Electric Circuit 1

วงจรไฟฟ้า 1
ผู้ช่วยศาสตราจารย์ธนากร น้าหอมจันทร์
สาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้าและพลังงาน คณะวิศวกรรมศาสตร์
มหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย
สงวนลิขสิทธิ์ตามพระราชบัญญัติลิขสิทธิ์ พ.ศ. 2558
การน้าส่วนหนึ่งส่วนใด เพื่อตีพิมพ์ ท้าซ้า ดัดแปลงหรือประโยชน์
อันหนึ่งอันใดเป็นพิเศษ ต้องได้รับอนุญาตจากมหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย
ข้อมูลทางบรรณานุกรมของส้านักหอสมุดแห่งชาติ
National Library of Thailand Cataloging in Publication Data
ธนากร น้าหอมจันทร์.
วงจรไฟฟ้า 1.-- ปทุมธานี : มหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย, 2561.
342 หน้า.
1. วงจรไฟฟ้า. I. ชื่อเรื่อง.
621.3192
ISBN 978-974-398-134-0
ผู้รับผิดชอบการจัดพิมพ์
200 หมู่ 1 ถนนรังสิต-นครนายก ต้าบลรังสิต อ้าเภอธัญบุรี ปทุมธานี 12110
โทรศัพท์ 0-2277-1028 โทรสาร 0-2577-1023
จัดพิมพ์โดย
ศูนย์ผลิตเอกสารทางวิชาการ มหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย
200 หมู่ 1 ถนนรังสิต-นครนายก ต้าบลรังสิต อ้าเภอธัญบุรี ปทุมธานี 12110
โทรศัพท์ 0-2277-1028 โทรสาร 0-2577-1023
คำนำ
วงจรไฟฟ้า 1 เล่มนี้ เรียบเรียงขึ้นเพื่อใช้ประกอบการเรียนการสอนในหลักสูตรวิศวกรรมไฟฟ้าและ
พลังงาน คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย ซึ่งเป็นรายวิชาพื้นฐานที่สาคัญสาหรับศึกษาใน
สาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้า และรายวิชาพื้นฐานทางวิศวกรรมที่กาหนดโดย สภาวิศวกร
หนังสือเล่มนี้ได้เรียบเรียงขึ้น โดยมีวัตถุประสงค์เพื่อให้ผู้เรียนมีความรู้ความสามารถในการวิเคราะห์
วงจรไฟฟ้า ซึ่งกล่าวถึง ความต้านทาน ความเหนี่ยวนาไฟฟ้า ความจุไฟฟ้า และองค์ประกอบของวงจรไฟฟ้า
การวิเคราะห์วงจรด้วยระเบียบวิธีแรงดัน โนด และกระแสเมซ ทฤษฎีวงจร ได้แก่ ทฤษฎีการทับซ้อน ทฤษฎี
ของเทวินิน ทฤษฎีของนอร์ตัน และการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด รวมถึง ออปแอมป์ และวงจรขยายแบบต่าง ๆ
ตัวเก็บ ประจุและตัวเหนี่ยวน า พร้อมทั้งเพิ่มเติมด้วยสารสนเทศและเอกสารอ้างอิงต่าง ๆ ที่เกี่ยวข้อง ทั้งนี้
ผู้เขียนได้สอดแทรกการนาโปรแกรม PSpice Student Version มาใช้จาลองเหตุการณ์ขอวงจร เพื่อเป็นการ
ยืนยันและตรวจสอบผลการคานวณ โดยมีการอธิบายการใช้งานโปรแกรมเบื้องต้นในภาคผนวก และมีการ
อธิบายการใช้งานเพิ่มเติมในแต่ละหัวข้อที่เกี่ยวข้องอีกด้วย
วงจรไฟฟ้า 1 แบ่งออกเป็น 6 บท เนื้อหาโดยรวมมี ดังนี้
บทที่ 1 แนวคิดเบื้ องต้น และคาจ ากัดความ เป็ น การน าความรู้ท างคณิ ต ศาสตร์และวิทยาศาสตร์
ธรรมชาติมาประยุกต์ใช้ โดยอธิบายถึง ระบบหน่วย ประจุไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า กาลังไฟฟ้า
และพลังงานไฟฟ้า องค์ป ระกอบของวงจรไฟฟ้า การคานวณค่าใช้จ่ายพลั งงานไฟฟ้า และการประยุกต์ใช้
แนวคิดเบื้องต้น คือ หลอดภาพลาอิเล็กตรอน
บทที่ 2 กฎพื้นฐาน เป็นการอธิบายถึง กฎพื้นฐานที่สาคัญสาหรับวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า โดยอธิบายถึง
กฎของโอห์ ม กิ่ ง โนด ลู ป เมซ กฎของเคอร์ ช อฟฟ์ ตั ว ต้ า นทานต่ อ อนุ ก รมและการแบ่ ง แรงดั น ไฟฟ้ า
ตัว ต้ านทานต่ อขนานและการแบ่ งกระแสไฟฟ้ า การแปลงรูป วงจรระหว่างแบบวายกั บ แบบเดลตา การ
วิเคราะห์วงจรไฟฟ้า โดยใช้ PSpice Student Version และการประยุกต์ใช้กฎพื้นฐาน ได้แก่ การออกแบบ
ระบบส่ องสว่าง การออกแบบมาตรวัดไฟฟ้ากระแสตรง การออกแบบระบบวัดไฟฟ้าแรงดันสูงกระแสตรง
สาหรับห้องปฏิบัติการวิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง และระบบผลิตกระแสไฟฟ้าด้วยเซลล์แสงอาทิตย์ ตามลาดับ
บทที่ 3 ระเบียบวิธีวิเคราะห์วงจร เป็นการอธิบายถึง การประยุกต์ใช้กฎพื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์
วงจรไฟฟ้า คือ ระเบียบวิธีแรงดันโนด และระเบียบวิธีกระแสเมซ โดยอธิบายถึง การวิเคราะห์วงจร ระเบียบวิธี
แรงดันโนด ระเบียบวิธีแรงดันโนดในวงจรแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า ระเบียบวิธีกระแสเมซ ระเบียบวิธีกระแสเมซ
ในวงจรแหล่ งจ่ ายกระแสไฟฟ้ า การวิเคราะห์ วงจรไฟฟ้า โดยใช้ PSpice Student Version การวิเคราะห์
วงจรไฟฟ้า โดยใช้ MATLAB และการประยุกต์ใช้ ระเบี ยบวิธีการวิเคราะห์ วงจร ได้แก่ การวิเคราะห์ วงจร
ทรานซิส เตอร์ และเครื่ องจั กกลไฟฟ้ ากระแสตรง คื อ เครื่อ งกาเนิ ดไฟฟ้ ากระแสตรง และ มอเตอร์ไฟฟ้ า
กระแสตรง ตามลาดับ
ข
บทที่ 4 ทฤษฎีวงจร เป็นการอธิบายถึง ทฤษฎีที่ใช้สาหรับ วิเคราะห์วงจรโดยการแปลงรูปวงจรให้เป็น

วงจรสมมูลอย่างง่าย โดยอธิบายถึง คุณสมบัติวงจรเชิงเส้น ทฤษฎีการทับซ้อน การแปลงแหล่งจ่าย ทฤษฎีของ
เทวินิน ทฤษฎีของนอร์ตัน การส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด ตรวจสอบทฤษฎีวงจรด้วย PSpice Student Version
และการประยุกต์ใช้ทฤษฎีวงจร ได้แก่ แบบจาลองของแหล่งจ่าย การวัดค่าความต้านทาน และระบบควบคุม
เบื้องต้น ตามลาดับ
บทที่ 5 โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์ เป็นการอธิบายถึง องค์ประกอบแบบแอคทีฟที่สาคัญในทาง
วิศ วกรรมไฟฟ้ า คื อ โอเปอเรชั น นอล แอมพลิ ไฟเออร์ หรื อ เรี ย กว่ า ออปแอมป์ (Op-Amp) ซึ่ งถู ก ใช้ ใ น
วงจรขยายสัญญาณทางไฟฟ้าอย่างแพร่หลาย โดยอธิบายถึง ตัวขยายในทางอุดมคติ โอเปอเรชันนอล แอมพลิ
ไฟเออร์ ออปแอมป์ ในอุ ด มคติ วงจรขยายแบบกลั บ เฟส วงจรขยายแบบไม่ กลั บ เฟส วงจรขยายผลบวก
วงจรขยายผลต่าง วงจรขยายเครื่องมือวัด การต่อคาสเคดวงจรออปแอมป์ การวิเคราะห์วงจรออปแอมป์ โดย
ใช้ PSpice Student Version และการประยุ ก ต์ ใช้ โ อเปอเรชั น นอล แอมพลิ ไฟเออร์ ได้ แ ก่ วงจรแปลง
สัญญาณดิจิทัลเป็นแอนะล็อก การเปรียบเทียบแรงดันในวงจรชาร์จแบตเตอรี่ และวงจรป้องกันหม้อแปลง
ไฟฟ้าแรงดันสูงสาหรับห้องปฏิบัติการวิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง ตามลาดับ
บทที่ 6 ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนา เป็นการอธิบายถึง องค์ประกอบของวงจรแบบพาสซีฟเชิงเส้นที่
สาคัญอีก 2 องค์ประกอบ คือ ตัวเก็บประจุ และตัวเหนี่ยวนา ซึ่งเป็นองค์ประกอบประเภทสะสมพลังงาน โดย
อธิบ ายถึง ตัวเก็บ ประจุ ตัวเก็บ ประจุอนุ กรมและขนาน ตัวเหนี่ยวนา ตัวเหนี่ยวนาอนุกรมและขนาน การ
วิเคราะห์วงจรตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนา โดยใช้ PSpice Student Version และการประยุกต์ใช้ ได้แก่
วงจรทาอินทิเกรต วงจรทาอนุพันธ์ และตัวอย่างการประยุกต์ใช้ ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนาทางวิศวกรรม
ไฟฟ้าแรงสูง ตามลาดับ
จากกฎพื้นฐาน ระเบียบวิธีวิเคราะห์ วงจร และทฤษฎีวงจรที่กล่าวมาแล้วผู้เขียนได้เชื่อมโยงเนื้อหาที่
เกี่ยวข้องในสาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้า ได้แก่ วงจรอิเล็กทรอนิกส์ เครื่องจักรกลไฟฟ้า ระบบควบคุมเชิงเส้น
และวิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง และได้อธิบายถึงการออกแบบระบบผลิตไฟฟ้าจากพลังงานแสงอาทิตย์เบื้องต้น
และวงจรชาร์จแบตเตอรี่ ดังแสดงในหัวข้อการประยุกต์ใช้ในแต่ละบท ผู้เขียนหวังเป็นอย่างยิ่งว่า หนังสือเล่มนี้
จะเป็นประโยชน์ต่อผู้เรียน หรือผู้สนใจ รวมถึงนักเรียน นักศึกษาในระดับอาชีวศึกษา สามารถประยุกต์ใช้กับ
รายวิชาในสาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้าได้ต่อไป
(ผศ.ธนากร น้าหอมจันทร์)
สารบัญ
หน้า
บทที่ 1 แนวคิดเบื้องต้นและคาจากัดความ 1
1.1 บทนา 1
1.2 ระบบหน่วย 3
1.3 ประจุไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้า 8
1.4 แรงดันไฟฟ้า 14
1.5 กาลังไฟฟ้าและพลังงานไฟฟ้า 16
1.6 องค์ประกอบของวงจรไฟฟ้า 19
1.7 การคานวณค่าใช้จ่ายพลังงานไฟฟ้า 22
1.8 การประยุกต์ใช้แนวคิดเบื้องต้น 27
1.9 บทสรุป 28
1.10 แบบฝึกหัดท้ายบท 29
รายการเอกสารอ้างอิง 31
บทที่ 2 กฎพื้นฐาน 33
2.1 บทนา 33
2.2 กฎของโอห์ม 33
2.3 กิ่ง โนด ลูป เมซ 43
2.4 กฎของเคอร์ชอฟฟ์ 45
2.5 ตัวต้านทานต่ออนุกรมและการแบ่งแรงดันไฟฟ้า 52
2.6 ตัวต้านทานต่อขนานและการแบ่งกระแสไฟฟ้า 54
2.7 การแปลงรูปวงจรระหว่างแบบวายกับแบบเดลตา 63
2.8 การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า โดยใช้ PSpice Student Version 69
2.9 การประยุกต์ใช้กฎพื้นฐาน 72
ง
สารบัญ (ต่อ)
หน้า
บทที่ 3 ระเบียบวิธีวิเคราะห์วงจร 95
3.1 บทนา 95
3.2 การวิเคราะห์วงจร 95
3.3 ระเบียบวิธีแรงดันโนด 97
3.4 ระเบียบวิธีแรงดันโนดในวงจรแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า 106
3.5 ระเบียบวิธีกระแสเมซ 112
3.6 ระเบียบวิธีกระแสเมซในวงจรแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า 118
3.7 การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า โดยใช้ PSpice Student Version 120
3.8 การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า โดยใช้ MATLAB 123
3.9 การประยุกต์ใช้ระเบียบวิธีการวิเคราะห์วงจร 125
บทที่ 4 ทฤษฎีวงจร 135
4.1 บทนา 135
4.2 คุณสมบัติวงจรเชิงเส้น 135
4.3 ทฤษฎีการทับซ้อน 138
4.4 การแปลงแหล่งจ่าย 145
4.5 ทฤษฎีของเทวินิน 149
4.6 ทฤษฎีของนอร์ตัน 156
4.7 การส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด 161
4.8 ตรวจสอบทฤษฎีวงจรด้วย PSpice Student Version 163
4.9 การประยุกต์ใช้ทฤษฎีวงจร 167
จ
หน้า
บทที่ 5 โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์ 177
5.1 บทนา 177
5.2 ตัวขยายในทางอุดมคติ 177
5.3 โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์ 179
5.4 ออปแอมป์ในอุดมคติ 184
5.5 วงจรขยายแบบกลับเฟส 186
5.6 วงจรขยายแบบไม่กลับเฟส 189
5.7 วงจรขยายผลบวก 192
5.8 วงจรขยายผลต่าง 193
5.9 วงจรขยายเครื่องมือวัด 197
5.10 การต่อคาสเคดวงจรออปแอมป์ 198
5.11 การวิเคราะห์วงจรออปแอมป์ โดยใช้ PSpice Student Version 202
5.12 การประยุกต์ใช้โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์ 204
บทที่ 6 ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนา 215
6.1 บทนา 215
6.2 ตัวเก็บประจุ 215
6.3 ตัวเก็บประจุอนุกรมและขนาน 225
6.4 ตัวเหนี่ยวนา 229
6.5 ตัวเหนี่ยวนาอนุกรมและขนาน 236
6.6 การวิเคราะห์วงจรตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนา โดยใช้ PSpice Student Version 240
6.7 การประยุกต์ใช้ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนา 241
ฉ
หน้า
ภาคผนวก ก สมการเชิงเส้นและเมทริกซ์ผกผัน 255
ภาคผนวก ข จานวนเชิงซ้อน 265
ภาคผนวก ค สูตรทางคณิตศาสตร์ 269
ภาคผนวก ง PSpice Student Version 275
ภาคผนวก จ MATLAB 303
อภิธานศัพท์ 325
ดัชนีคาค้น 335
บทที่ 1
แนวคิดเบื้องต้นและคำจำกัดควำม
1.1 บทนำ
ไฟฟ้าเป็นปัจจัยสาคัญยิ่งประการหนึ่งต่อการดารงชีวิตของมนุษย์ ตั้งแต่แรกเกิดในโรงพยาบาล การใช้
ชี วิ ต ประจ าวั น ในบ้ า นเรื อ น การเรี ย นการสอนในสถานศึ ก ษา การสั ญ จรไปมาในเส้ น ทางต่ า ง ๆ
การรักษาพยาบาล จวบจนเสียชีวิต ผู้มีหน้าที่เกี่ยวข้องกับไฟฟ้าโดยตรง คือ วิศวกรไฟฟ้า ซึ่งดูแลรับผิดชอบ
ตั้งแต่ระบบผลิตพลังงานไฟฟ้า ระบบส่งจ่ายพลังงานไฟฟ้า และระบบจาหน่ายพลังงานไฟฟ้าด้วยไฟฟ้าระดับ
แรงดั น สู งมากกว่ า 1,000 โวลต์ การออกแบบติ ด ตั้ งอุ ป กรณ์ ไฟฟ้ า ในอาคาร บ้ านพั ก อาศั ย และสถาน
ประกอบการ ด้วยไฟฟ้าระดับแรงดันต่ากว่า 1,000 โวลต์ ตลอดจนอุปกรณ์ไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์
วงจรไฟฟ้า เป็น วิช าทฤษฎีพื้นฐานที่สาคัญในการศึกษาทางด้านวิศวกรรมไฟฟ้า มาตรฐานคุณ วุฒิ
ระดับ ปริญญาตรีสาขาวิศวกรรมศาสตร์ พ.ศ. 2553 (กระทรวงศึกษาธิการ, 2553) ได้อธิบายลักษณะของ
สาขาวิ ช าวิ ศ วกรรมศาสตร์ ไว้ ดั งนี้ “สาขาวิศ วกรรมศาสตร์ เป็ น สาขาวิ ช าที่ เกี่ ย วกั บ การน าความรู้ ท าง
คณิตศาสตร์และวิทยาศาสตร์ธรรมชาติมาประยุกต์ใช้ มีหลายสาขาย่อยทาให้เกิดความหลากหลายในด้านองค์
ความรู้และสาขาวิชาชีพที่เกี่ยวข้อง ทั้งนี้พื้นฐานความรู้ของสาขาวิศวกรรมศาสตร์ประกอบด้วยความรู้ทางด้าน
คณิตศาสตร์ วิทยาศาสตร์พื้นฐานและวิทยาศาสตร์ประยุกต์ เพื่อนาไปสู่การต่อยอดองค์ความรู้ด้วยศาสตร์และ
เทคโนโลยี ที่ เกี่ ย วข้ อ งกั บ สาขาวิ ช าชี พ ” โดยสาขาวิ ช าที่ เกี่ ย วข้ อ งกั บ วิ ศ วกรรมไฟฟ้ าที่ ร ะบุ ใน มคอ.1
ประกอบด้วย 5 สาขาวิชา ดังนี้
1. วิศวกรรมไฟฟ้า
2. วิศวกรรมไฟฟ้า (สาขาย่อยไฟฟ้ากาลัง)
3. วิ ศ วกรรมไฟฟ้ า (สาขาย่ อ ยไฟฟ้ า สื่ อ สาร/โทรคมนาคม) หรื อ วิ ศ วกรรมโทรคมนาคม หรื อ
วิศวกรรมไฟฟ้าสื่อสาร
4. วิศวกรรมไฟฟ้า (สาขาย่อยอิเล็กทรอนิกส์) หรือ วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์
5. วิศวกรรมไฟฟ้า (สาขาย่อยระบบวัดคุม) หรือ วิศวกรรมระบบวัดคุม หรือ วิศวกรรมอัตโนมัติ
ผู้ศึกษาทางด้านวิศวกรรมไฟฟ้าทั้ง 5 สาขาวิชา จะต้องศึกษาวิชาวงจรไฟฟ้า ซึ่งเป็นรายวิชาพื้นฐานที่
สาคัญต่อการศึกษารายวิชาอื่น ๆ ในกลุ่มความรู้ด้านวิศวกรรมไฟฟ้า ทั้งในด้านการผลิต การส่ง และการจ่าย
กาลังไฟฟ้า เครื่องจักรกลไฟฟ้ากระแสตรงและกระแสสลับ ระบบควบคุมแบบต่าง ๆ วงจรอิเล็กทรอนิกส์และ
อิเล็ กทรอนิ กส์กาลัง การวัดและเครื่องมือวัด และระบบสื่อสาร เป็นต้น สอดคล้องกับ ระเบียบสภาวิศวกร
ว่าด้วย วิช าพื้น ฐานทางวิทยาศาสตร์ วิช าพื้นฐานทางด้านวิศวกรรม และวิชาเฉพาะทางวิศวกรรม ที่ส ภา
วิศวกรจะให้ การรับ รองปริ ญ ญา ประกาศนี ยบัตร และวุฒิ บั ตร ในการประกอบวิช าชีพวิศวกรรมควบคุ ม
2
พ.ศ. 2558 (สภาวิศวกร, 2558) ที่กาหนดให้วิชาวงจรไฟฟ้า (Electric circuit) เป็นรายวิชาในกลุ่มวิชาพื้นฐาน

ทางวิศวกรรมของสาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้าทั้งงานไฟฟ้ากาลังและงานไฟฟ้าสื่อสาร
วงจรไฟฟ้า หมายถึง การเชื่อมโยงหรือการต่อเข้าด้วยกันขององค์ประกอบทางไฟฟ้า ในการศึกษาด้าน
วิศวกรรมไฟฟ้าจะเป็นการพิจารณาเกี่ยวกับ ทิศทางการไหลและปริมาณของกระแสไฟฟ้า ขั้วและปริมาณของ
แรงดันไฟฟ้าที่ตกคร่อมองค์ประกอบทางไฟฟ้าในวงจร กาลังไฟฟ้าและการส่งผ่านพลังงานไฟฟ้าจากจุดหนึ่งไป
ยังอีกจุดหนึ่งในวงจรไฟฟ้านั้น ๆ ในบทนี้จะอธิบายถึง ระบบหน่วย ประจุไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า
กาลังไฟฟ้าและพลังงานไฟฟ้า องค์ป ระกอบของวงจรไฟฟ้า การคานวณค่าใช้จ่ายพลั งงานไฟฟ้า และการ
ประยุกต์ใช้แนวคิดเบื้องต้น ตามลาดับ ตัวอย่างวงจรไฟฟ้า แสดงดังภาพ 1.1
4.7nF
5V
18 k  1.8k
หลอดไฟ 68pF 10 k 
1F 5 .6 k 
33 k 
3.4 V 22 k 
สายตัวนาไฟฟ้า L1
BF324 18 k
1.2 V
680nF BC550C
สายตัวนาไฟฟ้า 0.2 V
4 .7 pF BC550C
1k 0.73V 4 . 7  F AF
18 k 
BC560C
220  100 pF 47 k
สวิตช์ แบตเตอรี่ 4.7nF
L2
1.2k
0.66V
L1 : 10 turn/0.5mm SWG25d  3mm
BF324 BF324 L2 : 12 turn/0.5mm SWG25 d  5mm
L3 : 4 turn/1.2mm SWG18 d  5mm
L3  14pF
(ก) วงจรไฟฟ้าอย่างง่าย (ข) วงจรไฟฟ้าของเครื่องรับความถีว่ ิทยุ (Marian, 2010)

ภำพ 1.1 ตัวอย่างวงจรไฟฟ้า
จากภาพ 1.1 (ก) ซึ่งเป็นวงจรไฟฟ้าอย่างง่าย ประกอบไปด้วย 3 องค์ประกอบพื้นฐาน ดังนี้ แหล่งจ่าย
พลังงานไฟฟ้ากระแสตรง คือ แบตเตอรี่ โหลด คือ หลอดไฟฟ้า และสายตัวนาไฟฟ้า โดยอุปกรณ์ควบคุมการ
ท างาน คื อ สวิ ต ช์ ในการวิ เคราะห์ ว งจรท าได้ โดยใช้ ก ฎพื้ น ฐาน คื อ กฎของโอห์ ม มาช่ ว ยวิ เคราะห์ ห า
กระแสไฟฟ้า กาลังไฟฟ้าและพลังงานที่ใช้ในวงจร และภาพ 1.1 (ข) เป็นวงจรเครื่องรับความถี่วิทยุซึ่งประกอบ
ไปด้วยอุปกรณ์ไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์เป็นจานวนมาก การต่อวงจรมีลักษณะซับซ้อนในการวิเคราะห์ วงจร
จะต้องใช้กฎ และทฤษฎีต่าง ๆ ทางไฟฟ้ามาช่วยในการวิเคราะห์ รวมถึงจะต้องนาคุณลักษณะทางไฟฟ้าของ
อุปกรณ์ต่าง ๆ เข้ามาร่วมพิจารณาด้วย ซึ่งจะอธิบายในบทต่อไป
ด้วยเทคโนโลยีการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในปัจจุบันที่รู้จักกันในชื่อ เทคโนโลยียึดติดอุปกรณ์กับ
พื้น ผิว (Surface-mount technology; SMT) ซึ่งสามารถผลิตอุปกรณ์ อิเล็กทรอนิกส์ให้ มีขนาดเล็ ก ลงและ
สามารถยึดติดเข้ากับแผ่นลายพิมพ์วงจรได้โดยไม่ต้องเจาะแผ่นพิมพ์ลายวงจรเพื่อบัดกรีขาของอุปกรณ์ และทา
ให้แผ่นวงจรมีขนาดเล็ก น้าหนักเบา สะดวกต่อการออกแบบและการพัฒนาวงจรมากยิ่งขึ้น ตัวอย่างแผ่นพิมพ์
วงจรที่ใช้อุปกรณ์ยึดติดบนพื้นผิว (Surface-mount Device; SMD) แสดงดั ง ภาพ 1.2 (ก) เปรี ย บเที ย บกั บ
เทคโนโลยีการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบเดิมดังแสดงในภาพ 1.2 (ข)
3
(ก) Raspberry Pi 2011 (ข) iMac 1998

ภำพ 1.2 แผ่นลายพิมพ์วงจร
1.2 ระบบหน่วย
ในด้านวิศวกรรมศาสตร์และวิทยาศาสตร์ ทั้งในการคานวณและในภาคปฏิบัติจะมีการวัด การแสดงถึง
ปริมาณหรือขนาดของสิ่งที่สนใจ โดยปริมาณที่คานวณหรือวัดได้จะต้องสามารถแสดงหรืออธิบายให้ผู้อื่นเข้าใจ
ได้ด้วย เพื่อความสะดวกในการอธิบาย และการสื่อสารระหว่างกัน
ระบบวัดมาตรฐานโดยทั่วไปจะใช้ ระบบหน่วยวัดระหว่างประเทศ หรือ ระบบเอสไอ (International
System of Units: SI Unit) ระบบเอสไอได้รับการพัฒนาในปี ค.ศ. 1960 โดยพัฒนามาจากระบบหน่วยเมตร-
กิโลกรัม-วินาที (meter-kilogram-second: MKS) และได้ปรับเปลี่ยนนิยามรวมถึงเพิ่มลดหน่วยฐานเอสไอมา
ตลอด ตามการพั ฒ นาเทคโนโลยี ท างด้านการวัด เพื่ อ เพิ่ มความเที่ ย งตรงในการวัด มากขึ้ น ระบบเอสไอ
ประกอบด้วย หน่วยฐาน และหน่วยอนุพันธ์ ดังตาราง 1.1 ถึง 1.2
ตำรำง 1.1 หน่วยฐานในระบบเอสไอ (SI Base Units)
ปริมำณ หน่วยฐำน สัญลักษณ์
(Quantity) (Base unit) (Symbol)
ความยาว (Length) เมตร (Meter) m
มวล (Mass) กิโลกรัม (Kilogram) kg
เวลา (Time) วินาที (Second) s
กระแสไฟฟ้า (Electric current) แอมแปร์ (Ampere) A
อุณหภูมิ (Temperature) เคลวิน (Kelvin) K
ความเข้มของการส่องสว่าง (Luminous intensity) แคนเดลา (Candela) cd
ปริมาณสาร (Amount of substance) โมล (Mole) mol
(International System of Units, 2016)
4
ตำรำง 1.2 หน่วยอนุพันธ์ในระบบเอสไอ (SI Derived Units)

ปริมำณเชิงอนุพันธ์ หน่วยอนุพันธ์ สัญลักษณ์
(Derives quantity) (Derived unit) (Symbol)
พื้นที่ (Area) ตารางเมตร (Square meter) m2
ปริมาตร (Volume) ลูกบาศก์เมตร (Cubic meter) m3
อัตราเร็ว ความเร็ว (Speed, velocity) เมตรต่อวินาที m/s, m·s-1
(Meter per second)
ความเร่ง (Acceleration) เมตรต่อวินาที m/s2, m·s-2
(Meter per second Squared)
ความหนาแน่น (Density) กิโลกรัมต่อลูกบาศก์เมตร kg/m3, kg/m-3
(Kilogram per cubic meter)
ความเข้มข้นเชิงปริมาณสาร โมลต่อลูกบาศก์เมตร mol/m3,
(Amount-of-substance concentration) (Mole per cubic meter) mol·m-3
นอกจากหน่วยฐาน และหน่วยอนุพันธ์ ดังตาราง 1.1 และ 1.2 แล้ว ยังมีห น่วยที่ตั้งชื่อใหม่เพื่อให้
สอดคล้องกับสิ่งที่สนใจ โดยเกิดจากการอนุพันธ์หน่วยฐานในระบบเอสไอ แสดงดังตาราง 1.3
ตำรำง 1.3 หน่วยชื่อใหม่ (Named units derived from SI base units)
ปริมำณ ชื่อ สัญลักษณ์
(Quantity) (Name) (Symbol)
มุม (Angle) เรเดียน (Radian) rad, m·m−1
มุมตัน (Solid angle) สเตอเรเดียน sr, m2·m−2
(Steradian)
ความถี่ (Frequency) เฮิรตซ์ (Hertz) Hz, s−1
แรง (Force) น้าหนัก (Weight) นิวตัน (Newton) N, kg·m·s−2
ความดัน (Pressure) ความเค้น (Stress) พาสคาล (Pascal) Pa, N/m2 , kg·m−1·s−2
พลังงาน (Energy) งาน (Work) ความร้อน (Heat) จูล (Joule) J, N·m, kg·m2·s−2
กาลังงาน (Power) ฟลักซ์การแผ่รังสี (Radiant flux) วัตต์ (Watt) W, J/s, kg·m2·s−3
5
ตำรำง 1.3 (ต่อ)

ปริมำณ ชื่อ สัญลักษณ์
(Quantity) (Name) (Symbol)
ประจุไฟฟ้า คูลอมบ์ (Coulomb) C, s·A
(Electric charge or Quantity of electricity)
ศักย์ไฟฟ้า [Voltage (Electrical Potential โวลต์ (Volt) V, W/A, kg·m2·s−3·A−1
Difference), Electromotive Force]
ความจุไฟฟ้า (Electric Capacitance) ฟาราด (Farad) F, C/V, kg−1·m−2·s4·A2
ความต้านทานไฟฟ้า (Electric Resistance, โอห์ม (Ohm) , V/A, kg·m2·s−3·A−2
Impedance, Reactance)
ความนาไฟฟ้า (Electrical Conductance) ซีเมนซ์ (Siemens) S, A/V, kg−1·m−2·s3·A2
ฟลักซ์แม่เหล็ก (Magnetic Flux) เวเบอร์ (Weber) Wb, V·s, kg·m2·s−2·A−1
ความหนาแน่นฟลักซ์แม่เหล็ก เทสลา (Tesla) T, Wb/m2, kg·s−2·A−1
(Magnetic Field Strength)
ความเหนี่ยวนา (Inductance) เฮนรี่ (Henry) H, Wb/A, kg·m2·s−2·A−2
อุณหภูมิองศาเซลเซียส องศาเซลเซียส °C, K
(Temperature relative to 273.15 K) (degree Celsius)
ฟลักซ์ส่องสว่าง (Luminous Flux) ลูเมน (Lumen) Lm, cd·sr, cd
ความสว่าง (Illuminance) ลักซ์ (Lux) Lx, lm/m2, m−2·cd
กัมมันตภาพรังสี เบคเคอเรล Bq, s−1
[Radioactivity (Decays per unit time)] (Becquerel)
ปริมาณรังสีดูดกลืน เกรย์ (Gray) Gy, J/kg, m2·s−2
[Absorbed Dose (of ionizing radiation)]
ปริมาณรังสีสมมูล ซีเวิร์ต (Sievert) Sv, J/kg, m2·s−2
[Equivalent Dose (of ionizing radiation)]
ความสามารถเร่งปฏิกิริยาเคมี (Catalytic Activity) คาทัล (katal) kat, mol·s−1
6
ข้อสังเกต 1.1
สัญลักษณ์ของหน่วยอนุพันธ์จะเชื่อมด้วยจุดกลาง (dot) (·) ไม่ใช่จุดล่าง (มหัพภาค) (.) เช่น ประจุ
ไฟฟ้ า มี ห น่ ว ยเป็ น คู ล อมบ์ (Coulomb: C) หรื อ s·A งาน มี ห น่ ว ยเป็ น จู ล (Joule: J) หรื อ N·m หรื อ
kg·m2·s−2 ความสว่าง มีหน่วยเป็น ลักซ์ (Lux: Lx) หรือ lm/m2 หรือ m−2·cd เป็นต้น
การเขียนหน่วยโดยใช้สัญลักษณ์ภาษาอังกฤษ จะเขียนด้วยจานวนเอกพจน์เสมอ และไม่ลงท้ายด้วย
เครื่องหมายมหัพภาค (.) เนื่องจากเป็นหน่วยไม่ใช่ตัวย่อ ยกเว้นเป็นคาลงท้ายประโยคในภาษาอังกฤษ เช่น
15 cm ไม่ใช่ 15 cms และ 220 V ไม่ใช่ 220 V. เป็นต้น
นอกจากระบบหน่ วยแล้ ว ยังมีคาอุปสรรคในหน่ว ยเอสไอ (SI prefix) คือ คานาหน้าหน่วยเอสไอ
ใช้เพื่อแสดงปริมาณหรือจานวนให้มีความกะทัดรัด โดยสร้างพหุคูณของหน่วยเอสไอเดิม พหุคูณของหน่วยเอส
ไอจะเป็นสิบยกกาลังด้วยจานวนเต็มเท่าต่าง ๆ และนอกเหนือจากสิบเท่า ร้อยเท่า ส่วนสิบเท่า และส่วนร้อย
เท่าแล้ว จะเป็นพหุคูณของพันเท่าและส่วนพันเท่าทั้งหมด คานาหน้าที่ใช้ในหน่วยเอสไอ แสดงดังตาราง 1.4
ตัวอย่างการเติมคานาหน้าหน่วยเอสไอ เพื่อแสดงถึงหน่วยที่มีปริมาณมากกว่าหรือน้อยกว่า เช่น
1 kg = 1 kilogram = 1103 gram = 1,000 gram
3 M = 3 megaohm = 3106 ohm = 3,000,000 ohm
5 Gbyte = 5 gigabyte = 5109 byte = 5,000,000,000 byte
1 H = 1 microhenry = 110-6 henry = 0.000 001 henry
22 nC = 22 nanocoulomb = 2210-9 coulomb = 0.000 000 022 coulomb
1 kV = 1,000 V = 1,000,000 mV
5 mA = 0.005 A = 0.000 005 kA
4 F = 0.004 mF = 0.000 004 F = 0.000 000 004 kF
สัญลักษณ์ของคานาหน้าที่ใช้ตัวอักษร Y Z P M มีทั้งตัวพิมพ์เล็กและตัวพิมพ์ใหญ่ สัญลักษณ์ของคา
นาหน้าหน่วยทุกคาที่มากกว่า กิโล (kilo) หรือ 103 จะเป็นสัญลักษณ์อักษรภาษาอังกฤษพิมพ์ใหญ่ทั้งหมด
และมีสัญลักษณ์ของคานาหน้า ไมโคร (micro) หรือ 10-6 เพียงคาเดียวที่เป็นอักษรกรีกพิมพ์เล็ก ( ) ในทาง
วิศ วกรรมนิ ย มแสดงตั ว เลขแบบ engineering units โดยจะแสดงจ านวนด้ ว ยตั ว เลขระหว่ าง 1 ถึ ง 999
ร่วมกับคานาหน้าหน่วยที่เลขยกกาลังหารด้วย 3 ลงตัว เช่น 5 mA, 4 F, 22 nC, 1 kV, 3 M เป็นต้น
7
ตำรำง 1.4 คานาหน้าหน่วยในระบบเอสไอ (SI Prefixes)
คำนำหน้ำ สัญลักษณ์ ตัวคูณ ควำมหมำย

(Prefix) (Symbol) (Multiple) (Meaning)
ยอตตะ (yotta) Y 1024 1,000,000,000,000,000,000,000,000
เซตตะ (zetta) Z 1021 1,000,000,000,000,000,000,000
เอกซะ (exa) E 1018 1,000,000,000,000,000,000
เพตะ (peta) P 1015 1,000,000,000,000,000
เทระ (tera) T 1012 1,000,000,000,000
จิกะ (giga) G 109 1,000,000,000
เมกะ (mega) M 106 1,000,000
กิโล (kilo) k 103 1,000
เฮกโต (hector) h 102 100
เดคา (deka) da 101 10
- - 100 1
เดซิ (deci) d 10-1 0.1
เซนติ (centi) c 10-2 0.01
มิลลิ (milli) m 10-3 0.001
ไมโคร (micro)  10-6 0.000 001
นาโน (nano) n 10-9 0.000 000 001
พิโค (pico) p 10-12 0.000 000 000 001
เฟมโต (femto) f 10-15 0.000 000 000 000 001
อัตโต (atto) a 10-18 0.000 000 000 000 000 001
เซปโต (zepto) z 10-21 0.000 000 000 000 000 000 001
ยอกโต (yocto) y 10-24 0.000 000 000 000 000 000 000 001
8
1.3 ประจุไฟฟ้ำและกระแสไฟฟ้ำ
การค้นพบเกี่ยวกับไฟฟ้ามีมากว่า 2,600 ปี ต้นกาเนิดของคาว่า ไฟฟ้า (electricity) มีที่มาจากคาว่า
อิเล็กตรอน (elektron) ในภาษากรีก ซึ่งหมายถึง แท่งอาพัน โดย เธลีส แห่ง มิเลทัส (Thales of Miletus)
นักคณิตศาสตร์ชาวกรีกโบราณ ได้ค้นพบว่า เมื่อนาแท่งอาพันไปถูกับผ้าขนสัตว์จะเกิดการสะสมของประจุ
ไฟฟ้า (charge) บนแท่งอาพัน นั้ น ซึ่งสามารถดึงดูดวัตถุที่มีน้าหนักเบา ๆ อย่างเช่นเส้ นผมได้ และถ้าหาก
ถูแท่งอาพันกับผ้าขนสัตว์นานมากพอก็จะทาให้เกิดประกายไฟได้ โดยปรากฏการณ์ดังกล่าวเรียกว่า การเกิด
ประจุไฟฟ้าสถิตจากการสัมผัสของวัตถุ (Triboelectric effect) (Electric charge, 2016)
วัตถุต่าง ๆ ที่อยู่รอบตัวเราล้วนเป็นสสารทั้งสิ้น ไม่ว่าจะอยู่ใ นสถานะของแข็ง ของเหลว ก๊าซ หรือ
พลาสมา สสารประกอบด้วยด้วยอะตอม แต่ละอะตอมประกอบด้วยอนุภาค ได้แก่ โปรตอน (proton) และ
นิวตรอน (neutron) รวมกันอยู่ในนิวเคลียสของอะตอม และมี อิเล็กตรอน (electron) เคลื่อนที่ตามวงโคจร
รอบ ๆ นิวเคลียส โดยปกติอะตอมจะอยู่ในสภาวะเป็นกลางทางไฟฟ้า คือ มีความสมดุลระหว่างประจุบวกของ
โปรตอนและประจุลบของอิเล็กตรอน ในกรณีที่อะตอมได้รับอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้นจะแสดงตัวเป็นประจุลบ และ
ในทางตรงกันข้ามถ้าอะตอมสูญเสียอิเล็กตรอนจะแสดงตัวเป็นประจุบวก การได้รับหรือการสูญเสียอิเล็กตรอน
มีโอกาสมากกว่าโปรตอน เนื่องจากอิเล็กตรอนเคลื่อนที่ในวงโคจรรอบนิวเคลียส อิเล็กตรอนที่อยู่ในวงโคจร
ชั้น นอกสุ ดของอะตอม (valence electron) มี โอกาสหลุ ดออกจากวงโคจรได้มากกว่า ตัวอย่างโครงสร้าง
อะตอมที่ประกอบด้วยโปรตอน นิว ตรอนที่รวมตัวกันเป็นนิวเคลียสและมีอิเล็กตรอนโคจรโดยรอบ แสดงดัง
ภาพ 1.3 และสัญลักษณ์ มวล คุณสมบัติทางไฟฟ้าและขนาดของอนุภาคมูลฐานในอะตอม แสดงดังตาราง 1.5
จานวนอิเล็กตรอนสูงสุดในแต่ละชั้นวงโคจรรอบนิวเคลียส (shell) จะมีค่าเท่ากับ 2n2 โดยที่ n คือ
ลาดับที่ของชั้นวงโคจรที่อยู่ห่างออกไปจากนิวเคลียส และมีข้อกาหนดของจานวนอิเล็กตรอนในชั้นวงโคจร
ดังนี้
1. ชั้นวงโคจรวงนอกสุดของอะตอมนั้น ๆ จะมีอิเล็กตรอนไม่เกิน 8 ตัว
2. ชั้นวงโคจรชั้นถัดจากชั้นนอกสุดของอะตอมนั้น ๆ จะมีอิเล็กตรอนได้ไม่เกิน 18 ตัว
วาเลนซ์อิเล็กตรอนหรืออิเล็กตรอนวงนอกสุดจะเป็นตัวบ่งบอกถึงคุณสมบัติทางไฟฟ้าของสสารต่าง ๆ
ซึ่งสามารถแบ่งออกเป็น 3 ชนิด คือ ตัวนาไฟฟ้า สารกึ่งตัวนา และฉนวนไฟฟ้า ดังภาพ 1.3 ดังนี้
1. ตัวนาไฟฟ้า จะมีวาเลนซ์อิเล็กตรอน จานวน 1 - 3 ตัว เช่น He, H และ Al
2. สารกึ่งตัวนา จะมีวาเลนซ์อิเล็กตรอน จานวน 4 ตัว เช่น C และ Si
3. ฉนวนไฟฟ้า จะมีวาเลนซ์อิเล็กตรอน จานวน 5 - 8 ตัว เช่น Ne และ A
9
Photons Neutrons
2 Atomic Number = Number of Photons = Number of Electrons
e-
p + n0 He Chemical Symbol
n0 p + Helium Chemical Name
e-
4 Atomic Weight = Number of Photons + Number of Neutrons
Nucleus Electrons
Helium Atom
13 Valence electron
1 Al
Aluminum
H 27
Hydrogen
1
K Shell (n=1)
p=1 L Shell (n=2) p=13
n=0 n=14
M Shell (n=3)
Hydrogen Atom Aluminum Atom
6 14
C Si
Carbon Silicon
12 28
p=6 p=14
n=6 n=14
Carbon Atom Silicon Atom
10 18
Ne
Neon
A
Argon
20 40 p=18
n=22
p=10
n=10
Neon Atom Argon Atom
ภำพ 1.3 ตัวอย่างโครงสร้างอะตอม

10
ตำรำง 1.5 สมบัติของอนุภาคมูลฐานในอะตอม
มวล ประจุไฟฟ้ำ (q)

อนุภำค สัญลักษณ์
กรัม (g) atomic mass unit คูลอมบ์ (C) ชนิดของประจุไฟฟ้ำ
โปรตอน p 1.672510-24 1.007274 1.60210-19 +1
นิวตรอน n 1.674810-24 1.008665 0 0
อิเล็กตรอน e 9.0910-28 0.000549 1.60210-19 -1
(อภินันท์ อุรโสภณ, 2554)
ปริมาณของประจุไฟฟ้า (charge) เป็นปริมาณพื้นฐานที่สาคัญที่ช่วยอธิบายปรากฏการณ์ทางไฟฟ้าใน
วงจรไฟฟ้าได้เป็นอย่างดี โดยปรากฏการณ์ทางไฟฟ้าในชีวิตประจาวันที่จะพบประจุไฟฟ้าได้ เช่น การเกิดไฟฟ้า
สถิตระหว่างเสื้อผ้ากับร่างกาย การสัมผัสกันโดยบังเอิญในพื้นที่ปรับอากาศ หรือการสัมผัสโลหะในบริเวณที่มี
อากาศแห้ง เป็นต้น
ประจุ ไฟฟ้ า มี ห น่ ว ยเป็ น คู ล อมบ์ (coulomb; C) เพื่ อ เป็ น เกี ย รติ แ ก่ ชาร์ ล -โอกุ ส แต็ ง เดอ กู ล ง
(Charles-Augustin de Coulomb) นักฟิสิกส์ชาวฝรั่งเศส เป็นผู้คิดค้นกฎที่เกี่ยวกับแรงระหว่างประจุไฟฟ้า
อิเล็ กตรอน e มีป ระจุ เป็ น ลบและมี ขนาด 1.602×10-19 C ในขณะที่ โปรตอน p มีประจุเป็ น บวกที่มีขนาด
เท่ากับอิเล็กตรอน ดังตาราง 1.5 ด้วยเหตุนี้จึงทาให้อะตอมมีประจุเป็นกลาง
ประจุ 1 C ประกอบด้วย 1/(1.602×10-19) = 6.24×1018 อิเล็กตรอน ดังนั้น หน่วยคูล อมบ์จึงเป็น
หน่วยที่มีขนาดใหญ่มากสาหรับประจุไฟฟ้า โดยทั่วไปการประจุจะอยู่ในระดับ pC, nC หรือ C
กฎการอนุรักษ์ของประจุไฟฟ้า (law of conservation of charge) กล่าวว่า ผลรวมของประจุไฟฟ้า
ในระบบจะไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ โดยที่ประจุในระบบสามารถถ่ายโอนหรือส่งผ่านจากที่หนึ่งไปยังอีกที่
หนึ่งได้ แต่จะไม่สามารถสร้างขึ้นหรือทาลายลงได้
เมื่อต่อวัสดุตัวนาไฟฟ้าซึ่งเป็นสสารที่ประกอบด้วยอะตอมจานวนมาก เช่น อลูมิเนียม ทองแดง เงิน
เข้ากับ แหล่งกาเนิดพลังงานไฟฟ้าในที่นี้ คือ แบตเตอรี่ จะส่งผลให้เกิดการเคลื่อนที่ของประจุในวัสดุตัวนา
ไฟฟ้ านั้ น โดยประจุ บ วกจะเคลื่ อ นที่ ไปในทิ ศ ทางหนึ่ งและประจุ ล บจะเคลื่ อ นที่ ไปในทิ ศ ทางตรงกั น ข้า ม
การเคลื่อนที่ของประจุทาให้เกิดกระแสไฟฟ้า ขึ้น ซึ่งกระแสไฟฟ้าจะไหลในทิศทางเดียวกับประจุบวก หรือ
กระแสไฟฟ้าจะไหลในทิศทางตรงกันข้ามกับประจุลบ ดังภาพ 1.4
11
Area; A
+ Battery -
ภำพ 1.4 ทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้าและการเคลื่อนที่ของประจุในวัสดุตัวนาไฟฟ้า

กระแสไฟฟ้า คือ อัตราส่วนการเปลี่ยนแปลงของจานวนประจุไฟฟ้าที่เคลื่อนที่ผ่านพื้นที่หน้าตัด (A) ที่
พิจารณา ในกรณีที่พิจารณาการไหลของกระแสไฟฟ้าในสายไฟ พื้นที่หน้าตัดที่พิจารณา คือ พื้นที่หน้าตัดของ
สายไฟเส้น นั้ น กระแสไฟฟ้า มีห น่ วยเป็ น แอมแปร์ (Ampere; A) เพื่อเป็นเกียรติแก่ อังเดร์ มารี แอมแปร์
(Andre-Marie Ampere) นักคณิตศาสตร์และฟิสิกส์ชาวฝรั่งเศส ผู้ค้นพบความสัมพันธ์ระหว่างกระแสไฟฟ้า
และสนามแม่เหล็ก
ความสัมพันธ์ระหว่างกระแสไฟฟ้า i ประจุไฟฟ้า q และเวลา t แสดงดังสมการ (1.1)
dq
i  (1.1)
dt
เมื่อกระแสไฟฟ้ามีหน่วยเป็น แอมแปร์ (A) ดังนั้น 1 แอมแปร์ เท่ากับ 1 คูลอมบ์ต่อวินาที คือ กระแส
เกิดจากการเคลื่ อ นที่ ของประจุ ขนาด 1 คูล อมบ์ เคลื่ อนที่ ผ่ านพื้ นที่ ห น้ าตั ดจากต าแหน่งอ้างอิ งหนึ่ งถึงอี ก
ตาแหน่งอ้างอิงหนึ่งในเวลา 1 วินาที ดังเช่น พื้นที่หน้าตัด A ดังภาพ 1.4
ประจุไฟฟ้าทีเ่ คลื่อนที่ระหว่างเวลา t0 และ t จะหาได้โดยอินทิกรัลสมการ (1.1) จะได้
t
Q   t 0 i dt (1.2)
กระแสไฟฟ้าที่ไม่เปลี่ยนแปลงค่าตามเวลาหรือคงที่ตลอดเวลาดังภาพ 1.5 (ก) เรียกว่า กระแสตรง

(direct current: dc) ซึ่งจะใช้สัญลักษณ์ I แทนกระแสไฟฟ้าคงที่ (กระแสตรง) กระแสตรงพบอยู่ทั่วไปตาม
อุปกรณ์ไฟฟ้าที่ใช้แบตเตอรี่ เช่น รีโมทอุปกรณ์ไฟฟ้า โทรศัพท์เคลื่อนที่ รถยนต์ รถจักรยานยนต์ หรือจักรยาน
ไฟฟ้า เป็นต้น
กระแสไฟฟ้าที่เปลี่ ยนแปลงค่าตามเวลาหรือกระแสรูป ไซน์ (sinusoidal current) ดังภาพ 1.5 (ข)
จะใช้สัญลักษณ์ i หรือเรียกว่า กระแสสลับ (alternating current: ac) กระแสสลับที่พบอยู่ตามชีวิตประจาวัน
คือ ตามบ้านเรือน เช่น โทรทัศน์ วิทยุ ตู้เย็น เครื่องปรับอากาศ ในสถานศึกษา หรือ สถานประกอบการทั่วไป
มีทั้ง 1 เฟส และ 3 เฟส
12
I i
0 t
0 t
(ก) (ข)
ภำพ 1.5 รูปคลื่นกระแสไฟฟ้า (ก) กระแสตรง (dc) (ข) กระแสสลับ (ac)
การไหลของกระแสไฟฟ้าเกิดจากการเคลื่ อนที่ของประจุไฟฟ้า โดยจะกาหนดให้ ไหลไปในทิศทาง
เดียวกับการเคลื่อนที่ของประจุบวก การนิยามกระแสไฟฟ้าในวงจรไฟฟ้านอกจากจะต้องระบุทิศทางแล้วยัง
ต้องระบุขนาดหรือปริมาณของกระแสด้วย โดยทั่วไปนิยมใช้ลูกศรเพื่อแสดงทิศทางการไหลของกระแสและมี
ตัวเลขกากับเพื่อแสดงปริมาณของกระแสที่ไหล ดัง ภาพ 1.6 พิจารณาภาพ 1.6 (ก) มีการระบุทิศทางจากซ้าย
ไปขวาที่ค่ากระแส i = 2 A การนิยามกระแสตามนี้หมายความว่า มีกระแสไฟฟ้าขนาด 2 A ไหลจากจุด a ไป
ยั งจุ ด b เช่ น เดี ย วกั บ ภาพ 1.6 (ข) ระบุ ว่ า i = -2 A ในทิ ศ ทางเดี ย วกั น กั บ ภาพ 1.6 (ก) หมายความว่ า
มีกระแสไฟฟ้าขนาด -2 A ไหลจากจุด a ไปยังจุด b หรือมีกระแสไฟฟ้าขนาด 2 A ไหลจากจุด b ไปยังจุด a
และภาพ 1.6 (ค) ระบุว่า i = 2 A ไหลจากจุด b ไปยังจุด a การระบุแบบนี้มีความหมายเช่นเดียวกับภาพ 1.6
(ข) คือ มีกระแสไฟฟ้าขนาด 2 A ไหลจากจุด b ไปยังจุด a
i=2A i = -2 A i=2A
a b a b a b
(ก) (ข) (ค)

ภำพ 1.6 ตัวอย่างการนิยามการไหลของกระแสไฟฟ้าผ่านองค์ประกอบในวงจรไฟฟ้าโดยใช้ลูกศรระบุทิศทาง
นอกจากนี้อาจใช้ดัชนีล่าง 2 ตัว (double subscript) ตัวอย่างเช่น iab เพื่อกาหนดทิศทางการไหล
แทนใช้ลูกศรกากับทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้าได้เช่นกัน พิจารณาภาพ 1.7 ซึ่งเป็นการนิยามทิศทาง
การไหลของกระแสไฟฟ้าในวงจรซึ่งมีทิศทางการไหลเดียวกับภาพ 1.6 ทุกประการ
iab = 2 A iab = -2 A iba = 2 A

a b a b a b
(ก) (ข) (ค)

ภำพ 1.7 ตัวอย่างการนิ ยามการไหลของกระแสไฟฟ้าผ่านองค์ประกอบในวงจรไฟฟ้าโดยใช้ดัชนีล่าง 2 ตัว
ระบุทิศทาง
13
ตัวอย่ำง 1.1 หาประจุไฟฟ้าของอิเล็กตรอน จากอลูมิเนียม 500 อะตอม

วิธีทำ จากภาพ 1.3 อลูมิเนียม 1 อะตอม ประกอบด้วย 13 อิเล็กตรอน
ดังนั้น 500 อลูมิเนียมอะตอม = 13  500 = อิเล็กตรอน 6,500 ตัว
จากตาราง 1.5 อิเล็กตรอนแต่ละตัวมีประจุ q = - 1.602×10-19 C
ดังนั้น q  ( 1.602  10 19 C / electron )  6,500 electron
q   1.0413  1015 C   1.0413 fC [ femtocoulomb]

ตัวอย่ำง 1.2 ถ้ามีอิเล็กตรอนจานวน 5×1012 ตัว เคลื่อนที่ผ่านพื้นที่หน้าตัดของวัสดุตัวนาไฟฟ้าจากตาแหน่ง
อ้างอิงหนึ่งถึงอีกตาแหน่งอ้างอิงหนึ่งในเวลา 3 มิลลิวินาที หาค่าของกระแสไฟฟ้าในสภาวะคงตัว
dq q
วิธีทำ จากสมการ (1.1) i  
dt t
= (ประจุของอิเล็กตรอน) × (จานวนอิเล็กตรอน)
ช่วงเวลา (วินาที)
( 1.602  1019 )(5  1012 )

   267 A
3  10 3
ตัวอย่ำง 1.3 หากระแสไฟฟ้าที่เวลา t = 1 s จากประจุไฟฟ้าที่ขั้วรวม q = 5t sin 4t mC
dq q
วิธีทำ จากสมการ (1.1) i  
dt t
dq d
i   (5t sin 4 t ) mC/s
dt dt
 (5t cos 4 t (4 )  sin 4 t (5) mA
 (5 sin 4 t  20 t cos 4 t ) mA
ที่เวลา t = 1 s; i  5 sin 4  20 cos 4  0  20  62.83 mA

14
ตัวอย่ำง 1.4 หาประจุไฟฟ้าที่ขั้วรวม ระหว่างเวลา t = 1 s และ 2 s ถ้ากระแสไหลเข้า i = (3t2 + 5t) A

t
วิธีทำ จากสมการ (1.2) Q   t 0 i dt
t 2 2
Q   t1 i dt  1 (3t 2  5t ) dt
2
 3 t2   5
  t  5   (8  10)   1    14.5 C
 2
1
 2
1.4 แรงดันไฟฟ้ำ
การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนในตัวนาไฟฟ้าจะส่งผลให้เกิดการถ่ายโอนประจุจากที่หนึ่งไปยังอีกที่หนึ่ง
ในระบบได้ ดังนั้ น ถ้าต้อ งการส่ งผ่ านพลั งงาน (energy) หรืองาน (work) ไปยั งที่ เจาะจงนั้น จะต้องทาให้
อิเล็กตรอนในตัวนาไฟฟ้านั้นเคลื่อนที่ไปยังที่นั้นด้วยเช่นกัน งานที่ว่านี้กระทาได้โดยอาศัย แรงเคลื่อนไฟฟ้า
(electromotive force, emf) จากภายนอก โดยทั่วไปมักจะแทนแรงเคลื่อนไฟฟ้านี้ด้วยแบตเตอรี่ (battery)
หรือแหล่งกาเนิดแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง ดัง ภาพ 1.4 แรงเคลื่อนไฟฟ้าหรือที่รู้จักกันในชื่อว่า แรงดันไฟฟ้า
(voltage) หรือ ความต่างศักย์ไฟฟ้า (potential difference)
การนิยามแรงดันไฟฟ้าในวงจรไฟฟ้าจะต้องนิยามจุดสองจุดที่ต้องการให้ประจุเคลื่อนที่ไป โดยทั่วไป
นิ ย ามโดยใช้ ดั ช นี ล่ าง 2 ตั ว ตั ว อย่ างเช่ น แรงดั น vab ระหว่ างจุ ด a และ b ในวงจรไฟฟ้ า คื อ พลั งงาน
(หรืองาน) ทีต่ ้องการให้ประจุเคลื่อนที่ จากจุด a ไป b นั่นคือ
dw
v ab  (1.3)
dq
โดยที่ w คือ พลังงาน มีหน่วยเป็น จูล (Joules; J)

q คือ ประจุไฟฟ้า มีหน่วยเป็น คูลอมบ์ (Coulomb; C)
vab หรือ v คือ แรงดัน ไฟฟ้ า มีห น่ วยเป็ น โวลท์ (Volt; V) เพื่อเป็ นเกียรติแก่ อาเลสซานโดร
จูเซปเป อันโตนิโอ อนาสตาซิโอ โวลตา (Alessandro Giuseppe Antonio Anastasio Volta) นักฟิสิกส์ชาว
อิตาเลียน ผู้คิดค้นแบตเตอรี่ หรือเซลล์ไฟฟ้าเคมี
จากสมการ 1.3 เมื่อแรงดันไฟฟ้ามีหน่วยเป็น โวลต์ (V) ฉะนั้น 1 โวลต์ เท่ากับ 1 จูลต่อคูลอมบ์ หรือ
1 นิวตัน-เมตรต่อคูลอมบ์ หรือ แรงดันไฟฟ้า หมายถึง งานที่ใช้ในการถ่ายโอนหรือเคลื่อนที่ประจุปริมาณ +1 คู
ลอมบ์จากจุดหนึ่งไปยังอีกจุดหนึ่ง
15
ตัวอย่ำง 1.5 ถ้าใช้พลังงานปริมาณ 20 J ในการเคลื่อนที่อิเล็กตรอนจานวน 10.4×1018 จากจุด a ไปยังจุด

b ในวงจรไฟฟ้า หาค่าแรงดันไฟฟ้าหรือความต่างศักย์ระหว่างจุด vab
dw
วิธีทำ จากสมการ (1.3) v ab 
dq
20
ดังนั้น v ab  18 19
 12 V
(10.4  10 )(1.602  10 )
การนิยามแรงดันไฟฟ้าในวงจรไฟฟ้านอกจากจะต้องนิยามจุดสองจุดที่ต้องการให้ประจุเคลื่อนที่ไป
แล้ ว ยั ง จะต้ อ งระบุ ค่ า หรื อ ปริ ม าณของแรงดั น และจะต้ อ งก าหนดขั้ ว บวก (+) และขั้ ว ลบ (-) ให้ กั บ
องค์ประกอบด้วย ตัวอย่างดังภาพ 1.8
v = 12 V v = -12 V v = 12 V
+ - + - - +
a b a b a b
(ก) (ข) (ค)

ภำพ 1.8 ตัวอย่างการนิยามแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมองค์ประกอบในวงจรไฟฟ้าโดยใช้สัญลักษณ์ขั้วบวก และลบ
จากภาพ 1.8 (ก) v = 12 V หมายถึง ค่าแรงดันที่จุด a เมื่อเทียบกับจุด b มีค่าเท่ากับ 12 V ในทาง
ตรงกันข้าม ดังภาพ 1.8 (ข) v = -12 V หมายถึง ค่าแรงดันที่จุด a มีค่ามากกว่าจุด b ปริมาณ -12 V และ
ภาพ 1.8 (ค) มีความหมายเช่นเดียวกับ ดังภาพ 1.8 (ข) ซึ่งจะกล่าวได้ว่า vab = -vba
นอกจากนี้อาจใช้ดัชนีล่าง 2 ตัว (double subscript) ตัวอย่างเช่น vab เพื่อแสดงขั้วขององค์ประกอบ
แทนเครื่องหมายบวก (+) และลบ (-) ได้เช่นกัน พิ จารณาภาพ 1.9 ซึ่งเป็น การนิยามขั้ว ของแรงดันไฟฟ้ า
ตกคร่อมองค์ประกอบในวงจรไฟฟ้าเช่นเดียวกับภาพ 1.8 ทุกประการ
Vab = 12 V Vab = -12 V Vba = 12 V

a b a b a b
(ก) (ข) (ค)

ภำพ 1.9 ตัวอย่างการนิยามแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมองค์ประกอบในวงจรไฟฟ้าโดยใช้ดัชนีล่าง 2 ตัว
เช่นเดียวกับกระแสไฟฟ้า แรงดัน ไฟฟ้าที่ไม่เปลี่ยนแปลงค่าตามเวลาหรือคงที่ตลอดเวลา จะเรียกว่า
แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง (dc voltage) แทนด้วยสัญลักษณ์ V โดยทั่วไปจะได้จากแบตเตอรี่ เซลล์แสงอาทิตย์
เป็ น ต้น และแรงดัน รูป ไซน์ หรือแรงดัน ไฟฟ้าที่เปลี่ ยนแปลงค่าตามเวลา เรียกว่า แรงดันไฟฟ้ากระแสสลั บ
(ac voltage) ซึ่งจะแทนด้วยสัญลักษณ์ v โดยทั่วไปจะได้จากเครื่องกาเนิดไฟฟ้า
16
1.5 กำลังไฟฟ้ำและพลังงำนไฟฟ้ำ
จากตัวแปรพื้นฐานในวงจรไฟฟ้า ทั้งกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า ซึ่งไม่เพียงพอที่จะเข้าใจพฤติกรรม
ของวงจรไฟฟ้าได้ เช่น ในกรณีที่ต้องการจะทราบถึงพิกัดกาลังงาน (power) ของอุปกรณ์ไฟฟ้าที่ใช้งานได้
รวมไปถึงค่าพลังงานไฟฟ้าที่ถูกเรียกเก็บจากปริมาณการใช้พลังงาน (energy) ไฟฟ้าตลอดช่วงเวลา ฉะนั้น การ
คานวณค่ากาลังไฟฟ้าและพลังงานไฟฟ้ามีความจาเป็นต่อการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าเป็นอย่างมาก
กาลังไฟฟ้า คือ อัตราการทางาน หรืออัตราการดูดกลืนพลังงาน หรือปริมาณงานที่ทาต่อหน่วยเวลา
ความสัมพันธ์ของกาลังไฟฟ้าและพลังงานไฟฟ้า แสดงดังสมการ (1.4)
dw
p  (1.4)
dt
โดยที่ w คือ พลังงานไฟฟ้า มีหน่วยเป็น จูล (Joules; J)
t คือ เวลา มีหน่วยเป็น วินาที (second; s)
p คือ กาลั งไฟฟ้ า มีห น่ ว ยเป็ น วัต ต์ (Watt; W) เพื่อเป็ นเกียรติแก่ เจมส์ วัตต์ (James Watt)
วิศวกรและนักประดิษฐ์ ชาวสกอตแลนด์ ผู้ปรับปรุงเครื่องจักรไอน้าประสิทธิภาพสูง
ก าลั ง ไฟฟ้ า p ที่ เกิ ด ขึ้ น กั บ องค์ ป ระกอบทางไฟฟ้ า ในวงจรไฟฟ้ า มี ค วามสั ม พั น ธ์ กั บ อั ต ราการ
เปลี่ยนแปลงของประจุต่อระยะเวลา และงานที่ใช้ในการเคลื่อนที่ประจุที่องค์ประกอบทางไฟฟ้านั้น จากนิยาม
ของกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า จะได้
dw dw dq
p    (1.5)
dt dq dt
หรือ p  vi (1.6)
ค่ากาลังไฟฟ้าในสมการ (1.6) เป็นปริมาณที่เปลี่ยนแปลงค่าตามเวลา เรียกว่า ค่ากาลังไฟฟ้าชั่วขณะ
(instantaneous power) ฉะนั้น กาลังไฟฟ้าที่จ่ายหรือที่ดูดกลืน ณ องค์ประกอบใด ๆ จะได้จากผลคูณของ
แรงดันที่ตกคร่อมและกระแสที่ไหลผ่านองค์ประกอบนั้น ๆ
ถ้าค่ าก าลั งไฟฟ้ าที่ อ งค์ ป ระกอบเป็ น บวก (มี เครื่อ งหมาย +) หมายถึ ง องค์ ป ระกอบนั้ น ดู ด กลื น
กาลั งไฟฟ้า และถ้าค่ ากาลั งไฟฟ้าที่องค์ป ระกอบเป็นลบ (มีเครื่องหมาย -) หมายถึง องค์ประกอบนั้นจ่าย
กาลังไฟฟ้า
ค่ากาลังไฟฟ้าเป็นบวกหรือลบ พิจารณาจากทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้าและขั้วของแรงดันไฟฟ้า
ที่ตกคร่อมองค์ประกอบนั้น ดังภาพ 1.10
17
i i
a
+ +
v v
- -
b
p = +vi p = -vi
(ก) (ข)
ภำพ 1.10 ค่ากาลังไฟฟ้าจากข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ
(ก) ดูดกลืนกาลังไฟฟ้า (absorbing power) (ข) จ่ายกาลังไฟฟ้า (supplying power)
จากภาพ 1.10 (ก) แสดงความสัมพันธ์ระหว่างแรงดัน v และกระแส i โดยค่ากาลังไฟฟ้า p จะมีค่า
เป็ น บวก ซึ่งจะเรีย กว่า ข้อ กาหนดเครื่ องหมายแบบพาสซีฟ (passive sign convention) จากข้อ กาหนด
ถ้ากระแสไฟฟ้าไหลเข้าที่ขั้วบวกของแรงดัน ไฟฟ้าตกคร่อมองค์ประกอบใด ๆ จะได้ p = +vi หรือ vi > 0
หมายความว่า องค์ประกอบนั้นได้รับ (ดูดกลืน) กาลังไฟฟ้า และในทางตรงกันข้ามถ้ากระแสไฟฟ้าไหลออก
จากขั้ ว บวกของแรงดั น ไฟฟ้ า ตกคร่ อ มองค์ ป ระกอบใด ๆ จะได้ p = -vi หรื อ vi < 0 ดั ง ภาพ 1.8 (ข)
หมายความว่า องค์ประกอบนั้นจ่ายกาลังไฟฟ้า ตามข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ
ในวงจรไฟฟ้าใด ๆ จะได้ Power absorbed  - Power supplied (1.7)
2A 2A 2A 2A
+ - + -
12 V 12 V 12 V 12 V
- + - +
(ก) (ข) (ค) (ง)
ภำพ 1.11 องค์ประกอบดูดกลืนและจ่ายกาลังไฟฟ้า 24 W ใน 4 กรณี
(ก) p = 12 × 2 = 24 W (ข) p = 12 × 2 = 24 W
(ค) p = 12 × (-2) = -24 W (ง) p = 12 × (-2) = -24 W
18
จากกฎการอนุรักษ์พลังงานไฟฟ้า (Energy Conservation) ในวงจรกล่าวไว้ว่า ผลรวมของกาลังไฟฟ้า

ในวงจรในทุกชั่วขณะเวลาจะเท่ากับศูนย์ หรือ
p  0 (1.8)
จากสมการ (1.8) พลังงานไฟฟ้าทีด่ ูดกลืนหรือจ่ายออกจากองค์ประกอบที่เวลา t0 ถึงเวลา t คือ

t t
w   t0 p dt   t 0 vi dt (1.9)
โดยที่ 1 Wh  3,600 J
ตัวอย่ำง 1.6 หาแรงดัน ตกคร่อมที่เครื่องทาความร้อน ถ้าจ่ายกระแสไฟฟ้า 10 A คงที่เป็นเวลา 2.272 s

พลังงานไฟฟ้าที่เกิดขึ้นเท่ากับ 5 kJ โดยอยู่ในรูปความร้อน
วิธีทำ ประจุไฟฟ้ารวมจะได้ จาก q  it  10A  2.272s  22.72 C
w 5  103 J
แรงดันตกคร่อมเครื่องทาความร้อน จะได้ v    220 V
q 22.72 C
ตัวอย่ำง 1.7 หากาลังไฟฟ้าที่จ่ายให้กับองค์ประกอบที่เวลา t = 10 ms ถ้ากระแสไหลเข้าที่ขั้วบวกเท่ากับ

i = 2sin4t A และแรงดัน ก) v = 5i ข) v = 5 di/dt
วิธีทำ ก) v = 5i ดังนั้น v = 10sin4t V
กาลังไฟฟ้าจะหาได้จาก p  vi  (10 sin 4 t )(2 sin 4 t )  20sin2 4 t W

3
ที่เวลา t = 10 ms จะได้ p  20sin (4  10  10 )  0.314 W
2
d
ข) v = 5 di/dt ดังนั้น v  5 (2 sin 4 t )  10(4 ) cos 4 t
dt
 40 cos 4 t V
กาลังไฟฟ้าจะหาได้จาก p  vi  80 sin4 t cos 4 t W
ที่เวลา t = 10 ms จะได้ p  80 sin 0.04 cos 0.04 W
 31.25 W
19
ตัวอย่ำง 1.8 หาค่าพลังงานไฟฟ้าจากหลอดไฟ 100 W จานวน 15 หลอด ที่ใช้งานจานวน 8 ชั่วโมง

วิธีทำ จาก w  pt  100W  15  8h
 1,500( W)  8(h)  60(min/h)  60(s/min)
 43,200,000 J  43.2 MJ
หรือ w  pt  1,500( W )  8(h)  12,000 Wh  12 kWh
1.6 องค์ประกอบของวงจรไฟฟ้ำ
วงจรไฟฟ้าประกอบด้วยองค์ประกอบทางไฟฟ้าต่าง ๆ ซึ่งการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าจะเป็นการวิเคราะห์
หาค่าแรงดันไฟฟ้าที่ตกคร่อมหรือกระแสที่ไหลผ่านองค์ประกอบในวงจร รวมถึงค่ากาลังไฟฟ้าและพลังงาน
ไฟฟ้าที่องค์ประกอบนั้น ๆ
องค์ประกอบในวงจรไฟฟ้ามีอยู่ 2 ประเภทด้วยกัน คือ องค์ประกอบแบบพาสซีฟ หรือองค์ประกอบ
แบบเฉื่ อ ยงาน (Passive element) และองค์ ป ระกอบแบบแอคที ฟ หรื อ องค์ ป ระกอบแบบไวงาน
(Active element) โดยองค์ป ระกอบแบบแอคทีฟจะเป็นองค์ประกอบที่ สามารถสร้างพลังงานได้ ตัวอย่าง
องค์ประกอบแบบพาสซีฟ เช่น ตัวต้านทาน (Resistor) ตัวเหนี่ยวนาแม่เหล็ก (Inductor) และตัวเก็บประจุ
ไฟฟ้า (Capacitor) องค์ประกอบแบบแอคทีฟ เช่น เครื่องกาเนิดไฟฟ้า (Generator) แบตเตอรี่ วงจรขยาย
สัญญาณ (Amplifier) และออปแอมป์ (Op-Amp)
องค์ป ระกอบแบบแอคทีฟ ที่สาคัญในวงจรไฟฟ้า ได้แก่ แหล่ง จ่ายแรงดันไฟฟ้า (Voltage source)
และแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า (Current source) ซึ่งเป็นแหล่งจ่ายกาลังไฟฟ้าให้กับวงจร โดยมี 2 ประเภท คือ
แหล่งจ่ายอิสระ (Independent source) และแหล่งจ่ายไม่อิสระ (พึ่งพิง) (Dependent source) แหล่งจ่าย
อิสระ หมายถึง แหล่งจ่ายไฟฟ้าที่ให้ค่าแรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้าคงที่ตามที่กาหนดโดยตัวแหล่งจ่ายเอง
แหล่ งจ่ ายไม่ อิ ส ระ หมายถึ ง แหล่ งจ่ า ยที่ ค่ าแรงดั น ไฟฟ้ าหรือ กระแสไฟฟ้ าถู ก ก ากั บ หรื อ ควบคุ ม ด้ ว ยค่ า
แรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้าขององค์ประกอบอื่นในวงจรไฟฟ้า แหล่งจ่ายไม่อิสระสามารถเรียกอีกชื่อหนึ่งได้
ว่า แหล่งจ่ายควบคุม (Controlled source) กล่าวคือ ค่าแรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้าของแหล่งจ่ายนี้ถูก
ควบคุมโดยค่าแรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้าจากองค์ประกอบอื่น
สัญลักษณ์ของแหล่งจ่ายอิสระใช้สัญลักษณ์วงกลม โดยแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าจะมีเครื่องหมายกากับ
ขั้วบวกและขั้วลบ (+ และ -) ดังภาพ 1.12 (ก) แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าจะมีลูกศร ( ) กากับทิศทางการไหล
ของกระแสไฟฟ้า ดังภาพ 1.12 (ค) และภาพ 1.12 (ข) แสดงสัญลักษณ์ของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง
แบบคงที่ โดยมากหมายถึงแบตเตอรี่ สัญลักษณ์ของแหล่งจ่ายอิสระแสดงดังภาพ 1.12
20

v V i

(ก) (ข) (ค)

ภำพ 1.12 สัญลักษณ์ของแหล่งจ่ายแบบอิสระ
(ก) แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าคงที่หรือเปลี่ยนแปลงค่าตามเวลา
(ข) แหล่งจ่ายแรงดันคงที่ และ (ค) แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าคงที่
แหล่งจ่ายแบบไม่อิสระใช้สัญลักษณ์สี่เหลี่ยมขนมเปียกปูน มีเครื่องหมายบวกและลบกากับสาหรับ
แหล่งจ่ายแรงดัน ไฟฟ้า และมีลูกศรกากับ ส าหรับแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าเช่นเดียวกับแหล่งจ่ายแบบอิส ระ
สัญลักษณ์ของแหล่งจ่ายแบบไม่อิสระ แสดงดังภาพ 1.13
v i
(ก) (ข)
ภำพ 1.13 สัญลักษณ์ของ (ก) แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าแบบไม่อิสระ (ข) แหล่งจ่ายกระแสแบบไม่อิสระ
แหล่ ง จ่ า ยแบบไม่ อิ ส ระใช้ ส าหรั บ จ าลองพฤติ ก รรมของอุ ป กรณ์ แ บบแอคที ฟ ในวงจร เช่ น
ทรานซิ ส เตอร์ (Transistor) ออปแอมป์ วงจรรวม (Integrated circuit: IC) แหล่ ง จ่ า ยแบบไม่ อิ ส ระมี
4 ประเภท ดังนี้
1. แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยแรงดันไฟฟ้า (Voltage Controlled Voltage Source: VCVS)
2. แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยกระแสไฟฟ้า (Current Controlled Voltage Source: CCVS)
3. แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยแรงดันไฟฟ้า (Voltage Controlled Current Source: VCCS)
4. แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยกระแสไฟฟ้า (Current Controlled Current Source: CCCS)
21
V1  V1 I1  I1
(ก) VCVS (ข) CCVS
V1  V1 I1  I1
(ค) VCCS (ง) CCCS

ภำพ 1.14 แหล่งจ่ายแบบไม่อิสระทั้ง 4 แบบ
ตัวอย่างการพิจารณาแหล่งจ่ายไม่อิสระ แสดงดังภาพ 1.15
A B


12 V C V 0.2v
 
ภำพ 1.15 ตัวอย่างการพิจารณาแหล่งจ่ายไม่อิสระ

จากภาพ 1.15 แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าแบบไม่อิสระ (VCCS) ขนาด 0.2v ถูกควบคุมด้วยแรงดัน v ที่
ตกคร่ อ มองค์ ป ระกอบ C ในวงจร โดยค่ ากระแสที่ จ่ ายออกมี ป ริม าณ 0.2 เท่ าของค่ าแรงดั น v ถึงแม้ ว่ า
แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าแบบไม่อิสระจะมีขนาดกากับไว้ที่ 0.2v แต่แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้านี้ยังคงมีห น่วยเป็น
แอมแปร์ (Ampere; A) เช่นเดิม
- แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าทั้งแบบอิสระและแบบไม่อิสระ มีเครื่องหมาย + และ – กากับเสมอ
- แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าทั้งแบบอิสระและแบบไม่อิสระ มีสัญลักษณ์  กากับเสมอ
22
ตัวอย่ำง 1.9 หาค่ากาลังไฟฟ้าที่จ่ายหรือดูดกลืนที่องค์ประกอบแต่ละตัวในวงจร จากภาพ 1.16

I 5 A p2
2 V 5.5 A

12 V p1 p3 10 V p4 0 .1I

ภำพ 1.16 ภาพสาหรับตัวอย่าง 1.9

วิธีทำ ข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ ที่องค์ประกอบ p1 แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า 12 V กระแสไฟฟ้า 5 A
ไหลออกจากขั้วบวก ฉะนั้น องค์ประกอบ p1 จ่ายกาลังไฟฟ้า ดังนี้
p1  12( 5)   60 W [Supplied power]
ที่องค์ป ระกอบ p2 และ p3 กระแสไฟฟ้าไหลเข้าขั้วบวก ฉะนั้น องค์ประกอบ p2 และ p3 ดูดกลืน

พลังงาน ดังนี้
p2  2(5)  10 W [Absorbed power]
p3  10(5.5)  55 W [Absorbed power]
ที่องค์ประกอบ p4 ขั้วของแรงดันตกคร่อมจะเหมือนกับที่องค์ประกอบ p3 จะพบว่ากระแสไหลออก

จากขั้วบวก ฉะนั้น องค์ประกอบ p4 จ่ายกาลังไฟฟ้า ดังนี้
p4  10( 0.1I )  10( 0.1  5)   5 W [Supplied power]
ฉะนั้น กาลังไฟฟ้ารวมในวงจร จะได้

p1  p2  p3  p4   60  10  55  5  0
จะพบว่าผลรวมของกาลังไฟฟ้าในวงจรมีค่าเท่ากับศูนย์ กล่าวคือ กาลั งไฟฟ้าที่จ่ายออกจะเท่ากับ

กาลังไฟฟ้าทีด่ ูดกลืน ซึ่งเป็นไปตามกฎการอนุรักษ์พลังงานไฟฟ้า
1.7 กำรคำนวณค่ำใช้จ่ำยพลังงำนไฟฟ้ำ
การคานวณค่าใช้จ่ายพลังงานไฟฟ้าในหัวข้อนี้ จะเป็นตัวอย่างการคานวณสาหรับบ้านพักอาศัย โดย
อ้างอิงอัตราเรียกเก็บจากการไฟฟ้านครหลวง ค่าใช้จ่ายพลังงานไฟฟ้า หรือที่รู้จักกันในชื่อ ค่าไฟฟ้า ที่การ
ไฟฟ้าเรียกเก็บประจาทุกเดือนนั้น ขึ้นอยู่กับปริมาณพลังงานไฟฟ้าที่ใช้ไป มีหน่วยเป็น กิโลวัตต์ชั่วโมง (kW-h)
23
ที่รู้จักกันในชื่อ 1 หน่วย หรือ 1 ยูนิต หมายถึง การใช้พลังงานไฟฟ้าจานวน 1 กิโลวัตต์ เป็นเวลา 1 ชั่วโมง

นอกจากปริมาณพลังงานไฟฟ้าที่ใช้ไปแล้ว สิ่งที่จะต้องนามาคานวณด้วย คือ ค่าไฟฟ้าตามสูตรการปรับอัตรา
ค่าไฟฟ้าโดยอัตโนมัติ หรือที่เรียกว่า ค่า Ft (Energy Adjustment charge) คือ ค่าตัวประกอบที่ใช้ในการปรับ
อัตราค่าไฟฟ้าโดยอัตโนมัติ มีค่าเป็นสตางค์ต่อหน่วย ใช้สาหรับปรับค่าไฟฟ้าขึ้นหรือลงในแต่ละเดือน โดยค่า
Ft จะมีการพิจารณาปรับเปลี่ยนทุก ๆ 4 เดือน รวมถึงค่าบริการรายเดือน และภาษีมูลค่าเพิ่มอีกด้วย
อัตราค่าไฟฟ้าประเภทที่ 1 บ้านอยู่อาศัย (การไฟฟ้านครหลวง, 2558) ได้อธิบายลักษณะการใช้ ดังนี้
สาหรับการใช้ไฟฟ้าในบ้านเรือนที่อยู่อาศัย วัดและโบสถ์ของศาสนาต่าง ๆ ตลอดจนบริเวณที่เกี่ยวข้อง โดยต่อ
ผ่านเครื่องวัดหน่วยไฟฟ้าเครื่องเดียว โดยมีอัตราเรียกเก็บรายเดือนต่อจานวนหน่วย ดังตาราง 1.6 ถึง 1.8
ตำรำง 1.6 อัตราปกติปริมาณการใช้พลังงานไฟฟ้าไม่เกิน 150 หน่วยต่อเดือน (แบบที่ 1.1)
ค่ำพลังงำนไฟฟ้ำ หน่วยละ (บำท)
15 หน่วย (กิโลวัตต์ชั่วโมง) แรก (หน่วยที่ 1 – 15) 2.3488

10 หน่วยต่อไป (หน่วยที่ 16 – 25) 2.9882
10 หน่วยต่อไป (หน่วยที่ 26 – 35) 3.2405
65 หน่วยต่อไป (หน่วยที่ 36 – 100) 3.6237
50 หน่วยต่อไป (หน่วยที่ 101 – 150) 3.7171
250 หน่วยต่อไป (หน่วยที่ 151 – 400) 4.2218
เกินกว่า 400 หน่วย (หน่วยที่ 401 เป็นต้นไป) 4.4217
ค่าบริการ 8.19
ตำรำง 1.7 อัตราปกติปริมาณการใช้พลังงานไฟฟ้าเกินกว่า 150 หน่วยต่อเดือน (แบบที่ 1.2)
ค่ำพลังงำนไฟฟ้ำ หน่วยละ (บำท)

150 หน่วย (กิโลวัตต์ชั่วโมง) แรก (หน่วยที่ 1 – 150) 3.2484
250 หน่วยต่อไป ( หน่วยที่ 151 – 400 ) 4.2218
เกินกว่า 400 หน่วย (หน่วยที่ 401 เป็นต้นไป) 4.4217
ค่าบริการ 38.22
24
ตำรำง 1.8 อัตราตามช่วงเวลาของการใช้ (Time of Use Tariff: TOU Tariff ) (แบบที่ 1.3)
ค่ำพลังงำนไฟฟ้ำ (บำท/หน่วย) ค่ำบริกำร

ระดับแรงดันไฟฟ้ำ
On Peak Off Peak (บำท/เดือน)
1.3.1 แรงดัน 12 – 24 กิโลโวลต์ 5.1135 2.6037 312.24

1.3.2 แรงดันต่ากว่า 12 กิโลโวลต์ 5.7982 2.6369 38.22
On Peak : เวลา 09.00 - 22.00 น. วันจันทร์ - วันศุกร์
Off Peak : เวลา 22.00 - 09.00 น. วันจันทร์ - วันศุกร์
: เวลา 00.00 - 24.00 น. วันเสาร์ - วันอาทิตย์ วันแรงงานแห่งชาติ
วันหยุดราชการตามปกติ (ไม่รวมวันพืชมงคลและวันหยุดชดเชย)
ข้อกาหนดเกี่ยวกับอัตราค่าไฟฟ้า
1. อัตราค่าไฟฟ้าข้างต้น เป็นอัตราที่เรียกเก็บรายเดือน ที่ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม
2. ค่าไฟฟ้า ที่เรียกเก็บ ในแต่ละเดือน ประกอบด้วย ค่าไฟฟ้าตามอัตราค่าไฟฟ้าฐาน และ ค่าไฟฟ้า
ตามสูตรการปรับอัตราค่าไฟฟ้า โดยอัตโนมัติ (Ft) โดยมีการเรียกเก็บ Ft ทุกเดือน แยกเป็นรายการในใบเรียก
เก็บเงินค่าไฟฟ้า ทั้งนี้ Ft ที่เรียกเก็บจะปรับเปลี่ยนทุก ๆ 4 เดือน โดยกาหนดให้ Ft เป็นอัตราคงที่ต่อหน่วย
การใช้พลังงานไฟฟ้า
อัตราค่าไฟฟ้าใหม่นี้เริ่มใช้ตั้งแต่ค่าไฟฟ้า ประจาเดือนพฤศจิกายน 2558 เป็นต้นไป
ค่า Ft เท่ากับ -4.80 สตางค์ต่อหน่วย ณ วันที่ 4 มีนาคม 2559
อัตราการใช้กาลังไฟฟ้า ของเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้าน แสดงดังตาราง 1.9
ตำรำง 1.9 ตัวอย่างอัตราการใช้กาลังไฟฟ้า ของเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้าน
เครื่องใช้ไฟฟ้ำ กำลังไฟฟ้ำ (วัตต์) เครื่องใช้ไฟฟ้ำ กำลังไฟฟ้ำ (วัตต์)

หลอดไส้ 60 โทรทัศน์ 110 (21" จอนูน)
100 125 (29" จอนูน)
หลอดตะเกียบ 13 (สว่างเท่าหลอดไส้ 60 วัตต์) 170 (25" จอแบน)
20 (สว่างเท่าหลอดไส้ 100 วัตต์) 180 (29" จอแบน)
25
ตำรำง 1.9 (ต่อ)
เครื่องใช้ไฟฟ้ำ พิกัดกำลังไฟฟ้ำ (วัตต์) เครื่องใช้ไฟฟ้ำ พิกัดกำลังไฟฟ้ำ (วัตต์)

หลอดฟลูออเรสเซนต์ 36 (T8) / 46 (รวมบัลลาสต์แกนเหล็ก) เตารีด 1,000 (แบบธรรมดา)
28 (T5) / 38 (รวมบัลลาสต์แกนเหล็ก) 1,400 (แบบไอน้า)
หลอด LED 20 กระติกน้าร้อน 600 (2.0 ลิตร)
พัดลม 45 - 75 (ตั้งพื้น) 650 (2.5 ลิตร)
70 - 104 (เพดาน) เครื่องทาน้าอุ่น 900 - 4,800
25 (ดูดอากาศ) ตู้เย็น 53 - 194
หม้อหุงข้าว 300 (0.5 ลิตร) เครื่องปรับอากาศ 1,000 (12,000 BTU)
450 (1.0 ลิตร) 2,000 (18,000 BTU)
530 (1.5 ลิตร) 2,500 (24,000 BTU)
1,100 (2.5 ลิตร) เครื่องซักผ้า 250 - 1,000
1,400 (4.0 ลิตร) คอมพิวเตอร์ 150 - 250 (CPU)
ปั๊มน้า 150 (ท่อ 3/4") 300 (15" monitor)
300 (ท่อ 1") เครื่องเล่น DVD 30 - 50
(โซลาร์ ไทยแลนด์, 2559)
ตัวอย่ำง 1.10 หาจานวนหน่วยพลังงานไฟฟ้าใน 1 เดือน (30 วัน) และค่า ใช้จ่ายพลังงานไฟฟ้าของบ้านพัก
อาศัย จากปริมาณการใช้งานอุปกรณ์ไฟฟ้าใน 1 วัน ดังนี้
ตู้เย็น 100 W ใช้งาน 24 ชั่วโมง เครื่องปรับอากาศขนาด 12,000 BTU 8 ชั่วโมง พัดลมดูดอากาศ
2 ชั่วโมง โทรทัศน์ 29” จอแบน 6 ชั่วโมง เครื่องเล่น DVD 50 W 2 ชั่วโมง เตารีดไอน้า 30 นาที หม้อหุงข้าว
ขนาด 1 ลิตร 30 นาที กระติกน้ าร้อน 2 ลิ ตร 15 นาที ปั๊มน้า (ท่อ 3/4") 30 นาที หลอดฟลู ออเรสเซนต์
T8 36 W จานวน 5 หลอด 10 ชั่วโมง และเครื่องซักผ้าขนาด 250 W 2 ชั่วโมง (ต่อสัปดาห์)
วิธีทำ ปริมาณหน่วยพลังงานไฟฟ้าของอุปกรณ์ไฟฟ้าแต่ละชนิดต่อเดือน จะได้จาก
ตู้เย็น w  pt  100( W )  24(h)  30(d)  72,000 Wh  72 kWh
เครื่องปรับอากาศ w  1,000  8  30  240,000 Wh  240 kWh
พัดลมดูดอากาศ w  25  2  30  1,500 Wh  1.5 kWh

