ามารถ รุป มการเพื่อหาความต้านทานภายในแต่ละพิ ัยการวัดในวงจรแอมมิเตอร์

หลายพิ ัยการวัดแบบอาร์ตันชันต์ ได้ดังต่อไปนี้
Rm  R1  R2  R3 
Rin1 = (4.24)
Rm  R1  R2  R3
Rin2 =
 Rm  R1  R2  R3  (4.25)
Rm  R1  R2  R3
R3  Rm  R1  R2 
Rin3 = (4.26)
Rm  R1  R2  R3
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 4.6 จงหาความต้านทานภายในแต่ละพิ ัยการวัด I1, I2 และ I3 ของแอมมิเตอร์หลาย
พิ ัยการวัดแบบตัวต้านทานชันต์เฉพาะพิ ัยที่ออกแบบในตัวอย่างที่ 4.4
วิธีทา หาความต้านทานภายในพิ ัยการวัด I1 ใช้ มการที่ (4.21)
2000  105.26
Rin1 = = 99.997  100 
2000  105.26
หาความต้านทานภายในพิ ัยการวัด I2 ใช้ มการที่ (4.22)
2000  10.05
Rin2 = = 9.99  10 
2000  10.05

2000  1
Rin3 = = 0.99  1 
2000  1
ตัวอย่างที่ 4.7 จงหาความต้านทานภายในแต่ละพิ ัยการวัด I1, I2 และ I3 ของแอมมิเตอร์หลาย

พิ ัยการวัดแบบอาร์ตันชันต์ที่ออกแบบในตัวอย่างที่ 4.5
วิธีทา หาความต้านทานภายในพิ ัยการวัด I1 ใช้ มการที่ (4.24)
Rin1 = 4k.(359.04+35.59+3.97)/(4k+359.04+35.59+3.97) = 359.996 
Rin2 = (4k+359.04).(35.59+3.97)/(4k+359.04+35.59+3.97) = 39.231 
Rin3 = (3.97).(4k+359.04+35.59)/(4k+359.04+35.59+3.97) = 3.97 

____________________________________________________________________
4.5 ผลการโหลดของแอมมิเตอร์ (Ammeter Loading)

ในทางอุดมคติแอมมิเตอร์จะต้องมีความต้านทานภายในเท่ากับศูนย์โอห์ม เพราะเมื่อนาไป
ต่ออนุกรมเพื่อวัดกระแ ในวงจรไฟฟ้าใด ๆ กระแ ที่ไหลในวงจรไฟฟ้านั้น ๆ จะได้ไม่เปลี่ยนแปลง
แต่ในความเป็นจริงแอมมิเตอร์จะมีความต้านทานภายในไม่เท่ากับศูนย์ ดังที่ได้อธิบายในหัวข้อที่ 4.4
จึงทาให้เกิดปัญหาการโหลดของแอมมิเตอร์ขึ้นมา ดังแ ดงในรูปที่ 4.12 (ก) กระแ ในวงจรที่ยังไม่ได้
ต่อแอมมิเตอร์เข้าไปจะเท่ากับ Iwo และ (ข) กระแ ในวงจรเมื่อมีการต่อแอมมิเตอร์เข้าไปจะเท่ากับ
Iwm การต่อแอมมิเตอร์เพิ่มเข้าไปในวงจรจะทาให้กระแ ไหลน้อยลง ดังนั้น Iwo>Iwm เมื่อกระแ ไหล
น้อยลง ผลการวัดกระแ ด้วยแอมมิเตอร์จึงไม่ใช่ค่ากระแ จริงที่ไหลในวงจร ทาให้ผลการวัดมีความ
คลาดเคลื่อนการวัด ูงขึ้น วิธีการหนึ่งที่อาจช่วยบรรเทาปัญหาการโหลดของแอมมิเตอร์ คือ การ
เลือกพิ ัยการวัดให้ ูงขึ้น เนื่องจากที่พิ ัยการวัด ูงความต้านทานภายในของแอมมิเตอร์จะต่า และ
จะทาให้ปัญหาการโหลดของแอมมิเตอร์ลดลง อย่างไรก็ตามต้องคานึงด้วยว่าการเลือกพิ ัยการวัดที่
ูงเกินไปจะทาให้ความถูกต้องการวัดลดต่าลง
R R
Iwo Iwm
V V Rin A
(ก) (ข)
รูปที่ 4.12 (ก) กระแ ในวงจรที่ยังไม่ได้ต่อแอมมิเตอร์ และ (ข) กระแ ในวงจรขณะทีม่ ีการต่อ
แอมมิเตอร์
การหาความคลาดเคลื่อนการวัด ัมพัทธ์ด้วยแอมมิเตอร์ จะได้จากการนาค่ากระแ ที่ วัดได้

Iwm ด้วยลบด้วยกระแ ที่คานวณได้ Iwo ก่อนการต่อแอมมิเตอร์ แล้วนาผลลัพธ์ที่ได้ไปหารด้วยกระแ
ที่คานวณได้ Iwo ก่อนการต่อแอมมิเตอร์ ดัง มการ
Iwm  Iwo
r  (4.27)
Iwo
และเมื่อต้องการหาเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จะนา มการที่ (4.27) คูณกับ 100 จะได้
% r   r  100 (4.28)
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 4.8 วงจรไฟฟ้าวงจรหนึ่งประกอบด้วยตัวต้านทานขนาด 2 K ต่ออยู่กับแหล่งจ่าย
ไฟฟ้ากระแ ตรง 5 V เมื่อนาแอมมิเตอร์ทไี่ ด้ออกแบบจากตัวอย่างที่ 4.5 และมีความต้านทานภายใน
ที่คานวณได้จากตัวอย่างที่ 4.7 มาต่อเพื่อวัดกระแ ในวงจรนี้ จงคานวณหา
ก) ค่ากระแ จริงที่ไหลในวงจรเมื่อไม่มีการต่อแอมมิเตอร์
ข) ค่ากระแ ที่วัดจากแอมมิเตอร์เมื่อตั้งพิ ัยการวัด 10 mA
ค) ค่ากระแ ที่วัดจากแอมมิเตอร์เมื่อตั้งพิ ัยการวัด 100 mA
ง) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จากการตั้งพิ ัยการวัด 10 mA
จ) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จากการตั้งพิ ัยการวัด 100 mA
ฉ) เปอร์เซ็นต์ ความคลาดเคลื่อนจากัด ัมพัทธ์จากการตั้งพิ ัยการวัด 10 mA เมื่อ
ความคลาดเคลื่อนจากัดของแอมมิเตอร์ที่พิ ัยการวัดนี้มีค่าเท่ากับ ±3% ของค่าพิ ัย
การวัด ูง ุด
ช) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนจากัด ัมพัทธ์จากการตั้งพิ ัยการวัด 100 mA เมื่อ

ความคลาดเคลื่อนจากัดของแอมมิเตอร์ที่พิ ัยการวัดนี้ มีค่าเท่ากับ ±3% ของค่าพิ ัย
วิธีทา
ก) หากระแ จริงจากกฎของโอห์ม
Iwo = V/R = 5 V/2 k = 2.5 mA
ข) จากตัวอย่างที่ 4.7 ความต้านทานภายในที่พิ ัยการวัด 10 mA Rin2 = 39.231  ดังนั้น

ค่ากระแ ที่วัดจากแอมมิเตอร์เมื่อตั้งพิ ัยการวัด 10 mA จะเท่ากับ
Iwm = V/(R+Rin2) = 5/(2 k+39.231 ) = 2.452 mA
ค) จากตัวอย่างที่ 4.7 ความต้านทานภายในที่พิ ัยการวัด 100 mA Rin3 = 3.97  ดังนั้น

ค่ากระแ ที่วัดจากแอมมิเตอร์เมื่อตั้งพิ ัยการวัด 100 mA จะเท่ากับ
Iwm = V/(R+Rin3) = 5/(2 k+3.97 ) = 2.495 mA
ง) คานวณความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จากการตั้งพิ ัยการวัด 10 mA จะใช้ มการที่ (4.27) แทนค่า

Iwm = 2.452 mA และ Iwo = 2.5 mA ลงใน มการจะได้
 r = (2.452 mA-2.5 mA)/2.5 mA = -0.0192
และเมื่อคิดเป็นเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จะใช้ มการที่ (4.28) แทนค่า

 r = -0.0192 ลงไป จะได้
% r = -1.92%
จ) คานวณความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จากการตั้งพิ ัยการวัด 100 mA จะใช้ มการที่ (4.27) แทนค่า

Iwm = 2.495 mA และ Iwo = 2.5 mA ลงใน มการจะได้
 r = (2.495 mA-2.5 mA)/2.5 mA = -0.002
และเมื่อคิดเป็นเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จะใช้ มการที่ (4.28) แทนค่า

 r = -0.002 ลงไป จะได้
% r = -0.2%
ฉ) คานวณหาความคลาดเคลื่อนจากัดที่พิ ัยการวัด ูง ุด 10 mA เท่ากับ
±(3/100)10 mA = ±0.3 mA
และเมื่อคิดเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนจากัด ัมพัทธ์จะเท่ากับ
±(0.3/2.452)100 = ±12.234%
ช) คานวณหาความคลาดเคลื่อนจากัดที่พิ ัยการวัด ูง ุด 100 mA เท่ากับ
±(3/100)100 mA = ±3 mA
±(3/2.495)100 = ±120.24%
____________________________________________________________________
1. ในการออกแบบแอมมิเตอร์จากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีพิ ัยการวัดเดียว ที่มีกระแ
เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 120 uA และมีความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 1
k จงคานวณหาค่าตัวต้านทานชันต์ Rsh เพื่อให้ ามารถวัดกระแ ได้ ูง ุด 120 mA
2. วงจรแอมมิเตอร์พิ ัยการวัดเดียวที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี มีความต้านทาน
ขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 1200  กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 50 uA และมี
ตัวต้านทานชันต์ Rsh ค่าเท่ากับ 5  ต่อขนานกับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี จง

คานวณหากระแ ูง ุด I ที่แอมมิเตอร์วัดได้
3. กาหนดพิ ัยการวัด I1, I2 และ I3 เท่ากับ 1 mA, 10 mA และ 100 mA ตามลาดับ จงหาค่า
ของความต้านทาน R1, R2 และ R3 ในวงจรแอมมิเตอร์ชนิดอาร์ตันชันต์ เมื่อกระแ เบี่ยงเบน
เต็ม เกลและความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ในเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีเท่ากับ 50 uA
และ 2 k ตามลาดับ
4. จงหาความต้านทานภายในแต่ละพิ ัยการวัด I1, I2 และ I3 ของแอมมิเตอร์หลายพิ ัยการวัด
แบบอาร์ตันชันต์ที่ออกแบบในคาถามท้ายบทข้อที่ 3
5. วงจรไฟฟ้าวงจรหนึ่งประกอบด้วยตัวต้านทานขนาด 1 K ต่ออยู่กับแหล่งจ่ายไฟฟ้า
กระแ ตรง 3 V เมื่อนาแอมมิเตอร์ที่ได้ออกแบบในคาถามท้ายบทข้อที่ 3 และมีความ
ต้านทานภายในที่คานวณได้จากในคาถามท้ายบทข้อที่ 4 มาต่อเพื่อวัดกระแ ในวงจรนี้ จง
คานวณหา
ก) ค่ากระแ จริงที่ไหลในวงจรเมื่อไม่มีการต่อแอมมิเตอร์
ข) ค่ากระแ ที่วัดจากแอมมิเตอร์เมื่อตั้งพิ ัยการวัด 10 mA
ค) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จากการตั้งพิ ัยการวัด 10 mA
ง) เปอร์เซ็นต์ ความคลาดเคลื่อนจากัด ัมพัทธ์จากการตั้งพิ ัยการวัด 10 mA เมื่อ
ความคลาดเคลื่อนจากัดของแอมมิเตอร์ที่พิ ัยการวัดนี้ มีค่าเท่ากับ ±5% ของค่าพิ ัย
โวลต์มเิ ตอร์กระแ ตรง
5.1 บทนา
5.2 การขยายพิ ัยการวัดโวลต์มิเตอร์
5.2.1 แบบพิ ัยการวัดเดียว
5.2.1 แบบหลายพิ ัยการวัด
5.2.1.2 ชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัย
5.2.1.3 ชนิดยูนิเวอร์แซล
5.3 การต่อโวลต์มิเตอร์เข้ากับวงจรไฟฟ้า
5.4 ความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์กระแ ตรง
5.4.1 แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัย
5.4.2 แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซล
5.4.3 การหาความต้านทานภายในโดยวิธีอ้อม
5.5 ผลการโหลดของโวลต์มิเตอร์กระแ ตรง
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการขยายการวัดโวลต์มิเตอร์กระแ ตรงทั้งแบบพิ ัยการวัดเดียว
และแบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัยและชนิดยูนิเวอร์แซล
2. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่าตัวต้านทานอนุกรมที่ต่อเข้าไปในเครื่องมือวัดแบบพีเอ็ม
เอ็มซีเพื่อ ร้างโวลต์มิเตอร์กระแ ตรงแบบพิ ัยการวัดเดียวและแบบหลายพิ ัยการวัด
3. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการต่อโวลต์มิเตอร์เข้ากับวงจรเพื่อวัดกระแ ที่ไหลในวงจร
4. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่าความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์แบบต่าง ๆ
5. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจผลการต่อโวลต์มิเตอร์เข้าไปในวงจรหรือผลการโหลดของโวลต์
มิเตอร์ และ ามารถคานวณหาค่าความคลาดเคลื่อนของแรงดันที่วัดได้

บทที่ 5
โวลต์มเิ ตอร์กระแ ตรง
(DC Voltmeter)
5.1 บทนา
โวลต์มิเตอร์กระแ ตรงชนิดแอนะลอกเป็นเครื่องมือวัดทางไฟฟ้าที่ ใช้วัดค่าแรงดันในวงจร
ามารถ ร้ า งจากเครื่ อ งมือ วั ดแบบพี เ อ็ม เอ็ม ซี แต่เ นื่ องจากขดลวดเคลื่ อ นที่ ไ ม่ ามารถวัด ค่ า
แรงดันไฟฟ้าค่า ูง ๆ ได้ เพราะที่แรงดันค่า ูงจะทาให้ปริมาณกระแ จานวนมากไหลเข้าไปในขดลวด
เคลื่อนที่ อาจทาให้ขดลวดเคลื่อนที่เ ียหาย การขยายพิ ัยการวัดแรงดันไฟฟ้าจึงต้องต่อตัวต้านทาน
อนุกรมกับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี เพื่อลดปริมาณกระแ ไฟฟ้า ที่จะไหลเข้าไป บทนี้จึงจะได้
อธิบายการขยายพิ ัยการวัดแรงดันไฟฟ้าแบบพิ ัยการวัดเดียว และแบบหลายพิ ัยการวัด หรือแบบ
ยูนิเวอร์แซล รวมทั้งอธิบายผลการโหลดของโวลต์มิเตอร์เมื่อต่อเข้าไปในวงจร
Rs Im=Ifs
Rm
V
รูปที่ 5.1 วงจรโวลต์มิเตอร์แบบพิ ัยการวัดเดียว
5.2 การขยายพิ ัยการวัดโวลต์มิเตอร์ (Range Expansion of Voltmeter)

5.2.1 แบบพิ ัยการวัดเดียว (Single Range)
เมื่อป้อนแรงดันไฟฟ้า V เข้าที่ขั้วบวกและขั้วลบของโวลต์มิเตอร์ดังแ ดงในรูปที่ 5.1 การ
ขยายพิ ัยการวัดแบบพิ ัยการวัดเดียวจะทาได้โดยการต่อตัวต้านทาน Rs อนุกรมกับความต้านทาน
ภายในขดลวดเคลื่อนที่ Rm เพื่อลดปริมาณกระแ ที่จะไหลเข้าไปในขดลวด ถ้า V เป็นแรงดัน ูง ุด
ของพิ ัยการวัด จะทาให้กระแ ที่ไหลผ่านขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล หรือ Im=
Ifs จะ ามารถวิเคราะห์วงจรโดยใช้กฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ได้ดังต่อไปนี้
V  I fs Rs  I fs Rm
V  I fs  Rs  Rm  (5.1)
118 บทที่ 5 โวลต์มิเตอร์กระแ ตรง
และเมื่อแก้ มการที่ (5.1) เพื่อหาค่าของตัวต้านทาน Rs จะได้
V
Rs   Rm (5.2)
I fs
เมื่อต้องการหาค่าแรงดันที่ตาแหน่งเบี่ยงเบนต่าง ๆ บน เกล จะแก้ มการที่ (5.2) เพื่อหา

ค่าของแรงดัน V จากนั้นคูณค่าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนบน เกล D เข้าไปกับค่ากระแ
เบี่ยงเบน ูง ุด Ifs จะได้
V  D  I fs  Rs  Rm  (5.3)
จาก มการที่ (5.3) จะเห็นว่าความ ัมพันธ์ระหว่างตาแหน่งเบี่ยงเบนบน เกล และแรงดันที่

ตาแหน่งเบี่ยงเบนบน เกลจะเป็นแบบเชิงเ ้น ดังนั้น เช่นเดียวกับแอมมิเตอร์ เกลบนหน้าปัดของ
โวลต์มิเตอร์จึงเป็น เกลแบบเชิงเ ้นดังแ ดงในรูปที่ 5.2
รูปที่ 5.2 เกลบนหน้าปัดโวลต์มิเตอร์เป็นแบบเชิงเ ้น
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 5.1 จากวงจรโวลต์มิเตอร์ในรูปที่ 5.3 จงหาพิ ัยการวัดแรงดัน ูง ุด เมื่อความต้านทาน
Rs, กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล และความต้านทานภายในของขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 199 k, 120
uA และ 1 k ตามลาดับ
Rs = 199 k Ifs = 120 uA

Rm = 1 k
V
รูปที่ 5.3 วงจรโวลต์มิเตอร์ าหรับตัวอย่างที่ 5.1
วิธีทา ใช้ มการที่ (5.1) หาพิ ัยการวัดแรงดัน ูง ุด V และแทนค่า Rs = 199 k, Ifs = 120 uA
และ Rm = 1 k จะได้
V  120  106 199  103  1  103   24 V
ตัวอย่างที่ 5.2 จากวงจรโวลต์มิเตอร์ในตัวอย่างที่ 5.1 จงหาค่าแรงดันที่

ก) ตาแหน่งที่เจ็ด ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.75FSD)
วิธีทา ก) หาค่าแรงดันที่ตาแหน่ง 0.75FSD

ใช้ มการที่ (5.3) หาค่าแรงดันที่ตาแหน่ง 0.75FSD แทนที่ D = 0.75, Ifs = 120 uA, Rm =
1 k และ Rs = 199 k จะได้
V  0.75  120  106 199  103  1  103  = 18 V
ข) หาค่าแรงดันที่ตาแหน่ง 0.5FSD
ใช้ มการที่ (5.3) หาค่าแรงดันที่ตาแหน่ง 0.5FSD แทนที่ D = 0.5, Ifs = 120 uA, Rm = 1
k และ Rs = 199 k จะได้
V  0.5  120  106 199  103  1  103  = 12 V
ค) หาค่าแรงดันที่ตาแหน่งที่ 0.25FSD
ใช้ มการที่ (5.3) หาค่าแรงดันที่ตาแหน่ง 0.75FSD แทนที่ D = 0.75, Ifs = 120 uA, Rm =
1 k และ Rs = 199 k จะได้
V  0.25  120  106 199  103  1  103  = 6 V
ตัวอย่างที่ 5.3 จากวงจรโวลต์มิเตอร์ในรูปที่ 5.4 ถ้ากาหนดพิ ัยการวัดแรงดัน ูง ุดที่ 20 V จงหา

ค่าของตัวต้านทาน Rs เมื่อกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลและความต้านทานภายในขดลวดเคลื่อนที่มีค่า
เท่ากับ 100 uA และ 2 k ตามลาดับ และหากนาโวลต์มิเตอร์ที่ออกแบบนี้ไปวัดแรงดันขนาด 5 V
จงหาค่าของกระแ Im ที่ไหลผ่านขดลวดเคลื่อนที่
Rs Ifs = 100 uA
Rm = 2 k
20VDC
วิธีทา ใช้ มการที่ (5.2) ในการหาค่าของตัวต้านทาน Rs และแทนค่า V = 20 V, Ifs = 100 uA และ

Rm = 2 k ลงใน มการ จะได้
20 3
Rs  6  2  10 = 198 k
100  10
เมื่อนาโวลต์มิเตอร์ไปวัดแรงดัน 5 V จะได้ มการ V  Im  Rs  Rm  จากนั้นแก้ มการเพื่อหา

กระแ ที่ไหลผ่านขดลวดเคลื่อนที่ Im จะได้
V 5 5
Im    = 25 uA
 Rs  Rm  198  103  2  103  200  103
____________________________________________________________________
จากบทที่ 3 ความไวกระแ (Sensitivity: S) ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี มีค่าเท่ากับ

อัตรา ่ ว นระหว่างค่าคงที่ในระบบไฟฟ้าของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี และค่าคงที่ของ ปริง
่วนประกอบที่เป็นค่าคงที่ในระบบไฟฟ้าประกอบด้วย จานวนรอบขดลวด ความหนาแน่นฟลักซ์

แม่เหล็ก และขนาดพื้นที่หน้าตัดของขดลวดเคลื่อนที่ ถ้าให้ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็กและขนาด
พื้น ที่ห น้ าตัดขดลวดเคลื่ อนที่คงที่ การเพิ่มความไวกระแ จะทาได้ด้ ว ยการเพิ่มจานวนรอบของ
ขดลวดและลดค่าคงที่ของ ปริงโดยการทาให้ ปริงและ ่วนแกนมีน้าหนักเบา แต่ถ้าต้องการให้
ความไวกระแ ลดลง ต้องลดจานวนรอบของขดลวดและเพิ่มความฝืดของ ปริงให้มากขึ้น การเพิ่ม
จานวนรอบของขดลวดจะทาให้ความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่มากขึ้น ่วนการลดจานวนรอบจะทา
ให้ความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ลดลง ดังนั้น การกาหนดนิยามความไวกระแ ของเครื่องมือวัดแบบ
พีเอ็มเอ็มซีในอีกวิธีหนึ่งอาจกาหนดได้จาก ่วนผกผันของปริมาณกระแ ที่ทาให้เกิดการเบี่ยงเบน
เต็ม เกล ซึ่งจะแ ดงถึงความต้านทานของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ในนิยามนี้ความไวกระแ จะ
มีหน่วยเป็น /V ดังนั้น
1
S (5.4)
I fs
แทน มการที่ (5.4) ลงใน มการที่ (5.2) จะได้ มการตัวต้านทานอนุกรม Rs ที่อยู่ในรูปของความไว

กระแ ดังนี้
Rs  S  V  Rm (5.5)
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 5.4 จากวงจรโวลต์มิเตอร์ในรูปที่ 5.5 จงหาค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs ที่พิ ัยการวัด
50 V และกาหนดให้ความไวกระแ ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีมีค่าเท่ากับ 10 k/V และ
ความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm มีค่าเท่ากับ 1 k
Rs
Rm = 1 k
50VDC
S = 10 k/V
วิธีทา ใช้ มการที่ (5.5) ในการหาค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs และแทนค่า S = 10 k/V, Rm

= 1 k และ V = 50 V จะได้
Rs  10  10 3  50  1  103 = 499 k
____________________________________________________________________
5.2.2 แบบหลายพิ ัยการวัด (Multiple Ranges)

5.2.2.1 ชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัย (Individual Range)
วงจรโวลต์มิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัยแ ดงได้ดังรูปที่
5.6 การคานวณหาค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs แต่ละพิ ัยการวัดจะใช้ มการที่ (5.2) ่วนการเลือก
พิ ัยการวัดจะใช้ วิตช์เลือกเพื่อต่อตัวต้านทานของพิ ัยที่เลือกเข้ากับความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่
Rm เนื่องจากการเลือกพิ ัยการวัดที่ไม่เหมาะ มกับแรงดันที่วัดอาจทาให้ขดลวดเคลื่อนที่เ ียหายได้
ในทางปฏิบัติจึงต้องเลือกพิ ัยการวัด ูง ุดก่อนเพราะที่พิ ัยการวัด ูงค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs ก็จะ
มีค่า ูง ทาให้กระแ ที่จะไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ต่า หากเข็มของโวลต์มิเตอร์อยู่ในระยะ เกล
ต่า จึงค่อยปรับ วิตช์ให้พิ ัยการวัดลดต่าลงให้เข็มของมิเตอร์อยู่ในระยะ เกล ูง ขึ้น เพื่อที่จะได้มีผล
การวัดที่มีค่าความคลาดเคลื่อนการวัดต่า
V1 Rs1
V2 Rs2
V3 Rs3 Rm
รูปที่ 5.6 วงจรโวลต์มเิ ตอร์แบบหลายพิ ยั การวัดชนิดตัวต้านทานเฉพาะพิ ัย

____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 5.5 จงออกแบบโวลต์มิเตอร์ดังแ ดงในรูปที่ 5.7 ที่มี 3 พิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทาน
เฉพาะพิ ัย ค่า ูง ุดของแต่ละพิ ัยการวัดอยู่ที่ 5 V, 10 V และ 50 V ตามลาดับ โดยใช้เครื่องมือวัด
แบบพีเอ็มเอ็มซีที่มีความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 2 k และกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล
Ifs เท่ากับ 50 uA
5V Rs1
10V Rs2 Ifs = 50 uA
50V Rs3 2k
รูปที่ 5.7 วงจรโวลต์มิเตอร์ในตัวอย่างที่ 5.5
วิธีทา ใช้ มการที่ (5.2) ในการคานวณหาค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs ของแต่ละพิ ัยการวัด แทนค่า

Ifs = 50 uA และ Rm = 2 k ลงไปใน มการ
ที่พิ ัยการวัด 5 V จะได้
5 3
R s1  6  2  10 = 98 k
50  10
10 3
Rs 2  6  2  10 = 198 k
50  10
50 3
Rs 3 
6  2  10 = 998 k
50  10
____________________________________________________________________
5.2.2.2 ชนิดยูนิเวอร์แซล (Universal Range)

วงจรโวลต์มิเตอร์แบบหลายพิ ั ยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซลแ ดงได้ดังรูปที่ 5.8 จากรูป
ประกอบด้วยพิ ัยการวัด V1, V2 และ V3 โดยที่พิ ัยการวัด ูง ุด คือ พิ ัยการวัด V3 และพิ ัยการวัด
ต่า ุด คือ พิ ัยการวัด V1 ลักษณะการต่อวงจรแบบนี้จะทาให้พิ ัยการวัดที่ ูงกว่าจะใช้ตัวต้านทาน

อนุกรมร่วมกับพิ ัยการวัดต่าที่ต่ากว่า
Rs3
Rs2
Rs1
R3 R2 R1
V3 V2 Rm
V1
Ifs
รูปที่ 5.8 วงจรโวลต์มิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซล
วิธีการหา มการของตัวต้านทาน R1, R2 และ R3 ของแต่ละพิ ัยการวัด ต้องเริ่มจากการหา

ค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs1, Rs2 และ Rs3 ซึ่งเป็นตัวต้านทานอนุกรมของแต่ละพิ ัยการวัด มี
วิธีการดังต่อไปนี้
1) เมื่อปรั บ พิ ั ย การวัดไปที่ V1 จะ ามารถหาค่ า ของ Rs1 ซึ่ งมีค่า เท่า กับ R1 ได้โ ดยใช้
มการที่ (5.2) ดังนี้
V1
Rs1  R1   Rm (5.6)
I fs
และอาจใช้ มการที่ (5.5) ในการหาค่า Rs1 หรือ R1 ในรูปความไวกระแ ดังนี้
Rs1  R1  S  V1  Rm (5.7)
2) เมื่อปรับพิ ัยการวัดไปที่ V2 จะพบว่าความต้านทาน Rs2 ซึ่งเป็นความต้านทานอนุกรม

ของพิ ัยการวัด V2 จะมีค่าเท่ากับความต้านทานรวมของการต่ออนุกรมระหว่าง R1
และ R2 ดังนั้น
Rs 2  R1  R2 (5.8)
จากนั้นใช้ มการที่ (5.2) หาค่า Rs2 จะได้
V2
Rs 2   Rm (5.9)
I fs
แทน มการ (5.8) ลงใน มการที่ (5.9) จะได้
V2
R1  R2   Rm (5.10)
I fs
แก้ มการที่ (5.10) เพื่อหาค่าของ R2 จะได้
V2
R2    Rm  R1  (5.11)
I fs
และแทน มการที่ (5.4) ลงใน มการที่ (5.11) เพื่อหาค่าของ R2 ในรูปความไวกระแ

จะได้
R2  S  V2   Rm  R1  (5.12)
3) เมื่อปรับพิ ัยการวัดไปที่ V3 จะพบว่าความต้านทาน Rs3 ซึ่งเป็นความต้านทานอนุกรม

ของพิ ัยการวัด V3 จะมีค่าเท่ากับความต้านทานรวมของการต่ออนุกรมระหว่าง R1, R2
และ R3 ดังนั้น
Rs 3  R1  R2  R3 (5.13)
จากนั้นใช้ มการที่ (5.2) หาค่า Rs3 จะได้
V3
Rs 3   Rm (5.14)
I fs
แทน มการ (5.13) ลงใน มการที่ (5.14) จะได้
V3
R1  R2  R3   Rm (5.15)
I fs
แก้ มการที่ (5.15) เพื่อหาค่าของ R3 จะได้
V2
R3    Rm  R1  R2  (5.16)
I fs
และแทน มการที่ (5.4) ลงใน มการที่ (5.16) เพื่อหาค่าของ R3 ในรูปความไว

กระแ ไฟฟ้า จะได้
R3  S  V3   Rm  R1  R2  (5.17)
รุปการหาค่า ตัวต้านทาน R1, R2 และ R3 ของแต่ละพิ ัยการวัด จะใช้ มการที่ (5.6),

(5.11) และ (5.16) ตามลาดับ และเมื่อต้องการหาค่าตัวต้านทาน R1, R2 และ R3 ของแต่ละพิ ัยการ
วัดในรูปของความไวกระแ จะใช้ มการที่ (5.7), (5.12) และ (5.17) ตามลาดับ
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 5.6 จงออกแบบโวลต์มิเตอร์ดังรูปที่ 5.9 ที่มี 3 พิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซล ค่า ูง ุด
ของแต่ละพิ ัยอยู่ที่ 10 V, 50 V และ 250 V ตามลาดับ โดยใช้เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีที่มีความ
ต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 100  และกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 1 mA
R3 R2 R1
100
250V 50V
10V
Ifs=1mA
วิธีทา ใช้ มการที่ (5.6) หาค่า R1 และแทนค่า Ifs = 1 mA, V1 = 10 V และ Rm = 100  จะได้
10
R1   100 = 9.9 k
1  103
ใช้ มการที่ (5.11) หาค่า R2 และแทนค่า Ifs = 1 mA, V2 = 50 V, Rm = 100  และ R1

= 9.9 k จะได้
50
3  100  9.9  10  = 40 k
3
R2 
1  10
ใช้ มการที่ (5.16) หาค่า R3 และแทนค่า Ifs = 1 mA, V3 = 250 V, Rm = 100 , R1 =

9.9 k และ R2 = 40 k จะได้
250
3  100  9.9  10  40  10  = 200 k
3 3
R3 
1  10
ตัวอย่างที่ 5.7 จงออกแบบโวลต์มิเตอร์ดังรูปที่ 5.10 ที่มี 3 พิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซล ค่า ูง ุด

ของแต่ละพิ ัยอยู่ที่ 5 V, 10 V และ 50 V ตามลาดับ โดยใช้เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีที่มีความ
ต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 2 k และความไวกระแ ไฟฟ้า S เท่ากับ 20 k/V
R3 R2 R1
2k
50V 10V
5V
S=20k/V
วิธีทา ใช้ มการที่ (5.7) หาค่า R1 และแทนค่า S = 20 k/V, V1 = 5 V และ Rm = 2 k จะได้
R1  20  103  5  2  103 = 98 k
ใช้ มการที่ (5.12) หาค่า R2 และแทนค่า S = 20 k/V, V2 = 10 V, Rm = 2 k และ

R1 = 98 k จะได้
R2  10  20  103   2  103  98  103  = 100 k
ใช้ มการที่ (5.17) หาค่า R3 และแทนค่า S = 20 k/V, V3 = 50 V, Rm = 2 k, R1 =

