1

Dielektrik Parametrelerin Belirlenmesi

Malzemelerin dielektrik özellikleri güçlü frekans bağımlılığı göstermektedir. Sıcaklık ve

frekansa bağlı dielektrik davranışları genellikle malzemelerin kimyasal, kristal ve faz

yapıları ile ilgilidir.

Kompleks dielektrik geçirgenlik sabiti, ε * ,

ile verilir. Burada, ɛ', kompleks dielektrik sabitinin reel kısmını, ɛ'' ise imajiner yani sanal

kısmını ifade etmektedir. Ayrıca, ɛ' ve ɛ'' sırasıyla dielektrik sabiti ve dielektrik kayıp olarak

da adlandırılmaktadır.

Dielektrik malzemelerin dışardan uygulanan elektrik alana duyarlı olması nedeniyle,

dielektrikli paralel plakalı bir kondansatör admitans (Y) ile karakterize edilir ve admitans,

olarak ifade edilir. Burada, Z empedans, G iletkenlik veya kondüktans, C kapasitans ve 

ise uygulanan alternatif gerilimin açısal frekansını göstermektedir. Aynı zamanda, admitans

empedansın tersine eşittir. Dielektrikli kondansatörün kapasitesi ε' çarpanı kadar arttığında n,

admitans ifadesinde C yerine C 0 ε* yazılırsa,

2

elde edilir. Bu ifade de,     j kullanılırsa,

 ' ''

elde edilir. Bu sonuca göre, admitansın reel ve sanal bileşenlerinden,

ve

dielektrik sabiti, ɛ', ve dielektrik kayıp, ɛ'', elde edilir.

Bir dielektrik malzemeye alternatif bir gerilim uygulandığında, malzemeden geçen toplam

akım, I,

ile ifade edilir. Burada, Ix =Vωɛ''C0 gerilimi ile aynı fazda olan reel ya da dirençsel bileşen

(IR), Iy =Vωɛ'C0 gerilimi ile farklı fazda olan sanal ya da sığasal bileşen (IC) olarak

adlandırılır. Akımın gerilime karşı değişim eğrisi Şekil 4.1'de verilmiştir.

 3

Şekil 3.9. Akımın gerilime karşı değişim eğrisi

Şekilde verilen  terimi, faz açısını 90 dereceye tamamlayan açı olup kayıp açı veya tanjantı

olarak tanımlanır. Ayrıca, kayıp açı periyodik elektrik alan ile aynı fazda olmayan elektrik

yerdeğiştirme arasındaki faz kaymasını tanımlar. Dielektrik kayıp açı, tan δ, akımın

dirençsel bileşeninin sığasal bileşene oranına eşittir. Buna göre,

ile ifade edilir [23-25].

Dielektriksiz paralel plakalı bir kondansatörün plakaları arasına alternatif bir gerilim

uygulandığında plakalarda depolanan yük;

ile verilir. Burada, C 0 plakaları arası boş kondansatörün sığasını, V ise uygulanan gerilimi

göstermektedir. Kapasitörün bağlı olduğu alternatif kaynağın sağladığı gerilim,

4

ile verilir. Buna göre, kondansatörden geçen akım,

ile ifade edilir.

Paralel plakalı kondansatörün levhaları arasına dielektrik sabiti ' olan malze me

yerleştirilirse, kondansatörün sığası,

olarak verilir. Bu durumda kondansatörden geçen akım,

ile verilir.

Böylece, kondansatörden geçen akım iki bileşene ayrılır. Bunlardan biri uygulanan gerilimle

aynı fazda olan diğeri ise gerilimle farklı fazda olan bileşenleridir. Akım,
 5

ile verilir. Akım yoğunluğu ise,

olarak ifade edilir. Bu sonuç kullanılarak, kompleks elektriksel iletkenlik,

eşitliği ile verilir. Burada, ilk terim kompleks iletkenliğin reel kısmını, ikinci terim ise sanal

kısmını göstermektedir. Ayrıca reel kısım alternatif akım (ac) elektriksel iletkenlik (σ ac)

olarak adlandırılmaktadır ve,

eşitliği ile verilir.

Düşük frekanslarda, dielektrik sabitinin çok yüksek ve kutuplanma etkilerinin ihma l

edilebilir olması halinde dielektrik durulma olayını analiz için elektrik modülüs kavramı

geliştirilmiştir. Kompleks modülüs, ɛ* ve Z* cinsinden ifade edilebilir.

1
M ∗ (ω) = (a) veya M ∗ (ω) = iωC0 Z ∗ (ω) (b)
ɛ∗ (ω)

Yukarıdaki denklemden kompleks modülüsün reel ve imajiner kısımları,

6

M ′ (ω) = ωC0 Z ′′(ω)

M ′′ (ω) = ωC0 Z ′(ω)

şeklinde yazılabilir.

Kompleks elektrik modülüs (M* ),

eşitliği ile verilir. Burada, M' ve M" sırasıyla kompleks modülüsün reel ve sanal kısımlar ını

göstermektedir.

Empedans;

𝑍 ( 𝜔 ) = 1⁄𝑌 ( 𝜔 )

1
𝑍 (𝜔) =
1 ⁄𝑅+𝑖𝜔𝐶

olarak ifade edilir.

𝑅𝑝 𝑅𝑝 𝜔𝑅2𝑝 𝐶𝑝
𝑍 (𝜔) = 𝑅𝑠 + = [𝑅𝑠 + 2 ]− 𝑖[ 2 ]
1+𝑖𝜔𝑅𝑝 𝐶𝑝 1+(𝜔𝑅𝑝 𝐶𝑝 ) 1+(𝜔𝑅𝑝 𝐶𝑝 )

Ayrıca, kompleks empedans (Z*),

 7

Z ∗ (ω) = Z ′ + iZ ′′

şeklinde ifade edilir. Burada, reel (Z') ve imajiner (Z'') kompleks empedansın bileşenlerid ir.

Kompleks dielektrik sabiti (ɛ*) kompleks empedans cinsinden yazılabilir.

1
ɛ∗ (ω) =
iωC0 Z ∗ (ω)

Ayrıca kompleks dielektrik sabiti,

ɛ∗ (ω) = ɛ′ − iɛ′′

Z ′′ Z′
ɛ∗ (ω) = − i ωC
ωC0 ( Z ′( ω) 2 +Z ′′( ω) 2 ) ′ 2 ′′ 2
0 ( Z ( ω) +Z ( ω) )

şeklinde ifade edilir. Bu denklemden kompleks dielektrik sabitinin reel ve imajiner kısımlar ı

yani dielektrik sabiti ve dielektrik kayıp,

Z ′′
ɛ′ (ω) = ωC ′ 2 ′′ 2
0 ( Z ( ω) +Z ( ω) )

Z′
ɛ′′ (ω) = ( Z ′( ω) 2 +Z ′′( ω) 2 )
ωC0

empedansın reel ve imajiner terimleri cinsinden ifade edilir.