26
โทรทัศน์ w  180  6  30  32,400 Wh  32.4 kWh
เครื่องเล่น w  50  2  30  3,000 Wh  3 kWh
เตารีดไอน้า w  1,400 0.5  30  21,000 Wh  21 kWh
หม้อหุงข้าว w  450  0.5  30  6,750 Wh  6.75 kWh
กระติกน้าร้อน w  600  0.25  30  4,500 Wh  4.5 kWh
ปั๊มน้า w  150  0.5  30  2,250 Wh  2.25 kWh
หลอดฟลูออเรสเซนต์ w  5  46  10  30  69,000 Wh  69 kWh
เครื่องซักผ้า w  250  2  4  2,000 Wh  2 kWh
จานวนหน่วยพลังงานไฟฟ้าใน 1 เดือน เท่ากับ

w t  454.4 kWh
อัตราการใช้พลังงานไฟฟ้าปกติ 454.4 หน่วย เกินกว่า 150 หน่วยต่อเดือน คานวณได้จาก ตาราง 1.7 ดังนี้
หน่วยละ (บำท) ค่ำพลังงำนไฟฟ้ำ (บำท)

หน่วยที่ 1 – 150 3.2484 487.26
หน่วยที่ 151 – 400 4.2218 1,055.45
หน่วยที่ 401 เป็นต้นไป 4.4217 240.54
รวม 1,783.25
จากค่า Ft เท่ากับ -4.80 สตางค์ต่อหน่วย ดังนั้น
Ft  (-0.048 Baht/kWh)(454.4 kWh)  - 21.81 Baht
ค่าใช้จ่ายพลังงานไฟฟ้ารวม จะได้จาก
ค่าพลังงานไฟฟ้า 1,783.25 บาท
ค่าบริการรายเดือน 38.22 บาท
ค่า Ft -0.048 บาท/หน่วย -21.81 บาท
รวมเป็นเงิน 1,799.66 บาท
27
ภาษีมูลค่าเพิ่ม 7% 125.98 บาท

รวมเป็นเงินค่าไฟฟ้าเดือนปัจจุบัน 1,925.63 บาท
1.8 กำรประยุกต์ใช้แนวคิดเบื้องต้น
การประยุกต์ใช้การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนที่สาคัญ คือ หลอดภาพลาอิเล็กตรอน (Cathode-Ray
Tube: CRT) ที่อยู่ในเครื่องรับสัญญาณโทรทัศน์ ดัง ภาพ 1.17 ลาอิเล็กตรอนใน CRT จะมีสัญญาณที่เข้ามา
เป็นตัวกาหนดความเข้ม ปืนลาอิเล็กตรอนได้รับไฟฟ้าแรงดันสูงค่าหนึ่งและจะยิงลาอิเล็กตรอนออกมาผ่านชุด
เบี่ ย งเบนล าอิ เล็ ก ตรอนทั้ งแนวตั้ ง (Vertical deflection plate) และแนวนอน (Horizontal deflection
plate) เพื่อกาหนดตาแหน่งจุดกระทบที่หน้าจอ โดยกาหนดให้สามารถเคลื่อนที่ได้ทั้งทางซ้าย ทางขวา ขึ้นบน
หรือลงล่างได้ เมื่อลาอิเล็กตรอนมากระทบกับหน้าจอที่ถูกเคลือบด้วยสารเรืองแสง จะส่งผลให้หน้าจอสว่างขึ้น
ได้ ดังนั้น ลาอิเล็กตรอนที่กล่าวมาแล้ว จะสามารถกวาดภาพบนหน้าจอโทรทัศน์ได้
Horizontal
Electron gun
deflection plates
Bright spot on
Vertical fluorescent screen
Electron trajectory
deflection plates
ภำพ 1.17 หลอดภาพลาอิเล็กตรอน (Cathode-Ray Tube)

ตัวอย่ำง 1.11 ปืนลาอิเล็กตรอนในหลอดภาพเครื่องรับสัญญาณโทรทัศน์ ยิงอิเล็กตรอนออกมา 10 16 ตัว/
วินาที ถ้าจ่ายแรงดันไฟฟ้า 15 kV จงคานวณหาค่ากาลังงานของลาอิเล็กตรอน
i
q
Vo
ภำพ 1.18 แผนภาพของหลอดภาพ CRT สาหรับตัวอย่าง 1.10

28
วิธีทำ อิเล็กตรอนมีประจุเท่ากับ e  1.602  1019 C

อิเล็กตรอนมีจานวน n ตัวดังนั้น q  ne
dq dn
จะได้ i   e  ne  (-1.602  1019 )(1016 )   1.602  10 3 C
dt dt
กระแสไฟฟ้ ามี ป ริ ม าณเป็ น ลบ หมายถึ ง กระแสไฟฟ้ าไหลในทิ ศ ทางตรงกั น ข้ ามกั บ การไหลของ
อิเล็กตรอน ดังภาพ 1.17 ในกรณีที่ชุดเบี่ยงเบนลาอิเล็กตรอนทั้งแนวตั้งไม่มีประจุตกค้าง ค่ากาลังงานของลา
อิเล็กตรอน จะได้ p  vi  (15  103 )(1.602  103 )  24.03 W
1.9 บทสรุป
1. วงจรไฟฟ้า หมายถึง การเชื่อมโยงหรือการต่อเข้าด้วยกันขององค์ประกอบทางไฟฟ้า
2. ระบบหน่วย นิยมใช้ ระบบหน่วยวัดระหว่างประเทศ หรือ ระบบเอสไอ (International System
of Units: SI Unit) คาอุปสรรคในหน่วยเอสไอ (SI prefix) คือ คานาหน้าหน่วยเอสไอ (SI Prefix) เขียนเพื่อ
แสดงปริมาณหรือจานวนให้มีความกะทัดรัด ในทางวิศวกรรมนิยมแสดงตัวเลขแบบ engineering units โดย
จะแสดงจานวนด้วยตัวเลขระหว่าง 1 ถึง 999 ร่วมกับคานาหน้าหน่วยที่เลขยกกาลังหารด้วย 3 ลงตัว
3. ประจุ e ของอิเล็กตรอนเป็นลบและมีขนาด 1.602×10-19 C ในขณะที่โปรตอนมีประจุเป็นบวกที่มี
ขนาดเท่ า กั บ อิ เล็ ก ตรอน และกระแสไฟฟ้ า มี ห น่ ว ยเป็ น แอมแปร์ (Ampere, A) คื อ อั ต ราส่ ว นการ
เปลี่ยนแปลงของจานวนประจุไฟฟ้าที่เคลื่อนที่ผ่านพื้นที่หน้าตัดที่พิจารณา
dq
i 
dt
4. แรงดันไฟฟ้า มีหน่วยเป็น โวลท์ (Volt, V) คือ งานที่ใช้ในการถ่ายโอนหรือเคลื่อนที่ประจุปริมาณ
+1 คูลอมบ์จากจุดหนึ่งไปยังอีกจุดหนึ่ง
dw
v ab 
dq
5. กาลังไฟฟ้า มีหน่วยเป็น วัตต์ (watt, W) คือ อัตราการทางาน หรืออัตราการดูดกลืนพลังงาน หรือ

ปริมาณงานที่ทาต่อหน่วยเวลา ความสัมพันธ์ของกาลังไฟฟ้าและพลังงานไฟฟ้า
dw
p 
dt
กาลังไฟฟ้า นิยามจากกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า
p  vi
29
ถ้าค่ากาลังไฟฟ้าที่องค์ประกอบเป็นบวก หมายถึง องค์ประกอบนั้น ดูดกลื นกาลังไฟฟ้า และถ้าค่า

กาลังไฟฟ้าที่องค์ประกอบเป็นลบ หมายถึง องค์ประกอบนั้นจ่ายกาลังไฟฟ้า ตามข้อกาหนดเครื่องหมายแบบ
พาสซีฟ (passive sign convention)
6. แหล่ ง จ่ า ยแรงดั น ไฟฟ้ า (Voltage source) และแหล่ ง จ่ า ยกระแสไฟฟ้ า (Current source)
มี 2 ประเภท คือ แหล่งจ่ ายอิส ระ (Independent source) และแหล่งจ่ายไม่อิส ระ (พึ่ งพิ ง) (Dependent
source) แหล่งจ่ายอิสระ หมายถึง แหล่งจ่ายไฟฟ้าที่ให้ค่าแรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้าคงที่ตามที่กาหนดโดย
ตัว แหล่งจ่ ายเอง แหล่ งจ่ ายไม่อิส ระ หมายถึง แหล่ งจ่ายที่ค่าแรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้าถูกกากับหรือ
ควบคุมด้วยค่าแรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้าขององค์ประกอบอื่นในวงจรไฟฟ้า
7. ค่าใช้จ่ายพลังงานไฟฟ้า หรือ ค่าไฟฟ้า ขึ้นอยู่กับปริมาณพลังงานไฟฟ้าที่ใช้ไป มีหน่วยเป็น กิโลวัตต์
ชั่วโมง (kW-h) คานวณจาก ค่าพลังงานไฟฟ้า ค่า Ft ค่าบริการรายเดือน และภาษีมูลค่าเพิ่ม ตัวอย่าง 1.10
แสดงให้เห็นถึง พิกัดกาลังไฟฟ้าของอุปกรณ์และระยะเวลาการใช้งานส่งผลโดยตรงกับค่าไฟฟ้า ทั้งนี้การลดค่า
ไฟฟ้าหรือการประหยัดพลังงานมีแนวทางพื้นฐาน ดังนี้ 1) เลือกพิกัดอุปกรณ์ที่เหมาะสม 2) ใช้งานเท่าที่จาเป็น
และ 3) อาจหาอุป กรณ์ ควบคุมการทางานของอุป กรณ์ แบบอั ต โนมั ติตามความจาเป็ น ในการใช้งาน เช่ น
อุปกรณ์ควบคุมการเปิด - ปิด เครื่องปรับอากาศ (ธนากร น้าหอมจันทร์, อติกร เสรีพัฒนานนท์ , พงษ์สวัสดิ์
คชภู มิ และมิ น เรศน์ เตชะวงศ์ , 2549) หรือใช้ ระบบควบคุม การท างานของอุป กรณ์ ไฟฟ้ าแบบอั ต โนมั ติ
ซึ่งสามารถกาหนดเงื่อนไขการทางานของอุปกรณ์ไฟฟ้าได้ เช่น ระบบควบคุมอุณหภูมิและความชื้นสัมพัทธ์
ในโรงเรือนเพาะปลูกพืชไร้ดิน แบบทาความเย็นด้วยวิธีการระเหยของน้าร่วมกับสเปรย์ละอองน้าแบบอัตโนมั ติ
โดยใช้ระบบควบคุมเชิงตรรกะแบบโปรแกรมได้ (ธนากร น้าหอมจันทร์ และอติกร เสรีพัฒ นานนท์ , 2557)
และ ต้นแบบโรงเรือนเพาะปลูกพืชไร้ดินแบบอัตโนมัติสาหรับบ้านพักอาศัย (ธนากร น้าหอมจันทร์, ธีรพงศ์
บริรักษ์, ธัชกร อ่อนบุญเอื้อ และกุลวดี เถนว้อง, 2558) เป็นต้น
8. การประยุกต์ใช้การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนที่สาคัญ คือ หลอดภาพลาอิเล็กตรอน (Cathode-Ray
Tube: CRT) ที่อยู่ในเครื่องรับสัญญาณโทรทัศน์
1.10 แบบฝึกหัดท้ำยบท
1.1 หาปริมาณประจุไฟฟ้า q จากโปรตอนจานวน 2,000,000 อิเล็กตรอน
13
ตอบ q  3.204  10 C
1.2 ประจุไฟฟ้าที่ขั้วรวม q = ( 10-10e-2t ) mC หากระแสไฟฟ้า i ที่เวลา t = 0.5 s
ตอบ i  7.357 mA
30
1.3 หาประจุไฟฟ้า q ที่องค์ประกอบไฟฟ้า ที่เวลา t = 0 s ถึง 2 s ถ้ากระแสไหลเข้าองค์ประกอบมีค่า ดังนี้

i  2 A ; 0  t  1, 2t 2 A ; t  1
ตอบ q  6.6667 C
1.4 ถ้าใช้พลังงานในการเคลื่อนที่ประจุไฟฟ้า q จากจุด a ไปยัง b จานวน -30 J หาแรงดันตกคร่อม vab
ถ้า ก) q = 2 C และ ข) q = -6 C
ตอบ ก) = - 15 V และ ข) = 5 V
1.5 หาค่ากาลังไฟฟ้าที่จ่ายให้กับองค์ประกอบที่เวลา t = 9 ms ถ้ากระแสที่ไหลผ่านองค์ประกอบนั้นมีค่า
t
เท่ากับ i = 5cos100 t A โดยที่ ก) v = 2i V และ ข) v = 12  5 0 i dt V
ตอบ ก) = 4.05 mW และ ข) = 0.54 mW

1.6 ถ้าองค์ประกอบทางไฟฟ้าต่อเข้ากับแหล่งกาเนิดแรงดัน 120 V เกิดกระแสไฟฟ้า 15 A ใช้เวลาเท่าใดที่
จะทาให้องค์ประกอบนั้นได้รับพลังงาน 30 kJ
ตอบ t  50 s
1.7 หาค่ากาลังไฟฟ้าที่จ่ายหรือได้รับที่องค์ประกอบแต่ละตัวในวงจร จากภาพ 1.19
8A 2V I  5A
 3A
p2 
5V p1 p3 0 .6 I p4 3V
 
ภำพ 1.19 สาหรับแบบฝึกหัดท้ายบท ข้อที่ 1.7

ตอบ p1   40 W p2  16 W p3  9 W p4  15 W
1.8 หาจานวนหน่วยพลังงานไฟฟ้าใน 1 เดือน (30 วัน) และค่าพลังงานไฟฟ้าของบ้านพักอาศัย ถ้าใช้เตารีด

ขนาด 1,000 W ใช้งาน 15 นาทีต่อวัน โทรทัศน์ขนาด 100 W ใช้งาน 8 ชั่วโมงต่อวัน ตู้เย็นขนาด 100 W
หลอดไฟขนาด 46 W จานวน 3 หลอด ใช้งาน 8 ชั่วโมงต่อวัน และหลอดไฟขนาด 8 W จานวน 1 หลอด ใช้
งาน 12 ชั่วโมงต่อวัน
ตอบ 139.5 kW.hr 420.33 Baht
31
รำยกำรเอกสำรอ้ำงอิง
Alexander, C. K. and Sadiku, N.O. M. (2009 ). Fundamental of Electric Circuit. (4th ed). New
York, NY: McGraw-Hill.
Hayt, W. H. Jr. and Kimmerly, J. E. (1993). Engineering Circuit Analysis. (5th ed). Singapore:
McGraw-Hill.
International System of Units. (2016). Retrieved February 27, 2016, from https://en.wikipedia.
org/wiki/International_System_of_Units
Electric charge. (2 0 1 6 ). Retrieved February 2 8 , 2 0 16, from https://en.wikipedia.org/wiki/
Electric_charge
Marian, P. (2010, January 12). Simple FM Receiver Circuit [online forums & discussion groups].
Retrieved from http://www.electroschematics.com/4663/small-fm-receiver/#comment-
6676
Peebles, Z. P. Jr. and Giuma A. T. (1991). Principles of Electrical Engineering. Singapore:
McGraw-Hill.
Rizzoni, G. (2003). Principles and Applications of Electrical Engineering. (4th ed). New York, NY:
McGRAW-Hill.
Steven, S. E. and William, O. G. (1993). Electrical Engineering : An Introduction. (2nd ed).
Philadelphia, PA: Saunders College Publishing.
Structure of an atom. (n.d.). Retrieved February 28, 2016, from http://www.tutorvista.com/
content/science/science-i/structure-atom/arrangement-electrons-atom.php
การไฟฟ้ า นครหลวง. (2558). เกี่ ย วกั บ ค่ า ไฟฟ้ า . เข้ า ถึ งเมื่ อ 4 มี น าคม 2559, จาก http://www.mea.
or.th/profile/index.php?tid=3&mid=111&pid=109
กระทรวงศึกษาธิการ. (2553). ประกาศกระทรวงศึกษาธิการ เรื่อง มาตรฐานคุณวุฒิระดับปริญญาตรีสาขา
วิศวกรรมศาสตร์ พ.ศ. 2553.
ชัญ ชนา ตั้งวงศ์ศานต์, อาภรณ์ ธีร มงคลรัศ มี, ชาญชัย ปลื้ มปิติวิริยะเวช, ลั ญ ฉกร วุฒิ สิ ท ธิกุล กิจ, มานะ
ศรียุ ทธศักดิ์, ชุมพล อัน ตรเสน, . . . เทียนชัย ประดิส ถายน. (2556). ทฤษฎีวงจรไฟฟ้า ภาควงจร
กระแสตรง. กรุงเทพฯ: สานักพิมพ์แห่งจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
โซลาร์ (ไทยแลนด์). (2559). อัตราการใช้ไฟฟ้า ของเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้าน. เข้าถึงเมื่อ 4 มีนาคม 2559,
จาก http://www.solar-thailand.com/TH/electrical-usage.asp
32
ธนากร น้าหอมจันทร์ , อติกร เสรีพัฒ นานนท์ , พงสวัส ดิ์ คชภูมิ และมินเรศน์ เตชะวงศ์. (2549). อุปกรณ์
ควบคุมการเปิด - ปิด เครื่องปรับอากาศ 3 เฟส. วารสารวิชาการมหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย , 1, 72-
77.
ธนากร น้าหอมจันทร์. (2554). ทฤษฎีวงจรไฟฟ้า. ปทุมธานี: มหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย.
ธนากร น้าหอมจันทร์ และอติกร เสรีพัฒ นานนท์. (2557). ระบบควบคุมอุณหภูมิและความชื้นสัมพัทธ์ใน
โรงเรือนเพาะปลูกพืชไร้ดิน แบบทาความเย็นด้วยวิธีการระเหยของน้าร่วมกับสเปรย์ละอองน้าแบบ
อัตโนมัติ โดยใช้ระบบควบคุมเชิงตรรกะแบบโปรแกรมได้. วารสารวิชาการมหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย,
8, 98-111.
ธนากร น้าหอมจันทร์ , ธีรพงศ์ บริรักษ์ , ธัชกร อ่อนบุญเอื้อ และกุลวดี เถนว้อง. (2558). ต้นแบบโรงเรือน
เพาะปลูกพืชไร้ดินแบบอัตโนมัติสาหรับบ้านพักอาศัย. วารสารวิชาการมหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย , 9,
162-170.
บัณฑิต บัวบูชา. (2541). ทฤษฎีและการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า 1. กรุงเทพฯ: สานักพิมพ์ ฟิสิกส์เซ็นเตอร์.
สภาวิศวกร. (2558). ระเบียบสภาวิศวกรว่าด้วย วิชาพื้นฐานทางวิทยาศาสตร์ วิชาพื้นฐานทางด้านวิศวกรรม
และวิชาเฉพาะทางวิศวกรรม ที่สภาวิศวกรจะให้การรับรองปริญญา ประกาศนียบัตร และวุฒิบัตร ใน
การประกอบวิชาชีพวิศวกรรมควบคุม พ.ศ. 2558.
อภินันท์ อุรโสภณ. (2554). วงจรไฟฟ้า. กรุงเทพฯ: สานักพิมพ์ ดวงกมลพับลิชชิ่ง.
บทที่ 2
กฎพื้นฐาน
2.1 บทนา
จากบทที่ 1 ได้ อ ธิ บ ายถึ ง แนวคิ ด เบื้ อ งต้ น และค าจ ากั ด ความในวงจรไฟฟ้ า เช่ น กระแสไฟฟ้ า
แรงดันไฟฟ้า และกาลังไฟฟ้าในวงจร การที่จะวิเคราะห์ค่าเหล่านั้นในวงจรไฟฟ้าที่กาหนดให้ได้ จาเป็นต้อง
เข้าใจกฎพื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าเสียก่อน เช่น กฎของโอห์ม และกฎของเคอร์ชอฟฟ์ ซึ่งเป็นกฎ
พื้นฐานที่นาไปสู่ทฤษฎีการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าต่าง ๆ ได้
ในบทนี้ จะเป็ น การอธิบ ายถึง กฎของโอห์ ม กฎของเคอร์ชอฟฟ์ รวมถึงการวิเคราะห์ วงจรพื้นฐาน
เช่น การหาค่าความต้านทานรวมในวงจรตัวต้านทานที่ต่ออนุกรม ขนาน และผสม การแบ่งแรงดันไฟฟ้ า
การแบ่งกระแสไฟฟ้า การแปลงรูปวงจรระหว่างแบบวายกับแบบเดลตา การใช้โปรแกรม PSpice Student
version สาหรับการวิเคราะห์วงจรตัวต้านทาน และการประยุกต์ใช้กฎพื้นฐาน ตามลาดับ
2.2 กฎของโอห์ม
วัสดุโดยทั่วไปจะมีคุณลักษณะการต้านทานการไหลของประจุไฟฟ้า คุณสมบัติการต้านทานการไหล
ของประจุ ไฟฟ้ าหรื อ กระแสไฟฟ้ า จะเรี ย กว่ า ความต้ า นทาน (resistance) โดยจะแทนด้ ว ยสั ญ ลั ก ษณ์ R
ความต้านทานของวัสดุใด ๆ ดังภาพ 2.1 (ก) จะได้จากความสัมพันธ์ของพื้นที่หน้าตัด (A) และความยาว (l)
ดังสมการ (2.1)
l
R   (2.1)
A
th :
l
 i
ng
Le
v R
Material with resistivit y :  
Cross sectional area : A
(ก) (ข)
ภาพ 2.1 (ก) ตัวต้านทาน (ข) สัญลักษณ์ของตัวต้านทาน
จากสมการ (2.1)  คือ ค่าสภาพความต้านทาน (resistivity) ของวัส ดุ มีห น่ว ยเป็ น โอห์ ม -เมตร
(ohm-meter; -m) โดยตัว น าไฟฟ้ าที่ ดี ได้แก่ ทองแดง และอลู มิ เนี ยม ซึ่งมี ค่าสภาพความต้านทานต่ า
ขณะที่ฉนวน เช่น ไมก้า และ กระดาษ จะมีค่า สภาพความต้านทานสูง โดยตาราง 2.1 แสดงค่า  ของวัสดุ
34
พื้นฐานทางไฟฟ้า ซึ่งถูกนาไปใช้ประโยชน์เป็น ตัวนาไฟฟ้า (Conductor) ฉนวน (Insulator) และสารกึ่งตัวนา

(Semiconductor)
ตาราง 2.1 ค่าความต้านทานจาเพาะของวัสดุพื้นฐานทางไฟฟ้า
วัสดุ ค่าความต้านทานจาเพาะ การใช้ประโยชน์
(Material) (Resistivity:  (·m)) (Usage)
เงิน (Silver) 1.64 × 10-8 ตัวนาไฟฟ้า
ทองแดง (Copper) 1.72 × 10-8 ตัวนาไฟฟ้า
อลูมิเนียม (Aluminum) 2.8 × 10-8 ตัวนาไฟฟ้า
ทอง (Gold) 2.45 × 10-8 ตัวนาไฟฟ้า
คาร์บอน (Carbon) 4 × 10-5 สารกึ่งตัวนา
เจอร์เมเนียม (Germanium) 47 × 10-2 สารกึ่งตัวนา
ซิลิคอน (Silicon) 6.4 × 102 สารกึ่งตัวนา
กระดาษ (Paper) 1010 ฉนวน
ไมก้า (Mica) 5 × 1011 ฉนวน
แก้ว (Glass) 1012 ฉนวน
เทฟลอน (Teflon) 3 × 1012 ฉนวน
องค์ ป ระกอบทางไฟฟ้ า ที่ ใช้ แ ทนพฤติ ก รรมการต้ านทานการไหลของกระแสไฟฟ้ า ของวั ส ดุ คื อ

ตัว ต้ านทาน (Resistor) ตั ว ต้ านทานโดยทั่ ว ไปจะสร้างขึ้ น จากโลหะผสมและสารประกอบคาร์บ อน จาก
สัญลักษณ์ของตัวต้านทานดังภาพ 2.1 (ข) โดยที่ R คือ ค่าความต้านทานไฟฟ้าของตัวต้านทาน ซึ่งตัวต้านทาน
เป็นองค์ประกอบทางไฟฟ้าแบบพาสซีฟ
จอร์จ ไซมอน โอห์ม (George Simon Ohm) นักฟิสิกส์ชาวเยอรมัน ได้ค้นพบความสัมพันธ์ระหว่าง
กระแสไฟฟ้ า และแรงดั น ไฟฟ้ า ในตั ว ต้ า นทาน โดยพบว่ า แรงดั น ไฟฟ้ า (v) ที่ ต กคร่ อ มตั ว ต้ า นทาน (R)
จะแปรผั น โดยตรงกั บ กระแสไฟฟ้ า (i) ที่ ไ หลผ่ า นตั ว ต้ า นทานนั้ น ซึ่ ง ความสั ม พั น ธ์ ดั ง กล่ า ว เรี ย กว่ า
กฎของโอห์ม (Ohm’s law) ดังสมการ (2.2)
v  i (2.2)
โอห์ ม ได้ นิ ย ามว่ า แรงดั น ไฟฟ้ า และกระแสไฟฟ้ า แปรผั น กั น เป็ น ค่ า คงที่ ซึ่ ง ค่ า คงที่ นั้ น คื อ
ค่าความต้านทาน R ดังนั้น สมการ (2.2) จะเปลี่ยนเป็น
v  iR (2.3)
35
ค่าความต้านทาน R ในสมการ (2.3) มีหน่วยเป็น โอห์ม () หรือสามารถเขียนได้ ดังนี้

v
R  (2.4)
i
โดยที่ 1   1V/A
ในการนากฎของโอห์ม ตามสมการ (2.3) ไปใช้จาเป็นต้องพิจารณาถึงทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้า
และขั้วของแรงดันไฟฟ้าตามข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟด้วย
ทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้า i และขั้วของแรงดันไฟฟ้า v จะเป็นไปตามข้อกาหนดเครื่องหมาย
แบบพาสซี ฟ ดั ง ภาพ 2.1 (ข) ในกรณี ที่ ก ระแสไฟฟ้ า ไหลจากศั ก ย์ ไฟฟ้ า สู ง ไปยั ง ศั ก ย์ ไฟฟ้ า ต่ า v = iR
และถ้ากระแสไฟฟ้าไหลจากศักย์ไฟฟ้าต่าไปยังศักย์ไฟฟ้าสูง จะได้ v = - iR
ค่าความต้านทาน R จะมีค่าอยู่ในช่วง 0 < R <  โดย R = 0 จะนิยามว่า วงจรปิด หรือลัดวงจร
(short circuit) ดังภาพ 2.2 (ก) ดังนั้น
v  iR  0 (2.5)
จากสมการ 2.5 พบว่า กระแสไฟฟ้ามีค่าเท่าใดก็ได้ แต่แรงดันไฟฟ้ามีค่าเป็นศูนย์ ฉะนั้น วงจรปิด
หมายถึง อุปกรณ์ของวงจรใด ๆ ที่มีค่าความต้านทานเข้าใกล้ศูนย์ หรือมีพฤติกรรมเป็นตัวนาไฟฟ้าสมบูรณ์
และในกรณี R =  จะนิยามว่า วงจรเปิด (open circuit) ดังภาพ 2.2 (ข) โดยที่
v
i  lim  0 (2.6)
R  R
จากสมการ 2.6 พบว่า แรงดันไฟฟ้ามีค่าเท่าใดก็ได้ แต่กระแสไฟฟ้ามีค่าเป็นศูนย์ ฉะนั้น วงจรเปิด

หมายถึง อุปกรณ์ของวงจรใด ๆ ที่มีค่าความต้านทานเข้าใกล้อนันต์ หรือมีพฤติกรรมเป็นฉนวนสมบูรณ์
ค่าความต้านทาน ทั้ง 2 กรณี แสดงดังภาพ 2.2
 i  i 0
v 0 R 0 v R 
 
(ก) (ข)
ภาพ 2.2 (ก) วงจรปิด หรือลัดวงจร (R = 0) (ข) วงจรเปิด (R = )
ตัวต้านทานมีทั้งแบบค่าคงที่และแบบปรับค่าได้ ภาพตัวอย่างและสัญลักษณ์ แสดงดังภาพ 2.3 และ

2.4
36
(ก) (ข)
ภาพ 2.3 ตัวต้านทาน (ก) แบบค่าคงที่ (ข) แบบปรับค่าได้
(ก) (ข)
ภาพ 2.4 สัญลักษณ์ของ (ก) ตัวต้านทานปรับค่าได้ทั่วไป (ข) โพเทนชิโอมิเตอร์ (potentiometer)
ตั ว ต้ านทานแบบค่ าคงที่ จะมี แ ถบสี ร ะบุ ค่ า ความต้ า นทาน (พิ ม พ์ อ ยู่ บ นตั ว ถั ง ของตั ว ต้ า นทาน)
ตั ว ต้ า นทานโดยทั่ ว ไปจะมี 4-5 แถบสี และอาจจะมี แ ถบสี ที่ 6 เป็ น ตั ว ระบุ สั ม ประสิ ท ธิ์ ข องอุ ณ หภู มิ
(temperature coefficient: Temp. coeff; ppm) ของตัวต้านทานนั้น แสดงดังภาพ 2.5 และค่ารหัสแถบสี
แต่ละตาแหน่ง แสดงดังตาราง 2.2
b1 b2 b3 x10n Tolerance Temp.coeff
ภาพ 2.5 ตัวต้านทานและรหัสแถบสี

37
ตาราง 2.2 ค่ารหัสแถบสีของตัวต้านทาน

แถบที่ 1 แถบที่ 2 แถบที่ 3 ตัวคูณ ขอบเขต สัมประสิทธิ์
สี ตัวตั้งหลักที่ 1 ตัวตั้งหลักที่ 2 ตัวตั้งหลักที่ 3 (Multiplier ความเบี่ยงเบน ของอุณหภูมิ
(b1) (b2) (b3) 10n) (Tolerance) (Temp. coeff)
ดา 0 0 0 100
น้าตาล 1 1 1 101  1% (F) 100 ppm
แดง 2 2 2 102  2% (G) 50 ppm
ส้ม 3 3 3 103 15 ppm
เหลือง 4 4 4 104 25 ppm
เขียว 5 5 5 105  0.5% (D)
น้าเงิน 6 6 6 106  0.25% (C)
ม่วง 7 7 7 107  0.1% (B)
เทา 8 8 8  0.05% (A)
ขาว 9 9 9
ทอง 10-1  5% (J)
เงิน 10-2  10% (K)
ไม่มสี ี  20% (M)
ตัวอย่าง 2.1 ตัวต้านทานแบบ 4, 5 และ 6 แถบสีที่กาหนดมีค่าเท่าไร ถ้า

ก) ตัวต้านทาน 4 แถบสี มีแถบสี ดังนี้ แดง เขียว ส้ม และทอง ตามลาดับ
ข) ตัวต้านทาน 5 แถบสี มีแถบสี ดังนี้ เหลือง ม่วง ดา ส้ม และทอง ตามลาดับ
ค) ตัวต้านทาน 6 แถบสี มีแถบสี ดังนี้ แดง ม่วง น้าเงิน ดา ทอง และน้าตาล ตามลาดับ
วิธีทา ก) แถบสี แดง เขียว ส้ม ทอง
ค่าความต้านทานจะเป็น b1 = 2, b2 = 5, n = 3 (103),  5%
R = 25103 = 25 k  5%
ขอบเขตความเบี่ยงเบน 5% หมายถึง 5% ของ 25 k เท่ากับ 750 จะได้
25,000 + 750 = 25,750  และ 25,000 - 750 = 24,250 
ดังนั้น ตัวต้านทานจะมีค่าอยู่ระหว่าง 24,250  - 25,750 
ข) แถบสี เหลือง ม่วง ดา ส้ม ทอง
ค่าความต้านทานจะเป็น b1 = 4, b2 = 7, b3 = 0, n = 3 (103),  5%
38
R = 470103 = 470 k  5%
ค) แถบสี แดง ม่วง น้าเงิน ดา ทอง น้าตาล
ค่าความต้านทานจะเป็น b1 = 2, b2 = 7, b3 = 6, n = 0 (100),  5%, 100 ppm
R = 276   5% 100 ppm
แถบสี 3-4 แถบแรก หรือแถบสีกาหนดตัวเลขตัวตั้งและตัวคูณ จะมีตาแหน่งบนตัวถังของตัวต้านทาน
อยู่ด้านหนึ่ ง (อยู่ใกล้ขาของตัวต้านทานขาหนึ่ง) และแถบสี ที่บอกขอบเขตความเบี่ยงเบนและสัมประสิทธิ์
อุณหภูมิจะอยู่อีกด้านหนึ่งของตัวถัง (อยู่ใกล้อีกขาหนึ่งของตัวต้านทานนั้น) ดังภาพ 2.5
วิธีการวัดค่าความต้านทานของตัวต้านแบบค่าคงที่ และแบบปรับค่าได้ แสดงดังภาพ 2.6

470 M
V

A
A com V/
(ก)
10.0 M 2.5 M M1 M2 7.5 M

V V V
  
A A A
A com V/ A com V/ A com V/
b b
a c a c
(ข) (ค)
ภาพ 2.6 วิธีการวัดค่าความต้านทานของตัวต้าน (ก) แบบค่าคงที่ (ข) และ (ค) แบบปรับค่าได้
39
จากภาพ 2.6 (ก) การวัดค่าความต้านทานของตัวต้านทานแบบคงที่ ทาการวัดได้โดยใช้โอห์มมิเตอร์

(Ohm meter) หรื อ ใช้ มั ล ติ มิ เตอร์ (Multimeter) ซึ่ ง ตั้ ง ย่ า นการวั ด ค่ า ความต้ า นทาน ซึ่ ง ในการวั ด ค่ า
ความต้านทานของตัวต้านทานหรือองค์องค์ประกอบทางไฟฟ้าใด ๆ ในวงจร จะต้องปราศจากแหล่งจ่ายทาง
ไฟฟ้า
จากภาพ 2.6 (ข) และ (ค) เป็นการวัดค่าความต้านทานของตัวต้านทานแบบปรับค่าได้ มีหลักการวัด
เช่นเดียวกับตัวต้านทานแบบค่าคงที่ แต่ ตัวต้านทานแบบปรับค่าได้นั้น เป็นองค์ประกอบทางไฟฟ้าแบบ 3 ขั้ว
ซึ่งการวัดตามภาพ 2.6 (ข) เป็นการวัดค่าความต้านทานสูงสุดของตัวต้านทานแบบปรับค่าได้ และการวัดตาม
ภาพ 2.6 (ค) เป็นการวัดค่าความต้านทานตามค่าที่ได้มีการปรับเปลี่ยนไป ซึ่งผลรวมของค่าความต้านทานจาก
การวัดที่ขั้ว a-b หรือ Rab โดยใช้มิเตอร์ M1 และที่ขั้ว b-c หรือ Rbc โดยใช้มิเตอร์ M2 จะมีค่าเท่ากับการวัด
ตามภาพ 2.6 (ข) ตามความสัมพันธ์ ดังนี้
Rac  Rab  Rbc (2.7)
วิธีการวัดค่ากระแสไฟฟ้าไหลผ่าน และแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมตัวต้านทาน แสดงดังภาพ 2.7
i
12.0

V
V
vs R v 
A
_ A com V/
(ก) การวัดแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมตัวต้านทาน
i
i 0.05 A
R V

vs A
A
com V/
(ข) การวัดกระแสไฟฟ้าไหลผ่านตัวต้านทาน
ภาพ 2.7 การวัดค่ากระแสไฟฟ้าไหลผ่าน และแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมตัวต้านทาน
40
1) การวัดค่าความต้านทาน และแรงดันไฟฟ้า จะวัดโดยต่อมิเตอร์ขนานกับส่วนที่ต้องการจะวัดค่า
แต่การวัดกระแสไฟฟ้าจะต่ออนุกรม
2) การวั ด แรงดั น ไฟฟ้ า และกระแสไฟฟ้ า จะต้ อ งมี แ หล่ ง จ่ า ยพลั ง งานอยู่ ในวงจร แต่ ก ารวั ด
ค่าความต้านทานต้องไม่มีแหล่งจ่ายพลังงาน
3) ขั้วต่อสายโพรบ (ขั้วบวก หรือขั้วที่มีศัก ย์สูงกว่า) ของมิเตอร์ สาหรับการวัดค่าความต้านทานและ
แรงดันไฟฟ้าจะใช้ขั้วเดียวกัน แต่การวัดกระแสไฟฟ้าจะใช้อีกขั้วหนึ่ง ส่วนขั้ว คอมมอนหรือขั้วลบจะใช้ร่วมกัน
ทั้ง 3 ประเภทการวัด
ตัวต้านทานที่มีคุณสมบัติสอดคล้องตามกฎของโอห์ม เรียกว่า ตัวต้านทานเชิงเส้น (linear resistor)
ซึ่งมีค่าความต้านทานคงที่ โดยค่าความต้านทานจะเป็นเส้นตรงผ่านจุด กาเนิดและเพิ่มขึ้นอย่างคงที่ ตามกราฟ
คุณลักษณะของกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า (i-v graph) แสดงดังภาพ 2.8 (ก)
ตัวต้านทานไม่เชิงเส้น (nonlinear resistor) จะมีกราฟคุณลักษณะของกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า
ไม่ส อดคล้ องกับ กฎของโอห์ ม แสดงดังภาพ 2.8 (ข) ตั วอย่าง เช่น หลอดไฟ และไดโอด (Diode) เป็ นต้ น
ในทางปฏิบั ติตัวต้านทานอาจแสดงพฤติกรรมไม่เชิงเส้น ในบางเงื่อนไข แต่ในหนังสื อเล่ มนี้จะสมมติให้ ตัว
ต้านทานเป็นเชิงเส้นทั้งหมด กราฟคุณลักษณะของกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า ที่ค่าความต้านทาน 2  ดัง
ภาพ 2.9
v v
=R =R
i i
(ก) (ข)
ภาพ 2.8 กราฟคุณลักษณะของกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้าของตัวต้านทาน (ก) เชิงเส้น (ข) ไม่เชิงเส้น
V (volt)
6
5
4
3 y
2 Slope  R 
1 x
1 2 I (amp)
ภาพ 2.9 กราฟคุณลักษณะของกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า กรณีตัวอย่างค่าความต้านทาน 2 

41
ปริมาณทางไฟฟ้ าที่ส าคัญ ส าหรับ การวิเคราะห์ วงจรไฟฟ้ าอีกประเภทหนึ่ง คือ ค่าความน าไฟฟ้ า
(Conductance; G) ซึ่งเป็นสัดส่วนกับค่าความต้านทาน R ดังสมการ (2.8)
1 i
G   (2.8)
R v
ค่าความนาไฟฟ้าใช้สาหรับวัดความสามารถในการนากระแสไฟฟ้า โดยมีหน่วยเป็น โมห์ (mho; ℧ )
หรือซีเมนส์ (siemens; S) โดยที่
1 S = 1 ℧ = 1 A/V (2.9)
ตัวต้านทานสามารถเขียนในหน่วยโอห์ม หรือซีเมนส์ได้ ตัวอย่างเช่น ตัวต้านทานขนาด 10  หรือ
0.1 S จากสมการ (2.8) จะได้ ดังนี้
i  Gv (2.10)
ค่าความน าไฟฟ้า G มีค่าอยู่ในช่วง 0 < G <  เช่นเดียวกับ R โดย G = 0 จะนิยามว่า วงจรเปิด
และ G =  จะนิยามว่า วงจรปิด หรือลัดวงจร ดังภาพ 2.10
a a a a
   
v v v 0 v0
i 0 i 0  i i
 R   
R0
b b G0 b b G 
(ก) (ข)
ภาพ 2.10 ความต้านทานไฟฟ้าและความนาไฟฟ้า (ก) เปิดวงจร (ข) ลัดวงจร
กาลังไฟฟ้าในตัวต้านทาน สามารถเขียนในเทอมของ R ได้ จากสมการ (1.6) และ (2.3) จะได้

v2
2
p  vi  i R  (2.11)
R
กาลังไฟฟ้าในตัวต้านทาน ในเทอมของ G จะได้
i2
2
และ p  vi  v G  (2.12)
G
1) ตัวต้านทานเป็นองค์ประกอบแบบพาสซีฟ ค่ากาลังไฟฟ้าที่ตัวต้านทานมีค่าเป็นบวกเสมอ ฉะนั้น
ตัวต้านทานเป็นองค์ประกอบประเภทดูดกลืนพลังงาน ไม่สามารถจ่ายพลังงานออกมาจากตัวมันได้
42
2) ถึงแม้ตัวต้านทานจะเป็นองค์ประกอบเชิงเส้น แต่กาลังไฟฟ้าที่ตัวต้านทานจะไม่เป็นเชิงเส้น แต่จะมี

ค่าเป็นฟังก์ชันของแรงดันไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้ายกกาลัง 2 ตามสมการ (2.11)
ค่าความต้านทาน กระแสไฟฟ้ า แรงดัน ไฟฟ้ า และกาลั งไฟฟ้ าในวงจรตัวต้านทาน สามารถเขียน
ความสัมพันธ์ได้ จากสมการ (1.6) (2.3) และ (2.11) จะได้ ดังภาพ 2.11
W)
Cu
t :
at
rre
r (W
nt
e V2 V
(Am
w P
Po
pe
I2R R R
re:
V
A)
VI P I P/R
V R V
PR
P 2 I
P V

)
IR 2 P
Vo
m:
I
lt a
Oh
I
ge
e(
(
Vo
tac
lt:
sis
V)
Re
ภาพ 2.11 ความสัมพันธ์ระหว่างกระแสไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า กาลังฟ้าและความต้านทาน
ตั วอย่า ง 2.2 หาค่าความต้านทานของกระทะไฟฟ้ าที่ มีกระแสไฟฟ้า ไหลผ่ าน 4.55 A ถ้า มี แรงดันไฟฟ้ า

ตกคร่อม 220 V
v 220
วิธีทา จากสมการ (2.4) R    48.35 
i 4.55
1 1
จากสมการ (2.8) G    20.68 mS
R 48.35
ตัวอย่าง 2.3 จากภาพ 2.12 หากระแสไฟฟ้า i ค่าความนาไฟฟ้า G และกาลังไฟฟ้า p
i

24 V 4 k v

ภาพ 2.12 สาหรับตัวอย่าง 2.3

43
วิ ธี ท า จากภาพ 2.12 แรงดั น ไฟฟ้ า ที่ ต กคร่ อ มตั ว ต้ านทาน 4 k จะเท่ า กั บ แรงดั น ไฟฟ้ า ที่ แ หล่ งจ่ า ย
แรงดันไฟฟ้า 24 V เนื่องจาก ตัวต้านทานต่อขนานหรือต่อเข้ากับแหล่งจ่ายที่ขั้วเดียวกัน ดังนั้น
v 24
i    6 mA
R 4  103
1 1
ค่าความนาไฟฟ้า จะได้ G    0.25 mS
R 4  103
และค่ากาลังไฟฟ้าจะได้ p  vi  24(6  103 )  144 mW
หรือ p  i 2R  (6 103 ) 2 (4  103 )  144 mW
หรือ p  v 2 G  242 (0.25  103 )  144 mW
ตัวอย่าง 2.4 หากระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านตัวต้านทาน และค่ากาลังไฟฟ้าที่ตัวต้านทาน ถ้าตัวต้านทานขนาด

4 k ต่อเข้ากับแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าขนาด 20sint V
v 20 sin t
วิธีทา ฉะนั้น i    5 sin t mA
R 4  103
และ p  vi  100 sin2  t mW
2.3 กิ่ง โนด ลูป เมซ

องค์ ป ระกอบในวงจรไฟฟ้ าสามารถเชื่ อมต่ อ เข้าด้ ว ยกั น เป็ น โครงข่ าย (Network) หรือ วงจร ได้
หลากหลายรูปแบบ ซึ่งความเข้าใจในลักษณะทางกายภาพของโครงข่ายหรือวงจรจะมีส่วนช่วยให้สามารถ
เลือกวิธีการวิเคราะห์โครงข่ายหรือวงจรได้อย่างเหมาะสม ในเบื้องต้นควรเข้าใจความแตกต่างระหว่างวงจรกับ
โครงข่ายเสียก่อน ซึ่งโครงข่าย คือ การเชื่อมต่อถึงกันขององค์ประกอบทางไฟฟ้า เช่น แหล่งจ่ายทางไฟฟ้า
ตัวต้านทาน ไดโอด เป็ น ต้น เข้าด้วยกัน และวงจร คือ การเชื่อมต่อถึงกันของโครงข่ายหลาย ๆ โครงข่าย
รวมกันเป็นวงจรปิด ซึ่งบ่อยครั้งจะพบว่ามีการเรียกโครงข่ายและวงจรในความหมายเดียวกัน สาหรับหนังสือ
เล่มนี้จะใช้คาว่าวงจรตั้งแต่หัวข้อถัดไปตลอดทั้งเล่ม
กิ่ง (Branch) คือ ส่วนประกอบใด ๆ ของวงจรที่มีขั้วทั้งสองเชื่อมต่ออยู่ แต่ละกิ่งอาจประกอบไปด้วย
หนึ่งหรือสององค์ประกอบก็ได้ ในทางปฏิบัติแล้ว องค์ประกอบทางไฟฟ้าใด ๆ ที่มี สองขั้ว ถือว่าเป็นกิ่ง เช่น
แบตเตอรี่ แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า ตัวต้านทาน เป็นต้น ตัวอย่างดังภาพ 2.13 ประกอบไปด้วย 5 องค์ประกอบ
ทางไฟฟ้า ฉะนั้นจะมี 5 กิ่ง คือ กิ่ง b1, b2, b3, b4 และ b5
44
โนด (Node) คือ จุดเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างกิ่งสองกิ่ง (หรือมากกว่า) โนดในทางปฏิบัติ คือ จุดที่มี

การเชื่อมต่อถึงกันขององค์ประกอบทางไฟฟ้าหรือกิ่งเข้าด้วยกันด้วยตะกั่วบัดกรีบนแผ่นวงจร โนดจะแสดงใน
โครงข่ายโดยใช้ เครื่องหมาย จุด (•) ตัวอย่างดังภาพ 2.13 ประกอบไปด้วย 4 จุดเชื่อมต่อทางไฟฟ้า ดังนั้น
จะมี 4 โนด คือ โนด n1, n2, n3 และ n4
ลู ป (Loop) หรื อวงรอบ คือ การเชื่อ มต่อทางไฟฟ้ าของกิ่งเข้าด้ว ยกันเป็น วงรอบปิ ด และเส้ น ทาง
จะต้องไม่ซ้ารอยเดิม ตัวอย่างดัง ภาพ 2.13 มีลูปที่เป็นไปได้ทั้งหมด 3 แบบ คือ ลูป l1, l2 และ l3
n1 b2 n2 b4 n3
b1 l1 / m 1 b3 l2 / m 2 b5
l3
n4
ภาพ 2.13 นิยามของลูป

เมซ (Mesh) คือ วงรอบปิดหรือลูปที่ไม่มีลูปอื่น ๆ ภายใน จากตัวอย่างดังภาพ 2.13 โครงข่ายมี 3 ลูป
คือ ลูป l1, l2 และ l3 ประกอบไปด้วย 2 เมซ นั่นคือ เมซ m1 และ m2 ส่วน l3 ไม่ถือว่าเป็นเมซ เนื่องจากมีเมซ
m1 และ m2 อยู่ภายใน
โครงข่ายที่ประกอบด้วย b กิ่ง n โนด และ m เมซ จะเป็นไปตามลักษณะทางกายภาพของโครงข่าย
b  m  n 1 (2.13)
การเชื่อมต่อองค์ป ระกอบทางไฟฟ้าตั้งแต่ 2 ตัวขึ้นไปเข้าด้วยกัน จะเรียกว่า อนุกรม (Series) กัน
ถ้าองค์ประกอบต่ออันดับกันหรือมีจุดต่อร่วมเพียงโนดเดียว และมีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านเท่ากัน และจะเรียกว่า
ขนาน (Parallel) กัน ถ้าองค์ป ระกอบนั้ น ๆ มีจุดต่อร่ว มกันทั้ง 2 โนดและมี แรงดัน ไฟฟ้าตกคร่อมเท่ากัน
องค์ประกอบทางไฟฟ้า 2 ตัวใด ๆ ที่ถูกเชื่อมต่อเข้าด้วยกันจะเชื่อมต่อได้เพียงลักษณะเดียว คือ อนุกรม หรือ
ขนาน อย่างใดอย่างหนึ่ง ไม่สามารถเชื่อมต่อร่วมกันทั้ง 2 ลักษณะได้
ตัวอย่าง 2.5 จากภาพ 2.14 มีจานวน กิ่ง เมซ และโนด เท่าใด และแต่ละองค์ประกอบต่อกันแบบใด
10 
6V 5 3 1.5 A

45
วิธีทา จากภาพ 2.14 โครงข่ายประกอบด้วย 5 องค์ประกอบ ฉะนั้น โครงข่ายนี้จะมีจานวนกิ่งเท่ากับ 5 กิ่ง

คือ Vs 6 V, R10 , R5 , R3 และ Is 1.5 A มี 3 โนด คือ โนด 1, 2 และ 3 ดังภาพ 2.15
n1 10  n2
6V 5 3 1.5 A
m1 m2 m3
n3
ภาพ 2.15 กิ่ง เมซ และโนดขอโครงข่ายในภาพ 2.14

ประกอบด้วย 3 เมซ คือ เมซที่ 1 (โนด 1 2 3 1) ประกอบด้วยตัวต้านทาน R10 , R5 และแหล่งจ่าย
แรงดันไฟฟ้า 6 V เมซที่ 2 (โนด 2 3 2) ประกอบด้วยตัวต้านทาน R5 และ R3 และ เมซที่ 3 (โนด 2 3 2)
ประกอบด้วยตัวต้านทาน R3 และแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า 1.5 A
ตัวต้านทาน R10 ต่ออนุกรมกับ แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า 6 V เพราะองค์ประกอบทั้ง 2 เชื่ อมต่อเข้า
ด้วยกันเพียงโนดเดียว คือ โนดที่ 1 และมีกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านทั้ง 2 องค์ประกอบเท่ากัน
ตั ว ต้ า นทาน R5  ต่ อ ขนานกั บ ตั ว ต้ า นทาน R3  และแหล่ ง จ่ า ยกระแสไฟฟ้ า 1.5 A เพราะทั้ ง
3 องค์ประกอบเชื่อมต่อเข้าด้วยกันทั้ง 2 โนด คือ โนด 2 และ 3 เหมือนกัน และจะมีแรงดันตกคร่อมเท่ากันทั้ง
3 องค์ประกอบ
2.4 กฎของเคอร์ชอฟฟ์
การวิเคราะห์วงจรโดยใช้กฎของโอห์มเพียงอย่างเดียวนั้นไม่เพียงพอสาหรับวงจรที่ประกอบไปด้วย
หลาย ๆ องค์ ป ระกอบ ซึ่ ง เชื่ อ มต่ อ ถึ ง กั น ในหลากหลายรู ป แบบ แต่ ถ้ า ใช้ ก ฎของโอห์ ม ร่ ว มกั บ
กฎของเคอร์ชอฟฟ์ (Kirchhoff’s law) จะช่วยให้สามารถวิเคราะห์วงจรได้อย่างมีประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้น
กฎของเคอร์ช อฟฟ์น าเสนอในปี ค.ศ. 1847 โดยกุส ทาฟ โรแบร์ท คีร์ช ฮอฟฟ์ หรือ กุส ตาฟ เคอร์
ชอฟฟ์ (Gustav Robert Kirchhoff) นักฟิสิกส์ชาวเยอรมัน โดยกฎที่นาเสนอ มี 2 กฎ ดังนี้ กฎกระแสไฟฟ้า
ของเคอร์ ช อฟฟ์ (Kirchhoff’s current law ; KCL) และกฎแรงดั น ไฟฟ้ า ของเคอร์ ช อฟฟ์ (Kirchhoff’s
voltage law; KVL)
กฎข้อที่ 1 ของเคอร์ชอฟฟ์ เป็นกฎที่ใช้พื้นฐานจากกฎการอนุรักษ์ของประจุไฟฟ้า (law of conservation of
charge) ซึ่งกล่าวว่า “ผลรวมของประจุไฟฟ้ าในระบบจะไม่ ส ามารถเปลี่ ยนแปลงได้ โดยที่ป ระจุในระบบ
สามารถถ่ า ยโอนหรื อ ส่ ง ผ่ า นจากที่ ห นึ่ ง ไปยั ง อี ก ที่ ห นึ่ ง ได้ แต่ จ ะไม่ ส ามารถสร้ า งขึ้ น หรื อ ท าลายลงได้ ”
กฎกระแสไฟฟ้ า ของเคอร์ ช อฟฟ์ (Kirchhoff’s current law ; KCL) กล่ า วว่ า ผลรวมทางพี ช คณิ ต ของ
46
ประจุไฟฟ้าในระบบจะไม่มีการเปลี่ยนแปลง หรือ ผลรวมทางพีชคณิตของกระแสไฟฟ้าที่ไหลเข้าสู่โนดใด ๆ

(หรือในขอบเขตปิด) มีค่าเป็นศูนย์ ดังสมการ (2.14)
N
 in  0 (2.14)
n 1
จากสมการ (2.14) เมื่อ N คือ จานวนของกิ่งที่โนด และ in คือ กระแสลาดับที่ n ที่ไหลเข้าหรือไหล

ออกจากโนด โดยกระแสที่ไหลเข้าโนดจะกาหนดให้เป็นปริมาณบวก (+) และกระแสที่ไหลออกจากโนดจะ
กาหนดให้เป็นปริมาณลบ (-)
เพื่อความเข้าใจ KCL จะสมมติให้มีกระแสไฟฟ้า ik (t), k =1, 2, 3,.. ไหลเข้าโนด ผลรวมทางพีชคณิต
ของกระแสไฟฟ้าที่ไหลเข้าโนด คือ
iT (t )  i1 (t )  i2 (t )  i3 (t )  ...... (2.15)
อินทิกรัลสมการ (2.15) จะได้
qT (t )  q1 (t )  q2 (t )  q3 (t )  ...... (2.16)
โดยที่ qk (t )   ik (t )dt
และ qT (t )   iT (t )dt
จากกฎการอนุ รั ก ษ์ ข องประจุ ไฟฟ้ า กล่ า วว่ า ผลรวมทางพี ช คณิ ต ของประจุ ไฟฟ้ า ที่ โ นดจะไม่
เปลี่ยนแปลง นั่นคือ โนดจะไม่สะสมประจุไฟฟ้า ดังนั้น qT (t )  iT (t )  0 ซึ่งเป็นไปตาม KCL
i3 i5
x i4
i2 i1
ภาพ 2.16 ตัวอย่างการใช้ KCL พิจารณากระแสไฟฟ้าที่โนด x
พิจารณาภาพ 2.16 ใช้ KCL ที่โนด x จะได้

i1  ( i2 )  i3  i4  ( i5 )  0 (2.17)
ซึง่ กระแสไฟฟ้า i1, i3, i4 ไหลเข้าโนด x และ i2, i5 ไหลออกจากโนด x ฉะนั้น
i1  i3  i4  i2  i5 (2.18)
47
จากสมการ (2.18) จะเรี ย กได้ ว่ า ผลรวมของกระแสไฟฟ้ า ที่ ไหลเข้ า โนดจะเท่ า กั บ ผลรวมของ

กระแสไฟฟ้าที่ไหลออกจากโนด
KCL สามารถใช้ในขอบเขตปิ ด (close boundary) ได้เช่นเดียวกับ ในโนด พิจารณาโดยกาหนดให้
ขอบเขตปิดนั้นคือโนด ดังภาพ 2.17 โดยผลรวมของกระแสไฟฟ้าที่ไหลเข้าขอบเขตปิดจะเท่ากับผลรวมของ
กระแสไฟฟ้าที่ไหลออกจากบริเวณปิด
Close boundary Node
ภาพ 2.17 ตัวอย่างการประยุกต์ใช้ KCL ในขอบเขตปิด
การประยุ กต์ ใช้ KCL อย่ างง่าย คื อ การรวมค่า แหล่ งจ่ายกระแสไฟฟ้ า หลายแหล่ งที่ ต่อขนานกั น
ค่า กระแสไฟฟ้ า รวมที่ ได้ คื อ ผลรวมทางพี ช คณิ ต ของกระแสที่ จ่ายจากแต่ล ะแหล่ งจ่าย ตั ว อย่างดั งภาพ
2.18 (ก) กระแสไฟฟ้ารวมจะได้ดังภาพ 2.18 (ข)
กระแสไฟฟ้ารวมหรือแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าสมมูลจะหาได้โดยใช้ KCL ที่โนด a ดังนี้
IT  I2  I1  I3
หรือ IT  I1  I2  I3 (2.19)
ในกรณีที่ แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า I1 และ I2 อนุกรมกัน จะไม่เป็นไปตาม KCL ยกเว้นกรณีที่ I1 = I2
IT IT
a a
I1 I2 I3
I T  I1  I 2  I 3
b b
(ก) (ข)
ภาพ 2.18 แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าต่อขนานกัน (ก) วงจรที่ใช้ในการพิจารณา (ข) วงจรสมมูล
กฎข้อที่ 2 ของเคอร์ชอฟฟ์ เป็นกฎที่ใช้พื้นฐานจากกฎการอนุรักษ์พลังงานไฟฟ้า ซึ่งกล่าวว่า “ผลรวมของ

กาลังไฟฟ้าในวงจรในทุกชั่วขณะเวลาจะเท่ากับศูนย์ ” กฎแรงดันไฟฟ้าของเคอร์ชอฟฟ์ (Kirchhoff’s voltage
48
law ; KVL) กล่ า วว่ า ผลรวมทางพี ช คณิ ต ของแรงดั น ไฟฟ้ า ตกคร่ อ มรอบบริเวณปิ ด (หรือ ลู ป หรือ เมซ)
มีค่าเป็นศูนย์ ดังสมการ (2.20)
M
 vm  0 (2.20)
m 1
จากสมการ (2.20) เมื่อ M คือ จานวนของแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมภายในบริเวณปิด (หรือจานวนของกิ่ง

ในเมซ) และ vm คือ แรงดันไฟฟ้าตกคร่อมลาดับที่ m ในเมซ
 V2   V3 
V1 V4
 V5 
ภาพ 2.19 ตัวอย่างการใช้ KVL พิจารณาแรงดันไฟฟ้าในเมซ

จากภาพ 2.19 สัญลักษณ์ (+, -) ที่แต่ละองค์ประกอบทางไฟฟ้าหรือกิ่ง คือ ขั้วของแรงดันไฟฟ้าที่จะ
นามาพิจารณา ในการพิจารณาลูปปิด หรือเมซโดยใช้ KVL สามารถพิจารณาได้ทั้งในทิศทางตามเข็มนาฬิกา
และทวนเข็มนาฬิกา ซึ่งทั้งสองทิศทางนั้นมีผลรวมทางพีชคณิตของแรงดันตกคร่อมในเมซเป็นศูนย์เช่นเดียวกัน
โดยทั่วไปจะเริ่มพิจารณาจากแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าและวนรอบลูปในทิศทางตามเข็มนาฬิกา
จากภาพ 2.19 ใช้ KVL รอบลูปจะได้
 V1  V2  V3  V4  V5  0 (2.21)
หรือ V2  V3  V5  V1  V4 (2.22)
ซึง่ จะกล่าวได้ว่า Sum of voltage drop  Sum of voltage rise (2.23)
สมการ (2.23) หมายถึง ผลรวมของแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมจะมีค่าเท่ากับผลรวมของแรงดันไฟฟ้าที่จ่าย
โดยแหล่งจ่าย
ในกรณีที่พิจารณาในทิศทางทวนเข็มนาฬิกา ผลที่ได้ยังคงเท่าเดิม เช่นเดียวกับ สมการ (2.21) และ
(2.22) ดังนี้
V4  V3  V2  V1  V5  0
หรือ V1  V4  V2  V3  V5
49
การประยุ กต์ใช้ KVL อย่างง่าย คือ การรวมค่าแหล่งจ่ายแรงดัน ไฟฟ้าหลายแหล่งที่ต่ออนุกรมกัน

ค่าแรงดั น ไฟฟ้ า รวมที่ ได้ คื อ ผลรวมทางพี ช คณิ ต ของแรงดั น ที่ จ่ ายโดยแต่ ล ะแหล่ งจ่ าย ตั ว อย่ างดั งภาพ
2.20 (ก) แรงดันไฟฟ้ารวมจะได้ดังภาพ 2.20 (ข)
a
 V1
Vab V2
a

V3
 V ab
 Vab  V1  V2  V3
b b
(ก) (ข)
ภาพ 2.20 แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าต่ออนุกรมกัน (ก) วงจรที่ใช้ในการพิจารณา (ข) วงจรสมมูล
จากภาพ 2.20 (ก) แรงดันไฟฟ้ารวมหรือแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าสมมูลจะหาได้โดยใช้ KVL ที่ขั้ว a-b
ดังนี้
 Vab  V1  V2  V3  0
หรือ Vab  V1  V2  V3 (2.24)
ในกรณี ที่ แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า V1 และ V2 ต่อขนานกัน จะไม่เป็นไปตาม KVL ยกเว้น ในกรณี ที่
ขนาดของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า V1 = V2
ตัวอย่าง 2.6 จากภาพ 2.21 หาแรงดันไฟฟ้า V1 และ V2

2
 V1  _
12 V V2 4


50
วิธีทา การหาค่าแรงดันไฟฟ้า V1 และ V2 จากภาพ 2.21 ได้โดยใช้กฎของโอห์มร่วมกับกฎแรงดันไฟฟ้าของ

เคอร์ชอฟฟ์
ถ้ากาหนดให้กระแสไฟฟ้าไหลในวงจรในทิศทางตามเข็มนาฬิกา ดังนั้น
จาก Ohm’s law V1  2I , V2   4I (2.6.1)
ใช้ KVL รอบลูป จะได้  12  V1  V2  0 (2.6.2)
แทนค่า (2.6.1) ใน (2.6.2) จะได้  12  2I  4I  0  6I  12  I  2 A
แทนค่า I ในสมการ (2.6.1) จะได้ V1  4 V , V2   8 V
ตัวอย่าง 2.7 จากภาพ 2.22 หา vo และ i ในวงจร

i 4 4v o
12 V 4V
6
 vo 

วิธีทา จากภาพ 2.22 ใช้ KVL รอบเมซ โดยกาหนดให้พิจารณาในทิศทางตามเข็มนาฬิกา จะได้ดงั ภาพ 2.23
4 4v o
12 V 4V
6 i
 vo 
ภาพ 2.23 เมซของภาพ 2.22

ใช้ KVL รอบเมซ i จะได้  12  4i  4v o  4  6i  0 (2.6.1)
จากกฎของโอห์ม v o  6i (2.6.2)
แทน (2.6.2) ใน (2.6.1) จะได้  16  10i  24i  0 (2.6.3)
จาก (2.6.3) ดังนั้น i   1.14 A , v o   6.84 V
51
ตัวอย่าง 2.8 จากภาพ 2.24 หา io และ vo ในวงจร

x
io

4A vo 12  0.25i o


วิธีทา ใช้ KCL ที่โนด x จะได้ 4  0.25i o  i o  i o  5.33 A
ใช้กฎของโอห์มที่ R 12  จะได้ v o  12i o  64 V
ตัวอย่าง 2.9 จากภาพ 2.25 หากระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า ในวงจร

4 i1 x i3
 v1   i2

24 V v2 6 v3 12 
 

วิธีทา การหากระแสไฟฟ้า และแรงดันไฟฟ้าจะใช้กฎของโอห์มและกฎของเคอร์ชอฟฟ์
จากกฎของโอห์ม v1  4i1 , v 2  6i2 , v3  12i3 (2.9.1)
KCL ที่โนด x; i1  i2  i3  0 (2.9.2)
4 i1 x i3
 v1  i2
 
24 V i1 v2 6 i2 v3 12 
 
ภาพ 2.26 เมซของภาพ 2.25
ใช้ KVL ทีเ่ มซ i1;  24  v1  v 2  0 (2.9.3)

แทน (2.9.1) ใน (2.9.3) จะได้  24  4i1  6i2  0
52
24  6i2
หรือ i1  (2.9.4)
4
ใช้ KVL ทีเ่ มซ i2;  v2  v3  0  v3  v2 (2.9.5)
i2
หรือ 12i3  6i2  i3  (2.9.6)
2
แทน (2.9.4), (2.9.6) ใน (2.9.2) จะได้
24  6i2 i
 i2  2  0  i2  2 A (2.9.7)
4 2
จาก (2.9.7) จะได้ i1  3 A, i3  1 A
v1  12 V, v2  12 V, v 3  12 V
2.5 ตัวต้านทานต่ออนุกรมและการแบ่งแรงดันไฟฟ้า
วงจรไฟฟ้าโดยทั่วไป จะพบว่า ประกอบไปด้วยตัวต้านทานเป็นจานวนมาก การรวมค่าความต้านทาน
ให้เหลือเพียงค่าความต้านทานสมมูล หรือให้ เหลือตัวต้านทานจานวนน้อยตัวลง จะช่วยให้ สะดวกในการ
วิเคราะห์ ว งจรมากยิ่ งขึ้น ในหั วข้อนี้ จะเริ่มจากการอธิบายการรวมค่าความต้านทานของตัวต้านทานที่ต่อ
อนุกรมกันเป็นอันดับแรก และจะอธิบายการรวมค่าความต้านทานของตัวต้านทานที่ต่อขนานกันในหัวข้อถัดไป
วิธีการหาค่าความต้านทานรวมของตัวต้านทานที่ต่ออนุกรมกัน จะเริ่มจากการพิจารณาตัวต้านทานที่
ต่อ อนุ กรมกั น 2 ตั ว ก่ อน โดยจะใช้ ว งจรดั ง ภาพ 2.27 ช่ ว ยพิ จารณา ซึ่ งตั ว ต้ านทานที่ ต่ อ อนุ ก รมกั น จะมี
กระแสไฟฟ้า i ไหลผ่านเท่ากัน
i a R1 R2
 v1   v2 
v
b
ภาพ 2.27 วงจรไฟฟ้าที่ประกอบด้วยตัวต้านทาน 2 ตัว ต่ออนุกรมกัน
จากกฎของโอห์มจะได้ v1  iR1 , v2  iR2 (2.25)

ใช้ KVL รอบลูป จะได้  v  v1  v2  0 (2.26)
แทนสมการ (2.25) ใน (2.26) จะได้ v  v1  v2  i ( R1  R2 ) (2.27)
53
v
หรือ i  (2.28)
R1  R2
จากสมการ (2.27) จะเขียนได้ดังนี้ v  iReq (2.29)
ตัวต้านทานทั้ง 2 สามารถแทนด้วยตัวต้านทานสมมูล Req โดยที่
Req  R1  R2 (2.30)
ดั งนั้ น วงจรดั ง ภาพ 2.27 สามารถแทนด้ ว ยวงจรสมมู ล ดั ง ภาพ 2.28 ได้ โดยภาพทั้ ง 2 จะมี
แรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้าที่ขั้ว a-b เท่ากัน ซึ่งวงจรสมมูลจะช่วยให้วิเคราะห์วงจรได้สะดวกมากยิ่งขึ้น
i a R eq
 v 
v
b
ภาพ 2.28 วงจรสมมูลของภาพ 2.27
สาหรับตัวต้านทาน N ตัว ทีต่ ่ออนุกรม จะได้

N
Req  R1  R2  ...  RN   Rn (2.31)
n 1
จากภาพ 2.27 จะสามารถหาแรงดันไฟฟ้าที่ตกคร่อมตัวต้านทานแต่ละตัว ได้ โดยแทนสมการ (2.28)

ใน (2.25) ซึง่ จะได้ดังสมการ (2.32)
R1 R2
v1  v , v2  v (2.32)
R1  R2 R1  R2
แรงดั น ไฟฟ้ า ที่ ต กคร่ อ มตั ว ต้ า นทานแต่ ล ะตั ว จะแปรผั น ตามขนาดของตั ว ต้ า นทาน กล่ า วคื อ
ตัว ต้ านทานที่ มี ค่ าสู งจะมี แรงดัน ไฟฟ้ า ตกคร่อ มสู งกว่าตั ว ต้ านทานที่ มี ค่ าต่า ซึ่งจะเรีย กว่า หลั กการแบ่ ง
แรงดัน ไฟฟ้า (principle of voltage division) และวงจรในภาพ 2.27 จะเรียกว่า วงจรแบ่ ง แรงดันไฟฟ้ า
(voltage divider)
ส าหรั บ วงจรที่ มี ตั ว ต้ า นทาน N ตั ว (R1, R2, ...., RN) ต่ อ อนุ ก รมกั บ แหล่ งจ่ า ยแรงดั น ไฟฟ้ า v จะ
สามารถหาแรงดันไฟฟ้าทีต่ กคร่อมตัวต้านทานลาดับที่ n (Rn) จะได้ดงั สมการ (2.33)
54
Rn
vn  v (2.33)
R1  R2  ....  RN
1) ตัวต้านทาน n ตัวต่ออนุกรมกัน ค่าความต้านทานรวมจะมีค่ามากกว่าตัวต้านทานที่มีค่ามากที่สุดที่
อนุกรมกัน
2) แรงดั น ตกคร่ อ มตั ว ต้ า นทาน n ตั ว ที่ ต่ อ อนุ ก รมกั บ แหล่ ง จ่ า ยแรงดั น ไฟฟ้ า จะแปรผั น ตาม
ค่าความต้านทานของตัวต้านทานตัวนั้น ๆ
2.6 ตัวต้านทานต่อขนานและการแบ่งกระแสไฟฟ้า
ในกรณีที่จาเป็นจะต้องรวมค่าความต้านทานของตัวต้านทานที่ต่อขนานกัน เพื่อความสะดวกในการ
วิเคราะห์วงจร จะใช้วงจรดังภาพ 2.29 ช่วยพิจารณา ดังนี้
i Node a
i1 i2
v R1 R2
Node b
ภาพ 2.29 วงจรไฟฟ้าที่ประกอบด้วยตัวต้านทาน 2 ตัวต่อขนานกัน
จากภาพ 2.29 ตัวต้านทาน R1 และ R2 ต่อขนานกัน ฉะนั้นแรงดันไฟฟ้า v ที่ตกคร่อม R1 และ R2 จะ

เท่ากัน จากกฎของโอห์ม จะได้
v  i1R1  i2 R2
v v
หรือ i1  , i2  (2.34)
R1 R2
ใช้ KCL ที่โนด a เพื่อหา i จะได้ i  i1  i2 (2.35)
v v 1 1 v
แทนสมการ (2.34) ใน (2.35) จะได้ i    v     (2.36)
R1 R2  R1 R2  Req
โดยที่ Req คือ ค่าความต้านทานสมมูลของตัวต้านทานที่ต่อขนาน ดังนั้น
1 1 1
  (2.37)
Req R1 R2
55
1 R R
หรือ  1 2
Req R1R2
R1R2
หรือ Req  (2.38)
R1  R2
ในกรณีที่ R1 = R2 จากสมการ (2.37) จะได้ Req = R1 / 2
สาหรับตัวต้านทาน N ตัวที่ต่อขนานกัน จากสมการ (2.37) จะได้ค่าความต้านทานสมมูล ดัง สมการ
(2.39)
1 1 1 1
   ....  (2.39)
Req R1 R2 RN
โดยทั่วไป Req จะมีปริมาณน้อยกว่า ค่าความต้านทานของตัวต้านทานตัวที่น้อยที่สุดที่ต่อขนานกัน
ถ้า R1 = R2 = ... = RN = R ฉะนั้น
R
Req  (2.40)
N
ในบางครั้งการหาค่าความต้านทานสมมูลของตัวต้านทานที่ต่อขนานกันอาจใช้ค่าความนาไฟฟ้า G
แทนเพื่อความสะดวก โดยค่าความนาไฟฟ้าสมมูลของตัวต้านทาน N ตัวทีต่ ่อขนานกัน คือ
Geq  G1  G2  ...  GN (2.41)
1 1 1 1
โดยที่ Geq  , G1  , G2  ,.....,GN 
Req R1 R2 RN
การหาค่าความต้านทานสมมูลของตัวต้านทานต่อขนานทั้ง 2 วิธี มีวัตถุประสงค์เพื่อลดรูปวงจรให้อยู่
ในรูปวงจรอย่างง่าย เพื่อความสะดวกในการวิเคราะห์วงจร ดังแสดงในภาพ 2.30
i a

v v R eq or G eq

b

ค่าความนาไฟฟ้าสมมูลสาหรับตัวต้านทาน N ตัวต่ออนุกรม จะได้
56
1 1 1 1
   ....  (2.42)
Geq G1 G2 GN
จากภาพ 2.29 จะสามารถหากระแสไฟฟ้า i1 และ i2 ได้จาก
R1R2
v  iR eq  i (2.43)
R1  R2
แทนสมการ (2.43) ใน (2.34) จะได้
R2 R1
i1  i, i2  i (2.44)
R1  R2 R1  R2
จากสมการ (2.35) และ (2.44) จะพบว่ากระแสไฟฟ้า i ถูกแบ่งโดยตัวต้านทานทั้ง 2 ซึ่งจะแปรผกผัน
ตามขนาดของตัวต้านทาน โดยกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านตัวต้านทานที่มีค่ามากจะน้อยกว่า กระแสไฟฟ้าที่ไหล
ผ่านตัวต้านทานที่มีค่าน้อย ซึ่งจะเรียกว่า หลักการแบ่งกระแสไฟฟ้า (principle of current division) และ
วงจรในภาพ 2.29 จะเรียกว่า วงจรแบ่งกระแสไฟฟ้า (current divider)
i i
i1  0 i2  i i1  i i2  0
R1 R2  0 R1 R2  
(ก) (ข)
ภาพ 2.31 (ก) ลัดวงจร (ข) เปิดวงจร
ในกรณีที่ตัวต้านทาน R1 และ R2 ต่อขนานกัน ถ้า R2 = 0 หรือเรียกว่า วงจรปิด หรือ ลัดวงจร จาก
สมการ (2.44) ฉะนั้น i1 = 0, i2 = i, Req = 0 และกระแสไฟฟ้า i จะไหลผ่าน R2 เท่านั้น ดังภาพ 2.31 (ก)
และในกรณีที่ตัวต้านทาน R1 และ R2 ต่อขนานกัน ถ้า R2 =  หรือเรียกว่า วงจรเปิด จากสมการ
(2.44) ฉะนั้น กระแสไฟฟ้า i จะไหลผ่าน R1 เท่านั้น และ Req = R1 ดังภาพ 2.31 (ข)
ถ้าหารสมการ (2.44) ด้วย R1R2 ทั้งเศษและส่วน จะได้
G1 G2
i1  i, i2  i (2.45)
G1  G2 G1  G2
ส าหรั บ กระแสไฟฟ้ า ที่ ถู ก แบ่ งด้ ว ยตั ว น าไฟฟ้ า N ตั ว (G1, G2, . . . , GN) ต่ อ ขนานกั บ แหล่ ง จ่ า ย
กระแสไฟฟ้า i ที่ตัวนาไฟฟ้าตัวที่ n (Gn) จะได้
57
Gn
in  i (2.46)
G1  G2  ...  GN
1) ตัวต้านทาน n ตัวต่อขนานกัน ค่าความต้านทานรวมจะมีค่าน้อยกว่าตัวต้านทานที่มีค่าน้อยที่สุดที่
ขนานกัน
2) กระแสที่ ไหลผ่ า นตั ว ต้ านทาน n ตั ว ที่ ต่ อ ขนานกั บ แหล่ งจ่ า ยกระแสไฟฟ้ า จะแปรผกผั น กั บ
ค่าความต้านทานของตัวต้านทานตัวนั้น ๆ
ตัวอย่าง 2.10 หาค่าความต้านทานสมมูล Req จากวงจร ดังภาพ 2.32
4 1
2
Req  3
6 3
8

วิธีทา จากภาพ 2.32
63
R 6  ต่อขนานกับ R 3  จะได้ 6 // 3   2
63
R 1  ต่ออนุกรมกับ R 3  จะได้ 1  3  4 
จะได้วงจรดังภาพ 2.33
4
2
Req  4
2
8

58
จากภาพ 2.33
R 2  ต่ออนุกรมกับ R 2  จะได้ 2  2  4 
44
และ R 4  ต่อขนานกับ R 4  จะได้ 4 // 4   2
44
4
Req  2
8
จากภาพ 2.34 ฉะนั้น จะได้ค่าความต้านทานสมมูล ดังนี้

Req  4  2  8  14 
ตัวอย่าง 2.11 หาค่าความต้านทานสมมูล Req จากวงจร ดังภาพ 2.35
10  c 1 d 1
a
4
Req  12  3 4
6 1
b
b b
วิธีทา จากภาพ 2.35 R 1  ต่ออนุกรมกับ R 4  และ R 1  จะได้
1  4  1  6 
12  4
R 12  ต่อขนานกับ R 4  ที่โนด c และ b จะได้ 12 // 4   3
12  4
36
และ R 3  ต่อขนานกับ R 6  ที่โนด d และ b จะได้ 3 // 6   2
36
59
10  c 1 d
a
Req  6
3 2
b
b b
จากภาพ 2.36 R 2  ต่อขนานกับ R 6  ที่โนด d และ b จะได้

26
2 // 6   1.5 
26
ซึง่ R 1.5  ต่ออนุกรมกับ R 1  จะได้ 1.5  1  2.5 
10  c
a
Req  3 2 .5 
b
b
จากภาพ 2.37 R 3  ต่อขนานกับ R 2.5  ที่โนด b และ c จะได้

3  2.5
3 // 2.5   1.36 
3  2.5
ดังนั้น จะได้ค่าความต้านทานสมมูล ดังนี้ Req  10  1.36  11.36 
ตัวอย่าง 2.12 หาค่าความนาไฟฟ้าสมมูล Geq จากวงจร ดังภาพ 2.38
21 S
G eq  5S 9S 12 S
21 S

60
วิธีทา จากภาพ 2.38 G 9 S ต่อขนานกับ G 12 S จะได้ 9S  12S  21 S ดังภาพ 2.39

21 S
G eq  5S 21 S
21 S
จากภาพ 2.39 G 21 S ต่ออนุกรมกับ G 21 S และ G 21 S จะได้

21
 7S
3
ซึง่ G 5 S ต่อขนานกับ G 7 S จะได้ Geq  5  7  12 S
จากภาพ 2.38 จะสามารถหาค่าความนาไฟฟ้าสมมูลโดยวิธีการหาค่าความต้านทานสมมูลจะได้ ดังภาพ 2.40
1 / 21 
Req  1/ 5  1/ 9  1 / 12 
1 / 21 
ภาพ 2.40 วงจรสมมูลของภาพ 2.38 ในหน่วยโอห์ม
1  1 1  1 1 
จากภาพ 2.40 จะได้ Req  //     //  
5  21 21  9 12  
1 1 1 1
 //    
5  21 21 21 
1 1
 //
5 7
1
 
12
1
และ Geq   12 S
Req
61
ตัวอย่าง 2.13 หา io , vo และ กาลังไฟฟ้าที่ R 3 

i 4 a
 io
12 V vo
6
3

b
วิธีทา จากภาพ 2.41 R 6  ต่อขนานกับ R 3  จะได้ ดังภาพ 2.42
63
6 // 3   2
63
i 4 a

12 V vo 2

b
เนื่องจาก R 6  // R 3  ดังนั้น แรงดันไฟฟ้าที่ตกคร่อมจะเท่ากัน และ vo จะเท่ากับแรงดันไฟฟ้าที่ตก

คร่อม R 2  ซึง่ จะสามารถหาค่าได้โดยใช้กฎของโอห์ม หรือหลักการแบ่งแรงดันไฟฟ้า ได้ดังนี้
v 12
ใช้กฎของโอห์ม i    2A
Req 42
และ v o  2i  4 V
2
ใช้หลักการแบ่งแรงดันไฟฟ้า vo  (12)  4 V
24
4 2
io หาได้จากกฎของโอห์ม ดังนี้ v o  6i o  4 V  i o   A
6 3
4
iR3 หาได้จาก KCL ดังนี้ i  io  iR 3  iR 3  i  io  A
3
และกาลังไฟฟ้าที่ R 3  จะได้จาก po  v oiR 3  4(4 / 3)  5.333 W
62
ตัวอย่าง 2.14 หา vo กาลังไฟฟ้าที่จ่ายโดยแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า และกาลังไฟฟ้าที่ตัวต้านทานแต่ละตัว

10 k

vo
12 mA 6 k 2 k


วิธีทา จากภาพ 2.43 R 10 k ต่ออนุกรมกับ R 2 k จะได้ ดังภาพ 2.44
io i2
 i1
vo
12 mA 6 k
12 k


10k  2k  12 kΩ
จากภาพ 2.44 ใช้หลักการแบ่งกระแสไฟฟ้า จะได้
12k
i1  (12mA)  8 mA
6k  12k
6k
i2  (10mA)  4 mA
6k  12k
โดยที่ v o  v R 6 k  v R12k  (6k ) i1  (12k ) i2  48 V
กาลังไฟฟ้าที่จ่ายโดยแหล่งจ่ายกระแส จะได้ po  - v o io  - 48V  12mA  - 0.576 W
กาลังไฟฟ้าที่ R 2 k จะได้ p  i22 R2 k  (4mA) 2  2k  0.032 W
กาลังไฟฟ้าที่ R 10 k จะได้ p  i22 R10 k  (4mA) 2  10k  0.16 W
v o2
กาลังไฟฟ้าที่ R 6 k จะได้ p   i12 R6 k  v o i1  0.384 W
R6 k
จากค่ากาลังไฟฟ้าข้างต้น จะพบว่า กาลังไฟฟ้าที่จ่ายโดยแหล่งจ่ายกระแสมีค่าเท่ากับผลรวมกาลังไฟฟ้าที่ตัว
ต้านทานแต่ละตัวดูดกลืน ซึ่งเป็นไปตามกฎการอนุรักษ์พลังงานไฟฟ้า
63
2.7 การแปลงรูปวงจรระหว่างแบบวายกับแบบเดลตา
ในการวิเคราะห์วงจรตัวต้านทาน บางครั้งอาจไม่ได้ต่อกันในลักษณะของการอนุกรมหรือขนาน การ
แปลงรูป วงจรระหว่างแบบวายกับ แบบเดลตา (Wye-Delta Transformation) จะมีบทบาทในการรวมค่า
ความต้ า นทานในวงจร เพื่ อ ให้ ได้ ว งจรสมมู ล ซึ่ ง จะช่ ว ยให้ ก ารวิ เคราะห์ ว งจรมี ป ระสิ ท ธิ ภ าพมากยิ่ ง ขึ้ น
ตัวอย่างเช่น วงจรบริดจ์ แสดงดังภาพ 2.45
R1
R2 R3
R4
VS
R5 R6
ภาพ 2.45 วงจรบริดจ์

จากภาพ 2.45 การหาค่าความต้านทานสมมูลด้วยวิธี การอนุกรมและขนานไม่สามารถหาค่าความ
ต้านทานสมมูลของ R1 ถึง R6 ได้ เนื่องจากตัวต้านทานทั้งหมดนั้น ไม่ได้ต่อเข้าด้วยกันทั้งแบบอนุกรมและแบบ
ขนาน วงจรบริดจ์ดังภาพสามารถแสดงด้วย โครงข่ายสมมูล 3 ขั้ว (Three-terminal equivalent network)
ได้ ทั้งโครงข่ายแบบวาย (wye; Y) หรือที (tee; T) ดังภาพ 2.46 และโครงข่ายแบบเดลตา (delta; ) หรือ
พาย (pi; ) ดังภาพ 2.47
1 3 R1 R2
R1 R2 1 3
R3 R3
2 4 2 4
(ก) (ข)
ภาพ 2.46 ลักษณะการต่อโครงข่าย (ก) Y (ข) T
Rc Rc
1 3 1 3
Rb Ra Rb Ra
2 4 2 4
(ก) (ข)
ภาพ 2.47 ลักษณะการต่อโครงข่าย (ก)  (ข) 
64
โครงข่ายที่มีลักษณะดังกล่าว มีโอกาสเป็นได้ทั้งโครงข่ายใดโครงข่ายหนึ่งเอง หรือเป็นเพียงส่วนหนึ่ง

ของโครงข่ายขนาดใหญ่ โดยมากจะพบในโครงข่าย 3 เฟส วงจรกรองสัญญาณทางไฟฟ้า (Filter circuit) และ
โครงข่ายสมคู่ (Matching network) ซึ่งสามารถใช้การแปลงรูปวงจรระหว่างแบบวายกับแบบเดลตาช่วยใน
การวิเคราะห์โครงข่ายได้
2.7.1 การแปลงรูปโครงข่ายแบบเดลตาไปเป็นแบบวาย
ในกรณีที่โครงข่ายเดิมเป็นแบบเดลตา หากทาการจัดให้อยู่ในรูปโครงข่ายแบบวายแล้วจะสามารถ
วิเคราะห์โครงข่ายได้สะดวกมากกว่า ซึ่งสามารถแทนโครงข่ายแบบเดลตาด้วยโครงข่ายสมมูลแบบวาย แล้วทา
การหาค่าความต้านทานรวมจากโครงข่ายแบบวายต่อไป
การหาค่ าความต้ านทานสมมู ล ในรู ป โครงข่ า ยแบบวายจากโครงข่ ายแบบเดลตา จะได้ จ ากการ
เปรียบเทียบโครงข่ายทั้ง 2 แบบ ดังนี้
จากภาพโครงข่ายแบบวาย ดังภาพ 2.46 และเดลตา ดังภาพ 2.47
R12 (Y )  R1  R3 (2.47)
R12 ( )  Rb //( Ra  Rc )
กาหนดให้ R12(Y) = R12() จะได้
Rb ( Ra  Rc )
R12  R1  R3  (2.48a)
Ra  Rb  Rc
Rc ( Ra  Rb )
และ R13  R1  R2  (2.48b)
Ra  Rb  Rc
Ra ( Rb  Rc )
R34  R2  R3  (2.48c)
Ra  Rb  Rc
จากสมการ (2.48a) – (2.48c) จะได้
Rc ( Rb  Ra )
R1  R2  (2.49)
Ra  Rb  Rc
จากสมการ (2.48) และ (2.49) จะได้
Rb R c
R1  (2.50)
R a  Rb  R c
65
Rc Ra
R2  (2.51)
R a  Rb  R c
R a Rb
R3  (2.52)
R a  Rb  R c
ซึง่ สมการ (2.50) – (2.52) ใช้สาหรับการแปลงโครงข่ายจากโครงข่ายแบบ  ไปเป็นโครงข่ายแบบ Y
และจะเพิ่มโนด n ในโครงข่ายดังภาพ 2.48
a Rc b
R1 R2
n
Rb Ra
R3
c
ภาพ 2.48 การทับซ้อนของโครงข่ายแบบ Y และ  สาหรับการแปลงรูปโครงข่ายทั้งสองลักษณะ
2.7.2 การแปลงรูปโครงข่ายแบบวายไปเป็นแบบเดลตา
จากสมการสาหรับแปลงรูปโครงข่ายแบบเดลตาไปเป็นโครงข่ายสมมูลแบบวาย ตามสมการ (2.50) ถึง
(2.52) จะได้
Ra Rb Rc ( Ra  Rb  Rc )
R1R2  R2 R3  R3 R1  (2.53)
( Ra  Rb  Rc ) 2
R a Rb R c