98 k และ R2 = 100 k จะได้
R3  50  20  103   2  103  98  103  100  103  = 800 k

____________________________________________________________________
5.3 การต่อโวลต์มิเตอร์เข้ากับวงจร
ั ญลักษณ์ของโวลต์มิเตอร์แทนด้วยตัวอักษรภาษาอังกฤษตัวพิมพ์ใหญ่ V อยู่ในวงกลม ดัง
ญ
แ ดงในรูปที่ 5.11 ่วนการต่อใช้งานโวลต์มิเตอร์เพื่อวัดแรงดันระหว่างจุด องจุด ในวงจรไฟฟ้า
จะต้องต่อขั้วบวกของโวลต์มิเตอร์เข้ากับจุดแรกและขั้วลบเข้ากับจุดที่ อง ดังตัวอย่างในรูปที่ 5.12
ต้องการวัดแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 จึงต่อขั้วบวกของโวลต์มิเตอร์ที่โนด 1 และขั้วลบของโวลต์
มิเตอร์เข้าที่โนด 2 เนื่องจากแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 จะเกิดจากแรงดันที่โนด 1 ลบด้วย
แรงดันที่โ นด 2 ลักษณะการต่อโวลต์มิเตอร์เข้าไปที่ตัว ต้านทาน R2 จึงเป็นการต่อ แบบขนาน
อย่างไรก็ตามการต่อโวลต์มิเตอร์ขนานกับตัวต้านทานในวงจรที่ต้องการวัดแรงดันตกคร่อม จะเ มือน
กับการต่อตัวต้านทานหรือโหลดเพิ่มเข้าไปในวงจร และหากค่าของตัวต้านทานที่ต้องการวัด มีค่า
มากกว่าความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์ จะทาให้ แรงดันที่วัดได้ต่ากว่าความเป็นจริง เพราะ
การต่อขนานกันของตัวต้านทานจะทาให้ความต้านทานรวมลดลงใกล้เคียงกับค่าของตัวต้านทานที่
น้อยกว่า แม้ปริมาณกระแ ที่ไหลในวงจรจะเพิ่มขึ้น แต่ผลจากความต้านทานรวมที่ลดลงจะมีผล
มากกว่าทาให้แรงดันที่วัดได้ลดลงตามไปด้วย ดังนั้น ความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์จึงมีผลต่อ
ความถูกต้องของการวัดแรงดัน การหาความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์และผลการโหลดของ
โวลต์มิเตอร์จะได้กล่าวในหัวข้อต่อไป
V
รูปที่ 5.11 ัญญลักษณ์ของโวลต์มิเตอร์
R1 1
V R2 V
2
รูปที่ 5.12 การต่อโวลต์มิเตอร์ขนานกับตัวต้านทานในวงจร
5.4 ความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์ (Internal Resistance of Voltmeter)

ดังที่ได้อธิบายไปแล้วว่า ความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์จะมีผลกับวงจรที่นาโวลต์
มิเตอร์ไปวัด ความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์จะมีค่าเท่ากับผลรวมความต้านทานของการต่อ
อนุกรมระหว่างตัวต้านทานอนุกรมที่จากัดกระแ และความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เนื่องจาก
ค่าของตัวต้านทานจากัดกระแ จะขึ้นอยู่กับพิ ัยการวัดที่เลือก ดังนั้นความต้านทานภายในจึงขึ้นอยู่
กับพิ ัยการวัดที่เลือกเช่นกัน ามารถ รุป มการเพื่อหาความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์ แต่
ละชนิด ได้ดังต่อไปนี้
5.4.1 แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัย

โวลต์มิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานอนุกรมเฉพาะพิ ัยในรูปวงจรที่ 5.6 จะ
หาความต้านทานภายในของแต่ละพิ ัยการวัดได้ดังต่อไปนี้
ความต้านทานภายในของพิ ัยการวัด V1
Rin1 = Rm  Rs1 (5.18)
Rin2 = Rm  Rs 2 (5.19)
Rin3 = Rm  Rs 3 (5.20)
5.4.2 แบบหลายพิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซล

โวลต์มิเตอร์แบบหลายพิ ัยการวัดชนิด ยูนิเวอร์แซลในรูปวงจรที่ 5.8 จะหาความต้านทาน
ภายในของแต่ละพิ ัยการวัดได้ดังต่อไปนี้
Rin1 = Rm  R1 (5.21)
Rin2 = Rm  R1  R2 (5.22)
Rin3 = Rm  R1  R2  R3 (5.23)
5.4.3 การหาความต้านทานภายในโดยวิธีอ้อม
จากวงจรโวลต์มิเตอร์แต่ละแบบในรูปที่ 5.1, 5.6 และ 5.8 จะเห็นว่า ามารถใช้กฎของ
โอห์มช่วยในการหาความต้านทานภายใน Rin ของแต่ละพิ ัยการวัดของโวลต์มิเตอร์ ดังนี้
V  I fs Rin (5.24)
เมื่อแก้ มการที่ (5.24) เพื่อหาค่าของความต้านทานภายใน Rin จะได้
V
Rin  (5.25)
I fs
เมื่อแทน มการที่ (5.4) ลงใน มการที่ (5.25) จะได้ความต้านทานภายในที่อยู่ในรูปของ

ความไวกระแ ดังนี้
Rin  S  V (5.26)
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 5.8 จงหาค่าความต้านทานภายในของแต่ละพิ ัยการวัดของวงจรโวลต์มิเตอร์หลาย
พิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซลที่ได้ออกแบบในตัวอย่างที่ 5.7
วิธีทา ใช้ มการที่ (5.21) หาความต้านทานภายในที่พิ ัยการวัด 5 V แทนค่า Rm = 2 k และ

R1 = 98 k จะได้
Rin1 = 2  103  98  103 = 100 k
ใช้ มการที่ (5.22) หาความต้านทานภายในที่พิ ัยการวัด 10 V แทนค่า Rm = 2 k, R1 =

98 k และ R2 = 100 k จะได้
Rin2 = 2  103  98  103  100  103 = 200 k
ใช้ มการที่ (5.23) หาความต้านทานภายในที่พิ ัยการวัด 50 V แทนค่า Rm = 2 k, R1 =

98 k, R2 = 100 k และ R3 = 800 k จะได้
Rin3 = 2  103  98  103  100  103  800 103 = 1 M
ตัวอย่างที่ 5.9 โวลต์มิเตอร์ที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ตัวหนึ่งมี 3 พิ ัยการวัด ได้แก่

5V, 50V และ 500 V กาหนดความไวกระแ ของเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีเท่ากับ 20 k/V จง
คานวณหาความต้านทานภายในของแต่ละพิ ัยการวัด
วิธีทา จะใช้ มการที่ (5.26) คานวณหาความต้านทานภายในของแต่ละพิ ัยการวัด ดังนี้
ทีพ่ ิ ัยการวัด 5 V แทนค่า S = 20 k/V และ V = 5 V จะได้
Rin1 = (20 K/V)( 5 V) = 100 k

Rin2 = (20 K/V)(50 V) = 1 M
Rin3 = (20 K/V)(500 V) = 10 M

____________________________________________________________________
R1 R1
Iwo Iwm Rin
V R2 Vwo V R2 V Vwm
(ก) (ข)
รูปที่ 5.13 (ก) กระแ ในวงจรที่ยังไม่ได้ต่อแอมมิเตอร์ และ (ข) กระแ ในวงจรขณะทีม่ ีการต่อ
แอมมิเตอร์
5.5 ผลการโหลดของโวลต์มิเตอร์ (Voltmeter Loading)

ในทางอุดมคติ โวลต์มิเตอร์ที่ต่อเพื่อวัดแรงดันในวงจรต้องไม่ ่งผลกระทบกับกระแ หรือ
แรงดันในวงจร แต่ในความเป็นจริง เนื่องจากโวลต์มิเตอร์มีความต้านทานภายใน การต่อโวลต์มิเตอร์
เข้าไปเพื่อวัดแรงดันในวงจรจึงเป็นการเพิ่มโหลดให้กับวงจร และจะทาให้กระแ และแรงดันของวงจร
เกิดการเปลี่ยนแปลง ซึ่งจะมากหรือน้อยจะขึ้นอยู่กับความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์ จาก
ตัวอย่างในรูปที่ 5.13 (ก) เป็นวงจรแบ่งแรงดันมีตัวต้านทาน R1 ต่ออนุกรมกับตัวต้านทาน R2 เมื่อยัง
ไม่ได้ต่อโวลต์มิเตอร์กระแ ที่ไหลในวงจรจะเท่ากับ Iwo ซึ่ง ามารถหาค่าได้ดังนี้
V
Iwo  (5.27)
 R1  R2 
และจากกฎของโอห์ม แรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 หรือ Vwo จะเท่ากับ
Vwo  Iwo  R2 (5.28)

แทนค่า มการที่ (5.27) ลงใน มการที่ (5.28) จะได้
V  R2
Vwo  (5.29)
 R1  R2 
เมื่อต่อโวลต์มิเตอร์ที่มีความต้านทานภายใน Rin เข้าไปเพื่อวัดแรงดันตกคร่อม R2 ดังแ ดงในรูปที่

5.13 (ข) จะทาให้ความต้านทานรวม RT ระหว่างการต่อขนานกันของ Rin และ R2 มีค่าเท่ากับ
Rin  R2
RT  (5.30)
 Rin  R2 
และกระแ ที่ไหลในวงจรจะเท่ากับ Iwm ซึ่ง ามารถหาค่าได้ดังนี้
V
Iwm  (5.31)
 R1  RT 
และแรงดันที่ตกคร่อมตัวต้านทาน R2 หรือ Vwm จะเท่ากับ
Vwm  Iwm  RT (5.32)
แทนค่า มการที่ (5.31) ลงใน มการที่ (5.32) จะได้
V  RT
Vwm  (5.33)
 R1  RT 
จาก มการที่ (5.33) และ มการที่ (5.29) จะเห็นว่าแรงดัน Vwm จะแตกต่างจากแรงดัน

Vwo มากหรือน้อยจะขึ้นอยู่กับความต้านทานรวม RT แต่โดยปกติความต้านทานรวมของการต่อ
ขนานกันของตัวต้านทานจะมีค่าลดลง ดังนั้น Vwm< Vwo ค่าแรงดันที่วัดได้จากโวลต์มิเตอร์จึงมีค่า
ต่ากว่าความเป็นจริง การลดปัญหาการโหลดของโวลต์มิเตอร์อาจปรับพิ ัยการวัดให้ ูงขึ้น เพราะที่
พิ ัยการวัดที่ ูงจะมีความต้านทานภายใน ูง ทาให้ความต้านทานรวมไม่เปลี่ยนแปลงไปจากค่า ของ
ตัวต้านทาน R2 มากนัก แต่การปรับพิ ัยการวัดให้ ูงขึ้นก็ต้องระวังเรื่องความถูกต้องการวัดที่จะ
ลดลงด้วย
การหาความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ จะได้จากการนาค่าแรงดันที่วัดได้ด้วยโวลต์มิเตอร์ Vwm

ลบด้วยแรงดันที่คานวณได้ก่อนการต่อโวลต์มิเตอร์ Vwo แล้ว นาผลลัพธ์ที่ได้ไปหารด้ว ยแรงดันที่
คานวณได้ก่อนการต่อโวลต์มิเตอร์ Vwo ดัง มการ
Vwm  Vwo
r  (5.34)
Vwo
และเมื่อต้องการหาเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์จะนา มการที่ (5.34) คูณกับ 100 จะได้
% r   r  100 (5.35)
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 5.10 นาโวลต์มิเตอร์ที่ได้ออกแบบในตัวอย่างที่ 5.7 และมีความต้านทานภายในที่
คานวณได้ในตัวอย่างที่ 5.8 ไปวัดหาแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 ดังแ ดงในรูปที่ 5.14 จง
คานวณหา
ก) กระแ ที่ไหลในวงจรก่อนการวัดด้วยโวลต์มิเตอร์
ข) แรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 ก่อนการวัดด้วยโวลต์มิเตอร์
ค) กระแ ที่ไหลในวงจรขณะใช้โวลต์มิเตอร์วัด เมื่อตั้งพิ ัยการวัดที่ 5 V
ง) กระแ ที่ไหลในวงจรขณะใช้โวลต์มิเตอร์วัด เมื่อตั้งพิ ัยการวัดที่ 10 V
จ) แรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 ขณะใช้โวลต์มิเตอร์วัด เมื่อตั้งพิ ัยการวัดที่ 5 V
ฉ) แรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 ขณะใช้โวลต์มิเตอร์วัด เมื่อตั้งพิ ัยการวัดที่ 10 V
ช) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ เมื่อตั้งพิ ัยการวัดที่ 5 V
ซ) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์เมื่อตั้งพิ ัยการวัดที่ 10 V
ฌ)เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนจากัด ัมพัทธ์ที่พิ ัยการวัด 5 V เมื่อความคลาดเคลื่อน
จากัดของโวลต์มิเตอร์ที่พิ ัยการวัดนี้มีค่าเท่ากับ ±4% ของค่าพิ ัยการวัด ูง ุด
ฎ) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนจากัด ัมพัทธ์ที่พิ ัยการวัด 10 V เมื่อความคลาดเคลื่อน
ของโวลต์มิเตอร์ที่พิ ัยการวัดนี้มีค่าเท่ากับ ±4% ของค่าพิ ัยการวัด ูง ุด
R1 = 10k
7V R2 = 20k

วิธีทา ก) หากระแ Iwo ที่ไหลในวงจรก่อนการวัดด้วยโวลต์มิเตอร์

ใช้ มการที่ (5.27) เพื่อหากระแ Iwo แทนค่า V = 7 V, R1 = 10 k และ R2 = 20 k
7
Iwo  = 0.23 mA
10 103  20 103 
ข) หาแรงดัน Vwo ตกคร่อมตัวต้านทาน R2 ก่อนการวัดด้วยโวลต์มิเตอร์
ใช้ มการที่ (5.28) เพื่อหาแรงดัน Vwo แทนค่า Iwo = 0.23 mA และ R2 = 20 k จะได้
Vwo  0.23  103  20  103 = 4.6 V
ค) กระแ Iwm ที่ไหลในวงจรขณะใช้โวลต์มิเตอร์วัด เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 5 V

ใช้ มการที่ (5.30) ความต้านทานรวม RT เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 5 V แทนค่า Rin = 100
k และ R2 = 20 k จะได้
100  103  20  103

RT  = 16.66 k
100  103  20  103 
จากนั้นใช้ มการที่ (5.31) หากระแ Iwm แทนค่า V = 7 V, R1 = 10 k และ RT = 16.66 k
7
Iwm  3 = 0.26 mA
10  10  16.66  10 
3
ง) กระแ Iwm ที่ไหลในวงจรขณะใช้โวลต์มิเตอร์วัด เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 10 V

ใช้ มการที่ (5.30) ความต้านทานรวม RT เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 10 V แทนค่า Rin = 200
k และ R2 = 20 k จะได้
200  103  20  103

RT  = 18.18 k
 200 103  20  103 
จากนั้นใช้ มการที่ (5.31) หากระแ Iwm แทนค่า V = 7 V, R1 = 10 k และ RT = 18.18 k
7
Iwm  3 = 0.24 mA
10  10  18.18  10 
3
จ) หาแรงดัน Vwm ที่ตกคร่อมตัวต้านทาน R2 ขณะใช้โวลต์มิเตอร์วัด เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 5 V

ใช้ มการที่ (5.32) หาแรงดัน Vwm แทนค่า Iwm = 0.26 mA และ RT = 16.66 k ลงใน
มการ จะได้
Vwm  0.26  103  16.66  103 = 4.33 V
ฉ) หาแรงดัน Vwm ที่ตกคร่อมตัวต้านทาน R2 ขณะใช้โวลต์มิเตอร์วัด เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 10 V

ใช้ มการที่ (5.32) หาแรงดัน Vwm แทนค่า Iwm = 0.24 mA และ RT = 18.18 k ลงใน
มการ จะได้
Vwm  0.24  103  18.18  103 = 4.36 V
ช) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 5 V

ใช้ มการที่ (5.34) หาความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 5 V แทนค่า Vwm =
4.33 V และ Vwo = 4.6 V จะได้
 r = (4.33 V - 4.6 V)/4.6 V = -0.058
และใช้ มการที่ (5.34) หาเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ แทนค่า  r = -0.058 จะได้
% r = -5.8%
ซ) เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 10 V

ใช้ มการที่ (5.34) หาความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ เมื่อปรับพิ ัยการวัดที่ 10 V แทนค่า Vwm

= 4.36 V และ Vwo = 4.6 V จะได้
 r = (4.36 V - 4.6 V)/4.6 V = -0.052
และใช้ มการที่ (5.34) หาเปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ แทนค่า  r = -0.052 จะได้
% r = -5.2%
ฌ) คานวณหาความคลาดเคลื่อนจากัดที่พิ ัยการวัด 5 V เท่ากับ
±(4/100)5 V = ±0.2 V
±(0.2/4.33)100 = ±4.618%
ฎ) คานวณหาความคลาดเคลื่อนจากัดที่พิ ัยการวัด 10 V เท่ากับ
±(4/100)10 V = ±0.4 V
±(0.4/4.36)100 = ±9.174%
____________________________________________________________________
1. จงหาพิ ัยการวัดแรงดัน ูง ุดของโวลต์มิเตอร์พิ ัยการวัดเดียว เมื่อความต้านทาน Rs,
กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล และความต้านทานภายในของขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 150 k,
100 uA และ 2 k ตามลาดับ
2. จากวงจรโวลต์มิเตอร์ในคาถามท้ายบทข้อที่ 1 จงหาคานวณหาค่าแรงดันที่
ก) ตาแหน่งที่เจ็ด ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.75FSD)

3. จงออกแบบโวลต์มิเตอร์ที่มี 3 พิ ัยการวัดชนิดตัวต้านทานเฉพาะพิ ัย ค่า ูง ุดของแต่ละ
พิ ัยการวัดอยู่ที่ 1 V, 10 V และ 100 V ตามลาดับ โดยใช้เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีที่มี
ความต้านทานขดลวดเคลื่ อนที่ Rm เท่ากับ 1 k และกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ
100 uA
4. จงออกแบบโวลต์มิเตอร์ที่มี 3 พิ ัยการวัดชนิดยูนิเวอร์แซล ค่า ูง ุดของแต่ละพิ ัยอยู่ที่ 1
V, 10 V และ 100 V ตามลาดับ โดยใช้เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีที่มีความต้านทาน
ขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 200  และกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 1 mA
5. จงหาค่าความต้านทานภายในของแต่ละพิ ัยการวัดของวงจรโวลต์มิเตอร์หลายพิ ัยการวัด
ชนิดยูนิเวอร์แซลที่ได้ออกแบบในคาถามท้ายบทข้อที่ 4
โอห์มมิเตอร์
6.1 บทนา
6.2 โอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรม
6.2.1 แบบพื้นฐาน
6.2.2 แบบปรับตัวต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรม
6.2.3 แบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนาน
6.3 โอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจวิธีการออกแบบโอห์มมิเตอร์ชนิดต่าง ๆ
2. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่าตัวต้านทานที่ต่อเข้าไปในวงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดต่าง ๆ

บทที่ 6
โอห์มมิเตอร์
(Ohmmeter)
6.1 บทนา
นอกจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีจะ ามารถนามา ร้างเป็นแอมมิเตอร์และโวลต์มิเตอร์
แล้ว ยัง ามารถนามา ร้างเครื่องมือวัดความต้านทานทางไฟฟ้าหรือโอห์มมิเตอร์ได้อีกด้วย การ
ร้างโอห์มมิเตอร์โดยใช้เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี จะแตกต่างจากการ ร้างแอมมิเตอร์และโวลต์
มิเตอร์ตรงที่ การ ร้างโอห์มมิเตอร์ต้องอาศัยแหล่งจ่ายแรงดันหรือแบตเตอรี่ภายในวงจรของตัวเอง
แต่แอมมิเตอร์จะรับกระแ จากวงจรภายนอกเช่นเดียวกับโวลต์มิเตอร์ที่รับแรงดันจากวงจรภายนอก
อย่างไรก็ตามค่าความต้านทานที่วัดได้จากโอห์มมิเตอร์ที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีจะมี
ความถูกต้องการวัดต่า โอห์มมิเตอร์ชนิด ที่ ร้างจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี จึงเหมาะกับการ
นามาใช้ประมาณค่าความต้านทานทางไฟฟ้าเท่านั้น
การแบ่งชนิดโอห์มมิเตอร์ ามารถแบ่งออกเป็น 2 ชนิด ได้แก่ 1) โอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรม
หมายถึงโอห์มมิเตอร์ที่วงจรภายในมีลักษณะการต่อเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีกับความต้านทานที่
ต้องการทราบค่าแบบอนุกรม และ 2) โอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน หมายถึงโอห์มมิเตอร์ที่วงจรภายในมี
ลักษณะการต่อเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีกับความต้านทานที่ต้องการทราบค่าแบบขนาน บทนี้จะ
ได้อธิบายโอห์มมิเตอร์ทั้ง องชนิด
6.2 โอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรม (Series Type Ohmmeter)

6.2.1 แบบพื้นฐาน (Simple Type)
วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบพื้นฐานดังแ ดงในรูปที่ 6.1 ประกอบด้วยแบตเตอรี่
ภายใน V, เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีที่มีความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm และตัวต้านทานจากัด
กระแ R1 การต่อความต้านทานที่ต้องการทราบค่า Rx ซึ่งเป็นความต้านทานภายนอกจะต่อเข้าไป
ที่ขั้ว A และขั้ว B
Rm R1
V
A B
Rx
รูปที่ 6.1 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบพื้นฐาน
การก าหนด เกลของโอห์ ม มิเ ตอร์จ ะก าหนดด้ ว ยกระแ ที่ ไหลผ่ า นขดลวดเคลื่ อ นที่ Im
ามารถพิจารณาได้ดังต่อไปนี้
1. เมื่อความต้านทานภายนอกเท่ากับศูนย์โอห์ม (Rx = 0) จากการต่อ ายวัดของขั้ว A
และ B เข้าหากัน กระแ ที่ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่จะเป็นกระแ เบี่ยงเบนเต็ม
เกล เข็มชี้จะเบี่ยงเบนมาที่ตาแหน่งขวา ุด ดังนั้นตาแหน่งขวา ุดจะเป็นตาแหน่งศูนย์
โอห์ม และ ามารถหาค่าตัวต้านทาน R1 ได้จาก มการกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล ดังนี้
V
I fs  (6.1)
Rm  R1
เมื่อแก้ มการที่ (6.1) จะได้ มการตัวต้านทานจากัดกระแ R1 ดังนี้
V
R1   Rm (6.2)
I fs
2. เมื่อความต้านทานภายนอกเท่ากับค่าอนันต์ (Rx =∞) จากการเปิดวงจรที่ขั้ว A และขั้ว

B จะไม่มีกระแ ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ จึงไม่เกิดการเบี่ยงเบนของเข็มชี้ เข็มชี้จึง
หยุดนิ่งอยู่ที่ตาแหน่งซ้าย ุด ดังนั้นตาแหน่งนี้จะเป็นตาแหน่งค่าอนันต์
3. เมื่อต่อความต้านทานภายนอกที่ต้องการทราบค่าใด ๆ เข้าที่ขั้ว A และขั้ว B จะมี
กระแ ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ ปริมาณกระแ ที่ไหลเข้าไปจะขึ้นอยู่กับค่าความ
ต้านทานที่ต่อเข้าไปดังแ ดงใน มการต่อไปนี้
V
Im  (6.3)
Rm  R1  R x
จะ ามารถหาค่าความต้านทาน Rx โดยการแก้ มการที่ (6.3) จะได้
V
Rx    Rm  R1  (6.4)
Im
จาก มการที่ (6.3) จะเห็นว่าการกาหนด เกลของค่าความต้านทานที่ต้องการ

ทราบค่าจะ ามารถกาหนดได้จากปริมาณกระแ Im ทีร่ ะดับต่าง ๆ
142 บทที่ 6 โอห์มมิเตอร์
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 6.1 ต้องการออกแบบโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบพื้นฐานจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็ม
เอ็มซีที่มีความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 1 k กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 100
uA ดังแ ดงในรูปที่ 6.2 จงคานวณหาตัวต้านทานจากัดกระแ R1 เมื่อกาหนดให้แบตเตอรี่ภายใน
มีค่า 1.5 V
1000 R1
Ifs = 100 uA
1.5 V
A B
Rx
รูปที่ 6.2 วงจรโอห์มมิเตอร์ าหรับตัวอย่างที่ 6.1
วิธีทา ใช้ มการที่ (6.2) ในการหาค่าตัวต้านทานจากัดกระแ R1 แทนค่า Rm = 1 k, Ifs = 100

uA และ V = 1.5 V จะได้
1.5 3
R1   1  10 = 14,000 = 14 k
100  106
ตัวอย่างที่ 6.2 จากวงจรโอห์มมิเตอร์ที่ได้ออกแบบในตัวอย่างที่ 6.1 จงหา

ก) ตาแหน่ง เกลของค่าความต้านทานที่ตาแหน่งที่ยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบน
เต็ม เกล (0.25FSD)
ค) ตาแหน่งที่เจ็ด ิบห้า ิบเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.75FSD)
วิธีทา ก) หาตาแหน่ง เกลของค่าความต้านทานที่ตาแหน่ง 0.25FSD

ค่ากระแ ที่ตาแหน่ง 0.25FSD จะมีกระแ ไหล Im เท่ากับ
Im = 0.25Ifs = (0.25)(100 uA) = 25 uA
จากนั้นใช้ มการที่ (6.4) ในการหาค่าตัวต้านทาน Rx เมื่อแทน Rm = 1 k, R1 = 14 k, V = 1.5

V และ Im = 25 uA จะได้
1.5
6  1  10  14  10  = 45,000 = 45 k
3 3
Rx 
25  10
ข) หาตาแหน่ง เกลของค่าความต้านทานที่ตาแหน่ง 0.5FSD

Im = 0.5Ifs = (0.5)(100 uA) = 50 uA
ใช้ มการที่ (6.4) ในการหาค่าตัวต้านทาน Rx เมื่อแทน Rm = 1 k, R1 = 14 k, V = 1.5 V

และ Im = 50 uA จะได้
1.5
6  1  10  14  10  = 15,000 = 15 k
3 3
Rx 
50  10
ค) หาตาแหน่ง เกลของค่าความต้านทานที่ตาแหน่ง 0.75FSD

Im = 0.75Ifs = (0.75)(100 uA) = 75 uA
ใช้ มการที่ (6.4) ในการหาค่าตัวต้านทาน Rx เมื่อแทน Rm = 1 k, R1 = 14 k, V = 1.5 V

และ Im = 75 uA จะได้
1.5
6  1  10  14  10  = 5,000 = 5 k
3 3
Rx 
75  10
____________________________________________________________________
45k 15k
5k
50uA 75uA
25uA 0
0uA 100uA
รูปที่ 6.3 เกลของโอห์มมิเตอร์ที่ออกแบบในตัวอย่างที่ 6.2
เมื่อได้ค่าตัวต้านทานภายนอกจากตัวอย่างที่ 6.2 ที่ปริมาณกระแ Im ระดับต่าง ๆ จะ

ามารถนามากาหนดบน เกลค่าตัวต้านทานของโอห์มมิเตอร์ที่ออกแบบดังแ ดงรูปที่ 6.3 จากรูป
จะเห็นว่า เกลจะไม่เป็นเชิงเ ้นเหมือน เกลของแอมมิเตอร์และโวลต์มิเตอร์ นอกจากนั้นแล้ว เกลที่
ได้ยังไม่ละเอียด การเพิ่มความละเอียดของ เกลจะต้องคานวณหาค่าตัวต้านทานภายนอกที่กระแ
เบี่ ย งเบนระดับ ต่าง ๆ เพื่อให้ เกลมี ความละเอียดเพิ่มมากขึ้น ยิ่งไปกว่า นั้นพบว่าที่ค่ากระแ
เบี่ยงเบนที่ตาแหน่งห้า ิบเปอร์เซ็นต์ หรือ 0.5FSD ค่าความต้านทานภายนอกที่คานวณได้จะมีค่า
เท่ากับค่าความต้านทานภายในของโอห์มมิเตอร์ ซึ่งเป็นค่าความต้านทานรวมของการต่ออนุกรม
ระหว่างความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm และตัวต้านทานจากัดกระแ R1 ดังนั้น
Rin = R1 + Rm (6.5)
และจะเรียกความต้านทานที่ตาแหน่ง กึ่งกลาง เกลนี้ว่า ความต้านทานกึ่งกลาง เกล (Half Scale

Resistance: Rh)
6.2.2 แบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรม (Series Zero Adjusting Resistor Type)

เนื่องจากการกาหนดค่า เกลได้กาหนดไว้ที่แรงดันแบตเตอรี่ค่า 1.5 V แต่เมื่อใช้งานโอห์ม
มิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบพื้นฐานนานขึ้น จะทาให้แรงดันของแบตเตอรี่ภายในลดลง ่งผลให้ความ
คลาดเคลื่ อนการวัดมากขึ้น เพราะความต้ านทานภายนอกที่วัดได้จะ ู งกว่าความเป็นจริง การ
ทด อบว่าแบตเตอรี่ต่าลงหรือไม่ ามารถทด อบได้โดยการลัดวงจรระหว่างขั้ว A และขั้ว B เพราะ
เมื่อแรงดันแบตเตอรี่ต่าลง เข็มชี้จะไม่เลื่อนไปที่ตาแหน่งขวา ุด ซึ่งเป็นตาแหน่งความต้านทานศูนย์
โอห์ม การแก้ไขปัญหาแบตเตอรี่อ่อนลง ามารถแก้ไขด้วยการเพิ่มตัวต้านทานปรับค่าได้ ที่เรียกว่า
ตัวต้านทานปรับศูนย์ (Zero Adjust Resistor) เข้าไปในวงจรโอห์มมิเตอร์แบบพื้นฐาน ดังแ ดงใน
รูปที่ 6.4 กลายเป็น โอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรม เหตุที่ตั้งชื่อว่าตัว
ต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรม เพราะตัวต้านทานปรับศูนย์นี้ต่ออนุกรมกับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
Rm 0.9R1 0.1R1
V
A B
Rx
รูปที่ 6.4 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรม
จากรูปที่ 6.4 ตัวต้านทาน R1 ในรูปที่ 6.1 จะแบ่งออกเป็น ่วนค่าคงที่และ ่วนปรับค่าได้

่วนค่าคงที่จะมีค่าเก้า ิบเปอร์เซ็นต์ (0.9R1) ของค่าความต้านทาน R1 เดิม ่วนปรับค่าได้จะมี
ค่า ูง ุดที่ ิบเปอร์เซ็นต์ของค่าความต้านทาน R1 เดิม (0.1R1) ก่อนการใช้งานโอห์มมิเตอร์ชนิดนี้
ผู้ใช้ต้องนา ายวัดของขั้ว A และขั้ว B ต่อเข้าหากัน หากพบว่าเข็มชี้ไม่เลื่อนไปที่ตาแหน่งขวา ุดซึ่ง
เป็นตาแหน่งเบี่ยงเบน เกล ูง ุด แ ดงว่าแรงดันแบตเตอรี่มีค่าลดลง ผู้ใช้ งานจะต้องปรับค่าตัว
ต้านทาน ่วนปรับค่าได้เพื่อให้กระแ ไฟฟ้าไหลในวงจรได้มากขึ้นจนเข็มชี้เลื่อนไปที่ตาแหน่งขวา ุด
เหตุ ผ ลที่ ่ ว นปรั บ ค่ า ได้ มี ค่ า ิ บ เปอร์ เ ซ็ น ต์ ข องค่ า ความต้ า นทานเดิ ม เนื่ อ งจากต้ อ งการจ ากั ด
เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ไม่ให้ ูงเกินกว่า ิบเปอร์เซ็นต์ ดังจะอธิบายด้วยตัวอย่างที่ 6.3
และตัวอย่างที่ 6.4
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 6.3 จงคานวณหา ่วนคงที่และ ่วนปรับค่าได้ของตัวต้านทาน R1 ที่คานวณได้จาก
ตัวอย่างที่ 6.1
วิธีทา ่วนคงที่มีค่าเป็น 90% ของค่าตัวต้านทาน R1 เดิม ดังนั้น
่วนคงที่มีค่า = (0.9)(14 k) = 12.6 k
่วนปรับค่าได้มีค่าเป็น 10% ของค่าตัวต้านทาน R1 เดิม ดังนั้น
่วนปรับค่าได้มีค่า = (0.1)(14 k) = 1.4 k
ตัวอย่างที่ 6.4 มมติว่าแรงดันแบตเตอรี่ในวงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์

ต่ออนุกรมลดลง และผู้ใช้ได้ปรับตัวต้านทาน ่วนปรับค่าได้ของ R1 ที่คานวณได้จากตัวอย่างที่ 6.3
จนเหลือค่าความต้านทาน ่วนปรับค่าได้ ที่ 1 k, 0.5 k และ 0 k จงคานวณหาเปอร์เซ็นต์
ความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ที่ตาแหน่งค่าความต้านทานกึ่งกลาง เกลที่ได้จากตัวอย่างที่ 6.2
วิธีทา เนื่องจาก ค่าความต้านทานจากัดกระแ R1 = ค่า ่วนคงที่ + ค่า ่วนปรับค่าได้ ดังนั้น