R a  Rb  R c
หารสมการ (2.53) ด้วยสมการ (2.50) – (2.52) จะได้
R1R2  R2 R3  R3 R1
Ra  (2.54)
R1
R1R2  R2 R3  R3 R1
Rb  (2.55)
R2
66
R1R2  R2 R3  R3 R1
Rc  (2.56)
R3
สมการ (2.54) – (2.56) ใช้ ส าหรั บ การแปลงรู ป โครงข่ า ยจากแบบ Y ไปเป็ น โครงข่ า ยแบบ 
โครงข่ายแบบ Y และโครงข่ายแบบ  จะเรียกว่าเป็น โครงข่ายสมดุล (balance) ก็ต่อเมื่อ
R1  R2  R3  RY , Ra  Rb  Rc  R (2.57)
จากสมการ (2.57) ฉะนั้นสมการการแปลงวาย-เดลตา จะได้
R
RY  , R  3RY (2.58)
3
ตัวอย่าง 2.15 แปลงโครงข่ายแบบเดลตาไปเป็นโครงข่ายแบบวาย จากโครงข่ายดังภาพ 2.49
วิธีทา จากภาพ 2.49 ใช้สมการ (2.50) – (2.52) จะได้
Rb Rc 10  15 150
R1     5
Ra  Rb  Rc 5  10  15 30
Rc Ra 15  5
R2    2.5 
Ra  Rb  Rc 30
Ra Rb 5  10
R3    1.67 
Ra  Rb  Rc 30
จาก R1, R2 และ R3 จะได้โครงข่ายสมมูลแบบวาย ดังภาพ 2.50

a b
R c 15 
10  5
Rb Ra

67
a b
5 2.5 
R1 R2
R3 1.67 
ภาพ 2.50 โครงข่ายสมมูลแบบวาย ของภาพ 2.49
ตัวอย่าง 2.16 จากภาพ 2.51 หาค่าความต้านทานสมมูล Req และกระแสไฟฟ้า i

i a 5 k a
3 k 10 k
5 k
12 V c n 20 k
3 k 15 k
b b

วิธีทา จากภาพ 2.51 ประกอบด้วย โครงข่ายแบบวาย 2 โครงข่ายและแบบเดลตา 1 โครงข่าย การแปลง
โครงข่ายจะทาเพื่อให้เป็นโครงข่ายอย่างง่าย จึงเลือกโครงข่ายแบบวายที่ประกอบด้วยตัวต้านทาน 5 k,
10 k และ 15 k โดกาหนดให้ R1 = 10 k, R2 = 15 k และ R3 = 5 k ดังนั้น
จากสมการ (2.54) – (2.56)
R1R2  R2 R3  R3 R1 (10k  15k)  (15k  5k)  (5k  10k)
Ra  
R1 10k
275,000k
Ra   27.5 k
10k
R1R2  R2 R3  R3 R1 275,000k
Rb    18.33 k
R2 15k
68
R1R2  R2 R3  R3 R1 275,000k
Rc    55 k
R3 5k
จาก Ra, Rb, Rc จะได้โครงข่ายสมมูล ดังภาพ 2.52
a
a
5 k
1 8.33 k
3 k
c 55 k 20 k
3 k
2 7.5 k  b
b
ภาพ 2.52 โครงข่ายสมมูลของภาพ 2.51
55k  20k
จากภาพ 2.51 จะได้ 55k // 20k   14.66 k
55k  20k
3k  18.33k
3k // 18.33k   2.57 k
3k  18.33k
3k  27.5k
3k // 27.5k   2.71 k
3k  27.5k
ซึ่งจะได้วงจรสมมูล ดังภาพ 2.53
a
5 k
2 .57 k
1 4.66 k
2 .71 k 
b
ภาพ 2.53 โครงข่ายสมมูลของภาพ 2.52
ฉะนั้น Req  5k  [ (2.57k  2.71k ) // 14.66k  8.88 k
vs 12
i    1.35 mA
R eq 8.88k
69
2.8 การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า โดยใช้ PSpice Student Version

PSpice เป็นโปรแกรมคอมพิวเตอร์สาเร็จ ภาพใช้สาหรับจาลองเหตุการณ์ในวงจรไฟฟ้าที่นิยมใช้กัน
อย่างกว้างขวาง PSpice มีทรัพยากรที่สามารถวิเคราะห์วงจรได้ครอบคลุมเนื้อหาในหนังสือเล่มนี้ ซึ่งในหัวข้อ
นี้จะเป็นการอธิบายการใช้ PSpice กับกฎพื้นฐานเป็นอันดับแรก ส่วนการวิเคราะห์ในหัวข้อต่าง ๆ จะนาเสนอ
ในบทถัดไป พื้นฐานการใช้งานโปรแกรม PSpice ที่เกี่ยวข้องกับบทนี้ศึกษาได้จากภาคผนวก ง หัวข้อ ง.2 และ
ง.3
ตัวอย่าง 2.17 จากวงจรดังภาพ 2.21 (ภาพสาหรับตัวอย่าง 2.6) หาแรงดันไฟฟ้า V1 และ V2 โดยใช้ PSpice
1 2 2
 V1  _
12 V V2 4 

ภาพ 2.21 สาหรับตัวอย่าง 2.6 และ 2.17

วิธีทา การจาลองเหตุการณ์ในวงจรตามภาพ 2.21 ทาได้โดยวิเคราะห์กระแสตรง โดยมีรายการอุปกรณ์ ดังนี้
แหล่ งจ่ ายแรงดัน ไฟฟ้ากระแสตรง VDC กาหนดค่าที่ 12 V และตัวต้านทาน R กาหนด 2  และ 4 
ตามลาดับ
คลิก Analysis/Simulate เพื่อจาลองเหตุการณ์ในวงจร ผลลัพธ์ที่ได้ แสดงดังนี้
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 12.0000 ( 2) 8.0000
ในการจาลองเหตุการณ์ในวงจรไฟฟ้าโดยใช้ PSpice จะต้องไม่ลืมว่าการใช้ VIEWPOINT จะเป็นการ
แสดงค่าแรงดันไฟฟ้าที่โนดเทียบกับกราวนด์ จากตัวอย่าง 2.6 จะได้ V1 = 4 V และ V2 = - 8 V ซึ่งเป็นไปตาม
กฎข้อที่ 2 ของเคอร์ชอฟฟ์ หรือกฎแรงดันไฟฟ้าของเคอร์ชอฟฟ์ (KVL) แต่จากภาพ 2.11 ถ้ากาหนดตาแหน่ง
การวางของ VIEWPOINT ที่โนด 1 และ 2 ตามลาดับ ผลลัพธ์จากการจาลองเหตุการณ์ที่ได้จะเป็น V1 = 12
V และ V2 = 8 V ซึ่งไม่เป็นไปตามผลลัพธ์จากตัวอย่าง 2.6 ทั้งนี้เนื่องจาก V1 จากภาพ 2.21 จะเป็นความต่าง
ศักย์ระหว่างโนด 1 และโนด 2 ซึ่งได้จากค่า VIEWPOINT ของโนด 1 ลบด้วยค่า VIEWPOINT ของโนด 2 และ
สาหรับ V2 ค่า VIEWPOINT ของโนด 2 จะแสดงค่า 8 V ทั้งนี้ให้สังเกตขั้วของแรงดันที่ตัวต้านทาน R 4  ซึ่ง
จะพบว่าขั้วบวกอยู่ที่ขาด้านล่าง และขั้วลบอยู่ที่ขาด้านบนของตัวต้านทาน ฉะนั้น ค่า VIEWPOINT ของโนด 2
ที่อ่านได้จะต้องติดลบ (ใส่เครื่องหมาย -) ด้วย
Schematics และผลการจาลองเหตุการณ์ในวงจรตามภาพ 2.21 แสดงดังภาพ 2.54
70
ภาพ 2.54 Schematics และผลการจาลองเหตุการณ์ในวงจรตามภาพ 2.21
ตัวอย่าง 2.18 พล๊อตกราฟกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านตัวต้านทาน R 2  ถ้าแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง

จ่ายแรงดันตั้งแต่ 0 -10 V โดยใช้ PSpice
วิธีทา ทาได้โดยวิเคราะห์กระแสตรง โดยมีรายการอุปกรณ์ ดังนี้ แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง VDC

กาหนดชื่อเป็น V1 ขนาด 10 V และตัวต้านทาน R กาหนด 2  Schematics ของตัวอย่าง 2.18 และการ
ก าหนด DC Sweep แสดงดั ง ภ าพ 2.55 กราฟ คุ ณ ลั ก ษณ ะของกระแสไฟ ฟ้ า และแรงดั น ไฟฟ้ า
แสดงดังภาพ 2.56

71
ภาพ 2.56 กราฟคุณลักษณะของกระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า ของตัวอย่าง 2.18
จากภาพ 2.56 จะพบว่า ความชันของกราฟ คือ ค่าความต้านทาน R ขนาด 2  นั่นเอง ซึ่งเป็นไป

ตามกฎของโอห์ม และมีค่าเช่นเดียวกับภาพ 2.9
ตัวอย่าง 2.19 จากวงจรตามภาพ 2.51 (ภาพสาหรับตัวอย่าง 2.16) หาค่าความต้านทานสมมูล Req และ

กระแสไฟฟ้า i โดยใช้ PSpice
วิธีทา Schematics และผลการจาลองเหตุการณ์ของตัวอย่าง 2.19 แสดงดังภาพ 2.57
จากภาพ 2.57 กระแสไฟฟ้ า ที่ ไ หลออกจากแหล่ ง จ่ า ยแรงดั น มี ข นาด 1.351 mA ส าหรั บ
ค่าความต้านทานสมมูลของวงจรนั้น PSpice ไม่สามารถหาได้ แต่จะสามารถใช้กฎของโอห์มหาได้ ดังนี้
IPROBE
ภาพ 2.57 Schematics และผลการจาลองเหตุการณ์ของตัวอย่าง 2.19
vs 12 V
R eq    8.88 k
i 1.351mA
72
2.9 การประยุกต์ใช้กฎพื้นฐาน
ตัวต้านทานมักถูกนามาใช้แทนแบบจาลองอุปกรณ์การแปลงผันพลังงานทางไฟฟ้าไปเป็นพลังงาน
ความร้อน หรือพลังงานรูปแบบอื่น ๆ เช่น หลอดไฟฟ้าแสงสว่าง สายตัวนาไฟฟ้า อุปกรณ์ทาความร้อนต่าง ๆ
เป็นต้น ซึ่งเนื้อหาในส่วนนี้จะอธิบายถึงการประยุกต์ใช้ที่พบเห็นได้ในชีวิตประจาวัน คื อ การออกแบบระบบ
ส่องสว่าง และการออกแบบมาตรวัดไฟฟ้ากระแสตรง รวมถึงการออกแบบระบบวัดไฟฟ้าแรงดันสูงกระแสตรง
สาหรับห้องปฏิบัติการวิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง ตามลาดับ
การประยุกต์ใช้กฎของเคอร์ช อฟฟ์ที่พบเห็ นได้ในชีวิตประจาวัน และมีแนวโน้มการใช้งานมากขึ้น
ตามลาดับ คือ ระบบผลิตกระแสไฟฟ้าด้วยเซลล์แสงอาทิตย์
2.9.1 ระบบส่องสว่าง
ระบบส่องสว่าง เช่น หลอดไฟส่องสว่างภายในบ้าน หลอดไฟประดับศาลพระภูมิ มักประกอบไปด้วย
หลอดไฟฟ้า จานวน N หลอด ที่ต่อกันทั้งแบบขนานสาหรับหลอดส่องสว่างในบ้าน และต่อแบบอนุกรมสาหรับ
หลอดไฟประดับศาลพระภูมิ แสดงการต่ อดังภาพ 2.58 หลอดไฟแต่ละหลอดสามารถแทนได้ด้วยตัวต้านทาน
หนึ่งตัว สมมติให้หลอดไฟทุกหลอดมีคุณสมบัติเหมือนกันทุกประการ และกาหนดให้ Vo คือ สายส่งกาลังไฟฟ้า
แรงดันไฟฟ้าที่ตกคร่อมหลอดไฟแต่ละหลอดจะเท่ากับ Vo ในกรณีที่หลอดไฟต่อแบบขนาน ดัง ภาพ 2.58 (ก)
และเท่ากับ Vo/N ในกรณีที่ต่อแบบอนุกรม ดังภาพ 2.58 (ข)
การต่อหลอดไฟแบบอนุกรมจะประหยัดสายตัวนาไฟฟ้ามากกว่าการต่อแบบขนานในกรณีที่ระยะ
การติดตั้งหลอดไฟเท่ากัน แต่ทางปฏิบัติไม่นิยมทาการต่ออนุกรมเนื่องจากในกรณีที่หลอดใดหลอดหนึ่งขาด จะ
ส่งผลให้หลอดไฟดับทั้งระบบ ซึ่งยุ่งยากต่อการตรวจสอบว่าหลอดใดขาดและใช้เวลาในการบารุงรักษานานกว่า
แบบขนาน
1
2
1 2 3 N Vo
Vo ...
N 3
...
ภาพ 2.58 (ก) การต่อหลอดไฟแบบขนาน (ข) การต่อหลอดไฟแบบอนุกรม
2.9.2 การออกแบบมาตรวัดไฟฟ้ากระแสตรง หรือมิเตอร์วัดไฟฟ้ากระแสตรง

โดยทั่วไปตัวต้านทานถูกใช้เพื่อควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าในวงจร การใช้ประโยชน์ตัวต้านทาน
ในรูปแบบอื่น เช่น โพเทนชิโอมิเตอร์ คาว่า โพเทนชิโอมิเตอร์ (potentiometer) มีที่มาจากคาว่า ศักย์ไฟฟ้า
73
(potential) และ มิ เตอร์ (meter) หมายถึ ง ศั ก ย์ ไฟฟ้ าที่ ส ามารถวั ด ค่ าได้ โพเทนชิ โอมิ เตอร์ หรื อ พ็ อ ต
เป็ นอุปกรณ์ ไฟฟ้าแบบสามขั้ว (three-terminal device) มีห ลักการทางานตามหลักการแบ่งแรงดันไฟฟ้า
เป็นอุปกรณ์ที่ใช้ปรับค่าแรงดันไฟฟ้าในวงจร หรือตัวควบคุมค่าแรงดันไฟฟ้า ใช้สาหรับการปรับระดับเสียง
ในเครื่องรับวิทยุ เครื่องรับโทรทัศน์ เป็นต้น การแบ่งแรงดันไฟฟ้าโดยใช้โพเทนชิโอมิเตอร์ แสดงดังภาพ 2.59
a
Max
b
Vin 
Vout
Min

c
ภาพ 2.59 การใช้โพเทนชิโอมิเตอร์ควบคุมระดับแรงดันไฟฟ้า Vout
Rbc
จากภาพ 2.59 Vout  Vbc  Vin (2.59)
Vab  Vbc
เมื่อ Rac = Rab + Rbc ดังนั้น Vout จะเพิ่มขึ้น หรือลดลงจะเป็นไปตามการเลื่อนหน้าสัมผัสของตัวพ็อต
ที่เคลื่อนที่เข้าหา a หรือ c ตามลาดับ
การประยุกต์ใช้อีกอย่างหนึ่งที่มีการใช้อย่างกว้างขวาง คือ การควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าใน
แอมมิเตอร์ (ammeter) โวลต์มิเตอร์ (voltmeter) และมิเตอร์สาหรับวัดค่าความต้านทานหรือโอห์มมิเตอร์
(ohmmeter) แบบแอนะล็อกในวงจรไฟฟ้า กระแสตรง ซึ่งใช้สาหรับวัดค่ากระแสไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า และ
ความต้ า นทาน ตามล าดั บ โดยมิ เตอร์ ดั ง กล่ า วประยุ ก ต์ จ ากมิ เตอร์ แ บบเข็ ม เคลื่ อ นที่ ข องดาร์ สั น วาล์
(D'Arsonval Movement Meter) ดังภาพ 2.60
N S
ภาพ 2.60 มิเตอร์แบบเข็มเคลื่อนที่ของดาร์สันวาล์
ชุดเข็มเคลื่อนที่ป ระกอบไปด้วยส่ วนประกอบที่สาคัญ ดังนี้ ขดลวดที่มีแกนเหล็ กแบบเคลื่อนที่ได้

(คอลย์หมุน) วางอยู่บนจุดหมุนระหว่างขั้วของแม่เหล็กถาวร เมื่อมีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านคอล์ยหมุนจะเกิดการ
74
สร้างแรงบิด (torque) ขึ้น ส่งผลให้เข็มชี้เคลื่อนที่ไปตามสเกล ปริมาณของกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านคอลย์หมุน

คานวณได้จากการเคลื่อนที่ (เบี่ยงเบน) ของเข็มบนสเกล เช่น ถ้ามิเตอร์มีพิกัดการวัด 1 mA ที่ Rm 50 
จะหมายถึง เข็มชี้ของมิเตอร์นี้ จะเบนไปจนสุดสเกล เมื่อได้รับกระแส 1 mA จากหลักการมิเตอร์แบบเข็ม
เคลื่ อ นที่ ข องดาร์ สั น วาล์ ถ้ าท าการเพิ่ ม อุ ป กรณ์ เข้ าไปในวงจร จะสามารถสร้า งแอมมิ เตอร์ โวลต์ มิ เตอร์
และโอห์มมิเตอร์ได้ ดังนี้
Ammeter I
A

Voltmeter V V Element

ภาพ 2.61 การต่อโวลต์มิเตอร์และแอมมิเตอร์เข้ากับอุปกรณ์
พิ จ ารณ าภาพ 2.61 ซึ่ ง แสดงการต่ อ แอมมิ เ ตอร์ แ ละโวลต์ มิ เ ตอร์ เ ข้ า กั บ อุ ป กรณ์ ตั ว หนึ่ ง
โดยโวลต์มิเตอร์จะวัดแรงดัน ไฟฟ้ าตกคร่อมอุป กรณ์ ซึ่งต่อขนานกับอุปกรณ์ นั้น ดังแสดงในภาพ 2.62 (ก)
โวลต์มิเตอร์สร้างขึ้นจากมิเตอร์แบบเข็มเคลื่อนที่ของดาร์สันวาล์ ต่ออนุกรมกับตัวต้านทานที่ค่าความต้านทาน
Rm ซึ่งมีค่าสูงมาก (ในทางทฤษฎีมีค่าเป็นอนันต์) เพื่อจากัดกระแสที่ดึงออกมาจากวงจรให้น้อยที่สุด ในการ
ขยายย่านการวัดแรงดันไฟฟ้าของโวลต์มิเตอร์จะทาได้โดยต่ออนุกรมค่าความต้านทานที่เป็นตัวคูณหลาย ๆ ค่า
เข้ า ไปในโวลต์ มิ เตอร์ ดั ง ภาพ 2.62 (ข) โวลต์ มิ เตอร์ แ บบหลายย่ านการวัด จากภาพ 2.62 (ข) สามารถ
วัดแรงดันไฟฟ้าได้จาก 0 ถึง 1 V, 0 ถึง 10 V หรือ 0 ถึง 100 V ซึ่งจะเป็นไปตามการต่อสวิตซ์ สาหรับเลือก
ย่านการวัด R1 , R2 หรือ R3 ตามลาดับ
ตัวอย่างการคานวณหาขนาดตัวต้านทานที่เป็นตัวคูณ Rn สาหรับโวลต์มิเตอร์แบบย่านเดียว ดัง ภาพ
2.62 (ก) หรือ Rn = R1 , R2 หรือ R3 สาหรับโวลต์มิเตอร์แบบหลายย่านการวัด ดัง ภาพ 2.62 (ข) การคานวณ
ค่า Rn สาหรับต่ออนุกรมกับค่าความต้านทานภายใน Rm ของโวลต์มิเตอร์ ในการออกแบบจะพิจารณาเงื่อนไข
ที่แย่ที่สุดที่มีโอกาสเกิดได้ คือ เมื่อกระแสเต็มสเกล Ifs = Im ไหลผ่านมิเตอร์ ซึ่งจะส่งผลให้อ่านค่าแรงดันไฟฟ้า
สู ง สุ ด ได้ หรื อ เรี ย กว่ า ค่ า แรงดั น ไฟฟ้ า เต็ ม สเกล Vfs เนื่ อ งจากตั ว ต้ า นทานตั ว คู ณ Rn ต่ อ อนุ ก รมกั บ
ค่าความต้านทานภายในมิเตอร์ Rm ดังนั้น
V fs  I fs ( Rn  Rm ) (2.60)
V fs
จากสมการ (2.60) จะได้ Rn   Rm (2.61)
I fs
75
Meter
Rm

Im Rm
Probe V

(ก)
R1
1V Meter
R2 10 V Swtich
 Im Rm
R3
Probe V 100V

(ข)
ภาพ 2.62 โวลต์มิเตอร์ (ก) แบบย่านการวัดเดียว (ข) แบบหลายย่านการวัด
เช่นเดียวกับแอมมิเตอร์จะวัดกระแสไฟฟ้าไหลผ่านอุปกรณ์ซึ่งต่ออนุกรมกับอุปกรณ์นั้น ดังแสดงใน
ภาพ 2.63 (ก) แอมมิเตอร์ส ร้างขึ้นจากมิเตอร์แบบเข็มเคลื่อนที่ของดาร์สั นวาล์ ต่อขนานกับตัวต้านทานที่
ค่าความต้านทาน Rm ซึ่งมีค่าต่ามาก (ในทางทฤษฎีมีค่าเป็น ศูนย์) เพื่อจากัดแรงดันตกคร่อมจากวงจรให้น้อย
ที่สุด ในการขยายย่านการวัด กระแสไฟฟ้าของแอมมิเตอร์จะทาได้โดยต่อขนานค่าความต้านทานที่เป็นตัวคูณ
หลาย ๆ ค่า เข้าไปในแอมมิเตอร์ ดังภาพ 2.63 (ข) แอมมิเตอร์แบบหลายย่านการวัดจากภาพ 2.63 (ข)
สามารถวัดกระแสไฟฟ้าได้จาก 0 ถึง 10 mA, 0 ถึง 100 mA หรือ 0 ถึง 1 A ซึ่งจะเป็นไปตามการต่อสวิตซ์
สาหรับเลือกย่านการวัด R1 , R2 หรือ R3 ตามลาดับ
ตัวอย่างการคานวณหาขนาดตัวต้านทานตัวคูณ Rn สาหรับแอมมิเตอร์แบบย่านเดียว ดัง ภาพ 2.63
(ก) หรือ Rn = R1 , R2 หรือ R3 สาหรับแอมมิเตอร์แบบหลายย่านการวัด ดัง ภาพ 2.63 (ข) จากภาพ 2.63 (ข)
Rn ต่อขนานกับ ค่าความต้านทานภายใน Rm ของแอมมิเตอร์ ฉะนั้น กระแสเต็มสเกลจะมีค่า Ifs = Im + In
เมื่อ In คือ กระแสที่ไหลผ่านตัวต้านทานขนาน Rn จากหลักการแบ่งกระแสไฟฟ้า ดังนั้น
Rn
Im  I fs (2.62)
Rn  Rm
Im
จากสมการ (2.62) จะได้ Rn  Rm (2.63)
I fs  I m
76
R1
1A
R2
10 mA Swtich
In Rn R3
100 mA
Meter Meter
Im Im
Rm Rm
I I
Probe Probe
(ก) (ข)
ภาพ 2.63 แอมมิเตอร์ (ก) แบบย่านการวัดเดียว (ข) แบบหลายย่านการวัด
ค่าความต้านทานของตัวต้านทานเชิงเส้น Rx สามารถวัดได้ 2 วิธี ดังนี้
วิธีที่ 1 การวัดโดยทางอ้อม เป็นการวัดค่ากระแสไฟฟ้า I ที่ไหลผ่าน ซึ่งต่อแอมมิเตอร์อนุกรมกับตัว
ต้านทานนั้น และวัดแรงดันตกคร่อม V ซึ่งต่อโวลต์มิเตอร์ขนานกับตัวต้านทานนั้น ดังภาพ 2.65 (ก) ดังนั้น
V
Rx  (2.64)
I
R
A Ohmmeter
E Im
 Rm
R
Rx V V E Rx

(ก) (ข)
ภาพ 2.64 การวัดค่าความต้านทาน Rx (ก) วัดโดยทางอ้อม (ข) วัดโดยตรง
วิธีที่ 2 เป็นการวัดโดยตรง คือ การใช้โอห์มมิเตอร์ ซึ่งประกอบไปด้วยมิเตอร์แบบเข็มเคลื่อนที่ของ
ดาร์ สั น วาล์ ตัว ต้านทานแบบปรับ ค่าได้ หรือ โพเทนชิโอมิเตอร์ และแบตเตอรี่ ดังแสดงในภาพ 2.65 (ข)
ใช้ KVL กับวงจรดังภาพ 2.65 (ข) จะได้
77
E  (R  Rm  R x ) I m
E
หรือ Rx   (R  Rm ) (2.65)
Im
ตัวต้านทาน R จะเลือกให้มีค่าซึ่งทาให้มิเตอร์เบนเข็มไปเต็มสเกล นั่นคือ Im = Ifs เมื่อ Rx = 0 ซึ่งจะได้
E  ( R  Rm ) I m (2.66)
แทนสมการ (2.66) ลงในสมการ (2.65) จะได้
I 
R x   fs  1 ( R  R m ) (2.67)
 Im 
2.9.3 การออกแบบระบบวัดไฟฟ้าแรงดันสูงกระแสตรงสาหรับห้องปฏิบัติการ
การออกแบบระบบวั ด ไฟฟ้ าแรงดั น สู งกระแสตรงส าหรับ ห้ อ งปฏิ บั ติ ก ารวิศ วกรรมไฟฟ้ าแรงสู ง
โดยมากใช้โวลเตจดิไวเดอร์แบบความต้านทาน โดยมีหลักการตามหลักการแบ่งแรงดัน กล่าวคือ ระบบวัดจะ
ประกอบไปด้วยตัวต้านทาน 2 ตัว คือ ตัวต้านทานภาคแรงสูง RHV และตัวต้านทานภาคแรงต่า RLV ซึ่ง RHV
จะมีค่าความต้านทานสูงเพื่อให้แรงดันสูงที่ต้องการจะวัดตกคร่อมตัวมันเป็นจานวนมาก และเป็นการจากัด
กระแสที่จะเข้าสู่เครื่องมือวัด เช่น ออสซิลโลสโคป (oscilloscope) หรือโวลต์มิเตอร์ เป็นต้น และ RLV จะมี
ค่ า ความต้ า นทานต่ า โดยมากจะออกแบบ RLV ที่ ท าให้ แ รงดั น ตกคร่ อ มตั ว มั น ไม่ เกิ น พิ กั ด แรงดั น ของ
เครื่องมือวัด และมีอัตราส่วนแรงดันระหว่างภาคแรงสูงและแรงต่าเป็นตัวเลขที่แปรค่ากลับไปหาค่าแรงดันสูง
ได้ ส ะดวก เช่ น 1,000 : 1 ตั ว อย่ างการออกแบบโวลเตจดิ ไวเดอร์แ รงดั น สู งแบบความต้ า นทานส าหรั บ
วัดแรงดันสูงกระแสตรง (ธนากร น้าหอมจันทร์, 2554) มีดังนี้
โวลเตจดิไวเดอร์แบบตัวต้านทาน สาหรับวัดไฟฟ้าแรงดันสูงกระแสตรง พิกัด 28 kVdc
พิกัดแรงดัน (Rated Voltage) : 28 kV
แรงดันทดสอบสูงสุด (110% of Rated Voltage) : 30.8 kV
แรงดันที่ใช้ในการออกแบบ (125% of Rated Voltage) : 35 kV
กระแสที่ไหลผ่านโวลเตจดิไวเดอร์ :  0.5 mA
พิกัดแรงดันตัวต้านทานย่อย : 1,000 V
อัตราส่วนแรงดัน : 1,000 : 1
78
จากข้อกาหนดข้างต้น สามารถหาจานวนตัวต้านทานย่อย จะได้จาก

Design Voltage 35  10 3
n  = = 35 ตัว
Resistor Rated Voltage 1,000
ค่าความต้านทานของตัวต้านทานภาคแรงสูง จะหาได้จาก
Design Voltage
IR 
R HV
Design Voltage 35  10 3 6
ดังนั้น R HV   3
 70  10  70M
IR 0.5  10
ขนาดของตัวต้านทานย่อย จะได้
R HV 70  10 6
Rn    2  10 6  2M
n 35
เลือกใช้ ตัวต้านทานย่อย พิกัด 2 M, 1,000 V, 1 W, 1% (Metal film) จานวน 35 ตัว ต่ออนุกรมกัน
จะได้ RHV  Rn  n  (2  106 )  35  70  106  70M
Rated Voltage (28  10 3 )

และ IR   6
 0.4  10 3  0.4mA
R HV (70  10 )
ค่าความต้านทานของตัวต้านทานภาคแรงต่า หาได้จาก
 U LV 
U  R HV 
 HV  0.001 (70  10 6 )
R LV    70.07k
 U LV  1  0.001
1  U 
 HV 
เลือกใช้ ตัวต้านทาน พิกัด 70 k, 1/4 W, 1% (Metal film) จานวน 1 ตัว

ซึ่งจะได้ อัตราส่วนแรงดัน ดังนี้
U HV R R (70  10 6 )  (70  10 3 )
 HV LV   1,000 : 1
U LV R LV 70  10 3
79
2.9.4 การออกแบบระบบผลิตพลังงานไฟฟ้าด้วยเซลล์แสงอาทิตย์เบื้องต้น
ระบบผลิ ต พลั งงานไฟฟ้ า ด้ ว ยเซลล์ แ สงอาทิ ต ย์ (photovoltaic system หรื อ solar PV power
system หรือ PV system) เป็นระบบผลิตพลังงานไฟฟ้าจากพลังงานหมุนเวียน ซึ่งใช้แผงเซลล์แสงอาทิตย์
(PV module หรือ PV panel) แปลงรูปพลังงานจากแสงอาทิตย์เป็นไฟฟ้า พลังงานไฟฟ้าที่สร้างขึ้นสามารถ
นาไปใช้ได้โดยตรงหรือสะสมพลังงานโดยใช้แบตเตอรี่ก็ได้ ระบบ PV เป็นพลังงานสะอาด มีความน่าเชื่อถือสูง
ถูกใช้กันอย่างกว้างขวางทั้งในบ้านพักอาศัย และภาคอุตสาหกรรม เป็นต้น
Charge Controller Inverter Load
PV module/ Battery
PV array
(ก)
+
PV module/
PV panel
PV1n
PV11 PV12
PV cell +
VPV module
_
PV21 PV22 PV2n VPV array
PV symbol
_
PVm1 PVm2 PVmn
string
(ข)
ภาพ 2.65 (ก) ส่วนประกอบของระบบ PV เบื้องต้น (ข) ตัวอย่างลักษณะการต่อ PV array
80
ส่วนประกอบของระบบ PV ขึ้นอยู่กับ ประเภทของระบบ ตาแหน่งที่ติดตั้ง และการใช้งาน ระบบ PV

ประกอบด้วยส่วนประกอบหลัก ๆ คือ แผงเซลล์แสงอาทิตย์ (PV module) ซึ่งจานวนแผงและลักษณะการต่อ
แผง (PV array) ตัวอย่างดังภาพ 2.65 (ก) จะสัมพันธ์กับปริมาณการใช้พลังงานไฟฟ้าของโหลด เครื่องควบคุม
การประจุ เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้า แบตเตอรี่ โหลด และแหล่งพลังงานเสริม ตัวอย่างลักษณะการต่อ PV
array เพื่อเพิ่มกาลังไฟฟ้า แสดงดังภาพ 2.65 (ข) แต่ละส่วนประกอบมีหน้าที่ (How to Design Solar PV
System: n.d) ดังนี้
1. แผงเซลล์แสงอาทิตย์ (PV module) มีหน้าที่ แปลงรูปพลังงานจากแสงอาทิตย์ไปเป็นพลังงาน
ไฟฟ้ากระแสตรง
2. เครื่องควบคุมการประจุ (Solar charge controller) มีหน้าที่ ประจุพลังงานไฟฟ้าที่ผลิตได้จาก
แผงเซลล์แสงอาทิตย์เข้าสู่แบตเตอรี่ ในระดับแรงดันและกระแสไฟฟ้าที่เหมาะสมเพื่อยืดอายุการใช้งานของ
แบตเตอรี่
3. แบตเตอรรี่ (Battery) ทาหน้าที่ เก็บสะสมพลังงานไฟฟ้าจากเซลล์แสงอาทิตย์ไว้
4. เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้า (Inverter) มีหน้าที่ แปลงรูปพลังงานไฟฟ้ากระแสตรงที่ได้จากแผงเซลล์
แสงอาทิตย์ หรือจากแบตเตอรี่ไปเป็นพลังงานไฟฟ้ากระแสสลับ สาหรับจ่ายให้กับโหลด หรือป้อนเข้าสู่กริด
(grid)
5. โหลด (Load) คือ อุปกรณ์ไฟฟ้าที่ต่อเข้ากับระบบ PV เช่น หลอดไฟฟ้าแสงสว่าง โทรทัศน์ พัดลม
ตู้เย็น เป็นต้น
6. แหล่งพลังงานเสริม (Auxiliary energy sources) เช่น เครื่องกาเนิดไฟฟ้า หรือแหล่งจ่ายพลังงาน
หมุนเวียนชนิดอื่น ๆ
การหาขนาดของอุปกรณ์ต่าง ๆ ในระบบ PV มีดังนี้
1. คานวณความต้องการการใช้พลังงานไฟฟ้า
การออกแบบระบบ PV ขั้นตอนแรก คือ การหาค่ากาลังไฟฟ้ารวม และการใช้พลังงานไฟฟ้าสาหรับ
โหลดที่ต้องการให้ระบบ PV จ่ายพลังงาน มีขั้นตอน ดังนี้
1.1 พิจารณาค่าพลังงานไฟฟ้าของอุปกรณ์ไฟฟ้า
ทาได้โดยรวมค่ากาลังไฟฟ้าของอุปกรณ์ไฟฟ้าแต่ละชนิดและระยะเวลาการใช้งานใน 1 วัน
ที่ต้องการจะให้ระบบ PV จ่ายพลังงาน ในหน่วย Wh/day
1.2 คานวณค่าพลังงานไฟฟ้าที่ต้องการจากระบบ PV
ทาได้โดยนาค่าที่ได้จากหัวข้อ 1.1 คูณด้วยค่าคงที่ 1.3 (ค่าความสูญเสียในระบบ) ซึ่งจะได้ค่า
พลังงานไฟฟ้าที่ผลิตโดยแผงเซลล์แสงอาทิตย์ (PV modules)
81
2. ขนาดของ PV modules
กาลังไฟฟ้าที่ PV module ผลิตได้สัมพันธ์กับขนาดของ PV module การหาขนาดของ PV module
หาได้จากค่าผลรวมกาลังไฟฟ้าสูงสุด (peak watt: Wp) ที่ต้องการจะผลิต และค่าตัวประกอบการผลิตของแผง
(panel generation factor) ซึ่ งจะมี ค่าแตกต่ างกั น ขึ้ น อยู่ กับ ภู มิ ป ระเทศ ส าหรับ ประเทศไทย ค่ า panel
generation factor คือ 3.43 ขั้นตอนการคานวณหาขนาดของ PV modules มีดังนี้
2.1 คานวณหาค่าพิกัดผลรวมกาลังไฟฟ้าสูงสุดที่ต้องการสาหรับ PV modules
หาได้โดยหารค่าพลังงานไฟฟ้าที่ต้องการจากระบบ PV (จากหัวข้อที่ 1.2) ด้วยค่าคงที่ 3.43
ซึ่งจะได้ ค่าพิกัดผลรวมกาลังไฟฟ้าสูงสุดที่ต้องการสาหรับ PV modules เพื่อจ่ายสู่โหลด
2.2 คานวณหาจานวนแผงของ PV modules ของระบบ
หาได้จากการนาค่าพิกัดผลรวมกาลังไฟฟ้าสูงสุดที่ต้องการสาหรับ PV modules (จากหัวข้อ
ที่ 2.1) หารด้วยพิกัดกาลังไฟฟ้า (Wp) ของแผง PV modules ที่มีจาหน่ายในท้องตลาด ในกรณีที่ได้ผลลัพธ์
เป็นจุดทศนิยมให้เพิ่มค่าขึ้นเป็นจานวนเต็ม
การเพิ่มจานวนแผงขึ้นจะช่วยให้สมรรถนะของระบบจะสูงขึ้น อายุการใช้งานของแบตเตอรี่
นานขึน้ ในทางตรงกันข้ามถ้าลดจานวนแผงลงสมรรถนะของระบบจะต่าลง อายุการใช้งานของแบตเตอรี่จะสั้น
ลง และระบบจะไม่ทางานในกรณีที่มีการบังเงาของก้อนเมฆที่เคลื่อนตัวผ่านระบบ ซึ่งส่งผลให้อายุการใช้งาน
ของแบตเตอรี่สั้นลงอีก
3. ขนาดของอินเวอร์เตอร์
อินเวอร์เตอร์จะใช้เมื่อระบบต้องการกาลังไฟฟ้ากระแสสลับ ไปจ่ายให้แก่โหลดกระแสสลับ พิกัดกาลัง
อิน พุ ต ของอิน เวอร์ เตอร์ จ ะต้ องสู งกว่าผลรวมก าลั งไฟฟ้ าของเครื่อ งใช้ ไฟฟ้ า (โหลด) อิน เวอร์เตอร์รับ ค่ า
แรงดันไฟฟ้าอินพุตค่าเดียวกับค่าแรงดันของแบตเตอรี่
อินเวอร์เตอร์สาหรับระบบ PV แบบอิสระ (stand-alone systems) จะต้องจ่ายกาลังฟ้าได้มากกว่า
กาลังไฟฟ้าที่เครื่องใช้ไฟฟ้าต้องการ พิกัดกาลังของอินเวอร์เตอร์จะสูงกว่าผลรวมค่ากาลังไฟฟ้าที่เครื่องใช้ไฟฟ้า
25 – 30 % ในกรณี ที่ เครื่ อ งใช้ ไฟฟ้ า หรื อ โหลดเป็ น มอเตอร์ ห รื อ คอมเพรสเซอร์ พิ กั ด ก าลั ง ขั้ น ต่ าของ
อินเวอร์เตอร์จะต้องไม่ต่ากว่า 3 เท่าที่โหลดต้องการเนื่องจากกระแสเสิร์จขณะมอเตอร์เริ่มหมุน
4. ขนาดของแบตเตอรี่
แบตเตอรี่ ที่ แ นะน าส าหรั บ ระบบ PV คื อ แบบดี พ ไซเคิ ล (deep cycle battery) แบตเตอรี่ แบบ
ดีพไซเคิล มีคุณสมบัติพิเศษ คือ มีประสิทธิภาพในการประจุไฟฟ้า และสามารถคายประจุที่ระดับพลังงานต่าได้
อย่ างต่อ เนื่ อ ง ขนาดของแบตเตอรี่ จ ะต้ องเพี ยงพอต่ อการใช้ งานอุ ป กรณ์ ไฟฟ้ า (appliances) ทั้ งในเวลา
กลางคืน และขณะที่มีการบังเงาของก้อนเมฆที่เคลื่อนตัวผ่านระบบ ขั้นตอนการหาขนาดของแบตเตอรี่ มีดังนี้
4.1 คานวณผลรวมพลังงานไฟฟ้าของเครื่องใช้ไฟฟ้าต่อวัน (Wh/day)
82
4.2 หารค่าที่ได้จากหัวข้อที่ 4.1 ด้วยค่าคงที่ 0.85 (ค่าความสูญเสียของแบตเตอรี่)

4.3 หารค่าที่ได้จากหัวข้อที่ 4.2 ด้วยค่าคงที่ 0.6 [ค่าความลึกของการคายประจุ (depth of
discharge: DOD)]
4.4 หารค่าที่ได้จากหัวข้อที่ 4.3 ด้วยค่าแรงดันของแบตเตอรี่ (nominal battery voltage)
4.5 คูณค่าที่ได้จากหัวข้อที่ 4.4 ด้วยจานวนวันที่ต้องการให้ระบบจ่ายพลังงานได้เมื่อระบบ
PV ไม่สามารถผลิตพลังงานได้ (Days of autonomy) ซึ่งค่าความจุไฟฟ้าของแบตเตอรี่แบบดีพไซเคิลจะได้
ดังสมการ
Total Watt - hours/day used by appliances  Days of autonomy
Battery Capacity(A h)  (2.68)
(0.85 0.6  nominal battery voltage)
5. ขนาดของเครื่องควบคุมการประจุ
โดยทั่วไปเครื่องควบคุมการประจุจะกาหนดพิกัดแรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้า ควรเลือกขนาดของ
เครื่องควบคุมการประจุให้เหมาะกับแรงดันของ PV array และแบตเตอรี่ แล้วจึงเลือกชนิดของการประจุซึ่ง
เหมาะสมกับกระแสจาก PV array
เครื่องควบคุมการประจุแบบอนุ กรม (series charge controller type) ขนาดจะสัมพันธ์กับพิกัด
กระแสจาก PV array และสั ม พั น ธ์ กั บ ลั ก ษณะการต่ อ PV panel (PV configuration) ด้ ว ย เช่ น series
configuration, parallel configuration
ในทางปฏิบัติขนาดของเครื่องควบคุมการประจุจะหาได้จาก ค่ากระแสลัดวงจร (Isc) ของ PV array
คูณด้วยค่าคงที่ 1.3 ดังสมการ
Solar charge controller rating = Total short circuit current of PV array x 1.3 (2.69)
สาหรับขนาดของเครื่องควบคุมการประจุแบบ MPPT (MPPT charge controller) วิธีการหาขนาด
จะหาด้วยวิธีการอื่น
ตัวอย่าง 2.20 หาขนาดของระบบ PV โดยใช้ PV module พิกัด 24 Vdc 250 Wp จ่ายให้ กับการใช้งาน
อุปกรณ์ไฟฟ้าและระยะเวลาการใช้งานในหนึ่งวัน ดังนี้
1. หลอดฟลูออเรสเซนต์ 36 W ใช้บัลลาสต์แกนเหล็กจานวน 2 หลอด ใช้งาน 4 h/day
2. ตู้เย็นขนาด 100 W จานวน 1 เครื่อง ใช้งานตลอด 24 h ซึ่งคอมเพรสเซอร์ทางาน 12 h/day
3. โทรทัศน์ 100 W จานวน 1 เครื่อง ใช้งาน 2 h/day
4. เครื่องปรับอากาศ 1,000 W จานวน 1 เครื่อง ใช้งาน 8 h ซึ่งคอมเพรสเซอร์ทางาน 4 h/day
83
วิธีทา
1. หาความต้องการพลังงานไฟฟ้าสาหรับเครื่องใช้ไฟฟ้า
กาลังไฟฟ้าของอุปกรณ์ไฟฟ้า
= (46W x 2 x 4h) + (100W x 24 x 0.5h) + (100W x 2h) + (1,000W x 8 x 0.5h)
= 5,768 Wh/day
ค่าพลังงานไฟฟ้าที่ต้องการจากระบบ = 5,768 x 1.3
= 7,498.4 Wh/day
2. หาขนาดของ PV module หรือ PV panel
2.1 ผลรวม Wp ของพิกัด PV panel = 7,498.4 / 3.43
= 2,186.12 Wp
2.2 จานวนของแผง PV panels = 2,186.12 / 250
= 8.74 modules
ดังนั้นเลือกใช้จานวน = 9 modules
จัดวางแผง PV แบบ Series-Parallel จานวน 3 modules/string ทั้งสิ้น 3 string
จากลักษณะจัดวางแผงแบบ Series-Parallel 5 modules/string จานวน 4 string พิจารณา ภาพ 2.65 (ก)
ใช้ KVL จะได้ VPV array  3VPV module  3(24)  72 V
ใช้ KCL จะได้ IPV array  3IPV module
3. หาขนาดของอินเวอร์เตอร์
ผลรวมกาลังไฟฟ้าของอุปกรณ์ไฟฟ้า = 92 + 100 + 100 + 1,000 = 1292 W
เพื่อความปลอดภัยควรเลือกพิกัดที่สูงกว่า 25-30% ดังนั้น เลือกอินเวอร์เตอร์ ขนาด 1615 W ขึ้นไป
ในที่นี้เลือกขนาด 1.8 kW 24 V
4. หาขนาดของแบตเตอรี่
กาลังไฟฟ้าของอุปกรณ์ไฟฟ้า = 5,768 Wh/day
แรงดันแบตเตอรี่ = 24 V (ได้จากใช้แบตเตอรี่ 12 V 2 ก้อน อนุกรมกัน)
จานวน autonomy = 3 days
84
พิกัดแบตเตอรี่
5,768 3
Battery Capacity(A h)   1,413.72 Ah
(0.85 0.6  24)
ดังนั้น เลือกแบตเตอรี่พิกัด 24 V 1,600 Ah สาหรับ 3 วัน autonomy
จากพิกัดแบตเตอรี่ของระบบ PV เลือกใช้แบตเตอรี่แบบดีพไซเคิล 12 V 200 Ah จานวน 16 ก้อนต่อ
กัน ดังภาพ 2.66
I batt
1 2 3 ... 8 +
a
12 V 200 Ah
Vbatt
12 V 200 Ah
_
b
ภาพ 2.66 การต่อแบตเตอรี่ของตัวอย่าง 2.20

จากภาพ 2.66 ใช้ KCL ที่โนด a จะได้ Ibatt  8(200 Ah)  1,600 Ah
และใช้ KVL จะได้ Vbatt  2(12V)  24 V
5. หาขนาดของ Solar charge controller
ข้อมูลทางเทคนิคของ PV module มีดังนี้
Pm = 250 Wp
Vm = 30.64 Vdc Voc = 37.38 A
Im = 8.16 A Isc = 8.72 A
พิกัดของ Solar charge controller = (3 strings x 8.72 A) x 1.3 = 34.01 A
ดังนั้นเลือก solar charge controller พิกัด 50 A ที่ 24 V หรือมากกว่า
1. ตัวต้านทานเป็นองค์ประกอบแบบพาสซีฟ โอห์มได้นิยามว่า แรงดันไฟฟ้า (v) และกระแสไฟฟ้า (R)
แปรผันกันเป็นค่าคงที่ ซึ่งค่าคงที่นั้นคือ ค่าความต้านทาน R ดังนั้น
v  iR
ความต้านทานไฟฟ้า R มีหน่วยเป็น Ohm, 
85
ค่าความต้านทาน R จะมีค่าอยู่ในช่วง 0 < R <  โดย R = 0 จะนิยามว่า วงจรปิด หรือลัดวงจร

และ R =  จะนิยามว่า วงจรเปิด (open circuit)
2. ค่าความนาฟ้า G และค่าความต้านทาน R จะแปรผกผันกัน กล่าวคือ วัสดุหนึ่งถ้ามีค่าความนา
ไฟฟ้าสูงจะส่งผลให้ค่าความนาไฟฟ้าต่า ซึ่งเป็นไปตามความสัมพันธ์
1 i
G  
R v
ความนาฟ้า G มีหน่วยเป็น mho (℧) หรือ siemens (S)
3. กิ่ง โนด ลูป เมซ
3.1 กิ่ง คือ ส่วนประกอบใด ๆ ของวงจรที่มีขั้วทั้งสองเชื่อมต่ออยู่ องค์ประกอบทางไฟฟ้า ใด ๆ ที่มี
สองขั้ว ถือว่าเป็นกิ่ง
3.2 โนด คือ จุดเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างกิ่งสองกิ่ง (หรือมากกว่า) โนดในทางปฏิบัติ คือ จุดที่มีการ
เชื่อมต่อถึงกันขององค์ประกอบทางไฟฟ้าหรือกิ่งเข้าด้วยกันด้วยตะกั่วบัดกรีบนแผ่นวงจร
3.3 ลูป หรือวงรอบ คือ การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าของกิ่งเข้าด้วยกันเป็นวงรอบปิดและเส้นทางจะต้องไม่
ซ้ารอยเดิม
3.4 เมซ คือ วงรอบปิดหรือลูปที่ไม่มีลูปอื่น ๆ ภายใน
ตัวอย่างกิ่ง โนด เมซ บน Breadboard แสดงดังภาพ 2.67
n1 n2 n3
b2 b4
b1 m1 b3 m2 b5
n4
ภาพ 2.67 ตัวอย่างกิ่ง โนด เมซ บน Breadboard

4. การเชื่อมต่อองค์ประกอบทางไฟฟ้าตั้งแต่ 2 ตัวขึ้นไปเข้าด้วยกัน จะเรียกว่า อนุกรม (Series) กัน
โดยองค์ประกอบจะต่ออันดับกันหรือมีจุดต่อร่วมเพียงโนดเดียว และมีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านเท่ากัน และถ้า
องค์ประกอบนั้น ๆ มีจุดต่อร่วมกันทั้ง 2 โนด และมีแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมเท่ากัน จะเรียกว่า ขนาน (Parallel)
กัน
86
5. กฎของเคอร์ ช อฟฟ์ มี 2 กฎ คือ กฎกระแสไฟฟ้ าของเคอร์ช อฟฟ์ (KCL) กล่ าวว่ า ผลรวมทาง
พีชคณิตของประจุไฟฟ้าในระบบจะไม่มีการเปลี่ยนแปลง หรือ ผลรวมทางพีชคณิตของกระแสไฟฟ้าที่ไหลเข้าสู่
โนดใด ๆ (หรือในขอบเขตปิด) มีค่าเป็นศูนย์ ดังสมการ
 in  0
และกฎแรงดันไฟฟ้าของเคอร์ชอฟฟ์ (KVL) กล่าวว่า ผลรวมทางพีชคณิตของแรงดันไฟฟ้าตกคร่อม
รอบบริเวณปิด (หรือลูป หรือเมซ) มีค่าเป็นศูนย์ ดังสมการ
 vm  0
6. ตัวต้านทาน R หรือตัวนาไฟฟ้า 2 ตัวต่ออนุกรมกัน ค่าความต้านทานสมมูล Req , Geq หาได้จาก

G1G2
Geq 
Req  R1  R2 G1  G2
7. ตัวต้านทาน R หรือตัวนาไฟฟ้า 2 ตัวต่อขนานกัน ค่าความต้านทานสมมูล Req , Geq หาได้จาก

R1R2
Req  Geq  G1  G2
R1  R2
8. หลักการแบ่งแรงดันไฟฟ้า ของตัวต้านทาน 2 ตัวที่ต่ออนุกรมกัน จะหาได้จาก

R1 R2
v1  v , v2  v
R1  R2 R1  R2
ส าหรั บ วงจรที่ มี ตั ว ต้ า นทาน N ตั ว (R1, R2, ...., RN) ต่ อ อนุ ก รมกั บ แหล่ งจ่ า ยแรงดั น ไฟฟ้ า v จะ
สามารถหาแรงดันไฟฟ้าทีต่ กคร่อมตัวต้านทานลาดับที่ n (Rn) จะได้ดังสมการ
Rn
vn  v
R1  R2  ....  RN
9. หลักการแบ่งกระแสไฟฟ้า ของตัวต้านทาน 2 ตัวที่ต่อขนานกัน จะหาได้จาก

R2 R1
i1  i, i2  i
R1  R2 R1  R2
87
10. สูตรการแปลงรูปโครงข่ายแบบเดลตาไปเป็นแบบวาย
Rb R c Rc Ra R a Rb
R1  R2  R3 
R a  Rb  R c R a  Rb  R c R a  Rb  R c
11. สูตรการแปลงรูปโครงข่ายแบบวายไปเป็นแบบเดลตา
R1R2  R2 R3  R3 R1 R R R R R R R1R2  R2 R3  R3 R1
Ra  Rb  1 2 2 3 3 1 Rc 
R1 R2 R3
a Rc b
R1 R2
n
Rb Ra
R3
c
ภาพ 2.68 โครงข่ายแบบ Y และ  สาหรับการแปลงรูปโครงข่ายทั้งสองลักษณะ
โครงข่ายแบบ Y และโครงข่ายแบบโครงข่ายแบบ  จะเรียกว่าเป็น โครงข่ายสมดุล ก็ต่อเมื่อ
R1  R2  R3  RY , Ra  Rb  Rc  R
สมการการแปลงวาย-เดลตาสาหรับโครงข่ายสมดุล จะได้
R
RY  , R  3RY
3
12. การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าด้วยโปรแกรม PSpice Student Version สาหรับเนื้อหาในบทนี้จะใช้
การวิ เคราะห์ ไฟฟ้ า กระแสตรง ในกรณี ที่ ว งจรไม่ มี ก ารเปลี่ ย นค่ า แหล่ งจ่ ายไฟฟ้ าหรื อ โหลด สามารถใช้
VIEWPOINT ส าหรั บ แสดงค่ า แรงดั น ที่ โ นด และ IPROBE ส าหรั บ แสดงค่ า กระแสที่ กิ่ ง ได้ ส่ ว นวงจรที่ มี
การเปลี่ยนค่าสามารถกาหนดการจาลองให้เป็น DC sweep
13. กฎพื้นฐานที่ครอบคลุมเนื้อหาในบทนี้สามารถนาไปประยุกต์ใช้กับ ระบบส่องสว่าง การออกแบบ
มิเตอร์วัดไฟฟ้ากระแสตรง การออกแบบระบบวัดไฟฟ้าแรงดันสูงกระแสตรงสาหรับห้องปฏิบัติการสาหรับ
กฎของโอห์ ม หลั กการแบ่ งแรงดัน และแบ่ งกระแส และการออกแบบระบบผลิ ต พลั งงานไฟฟ้าด้ว ยเซลล์
แสงอาทิตย์เบื้องต้นสาหรับประยุกต์ใช้กฎของเคอร์ชอฟฟ์
88
2.11 แบบฝึกหัดท้ายบท
2.1 ขดลวดความร้อน คือ ส่วนประกอบที่สาคัญของเครื่องปิ้งขนมปัง ขดลวดความร้อนหรือขดลวดความ
ต้านทานเป็นองค์ประกอบทางไฟฟ้าที่เปลี่ยนพลังงานทางไฟฟ้าเป็นพลังงานความร้อน คานวณหากระแสไฟฟ้า
ที่เกิดขึ้นในเครื่องปิ้งขนมปัง ถ้าขดลวดความร้อนมีค่าความต้านทาน 12  โดยมีแรงดันไฟฟ้าตกคร่อม 110 V
ตอบ i  9.167 A
2.2 หาแรงดันไฟฟ้า v ค่าความนาไฟฟ้า G และกาลังไฟฟ้า p จากวงจรดังภาพ 2.69

i

2 mA 10 k v

ภาพ 2.69 สาหรับแบบฝึกหัดท้ายบท ข้อที่ 2.1

ตอบ v  20 V G  100 mS p  40 mW
2.3 ตัวต้านทานดูดกลืนกาลังไฟฟ้าชั่วขณะ p(t) = 20cos2t mW ถ้าต่อเข้ากับ แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า

v(t) = 10cos t V หากระแสไฟฟ้า i และค่าความต้านทาน R
ตอบ i  2 cos t mA R  5 k
2.4 จากวงจรดังภาพ 2.70 มีจานวน กิ่ง และโนด เท่าใด และแต่ละองค์ประกอบต่อกันแบบใด

5
1 2 10 V 4

ตอบ มี 5 กิ่งและ 3 โนด โดยที่ R1 และ R2 ต่อขนานกัน และ R4 ต่อขนานกับ vs 10 V
89
2.5 หาแรงดันไฟฟ้า v1 และ v2 จากวงจรดังภาพ 2.71

4
 v1 
10 V 8V
 v2 
2

ตอบ v1  12 V , v2   6 V
2.6 หา vx และ vo จากวงจรดังภาพ 2.72
10 
 vx 
35 V 2v x
5
 vo 

ตอบ v x  10 V , vo   5 V
2.7 หา io และ vo จากวงจรดังภาพ 2.73
a
io

io
6A 2 8 vo
4


ตอบ io  4 A vo  8 V
90
2.8 หากระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้า จากวงจรดังภาพ 2.74

2 i1
A i3 4
 v1  i2  v3 

5V v2 8 3V


ตอบ v1  3 V, v2  2 V, v3  5 V
i1  1.5 A, i2  0.25 A , i3  1.25 A
2.9 หาค่าความต้านทานสมมูล Req จากวงจรดังภาพ 2.75
2 3 4
Req  6 4 5
1 3

ตอบ Req  6 
2.10 หาค่าความต้านทานสมมูลที่ขั้ว a-b (Rab) จากวงจรดังภาพ 2.76
20 
8 5
a
R ab  18  20  1
9
b
2

ตอบ Rab  11 
91
2.11 หาค่าความนาไฟฟ้าสมมูล Geq จากวงจรดังภาพ 2.77
8S 4S
G eq 
2S 6S
12 S

ตอบ Geq  4 S
2.12 หา v1 , v2 , i1 , i2 , PR12 และ PR40 จากวงจรดังภาพ 2.78
i1 12 
 v1 
i2
6

15 V 10  v2 40 


ตอบ v1  5 V i1  416.667 mA p1  2.083 W
v2  10 V i2  250 mA p2  2.5 W
2.13 หา ก) v1 , v2 ข) PR3k , PR20k ค) Pcurrent source จากวงจรดังภาพ 2.79
1 k
 
3 k v1 10 mA 5 k v2 20 k
 

ตอบ ก) v1  15 V v2  20 V
ข) P1  75 mW P2  20 mW ค) p  - 200 mW
92
2.14 แปลงรูปโครงข่ายแบบวายให้อยู่ในรูปโครงข่ายแบบเดลตา จากวงจรดังภาพ 2.80

R1 R2
a b
10  20 
R3 40 

ตอบ Ra  140  Rb  70  Rc  35 
2.15 หาค่าความต้านทานสมมูล Rab และกระแสไฟฟ้า i จากวงจรดังภาพ 2.81
i a 13 
24  10 
20 
100 V
30  50 
b

ตอบ Rab  40  i  2.5 A
2.16 หาค่าความต้านทานสมมูล Req จากวงจร ดังภาพ 2.83 โดยใช้ PSPICE ถ้ามีแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า

ขนาด 5 A ต่อเข้าที่ขั้ว a-b
10  c 1 d 1
a
6
Req  3 4 5
12 
b
b b
93
ตอบ
ภาพ 2.84 Schematics สาหรับแบบฝึกหัดท้ายบท ข้อที่ 2.16

2.17 หาขนาดของระบบ PV โดยใช้ PV module พิ กัด 12 Vdc 110 Wp จ่ายให้ กับการใช้งานอุปกรณ์
ไฟฟ้าและระยะเวลาการใช้งานในหนึ่งวัน ดังนี้ โดยออกแบบที่ 3 day autonomy
1. หลอดฟลูออเรสเซนต์ 18 W ใช้บัลลาสต์อิเล็กทรอนิกส์จานวน 1 หลอด ใช้งาน 4 h/day
2. ตู้เย็นขนาด 75 W จานวน 1 เครื่อง ใช้งานตลอด 24 h ซึ่งคอมเพรสเซอร์ทางาน 12 h/day
3. พัดลมขนาด 60 W จานวน 1 เครื่อง ใช้งาน 2 h/day
ตอบ PV module จานวน 4 แผง
อินเวอร์เตอร์ไม่ต่ากว่า 190 W
แบตเตอรี่ 12 V 600 Ah สาหรับ 3 day autonomy
เครื่องควบคุมการประจุ 12 V 40 A
94
รายการเอกสารอ้างอิง
McGraw-Hill.
How to Design Solar PV System. (n.d). Retrieved March 15, 2 016, from http://www.leonics.
com/support/article2_12j/articles2_12j_en.php
McGraw-Hill.
McGRAW-Hill.
กระแสไฟฟ้าตรง. กรุงเทพฯ: สานักพิมพ์แห่งจุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ธนากร น้าหอมจันทร์. (2554). ระบบวัดไฟฟ้าแรงดันสูง พิกัด 20 kVac 28 kVdc โดยใช้วิธีโวลเตจดิไวเดอร์และ
วิธีชับแอนด์โพเทสคิวเพื่อการเรียนการสอนและการวิจัย . รายงานการวิจัยมหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย
งานวิจัยลาดับที่ 42 – 2554.
บัณฑิต บัวบูชา. (2541). ทฤษฎีและการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า1. กรุงเทพฯ: สานักพิมพ์ ฟิสิกส์เซ็นเตอร์.
บทที่ 3
ระเบียบวิธีการวิเคราะห์วงจร
3.1 บทนา
จากกฎของโอห์ม และกฎของเคอร์ชอฟฟ์ ซึ่งเป็น กฎพื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์ วงจรไฟฟ้าในบทที่
ผ่านมา ในบทนี้จะอธิบายถึงการประยุกต์ใช้กฎพื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า 2 วิธี ที่มีอิทธิพลต่อ
การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าเป็นอย่างมาก คือ ระเบียบวิธีแรงดันโนด ซึ่งประยุกต์จากกฎกระแสของเคอร์ชอฟฟ์
และระเบี ย บวิธี กระแสเมซ ซึ่งประยุ กต์จ ากกฎแรงดันของเคอร์ช อฟฟ์ ซึ่งทั้ง 2 วิธีนี้ เป็นวิธีการวิเคราะห์
วงจรไฟฟ้าทีม่ ีความสาคัญและใช้กันอย่างแพร่หลายที่สุดในด้านวิศวกรรมไฟฟ้า
ระเบี ย บวิธีที่กล่ าวมานี้ จะทาให้ สามารถวิเคราะห์ วงจรไฟฟ้าแบบเชิงเส้นได้ โดยการสร้างชุดของ
สมการต่าง ๆ ขึ้นมา โดยจานวนสมการ และตัวแปรที่ไม่ทราบค่าจะสัมพันธ์กับจานวนโนดสาหรับระเบียบวิธี
แรงดันโนด และจานวนเท่ากับ จานวนเมซสาหรับระเบียบวิธีกระแสเมซ ซึ่งสามารถนามาวิเคราะห์หาค่าของ
กระแสหรือแรงดันไฟฟ้าในวงจรได้ วิธีที่ใช้ในการแก้ปัญหาจากชุดสมการที่ได้ คือ กฎของเครเมอร์ ซึ่งเป็นกฎที่
ใช้สาหรับการแก้ปัญหาสมการเชิงเส้นในรูปของเมทริกซ์ ดีเทอร์มิแนนต์ ดังแสดงในภาคผนวก ก และวิธีการใช้
โปรแกรม MATLAB สาหรับแก้สมการแสดงดังภาคผนวก จ
เนื้อหาในบทนี้ประกอบด้วย การวิเคราะห์วงจร ระเบียบวิธีแรงดันโนด ระเบียบวิธีแรงดันโนดในวงจร
แหล่ งจ่ ายแรงดัน ไฟฟ้ า ระเบี ยบวิธีกระแสเมซ ระเบียบวิธีก ระแสเมซในวงจรแหล่ ง จ่ายกระแสไฟฟ้า การ
วิเคราะห์วงจรไฟฟ้าด้วยโปรแกรม PSpice Student Version และการประยุกต์ใช้ ระเบียบวิธีการวิเคราะห์
วงจร ตามลาดับ
3.2 การวิเคราะห์วงจร
การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าประกอบด้วยตัวแปรไม่ทราบค่า ได้แก่ แรงดันที่โนดแต่ละโนด กระแสที่ไหล
ผ่านองค์ประกอบแต่ละตัว ดังนั้น ก่อนเริ่มการวิเคราะห์วงจรจะต้องนิยามตัวแปรที่เกี่ยวข้องให้ชัดเจนและเป็น
ระบบเสียก่อน เพื่อนามาสร้างชุดสมการสาหรับการวิเคราะห์วงจรนั้น ๆ วงจรตัวอย่างการกาหนดตัวแปร
แรงดันไฟฟ้าในวงจรซึ่งสัมพันธ์กับโนด และกิ่งในวงจร แสดงดังภาพ 3.1 และตาราง 3.1 ตามลาดับ
 v R1   vR3 
a b c
R1  R3 

vs R2 vR2 vR4 R4
  
d
ภาพ 3.1 ตัวอย่างการกาหนดตัวแปรค่าแรงดันในวงจร

96
ตาราง 3.1 ตัวอย่างการกาหนดตัวแปรค่าแรงดันในวงจร จากวงจรดังภาพ 3.1

แรงดันโนด แรงดันกิ่ง
(Node Voltage) (Branch Voltage)
v a  v s (source voltage) v s  va  vd  va
vb  v R 2 v R1  v a  v b
vc  vR4 v R 2  vb  v d  vb
v d  0 (ground) v R 3  vb  v c
vR4  vc  vd  vc
วงจรตัวอย่ างการกาหนดตัวแปรกระแสไฟฟ้าในวงจรซึ่งสั มพั นธ์กับเมซ และกิ่งในวงจร แสดงดัง

ภาพ 3.2 และตาราง 3.2 ตามลาดับ
R1 R3
Ivs IR 1 IR 2
 IR 3
IR 4
vs R2 vR2 R4
ia ib

ภาพ 3.2 วงจรตัวอย่างการกาหนดตัวแปรค่ากระแสในวงจร

ตาราง 3.2 ตัวอย่างการกาหนดตัวแปรค่ากระแสในวงจร จากวงจรดังภาพ 3.2
กระแสเมซ กระแสกิง่
(Mesh Current) (Branch Current)
imesh a  i a ia  I vs  I R1
i mesh b  i b ib  IR3  IR4
IR2  i a  i b  I R1  I R 3
จากตัวแปรค่ากระแสไฟฟ้าหรือแรงดันไฟฟ้าในวงจรที่ได้กาหนดไว้แล้ว ขั้นตอนต่อมา คือ การใช้กฎ

พื้นฐานต่าง ๆ เพื่อการสร้างชุดสมการเชิงเส้นขึ้นมา และแก้ สมการเพื่อหาค่าตัวแปรที่กาหนดเป็นขั้นตอน
สุดท้าย
97
3.3 ระเบียบวิธีแรงดันโนด
ระเบี ย บวิธี แรงดัน โนด (Node Voltage Method) หรือการวิเคราะห์ โนด (Nodal Analysis) เป็ น
ระเบี ยบวิธีพื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์ ทางไฟฟ้า เช่น การวิเคราะห์ วงจรไฟฟ้า วงจรอิเล็กทรอนิกส์ และ
เครื่องจักรกลไฟฟ้า เป็นต้น ระเบียบวิธีนี้จะนิยามแรงดันโนดเป็นตัวแปรอิสระและต้องกาหนดโนดใดโนดหนึ่ง
ในวงจรให้เป็นโนดอ้างอิงที่ทราบค่าศักย์ไฟฟ้าหรือแรงดันไฟฟ้า ซึ่งค่าแรงดันที่โนดอ้างอิงสามารถกาหนดให้มี
ค่าเท่ากับค่าใดก็ได้ แต่โดยทั่วไปมักกาหนดให้เป็นโนดกราวนด์ ซึ่งมีศักย์ไฟฟ้าเป็นศูนย์ (0 V) ดังนั้น ตัวแปร
ค่ าแรงดั น ที่ โนดอื่ น ๆ ในวงจรจะมี ค่ าแรงดั น เที ย บกั บ โนดอ้ างอิ ง (Reference Node) หรือ โนดกราวนด์
ทีม่ ีศักย์เป็นดิน (Ground) นี้เสมอ จากนั้นพิจารณาความสัมพันธ์ของกระแสไฟฟ้าที่โนด โดยใช้กฎกระแสของ
เคอร์ชอฟฟ์ และใช้กฎของโอห์มเพื่อแสดงความสัมพันธ์ของแรงดันระหว่างโนด แล้วทาการแก้สมการเพื่อหา
ค่าแรงดันในตาแหน่งโนดที่สนใจ เพื่อความเข้าใจเกี่ยวกับระเบียบวิธีแรงดันโนด ในหัวข้อนี้จะอธิบายถึงการ
ประยุ กต์ร ะเบี ย บวิธี แ รงดัน โนดในวงจรที่ ไม่มี แหล่ งจ่ายแรงดั น ระหว่างโนด ส าหรับ วงจรที่ ป ระกอบด้ ว ย
แหล่งจ่ายแรงดันระหว่างโนดจะอธิบายในหัวข้อถัดไป
กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านองค์ประกอบ หรืออุปกรณ์ สามารถเขียนให้อยู่ในรูปสมการแรงดันโนดจาก
กฎของโอห์มได้ดังภาพ 3.3 และเมื่อประยุกต์ใช้กฎกระแสของเคอร์ชอฟฟ์สาหรับวิเคราะห์แรงดันที่โนดจะ
แสดงดังภาพ 3.4
R va  vb
a b i 
R
i
ภาพ 3.3 สมการกระแสที่ไหลผ่าน R
 R1  vb  R3 
va vd
i1  i3
i2 KCL vb : i1  i2  i3  0
R2
 v a  vb vb  v c vb  v d
   0
vc R1 R2 R3
ภาพ 3.4 การประยุกต์ใช้กฎกระแสของเคอร์ชอฟฟ์สาหรับวิเคราะห์แรงดันที่โนด
การวิเคราะห์วงจรโดยใช้ระเบียบวิธี แรงดันโนด สาหรับวงจรที่ประกอบไปด้วยโนดจานวน n โนด

และไม่มแี หล่งจ่ายแรงดันระหว่างโนด มี 3 ขั้นตอนดังนี้
1. พิจารณาจานวนโนดทั้งหมดในวงจร วงจรที่มี n โนด จะวิเคราะห์เพียง n - 1 โนด ส่วนโนดที่เหลือ
จะกาหนดให้เป็นโนดอ้างอิง โดยโนดที่จะกาหนดให้เป็นโนดอ้างอิงควรเป็นโนดที่มีกิ่งมาก ๆ
98
สัญลักษณ์ของโนดอ้างอิง แสดงดังภาพ 3.5
(ก) (ข) (ค)

ภาพ 3.5 สัญลักษณ์โดยทั่วไปของโนดอ้างอิงหรือโนดกราวนด์
หลังจากกาหนดโนดอ้างอิงแล้ว ลาดับถัดมา คือ กาหนดโนดอิสระ ซึ่งโนด 0 คือ โนดอ้างอิง (v = 0)
โนด 1 และ 2 คือ แรงดันโนด v1 และ v2 ที่กาหนดตามลาดับ ดังภาพ 3.6 (ก)
I2 I2
I2 I2
R2
I1 i2 R2 i2
1 v1 v2
2
I1 I1 i1 i3
 
v1 R1 v2 R3 R1 R3
 
0
(ก) (ข)
ภาพ 3.6 ตัวอย่างการวิเคราะห์วงจรโดยใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนด
2. ใช้ KCL ในทุก ๆ โนดอิสระ แล้วใช้กฎของโอห์มแสดงค่ากระแสไฟฟ้าทุก กิ่ง ในเทอมของแรงดัน
โนด จากภาพ 3.6 (ข) จะได้
KCL ที่โนด v1 ; I1  I2  i1  i2 (3.1)
KCL ที่โนด v2 ; I2  i 2  i 3 (3.2)
จากนั้น ใช้กฎของโอห์ม แสดงกระแสที่ไม่ทราบค่า i1, i2, i3 ในเทอมของแรงดันโนด โดยกาหนดให้
กระแสไหลจากโนดแรงดันสูงไปยังโนดแรงดันต่า
โดยทิศทางการไหลของกระแส แสดงดังสมการ (3.3)
v higher  v lower
i  (3.3)
R
v1  0
จากภาพ 3.6 (ข) จะได้ i1  or i1  G1v1 (3.4a)
R1
99
v1  v 2
i2  or i2  G2 (v1  v 2 ) (3.4b)
R2
v2  0
i3  or i3  G3v2 (3.4c)
R3
แทนสมการ (3.4) ในสมการ (3.1) และ (3.2) จะได้
v1 v 1  v 2
I 1  I2   (3.5)
R1 R2
v1  v 2 v
และ I2   2 (3.6)
R2 R3
ซึง่ สามารถแสดงค่าความต้านทานในเทอมของค่าความนาไฟฟ้าได้ ดังสมการ (3.7) และ (3.8)
I 1  I2  G1v1  G2 (v1  v2 ) (3.7)
I2  G2 (v1  v2 )  G3v2 (3.8)
3. หาผลลัพธ์จากการแก้สมการได้จากแรงดันโนดอิสระ ซึ่งจะได้ n-1 สมการ จากจานวน n-1 โนดที่
พิจารณา เช่น สมการ (3.5) และ (3.6) หรือสมการ (3.7) และ (3.8) จากวงจรดังภาพ 3.6 การแก้สมการเพื่อ
หาค่าแรงดันโนด v1 และ v2 สามารถทาได้ 2 วิธี คือ 1) แทนค่าสมการ หรือ 2) ใช้กฎของเครเมอร์ หรือใช้การ
อินเวิร์สเมทริกซ์วิธีใดวิธีหนึ่งก็ได้
จากสมการ (3.5) – (3.6) จะได้เมทริกซ์ ดังสมการ (3.9a) และสมการ (3.7) – (3.8) จะได้ เมทริกซ์
ดังสมการ (3.9b)
1 1 1 
R  R 
R2   v1  I I
 1 12    1 2 (3.9a)
  1 1  v 2   I2 

 R2 R2 R3 
G1  G2  G2   v1  I I
  1 2 (3.9b)
  G2 G2  G3  v2   I2 
ผลการแก้ปัญหาสมการ (3.9a) และ (3.9b) จะได้ค่าแรงดันโนดของโนดอิสระที่กาหนดตัวแปรไว้ใน
ตอนต้น สาหรับค่ากระแสกิ่งในวงจรจะหาได้จากการแทนค่าแรงดันโนดลงในสมการ (3.4)
100
จากสมการ 3.9b ซึ่งเขียนอยู่ในรูปเมทริกซ์ GV = I ดังนี้
 G11 G12   v1 
  1
I
(3.10)
G21 G22  v 2  I2 
จากสมการ (3.10) ค่าความนาไฟฟ้าในตาแหน่ง G11 จะพบว่า มีค่าเท่ากับค่าความนาไฟฟ้ารวมที่ต่อ
โดยตรงเข้าที่โนด v1 และค่าความนาไฟฟ้าในตาแหน่ง G12 จะพบว่า มีค่าเท่ากับค่าความนาไฟฟ้าที่เชื่อมโยง
จากโนด v1 ไปยั งโนด v2 และมีค่ าเป็ น ลบ (-) ในท านองเดี ยวกั น ค่ าความน าไฟฟ้ าในตาแหน่ ง G22 จะมี
ค่าเท่ากับค่าความนาไฟฟ้ารวมที่ต่อโดยตรงเข้าที่โนด v2 และค่าความนาไฟฟ้าในตาแหน่ง G21 จะมีค่าเท่ากับ
ค่าความนาไฟฟ้าที่เชื่อมโยงจากโนด v2 ไปยังโนด v1 และมีค่าเป็นลบ
สรุปได้ดังนี้ ในวงจรไฟฟ้าที่ไม่มีแหล่งจ่ายไม่อิสระ ประกอบไปด้วย n โนดที่พิจารณา (ไม่รวมโนด
อ้างอิง) ค่าความนาไฟฟ้าในเมทริกซ์ GV = I ในตาแหน่งแนวทแยง (ตาแหน่งเลขแถวเท่ากับ เลขหลัก เช่น
G11 G22 G33 เป็นต้น) จะมีค่าความนาไฟฟ้าเท่ากับค่าความนาไฟฟ้ารวมที่ต่อโดยตรงเข้ากับโนดนั้น ๆ และ
ค่าความนาไฟฟ้าในตาแหน่งอื่นจะมีค่าเท่ากับค่าความนาไฟฟ้าที่เชื่อมโยงไปโนดข้างเคียงและมีค่าเป็นลบ เช่น
G12 คือ ค่าความนาไฟฟ้าเชื่อมโยงจากโนด v1 ไปยังโนด v2 และ G21 คือ ค่าความนาไฟฟ้าเชื่อมโยงจากโนด
v2 ไปยังโนด v1 เป็นต้น
ตัวอย่าง 3.1 หาแรงดันโนดในวงจร จากวงจรดังภาพ 3.7

5A
4
2 6 10 A

วิธีทา จากภาพ 3.7 พบว่า มี จานวน 3 โนด คือ 1) โนดของกิ่ง R 2 , R 4  และ Is 5 A กาหนดให้เป็น
โนด v1 2) โนดของกิ่ง R 4 , R 6  และ Is 10 A กาหนดให้ เป็น โนด v2 และ 3) โนดของกิ่ง R 2 ,
R 6  และ Is 10 A กาหนดให้เป็นโนดอ้างอิง (0 V) แรงดันโนดซึ่งเป็นตัวแปรอิสระ และทิศทางการไหลของ
กระแสกิ่งที่แต่ละโนดที่กาหนด แสดงดังภาพ 3.8
จากภาพ 3.8 KCL ที่โนด v1 จะได้ i1  i2  i3
101
v1  v 2 v1  0
ใช้กฎของโอห์ม จะได้ 5  
4 2
1 1 1
หรือ 5    v 1  v 2 (3.1.1)
4 2 4
จะได้ 20  v1  v 2  2v1
ดังนั้น 3v1  v 2  20 (3.1.2)
5A
i1  5 A i1  5 A
4 v2 i 4  10 A
v1
i2 i2
i3 i5
2 6 10 A
0

KCL ที่โนด v2 จะได้ i2  i4  i1  i5
v1  v 2 v 0
ใช้กฎของโอห์ม จะได้  10  5  2
4 6
1 1 1
หรือ 5   v1    v 2 (3.1.3)
4 4 6
จะได้ 60   3v1  3v 2  2v 2
ดังนั้น  3v1  5v2  60 (3.1.4)
พิจารณาสมการ (3.1.1) และ (3.1.3) จะพบว่า เป็นไปตามข้อสังเกตที่ 3.1
จากสมการ (3.1.2) และ (3.1.4) สามารถหาค่า v1 และ v2 ได้ 2 วิธีดังนี้
วิธีที่ 1 วิธีแทนค่าสมการ ดังนี้
20  v 2
จากสมการ (3.1.2) จะได้ v1  (3.1.5)
3
แทนสมการ (3.1.5) ลงในสมการ (3.1.4) ได้ดังนี้
102
 20  v 2 
 3   5v 2  60
 3 
 20  v2  5v2  60
5v2 v2  60  20
จะได้ 4v 2  80
หรือ v2  20 V
แทนค่า v2 ในสมการ (3.1.2) จะได้ 3v1  20  20
40
หรือ v1   13.33 V
3
วิธีที่ 2 ใช้กฎของเครเมอร์จากสมการ (3.1.2) และ (3.1.4) จะได้
 3  1  v1   20
 3 5  v 2  60
โดยที่   33 51  15  3  12
v1  20  1  100  ( 60)  160

60 5
v 2  33 20
60  180  ( 60)  240
v1 160
ฉะนั้น v1    13.33 V
 12
v 2 240
v2    20 V
 12
ค่ากระแสไฟฟ้าที่กิ่งจะหาได้ ดังนี้
i1  I s 5 A  5 A
v1  v 2
i2    1.6667 A
4
103
v1
i3   6.666 A
2
i4  I s10 A  10 A
v2
i5   3.333 A
6
จากค่ากระแสกิ่ง i2 ที่มีขนาดเป็นลบ นั่นหมายความว่า กระแส i2 ตามพฤติกรรมของวงจรจะไหลจาก
โนด v2 ไปยังโนด v1 ซึง่ มีทิศทางการไหลตรงข้ามกับที่กาหนดไว้
ตัวอย่าง 3.2 หาแรงดันโนด กระแสกิ่ง และกาลังไฟฟ้าในวงจร จากวงจรดังภาพ 3.9

6
3 ix 12 
2
1 3
6A 6 4i x
วิธีทา จากภาพ 3.9 ประกอบด้วย 4 โนด ซึ่งกาหนดให้โนดด้านล่างเป็น โนดอ้างอิง โดยกาหนดแรงดันโนด

อิสระและทิศทางการไหลของกระแสกิ่ง ดังภาพ 3.10
6
i1 i1
3 v2 12 
v1 v3
i2 i2 ix ix
6A
6A i3
6
4i x
0

104
KCL ที่โนด 1; 6  i1  i2
v1  v 3 v1  v 2
6 3
หรือ 3v1  2v2  v3  36 (3.2.1)
KCL ที่โนด 2; i2  i3  i x
v1  v 2 v  0 v2  v3
ใช้กฎของโอห์ม จะได้  2 
3 6 12
หรือ 4v1  7v2  v3  0 (3.2.2)
KCL ที่โนด 3; i1  i x  4i x  i1  3i x  0
v1  v 3 3 ( v 2  v 3 )
ใช้กฎของโอห์ม จะได้   0
6 12
หรือ 2v1  3v2  v 3  0 (3.2.3)
วิธีที่ 1 วิธีการแทนค่า ทาได้โดยแทนค่าสมการ (3.2.1) ลงในสมการ (3.2.3) ดังนี้
จากสมการ (3.2.1) จะได้ 3v1  2v2  36  v3 (3.2.4)
แทนสมการ (3.2.4) ลงในสมการ (3.2.3) จะได้
2v1  3v2  3v1  2v 2  36  0
หรือ 5v1  5v2  36 (3.2.5)
และแทนค่าสมการ (3.2.2) ลงในสมการ (3.2.3) ดังนี้
จากสมการ (3.2.2) จะได้  4v1  7v2  v3 (3.2.6)
แทนสมการ (3.2.6) ลงในสมการ (3.2.3) จะได้
2v1  3v2  4v1  7v2  0
หรือ  2v1  4v 2  0
จะได้ v 1  2v 2 (3.2.7)
จากนั้นแทนค่าสมการ (3.2.7) ลงในสมการ (3.2.5) จะได้
5(2v2 )  5v2  36
105
หรือ 5v2  36
36
ดังนั้น v2   7.2 V (3.2.8)
5
ซึ่งจะได้ค่าแรงดันโนด v1 โดยแทน v2 ลงในสมการ (3.2.7) จะได้
v1  2  7.2  14.4 V
หาค่าแรงดันโนด v3 โดยแทน v1 และ v2 ลงในสมการ (3.2.6) จะได้
 4(14.4)  7(7.2)   7.2 V
วิธีที่ 2 ใช้กฎของเครเมอร์จากสมการ (3.2.1), (3.2.2) และ (3.2.3) จัดสมการให้อยู่ในรูปเมทริกซ์ จะได้
3  2  1  v1  36
4  7 1   v 2    0 
2  3 1  v 3   0 
3  2 1 3  2
โดยที่   4 7 1 4 7  [ 21  4  12]  [14  9  8]
2 3 1 2 3
  13  3   10
36  2  1 36  2
v1  0  7 1 0  7  [ 252  0  0]  [ 0  108  0]
0 3 1 0 3
  252  108   144
3 36  1 3 36
v 2  4 0 1 4 0  [ 0  72  0]  [ 0  0  144]
2 0 1 2 0
 72  144   72
3  2 36 3  2
v 3  4  7 0 4  7  [ 0  0  432]  [ 504  0  0]
2 3 0 2 3
  432  504  72
v1  144
ดังนั้น จะได้แรงดันโนด v1    14.4 V
  10
106
v 2  72
v2    7.2 V
  10
v 3 72
v3     7.2 V
  10
v1  v 3 14.4  ( 7.2)
กระแสกิ่ง จะหาได้จาก i1    3.6 A
6 6
v1  v 2 14.4  7.2
i2    2.4 A
3 3
v2 7.2
i3    1.2 A
6 6
v2  v3 7.2  ( 7.2)
ix    1.2 A
12 12
กาลังไฟฟ้า จะหาได้จาก Pi s 6 A   i s 6 A  v1   6  14.4   86.4 W
PR 6  i1 (v1  v 3 )  3.6  [14.4  ( 7.2)]  77.76 W

PR 3  i2 (v1  v2 )  2.4  (14.4 - 7.2)  17.28 W
PR 6  i3  v 2  1.2  7.2  8.64 W
PR12  i x (v2  v3 )  1.2 (7.2  ( 7.2))  17.28 W
Pi s 4 i x  4i x  v 3  4(1.2)  ( 7.2)   34.56 W
กาลังไฟฟ้าที่แหล่งจ่ายกระแสอิสระ 6 A มีค่าเท่ากับ –86.4 W เนื่องจากกระแสไหลออกจากขั้วบวก

ซึ่งเป็นไปตามข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ สาหรับกาลังไฟฟ้าที่แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าไม่อิสระ 4ix
กระแสไหลเข้าขั้วบวกที่โนด v3 สมการค่ากาลังไฟฟ้าจึงไม่มีเครื่องหมายลบ แต่เนื่องจากแรงดันโนด v3 มีค่า
เป็นลบ จึงทาให้กาลังไฟฟ้าที่แหล่งจ่ายกระแส 4ix เป็นลบ ซึ่งแสดงถึงการเป็นองค์ประกอบจ่ายกาลังไฟฟ้า
3.4 ระเบียบวิธีแรงดันโนดในวงจรแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า
สาหรับวงจรที่ประกอบด้วย แหล่งจ่ายแรงดันระหว่างโนด 2 โนด จะมีขั้นตอนในการวิเคราะห์วงจร
ด้วยระเบียบวิธีแรงดันโนดในวงจรแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Node Voltage Method with Voltage Source)
ดังแสดงตัวอย่างวงจรดังภาพ 3.11
107
กรณีที่ 1 แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าอยู่ระหว่างแรงดันโนด (vn) และโนดอ้างอิง (0 V) จะกาหนดให้แรงดัน โนดมี

ค่าเท่ากับแรงดันไฟฟ้าทีแ่ หล่งจ่าย
จากภาพ 3.11 แรงดันโนด v1 จะได้ v1  12 V (3.11)
6 Supernode
i4
v2 6V
3 i1
v1 v3
i2 i3
12V 9 12 
ภาพ 3.11 วงจรที่ประกอบด้วยซูเปอร์โนด
กรณี ที่ 2 แหล่ งจ่ ายแรงดัน ไฟฟ้า (ทั้งแบบอิสระและไม่อิส ระ) อยู่ระหว่างแรงดัน โนด 2 โนด (v2 และ v3)
เรียกว่า โนดทั่วไป (Generalized node) หรือ ซูเปอร์โนด (Supernode) ซึ่งจะใช้ทั้ง KCL และ KVL ในการ
พิจารณาค่าแรงดันทีโ่ นดดังกล่าว ดังนี้
จากภาพ 3.11 โนด v2 และ v3 อยู่ในลักษณะซูเปอร์โนดใช้ KCL ทีซ่ ูเปอร์โนด จะได้
i1  i4  i2  i3 (3.12a)
v1  v 2 v1  v 3 v  0 v3  0
หรือ   2  (3.12b)
3 6 9 12
และใช้ KVL ทีซ่ ูเปอร์โนด จากภาพ 3.11 ได้ ดังภาพ 3.12
6V
 
v2 v3
 
ภาพ 3.12 การใช้ KVL ทีซ่ ูเปอร์โนด
 v2  6  v3  0  v2  v3  6 (3.13)
จากสมการ (3.11) – (3.13) ซึ่งจะสามารถแก้สมการหาค่าแรงดันที่โนดได้ ดังตัวอย่าง 3.3

108
ตัวอย่าง 3.3 หาค่าแรงดันโนด จากวงจรดังภาพ 3.13

40 
5V
v1 v2
2A 10  20  4A
วิธีทา จากภาพ 3.13 ซูเปอร์โนดอยู่ที่ โนด v1, v2 ตัวต้านทาน R 40  และแหล่งจ่ายแรงดัน ไฟฟ้า 5 V

ดังภาพ 3.14
v1 v2
2A 4A
i1 i2
2A 10  20  4A
KCL ที่ ซูเปอร์โนด; 2  4  i1  i2

v1  0 v 2  0
10 20
หรือ v 2  120  2v1 (3.3.1)
ใช้ KVL ทีซ่ ูเปอร์โนด เพื่อหาความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันโนด v1 และ v2 ดังภาพ 3.15
จะได้  v1  5  v 2  0
หรือ v2  v1  5 (3.3.2)
109
5V
 
v1 v2
 
จากสมการ (3.3.1) และ (3.3.2) จะได้ v1  5  120  2v1

หรือ 3v1  125
ดังนั้น v1  41.67 V และ v 2  36.67 V
ตัวอย่าง 3.4 หาแรงดันที่โนด จากวงจรดังภาพ 3.16
15 
 vx 
10 V 2 20 
3
2v x
1 4
5 5A 2A 10 

วิธีทา จากภาพ 3.16 v1, v2 และ v3, v4 อยู่ในลักษณะของซูเปอร์โนด ดังภาพ 3.17
15 
i1  vx  i1
v2 20  v3
v1 v4
i3 i4
i2
5 5A 2A 10 

110
KCL ทีซ่ ูเปอร์โนด v1, v2 ; 5  i1  i2  i3

v1  v 4 v1 v 2  v 3
จากกฎของโอห์ม จะได้ 5   
15 5 20
หรือ 16v1  3v 2  3v 3  4v 4  300 (3.4.1)
KCL ทีซ่ ูเปอร์โนด v3, v4 ; 2  i1  i3  i4
v1  v 4 v 2  v 3 v
จากกฎของโอห์ม จะได้ 2   4
15 20 10
หรือ  4v1  3v2  3v3  10v4  120 (3.4.2)
ใช้ KVL เพื่อหาความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันโนดและแหล่งจ่ายแรงดัน ดังภาพ 3.18

15 
 vx  mesh 3
10 V 20  2v x
  i3  
v1 v2 v3 mesh 2 v4
mesh 1
   
KVL เมซ 1;  v1  10  v2  0
ดังนั้น v1  v2  10 (3.4.3)
KVL เมซ 2;  v 3  2v x  v 4  0
ซึง่ vx = v1 – v4 ดังนั้น 2v1  v3  v4  0 (3.4.4)
KVL เมซ 3; v x  2v x  20i3  10  0
ซึง่ 20i3 = v3 - v2 และ vx = v1 - v4
ดังนั้น  v1  v 2  v 3  v 4  10 (3.4.5)
แทนสมการ (3.4.3) ลงในสมการ (3.4.1) และ (3.4.2) จะได้
111
19v1  3v 3  4v 4  330 (3.4.6)

 7v1  3v 3  10v 4  90 (3.4.7)
จากสมการ (3.4.4), (3.4.6) และ (3.4.7) จะได้
 2  1  1   v1  0
 
 19  3  4  v 3  330
 7 3 10  v 4   90 
2 1 1
เมื่อ   19  3  4  ( 60  28  57)  ( 21  24  190)
 7 3 10
 ( 145)  ( 235)  90
0 1 1
v 1  330  3  4  (0  360  990)  (270  0  3300)
90 3 10
 ( 630)  ( 3030)  2400
2 0 1
v 3  19 330  4  (6600  0  1710)  (2310  720  0)
 7 90 10
 (4890)  (1590)  3300
2 1 0
v 4  19  3 330  (-540  2310  0) - (0  1980 - 1710)
 7 3 90
 (1770)  (270)  1500
v1 2400
ดังนั้น v1    26.67 V
 90
v 3 3300
v3    36.67 V
 90
v 4 1500
v4    16.67 V
 90
v 2  v1  10  16.67 V
112
ระเบียบวิธีแรงดันโนด เหมาะสาหรับวงจรที่มีลักษณะ ดังนี้
1. มีแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าหลายแหล่งจ่ายในวงจร
2. มีจานวนโนดมากกว่าจานวนเมซ
3. มีซูเปอร์โนดต่อขนานกันเป็นจานวนมาก
4. เป็นวงจรที่ต้องการทราบค่าแรงดันที่โนด
3.5 ระเบียบวิธีกระแสเมซ
ระเบี ย บวิธี ก ระแสเมซ (Mesh Current Method) หรื อ การวิ เคราะห์ เมซ (mesh analysis) เป็ น
ระเบี ยบวิธีพื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์ ทางไฟฟ้า เช่น การวิเคราะห์ วงจรไฟฟ้า วงจรอิเล็กทรอนิกส์ และ
เครื่องจักรกลไฟฟ้า เช่นเดียวกับระเบียบวิธีแรงดันโนด
ระเบียบวิธีกระแสเมซจะใช้ KVL เพื่อหาค่ากระแสเมซที่ไม่ทราบค่า ซึ่งสามารถวิเคราะห์ได้เฉพาะ
วงจรระนาบ (planar circuit) เท่านั้น กล่าวคือ วงจรที่จะวิเคราะห์ด้วยระเบียบวิธีกระแสเมซ ควรเป็นวงจรที่
ไม่มกี ิ่งหนึ่งกิ่งใดพาดผ่านกัน ตัวอย่างเช่นวงจร ดังภาพ 3.19
1A 1A
2 2
1 3
1 5 6
3 4
5 6
4
8 7
8 7
(ก) (ข)
ภาพ 3.19 ตัวอย่างวงจรที่สามารถใช้วิธีการวิเคราะห์กระแสเมซได้
(ก) วงจรระนาบที่มีกิ่งพาดผ่าน (ข) วงจรจากภาพ (ก) ที่จัดรูปใหม่โดยไม่มีกิ่งพาดผ่านกัน
สาหรับวงจรที่ไม่สามารถเขียนให้เป็นวงจรระนาบได้ ตัวอย่างดังภาพ 3.20 จะสามารถวิเคราะห์วงจร

ได้โดยใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนดได้ แต่ไม่สามารถใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซได้
113
1
5
7 2
4
6
3
13 
5A 12 
9
11  8
10
ภาพ 3.20 วงจรที่ไม่สามารถใช้วิธีการวิเคราะห์กระแสเมซได้

I1 R1 I2 R2
a b c
I3
V1 i1 i2 V2
R3
f
e
d
ภาพ 3.21 วงจรไฟฟ้าที่มี 2 เมซ

เพื่อความเข้าใจเกี่ยวกับ ระเบียบวิธีกระแสเมซ จึงจาเป็นต้องเข้าใจในความหมายของ เมซ (mesh)
เสียก่อน
จากภาพ 3.21 บริเวณปิ ด abefa และ bcdeb เป็ น เมซ แต่ abcdefa เป็ นลู ป เนื่ องจากมีเมซอยู่
ภายในลูป กระแสที่ไหลรอบเมซ เรียกว่า กระแสเมซ (mesh current) ในการวิเคราะห์วงจรด้วยระเบียบวิธี
กระแสเมซจะใช้ KVL และกฎของโอห์ ม เพื่ อ หาค่ากระแสเมซในวงจร ในหั ว ข้อ นี้ จ ะกล่ าวถึง วงจรที่ ไม่ มี
แหล่งจ่ายกระแสระหว่างเมซเป็นอันดับแรก และสาหรับวงจรที่ประกอบด้วยแหล่งจ่ายกระแสระหว่างเมซ
จะอธิบายในหัวข้อถัดไป
การวิเคราะห์วงจรด้วยระเบียบวิธีกระแสเมซ สาหรับวงจร n เมซ ที่ไม่มีแหล่งจ่ายกระแสระหว่างเมซ
มี 3 ขั้นตอนดังนี้
1. กาหนดกระแสในแต่ ล ะเมซ เช่ น i1 และ i2 จากภาพ 3.21 คื อ กระแสที่ ไหลในเมซ 1 และ 2
ตามลาดับ โดยกระแสเมซที่กาหนดควรกาหนดให้ไหลไปในทิศทางเดียวกัน เพื่อความสะดวกในการวิเคราะห์
วงจร ในที่นี้จะกาหนดให้ไหลไปในทิศทางตามเข็มนาฬิกา
2. ใช้ KVL ในทุก ๆ เมซ ดังนี้
114
KVL ทีเ่ มซ 1;  V1  R1i1  R3 ( i1  i2 )  0

หรือ ( R1  R3 ) i1  R3 i2  V1 (3.14)
KVL ทีเ่ มซ 2; R2i2  V2  R3 ( i2  i1 )  0
หรือ  R3 i1  ( R2  R3 ) i 2   V2 (3.15)
3. แก้สมการหาค่ากระแสเมซ จากสมการ (3.14) และ (3.15) จะได้
R1  R3  R3   i1 
  1 
V
(3.16)
  R3 R2  R3  i2   V2 
ในการวิเคราะห์วงจรด้วยระเบียบวิธีกระแสเมซ จะใช้สัญลักษณ์ i แทนกระแสเมซ และสัญลักษณ์ I
แทนกระแสในกิ่ง ซึ่งกระแส I1, I2, และ I3 คือ ผลรวมทางพีชคณิตของกระแสเมซ จากภาพ 3.21 จะได้
I1  i1 , I2  i2 , I3  i1  i2 (3.17)
จากสมการ 3.16 ซึ่งเขียนอยู่ในรูปเมทริกซ์ RI = V ดังนี้
 R11 R12   i1 
  1
V
(3.18)
R21 R22  i 2  V2 
จากสมการ (3.18) ค่าความต้านทานไฟฟ้าในตาแหน่ง R11 จะพบว่า มีค่าเท่ากับค่าความต้านทานรวม
ที่ต่ออยู่ภายในเมซ i1 และค่าความต้านทานไฟฟ้าในตาแหน่ง R12 จะพบว่า มีค่าเท่ากับค่าความต้านทานไฟฟ้า
ที่เชื่อมโยงระหว่างเมซ i1 และเมซ i2 และมีค่าเป็นลบ (-) ในทานองเดียวกัน ค่าความต้านทานไฟฟ้าในตาแหน่ง
R22 จะมีค่าเท่ากับค่าความต้านทานไฟฟ้ารวมที่ต่ออยู่ภายในเมซ i2 และค่าความต้านทานไฟฟ้าในตาแหน่ง R21
จะมีค่าเท่ากับค่าความต้านทานไฟฟ้าที่เชื่อมโยงระหว่างเมซ i2 และเมซ i1 และมีค่าเป็นลบ
สรุ ป ได้ ดั งนี้ ในวงจรไฟฟ้ าที่ ไม่ มี แ หล่ งจ่ ายไม่ อิส ระ ประกอบไปด้ ว ย n เมซที่ พิ จารณา ค่ า ความ
ต้านทานไฟฟ้า ในเมทริกซ์ RI = V ในตาแหน่ งแนวทแยง (ตาแหน่งเลขแถวเท่ากับหลั ก เช่น R11 R22 R33
เป็นต้น) จะมี ค่าความต้านทานไฟฟ้าเท่ากับความต้านทานไฟฟ้ารวมที่ต่ออยู่ภายในเมซนั้น ๆ และค่าความ
ต้านทานไฟฟ้าในตาแหน่งอื่นจะมีค่าเท่ากับค่า ความต้านทานไฟฟ้าที่เชื่อมโยงระหว่างเมซข้างเคียงและมีค่า
เป็ น ลบ เช่ น R12 คื อ ค่ า ความต้ า นทานไฟฟ้ า ที่ เ ชื่ อ มโยงระหว่ า งเมซ i1 และเมซ i2 และ R21 คื อ
ค่าความต้านทานไฟฟ้าที่เชื่อมโยงระหว่างเมซ i2 และเมซ i1 เป็นต้น
115
ตัวอย่าง 3.5 หากระแสในกิ่ง I1, I2, I3 ด้วยระเบียบวิธีกระแสเมซ จากวงจรดังภาพ 3.22

I1 5 I2 5
I3
10 
10 V i1 i2 15 
5V

วิธีทา KVL ที่เมซ 1;  10  5i1  10( i1  i2 )  5  0
หรือ 15i1  10i2  15 (3.5.1)
KVL ที่เมซ 2; 5i2  15i2  10( i2  i1 )  5  0
หรือ  10i1  30i2   5 (3.5.2)
พิจารณาสมการ (3.5.1) และ (3.5.2) จะพบว่า เป็นไปตามข้อสังเกตที่ 3.2

วิธีที่ 1 จากสมการ (3.5.1) และ (3.5.2) ใช้วิธีการแทนค่า
แทนสมการ (3.5.2) ใน (3.5.1) จะได้ 45i2  7.5  10i2  15
ดังนั้น i2  0.21 A
แทนค่า i2 ใน (3.5.2) จะได้ i1  [30(0.21)  5] / 10  1.14 A
ฉะนั้น I1  i1  1.14 A
I2  i2  0.21 A
และ I3  i1  i2  0.93 A
วิธีที่ 2 ใช้กฎของเครเมอร์ จากสมการ (3.5.1) และ (3.5.2) จะได้

 15  10  i1    15 
 10 30  i 2   5
116
เมื่อ   15  10  450  100  350

 10 30
i1  155 3010  450  50  400
i2  1510 155   75  ( 150)  75
i1 400
ดังนั้น i1    1.14 A
 350
i 2 75
i2    0.21 A
 350
ตัวอย่าง 3.6 ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซ หากระแส io จากวงจรดังภาพ 3.23
i2 10 
5
12 V 5
i1
io
i3 5io
15 
i1 i3
A
KVL ทีเ่ มซ 1;  12  5( i1  i 2 )  15( i1  i 3 )  0
หรือ 20i1  5i 2  15i 3  12 (3.6.1)
KVL ทีเ่ มซ 2; 10i 2  5( i 2  i 3 )  5( i 2  i1 )  0
หรือ  5i1  20i 2  5i 3  0 (3.6.2)
KVL ทีเ่ มซ 3; 5i o  15( i 3  i1 )  5( i 3  i 2 )  0
ซึง่ io = i1 – i3 ที่โนด A จะได้ 5( i1  i 3 )  15( i 3  i1 )  5( i 3  i 2 )  0
หรือ  10i1  5i 2  15i 3  0 (3.6.3)
117
จากสมการ (3.6.1), (3.6.2) และ (3.6.3) จะได้
 20  5  15  i1  12
  5 20  5  i 2    0 
 10  5 15  i 3   0 
เมื่อ
20  5  15 20 5
   5 20  5  5 20
 10  5 15  10 5
 [6000  250  375]  [3000  500  375]  1500
12  5  15 12 5
i1  0 20  5 0 20  3600  300  3300
0  5 15 0 5
20 12  15 20 12
i 2   5 0  5  5 0  600  ( 900)  1500
 10 0 15  10 0
20  5 12 20  5
i 3   5 20 0  5 20  300  ( 2400)  2700
 10  5 0  10  5
ซึ่งจะได้กระแสเมซ
i1 3300
i1    2.2 A
 1500
i 2 1500
i2    1A
 1500
i 3 2700
i3    1.8 A
 1500
และ i o  i1  i 3  0.4 A
118
3.6 ระเบียบวิธีกระแสเมซในวงจรแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า
การใช้ ร ะเบี ย บวิ ธี ก ระแสเมซในวงจรที่ ป ระกอบด้ ว ยแหล่ งจ่ า ยกระแส (ทั้ ง อิ ส ระ และไม่ อิ ส ระ)
(Mesh Current Method with Current Source) สามารถวิเคราะห์ได้ง่ายกว่าวงจรที่ไม่มี แหล่งจ่ายกระแส
เพราะจะช่วยลดจานวนตัวแปรที่ไม่ทราบค่าได้ โดยจะเป็นไปได้ 2 กรณี ดังนี้
กรณีที่ 1 แหล่งจ่ายกระแสอยู่ในเมซใดเมซหนึ่ง จะสามารถกาหนดให้กระแสในเมซนั้นมีค่าเท่ากับกระแสจาก
แหล่งจ่ายกระแส ดังภาพ 3.24
3 9
12 V i1 6 i2 2.5 A
ภาพ 3.24 วงจรที่ประกอบด้วยแหล่งจ่ายกระแส

จากภาพ 3.24 จะกาหนดให้ i2 = -2.5 A โดยจะได้สมการกระแสเมซในเมซที่เหลือดังนี้
 12  3i1  6( i1  i 2 )  0
i1   0.33 A (3.19)
6 10  6 10 
2
4 4
i1 i2
20 V i1 i2 20 V
6A
i1 x i 2 Exclude these
element
(ก) (ข)
ภาพ 3.25 (ก) วงจร 2 เมซ ที่ต่อร่วมแหล่งจ่ายกระแส
(ข) ซูเปอร์เมซ เมื่อปลดแหล่งจ่ายกระแส
กรณีที่ 2 แหล่งจ่ายกระแสอยู่ระหว่างเมซ 2 เมซ ดังภาพ 3.25 จะเรียกว่า ซูเปอร์เมซ (Supermesh) ซึ่งจะ
สามารถวิเคราะห์วงจร ได้ดังนี้
จากภาพ 3.25 (ก) กาหนดให้แหล่งจ่ายกระแส 6 A ,R 2  เป็นซูเปอร์เมซ ดังภาพ 3.25 (ข)
ใช้ KVL ในภาพ 3.25 (ข) จะได้  20  6i1  10i2  4i2  0
119
หรือ 6i1  14i2  20 (3.20)

ใช้ KCL ที่โนดซูเปอร์เมซ (โนด x) จะได้
i2  i1  6 (3.21)
จากสมการ (3.20) และ (3.21) จะได้ i1   3.2 A , i2  2.8 A (3.22)
ตัวอย่าง 3.7 หากระเสเมซ i1 , i2 , i3 และ i4 โดยใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซ จากวงจรดังภาพ 3.26

2
4
i1 i1
8 12 
P
i2 io
6A
6 i2 i3 10  i 4
12 V
2io
i2 Q i3
วิธีทา จากภาพ เมซ i1 และ i2 อยู่ในรูปแบบซูเปอร์เมซ ที่ประกอบด้วยแหล่งจ่ายกระแสอิสระ 6 A

เมซ i2 และ i3 อยู่ในรูปแบบซูเปอร์เมซ เช่นกัน แต่ประกอบด้วยแหล่งจ่ายกระแสพึ่งพิง 2io A
ใช้ KVL ทีซ่ ูเปอร์เมซ จะได้ 6i1  8i 3  10( i 3  i 4 )  6i 2  0
หรือ 6i1  6i 2  18i 3  10i 4  0 (3.7.1)
ใช้ KVL ที่เมซ i4 จะได้ 12i 4  10( i 4  i 3 )  12  0
หรือ  10i 3  22i 4   12 (3.7.2)
ใช้ KCL ที่โนดซูเปอร์เมซ (โนด P) จะได้ i 2  6  i1 (3.7.3)
ใช้ KCL ที่โนดซูเปอร์เมซ (โนด Q) จะได้ i 3  2i o  i 2
โดยที่ io = -i4 ฉะนั้นจะได้ i 3  2i 4  i 2 (3.7.4)
แทนสมการ (3.7.3) และ (3.7.4) ใน (3.7.1) จะได้ 30i 3  14i 4   36 (3.7.5)
120
จากสมการ (3.7.2) และ (3.7.5) จะได้ i 3   0.78 A

i 4   0.90 A
แทนค่า i3 และ i4 ใน (3.7.4) จะได้ i 2   2.58 A
แทนค่า i2 ใน (3.7.3) จะได้ i1  3.42 A
ระเบียบวิธีกระแสเมซ เหมาะสาหรับวงจรที่มีลักษณะ ดังนี้
1. มีแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าหลายแหล่งจ่ายในวงจร
2. มีจานวนเมซมากกว่าจานวนโนด
3. มีซูเปอร์เมซต่ออนุกรมกันเป็นจานวนมาก
4. เป็นวงจรที่ต้องการทราบค่ากระแสที่เมซ
3.7 การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า โดยใช้ PSpice Student Version

การใช้ PSpice กับระเบียบวิธีวิเคราะห์วงจร มีลาดับขั้นการจาลองเหตุการณ์ในวงจรเช่นเดียวกับใน
หั ว ข้อ กฎพื้ น ฐาน คือ การจ าลองเหตุก ารณ์ โดยการวิเคราะห์ กระแสตรง ในหั ว ข้อ นี้จะยกตัว อย่ างการใช้
PSpice กับ ระเบียบวิธีแรงดันโนด ระเบียบวิธีแรงดันโนดในวงจรแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า ระเบียบวิธีกระแส
เมซ และระเบียบวิธีกระแสเมซในวงจรแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า ตามลาดับ
ตัวอย่าง 3.8 หาแรงดันโนดในวงจร จากวงจรดังภาพ 3.27 (ภาพสาหรับตัวอย่าง 3.1) โดยใช้ PSpice

5A
4
1 2
2 6 10 A
ภาพ 3.27 สาหรับตัวอย่าง 3.1 และ 3.8

วิธีทา การจาลองเหตุการณ์ในวงจรตามภาพ 3.27 ทาได้โดยวิเคราะห์กระแสตรง โดยมีรายการอุปกรณ์ ดังนี้
แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้ากระแสตรง IDC กาหนดค่าที่ 10 A, 5 A และตัวต้านทาน R กาหนด 2 , 4  และ
6  ตามลาดับ
121

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 13.3330 ( 2) 20.0000
Schematics จากวงจรดังภาพ 3.27 แสดงดังภาพ 3.28
ค่าจาก VIEWPOINT ที่โนด v1 และ v2 ดังภาพ 3.28 มีค่าเท่ากับผลการคานวณในตัวอย่าง 3.1
ตัวอย่าง 3.9 ใช้ PSpice ทาซ้าตัวอย่าง 3.2 โดยหาแรงดันโนด

วิธีทา Schematics จากวงจรดังภาพ 3.9 แสดงดังภาพ 3.29
GAIN=4
จากภาพ 3.29 แสดงการใช้อุปกรณ์ BUBBLE (สัญลักษณ์ ภาพเข็ม) เพื่อลดการเชื่อมต่อ แหล่งจ่าย

กระแสไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยกระแสไฟฟ้า (CCCS) โดยกาหนดชื่อเป็น ix1 และ ix2 แทนทิศทางการไหลของ
กระแส ix จาก BUBBLE ix1 ไปยัง ix2 ทั้งการไหลของกระแสระหว่างโนด 2 ไปยัง 3 และที่ไหลเข้า CCCS
122

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 14.4000 ( 3) -7.2000 ( ix1) 7.2000 ( ix2) 7.2000
ตัวอย่าง 3.10 ใช้ PSpice ทาซ้าตัวอย่าง 3.3 โดยหาแรงดันโนด
วิธีทา Schematics และผลการจาลองเหตุการณ์ จากวงจรดังภาพ 3.13 แสดงดังภาพ 3.30
จากภาพ 3.30 ค่าแรงดันไฟฟ้าที่โนด v1 และ v2 มีค่าเท่ากับ 41.67 V และ 36.67 V ตามลาดับ ซึ่งมี
ค่าเท่ากับผลการคานวณในตัวอย่าง 3.3 แต่การจาลองเหตุการณ์ในวงจรที่มีแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าระหว่างโนด
ที่พิจารณา หรือซูเปอร์โนดโดยใช้ PSpice ทาได้โดยง่าย ซึ่งไม่ต้องทาการหาความสัมพันธ์ของกระแสไฟฟ้าที่
ซูเปอร์โนด และหาความสัมพันธ์ของแรงดันไฟฟ้าที่ซูเปอร์โนด เช่นเดียวกับการคานวณดังตัวอย่าง 3.3
ตัวอย่าง 3.11 หาค่ากระแสไฟฟ้าที่กิ่ง i1 , i2 และ i3 จากวงจรดังภาพ 3.31 โดยใช้ PSpice

1
4 2 3Vo
i1 i2 i3

24 V 2 8 4 Vo


วิธีทา Schematics และผลการจาลองเหตุการณ์ จากวงจรดังภาพ 3.31 แสดงดังภาพ 3.32
123
GAIN=3
จากภาพ 3.32 แสดงการใช้อุปกรณ์ BUBBLE (สัญลักษณ์ ภาพเข็ม) เพื่อลดการเชื่อมต่อ แหล่งจ่าย

แรงดันไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยแรงดัน ไฟฟ้า (VCVS) โดยกาหนดชื่อเป็น Vo1 และ Vo2 แทนขั้วของแรงดัน vo
โดยที่ BUBBLE Vo1 มีศักย์ไฟฟ้าสูงกว่า Vo2 ทั้งแรงดันตกคร่อม R 4  และแรงดันที่ VCVS
ค่ากระแสที่กิ่ง i1 , i2 และ i3 ตามลาดับ ได้จากการใช้ IPROBE ซึ่งได้ค่ากระแสไฟฟ้าเท่ากับ 1.333 A,
1.333 A และ 2.667 A ตามลาดับ
3.8 การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้า โดยใช้ MATLAB

โปรแกรม MATLAB เป็นโปรแกรมที่มีความสามารถในการวิเคราะห์เมทริกซ์ และเวกเตอร์ เป็นอย่าง
สูง ดังแสดงการใช้ MATLAB เบื้องต้นในภาคผนวก จ จากระเบียบวิธีแรงดันโนดและกระแสเมซในหัวข้อที่ผ่าน
มา ซึ่งใช้กฎพื้นฐาน ได้แก่ กฎของเคอร์ชอฟฟ์ และกฎของโอห์มเข้ามาช่วยในการวิเคราะห์วงจร ซึ่งจะได้ชุด
สมการเชิงเส้น n ตัวแปร n สมการ ในรูปของเมทริกซ์ GV = I และ RI = V จากระเบียบวิธีแรงดันโนด และ
กระแสเมซตามลาดับ
การแก้ปัญหาสมการเชิงเส้นมีหลายระเบียบวิธีด้วยกัน ในหัวข้อนี้จะอธิบายเฉพาะวิธีเมทริกซ์ผกผัน
และกฎของเครเมอร์ โดยใช้ MATLAB เท่านั้น
1. วิธีเมทริกซ์ผกผัน (inverse matrix) จากเมทริกซ์ GV = I ซึ่ง G เป็นเมทริกซ์สัมประสิทธิ์ V และ
I เป็นเวกเตอร์ การใช้ MATLAB แก้ปัญหาสมการเชิงเส้นหาค่า V ทาได้ ดังนี้
จาก GV = I ดังนั้น V = G-1I ใช้คาสั่งบน MATLAB ดังนี้ >>V = inv(G)*I
ตัวอย่าง 3.12 ใช้ MATLAB หาค่าแรงดันที่โนดจากตัวอย่าง 3.4 โดยมีเมทริกซ์ ดังนี้
3  1  2   v 1  0
6  1  2  v 3   80
6  5  16 v 4  40
124
วิธีทา จากเมทริกซ์ข้างต้น สามารถเขียนเมทริกซ์ G และเวกเตอร์ I บน MATLAB ได้ดังนี้

>> G = [3 -1 -2; 6 -1 -2; 6 -5 -16];
>> I = [0; 80; 40];
>> V = inv(G)*I
V=
26.6667
173.3333
-46.6667
ดังนั้น จะได้ V1 = 26.67 V, V2 = 173.33 V และ V3 = -46.67 V
2. กฎของเครเมอร์ (Cramer’s rule) มีระเบียบวิธีการแก้ปัญหาสมการเชิงเส้น ดังนี้

1  
x1  , x 2  2 ,  , xn  n
  
โดยที่  , 1, 2,  , n คือ ดีเทอร์มิแนนท์ ดังแสดงรายละเอียดในภาคผนวก ก.
ตัวอย่าง 3.13 ใช้ MATLAB ทาซ้าตัวอย่าง 3.12 โดยใช้กฎของเครเมอร์
3  1  2   v 1  0
วิธีทา จากเมทริกซ์ 6  1  2  v 3   80
6  5  16 v 4  40
หรือ GV = I หาเวกเตอร์ V โดยใช้กฎของเครเมอร์บน MATLAB ได้ ดังนี้
>> A=[3 -1 -2; 6 -1 -2; 6 -5 -16]; %A=G
>> B=[0; 80; 40]; %B=I
>> V1=det([B A(:,2) A(:,3)])/det(A);
>> V2=det([A(:,1) B A(:,3)])/det(A);
>> V3=det([A(:,1) A(:,2) B])/det(A);
>> V=[V1; V2; V3]
125
V=
26.6667
173.3333
-46.6667
3.9 การประยุกต์ใช้ระเบียบวิธีการวิเคราะห์วงจร
เนื้อหาในส่วนนี้จะอธิบ ายถึง ตัวอย่างการประยุกต์ใช้ ระเบียบวิธีวิเคราะห์ วงจรที่พบได้บ่อยในด้าน
วิศวกรรมไฟฟ้า คือ การวิเคราะห์วงจรทรานซิสเตอร์ และเครื่องจักกลไฟฟ้ากระแสตรง คือ เครื่องกาเนิดไฟฟ้า
กระแสตรง และ มอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรง ตามลาดับ
3.9.1 วงจรทรานซิสเตอร์กระแสตรง (DC Transistor Circuit)
ทรานซิ ส เตอร์ พื้ น ฐานมี อ ยู่ 2 แบบ คื อ ทรานซิ ส เตอร์ แ บบมี ผ ลจากสนามไฟฟ้ า (Field Effect
Transistor: FET) และทรานซิสเตอร์แบบรอยต่อสองขั้ว (Bipolar Junction Transistor: BJT) ทรานซิสเตอร์
แบบ BJT มี 2 ชนิด คือ npn และ pnp มีสัญลักษณ์ดังภาพ 3.33 แต่ละชนิดมีขั้วต่อ 3 ขั้ว ดังนี้ อิมิตเตอร์
(Emitter: E) เบส (Base: B) และ คอลเลคเตอร์ (Collector: C) ซึ่ ง ในหั ว ข้ อ นี้ จ ะน าเสนอตั ว อย่ า งการ
ประยุกต์ใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนด และระเบียบวิธีกระแสเมซในวงจรทรานซิสเตอร์กระแสตรงของแบบ BJT
ชนิด npn เท่านั้น
Collector Collector
C C
n p
p B Base n B
n p
E E
Emitter Emitter
(ก) (ข)
ภาพ 3.33 ทรานซิสเตอร์แบบ BJT และสัญลักษณ์ (ก) npn และ (ข) pnp
กระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์ชนิด npn แสดงดังภาพ 3.34

126
VCE
Emitter - + Collector
- +
IE IC
V BE + - VBC
Base
IB
Re VEE Rc V CC
ภาพ 3.34 กระแสไฟฟ้าและแรงดันไฟฟ้าที่ขั้วขาของทรานซิสเตอร์ (Schilling, L. D. & Belove, C; 1989)

จากภาพ 3.34 พิจารณาความสัมพันธ์ของกระแสที่ทรานซิสเตอร์ โดยใช้ KCL ที่ทรานซิสเตอร์ จะได้
IE  IB  IC (3.23)
เมื่อ IE , IB และ IC คือ กระแสอิมิตเตอร์ กระแสเบส และกระแสคอลเลคเตอร์ ตามลาดับ
พิ จ ารณาความสั ม พั น ธ์ของกระแสและแรงดัน ที่ ท รานซิส เตอร์ โดยใช้ KVL ที่ เบส-อิ มิ ต เตอร์เมซ
(base-emitter mesh)
จะได้ VBE  I E Re  VEE  0
VEE  VBE
หรือ IE  (3.24)
Re
จากสมการ (3.23) และ (3.24) แสดงตัว อย่างความสัม พัน ธ์ของกระแสไฟฟ้าและแรงดัน ไฟฟ้าที่
ทรานซิสเตอร์แบบ BJT ชนิ ด npn สาหรับการวิเคราะห์วงจรทรานซิสเตอร์โดยทั่วไปจะมีคุณลักษณะทาง
ไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์เข้ามาร่วมพิจารณาด้วย การวิเคราะห์วงจรทรานซิสเตอร์สามารถศึกษาเพิ่มเติมได้จาก
หนังสือวงจรอิเล็กทรอนิกส์ หรือศึกษาเพิ่มเติมได้ใน Schilling, L. D. & Belove, C (1989)
3.9.2 เครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแสตรง (DC Generator)
เครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแสตรง คือ เครื่องจักรกลไฟฟ้ากระแสตรงประเภทหนึ่ง ซึ่งแปลงพลังงานกล
เป็นพลังงานไฟฟ้ากระแสตรง มีหน้าที่ผลิตไฟฟ้ากระแสตรง โดยอาศัยการเคลื่อนที่ของตัวนาไฟฟ้าที่โรเตอร์
(rotor) (ส่วนหมุน) เคลื่อนตัวตัดผ่านสนามแม่เหล็กไฟฟ้าที่สเตเตอร์ (stator) (ส่วนที่อยู่กับที่) เครื่องกาเนิด
ไฟฟ้ากระแสตรงแบ่งออกเป็น 2 ชนิด คือ ชนิดกระตุ้นแยก (separately excited) และชนิดกระตุ้นตัวเอง
(self-excited) และถูกแบ่ งตามลั กษณะการต่อขดลวดออกเป็น 3 แบบ คือ แบบชัน ท์ (shunt) แบบซีรีส์
(series) และแบบคอมปาวด์ (compound) สาหรับแบบคอมปาวด์ แบ่งออกเป็น 2 แบบ คือ แบบช๊อตชันท์
(short-shunt compound) และแบบลองชันท์ (long-shunt compound)
ตัว อย่ างการประยุ ก ต์ใช้ ร ะเบี ย บวิธีแรงดัน โนด และระเบี ยบวิธีกระแสเมซในหั วข้ อนี้ จะเป็ นการ
ยกตัวอย่างเพียงแบบซีรีส์ และแบบชันท์ สาหรับแบบอื่น ๆ สามารถศึกษาได้จากหนังสือเครื่องจักรกลไฟฟ้า
กระแสตรง หรือศึกษาเพิ่มเติมได้ใน Sen, P. C. (1997)
127
วงจรสมมูลของเครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแสตรงแบบชันท์ และแบบซีรีส์ แสดงดังภาพ 3.35

If A It It
Ia +
Ia RSE +
R fc Ra Ra
+ + RL
Vt RL Vt
Ea Ea
- - -
R fw -
(ก) (ข)
ภาพ 3.35 วงจรสมมูลของเครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแสตรง (Sen, P. C.; 1997) แบบ (ก) ชันท์ และ (ข) ซีรีส์
จากภาพ 3.35 (ก) วงจรสมมูลของเครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแสตรงแบบชันท์
ใช้ KCL ที่โนด A จะได้ It  I a  I f (3.25)
เมื่อ It , Ia และ If คือ กระแสไฟฟ้าที่ขั้วของเครื่องกาเนิดไฟฟ้า (กระแสไฟฟ้าที่จ่ายสู่โหลด) กระแสไฟฟ้าที่
อาร์เมเจอร์ และกระแสไฟฟ้าที่ขดลวดฟิลด์ (ขดลวดสร้างสนามแม่เหล็ก) ตามลาดับ
แรงดันไฟฟ้าที่ขั้วโหลด (Vt) หาได้โดยใช้ KVL ที่ขั้วโหลด
จะได้ Vt  Ea  Ia Ra  0
หรือ Vt  Ea  Ia Ra (3.26)
เมื่อ Ea คือ แรงดันไฟฟ้าเหนี่ยวนาจากเครื่องกาเนิดไฟฟ้า
Ra คือ ค่าความต้านทานของขดลวดอาร์เมเจอร์
จากภาพ 3.35 (ข) วงจรสมมูลของเครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแสตรงแบบซีรีส์ แรงดันไฟฟ้าที่ขั้วโหลด
(Vt) หาได้โดยใช้ KVL ที่ขั้วโหลด
จะได้  Ea  Ia Ra  It RSE  Vt  0
เมื่อ It = Ia ดังนั้น Vt  Ea  Ia ( Ra  RSE ) (3.27)
เมื่อ RSE คือ ค่าความต้านทานของขดลวดซีรีส์ (ขดลวดสร้างสนามแม่เหล็กไฟฟ้า)
3.9.3 มอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรง (DC Motor)
มอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรง คือ เครื่องจักรกลไฟฟ้ากระแสตรงประเภทหนึ่ง ซึ่งแปลงพลังงานไฟฟ้าเป็น
พลังงานกล มอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรงแบ่งตามลักษณะการต่อขดลวดออกเป็น 2 แบบ คือ แบบชันท์ (shunt)
และแบบซีรีส์ (series) วงจรสมมูลของมอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรง แสดงดังภาพ 3.36
128
If A It It
Ia +
Ia RSE +
R fc Ra Ra
+ +
Vt Vt
Ea Ea
- - -
R fw -
(ก) (ข)
ภาพ 3.36 วงจรสมมูลของมอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรง (Sen, P. C.; 1997) (ก) แบบชันท์ และ (ข) แบบซีรีส์
จากภาพ 3.36 (ก) วงจรสมมูลของมอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรงแบบชันท์
ใช้ KCL ที่โนด A จะได้ It  I a  I f (3.28)
เมื่อ It , Ia และ If คือ กระแสไฟฟ้าที่ขั้วของมอเตอร์ไฟฟ้า (กระแสไฟฟ้าที่จ่ายให้กับมอเตอร์) กระแสไฟฟ้าที่
อาร์เมเจอร์ และกระแสไฟฟ้าที่ขดลวดฟิลด์ (ขดลวดสร้างสนามแม่เหล็ก) ตามลาดับ
แรงดันไฟฟ้าที่ขั้วมอเตอร์ (Vt) หาได้โดยใช้ KVL ที่ขั้วมอเตอร์
จะได้ Vt  Ea  Ia Ra  0
หรือ Vt  Ea  Ia Ra (3.29)
เมื่อ Ea คือ แรงดันไฟฟ้าเหนี่ยวนาที่อาร์เมเจอร์
Ra คือ ค่าความต้านทานของขดลวดอาร์เมเจอร์
จากภาพ 3.36 (ข) วงจรสมมูลของมอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรงแบบซีรีส์ แรงดันไฟฟ้าที่ขั้วมอเตอร์ (Vt)
หาได้โดยใช้ KVL ที่ขั้วมอเตอร์
จะได้  Vt  It RSE  Ia Ra  Ea  0
เมื่อ It = Ia ดังนั้น Vt  Ea  Ia ( Ra  RSE ) (3.30)
โดยที่ RSE คือ ค่าความต้านทานของขดลวดซีรีส์ (ขดลวดสร้างสนามแม่เหล็กไฟฟ้า)
1. การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าประกอบด้วยตัวแปรไม่ทราบค่า ได้แก่ แรงดันที่โนดแต่ละโนด กระแสที่
ไหลผ่านองค์ประกอบแต่ละตัว ก่อนเริ่มการวิเคราะห์วงจรจะต้องนิยามตัวแปรที่เกี่ยวข้องให้ชัดเจนและเป็น
ระบบเสียก่อน เพื่อนามาสร้างชุดสมการสาหรับการวิเคราะห์วงจรนั้น ๆ ระเบียบวิธีสาหรับการวิเคราะห์วงจร
129
ได้แก่ ระเบียบวิธีแรงดันโนด และระเบียบวิธีกระแสเมซ วิธีการแก้สมการเพื่อหาค่าตัวแปร ได้แก่ การแทนค่า

การใช้กฎของเครเมอร์ และการใช้ MATLAB
2. ระเบียบวิธีแรงดันโนด หรือการวิเคราะห์โนด จะนิยามแรงดันโนดเป็นตัวแปรอิสระและต้องกาหนด
โนดอ้ า งอิ ง ซึ่ ง มี ศั ก ย์ ไฟฟ้ า เป็ น ศู น ย์ โดยใช้ ก ฎกระแสของเคอร์ ช อฟฟ์ และใช้ ก ฎของโอห์ ม เพื่ อ แสดง
ความสัมพันธ์ของแรงดันระหว่างโนด แล้วทาการแก้สมการเพื่อหาค่าแรงดันที่โนดที่พิจารณา
3. ระเบียบวิธีแรงดันโนดในวงจรแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า
3.1 แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าอยู่ระหว่างแรงดันโนด และโนดอ้างอิง จะกาหนดให้แรงดันโนดมีค่าเท่ากับ
แรงดันไฟฟ้าที่แหล่งจ่าย
3.2 แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าอยู่ระหว่างแรงดันโนด 2 โนด เรียกว่า ซูเปอร์โนดจะต้องใช้ทั้ง KCL และ
KVL เพื่อหาความสัมพันธ์ของกระแสและแรงดันที่ซูเปอร์โนด
4. ระเบียบวิธีกระแสเมซ หรือการวิเคราะห์ เมซ จะใช้ KVL เพื่อหาค่ากระแสเมซที่ไม่ทราบค่า ซึ่ง
สามารถวิเคราะห์ได้เฉพาะวงจรระนาบ คือ วงจรที่ไม่มีกิ่งหนึ่งกิ่งใดพาดผ่านกัน จะนิยามกระแสเมซเป็นตัว
แปรอิสระ โดยใช้กฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ เพื่อแสดงความสัมพันธ์ของกระแสระหว่างเมซ แล้วทาการแก้
สมการเพื่อหาค่ากระแสเมซที่พิจารณา
5. ระเบียบวิธีกระแสเมซในวงจรแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า
5.1 แหล่ งจ่ า ยกระแสอยู่ ในเมซใดเมซหนึ่ ง จะก าหนดให้ ก ระแสในเมซนั้ น มี ค่ า เท่ ากั บ กระแสที่
แหล่งจ่าย
5.2 แหล่งจ่ายกระแสอยู่ระหว่างเมซ 2 เมซ จะเรียกว่า ซูเปอร์เมซ จะต้องใช้ทั้ง KVL และ KCL เพื่อ
หาความสัมพันธ์ของแรงดันและกระแสที่ซูเปอร์เมซ
6. การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าด้วยโปรแกรม PSpice Student Version สาหรับระเบียบวิธีวิเคราะห์
วงจรมีขั้นตอนเช่นเดียวกับการวิเคราะห์กระแสตรงในบทที่ 2
7. การวิเคราะห์ ว งจรไฟฟ้ าด้ว ยโปรแกรม MATLAB สามารถแก้ปั ญ หาสมการเชิงเส้ น ในรูป แบบ
เมทริกซ์ โดยวิธีเมทริกซ์ผกผัน และกฎของเครเมอร์
8. ตั ว อย่ างการประยุ ก ต์ ใช้ ร ะเบี ย บวิ ธีวิ เคราะห์ ว งจร เช่ น วงจรทรานซิ ส เตอร์ก ระแสตรง และ
เครื่องจักรกลไฟฟ้ากระแสตรง ได้แก่ เครื่องกาเนิดไฟฟ้ากระแสตรง และมอเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรง
130
3.11 แบบฝึกหัดท้ายบท
3.1 หาแรงดันที่โนด v1 , v2 ในวงจร โดยใช้ Nodal analysis จากวงจรดังภาพ 3.37
v1 6
v2
1A 2 7 4A
ภาพ 3.37 สาหรับแบบฝึกหัดท้ายบทข้อที่ 3.1

ตอบ v1   2 V v2   14 V
3.2 หาแรงดันที่โนด v1 , v2 , v3 ในวงจร โดยใช้ Nodal analysis จากวงจรดังภาพ 3.38
2
3
4i x
V2
V1 V3
ix
10 A 4 6

ตอบ v1  80 V v2   64 V v3  156 V
3.3 หาแรงดันที่โนด v และ i ในวงจร โดยใช้ Nodal analysis จากวงจรดังภาพ 3.39
3V
4 v1 v2
i

7V 3 v 2 6


ตอบ v   200 mV i  1.4 A
131
3.4 หาแรงดันที่โนด จากวงจรดังภาพ 3.40

6
10 V 5i
v2
v1 v3
i
2 4 3

ตอบ v1  3.043 V v2   6.956 V v3  652.16 mV
3.5 หากระแส i1 , i2 ในวงจร โดยใช้ Mesh analysis จากวงจรดังภาพ 3.41
2 9
12 V i1
12 
i2 8V
4 3

ตอบ i1  666.67 mA i2  0 A
3.6 หากระแส io ในวงจร โดยใช้ Mesh analysis จากวงจรดังภาพ 3.42
6
io i3
4 8
20 V i1 2 i2 10 i o

ตอบ io   5 A
132
3.7 หากระแส i1 , i2 , i3 ในวงจร โดยใช้ Mesh analysis จากวงจรดังภาพ 3.43
2 i3 2
6V i1
4
3A
i2 8
1

ตอบ i1  3.473 A i2  473.68 mA i3  1.1052 A
3.8 ทาซ้าแบบฝึกหัดท้ายบทข้อที่ 3.6 พร้อมทั้งหากระแสไฟฟ้าที่กิ่ง โดยใช้ PSpice
ตอบ
GAIN=10
ภาพ 3.44 Schematics สาหรับแบบฝึกหัดท้ายบท ข้อที่ 3.8

3.9 ทาซ้าแบบฝึกหัดท้ายบทข้อที่ 3.6 หากระแส io ในวงจร โดยใช้ MATLAB
ตอบ
>> A=[6 -2 -4; -2 10 -18; -4 -8 18];
>> B=[20; 0; 0];
>> C=inv(A)*B;
>> Io=C(3)
Io =
-5.0000
ดังนั้น จะได้ io = -5 A
133
3.10 ทาซ้าแบบฝึกหัดท้ายบทข้อที่ 3.7 หากระแส i1 , i2 , i3 ในวงจร โดยใช้ MATLAB

ตอบ
>> A=[14 -6; -6 8];
>> B=[0; 6];
>> C=inv(A)*B;
>> I1=C(1)+3;
>> I2=C(1);
>> I3=C(2);
>> D=[I1;I2;I3]
D=
3.4737
0.4737
1.1053
ดังนั้น จะได้ I1 = 3.47 A, I2 = 0.48 A และ I3 = 1.11 A
134
รายการเอกสารอ้างอิง
McGraw-Hill.
McGraw-Hill.
McGRAW-Hill.
Schilling, L. D. and Belove, C. (1989). Electronic Circuits, Discrete and Integrated. (3rd ed).
Singapore: McGraw-Hill.
Sen, P. C. (1997). Principles of Electric Machines and Power Electronics. (2nd ed). CANADA:
John Wiley & Sons, Inc.
บทที่ 4
ทฤษฎีวงจร
4.1 บทนำ
ระเบียบวิธีวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าซึ่งประยุกต์จากกฎของเคอร์ชอฟฟ์ร่วมกับกฎของโอห์ม ได้แก่ ระเบียบ
วิธีแรงดันโนด ซึ่งใช้กฎกระแสของเคอร์ชอฟฟ์ และระเบียบวิธีกระแสเมซ ซึ่งใช้กฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ ที่
อธิบายในบทที่ผ่านมา ระเบียบวิธีดังกล่าวเป็นการวิเคราะห์วงจรโดยไม่เปลี่ยนแปลงรูปวงจร แต่ ทั้งนี้ระเบียบ
วิธีดังกล่าวไม่เหมาะสมกับวงจรขนาดใหญ่ หรือวงจรที่มีความซับซ้อน รวมถึงวงจรที่มีการเปลี่ยนแปลงค่า
องค์ประกอบภายในวงจร เช่น ตัวต้านทานโหลด เป็นต้น
สาหรับวงจรที่มีความซับซ้อน ยุ่งยาก สามารถวิเคราะห์วงจรได้โดยการแปลงรูปวงจรให้เป็นวงจร
สมมูลอย่างง่าย เพื่อความสะดวกในการวิเคราะห์วงจร โดยใช้ทฤษฎี วงจร เช่น ทฤษฎีของเทวินิน และทฤษฎี
ของนอร์ตัน เป็นต้น ซึง่ สามารถประยุกต์ใช้ได้กับวงจรที่มีคุณสมบัติความเป็นเชิงเส้นได้อย่างมีประสิทธิภาพ
ในบทนี้จะอธิบายถึงคุณสมบัติความเป็นเชิงเส้นของวงจร ทฤษฎีการทับซ้อน การแปลงแหล่งจ่าย
ทฤษฎีของเทวินิน ทฤษฎีของนอร์ตัน การส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด ตรวจสอบทฤษฎีวงจรด้วย PSpice และการ
ประยุกต์ใช้ทฤษฎีวงจร ตามลาดับ
4.2 คุณสมบัติวงจรเชิงเส้น
วงจรที่มีคุณสมบัติความเป็นเชิงเส้น คือ วงจรที่แสดงความสัมพันธ์ระหว่างสิ่งกระตุ้นและผลที่เกิดขึ้น
เป็ น เชิ งเส้ น โดยในหั ว ข้ อ นี้ จ ะเป็ น การอธิบ ายถึ งคุ ณ สมบั ติ ค วามเป็ น เชิ งเส้ น ของวงจรตั ว ต้ า นทาน ซึ่ งมี
คุณ สมบั ติต่าง ๆ ดังนี้ คุณ สมบั ติความเป็ นหนึ่ งเดียว (Homogeneity property) หรือมี ความเป็ นสั ดส่ ว น
(scaling) และมีคุณสมบัติสภาพรวมกันได้ (Additivity)
องค์ประกอบจะมีคุณสมบัติความเป็นหนึ่งเดียวหรือคุณสมบัติความเป็นสัดส่วนก็ต่อเมื่อ ถ้าอินพุตหรือ
สิ่งกระตุ้นถูกคูณด้วยค่าคงที่แล้ว ส่งผลให้เอาท์พุตหรือผลตอบสนองที่เกิดขึ้นถูกคูณด้วยค่าคงที่เดียวกับอินพุต
เช่นกัน
ตัวอย่างความสัมพันธ์ระหว่างอินพุตและเอาท์พุตของตัวต้านทาน ความสัมพันธ์ของอินพุต i และ
เอาท์พุต v จากกฎของโอห์ม
จะได้ iR  v (4.1)
ถ้ากระแส i เพิ่มขึ้นด้วยค่าคงที่ k ฉะนั้น แรงดัน v จะเพิ่มขึ้นด้วยค่าคงที่ k เช่นเดียวกัน ดังนี้
kiR  kv (4.2)
ความสัมพันธ์ระหว่างอินพุตและเอาท์พุตของ R จากสมการ (4.1) และ (4.2) แสดงดังภาพ 4.1
136
 
i i
is v ki s kv
R R
 
ภำพ 4.1 ความสัมพันธ์ระหว่างอินพุต i และเอาท์พุต v ของ R ตามคุณสมบัติความเป็นหนึ่งเดียว
คุณสมบัติสภาพรวมกันได้ หมายถึง ผลรวมของผลตอบสนอง (เอาท์พุต) ที่เกิดขึ้น จะได้จากผลรวม

ของสิ่งกระตุ้น (อิน พุ ต) แต่ละสิ่ งกระตุ้น เข้าด้วยกัน จากความสั มพันธ์ ระหว่างอิน พุตและเอาท์พุ ตของตัว
ต้านทาน ถ้า v1  i1R (4.3)
และ v 2  i2 R (4.4)
เมื่อ i1 + i2 จะได้ v  ( i1  i 2 ) R  i 1 R  i 2 R  v 1  v 2 (4.5)
ความสัมพันธ์ระหว่างอินพุตและเอาท์พุตของ R จากสมการ (4.3) ถึง (4.5) แสดงดังภาพ 4.2

i1 i
R v1
i1 i


 R v  v1  v2

i2 
i2 i
R v2

ภำพ 4.2 ความสัมพันธ์ระหว่างอินพุต i และเอาท์พุต v ของ R ตามคุณสมบัติสภาพรวมกันได้
ดังนั้น จะเรียกว่า ตัวต้านทานเป็นองค์ประกอบเชิงเส้น เนื่องจากความสัมพันธ์ ระหว่างแรงดันและ

กระแสเป็นไปตามคุณสมบัติความเป็นหนึ่งเดียวและคุณสมบัติสภาพรวมกันได้
โดยทั่วไป วงจรจะเป็ นเชิงเส้น ก็ต่อเมื่อ วงจรนั้นมีคุณ สมบัติทั้ง คุณ สมบัติความเป็นหนึ่งเดียวและ
คุณสมบัติสภาพรวมกันได้ วงจรเชิงเส้นจะประกอบไปด้วยองค์ประกอบเชิงเส้น แหล่งจ่ายอิสระ และแหล่งจ่าย
ไม่อิสระเชิงเส้น
ความสัมพันธ์ระหว่างกาลังไฟฟ้ากับแรงดัน (หรือกระแส) จะไม่เป็นเชิงเส้น เนื่องจาก p = i2R = v2/R
(ฟังก์ชันยกกาลัง 2)
137
เพื่อความเข้าใจเกี่ยวกับคุณสมบัติความเป็นเชิงเส้น พิจารณาจากวงจรดังภาพ 4.3 วงจรเชิงเส้นซึ่งไม่

มีแหล่งจ่ายไม่อิสระภายใน ถูกกระตุ้นโดยแหล่งจ่ายแรงดัน vs ซึ่งเป็นอินพุตของวงจร และส่วนท้ายของวงจร
คือ โหลดตัวต้านทาน R โดยจะกาหนดให้กระแส i ที่ไหลผ่าน R เป็นเอาท์พุต
i
Vs Linear Circuit R
ภำพ 4.3 วงจรเชิงเส้นที่ประกอบด้วยอินพุต vs และเอาท์พุต i
ถ้ากาหนดให้อินพุต vs = 10 V ซึ่งจะได้เอาท์พุต i = 2 A จากคุณสมบัติความเป็นเชิงเส้นของวงจร ถ้า

vs = 1 V จะได้ i = 0.2 A ในทางตรงกันข้ามถ้ากาหนดให้ i = 1 mA ฉะนั้น vs จะเท่ากับ 5 mV เป็นต้น
ตัวอย่ำง 4.1 หา io เมื่อ vs เท่ากับ 12 V และ 24 V จากวงจรดังภาพ 4.4

6 8
io
2
 4
4 VX
 i1 i2
Vs 2V X
ภำพ 4.4 สาหรับตัวอย่าง 4.1

วิธีทำ
KVL เมซ i1 ; 12i1  2i2  v s  0 (4.1.1)
KVL เมซ i2 ;  2i1  14i2  2v x  v s  0 (4.1.2)
แทน vx = -4i1 ในสมการ (4.1.2) จะได้  10i1  14i2  v s  0 (4.1.3)
แทน (4.1.3) ใน (4.1.1) จะได้ 2i1  12i2  0  i1   6i2 (4.1.4)
vs
แทน (4.1.4) ใน (4.1.1) จะได้  74i2  v s  0  i2 
74
138
12
เมื่อ vs เท่ากับ 12 V จะได้ i o  i2  A
74
24
เมื่อ vs เท่ากับ 24 V จะได้ i o  i2  A
74
ซึ่งจะพบว่า เมื่อแหล่งจ่ายแรงดันอินพุต vs เพิ่มขึ้น 2 เท่ากระแสเอาท์พุต io ก็จะเพิ่มขึ้น 2 เท่า เช่นกัน
ตัวอย่ำง 4.2 กาหนดให้ Io = 1A ใช้คุณสมบัติความเป็นเชิงเส้น หากระแส Io ที่ไหลจริงในวงจรดังภาพ 4.5

I4 6 V2 I2 5 V1 I o 4
I3 I1 Io
Is
5 5 6
24 A

วิธีทำ จากภาพ 4.5 ถ้า Io = 1 A
ฉะนั้น V1 = (4+6)Io = 10 V
และ I1 = V1 /5 = 10 /5 = 2 A
KCL โนด V1; I 2  I1  I o  3 A
จากภาพ 4.5 V2  V1  5I2  10  15  25 V
V2
ฉะนั้น I3   5A
5
KCL โนด V2; I s  I4  I3  I2  8 A
จาก Io = 1 A ตามที่กาหนด จะได้ Is = 8 A แต่ในวงจรตามภาพ 4.5 Is = 24 A ซึ่งมีขนาดเป็น 3 เท่า
ของผลจากการคานวณที่ Io = 1 A ฉะนั้น Io จริงที่ไหลในวงจรจะเท่ากับ 3 A
4.3 ทฤษฎีกำรทับซ้อน
วงจรเชิงเส้น ที่ป ระกอบไปด้วยแหล่ งจ่ายอิส ระตั้งแต่ 2 ชุดขึ้นไป ในการวิเคราะห์ วงจรเพื่อหาค่า
ตัวแปรแรงดันหรือกระแสในวงจรอาจใช้ ระเบียบวิธีแรงดันโนดหรือกระแสเมซตามที่ได้กล่าวไว้ในบทที่ผ่านมา
หรือจะใช้ทฤษฎีการทับซ้อน (Superposition Theorem) เพื่อหาตัวแปรที่สนใจ โดยจะคานวณจากผลรวม
139
ของผลตอบสนอง (เอาท์ พุ ต ) ที่ เกิ ด จากแต่ ล ะแหล่ งจ่ าย (สิ่ งกระตุ้ น หรือ อิ น พุ ต ) ในวงจร ซึ่ งเป็ น ไปตาม
คุณสมบัติสภาพรวมกันได้ของวงจรเชิงเส้น
การวิเคราะห์วงจรด้วยทฤษฎีการทับซ้อน ดังภาพ 4.6 ในวงจรที่มีคุณสมบัติเป็นเชิงเส้น มีขั้นตอน
ดังนี้
1. หาค่าตัวแปรที่สนใจทีละแหล่งจ่าย โดยปิดแหล่งจ่ายอื่น ในกรณีเป็นแหล่งจ่ายแรงดันให้ลัดวงจร
ส่วนแหล่งจ่ายกระแสให้เปิดวงจร ดังภาพ 4.7 สาหรับแหล่งจ่ายไม่อิสระให้คงค่าไว้ ณ ตาแหน่งเดิม
2. ทาซ้าในขั้นตอนที่ 1 สาหรับแหล่งจ่ายที่เหลือ โดยพิจารณาเฉพาะแหล่งจ่ายอิสระเท่านั้น
3. หาผลรวมทางพีชคณิตของผลตอบสนองจากแหล่งจ่ายทั้งหมดของตัวแปรที่สนใจ
vs1 i
  
i1 vs2 i2
R v  vs1 R v1  R v2
vs2   
ภำพ 4.6 ทฤษฎีการทับซ้อน

R1
vs is R2
(ก)
R1 R1
vs is R 2 vs is R2
(ข) (ค)
ภำพ 4.7 (ก) วงจรเชิงเส้น (ข) การปิดแหล่งจ่ายแรงดัน และ (ค) การปิดแหล่งจ่ายกระแสจากวงจรภาพ (ก)
140
ตัวอย่ำง 4.3 ใช้ทฤษฎีการทับซ้อน หาแรงดันไฟฟ้า v จากวงจรดังภาพ 4.8

18 

12 V 6 v 4A

วิธีทำ จากวงจรดังภาพ 4.8 ประกอบด้วย 2 แหล่งจ่าย
ดังนั้น v  v1  v2
เมื่อ v1 และ v2 เป็นผลตอบสนองจากแหล่งจ่ายแรงดัน 12 V และแหล่งจ่ายกระแส 4 A ตามลาดับ
หา v1 โดยเปิดวงจรแหล่งจ่ายกระแส แสดงดังภาพ 4.9
18 

12 V 6 v1


KVL เมซ i1 ; 24i1  12  0  i1  0.5 A
ดังนั้น v1  6i1  3 V
6
หรือใช้วิธีการแบ่งแรงดันเพื่อหา v1 ได้เช่นกัน ดังนี้ v1  (12)  3 V
6  18
หา v2 โดยลัดวงจรแหล่งจ่ายแรงดัน แสดงดังภาพ 4.10
18  i2
i3 
6 v2 4A


141
18
ใช้วิธีการแบ่งกระแส จะได้ i3  (4 )  3 A
6  18
ฉะนั้น v 2  6i 3  18 V
ดังนั้น จะได้ v  v1  v 2  3  18  21 V
ตัวอย่ำง 4.4 หา io โดยใช้ทฤษฎีการทับซ้อน จากวงจรดังภาพ 4.11

1
io
3
2
6io
4A
5 3
12 V

วิธีทำ จากภาพ 4.11 ประกอบด้วย 2 แหล่งจ่ายอิสระ และ 1 แหล่งจ่ายแรงดันไม่อิสระ ซึ่งจะคงที่แหล่งจ่าย
ไม่อิสระ 6io ไว้ ณ ตาแหน่งเดิม ดังนั้น io = io’ + io’’ (4.4.1)
เมื่ อ ที่ io’ และ io’’ เป็ น ผลตอบสนองของวงจรจากแหล่ งจ่ ายกระแส 4 A และแหล่ งจ่ ายแรงดั น 12 V
หา io’ โดยลัดวงจรแหล่งจ่ายแรงดัน 12 V จะได้วงจรดังภาพ 4.12
O
i1 i
' 3 1
io
3 i2
2 6 i o'
4A i1
5 i3 3

142
ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซ จะได้
KVL เมซ i1 ; i1  4 A (4.4.2)
KVL เมซ i2 ;  3i1  6i 2  2i 3  6i o'  0 (4.4.3)
KVL เมซ i3 ;  5i1  2i 2  10i 3  6i o'  0 (4.4.4)
KCL โนด O ; i1  i 2  i o'  i o'  i1  i 2 (4.4.5)

แทน (4.4.2), (4.4.5) ใน (4.4.3), (4.4.4) จะได้ 12i2  2i3  36
และ  8i2  10i3   4
จาก (4.4.5) io’ = 4 – i2 ดังนั้น i o'  0.62 A (4.4.6)

หา io’’ โดยเปิดวงจรแหล่งจ่ายกระแส 4 A จะได้วงจรดังภาพ 4.13
1
3
i o'' i4
2 6 i o''
5
i5 3
12 V

ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซ จะได้
KVL เมซ i4 ; 6i4  2i5  6i o''  0 (4.4.7)
KVL เมซ i5 ;  2i4  10i5  12  6i o''  0 (4.4.8)

โดยที่ io’’ = - i4 แทนใน (4.4.7) และ (4.4.8) จะได้ 12i4  2i5  0
และ  8i4  10i5  12
จาก io’’ = - i4 ดังนั้น i o''   0.23 A (4.4.9)

143
แทน (4.4.5) และ (4.4.9) ใน (4.4.1) จะได้

i o  i o'  i o''  0.62  0.23  0.38 A
ตัวอย่ำง 4.5 หา i โดยใช้ทฤษฎีการทับซ้อน จากวงจรดังภาพ 4.14

12 V 8
4 4
24 V i
3 5A

วิธีทำ จากภาพ 4.14 ประกอบด้วยแหล่งจ่ายอิสระ 3 ชุด
ดังนั้น i  i1  i 2  i 3
เมื่อ i1, i2 และ i3 เป็นผลตอบสนองจากแหล่งจ่าย 24 V, 12 V และ 5 A ตามลาดับ
หา i1 โดย ลัดวงจรแหล่งจ่าย 12 V และเปิดวงจรแหล่งจ่าย 5 A ดังภาพ 4.15
8
3
4 4
i1 i1
3
 3
24 V 24 V

24
ฉะนั้น i1   4A
6
หา i2 โดย ลัดวงจรแหล่งจ่าย 24 V และเปิดวงจรแหล่งจ่าย 5 A ดังภาพ 4.16
144
12 V 8
ia
4 4
i2
ib
3

ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซจะได้
KVL เมซ ia ; 16ia  4ib  12  0  4ia  ib   3 (4.5.1)
7
KVL เมซ ib ; 7ib  4 i a  0  ia  ib (4.5.2)
4
แทน (4.5.2) ใน (4.5.1) จะได้ i2  ib   0.5 A
หา i3 โดย ลัดวงจรแหล่งจ่าย 24 V และ 12 V ดังภาพ 4.17
8
4 V1 4
V2
i3
3 5A

ใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนดจะได้
v 2 v 2  v1
KCL โนด V2 ; 5    40  3v 2  2v1 (4.5.3)
8 4
v 2  v1 v v 10
KCL โนด V1 ;  1 1  v2  v1 (4.5.4)
4 4 3 3
แทน (4.5.4) ใน (4.5.3) จะได้ v1  5 V
145
v1
และ i3   1.67 A
3
ฉะนั้น i  i1  i2  i3  4  0.5  1.67  5.17 A
ค่ากาลั งไฟฟ้ า p ไม่ส ามารถหาได้จากทฤษฎีการทับ ซ้อนโดยตรงได้ เนื่องจากกาลังไฟฟ้า p เป็ น
ฟังก์ชันยกกาลัง 2 แต่จะสามารถหาโดยอ้อมได้จากผลของกระแสหรือแรงดันที่ตัวต้านทานนั้น ๆ ด้วยทฤษฎี
การทับซ้อนเสียก่อน แล้วจึงจะสามารถคานวณหาค่ากาลังไฟฟ้าได้
4.4 กำรแปลงแหล่งจ่ำย
จากการแปลงรูปวงจรที่มีความซับซ้อนยุ่งยากโดยการรวมองค์ประกอบแบบอนุกรม-ขนาน และการ
แปลงวาย-เดลตา เพื่อให้เป็นวงจรสมมูลอย่างง่าย ซึ่งจะช่วยให้สามารถวิเคราะห์วงจรได้สะดวกขึ้น
การแปลงแหล่งจ่าย (Source transformation) เป็นอีกวิธีหนึ่งที่จะช่วยแปลงรูปวงจรให้เป็นวงจร
อย่างง่าย โดยใช้หลักการของวงจรสมมูล ซึ่งวงจรจะยั งคงมีคุณลักษณะของแรงดันและกระแสคงเดิมจากวงจร
เดิม
การแปลงแหล่งจ่ายจะช่วยให้การวิเคราะห์วงจรสะดวกขึ้น โดยมีวิธีการ ดังนี้ การแปลงแหล่งจ่าย
แรงดันที่ต่ออนุกรมกับตัวต้านทาน เป็นแหล่งจ่ายกระแสที่ต่อขนานกับตัวต้านทาน หรือในทางตรงกันข้าม ดัง
ภาพ 4.18
R
a a
VS
 IS R
b b
ภำพ 4.18 การแปลงแหล่งจ่ายอิสระ
วงจรทั้ง 2 จากภาพ 4.18 จะสมมูลกันก็ต่อเมื่อความสัมพันธ์ของแรงดันและกระแสที่ขั้ว a-b เท่ากัน

ถ้าทาการปิดแหล่งจ่าย (ลัดวงจรแหล่งจ่ายแรงดัน หรือเปิดวงจรแหล่งจ่ายกระแส) ค่าความต้านทานสมมูลของ
วงจรทั้ง 2 ที่ขั้ว a-b จะเท่ากับ R และเมื่อลัดวงจรที่ขั้ว a-b กระแสลัดวงจรที่ไหลจากขั้ว a ไป b จะเท่ากับ
isc = vs/R ในวงจรซ้ายมือ และในวงจรขวามือ isc = is ฉะนั้น vs/R = is ซึ่งความสัมพันธ์ดังกล่าวแสดงให้เห็น
ถึงวงจรทั้ง 2 สมมูลกัน
146
การแปลงแหล่งจ่ายทาได้โดยใช้ความสัมพันธ์ ดังนี้
vs
v s  isR or is  (4.6)
R
การแปลงแหล่งจ่ายใช้ได้กับแหล่งจ่ายไม่อิสระได้เช่นกัน ดังภาพ 4.19
R
a a
VS
 IS R
b b
ภำพ 4.19 การแปลงแหล่งจ่ายไม่อิสระ
ตัวอย่ำง 4.6 หา vo โดยใช้วิธีการแปลงแหล่งจ่าย จากวงจรดังภาพ 4.20

1 3 4

2 3A 8 Vo 24 V


วิธีทำ จากวงจรดังภาพ 4.20 แปลงแหล่งจ่ายกระแส 3 A ที่ขนานกับตัวต้านทาน 2  แปลงแหล่งจ่าย
แรงดัน 24 V ที่อนุกรมกับตัวต้านทาน 4  และ รวมค่าตัวต้านทาน 1  และ 3  จะได้ ดังภาพ 4.21
2 4

6V 8 Vo 4
6A


จากภาพ 4.21 รวมความต้านทาน 2  และ 4  ที่อนุกรมกัน และแปลงแหล่งจ่ายแรงดัน 6 V ที่อนุกรมกับ
ตัวต้านทาน 6  จะได้ ดังภาพ 4.22
147

1A 6 8 Vo 4
6A


จากภาพ 4.22 รวมความต้านทาน 6  และ 4  ต่อขนานกันจะได้ 2.4  และรวมแหล่งจ่ายกระแส 6 A
และ 1 A เข้าด้วยกันได้ 5 A จะได้ ดังภาพ 4.23
i 
8 Vo 2 .4  5A


จากภาพ 4.23 ใช้วิธีการแบ่งกระแส จะได้
2.4
i  (5)  1.15 A
2.4  8
และ v o  8i  8(1.15)  9.2 V
8  2.4
หรือ v o  (8 // 2.4 )(5)  (5)  9.2 V
8  2.4
ตัวอย่ำง 4.7 หา vx โดยใช้วิธีการแปลงแหล่งจ่าย จากวงจรดังภาพ 4.24

4
2 0 .5 v x

6V 2 12 V
vx


วิธีทำ จากภ าพ 4.24 แปลงแหล่ ง จ่ า ยแรงดั น 6 V ที่ อ นุ ก รมกั บ ตั ว ต้ า นทาน 2  และแปลง
แหล่งจ่ายกระแสไม่อิสระ (VCCS) 0.5Vx ที่ขนานกับตัวต้านทาน 4  จะได้ ดังภาพ 4.25
148
4 2v x

3A 2 2 vx 12 V


จากภาพ 4.25 รวมความต้านทาน 2  2 ตัวที่ขนานกันจะได้ 1  และแปลงแหล่งจ่ายกระแส 3 A ที่ขนาน
กับตัวต้านทาน 1  จะได้ ดังภาพ 4.26 โดยขั้วของแรงดัน vx ยังอยู่ ณ ตาแหน่งเดิม
1 4 2v x

3V vx i 12 V


KVL mesh i ;  3  5i  2v x  12  0 (4.7.1)
KVL 3 V, R 1 , vx mesh;  3  1i  v x  0  v x  3  i (4.7.2)
แทน (4.7.2) ใน (4.7.1) จะได้  3  5i  6  2i  12  0  i   0.43 A
ดังนั้น v x  3  i  3  ( 0.43)  3.43 A
หรือใช้ KVL R 4 , vx, 12 V mesh; แล้วแทนใน (4.7.1) จะได้
 v x  4i  2v x  12  0  i   0.43 A
ดังนั้น v x  3  i  3.43 V
ข้อควรระวัง คือ ขั้วบวกของแหล่งจ่ายแรงดันและทิศทางของลูกศรของแหล่งจ่ายกระแสที่ทาการ
แปลงรูป กล่าวคือ ขั้วบวกของแหล่งจ่ายแรงดันเมื่อถูกแปลงมาจากแหล่งจ่ายกระแสจะอยู่ที่ขั้วเดียวกันกับ
ทิศทางลูกศรของแหล่งจ่ายกระแส และในทางตรงกันข้าม ดูตัวอย่าง 4.6 ประกอบ
149
4.5 ทฤษฎีของเทวินิน
บ่อยครั้งที่จะพบว่า มีเพียงองค์ป ระกอบเดียวในวงจรที่ มีการเปลี่ยนแปลงค่า (หรือเรียกว่า โหลด)
ในขณะที่องค์ประกอบอื่นมีค่าคงที่ เช่น เต้ารับภายในบ้านที่ถูกต่อเข้ากับภาระโหลดต่าง ๆ ที่มีค่าแตกต่างกัน
เพื่ อความสะดวกในการวิเคราะห์ ว งจรจะใช้ท ฤษฎี ข องเทวินิ น (Thevenin’s theorem) ซึ่ งเป็ น วิธีที่แ ทน
องค์ประกอบคงที่ในวงจรด้วยวงจรสมมูล
ลีออง ชารลส์ เทวินิ น (Leon Charles Thevenin) วิศวกรทางโทรเลข ชาวฝรั่งเศส ได้คิดค้นวงจร
สมมูลของเทวินิน ขึ้นในปี ค.ศ. 1833 ทฤษฎีของเทวินิน กล่าวว่า วงจรเชิงเส้น 2 ขั้วต่อใด ๆ สามารถแทนด้วย
วงจรสมมูลที่ประกอบไปด้วยแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า VTh ต่ออนุกรมกับตัวต้านทาน RTh ได้ ดังภาพ 4.27 (ก)
สามารถแทนด้วยภาพ 4.27 (ข) ได้ โดยโหลดในภาพอาจจะเป็นตัวต้านทานเดี่ยวหรือวงจรอื่นก็ได้ และวงจร
ทางด้านซ้ายมือของขั้ว a-b ในภาพ 4.27 (ข) เรียกว่า วงจรสมมูลของเทวินิน
I a R Th I a
Linear  
two - terminal V Load VTh V Load
Circuit  
b b
(ก) วงจรที่ใช้ในการพิจารณา (ข) วงจรสมมูลของเทวินิน
ภำพ 4.27 การแทนวงจรเชิงเส้น 2 ขั้ว ด้วยวงจรสมมูลของเทวินิน
วงจรในภาพ 4.27 จะสมมูลกัน ก็ต่อเมื่อ ความสัมพันธ์ของแรงดันและกระแสที่ขั้ว a-b เหมือนกัน

การพิจารณาความสมมูลของวงจรดังภาพ 4.27 (ก) และ (ข) ทาได้โดยเปิดวงจรที่ขั้ว a-b (ปลดโหลดออก) ซึ่ง
จะส่งผลให้ไม่มีกระแสไหล ดังนั้น แรงดันตกคร่อมขั้ว a-b ในภาพ 4.27 (ก) จะเท่ากับแหล่งจ่ายแรงดันเทวินิน
VTh ในภาพ 4.27 (ข) เนื่องจากวงจรทั้ง 2 ดังภาพ 4.27 สมมูลกัน ฉะนั้น VTh ก็คือ แรงดันเปิดวงจรตกคร่อม
ขั้ว a-b ดังภาพ 4.28 (ก) นั่นคือ
VTh  v oc (4.7)
a Linear circuit with
a
Linear 
all independent
two - terminal v oc sources set equal  Rin
Circuit  to zero
b b
VTh  voc RTh  Rin
(ก) (ข)
ภำพ 4.28 วิธีการหา VTh และ RTh
150
จากภาพ 4.28 เมื่อปลดโหลดออก ขั้ว a-b จะเปิดวงจร และทาการปิดแหล่งจ่ายอิสระ (ลั ดวงจร

แหล่งจ่ายแรงดัน เปิดวงจรแหล่งจ่ายกระแส) ค่าความต้านทานอินพุต (หรือความต้านทานสมมูล) Rin ของ
วงจรที่ขั้ว a-b ในภาพ 4.27 (ก) จะเท่ากับค่าความต้านทานสมมูลของเทวินิน RTh ในภาพ 4.27 (ข) เนื่องจาก
ทั้ง 2 วงจรสมมูลกัน ฉะนั้น RTh คือ ความต้านทานอินพุตที่ขั้ว a-b เมื่อปิดแหล่งจ่ายอิสระ ดังภาพ 4.28 (ข)
นั่นคือ
RTh  Rin (4.8)
การหา RTh อาจพิจารณาได้ 2 กรณี ดังนี้
กรณี ที่ 1 ถ้าโครงข่ายมีเพียงแหล่งจ่ายอิสระ จะหา RTh ได้โดยปิดแหล่งจ่ายอิสระแล้วหาค่าความต้านทาน
อินพุตของโครงข่ายระหว่างขั้ว a-b ดังภาพ 4.28 (ข)
กรณี ที่ 2 ถ้าโครงข่ายประกอบด้ว ยแหล่งจ่ายไม่อิส ระ จะหา RTh ได้ โดยปิด แหล่งจ่ายอิสระ และให้ คงค่า
แหล่ งจ่ ายไม่อิสระเหมือนเดิมเช่น เดียวกับ ทฤษฎีการทั บซ้อน สาเหตุที่ไม่ ปิด แหล่ งจ่ายไม่อิส ระ เนื่องจาก
แหล่งจ่ายไม่อิสระจะถูกควบคุมด้วยตัวแปรในวงจร ดังนั้น จะต่อแหล่งจ่ายแรงดัน vo ที่ขั้ว a-b และหากระแส
io ซึ่ง RTh = vo/io ดังภาพ 4.29 (ก) หรือจะต่อแหล่งจ่ายกระแส io ที่ขั้ว a-b ดังภาพ 4.29 (ข) แล้วหาแรงดัน
ที่ขั้ว vo ซึ่ง RTh = vo/io โดยทั้ง 2 วิธีจ ะได้ผ ลลั พ ธ์เท่ ากัน แหล่ งจ่าย vo และ io ที่ต่อเข้าที่ขั้ว a-b อาจจะ
กาหนดให้ vo = 1 V หรือ io = 1 A หรืออาจจะกาหนดเป็นตัวแปร vo หรือ io ก็ได้
io
Linear circuit with a Linear circuit with a

all independen t all independen t
vo vo io
sources set equal sources set equal

to zero b to zero b
vo vo
RTh  RTh 
io io
(ก) (ข)
ภำพ 4.29 วิธีการหา RTh ในวงจรที่ประกอบด้วยแหล่งจ่ายไม่อิสระ
ทฤษฎีของเทวินิน มีความสาคัญอย่างมากในการวิเคราะห์วงจร เพราะจะช่วยลดรูปวงจรขนาดใหญ่ให้
เป็นวงจรสมมูลอย่างง่าย โดยแทนด้วยแหล่งจ่ายแรงดันอิสระ 1 ชุด และตัวต้านทาน 1 ตัว เทคนิคนี้จะช่วยให้
ออกแบบวงจรได้อย่างมีประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้น
ดังที่ได้กล่าวมาแล้ว วงจรเชิงเส้นที่มีโหลดปรับค่าได้ สามารถแทนด้วยวงจรสมมูลของเทวินิน ได้ โดย
วงจรสมมูลจะมีคุณสมบัติเช่นเดียวกับ วงจรเดิมทุกประการ พิจารณาวงจรเชิงเส้นที่ต่อกับโหลด RL ดังภาพ
4.30 (ก) เมื่อแทนวงจรที่มีโหลดด้วยวงจรสมมูลของเทวินิน ดังภาพ 4.30 (ข) จะสามารถหากระแสที่ไหลผ่าน
โหลด IL และแรงดันตกคร่อมโหลด VL จากวงจรสมมูลของเทวินินได้โดยง่าย
151
a R Th a
IL  IL
Linear
RL V RL
Circuit VTh

b b
(ก) วงจรที่ใช้ในการพิจารณา (ข) วงจรสมมูลของเทวินิน
ภำพ 4.30 วงจรที่มีโหลด
จากภาพ 4.30 (ข) จะได้
VTh
IL  (4.8a)
RTh  RL
RL
และ VL  ILRL  VTh (4.8b)
RTh  RL
ตัวอย่ำง 4.8 หาวงจรสมมูลของเทวินินที่ขั้ว a-b และหากระแสที่ไหลผ่านตัวต้านทานโหลด RL = 5, 15 และ

25  จากวงจรดังภาพ 4.31
4 1 a
24 V 3A 12  RL
b

วิธีทำ หา RTh โดยการปิดแหล่งจ่าย ดังนี้ ลัดวงจรแหล่งจ่ายแรงดัน 24 V และเปิดวงจรแหล่งจ่ายกระแส
3 A จะได้วงจรดังภาพ 4.32
4 1
a
12   Rin
b
152
4  12
จากภาพ 4.32 ดังนั้น RTh  (4 // 12)  1  1  4 
4  12
หา VTh โดยเปิดวงจรที่ขั้ว a-b (ปลดโหลดออก) จะได้วงจรดังภาพ 4.33
4 VTh 1
a
i1 i2 
24 V 3A 12  VTh

b
ใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนดจากวงจรดังภาพ 4.33 จะได้
24  VTh V
KCL โนด VTh ;  3  Th  0
4 12
72  3VTh  36  VTh  0  VTh  27 V
หรือใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซจากวงจรดังภาพ 4.33 จะได้
KVL ซูเปอร์เมซ;  24  4i1  12i2  0
เมื่อ i1 = i2-3 ดังนั้น 16i2  36
จะได้ i2  2.25 A  VTh  12i2  27 V
จาก VTh และ RTh จะได้วงจรสมมูลของเทวินิน ดังภาพ 4.34
4 a
IL
27 V RL
b
VTh 27
กระแสที่ไหลผ่าน RL จะได้ จาก IL  
RTh  RL 4  RL
153
27
เมื่อ RL = 5  IL   3A
9
27
เมื่อ RL = 15  IL   1.42 A
19
27
เมื่อ RL = 25  IL   0.93 A
29
ตัวอย่ำง 4.9 หาวงจรสมมูลของเทวินิน จากวงจรดังภาพ 4.35

2v X
2 2
a

5A 4 vx 6

b
วิธีทำ จากภาพ 4.35 วงจรประกอบด้วยแหล่งจ่ายไม่อิสระ หา RTh ได้โดยปิดแหล่งจ่ายอิสระและคงสถานะ
ของแหล่งจ่ายไม่อิสระ แล้วต่อแหล่งจ่ายแรงดัน vo ที่ขั้ว a-b ดังภาพ 4.36 โดยกาหนดให้ vo = 1 V แล้วหา
กระแส io ที่ไหลผ่านขั้ว a-b ดังนั้น RTh = 1/io (หรือจะต่อแหล่งจ่ายกระแส io = 1 A แล้วหาแรงดันตกคร่อม
ขั้ว a-b ซึง่ RTh = vo/1)
2v X
i1
2 2 a
io

4 vx i2 6 i3 vo  1V
 b

154
ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซ
KVL เมซ i1 ;  2v x  2( i1  i2 )  0  v x  i1  i2
โดยที่ -4i2 = vx = i1- i2 ฉะนั้น i1   3i2 (4.9.1)
KVL เมซ i2 ; 4i2  2( i2  i1 )  6( i2  i3 )  0 (4.9.2)
KVL เมซ i3 ; 6( i 3  i 2 )  2i 3  1  0 (4.9.3)
จาก (4.9.1), (4.9.2) และ (4.9.3) จะได้
1
i3   A
6
จากภาพ 4.36 io = -i3 = 1/6 A
1V
ดังนั้น RTh   6
io
หา VTh โดยหา voc จากภาพ 4.37 ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซได้ดังนี้
2v X
i3
2 2 a
 
5A 4 vx i2 6 voc
i1
 b 
KVL เมซ i1 ; i1  5 A (4.9.4)
KVL เมซ i2 ; 4( i2  i1 )  2( i2  i3 )  6i2  0
หรือ 12i2  4i1  2i3  0 (4.9.5)
KVL เมซ i3 ;  2v x  2( i3  i2 )  0  v x  i3  i2 (4.9.6)
10
จาก (4.9.4), (4.9.5) และ (4.9.6) จะได้ i2  A
3
155
และจากภาพ 4.37 vx = 4(i1 - i2) ดังนั้น VTh  v oc  6i 2  20 V

ซึ่งจะได้วงจรสมมูลของเทวินิน ดังภาพ 4.38
6
a
20 V
b
ตัวอย่ำง 4.10 หาวงจรสมมูลของเทวินิน จากวงจรดังภาพ 4.39

a
ix
2 4
2 .5 i x
b
วิธีทำ จากภาพ 4.39 ไม่มีแหล่งจ่ายอิสระ ฉะนั้น VTh = 0 V หา RTh ได้โดยต่อแหล่งจ่ายกระแส io ที่ขั้ว a-b
ดังภาพ 4.40
vo a
ix
2 4
2 .5 i x io
b

จากภาพ 4.40 ใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนด
vo
จะได้ io  i x  2.5i x  (4.10.1)
2
0  vo v
โดยที่ ix    o (4.10.2)
4 4
156
แทน (4.10.2) ใน (4.10.1) จะได้

vo v 3.5v 5.5v o
io   3.5i x  o  o 
2 2 4 4
4
จะได้ vo  io
5.5
vo
ดังนั้น RTh   0.72 
io
4.6 ทฤษฎีของนอร์ตัน
เอ็ดเวิร์ด ลอว์รี่ นอร์ตัน (Edward Lawry Norton) วิศวกรและนักวิทยาศาสตร์ชาวอเมริกันจาก Bell
Telephone Laboratories ได้นาเสนอทฤษฎีของนอร์ตัน (Norton’s Theorem) ในปี ค.ศ. 1926 หรือราว
43 ปี หลังจากลีออง ชารลส์ เทวินิน นาเสนอทฤษฎีของเทวินิน ซึ่งทฤษฎีทั้ง 2 ที่มีความคล้ายคลึงกัน ดังนี้
วงจรเชิงเส้น 2 ขั้ว ในภาพ 4.41 (ก) จะสามารถแทนด้วยวงจรดังภาพ 4.41 (ข) ได้
a a
Linear
two - terminal IN RN
Circuit
b b
(ก) วงจรที่ใช้ในการพิจารณา (ข) วงจรสมมูลของนอร์ตัน

ภำพ 4.41 การแทนวงจรเชิงเส้น 2 ขั้วด้วยวงจรสมมูลของนอร์ตัน
ซึ่งจะสามารถหาค่า RN และ IN ได้ดังนี้ ค่าความต้านทานสมมูลของ RN จะสามารถหาได้เช่นเดียวกับ
RTh ในทฤษฎีของเทวินิน และการแปลงแหล่งจ่าย ดังนั้น จากค่าความต้านทานสมมูลของเทวินินและนอร์ตัน
จะได้
RN  RTh (4.9)
และสาหรับการหาแหล่งจ่ายกระแสนอร์ตัน IN จะหาได้จากกระแสลัดวงจร (short-circuit current)
ที่ขั้ว a-b จากภาพ 4.41 (ก) และ (ข) ซึ่งกระแสลัดวงจรดังกล่าว ก็คือ IN นั่นเอง โดยกระแสลัดวงจรจากภาพ
4.41 (ก) และ (ข) จะเท่ากัน ดังนั้น วงจรทั้ง 2 จะสมมูลกัน จะได้ดังสมการ (4.10) และภาพ 4.42
I N  i sc (4.10)
157
สาหรับวงจรที่ประกอบด้วยแหล่งจ่ายอิสระและแหล่งจ่ายไม่อิสระจะสามารถหาค่ากระแสนอร์ตันได้
โดยใช้วิธีเช่นเดียวกับทฤษฎีของเทวินิน
a
Linear
two - terminal i sc  I N
Circuit
b
ภำพ 4.42 วิธีการหากระแสนอร์ตัน IN
ความสัมพันธ์ระหว่างทฤษฎีของนอร์ตันและทฤษฎีของเทวินิน เมื่อ RN = RTh จากสมการ (4.9) จะได้
VTh
IN  (4.11)
RTh
จาก VTh, IN และ RTh ดังสมการ (4.11) ซึ่งจะสามารถหาวงจรสมมูลของเทวินินหรือนอร์ตัน ได้ แสดง
ความสัมพันธ์ดังกล่าวได้โดยใช้กฎของโอห์ม จะได้ดังสมการ (4.12)
VTh  v oc (4.12a)
I N  i sc (4.12b)
v oc
RTh   RN (4.12c)
i sc
ตัวอย่ำง 4.11 หาวงจรสมมูลของนอร์ตัน จากวงจรดังภาพ 4.43

a
8
8
4A 4
24 V
b
วิธีทำ หา RN ได้เช่นเดียวกับการหาค่า RTh ในวงจรสมมูลของเทวินิน โดยปิดแหล่งจ่าย (ลัดวงจรแหล่งจ่าย
แรงดัน เปิดวงจรแหล่งจ่ายกระแส) ดังนั้นจากภาพ 4.43 จะได้ดังภาพ 4.44
158
a
8
8
 RN
4
b
4  16
จากภาพ 4.44 ดังนั้น RN  4 //( 8  8)   3.2 
4  16
หากระแสนอร์ตัน IN ได้โดยลัดวงจรที่ขั้ว a-b ดังภาพ 4.45 ซึ่งจะละทิ้งตัวต้านทาน 4  เนื่องจากถูก
ลัดวงจร
8 a
8
i1 i2 i sc  I N
4A
4
24 V
b

จากภาพ 4.45 ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซจะได้
i1  4 A , 16i2  8i1  24  0 (4.11.1)
และจากสมการ (4.11.1) จะได้ i2  3.5 A  i sc  I N
หรือจะสามารถหา IN ได้จาก VTh/RTh โดย VTh จะได้จากแรงดันเปิดวงจรที่ขั้ว a-b ดังภาพ 4.46
a
8 
8
i3
4A i4 v oc  VTh
4
24 V 
b
159
จากภาพ 4.46 ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซจะได้

i3  4 A , 20i4  8i3  24  0 (4.11.2)
และจากสมการ (4.11.2) จะได้ i4  2.8 A
ดังนั้น v oc  VTh  4i4  11.2 V
VTh 11.2
และ IN    3.5 A
RTh 3.2
v oc 11.2
หรือ RTh    3.2 
i sc 3.5
ซึ่งจะได้วงจรสมมูลของนอร์ตัน ดังภาพ 4.47
a
3.5 A 3.2 
b
ตัวอย่ำง 4.12 ใช้ทฤษฎีของนอร์ตันหา RN และ IN ที่ขั้ว a-b จากวงจรดังภาพ 4.48