ที่ ่วนปรับค่าได้ 1 k
จะหาค่าความต้านทานจากัดกระแ R1 ได้เท่ากับ 12.6 k + 1 k = 13.6 k

ที่ ่วนปรับค่าได้ 0.5 k
จะหาค่าความต้านทานจากัดกระแ R1 ได้เท่ากับ 12.6 k + 0.5 k = 13.1 k
ที่ ่วนปรับค่าได้ 0 k
จะหาค่าความต้านทานจากัดกระแ R1 ได้เท่ากับ 12.6 k + 0 k = 12.6 k
และเนื่องจากที่ตาแหน่งกึ่งกลาง เกลจะเป็นตาแหน่งที่ ค่าความต้านทานภายนอกมีค่าเท่ากับค่า

ความต้านทานภายในของโอห์มมิเตอร์ ซึง่ ามารถหาได้จาก มการที่ (6.5) เมื่อความต้านทานขดลวด
เคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 1 k ดังนั้น
ค่าความต้านทานภายในที่ ่วนปรับค่าได้ 1 k จะมีค่าเท่ากับ
13.6 k + 1 k = 14.6 k
ค่าความต้านทานภายในที่ ่วนปรับค่าได้ 0.5 k จะมีค่าเท่ากับ
13.1 k + 1 k = 14.1 k
ค่าความต้านทานภายในที่ ่วนปรับค่าได้ 0 k จะมีค่าเท่ากับ
12.6 k + 1 k = 13.6 k
เนื่องจากค่าความต้านทานกึ่งกลาง เกลที่ได้จากตัวอย่างที่ 6.2 มีค่า 15 k
เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพันธ์ที่ ่วนปรับค่าได้ 1 k จะมีค่าเท่ากับ
14.6  15
% r   100 = -2.66%
15
เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพันธ์ที่ ่วนปรับค่าได้ 0.5 k จะมีค่าเท่ากับ
14.1  15
% r   100 = -6%
15
เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อน ัมพันธ์ที่ ่วนปรับค่าได้ 0 k จะมีค่าเท่ากับ
13.6  15
% r   100 = -9.33%
15
____________________________________________________________________
จากการคานวณในตัวอย่างที่ 6.4 จะเห็นว่า ตัวต้านทานจากัดกระแ ่วนปรับค่าได้ที่

กาหนดให้มีค่า ูง ุดที่ ิบเปอร์เซ็นต์ของค่าความต้านทานเดิม จะช่วยจากัดไม่ให้เปอร์เซ็นต์ค่าความ
คลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ที่ตาแหน่งกึ่งกลาง เกลมีค่ามากกว่า 10 เปอร์เซ็นต์เมื่อผู้ใช้ปรับความต้านทาน
่วนนี้ลงเป็นศูนย์โอห์ม
เมื่อต้องการคานวณหาแรงดันที่ลดลงที่ค่าความต้านทานจากัดกระแ R1 หลังการปรับลด
ค่าความต้านทานใน ่วนปรับค่าได้ จะแก้ มการที่ (6.1) เพื่อหาค่าแรงดัน จะได้
V  I fs  Rm  R1  (6.6)
ตัวอย่างต่อไปนี้จะแ ดงให้เห็นว่าค่าแรงดันจะลดลงได้ไม่เกิน ิบเปอร์เซ็นต์เช่นเดียวกับ

ค่าตัวต้านทานจากัดกระแ ่วนปรับค่าได้
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 6.5 จากการออกแบบโอห์มมิเตอร์ในตัวอย่างที่ 6.1 เมื่อกาหนดค่าความต้านทาน
ขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 1 k และกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 100 uA จงคานวณหา
ค่าแรงดันที่ลดลงที่ ่วนปรับค่าได้มีค่า 1 k, 0.5 k และ 0 k จากตัวอย่างที่ 6.4 และจง
คานวณหาเปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ของแรงดันที่ ่วนปรับค่าได้เหล่านั้น
วิธีทา จากตัวอย่างที่ 6.4 ค่าตัวต้านทานจากัดกระแ R1 ที่ ่วนปรับค่าได้ 1 k, 0.5 k และ 0

k มีค่าเท่ากับ 13.6 k, 13.1 k และ 12.6 k ตามลาดับ ใช้ มการที่ (6.6) เพื่อหาค่า
แรงดันที่ลดลง แทนค่า Ifs = 100 uA, Rm = 1 k และค่า R1 ที่ ่วนปรับค่าได้ค่าต่าง ๆ จะได้
ที่ ่วนปรับค่าได้ 1 k แรงดันที่ลดลงจะได้
V  100  106 1  103  13.6  103  = 1.46 V
ที่ ่วนปรับค่าได้ 0.5 k แรงดันที่ลดลงจะได้
V  100  106 1  103  13.1  103  = 1.41 V
ที่ ่วนปรับค่าได้ 0 k แรงดันที่ลดลงจะได้
V  100  106 1  103  12.6  103  = 1.36 V
เปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ที่ ่วนปรับค่าได้ 1 k จะได้
1.46  1.5
% r   100 = -2.66%
1.5
เปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ที่ ่วนปรับค่าได้ 0.5 k จะได้
1.41  1.5
% r   100 = -6%
1.5
เปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ที่ ่วนปรับค่าได้ 0 k จะได้
1.36  1.5
% r   100 = -9.33%
1.5
____________________________________________________________________
6.2.3 แบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนาน (Parallel Zero Adjusting Resistor Type)

แม้ว่าโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรมจะ ามารถแก้ปัญหา
แรงดันของแบตเตอรี่ภายในลดลงเมื่อระยะเวลาใช้งานเพิ่มขึ้นได้ แต่จากตัวอย่างที่ 6.4 จะพบว่าการ
ปรั บ ค่า ของตั ว ต้ านทานปรั บ ศูน ย์ ที่ต่ ออนุก รมกับ เครื่อ งมื อวั ดแบบพี เอ็ มเอ็ม ซี จ ะท าให้ ค่ าความ
ต้านทานกึ่งกลางที่คานวณได้ไม่ตรงกับค่าความต้านทานกึ่งกลางที่ได้กาหนดไว้บน เกล ปัญหานี้จะ

เกิดกับความต้านทานทุกค่าที่ได้กาหนดไว้บน เกล จึงทาให้ค่าที่อ่านออกมาได้มีความคลาดเคลื่อน ูง
การแก้ปัญหาจึงได้มีการออกแบบโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมขึ้นมาอีกแบบหนึ่ง เป็นแบบตัวต้านทาน
ปรั บ ศู น ย์ ต่ อขนานกับ เครื่ องมือ วั ดแบบพี เอ็ มเอ็ มซี ดั ง แ ดงในรู ปที่ 6.5 จากรูป จะพบว่ ามี ตั ว
ต้านทานจากัดกระแ R1 และตัวต้านทานปรับศูนย์ R2 ซึ่งต่อขนานกับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี
การต่อตัวต้านทานปรับศูนย์แบบขนานนี้นอกจากจะช่วยแก้ปัญหาแรงดันของแบตเตอรี่ลดลงแล้ว ยัง
ช่วยลดปัญหาเรื่องค่าความต้านทานที่คานวณได้ไม่ตรงกับค่าความต้านทานที่ได้กาหนดไว้บน เกล
เพราะค่าความต้านทานของ R2 จะมีค่าต่าเมื่อเทียบกับค่าความต้านทานของ R1 ทาให้การปรับค่าตัว
ต้านทานปรับศูนย์หรือ R2 ไม่ ่งผลกระทบกับค่าที่ได้กาหนดไว้บน เกลมากนัก
Rx
R1
A B
V Rm
R2
รูปที่ 6.5 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนาน
การกาหนด เกลของโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนาน จะอธิบาย

ได้ดังนี้
และ B เข้าหากัน กระแ ที่ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่จะเป็นกระแ เบี่ยงเบนเต็ม
เกล และทาการปรับ ตัวต้านทานปรับศูนย์หากแรงดันแบตเตอรี่ลดลงเพื่อให้ เข็มชี้
เบี่ยงเบนมาที่ตาแหน่งขวา ุด ซึง่ เป็นตาแหน่งศูนย์โอห์ม
2. เมื่อความต้านทานภายนอกเท่ากับค่าอนันต์ (Rx = ∞) จากการเปิดวงจรที่ขั้ว A และขั้ว
B จะไม่มีกระแ ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ เข็มชี้จึงหยุดนิ่งอยู่ที่ตาแหน่งซ้าย ุด ซึ่ง
เป็นตาแหน่งค่าอนันต์
3. เมื่อต่อความต้านทานภายนอกที่ต้องการทราบค่าเข้าไปที่ขั้ว A และขั้ว B จะทาให้
กระแ ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ และปริมาณกระแ ที่ไหลเข้าไปจะขึ้นอยู่กับค่า
ความต้านทานที่ต่อเข้าไป
Rx Im
R1
A B
I1 I2
V Rm
R2
รูปที่ 6.6 กาหนดกระแ ไหลในวงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนาน
การกาหนด เกลของตัวต้านทานที่ต่อเข้าไปจะเริ่มจากการกาหนดค่าความต้านทานกึ่งกลาง
เกล Rh ซึ่งจะมีค่าเท่ากับความต้านทานภายในของโอห์มมิเตอร์ ดังนั้น ค่า ของ Rh จะได้จากความ
ต้านทานรวมของการต่อขนานกันระหว่าง R2 และ ความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm บวกกับการต่อ
อนุกรมกับ R1 ดังนี้
R2 Rm
Rh  R1  (6.7)
R2  Rm
และกระแ ที่ไหลออกจากแบตเตอรี่ที่ตาแหน่งกึ่งกลาง เกล จะมีค่าเท่ากับ
V
Ih  (6.8)
2 Rh
เมื่อต้องการให้เข็มชี้อยู่ตาแหน่งเบี่ยงเบน ูง ุด (ตาแหน่งทางขวา ุด) กระแ I1 ที่ไหลออกจาก

แบตเตอรี่ ดังแ ดงในรูปที่ 6.6 ต้องเป็น องเท่าของกระแ กึ่งกลาง เกล ดังนั้น จะได้
V
I1  2Ih  (6.9)
Rh
จากกฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ จะ ามารถหากระแ ที่ไหลผ่านตัวต้านทานปรับศูนย์ R2 ดังนี้
I2  I1  I fs (6.10)
และเนื่องจากแรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R2 เท่ากับแรงดันตกคร่อม Rm ดังนั้น

I2 R2  I fs Rm (6.11)
แก้ มการที่ (6.11) เพื่อหาค่าตัวต้านทาน R2 จะได้
I fs
R2  Rm (6.12)
I2
จากนั้นแทน มการที่ (6.10) ลงใน มการที่ (6.12) จะได้
I fs
R2  Rm (6.13)
I1  I fs
I fs RmRh
R2  (6.14)
V  I fs Rh
แก้ มการที่ (6.7) เพื่อหาความต้านทาน R1 จะได้
R2 Rm
R1  Rh  (6.15)
R2  Rm
I fs RmRh
R1  Rh  (6.16)
V
แก้ มการที่ (6.14) เพื่อหาความต้านทาน Rh จะได้
VR2
Rh  (6.17)
I fs  R2  Rm 
เมื่อ ังเกตจาก มการที่ (6.14) จะพบว่าเมื่อ I fs Rh เข้าใกล้ค่าของ V จะทาให้ค่าของ R2 มีค่าเข้าใกล้

อนันต์ ดังนั้นหากจากัดค่าของตัวต้านทานปรับศูนย์ R2 เช่นจากัดที่ 0.5 M แล้วแทนค่าลง มการ
ที่ (6.17) จะได้
500000V
Rh  (6.18)
I fs  500000  Rm 
และหากกาหนดให้ตัวต้านทานปรับศูนย์ R2 ใช้แก้ปัญหาแรงดันแบตเตอรี่ ที่ลดลงไม่เกิน 10% จะ

ามารถหาค่า ูง ุดของ Rh ได้ดังนี้
500000  0.9V  0.9V

Rh   (6.19)
I fs  500000  Rm  I fs
มการที่ (6.19) เป็น มการที่ใช้หาค่า ูง ูดของความต้านทานกึ่งกลาง เกล Rh ซึ่งขึ้นอยู่กับค่า

แรงดันแบตเตอรี่ V และค่ากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล I fs
ดังนั้น เมื่อกาหนดค่าความต้านทานกึ่งกลาง เกล Rh, ค่าแรงดันแบตเตอรี่ V, ค่ากระแ
เบี่ ย งเบนเต็ ม เกล I fs และค่า ความต้ านทานภายในขดลวดเคลื่ อ นที่ Rm จะ ามารถหาค่ า ตั ว
ต้านทาน R1 ได้จาก มการที่ (6.16) และค่าตัวต้านทาน R2 ได้จาก มการที่ (6.14) และเมื่อได้ค่าตัว
ต้านทาน R2 จะ ามารถนาไปคานวณหากระแ Im ที่ไหลผ่านความต้านทานภายในขดลวดเคลื่อนที่
Rm เมื่อต่อตัวต้านทานภายนอก Rx ได้ดังนี้
จากกฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ จะ ามารถหากระแ ที่ไหลผ่านความต้านทานภายในขดลวดเคลื่อนที่

Rm ได้ดังนี้
Im  I1  I2 (6.20)
และจะหากระแ ที่ไหล I2 ที่ไหลผ่านตัวต้านทาน R2 จากกฎของโอห์ม ดังนี้
VRm
I2 
R2
I R (6.21)
I2  m m
R2
แทน มการที่ (6.21) ลงใน มการที่ (6.20) จากนั้นแก้ มการเพื่อหาค่ากระแ Im จะได้
R2
Im  I1 (6.22)
R2  Rm
แต่เนื่องจาก
V
I1  (6.23)
Rh  R x
VR2
Im  (6.24)
 Rh  Rx  R2  Rm 
จาก มการที่ (6.24) เมื่อ Rx = 0 จะได้ Im  I fs ดังนี้
VR2
I fs  (6.25)
Rh  R2  Rm 
ดังนั้น เมื่อนา มการที่ (6.25) ไปหาร มการที่ (6.24) จะได้ ัด ่วนของกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล s
เมื่อต่อตัวต้านทานภายนอก Rx ค่าใด ๆ ดังนี้
Im R
s  h (6.26)
I fs R x  Rh
รุป มการที่ (6.26) จะใช้กาหนดค่าบน เกลความต้านทานที่ตาแหน่งเบี่ยงเบนค่าต่าง ๆ

จากตาแหน่งกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 6.6 ในการออกแบบโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนาน ดัง
แ ดงในรูปที่ 6.7 เมื่อกาหนดค่าความต้านทานภายในของขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 50 ,
กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล I fs เท่ากับ 0.5 mA, แรงดันแบตเตอรี่ภายใน V เท่ากับ 3 V และกาหนด

ความต้านทานกึ่งกลาง เกล Rh เท่ากับ 3 k จงคานวณหา
ก) ค่า ูง ุดของความต้านทานกึ่งกลาง เกล Rh
ข) ค่าของค่าตัวต้านทาน R1
ค) ค่าตัวต้านทาน R2
ง) หากค่าแรงดันของแบตเตอรี่ลดลงเหลือ 2.7 V ค่าตัวต้านทาน R2 จะมีค่าเป็นเท่าใด
Rx
R1
A B
3V Rm = 50
R2
Ifs = 0.5 mA
วิธีทา ก) ใช้ มการที่ (6.19) หาค่า ูง ุดของความต้านทานกึ่งกลาง เกล Rh แทนค่า V = 3 V และ

I fs = 0.5 mA ลงใน มการ จะได้
0.9V 0.9  3
Rh   = 5.4 k
I fs 0.5  103
ข) ใช้ มการที่ (6.16) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R1 แทนค่า Rh = 3 k, I fs = 0.5 mA, Rm = 50

 และ V = 3 V ลงไปใน มการจะได้
0.5  103  50  3000

R1  3000  = 2975 
3
ค) ใช้ มการที่ (6.14) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R2 แทนค่า Rh = 3 k, I fs = 0.5 mA, Rm = 50

0.5  103  50  3000

R2  = 50 
3  0.5  103  3000
ง) ใช้ มการที่ (6.14) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R2 เมื่อค่าแรงดันของแบตเตอรี่ลดลงเหลือ 2.7 V

แทนค่า Rh = 3 k, I fs = 0.5 mA, Rm = 50  และ V = 2.7 V ลงไปใน มการจะได้
0.5  103  50  3000

R2  = 62.5 
2.7  0.5  103  3000
ตัวอย่างที่ 6.7 จากการออกแบบโอห์มมิเตอร์ในตัวอย่างที่ 6.7 จงคานวณหาค่าความต้านทาน

ภายนอก Rx ที่ตาแหน่งกระแ เบี่ยงเบนต่าง ๆ ต่อไปนี้
ก) ยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.25FSD)
ข) ห้า ิบเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.5FSD)
ค) เจ็ด ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.75FSD)
วิธีทา ก) ที่ตาแหน่งยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล แทนค่า Im = 0.25Ifs และ Rh

= 3 k ลงใน มการที่ (6.26) จะได้
3000
0.25  (6.27)
R x  3000
แก้ มการที่ (6.27) เพื่อหาค่าความต้านทานภายนอก Rx จะได้
3000
Rx   3000 = 12 k
0.25
ข) ที่ตาแหน่งห้า ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล แทนค่า Im = 0.5Ifs และ Rh = 3

k ลงใน มการที่ (6.26) จะได้
3000
0.5  (6.28)
R x  3000
3000
Rx   3000 = 3 k
0.5
ค) ที่ตาแหน่งเจ็ด ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล แทนค่า Im = 0.75Ifs และ Rh = 3

k ลงใน มการที่ (6.26) จะได้
3000
0.75  (6.29)
R x  3000
3000
Rx 
 3000 = 1 k
0.75
____________________________________________________________________
6.2.3.1 แบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนานหลายพิ ัยการวัด

วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนานหลายพิ ัยการวัด ามารถ
แ ดงได้ดั ง รู ป ที่ 6.8 แต่ล ะพิ ั ย การวัด จะมี ตั ว ต้ านทานจ ากั ด กระแ ต่ ออนุ กรมกับ ตั ว ต้ า นทาน
ภายนอก และจะต้องกาหนดความต้านทานกึ่งกลาง เกล Rh ของแต่ละพิ ัยการวัด ซึ่งต้องมีค่าไม่
เกินค่า ูง ุดของความต้านทานกึ่งกลาง เกลที่คานวณจาก มการที่ (6.19) เช่น พิ ัยการวัด x1
กาหนดค่าความต้านทานกึ่งกลาง เกลที่ 10 , พิ ัยการวัด x10 กาหนดค่าความต้านทานกึ่งกลาง
เกลที่ 100  และพิ ัยการวัด x100 กาหนดค่าความต้านทานกึ่งกลาง เกลที่ 1000  ่วนการ
เลือกค่า ูง ุดของตัวต้านทานปรับค่าได้ที่จะให้เป็นตัว ต้านทาน R2 ต้องให้มีค่าที่ครอบคลุมถึงพิ ัย
x1 R11
Rx
x10 R12
A B
x100 R13
V Rm
R2
รูปที่ 6.8 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนานหลายพิ ัยการวัด

____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 6.8 ในการออกแบบโอห์มมิเตอร์ชนิด อนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อขนานหลาย
พิ ัยการวัด ดังแ ดงในรูปที่ 6.9 เมื่อกาหนดค่าความต้านทานภายในของขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ
50 , กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล I fs เท่ากับ 0.5 mA, แรงดันแบตเตอรี่ภายใน V เท่ากับ 3 V และ
กาหนดความต้านทานกึ่งกลาง เกล Rh ของพิ ัยการวัด x1, x10 และ x100 เท่ากับ 10 , 100 
และ 1 k ตามลาดับ จงคานวณหา
ก) ค่าตัวต้านทาน R11 และ R2 ของพิ ัยการวัด x1
ข) ค่าตัวต้านทาน R12 และ R2 ของพิ ัยการวัด x10
ค) ค่าตัวต้านทาน R13 และ R2 ของพิ ัยการวัด x100
x1 R11
Rx
x10 R12
A B
x100 R13
Rm = 50
3V R2
Ifs = 0.5 mA
วิธีทา ก) ใช้ มการที่ (6.16) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R11 แทนค่า Rh = 10 , I fs = 0.5 mA, Rm

= 50  และ V = 3 V ลงไปใน มการจะได้
0.5  103  50  10
R11  10  = 9.916 
3
และใช้ มการที่ (6.14) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R2 แทนค่า Rh = 10 , I fs = 0.5 mA, Rm = 50

0.5  103  50  10
R2  = 0.083 
3  0.5  103  10
ข) ใช้ มการที่ (6.16) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R12 แทนค่า Rh = 100 , I fs = 0.5 mA, Rm = 50

0.5  103  50  100

R12  100  = 99.16 
3
และใช้ มการที่ (6.14) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R2 แทนค่า Rh = 100 , I fs = 0.5 mA, Rm =

50  และ V = 3 V ลงไปใน มการจะได้
0.5  103  50  100

R2  = 0.847 
3  0.5  103  100
ค) ใช้ มการที่ (6.16) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R13 แทนค่า Rh = 1 k, I fs = 0.5 mA, Rm = 50

0.5  103  50  1000

R13  1000  = 991.6 
3
และใช้ มการที่ (6.14) คานวณหาค่าตัวต้านทาน R2 แทนค่า Rh = 1 k, I fs = 0.5 mA, Rm = 50

0.5  103  50  1000

R2  = 10 
3  0.5  103  1000
____________________________________________________________________
6.3 โอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน (Parallel Ohmmeter Type)

โอห์มมิเตอร์ชนิดขนานเป็นโอห์มมิเตอร์ที่เหมาะ าหรับการวัดความต้านทานที่มีค่าต่า ๆ
วงจร ามารถแ ดงดังรูปที่ 6.10 จากรูปจะเห็นว่าความต้านทานภายนอก Rx ที่ต่ออยู่กับขั้ว A และ
ขั้ว B จะต่อขนานกับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี และจะมีตัวต้านทานปรับศูนย์ R1 ต่ออนุกรมอยู่กับ
แบตเตอรี่ภายใน V นอกจากตัวต้านทาน R1 จะทาหน้าที่ปรับศูนย์แล้วยังทาหน้าที่จากัดกระแ ที่จะ
ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ไม่ให้ไหลมากเกินไปจนขดลวดเคลื่อนที่เกิดความเ ียหาย นอกจากนั้น
แล้ววงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดขนานยังต้องต่อ วิตช์ที่ทาหน้าที่ปิดเปิดวงจร เนื่องจากหากไม่มี วิตช์ปิด
เปิดจะทาให้มีกระแ ไหลในวงจรตลอดเวลา และจะทาให้แรงดันแบตเตอรี่ลดต่าลงจนไม่ ามารถ

นาไปใช้งานในการวัดความต้านทานภายนอกได้
R1
A
V Rm
Rx
B
Switch
รูปที่ 6.10 วงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน
เกลของโอห์มมิเตอร์ชนิดขนานจะ ลับด้านกับ เกลของโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรม นั่นคือ

ความต้านทานศูนย์โอห์มจะอยู่ตาแหน่งซ้าย ุด ่วนตาแหน่งขวา ุดจะเป็นตาแหน่งความต้านทาน
ค่าอนันต์ การกาหนด เกลของโอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน จะ ามารถอธิบายได้ดังนี้
และ B เข้าหากัน จะไม่มีกระแ ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่ เข็มชี้ของเครื่องมือวัด
แบบพีเอ็มเอ็มซีจึงไม่เกิดการเบี่ยงเบน ดังนั้นตาแหน่งซ้าย ุดจึงเป็นตาแหน่งศูนย์โอห์ม
2. เมื่อความต้านทานภายนอกเท่ากับค่าอนันต์ (Rx = ∞) จากการเปิดวงจรที่ขั้ว A และขั้ว
B จะมีกระแ ไหลในวงจร จากนั้นทาการปรับ ค่าของตัวต้านทานปรับศูนย์ R1 เพื่อให้
กระแ ที่ไหลเข้าไปในขดลวดเคลื่อนที่เป็นกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล ซึ่ง มีค่าดัง มการที่
ได้จากกฎของโอห์ม ดังนี้
V
I fs  (6.30)
R1  Rm
เนื่องจากตาแหน่งที่เข็มชี้เบี่ยงเบนไปที่อยู่ตาแหน่งขวา ุด ดังนั้นตาแหน่งขวา ุดจึง เป็น

ตาแหน่ งค่าอนั นต์ ที่ตาแหน่งค่าอนันต์จะ ามารถหาค่าตัวต้านทาน R1 ด้วยการแก้
มการที่ (6.30) ดังนี้
V
R1   Rm (6.31)
I fs
3. เมื่อต่อความต้านทานภายนอกที่ต้องการทราบค่าเข้าไปที่ขั้ว A และขั้ว B จะทาให้

กระแ I1 ทีไ่ หลออกจากแบตเตอรี่แบ่งเป็น อง ่วน ดังแ ดงในรูปที่ 6.11 ่วนแรกเป็น
กระแ Im ที่ไหลผ่านขดลวดเคลื่อนที่และ ่วนที่ องเป็นกระแ Ix ที่ไหลผ่านความ
ต้านทานภายนอกที่ต่อเข้าไป จะ ามารถหาปริมาณกระแ Im ที่ไหลเข้าไปในขดลวด
เคลื่อนที่ดังต่อไปนี้
R1 I1 Ix
Im A
V Rm
Rx
B
Switch
รูปที่ 6.11 การกาหนดกระแ ไหลในวงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดขนาน
จากรูปที่ 6.11 ใช้กฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์หาความ ัมพันธ์ระหว่างกระแ ทั้ง าม

ที่ไหลในวงจร จะได้
Im  I1  I x (6.32)
และเนื่องจากความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm ต่อขนานกับความต้านทานภายนอก Rx แรงดันตก

คร่อมความต้านทานทั้ง องมีค่าเท่ากัน ดังนั้น
Vm  VRx
ImRm  I x R x (6.33)
แก้ มการที่ (6.33) เพื่อหาค่ากระแ Ix จะได้

Rm
I x  Im (6.34)
Rx
แทน มการที่ (6.34) ลงใน มการที่ (6.32) และแก้ มการเพื่อหาค่า Im จะได้

Rx
Im  I1 (6.35)
R x  Rm
และใช้กฎของโอห์มหากระแ I1 ที่ไหลออกจากแบตเตอรี่ จะได้
V
I1  R R (6.36)
R1  m x
Rm  R x
จากนั้นแทน มการที่ (6.36) ลงใน มการที่ (6.35) และแก้ มการเพื่อหาค่า Im จะได้
V  Rx
Im  (6.37)
R1Rm  R x  R1  Rm 
นา มการที่ (6.30) ไปหาร มการที่ (6.37) เพื่อหา ัด ่วนของกระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล s เมื่อต่อตัว
ต้านทานภายนอก Rx ค่าใด ๆ จะได้
Im R x  R1  Rm 
s  (6.38)
I fs R1Rm  R x  R1  Rm 
และเมื่อแก้ มการที่ (6.38) เพื่อหาค่าความต้านทานภายนอก Rx ที่ ัด ่วนของกระแ เบี่ยงเบนเต็ม

เกล s ค่าต่าง ๆ จะได้
s  R1Rm
Rx  (6.39)
 R1  Rm 1  s 
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 6.9 ในการออกแบบโอห์มมิเตอร์ชนิด ขนาน ดังแ ดงในรูปที่ 6.12 เมื่อกาหนดค่าความ
ต้านทานภายในของขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 50 , กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล I fs เท่ากับ 0.5
mA, แรงดันแบตเตอรี่ภายใน V เท่ากับ 3 V จงคานวณหาค่าตัวต้านทานปรับศูนย์ R1
R1
A
3V Rm = 50
Rx
B
Switch
Ifs = 0.5 mA
วิธีทา ใช้ มการที่ (6.31) หาค่าค่าตัวต้านทานปรับศูนย์ R1 แทนค่า V = 3 V และ I fs = 0.5 mA ลง

ใน มการ จะได้
3
R1  3  50 = 5.95 k
0.5  10
ตัวอย่างที่ 6.10 จากการออกแบบโอห์มมิเตอร์ในตัวอย่างที่ 6.9 จงคานวณหาค่าความต้านทาน
ก) ยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.25FSD)
ข) ห้า ิบเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.5FSD)
ค) เจ็ด ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.75FSD)
วิธีทา ก) ที่ตาแหน่งยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล แทนค่า s = 0.25, R1 =

5.95 k และ Rm = 50  ลงใน มการที่ (6.39) จะได้
0.25  5.95  103  50

Rx  = 16.527 
 5.95 103  50 1  0.25
ข) ที่ตาแหน่งห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล แทนค่า s = 0.5, R1 = 5.95 k และ
Rm = 50  ลงใน มการที่ (6.39) จะได้
0.5  5.95  103  50

Rx  = 49.583 
 5.95 10  50  1  0.5
3
 
ก) ที่ตาแหน่งเจ็ด ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล แทนค่า s = 0.75, R1 = 5.95

k และ Rm = 50  ลงใน มการที่ (6.39) จะได้
0.75  5.95  103  50

Rx  = 148.75 
 5.95 10  50  1  0.75
3
 
____________________________________________________________________
1. ต้องการออกแบบโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบพื้นฐานจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีที่มี
ความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 2 k กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs เท่ากับ 50
uA จงคานวณหาตัวต้านทานจากัดกระแ R1 เมื่อกาหนดให้แบตเตอรี่ภายในมีค่า 3 V
2. จากวงจรโอห์มมิเตอร์ที่ได้ออกแบบในคาถามท้ายบทข้อที่ 1 จงหา
ก) ตาแหน่ ง เกลของค่าความต้านทานที่ ตาแหน่งที่ยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่ง
เบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.25FSD)
ค) ตาแหน่งที่เจ็ด ิบห้า ิบเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.75FSD)
3. ในวงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่ออนุกรม จงคานวณหา ่วนคงที่
และ ่วนปรับค่าได้ของตัวต้านทาน R1 ที่คานวณได้จากคาถามท้ายบทข้อที่ 1
4. มมติว่าแรงดันแบตเตอรี่ในวงจรโอห์มมิเตอร์ชนิดอนุกรมแบบตัวต้านทานปรับศูนย์ต่อ
อนุกรมลดลง และผู้ใช้ได้ปรับตัวต้านทาน ่วนปรับค่าได้ของ R1 ที่คานวณได้จากคาถามท้าย
บทข้อที่ 3 จนเหลือค่าความต้านทาน ่วนปรับค่าได้ 0 k จงคานวณหาเปอร์เซ็นต์ความ
คลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ที่ตาแหน่งค่าความต้านทานกึ่งกลาง เกลที่ได้จากคาถามท้ายบทข้อที่ 2
5. ในการออกแบบโอห์มมิเตอร์ชนิด ขนาน เมื่อกาหนดค่าความต้านทานภายในของขดลวด
เคลื่อนที่ Rm เท่ากับ 100 , กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล I fs เท่ากับ 0.1 mA, แรงดัน
แบตเตอรี่ภายใน V เท่ากับ 3 V จงคานวณหาค่าตัวต้านทานปรับศูนย์ R1
6. จากการออกแบบโอห์มมิเตอร์ในคาถามท้ายบทข้อที่ 5 จงคานวณหาค่าความต้านทาน
a. ยี่ ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.25FSD)
b. ห้า ิบเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.5FSD)
c. เจ็ด ิบห้าเปอร์เซ็นต์ของตาแหน่งเบี่ยงเบนเต็ม เกล (0.75FSD)
บริดจ์กระแ ตรง
7.1 บทนา
7.2 วีต โตนบริดจ์
7.2.1 วีต โตนบริดจ์ ภาวะ มดุล
7.2.2 วีต โตนบริดจ์ ภาวะไม่ มดุล
7.2.3 วีต โตนบริดจ์ ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อย
7.2.4 ข้อจากัดของวีต โตนบริดจ์
7.3 เคลวินบริดจ์
7.4 การประยุกต์ใช้งานบริดจ์กระแ ตรง
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการวิเคราะห์วีต โตนบริจด์ใน ภาวะ มดุล ใน ภาวะไม่ มดุล
และใน ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อย
2. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่าความต้านทานที่ต้องการทราบค่า ของวงจรวีต โตน
บริดจ์ใน ภาวะ มดุล
3. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่ากระแ ที่ไหลผ่านวีต โตนบริดจ์ใน ภาวะไม่ มดุล
4. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจข้อจากัดของวีต โตนบริดจ์
5. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการวิเคราะห์เคลวินบริดจ์ว่าช่วยแก้ปัญหาความต้านทานขั้วและ
ายวัดของวีตโตนบริดจ์ได้อย่างไร
6. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการประยุกต์ใช้งานบริดจ์กระแ ตรง