2i x
ix 8
a
4 12 V
b
วิธีทำ จากภาพ 4.48 ประกอบด้วยแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าอิสระ 12 V และแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าไม่อิสระ
2ix จะหาค่า RN ได้ โดยกาหนดให้ แหล่งจ่ายแรงดันอิส ระในวงจรมีค่าเท่ากับ 0 V (ปิดแหล่ งจ่าย) และต่อ
แหล่งจ่ายแรงดัน vo = 1 V ที่ขั้ว a-b ดังภาพ 4.49
160
2i x
ix 8 a
io
4
vo  1 V
b

จากภาพ 4.49 จะสามารถละทิ้งตัวต้านทาน 4  ได้เพราะถูกลั ดวงจร ดังนั้น ตัวต้านทาน 8 
แหล่งจ่ายอิสระ vo และแหล่งจ่ายไม่อิสระ 2ix จะอยู่ในลักษณะการต่อขนานกัน ซึง่ ix จะมีค่าเป็นศูนย์
ดังนั้น io = vo/8 = 1/8 = 0.125 A
vo 1
จากภาพ 4.49 จะได้ RN    8
io 0.125
จะหา IN ได้โดยลัดวงจรที่ขั้ว a-b และหาค่ากระแสลัดวงจร isc ดังภาพ 4.50
2i x
ix 8 a
i sc  I N
4 12 V
b

จากภาพ 4.50 ตัวต้านทาน 4 , 8  แหล่งจ่ายแรงดันอิสระและแหล่งจ่ายกระแสไม่อิสระต่ออยู่ใน
ลักษณะขนานกัน
12  0
ฉะนั้น ix   3A
4
12
KCL โนด a; i sc   2i x  1.5  2(3)  7.5 A
8
ดังนั้น I N  7.5 A
161
4.7 กำรส่งผ่ำนกำลังไฟฟ้ำสูงสุด
ในภาคปฏิบั ติ บ่ อยครั้งที่จะต้องออกแบบวงจรสาหรับส่งผ่านกาลัง ไฟฟ้าให้ แก่โหลด โดยจะต้องมี
กาลังไฟฟ้าสูญเสียน้ อยที่สุด เช่น ในการส่งจ่ายกาลังไฟฟ้า รวมไปถึงการใช้งานในระบบสื่อสาร ซึ่งจะต้อง
พิจารณาทั้งทางด้านประสิทธิภาพและด้านเศรษฐศาสตร์ โดยระบบจะต้องส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสู่โหลดได้สูงสุด
จากการพิ จ ารณากาลั งไฟฟ้ าที่โหลดได้รับ และกาลั งสู ญ เสี ยภายใน พบว่า ปั จจัย ของการส่ งผ่ าน
กาลังไฟฟ้าสูงสุดให้แก่โหลด คือ ค่าความสูญเสียภายใน ซึ่งบ่อยครั้งพบว่า ค่าความสูญเสียภายในจะมากกว่า
หรือเท่ากับกาลังไฟฟ้าที่จ่ายให้แก่โหลด
การใช้วงจรสมมูลของเทวินิน เพื่อพิจารณาหาค่าการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด (Maximum Power
Transfer) จากวงจรเชิงเส้นแก่โหลด โดยจะกาหนดให้ค่าความต้านทานโหลด RL ปรับค่าได้ ดังภาพ 4.51
R Th a
i
VTh RL
b
ภำพ 4.51 วงจรสาหรับหาค่าการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด

จากภาพ 4.51 กาลังไฟฟ้าที่โหลด จะได้
2
 V 
p  i RL   Th  RL
2
(4.13)
 RTh  RL 
เมื่อกาหนดให้ VTh และ RTh เป็นค่าคงที่ และปรับค่า RL กาลังไฟฟ้าที่โหลดได้รับ แสดงดังภาพ 4.52
p
p max
0 R Th RL
ภำพ 4.52 กาลังไฟฟ้าที่โหลดได้รับซึ่งอยู่ในฟังก์ชันของ RL

จากภาพ 4.52 กาลังไฟฟ้าจะมีค่าต่าเมื่อ RL มีค่าน้อย ๆ และค่ามาก ๆ แต่จะมีค่ากาลังไฟฟ้าสูงสุดที่
ค่า RL อยู่ ในช่ว ง 0 และ  ซึ่งจะพบว่าค่าก าลั งไฟฟ้ าสู งสุ ดจะเกิด ขึ้น เมื่อ RL มีค่ าเท่ ากับ RTh ซึ่งเรีย กว่า
ทฤษฎีการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด สามารถพิสูจน์ทฤษฎีการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุดได้ โดยอนุพันธ์ สมการ
(4.13) ให้เท่ากับ 0 จะได้
162
2  ( RTh  RL )  2 RL ( RTh  RL ) 
2
dp
 VTh  
dR L  ( RTh  RL ) 4 
 ( R  R  2R ) 
 VTh 2  Th L 3 L   0
 ( RTh  RL ) 
ฉะนั้น 0  ( RTh  RL  2RL )  ( RTh  RL ) (4.14)
ซึ่งจะได้ RL  RTh (4.15)
จากสมการ 4.15 จะพบว่า การส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุดจะเกิดขึ้นเมื่อ RL = RTh และค่ากาลังไฟฟ้า
สูงสุด จะหาได้โดยอนุพันธ์กาลัง 2 ของกาลังไฟฟ้า d2p/dR2L < 0 หรือ
VTh 2
pmax  (4.16)
4 RTh
ตัวอย่ำง 4.13 หา RL เพื่อการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด และค่ากาลังไฟฟ้าสูงสุด จากวงจรดังภาพ 4.53
12  3 1 a
24 V 12  1A RL
b

วิธีทำ จากภาพ 4.53 จะสามารถหาวงจรสมมูลของเทวินินได้ ดังภาพ 4.54
12  3 1
a
12   RTh
b
12  12
จากภาพ 4.54 จะได้ RTh  (12 // 12)  3  1   4  10 
12  12
163
และหา VTh โดยใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซจากภาพ 4.55 จะได้

12  3 1
a

24 V i1 i2 VTh
12  1A

b
KVL เมซ i1, i2 ;  24  24i 112i2  0, i2   1 A (4.13.1)
จากสมการ (4.13.1) จะได้ i1  0.5 A
ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซ ในลูป VTh จะได้ค่าแรงดัน VTh ที่ตกคร่อมขั้ว a-b ดังนี้
 24  12i 13i 2  1(0)  VTh  0
และ VTh  21 V
เพื่อการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด RL  RTh  10 
VTh 2 212
ซึ่งจะได้ค่ากาลังไฟฟ้าสูงสุด pmax    11.025 W
4RL 4  10
4.8 ตรวจสอบทฤษฏีวงจรด้วย PSpice Student Version

การตรวจสอบทฤษฎีวงจรด้วย PSpice สาหรับทฤษฎีการทับซ้อน ทฤษฎีของเทวินินและนอร์ตันใน
วงจรที่มีเพียงแหล่งจ่ายอิสระ ทาได้โดยใช้ VIEWPOINT และ IPROBE ตามที่ได้อธิบายไว้แล้วใน หัวข้อที่ 2.8,
3.7 และภาคผนวก ง.3 การวิเคราะห์กระแสตรง
ในหัวข้อนี้จะอธิบายถึงการตรวจสอบทฤษฎีวงจรด้วย PSpice สาหรับ ทฤษฎีของเทวินินและนอร์ตัน
ในวงจรที่มีแหล่งจ่ายไม่อิสระ และทฤษฎีการส่งจ่ายกาลังไฟฟ้าสูงสุด ซึ่งทาได้โดยการวิเคราะห์กระแสตรง
ศึกษาเพิ่มเติมได้จาก ภาคผนวก ง.3 การวิเคราะห์กระแสตรง และการกวาดกระแสตรง
การหาวงจรสมมูลของเทวินิน ซึ่งถูกเปิดวงจรที่ขั้วโหลดโดยใช้ PSpice ทาได้โดยต่อแหล่งจ่ายกระแส
อิ ส ระที่ ขั้ ว โหลด โดยวางอุ ป กรณ์ IDC หรื อ ISRC ที่ ขั้ ว โหลด แล้ ว ก าหนดค่ า กระแส DC ในช่ อ ง
PartName:ISRC และเปลี่ ยนชื่อเป็น Ip หรือชื่ออื่นตามที่ต้องการจะกาหนดให้มีการกวาดของกระแส โดย
พิ ม พ์ Ip ลงในช่ อ ง Package Reference Designator ในหน้ า ต่ า ง Edit Reference Designator จากนั้ น
กาหนดการกวาดในหน้าต่าง DC Sweep โดยกาหนดให้ Ip กวาดตั้งแต่ 0 ถึง 1 A เพิ่มขึ้นทีละ 0.1 A แล้ว
164
จาลองเหตุการณ์ ในวงจร พล๊ อตแรงดันไฟฟ้าที่ตกคร่อม Ip เทียบกับกระแสที่ไหลผ่าน Ip ค่าแรงดันไฟฟ้า

สมมูลเทวินิน VTh จะได้จากจุดตัดกราฟกับเส้นศูนย์ และค่าความต้านทานสมมูลเทวินิน RTh จะได้จากความ
ชันของกราฟ
การหาวงจรสมมูลของนอร์ตัน ทาได้เช่นเดียวกับการหาวงจรสมมูลของเทวินิน แต่จะใส่แหล่ งจ่าย
แรงดันอิสระ VDC หรือ VSRC แทน ซึ่งอาจจะตั้งชื่อเป็น Vp กาหนดให้กวาดแรงดันตั้งแต่ 0 ถึง 1 V โดย
เพิ่มขึ้นที่ละ 0.1 V แล้วพล๊อตกระแสที่ไหลผ่าน Vp เทียบกับแรงดันไฟฟ้าที่ตกคร่อม Vp โดยจุดตัดกราฟกับ
เส้นศูนย์ คือ ค่ากระแสสมมูลของนอร์ตัน IN และความชันของกราฟคือค่าความนาไฟฟ้าสมมูล (ส่วนกลับของ
ค่าความต้านทาน) ของนอร์ตัน
การส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุดไปยังโหลด โดยใช้ PSpice จะใช้การกวาดกระแสตรง โดยกาหนดชื่อตัว
ต้านทานโหลดเป็ น RL แล้ว พล๊ อตค่ากาลั งไฟฟ้าที่ โหลดได้รับ โดยกาหนดการพล๊อตได้ในหน้าต่าง Trace
Command
ตัวอย่ำง 4.14 จากวงจรภาพ 4.31 ดังตัวอย่าง 4.9 ใช้ PSpice หาวงจรสมมูลของเทวินินและนอร์ตัน
วิธีทำ (ก) หาค่าความต้านทานเทวินิน RTh และแรงดันไฟฟ้าเทวินิน VTh ที่ขั่ว a-b ในวงจรภาพ 4.31 โดย
ใช้ Schermatics วาดวงจรดังแสดงในภาพ 4.56 (ก) โดยวางแหล่งจ่ายกระแสอิสระ Ip ที่ขั้วโหลด กาหนดการ
จาลองเหตุการณ์ ดังนี้ คลิก Analysis/Setup เลือก DC Sweep เลือก Sweep Type เป็น Linear กาหนดตัว
แปร Sweep Ver. Type เป็น Current Source (แหล่งจ่ายกระแส) ใส่ Ip ลงในช่อง Name ค่าเริ่มต้น Start
Value เป็น 0 ค่าสุดท้าย End Value เป็น 1 และ 0.1 ที่ช่อง Increment หลังจากจาลองเหตุการณ์ในวงจร
แล้ว เพิ่มเส้นกราฟ (trace) V(Ip:-) บนหน้าต่างของ PSpice A/D ผลการพล๊อตแสดงดังภาพ 4.56 (ข) จะได้
VTh = จุดตัดที่แกนศูนย์ = 20 V RTh = ความชัน = (26-20)/1 = 6 
ซึ่งสอดคล้องกับตัวอย่าง 4.9
GAIN=2
(ก) (ข)
ภำพ 4.56 สาหรับตัวอย่าง 4.14 (ก) แผนภาพวงจรและ(ข) พล็อตหาค่า RTh และ VTh
(ข) หาค่าความต้านทานนอร์ตัน RN และกระแสไฟฟ้านอร์ตัน IN ทีข่ วั้ a-b จากวงจรดังภาพ 4.56 (ก)
เปลี่ ย นแหล่ งจ่ ายกระแสไฟฟ้ าอิ ส ระที่ ขั้ ว โหลดเป็ น แหล่ งจ่ ายแรงดั น ไฟฟ้ าอิ ส ระ Vp ก าหนดการจาลอง
165
เหตุการณ์ ดังนี้ คลิก Analysis/Setup เลือก DC Sweep เลือก Sweep Type เป็น Linear กาหนดตัวแปร
Sweep Ver. Type เป็ น Voltage Source (แหล่ งจ่ า ยแรงดั น ) ใส่ Vp ลงในช่ อ ง Name ค่ าเริ่ ม ต้ น Start
Value เป็น 0 ค่าสุดท้าย End Value เป็น 1 และ 0.1 ที่ช่อง Increment หลังจากจาลองเหตุการณ์ในวงจร
แล้ว เพิ่มเส้นกราฟ (trace) I(Vp) บนหน้าต่างของ PSpice A/D ผลการพล๊อตแสดงดังภาพ 4.57 (ข) จะได้
IN = จุดตัดที่แกนศูนย์ = 3.335 A GN = ความชัน = (3.335-3.165)/1 = 0.17 S
และ RN = 1/GN = 1/0.17  6 
GAIN=2
(ก) (ข)
ภำพ 4.57 สาหรับตัวอย่าง 4.14 (ก) แผนภาพวงจรและ(ข) พล็อตหาค่า GN และ IN
ตัวอย่ำง 4.15 จากวงจรดังภาพ 4.58 ใช้ PSpice หาค่ากาลังไฟฟ้าสูงสุดที่ส่งผ่านไปยัง RL

RTh
1k
1V RL
วิธีทำ การหาค่ากาลังไฟฟ้าสูงสุดที่โหลดได้รับ ใช้ PSpice ทาได้โดย กวาดกระแสตรงให้กับ RL และพล๊อตค่า

กาลังไฟฟ้าสูงสุดที่ RL มีขั้นตอนดังนี้
1. วาดวงจรตามภาพ 4.58 ลงใน Schematics
2. กาหนดค่า R2 ให้เป็น {RL}
3. วางอุปกรณ์ PARAM ลงใน Schematics
4. DCLICK ที่ PARAM ที่ NAME1= กาหนดให้เป็น RL ที่ VALUEI = กาหนดให้เป็น 2k
166
ส าหรั บ การก าหนดการจ าลองเหตุ ก ารณ์ ดั ง นี้ คลิ ก Analysis/Setup เลื อ ก DC Sweep เลื อ ก
Sweep Type เป็ น Linear กาหนดตัวแปร Sweep Ver. Type เป็น Global Parameter ใส่ RL ลงในช่อง
Name ค่ า เริ่ ม ต้ น Start Value เป็ น 100 ค่ า สุ ด ท้ า ย End Value เป็ น 5k และ 100 ที่ ช่ อ ง Increment
หลั ง จากจ าลองเหตุ ก ารณ์ ใน วงจรแล้ ว เพิ่ ม เส้ น กราฟ (add trace) โดยพิ ม พ์ V(R2:1)*I(R2) หรื อ
V(R2:1)*V(R2:1)/RL ในช่อง Trace Expression ผลการพล๊อตแสดงดังภาพ 4.60
1V
ภำพ 4.59 Schematics ของวงจรตามภาพ 4.58
ภำพ 4.60 ผลการพล๊อตหากาลังไฟฟ้าที่ RL ของวงจรตามภาพ 4.59
จากภาพ 4.60 จะพบว่า ค่ากาลังไฟฟ้าสูงสุด คือ 250 W เกิดขึ้นเมื่อ RL = 1 k พิจารณาภาพ

4.58 พบว่า มีค่าเท่ากับ RTh ซึ่งเป็นไปตามทฤษฎีการส่งจ่ายกาลังไฟฟ้าสูงสุดของวงจร
การเลือกแสดงผลการพล๊อต (add trace) จะเป็นขา 1 หรือ 2 ของอุปกรณ์ ขึ้นกับการวางอุปกรณ์
การก าหนดการพล๊ อ ตไม่ ถู ก ต้ อ งจะส่ งผลต่ อ การประมวลของ OrCAD PSpice ซึ่ งเป็ น ไปตามข้ อ ก าหนด
เครื่องหมายพาสซีฟ ศึกษาเพิ่มเติมได้จาก ข้อสังเกต จ.4 ในภาคผนวก จ
167
4.9 กำรประยุกต์ใช้ทฤษฎีวงจร
หัวข้อนี้เป็นการอธิบายตัวอย่างการประยุกต์ใช้ทฤษฎีวงจรตามที่ได้กล่าวมาแล้ว คือ แบบจาลองของ
แหล่งจ่าย การวัดค่าความต้านทาน และระบบควบคุมเบื้องต้น โดยมีรายละเอียด ดังนี้
4.9.1 แบบจำลองของแหล่งจ่ำย
แบบจ าลองของแหล่ ง จ่ า ย (Source Modeling) เป็ น ตั ว อย่ า งใช้ ส าหรั บ อธิ บ ายตั ว อย่ า งการใช้
ประโยชน์ของวงจรสมมูลของเทวินินหรือนอร์ตัน แหล่งจ่ายที่จ่ายพลังงานอยู่ เช่น แบตเตอรี่ มักแสดงลักษณะ
สมบั ติเป็ น วงจรสมมูล ตามทฤษฎี ของเทวินิ น หรือนอร์ตัน กล่ าวคือ แหล่ งจ่ายแรงดั นไฟฟ้ าในอุดมคติ จะ
สามารถจ่ายแรงดัน สู่โหลดได้อย่างคงที่โดยไม่คานึงถึงกระแสที่ไหลสู่โหลด และแหล่ งจ่ายกระแสไฟฟ้าใน
อุดมคติจะสามารถจ่ายกระแสไฟฟ้าสู่โหลดได้คงที่โดยไม่คานึงถึงแรงดันตกคร่อมโหลด แหล่งจ่ายไฟฟ้าที่ใช้
งานจริง แสดงดังภาพ 4.61
Rs
vs is Rp
(ก) (ข)
ภำพ 4.61 (ก) แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานจริง (ข) แหล่งจ่ายกระแสที่ใช้งานจริง
จากภาพ 4.61 แสดงแหล่งจ่ายแรงดันและกระแสไฟฟ้าที่ใช้งานจริงไม่ใช่ในอุดมคติ เนื่องจากมีค่า

ความต้านทานภายใน Rs และ Rp สาหรับแหล่งจ่ายแรงดันและกระแสไฟฟ้า ตามลาดับ แหล่งจ่ายทั้ง 2 จะเป็น
แหล่งจ่ายในอุดมคติ ก็ต่อเมื่อ Rs  0 และ Rp   เพื่ออธิบายให้เห็นถึงความสัมพันธ์ของแหล่งจ่ายที่ใช้
งานจริงและแหล่งจ่ายในอุดมคติ พิจารณาภาพ 4.61 (ก) โดยใช้หลักการแบ่งแรงดันไฟฟ้า จะได้แรงดันไฟฟ้า
ตกคร่อมโหลด ดังนี้
RL
vL  vs (4.17)
R s  RL
จากสมการ (4.17) เมื่อ RL มีค่าเพิ่มขึ้น หรือ Rs มีค่าลดลง แรงดันไฟฟ้าตกคร่อมโหลดจะมีค่าเข้าใกล้
แหล่งจ่าย vs และสาหรับภาพ 4.61 (ข) เมื่อ RL มีค่าลดลงหรือ Rp มีค่าเพิ่มขึ้น กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านโหลด
จะมีค่าใกล้แหล่งจ่าย is ซึ่งจะสรุปได้ว่า
1. แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานจริง ค่าแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมโหลดจะสัมพันธ์กับค่าความต้านทาน
ภายใน Rs คื อ ถ้ า Rs มี ค่ า น้ อ ย ๆ หรื อ Rs << RL จะส่ งผลให้ แ รงดั น ไฟฟ้ า ที่ ต กคร่ อ มโหลดมี ค่ าเข้ าใกล้
168
แรงดันไฟฟ้าที่แหล่งจ่าย หรือแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานจริงจะมีพฤติกรรมเข้าใกล้แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า
ในอุดมคติ
2. แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่ใช้งานจริง ค่ากระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านโหลดจะสัมพันธ์กับค่าความต้านทาน
ภายใน Rp คื อ ถ้ า Rp มี ค่ า มาก ๆ หรื อ Rp >> RL จะส่ งผลให้ ก ระแสไฟฟ้ า ที่ ไหลผ่ านโหลดมี ค่ า เข้ า ใกล้
กระแสไฟฟ้าที่แหล่งจ่าย หรือแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่ใช้งานจริงจะมีพฤติกรรมเข้าใกล้แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า
ในอุดมคติ
4.9.2 กำรวัดค่ำควำมต้ำนทำน
การวัดค่าความต้านทาน (Resistance Measurement) โดยใช้วงจรบริดจ์แบบวีตสโตน (Wheat-
stone bridge) ถูกใช้งานอย่างกว้างขว้างสาหรับการวัดค่าความต้านทานที่ไม่ทราบค่า โดยตัวต้านทานที่ไม่
ทราบค่า Rx นั้ นจะต่ออยู่ในบริดจ์ดังแสดงในภาพ 4.62 แล้วปรับค่า ตัวต้านทานที่ปรับค่าได้จนกระทั่ งไม่มี
กระแสไฟไหลผ่ า นกั ล วานอมิ เตอร์ ซึ่ ง เป็ น มิ เ ตอร์ ใ นกลุ่ ม เข็ ม เคลื่ อ นที่ ข องดาร์ สั น วาล์ (D'Arsonval
Movement Meter) ทางานโดยเป็นอุปกรณ์ชี้วัดกระแสไฟฟ้าในย่านไมโครแอมป์ ในกรณีที่ไม่มีกระแสไหล
ผ่านกัลวานอมิเตอร์จะแสดงว่า R1 และ R2 ต่อกันแบบอนุกรม เช่นเดียวกับ R3 และ Rx เมื่อไม่มีกระแสไหล
ผ่านกัลวานอมิเตอร์จะหมายถึง v1 = v2 เมื่อใช้หลักการแบ่งแรงดันไฟฟ้า จะได้
R2 Rx
v1  v  v2  v (4.18)
R1  R2 R3  R x
R1 R3
Galvanometer
v
 
R2 v1 v2 Rx
 
ภำพ 4.62 วงจรบริดจ์แบบวีตสโตน Rx คือ ตัวต้านทานที่จะวัด
ดังนั้น กระแสจะไม่ไหลผ่านกัลป์วานอมิเตอร์เมื่อ
R2 Rx
  R2 R3  R1 R x
R1  R2 R3  R x
169
R3
หรือ Rx  R2 (4.19)
R1
ถ้า R1 = R3 และปรับ R2 จนกระทั้งไม่มีกระแสไหลในกัลวานอมิเตอร์แล้ว Rx = R2
และจะสามารถหาค่ า กระแสที่ ไหลผ่ า นกั ล วานอมิ เตอร์ ใ นกรณี บ ริ ด จ์ แ บบวี ต สโตนไม่ ส มดุ ล
(unbalanced) โดยหาวงจรสมมูล ของเทวินิน (VTh และ RTh) ของกัล วานอมิเตอร์ ถ้าให้ Rm เป็นค่าความ
ต้านทานของกัลวานอมิเตอร์ กระแสที่ไหลผ่านภายในสภาวะไม่สมดุล คือ
VTh
I  (4.20)
RTh  R m
4.9.3 ระบบควบคุมเบื้องต้น
จากคุณสมบัติความเป็นเชิงเส้นของวงจร ตามที่ได้อธิบายในหัวข้อที่ 4.2 คุณสมบัติวงจรเชิงเส้น ซึ่ง
หมายถึง ถ้าป้อนสัญญาณอินพุต x(t) ผ่านวงจรเชิงเส้น h(t) จะได้เอาท์พุต y(t) ซึ่งอัตราส่วนระหว่างเอาท์พุต
ต่ออินพุต y(t)/x(t) คือ ฟังก์ชันถ่ายโอน [Transfer function; H(t)] ดังสมการ (4.21)
y (t )
H (t )  (4.21)
x (t )
ฟังก์ชันถ่ายโอน จะพบมากในรายวิชาระบบควบคุมเชิงเส้น ซึ่งในหัวข้อนี้จะอธิบายถึงพื้นฐานระบบ
ควบคุมและการรวมบล็อกไดอะแกรมของฟังก์ชันถ่ายโอนเบื้องต้น โดยระบบควบคุมเชิงเส้นที่พบได้ทั่วไป คือ
ระบ บ ค วบ คุ ม แบ บ พี ไอดี (PID controller) ห รื อ ระบ บ ค วบ คุ ม แบ บ สั ด ส่ วน -ป ริ พั น ธ์ -อ นุ พั น ธ์
ซึ่ง P (proportional) หมายถึง การปรับสัดส่วนสัญญาณ I (integral) หมายถึง การอินทิเกรตสัญญาณ และ
D (derivative) หมายถึง การอนุพันธ์สัญญาณ โดยวงจรปรับสัดส่วนหรือวงจรขยายจะอธิบายในบทที่ 5 วงจร
ทาอินทิเกรตและวงจรทาอนุพันธ์จะอธิบายในบทที่ 6
จากสมการ (4.21) แสดงดังภาพ 4.63
x (t ) y (t )
h(t )
ภำพ 4.63 ระบบควบคุมเบื้องต้น

จากภาพ 4.63 ถ้ าอิน พุ ต x(t) เป็ น สั ญ ญาณแรงดัน ขนาด 2 V บล็ อกไดอะแกรม h(t) เป็ น ระบบ
ควบคุมแบบปรับสัดส่วนสัญญาณ (P Controller) 5 เท่า เอาท์พุต y(t) จะได้ เท่ากับ 10 V ซึ่งจะได้ฟังก์ชัน
ถ่ายโอน H(t) = y(t)/x(t) = 5 ตามบล็ อ กไดอะแกรม h(t) ทั้ งนี้ ในทางปฏิ บั ติ บ ล็ อ กไดอะแกรมของระบบ
ควบคุมจะมีมากกว่า 1 บล็ อก เชื่อมต่อกัน ได้ทั้งแบบอนุกรมและขนาน รวมถึงมีการรวมสัญญาณและการ
ป้อนกลับสัญญาณอีกด้วย การรวมบล็อกไดอะแกรมให้เหลือเพียงบล็อกไดอะแกรมสมมูลเพียงบล็อกเดียว H(t)
170
จะช่วยให้วิเคราะห์ระบบควบคุมได้สะดวกขึ้น ตัวอย่างการรวมบล็อกไดอะแกรมที่พบได้โดยทั่วไป แสดงดัง

ภาพ 4.64
x (t ) A y (t )
h1 (t ) h2 (t)
(ก)
h1 (t )
x (t ) y (t )
A
h2 (t)
(ข)
x (t ) A y (t )
e (t )
h1 (t )

b (t )
h2 (t)
(ค)
ภำพ 4.64 ตัวอย่างการต่อบล็อกไดอะแกรม
จากภาพ 4.64 (ก) เป็นบล็อกไดอะแกรมต่ออนุกรม ที่โนด A เป็นเอาท์พุตของบล็อก h1(t) และเป็น
อินพุตให้กับ บล็อก h2(t) สามารถหาฟังก์ชันถ่ายโอนได้ ดังนี้ ที่โนด A เอาท์พุตบล็อก h1(t) จะได้ x(t)h1(t)
และที่เอาท์พุตบล็อก h2(t) จะได้ y(t) = x(t)h1(t)h2(t) ซึ่งจะได้
y (t )
H (t )   h1 (t ) h2 (t ) (4.22)
x (t )
จากภาพ 4.64 (ข) เป็นบล็อกไดอะแกรมต่อขนาน ที่โนด A เป็นเอาท์พุตของบล็อก h1(t) และ h2(t)
สามารถหาฟังก์ชัน ถ่ายโอนได้ ดังนี้ เอาท์พุตบล็อก h1(t) จะได้ x(t)h1(t) และที่เอาท์พุตบล็ อก h2(t) จะได้
x(t)h2(t) เอาท์พุตรวมของทั้ง 2 บล็อก จะได้ y(t) = x(t)h1(t) + x(t)h2(t) ซึ่งจะได้
y (t )
H (t )   h1 (t )  h2 (t ) (4.23)
x (t )
จากภาพ 4.64 (ค) เป็นบล็อกไดอะแกรมแบบป้อนกลับ สามารถหาฟังก์ชันถ่ายโอนได้ ดังนี้
171
y (t )  h1 (t ) e(t ) (4.24)
e( t )  x ( t )  b ( t ) (4.25)
b(t )  h2 (t ) y (t ) (4.26)
แทนสมการ (4.25) และ (4.26) ใน (4.24) จะได้
y (t )  h1 (t )[ x (t )  h2 (t ) y (t )]
y (t ) h1 (t )
ดังนั้น H (t )   (4.27)
x (t ) 1  h1 (t ) h2 (t )
สาหรับการต่อบล็อกไดอะแกรมรูปแบบอื่น ๆ สามารถศึกษาเพิ่มเติมได้ใน (Ogata, 1990)
1. วงจรจะเป็นเชิงเส้นก็ต่อเมื่อ วงจรนั้นมีคุณสมบัติความเป็นหนึ่งเดียวและคุณสมบัติสภาพรวมกันได้
วงจรเชิงเส้นจะประกอบไปด้วยองค์ประกอบเชิงเส้น แหล่งจ่ายอิสระ และแหล่งจ่ายไม่อิสระเชิงเส้น
2. ทฤษฎีวงจร เป็นทฤษฎีที่ใช้วิเคราะห์วงจร โดยจะลดรูปวงจรให้เป็นวงจรสมมูลหรือวงจรไฟฟ้า
อย่างง่าย
3. ทฤษฎีการทับซ้อน กล่าวว่า แรงดันไฟฟ้าตกคร่อมหรือกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านองค์ประกอบใด ๆ
ในวงจรซึ่งประกอบไปด้วยแหล่งจ่ายอิสระหลาย ๆ แหล่งจ่าย จะเท่ากับผลรวมทางพีชคณิตจากผลตอบสนอง
ของทุกแหล่งจ่ายในวงจร
4. การแปลงแหล่งจ่าย ใช้สาหรับแปลงรูปแหล่งจ่ายแรงดันที่ต่ออนุกรมกับตัวต้านทาน เป็นแหล่งจ่าย
กระแสที่ขนานกับตัวต้านทาน และในทางตรงกันข้าม
5. ทฤษฎีของเทวินิน กล่าวว่า วงจรเชิงเส้นสามารถแปลงเป็นวงจรสมมูลของเทวินินได้ ซึ่งประกอบไป
ด้วยแหล่งจ่ายแรงดันเทวินิน VTh และตัวต้านทานเทวินิน RTh ต่ออนุกรมกัน ทฤษฎีของนอร์ตัน กล่าวว่า วงจร
เชิงเส้นสามารถแปลงเป็นวงจรสมมูลของนอร์ตันได้ ซึ่งประกอบไปด้วยแหล่งจ่ายกระแสนอร์ตัน IN และตัว
ต้านทานนอร์ตัน RN ต่อขนานกัน วงจรสมมูลของเทวินินและนอร์ตัน สัมพันธ์กันตามหลักการแปลงแหล่งจ่าย
6. การส่งจ่ายกาลังไฟฟ้าสูงสุดเกิดขึ้นเมื่อ RL = RTh
7. PSpice สามารถใช้ตรวจสอบทฤษฎีวงจรได้ครอบคลุมเนื้อหาในบทนี้ ซึ่งใช้การกวาดกระแสตรง
(DC Sweep) ในการวิเคราะห์
8. แบบจาลองของแหล่งจ่าย และการวัดค่าความต้านทานโดยใช้วี ตสโตนบริดจ์ เป็นตัวอย่างการ
ประยุกต์ใช้ทฤษฎีของเทวินิน
172
4.1 หา vo เมื่อ is เท่ากับ 15 A และ 30 A จากวงจรดังภาพ 4.65
6
io 
is 2 4 vo

ภำพ 4.65 สาหรับแบบฝึกหัดท้ายบทข้อที่ 4.1

ตอบ v o1  10 V v o2  20 V
4.2 กาหนดให้ vo = 1V ใช้คุณสมบัติความเป็นเชิงเส้น หาแรงดัน vo จริงในวงจรดังภาพ 4.66
VA 12  io

10 V 5 8 vo


ตอบ vo  4 V
4.3 ใช้ทฤษฎีการทับซ้อน หา vo จากวงจรดังภาพ 4.67
3 5

vo 2 8A 20 V


ตอบ v o  12 V
4.4 หา vx โดยใช้ทฤษฎีการทับซ้อน จากวงจรดังภาพ 4.68
20  Vx
10 V 2A 4 0 .1V x

ตอบ Vx  12.5 V
173
4.5 หา i โดยใช้ทฤษฎีการทับซ้อน จากวงจรดังภาพ 4.69

2
6 8
16 V 4A 12 V

ตอบ i  0.75 A
4.6 หา io โดยใช้วิธีการแปลงแหล่งจ่าย จากวงจรดังภาพ 4.70
5V
1
io
6 5A 3 7 3A 4

ตอบ i o  1.7796 A
4.7 หา ix โดยใช้วิธีการแปลงแหล่งจ่าย จากวงจรดังภาพ 4.71
ix 5
4A 10  2i x

ตอบ i x  1.1764 A
4.8 หาวงจรสมมูลของเทวินินที่ขั้ว a-b และหากระแสที่ไหลผ่านตัวต้านทาน 1 จากวงจรดังภาพ 4.72
6 6 a
12 V 2A 4 1
b

ตอบ RTh  3  VTh  6 V i  1.5 A
174
4.9 หาวงจรสมมูลของเทวินิน จากวงจรดังภาพ 4.73

5 Ix 3 a
6V 1 .5 I x 4
b
ตอบ RTh  0.444  VTh  5.333 V
4.10 หาวงจรสมมูลของเทวินิน จากวงจรดังภาพ 4.74
10  4Vx
a

Vx 5 15 

b
1
ตอบ VTh  0 V RTh    7.5 
i
4.11 หาวงจรสมมูลของนอร์ตัน จากวงจรดังภาพ 4.75
3 3 a
15 V 4A 6
b
ตอบ RN  3  I N  4.5 A
175
4.12 ใช้ทฤษฎีของนอร์ตันหา RN และ IN ที่ขั้ว a-b จากวงจรดังภาพ 4.76

2V x a

6 10 A 2 Vx

b
ตอบ RN  1  I N  10 A
4.13 หาค่าของ RL เพื่อการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด และค่ากาลังไฟฟ้าสูงสุด จากวงจรดังภาพ 4.77
2 4 a
 VX 
1
9V RL
3V X
b
ตอบ RTh  4.222  pmax  2.901 W
4.14 ทาซ้าแบบฝึกหัดท้ายบทที่ 4.12 โดยใช้ PSpice หาวงจรสมมูลของนอร์ตันหา GN และ IN ที่ขั้ว a-b
จากวงจรดังภาพ 4.74
ตอบ GN  1 S I N  10 A
4.15 ทาซ้าแบบฝึกหัดท้ายบทที่ 4.13 โดยใช้ PSpice หาค่าของ RL เพื่อการส่งผ่านกาลังไฟฟ้าสูงสุด และ
ค่ากาลังไฟฟ้าสูงสุด จากวงจรดังภาพ 4.75
ตอบ RTh  4.222  pmax  2.901 W
176
McGraw-Hill.
Ogata, K. (1990). Modern Control Engineering. (2nd ed). Singapore: McGraw-Hill.
McGraw-Hill.
McGRAW-Hill.
บทที่ 5
โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์
5.1 บทนำ
จากกฎพื้นฐาน ระเบียบวิธีวิเคราะห์วงจรและทฤษฎีวงจรในบทที่ผ่านมา ซึ่งอธิบายถึงองค์ประกอบ
แบบพาสซี ฟ ที่ ส าคั ญ ส าหรั บ การศึ ก ษาวิ ช าวงจรไฟฟ้ า นั่ น คื อ วงจรตั ว ต้ า นทาน ในบทนี้ จ ะอธิ บ ายถึ ง
องค์ประกอบแบบแอคทีฟที่สาคัญ ชนิดหนึ่ง คือ โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์ หรือเรียกว่า ออปแอมป์
(Op-Amp) ซึง่ ถูกใช้ในวงจรขยายสัญญาณทางไฟฟ้าอย่างแพร่หลาย
ออปแอมป์เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ จัดเป็นวงจรรวมประเภทหนึ่ง โดยทั่วไปประพฤติตัวเหมือนกับ
แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยแรงดันไฟฟ้า (VCVS) ซึ่งสามารถประยุกต์ให้เป็นแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่
ควบคุมด้วยกระแสหรือแรงดัน ไฟฟ้า (CCCS หรือ VCCS) ได้เช่นกัน ออปแอมป์สามารถบวก ลบ อนุพันธ์
ปริพั น ธ์ รวมถึงเปรียบเทียบสั ญ ญาณได้ จากความสามารถในการดาเนินการฟังก์ชันทางคณิ ตศาสตร์ของ
สัญญาณ ด้วยเหตุนี้จึงมีชื่อว่า โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์ (Operational Amplifier) หรือ วงจรขยาย
แบบดาเนินการสัญญาณ
บทนี้จะอธิบายถึง ตัวขยายในทางอุดมคติ ออปแอมป์ในทางอุดมคติและไม่ใช่ทางอุดมคติ ออปแอมป์
ในการดาเนินการทางคณิตศาสตร์ของสัญญาณ ได้แก่ วงจรขยายกลับเฟสและไม่กลับเฟส วงจรขยายผลบวก
และผลต่าง วงจรขยายสัญญาณเครื่องมือวัด การต่อคาสเคดวงจรออปแอมป์ การวิเคราะห์วงจรออปแอมป์โดย
ใช้ PSpice และการประยุกต์ใช้ โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์ เป็นตัวแปลงสัญญาณดิจิทัลเป็นแอนะล็อก
วงจรชาร์จแบตเตอรี่ และวงจรป้องกันหม้อแปลงไฟฟ้าแรงดันสูงสาหรับห้องปฏิบัติการวิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง
5.2 ตัวขยำยในทำงอุดมคติ
หน้าที่สาคัญประการหนึ่งของเครื่องมือวัดทางอิเล็กทรอนิกส์ คือ ความสามารถในการขยายสัญญาณ
การขยายสัญญาณที่มีขนาดเล็กที่พบเห็นได้ทั่วไป ได้แก่ การขยายสัญญาณเครื่องรับวิทยุ หรือเครื่องเล่นซีดี
เพื่อขับลาโพง เป็นต้น ดังแสดงในภาพ 5.1
( )
( ) ( )
ภำพ 5.1 ตัวขยายสัญญาณในระบบเครื่องขยายเสียง

178
Rs

Gain RL vL (t )
vs (t) A

ภำพ 5.2 ตัวขยายสัญญาณแรงดันไฟฟ้า

เพื่อให้เข้าใจคุณสมบัติของตัวขยายในทางอุดมคติ จะยกตัวอย่างแบบจาลองอย่างง่ายของตัวขยาย
สัญญาณ ดังแสดงในภาพ 5.2 โดยสัญญาณ vs(t) ถูกขยายด้วยค่าคงที่ A คือ อัตราขยาย (gain) ในทางอุดมคติ
แรงดันตกคร่อมโหลด จะเขียนได้ ดังนี้
v L (t )  Av s (t ) (5.1)
วงจรดั ง ภาพ 5.2 คื อ วงจรสมมู ล ของเทวิ นิ น วงจรภายในของตั ว ขยายอาจจะประกอบด้ ว ย
ทรานซิ ส เตอร์ นั บ 10 ตั ว เพื่ อ ความสะดวกในการพิ จ ารณาจะแทนตั ว ขยายด้ ว ยกล่ อ งด า (Black box)
การวิเคราะห์ความสัมพันธ์ระหว่างอินพุตและเอาท์พุตของตัวขยายสัญญาณสามารถทาได้ดังนี้ กาหนดให้ Rin
แทนค่าความต้านทานสมมูลทางด้านอินพุตของตัวขยาย จะได้
Rin
v in  vs (5.2)
Rin  R s
แรงดันอินพุตที่เข้าสู่ตัวขยายจะถูกขยายด้วยค่าคงที่ A ทาให้ได้สัญญาณที่เอาท์พุต ซึ่งเปรียบเสมือน
แหล่งจ่ายแรงดันที่ถูกควบคุมด้วย Avin แหล่งจ่ายแรงดันควบคุมดังกล่าวมีค่าความต้านทาน Rout ซึ่งแสดงถึง
ค่าความต้านทานภายในตัวขยายด้านเอาท์พุต ดังนั้น แรงดันตกคร่อมโหลดจะหาได้จาก
RL
vL  Av in (5.3)
RL  Rout
แทนสมการ (5.1) ใน (5.2) จะได้
 RL  Rin 
v L     Av in (5.4)
 RL  Rout  Rin  R s 
จากความสัมพันธ์ตามสมการ (5.4) แสดงดัง ภาพ 5.3 ซึ่งจะพบว่า อัตราการขยายสัญญาณของวงจร
ได้ผลกระทบจากความต้านทานภายในทั้งทางด้านอินพุตและทางด้านเอาท์พุตของตัวขยายนั้น ทาให้คุณสมบัติ
การขยายสัญญาณของตัวขยายสัญญาณอาจแตกต่างกันตามค่าโหลด หรือแหล่งจ่าย ด้วยเหตุนี้จึงมีการพัฒนา
ตัวขยายสัญญาณที่ไม่ขึ้นกับผลของโหลดหรือแหล่งจ่าย
179
Rs Rout
 
vs (t) v in Rin RL vL (t )
Avin
 
ภำพ 5.3 แบบจาลองอย่างง่ายของตัวขยายสัญญาณแรงดันไฟฟ้า

นั่นคือ v in  v s (5.5)
เงื่อนไขตามสมการ (5.5) จะเกิดขึ้น
Rin
เมื่อ lim  1 (5.6)
Rin  Rin  R s
และถ้าต้องการให้แรงดันเอาท์พุตมีค่าเท่ากับอัตราการขยาย A คูณกับสัญญาณที่เข้ามาทางอินพุต
นั่นคือ จะต้องให้ Rout จากสมการ (5.3) เป็นศูนย์ จะได้
v L  Av in (5.7)
เมื่อรวมเงื่อนไขตามสมการ (5.6) และ (5.7) เข้าด้วยกัน จะได้ ตัวขยายที่มีค่าความต้านทานอินพุตสูง
มาก ๆ หรือมีค่าเป็ น อนั น ต์ (Rin ) และมีความต้านทานเอาท์พุ ตเป็นศูนย์ (Rout = 0) จะได้วงจรขยาย
ในทางอุดมคติ ดังนี้
v L  Av s (5.8)
5.3 โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์

โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์ หรือออปแอมป์ เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ ออกแบบมาสาหรับ
เป็ น ตัวดาเนิ น การทางคณิ ตศาสตร์ โดยดาเนินการตามผลขององค์ประกอบทางไฟฟ้า ได้แก่ ตัวต้านทาน
ตัวเก็บประจุ ตัวเหนี่ยวนา ที่ต่อเข้าที่ขั้วของตัวมัน ภายในออปแอมป์ประกอบด้วย ตัวต้านทาน ทรานซิสเตอร์
ตัว เก็ บ ประจุ และไดโอด เข้าด้ ว ยกัน ออปแอมป์ โดยทั่ ว ไปจะอยู่ ในลั กษณะของ IC (integrated circuit)
ส่วนมากเป็นแบบ 8 ขา ดังภาพ 5.4
การจั ด เรี ย งต าแหน่ ง ของขา IC และสั ญ ลั ก ษณ์ ข องออปแอมป์ แสดงดั ง ภาพ 5.5 (ก) และ (ข)
180
ภำพ 5.4 ตัวอย่างออปแอมป์
7 V
Balance 1 8 No connection
Inverting input 2
Inverting input 2 7 V 6 Output
Noninverting input 3
Noninverting input 3 6 Output

V 4 5 Balance
415
V Offset Null
(ก) (ข)
ภำพ 5.5 ออปแอมป์ (ก) การจัดเรียงตาแหน่งของขา IC และ (ข) สัญลักษณ์
สัญลักษณ์ของออปแอมป์จะเป็นรูป 3 เหลี่ยม ซึ่งมี อินพุต 2 ขั้วและเอาท์พุต 1 ขั้ว โดยที่ขั้วอินพุตจะ

มี สั ญ ลั ก ษณ์ ลบ (-) และบวก (+) หมายถึ ง ขั้ ว อิ น พุ ต กลั บ เฟส (inverting input) และไม่ ก ลั บ เฟส
(noninverting input) ตามล าดั บ ถ้าจ่ ายสั ญ ญาณเข้าที่ขั้ วไม่ กลั บ เฟสเอาท์ พุ ตจะเป็น ขั้ว เดิ ม และในทาง
ตรงกันข้ามถ้าจ่ายสัญญาณเข้าที่ขั้วกลับเฟสเอาท์พุตที่ได้จะกลับเฟสกันกับสัญญาณอินพุตที่ป้อนเข้า
ออปแอมป์เป็นองค์ประกอบแบบแอคทีฟ ซึ่งจะต้องจ่ายพลังงานให้แก่ตัวมัน ดังแสดงในภาพ 5.6
i 
i1 V CC
2 7 io

6
3 4 
i2 i V CC

ภำพ 5.6 การจ่ายพลังงานให้แก่ออปแอมป์
จากวงจรตามภาพ 5.6 ใช้ KCL ทีอ่ อปแอมป์จะได้

i o  i1  i2  i   i  (5.9)
วงจรสมมูลของออปแอมป์ แสดงดังภาพ 5.7
181
v1

Ro vo
vd Ri
 Avd
v2
ภำพ 5.7 วงจรสมมูลของออปแอมป์ (ไม่ใช่ในทางอุดมคติ)
จากภาพวงจรสมมูลของออปแอมป์ ดังภาพ 5.7 เอาท์พุตจะประกอบด้วยแหล่งจ่ายแรงดันแบบไม่

อิสระที่ต่ออนุกรมกับความต้านทานเอาท์พุต Ro และอินพุตจะมีความต้านทานอินพุต Ri ซึ่งเป็นความต้านทาน
สมมูลของเทวินินที่ขั้วอินพุต ขณะที่ Ro เป็นความต้านทานสมมูลของเทวินินที่ขั้วเอาท์พุต ผลต่างของแรงดัน
อินพุต vd จะหาได้ดังสมการ (5.10)
v d  v 2  v1 (5.10)
จากสมการ (5.10) v1 คือ แรงดันระหว่างขั้วกลับเฟสและกราวด์ และ v2 คือ แรงดันระหว่างขั้วไม่
กลับเฟสและกราวด์ ซึ่งจะพบว่า แรงดันเอาท์พุตของออปแอมป์จะได้จากผลต่างของแรงดันอินพุตทั้ง 2 คูณ
กับอัตราขยาย A ดังสมการ (5.11)
v o  Av d  A(v 2  v1 ) (5.11)
เมื่อ A คือ อัตราขยายลูปเปิด (open-loop voltage gain) ซึ่งเป็นอัตราขยายของออปแอมป์ที่ ไม่มี
การป้อนกลับ (feedback) ของสัญญาณจากเอาท์พุตสู่อินพุต พารามิเตอร์ โดยทั่วไปของออปแอมป์ แสดงดัง
ตาราง 5.1
ตำรำง 5.1 ช่วงค่าทั่วไปของคุณสมบัติของออปแอมป์

คุณสมบัติ ช่วงกำรใช้งำนทั่วไป ค่ำทำงอุดมคติ
อัตราขยายลูปเปิด (Open-loop gain); A 105 to 108 
ความต้านทานขาเข้า (Input resistance); Ri 106 to 1013  
ความต้านทานขาออก (Output resistance); Ro 10 to 100  0
แหล่งจ่ายแรงดัน (Supply voltage); Vcc 5 to 24 V
ความเข้าใจเกี่ยวกับการป้อนกลับ (feedback) ของสัญญาณระหว่างเอาท์พุตและอินพุต จะช่วยให้
เข้ า ใจพฤติ ก รรมการขยายสั ญ ญาณของวงจรออปแอมป์ ได้ ดี ยิ่ ง ขึ้ น การป้ อ นกลั บ แบบลบ (negative
182
feedback) จะเกิด ขึ้น เมื่อน าสั ญ ญาณขาออก (vo) ของออปแอมป์ ป้อ นให้ กับ ขั้ว อินพุ ต กลั บ เฟส (vi-) ของ
ออปแอมป์ ดังแสดงในตัวอย่าง 5.1 โดยอัตราการขยายจากการป้อนกลับดังกล่าวจะเรียกว่า อัตราขยายลูปปิด
(closed-loop gain) ซึ่งเกิดจากการป้อนกลับแบบลบ โดยแสดงให้เห็นว่า อัตราการขยายลูปปิดนั้นแทบไม่
ขึ้น กั บ ค่ าอัต ราการขยายลู ป เปิ ด A ของออปแอมป์ ด้ ว ยเหตุ นี้ ว งจรออปแอมป์ มัก จะมี การป้ อ นกลั บ ของ
สัญญาณอยู่เสมอ
ข้อจากัดในภาคปฏิบัติของออปแอมป์ จะพบว่า ขนาดของแรงดันเอาท์พุตจะมีขนาดไม่เกิน |VCC| หรือ
แรงดั น เอาท์ พุ ต จะถู ก จ ากั ด ด้ ว ยแรงดั น ไฟเลี้ ย งที่ ป้ อ นให้ กั บ ออปแอมป์ ภาพ 5.8 แสดงการท างานของ
ออปแอมป์ ใน 3 โหมดการทางาน ซึ่งสัมพันธ์กับผลต่างของแรงดันอินพุต vd
1. โหมดการอิ่มตัวซีกบวก (Positive saturation), vo = VCC
2. โหมดบริเวณเชิงเส้น (Linear region), -VCC  vo = Avd  VCC
3. โหมดการอิ่มตัวซีกลบ (Negative saturation), vo = -VCC
vo
V CC Positive saturation
0 vd
 VCC
Negative saturation
ภำพ 5.8 แรงดันเอาท์พุต vo ของออปแอมป์ในฟังก์ชั่นของผลต่างแรงดัน vd
จากภาพ 5.8 ถ้าทาการเพิ่ม vd ให้เกินช่วงที่ออปแอมป์ทางานในโหมดบริเวณเชิงเส้น (linear range;

-VCC  vo = Avd  VCC) ออปแอมป์ จะเกิดการอิ่มตัว (saturation) ซึ่งจะได้แรงดันเอาท์พุต vo = VCC หรือ
vo = -VCC โดยในบทนี้จะกล่าวถึงเฉพาะการทางานในโหมดบริเวณเชิงเส้นเท่านั้น นั่นหมายความว่า แรงดัน
ขาออกของออปแอมป์จะถูกจากัด ดังนี้
 VCC  v o  VCC (5.12)
การพิจารณาเลือกขนาดแหล่งจ่ายไฟเลี้ยงที่ป้อนให้แก่ออปแอมป์ ควรพิจารณาอัตราขยายและแรงดัน
เอาท์พุตเสียก่อน รวมถึงแรงดันไฟเลี้ยงอุปกรณ์ต่าง ๆ ในวงจร เพื่อไม่ให้มีค่าใช้จ่ายเกี่ยวกับแหล่งจ่ายแรงดัน
ไฟเลี้ยงมากเกินไป ทั้งนี้ขนาดแรงดันไฟเลี้ยงของวงจรออปแอมป์จะเป็นไปตามสมการ (5.12)
183
ตัวอย่ำ ง 5.1 วงจร Op-Amp 741 ดังภาพ 5.9 มีอัตราขยายแรงดันลู ปเปิด A = 2 × 105 ความต้านทาน
อินพุต Ri = 2 M และความต้านทานเอาท์พุต Ro = 50  หาอัตราขยายลูปปิด (closed-loop gain) vo/vs
และกระแสไฟฟ้า i เมื่อ vs = 2 V
20 k
10 k 1 i
741
O 
vs
vo


วิธีทำ วงจรออปแอมป์ ดังภาพ 5.9 สามารถแสดงด้วยวงจรสมมูล ดังภาพ 5.10
20 k
10 k R o  50  vo
i
v1
1 O
vs vd R i  2 M Av d

จากภาพ 5.10 ใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนด จะดังนี้

v s  v1 v1 v1  v o
KCL โนด 1 ;  
10  103 2000  103 20  103
หรือ 200v s  301v1  100v o
2v s  v o
 2v s  3v 1  v o  v1  (5.1.1)
3
v1  v o v o  Av d
KCL โนด O ; 
20  103 50
เมื่อ vd = -v1 และ A = 200,000 ฉะนั้น
184
v1  v o  400(v o  200,000v1 ) (5.1.2)

แทนสมการ (5.1.1) ในสมการ (5.1.2) จะได้
0  26,667,067v o  53,333,333v s
vo
   1.9999699
vs
เมื่อ vs = 2 V, vo = -3.9999398 V จากสมการ (5.1.1) จะได้
v1  20.066667 V
v1  v o
และ i  3
 0.1999 mA
20  10
วงจรออปแอมป์ประกอบไปด้วยอัตราการขยาย 2 ตัว ดังนี้
1) อัตราขยายลูปเปิด (open-loop gain) A เป็นอัตราขยายภายในตัวออปแอมป์ ในทางอุดมคติมีค่า
เป็นอนันต์
2) อัตราขยายลูปปิด (closed-loop gain) Av เป็นอัตราการขยายแรงดันที่ขึ้นอยู่กับองค์ประกอบที่
ต่ออยู่ภายนอกออปแอมป์
5.4 ออปแอมป์ในทำงอุดมคติ
เพื่อให้เข้าใจการทางานของออปแอมป์ได้ง่ายขึ้น ในหัวข้อนี้จะกาหนดให้เป็นออปแอมป์ในทางอุดมคติ
ซึ่งมีคุณสมบัติ ดังนี้
1. อัตราขยายลูปเปิดมีค่าเป็นอนันต์, A  
2. ค่าความต้านทานอินพุตมีค่าเป็นอนันต์, Ri  
3. ค่าความต้านทานเอาท์พุตมีค่าเป็นศูนย์, Ro  0
การกาหนดให้เป็นออปแอมป์ในทางอุดมคติ จะใช้สาหรับการวิเคราะห์โดยการประมาณค่า เนื่องจาก
วงจรขยายส่วนมากจะมีอัตราขยาย A และค่าความต้านทานอินพุต Ri สูง ซึ่งจะสามารถใช้วิธีการวิเคราะห์
วงจรออปแอมป์ ได้เป็นอย่างมีประสิทธิภาพ ในหัวข้อนี้จะแสดงการวิเคราะห์วงจรออปแอมป์ โดยกาหนดให้
เป็นออปแอมป์ในทางอุดมคติ
วงจรออปแอมป์ในทางอุดมคติ แสดงดังภาพ 5.11
185
i1  0

 i2  0
vd
v1
 

 v 2  v1 vo
 
ภำพ 5.11 วงจรออปแอมป์ในทางอุดมคติ

ออปแอมป์ในทางอุดมคติ มีคุณลักษณะที่สาคัญ 2 ประการ คือ
1. กระแสที่ไหลเข้าขั้วอินพุตทั้ง 2 เป็นศูนย์
i1  0 , i2  0 (5.13)
ซึ่งเป็ น ผลมาจากค่าความต้านทานอินพุ ต Ri ที่มีค่าเป็นอนันต์ ค่าความต้านทานดังกล่ าวทาให้ ขั้ว
อินพุตมีลักษณะเป็นการเปิดวงจร ซึ่งกระแสจะไม่ไหลเข้าสู่ ออปแอมป์ แต่จากสมการ (5.9) กระแสเอาท์พุต
อาจจะไม่เท่ากับศูนย์ก็ได้
2. แรงดันตกคร่อมขั้วอินพุตมีค่าต่าสามารถละทิ้งได้ ดังนี้
v d  v 2  v1  0 (5.14)
หรือ v1  v 2 (5.15)
ตัวอย่ำง 5.2 หาอัตราขยายลูปปิด vo/vs และ io เมื่อ vs = 1 V โดยใช้แบบจาลองออปแอมป์ในทางอุดมคติ

จากวงจรดังภาพ 5.12
io
741
20 k 
vs vo
4 k 10 k

วิธีทำ จากภาพ 5.12 จะสามารถแสดงด้วยออปแอมป์ในทางอุดมคติได้ ดังภาพ 5.13

186
v2 i2  0
v1 io
i1  0
20 k O
vs 
4 k 10 k vo

จากภาพ 5.13 จะได้ v2  v s (5.2.1)

จาก i1 = 0 ดังนั้น ตัวต้านทาน 20 k และ 4 k จะอยู่ในลักษณะต่ออนุกรมกัน เนื่องจากมีกระแส
ไหลผ่านเท่ากัน ซึ่งจะได้ v1 คือ แรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน 4 k ใช้วิธีการแบ่งแรงดัน จะได้
4k v
v1  vo  o (5.2.2)
4k  20k 6
จากสมการ (5.15) จะได้ v 2  v1  v s (5.2.3)
แทนสมการ (5.2.1) และ (5.2.2) ในสมการ (5.2.3) จะได้อัตราขยายลูปปิด ดังนี้
vo vo
vs    6 (5.2.4)
6 vs
ในกรณี ที่ ไม่ ใช่ อ อปแอมป์ ในทางอุ ด มคติ จะมี อั ต ราขยายลู ป ปิ ด ที่ 6.01 ซึ่ งมี ค่ าใกล้ เคี ย งกั บ การ
ประมาณค่าโดยออปแอมป์ในทางอุดมคติ
vo v
KCL โนด O; io   o (5.2.5)
20k  4k 10k
จากสมการ (5.2.4) เมื่อ vs = 1 V, vo = 6 V แทน vo ในสมการ (5.2.5) จะได้
i o  0.25  103  0.6  103  0.85 mA
5.5 วงจรขยำยแบบกลับเฟส
จากที่ได้เข้าใจพฤติกรรมของวงจรออปแอมป์ทั้งในทางอุดมคติและไม่ใช่ในทางอุดมคติ ลาดับต่อจากนี้
จะอธิบายการประยุกต์ใช้ออปแอมป์ โดยออปแอมป์มักจะเป็นส่วนประกอบหนึ่งในวงจรขนาดใหญ่ที่มีความ
187
ซับซ้อนเสมอ ซึ่งจะเริ่มจากการใช้ออปแอมป์ในวงจรขยายแบบกลับเฟส (Inverting Amplifier) ดังภาพ 5.14

และวงจรสมมูลของวงจรขยายแบบกลับเฟส แสดงดังภาพ 5.15
i2 Rf
i1
R 1 v1 0A

0V 
vi 
v2 vo

ภำพ 5.14 วงจรขยายแบบกลับเฟส
 Rf 
R1 vi vo
vi R1
 
ภำพ 5.15 วงจรสมมูลของวงจรขยายแบบกลับเฟส

จากภาพ 5.14 ขั้วอินพุตไม่กลับเฟส (+) จะต่อลงกราวด์ แรงดันอินพุต vi จะต่อเข้ากับขั้วอินพุตกลับ
เฟส (-) ผ่านตัวต้านทานอินพุต R1 และมีตัวต้านทานป้อนกลับ Rf ต่อระหว่างเอาท์พุตและขั้วอินพุตกลับเฟส
ในการวิเคราะห์ ว งจรขยายแบบกลั บ เฟส สามารถหาความสั มพั น ธ์ระหว่างแรงดั น อิน พุ ต vi และแรงดั น
เอาท์พุต vo ได้โดย
v i  v1 v v
KCL โนด 1; i1  i 2   1 o (5.16)
R1 Rf
เมื่อ v1 = v2 = 0 สาหรับออปแอมป์ในทางอุดมคติ และขั้วอินพุตไม่กลับเฟสต่อลงกราวด์จะได้
vi v
  o
R1 Rf
Rf
หรือ vo   vi (5.17)
R1
อั ต ราการขยายแรงดั น คื อ Av = vo /vi = -Rf /R1 ที่ ได้ ชื่ อ ว่ าวงจรขยายแบบกลั บ เฟส (Inverter)
เนื่องจากวงจรขยายแบบนี้แรงดันเอาท์พุตที่ได้จะกลับเฟสกับอินพุตที่ป้อน
188
ซึ่งจะพบว่า อัตราการขยายที่เกิดขึ้นจะได้จากความต้านทานป้อนกลับและความต้านทานอินพุต ซึ่ง

หมายความว่า อัตราการขยายที่เกิดขึ้นจะได้จากองค์ประกอบที่ต่ออยู่ภายนอกออปแอมป์ ดังสมการ (5.17)
ตัวอย่ำง 5.3 ถ้า vi = 2.5 V คานวณหา vo และกระแสที่ไหลผ่าน R 20 k จากวงจรดังภาพ 5.16

25 k
20 k

vi
vo

vo R 25k
วิธีทำ จากสมการ (5.17)   f     1.25
vi R1 20k
v o   1.25v i   1.25(2.5)   3.125 V
vi  0 2.5  0
และกระแสที่ไหลผ่าน R 20 k จะได้ i    125 A
R1 20  103
ตัวอย่ำง 5.4 หา vo จากวงจรดังภาพ 5.17
20 k
10 k a
b 
4V vo
5V

va  vo 4  va
วิธีทำ KCL โนด a; 
20k 10k
v a  v o  8  2v a  v o  3v a  8
189
สาหรับออปแอมป์ในทางอุดมคติ va = vb = 5 V เนื่องจากแรงดันตกคร่อมขั้วอินพุตของออปแอมป์
เท่ากับศูนย์ ดังนั้น
v o  15  8  7 V
วงจรขยายแบบกลับเฟส สัญญาณอินพุตและสัญญาณป้อนกลับจากเอาท์พุตจะป้อนเข้าสู่ขาอินพุต
กลับเฟสของออปแอมป์ ส่วนขาอินพุตไม่กลับเฟสจะต่อลงกราวด์
5.6 วงจรขยำยแบบไม่กลับเฟส
ลั ก ษณะการใช้ ง านที่ ส าคั ญ ของออปแอมป์ คื อ วงจรขยายแบบไม่ ก ลั บ เฟส (Noninverting
Amplifier) ดังภาพ 5.18
i2 Rf
R1 i1 v1
v2

vi vo

ภำพ 5.18 วงจรขยายแบบไม่กลับเฟส

จากวงจรดังภาพ 5.18 แรงดันอินพุต vi ต่อเข้าที่ขั้วอินพุตไม่กลับเฟส และตัวต้านทาน R1 ต่อคร่อม
ระหว่างกราวด์และขั้วอินพุตกลับเฟส
แรงดันเอาท์พุตและอัตราการขยายแรงดันสามารถหาได้โดยใช้ KCL ที่ขั้วอินพุตกลับเฟส
0  v1 v v
KCL โนด v1; i1  i 2   1 o (5.18)
R1 Rf
เมื่อ v1 = v2 = vi สมการ (5.18) จะได้เป็น
vi v v
  i o
R1 Rf
190
 R 
หรือ v o   1  f v i (5.19)
 R1 
อัตราขยายแรงดัน คือ Av = vo/vi = 1+(Rf / R1) เมื่อไม่มีเครื่องหมายลบ ดังนั้น แรงดันเอาท์พุตจะมี
ขั้วเดียวกับแรงดันอินพุต และอัตราขยายแรงดันจะสัมพันธ์กับองค์ประกอบภายนอกตัวออปแอมป์เท่านั้น
ในกรณี ที่ ตั ว ต้ า นทานป้ อ นกลั บ Rf = 0 (ลั ด วงจร) หรื อ R1 =  (เปิ ด วงจร) หรื อ ทั้ ง 2 กรณี
อัตราขยายแรงดันจะเท่ากับ 1 จากกรณีทั้ง 2 (Rf = 0 และ R1 = ) วงจรขยายแบบไม่กลับเฟสจะแสดงได้ดัง
ภาพ 5.19

vi vo  vi

ภำพ 5.19 วงจรตามแรงดัน

จากวงจรตามภาพ 5.19 จะเรี ย กว่ า วงจรตามแรงดั น (Voltage Follower หรื อ Unity Gain
Amplifier) เพราะเอาท์พุตเท่ากับอินพุต ดังนั้น
vo  vi (5.20)
ตัวอย่างการใช้งานแสดงดังภาพ 5.20
 
1 st stage vo 2 nd stage
vi
 
ภำพ 5.20 การใช้งานวงจรตามแรงดัน
วงจรขยายแบบไม่กลับเฟส สัญญาณอินพุตจะป้อนเข้าสู่ขาอินพุตไม่กลับเฟส ส่วนสัญญาณป้อนกลับ
จากเอาท์พุตจะป้อนเข้าสู่ขาอินพุตกลับเฟสของออปแอมป์
191
ตัวอย่ำง 5.5 หา vo จากวงจรดังภาพ 5.21

12 k
4 k a
b 
9V vo
3V


วิธีทำ จากภาพ 5.21 สามารถวิเคราะห์หา vo ได้ 2 วิธี ดังนี้
วิธีที่ 1 ใช้ทฤษฎีการทับซ้อน จะได้
v o  v o1  v o2
โดยที่ vo1 จะคานวณได้จากแหล่งจ่ายแรงดันอินพุต 9 V และ vo2 จะคานวณได้จากแหล่งจ่ายแรงดัน
อิ น พุ ต 3 V ซึ่ งหา vo1 ได้ โ ดยปิ ด แหล่ งจ่ า ยแรงดั น 3 V (ลั ด วงจร) และจะพบว่ า วงจรจะอยู่ ในลั ก ษณะ
วงจรขยายแบบกลับเฟส (Inverter Amplifier)
ดังนั้น จากสมการ (5.17) จะได้
12
v o1   (9)   27 V
4
และหา vo2 ได้โดยปิดแหล่งจ่ายแรงดัน 9 V (ลัดวงจร) และจะพบว่าวงจรจะอยู่ในลักษณะวงจรขยาย
แบบไม่กลับเฟส (Noninverter Amplifier) จากสมการ (5.19) จะได้
 12 
v o2   1  (3)  12 V
 4
ดังนั้น v o  v o1  v o2   27  12   15 V
9  va v v
วิธีที่ 2 ใช้ KCL โนด a;  a o
4k 12k
โดยที่ va = vb = 3 V ฉะนั้น
93 3  vo
  18  3  v o  v o   15 V
4k 12k
192
5.7 วงจรขยำยผลบวก
นอกจากนั้นออปแอมป์ยังสามารถใช้ดาเนินการทางคณิตศาสตร์ในการบวกและลบได้อีกด้วย ซึ่งการ
บวกจะใช้ ว งจรขยายผลบวก (Summing Amplifier) และการลบจะใช้ ว งจรขยายผลต่ า ง (Difference
Amplifier) ซึ่งจะแสดงในหัวข้อถัดไป
วงจรขยายผลบวก แสดงดังภาพ 5.22 ซึ่งประกอบไปด้วยวงจรขยายกลับเฟสหลายวงจร
R1 i1
v1 Rf i
v2
R2 i2 i 0A
a
R3 i3 b 
v3 0A
vo

ภำพ 5.22 วงจรขยายผลบวก

จากภาพ 5.22 เมื่อกระแสไหลเข้าออปแอมป์เป็นศูนย์ ใช้ KCL ที่โนด a จะได้
i  i1  i2  i3 (5.21)
v1  v a v2  v a
โดยที่ i1  , i2  (5.22a)
R1 R2
v3  v a va  vo
i3  , i  (5.22b)
R3 Rf
จาก va = vb = 0 V แทนในสมการ (5.21 - 5.22) จะได้
R R R 
v o    f v1  f v 2  f v 3  (5.23)
 R1 R2 R3 
จากสมการจะพบว่า แรงดัน เอาท์พุตจะได้จากผลรวมแบบถ่วงน้าหนักของอินพุต โดยจะเรียกว่า
ซั ม เมอร์ (Summer) เพราะวงจรดั ง กล่ า ว สามารถขยายผลรวมของอิ น พุ ต ได้ ม ากกว่ า 3 อิ น พุ ต
R R R 
v o    f v1  f v 2    f v n  (5.24)
 R1 R2 Rn 
193
ตัวอย่ำง 5.6 หา vo และ io จากวงจรดังภาพ 5.23

5 k 20 k
a io
2 k
5V
b 
2V 10 k vo


วิธีทำ จากสมการ (5.24) จะได้
 20k 20k 
v o    (5)  (2)    (20  20)   40 V
 5k 2k 
กระแส io คือ ผลรวมของกระแสที่ไหลผ่านตัวต้านทาน 20 k และ 10 k ซึ่งตัวต้านทานทั้ง 2 มี
แรงดันตกคร่อม vo = - 40 V เนื่องจาก va = vb = 0 จะได้
vo  0 vo  0
io  
20k 10k
 40 40
    6 mA
20k 10k
วงจรขยายผลบวก จะต่อวงจรแบบเดียวกับวงจรขยายแบบกลั บเฟส แต่สั ญ ญาณอินพุตที่ป้ อนมี
จานวนมากกว่า 1 อินพุต
5.8 วงจรขยำยผลต่ำง
วงจรขยายผลต่าง (Difference or Differential Amplifiers) ใช้สาหรับขยายผลต่างระหว่างอินพุต
ทั้ง 2 ที่นามาเปรียบเทียบกัน เช่น ในวงจรขยายของเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า
194
R2
R1 va 0A
R3 0A
v1 
vb
vo
v2 R4

ภำพ 5.24 วงจรขยายผลต่าง

จากวงจรออปแอมป์ ดั งภาพ 5.24 เมื่ อ กระแสที่ ไหลเข้ า ออปแอมป์ เท่ า กั บ ศู น ย์ ซึ่ งจะสามารถ
วิเคราะห์วงจรด้วย KCL ได้ดังนี้
v1  v a v v
KCL โนด a;  a o
R1 R2
R  R
หรือ v o   2  1 v a  2 v1 (5.25)
 R1  R1
v2  vb v 0
KCL โนด b;  b
R3 R4
R4
หรือ vb  v2 (5.26)
R3  R4
เมื่อ va = vb แทนสมการ (5.26) ใน (5.25) จะได้
R  R R
v o   2  1  4 v 2  2 v1
 R1  R3  R4 R1
R2 [1  ( R1 / R2 )] R
หรือ vo  v 2  2 v1 (5.27)
R1 [1  ( R3 / R4 )] R1
วงจรขยายผลต่างจะละทิ้งสัญญาณที่มีขนาดเท่ากันของทั้ง 2 อินพุต วงจรขยายจะมีคุณสมบัติ ดังนี้
vo = 0 เมื่อ v1 = v2 คุณสมบัตินี้จะเกิดขึ้น ในกรณีที่
195
R1 R
ถ้า  3 (5.28)
R2 R4
R2
สมการ (5.27) จะเปลี่ยนเป็น vo  (v 2  v1 ) (5.29)
R1
และในกรณีที่ R2 = R1 และ R3 = R4 วงจรขยายผลต่าง จะเรียกว่า วงจรลบ (Subtractor) ซึ่งจะได้
แรงดันเอาท์พุต ดังนี้
v o  v 2  v1 (5.30)
ตัวอย่ำง 5.7 ออกแบบวงจรออปแอมป์ 2 อินพุต คือ v1 และ v2 เพื่อให้ได้เอาท์พุต vo = -4v1 + 2v2

วิธีทำ จากแรงดันเอาท์พุตที่กาหนด v o   4v1  2v2 (5.7.1)
สามารถออกแบบวงจรได้ 2 วิธี ดังนี้
วิธีที่ 1 ออกแบบโดยใช้ออปแอมป์เพียง 1 ตัว

จะออกแบบโดยใช้วงจรขยายผลต่าง (Difference Amplifier) จากสมการ (5.27) และสมการ (5.7.1)
จะได้
R2
 4  R2  4 R1 (5.7.2)
R1
[1  ( R1 / R2 )] 5/4 2
ฉะนั้น 4  2  
[1  ( R3 / R4 )] 1  ( R3 / R4 ) 4
R3
หรือ 2  1  R3  R4 (5.7.3)
R4
ถ้าเลือก R1 = 10 k และ R3 = 20 k จะได้ R2 = 40 k และ R4 = 20 k
วิธีที่ 2 ออกแบบโดยใช้ออปแอมป์มากกว่า 1 ตัว โดยต่อวงจรขยายกลับเฟส ซึง่ คาสเคดกับวงจรขยายผลรวม

2 อินพุต ดังภาพ 5.25
สาหรับวงจรขยายผลรวม v o   v a  4v1 (5.7.4)
สาหรับวงจรขยายแบบกลับเฟส v a   2v2 (5.7.5)
196
2R2
4 R1
R2
v2 4 R1
va vo
R1
v1

แทนสมการ (5.7.5) ใน (5.7.4) จะได้ v o  2v2  4v1
โดยเลือก R1 = 10 k, R2 = 20 k หรือ R1 = R2 = 10 k
ตัวอย่ำง 5.8 หา vo จากวงจรขยายของเครื่องมือวัดทางไฟฟ้า จากวงจรดังภาพ 5.26

v o1 R1 R2
A1
v1
R3
0A va
i A3 vo
R4
0A vb
R3
R1
A2
v o2
v2 R2
ภำพ 5.26 วงจรขยายเครื่องมือวัด สาหรับตัวอย่าง 5.8

วิธีทำ จากภาพ A3 ต่ออยู่ในลักษณะวงจรขยายผลต่าง ดังนั้นจากสมการ (5.29) จะได้
R2
vo  (v 2  v1 ) (5.8.1)
R1
197
โดยที่ออปแอมป์ A1 และ A2 ดังภาพ ไม่มีกระแสไหล ดังนั้น กระแสไฟฟ้า i จะไหลผ่านตัวต้านทานทั้ง

3 ตัวในลักษณะอนุกรมกัน
จะได้ v o1  v o2  i ( R3  R4  R3 )  i (2R3  R4 ) (5.8.2)
va  vb
โดยที่ i 
R4
v1  v 2
และ va = v1, vb = v2 ดังนั้น i  (5.8.3)
R4
แทน (5.8.2) และ (5.8.3) ใน (5.8.1) จะได้
R2  2 R3 
vo   1  ( v 2  v 1 )
R1  R4 
วงจรขยายผลต่าง เป็นวงจรขยายที่ตัดผลของสัญญาร่วม (common) จากทั้ง 2 อินพุตออก โดยอัตรา
การขยายขึน้ อยู่กับองค์ประกอบภายนอกตัวออปแอมป์
5.9 วงจรขยำยเครื่องมือวัด (Instrumentation amplifier)
วงจรออปแอมป์ ที่ มี ป ระโยชน์ แ ละนิ ย มใช้ กั น มากที่ สุ ด วงจรหนึ่ ง คื อ วงจรขยายเครื่ อ งมื อ วั ด
(Instrumentation amplifier, IA) ที่มาของชื่อนี้ คือ เนื่องจากวงจรนี้ถูกใช้กันอย่างกว้างขวางในระบบการวัด
ต่าง ๆ การประยุกต์ทั่วไปของ IA นั้นรวมถึงวงจรขยายแบบแยกส่วน วงจรขยายเทอร์โมคัปเปิ ล และระบบ
จัดทาข้อมูลต่าง ๆ
วงจรขยายเครื่องมือวัดเป็นส่วนต่อจากวงจรขยายผลต่างระหว่ างสัญญาณขาเข้าทั้งสองของมันดัง
แสดงไว้ในภาพ 5.26 (ตัวอย่าง 5.8) วงจรขยายเครื่องมือวัดทั่วไปนั้นประกอบด้วยออปแอมป์ 3 ตัวและตัว
ต้านทาน 7 ตัวด้วยกัน เพื่อให้ง่ายแก่การวิเคราะห์ วงจรขยายดังแสดงในภาพ 5.27 (ก) เมื่อกาหนดให้ตัว
ต้านทานต่าง ๆ มีค่าเท่ากันยกเว้นตัวต้านทานภายนอก ที่มีไว้เพื่อกาหนดค่าอัตราขยาย RG ที่ต่อระหว่างขั้วต่อ
ที่กาหนดอัตราขยาย ซึ่งคือ R4 ในตัวอย่าง 5.8 ภาพ 5.27 (ข) แสดงสัญลักษณ์วงจรขยายเครื่องมือวัด ใน
ตัวอย่าง 5.8 ได้แสดงไว้แล้วว่า
v o  Av (v2  v1 ) (5.31)
เมื่ออัตราขยายแรงดันไฟฟ้าเป็น
2R
Av  1  (5.32)
RG
198
Inverting input V1 R R
Gain set 1
R
3 Vo
RG
R V1
RG Vo
V2
R
Gain set 2
Noninverting input V2
R (ข)
(ก)
ภำพ 5.27 (ก) วงจรขยายเครื่องมือวัดที่มีตัวต้านทานภายนอกเพื่อกาหนดค่าอัตราขยาย (ข) สัญลักษณ์วงจร
วงจรขยายเครื่องมือวัดนั้นจะขยายสัญญาณผลต่างแรงดันไฟฟ้าขนาดเล็กที่ซ้อนอยู่บนแรงดันไฟฟ้า
ขนาดใหญ่ที่ใช้ร่วมกัน (common mode) เนื่องจากแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ร่วมกันนี้มีค่าเท่ากัน ดังนั้น จึงทาการ
หักล้างกันไปหมด
IA มีคุณสมบัติหลัก 3 ข้อด้วยกัน คือ
1. อัตราขยายแรงดันไฟฟ้าปรับค่าได้จากตัวต้านทานภายนอก (RG)
2. อิมพิแดนซ์ขาเข้าที่ขั้วต่อทั้งสองมีค่าสูงมากและไม่เปลี่ยนแปลงเมื่ออัตราขยายถูกปรับเปลี่ยนไป
3. สั ญ ญาณขาออก Vo ขึ้ น อยู่ กั บ ผลต่ า งระหว่ า งสั ญ ญาณขาเข้ า V1 และ V2 แต่ จ ะไม่ แ ปรตาม
แรงดันไฟฟ้าที่มันใช้ร่วมกัน (common mode)
เนื่ องจากวงจรขยายเครื่อ งมือวัดนั้ น มีการใช้กัน อย่างแพร่ห ลาย ดังนั้ น บริษั ทผู้ ผ ลิ ตจึงได้พั ฒ นา
วงจรขยายนี้ ใ ห้ อ ยู่ ใ นหน่ ว ยวงจรรวมเดี ย วกั น ตั ว อย่ า งทั่ ว ไป คื อ LH0036 ที่ พั ฒ นาโดย National
Semiconductor อัตราขยายนั้นสามารถปรับเปลี่ยนได้จาก 1 ถึง 1,000 ด้วยตัวต้านทานภายนอกที่อาจจะมี
ค่าหลากหลายตั้งแต่ 100  ถึง 10 k
5.10 กำรต่อคำสเคดวงจรออปแอมป์
จากหัวข้อที่ผ่านมาจะพบว่า วงจรออปแอมป์จะมีลักษณะเป็นโมดูลหรือเป็นบล็อก ซึ่งในภาคปฏิบัติ
บ่อยครั้งที่จะต้องต่อออปแอมป์คาสเคด (Cascade) กัน เพื่อให้ได้อัตราขยายเป็นไปตามที่ออกแบบ โดยทั่วไป
วงจร 2 วงจรจะคาสเคดกัน เมื่อ วงจรทั้ง 2 ต่อกันในลักษณะเรียงล าดับ กัน [เอาท์พุตวงจรที่ 1 ต่อเข้ากับ
อินพุตของวงจรที่ 2 (head to tail)]
199
เมื่อวงจรออปแอมป์คาสเคดกัน แต่ละวงจร จะเรียกว่า สเตจ (Stage) โดยที่สัญญาณอินพุตเริ่มต้นจะ

ถูกขยายด้วยแต่ละสเตจที่คาสเคดกัน ดังภาพ 5.28
   
Stage 1 Stage 2 Stage 3
v1 v 2  A1 v 1 v 3  A2 v 2 v o  A3 v 3
A1 A2 A3
   
ภำพ 5.28 การต่อคาสเคดวงจรออปแอมป์ 3 สเตจ

จากภาพ 5.28 เอาท์พุตของสเตจแรกต่อเข้ากับอินพุตของสเตจถัดไป ซึ่งอัตราขยายรวมทั้งหมดของ
การต่อคาสเคดกัน คือ ผลคูณของอัตราขยายของแต่ละสเตจที่ต่อคาสเคดกัน ดังนี้
A  A1 A2 A3 (5.33)
ตัวอย่ำง 5.9 หา vo และ io จากวงจรดังภาพ 5.29
a
io
2V b 
15 k 12 k
vo
3 k 4 k


วิธีทำ จากภาพ 5.29 ประกอบด้วยวงจรขยายแบบไม่กลับเฟส 2 สเตจคาสเคดกัน หา vo ได้ ดังนี้
 R 
v s  v a1   1  (2)  12 V
15k
จาก v a1   1  f
 R1   3k 
 R 
v o1  v o   1  (12)  48 V
12k
จาก v a 2   1  f
 R1   4k 
เมื่อ io คือ กระแสที่ไหลผ่านตัวต้านทาน 12 k และคุณสมบัติออปแอมป์ในทางอุดมคติ vb = va = 12 V
vo  vb 48V  12V
ดังนั้น io   io   3 mA
12k 12k
200
ตัวอย่ำง 5.10 หา vo ถ้า v1 = 3 V และ v2 = 5 V จากวงจรดังภาพ 5.30

A 9 k
3 k
v1 10 k C
a
20 k
B 18k vo
2 k
v2 40 k
b

วิธีทำ จากภาพ 5.30 ประกอบด้วยวงจรขยายแบบกลับเฟส 2 วงจร (A และ B) และวงจรขยายผลรวม C
9k
เอาท์พุตของ A จะได้ va   ( v1 )   3 ( 3 )   9 V
3k
18k
เอาท์พุตของ B จะได้ vb   (v 2 )   9(5)   45 V
2k
 20k 20k 
เอาท์พุตของ C จะได้ v o    va  vb 
 10k 40k 
 1 
  2( 9)  ( 45)   40.5 V
 2 
จากภาพและสมการเอาท์ พุ ตของวงจรออปแอมป์ ส าหรับ การดาเนิน การทางคณิ ต ศาสตร์ ได้แ ก่

วงจรขยายแบบกลั บ เฟส วงจรขยายแบบไม่ ก ลั บ เฟส วงจรตามแรงดั น วงจรขยายผลบวก และวงจร
ขยายผลต่าง และวงจรขยายเครื่องมือวัดในหัวข้อที่ผ่านมา สามารถสรุปได้ ดังตาราง 5.2
201
ตำรำง 5.2 สรุปวงจรออปแอมป์พื้นฐาน

วงจรออปแอมป์ ชื่อ/ควำมสัมพันธ์ระหว่ำงเอำท์พุตและอินพุต
R2
วงจรขยายแบบกลับเฟส (Inverting amplifier)
R1
vi vo R2
vo   vi
R1
R2 วงจรขยายแบบไม่กลับเฟส (Noninverting amplifier)

R1
 R 
vo v o   1  2 v i
vi  R1 
วงจรตามแรงดัน (Voltage follower)
vo vo  vi
vi
R1 Rf
v1 วงจรขยายผลบวก (Summer)
R2 R R R 
v2 v o    f v1  f v 2  f v 3 
vo
v3
R3  R1 R2 R3 
R1 R2
v1
วงจรขยายผลต่าง (Difference amplifier)
vo R2
vo  (v 2  v1 )
R1 R2 R1
v2
R
R R วงจรขยายเครื่องมือวัด (Instrumentation amplifier)
v1
v o  Av (v 2  v1 )
RG
R vo
2R
R R Av  1 
RG
v2
202
5.11 กำรวิเครำะห์วงจรออปแอมป์ โดยใช้ PSpice Student Version

เนื่องจาก PSpice ไม่มีแบบจาลองสาหรับออปแอมป์ในทางอุดคติ แต่สามารถสร้างแบบจาลองของ
ออปแอมป์ในทางอุดมคติได้ โดยใช้คาสั่ง Create Subcircuit ในเมนู Tool โดยปกติจะใช้ออปแอมป์ที่ไม่ใช่
ในทางอุดมคติที่มีใช้โดยทั่วไป ซึ่งมีอยู่ใน PSpice library evat.slb แบบจาลองสาหรับออปแอมป์มีชื่ออุปกรณ์
ดังนี้ LF411, LM111, LM324 และ uA714 ดังแสดงภาพ 5.31 ออปแอมป์เหล่านี้แต่ละตัวสามารถนามาใช้ได้
จาก Draw/Get Naw Part/Libraries.../eval.lib หรือเลือกได้จาก Draw/Get Naw Part (Ctrl+G) แล้วพิมพ์
ชื่ออุปกรณ์ในกล่องข้อความของ PartName
ภำพ 5.31 ออปแอมป์ที่ไม่ใช่ในทางอุดมคติที่มีอยู่ใน PSpice
ตัวอย่ำง 5.11 ทาซ้าตัวอย่าง 5.1 โดยใช้ PSpice

วิธีทำ จากวงจรตามภาพ 5.9 วาดวงจรบน Schematics ได้ดังภาพ 5.32
VSRC
VDC = 2
ภำพ 5.32 Schematics ของวงจรออปแอมป์ตามภาพ 5.9 สาหรับตัวอย่าง 5.11
จากภาพ 5.32 แรงดันเอาท์พุต vo ที่ VIEWPOINT มีค่าเท่ากับ -3.998 V และกระแสเอาท์พุต io ที่

IPROBE มีค่าเท่ากับ 199.92 A จะสามารถหาอัตราการขยายลูปปิดได้ ดังนี้
vo  3.998
Av    - 1.99915
vi 2
และ i = 0.1999 mA ซึ่งเป็นไปตามค่าที่ได้จากการวิเคราะห์วงจรตามตัวอย่าง 5.1

203
ภำพ 5.33 พล๊อตหา vo เมื่อ 0  vs  10 ของวงจรออปแอมป์ตามภาพ 5.31
จากวงจรออปแอมป์ตามภาพ 5.32 ซึ่งเป็นวงจรขยายแบบไม่กลับเฟส ที่อัตราขยาย 2 เท่า ตามที่

กาหนดด้วยค่า R 10 k และ 20 k ตามลาดับ ซึ่งเมื่อกวาดค่าแรงดัน vs จาก 0 ถึง 10 V พบว่า ที่ค่า vs
มากกว่า 7.5 V อัตราขยายจะไม่เป็นไปตามความสัมพันธ์ของแรงดันเอาท์พุตและอินพุตของวงจรขยายแบบไม่
กลับเฟส ทั้งนี้เนื่องจากแรงดันไฟเลี้ยงออปแอมป์ |Vcc| ที่จ่ายในวงจรมีค่า |15V| ตามภาพ 5.32 ถ้า vs มีค่า
เท่ากับ 8 V ที่อัตราขยาย 2 เท่า vo จะเท่ากับ 16 V ซึ่งมีค่ามากกว่า |Vcc|
จากตัวอย่ าง 5.11 ในกรณี ที่ใช้วงจรสมมูลของออปแอมป์ ตามตัวอย่าง 5.1 สามารถวาดวงจรบน
Schematics ได้ ดังภาพ 5.34
VSRC GAIN = 2105

VDC = 2
ภำพ 5.34 Schematics ของวงจรออปแอมป์โดยใช้วงจรสมมูลตามภาพ 5.10 สาหรับตัวอย่าง 5.11
จากภาพ 5.34 แรงดัน เอาท์พุต vo ที่ VIEWPOINT มีค่าเท่ากับ -4.00 V และกระแสเอาท์พุต io ที่
IPROBE มีค่าเท่ากับ 200 A จะสามารถหาอัตราการขยายลูปปิดได้ ดังนี้
204
vo 4
Av    -2
vi 2
และ i = 0.2 mA ซึ่ งมี ค่ าใกล้ เคี ย งกั บ การวิ เคราะห์ ว งจรตามตั ว อย่ า ง 5.1 และเป็ น ไปตามการ
วิเคราะห์โดยใช้ออปแอมป์ในทางอุดมคติ ดังนี้
Rf 20k
จากวงจรขยายแบบกลับเฟส vo   vi   (2)  - 4
R1 10k
vo 4
และ Av    -2
vi 2
ออปแอมป์แต่ละตัวในการจาลองเหตุการณ์บน PSpice ต้องการแหล่งจ่ายไฟฟ้าเลี้ยง dc ตามการใช้
งานจริง ถ้าไม่ต่อแหล่งจ่ายไฟเลี้ยงให้กับออปแอมป์แล้ว ออปแอมป์ก็จะไม่ทางาน แหล่งจ่ายไฟฟ้าเลี้ยง dc
จะต้องต่อตามภาพ 5.6 (ดูตัวอย่าง 5.11 ประกอบ) และอัตราการขยายตามฟังก์ชันของแรงดันที่ แหล่งจ่าย
ไฟเลี้ยงจะเป็นไปตามภาพ 5.8 (ดูตัวอย่าง 5.11 ประกอบ) กรณีที่ vo มากกว่า Vcc ออปแอมป์ จะเกิดการ
อิ่มตัว อัตราขยายจะไม่เป็นไปตามความสัมพันธ์ระหว่างเอาท์พุตและอินพุต
5.12 กำรประยุกต์ใช้โอเปอเรชันนอล แอมพลิไฟเออร์

ออปแอมป์เป็นบล็อกพื้นฐานในเครื่องมือวัดอิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ ซึ่งใช้อย่างแพร่หลายในอุปกรณ์
หลากหลายร่วมกับตัวต้านทานและอุปกรณ์พาสซีฟอื่น ๆ ตามอัตราการขยายที่กาหนด ในหัวข้อนี้จะพิจารณา
การประยุกต์ใช้วงจรออปแอมป์ที่ใช้กันอย่างกว้างขวาง คือ วงจรแปลงสัญญาณดิจิทัลเป็นแอนะล็อก สาหรับ
การประยุกต์ใช้ออปแอมป์เพื่อการเปรียบเทียบแรงดันในวงจรชาร์จแบตเตอรี่ (Battery charger circuit) และ
วงจรป้องกันหม้อแปลงไฟฟ้าแรงดันสูงสาหรับห้องปฏิบัติการวิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง จะอธิบายในลาดับถัดไป
5.12.1 วงจรแปลงสัญญำณดิจิทัลเป็นแอนะล็อก (Digital-to-analog converter)
ตัวอย่างทั่วไปของ DAC แสดงในภาพ 5.35 (ก) DAC 4 บิตนั้นอาจทาได้หลายวิธี วิธีที่ง่ายที่สุด คือ
วิ ธี ก ารใช้ โ ครงข่ า ยขั้ น บั น ไดถ่ ว งน้ าหนั ก ด้ ว ยเลขฐานสอง (Binary Weighted Ladder) ดั งแสดงในภาพ
5.35 (ข) บิตต่าง ๆ นั้นถ่วงค่าน้าหนักตามขนาดของค่าในตาแหน่งของมันด้วยค่าที่ลดหลั่นลงมาของ Rf / Rn
เพื่อให้แต่ละบิตที่มีค่าน้อยกว่ามีค่าน้าหนักเป็นครึ่งหนึ่งของค่าถัดไป โดยจะเห็นได้ว่าเป็นวงจรขยายผลบวก ซึ่ง
สัญญาณเอาท์พุตสัมพันธ์กับสัญญาณอินพุตตามสมการ (5.24) นั้นคือ
Rf R R R
 Vo  V1  f V2  f V3  f V4
R1 R2 R3 R4
205
สัญญาณขาเข้า V1 นั้นเรียกว่า บิตค่ามากกว่า (Most Significant Bit, MSB) ในขณะที่สัญญาณขาเข้า

V4 นั้นเรียกว่า บิตค่าน้อยสุด (Least Significant Bit, LSB) โดยแต่ละสัญญาณขาเข้า V1 ... V4 สามารถสมมุติ
ให้ มีเพียงแค่ 2 ระดับ 0 หรือ 1 V ด้วยการใช้สัญญาณขาเข้าและตัวต้านทานค่าเหมาะสมแล้ว DAC จะให้
สัญญาณขาออกค่าเดียวออกมาที่เป็นสัดส่วนกับสัญญาณขาเข้าต่าง ๆ
V1 V2 V3 V4
Digital
Input Four-bit Analog Rf
R1 R2 R3 R4
(0000-1111) DAC output
(ก)
MSB LSB Vo
(ข)
ภำพ 5.35 วงจรแปลงสัญญาณดิจิทัลเป็นแอนะล็อก (DAC) 4 บิต
(ก) แผนผังวงจร (ข) วงจรแบบโครงข่ายขั้นบันไดถ่วงน้าหนักของเลขฐานสอง
5.12.2 วงจรชำร์จแบตเตอรี่
ในกรณีที่ต้องการเก็บสะสมพลังงานไฟฟ้าที่ผลิตได้ลงในแบตเตอรี่ จะต้องใช้วงจรชาร์จแบตเตอรี่หรือ
วงจรประจุไฟฟ้าให้แก่แบตเตอรี่ ตัวอย่างวงจรชาร์จแบตเตอรี่ 12 V อย่างง่าย แสดงดังภาพ 5.36
จากภาพ 5.36 แรงดันไฟฟ้าจากแผงเซลล์แสงอาทิตย์ Vpv จะชาร์จให้กับแบตเตอรี่ Vbatt ที่ระดับ
แรงดันประมาณ 13.8-14.4 V ในสภาวะการชาร์จแบตเตอรี่จะเปรียบเสมือนโหลด ส่งผลให้แรงดันในวงจรต่า
กว่าค่าแรงดันที่กาหนดไว้ ซึ่งแรงดันที่เปรียบเทียบที่ ขา 2 (ขาบวก) มีค่าน้อยกว่าขา 3 (ขาลบ) ของ LM111
สัญญาณขาออกของ LM111 จะมีค่าเป็นลบ และเมื่อแบตเตอรี่ถูกชาร์จจนเต็มแรงดันไฟฟ้าในวงจรจะมีค่า
ตามที่กาหนดไว้ ทาให้แรงดันที่เปรียบเทียบที่ ขา 2 มีค่ามากกว่าขา 3 (ขาลบ) ของ LM111 สัญญาณขาออก
ของ LM111 จะมีค่าเป็นบวก ส่งผลให้ทรานซิสเตอร์ Q1 และรีเลย์ K1 ทางาน เมื่อรีเลย์ K1 ทางานจะส่งผลให้
หน้าสัมผัสปกติปิด K1 ที่ต่ออนุกรมกับขั้วบวกของแบตเตอรี่เปิดวงจรออก เป็นการหยุดการชาร์จแบตเตอรี่โดย
อัตโนมัติ
206
ภำพ 5.36 Schematics ของวงจรชาร์จแบตเตอรี่
5.12.3 วงจรป้องกันหม้อแปลงไฟฟ้ำแรงดันสูงสำหรับห้องปฏิบัติกำรวิศวกรรมไฟฟ้ำแรงสูง
ในวงจรการทดสอบหาค่าแรงดันไฟฟ้าเบรกดาวน์ในฉนวนเหลว หลังจากเกิดการเบรกดาวน์ระหว่าง
อิเล็กโตรดไฟฟ้าแรงสูงแล้ว จะต้องทาการปิดแหล่งจ่ายไฟฟ้าแรงดันสูงที่ทาการทดสอบโดยทันที ในหัวข้อนี้จะ
อธิบายการใช้ออปแอมป์ตัวเปรียบเทียบแรงดันสาหรับออกแบบสร้างวงจรป้องกันแหล่งจ่ายไฟฟ้าแรงดันสูงใน
ห้องปฏิบัติการ
วงจรจะทางานเมื่อเกิดการเบรกดาวน์ซง่ึ ตรวจจับกระแสไฟฟ้าเบรกดาวน์ของฉนวนน้ามันหม้อแปลงที่
ใช้ในการทดสอบ และในวงจรด้านปฐมภูมิของหม้อแปลงไฟฟ้าแรงสูงจะมีเซอร์กิตเบรกเกอร์สาหรับเปิดวงจร
ด้วยมือได้ในกรณีที่เกิดการสปาร์คข้ามระหว่างอิเล็ กโตรด โดยมีแผนภูมิแบบสคีมาติกเชิงเส้น (Schematic
Diagram) ของวงจรป้องกันในวงจรการทดสอบดังภาพ 5.37 และ Schematics วงจรแสดงดังภาพ 5.38
220/20,000 V
0-250 V K1
Input
220 Vac Ri
 Vi 
Circuit Breaker Variac High Voltage Transformer Test cell
To Switching System Circuit
ภำพ 5.37 แผนภูมิแบบสคีมาติกเชิงเส้นของวงจร

207
ภำพ 5.38 Schematics ของวงจร
วงจรป้องกันแบบอัตโนมัติมีหลักการทางาน ดังนี้ ในขณะที่ยังไม่เกิดการเบรกดาวน์จะมีกระแสไฟฟ้า

ค่าน้อย ๆ ไหลผ่าน Ri ในภาพ 5.37 ซึ่งจะทาให้เกิดแรงดันตกคร่อม โดยจะกาหนดให้เป็น Vi ดังในภาพ 5.38
แรงดัน Vi นี้ เมื่อผ่านบริดจ์เรคติไฟเออร์ (D1-D4) จะแปลงเป็นแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง (Vi_dc) และถูกแบ่ง
แรงดันที่ R1 และ R2 (Vdc) ที่ขา 2 ของ Op-Amp Comparator LM111 และทาการเปรียบเทียบเทียบกับ
แรงดันอ้างอิง Vref (1.8 V) ที่ขา 3 ในขณะนี้แรงดัน Vdc จะน้อยกว่า Vref ซึ่ง LM311 ยังไม่สั่งให้ทรานซิสเตอร์
Q1 และรีเลย์ K1 ทางาน และในขณะฉนวนน้ามันหม้อแปลงเกิดการเบรกดาวน์จะมีกระแสปริมาณมากไหล
ผ่าน Ri เพื่อป้องกันไม่ให้เกิดความเสียหายแก่หม้อแปลงไฟฟ้าแรงสูงจึงจากัดปริมาณกระแสไฟฟ้าให้ไหลได้
เพีย ง 0.5 A เท่านั้ น ซึ่งเมื่ อมีป ริมาณกระแสไฟฟ้ าขนาด 0.5 A ไหลผ่ าน Ri จะท าให้ มี แรงดัน ตกคร่อม Vi
ประมาณ 4.875 Vrms เมื่อผ่านบริดจ์เรคติไฟเออร์แล้วจะได้เป็นแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง (Vi_dc) ขนาด 2.8 V
เมื่อถูกแบ่งแรงดันที่ R1 และ R2 แล้วจะมีค่าประมาณ 1.9 V ซึ่งมากกว่า Vref จะทาให้ LM111 ทางาน และ
กระตุ้นให้ทรานซิสเตอร์ Q1 ทางาน เมื่อทรานซิสเตอร์ทางานก็จะส่งผลให้รีเลย์ K1 ทางาน โดยหน้าสัมผัสปกติ
ปิดในภาพ 5.37 จะเปิดวงจรซึ่งเป็นการตัดการจ่ายพลังงานไฟฟ้าให้แก่หม้อแปลงไฟฟ้าแรงสูง และหน้าสัมผัส
ปกติเปิดในภาพ 5.38 จะปิดวงจรซึ่งเป็นการต่อวงจรให้ทรานซิสเตอร์และรีเลย์ทางานตลอดเวลาจนกว่ารีเลย์
จะถูกรีเซต (ธนากร น้าหอมจันทร์, อติกร เสรีพัฒนานนท์ และพงษ์สวัสดิ์ คชภูม,ิ 2551)
1. วงจรขยายในทางอุดมคติ มีค่าความต้านทานอินพุตสูงมาก ๆ หรือมีค่าเป็นอนันต์และมีความ
ต้านทานเอาท์พุตเป็นศูนย์จะได้ vo = Avi
2. วงจรออปแอมป์เป็นวงจรขยายที่อัตราขยายมีค่าสูงมาก ซึ่งมีค่าความต้านทานขาเข้าสูงและค่า
ความต้านทานขาออกต่า
208
3. ตาราง 5.2 บทสรุป วงจรออปแอมป์ ที่ อธิบ ายในบทนี้ ความสั มพั นธ์ของอัต ราขยายของแต่ล ะ
วงจรขยายจะมีค่าไม่ขึ้นกับลักษณะสัญญาณ ไม่ว่าสัญญาณขาเข้านั้นจะเป็นแบบ dc แบบ ac หรือแบบทั่วไปที่
แปรตามเวลาก็ตาม แต่จะขึ้นกับองค์ประกอบภายนอกเท่านั้น
4. ออปแอมป์ในทางอุดมคติมีความต้านทานขาเข้าเป็นอนันต์ ค่าความต้านทานขาออกเป็นศูนย์ และ
อัตราขยายลูปเปิดมีค่าเป็นอนันต์
5. ออปแอมป์ ใ นทางอุ ด มคติ นั้ น กระแสที่ ไ หลผ่ า นเข้ า ขั้ ว ต่ อ ขาเข้ า ทั้ ง สองมี ค่ า เป็ น ศู น ย์ แ ละ
แรงดันไฟฟ้าคร่อมขั้วต่อขาเข้าทั้งสองมีค่าเท่ากับศูนย์
6. ในวงจรขยายแบบกลับเฟส (Inverting Amplifier) สัญญาณขาออกนั้นเป็นค่าลบคูณกับสัญญาณ
ขาเข้า
7. ในวงจรขยายแบบไม่กลับเฟส (Non-inverting Amplifier) สัญญาณขาออกนั้นเป็นค่าบวกคูณกับ
สัญญาณขาเข้า
8. วงจรตามแรงดัน (Voltage Follower) นั้น สัญญาณขาออกเป็นไปตามสัญญาณขาเข้า
9. วงจรขยายผลบวก (Summing Amplifier) นั้น สัญญาณขาออกเป็นค่าผลบวกของสัญญาณขาเข้า
ที่มีการถ่วงน้าหนัก
10. วงจรขยายผลต่าง (Differential Amplifier) นั้น สัญญาณขาออกแปรตามผลต่างของสัญญาณ
ขาเข้าทั้งสอง
11. วงจรออปแอมป์ ส ามารถต่ อ กั น แบบคาสเคค (Cascade) ได้ โดยไม่ มี ก ารเปลี่ ย นแปลง
ความสัมพันธ์ของสัญญาณขาออกกับสัญญาณขาเข้า
12. โปรแกรม PSpice นั้ น สามารถใช้วิเคราะห์วงจรออปแอมป์ได้ ซึ่งจัดเตรียมออปแอมป์ที่ไม่ใช่
ในทางอุดมคติไว้ ดังนี้ LF411, LM111, LM324 และ uA714
13. การประยุกต์ใช้โดยทั่วไปของออปแอมป์ในบทนี้นั้นได้รวมถึงเรื่องการแปลงสัญญาณดิจิทัลเป็น
แอนะล็อก วงจรชาร์จแบตเตอรี่ และวงจรป้องกันหม้อแปลงไฟฟ้าแรงดันสูงสาหรับห้องปฏิบัติการวิศวกรรม
ไฟฟ้าแรงสูง
209
5.1 ออปแอมป์ 741 ที่มีอัตราขยายลูปเปิด A = 2105, Ri = 2 M, Ro = 50  หา close-loop gain
vo/vs และ io เมื่อ vs = 1 V จากวงจรดังภาพ 5.39
741
io
vs 40 k

5 k 20 k vo


ตอบ v o / v s  9.0004 i o  0.69 mA
5.2 หาอัตราขยายลูปปิด (closed-loop gain) vo/vs และ i เมื่อ vs = 2 V โดยสมมติให้เป็นออปแอมป์
ในทางอุดมคติ จากวงจรดังภาพ 5.40
20 k
10 k v 1
i
741
v2 
vs vo


ตอบ vo / v s   2 i  0.2 mA
5.3 หา vo และ i ที่ไหลผ่าน Rfeedback จากวงจรดังภาพ 5.41
15 k
5 k v 1 i
v2 
40 mV vo


ตอบ v o   120 mV i  8 A
210
5.4 พิสูจน์สมการ Transresistance Amp (vo/is) จากวงจรดังภาพ 5.42

R1 Vx R2
R
v1 v1 R3
v2 v2
 
is vo is vo
 
(ก) (ข)
vo
ก) Transresistance Amp (vo/is) จากภาพ (ก)  R
is
vo  R R 
ข) Transresistance Amp (vo/is) จากภาพ (ข)   R1  1  3  3 
is  R1 R2 
ตอบ proof
5.5 หา vo จากวงจรดังภาพ 5.43

4 k Vx
5 k 
3V 8 k
vo
2 k 

211
5.6 หา vo และ io จากวงจรดังภาพ 5.44

20 k
8 k
10 k
io
1.5 V 2V 6 k

4 k vo
1.2 V


ตอบ v o   3.8 V i o   1.425 mA
5.7 หา io จาก Instrumentation Amp จากวงจรดังภาพ 5.45

Op Amp1
8.00 V 40 k
v o1 20 k io
v o2 20 k
Op Amp3
40 k 10 k
8.01 V
Op Amp2

ตอบ i o  2 A
5.8 ออกแบบ difference amplifier โดยมีอัตราขยาย gain = 4

ตอบ R1 = R3 = 10 k และ R2 = R4 = 40 k
212
5.9 หา vo และ io จากวงจรดังภาพ 5.46

Op Amp1 Op Amp2
v o1
6 k 
4V Vx
vo
4 k io 

ตอบ v o  10 V i o  1 mA
5.10 หา Vo ถ้า V1 = 2 V และ V2 = 1.5 V จากวงจรดังภาพ 5.47

60 k
v o1 2 0 k
Vo
Op Amp1
Op Amp3
V1
30 k
50 k
10 k
v o2
V2 Op Amp2

213
5.11 ออกแบบวงจรขยายเครื่องมือวัด ถ้า V1 = 8.00 V และ V2 = 8.01 V ซึ่งมีอัตราการขยาย 500 เท่า

โดยใช้ PSpice
ตอบ
VSRC VSRC
VDC = 8.00 VDC = 8.01

214
McGraw-Hill.
McGraw-Hill.
McGRAW-Hill.
ศรียุ ทธศักดิ์, ชุมพล อัน ตรเสน, . . . เที ยนชัย ประดิส ถายน. (2556). ทฤษฎีวงจรไฟฟ้า ภาควงจร
ธนากร น้าหอมจันทร์, อติกร เสรีพัฒนานนท์ และพงษ์สวัสดิ์ คชภูมิ. (2551). การสร้างชุดทดสอบแรงดันเบรก
ดาวน์ฉนวนน้ามันหม้อแปลงที่ความถี่ไฟฟ้า 50 เฮิร์ตซ. รายงานการวิจัยมหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย
บทที่ 6
ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ
6.1 บทนำ
จากที่ ได้ ศึก ษาเกี่ย วกั บ วงจรองค์ป ระกอบแบบพาสซีฟ เชิ งเส้ น คื อ วงจรตัว ต้ านทาน ในบทนี้ จ ะ
นาเสนอองค์ประกอบของวงจรแบบพาสซีฟเชิงเส้นที่สาคัญอีก 2 องค์ประกอบ คือ ตัวเก็บประจุ (Capacitor)
และตัวเหนี่ ยวน า (Inductor) ซึ่งเป็ น องค์ป ระกอบประเภทสะสมพลั งงาน (Storage elements) กล่าวคือ
ตัวเก็บประจุสามารถเก็บสะสมพลังงานในรูปแบบสนามไฟฟ้า และตัวเหนี่ยวนาสามารถเก็บสะสมพลังงานใน
รูปสนามแม่เหล็กไว้ในตัวมันได้ ซึ่งแตกต่างจากตัวต้านทาน ที่มีคุณสมบัติดูดกลืนหรือเผาผลาญพลังงาน และ
อธิบายถึง วงจรตัวเก็บประจุอนุกรมและขนาน วงจรตัวเหนี่ยวนาอนุกรมและขนาน การวิเคราะห์วงจรตัวเก็บ
ประจุและตัวเหนี่ยวนาโดยใช้ PSpice และตัวอย่างการประยุกต์ใช้ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนา ตามลาดับ
6.2 ตัวเก็บประจุ
ตัวเก็ บ ประจุ เป็ น องค์ป ระกอบทางไฟฟ้ าแบบพาสซีฟ เชิงเส้ น ที่ส ามารถสะสมพลั งงานในรูปของ
สนามไฟฟ้าในวงจรไฟฟ้า ซึ่งถูกใช้งานในด้านอิเล็กทรอนิกส์ สื่อสาร คอมพิวเตอร์ ระบบไฟฟ้ากาลัง และด้าน
วิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูงอย่างแพร่หลาย
ตั ว เก็ บ ประจุ ไฟฟ้ าโดยทั่ ว ไป ประกอบด้ ว ยแผ่ น ตั ว น า 2 แผ่ น คั่ น ด้ ว ยวัส ดุ ฉ นวน (Insulator or
Dielectric) แผ่นตัวนามักทามาจาก อลูมิเนียมฟอยล์ และฉนวนมักทามาจาก อากาศ เซรามิก กระดาษ หรือ
ไมก้า ตัวอย่างตัวเก็บประจุไฟฟ้าโดยทั่วไป แสดงดังภาพ 6.1
Dielectric with permittivity; 
Metal plate,
each with area; A
d
ภำพ 6.1 ตัวอย่างตัวเก็บประจุไฟฟ้าโดยทั่วไป
เมื่อจ่ายแรงดันไฟฟ้า (v) ให้กับตัวเก็บประจุดังภาพ 6.2 จะมีประจุบวก (+q) บนแผ่นตัวนาหนึ่ง และ
มีประจุลบ (–q) บนอีกแผ่นตัวนาหนึ่ง ซึ่งตัวเก็บประจุจะเก็บสะสมประจุไฟฟ้า โดยประจุที่เก็บสะสมไว้ (q)
จะแปรผันตรงกับแรงดันไฟฟ้า (v) ทีจ่ ่ายให้ ดังสมการ (6.1)
216
q q
v
ภำพ 6.2 ตัวเก็บประจุเมื่อได้รับแรงดันไฟฟ้า v จากแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า
q  Cv (6.1)
เมื่อ C เป็นค่าคงที่ของการแปรผัน เรียกว่า ค่าความจุไฟฟ้า (Capacitance) ของตัวเก็บประจุ มีหน่วยเป็น
ฟารัด (Farad; F) เพื่อเป็นเกียรติแก่ ไมเคิล ฟาราเดย์ (Michael Faraday) นักวิทยาศาสตร์ชาวอังกฤษ
จากสมการ (6.1) พบว่า 1 farad = 1 coulomb/volt
ถึงแม้ว่าความจุไฟฟ้า (C) ของตัวเก็บประจุจะเป็นอัตราส่วนของประจุไฟฟ้า (q) บนแผ่นตัวนาไฟฟ้า
ต่อแรงดันไฟฟ้า (v) ที่จ่ายให้ นอกจากนี้ยังสัมพันธ์กับรูปลักษณะทางกายภาพของตัวเก็บประจุด้วย กรณีตัว
เก็บประจุแบบแผ่นตัวนาขนานกัน ดังภาพ 6.1 ค่าความจุไฟฟ้าจะหาได้ตามสมการ (6.2)
A
C  (6.2)
d
เมื่อ A คือ พื้นที่หน้าตัดของตัวนาไฟฟ้า
D คือ ระยะห่างของตัวนาไฟฟ้า
 คือ ค่าเปอร์มิตติวิตี้ของฉนวนที่คั่นอยู่ระหว่างตัวนา
สมการ (6.2) ใช้ได้กับตัวเก็บประจุแบบแผ่นตัวนาขนานเท่านั้น จากสมการ พบว่า ค่าความจุไฟฟ้า
ของตัวเก็บประจุสัมพันธ์กับสิ่งต่าง ๆ ดังนี้
1. พื้นที่ผิวของแผ่นตัวนาไฟฟ้า A : พื้นที่มาก ค่าความจุไฟฟ้าสูง
2. ระยะห่างระหว่างตัวนาไฟฟ้า d : ระยะห่างน้อย ค่าความจุไฟฟ้าสูง
3. ค่าเปอร์มิตติวิตี้ของวัสดุฉนวน  : ค่าเปอร์มิตติวิตี้สูง ค่าความจุไฟฟ้าสูง
นอกจากตัวเก็บประจุแบบแผ่นตัวนาขนานแล้ว ยังมีตัวเก็บประจุแบบที่พบมากในระบบไฟฟ้ากาลัง
คือ ตัวเก็บ ประจุ แบบตัวน าทรงกระบอกซ้อนแกนร่ว ม แสดงดัง ภาพ 6.3 ซึ่งใช้ในสายเคเบิ้ล ไฟฟ้ าแรงสู ง
ตัวนาไฟฟ้าแรงสูง และระบบวัดไฟฟ้าแรงดันสูง เป็นต้น
217
r2
 l
r1
(ก)
C2 r3
C1
r2
2  1 l
r1
(ข)
ภำพ 6.3 ตัวเก็บประจุไฟฟ้าทรงกระบอกซ้อนแกนร่วม (ก) ตัวนา 2 ชั้น (ข) ตัวนา 3 ชั้น
จากภาพ 6.3 (ก) ตัวเก็บประจุไฟฟ้าทรงกระบอกซ้อนแกนร่วม ตัวนา 2 ชั้น ค่าความจุไฟฟ้า จะหาได้
2 l
จาก C  (6.3)
r2
ln
r1
สาหรับภาพ 6.3 (ข) ตัวเก็บประจุไฟฟ้าทรงกระบอกซ้อนแกนร่วม ตัวนา 3 ชั้น ค่าความจุไฟฟ้า จะหา
21 2 l
ได้จาก C  (6.4)
r3 r2
 1 ln   2 ln
r2 r1
จากสมการ (6.1) และ (6.2) ในกรณี ที่ ต้ อ งการให้ ค่ าความจุ ไฟฟ้ า มากขึ้ น จะท าได้ โดยการเพิ่ ม
แรงดันไฟฟ้า (v) ให้มากขึ้น หรือลดระยะห่างระหว่างตัวนาไฟฟ้า (d) ให้แคบลง ทั้งนี้วิธีการดังกล่าวอาจทาให้
เกิดประกายไฟระหว่างแผ่นตัวนาทั้ง 2 หรือเกิดการเบรกดาวน์ของวัสดุฉนวนที่คั่นอยู่ระหว่างแผ่นตัวนาไฟฟ้า
ได้ ซึ่ ง สามารถแก้ ไขได้ โ ดยการเลื อ กใช้ วั ส ดุ ฉ นวนที่ มี ค่ า เปอร์ มิ ต ติ วิ ตี้ (r) สู ง หรื อ ค่ า ความคงทนต่ อ
แรงดันไฟฟ้าเบรกดาวน์ (Eb) สูง แทนการใช้วัสดุฉนวนเดิม ตัวอย่างคุณสมบัติของวัสดุฉนวน แสดงดังตาราง
6.1
218
ตำรำง 6.1 คุณสมบัติของวัสดุฉนวน (Properties of Insulating Materials)

Specific Breakdown
Dielectric Loss factor tan  x10-4 Resistance
Insulating material Constant r at 20 
C strength Eb
at 50 Hz at 50 Hz at 1 MHz .cm
kV / mm
Glass 3.5 - 9 5 - 100 5 - 100 > 1010 10 - 40
Ceramic insulators
Glazed 6 170 - 250 10 - 120 > 1011 35
Steatite 6 10 - 30 3 - 20 1012 - 1013 30 - 45
Sinterkorund 11 15 10 1015 25 - 45
Mica-foil (made from mica, 4 200 - 400 1013 17
paper and shellac or asphalt)
Mineral oil (transformer oil) 2 – 2.5 1-5 1-5 1013 - 1014 10 - 25
Paper (insulating paper)
Dry 2 – 2.5 25 – 40 200 - 400 1015 10 - 20
Soaked in oil 3-4 10 - 30 1015 40 - 50
Acetobutyrate foil CAB 3.8 – 4.1 10 - 110 240 - 260 1015 125 - 130
Epoxy casting resin EP 3.2 – 3.9 35 - 50 100 - 200 1015 - 1016 20 - 45
Phenolic resin moulding 5 - 15 100 - 300 50 - 700 109 - 1014 10 - 40
Polyamide PA 3.5 – 4 300 - 1000 230 - 270 108 - 1011 50
Polyethylene PE 2.3 2-4 2-4 1016  40
Polyethylene terephthalate 3.2 20 190 > 1015 160
PETP
Polycarbonate PC 3 7 110  1016 >100
Polyester casting resin UP 3–7 30 - 300 60 - 400 1013 - 1015 25 - 45
Polyacetal POM 4 10 - 15 55 1015 70
Polymethylmethacrylate 3.5 – 4.5 500 - 600 150 - 300 1016  35
PMMA
Polypropylene PP 2.3 – 2.5 5-6 1016 75
Polystyrene PS 2.5 1.5 – 2.5 1.5 – 2.5 1017  55
Polytetrafluorethylene TPFE 2.0 <2 <2 1017  25
Polyvinyl chloride hard PVC 3.8 – 4.3 120 - 1500 60 - 1000 1015 - 1016 40
Silicone rubber Si 2.5 - 5 5 - 500 5 - 500 1013 - 1016 20 - 30
(สารวย สังข์สะอาด; 2549)
219
ตัวเก็บประจุที่จาหน่ายในท้องตลาดมีหลากหลายชนิด โดยแต่ละชนิดมีชื่อตามวัสดุฉนวนที่นามาใช้
และมีขนาดที่แตกต่างกัน โดยทั่วไปมีค่าอยู่ในช่วง พิโคฟารัด (pF) ถึงไมโครฟารัด (F) มีทั้งแบบค่าคงที่และ
ปรับค่าได้ สัญลักษณ์ของตัวเก็บประจุแสดงดัง ภาพ 6.4 จากข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ ถ้า v > 0
และ i > 0 หรือถ้า v < 0 และ i < 0 ตัวเก็บประจุจะถูกชาร์จ (Charge) หรืออัดประจุ และถ้า v  i < 0 ตัว
เก็บประจุจะคายประจุ (Discharge)
C C
i i
v  v 
(ก) ค่าคงที่ (ข) ปรับค่าได้
ภำพ 6.4 สัญลักษณ์ของตัวเก็บประจุ
ภำพ 6.5 ตัวเก็บประจุค่าคงที่

จากภาพ 6.5 แสดงตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่ที่มีจาหน่ายทั่วไป โดยตัวเก็บประจุแบบโพลีเอสเตอร์จะมี
เสถียรภาพสูง น้าหนักเบา สามารถทานายค่าความเปลี่ยนแปลงได้เมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลง วัสดุฉนวนที่ใช้
แทนโพลีเอสเตอร์ เช่น ไมก้า โพลีสไตรีน และตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโตรไลติกออกแบบให้มีค่าความเก็บประจุ
สูงมาก สาหรับตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้ ซึ่งสามารถปรับค่าตัวเก็บประจุได้โดยการหมุนสกรูเช่นเดียวกับตัว
ต้านทานแบบปรับค่าได้
ตัวเก็บประจุมีการแสดงค่าความจุไฟฟ้าบนตัวถังของตัวเก็บประจุเป็นรหัสตัวเลข จานวน 3 ตัวและ
ตัวอักษรภาษาอังกฤษ จานวน 1 ตัว อ่านค่าได้ดังนี้ รหัสตัวเลขหลักที่ 1-2 เป็นค่าตามตัวเลข และหลักที่ 3
เป็นจานวนเลขศูนย์ ค่าที่ได้มีหน่วยเป็น pF
ตัวอย่างเช่น 104 = 10 0000 pF = 100 nF = 0.1 F
681 = 68 0 pF = 0.68 nF = 0.00068 F
220
สาหรับรหัสภาษาอังกฤษ จะแสดงขอบเขตความเบี่ยงเบนค่าความจุไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ ดังนี้

J = ขอบเขตความเบี่ยงเบน  5 %
K = ขอบเขตความเบี่ยงเบน  10 %
M = ขอบเขตความเบี่ยงเบน  20 %
ตัวอย่างเช่น 473M = 47 000 pF  20 %
ดังนั้น ตัวเก็บประจุจะมีค่าความจุไฟฟ้าอยู่ในช่วง 37600 – 56400 pF เป็นต้น
ความสัมพันธ์ของกระแส และแรงดันไฟฟ้า ของตัวเก็บประจุจะหาได้จากการอนุพันธ์สมการ (6.1)
dq
จาก i  (6.5)
dt
dv
จะได้ i  C (6.6)
dt
จากสมการ (6.6) และข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ จะได้กราฟความสัมพันธ์ของแรงดันและ
กระแสไฟฟ้าที่ตัวเก็บประจุดังภาพ 6.6 โดยสมการ (6.6) จะใช้ได้สาหรับตัวเก็บประจุเชิงเส้น ส่วนตัวเก็บประจุ
ที่ไม่เป็นเชิงเส้นนั้น กราฟความสัมพันธ์ของแรงดันและกระแสไฟฟ้าจะไม่เป็นเส้นตรง ตัวเก็บประจุส่วนมากจะ
เป็นตัวเก็บประจุเชิงเส้นทั้งหมด
i
slope  C
0 dv/ dt
ภำพ 6.6 ความสัมพันธ์ของแรงดันและกระแสไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ
ความสัมพันธ์ของแรงดันและกระแสไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ หาได้จากการอินทิกรัลสมการ (6.6) จะ
ได้
1 t
C 
v  i dt (6.7)
1t
หรือ v   i dt  v (t 0 ) (6.8)
C t0
221
โดยที่ v(t0) = q(t0)/C คือ แรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุที่เวลา t0 จากสมการ (6.8) พบว่า แรงดันไฟฟ้า ตก

คร่อมตัวเก็บประจุขึ้นอยู่กับค่ากระแสของตัวเก็บประจุในช่วงเวลาที่ผ่านมา จาก t0 ถึง t จึงกล่าวได้ว่า ตัว
เก็บประจุมีหน่วยความจา ซึ่งเป็นคุณสมบัติที่ทาให้ตัวเก็บประจุถูกใช้งานอย่างกว้างขวาง
กาลังไฟฟ้าชั่วขณะ (p) ทีส่ ่งผ่านให้กับตัวเก็บประจุ จะหาได้จาก
dv
p  vi  vC (6.9)
dt
พลังงาน (w) ที่สะสมในตัวเก็บประจุ หาได้จากสมการ (6.10)
t tt t
dv 1
w   p dt  C  v dt  C  v dv  Cv 2 (6.10)
   dt  2 t  
เมื่อ v(-) = 0 เนื่องจากตัวเก็บประจุไม่ได้ถูกชาร์จที่เวลา t = -

1 2
ดังนั้น w  Cv (6.11)
2
q2
หรือ w  (6.12)
2C
สมการ (6.11) และ (6.12) แสดงให้เห็นว่า พลังงานที่สะสมในรูปแบบสนามไฟฟ้าระหว่างแผ่นตัวนา
ขนานของตัวเก็บประจุ สามารถจ่ายคืนออกมาได้เนื่องจากตัวเก็บประจุไม่สามารถเผาผลาญพลังงานได้เหมือน
ตัวต้านทาน คุณลักษณะที่สาคัญของตัวเก็บประจุ มีดังนี้
1. จากสมการ (6.6) เมื่ อ แรงดั น ที่ ต กคร่อ มตั ว เก็ บ ประจุ ไม่ เปลี่ ย นแปลงตามเวลา (dc voltage)
กระแสที่ไหลผ่านตัวเก็บประจุ จะเท่ากับศูนย์ (ตัวเก็บประจุจะเปิดวงจรสาหรับไฟฟ้ากระแสตรง)
2. แรงดันที่จ่ายให้ตัวเก็บประจุต้องเป็นแรงดันต่อเนื่อง (continuous voltage) เพราะตัวเก็บประจุ
มีคุณสมบัติต้านทานการเปลี่ยนแปลงแรงดันตกคร่อมอย่างทันทีทันใด จากสมการ (6.6) ถ้าแรงดันตกคร่อม
เป็นแรงดันไม่ต่อเนื่อง (discontinuous voltage) ตัวเก็บประจุจะต้องการปริมาณกระแสไฟฟ้าเป็นอนันต์ ซึ่ง
เป็นไปไม่ได้ในภาคปฏิบัติ ตัวอย่างแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมตัวเก็บประจุ แสดงดังภาพ 6.7
v v
t t
(ก) สามารถทาได้ (ข) ไม่สามารถทาได้ (การชาร์จประจุอย่างทันทีทันใดเป็นไปไม่ได้)

ภำพ 6.7 แรงดันไฟฟ้าที่ตกคร่อมตัวเก็บประจุ
222
3. ตัวเก็ บ ประจุ ในทางอุดมคติ (ideal capacitor) จะไม่ดูด กลื น หรือเผาผลาญพลั งงาน กล่ าวคื อ
มีการสะสมพลังงานในรูปแบบสนามไฟฟ้าเมื่ออยู่ในสภาวะการชาร์จ และคายพลังงานที่ชาร์จไว้ กลับคืนสู่วงจร
ในสภาวะคายประจุ
4. ในความเป็ น จริ ง ตั ว เก็ บ ประจุ จ ะมี ค่ า ความต้ า นทานรั่ ว ไหล (parallel-model leakage
resistance) ดังภาพ 6.8 ซึ่งอาจจะมีค่าสูงถึง 100 M โดยสามารถละทิ้งค่าความต้านทานดังกล่าวได้ใน
ภาคปฏิบัติ ซึ่งในหนังสือนี้จะกาหนดให้ตัวเก็บประจุเป็นแบบในทางอุดมคติตลอดทั้งเล่ม
Leakage resistance
Capacitanc e
ภำพ 6.8 วงจรสมมูลของตัวเก็บประจุที่ไม่ใช่ในทางอุดมคติ
ตัวอย่ำง 6.1 ก) หาค่าความจุไฟฟ้า q ของตัวเก็บประจุขนาด 4 pF เมื่อมีแรงดันไฟฟ้าตกคร่อม 12 V
ข) พลังงาน w ที่สะสมในตัวเก็บประจุนี้
วิธีทำ ก) จากสมการ (6.1) q  Cv
ดังนั้น q  4  1012  12  48 pC
1 2
ข) จากสมการ (6.11) w  Cv
2
1
ดังนั้น w   4  1012  (12) 2  288 pJ
2
ตัวอย่ำง 6.2 หาค่ากระแสไฟฟ้า i(t) ของตัวเก็บประจุขนาด 6 F เมื่อมีแรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุเท่ากับ
v (t )  5 cos 3000t V
dv
วิธีทำ จากสมการ (6.6) i  C
dt
d
ดังนั้น i  6  106 (5 cos 3000t )
dt
และ i   6 106  3000 5 sin 3000t
  90 sin 3000t mA
223
ตัวอย่ำง 6.3 หาค่าแรงดันไฟฟ้าตกคร่อม v ที่ตัวเก็บประจุขนาด 3 F เมื่อมีกระแสไหลผ่านตัวเก็บประจุ

เท่ากับ i (t )  15e5000t mA เมื่อกาหนดให้ v(0) = 0 V
1t
วิธีทำ จากสมการ (6.8) v   i dt  v (t 0 ) ; v ( 0)  0
C t0
1 ax
 e dx 
ax
และ e C
a
1 t 5000t
ดังนั้น v  6 
15e  103 A dt
3  10 0
t
15  103
 6
e 5000t
(3  10 )( 5000) 0
 (1  e5000t ) V
ตัวอย่ำง 6.4 หาค่ากระแสไฟฟ้า i(t) ของตัวเก็บประจุขนาด 50 F เมื่อมีแรงดันตกคร่อม ดังภาพ 6.9

v(t)
100
0 t
1 2 3 4
 100

วิธีทำ จากรูปคลื่นแรงดัน ดังภาพ 6.9 จะได้ฟังก์ชันของแรงดันไฟฟ้า v(t) ดังนี้
100t V ; 0  t 1
200  100t V ; 1 t  3
v (t )  
 400  100t V ; 3t 4

0; otherwise
จาก i = C dv/dt และ C =50 F อนุพันธ์แรงดัน v(t) จะได้
224
100; 0  t 1
 100; 1 t  3
i (t )  50  10 6  
100; 3t4
0; otherwise

5 mA; 0  t 1
 5 mA; 1 t  3
หรือ i (t )   ดังแสดงในภาพ 6.10
5 mA; 3t4
0; otherwise

i (mA)
5
0 t
1 2 3 4
5

ตัวอย่ำง 6.5 หาค่าพลังงาน w ที่สะสมในตัวเก็บประจุแต่ละตัวในวงจรดังภาพ 6.11
4 mF
4 k
3 k
12 mA 5 k 6 k
2 mF

วิธีทำ จากภาพ 6.11 ภายใต้เงื่อนไขแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง (dc condition) ตัวเก็บประจุแต่ละตัวจะอยู่ใน
ลักษณะเปิดวงจร (open circuit) ดังแสดงในภาพ 6.12
จากภาพ 6.12 กระแสไฟฟ้า i ที่ไหลผ่านตัวต้านทาน 4 k และ 6 k หาได้โดยการแบ่งกระแส ดังนี้
5k
i   12 mA  4 mA
5k  (4k  6k )
225
 v1 
4 k
i 3 k
12 mA 5 k 6 k 
v2


เมื่อ v1 และ v2 คือ แรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุ จะได้
v1  4k  i  4k  4mA  16 V
v 2  6k  i  6k  4mA  24 V
พลังงาน w ที่สะสมในตัวเก็บประจุแต่ละตัว จะหาได้จาก
1 2 1
w1  C 1v 1   (4  10 3 )  (16) 2  512 mJ
2 2
1 1
w2  C 2 v 2 2   (2  10 3 )  (24) 2  576 mJ
2 2
6.3 ตัวเก็บประจุอนุกรมและขนำน
จากการหาค่าความต้านทานรวมในวงจรตัวต้านทาน ซึ่งช่วยให้สามารถลดรูปวงจรให้เหลือเพียงวงจร
สมมู ล อย่ างง่าย ท าให้ ส ะดวกต่ อ การวิเคราะห์ ว งจร เทคนิ ค นี้ ส ามารถใช้ กั บ วงจรตั ว เก็บ ประจุได้ เช่น กั น
เนื่องจากในบางวงจรอาจจะประกอบด้วยตัวเก็บประจุหลายตัวที่ต่อเข้าด้วยกันแบบอนุกรม ขนาน หรือผสม
โดยจะสามารถแทนด้วยตัวเก็บประจุสมมูล (equivalent capacitor; Ceq) เพียงตัวเดียวได้
i1 i2 i3 iN  
i C1 C2 C3 CN v i C eq v
 
(ก) (ข)
ภำพ 6.13 (ก) ตัวเก็บประจุ N ตัว ต่อขนานกัน (ข) วงจรสมมูลของตัวเก็บประจุขนาน
ตัวเก็บประจุสมมูล (Ceq) ของตัวเก็บประจุ N ตัว ในการต่อขนาน ดังภาพ 6.13 (ก) จะได้วงจรสมมูล
ดังภาพ 6.13 (ข) จากคุณลักษณะของวงจรขนาน ตัวเก็บประจุทุกตัวจะมีแรงดันตกคร่อม (v) เท่ากัน
226
KCL วงจรในภาพ 6.13 (ก) จะได้ i  i1  i2  i3  .... iN (6.13)

dv dv dv dv
เมื่อ ik = Ck dv/dt จะได้ i  C1  C2  C3  .... C N
dt dt dt dt
 N  dv dv
i   Ck   C eq (6.14)
 k 1  dt dt
โดยที่ Ceq  C1  C2  C3  ...  CN (6.15)
จากสมการที่ผ่านมา พบว่า วิธีการหาค่าตัวเก็บประจุรวมที่ต่อขนานกัน สามารถทาได้เช่นเดียวกับ
การหาค่าความต้านทานรวมทีต่ ่ออนุกรมกัน
ตัวเก็บ ประจุส มมูล (Ceq) ของตัวเก็บ ประจุ N ตัว ในการต่ออนุกรม ดัง ภาพ 6.14 (ก) จะได้วงจร
สมมูลดังภาพ 6.14 (ข) จากคุณลักษณะของวงจรอนุกรม ตัวเก็บประจุทุกตัวจะมีกระแสที่ไหลผ่าน (i) เท่ากัน
i C1 C2 C3 CN i
 v1   v2   v3   vN 

v v C eq v

(ก) (ข)
ภำพ 6.14 (ก) ตัวเก็บประจุ N ตัว ต่ออนุกรมกัน (ข) วงจรสมมูลของตัวเก็บประจุอนุกรม
KVL วงจรในภาพ 6.14 (ก) จะได้ v  v1  v2  v3  .... v N (6.16)
1 t
C k t0
เมื่อ v k  i dt  v k (t0 ) จะได้
1 t 1 t 1 t
C1 t0
v  i dt  v1 (t0 )   i dt  v2 (t0 )   i dt  v3 (t0 )
C 2 t0 C 3 t0
1 t
    i dt  v N (t0 )
C N t0
1 1 1 1 t
         i dt  v1 (t0 )  v2 (t0 )  v3 (t0 )    v N (t0 )
 C1 C2 C3 C N t0
227
1 t
C eq t0
v  i dt  v (t0 ) (6.17)
1 1 1 1 1
โดยที่     (6.18)
C eq C1 C2 C3 CN
แรงดันเริ่มต้น v(t0) ตกคร่อม Ceq จาก KVL จะได้
v (t0 )  v1 (t0 )  v2 (t0 )  v3 (t0 )   v N (t0 )
ในกรณีตัวเก็บประจุที่ต่ออนุกรมกัน สามารถคานวณหาค่าความจุไฟฟ้ารวมได้เช่นเดียวกับตัวต้านทาน
ที่ต่อขนานกัน ตัวอย่างเช่นตัวเก็บประจุ 2 ตัวอนุกรมกัน จะได้
1 1 1
 
C eq C1 C2
C1  C2
หรือ C eq  (6.19)
C1  C2
ตัวอย่ำง 6.6 หาค่า Ceq ที่ขั้ว a-b จากวงจร ดังภาพ 6.15

C2 C5
a
3 μF 60 μ F
C1 6 μF C3 4 μF C4 6 μF  C eq
b
วิธีทำ จากภาพจะได้ Ceq = [(C1 + C2) // C3 // C4] + C5
(6  10 6 )  (3  10 6 )
C1  C 2  6 6
 2  10 6 F
(6  10 )  (3  10 )
( C1  C 2 ) // C 3 // C 4  (2  10 6 )  (4  10 6 )  (6  10 6 )  12  10 6 F
(12  10 6 )  (60  10 6 )
[( C1  C 2 ) // C 3 // C 4 ]  C 5  6 6
 10  10 6 F
(12  10 )  (60  10 )
228
ตัวอย่ำง 6.7 หาค่าแรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุแต่ละตัวในวงจร ดังภาพ 6.16

12 mF 60 mF
 v1   v2 

24 V 30 mF v3 50 mF


วิธีทำ จากภาพ Ceq = 12mF+60mF+(30mF//50mF)
30mF // 50mF  30mF  50mF  80 mF
1
C eq   8.89 mF
1 1 1
 
12mF 60mF 80mF
จากค่าความจุไฟฟ้าสมมูล (Ceq) จะได้วงจรดังภาพ 6.17

C eq
24 V qt
8.89mF

ภำพ 6.17 วงจรสมมูลของภาพ 6.16

จากภาพ 6.17 ประจุไฟฟ้ารวม (qt) จะเท่ากับ
qt  C eq  v  (8.89  10 3 )  24  0.21 C
ค่า qt 0.21 C คือ ประจุไฟฟ้าบนตัวเก็บประจุ 12 mF และ 60 mF เนื่องจากตัวเก็บประจุทั้ง 2 ต่ออนุกรมกัน
กับแหล่งจ่ายแรงดัน 24 V เปรียบเสมือนกระแสที่ไหลออกจากแหล่งจ่าย i = dq/dt ดังนั้น
q 0.21
v1   3
 17.5 V
C1 12  10
q 0.21
และ v2    3.5 V
C2 60  10 3
ใช้ KVL รอบเมซแหล่งจ่าย จะได้ v 3  24  v1  v 2  3 V
229
6.4 ตัวเหนี่ยวนำ
ตัวเหนี่ ย วน า เป็ นองค์ป ระกอบทางไฟฟ้าแบบพาสซี ฟเชิงเส้น ที่ส ามารถสะสมพลั งงานในรูปของ
สนามแม่ เหล็ ก ในวงจรไฟฟ้ า ซึ่ งถู ก ใช้ อ ย่ างกว้างขวางในด้ านอิ เล็ ก ทรอนิ ก ส์ และระบบไฟฟ้ าก าลั ง เช่ น
ในแหล่งจ่ายกาลัง หม้อแปลงไฟฟ้า วิทยุ โทรทัศน์ มอเตอร์ไฟฟ้า และเรดาห์
ตัวนาไฟฟ้าโดยทั่วไปที่มีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านจะมีคุณสมบัติของความเหนี่ยวนาไฟฟ้าอยู่ภายในตัวเอง
จึงพิจารณาได้ว่าเป็น ตัวเหนี่ ยวน าตัวหนึ่ ง สาหรับตัวเหนี่ยวนาไฟฟ้าในที่นี้ จะเน้นถึงความสามารถในการ
เหนี่ยวนาสนามแม่เหล็ก ได้แก่ ขดลวดทรงกระบอกที่พันอยู่รอบแกนตัวนาแม่เหล็ก ดังภาพ 6.18
Length; l
Cross - sectional area; A

Core material; 
Number of turns; N
ภำพ 6.18 รูปแบบตัวเหนี่ยวนาโดยทั่วไป
เมื่อ มี ก ระแสไฟฟ้ าไหลผ่ านตั ว เหนี่ ยวน า จะเกิ ดแรงดั น ไฟฟ้ า ตกคร่อมที่ ตัว เหนี่ ยวน านั้น ซึ่งมี ค่ า
แปรผันตรงกับอัตราการเปลี่ยนแปลงทางเวลาของกระแส จากข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ จะได้ดัง
สมการ (6.20)
di
v  L (6.20)
dt
เมื่อ L คือ ค่าคงที่ของการแปรผันตาม ซึ่งเรียกว่า ค่าความเหนี่ยวนาไฟฟ้า (Inductance) ของตัวเหนี่ยวนา
แม่เหล็ก มีหน่วยเป็น เฮนรี่ (Henry; H) เพื่อเป็นเกียรติแก่ โจเซฟ เฮนรี่ (Joseph Henry) นักวิทยาศาสตร์
ชาวอเมริกัน
จากสมการ (6.20) พบว่า 1 Henry = 1 volt-sec/ampare
ค่าความเหนี่ ย วน าของตัวเหนี่ ยวน าตามมิติทางกายภาพของโครงสร้าง สามารถคานวณได้โดยใช้
ทฤษฎีสนามแม่เหล็กไฟฟ้า ตัวอย่างการคานวณค่าความเหนี่ยวนาของตัวเหนี่ยวนาแกนอากาศ (toroidal
inductor) ดังสมการ (6.21)
N 2 A
L  (6.21)
l
โดยที่ N คือ จานวนรอบของขดลวด
l คือ ความยาวของขดลวด
230
A คือ พื้นที่หน้าตัดของแกนตัวนาแม่เหล็ก
 คือ ค่าความซึมซาบของวัสดุแกนตัวนาแม่เหล็ก
จากสมการ (6.21) ในกรณีที่ต้องการให้ค่าความเหนี่ยวนาไฟฟ้ามากขึ้น ทาได้โดยการเพิ่มจานวนรอบ
ของขดลวด และใช้วัสดุตัวนาแม่เหล็กที่มีค่า ความซึมซาบสูง รวมถึงการเพิ่มขนาดแกนตัวนาแม่เหล็ก หรือลด
ความยาวของขดลวดลงก็ได้
นอกจากสมการ (6.21) แล้ว ยังมีสมการที่นิยมใช้ในการคานวณค่าความเหนี่ยวนาไฟฟ้าของขดลวด

เหนี่ยวนาแกนอากาศทรงกระบอก และแบบระนาบ แสดงดังสมการ (6.22) และ (6.23) ตามลาดับ
r 2N2
L  (6.22)
9r  10l
เมื่อ L คือ ค่าความนาไฟฟ้า หน่วยเป็น H
r คือ รัศมีด้านนอกของขดลวด หน่วยเป็น นิ้ว (inch)
l คือ ความยาวของขดลวด หน่วยเป็น นิ้ว (inch)
N คือ จานวนรอบของขดลวด
r 2N 2
L  (6.23)
8r  11d
เมื่อ r คือ รัศมีเฉลี่ยของขดลวด หน่วยเป็น นิ้ว (inch)
d คือ ความลึกของขดลวด (รัศมีด้านนอกลบด้วยรัศมีด้านในของขดลวด) หน่วยเป็น นิ้ว (inch)
ตั ว เหนี่ ย วน าที่ มี จ าหน่ า ยในท้ อ งตลาดมั ก มี ค่ า ในย่ า น microhenrys (H) ในการใช้ ง านด้ า น
ระบบสื่อสารและระบบไฟฟ้ากาลังจะใช้ในย่าน Henry (H) ตัวเหนี่ยวนามีทั้งแบบค่าคงที่และแบบปรับค่าได้
แกนตัวนาที่ใช้มีทั้ง เหล็กกล้า เหล็กเหนียว พลาสติก และ อากาศ สัญลักษณ์ของตัวเหนี่ยวนาตามข้อกาหนด
เครื่องหมายแบบพาสซีฟ แสดงดังภาพ 6.19 ตัวเหนี่ยวนาแบบค่าคงทีท่ ี่มีจาหน่ายทั่วไป แสดงดังภาพ 6.20
231
i i i
  
v L v L v L
  
(ก) (ข) (ค)

ภำพ 6.19 สัญลักษณ์ของตัวเหนี่ยวนา (ก) แกนอากาศ (ข) แกนเหล็ก (ค) แกนเหล็กปรับค่าได้
ภำพ 6.20 ตัวเหนี่ยวนาค่าคงที่

การแสดงค่าความเหนี่ยวนาไฟฟ้าจะแสดงลงบนตัวถังของตัวเหนี่ยวนา มีทั้งแถบสีเช่นเดียวกับตัว
ต้านทาน หรือรหัสตัวเลขและตัวอักษรภาษาอังกฤษเช่นเดียวกับตัวเก็บประจุ
วิ ธี ก ารอ่ า นค่ า ความเหนี่ ย วน าไฟฟ้ า จากแถบสี บ นตั ว ถั ง ของตั ว เหนี่ ย วน า สามารถอ่ า นค่ า ได้
เช่นเดียวกับวิธีการอ่านค่าแถบสีของตัวต้านทาน ค่าที่อ่านได้มีหน่วยเป็น H
วิธีการอ่านรหัสตัวเลขบนตัวถังของตัวเหนี่ยวนา มีดังนี้
กรณีที่ 1 ค่าความเหนี่ยวนาน้อยกว่า 100 H จะใช้รหัสตัวเลข 3 ตัวและใช้ R แทนจุดทศนิยม เช่น
R910 = 0.91 H
2R15 = 2.15 H
85R0 = 85 H
กรณีที่ 2 ค่าความเหนี่ยวนามากกว่า 100 H จะใช้รหัสตัวเลข 4 ตัว อ่านค่าได้ดังนี้ รหัสตัวเลขหลัก
ที่ 1-3 เป็นค่าตามตัวเลข และหลักที่ 4 เป็นจานวนเลขศูนย์ ค่าที่ได้มีหน่วยเป็น H เช่น
1250 = 125 H
232
1201 = 120 0 H = 1.2 mH

6802 = 680 00 H = 68 mH
กรณี ที่ 3 แสดงรหั ส ตัว เลข 3 ตั ว อ่ านค่ าได้ ดั งนี้ รหั ส ตัว เลขหลั ก ที่ 1-2 เป็ น ค่าตามตั ว เลข และ
หลักที่ 3 เป็นจานวนเลขศูนย์ ค่าที่ได้มีหน่วยเป็น H
ส าหรั บ รหั ส ภาษาอั งกฤษ ที่ แ สดงขอบเขตความเบี่ ยงเบนค่าความเหนี่ย วนาไฟฟ้ า จะแสดงด้ ว ย
ตัวอักษร J, K และ M ทีข่ อบเขตความเบี่ยงเบน  5, 10 และ 15 % ตามลาดับ เช่นเดียวกับตัวต้านทานและ
ตัวเก็บประจุ
จากสมการ (6.20) แสดงถึงความสัมพันธ์ของแรงดันและกระแสไฟฟ้าในตัวเหนี่ยวนาดัง ภาพ 6.21
โดยแสดงถึงตัวเหนี่ยวนาเชิงเส้น (linear inductor) สาหรับตัวเหนี่ยวนาที่ไม่เป็นเชิงเส้นกราฟความสัมพันธ์
ของแรงดันและกระแสไฟฟ้าจะไม่เป็นเส้นตรง ซึ่งในหนังสือเล่มนี้จะสมมติให้ตัวเหนี่ยวนาเป็นเชิงเส้นทั้งหมด
v
slope L
0 di/ dt
ภำพ 6.21 ความสัมพันธ์ของแรงดันและกระแสไฟฟ้าของตัวเหนี่ยวนา
จากความสัมพันธ์ของกระแสและแรงดันไฟฟ้า ตามสมการ (6.20) จาก v = L di/dt
1
อินทิกรัลสมการข้างต้น จะได้ di  v dt
L
1 t
i   v (t ) dt (6.24)
L 
1t
หรือ i   v (t ) dt  i (t0 ) (6.25)
Lt
0
โดยที่ i(t0) คือ กระแสรวมที่เวลา – < t < t0 ซึง่ i(-) = 0 เนื่องจากที่เวลา t = -  ไม่มีกระแสไหลผ่าน L
เนื่ องจากตัว เหนี่ ย วน าถูกออกแบบให้ ส ามารถสะสมพลั งงานในรูปแบบสนามแม่เหล็ ก กาลั งงาน
ที่สะสมสามารถคานวณได้ จาก
 di 
p  vi   L  i (6.26)
 dt 
233
t t
 di 
พลังงานที่สะสม คือ w   p dt    L dt  i dt
 
t
1 2 1
w  L  i dt  Li (t )  Li 2 ( ) (6.27)
 2 2
1 2
เมื่อ i(-) = 0 จะได้ w  Li (6.28)
2
คุณสมบัติที่สาคัญของตัวเหนี่ยวนา มีดังนี้
1. จากสมการ (6.20) แรงดันตกคร่อมตัวเหนี่ยวนาจะเป็นศูนย์เมื่อกระแสที่ไหลผ่านมีค่าคงที่ (ตัว
เหนี่ยวนาจะมีลักษณะเป็นการลัดวงจรในวงจรไฟฟ้ากระแสตรง)
2. ตัวเหนี่ยวนาจะต้านทานการเปลี่ยนแปลงกระแสที่ไหลผ่านอย่างทันทีทันใด จากสมการ (6.20)
ถ้ากระแสที่ไหลผ่านตัวเหนี่ยวนามีลักษณะไม่ต่อเนื่อง ตัวเหนี่ยวนาจะมีแรงดันตกคร่อมเป็นอนันต์ ซึ่งเป็นไป
ไม่ได้ในภาคปฏิบัติ ตัวอย่างกระแสที่ไหลผ่านตัวเหนี่ยวนา แสดงดังภาพ 6.22
i i
t t
(ก) สามารถทาได้ (ข) ไม่สามารถทาได้ (การเปลี่ยนแปลงกระแสอย่างทันทีทันใดเป็นไปไม่ได้)
ภำพ 6.22 กระแสที่ไหลผ่านตัวเหนี่ยวนา
3. ตั ว เหนี่ ย วน าในทางอุ ด มคติ จะไม่ ดู ด กลื น พลั ง งานและสามารถน าพลั ง งานที่ ส ะสมใน
ตัวเหนี่ยวนามาใช้ภายหลังได้
4. ตัวเหนี่ยวนาในภาคปฏิบัติเป็น ตัวเหนี่ยวนาไม่เป็นเชิงเส้น โดยจะมีลักษณะของความต้านทาน
ประกอบอยู่ด้วย ดังภาพ 6.23 ซึ่งเป็นผลมาจากลวดตัวนา เช่น ทองแดง ที่นามาทาเป็นตัวเหนี่ยวนานั้นมีค่า
ความต้านทาน ซึ่งเรียกว่า ความต้านทานของลวดตัวนา (winding resistance; Rw) โดยจะมีลักษณะอนุกรม
กับค่าความเหนี่ยวนาของตัวเหนี่ยวนา ซึ่ง Rw จะทาหน้าที่ทั้งสะสมพลังงานและดูดกลืนพลังงาน แต่มีค่าน้อย
มากซึ่งสามารถละทิ้งได้ ตัวเหนี่ ย วน าในภาคปฏิบัติจะมี ค่าความจุไฟฟ้ า ของขดลวด (Cw) ปรากฏอยู่ และ
สามารถละทิ้งได้เช่นกันเพราะมีค่าน้อยมาก
234
L Rw
Cw
ภำพ 6.23 วงจรสมมูลของตัวเหนี่ยวนาที่ไม่ใช่ในทางอุดมคติ
ตั ว อย่ ำ ง 6.8 ถ้ า กระแสไฟฟ้ า i(t) = 5te-100t A ไหลผ่ านตั ว เหนี่ ย วน าขนาด 0.2 H หาแรงดั น ตกคร่ อ ม
ตัวเหนี่ยวนา และพลังงานที่สะสมในตัวเหนี่ยวนา
di
วิธีทำ จากสมการ (6.20) v  L
dt
d
จะได้ v  0.2 (5te 100t )
dt
d
จาก UV   U dV  V dU
dx dx dx
ดังนั้น v  e 100t  t ( 100) e 100t
 (1  100t ) e 100t V
1 2
จากสมการ (6.27) w  Li
2
1
ดังนั้น w  (0.2)25t 2 e 200t
2
 2.5t 2 e 200t J
ตัวอย่ำง 6.9 หากระแสที่ไหลผ่ านตัวเหนี่ยวนาขนาด 10 H และพลั งงานสะสมที่เวลา 0 < t < 3s โดยมี

150t 2 , t  0
แรงดันตกคร่อม ดังนี้ v (t )  
 0, t0
1t
วิธีทำ จากสมการ (6.24) i   v (t ) dt  i (t0 )
Lt
0
235
1t
ดังนั้น i   150t 2 dt  0
10 0
t3
 15   5t 3 A
3
กาลังไฟฟ้า จาก p = vi = (150t2)(5t3) = 750t5 W
3 3
t6
w   p dt   750t dt  750
5
 91.125 kJ
0 6 0
3 1 2 1 1
หรือ w0  Li (2)  Li (0)  (10)(5  3 3 ) 2  0  91.125 kJ
2 2 2
ตัวอย่ำง 6.10 ภายใต้เงื่อนไขวงจรไฟฟ้ากระแสตรง หา i, vC, iL และหาพลังงานสะสมในตัวเก็บประจุและตัว

เหนี่ยวนา จากวงจรดังภาพ 6.24
i 1 0.5H
iL
2
15 V 4

vC 0.25F


วิธีทำ จากภาพ 6.24 ภายใต้เงื่อนไขวงจรไฟฟ้ากระแสตรง สามารถแทนตัวเก็บประจุด้วยการเปิดวงจร และ
ตัวเหนี่ยวนาแทนด้วยการปิดวงจร ได้ดงั ภาพ 6.25
i 1
iL
2
15 V 4

vC


236
15
จากภาพ 6.25 ดังนั้น i  iL   3A
1 4
vC เท่ากับ แรงดันตกคร่อม R 4  จะได้ v C  4i  12 V
1 2 1
พลังงานสะสมในตัวเก็บประจุ wC  Cv C   (0.25)  (12) 2  18 J
2 2
1 2 1
พลังงานสะสมในตัวเหนี่ยวนา wL  LiL  (0.5)(3) 2  2.25 J
2 2
6.5 ตัวเหนี่ยวนำอนุกรมและขนำน
การรวมค่าความเหนี่ยวนาไฟฟ้ารวมในวงจรทั้งการต่อแบบอนุกรมและแบบขนานทาได้เช่นเดียวกับ
การรวมค่าความต้านทาน ลาดับแรกจะเริ่มต้นจากการรวมค่าความเหนี่ยวนาที่ต่อแบบอนุกรม โดยพิจารณา
ภาพ 6.26 ตัวเหนี่ยวนา N ตัวต่ออนุกรมกัน ดังภาพ 6.26 (ก) ซึ่งตัวเหนี่ยวนาสมมูลแสดงดังภาพ 6.26 (ข)
ตัวเหนี่ยวนาอนุกรมกันจะมีกระแสไหลผ่านเท่ากัน KVL จากภาพ 6.26 (ก) จะได้
v  v1  v2  v3   v N (6.29)
i L1 L2 L3 LN i
  v1   v2   v3   vN  
v v Leq
 
(ก) (ข)
ภำพ 6.26 (ก) ตัวเหนี่ยวนา N ตัว ต่ออนุกรมกัน (ข) วงจรสมมูลของตัวเหนี่ยวนาอนุกรม
แทนค่า vk = Lk di/dt ในสมการ (6.29) จะได้
di di di di
v  L1  L2  L3    LN
dt dt dt dt
di
v  ( L1  L2  L3    LN )
dt
 N  di di
v    Lk   Leq (6.30)
 k 1  dt dt
โดยที่ Leq  L1  L2  L3   LN (6.31)
237
i
i
i1 i2 i3 iN
 
v L1 L2 L3 LN v Leq
 
(ก) (ข)
ภำพ 6.27 (ก) ตัวเหนี่ยวนา N ตัว ต่อขนานกัน, (ข) วงจรสมมูลของตัวเหนี่ยวนาขนาน
พิจารณาตัวเหนี่ยวนา N ตัวที่ต่อขนานกัน ดังภาพ 6.27 (ก) สามารถรวมเป็นวงจรสมมูลได้ ดังภาพ

6.27 (ข) โดยตัวเหนี่ยวนามีแรงดันตกคร่อมเท่ากัน ใช้ KCL จะได้
i  i1  i2  i3   iN (6.32)
1 t
โดยที่ i k   v (t ) dt  i k (t0 )
Lk t0
1t 1 t 1 t
จะได้ i   v (t ) dt  i1 (t0 )   v (t ) dt  i2 (t0 )   v (t ) dt  i3 (t0 )
L1 t0 L2 t0 L3 t0
1 t
    v (t ) dt  i N (t0 )
LN t0
1 1 1 1 t
ดังนั้น i          v (t ) dt  i1 (t 0 )  i 2 (t 0 )  i 3 (t 0 )    i N (t 0 )
 L1 L2 L3 LN t0
 N 1 t N 1 t
i      v (t ) dt   i k (t0 )   v (t ) dt  i (t0 ) (6.33)
L
 k 1 k t0 k 1 Leq t0
1 1 1 1 1
โดยที่     (6.34)
Leq L1 L2 L3 LN
กระแสเริ่ ม ต้ น i(t0) ที่ ไหลผ่ าน Leq ที่ เวลา t = t0 ใช้ KCL จะได้ ผ ลรวมของกระแสที่ ไหลผ่ านตั ว
เหนี่ยวนาที่เวลา t0 จากสมการ (6.32) ฉะนั้น
i (t0 )  i1 (t0 )  i2 (t0 )   iN (t0 )
238
การรวมค่าความเหนี่ยวนาของตัวเหนี่ยวนาขนานกันสามารถหาได้เช่นเดียวกับตัวต้านทานขนานกัน
สาหรับตัวเหนี่ยวนา 2 ตัวขนานกัน (N = 2) สมการ (6.34) จะได้
1 1 1 L1L2
  or Leq  (6.35)
Leq L1 L2 L1  L2
การแปลงรูปวงจรระหว่าง Y -  ของวงจรตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนา สามารถทาได้เช่นเดียวกับ

วงจรตัวต้านทานซึ่งได้อธิบายไว้แล้วในบทที่ 2 กฎพื้นฐาน หัวข้อที่ 2.7 การแปลงรูปวงจรระหว่างแบบวายกับ
แบบเดลตา โดยสามารถประยุกต์ใช้สมการ (2.47) ถึง (2.52) สาหรับการแปลงรูปโครงข่ายแบบเดลตาไปเป็น
แบบวาย และสมการ (2.53) ถึง (2.56) สาหรับการแปลงรูปโครงข่ายแบบวายไปเป็นแบบเดลตา ตามลาดับ
จากที่ได้อธิบายคุณสมบัติที่สาคัญของตัวต้านทานไว้แล้วในบทที่ 2 และคุณสมบัติของตัวเก็บประจุ
และตัวเหนี่ยวนาในบทนี้ สามารถสรุปคุณสมบัติที่สาคัญขององค์ประกอบพื้นฐานทางไฟฟ้าได้ ดังตาราง 6.2
ตำรำง 6.2 คุณสมบัติที่สาคัญขององค์ประกอบพื้นฐานทางไฟฟ้า

ควำมสัมพันธ์ ตัวต้ำนทำน (R) ตัวเก็บประจุ (C) ตัวเหนี่ยวนำ (L)
1 t di
C t0
v i v  iR v i dt  v (t0 ) vL
dt
v dv 1 t
L t0
i v i iC i v dt  i (t0 )
R dt
v2 1 1
p หรือ w pi R 2 w  Cv 2 w  Li 2
R 2 2
CC
อนุกรม Req  R1  R2 C eq  1 2 Leq  L1  L2
C1  C 2
R1R2 L1L2
ขนาน Req  C eq  C1  C 2 Leq 
R1  R2 L1  L2
ในวงจรไฟฟ้ากระแสตรง เหมือนเดิม เปิดวงจร ลัดวงจร
ตัวแปรในวงจรที่ไม่ ไม่ปรากฏ v i
สามารถเปลี่ยนแปลงได้
อย่างทันทีทันใด
เป็นไปตามข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ
239
ตัวอย่ำง 6.11 หาค่าความเหนี่ยวนาสมมูลจากวงจรดังภาพ 6.28

2H 5H
Leq  30 H 10 H
3H 15 H
วิธีทำ จากภาพ 6.28 ตัวเหนี่ยวนาขนาด 5 H, 10 H และ 15 H ต่ออนุกรมกัน จะได้ค่าความเหนี่ยวนาสมมูล
เท่ากับ 30 H และต่อขนานกับ 30 H จะได้
30  30
Leq1   15 H
30  30
ซึง่ ตัวเหนี่ยวนา 15 H นี้ ต่ออนุกรมกับ 2 H และ 3 H ซึ่งจะได้ค่าความเหนี่ยวนาสมมูลจากวงจรดังภาพ 6.28
เท่ากับ 20 H
ตั ว อย่ ำ ง 6.12 ถ้ า i(t) = 5(2-e-10t) mA และ i2(0) = -1 mA หาค่ า (ก) i1(0) ; (ข) v(t), v1(0), v2(t) ;
(ค) i1(t), i2(t) จากวงจรดังภาพ 6.29
i 1H
  v1  
i1 i2
v 6H v2
12H
 

วิธีทำ (ก) จาก i(t) = 5(2-e-10t) mA, i(0) = 5(2-1) = 5 mA เมื่อ i = i1 + i2
ดังนั้น i1 (0)  i (0)  i2 (0)  5  ( 1)  6 mA
6  12
(ข) Leq Leq  1  (6 // 12)  1   5H
6  12
di
ฉะนั้น v (t )  Leq  5(5)( 1)( 10) e 10t mV
dt
 250e 10t mV
240
di
และ v1 ( t )  1  1( 5)( 10) e 10t mV
dt
 50e 10t mV
จาก v = v1 + v2 จะได้
v 2 (t )  v (t )  v1 (t )  200e 10t mV
1t
(ค) จาก i   v (t ) dt  i (t0 )
L t0
1t 200 t 10t
i1   v 2 dt  i1 (0) 
6 t0
e dt  6 mA
6 t0
t
i1   3.33e 10t  6 mA   3.33e 10t  3.33  6
0
 9.33  3.33e10t mA
1 t 200 t 10t
i2   v 2 dt  i2 (0) 
12 t0
และ e dt  1 mA
12 t0
t
i2   16.67e 10t  1 mA   16.67e 10t  1  1   16.67e 10t mA
0
6.6 กำรวิเครำะห์วงจรตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ โดยใช้ PSpice Student Version

การวิเคราะห์วงจรตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนาในวงจรไฟฟ้ากระแสตรงสามารถทาได้เช่นเดียวกับใน
บทที่ผ่านมา ซึ่งสามารถใช้ VIEWPOINT และ IPROBE เพื่อแสดงค่าแรงดันโนด และกระแสกิ่งได้ ตัวอย่างการ
วิเคราะห์วงจรตามตัวอย่าง 6.10 หา i, vC, iL ภายใต้เงื่อนไขวงจรไฟฟ้ากระแสตรง Schematics ของวงจรตาม
ภาพ 6.24 แสดงดังภาพ 6.30
จากภาพ 6.30 ผลการจาลองเหตุการณ์ในวงจร จะได้ i = 2 A, vC = 10 V และ iL = 2 A ซึ่งเป็นไป
ตามผลการคานวณดังตัวอย่าง 6.10
241
iL
vC
12V
ภำพ 6.30 Schematics ของวงจรตามภาพ 6.24

จากภาพ 6.30 จะเห็นว่าตัวเก็บประจุขนาด 1 F จากวงจรดังภาพ 6.24 จะถูกแทนด้วยตัวเก็บประจุ
ขนาด 2 F จ านวน 2 ตั ว ต่ อ อนุ ก รมกั น (ค่ า ความจุ ไฟฟ้ า รวมเท่ า กั บ 1 F เช่ น เดิ ม ) เพื่ อ แสดงให้ เห็ น ว่ า
การจาลองเหตุการณ์ในวงจรที่มีตัวเก็บประจุอนุกรมกันนั้น สามารถทาได้โดยการวางตัวต้านทานที่มีค่าความ
ต้านทานสูง ๆ มาขนานกับตัวเก็บประจุแต่ละตัวที่ต่ออนุกรมกัน มิฉะนั้น PSpice จะไม่สามารถประมวลผล
วงจรได้
6.7 กำรประยุกต์ใช้ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนำ
ตัว เก็ บ ประจุ ไฟฟ้ าและตั ว เหนี่ ย วน าไฟฟ้ า มี คุณ สมบั ติ ที่ ส าคั ญ 3 ประการ จึ งถูก น ามาใช้ งานใน
วงจรไฟฟ้าอย่างแพร่หลาย คุณสมบัติดังกล่าว ได้แก่
1. มีความสามารถเก็บสะสมพลังงาน จึงสามารถใช้เป็นแหล่งจ่ายแรงดันหรือกระแสไฟฟ้าสารองได้
ดังนั้น จึงถูกใช้สาหรับสร้างกระแสหรือแรงดันไฟฟ้าค่าสูงมากสาหรับช่วงเวลาสั้น ๆ ได้
2. ตัวเก็บประจุต้านทานการเปลี่ยนแปลงอย่างทันทีทันใดของแรงดันไฟฟ้า ในขณะที่ตัวเหนี่ยวนา
ต้านทานการเปลี่ยนแปลงอย่างทันทีทันใดของกระแส ด้วยคุณสมบัตินี้ทาให้ตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนา
ไฟฟ้าถูกนามาใช้สาหรับลดการเกิดประกายไฟ (spark หรือ arc) และใช้ในการเปลี่ยนสัญญาณแรงดันไฟฟ้า
พัลส์ dc ให้เป็นสัญญาณไฟฟ้ากระแสตรง dc ที่สัมพันธ์กัน
3. ตัวเก็บ ประจุและตัว เหนี่ ย วน าไฟฟ้านั้ นตอบสนองต่อความถี่ จึงใช้คุณ สมบัตินี้ในการแยกแยะ
ความถี่ได้
242
คุณสมบัติ 2 ประการแรกนั้น ถูกนามาใช้ในวงจร dc สาหรับประการที่สามใช้ในวงจร ac คุณสมบัติ

ต่าง ๆ ของตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนาไฟฟ้า จะแสดงในบทถัดไป ในหัวข้อนี้จะยกตัวอย่างการประยุกต์ใช้
ร่วมกับออปแอมป์เพื่อสร้างเป็นวงจรทาอินทิเกรต วงจรทาอนุพันธ์ และตัวอย่างการประยุกต์ใช้ทางวิศวกรรม
ไฟฟ้าแรงสูง ตามลาดับ
6.7.1 วงจรทำอินทิเกรต (Integrator)
วงจรออปแอมป์ที่มีการใช้องค์ประกอบประเภทสะสมพลังงานต่อร่วมกัน ได้แก่ วงจรทาอินทิเกรต
และวงจรทาอนุพันธ์ วงจรออปแอมป์เหล่านี้มักจะมีตัวต้านทานและตัวเก็บประจุเป็นส่วนประกอบ ส่วนตัว
เหนี่ยวนาไฟฟ้ามักไม่ได้รับความนิยม เนื่องจากมีขนาดใหญ่และมีราคาสูง
วงจรออปแอมป์ทาอินทิเกรตสามารถนามาประยุกต์ใช้งานได้อย่างกว้างขวาง โดยเฉพาะอย่างยิ่งใน
คอมพิวเตอร์แอนะล็อก
วงจรทาอินทิเกรต คือ วงจรออปแอมป์ซึ่งให้สัญญาณขาออก (เอาท์พุต) เป็นอินทิกรัลของสัญญาณ
ขาเข้า (อินพุต)
ถ้าแทนตัวต้านทานป้อนกลับ Rf ด้วยตัวเก็บประจุในวงจรขยายแบบกลับเฟสของภาพ 6.31 (ก) จะได้
วงจรทาอินทิเกรตในทางอุดมคติ ดังภาพ 6.31 (ข) และสามารถหาความสัมพันธ์ทางคณิ ตศาสตร์ของการ
อินทิเกรตได้ ดังนี้
i2 Rf
i1 R 1 v1 0A


0V 
vi 
v2 vo


(ก)
iC C
iR
R

a

vi
vo


(ข)
ภำพ 6.31 การแทนตัวต้านทานป้อนกลับในวงจรขยายแบบกลับเฟสภาพ (ก)
ทาเป็นวงจรทาอินทิเกรตภาพ (ข)
243
จากภาพ 6.31 (ข) KCL ที่โนด a จะได้

iR  iC (6.36)
vi dv o
แต่ iR  และ iC   C
R dt
แทนลงในสมการ (6.36) จะได้
vi dv
 C o (6.37a)
R dt
1
dv o   v i dt (6.37b)
RC
อินทิกรัลสมการ (6.37b) จะได้
1 t
RC 0
v o (t )  v o (0)   v i (t ) dt (6.38)
ในทางปฏิบัติ vo(0) = 0 ดังนั้น

1 t
RC 0
v o (t )   v i (t ) dt (6.39)
จากสมการ (6.39) ซึ่งแสดงให้เห็นว่าวงจรในภาพ 6.31 (ข) ส่งผลให้สัญญาณขาออกแปรผันตรงกับ

การอินทิเกรตสัญญาณขาเข้า ในการใช้งานจริงวงจรออปแอมป์ทาอินทิเกรตจะต้องใส่ตัวต้านทานป้อนกลับ
ด้วย เพื่อลดอัตราขยายทาง dc และป้องกันการอิ่มตัว (saturation) ของวงจรขยาย ซึ่งจะต้องคานึงถึง การ
ทางานของออปแอมป์ให้ทางานในย่านที่เป็นเชิงเส้นเท่านั้น เพื่อป้องกันการอิ่มตัว
6.7.2 วงจรทำอนุพันธ์ (Differentiator)
วงจรทาอนุพันธ์ คือ วงจรออปแอมป์ที่มีสัญญาณขาออกแปรผันตรงกับอัตราการเปลี่ยนแปลงของ
สัญญาณขาเข้า
iR R
iC C
 a

vi
vo


ภำพ 6.32 วงจรออปแอมป์ทาเป็นวงจรอนุพันธ์

244
จากภาพ 6.31 (ก) ถ้าเปลี่ยนให้ตัวต้านทานขาเข้าแทนด้วยตัวเก็บประจุ ผลลัพธ์คือจะทาให้วงจร

กลายเป็นวงจรทาอนุพันธ์ ดังแสดงภาพ 6.32 เมื่อใช้ KCL ที่โนด a จะได้
iR  iC (6.40)
vo dv i
แต่ iR   และ iC  C
R dt
แทนลงในสมการ (6.40) จะได้
dv i (t )
v o (t )   RC (6.41)
dt
จากสมการ (6.41) แสดงให้เห็นว่าสัญญาณขาออกเป็นอนุพันธ์ ของสัญญาณขาเข้า วงจรทาอนุพันธ์
เป็นวงจรที่ไม่เสถียรทางไฟฟ้า เพราะว่าสัญญาณรบกวนทางไฟฟ้าใด ๆ ที่เข้ามาในวงจรจะถูกขยายโดยวงจร
ทาอนุพันธ์ด้วย จากเหตุนี้จึงทาให้วงจรทาอนุพันธ์ในภาพ 6.32 มักไม่นิยมนามาใช้ในการปฏิบัติงานจริงเหมือน
วงจรทาอินทิเกรต
6.7.3 ตัวอย่ำงกำรประยุกต์ใช้ทำงวิศวกรรมไฟฟ้ำแรงสูง
ตัวอย่างการประยุกต์ใช้ตัวเก็บประจุในทางวิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง มีดังนี้
1. การออกแบบระบบวัดไฟฟ้าแรงดันสูงกระแสสลับสาหรับห้องปฏิบัติการ เป็นการประยุกต์ใช้ตัว
เก็บ ประจุ ทั้งตัว เก็บ ประจุ ส าเร็ จ ภาพมี ขายตามท้องตลาดนามาต่ออนุกรมกัน ในลั กษณะวงจรแบ่งแรงดัน
เพื่อแบ่งแรงดันส่วนมากไว้ที่ตัวเก็บประจุภาคแรงสูง (CHV) และแรงดันส่วนน้อยไว้ที่ตัวเก็บประจุภาคแรงดันต่า
(CLV) สาหรับใช้เครื่องมือวัดแรงดันวัดค่าได้ ซึ่งในหัวข้อนี้จะเป็นการนาเสนอเกี่ยวกับการประยุกต์ใช้เท่านั้น
ส่วนการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้ากระแสสลับจะนาเสนอในบทต่อไปหลังจากนี้ โดยมีรายละเอียดการประยุกต์ใช้
ดังนี้
ตัวอย่างการออกแบบโวลเตจดิไวเดอร์แบบตัวเก็บประจุ (ธนากร น้าหอมจันทร์, 2554) มีดังนี้
พิกัดแรงดัน (Rated Voltage) : 20 kV, 50 Hz
แรงดันทดสอบสูงสุด (110% of Rated Voltage) : 22 kV
แรงดันที่ใช้ในการออกแบบ (125% of Rated Voltage) : 25 kV
กระแสที่ไหลผ่านโวลเตจดิไวเดอร์ :  0.5 mA
พิกัดแรงดันตัวเก็บประจุย่อย : 1,000 Vdc , 600 Vac
อัตราส่วนแรงดัน : 1,000 : 1
245
จากข้อกาหนดข้างต้น สามารถหาจานวนตัวเก็บประจุย่อย จะได้จาก

Design Voltage
n 
Capacitor Rated Voltage
25  10 3
  41.66
600
= 42 ตัว
ค่าความจุไฟฟ้าของตัวเก็บประจุภาคแรงสูง
จาก IC  CU
IC
ดังนั้น C HV 
U
0.5  10 3
  79.577  10 12 F
2  50  (20  10 )
3
= 79.577 pF
จากค่าความจุ ไฟฟ้าของตัวเก็บประจุภ าคแรงสู งข้างต้น จะสามารถหาค่าความจุไฟฟ้าของตัวเก็บ
ประจุไฟฟ้าย่อยได้ ดังนี้
C n  C HV  n
 (79.577  10 12 )  42  3,342.25  10 12 F

= 3,300 pF
เลือกใช้ ตัวเก็บประจุย่อย พิกัด 3,300 pF, 1,000 V, 5% (MKP 10 mm) จานวน 42 ตัว ต่ออนุกรมกัน
Cn
จะได้ C HV 
n
(3,300  10 12 )
  78.571 10 12 F
42
= 78.571 pF
กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านโวลเตจดิไวเดอร์แบบตัวเก็บประจุ จะหาได้ดังนี้
I C  2  50  (78.571 10 12 )  (20  103 )
246
 0.493  10 3 A
= 0.493 mA
ความจุไฟฟ้าของตัวเก็บประจุภาคแรงต่า คานวณได้จาก
U 
C LV   HV  C HV   C HV
 U LV 
 [1,000  (78.571 10 12 )]  (78.571 10 12 )
 78.491 10 9 F
= 78.491 nF
เลือกใช้ ตัวเก็บประจุย่อย พิกัด 0.015 F จานวน 5 ตัว และ 3,300 pF จานวน 1 ตัว ต่อขนานกัน
จะได้ C LV  [ 5  (0.015  10 6 )]  (3,300  10 12 )
 78.3  10 9 F
= 78.3 nF
ซึ่งจะได้ อัตราส่วนแรงดัน เท่ากับ
U HV C  C LV
 HV
U LV C HV
(78.571 10 12 )  (78.3  10 9 )


78.571 10 12
= 997.55 : 1
2. ตัวอย่างการออกแบบตัวเก็บ ประจุภ าคแรงสูง โดยใช้ทรงกระบอกซ้อนแกนร่วม 3 ชั้น (ธนากร
น้าหอมจันทร์, อติกร เสรีพัฒนานนท์, พงษ์สวัสดิ์ คชภูมิ และสุพิศ บุญรัตน์, 2552) มีดังนี้
พิจารณาภาพ 6.3 (ข) โดยที่ อิเล็กโตรดชั้นในเป็นอิเล็กโตรดแรงสูงมีรัศมี r1 12.3 mm อิเล็กโตรด
ชั้นที่ 2 เป็นอิเล็กโตรดลดความเครียดสนามไฟฟ้า โดยอาศัยหลักการควบคุมสนามไฟฟ้าในฉนวนทรงกระบอก
ซ้อนแกนร่วม มี รัศมี r2 24 mm และอิเล็กโตรดนอกเป็นอิเล็ กโตรดกราวด์ มีรัศมี r3 36 mm ซึ่งใช้น้ามัน
หม้อแปลงเป็ นฉนวนคั่น ระหว่างอิเล็กโตรด การออกแบบความยาวของอิเล็กโตรดจะใช้ห ลักการออกแบบ
ปลอกฉนวนตัวนาแบบตัวเก็บประจุ ตามเงื่อนไขดัง สมการ (6.42) รายละเอียดสามารถศึกษาเพิ่มเติมได้จาก
หนังสือวิชาวิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง (สารวย สังขสะอาด, 2549)
247
r1l1  r2 l2  r3 l3    rn ln (6.42)
จากขนาดของอิเล็กโตรด r1, r2, r3 และสมการ (6.42) จะได้ l1 = 350 mm, l2 = 180 mm, และ l3
= 120 mm ซึ่งสามารถคานวณค่าความจุไฟฟ้าของทรงกระบอกซ้อนแกนร่วม 3 ชั้นได้ดังนี้
21 2 l
จากสมการ (6.4) C 
r r
 1 ln 3   2 ln 2
r2 r1
เมื่อใช้วัสดุฉนวนชนิดเดียวกัน ดังนั้น ค่าเปอร์มิตติวิตี้ของวัสดุฉนวน 1 = 2 สมการ (6.4) จะได้ดังสมการ
(6.43)
2l
C  (6.43)
r
ln 3
r1
เมื่อ  = 0r โดยที่ 0 = 8.854 x 10-12 F/m และ r ของฉนวนน้ ามั น หม้ อแปลงจากตาราง 6.1
เท่ากับ 2.5 ดังนั้น จะได้ค่าความจุไฟฟ้าของตัวเก็บประจุภาคแรงสูง
2  (8.854  10 12 F / m)(2)(0.12m)
C HV   15.54 pF
36
ln
12.3
3. ตัวอย่างการออกแบบขดลวดเหนี่ยวนาสาหรับหม้อแปลงเทสลา
หม้อแปลงเทสลา คือ หม้อแปลงแรงดันสูงความถี่สูง ประกอบไปด้วยขดลวดเหนี่ยวนาและตัวเก็บ
ประจุต่อขนานกัน จานวน 2 ชุด คือ ภาคแรงสูงและภาคแรงต่า ความถี่สูงที่สร้างขึ้นเกิดจากคุณสมบัติของ
ขดลวดเหนี่ยวนาและตัวเก็บประจุ ซึ่งทาให้เกิดการแกว่ง (oscillate) ของสัญญาณ สามารถกาหนดความถี่ได้
จากค่าความเหนี่ยวนาและค่าความจุไฟฟ้าของหม้อแปลงเทสลา
ตัวอย่างการออกแบบขดลวดเหนี่ยวนาแกนอากาศสาหรับ ภาคแรงต่า (สมเกียรติ ทองแก้ว , ศุภวุฒิ
เนตรโพธิ์แก้ว, บุญยัง ปลั่งกลาง และธนากร น้าหอมจันทร์, 2550) แสดงดังนี้
ขดลวดแบบทรงกระบอก ออกแบบโดยใช้ท่อทองแดงขนาด 1/4 นิ้ว มาประยุกต์เป็นตัวนาไฟฟ้า ซึ่งมี
ความหนาของส่วนที่เป็นทองแดง 0.03 นิ้ว ทาการพันเป็นขดโดยมีระยะ r เท่ากับ 7.25 นิ้ว ระยะ l เท่ากับ
4.5 นิ้ว จานวนทั้งหมด 10 รอบ จากสมการ (6.22) จะได้ค่าความเหนี่ยวนา ดังนี้
(7.25) 2  (10) 2
L 
(9  7.25)  (10  4.5)
 47.67 H
248
ขดลวดแบบระนาบ ออกแบบโดยใช้ท่อทองแดงขนาด 1/4 นิ้ว มาประยุกต์เป็นตัวนาไฟฟ้า ซึ่งมีความ