บทที่ 7
บริดจ์กระแ ตรง
(DC Bridge)
7.1 บทนา
การวัดความต้านทานโดยใช้โอห์มมิเตอร์ ชนิดแอนะลอกจะมีความคลาดเคลื่อนการวัด ูง
เนื่องจากความไม่เป็นเชิงเ ้นของ เกล ดังที่ได้อธิบายในบทที่ 6 แม้จะ ามารถหาความต้านทานด้วย
วิธีโดยอ้อม ด้วยการวัดแรงดันตกคร่อมตัวต้านทานที่ต้องการทราบค่าด้วยโวลต์มิเตอร์ และวัด
กระแ ที่ไหลผ่านตัวต้านทานนั้นด้วยแอมมิเตอร์ แล้วใช้กฎของโอห์มช่วยคานวณหาค่าความ
ต้านทาน แต่วิธีนี้ก็ยังมีความคลาดเคลื่อนการวัด เนื่องจากผลการโหลดของแอมมิเตอร์และโวลต์
มิเตอร์ดังที่ได้อธิบายในบทที่ 4 และบทที่ 5 ตามลาดับ วิธีการวัดรูปแบบที่มีความคลาดเคลื่อนการ
วัดต่า คือ การวัดแบบเปรียบเทียบกับค่ามาตรฐาน บริดจ์กระแ ตรงเป็นเครื่องมือวัดความต้านทาน
แบบหนึ่งที่ใช้วิธีการเปรียบเทียบความต้านทานที่ต้องการทราบค่ากับความต้านทานมาตรฐาน จึงมี
ความคลาดเคลื่อนการวัดต่า บทนี้จะได้อธิบายการวิเคราะห์บริดจ์กระแ ตรงที่มีอยู่ องชนิด คือ
วีต โตนบริดจ์ (Wheatstone Bridge) และเคลวินบริดจ์ (Kelvin Bridge)
R1 R2
V a G b
R3 Rx
รูปที่ 7.1 วงจรวีต โตนบริดจ์
7.2 วีต โตนบริดจ์ (Wheatstone Bridge)

วี ต โตนบริ ด จ์ เ ป็ น เครื่ อ งมื อ วั ด ความต้ า นทานของตั ว ต้ า นทานที่ มี ค่ า ขนาดปานกลาง
(ประมาณ 1  ถึง 10 M) ามารถให้ความคลาดเคลื่อนการวัดต่าเนื่องจากใช้วิธีการวัดแบบ
เปรียบเทียบ วงจรของวีต โตนบริดจ์ดังแ ดงในรูปที่ 7.1 ประกอบด้วย แหล่งจ่ายแรงดันกระแ ตรง
ทาหน้าที่ป้อนแรงดันให้กับวงจร, ตัวต้านทานทั้งหมด ี่ตัว ต่ออนุกรมกันแขนละ องตัว และนาแต่ละ
แขนมาต่อขนานกัน เมื่อให้ R1 ต่ออนุกรมกับ R3 เป็นแขนที่หนึ่ง และ R2 ต่ออนุกรมกับ Rx ซึ่งเป็นตัว
ต้านทานที่ต้องการทราบค่า เป็นแขนที่ อง และแกลแวนอมิเตอร์ที่ต่อระหว่างโนด a กับโนด b
แกลแวนอมิเตอร์อาจใช้เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็ มซีที่ ามารถปรับเข็มชี้ให้มาอยู่ ที่ตาแหน่งกึ่งกลาง
เกล
168 บทที่ 7 บริดจ์กระแ ตรง
แกลแวนอมิเตอร์ จ ะมีห น้ าที่ตรวจจั บความ มดุล ระหว่างโนดทั้ง องของวงจรบริดจ์ จึ ง

เปรียบเ มือน ะพาน (Bridge) ที่เชื่อมระหว่าง องฝั่ง ถ้าบริดจ์อยู่ใน ภาวะ มดุล (Balanced
Bridge) หมายถึง แรงดันของโนดทั้ง องข้างเท่ากัน จะไม่มีกระแ ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ เข็มของ
แกลแวนอมิเตอร์จะชี้ที่ตาแหน่งศูนย์ แต่ถ้า ภาวะของบริดจ์ไม่ มดุล (Unbalanced Bridge) นั่น
คือ แรงดันของโนดทั้ง องข้างแตกต่างกัน จะมีกระแ ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ทาให้เข็มชี้เบี่ยงเบน
การวิเคราะห์วีต โตนบริดจ์จะวิเคราะห์ทั้งใน ภาวะบริดจ์ มดุลและ ภาวะบริดจ์ไม่ มดุล
R2 I
I1 R1 2
V a G b
R3 Rx
I3 Ix
รูปที่ 7.2 วงจรวีต โตนบริดจ์ที่ใช้วิเคราะห์บริดจ์ ภาวะ มดุล
7.2.1 วีต โตนบริดจ์ ภาวะ มดุล (Balanced Wheatstone Bridge)

จากรูปที่ 7.2 เมื่อกาหนดค่าให้กับตัวต้านทาน R1 และ R2 และปรับค่าของตัวต้านทาน R3
จนกระทั่งบริดจ์อยู่ใน ภาวะ มดุล นั่นคือเข็มของแกลแวนอมิเตอร์ชี้ที่ตาแหน่งศูนย์แ ดงว่าไม่มี
กระแ ไหลผ่าน ที่ ภาวะ มดุลแรงดันที่โนด a จะเท่ากับแรงดันที่โนด b ดังนั้น
V a = Vb
I3R3 = IxRx (7.1)
และเนื่องจากแรงดันตกคร่อม R1 และ R2 มีค่าเท่ากัน ดังนั้น
I1R1 = I2R2 (7.2)
เนื่องจากไม่มีกระแ ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ กระแ I1 จะเท่ากับกระแ I3 และกระแ I2 จะ

เท่ากับกระแ Ix จากนั้นแทนค่า I1 = I3 และ I2 = Ix ลงใน มการที่ (7.1) จะได้
I1R3 = I2Rx (7.3)
นา มการที่ (7.3) ไปหาร มการที่ (7.2) จะได้

I1R1 I2 R2

I1R3 I2 R x
R1 R2
 (7.4)
R3 R x
เมื่อแก้ มการที่ (7.4) เพื่อหาค่า Rx จะได้
R2 R3
Rx  (7.5)
R1
จะเห็นว่าเมื่อต้องการทราบค่าตัวต้านทาน Rx จะต้องกาหนดอัตรา ่วนความต้านทาน

ระหว่างตัวต้านทาน R2 และ R1 และปรับตัวต้านทาน R3 จนบริดจ์อยู่ใน ภาวะ มดุล โดยที่ R1, R2
และ R3 เป็ น ตั ว ต้า นทานที่ มีค่า มาตรฐาน รู ปที่ 7.3 เป็นตั ว อย่ างเครื่อ งมื อวัด วี ต โตนบริด จ์ที่ มี
จาหน่ายเพื่อการศึกษา จากรูปจะเห็นปุ่ม ๆ หนึ่งที่อยู่แถวบนด้านขวา ุด ปุ่มนี้จะใช้ปรับอัตรา ่วน
ระหว่างตัวต้านทาน R2 และ R1 ่วนปุ่มจานวน ี่ปุ่มที่อยู่แถว องจะใช้ปรับความละเอียดของตัว
ต้านทาน R3 และจะมีเข็มวัดของแกลแวนอมิเตอร์ใช้ตรวจ อบการไหลของกระแ ผ่านบริดจ์
รูปที่ 7.3 ตัวอย่างวีต โตนบริดจ์ที่มจี าหน่ายเพื่อการศึกษา

(ที่มาของภาพ: http://mcpsh.en.alibaba.com/productshowimg/287246957-
213338711/DWB_01_WHEATSTONE_BRIDGE.html)
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 7.1 จงหาค่าความต้านทาน Rx ของวงจรวีต โตนบริดจ์ในรูปที่ 7.4 เมื่อวีต โตนบริดจ์
อยู่ใน ภาวะ มดุล กาหนดให้ตัวต้านทาน R1, R2 และ R3 มีค่าเท่ากับ 10 k, 15 k และ 34
k ตามลาดับ
R1 R2
10 k 15 k
V a G b
R3 Rx
34 k
รูปที่ 7.4 วงจรวีต โตนบริดจ์ าหรับตัวอย่างที่ 7.1
วิธีทา ใช้ มการที่ (7.5) แทนค่า R1 = 10 k, R2 = 15 k และ R3 = 34 k ลงไป จะได้
Rx 
 15  103  34  103 
= 51 k
10  103
ตัวอย่างที่ 7.2 จากค่าความต้านทาน Rx ของวงจรวีต โตนบริดจ์ที่คานวณได้ในตัวอย่างที่ 7.1 จง

คานวณหากระแ I ที่ไหลออกจากแหล่งจ่ายแรงดัน เมื่อกาหนดให้แหล่งจ่ายมีแรงดัน 5 V
วิธีทา กาหนดให้กระแ ไหลเข้าและออกจากโนด c ดังรูปที่ 7.5

I c
10 k 15 k
I1 R1 R2 I2
5V a G b
R3 Rx
34 k 51 k
รูปที่ 7.5 การกาหนดกระแ ในวงจรวีต โตนบริดจ์ าหรับตัวอย่างที่ 7.2
จากกฎกระแ ของเคอร์ชอฟฟ์ ที่โนด c จะได้

I = I1+I2 (7.6)
หากระแ I1 ที่ไหลในแขนที่ 1 จะได้
I1 = V/(R1+ R3) (7.7)
แทนค่า V = 5 V, R1 = 10 k และ R3 = 34 k ลงใน มการที่ (7.7) จะได้
I1 = 5/(10 k + 34 k) = 0.114 mA (7.8)
หากระแ I2 ที่ไหลในแขนที่ 2 จะได้
I2 = V/(R2+ Rx) (7.9)
แทนค่า V = 5 V, R2 = 15 k และ Rx = 51 k ลงใน มการที่ (7.9) จะได้
I2 = 5/(15 k + 51 k) = 75.757 uA (7.10)
แทนค่า มการที่ (7.8) และ (7.10) ลงใน มการที่ (7.6) จะได้
I = 0.114 mA +75.757 uA = 189.757 uA

____________________________________________________________________
7.2.2 วีต โตนบริดจ์ ภาวะไม่ มดุล (Unbalanced Wheatstone Bridge)

เมื่อวีต โตนบริดจ์อยู่ใน ภาวะที่ไม่ มดุล จะมีกระแ ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ทาให้เข็มชี้
เบี่ยงเบนจากตาแหน่งศูนย์ การวิเคราะห์บริดจ์ ภาวะไม่ มดุลจะอาศัยทฤษฎีบทเทเวนิน โดยต้องหา
วงจร มมูลเทเวนินที่ประกอบด้วยแรงดันเทเวนิน VTh และความต้านทานเทเวนิน RTh มีวิธีการ
R1 R2
V a b
R3 Rx
รูปที่ 7.6 วงจรวีต โตนบริดจ์ที่ปลดแกลแวนอมิเตอร์ออก
จากรูปที่ 7.6 การหาแรงดันเทเวนินทาได้ด้วยการปลดแกลแวนอมิเตอร์ออกจากวงจรแล้ว

หาแรงดันทีโ่ นด a และโนด b โดยใช้หลักการของตัวแบ่งแรงดัน (Voltage Divider) จะได้
 R 
Va  V  3  (7.11)
 R1  R3 
 R 
Vb  V  x  (7.12)
 R2  R x 
นา มการที่ (7.12) ลบ มการที่ (7.11) จะ ามารถหาแรงดันเทเวนินได้ดังนี้
 R R 
VTh  V  3  x  (7.13)
 R1  R3 R2  R x 
R1 R2
a b
R3 Rx
รูปที่ 7.7 ความต้านทานที่เกิดขึ้นระหว่างโนด a และโนด b
่วนการหาความต้านทานเทเวนิน RTh นั้นทาได้ด้วยการลัดวงจรแหล่งจ่ายกระแ ตรง V

และคิดความต้านทานภายในแหล่งจ่ายเท่ากับศูนย์ แล้วหาความต้านทานที่เกิดขึ้นระหว่างจุด a และ
จุด b จากวงจรในรูปที่ 7.7 จะได้
R1R3 RR
RTh   2 x (7.14)
R1  R3 R2  R x
RTh a
Ig
VTh G Rg
Thevenin equivalent circuit b

รูปที่ 7.8 การต่อแกลแวนอมิเตอร์เข้ากับวงจร มมูลเทเวนิน
จากนั้นเมื่อนาแกลแวนอมิเตอร์มาต่อกับวงจร มมูลเทเวนินที่โนด a และโนด b ดังแ ดงใน

รูปที่ 7.8 จะ ามารถหากระแ Ig ที่ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ที่มีความต้านทานภายใน Rg ได้ดังนี้
VTh
Ig  (7.15)
RTh  Rg
การเบี่ ย งเบนของเข็ม ชี้ จ ากการไหลผ่ านของกระแ Ig จะมากหรือน้อยขึ้นอยู่ กับความไว

กระแ ของแกลแวนอมิเตอร์ การระบุความไวของแกลแวนอมิเตอร์อาจนิยามในรูปของระยะการ
เบี่ยงเบนของเข็มชี้ต่อปริมาณกระแ ที่ไหลผ่าน ดังแ ดงใน มการที่ (7.16) โดยที่ S คือ ความไว
กระแ ของแกลแวนอมิเตอร์ (Sensitivity of Galvanometer), D คือ ระยะการเบี่ยงเบนของเข็มชี้
(Deflection) ซึ่ง ามารถอยู่ในหน่วยระยะทาง คือ มิลลิเมตร หรืออยู่ในหน่วยมุม คือ องศาหรือ
เรเดียน และ i คือ กระแ ที่ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์
D
S (7.16)
i
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 7.3 จงหากระแ Ig ที่ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์เมื่อวีต โตนบริดจ์อยู่ใน ภาวะไม่ มดุล
ดังแ ดงในรูปที่ 7.9 กาหนดให้ตัวต้านทาน R1, R2, R3 และ Rx ในวงจรวีต โตนบริดจ์มีค่าเท่ากับ 4
k, 2 k, 20 k และ 7 k ตามลาดับ แหล่งจ่ายแรงดันมีค่าเท่ากับ 8 V และความต้านทาน
ภายในของแกลแวนอมิเตอร์มีค่าเท่ากับ 300  และจงหาระยะการเบี่ยงเบนของเข็มแกลแวนอ

มิเตอร์เมื่อกาหนดให้ ความไวกระแ ของแกลแวนอมิเตอร์เท่ากับ 1 mm/uA
R1 R2
4k Ig 2k
8V a G b
R3 Rg = 300
Rx
20 k 7k
รูปที่ 7.9 วงจรวีตโตนบริดจ์ใน ภาวะไม่ มดุล าหรับตัวอย่างที่ 7.3
วิธีทา ใช้ มการที่ (7.13) หาแรงดันเทเวนิน แทนค่า R1 = 4 k, R2 = 2 k, R3 = 20 k, Rx

= 7 k และ V = 8 V ลงไป จะได้
 20k 7k 
VTh  8    = 0.444 V
 4k  20k 2k  7k 
 
ใช้ มการที่ (7.14) หาความต้านทานเทเวนิน แทนค่า R1 = 4 k, R2 = 2 k, R3 = 20 k

และ Rx = 7 k ลงไป จะได้
4k  20k 2k  7k
RTh   = 4.889 k
4k  20k 2k  7k
และใช้ มการที่ (7.15) หากระแ ที่ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ แทนค่า VTH = 0.444 V, RTH = 4.889
k และ Rg = 300  ลงไป จะได้
0.444
Ig  = 85.56 uA
4.889k  300
จากนั้นแก้ มการที่ (7.16) เพื่อหาระยะการเบี่ยงเบน D จะได้

S
D (7.17)
i
แทนค่า S = 1 mm/uA และ i = Ig = 85.56 uA ลงใน มการที่ (7.17) จะได้
1mm
D 85.56uA = 85.56 mm
1uA
____________________________________________________________________
R R
V a G b
R R+DR
รูปที่ 7.10 วงจรวีตโตนบริดจ์ใน ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อย
7.2.3 วีต โตนบริดจ์ ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อย (Small Unbalanced Wheatstone

Bridge)
วงจรวีต โตนบริดจ์ใน ภาวะที่ไม่ มดุลเพียงเล็กน้อย จะให้ค่าของตัวต้านทาน R1, R2 และ
R3 มีค่าเท่ากัน คือ ให้มีค่าเท่ากับ R ่วนค่าของตัวต้านทาน Rx จะแตกต่างจากตัวต้านทานตัวอื่น
เพียง DR ดังแ ดงในรูปที่ 7.10 จะ ามารถวิเคราะห์วงจรด้วยทฤษฎีบทเทเวนินได้ดังต่อไปนี้
R R
V a
R R+DR
รูปที่ 7.11 วงจรวีต โตนบริดจ์ใน ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อยที่ปลดแกลแวนอมิเตอร์ออก

จากรูปที่ 7.11 การหาแรงดันเทเวนินทาได้ด้วยการปลดแกลแวนอมิเตอร์ออกจากวงจรแล้ว

หาแรงดันที่โนด a และโนด b โดยใช้หลักการของตัวแบ่งแรงดัน จะได้
Va  V  
R

RR 2
V
(7.18)
R  DR   R  DR 
Vb  V   V   (7.19)
 R  R  DR   2R  DR 
นา มการที่ (7.18) ลบ มการที่ (7.19) จะ ามารถหาแรงดันเทเวนินได้ดังนี้
R  DR 1 
VTh  V   
 2R  DR 2 
2R  2DR  2R  DR 
 V  
 4 R  2DR 
DR 
 V   (7.20)
 4R  2DR 
ถ้า DR มีค่าแตกต่างจากค่า R ไม่เกิน 5% ค่า 2DR ซึ่งเป็นตัวหารจะมีค่าที่ต่ามากเมื่อ

เทียบกับค่า 4R ดังนั้น เพื่อให้ ามารถลดรูป มการที่ (7.20) ให้ง่ายขึ้น จะไม่คิดค่า 2DR ทาให้ได้
แรงดันเทเวนิน ดังต่อไปนี้
DR
VTH  V   (7.21)
 4R 
R R
a b
R R+DR
รูปที่ 7.12 ความต้านทานที่เกิดขึ้นระหว่างโนด a และโนด b
การหาความต้านทานเทเวนิน RTh นั้นทาได้ด้วยการลัดวงจรแหล่งจ่ายกระแ ตรง V และคิด

ความต้านทานภายในแหล่งจ่ายเท่ากับศูนย์ แล้วหาความต้านทานที่เกิดขึ้นระหว่างจุด a และจุด b
จากวงจรในรูปที่ 7.12 จะได้
R R  R  DR 
RTh   (7.22)
2 R  R  DR
ถ้าค่า DR มีค่าแตกต่างจากค่า R ไม่เกิน 5% จะ ามารถตัดทิ้งใน มการที่ (7.22) ทาให้ได้
R R
RTh  
2 2
RTh  R (7.23)
จากนั้นเมื่อนาแกลแวนอมิเตอร์มาต่อกับวงจร มมูลเทเวนินที่โนด a และโนด b เช่นที่แ ดง

ในรูปที่ 7.8 จะ ามารถใช้ มการที่ (7.15) เพื่อหากระแ Ig ที่ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ที่มีความ
ต้านทานภายใน Rg
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 7.4 จากวงจรในรูปที่ 7.13 จงหาค่ากระแ Ig ที่ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ เมื่อกาหนดให้
ค่าความต้านทานของ R1, R2 และ R3 มีค่าเท่ากันที่ 400 , ความต้านทาน Rx มีค่า 450 ,
แหล่งจ่ายแรงดันมีค่าเท่ากับ 5 V และความต้านทานภายในแกลแวนอมิเตอร์มีค่าเท่ากับ 150 
R1 R2
400 Ig 400
5V a G b
R3 Rg = 150
Rx
400 450

R1 R2
 ทาให้มี
วิธีทา วงจรวีต โตนบริดจ์ที่อยู่ในรูปที่ 7.12 อยู่ใน ภาวะที่ไม่ มดุล เนื่องจาก
R3 R x
กระแ Ig ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ แต่เนื่องจาก R1, R2 และ R3 มีค่าเท่ากันที่ 400  ่วนความ
ต้านทาน Rx มีค่า 420  คานวณหาเปอร์เซ็นต์ความแตกต่างระหว่างค่า R1 และ Rx จะได้
 420  400 100 = 5%

  (7.24)
 400 
จาก มการที่ (7.24) จะเห็นว่าเปอร์เซ็นต์ความแตกต่างระหว่างค่า R1 และ Rx ไม่เกิน 5%

แ ดงว่าวงจรวีต โตนบริ ดจ์นี้ อยู่ ใน ภาวะไม่ มดุล เพียงเล็กน้อย จากนั้นใช้ มการที่ (7.21) หา
แรงดันเทเวนิน แทนค่า V = 5 V, R = 400  และ DR = 420-400 = 20  ลงไป จะได้
20
VTH  5   = 0.625 V
 160 
และใช้ มการที่ (7.23) หาค่าความต้านทานเทเวนิน แทนค่า R = 400  ลงไป จะได้
RTh  400 
จากนั้นใช้ มการที่ (7.15) หากระแ ที่ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ แทนค่า VTH = 0.625 V,

RTH = 400  และ Rg = 150  ลงไป จะได้
0.625
Ig  = 1.136 mA
400  150
ตัวอย่างที่ 7.5 วงจรวีต โตนบริดจ์ในรูปที่ 7.14 กาหนดให้ค่าความต้านทานของ R1, R2 และ R3 มี

ค่าเท่ากันที่ 10 k, ความต้านทาน Rv เป็นตัวต้านทานที่มีค่าความต้านทานขึ้นอยู่กับอุณหภูมิที่มี
กราฟความ ัมพันธ์ระหว่างค่าความต้านทานและอุณหภูมิดังรูปที่ 7.14 เมื่อ แหล่งจ่ายแรงดันมีค่า
เท่ากับ 5 V จงหา ก) อุณหภูมิที่ทาให้บริดจ์อยู่ใน ภาวะ มดุล และ ข) ขนาดของ ัญญาณความ
คลาดเคลื่อน (Error Signal) ที่อุณหภูมิ 50C
R1 R2
10 k 10 k
5V
10 k
R3 Rv Error Signal

Resistance in
k
10
9
8
6
4
2
ºC
0 20 40 60 80 100 Temperature
รูปที่ 7.15 กราฟความ ัมพันธ์ระหว่างอุณหภูมิกับความต้านทานของ Rv
วิธีทา ก) หาอุณหภูมิที่ทาให้บริดจ์อยู่ใน ภาวะ มดุล

เมื่อบริดจ์อยู่ใน ภาวะ มดุล จะใช้ มการที่ (7.5) หาค่าตัวต้านทาน Rv แทนค่า
R1= R2 = R3 = 10 k ลงใน มการ จะได้
10k 10k
Rv  = 10 k
10k
จากนั้นใช้กราฟความ ัมพันธ์ระหว่างอุณหภูมิและค่าความต้านทานในรูปที่ 7.14 จะพบว่าที่

ความต้านทาน 10 k อุณหภูมิจะอยู่ที่ 100C ดังนั้น อุณหภูมิที่ทาให้วีต โตนบริดจ์อยู่ใน ภาวะ
มดุล คือ 100C
ข) หาขนาดของ ัญญาณความคลาดเคลื่อนที่อุณหภูมิ 50C

จากกราฟความ ัมพันธ์ระหว่างอุณหภูมิและค่าความต้านทานในรูปที่ 7.14 จะพบว่าที่

อุณหภูมิ 50C ค่าความต้านทานของ Rv จะอยู่ที่ 9 k เมื่อคานวณหาเปอร์เซ็นต์ความแตกต่าง
ระหว่างค่า R1 และ Rv จะได้
 9  10 100 = -10%
  (7.25)
 10 
จาก มการที่ (7.25) จะเห็นว่าเปอร์เซ็นต์ความแตกต่างระหว่างค่า R1 และ Rv เกิน 5% จึง

ไม่ ามารถใช้ มการที่บริดจ์อยู่ใน ภาวะไม่ มดุลเพียงเล็กน้อยได้ ต้องใช้ มการที่ (7.13) หาแรงดัน
เทเวนิน ซึ่งก็คือ ัญญาณความคลาดเคลื่อนที่ แทนค่า R1 = 10 k, R2 = 10 k, R3 = 10 k,
Rx = Rv = 9 k และ V = 5 V ลงไป จะได้
 10k 9k 
VTh  5    = 0.131 V
 10k  10k 10k  9k 
 
ดังนั้นขนาดของ ัญญาณความคลาดเคลื่อนที่อุณหภูมิ 50C เท่ากับ 0.131 V

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
7.2.4 ข้อจากัดของวีต โตนบริดจ์ (Limitations of Wheatstone Bridge)

 เนื่องจากความถูกต้องการวัดของวีต โตนบริดจ์นั้นขึ้นอยู่กับตัวต้านทาน R1, R2 และ R3
ดังนั้น การเลือกใช้ตัวต้านทานมาตรฐานต้องมีความคลาดเคลื่อนไม่เกิน 1%
 วีต โตนบริจด์ไม่ ามารถใช้วัดตัวต้านทานที่มีค่า ูงมากกว่า 10 M ได้เนื่องจากที่ค่าความ
ต้านทาน ูงจะทาให้กระแ ที่ไหลในวงจรต่าจนแกลแวนอมิเตอร์ไม่ ามารถตรวจจับได้
 เมื่อมีกระแ ไหลผ่านตัวต้านทานจะทาให้เกิดความร้อนและจะทาให้ค่าความต้านทานของ
ตัวต้านทานเปลี่ยนแปลง หากปริมาณกระแ ไหลผ่านมากเกินไปอาจทาให้ค่าความต้านทาน
เปลี่ยนแปลงไปอย่างถาวร และจะ ่งผลการวัดให้มีความคลาดเคลื่อนการวัด ูง
 ค่าความต้านทาน Rx ที่คานวณได้จะรวมความต้านทานของ ายวัดและหน้า ัมผั ของขั้วต่อ
ายเข้าไปด้ว ย วีต โตนบริดจ์จึงไม่เหมาะกับการวัดความต้านทานที่มี ค่า ต่ากว่า 1
เนื่องจากมีความคลาดเคลื่อนการวัด ูง ปัญหานี้แก้ได้ด้วยการปรับปรุงวีต โตนบริดจ์ไปเป็น
เคลวินบริดจ์
R2
R1
Ra
V a G b Ry
Rb
R3
Rx
รูปที่ 7.16 วงจรเคลวินบริดจ์
7.3 เคลวินบริดจ์ (Kelvin Bridge)

จากปัญหาของวีต โตนบริดจ์ที่ไม่ เหมาะในการวัดความต้านทานค่าต่ากว่า 1 เนื่องจาก
การคานวณค่าความต้านทานที่ต้องการทราบได้รวมความต้านทานของ ายวัดและหน้า ัมผั ของ
ขั้วต่อ ายเข้าไปด้วย จึงมีการปรับปรุงวงจรวีต โตนบริดจ์โดยการเพิ่มความต้านทาน Ra และ Rb เข้า
ไปในวงจร ดังแ ดงในรูปที่ 7.16 ในการกาจัดปัญหาความต้านทานของ ายวัดและหน้า ัมผั ของ
ขั้วต่อ ายหรือความต้านทาน Ry ต้องกาหนดให้อัตรา ่วนระหว่าง Rb และ Ra มีค่าเท่ากับอัตรา ่วน
ระหว่าง R3 และ R1 ตัวอย่างเคลวินบริดจ์ที่มีจาหน่ายเพื่อการศึกษาแ ดงในรูปที่ 7.17
รูปที่ 7.17 ตัวอย่างเคลวินบริดจ์ที่มีจาหน่ายเพื่อการศึกษา

(ที่มาของภาพ: http://mcpsh.en.alibaba.com/product/535537083-
213338711/DKB_01_KELVIN_BRIDGE.html)
การวิเคราะห์เคลวินบริดจ์ใน ภาวะ มดุล เพื่อพิ ูจน์ว่า ามารถกาจัดปัญหาความต้านทาน

ของ ายวัดและหน้า ัมผั ของขั้วต่อ ายจะใช้รูปที่ 7.18 ช่วยในการวิเคราะห์ มีวิธีการดังต่อไปนี้
c I
R2
R1 d
Ra
V a G b Ry
Rb
R3 e
Rx
รูปที่ 7.18 วงจรเคลวินบริดจ์ที่ใช้ในการวิเคราะห์
เมื่อเคลวินบริดจ์อยู่ใน ภาวะ มดุล แรงดันที่โนด a หรือ Va จะมีค่าเท่ากับแรงดันที่โนด b

หรือ Vb และจะไม่มีกระแ ไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ เมื่อ Va = Vb แ ดงว่าแรงดันตกคร่อม R1
หรือ Vca มีค่าเท่ากับแรงดันตกคร่อม R2 และ Ra หรือ Vcb เมื่อหาแรงดัน Vca จะได้
 R 
Vca  V  1  (7.26)
 R1  R3 
 R R  R  
จากรูป V  I R2  R x  y a b  จากนั้นแทนค่า V ลงใน มการที่ (7.26) จะได้
 R y  Ra  Rb 
 R1   R y  Ra  Rb  
Vca  I   R2  R x  R  R  R  (7.27)
R  R
 1 3  y a b
c R2 d Ra b Rb e
I
Ry
รูปที่ 7.19 กิ่งของวงจรฝั่งขวามือของแกลแวนอมิเตอร์จากโนด c ถึงโนด e
จากนั้นหา Vcb โดยจะใช้รูปที่ 7.19 ซึ่งแ ดงวงจรฝั่งขวามือของแกลแวนอมิ เตอร์จากโนด c

 R 
ถึงโนด e ช่วย จากรูปจะเห็นว่า Vcb = IR2 + Vdb โดยที่ Vdb  Vde  a  เนื่องจาก
 Ra  Rb 
 R R  R  
Vde  I  y a b  (7.28)
 R y  Ra  Rb 
ทาให้ ามารถหา Vcb ได้ดังนี้
 Ra   R y  Ra  Rb  
Vcb  IR2  I  R  R  R 
R  R
 a b  y a b 
 Ra R y 
Vcb  I  R2   (7.29)
 R y  R a  Rb
เนื่องจาก มการที่ (7.29) มีค่าเท่ากับ มการที่ (7.27) ดังนั้น
 R1   R y  Ra  Rb    Ra R y 
R  R   R 
 R  R  2 x R  R  R   2 R  R  R 
 1 3  y a b  y a b
R y  Ra  Rb   R1  R3   Ra R y 
R2  R x   R
 2  
R y  Ra  Rb  R1   R y  Ra  Rb 
R y  Ra  Rb   R3   Ra R y 
R2  R x    1    R2  
R y  Ra  Rb  R1   R y  Ra  Rb 
R R  R  RR R3 Ra R y Ra R y
R2  R x  y a b  R2  2 3   (7.30)
R y  Ra  Rb R1 R1  R y  Ra  Rb  R y  Ra  Rb
แก้ มการที่ (7.30) เมื่อต้องการหา Rx จะได้

R2 R3 R3 Ra R y Ra R y R R  R 
Rx     y a b
R1 R1  R y  Ra  Rb  R y  Ra  Rb R y  Ra  Rb
RR R3 Ra R y Rb R y
Rx  2 3  
R1 R1  R y  Ra  Rb  R y  Ra  Rb
R2 R3 Ra R y  R3 Rb 
Rx    (7.31)
R1  R y  Ra  Rb   R1 Ra 
R2 R3 R R
จาก มการที่ (7.31) R x  เมื่อ 3  b ดังนั้น เคลวินบริดจ์จะ ามารถกาจัด ปัญหา
R1 R1 Ra
ความต้านทานของ ายวัดและหน้า ัมผั ของขั้วต่อ ายได้
7.4 การประยุกต์ใช้งานบริดจ์กระแ ตรง (Application of DC Bridge)

บริดจ์กระแ ตรง ามารถนามาประยุกต์ใช้ในงานด้านการวัดและควบคุมการผลิตชิ้นงานทาง
อุต าหกรรม เช่น การนาวีต โตนบริดจ์มาใช้วัดความต้านทานของลวดตัวนาในมอเตอร์ หม้อแปลง
โซลีนอยด์ รีเลย์
R
Thermistor
V
R R
Error
Heater Signal
Q Amplifier
V
รูปที่ 7.20 การประยุกต์บริดจ์กระแ ตรงในการควบคุมความร้อน
รูปที่ 7.20 เป็นการประยุกต์วงจรบริดจ์มาใช้ในงานควบคุมความร้อนแบบพื้นฐาน ซึ่งมี

หลักการทางาน ดังนี้ ขณะที่อุณหภูมิอยู่ในค่าที่ต้องการ เทอร์มิ เตอร์จะมีความต้านทานเท่ากับ R
ทาให้วงจรบริดจ์อยู่ใน ภาพ มดุล จึงไม่มี ัญญาณความคลาดเคลื่อนเข้าไปไบแอ ให้ทรานซิ เตอร์
ทางาน จึงไม่มีกระแ ไหลผ่านฮีตเตอร์ แต่ถ้าอุณหภูมิลดลง เทอร์มิ เตอร์จะมีความต้านทานลดลง
ทาให้ไม่เท่ากับ R วงจรบริดจ์จึงอยู่ใน ภาวะที่ไม่ มดุล จะทาให้เกิด ัญญาณความคลาดเคลื่อน
ั ญาณนี้จะได้รับการขยายด้วยวงจรขยายเพื่อให้มีขนาดพอที่จะไบแอ ทรานซิ เตอร์ให้ทางาน จึง

ญ
มี ก ระแ ไหลผ่ า นฮี ต เตอร์ ่ ง ผลให้ อุ ณ หภู มิ แ ละความต้ า นทานของเทอร์ มิ เตอร์ มี ค่ า มากขึ้ น
จนกระทั่งความต้านทานมีค่าเท่ากับ R วงจรบริดจ์จึงอยู่ใน ภาวะ มดุลอีกครั้งหนึ่ง
____________________________________________________________________
1. จงอธิบายลักษณะของวีต โตนบริดจ์
2. จงหาค่าความต้านทาน Rx ของวงจรวีต โตนบริดจ์ ใน ภาวะ มดุล กาหนดให้ตัวต้านทาน
R1, R2 และ R3 มีค่าเท่ากับ 20 k, 15 k และ 24 k ตามลาดับ
3. จากค่าความต้านทาน Rx ของวงจรวีต โตนบริดจ์ที่คานวณได้ในคาถามท้ายบทข้อที่ 2 จง
คานวณหากระแ I ที่ไหลออกจากแหล่งจ่ายแรงดัน เมื่อกาหนดให้แหล่งจ่ายมีแรงดัน 3 V
4. จงหากระแ Ig ที่ ไ หลผ่ า นแกลแวนอมิ เ ตอร์ เ มื่ อ วี ต โตนบริ ด จ์ อ ยู่ ใ น ภาวะไม่ มดุ ล
กาหนดให้ตัวต้านทาน R1, R2, R3 และ Rx ในวงจรวีต โตนบริดจ์มีค่าเท่ากับ 1 k, 2 k,
3 k และ 4 k ตามลาดับ แหล่งจ่ายแรงดันมีค่าเท่ากับ 5 V และความต้านทานภายใน
ของแกลแวนอมิเตอร์มีค่าเท่ากับ 200 
5. จงอธิบายข้อจากัดของวีต โตนบริดจ์มาจานวน 3 ข้อ
ไฟฟ้ากระแ ลับ
8.1 บทนา
8.2 การค้นพบแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนา
8.3 หลักการของเครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแ ลับ
8.4 พารามิเตอร์ของ ัญญาณคลื่นไซน์
8.4.1 คาบและความถี่
8.4.2 ความถี่เชิงมุมหรือความเร็วเชิงมุม
8.4.3 แรงดัน ูง ุดหรือแรงดันค่ายอด
8.4.4 แรงดันชั่วขณะ
8.4.5 แรงดันค่ายอดถึงยอด
8.4.6 แรงดันค่าเฉลี่ย
8.4.7 แรงดันประ ิทธิผล และแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย
8.4.8 ฟอร์มแฟกเตอร์
8.4.9 เคร ต์แฟกเตอร์
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการค้นพบแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนา ซึ่งเป็นความรู้พื้นฐานนามา
ซึ่งการประดิษฐ์เครื่องกาเนิดไฟฟ้า
2. เพื่อให้ ผู้ เ รี ย นมีความเข้าใจหลั กการท างานของเครื่องก าเนิดไฟฟ้ าในการผลิ ต ั ญญาณ
กระแ ลับรูปคลื่นไซน์
3. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจพารามิเตอร์ต่าง ๆ ของ ัญญาณรูปคลื่นไซน์ และ ามารถ
คานวณหาพารามิเตอร์ของ ัญญาณรูปคลื่นไซน์จากรูป ัญญาณได้

บทที่ 8
ไฟฟ้ากระแ ลับ
(Alternating Current)
8.1 บทนา
หลังการค้นพบของ ฮาน ์ คริ เตียน เออร์เ ตด ที่พบปรากฏการณ์กระแ ที่ไหลผ่านลวด
ตัวนาทาให้เกิด นามแม่เหล็กล้อมรอบลวดตัวนา ต่อมาไม่นานในปีค.ศ. 1831 ไมเคิล ฟาราเดย์
(Michael Faraday) (รูปที่ 8.1) นักวิทยาศา ตร์ชาวอังกฤษก็ได้ค้นพบว่า เมื่อนาลวดตัวนาตัดผ่าน
นามแม่เหล็กจะทาให้เกิดแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนา (Electromotive Force: emf) ขึ้นในลวด
ตัวนา และหากต่อปลาย องข้างของลวดตัวนาเข้าหากันก็จะเกิดกระแ ไฟฟ้าเหนี่ยวนาไหลผ่านลวด
ตัวนา การค้นพบนี้นามาซึ่งการประดิษฐ์เครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแ ลับ หรือเจนเนอเรอเตอร์ และ
มอเตอร์ไฟฟ้าในเวลาต่อมา
รูปที่ 8.1 ไมเคิล ฟาราเดย์ นักวิทยาศา ตร์ชาวอังกฤษ

http://www.wired.com/images_blogs/thisdayintech/2010/09/faraday_350px.jpg)
ไฟฟ้ากระแ ลับ หมายถึง ไฟฟ้าในรูปแบบกระแ หรือแรงดัน ที่มีการเปลี่ยนแปลงของ

ขนาด (Magnitude) ใน องทิศทางตามการเปลี่ยนแปลงของเวลา (Time) โดยทั่วไปจะมีลักษณะ
ัญญาณเป็นแบบคลื่นไซน์ ซึ่งเป็นลักษณะเดียวกับ ัญญาณไฟฟ้าที่ผลิตออกมาจากเครื่องกาเนิด
ไฟฟ้าเพื่อจ่ายไฟให้กับเครื่องใช้ไฟฟ้าตามบ้านเรือน เครื่องมือวัดไฟฟ้ากระแ ลับโดยทั่วไปจึงได้รับ
การออกแบบให้วัดค่ากระแ และแรงดันของ ัญญาณไฟฟ้ากระแ ลับที่เป็นรูปคลื่นไซน์ เพื่อความ
เข้าใจในการออกแบบเครื่องมือวัดไฟฟ้ากระแ ลับ ด้วยเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ในบทนี้จะได้
อธิบายเกี่ยวกับการค้นพบแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ย วนา ซึ่งเป็นที่มาของการผลิต ัญญาณคลื่นไซน์ด้วย
เครื่ อ งก าเนิ ด ไฟฟ้ า กระแ ลั บ จากนั้ น จะได้ อ ธิ บ ายหลั ก การท างานของเครื่ อ งก าเนิ ด ไฟฟ้ า
กระแ ลับ และต่อจากนั้นจะเป็นการอธิบายพารามิเตอร์ที่ าคัญต่าง ๆ ของ ัญญาณคลื่นไซน์
S
N
Motion of conductor
รูปที่ 8.2 การเคลื่อนที่ของลวดตัวนาภายใน นามแม่เหล็ก
8.2 การค้นพบแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนา (Electromotive Force)

ไมเคิล ฟาราเดย์ค้นพบว่าเมื่อเคลื่อนลวดตัวนาตัดผ่าน นามแม่เหล็ก ดังแ ดงในรูปที่ 8.2
จะทาให้เกิดแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาขึ้นที่ลวดตัวนา หรือในทางกลับกัน การนาแม่เหล็กเคลื่อนที่
ผ่านลวดตัว นาก็จะทาให้เกิดแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาขึ้นที่ล วดตัวนาเช่นเดียวกัน ปริมาณของ
แรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาที่เกิดขึ้นจะขึ้นอยู่กับ ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็ก, มุมที่ลวดตัวนาตัด
ผ่านฟลักซ์แม่เหล็ก, ความเร็วของการเคลื่อนที่ของลวดตัวนา และความยาวของลวดตัวนาภายใน
นามแม่เหล็ก จะแ ดง มการของแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาได้ดังนี้
emf B l v sin( ) (8.1)
เมื่อ emf คือ แรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนา มีหน่วยเป็นโวลต์,

B คือ ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็ก มีหน่วยเป็น เวเบอร์ต่อตารางเมตร,
l คือ ความยาวของลวดตัวนา มีหน่วยเป็นเมตร,
v คือ ความเร็วในการเคลื่อนทีข่ องลวดตัวนา มีหน่วยเป็นเมตรต่อวินาที และ
คือ มุมระหว่างทิศทางของ นามแม่เหล็กกับทิศทางการเคลื่อนที่ของลวดตัวนา มีหน่วย
เป็นองศา
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่า งที่ 8.1 จงคานวณหาแรงเคลื่ อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาบนลวดตัว นาที่เคลื่ อนที่ตัดผ่ าน
นามแม่เหล็กที่มีความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็กเท่ากับ 1 Wb/m2 กาหนดให้ความยาวลวดตัวนา
190 บทที่ 8 ไฟฟ้ากระแ ลับ
เท่ากับ 20 cm เคลื่อนที่ด้วยความเร็วเท่ากับ 0.5 m/s และมุมระหว่างทิศทางของ นามแม่ เหล็กกับ

ทิศทางการเคลื่อนที่ของลวดตัวนาเท่ากับ 45 องศา
วิธีทา ใช้ มการที่ 8.1 คานวณหาแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนา แทนค่า B = 1 Wb/m2, l = 20 cm,

v = 0.5 m/s และ = 45 ลงใน มการ จะได้
emf 1 20 10 2 0.5sin(45 ) = 0.07 V

____________________________________________________________________
Stator
B
A
N S
D
Slip Rings
C Armature
Brushes Load
Galvanometer
รูปที่ 8.3 ่วนประกอบของเครื่องกาเนิดไฟฟ้าเบื้องต้น
8.3 หลักการของเครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแ ลับ (Principle of AC Generator)

จากการค้นพบของฟาราเดย์นามาซึ่งการประดิษฐ์เครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแ ลับ ซึ่งมี
่วนประกอบดังแ ดงในรูปที่ 8.3 ประกอบด้วย ขดลวดอาร์เมเจอร์ (Armature) เป็นขดลวดที่หมุน
ตัดผ่าน นามแม่เหล็ก แบ่งเป็น อง ่วน ได้แก่ ่วนลวดตัวนา AB และ ่วนลวดตัวนา CD, เตอ
เตอร์ (Stator) หรือ ่วนที่อยู่กับที่จะเป็นแม่เหล็กถาวรมีขั้วเหนือและขั้วใต้, วงแหวนลื่น (Slip Rings)
จะเป็น ่วนที่รับกระแ ไฟฟ้าจากขดลวดอาร์เมเจอร์เพื่อต่อออกไปยังวงจรภายนอกผ่านแปรงถ่าน
และแปรงถ่าน (Brushes) เป็น ่วนที่แตะ ัมผั วงแหวนลื่นเพื่อ ่งกระแ ไฟฟ้าออกไปยังวงจร
ภายนอก หมายเหตุ ่วนโหลดหรือตัวต้านทานและแกลแวนอมิเตอร์ที่เห็นในรูปที่ 8.3 ไม่ได้เป็น
่วนประกอบของเครื่องกาเนิดไฟฟ้า แต่มไี ว้เพื่อแ ดงทิศทางการไหลของกระแ ไฟฟ้าในขดลวดอาร์
เมเจอร์เท่านั้น
หลักการทางานของเครื่องกาเนิดไฟฟ้า จะอาศัยการเคลื่อนที่ของขดลวดอาร์เมเจอร์ตัดผ่าน
นามแม่เหล็ก ผลการเคลื่อนที่จะเกิดแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาขึ้นที่ขดลวด จาก มการที่ (8.1) เมื่อ
กาหนดให้ความยาวของลวดตัวนาและความเร็วของการเคลื่อนที่คงที่ ปริมาณแรงเคลื่อนไฟฟ้า
เหนี่ยวนาที่เกิดขึ้นจะขึ้นอยู่กับความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็ก และมุมที่ขดลวดเคลื่อนที่ตัดผ่านฟลักซ์
แม่เหล็ก จึง ามารถแบ่งการทางานของเครื่องกาเนิดไฟฟ้าออกได้เป็น 5 ช่วง ดังนี้
Electromotive force
B
+
A
N S 0 90 180
270 360
Degree
D
-
C
รูปที่ 8.4 แรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาที่ตาแหน่ง 0 องศา
 ช่วงที่ 1 ตาแหน่ง 0 องศา เป็นช่วงที่ลวดตัวนา AB และลวดตัวนา CD เริ่มต้นการหมุนใน

ลักษณะทวนเข็มนาฬิกา การเคลื่อนที่ของลวดตัวนาทั้ง องจะขนานกับฟลักซ์แม่เหล็ก ทา
ให้ไม่มีขดลวดตัวนาตัดผ่านฟลักซ์แม่เหล็กจึงไม่เกิดแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนา ศักย์ไฟฟ้าที่
ตาแหน่ง A และ B รวมถึงที่ตาแหน่ง C และ D เป็นศูนย์ ทาให้ไม่มีกระแ ไหลผ่านโหลด
และแกลแวนอมิเตอร์ ดังแ ดงในรูปที่ 8.4
Electromotive force
B D +
N A C S 0 90 180
270 360
Degree
-
รูปที่ 8.5 แรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาที่ตาแหน่ง 0-90 องศา

 ช่วงที่ 2 ตาแหน่ง 0 ถึง 90 องศา เมื่อขดลวดตัวนาหมุนจากตาแหน่ง 0 องศาไปที่ตาแหน่ง

90 องศา ขดลวดตัวนา AB จะหมุนจากด้านบนตัดฟลักซ์แม่เหล็กไปยังด้านล่าง ่วนขดลวด
ตั ว น า CD จะหมุ น จากด้ า นล่ า งตั ด ฟลั ก ซ์ แ ม่ เ หล็ ก ไปยั ง ด้ า นบน ขณะหมุ น ปริ ม าณ
แรงเคลื่อนไฟฟ้าจะค่อย ๆ เพิ่มขึ้นที่ขดลวดตัวนาทั้ง อง เกิดจาก อง าเหตุ าเหตุแรก
เนื่องจากความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็ก จะเบาบางเมื่อระยะอยู่ห่างจากกึ่งกลางขั้วแม่เหล็ก
เหนือใต้ แต่เมื่อเริ่มเข้าใกล้กึ่งกลางขั้วแม่เหล็กความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็กจะเพิ่มมากขึ้น
าเหตุ ที่ องเกิ ด จากมุ ม ระหว่ า งทิ ศ ทางการเคลื่ อ นที่ เ ทีย บกั บ ฟลั ก ซ์ แ ม่เ หล็ ก ที่ ค่ อ ย ๆ
เพิ่มขึ้น ปริ มาณแรงเคลื่อนไฟฟ้ารวมของขดลวดทั้ง องจึงมีค่ามากที่ ุ ดที่ตาแหน่ง 90
องศา และเนื่องจากศักย์ไฟฟ้าที่ตาแหน่ง B ูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ตาแหน่ง A และศักย์ไฟฟ้าที่
ตาแหน่ง C ูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ตาแหน่ง D จึงเกิดกระแ เหนี่ยวนาไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์
ทาให้เข็มชี้ของแกลแวนอมิเตอร์เบี่ยงเบน ดังแ ดงในรูปที่ 8.5
D Electromotive force
+
C
N S 0 90 180
270 360
B Degree
-
A
 ช่วงที่ 3 ตาแหน่ง 90 ถึง 180 องศา เมื่อขดลวดตัวนาหมุนจากตาแหน่ง 90 องศาไปที่

ตาแหน่ง 180 องศา ขดลวดตัวนาทั้ง องยังคงหมุนตัดผ่านฟลักซ์แม่เหล็ก แต่ปริมาณฟลักซ์
แม่ เ หล็ ก จะค่ อย ๆ ลดลงจากบริเ วณกึ่ งกลางของขั้ ว แม่ เ หล็ ก เหนือ ใต้ ประกอบกั บ มุ ม
ระหว่างทิศทางการเคลื่อนที่เทียบกับฟลักซ์แม่เหล็กจะค่อย ๆ ลดลง ทาให้แรงเคลื่อนไฟฟ้า
ที่เกิดขึ้นมีปริมาณลดลงจนเป็นศูนย์ที่ตาแหน่ง 180 องศา ทาให้ที่ตาแหน่งนี้ไม่มีกระแ
เหนี่ยวนา เข็มชี้ของแกลแวนอมิเตอร์จึงอยู่ที่ตาแหน่งศูนย์ ดังแ ดงในรูปที่ 8.6
Electromotive force
D B +
N C A
S 0 90 180
270 360
Degree
-

ตาแหน่ง 270 องศา ขดลวดตัวนา AB จะหมุนจากด้านล่างตัดฟลักซ์แม่เหล็กไปยังด้านบน
่วนขดลวดตัวนา CD จะหมุนจากด้านบนตัดฟลักซ์แม่เหล็กไปยังด้านล่าง เช่นเดียวกับช่วง
การหมุนจากตาแหน่ง 0 ไปที่ 90 องศา ปริมาณแรงเคลื่อนไฟฟ้าจะค่อย ๆ เพิ่มขึ้นและจะมี
ค่ามากที่ ุดที่ตาแหน่ง 270 องศา แต่เนื่องจากทิศการหมุนจะตรงกันข้ามกับการหมุนจาก
ตาแหน่ง 0 ไปที่ 90 องศา จึงทาให้แรงเคลื่อนไฟฟ้ากลับทิศทาง และศักย์ไฟฟ้าที่ตาแหน่ง A
จะ ูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ตาแหน่ง B ่วนศักย์ไฟฟ้าที่ตาแหน่ง D ูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ตาแหน่ง
A ทาให้ เกิด กระแ เหนี่ ยวนาไหลผ่านแกลแวนอมิเตอร์ เข็มชี้ของแกลแวนอมิเตอร์ จึง
เบี่ยงเบนในทิศตรงกันข้ามกับช่วง 0 ไปที่ 90 องศา ดังแ ดงในรูปที่ 8.7
Electromotive force
B +
A 270 360
0 90 180 Degree
N S
D -


ตาแหน่ง 360 องศา ลักษณะแรงเคลื่อนไฟฟ้าที่เกิดขึ้นจะเหมือนกับช่วงการหมุนจาก 90 ไป
ที่ 180 องศา แต่แรงเคลื่อนไฟฟ้าจะมีทิศตรงกันข้ามกัน แรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาที่เกิดขึ้น
จะมีปริมาณลดลงจนเป็นศูนย์ที่ตาแหน่ง 360 องศา เมื่อไม่มีกระแ เหนี่ยวนาเข็มชี้ของ
แกลแวนอมิเตอร์จึงอยู่ที่ตาแหน่งศูนย์ ดังแ ดงในรูปที่ 8.8 เป็นการกลับ ู่ตาแหน่งเริ่มต้น
จากหลักการทางานของเครื่องกาเนิด ไฟฟ้ากระแ ลับที่ได้อธิบาย ามารถ รุปได้ว่า เมื่อ

ตาแหน่งการตัดผ่านฟลักซ์แม่เหล็กเปลี่ยนแปลง จะทาให้แรงเคลื่อนไฟฟ้าที่เกิดขึ้นบนลวดตัวนา
เปลี่ยนแปลงตามไปด้วย ลักษณะ ัญญาณของแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาที่เกิดขึ้นจะมีลักษณะเป็น
รู ป คลื่ น ไซน์ ที่มีการแกว่ งกลั บ ไปกลั บมาระหว่า งค่าบวกและค่า ลบ หั ว ข้อต่อไปจึงจะได้อธิบาย
เกี่ยวกับพารามิเตอร์ที่ าคัญต่าง ๆ ของ ัญญาณคลื่นไซน์
Magnitude
time
Period
รูปที่ 8.9 ลักษณะ ัญญาณคลื่นไซน์เทียบกับเวลา
8.4 พารามิเตอร์ของ ัญญาณคลื่นไซน์ (Parameters of Sine Wave)

8.4.1 คาบและความถี่ (Period and Frequency)
ัญญาณคลื่นไซน์ ดังแ ดงในรูปที่ 8.9 เป็น ัญญาณที่เมื่อเวลาเปลี่ยนแปลงไปขนาดของ
ัญญาณจะมีลักษณะแกว่ง ลับไปมาระหว่างช่วงที่เป็นค่าบวกและช่วงที่เป็นค่าลบซึ่งเกิดจากการ
เปลี่ยนทิศทางของ ัญญาณ การแกว่าง ลับไปมาระหว่างค่าบวกค่าลบทาให้ ัญญาณคลื่นไซน์ จึง
เรียกได้ว่า ัญญาณคลื่นไซน์เป็น ัญญาณเป็นคาบ (Periodic Signal) คาบ (Period) ของ ัญญาณ
คลื่นไซน์ คือ ช่วงเวลาที่ขนาดของ ัญญาณแกว่งกลับไปมาระหว่างค่าบวกและค่าลบครบ 1 รอบ
(Cycle) หรืออาจเรียกว่า 1 ลูกคลื่น และจานวนลูกคลื่นที่เกิดขึ้นในเวลา 1 วินาที จะเรียกว่า ความถี่
(Frequency) ดังนั้น คาบและความถี่ของ ัญญาณรูปไซน์จะมีความ ัมพันธ์กันดัง มการที่ (8.2)
T = 1/f (8.2)
เมื่อ T คือ คาบของ ัญญาณ มีหน่วยเป็นวินาที และ f คือ ความถี่ของ ัญญาณ มีหน่วยเป็นรอบต่อ
วินาที (Cycles/s) หรือเฮิรตซ์ (Hertz)
rection
g di 90°
atin
Rot
135° 45°
180° 0° 180° 225° 270° 315° 360°

0° 45° 90° 135°
225° 315°
270° y=-sinx, x?[0,2π]
รูปที่ 8.10 การเปรียบเทียบ ัญญาณคลื่นไซน์กับการเคลื่อนที่เป็นวงกลม
8.4.2 ความถี่เชิงมุมหรือความเร็วเชิงมุม (Angular Frequency or Angular Velocity)

จากที่ได้อธิบายการกาเนิด ัญญาณไฟฟ้ากระแ ลับจากเครื่องกาเนิดไฟฟ้า การแกว่งของ
ัญญาณคลื่นไซน์จึง ามารถเทียบได้กับการเคลื่อนที่เป็นวงกลม ดังแ ดงในรูปที่ 8.10 โดยจะเริ่มที่
มุม 0 เรเดียนหรือ 0 องศา ที่จุดนี้ขนาดของ ัญญาณจะมีค่าเท่ากับศูนย์ เมื่อเกิดการเคลื่อนที่จะทา
ให้ขนาดของ ัญญาณค่อย ๆ เพิ่มค่าขึ้นตามมุมที่เปลี่ยนแปลง จนมี ค่า ูง ุดที่มุม /2 เรเดียนหรือ
90 องศา จากนั้นขนาดของ ัญญาณจะค่อย ๆ ลดลง จนมีค่าเท่ากับศูนย์ที่มุม  เรเดียนหรือ 180
องศา ขนาดของ ัญญาณในช่วงมุม 0 เรเดียนหรือ 0 องศาไปจนถึงมุม  เรเดียนหรือ 180 องศา
จะมีค่าที่เป็นบวก เมื่อ ัญญาณเคลื่อนที่ผ่านมุม  เรเดียนหรือ 180 องศา จะเข้า ู่ช่วงที่ขนาดของ
ัญญาณมีค่าลบ ซึ่งเกิดจากการเปลี่ยนทิศทางการไหลของกระแ เหนี่ยวนาหรือการ ลับขั้วของ
แรงเคลื่ อ นไฟฟ้ า เหนี่ ย วน า ขนาดของ ั ญ ญาณจะค่ อ ย ๆ ลดลงจนมี ค่ า ลบ ู ง ุ ด ที่ มุ ม 3/2
เรเดียนหรือ 270 องศา จากนั้นขนาดของ ัญญาณจะมีค่าเป็นลบน้อยลง จนมีค่าเป็นศูนย์ที่มุม 2
เรเดียนหรือ 360 องศา การเคลื่อนที่ครบ 1 รอบจึงหมายถึง ัญญาณเคลื่อนที่ครบ 2 เรเดียนหรือ
360 องศา จานวนครั้งในการเคลื่อนที่เป็นวงกลมครบรอบในเวลา 1 วินาที จะเรียกว่า ความถี่
เชิงมุม (Angular Frequency) หรือความเร็วเชิงมุม (Angular Velocity) ดังแ ดงใน มการที่ (8.3)
เมื่อ  หมายถึง ความถี่เชิงมุมหรือความเร็วเชิงมุมมีหน่วยเป็นเรเดียนต่อวินาที (Radian/s)
 = 2/T=2f (8.3)
Voltage
Vp
Vrms
Vav
180° Vp-p 360°

0° 90° 270° Degree
รูปที่ 8.11 ค่าแรงดันพื้นฐานแบบต่าง ๆ ของ ัญญาณคลื่นไซน์
8.4.3 แรงดัน ูง ุดหรือแรงดันค่ายอด (Peak Voltage: Vp)

เมื่อพิจารณาขนาดของ ัญญาณในรูปแบบของแรงดัน (หมายเหตุ เมื่อพิจารณาในรูปแบบ
ของกระแ ก็จะเป็นไปในทานองเดียวกัน กับการพิจารณาในรูปแบบของแรงดัน ) จะ ามารถหาค่า
แรงดัน ูง ุดหรือแรงดันค่ายอดของ ัญญาณคลื่นไซน์ได้จากการวัดค่าจากระดับอ้างอิงไปที่ค่า ูง ุดที่
อยู่ในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณ (Half-cycle) ค่าบวก นั่นก็คือที่ตาแหน่ง 90 องศา ดังแ ดงในรูปที่ 8.11
8.4.4 แรงดันชั่วขณะ (Instantaneous Voltage)

แรงดัน ณ ขณะเวลาใด ๆ หรือที่เรียกว่าแรงดันชั่วขณะของ ัญญาณคลื่นไซน์ จะ ามารถหา
ได้จาก มการที่ (8.4)
v (t ) VP sin( t) (8.4)
เมื่อ v(t) คือ แรงดันของ ัญญาณคลื่นไซน์ที่เวลา t วินาที, Vp คือแรงดัน ูง ุดของ ัญญาณคลื่นไซน์

และ  หมายถึง ความถี่เชิงมุม
ในกรณีที่เขียน มการแรงดันชั่วขณะของ ัญญาณคลื่นไซน์ในรูปแบบฟังก์ชันของมุม  จะ
ามารถแ ดงได้ดัง มการที่ (8.5)
v( ) VP sin( ) (8.5)
เมื่อ  หมายถึง มุมของ ัญญาณคลื่นไซน์ ในหน่วยองศาหรือเรเดียน

8.4.5 แรงดันค่ายอดถึงยอด (Peak to Peak Voltage: Vp-p)

แรงดันค่ายอดถึงยอดจะวัดจากแรงดัน ูง ุด หรือแรงดันค่ายอดในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณค่า
บวกไปที่แรงดันต่า ุดในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณค่าลบ ดังแ ดงในรูปที่ 8.11 จะเห็นได้ว่าแรงดันค่า
ยอดถึงยอดจะมีค่าเป็น องเท่าของแรงดันค่ายอด และจะแ ดงดัง มการต่อไปนี้
Vp-p = 2Vp (8.6)
8.4.6 แรงดันค่าเฉลี่ย (Average Voltage: Vav)

เนื่ องจากค่าที่อยู่ ในครึ่ งรอบ ั ญญาณค่าบวกและครึ่งรอบ ั ญญาณค่า ลบจะมีค่า เท่ากัน
ต่างกันเพียงแค่เครื่องหมาย ดังนั้น เมื่อหาค่าเฉลี่ยในหนึ่งรอบ ัญญาณจะได้ ค่าเท่ากับศูนย์ ซึ่งไม่มี
ประโยชน์ในการน าไปใช้ ในที่นี้ แรงดันค่าเฉลี่ ย จึง หมายถึง ค่าเฉลี่ ยของแรงดันในช่วงครึ่งรอบ
ัญญาณค่าบวกเท่านั้น ในการหาค่าเฉลี่ยจะกาหนดจานวน ่วนแบ่งของมุมขึ้นมา หากแบ่งละเอียด
มากขึ้นก็จะทาให้ได้ค่าแรงดันเฉลี่ยที่ใกล้เคียงกับความเป็นจริงมากขึ้น จากนั้นหาแรงดันชั่วขณะที่มุม
่วนแบ่งต่าง ๆ แล้วนาผลลัพธ์ทั้งหมดมาบวกกันแล้วหารด้วยจานวน ่วนแบ่งของมุม ที่ได้กาหนดขึ้น
ดังแ ดงใน มการที่ (8.7) เมื่อ N เท่ากับจานวน ่วนแบ่งของมุม และ Vi หมายถึง ค่าแรงดันชั่ว
ขณะที่ ่วนแบ่งมุมลาดับที่ i ตาม มการที่ (8.5)
N
Vi
Vav  i 1 (8.7)
N
มมติกาหนดให้ N เท่ากับ 36 ดังนั้น ่วนแบ่งมุมจะเท่ากับ 180°/36 = 5° ่วนแบ่งมุม

ลาดับที่ 1 จะอยู่ที่ 5°, ่วนแบ่งมุมลาดับที่ 2 จะอยู่ที่ 10°, ่วนแบ่งมุมลาดับที่ 3 จะอยู่ที่ 15° เป็น
เช่นนี้ไปเรื่อย ๆ จนถึง ่วนแบ่งมุมลาดับที่ 36 จะอยู่ที่ 180° ดังนั้น
Vp (sin5  sin10  sin15  ...  sin180 )

Vav 
36
Vav  0.636Vp (8.8)
มการที่ (8.8) จะพบว่าแรงดันค่าเฉลี่ยจะประมาณ 63.6% ของแรงดันค่ายอด

อีกวิธีหนึ่งที่ ามารถใช้หาแรงดันค่าเฉลี่ยของ ัญญาณคลื่นไซน์ คือการอินทิเกรตเทียบกับ

เวลาในช่วงเวลาตั้งแต่ 0 ถึง T/2 แล้วหารด้วยค่า T/2 เพื่อหาค่าเฉลี่ย ดัง มการต่อไปนี้
1 T /2
Vav   v (t )dt (8.9)
T /2 0
จากนั้นแทนค่า v t VP sin t ซึ่งได้จาก มการที่ (8.4) และ T = 2/ ลงใน มการที่

(8.9) จะได้
1 2 /2
Vav   Vp sintdt
2 / 2 0
Vp  /
  sintdt
 0
V
 p   cost 0 /

V
 p   cos  1

ดังนั้นจะได้
2Vp
Vav  (8.10)

เนื่องจาก 2 /   0.636 ดังนั้นจะได้ Vav  0.636Vp ซึ่งมีค่าเท่ากับการหาแรงดัน

ค่าเฉลี่ยด้วยวิธีแรก และแรงดันค่าเฉลี่ยเปรียบเทียบกับแรงดันพื้นฐานอื่น ๆ แ ดงในรูปที่ 8.11
8.4.7 แรงดันประ ิทธิผล (Effective Voltage: Veff) และแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย (Root

Mean Square Voltage: Vrms)
แรงดัน ประ ิทธิผ ลใช้อ้างถึงความ ามารถของแหล่ งจ่ายแรงดันกระแ ลับในการป้อน
ให้กับตัวต้านทานเทียบกับการป้อนด้วยแหล่งจ่ายแรงดันกระแ ตรง การพิจารณาจะให้กาลังที่เกิด
ขึ้นกับตัวต้านทานจากแหล่งจ่ายทั้ง องมีค่าเท่ากัน อันดับแรกหากาลังเฉลี่ยที่เกิดขึ้นกับตัวต้านทาน
จากแหล่งจ่ายแรงดันกระแ ลับ ด้วย มการต่อไปนี้
1 T V 2 (t )
P  dt (8.11)
T0 R
และหากาลังที่เกิดขึ้นกับตัวต้านทานจากแหล่งจ่ายแรงดันกระแ ตรง ด้วย มการต่อไปนี้
Veff2
P (8.12)
R
จากนั้ น ให้ ก าลั ง จากแหล่ ง จ่ า ยแรงดั น ทั้ ง องมี ค่ า เท่ า กั น จะ ามารถหาแรงดั น ประ ิ ท ธิ ผ ลได้
Veff2 1 T V 2 (t )
  dt
R T0 R
1T 2
Veff   V (t )dt
2
T0
1T 2
Veff   V (t )dt (8.13)
T0
จาก มการที่ (8.13) จะเห็นได้ว่าแรงดันประ ิทธิผลมีค่าเท่ากับแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย

เนื่องจากการหาค่ารากกาลัง องเฉลี่ยจะเริ่มจากการยกกาลัง องของแรงดันกระแ ลับ จากนั้นหา
ค่าเฉลี่ยของแรงดันกระแ ลับยกกาลัง องด้วยการหารด้วยคาบเวลาของ ัญญาณ และ ุดท้ายจึง
หารากที่ องของค่าเฉลี่ยยกกาลัง อง ดังนั้นจะ รุปได้ว่า
1T 2
Veff  Vrms   V (t )dt (8.14)
T0
การหาแรงดัน ค่า รากกาลั ง องเฉลี่ ยของ ั ญญาณคลื่ นไซน์ จะเริ่มพิจ ารณาจาก มการ
ความ ัมพันธ์ระหว่างฟังก์ชันไซน์กาลัง องและฟังก์ชันโคไซน์ ดังต่อไปนี้
sin2 x  12 (1  cos2 x ) (8.15)