หนาของส่วนที่เป็นทองแดง 0.028 นิ้ว โดยทาการพันเป็นขด โดยมีระยะ r เท่ากับ 5.125 นิ้ว ระยะ d เท่ากับ
6.5 นิ้ว จานวนทั้งหมด 14 รอบ จากสมการ (6.23) จะได้ค่าความเหนี่ยวนา ดังนี้
(5.125) 2  (14) 2
L 
(8  5.125)  (11  6.5)
 45.76 H
1. ตัวเก็บประจุแบบแผ่นตัวนาขนานกัน ค่าความจุไฟฟ้าจะหาได้จาก
A
C 
d
2. ตัวเก็บประจุไฟฟ้าทรงกระบอกซ้อนแกนร่วม ตัวนา 2 ชั้น ค่าความจุไฟฟ้าจะหาได้จาก
2l
C 
r
ln 2
r1
3. ตัวเก็บประจุไฟฟ้าทรงกระบอกซ้อนแกนร่วม ตัวนา 3 ชั้น ค่าความจุไฟฟ้าจะหาได้จาก
21 2 l
C 
r r
 1 ln 3   2 ln 2
r2 r1
4. กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านตัวเก็บประจุจะมีค่าแปรผันตรงกับอัตราการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้า
dv
ตกคร่อมต่อหน่วยเวลา คือ i  C
dt
กระแสที่ ไ หลผ่ า นตั ว เก็ บ ประจุ จ ะมี ค่ า เป็ น ศู น ย์ เมื่ อ แรงดั น ไฟฟ้ า ตกคร่ อ มมี ค่ า คงที่ ห รื อ ไม่ มี
การเปลี่ยนแปลง ดังนั้น ตัวเก็บประจุจึงเปรียบเสมือนเป็นการเปิดวงจรเมื่ออยู่ในวงจร dc
5. แรงดังไฟฟ้าตกคร่อมตัวเก็บประจุจะแปรผันกับการอินทิกรัลตามเวลาของกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่าน
1 t 1t
v  
C 
i dt   i dt  v (t 0 )
C t0
249
แรงดั น ไฟฟ้ าที่ ต กคร่ อมตั ว เก็ บ ประจุจึ งไม่ ส ามารถเปลี่ ย นแปลงทั น ที ทั น ใดได้ หรือ ตั ว เก็บ ประจุ
ต้านทานการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าอย่างทันทีทันใด
6. ตัวเก็บประจุไฟฟ้าที่ต่อเข้าด้วยกันทั้งแบบอนุกรมและแบบขนาน สามารถหาค่าความจุไฟฟ้ารวมได้
เช่นเดียวกับวิธีการรวมค่าความนาไฟฟ้า
7. ขดลวดเหนี่ยวนาแกนอากาศ หาค่าความเหนี่ยวนาได้จาก
N 2 A
L 
l
8. ขดลวดเหนี่ยวนาแกนอากาศทรงกระบอก หาค่าความเหนี่ยวนาได้จาก
r 2N2
L 
9r  10l
9. ขดลวดเหนี่ยวนาแกนอากาศแบบระนาบ หาค่าความเหนี่ยวนาได้จาก
r 2N 2
L 
8r  11d
10. แรงดัน ไฟฟ้าตกคร่อมตัวเหนี่ยวนาไฟฟ้าจะแปรผันตรงกับอัตราการเปลี่ยนแปลงกระแสไฟฟ้า
ที่ไหลผ่านต่อหน่วยเวลา คือ
di
v  L
dt
แรงดันไฟฟ้าตกคร่อมตัวเหนี่ยวนาไฟฟ้าจะมีค่าเป็นศูนย์เมื่อกระแสที่ไหลผ่านมีค่าคงที่หรือไม่มีการ
เปลี่ยนแปลง ดังนั้น ตัวเหนี่ยวนาไฟฟ้าจึงเปรียบเสมือนการลัดวงจรเมื่ออยู่ในวงจร dc
11. กระแสที่ไหลผ่านตัวเหนี่ยวนาไฟฟ้าจะแปรผันตรงกับการอินทิเกรตตามเวลาของแรงดันไฟฟ้า
ทีต่ กคร่อมตัวมัน
1 t 1t
i   v (t ) dt   v (t ) dt  i (t 0 )
L  L t0
กระแสที่ ไหลผ่ านตั ว เหนี่ ย วน าไฟฟ้ า จึ งไม่ ส ามารถเปลี่ ย นแปลงทั น ที ทั น ใดได้ หรื อตั ว เหนี่ ย วน า
ต้านทานการเปลี่ยนแปลงกระแสอย่างทันทีทันใด
12. ตัวเหนี่ยวนาไฟฟ้าที่ต่อเข้าด้วยกันทั้งแบบอนุกรมหรือขนาน สามารถหาค่าความเหนี่ยวนารวมได้
เช่นเดียวกับวิธีการรวมค่าความต้านทาน
250
1 2
13. พลังงานที่เก็บสะสมในตัวเก็บประจุ คือ wC  Cv
2
1 2
พลังงานที่เก็บสะสมในตัวเหนี่ยวนาไฟฟ้า คือ wL  Li
2
14. การวิเคราะห์วงจรตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนาโดยใช้ PSpice ในวงจรไฟฟ้ากระแสตรงสามารถ
ท าได้ เช่ น เดี ย วกั บ วงจรตั ว ต้ า นทาน ข้ อ พึ ง ระวั ง คื อ ตั ว เก็ บ ประจุ ไม่ ส ามารถต่ อ อนุ ก รมใน PSpice ได้
แต่ส ามารถแก้ไขได้โดยการต่อตัวต้านทานที่มีค่าความต้านทานสูง ๆ ขนานกับตัวเก็บประจุแต่ละตัวที่ต่อ
อนุกรมกัน
15. ตัวอย่างการประยุกต์ใช้ งาน คือ วงจรทาอินทิเกรต วงจรทาอนุพันธ์ และการประยุกต์ใช้ทาง
วิศวกรรมไฟฟ้าแรงสูง
6.1 หาแรงดั น ตกคร่ อ มตั ว เก็ บ ประจุ C 3 F ถ้ า มี ป ระจุ ไฟฟ้ า q 0.12 mC ที่ แ ผ่ น ตั ว น า และหาค่ า
พลังงานที่สะสมในตัวเก็บประจุ
ตอบ v  40 V w  2.4 mJ
6.2 ถ้า C 10 F ต่อเข้ากับแหล่งกาเนิดแรงดัน v(t) = 50 sin 2000t V หากระแสไฟฟ้า i ที่ไหลผ่าน C

ตอบ i  cos 2000t A
6.3 ถ้า C 100 F มีกระแสไฟฟ้าไหลผ่าน i(t) = 50 sin 120t mA หาแรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุ ที่

เวลา t = 1 ms และ 5 ms โดยที่ v(0) = 0 V
ตอบ v (1ms)  93.136 mV v (5ms)  1.736 V
6.4 กระแสไฟฟ้า i(t) ที่ไหลผ่าน C 1 mF [v(0) = 0 V] จากวงจรดังภาพ 6.33 หาแรงดันตกคร่อม C ที่

เวลา t = 2 ms และ 5 ms
i (mA)
100
0 t (ms)
2 4 6
ตอบ v (2ms)  100 V v (5ms)  500 mV
251
6.5 ใช้ dc condition หาพลังงานที่สะสมในตัวเก็บประจุแต่ละตัว จากวงจรดังภาพ 6.34

3 k
1 k
2 0 F
10 V 10 F 6 k

ตอบ w C 1  405 J w C 2  90 J
6.6 หา Ceq จากวงจรดังภาพ 6.35
50 F
60 F
70 F
C eq  2 0 F 120 F

ตอบ C eq  40 F
6.7 หาแรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุแต่ละตัว จากวงจรดังภาพ 6.36
4 0 F 60 F
 v1   v3  

60 V v2 2 0 F v4 30 F
 

ตอบ v1  30 V v 2  30 V v 3  10 V v 4  20 V
6.8 ถ้ากระแสที่ ไหลผ่ านตั ว เหนี่ ย วน า L 1 mH มีค่ า i(t) = 20cos 100t mA หาแรงดัน ตกคร่อมและ
พลังงานที่สะสมใน L
ตอบ v   2 sin100t mV w L  0.2 cos 2 100t J
252
6.9 แรงดั น ที่ ขั้ว L 2 H มี ค่า v(t) = 10(1-t) V หากระแสไฟฟ้ า i(t) ที่ ไหลผ่ าน L ที่ เวลา t = 4 s และ
พลังงานที่สะสมใน L ที่เวลา 0 < t < 4 ms โดยที่ i(0) = 2 A
ตอบ i   18 A w  320 J
6.10 หา iL , vC , wL , wC ภายใต้ dc condition จากวงจรดังภาพ 6.37
0.25 H
iL 
4A 3 1 vC 2F


ตอบ iL  3 A vC  3 V w L  1.125 J wC  9 J
6.11 หา Leq จากวงจรดังภาพ 6.38
20 mH 100 mH 40 mH
Leq  50 mH 40 mH 30 mH 20 mH

ตอบ Leq  25 mH
6.12 วงจรดังภาพ 6.39ถ้า i1(t) = 0.6e-2t A โดยที่ i(0) = 1.4 A หา
ก) i2(0), ข) i2(t) , i(t) , ค) v(t) , v1(t) , v2(t)
i2 3H
i
 v1 
 
v i1
6H 8H
v2
 

ตอบ ก) i 2 (0)  0.8 A ข) i 2 (t )   0.4  1.2e 2t A , i (t )   0.4  1.8e 2t A
ค) v1 (t )   7.2e 2t V v2 (t )   28.8e2t V, v (t )   36e 2t V

253
6.13 ทาซ้าแบบฝึกหัดท้ายบทข้อที่ 6.10 หา iL และ vC ภายใต้ dc condition จากวงจรดังภาพ 6.37

ตอบ
iL
4A vC
ภำพ 6.40 Schematics สาหรับแบบฝึกหัดท้ายบท ข้อที่ 6.13

254
McGraw-Hill.
McGraw-Hill.
McGRAW-Hill.
ธนากร น้ าหอมจัน ทร์ , อติกร เสรีพัฒ นานนท์ , พงษ์ส วัสดิ์ คชภูมิ และสุพิศ บุญ รัตน์ . (2552). คาปาซิทีฟ
โวลเตจดิไวเดอร์ พิกัดแรงดัน 20 กิโลโวลท์ 50 เฮิรตซ์ โดยใช้อิเล็คโตรดทรงกระบอกซ้อนแกนร่วม 3
ชั้น ร่วมกับฉนวนน้ามันหม้อแปลง. การประชุมทางวิชาการของมหาวิทยาลัยเกษตรศาสตร์ ครั้งที่ 47:
สาขาสถาปัตยกรรมและวิศวกรรมศาสตร์, หน้า 293-300.
ธนากร น้าหอมจันทร์. (2554). ระบบวัดไฟฟ้าแรงดันสูง พิกัด 20 kVac 28 kVdc โดยใช้วิธีโวลเตจดิไวเดอร์และ
วิธีชับแอนด์โพเทสคิวเพื่อการเรียนการสอนและการวิจัย . รายงานการวิจัยมหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย
สมเกียรติ ทองแก้ว, ศุภวุฒิ เนตรโพธิ์แก้ว, บุญยัง ปลั่งกลาง และธนากร น้าหอมจันทร์. (2550). การวิเคราะห์
ค่ า ความเครี ย ดสนามไฟฟ้ า แรงสู ง ในขดลวด LP และ Ls ของหม้ อ แปลงเทสลา เพื่ อ ศึ ก ษาหา
ประสิทธิภาพของการออกแบบสร้าง. การประชุมวิชาการทางวิศวกรรมไฟฟ้า ครั้งที่ 30, หน้า 301 -
304.
ส ารวย สั งขสะอาด. (2549). วิ ศ วกรรมไฟฟ้ า แรงสู ง . กรุ งเทพฯ: ภาควิ ช าวิ ศ วกรรมไฟฟ้ า จุ ฬ าลงกรณ์
มหาวิทยาลัย.
ภาคผนวก ก
สมการเชิงเส้นและเมทริกซ์ผกผัน
ก.1 บทนา
ในการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าบ่อยครั้งที่จะพบตัวแปรที่ไม่ทราบค่าอยู่ในรูปของสมการเชิงเส้น ดัง สมการ
(ก.1)
a11 x1  a12 x 2    a1n x n  b1
a21 x1  a22 x 2    a2 n x n  b2
(ก.1)
   
an1 x1  an2 x 2    ann x n  bn
โดยที่ตัวแปรที่ไม่ทราบค่า จานวน n ตัว x1 , x2 , … , xn ที่พิจารณา จากสมการ (ก.1) สามารถเขียน
ให้อยู่ในรูปแบบเมทริกซ์ได้ ดังนี้
a11 a12  a1n   x1  b1 
a21 a22  a2 n   x 2  b2 
  (ก.2)
       
a ann   x n  b 
 n1 an2   n
หรือ AX  B (ก.3)
a11 a12  a1n   x1  b1 
a a  a2 n  x  b 
เมื่อ A   21 22 , X   2 , B   2 (ก.4)
      
a ann  x  b 
 n1 an2   n  n
โดยที่ A เป็นเมทริกซ์จัตุรัสขนาด nn, X และ B เป็นเมทริกซ์หลัก
การแก้ปัญหาสมการ (ก.1) หรือ (ก.3) มีหลายระเบียบวิธีด้วยกัน ในหัวข้อนี้จะอธิบายเฉพาะกฎของ
เครเมอร์ และเมทริกซ์ผกผัน เท่านั้น
ก.2 กฎของเครเมอร์
กฎของเครเมอร์ (Cramer’s rule) สามารถใช้แก้ปัญหาสมการเชิงเส้น เพื่อหาค่าตัวแปรที่ไม่ทราบค่า
ในการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าได้ในหลายกรณี กฎของเครเมอร์การแก้ปัญหาสมการ (ก.1) หรือ (ก.3) ได้ ดังนี้
1  
x1  , x 2  2 ,  , xn  n (ก.5)
  
โดยที่  , 1, 2,  , n คือ ดีเทอร์มิแนนท์ ซึ่งหาได้จาก
256
a11 a12  a1n  b1 a12  a1n 

a a  a2 n  b a  a2 n 
   21 22 , 1   2 22
         
a ann  b a ann 
 n1 an2   n n2 
  (ก.6)
a11 b1  a1n  b11 a12  b1 
a b  a2 n  b a  b2 
 2   21 2 , , n   21 22
         
a ann  b bn 
 n1 bn   n1 an2 
กฎของเครเมอร์จะใช้ได้เฉพาะกรณีที่   0
การหาค่า  ของเมทริกซ์จัตุรัสขนาด 2  2 และ 3  3 ทาได้ ดังนี้
_
a11 a12
  a11a22  a12 a21 (ก.7)
a21 a22
+
_ _ _
a11 a12 a13 a11 a12
  a21 a22 a23 a21 a22
a31 a32 a33 a31 a32
+ + +
(ก.8)
 ( a11a22 a33  a12 a23 a31  a13 a21a32 )  ( a31a22 a13  a32 a23 a11  a33 a21a12 )
สาหรับเมทริกซ์จัตุรัสที่มีขนาดใหญ่กว่า 3  3 จะทาได้โดยการกระจายโคแฟคเตอร์ ดังนี้
ถ้ากาหนดให้ A เป็นเมทริกซ์ ขนาด [A]ij
det( A )  A  ai 1C i 1  ai 2 C i 2  ..... ainC in
n
  aij C ij เมื่อใช้แถวที่ i ในการคานวณ (ก.9)
j1
และ det( A )  A  a1 j C1 j  a2 j C2 j  ..... anj C nj

n
  aij C ij เมื่อใช้หลักที่ j ในการคานวณ (ก.10)
i 1
โดยที่ C ij  ( 1) i  j M ij ; เป็นโคแฟคเตอร์ (cofactor) ของ aij

257
ซึ่ง Mij เป็นเมทริกซ์จัตุรัสขนาด (n-1) x (n-1) ได้จากการตัดแถวที่ i และหลักที่ j ของ A ออก และ
| Mij | คือ ไมเนอร์ของ aij
ตัวอย่าง ก.1 หาค่า x1 และ x2 จากสมการเชิงเส้นที่กาหนด โดยใช้กฎของเครเมอร์

4 x1  3 x 2  17 ,  3 x1  5 x 2   21
วิธีทา จากสมการทีก่ าหนด เขียนให้อยู่ในรูปเมทริกซ์ได้ ดังนี้
 4  3  x1    17 
 3 5   x 2   21
หาค่าดีเทอร์มิแนนท์ได้ ดังนี้
  43 53  (4  5)  [( 3)  ( 3)]  11
1  1721 53  (17  5)  [( 21)  ( 3)]  22
2  43 1721  [ 4  ( 21)]  [( 3)  17]   33
1 22
จะได้ x1    2
 11
2  33
x2    3
 11
ตัวอย่าง ก.2 หาค่า x1 , x2 และ x3 จากสมการเชิงเส้นที่กาหนด โดยใช้กฎของเครเมอร์

25 x1  5 x 2  20 x 3  50
 5 x1  10 x 2  4 x 3  0
 5 x1  4 x 2  9 x 3  0
 25  5  20  x1  50
 5 10  4   x 2    0 
 5  4 9   x 3   0 
258
หาค่าดีเทอร์มิแนนท์ได้ ดังนี้
_ _ _
25  5  20 25  5  20 25  5
   5 10  4   5 10  4  5 10
5 4 9 5 4 9 5 4
+ + +
 [( 25)(10)(9)  ( 5)( 4 )( 5)  ( 20)( 5)( 4 )]
 [( 5)(10)( 20)  ( 4 )( 4 )(25)  (9)( 5)( 5)]
 125
_ _ _
50  5  20 50  5  20 50  5
1  0 10  4  0 10  4 0 10
0 4 9 0 4 9 0 4
+ + +
 [( 50)(10)(9)  ( 5)( 4 )(0)  ( 20)(0)( 4 )]
 [( 0)(10)( 20)  ( 4 )( 4 )(50)  (9)(0)( 5)]
 3700
_ _ _
25 50  20 25 50  20 25 50
2   5 0  4   5 0  4  5 0
5 0 9 5 0 9 5 0
+ + +
 [( 25)(0)(9)  (50)( 4 )( 5)  ( 20)( 5)(0)]
 [( 5)(0)( 20)  (0)( 4 )(25)  (9)( 5)(50)]
 3250
_ _ _
25  5 50 25  5 50 25  5
 3   5 10 0   5 10 0  5 10
5 4 0 5 4 0 5 4
+ + +
 [( 25)(10)(0)  ( 5)(0)( 5)  (50)( 5)( 4 )]
 [( 5)(10)(50)  ( 4 )(0)(25)  (0)( 5)( 5)]
 3500
259
1 3700
จะได้ x1    29.6
 125
2 3250
x2    26
 125
3 3500
x3    28
 125
ตัวอย่าง ก.3 หา det(A) จากเมทิรกซ์ที่กาหนดให้
 1 2 0 3
1 1
A 4
5 2
 3 0 1
 2 1  4 1
วิธีทา จากเมทริกซ์ที่กาหนดให้เป็นเมทริกซ์จัตุรัสขนาด 4  4 การหาดีเทอร์มิแนนท์ทาได้โดยการกระจาย

โคแฟคเตอร์ ซึ่งเลือกหลักที่ 3 ในการกระจายโคแฟคเตอร์ ดังนี้
 1 2 0 3
1 1
A 4
5 2
 3 0 1
 2 1  4 1
det( A )  (0)(cofactor of 0)  (-1)(cofactor of - 1)  (0)(cofactor of 0)  (-4)(cofactor of - 4)

 (-1)(C 23 )  (-4)(C 43 )
 (-1)(-1) 23 M23  (-4)(-1) 43 M43

1 2 3 1 2 3
 (-1)(-1) 4 3 1  (-4)(-1) 5 1 2
2 1 1 4 3 1
 (-1)(-1) (44)  (-4)(-1) (22)

 44  88
 132
260
ก.3 เมทิรกซ์ผกผัน
สมการเชิงเส้นตามสมการ (ก.3) สามารถแก้ปัญหาเพื่อหาค่าตัวแปรที่ไม่ทราบค่าได้โดยใช้เมทริกซ์
ผกผัน (matrix inversion) จากสมการเมทริกซ์ AX = B จะสามารถหาค่า X ได้โดยทาเมทริกซ์ผกผันของ A
ดังนี้
X  A 1B (ก.11)
เมื่อ A-1 คือ เมทริกซ์ผกผันของ A
ซึง่ A 1A  AA 1  I (ก.12)
เมื่อ I คือ เมทริกซ์เอกลักษณ์ (identity matrix) ของ A
adj A
A-1 หาได้ ดังนี้ A 1  เมื่อ det(A)  0 (ก.13)
det A
เมื่อ adjA คือ เมทริกซ์ผูกพัน (adjoint matrix) ของเมทริกซ์ A และ detA คือ |A|
adjA หาได้จากเมทริกซ์สลับเปลี่ยน (transpose matrix) ของโคแฟคเตอร์ A
ถ้า A เป็นเมทริกซ์ขนาด n  n จะหาเมทริกซ์ผูกพันได้ ดังนี้
a11 a12  a1n 
a a  a2 n 
A   21 22 (ก.14)
    
a ann 
 n1 an2 
โคแฟคเตอร์ของ A คือ
c11 c12  c1n 
c c  c2 n 
C  cof ( A )   21 22 (ก.15)
    
c c nn 
 n1 c n2 
และ adj (A )  [ c ij ]Tnn  [ c ji ]nn (ก.16)
โดยที่ C ij  ( 1) i  j M ij (ก.17)
1CT
ดังนั้น A  (ก.18)
|A|
261
ตัวอย่าง ก.4 หาค่า x1 , x2 , x3 และ x4 จากสมการเชิงเส้นที่กาหนด โดยวิธีเมทริกซ์ผกผัน

x1  2 x 2  3 x 3  5 x 4  5
2 x1  3 x 2  x 3  2 x 4  0
x1  4 x 3  x 4  0
x2  2 x4  0
1  2  3 5   x 1   5 
2 3 1  2   x 2   0 
1 0 4 1   x 3  0 
0 1 0 2   x 4  0
หรือ AX  B  X  A 1B
1  2  3 5   x1  5 
A  2 3 1  2  , X   x 2  , B  0 
โดยที่ x 
1 0 4 1 3 0 
0 1 0 2    0
 x4 
หา det(A) ด้วยวิธีการกระจายโคแฟคเตอร์ โดยเลือกแถวที่ 4 เพื่อกระจายโคแฟคเตอร์
1  2  3 5 
1  2
A  1 0
2 3
 4 1
 0 1 0 2 
det( A )  (1)(Co. a42 )  (2)(Co. a44 )
 (1)(C42 )  (2)(C44 )
 (1)(-1) 42 M42  (2)(-1) 44 M44

1 3 5 1 2 3
6 8
 (1)(-1) 2 1  2  (2)(-1) 2 3  2
1 4 1 1 0 1
 (1)(1)[47 - (-9)]  (2)(1)[10 - (-25)]
det( A )  126
262
c11 c12  c1n 

c c  c 2 n  และ i j
จาก C  cof ( A )   21 22 C  ( 1) M ij
     ij
c c nn 
 n1 c n2 
3 1 2
2
c11  ( 1) 0 4 1
1 0 2
2 1 2
3
c12  ( 1) 1 4 1
0 0 2
2 3 2
4
c13  ( 1) 1 0 1
0 1 2
2 3 1
5
c14  ( 1) 1 0 4
0 1 0
2 3 5
c 21  ( 1) 3 0 4 1
1 0 2
1 3 5
c 22  ( 1) 4 1 4 1
0 0 2
1 2 5
c 23  ( 1) 5 1 0 1
0 1 2
1 2 3
c 24  ( 1) 6 1 0 4
0 1 0
2 3 5
c 31  ( 1) 4 3 1 2
1 0 2
263
1 3 5
5
c 32  ( 1) 2 1  2
0 0 2
1 2 5
6
c 33  ( 1) 2 3  2
0 1 2
1 2 3
c 34  ( 1) 7 2 3 1
0 1 0
2 3 5
c 41  ( 1) 5 3 1 2
0 4 1
1 3 5
c 42  ( 1) 6 2 1  2
1 4 1
1 2 5
c 43  ( 1) 7 2 3  2
1 0 1
1 2 3
c 44  ( 1) 8 2 3 1
1 0 4
 33  14  10 7 
14  8  7
cof (A )   15  14 26
39
 7
 51 56 4 35 
จาก adj (A )  [ c ij ]Tnn  [ c ji ]nn
 33 39 15  51
 14 14  14 56 
ดังนั้น adj ( A )  cof ( A ) T   10  8 26
 4 
 7  7 7 35 
264
 33 39 15  51
1 1  14 14  14 56 
จะได้ A 1  adj ( A ) 
det ( A ) 126  10  8 26 4 
 7  7 7 35 
 0.2619 0.3095 0.1190  0.4048

 0.1111 0.1111  0.1111 0.4444 
A 1   0.0794  0.0635 0.2063
 0.0317 
 0.0556  0.0556 0.0556 0.2778 
 0.2619 0.3095 0.1190  0.4048 5

 0.1111 0.1111  0.1111 0.4444  0
X  A 1B   0.0794  0.0635 0.2063
 0.0317  0
 0.0556  0.0556 0.0556 0.2778  0
 1.3095 
 0.5556
X   0.3968
 
 0.2278 
ดังนั้น จะได้ X1 = 1.3095, X2 = -0.5556, X3 = -0.3968 และ X4 = 0.2278
265
ภาคผนวก ข
จานวนเชิงซ้อน
ข.1 บทนา
ในการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้ากระแสสลับ ได้แก่ การหาค่ากระแสไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า และกาลังไฟฟ้า
โดยมากจะพบว่ า ขนาดขององค์ ป ระกอบต่ า ง ๆ ในวงจรจะเขี ย นอยู่ ในรู ป จ านวนเชิ งซ้ อ น (complex
numbers) ดังนั้น การคานวณจานวนเชิงซ้อนจะมีความสาคัญสาหรับการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้ากระแสสลับเป็น
อย่างมาก หัวข้อนี้เป็นการอธิบายพื้นฐานของจานวนเชิงซ้อน การคานวณจานวนเชิงซ้อน และกฎพื้นฐานที่
จาเป็นสาหรับจานวนเชิงซ้อน
ข.2 การแสดงจานวนเชิงซ้อน
จานวนเชิงซ้อน z สามารถเขียนให้อยู่ในระบบพิกัดฉาก (rectangular form) ได้ ดังนี้
z  x jy (ข.1)
โดยที่ j   1 , x คือ ส่วนจริง (real part) และ y คือ ส่วนจินตภาพ (imaginary part) ของ z ดังนี้
x  Re(z) และ y  Im(z) (ข.2)
จานวนเชิงซ้อน z บนระนาบเชิงซ้อน แสดงดังภาพ ข.1
Im
jy z
r

Re
x
ภาพ ข.1 กราฟแสดงจานวนเชิงซ้อน
1/ j  j
j2  1
j3  j  j2   j
เมื่อ j   1 ดังนั้น j4  j2  j2  1 (ข.3)
j5  j  j4  j

j n 4  jn
266
จ านวนเชิ งซ้ อ น z สามารถเขี ย นให้ อ ยู่ ในระบบพิ กั ด เชิ ง ขั้ ว (polar form) ได้ โดย r คื อ ขนาด
(magnitude) และ  คือ มุม (angle) ดังนี้
z  | z |   r (ข.4)
y
เมื่อ r  x2  y2 ,   tan1 (ข.5.1)
x
หรือ x  r cos , y  r sin (ข.5.2)
ดังนั้น z  x  j y  r  r cos  j r sin (ข.6)
การแปลงจานวนเชิงซ้อนระหว่างระบบพิกัดฉากและระบบพิกัดเชิงขั้ว สามารถทาได้โดยใช้ สมการ

(ก.5) พึงระมัดระวังค่าของมุม  ซึ่งสัมพันธ์กับจตุภาคทั้ง 4 ของระนาบ ถ้าสมมติให้ x และ y เป็นค่าบวก จะ
ได้ดังนี้
y
z  x  j y,   tan1 (1 st Quadrant )
x
y
z   x  j y,   180  tan1 (2 nd Quadrant )
x (ก.7)
y
z  x  j y   180  tan1 rd
(3 Quadrant )
x
y
zxjy   360  tan1 (4 th Quadrant )
x
และจานวนเชิงซ้อน z สามารถเขียนให้อยู่ในระบบพิกัดชี้กาลัง (exponential form) ได้ ดังนี้
z  re j (ข.8)
ซึ่งประกอบไปด้วย ขนาด r และ มุม  เช่นเดียวกับ ระบบพิกัดเชิงขั้ว
การแสดงจานวนเชิงซ้อนทั้ง 3 ระบบพิกัด แสดงได้ ดังนี้
z  x  j y, ( x  r cos  , y  r sin ) Rectangular form
 1 y
z  r ,  r  x  y ,   tan
2 2
 Polar form (ข.9)
 x
 y
z  re j ,  r  x  y ,   tan
2 2 1
 Exponentia lform
 x
จากสมการ (ก.9) ระบบพิกัดที่ 1 และ 2 จะได้จากสมการ (ข.5) และ (ข.6) ในหัวข้อที่ ข.4 จะอธิบาย
ถึงสูตรของออยเลอร์ ซึ่งจะพิสูจน์ให้เห็นว่า ระบบพิกัดชี้กาลังมีค่าเท่ากับ 2 ระบบพิกัดแรก
267
ข.3 การดาเนินการทางคณิตศาสตร์
จานวนเชิงซ้อน z1  x 1  j y1 และ z 2  x 2  j y 2 จะเท่ากันก็ต่อเมื่อขนาดของจานวน
จริง และจานวนจินตภาพของจานวนเชิงซ้อนทั้ง 2 เท่ากัน ดังนี้
x1  x 2 , y1  y 2 (ข.10)
ค่าสังยุคเชิงซ้อน (complex conjugate) ของจานวนเชิงซ้อน z  x  j y กาหนดได้โดย แทน j
ด้วย -j ดังนี้
z   x  jy  r    re  j (ข.11)
ก าหนดให้ z1  x1  j y1  r11 และ z 2  x 2  j y 2  r2  2 การบวก และ
การลบค่าจานวนเชิงซ้อน มีวิธีการคานวณ ดังนี้
z1  z2  ( x1  x 2 )  j ( y1  y 2 ) (ข.12)
และ z1  z2  ( x1  x 2 )  j ( y1  y 2 ) (ข.13)
การบวกและลบจานวนเชิงซ้อนเมื่ออยู่ในระบบพิกัดฉากจะทาได้โดยสะดวกกว่าระบบพิกัดเชิงขั้ว
สาหรับการคูณและหารจานวนเชิงซ้อนจะทาได้โดยง่ายเมื่ออยู่ในระบบพิกัดเชิงขั้ว ดังนี้
z1 z2  r1r2(1  2 ) (ข.14)
z1 r
และ  1 (1  2 ) (ข.15)
z2 r2
สาหรับการคูณและการหารเมื่อจานวนเชิงซ้อนอยู่ในระบบพิกัดฉาก มีวิธีการคานวณ ดังนี้
z1 z2  ( x1  j y1 )( x 2  j y 2 )
(ข.16)
 ( x1 x 2  y1 y 2 )  j ( x1 y 2  )( x 2 y1 )
z1 ( x  j y1 )( x 2  j y 2 ) x x y y x y x y
และ  1  1 22 1 2 2  j 2 21 1 2 2 (ข.17)
z2 ( x 2  j y 2 )( x 2  j y 2 ) x2  y2 x2  y2
ข.4 สูตรของออยเลอร์
สูตรของออยเลอร์ (Euler’s formula) มีความสาคัญต่อการหาผลลัพธ์ตัวแปรเชิงซ้อนเป็นอย่างมาก
สูตรของออยเลอร์ได้จากการกระจายอนุกรมของ ex, cos และ sin ดังนี้
268
x x2 x3 x4
e  1  x     (ข.18)
2! 3! 4 !
แทน x ด้วย j จะได้
j 2 3 4
e  1  j  j   (ข.19)
2! 3! 4!
สาหรับ cos และ sin แสดงดังนี้
2 4 6
cos   1     (ข.20)
2! 4! 6!
3 5 7
sin       (ข.21)
3! 5! 7!
จากสมการ (ข.20) และ (ข.21) จะได้
2 3 4 5
และ cos   j sin  1  j  j  j   (ข.22)
2! 3! 4! 5!
จากสมการ (ข.19) และ (ข.22) จะพบว่า
e j  cos   j sin (ข.23)
สมการ (ข.22) เรียกว่า สูตรของออยเลอร์ ซึ่งจานวนเชิงซ้อนที่อยู่ในระบบพิกัดชี้กาลัง ดัง สมการ
(ข.8) เขียนในสูตรของออยเลอร์ได้ ดังนี้
cos   Re( e j ), sin  Im(e j ) (ข.24)
โดยที่ e j  cos 2   sin2   1
แทน j ด้วย -j ในสมการ (ข.23) จะได้

e j  cos   j sin (ข.25)
จากสมการ (ข.23) และ (ข.25) จะได้
1 j  j
cos   (e  e ) (ข.26)
2
1 j  j
และ sin  (e  e ) (ข.27)
2j
269
ภาคผนวก ค
สูตรทางคณิตศาสตร์
ค.1 บทนา
ถึงแม่ว่าฟังก์ชันในเครื่องคานวณ หรือโปรแกรมคอมพิวเตอร์สาเร็จรูปจะสามารถคานวณค่าสาหรับ
การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าได้อย่างรวดเร็ว แต่สูตรที่เตรียมไว้เหล่านี้มีไว้เพื่ออานวยความสะดวกสาหรับคานวณ
ด้วยมือ ในภาคผนวกนี้นาเสนอสูตรทางคณิตศาสตร์ที่จาเป็นต่อการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าในหนังสือเล่มนี้
ค.2 สมการกาลังสอง (Quadratic Formula)

รากของสมการกาลังสอง ax2 + bx + c = 0 คือ
 b  b2  4 ac
x1 , x 2 
2a
ค.3 เอกลักษณ์ ตรีโกณมิติ (Trigonometric Identities)
sin(-x)   sin x
cos(-x)  cosx
1 1
sec x  , csc x 
cosx sinx
sin x 1
tan x  , cot x 
cosx tanx
sin(x  90)   cos x
cos(x  90)   sin x
sin(x  180)   sinx
cos(x  180)   cos x
cos 2 x  sin2 x  1
a b c
  (law of sines)
sin A sin B sin C
a 2  b2  c 2  2bc cos A (law of cosines)
tan(1 / 2)( A  B ) ab
 (law of tangents)
tan(1 / 2)( A  B ) ab
270
sin( x  y )  sin x cos y  cos x sin y

cos( x  y )  cos x cos y  sin x sin y
tanx  tan y
tan( x  y ) 
1  tanx tan y
2 sin x sin y  cos( x  y )  cos( x  y )
2 sin x cos y  sin( x  y )  sin( x  y )
2 cos x cos y  cos ( x  y )  cos( x  y )
sin 2 x  2 sin x cos x
cos 2 x  cos 2 x  sin2 x  2 cos 2 x  1  1  2 sin2 x
2tanx
tan2x 
1 - tan2 x
1
sin2 x  (1  cos 2 x )
2
1
cos 2 x  (1  cos 2 x )
2
 K 
K1 cos x  K 2 sin x  K12  K 2 2 cos x  tan1 2 
 K1 
e jx  cos x  j sin x (Euler' s formular)
e jx  e  jx
cos x 
2
e  e  jx
jx
sin x 
2j
1 rad  57.296
ค.4 ฟังก์ชันไฮเพอร์โบลิก (Hyperbolic Functions)

1 x x
sinh x  (e  e )
2
1 x x
cosh x  (e  e )
2
sinh x
tanh x 
cosh x
271
1
coth x 
tanh x
1
csc hx 
sinh x
1
sec hx 
cosh x
sinh( x  y )  sinh x cosh y  cosh x sinh y
cosh( x  y )  cosh x cosh y  sinh x sinh y
ค.5 อนุพันธ์ (Derivatives)
ถ้า U = U(x), V = V(x) และ a = constant

d dU
( aU )  a
dx dx
d dV dU
(UV )  U  V
dx dx dx
dU dV
V U
d U
   dx 2 dx
dx  V  V
d dU
( aU n )  naU n 1
dx dx
d U dU
( a )  aU ln a
dx dx
d U dU
( e )  eU
dx dx
d dU
(sin U )  cos U
dx dx
d dU
(cos U )   sin U
dx dx
272
ค.6 ปริพันธ์ไม่จากัดเขต (Indefinite Integrals)
ถ้า U = U(x), V = V(x) และ a = constant
 a dx  ax  c
 U dV  UV   V dU (integration by parts)
U n 1
 U dU  n  1  C , n  1
n
dU
 U  ln U  C
aU
 a dU  ln a  C , a  0, a  1
U
1 ax

ax
e dx  e C
a
e ax
 xe dx  a2 ( ax  1)  C
ax
e ax 2 2
 x e dx  a3 ( a x  2ax  2)  C
2 ax
 ln x dx  x ln x  x  C
1
 sin ax dx  
a
cos ax  C
1
 cos ax dx 
a
sin ax  C
x sin 2ax

2
sin ax dx   C
2 4a
x sin 2ax
 cos ax dx  2  4 a  C
2
1
 x sin ax dx  a2 (sin ax  ax cos ax )  C
1
 x cos ax dx 
a2
(cos ax  ax sin ax )  C
1
 x sin ax dx  a3 (2ax sin ax  2 cos ax  a x cos ax )  C
2 2 2
1
 x cos ax dx  a3 (2ax cos ax  2 sin ax  a x sin ax )  C
2 2 2
273
e ax
e
ax
sin bx dx  ( a sin bx  b cos bx )  C
a2  b2
e ax
e
ax
cos bx dx  ( a cos bx  b sin bx )  C
a2  b2
sin( a  b ) x sin( a  b ) x
 sin ax sin bx dx 
2( a  b)

2( a  b)
 C, a2  b2
cos( a  b ) x cos( a  b ) x
 sin ax cos bx dx  
2( a  b)

2( a  b)
 C, a2  b2
sin( a  b ) x sin( a  b ) x
 cos ax cos bx dx 
2( a  b)

2( a  b)
 C, a2  b2
dx 1 1 x
 a2  x 2  a
tan
a
C
x 2 dx x
 a2  x 2  x  a tan1  C
a
dx 1  x 1 1 x 
 (a2  x 2 )2  
2a2  x 2  a 2 a
 tan   C
a
ค.7 ปริพันธ์จากัดเขต (Definite Integrals)
ถ้า m และ n เป็นจานวนเต็ม

2
0 sin axdx  0
2
0 cos axdx  0
  
0 sin2 axdx  0 cos 2 axdx 
2
 
0 sin mx sin nxdx  0 cos mx cos nxdx  0, m  n
 0, m  n  even
0 sin mx cos nxdx   22m 2 , m  n  odd
 m  n
0
2
sin mx sin nx dx 

 sin mx sin nx dx  
0, m  n
 mn
 sin ax  / 2, a0
0 x dx  0, a0
  / 2, a  0
274
ค.8 กฏของโลปิตาล (L’Hopital’s Rule)
ถ้า f(0) = 0 = h(0) ดังนั้น

f (x) f '(x)
lim  lim
x  0 h( x ) x 0 h' ( x )
โดยที่ f’(x) และ h’(x) คือ อนุพันธ์ของ f (x) และ h (x) ตามลาดับ
275
ภาคผนวก ง
PSpice Student Version
ง.1 บทนา
โปรแกรมคอมพิวเตอร์สาเร็จ ภาพใช้สาหรับการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าที่นิยมใช้กันอย่างกว้างขวาง คือ
PSpice ซึ่งโปรแกรมสาหรับจาลองเหตุการณ์ในวงจรไฟฟ้ารวมทั้งวงจรรวม (IC) โปรแกรม PSpice พัฒนาขึ้น
โดย ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้าและคอมพิวเตอร์ แห่งมหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย ในปี 1970 บนคอมพิวเตอร์
เมนเฟรม และได้ถูกพัฒนาให้ทางานบนคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลโดยบริษัท microSIM และเริ่มใช้งานในปี ค.ศ.
1984 ปั จ จุบั น โปรแกรม PSpice ได้รับ การพัฒ นาโดยบริษั ท OrCAD and cadence ซึ่งสามารถใช้งานได้
หลากหลายระบบปฏิบัติการมากยิ่งขึ้น และเป็นที่รู้จักในชื่อ OrCAD PSpice
สถานศึกษาด้านวิศวกรรมไฟฟ้าและคอมพิวเตอร์ทั่วโลก มีการใช้งาน PSpice ในด้านต่าง ๆ ดังนี้ การ
เรียนการสอนในชั้นเรียน โครงงานปฏิบัติการ และการวิ จัยพัฒนา ซึ่ง PSpice จะช่วยให้เข้าใจพฤติกรรมการ
ทางานของอุปกรณ์ โครงข่าย และวงจรไฟฟ้าที่พิจารณาได้ เนื่องจาก PSpice มีองค์ประกอบทางไฟฟ้าและ
วงจรรวม รวมถึ ง เงื่ อ นไขการจ าลองเหตุ ก ารณ์ ที่ ค รอบคลุ ม การวิ จั ย และพั ฒ นาทางด้ า นวงจรไฟฟ้ า
อิเล็กทรอนิกส์ และคอมพิวเตอร์ แต่สาหรับนักเรียน นักศึกษา หรือผู้สนใจที่จะจาลองเหตุการณ์ในวงจรไฟฟ้า
ที่ประกอบไปด้วยองค์ประกอบทางไฟฟ้าจานวนไม่มาก บริษัท OrCAD ได้ให้การสนับสนุนโดยมีบริการดาวน์
โหลดฟรีในชื่อโปรแกรมว่า PSpice student version ปัจจุบันเป็นเวอร์ชัน 9.1
ง.2 เริ่มต้นใช้งาน PSpice
หลังจากดาวน์โหลดและติดตั้งโปรแกรม PSpice ลงบนคอมพิวเตอร์แล้วเสร็จ การใช้งานโปรแกรม
PSpice มี 3 ขั้นตอนหลัก ๆ คือ 1) วาดภาพวงจร 2) จาลองเหตุการณ์ของวงจร และ 3) แสดงผลการจาลอง
เหตุการณ์ของวงจร โดยเนื้อหาในส่วนนี้จะนาเสนอการใช้งานโปรแกรม Schematics ของ PSpice เป็นอันดับ
แรก หน้าต่างโปรแกรม Schematics แสดงดังภาพ ง.1
ก่อ นที่ จ ะเริ่ ม ต้ น วิเคราะห์ ว งจรโดยใช้ Schematics ควรเข้ าใจความหมายของค าสั่ งการใช้ เมาส์
สาหรับดาเนินการบนหน้าต่างของโปรแกรม Schematics เสียก่อน โดยหนังสือเล่มนี้จะใช้คาสั่งเหล่านี้ตลอด
ทั้งเล่ม สาสั่งการใช้เมาส์ดาเนินการต่าง ๆ มีความหมาย ดังนี้
CLICKL : คลิกซ้ายเพื่อเลือกองค์ประกอบ
CLICKR : คลิกขวาเพื่อยกเลิกรูปแบบการทางาน
DCLICKL : ดับเบิล้ คลิกซ้ายเพือ่ แก้ไของค์ประกอบทีเ่ ลือก หรือจบการดาเนินการ
DCLICKR : ดับเบิล้ คลิกขวาเพือ่ ทาซ้าการดาเนินการก่อนหน้านี้
276
CLICKLH : คลิกซ้ายค้างไว้และเคลื่อนที่เมาส์เพื่อเปลี่ยนตาแหน่งขององค์ประกอบ และปล่อยเมาส์

เมื่อองค์ประกอบอยู่ในตาแหน่งที่ต้องการ
DRAG : ลากเมาส์โดยไม่ต้องคลิกเพื่อเปลี่ยนการดาเนินการกับองค์ประกอบอื่น
ภาพ ง.1 หน้าต่างโปรแกรม Schematics

ภาพ ง.1 คือ หน้าต่างโปรแกรม Schematics ที่เปิดขึ้น โดยจะมีชื่อไฟล์เป็น Schematic1 p.1 การ
สร้างวงจรบน Schematics มี 3 ขั้น ตอน คือ 1) วางองค์ประกอบหรืออุปกรณ์ของวงจร 2) เชื่อมต่อแต่ละ
อุปกรณ์เข้าด้วยกัน (ต่อสายตัวนา) และ 3) เปลี่ยนแปลงหรือแก้ไขคุณลักษณะของอุปกรณ์ต่าง ๆ
Get New Part
ภาพ ง.2 การเลือกเมนูการเลือกอุปกรณ์ (Draw/Get New Part)

277
ขั้นตอนที่ 1 วางอุปกรณ์ มีลาดับขั้นการทางาน ดังนี้

1. เลือก Draw/Get New Part (คลิกที่เมนู Draw และเมนูย่อย Get New Part) หรือกดปุ่ม Ctrl+G
บนคีย์บอร์ด หรือเลือกไอคอน บนเมนูบาร์ ดังภาพ ง.2
2. ใช้แถบเลื่อนเพื่อเลือกอุปกรณ์ที่จะวาง หรือพิมพ์ในช่อง Part Name ดังภาพ ง.3 และภาพ ง.4
แสดงตัวอย่างสัญลักษณ์ของอุปกรณ์ เช่น ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุ ตัวเหนี่ยวนา กราวนด์ แอนาลอก และ
แหล่งจ่ายอิสระ
3. คลิก Place & Close หรือกดปุ่ม Enter บนคีย์บอร์ด
4. DRAG อุปกรณ์เคลื่อนที่ไปวางในตาแหน่งที่ต้องการ
5. CLICKR เพื่อยกเลิกการเคลื่อนที่อุปกรณ์
ในกรณีที่ต้องการหมุนอุปกรณ์ 90o จะทาได้โดย เลือกอุปกรณ์และคลิก Edit/Rotate หรือกด Ctrl+R
และในกรณีที่ต้องการลบอุปกรณ์ให้เลือกอุปกรณ์และคลิก Edit/Cut หรือกดปุ่ม Delete บนคีย์บอร์ด
ภาพ ง.3 หน้าต่าง Part Browser Basic สาหรับเลือกอุปกรณ์

278
AGND
ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุ ตัวเหนี่ยวนา กราวนด์แอนาลอก
VDC VAC VSIN VSRC
(ก) (ข) (ค) (ง)

แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า
IDC IAC ISIN ISRC
(ก) (ข) (ค) (ง)

แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า
ภาพ ง.4 อุปกรณ์พื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์วงจร
(ก) กระแสตรงเท่านั้น (ข) กระแสสลับเท่านั้น (ค) กระแสตรงหรือกระแสสลับ
(ง) กระแสตรง กระแสสลับ หรือทรานเชี้ยนท์
ขั้นตอนที่ 2 เชื่อมต่ออุปกรณ์เข้าด้วยกัน ทาได้โดย คลิก Draw/Wire หรือกดปุ่ม Ctrl+W จะปรากฏ

เคอร์เซอร์ภาพดินสอขึ้นมาที่หน้าจอ Schematics ให้ DRAG เมาส์ไปยังขาของอุปกรณ์ที่ต้องการจะเชื่อมต่อ
แล้ว CLICKL จากนั้น DRAG เมาส์ไปที่ขาของอุปกรณ์อีกตัวหนึ่งแล้ว CLICKL เพื่อเชื่อมต่อ เมื่อต้องการยกเลิก
การทางานให้คลิก CLICKR และหากต้องการลบให้คลิก Edit/Cut หรือกดปุ่ม Delete บนคีย์บอร์ด หลังจาก
เชื่อมต่อสายตัวนาครบทั้งวงจรแล้วจะต้องกาหนดโนดอ้างอิงหรือโนดกราวนด์ของวงจร โดยการวางอุปกรณ์
AGND และเชื่อมต่อเข้ากับวงจร
ข้อสังเกต ง.1
โนดที่มีตั้งแต่ 3 กิ่งขึ้นไป Schematics จะแสดงเครื่องหมาย • ขึ้นมาโดยอัตโนมัติ หากโนดใดที่มี
ตั้งแต่ 3 กิ่งขึ้นไป แต่ไม่มีเครื่องหมาย • จะต้องทาการตรวจสอบอีกครั้งว่าทาการเชื่อมต่อครบถ้วนแล้ว
R และ C ไม่มีการระบุหน่วย ในขณะที่ L และแหล่งจ่ายทางไฟฟ้ามีการระบุหน่วย
279
ขั้นตอนที่ 3 เปลี่ยนแปลงหรือแก้ไขคุณลักษณะของอุปกรณ์ต่าง ๆ คือ การเปลี่ยนชื่อหรือขนาดของ

อุปกรณ์ ทาได้โดย DCLICKL ที่ชื่อ หรือขนาดของอุปกรณ์นั้น ๆ ตัวอย่างเช่น จากภาพ ง.4 ตัวต้านทาน R2
ขนาด 1k กรณีต้องการเปลี่ยนชื่อเป็น RX ทาได้โดยการ DCLICKL ที่ชื่อของ R2 ซึ่งจะปรากฏหน้าต่าง Edit
Reference Designator ขึ้น มา ให้ การพิมพ์ RX ลงในช่อง Package Reference Designator แล้ วคลิ กปุ่ ม
OK ดังภาพ ง.5 (ก) ชื่อของ R2 ก็จะเป็นเปลี่ยนเป็น RX กรณีต้องการจะเปลี่ยนขนาดตัวต้านทาน R2 เป็น
5M ทาได้โดย DCLICKL ที่ขนาดของ R2 (1k) ซึ่งจะปรากฏหน้าต่าง Set Attribute Value ขึ้นมา ให้พิมพ์
1MEG ลงในช่อง Value แล้วคลิกปุ่ม OK ดังภาพ ง.5 (ข) ขนาดของ R2 ก็จะเป็นเปลี่ยนเป็น 5MEG
R
X
5MEG
(ก) (ข)
ภาพ ง.5 (ก) เปลี่ยนชื่อจาก R2 เป็น RX (ข) เปลี่ยนขนาดจาก 1k เป็น 5M
สัญลักษณ์ของคาอุปสรรค์ตามระบบ SI ของ mega (106) คือ M แต่ตัวอย่างได้ใช้ MEG แทน ทั้งนี้
เนื่องจากโปรแกรม PSpice จะไม่พิจารณาตัวอักษรพิมพ์เล็กหรือพิมพ์ใหญ่ ทั้งนี้ตัวอักษร M หรือ m จะแทน
สัญลักษณ์ของคาอุปสรรค์ milli (10-3) และ u หรือ U แทน micro (10-6)
ตัวอย่าง ง.1 จากภาพ ง.6 วาดวงจรโดยใช้ Schematics

2
 V1  _
12 V V2 4

ภาพ ง.6 สาหรับตัวอย่าง ง.1

280
วิธีทา หลั งจากเปิดโปรแกรม Schematics แล้ว จะปรากฏหน้าต่างโปรแกรม Schematics เช่นเดียวกับ

หน้าต่าง ภาพ ง.1 จากนั้นทาตามขั้นตอนตามหัวข้อ ง.2 ดังนี้
การวางแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า ทาได้โดย
1. คลิก Draw/Get New Part (หรือกดปุ่ม Ctrl+G)
2. พิมพ์ VSRC ในหน้าต่าง Part Browser Basic
3. คลิก OK (หรือกดปุ่ม Enter)
4. DRAG อุปกรณ์ไปวางในตาแหน่งที่ต้องการบนหน้าต่างของ Schematics
5. CLICKL เพื่อวาง VSRC และ CLICKR เมื่อวางแล้วเสร็จ
การวางตัวต้านทาน ทาได้โดย
1. คลิก Draw/Get New Part.
2. พิมพ์ R ในหน้าต่าง Part Browser Basic
3. คลิก OK
4. DRAG ตัวต้านทาน R1 ไปวางในตาแหน่งที่ต้องการบนหน้าต่างของ Schematics
5. CLICKL เพื่อวาง R1
6. CLICKL เพื่อวาง R2 และ CLICKR เมื่อวางแล้วเสร็จ
7. DRAG R2 ไปวางในตาแหน่งที่ต้องการ
8. Edit/Rotate (หรือกดปุ่ม Ctrl+R) เพื่อหมุน R2 จะได้ดังภาพ ง.7 (ก)
การเชื่อมต่อแต่ละอุปกรณ์เขาด้วยกัน ทาได้โดย
1. คลิก Draw/Wire หรือกดปุ่ม Ctrl+W จะปรากฏเคอร์เซอร์ภาพดินสอขึ้นมา
2. DRAG ดินสอไปที่ขาด้านบนของ V1
3. CLICKL เพื่อต่อสายไฟเข้าที่ขาบนของ V1
4. DRAG ดินสอไปยังขาด้านซ้ายของ R1 แล้ว CLICKL และทาจนครบทุกอุปกรณ์ (ครบลูป หรือเมซ)
CLICKR เพื่อสิ้นสุดขั้นตอนการวาง
การวางกราวนด์ ทาได้โดย
1. คลิก Draw/Get New Part
2. พิมพ์ AGND ในหน้าต่าง Part Browser Basic
281
3. คลิก OK
4. DRAG AGND ไปวางในตาแหน่งที่ต้องการ
5. CLICKL เพื่อวาง AGND และ CLICKR สิ้นสุดการทางาน จะได้ดังภาพ ง.7 (ข)
การกาหนดขนาดของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า V1 เป็น 12 V ทาได้โดย
1. DCLICKL บนสัญลักษณ์ของ V1 เพื่อเปิดหน้าต่าง PartName
2. CLICKL ที่ DC =
3. พิมพ์ +12 (หรือ 12) ในช่อง Value
4. คลิก Save Attr
5. คลิก OK
การกาหนดขนาดของตัวต้านทาน R1 เป็น 5k ทาได้โดย
1. DCLICKL ที่ขนาดของ R1 โดยปกติโปรแกรมจะกาหนดค่าเริ่มต้นเป็น 1k เพื่อเปิดหน้าต่าง Set
Attribute Value
2. พิมพ์ 5k ลงในช่อง Value
3. คลิก OK
การกาหนดขนาดของ R2 ทาเช่นเดียวกันกับ R1 จะได้ดังภาพ ง.7 (ค)
(ก) (ข) (ค)

ภาพ ง.7 ภาพวาดบน Schematics ของวงจรตามภาพ ง.6
ง.3 การวิเคราะห์กระแสตรง
การวิเคราะห์กระแสตรง (DC Analysis) เป็นการวิเคราะห์พื้นฐานที่สาคัญบน PSpice แบ่งออกเป็น
2 ส่ ว น คื อ 1) การวิ เคราะห์ โ นดกระแสตรง (DC Nodal Analysis) และ 2) การกวาดกระแสตรง (DC
Sweep)
282
1. การวิเคราะห์โนดกระแสตรง
คือ การวิเคราะห์ ห าค่ าแรงดั น ไฟฟ้ าที่โนด และกระแสไฟฟ้ าที่ กิ่งในวงจร การดูห รือพิ จารณาค่ า
แรงดั น ไฟฟ้ าที่ โนด จะใช้ VIEWPOINT เชื่ อ มต่ อ เข้ ากั บ โนดที่ ส นใจ และกระแสไฟฟ้ า ที่ กิ่ งในวงจร จะใช้
IPROBE เชื่อมต่อเข้าไปในกิ่งที่สนใจ สัญลักษณ์ของ voltage VIEWPOINT และ current IPROBE แสดงดัง
ภาพ ง.8 การวางอุปกรณ์ VIEWPOINT และ IPROBE ทาได้เช่นเดียวกับการวางตัวต้านทาน หรือแหล่งจ่าย
แรงดันไฟฟ้า ตัวอย่างการวางอุปกรณ์ในวงจรแสดงดังภาพ ง.9
(ก) (ข)
ภาพ ง.8 สัญลักษณ์ของ (ก) voltage VIEWPOINT และ (ข) current IPROBE
ภาพ ง.9 ตัวอย่างการวาง VIEWPOINT และ IPROBE ในวงจรภาพ ง.7

แหล่งจ่ายไม่อิสระหรือแหล่งจ่ายพึ่งพิงสามารถเลือกนามาใช้ได้ด้วยวิธีเดียวกันกับดังที่กล่าวมาแล้ว
สัญลักษณ์ของแหล่งจ่ายไม่อิสระ แสดงดังภาพ ง.10
(ก) (ข) (ค) (ง)

ภาพ ง.10 สัญลักษณ์ของแหล่งจ่ายไม่อิสระ
(ก) แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยแรงดันไฟฟ้า (VCVS) E1 อัตราขยายเท่ากับ E
(ข) แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยกระแสไฟฟ้า (CCCS) F1 อัตราขยายเท่ากับ F
283
(ค) แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยแรงดันไฟฟ้า (VCCS) G1 อัตราขยายเท่ากับ G

(ง) แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยกระแสไฟฟ้า (CCVS) H1 อัตราขยายเท่ากับ H
1. ในการวิเคราะห์วงจร DC จะต้องไม่ลืม AGND หรือ GND_ANALOG เนื่องจากจะเป็นโนดอ้างอิง
หรือจุดต่อลงดินของวงจร และ VIEWPOINT จะใช้ AGND เป็นโนดอ้างอิงในการวิเคราะห์หาค่าแรงดันที่โนด
2. การวิ เคราะห์ ว งจรไฟฟ้ า กระแสตรง ตั ว เก็ บ ประจุ จ ะเป็ น วงจรเปิ ด (Open circuit) และตั ว
เหนี่ยวนาจะเป็นลัดวงจรหรือ วงจรปิด (Close circuit)
2. การกวาดกระแสตรง
จากการวิเคราะห์โนดกระแสตรง เป็นการวิเคราะห์วงจรที่แหล่งจ่ายไฟฟ้ากระแสตรงมีค่าคงที่ แต่การ
การกวาดกระแสจะเป็นการวิเคราะห์ที่ยอมให้แหล่งจ่ายไฟฟ้าในวงจรสามารถกวาดค่าได้ตามช่วงที่กาหนด ซึ่งใน
การวิเคราะห์ แ บบการกวาดกระแสตรงตั ว เก็บ ประจุจะเปิ ดวงจร ตัว เหนี่ย วนาจะลั ดวงจรเช่น เดี ยวกั บการ
วิเคราะห์โนดกระแสตรง
ตัวอย่างการกาหนดการกวาดแรงดันของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าตามภาพ ง.9 ถ้ากาหนดให้แหล่งจ่าย
แรงดันกวาดค่าได้จาก 0 ถึง 20 โวลต์ โดยการเพิ่มขึ้นครั้งละ 1 ทาได้ดังนี้
1. คลิก Analysis/Setup
2. CLICKL ปุ่ม DC Sweep
3. พิมพ์ V1 ลงในช่อง Name
4. พิมพ์ 0 ลงในช่อง Start Value
5. พิมพ์ 20 ลงในช่อง End Value
6. พิมพ์ 1 ลงในช่อง Increment
7. คลิก OK เพื่อปิดหน้าต่าง DC Sweep และบันทึกค่าที่กาหนด
8. คลิก Close เพื่อสิ้นสุดการตั้งค่า Analysis Setup
ภาพ ง.11 แสดงหน้าต่าง DC Sweep ซึ่งกาหนดการกวาดแรงดันแบบเชิงเส้น ของแหล่งจ่ายแรงดัน V1
กวาดค่าแรงดันได้จาก 0 ถึง 20 โวลต์ โดยการเพิ่มขึ้นครั้งละ 1 โวลต์
284
ภาพ ง.11 หน้าต่าง DC Sweep

การวิ เคราะห์ DC sweep ท าได้ โ ดย คลิ ก Analysis/Simulate จากนั้ น Schematics จะสร้ า ง
netlist ขึ้นมาถ้าไม่มีข้อผิดพลาด โปรแกรม PSpice จะถูกเปิดขึ้นโดยอัตโนมัติ ถ้า มีข้อผิดพลาด netlis จะ
แสดงข้ อ ผิ ด พลาดขึ้ น เมื่ อ แก้ ไขแล้ ว เสร็ จ PSpice จะส่ งข้ อ มู ล ไปยั งโปรแกรม OrCAD PSpice หน้ า ต่ า ง
OrCAD PSpice จะแสดงกราฟขึ้น ซึ่งแกน x จะแสดงค่าในช่วงการกวาดที่กาหนดไว้ ส่วนแกน y จะไม่มีข้อมูล
ใด ๆ ในขั้น ตอนนี้ จ ะต้องกาหนดสิ่ งที่ต้องการให้ OrCAD PSpice แสดง โดยคลิ ก Trace/Add บน Orcad
PSpice เมนู เพื่อเปิดหน้าต่าง Add Traces สาหรับคลิกเลือกแรงดันที่โนด หรือกระแสที่กิ่งที่สนใจ แล้วคลิก
OK เพื่อแสดงผลบนหน้าต่าง Orcad PSpice ถ้าต้องการให้แสดงผลในหน้าต่างใหม่ ให้คลิก Window/New
ในกรณีที่ต้องการลบเส้นกราฟ ให้คลิกที่ชื่อ trace แล้วคลิก Edit/Delete (หรือกดปุ่ม Delete)
ผลลัพธ์ที่ OrCAD แสดงจะเป็นไปตามข้อกาหนดเครื่องหมายแบบพาสซีฟ คือ กระแสไหลเข้าขา 1
ผลที่ได้จะเป็นค่าบวก และถ้ากระแสไหลเข้าขา 2 ผลที่ได้จะเป็นค่าลบ ฉะนั้ นในการวางอุปกรณ์ในวงจรพึง
ระมัดระวังการหมุน (rotate) อุปกรณ์ด้วย กล่าวคือ ถ้าอุปกรณ์ที่ค่าเริ่มต้นการวางเป็นแนวนอน เช่น R C
และ L ในภาพ ง.4 ขาด้านซ้ายมือจะเป็นขาที่ 1 และขาด้านขวามือจะเป็นขาที่ 2 เสมอ ในกรณีที่ทาการหมุน
ขา 1 จะเป็นจุดหมุนและจะหมุนไปในทิศทางทวนเข็มนาฬิกาเสมอ ถ้าทาการหมุนอุปกรณ์ 2 ครั้ง อุปกรณ์นั้น
จะกลับมาอยู่ในแนวนอนดังเดิม แต่ขาด้านซ้ายมือจะเป็นขาที่ 2 แทน และสาหรับอุปกรณ์ที่ค่าเริ่มต้นเป็น
แนวตั้ง เช่น แหล่งจ่ายไฟฟ้า ดังภาพ ง.4 ขาด้านบนจะเป็นขา 1 เสมอ
285
ตัวอย่าง ง.2 จากวงจรดังภาพ ง.12 หาแรงดันที่โนด และกระแส io
1 12 k 2 1 k 3
io
28 V 4 k 3 k
7 mA

วิธีทา วางอุปกรณ์ลงบน Schematics เชื่อมต่อสายตัวนาและวางกราวนด์ การตั้งชื่อโนดทาได้โดย DCLICKL
ที่จุดเชื่อมต่อนั้น ๆ แล้วพิมพ์ชื่อโนดลงใน ช่อง LABEL บนหน้าต่างของ Set Attribute Value แล้วคลิก OK
ตามภาพ ง.12 วาง VIEWPOINT ที่โนด 2 และ 3 ส าหรับ โนดที่ 1 แรงดัน โนดจะเท่ากับแรงดันที่จ่ายโดย
แหล่ ง จ่ า ยแรงดั น 28 V และวาง IPROBE ลงบนกิ่ ง R 4 k ท าการ save Schematics แล้ ว คลิ ก
Analysis/Simulate เพื่อจาลองเหตุการณ์ ในวงจร ซึ่งจะได้ไฟล์ผลลัพธ์ของ VIEWPOINT และ IPROBE ดัง
ภาพ ง.13
netlist แสดงดังภาพ ง.14 ซึ่งจะแสดงผลทั้งชื่อ ขนาด และการต่อในวงจร จากตัวอย่างจะพบว่า
แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า V1 มีขนาด 28 V ต่ออยู่ระหว่างโนด 0 และโนด 1
ภาพ ง.13 ผลลัพธ์ของ VIEWPOINT และ IPROBE จากภาพ ง.12
ภาพ ง.14 netlist ของตัวอย่าง ง.2

286
ภาพ ง.15 แสดงไฟล์ผลลัพธ์จาก OrCAD PSpice ของตัวอย่าง ง.2
ภาพ ง.15 ไฟล์ผลลัพธ์ของตัวอย่าง ง.2
ตัวอย่าง ง.3 พล๊อตกราฟ I1 และ I2 จากวงจรดังภาพ ง.16 ถ้าแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้ากวาดจาก 2 – 10 V

2k 4Vx
 Vx 
I1 I2 6k
4 k
2  10V

วิธีทา วางอุปกรณ์ตามภาพ ง.16 พร้อมทั้งแก้ไขชื่อและขนาดของแต่ละอุปกรณ์ โดยแหล่งจ่าย VCVS (E1)
ทาการกาหนดอัตราขยาย (gain) เท่ากับ 4 ในช่อง GAIN = ในหน้าต่าง PartName คลิก Save Attr แล้วคลิก
OK กาหนดค่าการกวาดแรงดันของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า V1 โดยคลิก Analysis/Setup กาหนดค่าเริ่มต้น 2
ค่าสิ้นสุด 10 และเพิ่มขึ้นครั้งละ 0.5
คลิก Analysis/Simulate จะปรากฏหน้าต่าง OrCAD PSpice ขึ้นมา คลิก Trace/Add คลิก I(R1)
และ I(R3)
287
ภาพ ง.17 Schematics ของวงจรตามภาพ ง.16
I2
I1
ภาพ ง.18 I1 และ I2 จากการกวาด V1 จากวงจรตามภาพ ง.16
ง.3 การวิเคราะห์ทรานเชี้ยนท์
การวิเคราะห์ทรานเชี้ยนท์ (Transient Analysis) เป็นการทดสอบผลตอบสนองต่อรูปคลื่นแรงดัน
หรือกระแสไฟฟ้าชั่วขณะในวงจรเปรียบเทียบกับเวลา ใช้สาหรับการแก้ปัญหาสมการเชิงอนุพันธ์ (differential
equations) ของวงจรซึ่งเป็นผลตอบสนองของแรงดันหรือกระแสไฟฟ้าเปรียบเทียบกับเวลา โดยทั่วไปหาได้
จากวิเคราะห์ฟูเรียร์ การวิเคราะห์ทรานเชี้ยนท์โดยใช้ PSpice มี 3 ขั้นตอน ดังนี้ 1) วาดภาพวงจร 2) กาหนด
เงื่อนไขการจาลองเหตุการณ์ และ 3) จาลองเหตุการณ์ของวงจร
288
ขั้นตอนที่ 1 วาดภาพวงจร
การวิเคราะห์ทรานเซี้ยนท์ในวงจร ขั้นตอนแรก คือ การวาดภาพวงจรลงใน Schematics และกาหนด
คุณลักษณะของแหล่งจ่ายไฟฟ้าในวงจร โปรแกรม PSpice รองรับฟังก์ชันทางเวลารูปแบบต่าง ๆ ที่คอบคลุม
การวิเคราะห์ทรานเซี้ยนท์ แหล่งจ่ายไฟฟ้าที่ใช้ในการวิเคราะห์ทรานเซี้ยน เช่น
VSIN, ISIN สาหรับการวิเคราะห์ผลตอบสนองจากการหน่วงเวลา (damped) แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า
หรือแรงดันไฟฟ้ารูปคลื่นไซน์ที่ถูกหน่วงเวลา ตัวอย่างเช่น v (t )  10e0.2t sin(120 t  60)
VPULSE, IPULSE สาหรับการวิเคราะห์ผลตอบสนองจากพัลส์ (pulse) แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าหรือ
แรงดันไฟฟ้า
VEXP, IEXP: สาหรับการวิเคราะห์ผลตอบสนองจากแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าหรือแรงดันไฟฟ้าแบบ
เอกซ์โพเนนเชียล (exponential)
VPWL, IPWL: สาหรับการวิเคราะห์ผลตอบสนองจากแหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าหรือแรงดันไฟฟ้าเชิงเส้น
แบบต่อเนื่องเป็นช่วง (piecewise)
ตัวอย่างการกาหนดคุณลักษณะแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า แสดงดังนี้
VSIN ของฟั งก์ ชั น v (t )  V0  Vme  ( t t d ) sin[ 2 f (t  td )   ) ก าหนดคุ ณ ลั ก ษณะ
ของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า VSIN โดย DCLICKL สัญลักษณ์ของ VSIN บนหน้าต่าง Schematics แล้วกาหนด
คุณลักษณะในหน้าต่าง PartName ดังนี้
ภาพ ง.19 การกาหนดคุณลักษณะของแหล่งจ่าย VSIN ในหน้าต่าง PartName

VOFF = กาหนดค่า Offset voltage, V0
VAMPL = กาหนดค่า Amplitude, Vm
TD = กาหนดค่า time delay ในหน่วย s, td
FREQ = กาหนดค่า frequency ในหน่วย Hz, f
289
DF = กาหนดค่า Damping factor (dimensioness), 

PHASE = กาหนดค่า Phase ในหน่วย degree, 
ค่าเริ่ม ต้น ของ TD, DF และ PHASE โปรแกรมจะกาหนดให้ เป็ น 0 ในการวิเคราะห์ ทรานเซี้ ยนท์
สามารถกาหนดค่าให้เป็นไปตามที่ต้องการจะวิเคราะห์ผลตอบสนองของวงจรได้
แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า ISIN สามารถกาหนดคุณลักษณะได้ด้วยวิธีเดียวกับแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า
VSIN
VAMPL
TD
1/FREQ
VOFF
ภาพ ง.20 รูปคลื่นแรงดัน VSIN ตามที่กาหนดคุณลักษณะดังภาพ ง.19

คุณลักษณะของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า VPULSE มีดังนี้
V1 = กาหนดค่าแรงดันต่า Low voltage
V2 = กาหนดค่าแรงดันสูง High voltage
TD = กาหนดค่า Initial time delay ในหน่วย seconds
TR = กาหนดค่า Rise time ในหน่วย seconds
TF = กาหนดค่า Fall time ในหน่วย seconds
PW = กาหนดค่า Pulse width ในหน่วย seconds
PER = กาหนดค่า Period ในหน่วย seconds
290
ภาพ ง.21 การกาหนดคุณลักษณะของแหล่งจ่าย VPULSE ในหน้าต่าง PartName
TR PW TF
TD PER V2
V1
ภาพ ง.22 รูปคลื่นแรงดัน VPULSE ตามที่กาหนดคุณลักษณะดังภาพ ง.21

คุณลักษณะของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า VEXP มีดังนี้
V1 = กาหนดค่า Initial voltage
V2 = กาหนดค่า Final voltage
TD1 = กาหนดค่า Rise delay ในหน่วย seconds
TC1 = กาหนดค่า Rise time constant ในหน่วย seconds
TD2 = กาหนดค่า Fall delay ในหน่วย seconds
TC2 = กาหนดค่า Fall time ในหน่วย seconds
291
ภาพ ง.23 การกาหนดคุณลักษณะของแหล่งจ่าย VEXP ในหน้าต่าง PartName
TC1
V2 TC2
TD2
TD1
V1
ภาพ ง.24 รูปคลื่นแรงดัน VEXP ตามที่กาหนดคุณลักษณะดังภาพ ง.23

แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าแบบ piecewise linear (VPWL) จะต้องกาหนดคุณลักษณะของ TN และ VN
โดยที่ VN คือ ค่าแรงดันไฟฟ้าที่เวลา TN เมื่อ N = 1, 2,…, 10 ตัวอย่างดังภาพ ง.26 คือ T1 = 0, V1 = 0, T2 =
2, V2 = 4, T3 = 6, V3 = 4, T4 = 8, V4 = -2 และ T5 = 10, V4 = -2
292
ภาพ ง.25 การกาหนดคุณลักษณะของแหล่งจ่าย VPWL ในหน้าต่าง PartName
ภาพ ง.26 รูปคลื่นแรงดัน VPWL ตามที่กาหนดคุณลักษณะดังภาพ ง.25

นอกจากการกาหนดคุณลักษณะของแหล่งจ่าไฟฟ้าในวงจรแล้ว การวิเคราะห์ทรานเซี้ยนท์อาจมีการ
กาหนดค่าเริ่มต้น (initial condition) ของตัวเก็บประจุและตัวเหนี่ยวนาในวงจร ซึ่งการกาหนดดังกล่าวสามารถ
กาหนดได้โดย DCLICKL ที่ สั ญ ลั ก ษณ์ ของอุ ปกรณ์ บ นหน้ าต่าง Schematics คลิ ก IC = และพิ ม พ์ ค่า initial
condition แล้วคลิก Save Attr และ OK ตามลาดับ
การกาหนดเวลาการปิด หรือเปิดวงจรของสวิตช์ในวงจร (อุปกรณ์ชื่อ Sw_tClose และ Sw_tOpen)
สามารถกาหนดได้ด้วยวิธีเดียวกัน โดยกาหนดเวลาใน tClose = และ tOpen = ตามลาดับ
293
ขั้นตอนที่ 2 กาหนดเงื่อนไขการจาลองเหตุการณ์
หลังจากวาดภาพวงจรและกาหนดคุณลักษณะของแหล่งจ่ายทางไฟฟ้าในวงจรเรียบร้อยแล้ว ขั้นตอนถัด
มา คือ การกาหนดเงื่อนไขในการจาลองเหตุการณ์สาหรับการวิเคราะห์ทรานเซี้ยนท์ของวงจร
ตัวอย่ างเช่น ต้องการจ าลองเหตุการณ์ ของวงจรในช่วงเวลา 0 ถึง 10 ms และแสดงผลทุก ๆ 2 ns
สามารถกาหนดเงื่อนไขได้ดังนี้
1. คลิก Analysis/Setup/Transient เพื่อเปิดหน้าต่าง Transient Analysis
2. CLICKL ช่องว่าง Print Step และพิมพ์ 2 ns
3. CLICKL ช่องว่าง Final Time และพิมพ์ 10 ms
4. CLICKL ช่องว่าง Step Ceiling และพิมพ์ 5 s
5. CLICKL OK/Close เพื่อปิดหน้าต่าง Transient Analysis ดังภาพ ง.27
ภาพ ง.27 การกาหนดเงื่อนไขการวิเคราะห์ทรานเซี้ยนท์

ขั้นตอนที่ 3 จาลองเหตุการณ์ของวงจร
หลั งจากก าหนดเงื่อ นไขการจ าลองเหตุ ก ารณ์ ในวงจรเรี ย บร้อ ยแล้ ว ขั้ น ตอนถั ด มา คื อ จ าลอง
เหตุการณ์ของวงจร การวิเคราะห์ ผลตอบสนองทรานเซี้ยนท์ของวงจรทาได้โดย คลิก Analysis/Simulate
จากนั้น Schematics จะสร้าง netlist ขึ้นมาถ้าไม่มีข้อผิดพลาด โปรแกรม PSpice จะถูกเปิดขึ้นโดยอัตโนมัติ
ถ้ามี ข้อผิ ดพลาด netlis จะแสดงข้อผิ ดพลาดขึ้น เมื่อ แก้ไขแล้ ว เสร็ จ PSpice จะส่ งข้อมู ล ไปยังโปรแกรม
294
OrCAD PSpice หน้าต่าง OrCAD PSpice จะแสดงกราฟขึ้น ซึ่งแกน x จะแสดงค่าในช่วงตั้งแต่ t = 0 ถึง t =

Final Time ตามที่กาหนดไว้ในขั้นตอนที่ 2 ส่วนแกน y จะไม่มีข้อมูลใด ๆ ในขั้นตอนนี้จะต้องกาหนดสิ่งที่
ต้ องการให้ OrCAD PSpice แสดง โดยคลิ ก Trace/Add บน Orcad PSpice เมนู เพื่ อ เปิ ด หน้ าต่ าง Add
Traces ส าหรั บ คลิ ก เลื อกผลตอบสนองของวงจรที่ ส นใจ แล้ วคลิ ก OK เพื่ อแสดงผลบนหน้ าต่าง Orcad
PSpice ถ้าต้องการให้แสดงผลในหน้าต่างใหม่ ให้คลิก Window/New ในกรณีที่ต้องการลบเส้นกราฟ ให้คลิก
ที่ชื่อ trace แล้วคลิก Edit/Delete (หรือกดปุ่ม Delete)
วิ ธี ก ารก าหนดการแสดผลสามารถก าหนดได้ จ ากหน้ า ต่ าง Schematics โดยคลิ ก Markers ซึ่ ง
สามารถเลือกได้ทั้ง Voltage Markers และ Current Markers
Voltage Markers ใช้ในกรณีที่ต้องการทราบค่าแรงดันโนดเทียบกับกราวนด์ ส่วน Current Markers
ใช้ในกรณีที่ต้องการทราบค่ากระแสที่ไหลผ่านอุปกรณ์ในวงจร การวาง Voltage Markers ที่โนดทาได้โดย
1. คลิก Markers คลิก Mark Voltage/Level
2. DRAG voltage marker ไปยังโนดที่สนใจ
3. CLICKL เพื่อวาง marker และ CLICKR เพื่อสิ้นสุดการวาง marker
การวาง Current Markers ที่ขาของอุปกรณ์ทาได้โดย
1. คลิก Markers คลิก Mark current into pin
2. DRAG current marker ไปยังขาของอุปกรณ์ที่สนใจ
3. CLICKL เพื่อวาง marker และ CLICKR เพื่อสิ้นสุดการวาง marker
ในกรณีที่ต้องการลบ marker ทาได้โดยคลิก Markers/Clear All บนเมนูของหน้าต่าง Schematics
ตัวอย่าง ง.4 กาหนดให้ I0 = 10 A จงพล๊อตผลตอบสนองของวงจรปราศจากแหล่งจ่าย i(t) ในวงจรดังภาพ

ง.28 เมื่อ 0 < t < 4s โดยใช้ PSpice
4
i (t)
0 .5 H 2
3i

295
วิธีทา จากวงจร RL ปราศจากแหล่งจ่ายจะได้ i (t )  10e( 2 / 3 ) t และจากวงจรดังภาพ ง.28 สามารถวาด

วงจรลงบน Schematics จะได้ดังภาพ ง.29 โดยกาหนดค่าแหล่ งจ่าย H1 (CCVS) GAIN = 3 และค่า initial
condition ของ L1 IC = 10 ที่หน้าต่าง Analysis/Setup/Transient กาหนด Print Step = 0.25 s และ Final
Time = 4 s ซึ่งจะได้ผลตอบสนองของวงจร หรือผลการวิเคราะห์ทรานเซี้ยนท์ ดังภาพ ง.30
ภาพ ง.30 ผลการวิเคราะห์ทรานเซี้ยนท์ของวงจรตามภาพ ง.29

296
ตัวอย่าง ง.5 จงพล๊อตผลตอบสนองของวงจร v0(t) ในวงจรดังภาพ ง.31 (ก) ถ้ามีแหล่งจ่ายแรงดันตามภาพ

ง.31(ข) เมื่อ 0 < t < 5s โดยใช้ PSpice
1
10 k 2 30 mH 3 vs (t)(V)
12

50 F
vs 20k vo

0 t (s)
1 2 3
(ก) (ข)

วิธีทา vs จากวงจรดังภาพ ง.31 เป็นแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าแบบ piecewise linear (VPWL) กาหนด TN และ
VN ดังนี้ T1 = 0, V1 = 0, T2 = 1n, V2 = 12,
T3 = 1, V3 = 12, T4 = 1.001, V4 = 0,
T5 = 2, V5 = 0, T6 = 2.001, V6 = 12,
T7 = 3, V7 = 12 และ T8 = 3.001, V8 = 0
ที่หน้าต่าง Analysis/Setup/Transient กาหนด Print Step = 0.2 s และ Final Time = 5 s
จากวงจรดังภาพ ง.31(ก) สามารถวาดวงจรลงบน Schematics จะได้ดังภาพ ง.32
ภาพ ง.32 Schematics ของวงจรตามภาพ ง.31(ก)

ผลตอบสนอง vo(t) เปรียบเทียบกับรูปคลื่นแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่าย vs จะได้ดังภาพ ง.33
297
vs
vo
ภาพ ง.33 ผลตอบสนอง vo(t) เปรียบเทียบกับรูปคลื่นแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่าย vs

ง.4 การวิเคราะห์เฟสเซอร์และผลตอบสนองเชิงความถี่
PSpice สามารถวิเคราะห์การกวาดกระแสสลับ (AC sweep) ได้ เช่นเดียวกับการกวาดกระแสตรง
(DC sweep) โดยสามารถวิเคราะห์ได้ทั้งวงจรความถี่เดียว หรือแบบย่านความถี่ อีกทั้งสามารถกาหนดการ
เพิ่มความถี่ได้อย่างหลากหลาย PSpice สามารถคานวณแรงดันและกระแสไฟฟ้าได้ตลอดช่วงความถี่กวาด
การกวาดกระแสสลับสามารถใช้ในการวิเคราะห์เฟสเซอร์ (Phasor analysis) และการวิเคราะห์ผลตอบสนอง
เชิงความถี่ (Frequency response) โดยแสดงผลลัพธ์เป็น Bode gain และ phase plots.
ทรานเซี้ยนท์เป็นการวิเคราะห์ในโดเมนเวลา ส่วนการกวาดกระแสสลับเป็นการวิเคราะห์ในโดเมน
ความถี่ ตัวอย่างคือ ถ้า vs = 10cos (377t + 40o) การวิเคราะห์ทรานเซี้ยนท์จะแสดง vs ในฟังก์ชันของเวลา
ในขณะที่การกวาดกระแสสลับจะแสดงขนาด คือ 10 และเฟส คือ 40o ขั้นตอนวิเคราะห์การกวาดกระแสสลับ
มี 3 ขั้น ตอนเช่น เดียวกับ การวิเคราะห์ ทรานเซี้ยนท์ ดังนี้ 1) วาดภาพวงจร 2) กาหนดเงื่อนไขการจาลอง
เหตุการณ์ และ 3) จาลองเหตุการณ์ของวงจร
ขัน้ ตอนที่ 1 วาดภาพวงจร
ขั้นตอนแรก คือ การวาดภาพวงจรลงใน Schematics และกาหนดคุณลักษณะของแหล่งจ่ายไฟฟ้าใน
วงจร แหล่งจ่ายที่ใช้สาหรับการกวาดกระแสสลับ คือ VAC และ IAC ในแต่ละแหล่งจ่ายอิสระจะต้องกาหนดทั้ง
ขนาดและเฟส
ขั้นตอนที่ 2 กาหนดเงื่อนไขการจาลองเหตุการณ์
ก่อนจะจาลองเหตุการณ์ของวงจรจะต้องกาหนดคุณลักษณะสาหรับการกวาดกระแสสลับเสียก่อน เช่น
ในกรณีที่ต้องการให้กวาดแบบเชิงเส้นที่ความถี่ 50 100 และ 150 Hz การกาหนดพารามิเตอร์ทาได้ ดังนี้
298
1. คลิก Analysis/Setup/AC Sweep เพื่อเปิดหน้าต่าง AC Sweep

2. CLICKL Linear สาหรับแกน X คลิก linear scale
3. พิมพ์ 3 ในช่อง Total Pts
4. พิมพ์ 50 ในช่อง Start Freq
5. พิมพ์ 150 ในช่อง End Freq
6. CLICKL OK/Close เพื่อปิดหน้าต่าง AC Sweep
การวิเคราะห์แบบ Octave และแบบ Decade ทาได้เช่นเดียวกับแบบ Linear หรือเชิงเส้น พึงระวัง
ช่วงความถี่ในการกวาดด้วย เนื่องจากที่ความถี่ 0 Hz จะไม่สามารถวิเคราะห์ได้เนื่องจากวงจรจะอยู่ในสถาณะ
วงจรไฟฟ้ากระแสตรง
ขั้นตอนที่ 3 จาลองเหตุการณ์ของวงจร
หลังจากการกาหนดเงื่อนไขการจาลองเหตุการณ์และบันทึกวงจรเป็นที่เรียบร้อยแล้ว ขั้นตอนถัดมา
คือการจาลองเหตุการณ์การกวาดกระแสสลับในวงจร โดยคลิก Analysis/Simulate ถ้าไม่มี error วงจรจะถูก
จาลองเหตุการณ์ตามที่กาหนดไว้ในขั้นตอนที่ 2 เมื่อการจาลองเหตุการณ์แล้วเสร็จ PSpice จะแสดงผลลัพธ์
ของวงจรขึ้น มา (ไฟล์น ามสกุล .out) และที่หน้าต่าง OCAD PSpice จะแสดงกราฟขึ้น ซึ่งแกน x จะแสดง
ค่าความถี่ในช่วงที่กาหนดให้ทาการกวาด ตามที่กาหนดไว้ในขั้นตอนที่ 2 ส่วนแกน y จะไม่มีข้อมูลใด ๆ ใน
ขั้น ตอนนี้ จ ะต้อ งกาหนดสิ่ งที่ ต้องการให้ OrCAD PSpice แสดง โดยคลิ ก Trace/Add บน Orcad PSpice
เมนู เพื่ อ เปิ ด หน้ าต่ าง Add Traces ส าหรั บ คลิ ก เลื อ กผลตอบสนองของวงจรที่ ส นใจ แล้ ว คลิ ก OK เพื่ อ
แสดงผลบนหน้ า ต่ าง Orcad PSpice วิ ธี ก ารแสดงผลที่ นิ ย มใช้ คื อ ใช้ markers โดยสามารถเลื อ กได้ ทั้ ง
Voltage makers และ/หรื อ Current markers เช่ น เดี ย วกั บ การวิ เคราะห์ ท รานเซี้ ย นท์ และส าหรั บ
advanced markers เช่ น vdb, idb, vphase, iphase, vreal และ ireal ท าได้ โ ดยคลิ ก Markers/Mark
Advanced... บนเมนูของ Schematics
ในกรณีที่ผลการพล๊อต trace ยังไม่เพียงพอต่อการวิเคราะห์ จะสามารถเพิ่มข้อมูลให้กับ trace ได้
โดยคลิก Tools/Options/Mark Data Points/OK บนเมนูของ Orcad PSpice จุดข้อมูลบน trace ก็จะเพิ่ม
ขึ้นมา หรืออาจจะทาการเพิ่มจานวนผลลัพธ์ได้โดยการกาหนดในจานวน Total Pts ใน Analysis/Setup/AC
Sweep และ Noise Analysis ในหน้าต่าง AC sweep ก็ได้
การวิเคราะห์แบบ Bode plots ผลลัพธ์ที่ได้จะแยกส่วนกันระหว่างขนาดและเฟสเปรียบเทียบกับ
ความถี่กวาดที่กาหนด การวิเคราะห์ Bode plots เบื้องต้นจะใช้แหล่งจ่ายไฟฟ้ากระแสสลั บ เช่น V1 จะ
หมายถึง ขนาดเท่ากับ 1 และเฟสเท่ากับ 0 หลังจากคลิก Analysis/Simulate แล้ว Orcad PSpice จะทา
การจาลองเหตุการณ์ในวงจรและจะแสดงผลลัพธ์ออกมาทั้งขนาดและมุมเฟสเปรียบเทียบกับความถี่กวาดที่
กาหนด ตัวอย่างเช่น หากต้องการแสดงผล Bode magnitude plot ของ V(4) จะทาได้โดยคลิก Trace/Add
299
และพิมพ์ dB(V(4)) ในช่อง Trace Command ซึ่ง dB(V(4)) จะเท่ากับ 20log(V(4)) แต่ในที่นี้ขนาดของ V1
หรือ V(R1:1) เท่ากับ 1 ฉะนั้น dB(V(4)) จะได้จาก dB(V(4)/V(R1:1)) ซึ่งคือ gain หรืออัตราขยาย การเพิ่ม
trace dB(V(4)) จะได้ผลลัพธ์ของ Bode magnitude/gain plot โดยที่แกน Y จะแสดงในหน่วย dB
การแสดงผลลัพธ์อีกวิธีหนึ่งทาได้โดยใช้ Pseudocomponents ซึ่งจะแสดงผลลัพธ์ไปที่ output file
(ไฟล์นามสกุล .out) Pseudocomponents คืออุปกรณ์ที่อยู่ในหน้าต่าง Schematics มีหน้าที่เช่นเดียวกับ
VIEWPOINT และ IPROBE ในการวิเคราะห์การกวาดกระแสตรง อุปกรณ์ Pseudocomponents ที่ส าคัญ
แสดงดั ง ภาพ ง.34 และค าอธิ บ ายของ Pseudocomponents แต่ ล ะตั ว แสดงดั ง ตาราง ง.1 การวาง
Pseudocomponents ท า ไ ด้ โ ด ย ค ลิ ก Draw/Get New Parts บ น ห น้ า ต่ า ง Schematics เลื อ ก
pseudocomponent และวางในตาแหน่งที่ต้องการ จากนั้นทาการกาหนดเงื่อนไขการจาลองเหตุการณ์ ถ้าไม่
มี error แรงดัน และ/หรือ กระแสไฟฟ้าที่กาหนดใน pseudocomponents จะถูกบันทึกลงใน output file
ซึ่งจะสามารถดูผลลัพธ์ได้โดยคลิก Analysis/Examine Output ในหน้าต่างของ Schematics
(ก) (ข) (ค) (ง)