ดังนั้นเมื่อนา v t VP sin t ไปยกกาลัง อง และใช้ความ ัมพันธ์จาก มการที่ (8.15) จะได้
1
v 2 (t )  Vp 2 1  cos2t  (8.16)
2
จากนั้นนาค่า v 2  t  จาก มการที่ (8.16) ไปแทนค่าใน มการที่ (8.14) พร้อมกับกาหนดให้ T =

2/ จะได้
 2  / 2 1
Vrms   Vp 1  cos2t dt
2 0 2
Vp 2 2 /
  1  cos2t d 2t
8 0
Vp 2
 2t  sin2t 20 /
8
Vp 2
 4  sin4 
8
Vp 2
 4 
8
Vp 2

2
ดังนั้นจะได้ Vrms ดังแ ดงใน มการต่อไปนี้
Vp
Vrms  (8.17)
2
เนื่องจาก 1 / 2  0.707 ดังนั้น
Vrms = 0.707Vp (8.18)

แรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย เป็น 70.7 เปอร์เซ็นต์ของแรงดันค่ายอด แรงดันค่ารากกาลัง

องเฉลี่ยเมื่อเปรียบเทียบกับแรงดันพื้นฐานต่าง ๆ แ ดงอยู่ในรูปที่ 8.11
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 8.2 ัญญาณคลื่นไซน์จานวน 4 ลูกคลื่นดังรูปที่ 8.1 มีระยะเวลาทั้งหมด 0.25 วินาที
จงหาคานวณหา
ก) แรงดันค่ายอด
ข) แรงดันค่ายอดถึงยอด
ค) แรงดันค่าเฉลี่ย
ง) แรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย
จ) คาบ
ฉ) ความถี่
ช) แรงดันชั่วขณะที่เวลา 0.1 วินาที และ
ซ) แรงดันชั่วขณะที่มุม 25 องศา
Voltage
5
Time (sec)
y=-sinx, x∊[0,2π]
0.25
รูปที่ 8.12 ัญญาณคลื่นไซน์ าหรับตัวอย่างที่ 8.1
วิธีทา ก) หาแรงดันค่ายอด Vp จากรูปที่ 8.12 แรงดันที่มีค่า ูง ุดเท่ากับ 5 V ดังนั้น
Vp = 5 V
ข) หาแรงดันค่ายอดถึงยอด ใช้ มการที่ (8.6) แทนค่า Vp = 5 V ลงไปใน มการ จะได้
Vp-p = 2Vp = 10 V
ค) หาแรงดันค่าเฉลี่ย ใช้ มการที่ (8.8) แทนค่า Vp = 5 V ลงไปใน มการ จะได้
Vav = 0.636Vp = 3.18 V
ง) หาแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย ใช้ มการที่ (8.18) แทนค่า Vp = 5 V ลงไป จะได้
Vrms = 0.707Vp = 3.535 V
จ) หาคาบ พิจาณาจาก ัญญาณคลื่นไซน์จานวน 4 ลูกคลื่น ใช้ระยะเวลา 0.25 วินาที ดังนั้น

ัญญาณคลื่นไซน์ 1 ลูกคลื่นจะใช้เวลา 0.25/4 = 0.0625 วินาที หรือ 62.5 มิลลิวินาที จะได้คาบ
เท่ากับ
T = 62.5 ms
ฉ) หาความถี่ แก้ มการที่ (8.2) เพื่อหาความถี่ จะได้
f = 1/T (8.19)
แทนค่า T = 62.5 ms ลงใน มการที่ (8.19) จะได้
f = 1/0.0625 = 16 Hz
ช) หาแรงดันชั่วขณะที่เวลา 0.1 วินาที อันดับแรกใช้ มการที่ (8.3) หาค่าความถี่เชิงมุม

แทนค่า f = 16 Hz ลงไปจะได้
2 16 = 100.53 rad/s
จากนั้นใช้ มการที่ (8.4) หาค่าแรงดันชั่วขณะที่เวลา 0.1 วินาที แทนค่า t = 0.1 s, Vp = 5 V และ

 = 100.53 rad/s ลงใน มการ จะได้
v (0.1) 5sin(100.53 0.1) = -2.938 V

ซ) หาแรงดันชั่วขณะที่มุม 25 องศา ใช้ มการที่ (8.5) แทนค่า = 25 จะได้
v (25 ) 5sin(25 ) 2.113 V

____________________________________________________________________
8.4.8 ฟอร์มแฟกเตอร์ (Form Factor)

ฟอร์ มแฟกเตอร์ เ ป็ น ค่าที่ ใช้บ อกถึ งรู ปร่า งที่แ ท้จริ งของ ั ญญาณกระแ ลั บ หาได้ จาก
อัตรา ่วนระหว่างแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ยและแรงดันค่าเฉลี่ย ดัง มการ
FF = Vrms/Vav (8.20)
กรณีของ ัญญาณกระแ ลับ เป็น ัญญาณรูปไซน์บริ ุทธิ์ ซึ่งเป็น ัญญาณไซน์ที่มีเฉพาะ

ความถี่มูลฐาน (Fundamental Frequency) ความถี่เดียวโดยไม่มีความถี่ฮาร์โมนิก ์รวมอยู่ด้วย จะ
ามารถหาฟอร์มแฟกเตอร์ได้โดยการแทนแรงดันค่าเฉลี่ยจาก มการที่ (8.8) และแรงดันค่ารากกาลัง
องเฉลี่ยจาก มการที่ (8.18) ลงใน มการที่ (8.20) จะได้
FF = 0.707Vp/0.636Vp
FF = 1.11 (8.21)
จาก มการที่ (8.21) ามารถ รุปว่า ัญญาณที่เป็นรูปไซน์บริ ุทธิ์จะมีค่าฟอร์มแฟกเตอร์

เท่ากับ 1.11 ถ้าได้ค่าอื่นนอกเหนือจากนี้แ ดงว่า ัญญาณกระแ ลับนั้นไม่ใช่ ัญญาณรูปไซน์
บริ ุทธิ์
นอกจากนี้ค่าฟอร์มแฟกเตอร์ยัง ามารถนาไปคานวณหาค่าแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ยของ
โวลต์มิเตอร์กระแ ลับที่ออกแบบจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี เนื่องจากเครื่องมือวัดดังกล่าว
ได้รับการออกแบบมา าหรับใช้วัด ัญญาณกระแ ตรง เมื่อนามาวัด ัญญาณกระแ ลับ ต้องผ่านตัว
เรียงกระแ แต่ ัญญาณที่ได้ก็ยังไม่ใช่ ัญญาณกระแ ตรงที่แท้จริง ค่าที่แ ดงออกมาก็จะยังเป็นค่า
แรงดันเฉลี่ยของ ัญญาณที่ป้อนเข้าไป จึงต้องนาค่าฟอร์มแฟกเตอร์ที่ คานวณได้ไปคูณกับค่าแรงดัน
เฉลี่ยที่เครื่องมือวัดนั้นแ ดงผลออกมา ก็จะได้ค่าแรงดันประ ิทธิผลที่แท้จริง หรืออีกวิธีการหนึ่ง
ามารถปรับเทียบ เกลของเครื่องมือวัดให้ เกลแ ดงค่าที่ได้รับการปรั บเทียบเป็นแรงดัน ค่าราก
กาลัง องเฉลี่ยเรียบร้อยแล้ว
8.4.9 เคร ต์แฟกเตอร์ (Crest Factor)

เช่นเดียวกับฟอร์มแฟกเตอร์ เคร ต์แฟกเตอร์ก็ใช้แ ดงถึงรูปร่างที่แท้จริงของ ัญญาณ
กระแ ลับ หาได้จากอัตรา ่วนระหว่างแรงดันค่ายอดและแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย ดังนี้
CF = Vp/Vrms (8.22)
กรณีของ ัญญาณกระแ ลับเป็น ัญญาณรูปไซน์บริ ุทธิ์ จะ ามารถหาเคร ต์แฟกเตอร์ได้

โดยการแทนแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ยจาก มการที่ (8.18) ลงใน มการที่ (8.22) จะได้
CF = Vp/0.707Vp
CF = 1.414 (8.23)
จาก มการที่ (8.23) รุปว่า ัญญาณรูปไซน์บริ ุทธิ์จะมีค่าเคร ต์แฟกเตอร์เท่ากับ 1.414

____________________________________________________________________
1. จงคานวณหาแรงเคลื่อนไฟฟ้าเหนี่ยวนาบนลวดตัวนาที่เคลื่อนที่ตัดผ่าน นามแม่เหล็กที่มี
ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็กเท่ากับ 2 Wb/m2 กาหนดให้ความยาวลวดตัวนาเท่ากับ 30
cm เคลื่อนที่ด้วยความเร็วเท่ากับ 0.1 m/s และมุมระหว่างทิศทางของ นามแม่เหล็กกับทิศ
ทางการเคลื่อนที่ของลวดตัวนาเท่ากับ 30 องศา
2. จงอธิบายหลักการทางานของเครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแ ลับ
3. จงอธิบายความหมายของฟอร์มแฟกเตอร์
4. จงอธิบายความหมายของเคร ต์แฟกเตอร์
5. ัญญาณคลื่นไซน์จานวน 10 ลูกคลื่น มีระยะเวลาทั้งหมด 5 วินาที จงหาคานวณหา
ก) แรงดันค่ายอด
ข) แรงดันค่ายอดถึงยอด
ค) แรงดันค่าเฉลี่ย
ง) แรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย
จ) คาบ
ฉ) ความถี่
ช) แรงดันชั่วขณะที่เวลา 0.5 วินาที และ
ซ) แรงดันชั่วขณะที่มุม 45 องศา
บรรจง จันทมาศ. (2554). ทฤษฎีวงจรไฟฟ้ากระแ ลับ. มาคม ่งเ ริมเทคโนโลยี (ไทย-ญี่ปุ่น).
http://en.wikipedia.org/wiki/Crest_factor
http://en.wikipedia.org/wiki/Form_factor_%28electronics%29
http://www.ep2000.com/templates/white%20papers/CrestFactorEP.pdf
ไดโอดและการประยุกต์ใช้ในตัวเรียงกระแ
9.1 บทนา
9.2 ่วนประกอบของไดโอด
9.3 รอยต่อพีเอ็นและบริเวณปลอดพาหะ
9.4 การไบแอ ไดโอด
9.5 คุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอด
9.6 การหากระแ และแรงดันของวงจรไดโอดด้วยวิธีวาดเ ้นโหลด
9.7 แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอด
9.7.1 การหาค่าความชันของกราฟเ ้นตรงและการหาตาแหน่งจุดแยก
9.8 การประยุกต์ใช้ไดโอดในตัวเรียงกระแ
9.8.1 การประยุกต์ใช้ไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น
9.8.2 ค่าเฉลี่ยของแรงดันเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น
9.8.3 ค่าเฉลี่ยของกระแ เอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น
9.8.4 การประยุกต์ใช้ไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์
9.8.5 ค่าเฉลี่ยของแรงดันเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์
9.8.6 ค่าเฉลี่ยของกระแ เอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจ ่วนประกอบของไดโอด รอยต่อพีเอ็น และบริเวณปลอดพาหะ
2. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจชนิดของการไบแอ ไดโอด
3. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอด และ ามารถ
คานวณหาค่ากระแ อิ่มตัว
4. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการหากระแ และแรงดันของวงจรไดโอดด้วยวิธีวาดเ ้นโหลด
5. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอด การหาค่าความชันของ
กราฟ และการหาตาแหน่งจุดแยก
6. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการประยุกต์ใช้ไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบต่าง ๆ และการ
วิเคราะห์ทางคณิตศา ตร์
เอก ารประกอบการ อนวิชาเครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า

บทที่ 9
ไดโอดและการประยุกต์ใช้ในตัวเรียงกระแ
(Diode and Its Application in Rectifiers)
9.1 บทนา
เนื่องจากเครื่องมือวัดพีเอ็มเอ็มซีได้รับการออกแบบมา าหรับวัดไฟฟ้ากระแ ตรง การนามา
วัดไฟฟ้ากระแ ลับโดยตรงจะทาไม่ได้ จึงต้องอาศัยตัวเรียงกระแ (Rectifier) ซึ่งบังคับกระแ ให้
ไหลได้ในทิศทางเดียว ตัวเรียงกระแ จึงทาหน้าที่เปลี่ยนไฟฟ้ากระแ ลับให้เป็นไฟฟ้ากระแ ตรง
ไดโอดเป็น ่วนประกอบที่ าคัญของวงจรของตัวเรียงกระแ และเป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิก ์แบบไม่
เป็นเชิงเ ้นที่มีความ าคัญอย่างมากในวงจรไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิก ์ประเภทอื่น ๆ หัวข้อนี้จึงจะได้
อธิบาย ่วนประกอบของไดโอด รอยต่อพีเอ็นและบริเวณปลอดพาหะ การไบแอ ไดโอด คุณลักษณะ
กระแ และแรงดันของไดโอด การหากระแ และแรงดันของไดโอดด้วยวิธีวาดเ ้นโหลด แบบจาลอง
เชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอด จากนั้นจึงจะได้อธิบายการประยุกต์ไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบต่าง ๆ
9.2 ่วนประกอบของไดโอด (Diode Construction)

ไดโอด ร้างจาก ารกึ่งตัวนา (Semiconductor) เช่น ซิลิคอน (Silicon: Si) เจอเมเนียม
(Germanium) ไดโอดประกอบด้วยขั้ว 2 ขั้ว ได้แก่
1) ขั้วแอโนด (Anode: A) เกิดจากการเจือปน (Doping) ธาตุบางชนิด เช่น ฟอ ฟอรั
(Phosphorus: P) เข้าไปใน ารกึ่งตัวนาบริ ุทธิ์เพื่อเพิ่มจานวนอิเล็กตรอนในแถบนา
ไฟฟ้า (Conduction Band) ของ ารกึ่งตัวนาบริ ุทธิ์ และหลังการเจือปนจะได้ ารกึ่ง
ตัวนาที่ไม่บริ ุทธิ์ เรียก ารชนิดนี้ว่า ารกึ่งตัวนาชนิดเอ็น (N-Type Semiconductor)
เมื่อ เอ็น (N) ย่อมาจากคาว่า ประจุลบ (Negative Charge) ในภาษาอังกฤษ เนื่องจาก
การเพิ่มจานวนอิเล็กตรอนเป็นการเพิ่มประจุลบ
2) ขั้วแคโทด (Cathode: K) เกิดจากการเจือปนธาตุบางชนิด เช่น แกลเลียม (Gallium:
Ga) เข้าไปใน ารกึ่งตัวนาบริ ุทธิ์เพื่อเพิ่มจานวนโลล (Hole) และจะเรียก ารชนิดนี้ว่า
ารกึ่งตัวนาชนิดพี (P-Type Semiconductor) เมื่อ พี (P) ย่อมาจากคาว่า ประจุบวก
(Positive Charge) ในภาษาอังกฤษ เนื่องจากการเพิ่มจานวนโลลเ มือนเพิ่มประจุบวก
9.3 รอยต่อพีเอ็นและบริเวณปลอดพาหะ (PN and Depletion Regions)

ารกึ่งตัวนาชนิดพีหรือชนิดเอ็นเพียงชนิดเดียวจะมีคุณ มบัติต้านทานการไหลของกระแ
แต่เมื่อนา ารทั้ง องชนิดมาเชื่อมต่อกันจะเกิดรอยต่อระหว่าง ารกึ่งตัวนา เรียกรอยต่อนี้ว่า รอยต่อ
พีเอ็น อิเล็กตรอนบาง ่วนใน ารกึ่งตัวนาชนิดเอ็นจะ ามารถเคลื่อนที่ข้ามรอยต่อไปรวมกับโลลใน

ารกึ่งตัวนาชนิดพีทาให้ จับกันเป็นพันธะที่ไม่มีพาหะนาไฟฟ้า ผลจะทาให้เกิดบริเวณปลอดพาหะ
(Depletion Region) บริเวณรอยต่อพีเอ็นดังแ ดงในรูปที่ 9.1 บริเวณปลอดพาหะนี้จะไม่ขยายตัว
เนื่องจากอะตอมของ ารกึ่งตัวนาชนิดเอ็นเมื่อ ูญเ ียอิเล็กตรอนจะกลายเป็นไอออนบวก ขณะที่
อะตอมของ ารกึ่งตัวนาชนิดพีเมื่อรับอิเล็กตรอนเข้ามาจะกลายเป็นไอออนลบ ทาให้เกิดศักย์ขวาง
กั้น (Barrier Potential) ไม่ให้อิเล็กตรอนอื่น ๆ ข้ามบริเวณปลอดพาหะนี้ไปได้ บริเวณปลอดพาหะ
จึงมี ภาพเป็นฉนวน
Depletion
Region
P-type N-type
Cathode Anode
PN Junction
รูปที่ 9.1 รอยต่อพีเอ็นและบริเวณปลอดพาหะ
9.4 การไบแอ ไดโอด (Diode Biasing)

การไบแอ ไดโอด คือ การป้อนแรงดันภายนอกเข้าไปที่ขั้วทั้ง องของไดโอด แบ่งเป็น 2 วิธี
คือ การไบแอ ไปหน้า (Forward Bias) และการไบแอ ย้อนกลับ (Reverse Bias)
การไบแอ ไปหน้า ขั้วบวกของแรงดันภายนอกจะต่อเข้าไปที่ขั้วแคโทด ่วนขั้วลบจะต่อเข้า
ไปที่ขั้วแอโนด ดังแ ดงในรูปที่ 9.2 ศักย์ไฟฟ้าบวกของแรงดันภายนอกจะผลักโลลที่อยู่ใน ารกึ่ง
ตัวนาชนิดพีให้เคลื่อนที่ไปยังรอยต่อพีเอ็น ่วนศักย์ไฟฟ้าลบของแรงดันภายนอกจะผลักอิเล็กตรอน
ให้เคลื่อนไปยังรอยต่อพีเอ็นเช่นกัน ทาให้บริเวณปลอดพาหะแคบลง หากศักย์ไฟฟ้าที่ป้อนมีค่า ูง
กว่าศักย์ขวางกั้น พื้นที่ปลอดพาหะก็จะพังทลายทาให้เกิดกระแ ไหลผ่านรอยต่อพีเอ็น
210 บทที่ 9 ไดโอดและการประยุกต์
P-type N-type
Cathode Anode
R PN Junction
I
V
รูปที่ 9.2 การไบแอ ไปหน้า
Depletion Region
P-type N-type
Cathode Anode
PN Junction
V
รูปที่ 9.3 การไบแอ ย้อนกลับ
การไบแอ ย้อนกลับ ขั้วบวกของแรงดันภายนอกจะต่อเข้าที่ขั้วแอโนด ขณะที่ขั้วลบต่อเข้าที่

ขั้วแคโทด ดังแ ดงในรูปที่ 9.3 ศักย์ไฟฟ้าบวกจะดึงอิเล็กตรอนใน ารกึ่งตัวนาชนิดเอ็นให้ออกห่าง
จากรอยต่อพีเอ็น ่ว นศักย์ไฟฟ้าลบจะดึงโลลใน ารกึ่งตัวนาชนิดพีให้อ อกห่างจากรอยต่อพีเอ็น
เช่นกัน ทาให้บริเวณปลอดพาหะกว้างขึ้น และจะทาให้ไม่มีกระแ ไหลผ่านไดโอด
9.5 คุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอด (Characteristics of diodes)

ความ ัมพันธ์ระหว่างกระแ ที่ไหลผ่านไดโอดและแรงดันที่ตกคร่อมไดโอดในช่วงไบแอ ไป
หน้าจะแ ดงได้ดัง มการที่ (9.1)
v
VT
i IS (e 1) (9.1)
แก้ มการที่ (9.1) เพื่อหาความ ัมพันธ์ระหว่างแรงดันตกคร่อมไดโอดและกระแ ที่ไหลผ่าน

ไดโอด จะได้ มการต่อไปนี้
i
v VT ln 1 (9.2)
IS
เมื่อ i คือ กระแ ที่ไหลผ่านไดโอด,

v คือ แรงดันตกคร่อมไดโอด,
I S คือ กระแ อิ่มตัว (Saturation current) ซึง่ ขึ้นอยู่กับหลายปัจจัย เช่น อุณหภูมิ
ัมบูรณ์ของรอยต่อพีเอ็น ค่าแรงดันเชิงความร้อน พื้นที่หน้าตัดของรอยต่อพี
เอ็น แม้ว่าค่า I S จะต่ามากแต่ก็มีความ าคัญ อย่างยิ่งต่อการหาความ ัมพันธ์
ระหว่างกระแ และแรงดัน จะได้อธิบายวิธีการหากระแ I S ต่อไป,
คือ ัมประ ิทธิ์การปล่อย (Emission coefficient) มีค่าอยู่ระหว่าง 1 ถึง 2
หากเป็นไดโอดชนิดซิลิคอนที่ไม่ได้ ร้างให้อยู่ในรูปแบบของวงจรรวมจะมีค่า
2 แต่ถ้าอยู่ในรูปแบบวงจรรวมจะมีค่า 1,
VT คือ แรงดันเชิงความร้อน (Thermal voltage) เมื่อ VT kT / q ,
k คือค่าคงตัวโบลต์ซมันน์ มีค่าเท่ากับ 1.3806 x 10-23 จูลต่อเคลวิน,
T คืออุณหภูมิ ัมบูรณ์ในหน่วยเคลวินของรอยต่อพีเอ็น,
q คือค่าประจุไฟฟ้าของอิเล็กตรอน มีค่าเท่ากับ 1.6021 x 10-19 คูลอมบ์
0.9
0.8
0.7
0.6
i (Ampere) 0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
00 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
v (volts)
รูปที่ 9.4 ตัวอย่างกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดเมื่อกาหนดให้
VT = 0.0259 V, 2 และ I S 60 10 9 A
รูปที่ 9.4 แ ดงความ ัมพันธ์ระหว่างแรงดันและกระแ ของไดโอดที่ได้จากการคานวณด้วย

มการที่ (9.2) เมื่อกาหนดให้ T = 300 K จะทาให้ VT = 0.0259 V, 2 และ I S 60 10 9
A จากรูปจะเห็นว่าในช่วงแรงดันที่ตกคร่อมไดโอดมี ค่าต่ากว่าประมาณ 0.6 V จะไม่มีกระแ ไหล
ผ่านไดโอด แต่เมื่อแรงดันมีค่ามากกว่าประมาณ 0.6 V จะเริ่มมีกระแ ไหลผ่านไดโอด หลังจากนี้จะ
พบว่าเมื่อเพิ่มแรงดันขึ้นอีกเพียงเล็กน้อยจะทาให้ กระแ ูงค่าขึ้นอย่างรวดเร็ว อันเป็นลักษณะกราฟ
แบบเอกซ์โพเนนเชียล จากรูปจะเห็นว่า กราฟของกระแ จะ ูง ขึ้นอย่างรวดเร็วที่ตาแหน่งแรงดัน
ประมาณ 0.7 V ในทางปฏิบัติจึงจาเป็นต้องต่อตัวต้านทานอนุกรมกับไดโอดเพื่ อจากัดไม่ให้กระแ
ไหลผ่านไดโอดมากเกินไป จนทาให้ไดโอดเ ียหายจนไม่ ามารถใช้การได้ นอกจากนั้นจะ ังเกตได้ว่า
กราฟจะมีลักษณะโค้ง ในช่วงที่กระแ มีค่าต่า หมายถึง ความ ัมพันธ์ระหว่างกระแ และแรงดัน
ในช่วงนี้จะไม่เป็นเชิงเ ้น แต่เมื่อกระแ มีค่า ูงขึ้นกราฟจะมีลักษณะเป็นเ ้นตรงเพิ่มขึ้น หมายถึง
ความ ัมพันธ์ระหว่างกระแ และแรงดันจะเป็นเชิงเ ้น ช่วงความ ัมพันธ์ที่เป็นเชิงเ ้นนี้จะเป็นช่วง
การทางานที่เหมาะกับการนาไดโอดไปประยุกต์กับไฟฟ้ากระแ ลับ เนื่องจากในช่วงที่เป็นเชิงเ ้น
รูปร่างของกระแ จะ อดคล้องกับรูปร่างของแรงดัน ทาให้ ัญญาณที่ได้ไม่เกิดความผิดเพี้ยนมาก
เท่ากับช่วงที่ไม่เป็นเชิงเ ้น
จากที่ได้ กล่ าวว่ าค่ากระแ อิ่มตั ว I S เป็น พารามิ เตอร์ที่ มีความ าคัญอย่ างยิ่ง ต่ อการหา
ความ ัมพันธ์ระหว่างกระแ และแรงดัน ในทางปฏิบัติจะ ามารถหาค่า I S ได้จากกราฟคุณลักษณะ
กระแ และแรงดันที่แ ดงอยู่ในแผ่นข้อมูล (Data sheet) ของอุปกรณ์ไดโอดที่บริษัทผู้ผลิตให้มาโดย
การป้อนค่ากระแ และแรงดันที่ได้จากกราฟลงไปใน มการที่ (9.1) ดังตัวอย่างต่อไปนี้
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 9.1 จากกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดเรียงกระแ เบอร์ 1N400X ใน
รูปที่ 9.5 จงคานวณหาค่ากระแ อิ่มตัว
รูปที่ 9.5 กราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดเบอร์ 1N400X ใน เกลลอการิทึม
วิธีทา จาก มการ VT kT / q ที่อุณหภูมิ 25C หรือ 298.15 K จะได้
VT = 0.0257 V
ไดโอดทาด้วยซิลิคอนและไม่ได้อยู่ในรูปแบบวงจรรวม ดังนั้น 2 และจากกราฟในรูปที่ 9.5 ที่

ตาแหน่ง v = 0.8 V จะได้ i ≅ 0.25 A จากนั้นแทนค่าตัวแปรทั้งหมดลงไปใน มการที่ (9.1) จะได้
0.8
0.25 IS (e 2 0.0257
1) (9.3)
แก้ มการที่ (9.3) เพื่อหาค่าของ Is จะได้
0.8
I S 0.25 / ( e 1) 43.5 10 9 A
2 0.0257
____________________________________________________________________
จากตัวอย่างที่ 9.1 จะเห็นว่าค่ากระแ อิ่มตัว ามารถหาได้จากแผ่นข้อมูล อย่างไรก็ตาม

ข้อมูลที่ปรากฏในแผ่นข้อมูลเป็นข้อมูลที่ได้จากการทดลองในห้องทดลองภายใต้อุณหภูมิ ที่กาหนด
โดยทั่วไปจะกาหนดที่ 25C ซึ่งถือเป็นอุณหภูมิห้องของต่างประเทศ าหรับในประเทศไทยจะมี
อุณหภูมิห้องอยู่ในช่วง 30C±2C ซึ่งแตกต่างจากอุณหภูมิห้องของต่างประเทศ ดังจะเห็นจากค่า
VT = 0.0257 V ที่ 25C แต่ที่ 30C ค่า VT = 0.0261 V มีความแตกต่างกันประมาณ 1.5%
เนื่ อ งจากความแตกต่ า งของอุ ณ หภู มิ นี้ จ ะมี ผ ลกั บ ค่ า กระแ อิ่ ม ตั ว ดั ง นั้ น ในกรณี ที่ ต้ อ งการหา
ค่ากระแ อิ่มตัวที่ถูกต้องของไดโอดที่ใช้งานในประเทศไทย อาจต้องใช้วิธีการวาดกราฟคุณลักษณะ
กระแ และแรงดันที่ได้จากการทดลองภายใต้อุณหภูมิห้องของประเทศไทย
ในกรณีกระแ ที่ไหลผ่านไดโอดมีค่ามากกว่าค่ากระแ อิ่มตัวมากๆ (i >> IS) จะ ามารถ
ประมาณ มการที่ (9.1) ได้ด้วย มการต่อไปนี้
v
VT
i IS (e ) (9.4)
จาก มการที่ (9.4) เมื่อกาหนดจุด องจุดลงบนกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดที่

ตาแหน่ง (v1, i1) และตาแหน่ง (v2, i2) จะ ามารถหา ัด ่วนระหว่างกระแ i2 และ i1 ได้ดังต่อไปนี้
v2 v1
i2 VT
e (9.5)
i1
เมื่อแก้ มการที่ (9.5) จะ ามารถหาความแตกต่างระหว่างแรงดัน v2 และ v1 ได้ด้วย มการที่ (9.6)

มการนี้จะใช้ในการหาแบบจาลองเชิงเ ้นแบบเป็นช่วงของไดโอดจากกราฟคุณลักษณะกระแ และ
แรงดัน ดังที่จะได้อธิบายต่อไป
i2
v v2 v1 VT ln (9.6)
i1
9.6 การหากระแ และแรงดันของวงจรไดโอดด้วยวิธีวาดเ ้นโหลด

เนื่ อ งจากไดโอดเป็ น อุ ป กรณ์ อิ เ ล็ ก ทรอนิ ก ์ ที่ ไ ม่ เ ป็ น เชิ ง เ ้ น ดั ง จะเห็ น ได้ จ ากกราฟ
คุณลักษณะกระแ และแรงดัน การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิก ์ที่มีไดโอดด้วยทฤษฎีวงจรเชิงเ ้นจึง
ไม่ ามารถใช้ได้ จึงต้องอาศัยการวิเคราะห์ด้วยวิธีการอื่น ๆ ในกรณีที่แหล่งจ่ายแรงดันของวงจรเป็น
แบบแหล่งจ่ายกระแ ตรง จะ ามารถใช้การวาดเ ้นโหลด (Load line) ลงไปบนกราฟคุณลักษณะ

กระแ และแรงดันของไดโอด วิธีการวาดเ ้นโหลด ามารถอธิบายได้ดังต่อไปนี้
i (Ampere)
RS ID
VS/RS
VS VD Q-point
ID
Load line
0 VD VS v (volts)
(ก) (ข)
รูปที่ 9.6 (ก) วงจรไดโอด (ข) เ ้นโหลดที่วาดลงบนกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอด
รูปที่ 9.6 (ก) แ ดงการต่ออนุกรมไดโอดเข้ากับแหล่งจ่ายกระแ ตรงที่มีแรงดัน VS และตัว

ต้านทานที่มีค่า RS เพื่อจากัดกระแ ID ที่จะไหลผ่านไดโอดและทาให้ไดโอดมีแรงดันตกคร่อมเท่ากับ
VD จากกฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ จะได้
VS ID RS VD (9.7)
เมื่อแก้ มการที่ (9.7) เพื่อหาค่าของกระแ ID จะได้
VS VD
ID (9.8)
RS
จาก มการที่ (9.7) และ (9.8) เมื่อกระแ ID = 0 จะทาให้ VS = VD และเมื่อ VD = 0 ทาให้

VS = IDRS และเมื่อหาค่ากระแ ID จะได้ ID = VS/RS ดังนั้น จะ ามารถวาดเ ้นตรงจากตาแหน่ง ID =
VS/RS ไปยังตาแหน่ง VD = VS บนกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอด เ ้นตรงนี้จะตัด
ผ่านกราฟคุณลักษณะของไดโอดที่จุด ๆ หนึ่ง เรียกว่า จุดคิว (Q-point) ดังแ ดงในรูปที่ 9.6 (ข)
ตัวอักษร คิว ในภาษาอังกฤษมาจากคาว่า ‘Quiescent’ ซึ่งหมายถึง งบนิ่ง คาว่า งบนิ่งนี้
หมายถึง การวิเคราะห์ไดโอดในวงจรที่ต่อกับแหล่งจ่ายกระแ ตรง จุดคิวนี้จะเป็นจุดทางานของ
ไดโอดที่เมื่อต่อไดโอดเข้ากับแหล่งจ่าย VS และมีตัวต้านทาน RS ในการจากัดกระแ จะมีกระแ ID
ไหลผ่านไดโอดและมี VD ตกคร่อมไดโอด
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 9.2 จากรูปที่ 9.6 (ก) กาหนดให้ VS = 5 V ตัวต้านทาน RS = 100  แรงดันเชิงความ
ร้อน VT = 0.0257 V กระแ อิ่มตัว IS = 43.5 nA และ ัมประ ิทธิ์การปล่อย  ≅ 2 จงหาค่า
แรงดันตกคร่อมและกระแ ไหลผ่านไดโอด ด้วยวิธีการวาดเ ้นโหลดลงบนกราฟคุณลักษณะกระแ
และแรงดันของไดโอด และใช้วิธีการคานวณซ้าเพื่อหาค่าที่ถูกต้อง
วิธีทา วาดกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดจากพารามิเตอร์ที่กาหนดให้ จากนั้นวาด

เ ้นโหลดบนกราฟคุณลักษณะดังกล่าว จะได้ดังรูปที่ 9.7 จากรูปจุดตัดระหว่างเ ้นกราฟหรือจุดคิว
ให้ค่า VD ≅ 0.7 V และ ID ≅ 0.042 A เพื่อหาค่าที่ถูกต้องจะใช้วิธีการคานวณซ้า เริ่มจากการหา
ค่ากระแ ID ด้วย มการที่ (9.8) แทนค่า VD = 0.7 V, Vs = 5 V และ RS = 100  จะได้
ID = (5-0.7)/100 = 0.043 A
จากนั้นใช้ มการที่ (9.2) หาค่าแรงดัน VD เมื่อกาหนดให้ ID = 0.043 A จะได้
0.043
VD 2 0.0257ln 9
1 0.7095 V
43.5 10
จากนั้นใช้ มการที่ (9.8) หาค่ากระแ ID แทนค่า VD = 0.7095 V, Vs = 5 V และ RS = 100 

ลงไป จะได้
ID = (5-0.7095)/100 = 0.043 A
จะเห็นว่าค่ากระแ ไม่เปลี่ยน ดังนั้น ามารถ รุปได้ว่า VD = 0.7095 V และ ID = 0.043 A

0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
ID (Ampere)
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
00 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
VD (volts)
รูปที่ 9.7 เ ้นโหลดบนกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดในตัวอย่างที่ 9.2
____________________________________________________________________
9.7 แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอด (Piecewise linear model of diode)

จากที่ได้อธิบายแล้วว่า กราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดแ ดงถึงความไม่เป็น
เชิงเ ้นของไดโอด การวิเคราะห์วงจรไดโอดด้วยทฤษฏีวงจรเชิงเ ้นจึงไม่ ามารถกระทาได้โดยตรง
จึงมีวิธีการวิเคราะห์ไดโอดอีกแนวทางหนึ่ง คือ การประมาณคุณลักษณะกระแ และแรงดันของ
ไดโอดไปเป็นแบบเชิงเ ้นด้วยการใช้แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วง เมื่อกราฟคุณลักษณะเปลี่ยนจาก
ลักษณะที่ไม่เป็นเชิงเ ้นไปเป็นแบบเชิงเ ้นแล้ว จะ ามารถใช้ทฤษฎีวงจรเชิงเ ้น ในการวิเคราะห์
วงจรที่มีไดโอดได้ หัวข้อนี้จึงจะได้อธิบายเกี่ยวกับแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอด แต่ก่อนที่
จะทาความเข้าใจเกี่ยวกับแบบจ าลองนี้จะได้อธิบายเกี่ยวกับแนวคิดของไดโอดอุดมคติ เนื่องจาก
ไดโอดอุดมคติเป็น ่วนประกอบหนึ่งของวงจรแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วง
i (Ampere)
Reverse bias Forward bias
0 v (volts)
รูปที่ 9.8 กราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดอุดมคติ

ไดโอดอุดมคติ หมายถึง ไดโอดทีใ่ นช่วงการไบแอ ย้อนกลับจะไม่มีกระแ ไหลผ่านตัวไดโอด

(i = 0 A) ่วนช่วงไบแอ ไปหน้าจะไม่มีแรงดัน ตกคร่อม (v = 0 V) กราฟคุณลักษณะกระแ และ
แรงดันของไดโอดอุดมคติ ามารถแ ดงได้ดังรูปที่ 9.8 จากรูปจะเห็นว่าจุดแยก (Break point) ของ
เ ้นกราฟจะอยู่ที่ตาแหน่ง i = 0 A และ v = 0 V จากนี้จะได้อธิบายเกี่ยวกับแบบจาลองเชิงเ ้นเป็น
ช่วง โดยใช้แผนภาพวงจรของแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอดในรูปที่ 9.9 (ก)
i i (Ampere)
Ideal Straight line

approximation
v RD Slope=1/RD Exponential
diode curve
VD0
0 VD0 v (volts)
(ก) (ข)
รูปที่ 9.9 (ก) แผนภาพวงจรของแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วง (ข) กราฟคุณลักษณะของแบบจาลอง
เชิงเ ้นเป็นช่วงเปรียบเทียบกับกราฟคุณลักษณะที่ไม่เป็นเชิงเ ้น
จากรูปที่ 9.9 (ก) วงจรแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงจะประกอบด้วย ไดโอดอุดมคติหนึ่งตัว

ตัว ต้านทานหนึ่ งตัว ที่มีค่ าเท่ากับ RD และแหล่ ง จ่ายแรงดัน กระแ ตรงหนึ่งตัว ที่มีค่ าเท่ากับ VD0
ดังนั้น เมื่อแรงดันที่ตกคร่อมวงจรมีค่าน้อยกว่าแหล่งจ่ายแรงดัน (v < VD0) จะเป็นช่วงไบแอ
ย้ อนกลั บ ท าให้ ไ ม่มี กระแ ไหลในวงจร แต่เ มื่อ แรงดั นที่ ตกคร่อ มวงจรมี ค่า มากกว่ าหรือ เท่ ากั บ
แหล่งจ่ายแรงดัน (v ≥ VD0) จะเป็นช่วงไบแอ ไปหน้าและจะเกิดกระแ ไหลในวงจร ามารถ
คานวณหากระแ ได้จาก มการ
i (v VD 0 ) / RD (9.9)
รูปที่ 9.9 (ข) แ ดงการเปรียบเทียบระหว่างกราฟคุณลั กษณะกระแ และแรงดันของ

แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงหรือกราฟเ ้นตรงและกราฟคุณลักษณะที่ไม่เป็นเชิงเ ้นหรือกราฟเ ้นโค้ง
จากรูปจุดแยกของกราฟอยู่ที่ตาแหน่ง v = VD0 ทางด้านซ้ายของจุดแยกจะเป็นช่วงไบแอ ย้อนกลับ
่วนทางด้านขวาของจุดแยกจะเป็นช่วงไบแอ ไปหน้า ความชันของเ ้นกราฟในช่วงไบแอ ไปหน้ามี
ค่าเท่ากับ 1/RD การหาค่าความชันของกราฟและการหาตาแหน่งจุดแยกที่ถูกต้องจะ ามารถ

ประมาณคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอดได้อย่างเหมาะ ม
i (Ampere)
i2
v2 v1
RD
i2 i1
i1
0
0
VD0
v1 v2 v (volts)
รูปที่ 9.10 การกาหนดจุดบนกราฟเ ้นโค้งเพื่อหาความชันของกราฟเ ้นตรงและตาแหน่งของจุดแยก
9.7.1 การหาค่าความชันของกราฟเ ้นตรงและการหาตาแหน่งจุดแยก

การหาค่าความชันของกราฟเ ้นตรงนั้นจะต้องกาหนดจุดบนกราฟเ ้นโค้งขึ้นมา องจุด จุด
แรกจะอยู่ทตี่ าแหน่ง (v1, i1) ่วนจุดที่ องจะอยู่ที่ตาแหน่ง (v2, i2) จากนั้นหาความชันของกราฟด้วย
ความ ัมพันธ์ 1/RD = (i2-i1)/(v2-v1) จะได้
RD = (v2-v1)/ (i2-i1) (9.10)
่วนจุดตัดของกราฟเ ้นตรงที่มีความชัน 1/RD กับแกน x ที่ตาแหน่ง i = 0 A จะเป็น

ตาแหน่งของจุดแยก รูปที่ 9.10 แ ดงการกาหนดจุดบนกราฟเ ้นโค้งเพื่อหาความชันของกราฟ
เ ้นตรงและตาแหน่งของจุดแยกที่เกิดขึ้นจากกราฟเ ้นตรง
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 9.3 จงหาแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอดจากกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดัน
ที่แ ดงในรูปที่ 9.11 ที่ตาแหน่งกระแ i1 = 0.002 A และกระแ i2 = 0.1 A เมื่อแรงดันเชิงความ
ร้อน VT = 0.0257 V กระแ อิ่มตัว IS = 43.5 nA และ ัมประ ิทธิ์การปล่อย  ≅ 2
0.014
0.012
0.01
i (Ampere) 0.008
0.006
0.004
0.002
00 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

v (volts)
รูปที่ 9.11 กราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันของไดโอด าหรับตัวอย่างที่ 9.3
วิธีทา ใช้ มการที่ (9.6) ในการหาความแตกต่างระหว่างแรงดันของตาแหน่งกระแ i1 = 0.002 A

และกระแ i2 = 0.1 A จะได้
0.1
v 2 0.0257ln 0.2011 V
0.002
จากนั้นหาค่าของตัวต้านทาน RD ด้วย มการที่ (9.10) จะได้
RD = 0.2011/(0.1-0.002) = 2.052 
และใช้ มการที่ (9.2) หาค่าของ v2 จะได้
0.1
v2 2 0.0257 ln 9
1 0.7529 V
43.5 10
และแก้ มการที่ (9.9) เพื่อหาค่าของ VD0 จะได้
VD0 = v2- i2RD = 0.7529-(0.1x2.052) = 0.5477 V

____________________________________________________________________
9.8 การประยุกต์ใช้ไดโอดในตัวเรียงกระแ (Diodes in Rectifiers)

ตัวเรียงกระแ ามารถแบ่งออกได้เป็น องชนิด ได้แก่ ตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น (Half-
wave Rectifier) และตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่น (Full-wave Rectifier) ตัวเรียงกระแ ทั้ง อง
ชนิดมีไดโอดเป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิก ์ที่ าคัญ ในหัวข้อนี้จะได้อธิบายการประยุกต์ใช้ไดโอดในตัว
เรียงกระแ ทั้ง องแบบ
Piecewise Linear Model
Ideal RD VD0
Vs(t) RL Vo(t) Vs(t) RL Vo(t)
(ก) (ข)
รูปที่ 9.12 (ก) ตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น และ (ข) การใช้แบบจาลองเชิงเ ้นแบบเป็นช่วงของ
ไดโอดในวงจรตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น
9.8.1 การประยุกต์ใช้ในตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น (Diodes in Half-Wave Rectifier)

วงจรของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น ามารถแ ดงได้ดังรูปที่ 9.12 (ก) จากรูปจะเห็นว่ามี
ไดโอดหนึ่งตัวต่ออนุกรมกับตัวต้านทานที่ทาหน้าที่เป็นโหลดหรือตัวต้านทาน RL และมีแหล่งจ่าย
กระแ ลั บ Vs(t) ต่ออยู่ที่ขั้วแอโนดของไดโอด ไดโอดจะอยู่ในช่วงไบแอ ไปหน้าจากการป้อน
แรงดันอินพุตจากแหล่งจ่ายกระแ ลับ ในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณค่าบวก ทาให้มีกระแ ไหลผ่านตัว
ต้านทาน RL ทาให้เกิดแรงดันเอาต์พุต Vo(t) ตกคร่อมที่ตัวต้านทาน แต่เมื่อแรงดันอินพุตจาก
แหล่งจ่ายกระแ ลับอยู่ในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณค่าลบ ไดโอดจะอยู่ในช่วงไบแอ ย้อนกลับทาให้ ไม่มี
กระแ ไหลในวงจร จะเห็นได้ว่าไดโอดทาหน้าทีบ่ ังคับให้กระแ ไหลได้ในทิศทางเดียว นั่นก็คือในช่วง
ครึ่งรอบ ัญญาณค่าบวกเท่านั้น จึงเรียกวงจรนี้ว่า ตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น
การวิเคราะห์ไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่นจะใช้แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วง ดังแ ดง
ในรูปที่ 9.12 (ข) จากรูปจะเห็นว่าเมื่อแรงดันอินพุตจากแหล่งจ่าย ัญญาณกระแ ลับมีค่าต่ากว่า
แรงดัน ัญญาณกระแ ตรง VD0 (Vs(t) ≤ VD0) จะทาให้แรงดันเอาต์พุตมีค่าเท่ากับศูนย์ แต่เมื่อแรงดัน
อินพุตมีค่ามากกว่าแรงดัน VD0 (Vs(t) > VD0) จะต้องใช้ทฤษฎีการทับซ้อน (Superposition) ในการ
วิเคราะห์หาค่าของแรงดันเอาต์พุตที่เกิด จากแหล่งจ่าย ัญญาณกระแ ลับ Vs(t) และแหล่งจ่าย
ัญญาณกระแ ตรง VD0 แรงดันเอาต์พุตที่เกิดจากแหล่งจ่าย ัญญาณกระแ ตรงและที่เกิดจาก
แหล่ งจ่าย ัญญาณกระแ ลับ ามารถแ ดงได้ดัง มการที่ (9.11) และ (9.12) ตามล าดับ
RL
VO (t ) VD 0 (9.11)
RL RD
RL
VO (t ) VS (t ) (9.12)
RL RD
เมื่อรวมแรงดันเอาต์พุตจากทั้ง องแหล่งจ่ายเข้าด้วยกัน จะแ ดงได้ดัง มการที่ (9.13)
RL
VO (t ) (VS (t ) VD 0 ) (9.13)
RL RD
RL
โดยปกติแล้ว RL>> RD ดังนั้น 1 ดังนั้น ามารถ รุปได้ว่า
RL RD
Vo (t ) Vs (t ) VD 0 (9.14)
เมื่อแหล่งจ่าย ัญญาณกระแ ลับกาเนิด ัญญาณคลื่นไซน์ Vs (t ) VP sin( t ) แรงดัน

เอาต์พุต Vo(t) ที่ได้จากตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่นเปรียบเทียบกับแรงดันอินพุตจากแหล่งจ่ายจะ
ามารถแ ดงได้ดังรู ป ที่ 9.13 จากรูปจะเห็ นว่าขนาดของ ั ญญาณเอาต์พุตจะต่ากว่าขนาดของ
ัญญาณอินพุตที่ค่าเท่ากับ VD0 โวลต์
Amplitude Vs(t)
Vo(t) VD0
time
รูปที่ 9.13 เปรียบเทียบ ัญญาณอินพุตกับ ัญญาณเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น

9.8.2 ค่าเฉลี่ยของแรงดันเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น

แรงดัน เอาต์พุต ของตั ว เรี ย งกระแ แบบครึ่งคลื่ นที่ตกคร่อมตัว ต้ านทาน RL นั้น จะเป็ น
แรงดัน ัญญาณกระแ ตรงที่ยังมีความพลิ้ว (Ripple) เมื่อพิจารณาค่าเฉลี่ยของแรงดันเอาต์พุตหรือ
แรงดัน ัญญาณกระแ ตรงนี้จะใช้ มการต่อไปนี้
1T
Vav  Vdc   Vo  t dt (9.15)
T0
จากนั้นแทนค่า Vo (t ) VP sin( t ) VD 0 และ T = 2/ ลงไปลงใน มการที่ (9.15) จะได้
1 2  /
Vav   Vp sint  VD 0 dt
2 /  0
1 2  /
  Vp sint  VD 0 dt
2 0
1  2  / 2  /
   Vp sintdt   VD 0 dt 
2  0 0 
1   /  2  /  / 2  /

   Vp sintdt   0dt     VD 0 dt   0dt  
 
2  0  /   0  / 
1  /  /
   Vp sintdt   VD 0 dt 
2  0 0 
1
 Vp   cost 0 / VD 0 t 0 / 
2
1
 Vp   cos  1  VD 0  
2
1
 2Vp VD 0  
2
V V
 p  D0
 2
Vdc  0.318Vp  0.5VD 0 (9.16)

เพื่อหาความ าคัญของค่า VD0 ที่มีผลต่อค่าแรงดันกระแ ตรงของตัวเรียงกระแ แบบครึ่ง

คลื่น จะนาค่าที่ได้แรงดันกระแ ตรงจาก มการที่ (9.16) เมื่อคิดค่า VD0 เท่ากับ 0.65 กับค่าแรงดัน
กระแ ตรงกรณีที่ไม่คิดค่า VD0 ไปคานวณหาเปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ที่แรงดันค่ายอด
10 V, 50 V, 100 V, 150, 200 V และ 250 V ผลลัพธ์จากการคานวณจะได้กราฟดังแ ดงในรูปที่
9.14 จากรูปจะเห็นได้ว่า ค่า VD0 จะมีความ าคัญอย่างยิ่งเมื่อแรงดันค่ายอดมีค่าต่าเนื่องจาก
เปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อนจะมีค่าที่ ูงมาก แต่เมื่อแรงดันค่ายอดมีค่า ูงขึ้น ค่า VD0 จะมี
ความ าคัญลดลง เปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ที่ตาแหน่งค่ายอด 250 V จะเท่ากับ
0.4% ซึ่งแม้จะไม่ ูงมากนักแต่เมื่อรวมค่าความคลาดเคลื่อนต่าง ๆ เข้าไป ก็อาจทาให้เครื่องวัดนั้นมี
ค่าความคลาดเคลื่อนรวมที่ ูงขึ้น ดังนั้นในเอก ารประกอบการ อนเล่มนี้จะคานวณค่า VD0 เข้าไป
ด้วยเพื่อความถูกต้องของการออกแบบเครื่องมือวัด
12
10
Percent of relative error
00 50 100 150 200 250

Vp (Volts)
รูปที่ 9.14 เปอร์เซ็นต์ค่าความคลาดเคลื่อน ัมพัทธ์ของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น
กรณีที่คิดค่า VD0 และกรณีที่ไม่คิดค่า VD0
9.8.3 ค่าเฉลี่ยของกระแ เอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น

ในกรณีของการวิเคราะห์ค่ากระแ ตรง Idc ของตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่น จะเป็นทานอง
เดียวกับการวิเคราะห์ค่าแรงดันกระแ ตรง เมื่อกาหนดให้กระแ เอาต์พุต แ ดงได้ดัง มการต่อไปนี้
VP sin( t ) VD 0
Io (t ) (9.17)
RL
ดังนั้น จะได้
0.318Vp  0.5VD 0
Idc  (9.18)
RL
แทนค่า Vp  IP  RL ลงไปใน มการ (9.18) จะได้
0.5VD 0
Idc  0.318I p  (9.19)
RL
D1 D2
Vo(t)
Vs(t)
RL
D3 D4
รูปที่ 9.15 ตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์
9.8.4 การประยุกต์ใช้ในตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์

วงจรของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ ามารถแ ดงได้ดังรูปที่ 9.15 จากรูปจะ
เห็นว่ามีไดโอดอยู่ทั้งหมด 4 ตัว ต่อกันในลักษณะวงจรบริดจ์ การทางานของตัวเรียงกระแ แบบเต็ม
คลื่นชนิดบริดจ์ ามารถอธิบายได้ดังนี้ เมื่อแรงดันของแหล่งจ่ายกระแ ลับ Vs(t) อยู่ในช่วงครึ่ง
รอบ ัญญาณค่าบวก ไดโอด D1 และไดโอด D4 จะอยู่ในช่วงไบแอ ย้อนกลับ ขณะที่ไดโอด D2 และ
ไดโอด D3 จะอยู่ในช่วงไบแอ ไปหน้า ทาให้มีกระแ ไหลผ่านโหลดหรือตัวต้านทาน RL ทาให้เกิด
แรงดันเอาต์พุต Vo(t) ตกคร่อมที่ตัว ต้านทาน แต่เมื่อแรงดันอินพุตจากแหล่ งจ่ายกระแ ลับอยู่
ในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณค่าลบ ไดโอด D2 และไดโอด D3 จะอยู่ในช่วงไบแอ ย้อนกลับ ในขณะที่
ไดโอด D1 และไดโอด D4 จะอยู่ในช่วงไบแอ ไปหน้า ทาให้มีกระแ ไหลผ่านตัวต้านทาน RL ทาให้
เกิดแรงดันเอาต์พุต Vo(t) ตกคร่อมที่ตัวต้านทานเช่นเดียวกับในขณะที่แรงดันอินพุตอยู่ในช่วงครึ่ง
รอบ ั ญ ญาณค่ า บวก ทาให้ ไ ม่ ว่ าแรงดั น อิ นพุ ต จากแหล่ ง จ่า ยกระแ ลั บ จะอยู่ใ นช่ ว งครึ่ง รอบ
ัญญาณใดก็จะมีแรงดันเอาต์พุต Vo(t) เกิดขึ้นเ มอ แต่เนื่องจากไดโอดทาหน้าที่บังคับให้กระแ ไหล
ได้ในทิศทางเดียว แรงดันเอาต์พุตที่ตกคร่อมตัวต้านทาน RL จึงมีเฉพาะ ัญญาณค่าบวก
D1 D2
Ide
0
VD
al
RD
RD
Vo(t)
al
V D0
Ide
Vs(t)
RL
Ide
0
VD
al
D3
RD
D4
RD
al
Ide
V D0
รูปที่ 9.16 การใช้แบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์
การวิเคราะห์ไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ จะใช้แบบจาลองเชิงเ ้นเป็น

ช่วงดังแ ดงในรูปที่ 9.16 จากรูปจะเห็นว่าแรงดันอินพุตไม่ว่าจะอยู่ในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณใด เมื่อมี
ค่ามากกว่าแรงดัน VD0 ของไดโอด องตัวที่อยู่ในช่วงไบแอ ไปหน้ารวมกัน (Vs(t) > 2VD0) จะต้องใช้
ทฤษฎี ก ารทั บ ซ้ อนในการวิ เคราะห์ เพื่ อ หาค่ า แรงดั นเอาต์ พุ ตที่ เกิ ด จากแหล่ ง จ่ าย ั ญญาณ
กระแ ลับ Vs(t) และแหล่งจ่าย ัญญาณกระแ ตรง 2VD0 แรงดันเอาต์พุตที่เกิดจากแหล่งจ่าย
ัญญาณกระแ ตรงและที่เกิดจากแหล่งจ่าย ัญญาณกระแ ลับ ามารถแ ดงได้ดัง มการที่ (9.20)
และ (9.21) ตามลาดับ ดังต่อไปนี้
RL
VO (t ) 2 VD 0 (9.20)
RL 2 RD
RL
VO (t ) VS (t ) (9.21)
RL 2 RD
เมื่อรวมแรงดันเอาต์พุตจากทั้ง องแหล่งจ่ายเข้าด้วยกันจะแ ดงได้ดัง มการที่ (9.22)
RL
VO (t ) (VS (t ) 2 VD 0 ) (9.22)
RL 2 RD
RL
โดยปกติแล้ว RL>> RD ดังนั้น 1 ดังนั้น ามารถ รุปได้ว่า
RL 2 RD
Vo (t ) Vs (t ) 2 VD 0 (9.23)
เมื่อแหล่งจ่าย ัญญาณกระแ ลับกาเนิด ัญญาณคลื่นไซน์ Vs (t ) VP sin( t ) แรงดัน

เอาต์พุต Vo(t) ที่ได้จากตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์เปรียบเทียบกับแรงดันอินพุตจาก
แหล่งจ่ายจะ ามารถแ ดงได้ดังรูปที่ 9.17 จากรูปจะเห็นว่าขนาดของ ัญญาณเอาต์พุตจะต่ากว่า
ขนาดของ ัญญาณอินพุตที่ค่าเท่ากับ 2VD0 โวลต์
Amplitude
Vs(t)
2VD0 Vo(t)
time
รูปที่ 9.17 เปรียบเทียบ ัญญาณอินพุตกับ ัญญาณเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบ

เต็มคลื่นชนิดบริดจ์
9.8.5 ค่าเฉลี่ยของแรงดันเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์

แรงดันเอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ที่ตกคร่อมตัวต้านทาน RL นั้น จะ
เป็นแรงดัน ัญญาณกระแ ตรงที่ยังมีความพลิ้ว เมื่อพิจารณาค่าเฉลี่ย แรงดันเอาต์พุตหรือแรงดัน
ัญญาณกระแ ตรงนี้จะใช้ มการที่ (9.15) เช่นเดียวกับการพิจารณาแรงดัน ัญญาณกระแ ตรงของ
ตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น จากนั้นแทนค่า Vo (t ) VP sin( t ) 2 VD 0 และ T = 2/ ลง
ไปลงใน มการที่ (9.15) จะได้
1 2  /
Vav   Vp sint  2  VD 0 dt
2 /  0
1 2  /
  Vp sint  2  VD 0 dt
2 0
1 2  /
Vp sintdt   2  VD 0 dt 
2  /
 
2  0 0 


2  0

1   /
 pV sin  td t 
2  /
 p
 /
V sin  td t   /

0
2  VD0
d t 
2  /
 /

 2 VD 0 dt 


1
 Vp   cost 0 /  Vp  cost 2//     2  VD 0 t 0   2  VD 0 t  / 
 / 2 /
2
1
 Vp   cos   1  Vp  cos2  cos      2  VD 0    2 VD 0  2    
2
1
  2 Vp  2 Vp    2  VD 0    2  VD 0   
2
1
  4 Vp  4 VD 0  
2
2 V
 p  2 VD 0

Vdc  0.636Vp  2VD 0 (9.24)
9.8.6 ค่าเฉลี่ยของกระแ เอาต์พุตของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์

ในกรณีของการวิเคราะห์ค่ากระแ ตรง Idc ของตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์ จะเป็น
ทานองเดียวกับการวิเคราะห์ค่าแรงดันกระแ ตรง เมื่อให้กระแ เอาต์พุต แ ดงใน มการต่อไปนี้
VP sin( t ) 2VD 0
Io (t ) (9.25)
RL
ดังนั้น จะได้
0.636Vp  2VD 0
Idc  (9.26)
RL
แทนค่า Vp  IP  RL ลงไปใน มการ (9.26) จะได้
2VD 0
Idc  0.636I p  (9.27)
RL
100
95
Percent of difference
90
85
80
75 0 50 100 150 200 250

Vp (Volts)
รูปที่ 9.18 เปอร์เซ็นต์ความแตกต่างระหว่างค่าแรงดันกระแ ตรงของตัวเรียงกระแ ทั้ง องแบบ
การหาประ ิทธิผลของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์เปรียบเทียบกับตัวเรียงกระแ

แบบครึ่งคลื่น ามารถหาได้จากเปอร์เซ็นต์ความแตกต่างระหว่างค่าแรงดันกระแ ตรงของตัวเรียง
กระแ ทั้ง อบแบบ ค่าแรงดันกระแ ตรงของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่นคานวณได้จาก มการที่
(9.16) ่วนค่าแรงดันกระแ ตรงของตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิ ดบริดจ์คานวณได้จาก มการที่
(9.27) และให้ค่าแรงดันกระแ ตรงของตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่นเป็นฐานในการคานวณหาความ
แตกต่าง เมื่อกาหนดแรงดันค่ายอดที่ 10 V, 50 V, 100 V, 150, 200 V และ 250 V และค่า VD0
เท่ากับ 0.65 จะได้เปอร์เซ็นต์ความแตกต่างดังแ ดงในรูปที่ 9.18 จากรูปแรงดันกระแ ตรงของตัว
เรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์จะมีค่ามากกว่าแรงดันกระแ ตรงของตัวเรียงกระแ แบบครึ่ง
คลื่น เช่น ที่แรงดันค่ายอด 50 V เปอร์เซ็นต์ความแตกต่างจะมีค่ามากกว่า 95% และจะมีค่ามากกว่า
เกือบ 100% หรือเกือบ องเท่าที่แรงดันค่ายอด 250 V แ ดงให้เห็นว่าตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่น
ชนิดบริดจ์จะมีประ ิทธิผลดีกว่าในการเปลี่ยนแรงดันกระแ ลับให้เป็นแรงดันกระแ ตรง
____________________________________________________________________
1. จงอธิบาย ่วนประกอบของไดโอด
2. จงอธิบายวิธีการไบแอ ไดโอด
3. กาหนดให้ VS = 5 V ตัวต้านทาน RS = 500  แรงดันเชิงความร้อน VT = 0.0257 V
กระแ อิ่มตัว IS = 50 nA และ ัมประ ิทธิ์การปล่อย  ≅ 2 จงหาค่าแรงดันตกคร่อมและ
กระแ ไหลผ่านไดโอด ด้วยวิธีการวาดเ ้นโหลดลงบนกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดัน

ของไดโอด และใช้วิธีการคานวณซ้าเพื่อหาค่าที่ถูกต้อง
4. จงหาแบบจาลองเชิงเ ้นเป็นช่วงของไดโอดจากกราฟคุณลักษณะกระแ และแรงดันที่แ ดง
ในรูปที่ 9.11 ที่ตาแหน่งกระแ i1 = 0.004 A และกระแ i2 = 0.12 A เมื่อแรงดันเชิงความ
ร้อน VT = 0.0257 V กระแ อิ่มตัว IS = 43.5 nA และ ัมประ ิทธิ์การปล่อย  ≅ 2
5. จงอธิบายการทางานของไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น
6. จงอธิบายการทางานของไดโอดในตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่น
ระวี พรหมหลวงศรี . (2555). เอก ารประกอบการ อนวิ ช าวิ ศ วกรรมอิ เ ล็ ก ทรอนิ ก ์ 1.
มหาวิทยาลัยราชภัฏอุดรธานี
http://en.wikipedia.org/wiki/Diode
http://whites.sdsmt.edu/classes/ee320/
โวลต์มเิ ตอร์กระแ ลับ
10.1 บทนา
10.2 การขยายพิ ัยการวัดโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ
10.2.1 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียว
10.2.2 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด
10.2.3 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์พิ ัยการวัดเดียว
10.2.4 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์หลายพิ ัยการวัด
10.3 ความต้านทานภายในและความไวกระแ ลับของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ
10.3.1 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่น
10.3.2 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์
1. เพื่อให้ผู้เรียนมีความเข้าใจการขยายพิ ัยการวัดโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบต่าง ๆ
2. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่าตัวต้านทานอนุกรมที่ต่อเข้ากับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็ม
เอ็มซีเพื่อ ร้างโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบต่าง ๆ
3. เพื่อให้ผู้เรียน ามารถคานวณหาค่าความต้านทานภายในและความไวกระแ ลับของโวลต์
มิเตอร์กระแ ลับแบบต่าง ๆ

บทที่ 10
โวลต์มเิ ตอร์กระแ ลับ
(AC Voltmeter)
10.1 บทนา
เครื่องมือวัดแรงดันกระแ ลับหรือโวลต์มิเตอร์กระแ ลับเป็นเครื่องมือที่ใช้วัดแรงดันของ
ัญญาณคลื่นไซน์ โวลต์มิเตอร์กระแ ลับ ามารถออกแบบด้วยเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี แต่
เนื่องจากเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีได้รับการออกแบบให้วัดแรงดันกระแ ตรง การนาเครื่องมือวัด
แบบพีเอ็มเอ็มซีไปวัดแรงดันกระแ ลับโดยตรงจึงไม่ ามารถทาได้ จึงต้องอาศัยตัวเรียงกระแ เพื่อ
เปลี่ยนแรงดันกระแ ลับให้เป็นแรงดันกระแ ตรง ดังนั้น โวลต์มิเตอร์กระแ ลับจะแบ่งตามชนิด
ของตัวเรียงกระแ ได้แก่ โวลต์มิเตอร์กระแ ลับชนิดตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่น และโวลต์มิเตอร์
กระแ ลับชนิดตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์ ในบทนี้จะได้อธิบายวิธีการขยายพิ ัยการวัดโวลต์
มิเตอร์กระแ ลับ ของโวลต์มิเตอร์ทั้ง องชนิด ทั้งแบบขยายพิ ัยการวัดเดียวและแบบหลายพิ ัย
การวัดหรือแบบยูนิเวอร์แซล รวมถึงอธิบายการหาความต้านทานภายในโวลต์มิเตอร์กระแ ลับที่จะ
มีผลถึงการคานวณค่าความไวกระแ
10.2 การขยายพิ ัยการวัดโวลต์มิเตอร์ (Range Expansion of AC Voltmeter)

10.2.1 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียว (Half Wave Rectifier – Single Range
Type)
วงจรพื้นฐานโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียว ามารถ
แ ดงได้ดังรูปที่ 10.1 จากรูปจะเห็นว่ามีตัวต้านทานอนุกรม Rs ที่ทาหน้าที่ขยายพิ ัยการวัดให้กับ
เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ตัวต้านทานนี้ต่ออนุกรมอยู่กับไดโอด ซึ่งทาหน้าที่บังคับกระแ ให้ไหลได้
ทิศทางเดียว แรงดันไฟฟ้ากระแ ลับที่ป้อนเข้ามาจึงกลายเป็นแรงดันไฟฟ้ากระแ ตรงหลังจากผ่ าน
ไดโอด แต่กระแ ที่เกิดขึ้นหลังจากผ่านตัวเรียงกระแ จะเป็นกระแ ตรงที่ยังมีความพลิ้ว จึงต้อง
คานวณหาค่าเฉลี่ยของกระแ เพื่อให้ ามารถใช้เป็นค่ากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs ในการออกแบบ
เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีเพื่อให้เป็นโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ การหาค่าเฉลี่ยของกระแ ในตัวเรียง
กระแ แบบครึ่งคลื่นได้อธิบายในบทที่ 9 ดังจะได้อธิบายวิธีการออกแบบต่อไปนี้
234 บทที่ 10 โวลต์มเิ ตอร์กระแ ลับ
Rs Ifs=Idc
Rm
Vrms
รูปที่ 10.1 วงจรพื้นฐานโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียว
การค านวณหาค่ า ตั ว ต้ า นทานอนุ ก รม Rs ที่ พิ ั ย การวั ด Vrms ใด ๆ จะเริ่ ม จากการหา