ภาพ ง.34 อุปกรณ์ Pseudocomponents
(ก) VPRINT1 PRINTDGTLCHG (ข) VPRINT2 IPRINT (ค) VPLOT1 (ง) VPLOT IPLOT
ตาราง ง.1 คาอธิบายของ Pseudocomponents
ชื่อ คาอธิบาย
IPLOT ใช้สาหรับพล๊อตค่ากระแสที่กิ่ง จะต้องวางสัญลักษณ์อนุกรมกับองค์ประกอบที่สนใจ
IPRINT ใช้สาหรับแสดงตารางกระแสที่กิ่ง จะต้องวางสัญลักษณ์อนุกรมกับองค์ประกอบที่สนใจ
VPLOT1 ใช้สาหรับพล๊อตแรงดันที่โนด จะต้องวางสัญลักษณ์ที่โนดที่สนใจ
VPLOT2 ใช้สาหรับพล๊อตค่าความต่างศักย์ระหว่างจุด 2 จุดที่สนใจ ที่สัญลักษณ์ต่ออยู่
VPRINT1 ใช้สาหรับแสดงตารางแรงดันโนดที่สัญลักษณ์ต่ออยู่
VPRINT2 ใช้สาหรับแสดงตารางความต่างศักย์ระหว่างจุด 2 จุดที่สนใจ ที่สัญลักษณ์ต่ออยู่
300
ตัวอย่าง ง.6 จงหากระแสไฟฟ้า i จากวงจรดังภาพ ง.35 โดยใช้ PSpice

5cos2t A
1
2 2 0 .5 H 3
i
0.25F 4
20sin2t V 2i

วิธีทา จาก v (t )  Vm cos t  v 
ฉะนั้น v (t )  20 sin2t  20 cos(2t  90)
และ   2 f  f   / 2  f  2 / 2  0.31831
ดังนั้น Schematics ของภาพ ง.35 แลดงดังภาพ ง.36 จะกาหนด ค่าต่าง ๆ ดังนี้
V1 : ACMAG = 20, ACPHASE = -90
I1 : ACMAG = 5, ACPHASE = 0
CCCS : GAIN = 2
IPRINT : AC = yes, MAG = yes, PHASE = ok, REAL =, IMAG =
ACMAG = 5
ACPHASE = 0
AC = yes
MAG = yes
PHASE = ok
ACMAG = 20 GAIN = 2
ACPHASE = -90

301
กาหนดเงื่อนไขการจ าลองเหตุการณ์ โดย คลิ ก Analysis/Setup/AC sweep และกาหนด Total Pts = 1,

Start Freq = 0.3181, Final Freq = 0.3181 แล้วบันทึกวงจรและเงื่อนไขการจาลองเหตุการณ์
FREQ IM(V_PRINT7) IP(V_PRINT7)
3.183E-01 7.906E+00 4.349E+01
จาก output file จะได้ I  7.90643.49 A หรือ i (t )  7.906cos(2t  43.49) A
ตัวอย่าง ง.7 จากวงจร RC ดังภาพ ง.37 จงหา Magnitude plot ของ vo ที่ความถี่ 1Hz – 10kHz โดยใช้
PSpice
1k 

v i (t ) 4F vo (t)


วิธีทา Schematics ของวงจรตามภาพ ง.37 แสดงดังภาพ ง.38 กาหนดให้ V1:ACMAG = 1, ACPHASE = 0
ACMAG = 1
ACPHASE = 0

กาหนดการพล๊อต 10 point per decade กาหนดการกวาดกระแสสลับโดย กาหนดเงื่อนไข AC sweep โดย
คลิก Analysis/Setup/AC Sweep เลือก AC sweep type แบบ Decade และพิมพ์ 10 ในช่อง Pts/Decade
พิ ม พ์ 1 ใน ช่ อ ง Start Freq แ ล ะพิ ม พ์ 10k ใน ช่ อง Final Freq บั น ทึ ก Schematics จาก นั้ น ค ลิ ก
Analysis/Simulate จะปรากฏหน้ า ต่ า ง Orcad PSpice menu ดั ง ภาพ ง.39 (ก) ซึ่ ง ได้ จ ากการคลิ ก
Traces/Add และคลิก V(2) (พิจารณาแรงดันที่โนด 2) จากนั้นคลิก Trace/Add และพิมพ์ dB(V(2)) ในช่อง
Trace Command จะได้ Bode plot ดังภาพ ง.39 (ข) จากภาพ ง.39 (ก) และ (ข) แสดงให้เห็นว่า วงจรตาม
ภาพ ง.37 เป็นวงจร lowpass filter ซึ่งยอมให้ความถี่ต่าผ่านและไม่ยอมให้ความถี่สูงผ่าน
302
(ก)
(ข)
ภาพ ง.39 (ก) linear plot และ (ข) Bode plot
303
ภาคผนวก จ
MATLAB
จ.1 บทนา
MATLAB มี ที่ มาจาก ค าว่ า MATrix LABoratory เป็ น โปรแกรมคอมพิ วเตอร์ ส าเร็ จ รู ป มี
ความสามารถในการวิเคราะห์เมทริกซ์ และเวกเตอร์ รวมถึงงานทางด้านวิทยาศาสตร์และวิศวกรรมแขนงอื่น ๆ
อย่างกว้างขวาง ในภาคผนวกนี้นาเสนอการใช้ MATLAB ในส่วนที่เกี่ยวข้องกับ หนังสือเล่มนี้เท่านั้น สาหรับ
การใช้ MATLAB ในงานด้านต่าง ๆ สามารถศึกษาเพิ่มเติมได้จากคู่มือการใช้งานของ MATLAB หรือหาข้อมูล
เพิ่มเติมได้ทางออนไลน์จาก http://www.mathworks.com/help/matlab/
จ.2 MATLAB มูลฐาน
Command Window เป็ นพื้น ที่ส าหรับ ป้อนชุดคาสั่ง ต่าง ๆ เพื่อให้ MATLAB คานวณหรือทางาน
ตามคาสั่งนั้น และจะแสดงผลการคานวณออกมาบนหน้าต่างนี้ MATLAB มีฟังก์ชันสาหรับการคานวณ และ
การพล๊อตกราฟหรือการแสดงผลบนหน้าต่าง Command Window เป็นจานวนมาก ในกรณี ที่ต้องการให้
MATLAB ทางานนอกเหนือจากฟังก์ชันที่ได้เตรียมไว้ ก็สามารถเขียนคาสั่งขึ้นมาได้ โดยใช้ text editor เพื่อ
สร้าง M-files สาหรับการคานวณค่าที่ต้องการได้ การใช้งาน MATLAB ในเบื้องต้นนี้ นาเสนอในส่วนของการ
คานวณทางคณิตศาสตร์ เป็นอันดับแรก
การใช้งาน MATLAB เป็นเครื่องคานวณ
ตัวดาเนินการทางพีชคณิตที่ใช้ใน MATLAB แสดงดังนี้
+ Addition
- Subtraction
* Multiplication
^ Exponentiation
/ Right division (a/b means a ÷ b)
\ Left division (a\b means b ÷ a)
การเริ่มต้นใช้งาน MATLAB สาหรับการดาเนินการทางพีชคณิตดังข้างต้น ทาได้โดยพิมพ์คาสั่งหลัง
“>>” ในหน้าต่าง Command window ตัวอย่างการใช้ MATLAB เป็นเครื่องคานวณ แสดงดังนี้
>> a = 2; b = 4; c = -6;
>> dat = b^2 - 4*a*c
304
dat =
64
>> e = sqrt(dat) / 10
e=
0.8000
คาสั่งในบรรทัดแรกเป็นการกาหนดค่า 2, 4 และ -6 ให้กับตัวแปร a, b และ c ตามลาดับ MATLAB
จะยังไม่ตอบสนองหรือประมวลผลเนื่องจากมีการใส่ทวิภาค (colon ;) ที่ท้ายบรรทัดคาสั่ง
คาสั่ งในบรรทั ด ที่ 2 กาหนด dat ซึ่งมีค่ าเท่ ากับ b2 – 4ac MATLAB ท าการประมวลผลและได้
คาตอบเท่ากับ 64
คาสั่งในบรรทัดสุดท้าย กาหนดให้ e เท่ากับรากที่สองของ dat และหารด้วย 10 MATLAB ทาการ
ประมวลผลและได้คาตอบเท่ากับ 0.8000
ตัวอย่างฟังก์ชันทางคณิตศาสตร์ใน MATLAB แสดงดังตาราง จ.1 สาหรับคาสั่งเพิ่มเติมสามารถค้นหา
ได้โดย พิมพ์ help หลัง “>>” ในหน้ า Command Window ตัวอย่างเช่น ถ้าต้องการค้าหาคาสั่งและการ
พิมพ์คาสั่ง determinant ทาได้โดยพิมพ์ help det MATLAB จะแสดงผลการค้นหา ดังนี้
>> help det

DET Determinant.
DET(X) is the determinant of the square matrix X.
Use COND instead of DET to test for matrix singularity.
See also cond.
Overloaded methods:
gf/det
laurmat/det
Reference page in Help browser
doc det
305
ตาราง จ.1 ตัวอย่างฟังก์ชันทางคณิตศาสตร์ใน MATLAB
Function Remark
abs(x) Absolute value or complex magnitude of x
acos, acosh(x) Inverse cosine and inverse hyperbolic cosine of x in radians
acot, acoth(x) Inverse cotangent and inverse hyperbolic cotangent of x in radians
angle(x) Phase angle (in radian) of a complex number x
asin, asinh(x) Inverse sine and inverse hyperbolic sine of x in radians
atan, atanh(x) Inverse tangent and inverse hyperbolic tangent of x in radians
conj(x) Complex conjugate of x
cos, cosh(x) Cosine and hyperbolic cosine of x in radians
cot, coth(x) Cotangent and hyperbolic cotangent of x in radians
exp(x) Exponential of x
fix Round toward zero
imag(x) Imaginary part of a complex number x
log(x) Natural logarithm of x
log2(x) Logarithm of x to base 2
log10(x) Common logarithms (base 10) of x
real(x) Real part of a complex number x
sin, sinh(x) Sine and hyperbolic sine of x in radians
sqrt(x) Square root of x
tan, tanh Tangent and hyperbolic tangent of x in radians
ตัวอย่างการใช้คาสั่งทางคณิตศาสตร์ มีดังนี้
>> 3^(log10(25.6))
>> y = 2* sin(pi/3)
>> exp(y+4-1)
306
นอกจากการคานวณทางตัวเลขแล้ว MATLAB ยังสามารถคานวณเมทริกซ์ เวคเตอร์ หรืออาร์เรย์ได้

โดยง่าย ดังนี้
>> a = [1 -3 6 10 -8 11 14];
เมื่อ a คือ เวคเตอร์แถว (row vector) ตัวอย่างเมทริกซ์ขนาด 3  3 กาหนดได้ ดังนี้
>> A = [ 1 2 3; 4 5 6; 7 8 9] จะได้
A=
[ 1 2 3
4 5 6
7 8 9]
การดาเนิ น การทางเมทริกซ์ส ามารถทาได้เช่น เดียวกับ การดาเนิน การทางคณิ ตศาสตร์ คาสั่ งการ
ดาเนินการทางเมทริกซ์แสดงดังตาราง จ.2 ตัวอย่างการดาเนินการทางเมทริกซ์ แสดงดังนี้
>> B = A’
B=
1 4 7
2 5 8
3 6 9
>> C = A + B
C=
2 6 10
6 10 14
10 14 18
>> D = A^3 - B*C
D=
372 432 492
948 1131 1314
1524 1830 2136
307
>> e = [1 2; 3 4]
e=
1 2
3 4
>> f = det(e)
f=
-2
>> g = inv(e)
g=
-2.0000 1.0000
1.5000 -0.5000
ตาราง จ.2 การดาเนินการทางเมทริกซ์
Operation Remark
A’ Finds the transpose of matrix A
det(A) Evaluates the determinant of matrix A
inv(A) Calculates the inverse of matrix A
eig(A) Determines the eigenvalues of matrix A
diag(A) Finds the diagonal elements of matrix A
>> H = eig(g)
H=
-2.6861
0.1861
เมทริกซ์พิเศษ ตัวแปร และค่าคงที่ แสดงดังตาราง จ.3 ตัวอย่างการใช้ตาสั่ง แสดงดังนี้
>> eye(3)
308
ans =
1 0 0
0 1 0
0 0 1
ซึ่งจะได้เมทริกซ์เอกลักษณ์ขนาด 3  3
ตาราง จ.3 เมทริกซ์พิเศษ ตัวแปร และค่าคงที่

Matrix, Variable, Constant Remark
eye Identity matrix
ones An array of 1s
zeros An array of 0s
i or j Imaginary unit or sqrt(-1)
pi 3.142
NaN Not a number
inf Infinity
eps A very small number, 2.2e-16
rand Random element
การพล๊อต
การพล๊ อ ตกราฟบน MATLAB ท าได้ โ ดยง่า ย เช่ น การพล๊ อ ต 2 มิ ติ ท าได้ โ ดยใช้ ค าสั่ งพล๊ อ ตซึ่ ง
ประกอบไปด้วย 2 อาร์กิวเมนต์ ดังนี้
>> plot(xdata,ydata)
โดยที่ xdata และ ydata เป็นเวคเตอร์ที่มีข้อมูลความยาวเท่ากันซึ่งต้องการจะพล๊อต
ตัวอย่างเช่น ต้องการพล๊อต y = 10*sin(2*pi*x) โดยที่ 0  x  5*pi สามารถทาได้โดยใช้คาสั่ง
ดังนี้
% x is a vector, 0 <= x <= 5*pi, increments of pi/100
% creates a vector y
% creates the plot
>> x = 0:pi/100:5*pi;
309
>> y = 10*sin(2*pi*x);
>> plot(x,y)
จากคาสั่งข้างต้น MATLAB จะพล๊อตกราฟ ดังภาพ จ.1
ภาพ จ.1 กราฟ y = 10*sin(2*pi*x) บน MATLAB

จากภาพ จ.1 MATLAB จะพล๊อตกราฟตามคาสั่งที่กาหนด ซึ่งจะแสดงสีเส้นกราฟโดยอัตโนมัติ การ
กาหนดสีของเส้นกราฟสามารถทาได้โดยใช้คาสั่งซึ่งมีรูปแบบ ดังนี้ plot(xdata, ydata, ‘color’) โดยสามารถ
กาหนดสีและลักษณะเส้นกราฟได้ตามตาราง จ.4
ตาราง จ.4 สตริงสาหรับกาหนดสีและลักษณะเส้นกราฟของ MATLAB
color line types.
y Yellow . Point
m Magenta o Circle
c Cyan x x mark
r Red + Plus
g Green - Solid
b Blue * Star
w White : Dotted
k Black –. Dashdot
–– Dashed
ตัวอย่างคาสั่ง ดังนี้ >> plot (x1, y1, ‘r’, x2, y2, ‘b’, x3,y3, ‘k’) ซึ่งจะเป็นการพล๊อตกราฟ ข้อมูล
(x1, y1) เป็นสีแดง ข้อมูล (x2, y2) เป็นสีน้าเงิน และข้อมูล (x3, y3) เป็นสีดา
ตัวอย่างคาสั่งกาหนดสีข้อมูลและลักษณะเส้น ดังนี้ >> plot (x1, y1, ‘m*’, x2, y2, ‘c--’, x3,y3,
‘wx’) ซึ่งจะเป็นการพล๊อตกราฟ ข้อมูล (x1, y1) เป็นลักษณะ * สีม่วง ข้อมูล (x2, y2) เป็นลักษณะ – สีฟ้า
และข้อมูล (x3, y3) เป็นลักษณะ x สีขาว
310
MATLAB สามารถพล๊อตกราฟในสเกลลอการิทึมได้ โดยใช้คาสั่งต่าง ๆ ดังนี้

loglog log(y) versus log(x)
semilogx y versus log(x)
semilogy log(y) versus x
การพล๊ อตกราฟ 3 มิติ ท าได้โดยใช้คาสั่ ง mesh และ meshdom (mesh domain) ตัว อย่างการ
พล๊อตกราฟ 3 มิติ แสดงดังนี้
พล๊อตกราฟ z = x*exp( - x^2 - y^2) ในช่วง -1 < x, y < 1 โดยพิมพ์คาสั่ง ดังนี้
>> xx = -1:.1:1;
>> yy = xx;
>> [x,y] = meshgrid(xx,yy);
>> z =x.*exp(-x.^2-y.^2);
>> mesh(z)
สัญลักษณ์ . (dot) ที่ x. และ y. แสดงถึงการคูณกันแบบจุดต่อจุด ผลการพล๊อต แสดงดังภาพ จ.2
ภาพ จ.2 กราฟ z = x*exp( - x^2 - y^2) บน MATLAB

การโปรแกรม MATLAB
การเขี ย นโปรแกรมบน MATLAB ท าได้ โดย คลิ ก File/New/Blank M-files หรือ กด Ctrl+N บน
หน้ าต่าง Command window เพื่ อเปิ ด หน้าต่างใหม่ใน MATLAB Editor/Debugger เรีย กสั้ น ๆ ว่า text
editor หลังจากเขียนโปรแกรมเสร็ จแล้ว ทาการบันทึ กโปรแกรม โปรแกรมที่บั นทึกจะมีนามสกุล .m ซึ่ง
เรี ย กว่ า ชื่ อ ไฟล์ .m ในที่ นี้ จ ะเรี ย กว่ า M-file เมื่ อ บั น ทึ ก M-file เสร็ จ แล้ ว ออกจากหน้ า ต่ า ง Debugger
window และกลั บ เข้าสู่ ห น้ าต่าง Command window พิ มพ์ ชื่อไฟล์ โดยไม่ ต้องมีนามสกุล .m เพื่อแสดง
ผลลัพธ์ของโปรแกรมที่เขียนขึ้น ตัวอย่าง เขียน M-file พล๊อตกราฟ 3 มิติ ตามภาพ จ.1 โดยเพิ่มชื่อกราฟและ
ชื่อแกน ในชื่อ example1.m เขียนโปรแกรมดังนี้ ดังแสดงในภาพ จ.3
311
x = 0:pi/100:5*pi; % x is a vector, 0 <= x <= 5*pi, increments of pi/100

y = 10*sin(2*pi*x); % creates a vector y
plot(x,y); % create the plot
xlabel(‘x (in radians)’); % label the x axis
ylabel(‘10*sin(2*pi*x)’); % label the y axis
title(‘A sine functions’); % title the plot
grid % add grid
ภาพ จ.3 โปรแกรม example1.m

หลังจากบันทึก M-file ในชื่อ example1.m แล้ว ออกจากหน้าต่าง text editor และพิมพ์
>> example1
ในหน้าต่าง Command window และกดปุ่ม Enter จะได้ผลลัพธ์ดังภาพ จ.4
ภาพ จ.4 กราฟ y = 10*sin(2*pi*x) จาก example1.m

312
การเขียนโปรแกรมบ่อยครั้งที่จะต้องเขียนในลักษณะตัวดาเนินการทางความสัมพันธ์และตรรกะของ
ข้อมูล ตาราง จ.5 แสดงตัวดาเนินการทางความสัมพันธ์และตรรกะสาหรับคาสั่ง for และ if ซึ่งเป็นคาสั่งใน
ลักษณะลูปหรือทาซ้าข้อมูล ซึ่งมีรูปแบบการเขียนคาสั่งโดยทั่วไปดังนี้
ตาราง จ.5 ตัวดาเนินการทางความสัมพันธ์และตรรกะ

Operator Remark
< less than
<= less than or equal
> greater than
>= greater than or equal
== equal
= not equal
& and
| or
 not
for x = array
[commands]
end
คาสั่ง if จะใช้เมื่อมีเงื่อนไขที่แน่นอน และจะต้องเป็นไปตามเงื่อนไขนั้น ก่อนที่จะดาเนินการในส่วนอื่น
ต่อไป ซึ่งมีรูปแบบการเขียนคาสั่งโดยทั่วไปดังนี้
if expression
[commands if expression is True]
else
[commands if expression is False]
end
ตัว อย่ าง ถ้ามีอาร์เรย์ y(x) และต้องการหาค่าต่าสุ ดของ y ซึ่งสั มพันธ์กับดัช นีระบุตาแหน่งของ x

สามารถเขียน M-file ได้ ดังนี้
313
% example2.m
% This program finds the minimum y value and its corresponding x index
x = [1 2 3 4 5 6 7 8 9 10]; %the nth term in y
y = [3 9 15 8 1 0 -2 4 12 5];
min1 = y(1); for k = 1:10
min2 = y(k);
if(min2 < min1)
min1 = min2;
xo = x(k);
else
min1 = min1;
end
end
diary
min1, xo
diary off
หลังจากบั นทึกโปรแกรมในชื่อ example2.m แล้ว ปิดหน้าต่าง text editor พิมพ์ >>example2
บนหน้าต่าง Command Window จะได้ค่าต่าสุดของ y คือ -2 และ 7 ซึ่งเป็นตาแหน่งของ x ซึ่งสัมพันธ์กับ
ตาแหน่งของ y
>> example2
min1 =
-2
xo =
7
ในกรณีที่ไม่สนใจดัชนีระบุตาแหน่ง จะเขียนคาสั่งได้ ดังนี้
>> min(y)
314
การแก้ปัญหาสมการเชิงเส้น
รูปของสมการเชิงเส้น แสดงดังนี้
a11 x1  a12 x 2    a1n x n  b1
a21 x1  a22 x 2    a2 n x n  b2
   
an1 x1  an2 x 2    ann x n  bn
เขียนให้อยู่ในรูปแบบเมทริกซ์ได้ ดังนี้
AX  B
a11 a12  a1n   x1  b1 
a a  a2 n  x  b 
เมื่อ A   21 22 , X   2 , B   2
      
a ann  x  b 
 n1 an2   n  n
โดยที่ A เป็นเมทริกซ์จัสตุรัส หรือเมทริกซ์สัมประสิทธิ์, X และ B เป็นเวกเตอร์ ซึ่ง X คือ เวกกเตอร์
ผลเฉลยของสมการเชิงเส้น การใช้ MATLAB แก้ปัญหาสมการเชิงเส้นดังกล่าว ทาได้ 2 วิธี ดังนี้
1. ใช้ backslash (\) หรือตัวดาเนินการหารซ้าย ดังนี้
X =A\B
2. ใช้เมทริกซ์ผกผัน ดังนี้
X = A-1B
ซึ่งใช้คาสั่งใน MATLAB ดังนี้
X = inv(A)*B
ตัวอย่าง จ.1 ใช้ MATLAB แก้ปัญหาสมการเชิงเส้นของตัวอย่าง ก.2 โดยมีเมทริกซ์ ดังนี้

 25  5  20  x1  50
 5 10  4   x 2    0 
 5  4 9   x 3   0 
วิธีทา จากสมการเชิงเส้นในรูปแบบเมทริกซ์ข้างต้น สามารถเขียนเมทริกซ์ A และเวกเตอร์ B บน MATLAB
ได้ดังนี้
315
>> A = [25 -5 -20; -5 10 -4; -5 -4 9]

A=
25 -5 -20
-5 10 -4
-5 -4 9
>> B = [50 0 0]’
B=
50
0
0
>> X = inv(A)*B
X=
29.6000
26.0000
28.0000
>> X = A\B
X=
29.6000
26.0000
28.0000
ดังนั้น จะได้ x1 = 29.6, x2 = 26 และ x3 = 28
จ.3 การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้ากระแสตรง
การวิเคราะห์ วงจรความต้านทานในไฟฟ้ากระแสตรงด้วย MATLAB โดยใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนด
และกระแสเมซ โดยทั่วไปจะต้องแก้ปัญหาสมการเชิงเส้น ซึ่งสามารถทาได้ตามที่ได้กล่าวไว้แล้วในหัวข้อที่ จ.2
และจะแสดงในตัวอย่าง จ.2 และ จ.3
316
ตัวอย่าง จ.2 ใช้ MATLAB วิเคราะห์วงจร ด้วยระเบียบวิธีแรงดันโนดจากวงจร ดังตัวอย่าง 3.2

4
i1 i1
v1 2 v2 8
v3
ix ix i2 i2
3A
i3
3A 4
2i x
0
ภาพ จ.5 สาหรับตัวอย่าง จ.2
วิธีทา จากวงจรดังภาพ จ.5 ใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนด จะได้สมการเชิงเส้น ดังนี้
 3  2  1  v1  12
 4 7  1 v 2    0 
 2  3 1  v 3   0 
หรือ AV  B
ใช้ MATLAB หาเวกเตอร์ V ได้ดังนี้

>> A=[3 -2 -1; -4 7 -1; 2 -3 1];
>> B=[12 0 0]';
>> V=inv(A)*B
V=
4.8000
2.4000
-2.4000

317
ตัวอย่าง จ.3 ใช้ MATLAB วิเคราะห์หา io ด้วยระเบียบวิธีกระแสเมซจากวงจร ดังตัวอย่าง จ.6

i1 A i2
io
i2 24 
10 
24 V 4
i1
i3 4 io
12 
วิธีทา จากวงจรดังภาพ จ.6 ใช้ระเบียบวิธีกระแสเมซ จะได้สมการเชิงเส้น ดังนี้
 11  5  6  i1  12
 5 19  2 i2    0 
  1  1 2  i3   0 
หรือ AI  B
ใช้ MATLAB หาเวกเตอร์ I ได้ดังนี้

>> A=[11 -5 -6; -5 19 -2; -1 -1 2];
>> B=[12 0 0]';
>> I=inv(A)*B
I=
2.2500
0.7500
1.5000
ดังนั้น จะได้ I1 = 2.25 A, I2 = 0.75 A และ I3 = 1.5 A โดยที่ io = i1 – i2 = 2.25 – 0.75 = 1.5 A
318
จ.4 การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้ากระแสสลับ
การวิเคราะห์วงจรไฟฟ้ากระแสตรงด้วย MATLAB โดยใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนด และกระแสเมซ การ
แก้ปัญหาสมการสามารถทาได้เช่นเดียวกับในวงจรไฟฟ้ากระแสตรง แต่เนื่องจากในวงจรไฟฟ้ากระแสสลับซึ่ง
อยู่ในโดเมนความถี่ ซึ่งจะเกี่ยวข้องกับเฟสเซอร์ห รือจานวนเชิงซ้อน ในหั วข้อนี้จะอธิบายการใช้ MATLAB
แก้ปัญหาสมการเชิงเส้นที่มีเมทริกซ์สัมประสิทธิ์และเวกเตอร์เป็นจานวนเซิงซ้อน
MATLAB แสดงจ านวนเชิงซ้อนในส่ ว นจิน ตภาพด้ว ย j หรือ i ซึ่งเท่ากับ  1 ดังนั้ น การเขียน
จานวนเชิงซ้อนใน MATLAB สามารถเขียนได้ ดังนี้ 3 - j4, 3 - j*4, 3 - i4 หรือ 3 - I*4 ฟังก์ชันเชิงซ้อนที่มีใน
MATLAB มีดังนี้
abs(A) Absolute value of magnitude of A
angle(A) Angle of A in radians
conj(A) Complex conjugate of A
imag(A) Imaginary part of A
real(A) Real part of A
มุ ม ที่ แ สดงจะมี ห น่ ว ยเป็ น เรเดี ย น ฉะนั้ น จะต้ อ งคู ณ ด้ ว ย 180/ เพื่ อ แปลงเป็ น หน่ ว ยองศา ตั ว
ดาเนิ น การ transpose (‘) ใช้ส าหรับ complex conjugate transpose และ dot-transpose (.‘) จะเป็ น
การสลับเปลี่ยน (transposes) ภายในอาร์เรย์โดยไม่ทาการสังยุค (conjugate)
ตัวอย่าง จ.4 ใช้ MATLAB วิเคราะห์หา ix ด้วยระเบียบวิธีแรงดันโนดจากวงจร ดังตัวอย่าง 10.1

10  0 .1 H
ix
20cos4t V 0 .1 F 2i x 0 .5 H
วิธีทา จากภาพ จ.7 แปลงให้อยู่ในโดเมนความถี่หรือเฟสเซอร์ ซึ่งแสดงดังภาพ จ.8
โดยที่ 20 cos 4t  200,   4

1H  jL  j 4
0.5H  jL  j 2
319
1
0.1F    j 2.5
jC
10  V1 j4  V2
Ix
20  0 V
 j 2.5  2I x j2 
  4 rad/ s
จากวงจรดังภาพ จ.7 ใช้ระเบียบวิธีแรงดันโนด จะได้เมทริกซ์ ดังนี้

1  j1.5 j 2.5  V1   20
 11 15   V2   0 
หรือ AV  B
ใช้ MATLAB หาเวกเตอร์ V ได้ดังนี้

>> A=[1+1.5j 2.5j; 11 15]
A=
1.0000 + 1.5000i 0 + 2.5000i
11.0000 15.0000
>> B=[20 0].' %note the dot-transpose
B=
20
0
>> V=inv(A)*B
V=
18.0000 + 6.0000i %V1 and V2 in Rectangular form
-13.2000 - 4.4000i
>> abs(V(1)) %Magnitude of Polar form
ans =
320
18.9737
>> angle(V(1))*180/pi %converts angle from radians to degrees
ans =
18.4349
>> abs(V(2)) %Phase of Polar form
ans =
13.9140
>> angle(V(2))*180/pi
ans =
-161.5651
>> C=V(1)/-2.5j % C = Ix
C=
-2.4000 + 7.2000i
>> abs(C)
ans =
7.5895
>> angle(C)*180/pi
ans =
108.4349
ดังนั้น V1  18.9718.43  18.97 cos(4t  18.43) V
V2  13.91  161.56  13.91cos(4t  161.56) V

V1
Ix   7.59108.4  7.59cos(4t  108.4) A
 j 2.5
321
ตัวอย่าง จ.5 ใช้ MATLAB วิเคราะห์หากระแสในสายจากระบบไฟฟ้า 3 เฟสไม่สมดุล ดังตัวอย่าง 12.10

a Ia
A
120  0  V rms
I1 j5 
120 120  Vrms n 120  120 Vrms N  j10 
Ib
c 10 
b B C
I2
Ic
วิธีทา จากภาพ จ.9 ใช้ KVL รอบเมซ I1 และ I2 จะได้เมทริกซ์ ดังนี้
10  j 5  10  I1   120 330 


  10 10  j10 I2  120 3  90
หรือ ZI  V
ใช้ MATLAB หาเวกเตอร์ I ได้ดังนี้

>> Z=[10+5j -10; -10 10-10j];
>> c1=(120*sqrt(3))*exp(j*pi*(30/180)); %exponential form
>> c2=(120*sqrt(3))*exp(j*pi*(-90/180));
>> V=[c1;c2];
>> I=inv(Z)*V
I=
56.7846 - 0.0000i
38.7846 +18.0000i
>> Ia=I(1);
322
>> Ib=I(2)-I(1);
>> Ic=-1*I(2);
>> abs(Ia)
ans =
56.7846
>> angle(Ia)*180/pi
ans =
-1.0403e-015
>> abs(Ib)
ans =
25.4558
>> angle(Ib)*180/pi
ans =
135
>> abs(Ic)
ans =
42.7580
>> angle(Ic)*180/pi
ans =
-155.1039
ดังนั้นจะได้ Ia  56.78 A Ib  25.46135 A Ic  42.75  155.1 A

323
จ.5 ผลตอบสนองเชิงความถี่
การวิเคราะห์ ผลตอบสนองเชิงความถี่ เกี่ยวข้องกับการพล๊ อตขนาด และเฟสของฟังก์ชันถ่ายโอน
(transfer function) H(s) = N(s)/D(s) ซึ่งได้จาก Bode magnitude และ phase plots ของ H(s) วิธีการ
พล๊ อ ตวิธีห นึ่ ง คื อ การสร้างชุด ข้อ มูล โดยใช้ฟั งก์ชั น for loop ส าหรับ หาค่ า s = j ตลอดช่ ว งของ  ที่
กาหนด แล้วทาการพล๊อตข้อมูลที่ได้ วิธีการพล๊อตแสดงดังหัวข้อที่ จ.2 สาหรับในหัวข้อนี้จะอธิบายการพล๊อต
ผลตอบสนองเชิงความถี่โดยใช้คาสั่ง freqs และ bode ซึ่งเป็นวิธีการพล๊อตที่สะดวกกว่าวิธีการข้างต้น การใช้
ค าสั่ ง freq และ bode จ าเป็ น จะต้ อ งก าหนดค่ า num และ den ของ H(s) เมื่ อ num และ den คื อ
สัมประสิทธิ์ของเวกเตอร์ของ numerator N(s) และ denominator D(s) ซึ่งแสดงในรูป s ยกกาลังเรียงลาดับ
ลง เช่น 5s3+18s2-7s+16 เป็นต้น รูปแบบของฟังก์ชัน bode แสดงดังนี้
bode(num, den, range);
โดยที่ range คื อ ช่ ว งความถี่ ที่ ต้ อ งการจะพล๊ อ ต ในกรณี ที่ ไม่ มี ก ารก าหนด range MATLAB จะ
กาหนดช่วงความถี่ให้โดยอัตโนมัติ range เป็นได้ทั้งเชิงเส้นและลอการิทึม ตัวอย่างเช่น 1 <  < 1000 rad/s
ที่ 50 จุดการพล๊อต กาหนดให้เป็น linear range ได้ ดังนี้
range = linspace(1,1000,50);
ส าหรั บ logarithmic range เช่ น 10-2 <  < 104 rad/s ที่ 100 จุ ด การพล๊ อ ต สามารถก าหนด
range ได้ ดังนี้
range = logspace(-2,4,100);
สาหรับรูปแบบของฟังก์ชัน freq แสดงดังนี้
hs = freqs(num, den, range);
เมื่ อ hs คื อ ผลตอบสนองเชิ ง ความถี่ (complex frequency) ซึ่ ง จ าเป็ น จะต้ อ งค านวณขนาด

(magnitude) ในหน่วยเดซิเบล (decibel: dB) ดังนี้
mag = 20*log 10(abs(hs))
และเฟสในหน่วยองศา ดังนี้
phase = angle(hs)*180/pi
แล้วทาการพล๊อต แต่ถ้าใช้ฟังชั่น bode ไม่จาเป็นจะต้องคานวณขนาดและเฟส ดังตัวอย่าง จ.6

324
ตัวอย่าง จ.6 ใช้ MATLAB หา bode plot จาก

s3
H( s)  3
s  14.8 s 2  38.1s  2554
วิธีทา จาก transfer function ที่กาหนด หา bode plot โดยใช้ฟังชัน bode และกาหนดให้ range แสดง
แบบลอการิทึมได้ ดังนี้
>> num = [1 0 0 0];
>> den = [1 14.8 38.1 2554];
>> w = logspace(-1, 3);
>> bode(num, den, w);
>> title('Bode plot for a highpass filter')
ผลการพล๊อตแสดงดังภาพ จ.10 จาก bode plot ซึ่งแสดงถึง highpass filter

อภิธานศัพท์
A Auxiliary energy sources แหล่งพลังงานเสริม เช่น
Absorbed Dose (of ionizing radiation) ปริ ม าณ เครื่ อ งก าเนิ ด ไฟฟ้ า หรื อ แหล่ ง จ่ า ยพลั ง งาน
รังสีดูดกลืน หมุนเวียนชนิดอื่น ๆ
absorbing power ดูดกลืนกาลังไฟฟ้า B
ac voltage แรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ Base unit หน่วยฐาน
Acceleration ความเร่ง Battery แบตเตอรรี่ ท าหน้ า ที่ เก็ บ สะสมพลั งงาน
Active element อ ง ค์ ป ร ะ ก อ บ แ บ บ แ อ ค ที ฟ ไฟฟ้าจากเซลล์แสงอาทิตย์
องค์ประกอบแบบไวงาน Battery แบตเตอรี่
Additivity property คุณสมบัติสภาพรวมกันได้เป็น Becquerel เบคเคอเรล หน่วยของ กัมมันตภาพรังสี
หนึ่ งในสองของคุณ สมบั ติความเป็ น เชิงเส้ น ของ binary weighted ladder โครงข่ า ยขั้ น บั น ไดถ่ ว ง
วงจร น้าหนักด้วยเลขฐานสอง
Alessandro Giuseppe Antonio Anastasio Bipolar Junction Transistor: BJT ทรานซิ ส เตอร์
Volta อ าเล ส ซ าน โด ร จู เ ซ ป เป อั น โต นิ โอ แบบรอยต่อสองขั้ว
อนาสตาซิโอ โวลตา ผู้คิดค้นแบตเตอรี่ Branch กิ่ง คือ ส่วนประกอบใด ๆ ของวงจรที่มีสอง
alternating current: ac กระแสสลับ ขั้ว
Amount of substance ปริมาณสาร C
Amount-of-substance concentration ค ว า ม Candela แคนเดลา หน่ ว ยของ ความเข้ ม ของการ
เข้มข้นเชิงปริมาณสาร ส่องสว่าง
Ampere แอมแปร์ หน่วยของ กระแสไฟฟ้า Capacitance ค่ าความจุ ไฟฟ้ า ของตั ว เก็ บ ประจุ มี
Amplifier วงจรขยายสัญญาณ หน่วยเป็น ฟารัด (Farad; F)
Andre-Marie Ampere อั ง เดร์ มารี แอมแปร์ ผู้ Capacitor ตัวเก็บประจุ
ค้ น พบความสั ม พั น ธ์ ร ะหว่ า งกระแสไฟฟ้ า และ Capacitor ตัวเก็บประจุไฟฟ้า
สนามแม่เหล็ก cascade การต่ อ ออปแอมป์ ค าสเคดกั น [เอาท์ พุ ต
Angle มุม วงจรที่ 1 ต่อ เข้ ากั บ อิน พุ ต ของวงจรที่ 2 (head
appliances อุปกรณ์ไฟฟ้า to tail)]
arc การเกิดประกายไฟ Catalytic Activity ความสามารถเร่งปฏิกิริยาเคมี
Area พื้นที่ Cathode-Ray Tube: CRT ห ล อ ด ภ า พ ล า
atom อะตอม อิเล็กตรอน
atto อัตโต มีค่าเท่ากับ 10-18 centi เซนติ มีค่าเท่ากับ 10-2
326
Charge ตัวเก็บประจุอยู่ในสถานะชาร์จหรืออัดประจุ Days of autonomy จ าน วน วั น ที่ ระบ บ PV ไม่

Charge ประจุไฟฟ้า สามารถผลิตพลังงานได้
Charles-Augustin de Coulomb ชาร์ ล -โอกุ ส แต็ ง DC Generator เครื่อ งก าเนิ ด ไฟฟ้ ากระแสตรง คื อ
เดอ กูลง ผู้คิดค้นกฎแรงระหว่างประจุไฟฟ้า เครื่องจักรกลไฟฟ้ากระแสตรงประเภทหนึ่ง ซึ่ง
Circuit Theorem ท ฤษ ฏี วงจร เป็ นท ฤษ ฎี ที่ ใช้ แปลงพลังงานกลเป็นพลังงานไฟฟ้ากระแสตรง มี
วิ เคราะห์ ว งจร โดยจะลดรู ป วงจรให้ เป็ น วงจร หน้ า ที่ ผ ลิ ต ไฟฟ้ า กระแสตรง โดยอาศั ย การ
สมมูลหรือวงจรไฟฟ้าอย่างง่าย เคลื่ อนที่ของตัว นาไฟฟ้ าที่ โรเตอร์ (rotor) (ส่ ว น
หมุ น ) เคลื่ อ นตั ว ตั ด ผ่ านสนามแม่ เหล็ ก ไฟฟ้ า ที่
close boundary ขอบเขตปิด
สเตเตอร์ (stator) (ส่วนที่อยู่กับที่) เครื่องกาเนิด
closed-loop gain อัตราขยายลู ป ปิ ด เกิ ดจากการ
ไฟฟ้ ากระแสตรงแบ่ งออกเป็น 2 ชนิด คือ ชนิ ด
ป้อนกลับแบบลบ
กระตุ้ น แยก (separately excited) และชนิ ด
common สั ญ ญาร่ ว มของทั้ ง 2 อิ น พุ ต ของออป กระตุ้ น ตั ว เอง (self-excited) และถู ก แบ่ ง ตาม
แอมป์ ลักษณะการต่อขดลวดออกเป็น 3 แบบ คือ แบบ
Conductance ค่าความน าไฟฟ้า G เป็นสัดส่วนกับ ชัน ท์ (shunt) แบบซี รีส์ (series) และแบบคอม
ค่าความต้ านทาน R หน่ ว ยเป็ น โมห์ (mho; ℧) ปาวด์ (compound) สาหรับแบบคอมปาวด์ แบ่ง
หรือซีเมนส์ (siemens; S) ออกเป็น 2 แบบ คือ แบบช๊อตชันท์ และแบบลอง
Conductor ตัวนาไฟฟ้า ชันท์
continuous voltage แรงดันไฟฟ้าต่อเนื่อง DC Motor ม อ เต อ ร์ ไ ฟ ฟ้ า ก ร ะ แ ส ต ร ง คื อ
Controlled source แหล่งจ่ายควบคุม เครื่องจักรกลไฟฟ้ากระแสตรงประเภทหนึ่ง ซึ่ง
Coulomb คูลอมบ์ หน่วยของ ประจุไฟฟ้า แปลงพลั ง งานไฟฟ้ า เป็ น พลั ง งานกล มอเตอร์
ไฟฟ้ากระแสตรงแบ่งตามลักษณะการต่อขดลวด
Cramer’s rule กฎของเครเมอร์ ดูภาคผนวก ก.
ออกเป็น 2 แบบ คือ แบบชันท์ (shunt) และแบบ
Cubic meter ลูกบาศก์เมตร หน่วยของ ปริมาตร
ซีรีส์ (series)
Current Controlled Current Source: CCCS
DC Transistor Circuit ว ง จ ร ท ร า น ซิ ส เต อ ร์
แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยกระแสไฟฟ้า
กระแสตรง
Current Controlled Voltage Source: CCVS
dc voltage แรงดันไฟฟ้ากระแสตรง
แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยกระแสไฟฟ้า
deci เดซิ มีค่าเท่ากับ 10-1
current divider วงจรแบ่งกระแสไฟฟ้า
deep cycle battery แบ ตเตอรี่ แ บ บ ดี พ ไซเคิ ล
Current source แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้า
แบ ต เต อรี่ แ บ บ ที่ มี คุ ณ ส ม บั ติ พิ เศ ษ คื อ มี
D ประสิทธิภาพในการประจุไฟฟ้า และสามารถคาย
D'Arsonval Movement Meter มิ เ ตอร์ แ บบ เข็ ม ประจุที่ระดับพลังงานต่าได้อย่างต่อเนื่อง
เคลื่อนที่ของดาร์สันวาล์
327
degree Celsius องศาเซลเซียส หน่วยของ อุณหภูมิ Electrical Conductance ความนาไฟฟ้า

องศาเซลเซียส Electrical Potential Difference ค ว า ม ต่ า ง
deka เดคา มีค่าเท่ากับ 101 ศักย์ไฟฟ้า
Density ความหนาแน่น Electricity ไฟฟ้า
Dependent source แหล่งจ่ายไม่อิสระ แหล่ งจ่าย Electromotive Force แรงเคลื่อนไฟฟ้า
พึ่งพิง electromotive force: emf แรงเคลื่อนไฟฟ้า
depth of discharge: DOD ค่ า ความลึ ก ของการ electron อิ เล็ ก ต ร อ น เป็ น ป ร ะ จุ ล บ ข น า ด
คายประจุ ของแบตเตอรี่แบบดีพไซเคิล 1.60210-19 C
Derived unit หน่วยอนุพันธ์ elektron อิเล็กตรอน ในภาษากรีก
Derives quantity ปริมาณเชิงอนุพันธ์ Energy Adjustment charge ค่าไฟฟ้าตามสูตรการ
Dielectric วัสดุฉนวน ปรับอัตราค่าไฟฟ้าโดยอัตโนมัติ หรือ ค่า Ft
Difference or differential amplifiers วงจรขยาย Energy Conservation กฎ การอนุ รั ก ษ์ พ ลั ง งาน
ผลต่าง ไฟฟ้า
digital-to-analog converter วงจรแปลงสั ญ ญาณ Energy พลังงาน
ดิจิทัลเป็นแอนะล็อก equivalent capacitor; Ceq ตัวเก็บประจุสมมูล
Diode ไดโอด อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่พัฒนาขึ้นจาก Equivalent Dose (of ionizing radiation) ปริมาณ
วัสดุสารกึ่งตัวนา นิยมใช้ในวงจรเรียกกระแส รังสีสมมูล
direct current: dc กระแสตรง exa เอกซะ มีค่าเท่ากับ 1018
Discharge ตัวเก็บประจุอยู่ในสถานะคายประจุ F
double subscript ดัชนีล่าง 2 ตัว Farad ฟาราด หน่วยของ ความจุไฟฟ้า
E feedback การป้อนกลับของสัญญาณจากเอาท์พุตสู่
Edward Lawry Norton เอ็ ด เวิ ร์ ด ลอว์ รี่ นอร์ ตั น อินพุต
วิศวกรและนักวิทยาศาสตร์ชาวอเมริกันจาก Bell femto เฟมโต มีค่าเท่ากับ 10-15
Telephone Laboratories ผู้นาเสนอทฤษฎีของ
Field Effect Transistor: FET ทรานซิสเตอร์แบบมี
นอร์ตัน เมื่อปี ค.ศ. 1926
ผลจากสนามไฟฟ้า
Electric Capacitance ความจุไฟฟ้า
Force แรง
Electric charge ประจุไฟฟ้า
Frequency ความถี่
Electric circuit วงจรไฟฟ้า
G
Electric current กระแสไฟฟ้า
Generator เครื่องกาเนิดไฟฟ้า
Electric Resistance ความต้านทานไฟฟ้า
328
George Simon Ohm จอร์จ ไซมอน โอห์ ม นักฟิ ก Input resistance; Ri ความต้านทานขาเข้าของออป
สิกส์ชาวเยอรมัน ได้ค้นพบความสัมพันธ์ระหว่าง แอมป์ในทางอุดมคติมีค่าเป็นอนันต์
กระแสไฟฟ้า และแรงดันไฟฟ้าในตัวต้านทาน instantaneous power ค่ากาลังไฟฟ้าชั่วขณะ
giga จิกะ มีค่าเท่ากับ 109 Instrumentation amplifier วงจรขยายเครื่ อ งมื อ
Gray เกรย์ หน่วยของ ปริมาณรังสีดูดกลืน วัด
Ground ดิน หรอจุดต่อลงดินของวงจร มีศักย์ไฟฟ้า Insulator วัสดุฉนวน
เป็นศูนย์ Integrated circuit: IC วงจรรวม
Gustav Robert Kirchhoff กุ ส ทาฟ โรแบร์ ท คี ร์ ช Integrator วงจรทาอินทิเกรต
ฮอฟฟ์ หรือ กุส ตาฟ เคอร์ช อฟฟ์ นั กฟิ สิกส์ ชาว International System of Units: SI Unit ร ะ บ บ
เยอรมั น ผู้ น าเสนอกฎกระแสไฟฟ้ า ของเคอร์ หน่วยวัดระหว่างประเทศ หรือ ระบบเอสไอ
ชอฟฟ์ และกฎแรงดันไฟฟ้าของเคอร์ชอฟฟ์
inverse matrix วิธีเมทริกซ์ผกผัน ดูภาคผนวก ก.
H
Inverter เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้า มีหน้าที่ แปลงรูป
Heat ความร้อน พลั ง งานไฟฟ้ า กระแสตรงที่ ไ ด้ จ ากแผลเซลล์
hector เฮกโต มีค่าเท่ากับ 102 แสงอาทิ ต ย์ หรือจากแบตเตอรี่ไปเป็ น พลั งงาน
Henry เฮนรี่ หน่วยของ ความเหนี่ยวนา ไฟฟ้ากระแสสลั บ ส าหรับจ่ายให้ กับโหลด หรื อ
Hertz เฮิรตซ์ หน่วยของ ความถี่ ป้อนเข้าสู่กริด
Homogeneity property, scaling คุณ สมบัติความ Inverting Amplifier วงจรขยายแบบกลับเฟส
เป็นหนึ่งเดียวหรือมีความเป็นสัดส่วนเป็นหนึ่งใน inverting input ขั้วอินพุตกลับเฟสของออปแอมป์
สองของคุณสมบัติความเป็นเชิงเส้นของวงจร J
Horizontal deflection plates ชุ ด เบี่ ย งเบ น ล า James Watt เจมส์ วัตต์ ผู้ปรับปรุงเครื่องจักรไอน้า
อิเล็กตรอนแนวนอน ประสิทธิภาพสูง
I Joseph Henry โจเซฟ เฮนรี่ นั ก วิท ยาศาสตร์ช าว
ideal capacitor ตัวเก็บประจุในทางอุดมคติ อเมริกัน
Illuminance ความสว่าง Joule จูล หน่วยของ พลังงาน งาน ความร้อน
Impedance อิมพีแดนซ์ K
Independent source แหล่งจ่ายอิสระ katal คาทัล หน่วยของ ความสามารถเร่งปฏิกิริยา
Inductance ค่ าค ว าม เห นี่ ย ว น าไฟ ฟ้ าข อ งตั ว เคมี
เหนี่ยวนาแม่เหล็ก มีหน่วยเป็น เฮนรี่ (Henry; H) Kelvin เคลวิน หน่วยของ อุณหภูมิ
Inductor ตัวเหนี่ยวนาแม่เหล็ก kilo กิโล มีค่าเท่ากับ 103
329
Kilogram per cubic meter กิ โลกรั ม ต่ อ ลู ก บาศก์ linear inductor ตัวเหนี่ยวนาเชิงเส้น

เมตร หน่วยของ ความหนาแน่น Linear region โหมดบริ เวณเชิ ง เส้ น อยู่ ร ะหว่ า ง
Kilogram กิโลกรัม หน่วยของ มวล โหมดการอิ่มตัวซีกบวก และโหมดการอิ่มตัวซีก
Kirchhoff’s current law ; KCL กฎกระแสไฟฟ้ า ลบ ตามความสัมพันธ์
ของเคอร์ชอฟฟ์ กล่าวว่า ผลรวมทางพีชคณิตของ linear resistor ตัวต้านทานเชิงเส้น ตัวต้านทานที่มี
ประจุไฟฟ้าในระบบจะไม่มีการเปลี่ยนแปลง หรือ ก ราฟ คุ ณ ลั ก ษ ณ ะ ข อ งก ระ แ ส ไฟ ฟ้ าแ ล ะ
ผลรวมทางพีชคณิตของกระแสไฟฟ้าที่ไหลเข้าสู่ แรงดันไฟฟ้าสอดคล้องกับกฎของโอห์ม
โนดใด ๆ (หรือในขอบเขตปิด) มีค่าเป็นศูนย์ Loop ลูป หรือวงรอบ คือ การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าของ
Kirchhoff’s voltage law ; KVL กฎแรงดั น ไฟฟ้ า กิ่งเข้าด้วยกันเป็นวงรอบปิด
ของเคอร์ชอฟฟ์ กล่าวว่า ผลรวมทางพีชคณิตของ Lumen ลูเมน หน่วยของ ฟลักซ์ส่องสว่าง
แรงดั น ไฟฟ้ าตกคร่ อ มรอบบริ เวณปิ ด (หรือ ลู ป Luminous Flux ฟลักซ์ส่องสว่าง
หรือเมซ) มีค่าเป็นศูนย์
Luminous intensity ความเข้มของการส่องสว่าง
L
Lux ลักซ์ หน่วยของ ความสว่าง
law of conservation of charge กฎการอนุ รั ก ษ์
M
ของประจุไฟฟ้า
Magnetic Field Strength ความหนาแน่ น ฟลั ก ซ์
law of conservation of charge กฎการอนุ รั ก ษ์
แม่เหล็ก
ของประจุ ไฟฟ้ า ซึ่งกล่ าวว่า “ผลรวมของประจุ
Magnetic Flux ฟลักซ์แม่เหล็ก
ไฟฟ้าในระบบจะไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ โดยที่
ประจุในระบบสามารถถ่ายโอนหรือส่งผ่านจากที่ Mass มวล
หนึ่ งไปยังอีกที่ห นึ่ งได้ แต่จะไม่ส ามารถสร้างขึ้น Material วัสดุ
หรือทาลายลงได้” Maximum Power Transfer การส่งผ่านกาลังไฟฟ้า
least significant bit, LSB บิ ต ค่ าน้ อ ย สุ ด ข อ ง สูงสุด จะเกิดขึ้นเมื่อ RL = RTh
โครงข่ายขั้นบันไดถ่วงน้าหนักด้วยเลขฐานสอง Meaning ความหมาย
Length ความยาว mega เมกะ มีค่าเท่ากับ 106
Leon Charles Thevenin ลี อ อง ชารลส์ เทิ ว นิ น Mesh Current Method with Current Source
วิ ศ วกรทางโทรเลข ชาวฝรั่ ง เศส ผู้ คิ ด ค้ น วงจร ระเบี ย บวิ ธี ก ระแสเมซในวงจรที่ ป ระกอบด้ ว ย
สมมูลของเทวินิน เมื่อปี ค.ศ. 1833 แหล่งจ่ายกระแส หรือวงจรที่มีซูเปอร์เมซ
Linear circuit วงจรเชิงเส้น ซึ่งวงจรจะเป็นเชิงเส้นก็ Mesh Current Method, mesh analysis ระเบียบ
ต่อ เมื่ อ วงจรนั้ น มี คุ ณ สมบั ติ ทั้ งคุ ณ สมบั ติ ค วาม วิธีกระแสเมซ หรือการวิเคราะห์เมซ เป็นระเบียบ
เป็นหนึ่งเดียวและคุณสมบัติสภาพรวมกันได้ วงจร วิธีพื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์ทางไฟฟ้า ซึ่งนิยาม
เชิงเส้ น จะประกอบไปด้วยองค์ป ระกอบเชิงเส้ น ก ร ะ แ ส เม ซ เป็ น ตั ว แ ป ร อิ ส ร ะ พิ จ า ร ณ า
แหล่งจ่ายอิสระ และแหล่งจ่ายไม่อิสระเชิงเส้น ความสั มพันธ์ของแรงดันไฟฟ้าในเมซ โดยใช้กฎ
330
แรงดัน ของเคอร์ชอฟฟ์ และใช้กฎของโอห์มเพื่อ negative feedback การป้อนกลับแบบลบ คือ การ

แสดงความสัมพันธ์ของกระแสภายในเมซ แล้วทา นาสัญญาณขาออกของออปแอมป์ป้อนให้กับขั้ว
การแก้สมการเพื่อหาค่ากระแสที่เมซที่สนใจ อินพุตกลับเฟสของออปแอมป์
Mesh เมซ คื อ วงรอบปิ ด หรื อ ลู ป ที่ ไม่ มี ลู ป อื่ น ๆ Negative saturation โหมดการอิ่ ม ตั ว ซี ก ลบ คื อ
ภายใน เมื่อแรงดันขาออกลดลงเรื่อย ๆ แต่จะไม่สามารถ
Meter per second Squared เมตรต่อวินาที หน่วย เพิ่มขึ้นไปมากกว่านั้นได้อีก
ของ ความเร่ง Network โครงข่าย คือ การเชื่ อ มต่ อ องค์ ป ระกอบ
Meter per second เมตรต่ อ วิ น าที ห น่ วยของ ทางไฟฟ้าเข้าด้วยกัน ซึ่งต่อได้หลายรูปลักษณะ
อัตราเร็ว ความเร็ว neutron นิวตรอน เป็นกลางทางไฟฟ้า
Meter เมตร หน่วยของ ความยาว Newton นิวตัน หน่วยของ แรง น้าหนัก
meter-kilogram-second: MKS ระบบหน่วยเมตร- Nodal Analysis, Node Voltage Method
กิโลกรัม-วินาที ระเบียบวิธีแรงดันโนด หรือการวิเคราะห์โนด เป็น
Michael Faraday ไมเคิล ฟาราเดย์ นักวิทยาศาสตร์ ระเบียบวิธีพื้นฐานสาหรับการวิเคราะห์ทางไฟฟ้า
ชาวอังกฤษ ซึ่งนิยามแรงดันโนดเป็นตัวแปรอิสระ และกาหนด
micro ไมโคร มีค่าเท่ากับ 10-6 โนดใดโนดหนึ่ ง ในวงจรให้ เป็ น โนดอ้ า งอิ ง ซึ่ ง มี
ศักย์ไฟฟ้าเป็นศูนย์ (0 V) พิจารณาความสัมพันธ์
milli มิลลิ มีค่าเท่ากับ 10-3
ของกระแสไฟฟ้าที่โนด โดยใช้กฎกระแสของเคอร์
Mole per cubic meter โมลต่ อ ลู ก บ าศก์ เ มต ร
ช อ ฟ ฟ์ แ ล ะ ใช้ ก ฎ ข อ ง โอ ห์ ม เพื่ อ แ ส ด ง
หน่วยของ ความเข้มข้นเชิงปริมาณสาร
ความสัมพันธ์ของแรงดันระหว่างโนด แล้วทาการ
Mole โมล หน่วยของ ปริมาณสาร แก้สมการเพื่อหาค่าแรงดันที่โนดที่สนใจ
most significant bit, MSB บิ ต ค่ า มากกว่ า ของ Node Voltage Method with Voltage Source
โครงข่ายขั้นบันไดถ่วงน้าหนักด้วยเลขฐานสอง ระเบี ย บ วิ ธี แ รงดั น โน ด ใน วงจ รแ ห ล่ งจ่ า ย
MPPT charge controller เครื่องควบคุมการประจุ แรงดันไฟฟ้า หรือวงจรที่มีซูเปอร์โนด
แบบ MPPT Node โนด คือ จุดเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างกิ่งสอง
Multimeter มั ล ติ มิ เตอร์ มิ เ ตอร์ ที่ ส ามารถวั ด ค่ า กิ่ง (หรือมากกว่า)
แรงดันไฟฟ้า กระแสไฟฟ้า และความต้านทานได้ nominal battery voltage ค่าแรงดันของแบตเตอรี่
Multiple ตัวคูณ noninverting amplifier วงจรขยายแบบไม่กลับเฟส
N noninverting input ขั้วอินพุตไม่กลั บเฟสของออป
Name ชื่อ แอมป์
Named units derived from SI base units nonlinear resistor ตั ว ต้ าน ท าน ไม่ เชิ งเส้ น ตั ว
หน่วยชื่อใหม่ ต้านทานที่ มีกราฟคุณ ลักษณะของกระแสไฟฟ้ า
nano นาโน มีค่าเท่ากับ 10-9 และแรงดันไฟฟ้าไม่สอดคล้องกับกฎของโอห์ม
331
Norton’s Theorem ทฤษฎี ข องนอร์ ตั น กล่ า วว่ า P

วงจรเชิ งเส้ น สามารถแปลงเป็ น วงจรสมมูล ของ panel generation factor ค่าตัวประกอบการผลิ ต
นอร์ตัน ได้ ซึ่งประกอบไปด้วยแหล่ งจ่ ายกระแส ของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ ซึ่งจะมีค่าแตกต่างกัน
นอร์ตัน IN และตัวต้านทานนอร์ตัน RN ต่อขนาน ขึ้น อยู่กับ ภูมิประเทศ ส าหรับประเทศไทย มี ค่า
กัน 3.43
nucleus นิวเคลียส Parallel ขนาน คื อ องค์ ป ระกอบ 2 ตั ว มี จุ ด ต่ อ
O ร่ ว มกั น ทั้ ง 2 โนดและมี แ รงดั น ไฟฟ้ า ตกคร่ อ ม
Off Peak ช่ ว งเวลา 22.00 - 09.00 น. วั น จั น ทร์ – เท่ากัน
วั น ศุ ก ร์ และ 00.00 - 24.00 น. วั น เสาร์ - วั น parallel-model leakage resistance ค่ า ค ว า ม
อาทิ ต ย์ วั น แรงงานแห่ ง ชาติ วั น หยุ ด ราชการ ต้านทานรั่วไหล
ตามปกติ (ไม่รวมวันพืชมงคลและวันหยุดชดเชย) Pascal พาสคาล หน่วยของ ความดัน ความเค้น
Ohm meter โอห์มมิเตอร์ มิเตอร์สาหรับวัดค่าความ Passive element อ งค์ ป ระ ก อ บ แ บ บ พ าส ซี ฟ
ต้านทาน องค์ประกอบแบบเฉื่อยงาน
Ohm โอห์ ม ห น่ ว ยของ ความต้ า นท านไฟ ฟ้ า passive sign convention ข้อ กาหนดเครื่องหมาย
อิมพีแดนซ์ รีแอคแตนซ์ แบบพาสซีฟ
On Peak ช่ ว งเวลา 09.00 - 22.00 น. วัน จั น ทร์ – peak watt: Wp กาลังไฟฟ้าสูงสุด
วันศุกร์ peta เพตะ มีค่าเท่ากับ 1015
Op-Amp ออปแอมป์ photovoltaic system, solar PV power system,
open circuit วงจรเปิด PV system ระบบผลิ ตพลั งงานไฟฟ้ าด้ว ยเซลล์
open-loop voltage gain: A คื อ อั ต ราขยายลู ป แสงอาทิตย์
เปิ ด ของออปแอมป์ ที่ ไ ม่ มี ก ารป้ อ นกลั บ ของ pico พิโค มีค่าเท่ากับ 10-12
สัญญาณจากเอาท์พุตสู่อินพุต PID controller ระบบควบคุมแบบพีไอดี หรือระบบ
Operational Amplifier โอเปอเรชั น นอล แอมพลิ ควบคุ ม แบบสั ด ส่ ว น-ปริ พั น ธ์ -อนุ พั น ธ์ โดยที่
ไฟเออร์ หรื อ Op-Amp ออปแอมป์ อุ ป กรณ์ P (proportional) หมายถึ ง การปรั บ สั ด ส่ ว น
อิเล็กทรอนิกส์ในรูปแบบวงจรรวมใช้ในวงจรขยาย สั ญ ญาณ I (integral) หมายถึ ง การอิ น ทิ เกรต
และตัวดาเนินการทางคณิตศาสตร์ สั ญ ญาณ และ D (derivative) หมายถึ ง การ
oscillate การแกว่งของสัญญาณ อนุพันธ์สัญญาณ
oscilloscope ออสซิ ล โลสโคป เครื่ อ งมื อ วั ด รู ป planar circuit วงจรระนาบ
คลื่นไฟฟ้า Positive saturation โหมดการอิ่ ม ตั ว ซี ก บวก คื อ
Output resistance; Ro ความต้านทานขาออกของ เมื่ อ แรงดั น ขาออกเพิ่ ม ขึ้ น เรื่ อ ย ๆ แต่ จ ะไม่
ออปแอมป์ในทางอุดมคติมีค่าเป็นศูนย์ สามารถเพิ่มขึ้นไปมากกว่านั้นได้อีก
332
potentiometer โพเทนชิโอมิเตอร์ ตัวต้านทานแบบ Resistivity ค่าสภาพความต้านทานของวัสดุ มีหน่วย

ปรับค่าได้ เป็น โอห์ม-เมตร
Power กาลังงาน Resistor ตัวต้านทาน
Prefix คาอุปสรรค คานาหน้า Resistor ตัวต้านทาน
Pressure ความดัน S
principle of current division ห ลั ก ก า ร แ บ่ ง Saturation การอิ่มตัว
กระแสไฟฟ้า Second วินาที หน่วยของ เวลา
principle of voltage division ห ลั ก ก า ร แ บ่ ง Semiconductor สารกึ่งตัวนา
แรงดันไฟฟ้า series charge controller type เครื่องควบคุมการ
proton โปรตอน เป็นประจุบวกขนาด 1.60210-19 ประจุแบบอนุกรม
C Series อนุกรม คือ องค์ประกอบ 2 ตัว ต่ออันดับกัน
PV array การต่อแผงเซลล์แสงอาทิตย์เข้าด้วยกัน ห รื อ มี จุ ด ต่ อ ร่ ว ม เพี ย ง โน ด เดี ย ว แ ล ะ มี
PV configuration ลั ก ษณะการต่ อ PV panel เช่ น กระแสไฟฟ้าไหลผ่านเท่ากัน
series configuration, parallel configuration Shell ชั้นวงโคจรรอบนิวเคลียส
PV module, PV panel แผงเซลล์แสงอาทิตย์ short circuit วงจรปิด หรือลัดวงจร
Q SI Base Units หน่วยฐานในระบบเอสไอ
Quantity of electricity ประจุไฟฟ้า SI Derived Units หน่วยอนุพันธ์ในระบบเอสไอ
Quantity ปริมาณ SI prefix คาอุปสรรค คานาหน้าในหน่วยเอสไอ
R Siemens ซีเมนซ์ หน่วยของ ความนาไฟฟ้า
Radian เรเดียน หน่วยของ มุม Sievert ซีเวิร์ต หน่วยของ ปริมาณรังสีสมมูล
Radiant flux ฟลักซ์การแผ่รังสี sinusoidal current กระแสไฟฟ้าที่เปลี่ยนแปลงค่า
Radioactivity (Decays per unit time) ตามเวลาหรือกระแสรูปไซน์
กัมมันตภาพรังสี Solar charge controller เครื่องควบคุม การประจุ
Rated Voltage พิกัดแรงดัน มี ห น้ าที่ ประจุ พ ลั ง งานไฟฟ้ าที่ ผ ลิ ต ได้ จ ากแผง
Reactance รีแอคแตนซ์ เซลล์แสงอาทิตย์เข้าสู่แบตเตอรี่ ในระดับแรงดัน
Reference Node โนดอ้ างอิ ง โนดที่ มี ศั ก ย์ ไฟฟ้ า ที่ และกระแสไฟฟ้ าที่ เหมาะสมเพื่ อยื ดอายุ การใช้
ทราบค่า โดยทั่วไปมีศักย์ไฟฟ้าเป็นศูนย์ งานของแบตเตอรี่
Resistance Measurement ก า ร วั ด ค่ า ค ว า ม Solid angle มุมตัน
ต้านทาน Source Modeling แบบจาลองของแหล่งจ่าย
Resistance ค่าความต้านทาน
333
Source transformation การแปลงแหล่ ง จ่ า ย ใช้ Surface-mount Device; SMD อุ ป กรณ์ ยึ ด ติ ด บน

สาหรับแปลงรูปแหล่งจ่ายแรงดันที่ต่ออนุกรมกับ พื้นผิว
ตัวต้านทาน เป็นแหล่งจ่ายกระแสที่ขนานกับตัว Surface-mount technology; SMT เทคโนโลยียึ ด
ต้านทาน และในทางตรงกันข้าม ติดอุปกรณ์กับพื้นผิว
spark การเกิดประกายไฟ Symbol สัญลักษณ์
Speed อัตราเร็ว T
Square meter ตารางเมตร หน่วยของ พื้นที่ temperature coefficient สัมประสิทธิ์ของอุณหภูมิ
stage สเตจ จานวนวงจรของออปแอมป์ ที่นาไปต่อ มีหน่วยเป็น ppm
คาสเคด Temperature relative to 273.15 K อุ ณ ห ภู มิ
stand-alone PV systems ระบบ PV แบบอิสระ องศาเซลเซียส
Steradian สเตอเรเดียน หน่วยของ มุมตัน Temperature อุณหภูมิ
Storage elements องค์ ป ระกอบประเภทสะสม tera เทระ มีค่าเท่ากับ 1012
พลังงาน Tesla เทสลา หน่ ว ยของ ความหนาแน่ น ฟลั ก ซ์
Stress ความเค้น แม่เหล็ก
Subtractor วงจรลบ Thales of Miletus เธลีส แห่ง มิเลทัส ผู้ค้นพบการ
summing amplifier วงจรขยายผลบวก สะสมของประจุไฟฟ้าบนแท่งอาพัน
Supermesh ซูเปอร์เมซ วงจรที่มีแหล่ งจ่ ายกระแส Thevenin’s theorem ทฤษฎีของเทวินิน กล่ าวว่า
ทั้งแบบอิสระและไม่อิสระ อยู่ระหว่างเมซ 2 เมซ วงจรเชิงเส้นสามารถแปลงเป็นวงจรสมมูลของเทวิ
Supernode, Generalized node ซูเปอร์โนด หรือ นินได้ ซึ่งประกอบไปด้วยแหล่งจ่ายแรงดันเทวินิน
โนดทั่วไป คือ วงจรที่มีแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า ทั้ง VTh และตัวต้านทานเทวินิน RTh ต่ออนุกรมกัน
แบบอิสระและไม่อิสระ อยู่ระหว่างแรงดันโนด 2 Three-terminal equivalent network โครงข่ า ย
โนด สมมูล 3 ขั้ว แบบวายหรือเดลตา
Superposition Theorem ทฤษฎี ก ารทั บ ซ้ อ น คื อ Time of Use Tariff: TOU Tariff อั ต ร า ต า ม
ทฤษฎี ที่ ก ล่ า วว่ า แรงดั น ไฟฟ้ า ตกคร่ อ มหรื อ ช่วงเวลาของการใช้
กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านองค์ประกอบใด ๆ ในวงจร Time เวลา
ซึ่ ง ประกอบไปด้ ว ยแหล่ ง จ่ า ยอิ ส ระหลาย ๆ Tolerance ขอบเขตความเบี่ยงเบน มีหน่วยเป็น %
แหล่ ง จ่ า ย จะเท่ า กั บ ผลรวมทางพี ช คณิ ต จาก toroidal inductor ตัวเหนี่ยวนาแกนอากาศ
ผลตอบสนองของทุกแหล่งจ่ายในวงจร
torque แรงบิด
Supply voltage; Vcc แหล่งจ่ายแรงดันไฟเลี้ยง
Transfer function H(t) อัตราส่วนระหว่างเอาท์พุต
supplying power จ่ายกาลังไฟฟ้า ต่ออินพุต y(t)/x(t) คือ ฟังก์ชันถ่ายโอน
Transistor ทรานซิสเตอร์
334
Triboelectric effect การเกิ ดประจุ ไฟฟ้ าสถิ ตจาก Voltage source แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า
การสัมผัสของวัตถุ Voltage ศักย์ไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า
U Volume ปริมาตร
Usage การใช้ประโยชน์ W
V Watt วัตต์ หน่วยของ กาลังงาน ฟลักซ์การแผ่รังสี
Valence electron วาเลนซ์อิเล็กตรอน อิเล็กตรอน Weber เวเบอร์ หน่วยของ ฟลักซ์แม่เหล็ก
ที่อยู่ในวงโคจรชั้นนอกสุดของอะตอม Weight น้าหนัก
Velocity ความเร็ว Wheatstone bridge วงจรบริดจ์แบบวีตสโตน
Vertical deflection plates ชุ ด เบี่ ย ง เ บ น ล า winding resistance ความต้านทานของลวดตัวนา
อิเล็กตรอนแนวตั้ง
Work งาน
Volt โวลต์ หน่วยของ ศักย์ไฟฟ้า แรงดันไฟฟ้า ความ
Wye-Delta Transformation การแปลงรู ป วงจร
ต่างศักย์ไฟฟ้า แรงเคลื่อนไฟฟ้า
ระหว่างแบบวายกับแบบเดลตา
Voltage Controlled Current Source: VCCS
Y
แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยแรงดันไฟฟ้า
yocto ยอกโต มีค่าเท่ากับ 10-24
Voltage Controlled Voltage Source: VCVS
yotta ยอตตะ มีค่าเท่ากับ 1024
แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่ควบคุมด้วยแรงดันไฟฟ้า
Z
voltage divider วงจรแบ่งแรงดันไฟฟ้า
zepto เซปโต มีค่าเท่ากับ 10-21
voltage follower, unity gain amplifier ว ง จ ร
ตามแรงดัน วงจรขยายที่มีเอาท์พุตเท่ากับอินพุต zetta เซตตะ มีค่าเท่ากับ 1021
ดัชนีคำค้น
A closed-loop gain 182
absorbing power 17 common 197, 198
ac voltage 15 Conductance 41
Active element 19 Conductor 34
Additivity property 135 continuous voltage 221
Alessandro Giuseppe Antonio Anastasio Controlled source 19
Volta 14 Current Controlled Current Source 20
alternating current: ac 11 Current Controlled Voltage Source 20
Ampere 11 Voltage Controlled Current Source 20
Amplifier 177 (ดู Op-Amp) Voltage Controlled Voltage Source 20
Andre-Marie Ampere 11 Coulomb 10, 216
appliances 81 Cramer’s rule 124, 255
atom 9, 10 current divider 56
Auxiliary energy sources 80 Current source 19
B D
Battery 14, 79, 81, 82, 204 D'Arsonval Movement Meter 73, 168
binary weighted ladder 204 Days of autonomy 82
Bipolar Junction Transistor: BJT 125 DC Generator 126
Branch 43, 96 DC Motor 127
C DC Transistor Circuit 125
Capacitance 5, 216 dc voltage 15, 221
Capacitor 19, 215 deep cycle battery 81
cascade 198 Dependent source 19
Cathode-Ray Tube: CRT 27 depth of discharge: DOD 82
Charge 45 Dielectric 215
Charles-Augustin de Coulomb 10 Difference or differential amplifiers 193
Circuit Theorem 135 digital-to-analog converter 204
close boundary 47 Diode 40
336
direct current: dc 11 H
Discharge 219 Henry 229, 230
E Hertz 4
Edward Lawry Norton 156 Homogeneity property 135
Electric Capacitance 5 Horizontal deflection plate 127
Electric charge 8 I
Electric circuit 2 ideal capacitor 222
Electric current 3 Impedance 5
Electric Resistance 5 Independent source 19
Electrical Conductance 5 Inductance 229
Electrical Potential Difference 5 Inductor 19, 215, 229
Electricity 8 Input resistance; Ri 181 (ดู Op-Amp)
Electromotive Force 14 instantaneous power 16
electron 8 Instrumentation amplifier 197, 201
elektron 8 Insulator 34, 215
Energy Adjustment charge 23 Integrated circuit: IC 20, 179
Energy Conservation 18 Integrator 242
Energy 4, 14, 16 International System of Units 3, 4, 5, 6
equivalent capacitor; Ceq 225 Inverter 80
F Inverting Amplifier 187, 201
Farad 216 inverting input 180 (ดู Op-Amp)
feedback 181 J
Field Effect Transistor: FET 125 James Watt 16
G Joseph Henry 229
Generator 19, 126 (ดู DC Generator) Joule 4, 14, 16
George Simon Ohm 34 K
Ground 97 Kirchhoff’s current law ; KCL 45
Gustav Robert Kirchhoff 45 Kirchhoff’s voltage law ; KVL 45, 47
337
L Node Voltage Method with Voltage Source

law of conservation of charge 10, 45 106 ดู Node Voltage Method
least significant bit, LSB 205 Node 44
Leon Charles Thevenin 149 nominal battery voltage 82
Linear circuit ดู Homogeneity property noninverting amplifier 189, 201
linear inductor 232 noninverting input 180
Linear region 182 nonlinear resistor 40 (ดู Resistor)
linear resistor 40 (ดู Resistor) Norton’s Theorem 156
Loop 44 nucleus 8, 9
M O
Magnetic Flux 5 Off Peak 24, ดู Time of Use Tariff
Material 34, 218 Ohm meter 39
Maximum Power Transfer 161 Ohm 5, 35
Mesh Current Method 112 On Peak 24, ดู Time of Use Tariff
mesh analysis ดู Mesh Current Method Op-Amp 177
Mesh Current Method with Current Source open circuit 35
118, Mesh Current Method open-loop voltage gain: A 181
Mesh 44 Operational Amplifier ดู Op-Amp
Michael Faraday 216 oscillate 247
most significant bit, MSB 205 oscilloscope 77
MPPT charge controller 82 Output resistance; Ro 181 (ดู Op-Amp)
Multimeter 39 P
N panel generation factor 81
negative feedback 181 Parallel 44
Negative saturation 182 parallel-model leakage resistance 222
Network 43, 63, 64 Passive element 19
neutron 8 passive sign convention 17, 29
Node Voltage Method 97 peak watt: Wp 81
Nodal Analysis ดู Node Voltage Method
338
photovoltaic system, solar PV power system, Shell 8

PV system 79 short circuit 35
PID controller 169 SI Base Units ดู International System of Units
planar circuit 112 SI Derived Units
Positive saturation 182 ดู International System of Units
potentiometer 36, 72 SI prefix ดู International System of Units
Power 4, 16 Siemens 5, 41
principle of current division 56 sinusoidal current 11
principle of voltage division 53 Solar charge controller 80
proton 8 Source Modeling 167
PV array ดู photovoltaic system Source transformation 145
PV configuration ดู photovoltaic system stage 199
PV module, PV panel ดู photovoltaic system stand-alone PV systems
Q ดู photovoltaic system
Quantity of electricity 5 Storage elements 215
R Subtractor 195
Rated Voltage 77 summing amplifier 192
Reactance 5 Supermesh ดู Mesh Current Method with
Reference Node 97 Current Source
Resistance Measurement 168 Supernode, Generalized node ดู Node
Resistance 33 Voltage Method with Voltage Source
Resistivity 33 Superposition Theorem 138
Resistor 34 Supply voltage; Vcc 181
S Surface-mount Device; SMD 2
Saturation 182, 243 Surface-mount technology; SMT 2
Scaling 135, ดู Homogeneity property T
Semiconductor 34 temperature coefficient 36
series charge controller type 82 Thales of Miletus 8
Series 44 Thevenin’s theorem 149
339
Three-terminal equivalent network 63 voltage divider 53

Time of Use Tariff: TOU Tariff 24 voltage follower, unity gain amplifier
Tolerance 37 190, 201
toroidal inductor 229 Voltage source 19
Transfer function H(t) 323 Voltage 5, 14
Transistor 20, 125 W
Triboelectric effect 8 Watt 4, 16
V Wheatstone bridge 168
Valence electron 8 winding resistance 233
Vertical deflection plates 27 Wye-Delta Transformation 63
Volt 5, 14
340
มหาวิทยาลัยอีสเทิร์นเอเชีย ISBN 978-974-398-134-0
เลขที่ 200 หมู่ 1 ถนนรังสิต-นครนายก
ตาบลรังสิต อาเภอธัญบุรี ปทุมธานี 12110
www.eau.ac.th

Electric Circuit 1

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Electric Circuit 1

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

วงจรไฟฟ้า 1

บทที่ 4 ทฤษฎีวงจร เป็นการอธิบายถึง ทฤษฎีที่ใช้สาหรับ วิเคราะห์วงจรโดยการแปลงรูปวงจรให้เป็น

พ.ศ. 2558 (สภาวิศวกร, 2558) ที่กาหนดให้วิชาวงจรไฟฟ้า (Electric circuit) เป็นรายวิชาในกลุ่มวิชาพื้นฐาน

(ก) วงจรไฟฟ้าอย่างง่าย (ข) วงจรไฟฟ้าของเครื่องรับความถีว่ ิทยุ (Marian, 2010)

(ก) Raspberry Pi 2011 (ข) iMac 1998

ตำรำง 1.2 หน่วยอนุพันธ์ในระบบเอสไอ (SI Derived Units)

ตำรำง 1.3 (ต่อ)

ตำรำง 1.4 คานาหน้าหน่วยในระบบเอสไอ (SI Prefixes)

คำนำหน้ำ สัญลักษณ์ ตัวคูณ ควำมหมำย

ภำพ 1.3 ตัวอย่างโครงสร้างอะตอม

ตำรำง 1.5 สมบัติของอนุภาคมูลฐานในอะตอม

มวล ประจุไฟฟ้ำ (q)

ภำพ 1.4 ทิศทางการไหลของกระแสไฟฟ้าและการเคลื่อนที่ของประจุในวัสดุตัวนาไฟฟ้า

กระแสไฟฟ้าที่ไม่เปลี่ยนแปลงค่าตามเวลาหรือคงที่ตลอดเวลาดังภาพ 1.5 (ก) เรียกว่า กระแสตรง

(ก) (ข) (ค)

iab = 2 A iab = -2 A iba = 2 A

(ก) (ข) (ค)

ตัวอย่ำง 1.1 หาประจุไฟฟ้าของอิเล็กตรอน จากอลูมิเนียม 500 อะตอม

ดังนั้น q  ( 1.602  10 19 C / electron )  6,500 electron

q   1.0413  1015 C   1.0413 fC [ femtocoulomb]

( 1.602  1019 )(5  1012 )

 (5 sin 4 t  20 t cos 4 t ) mA

ที่เวลา t = 1 s; i  5 sin 4  20 cos 4  0  20  62.83 mA

ตัวอย่ำง 1.4 หาประจุไฟฟ้าที่ขั้วรวม ระหว่างเวลา t = 1 s และ 2 s ถ้ากระแสไหลเข้า i = (3t2 + 5t) A

โดยที่ w คือ พลังงาน มีหน่วยเป็น จูล (Joules; J)

ตัวอย่ำง 1.5 ถ้าใช้พลังงานปริมาณ 20 J ในการเคลื่อนที่อิเล็กตรอนจานวน 10.4×1018 จากจุด a ไปยังจุด

(ก) (ข) (ค)

Vab = 12 V Vab = -12 V Vba = 12 V

(ก) (ข) (ค)

จากกฎการอนุรักษ์พลังงานไฟฟ้า (Energy Conservation) ในวงจรกล่าวไว้ว่า ผลรวมของกาลังไฟฟ้า

จากสมการ (1.8) พลังงานไฟฟ้าทีด่ ูดกลืนหรือจ่ายออกจากองค์ประกอบที่เวลา t0 ถึงเวลา t คือ

ตัวอย่ำง 1.6 หาแรงดัน ตกคร่อมที่เครื่องทาความร้อน ถ้าจ่ายกระแสไฟฟ้า 10 A คงที่เป็นเวลา 2.272 s

ตัวอย่ำง 1.7 หากาลังไฟฟ้าที่จ่ายให้กับองค์ประกอบที่เวลา t = 10 ms ถ้ากระแสไหลเข้าที่ขั้วบวกเท่ากับ

วิธีทำ ก) v = 5i ดังนั้น v = 10sin4t V

กาลังไฟฟ้าจะหาได้จาก p  vi  (10 sin 4 t )(2 sin 4 t )  20sin2 4 t W

ตัวอย่ำง 1.8 หาค่าพลังงานไฟฟ้าจากหลอดไฟ 100 W จานวน 15 หลอด ที่ใช้งานจานวน 8 ชั่วโมง

หรือ w  pt  1,500( W )  8(h)  12,000 Wh  12 kWh

(ก) (ข) (ค)

(ก) VCVS (ข) CCVS

(ค) VCCS (ง) CCCS

ภำพ 1.15 ตัวอย่างการพิจารณาแหล่งจ่ายไม่อิสระ

ตัวอย่ำง 1.9 หาค่ากาลังไฟฟ้าที่จ่ายหรือดูดกลืนที่องค์ประกอบแต่ละตัวในวงจร จากภาพ 1.16

ภำพ 1.16 ภาพสาหรับตัวอย่าง 1.9

ที่องค์ป ระกอบ p2 และ p3 กระแสไฟฟ้าไหลเข้าขั้วบวก ฉะนั้น องค์ประกอบ p2 และ p3 ดูดกลืน

p3  10(5.5)  55 W [Absorbed power]

ที่องค์ประกอบ p4 ขั้วของแรงดันตกคร่อมจะเหมือนกับที่องค์ประกอบ p3 จะพบว่ากระแสไหลออก

ฉะนั้น กาลังไฟฟ้ารวมในวงจร จะได้

จะพบว่าผลรวมของกาลังไฟฟ้าในวงจรมีค่าเท่ากับศูนย์ กล่าวคือ กาลั งไฟฟ้าที่จ่ายออกจะเท่ากับ

ที่รู้จักกันในชื่อ 1 หน่วย หรือ 1 ยูนิต หมายถึง การใช้พลังงานไฟฟ้าจานวน 1 กิโลวัตต์ เป็นเวลา 1 ชั่วโมง

ค่ำพลังงำนไฟฟ้ำ หน่วยละ (บำท)

15 หน่วย (กิโลวัตต์ชั่วโมง) แรก (หน่วยที่ 1 – 15) 2.3488

ตำรำง 1.7 อัตราปกติปริมาณการใช้พลังงานไฟฟ้าเกินกว่า 150 หน่วยต่อเดือน (แบบที่ 1.2)

ค่ำพลังงำนไฟฟ้ำ หน่วยละ (บำท)

ค่ำพลังงำนไฟฟ้ำ (บำท/หน่วย) ค่ำบริกำร

1.3.1 แรงดัน 12 – 24 กิโลโวลต์ 5.1135 2.6037 312.24

เครื่องใช้ไฟฟ้ำ กำลังไฟฟ้ำ (วัตต์) เครื่องใช้ไฟฟ้ำ กำลังไฟฟ้ำ (วัตต์)

ตำรำง 1.9 (ต่อ)

เครื่องใช้ไฟฟ้ำ พิกัดกำลังไฟฟ้ำ (วัตต์) เครื่องใช้ไฟฟ้ำ พิกัดกำลังไฟฟ้ำ (วัตต์)

เครื่องปรับอากาศ w  1,000  8  30  240,000 Wh  240 kWh

พัดลมดูดอากาศ w  25  2  30  1,500 Wh  1.5 kWh

โทรทัศน์ w  180  6  30  32,400 Wh  32.4 kWh

เครื่องเล่น w  50  2  30  3,000 Wh  3 kWh

เตารีดไอน้า w  1,400 0.5  30  21,000 Wh  21 kWh

หม้อหุงข้าว w  450  0.5  30  6,750 Wh  6.75 kWh