ค่ากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs ซึ่งก็คือปริมาณกระแ ตรง Idc หรือค่าเฉลี่ยกระแ ตรง Iav ของตัว
เรียงกระแ แบบครึ่งคลื่น โดยใช้ มการที่ได้อธิบายในบทที่ 9 ดังนี้
0.5VD 0
Idc  0.318I p  (10.1)
RL
เนื่องจากความต้านทานของโหลด RL ในวงจรรูปที่ 10.1 มีค่า
RL= Rs+Rm (10.2)
0.5VD 0
Idc  I fs  0.318I p  (10.3)
 Rs  Rm 
แก้ มการที่ (10.3) เพื่อหาค่าของ Ip จะได้
I fs  Rs  Rm   0.5VD 0
Ip  (10.4)
0.318  Rs  Rm 
แทนค่า Vp = Ip(Rs+Rm) ลงไปใน มการ Vrms = 0.707Vp จะได้
Vrms = 0.707 Ip(Rs+Rm) (10.5)

บทที่ 10 โวลต์มเิ ตอร์กระแ ลับ 235
แทนค่า Ip จาก มการที่ (10.4) ลงไปใน มการที่ (10.5) จะได้
0.707
Vrms  I fs  Rs  Rm   0.5VD 0
0.318
 2.22I fs  Rs  Rm   0.5VD 0 (10.6)
จากนั้นแก้ มการที่ (10.6) เพื่อหาค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs จะได้
0.45 Vrms  0.5VD 0 

Rs   Rm (10.7)
I fs
อย่างไรก็ตาม ิ่งที่ควรคานึงถึงก็คือ เครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซีจะตอบ นองต่อค่าเฉลี่ย

ของ ัญญาณหลังจากผ่านตัวเรียงกระแ เข็มชี้ของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับจึงแ ดงค่าผลการวัดใน
รูปของค่าเฉลี่ยของ ัญญาณกระแ ลับ ซึ่งไม่ใช่ค่ารากกาลัง องเฉลี่ย ดังนั้น เมื่อต้องการทราบค่า
รากกาลัง องเฉลี่ย เกลของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับต้องได้รับการปรับ เพื่อการแ ดงผลที่ถูกต้อง
อีกวิธีหนึ่งคือการใช้วิธีคูณค่าฟอร์มแฟกเตอร์เข้าไปกับผลการวัดที่อ่านได้บน เกลเพื่อให้ได้ผลการวัด
ที่เป็นค่ารากกาลัง องเฉลี่ย แต่โดยทั่วไป เกลของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับจะได้รับการปรับ มาจาก
โรงงานเพื่ออานวยความ ะดวกในการอ่านค่าของผู้ใช้งาน ดังแ ดงในรูปที่ 10.2
รูปที่ 10.2 เกลของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ

(ที่มาของภาพ: http://www.bhagirathpalace.com/uploadedimages/645928.jpg)
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 10.1 จงหาค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs ในวงจรพื้นฐานโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ แบบตัว
เรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียวที่ แ ดงในรูปที่ 10.3 เมื่อต้องการวัดแรงดันค่ารากกาลัง อง
เฉลี่ยของไฟฟ้ากระแ ลับได้ ูง ุด 20 V กาหนดให้แรงดัน VD0 ของไดโอดมีค่าเท่ากับ 0.6 V
กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลเท่ากับ 0.1 mA และความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 1000 
Rs Ifs=0.1 mA
1000
20 V
รูปที่ 10.3 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ าหรับตัวอย่างที่ 10.1
วิธีทา ใช้ มการที่ (10.7) หาค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs แทนค่า Vrms = 20 V, VD0 = 0.6 V, Ifs =
0.1 mA และ Rm = 1000  จะได้
0.45 20  0.5  0.6 

Rs   1000 = 87.65 k
0.1  103
____________________________________________________________________
ในทางทฤษฎีแล้วแรงดันกระแ ลับที่อยู่ในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณค่าลบจะทาให้ไดโอดอยู่

ในช่ ว งไบแอ ย้ อ นกลั บ และจะไม่ น ากระแ แต่ ใ นทางปฏิ บั ติ ไ ดโอดจะมี ก ระแ รั่ ว (Leakage
Current) ขนาดเล็ก ๆ ที่มีขนาดไมโครแอมแปร์ ไหลจากขั้วแคโทดไปยังขั้วแอโนด ่งผลให้แรงดันที่
วัดได้ต่ากว่าความเป็นจริง ดังนั้นเพื่อป้องกันกระแ รั่วในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณค่าลบ วงจรโวลต์
มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นที่ใช้งานจริงจะเพิ่ม ไดโอดตัวที่ 2 เข้าไปในวงจรในรูป
10.1 และนอกจากนั้นยังเพิ่มตัวต้านทานชันต์ Rsh ขนานกับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ทาให้ได้
วงจรที่ได้รับการปรับปรุงดังแ ดงในรูปที่ 10.4 ามารถอธิบายการทางานของวงจรได้ดังนี้ ในช่วงที่
แรงดันกระแ ลับอยู่ในช่วงครึ่งรอบ ัญญาณด้านบวก ไดโอด D1 จะอยู่ในช่วงไบแอ ไปหน้าและจะ
มีกระแ ไหลไปที่ตัวต้านทานชันต์ Rsh และความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm ่วนไดโอด D2 จะอยู่
ในช่ว งไบแอ ย้ อนกลับ และจะไม่นากระแ เมื่อแรงดันกระแ ลั บเปลี่ยนมาอยู่ในช่ว งครึ่งรอบ
ัญญาณค่าลบ ไดโอด D1 จะอยู่ในช่วงไบแอ ย้อนกลับและจะไม่นากระแ ่วนไดโอด D2 จะอยู่
ในช่ว งไบแอ ไปหน้ าและจะน ากระแ แต่กระแ จะไม่ไหลผ่ านตั ว ต้านทาน Rsh และ Rm ตั ว
ต้านทานชันต์ Rsh ที่ต่อเพิ่มเข้าไปจะกาหนดให้มีค่าเท่ากับ Rm เนื่องจากการต่อตัวต้านทานที่มีค่า
เท่ากันขนานกันจะทาให้ความต้านทานรวมมีค่าลดลงครึ่งหนึ่งจากความต้านทานของแต่ละตั ว การที่
ความต้านทานรวมลดลงครึ่งหนึ่งจะ ่งผลให้กระแ ที่ไหลผ่านไดโอด D1 มีค่าเพิ่มขึ้น องเท่า และทา
ให้จุดทางานของไดโอดในช่วงไบแอ ไปหน้า อยู่ในช่วงการทางานที่เป็นเชิงเ ้นในกราฟคุณลักษณะ
กระแ และแรงดันของไดโอด ่งผลให้ รูปร่างของกระแ ที่ไหลผ่านไดโอดไปเป็นตามรูปร่างของ
แรงดันที่ตกคร่อมไดโอด จึงไม่ทาให้เกิดความผิดเพี้ยนมากเหมือนกันช่วงการทางานที่ไม่เป็นเชิงเ ้น
Rs
D1 Rm
Vrms D2 Rsh
รูปที่ 10.4 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียวที่ใช้งานจริง
เนื่องจากกระแ ที่ไหลผ่านไดโอด D1 ูงขึ้น องเท่า และความต้านทานรวมระหว่างตัว

ต้านทาน Rsh และ Rm ลดลงเป็นครึ่งหนึ่งของ Rm ดังนั้นการคานวณค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs จะ
เปลี่ยนไปดังแ ดงด้วย มการต่อไปนี้
0.45Vrms  0.5VD 0 
Rs   0.5Rm (10.8)
2  I fs
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 10.2 จงคานวณหาค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs จากวงจรที่อยู่ในรูปที่ 10.5 เมื่อ
ต้องการวัดแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ยของไฟฟ้ากระแ ลับได้ ูง ุดที่ 20 V กาหนดให้แรงดัน VD0
ของไดโอดมีค่าเท่ากับ 0.6 V กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลเท่ากับ 0.1 mA และความต้านทานของ
ขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 1000 
Rs D1
1000
20 V D2 1000
วิธีทา ใช้ มการที่ (10.8) ในการคานวณหาค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs แทนค่า Vrms = 20 V, VD0 =

0.6 V, Ifs = 0.1 mA และ Rm = 1000  จะได้
0.45 20  0.5  0.6 

Rs    0.5  1000  = 43.825 k
2  0.1  103
____________________________________________________________________
10.2.2 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด (Half Wave Rectifier- Universal
Range Type)
วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัดแบบยูนิเวอร์แซล
แ ดงได้ดังรูปที่ 10.6 จากรูปมีพิ ัยการวัด V1, V2 และ V3 การปรับเลือกพิ ัยการวัดจะใช้ วิตช์ ใน
การออกแบบจะต้องคานวณตัวต้านทานอนุกรม Rs1, Rs2 และ Rs3 ของแต่ละพิ ัยการวัดโดยใช้
มการที่ (10.8) จากนั้นคานวณหาค่าตัวต้านทาน Ra, Rb และ Rc ดังนี้
Ra = Rs1 (10.9)
Rb = Rs2-Rs1 (10.10)
Rc = Rs3-Rs2 (10.11)
Rc Rb Ra D1
Rm
V2 D2 Rsh
V3 V1
Vrms
รูปที่ 10.6 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 10.3 จงหาค่าของ Ra, Rb และ Rc ในวงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับชนิดตัวเรียงกระแ ครึ่ง

คลื่นหลายพิ ัยการวัด ดังแ ดงในรูปที่ 10.7 กาหนดให้ V1, V2 และ V3 เท่ากับ 30 V, 50 V และ
70 V ตามลาดับ และแรงดัน VD0 ของไดโอดมีค่าเท่ากับ 0.6 V กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลเท่ากับ
100 uA และความต้านทานของขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 200 
Rc Rb Ra D1 Ifs=100 uA
Rm 200
50 V D2 Rsh
30 V 200
70 V
Vrms
วิธีทา ใช้ มการที่ (10.8) หาค่า Rs1 แทนค่า Vrms = 30 V, VD0 = 0.6 V, Rm = 200  และ Ifs =
100 uA จะได้
0.45 30  0.5  0.6 

Rs 1    0.5  200  = 66.725 k
2  100  106
ใช้ มการที่ (10.8) หาค่า Rs2 แทนค่า Vrms = 50 V, VD0 = 0.6 V, Rm = 200  และ Ifs
= 100 uA ใน มการ จะได้
0.45 50  0.5  0.6 

Rs 2    0.5  200  = 111.725 k
2  100  106
0.45 70  0.5  0.6 

Rs 3    0.5  200  = 156.725 k
2  100  106
จากนั้นใช้ มการที่ (10.9) ในการหาค่า Ra จะได้
Ra = 66.725 k
ใช้ มการที่ (10.10) ในการหาค่า Rb แทนค่า Rs2 = 111.725 k และ Rs1 = 66.725
Rb = 111.725 k - 66.725 k = 45 k
ใช้ มการที่ (10.11) ในการหาค่า Rc แทนค่า Rs3 = 156.725 k และ Rs2 = 111.725
Rc = 156.725 k - 111.725 k = 45 k
____________________________________________________________________
10.2.3 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์พิ ัยการวัดเดียว (Bridge Rectifier – Single

Range Type)
วงจรโวลต์ มิเ ตอร์ กระแ ลั บ แบบตัว เรี ยงกระแ เต็ มคลื่ น ชนิ ดบริด จ์ พิ ั ยการวัด เดี ย ว
ามารถแ ดงได้ดังรูปที่ 10.8 จากรูปจะเห็นว่ามีตัวต้านทานอนุกรม Rs ที่ทาหน้าที่ขยายพิ ัยการวัด
ให้กับเครื่องมือวัดแบบพีเอ็มเอ็มซี ตัวต้านทานนี้ต่ออนุกรมอยู่กับวงจรไดโอดบริดจ์ การหาค่าเฉลี่ย
ของกระแ ในตัวเรียงกระแ แบบเต็มคลื่นก็ได้อธิบายในบทที่ 9 ต่อไปนี้จะได้อธิบายวิธีการออกแบบ
Rs
D1 D2
Vrms
Rm
D3 D4
รูปที่ 10.8 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์พิ ัยการวัดเดียว

การค านวณหาค่ า ตั ว ต้ า นทานอนุ ก รม Rs ที่ พิ ั ย การวั ด Vrms ใด ๆ จะเริ่ ม จากการหา

ค่ากระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล Ifs ซึ่งก็คือปริมาณกระแ ตรง Idc หรือค่าเฉลี่ยกระแ ตรง Iav ของตัว
เรียงกระแ แบบเต็มคลื่นชนิดบริดจ์ โดยใช้ มการที่ได้อธิบายในบทที่ 9 ดังนี้
2VD 0
Idc  0.636I p  (10.12)
RL
เนื่องจากความต้านทานของโหลด RL ในวงจรรูปที่ 10.7 มีค่า
RL= Rs+Rm (10.13)
2VD 0
Idc  I fs  0.636I p  (10.14)
 Rs  Rm 
แก้ มการที่ (10.14) เพื่อหาค่าของ Ip จะได้
I fs  Rs  Rm   2VD 0
Ip  (10.15)
0.636  Rs  Rm 
แทนค่า Vp = Ip(Rs+Rm) ลงไปใน มการ Vrms = 0.707Vp จะได้
Vrms = 0.707 Ip(Rs+Rm) (10.16)
แทนค่า Ip จาก มการที่ (10.15) ลงไปใน มการที่ (10.16) จะได้
0.707
Vrms  I fs  Rs  Rm   2VD 0
0.636
 1.11I fs  Rs  Rm   2VD 0 (10.17)
จากนั้นแก้ มการที่ (10.17) เพื่อหาค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs จะได้

0.9 Vrms  2VD 0 

Rs   Rm (10.18)
I fs
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
ตัวอย่างที่ 10.4 จงหาค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs ในวงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียง
กระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์พิ ัยการวัดเดียวที่แ ดงในรูปที่ 10.9 เมื่อต้องการวัดแรงดันค่ารากกาลัง
องเฉลี่ยของไฟฟ้ากระแ ลับได้ ูง ุด 20 V กาหนดให้แรงดัน VD0 ของไดโอดมีค่าเท่ากับ 0.6 V
กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลเท่ากับ 0.1 mA และความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 1000 
Rs
D1 D2
20 V Ifs=0.1 mA
Rm 1000
D3 D4
วิธีทา ใช้ มการที่ (10.18) หาค่าตัวต้านทานอนุกรม Rs แทนค่า Vrms = 20 V, VD0 = 0.6 V, Ifs =
0.1 mA และ Rm = 1000  จะได้
0.9  20  2  0.6 
Rs   1000 = 168.2 k
0.1  103
____________________________________________________________________
10.2.4 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์หลายพิ ัยการวัด (Bridge Rectifier –

Universal Range Type)
วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์หลายพิ ัยการวัดแบบยู
นิเวอร์แซลแ ดงได้ดังรูปที่ 10.10 จากรูปมีพิ ัยการวัด V1, V2 และ V3 ในการออกแบบจะต้อง
คานวณตัวต้านทานอนุกรม Rs1, Rs2 และ Rs3 ของแต่ละพิ ัยการวัดโดยใช้ มการที่ (10.18) จากนั้น
คานวณหาค่าตัวต้านทาน Ra, Rb และ Rc ดังนี้
Ra = Rs1 (10.19)
Rb = Rs2-Rs1 (10.20)
Rc = Rs3-Rs2 (10.21)
Rc Rb Ra
D1 D2
V2
V3 V1 Rm
D3 D4
Vrms
รูปที่ 10.10 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์หลายพิ ัยการวัด
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 10.5 จงหาค่าของ Ra, Rb และ Rc ในวงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับชนิดตัวเรียงกระแ เต็ม
คลื่นชนิดบริดจ์หลายพิ ัยการวัด ดังแ ดงในรูปที่ 10.11 กาหนดให้ V1, V2 และ V3 เท่ากับ 30 V,
50 V และ 70 V ตามลาดับ และแรงดัน VD0 ของไดโอดมีค่าเท่ากับ 0.6 V กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกล
เท่ากับ 100 uA และความต้านทานของขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 200 
Rc Rb Ra
D1 D2
Ifs=100 uA
50 V
70 V 30 V Rm 200
D3 D4
Vrms

วิธีทา ใช้ มการที่ (10.18) หาค่า Rs1 แทนค่า Vrms = 30 V, VD0 = 0.6 V, Rm = 200  และ Ifs =
100 uA จะได้
0.9  30  2  0.6 
Rs 1   200 = 259 k
100  106
0.9  50  2  0.6 
Rs 2   200 = 439 k
100  106
0.9  70  2  0.6 
Rs 3   200 = 619 k
100  106
จากนั้นใช้ มการที่ (10.19) ในการหาค่า Ra จะได้
Ra = 259 k
ใช้ มการที่ (10.20) ในการหาค่า Rb แทนค่า Rs2 = 439 k และ Rs1 = 259 k จะได้
Rb = 439 k - 259 k = 180 k
ใช้ มการที่ (10.21) ในการหาค่า Rc แทนค่า Rs3 = 619 k และ Rs2 = 439 k จะได้
Rc = 619 k - 439 k = 180 k

____________________________________________________________________
10.3 ความต้านทานภายในและความไวกระแ ลับ (Internal Resistance and AC

Sensitivity)
10.3.1 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด
ความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่น หลายพิ ัย
การวัดในรูปที่ 10.6 จะมีค่าขึ้นอยู่กับความต้านทานรวมระหว่างความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm
และตัวต้านทานอนุกรม Rs ของแต่ละพิ ัยการวัด ซึ่งก็คือค่าของตัวต้านทาน Ra, Rb และ Rc จึง
ามารถ รุป มการเพื่อหาความต้านทานภายในแต่ละพิ ัยการวัดได้ดังต่อไปนี้
ความต้านทานภายในที่พิ ัยการวัด V1 จะคานวณได้จาก
Rin1  0.5Rm  Ra (10.22)
Rin2  0.5Rm  Ra  Rb (10.23)
Rin3  0.5Rm  Ra  Rb  Rc (10.24)
ว่ นของความไวกระแ ลับก็จะขึ้นอยู่กับความต้านทานภายในของแต่ละพิ ัยการวัด จึง

ามารถหาความไวกระแ ลับแต่ละพิ ัยการวัดได้ดัง มการต่อไปนี้
Rin
Sac  (10.25)
Vrms
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 10.6 จงหาความต้านทานภายในและความไวกระแ ลับแต่ละพิ ัยการวัด V1, V2 และ
V3 ของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับชนิดตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นที่ออกแบบในตัวอย่างที่ 10.4
วิธีทา ใช้ มการ (10.22) หาความต้านทานภายในพิ ัยการวัด V1 แทนค่า Rm = 200  และ Ra =

66.725 k จะได้
Rin1 = 0.5(200)+66.725 k = 166.725 k
ใช้ มการที่ (10.25) หาความไวกระแ ลับพิ ัยการวัด V1 แทนค่า Rin1 = 166.725 k

และ Vrms = 30 V จะได้
Sac1 = 166.725 k/30 V = 5.5575 k/V
ใช้ มการ (10.23) หาความต้านทานภายในพิ ัยการวัด V2 แทนค่า Rm = 200 , Ra =

66.725 k และ Rb = 45 k จะได้
Rin2 = 0.5(200)+66.725 k+45 k = 211.725 k

Sac2 = 211.725 k/50 V = 4.2345 k/V

66.725 k, Rb = 45 k และ Rc = 45 k จะได้
Rin3 = 0.5(200)+66.725 k+45 k+45 k = 256.725 k

Sac3 = 256.725 k/70 V = 3.6675 k/V

____________________________________________________________________
10.3.2 แบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์

ความต้านทานภายในของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับ แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่น หลายพิ ัย
การวัดในรูปที่ 10.10 จะมีค่าขึ้นอยู่กับความต้านทานรวมระหว่างความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่ Rm
และตัวต้านทานอนุกรม Rs ของแต่ละพิ ัยการวัด ซึ่งก็คือค่าของตัวต้านทาน Ra, Rb และ Rc จึง
ามารถ รุป มการเพื่อหาความต้านทานภายในแต่ละพิ ัยการวัดได้ดังต่อไปนี้
Rin1  Rm  Ra (10.26)
Rin2  Rm  Ra  Rb (10.27)
Rin3  Rm  Ra  Rb  Rc (10.28)
่วนการคานวณความไวกระแ ลับก็จะใช้ มการที่ (10.25) ซึ่งเป็น มการเดียวกันกับการ

คานวณความไวกระแ ลับของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด
____________________________________________________________________
ตัวอย่างที่ 10.7 จงหาความต้านทานภายในและความไวกระแ ลับแต่ละพิ ัยการวัด V1, V2 และ
V3 ของโวลต์มิเตอร์กระแ ลับชนิดตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์ที่ออกแบบในตัวอย่างที่ 10.5
วิธีทา ใช้ มการ (10.26) หาความต้านทานภายในพิ ัยการวัด V1 แทนค่า Rm = 200  และ Ra =

259 k จะได้
Rin1 = 200+259 k = 259.2 k

ใช้ มการที่ (10.25) หาความไวกระแ ลับพิ ัยการวัด V1 แทนค่า Rin1 = 259.2 k และ
Vrms = 30 V จะได้
Sac1 = 259.2 k/30 V = 8.64 k/V

259 k และ Rb = 180 k จะได้
Rin2 = 200+259 k+180 k = 439.2 k
Sac2 = 439.2 k/50 V = 8.784 k/V

259 k, Rb = 180 k และ Rc = 180 k จะได้
Rin3 = 200+259 k+180 k+180 k = 619.2 k
Sac3 = 619.2 k/70 V = 8.845 k/V

____________________________________________________________________
1. จงหาค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs ในวงจรพื้นฐานโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียง
กระแ ครึ่งคลื่นพิ ัยการวัดเดียว เมื่อต้องการวัดแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ยของไฟฟ้า
กระแ ลับได้ ูง ุด 30 V กาหนดให้แรงดัน VD0 ของไดโอดมีค่าเท่ากับ 0.65 V กระแ
เบี่ยงเบนเต็ม เกลเท่ากับ 0.1 mA และความต้านทานขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 1200 
2. จงหาค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs ในวงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ ครึ่ง

คลื่นพิ ัยการวัดเดียวที่ใช้งานจริง เมื่อต้องการวัดแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ยของไฟฟ้า
3. จงหาค่าของ Ra, Rb และ Rc ในวงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับชนิดตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่น
หลายพิ ัยการวัด กาหนดให้ V1, V2 และ V3 เท่ากับ 10 V, 50 V และ 100 V ตามลาดับ
และแรงดัน VD0 ของไดโอดมีค่าเท่ากับ 0.65 V กระแ เบี่ยงเบนเต็ม เกลเท่ากับ 200 uA
และความต้านทานของขดลวดเคลื่อนที่เท่ากับ 100 
4. จงหาความต้านทานภายในและความไวกระแ ลับแต่ละพิ ัยการวัด V1, V2 และ V3 ของ
โวลต์มิเตอร์กระแ ลับชนิดตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นที่ออกแบบในคาถามท้ายบทข้อที่ 3
5. จงหาค่าของตัวต้านทานอนุกรม Rs ในวงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ เต็ม
คลื่นชนิดบริดจ์พิ ัยการวัดเดียวที่ เมื่อต้องการวัดแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ยของไฟฟ้า
บรรณานุกรม

Albert D. Helfric and Willian D. Cooper. (1990). Modern Electronic Instrumentation and
Measurement Techniques. Prentice-Hall.
J. David Irwin and Robert M. Nelms. (2011). Basic Engineering Circuit Analysis. Wiley.
ชัด อินทะ ี. (2553). วงจรไฟฟ้ากระแ ตรง. ซีเอ็ดยูเคชั่น.
ชัยบูรณ์ กัง เจียรณ์. (2550). การวัดและเครื่องมือวัด.มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีมหานคร.
บรรจง จันทมาศ. (2554). ทฤษฎีวงจรไฟฟ้ากระแ ลับ. มาคม ่งเ ริมเทคโนโลยี (ไทย-ญี่ปุ่น).
บรรณญัติ บริบูรณ์. (2555). เอก ารประกอบการ อนวิชาวงจรไฟฟ้า. มหาวิทยาลัยราชภัฏอุดรธานี.
ประยูร เชี่ยววัฒนา. (2537). เครื่องวัดและการวัดทางไฟฟ้า. มาคม ่งเ ริมเทคโนโลยี (ไทย-ญี่ปุ่น).
ระวี พรหมหลวงศรี. (2555). เอก ารประกอบการ อนวิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิก ์ 1. มหาวิทยาลัยราชภัฏ
อุดรธานี
ถาบันมาตรวิทยาแห่งชาติ. (2548). มาตรวิทยาเบื้องต้น. ถาบันมาตรวิทยาแห่งชาติ
http://en.wikipedia.org/wiki/Crest_factor
http://en.wikipedia.org/wiki/Diode
http://en.wikipedia.org/wiki/Form_factor_%28electronics%29
http://en.wikipedia.org/wiki/Galvanometer
http://kanchanapisek.or.th/kp6/sub/book/book.php?page=main&book=35
http://whites.sdsmt.edu/classes/ee320/
http://www.ep2000.com/templates/white%20papers/CrestFactorEP.pdf
http://www.nimt.or.th/nimt/upload/contentfile/attach-lab_news-125-466.doc

172 L8 F 28 E88 D8289 K8 GL

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

172 L8 F 28 E88 D8289 K8 GL

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

เอก ารประกอบการ อนรายวิชา

อภิฌาน กาญจนวาป ถิตย์

เอก ารประกอบการ อนวิชาเครื่องมือวัดและการวัดทางไฟฟ้า รหั วิชา 5582120 จานวน

อภิฌาน กาญจนวาป ถิตย์

6.1 บทนา 140

8.4.7 แรงดันประ ิทธิผลและแรงดันค่ารากกาลัง องเฉลี่ย 198

10.3.1 แบบตัวเรียงกระแ ครึ่งคลื่นหลายพิ ัยการวัด 245

รูปที่ 2.6 การต่อตัวต้านทาน าหรับตัวอย่างที่ 2.5 46

รูปที่ 3.4 เอ็ดเวิร์ด เว ตันผู้พัฒนาการออกแบบแกลแวนอมิเตอร์ของดาร์ ันวาล

รูปที่ 5.2 เกลบนหน้าปัดโวลต์มิเตอร์เป็นแบบเชิงเ ้น 118

รูปที่ 7.7 ความต้านทานที่เกิดขึ้นระหว่างโนด a และโนด b 172

รูปที่ 9.6 (ก) วงจรไดโอด (ข) เ ้นโหลดที่วาดลงบนกราฟคุณลักษณะกระแ และ

รูปที่ 10.10 วงจรโวลต์มิเตอร์กระแ ลับแบบตัวเรียงกระแ เต็มคลื่นชนิดบริดจ์

หมวดที่ 2 จุดมุ่งหมายและวัตถุประ งค์

3. ามารถอธิบายวิธีการเกิดแรงบนลวดที่วางใน นามแม่เหล็ก โครง ร้างและการทางาน

4 ทักษะความ ัมพันธ์ระหว่างบุคคลและควา มรับผิดชอบที่ต้องพัฒนา

5 ทักษะการวิเคราะห์เชิงตัวเลข การ ื่อ าร การใช้เทคโนโลยี าร นเทศ

หมวดที่ 5 แผนการ อนและการประเมินผล

งาน/กิจกรรมที่ใช้ในการประเมิน ปั ดาห์ที่ ัด ่วนของคะแนน

4. การทวน อบมาตรฐานผล ัมฤทธิ์ของนักศึกษาในรายวิชา

วิธี อนและกิจกรรมการเรียนการ อนประจาบท

รูปที่ 1.1 ตราชั่งและน้้าหนักถ่วงที่ค้นพบในอารยธรรมลุ่มแม่น้า ินธุ

วิทยาศา ตร์แห่งการวัดและการประยุกต์ใช้ เรียกว่า มาตรวิทยา (Metrology) ประกอบไป

บทนี้ ่วนแรกจะอธิบายถึง องค์ประกอบต่าง ๆ ที่เกี่ยวข้องกับมาตรวิทยาเบื้องต้น ได้แก่

1.2 ประเภทของมาตรวิทยา (Types of Metrology)

ชั่งตวงวัด ั งกัดกระทรวงพาณิช ย์ ปัจจุบัน ถานที่ตั้งอยู่ที่ กรมการค้าภายใน ต้าบลบางกระ อ

3) ้านักงานชั่งตวงวัดระหว่างประเทศ (International Bureau of Weights and

รูปที่ 1.2 กิโลกรัมต้นแบบระหว่างประเทศ

1.5 ระบบหน่วยวัดเอ ไอ (SI Units)

หน่วยวัดเอ ไอได้เพิ่มหน่วยฐานอีกหนึ่งหน่วย คือ หน่วยโมล ซึ่งเป็นหน่วย ้าหรับปริมาณของ าร

หน่วยอนุพันธ์เกิดจากการรวมกันระหว่างหน่วยฐาน และระหว่างหน่วยอนุพันธ์ด้วยกันเอง ตารางที่

ตารางที่ 1.1 ปริมาณฐานและหน่วยฐานของหน่วยวัดเอ ไอ

ตารางที่ 1.2 ตัวอย่างปริมาณอนุพันธ์และหน่วยอนุพันธ์

energy, work, quantity of

1.6 ลาดับชั้นของมาตรฐานการวัด (Hierarchy of Measurement Standard)

รูปที่ 1.3 ตุ้มน้้าหนัก 1 กิโลกรัมต้นแบบ หมายเลข 80

2) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความดัน คือ เครื่องวัดความดันมาตรฐานแบบเพร เชอร์บา

รูปที่ 1.4 เครื่องวัดความดันมาตรฐานแบบเพร เชอร์บาลานซ์

3) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้าน ุญญากาศ คือ เครื่องวัด ุญญากาศมาตรฐานแบบแคแพซิ

รูปที่ 1.5 เครื่องวัด ุญญากาศมาตรฐานแบบแคแพซิแทนซ์ไดอะแฟรมเกจ

4) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านแรง คือ เครื่องกลมาตรฐานวัดแรงแบบน้้าหนักตายตัว (Dead

รูปที่ 1.6 เครื่องกลมาตรฐานวัดแรงแบบน้้าหนักตายตัว

5) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความแข็ง คือ เครื่องวัดความแข็งร็อกเวลล์ระดับปฐมภูมิ พิ ัย

รูปที่ 1.7 เครื่องวัดความแข็งร็อกเวลล์ระดับปฐมภูมิ

รูปที่ 1.8 เครื่องวัดความแข็งวิกเกอร ์ระดับปฐมภูมิ

6) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านแรงบิด คือ เครื่องกลวัดแรงบิดแบบน้้าหนักตายตัวระดับปฐม

รูปที่ 1.9 เครื่องกลวัดแรงบิดแบบน้้าหนักตายตัวระดับปฐมภูมิ

7) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านอัตราการไหล คือ เครื่องมือวัดอัตราการไหลของน้้าแบบลูก ูบ

รูปที่ 1.10 เครื่องมือวัดอัตราการไหลของน้้าแบบลูก ูบ

รูปที่ 1.11 ชุดวัดอัตราการไหลของแก๊ แบบโซนิกนอซเซิลและแบบแลมินาร์

8) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความต่างศักย์ไฟฟ้า คือ ชุดมาตรฐานความต่างศักย์ไฟฟ้าแบบ

รูปที่ 1.12 ชุดมาตรฐานความต่างศักย์ไฟฟ้าแบบรอยต่อโจเซฟ ัน

รูปที่ 1.13 กลุ่มตัวต้านทานไฟฟ้ามาตรฐาน 1 โอห์ม

10) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านเวลา คือ นาฬิกาซีเซียม (Caesium Atomic Clock) มี

รูปที่ 1.14 นาฬิกาซีเซียม

11) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านอุณหภูมิ คือ ชุดเซลล์ก้าเนิดอุณหภูมิ ณ จุดคงที่ (Fixed Point

รูปที่ 1.15 ชุดเซลล์ก้าเนิดอุณหภูมิ ณ จุดคงที่

12) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านความยาว คือ ความยาวคลื่นของแ งเลเซอร์ที่ได้จากอุปกรณ์

รูปที่ 1.16 อุปกรณ์ก้าเนิดแ งเลเซอร์จากแก๊ ฮีเลียมนีออน และควบคุมเ ถียรภาพ

13) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านเ ียง คือ เครื่องมือมาตรฐานด้านเ ียงระดับปฐมภูมิ เป็น

รูปที่ 1.17 เครื่องมือวัดค่าความไวของไมโครโฟนมาตรฐาน

14) มาตรฐานการวัดแห่งชาติด้านการ ั่น ะเทือน คือ ชุดเครื่องมือมาตรฐานการ ั่น ะเทือน

รูปที่ 1.18 เครื่องมือวัดค่าความไวของหัววัดการ ั่น ะเทือนมาตรฐาน