MALZEME BİLİMİ VE UYGULAMALARI

DOÇ. DR. ÖZGÜR ÖZTÜRK

GÖKÇEN ASLAN AYDEMİR-151011102

 BÖLÜM I

 TARİHSEL BAKIŞ

 MALZEME BİLİMİ VE MÜHENDİSLİĞİ

 MALZEME BİLİMİ VE MÜHENDİSLİĞİNİN ÖNEMİ

 MALZEMELERİN SINIFLANDIRILMASI

 İLERİ MALZEMELER

 MODERN MALZEME GEREKSİNİMLERİ

 TARİHSEL BAKIŞ
Malzemeler, uygarlığımızı muhtemelen çoğumuzun farkında olduğundan daha derin bir şekilde etkilemiştir. Ulaşım, konut,
giyim, iletişim ve gıda üretimi gibi, neredeyse günlük hayatımızın her alanı az ya da çok malzemelerin etkisi altındadır. Tarihsel
olarak, toplumların gelişmesi ve ilerlemesi, üyelerinin ihtiyaçlarını karşılamak üzere, malzemeleri üretme ve kullanma
kabiliyetleri ile yakından ilişkilidir. Aslında, ilk uygarlıklar geliştirdikleri malzemelerin düzeylerine göre adlandırılmışlardır (taş
devri, bronz çağı, demir çağı).
İlk insanlar taş, tahta, kil ve deri gibi doğada kendiliğinden bulunan malzemeleri kullanabiliyorlardı. Zaman içinde, doğada
hazır bulunan bu malzemelere göre, daha üstün özelliklere sahip bazı metalleri ve çömlek yapımında kullanılan malzemeleri
üretecek teknikleri keşfettiler. Bunun da ötesinde, başka maddelerin eklenmesi ve ısıl işlem yoluyla malzeme özelliklerinin
değiştirilebileceğini öğrendiler. Bu noktada, malzemelerden yararlanma işlemi, artık sınırlı sayıda olmayan, bir dizi malzeme
içinden, kullanım yerine göre, en uygun özelliklere sahip olanı seçme işlemi haline geldi. Bilim adamlarının, malzemelerin yapı
bileşenleri ile özellikleri arasındaki ilişkiyi anlayabilmeleri ancak yakın zamanlarda gerçekleşmiştir. Yaklaşık olarak son yüzyıl
boyunca kazanılan bu bilgi birikimi, bilim adamları ve mühendislere malzeme özelliklerini büyük ölçüde şekillendirme kabiliyeti
kazandırmıştır. Bu sayede, modern toplumumuzun ihtiyaçlarını karşılamak üzere, belirli özelliklere sahip çok sayıda farklı metal,
plastik, cam ve elyaf malzeme zaman içinde geliştirilmiştir.

 MALZEME BİLİMİ VE MÜHENDİSLİĞİ

Malzeme bilimi ve mühendisliği bilim dalını, malzeme bilimi ve malzeme mühendisliği olmak üzere iki alt dala ayırmak
daha yararlı olmaktadır. Malzeme bilimi, malzemelerin yapıları ile özellikleri arasındaki ilişkinin ortaya konması ile
ilgilenmektedir. Tersine, malzeme mühendisliği, bu yapı-özellik ilişkilerine dayanarak istenen bir dizi özelliği kazandırmak üzere,
malzeme yapısının tasarlanması veya mühendisliğidir. İşlevsel açıdan bakıldığında, malzeme bilimcisinin görevi, yeni
malzemelerin üretilmesi veya sentezlenmesi iken malzeme mühendisinin görevi mevcut malzemeleri kullanarak yeni ürünlerin ve
sistemlerin oluşturulması ve/veya malzemelerin işlemden geçirilmesi için yeni tekniklerin geliştirilmesidir. Üniversitelerin
malzeme programlarındaki lisansüstü öğrencilerinin çoğu hem malzeme bilimcisi hem de malzeme mühendisi olacak şekilde
yetiştirilir.

Bu noktada, yapı terimini biraz açmak yerinde olacaktır. Kısaca, bir malzemenin yapısı, içinde bulunan bileşenlerin
oluşturdukları düzen ile ilişkilidir. Atom- altı yapı, her bir atomun elektronları ve elektronların çekirdekleri ile etkileşimlerini
kapsarken atomsal mertebede yapı, atomların ya da moleküllerin oluşturdukları düzeni içerir. Burada özellik kavramın da üzerinde
durulmasında fayda vardır. Kullanım sırasında, bütün malzemeler maruz kaldıkları dış etkenlere karşı belirli tepki verirler.
Örneğin, cisimler kuvvetler altında deforme olur ya da parlatılmış bir metal yüzeyi ışığı yansıtır. Özellik, belirli bir dış etkiye
karşılık olarak, cins ve büyüklük bakımından malzemenin kendisine özgü bir biçimde verdiği bir cevap veya tepkidir. Genellikle
de özellikler, malzemelerin şeklinden ve büyüklüğünden bağımsız olacak şekilde tanımlanır.
Malzeme bilimi ve mühendisliğinin ilgi alanında, yapı ve özelliklerin yanında, malzemelerin işlenmesi ve performansı
olmak üzere iki önemli bileşen daha bulunmaktadır. Bu dört bileşen arasındaki ilişki açısından malzemelerin yapısı nasıl işlem
gördüklerine bağlı iken malzemelerin performansı da özelliklerinin bir fonksiyonu olarak değişir.

Şekil 1.1 Malzeme birimi ve mühendisliği bilim dalını oluşturan dört bileşen ve aralarındaki ilişki.

İşlem-yapı-özellik-performans arasındaki ilişkiye şekil 1.2’ deki fotoğrafta görülen, yazılı sayfanın üstündeki üç ince disk,
numune örnek olarak gösterilebilir. Bu üç malzemenin optik özelliklerinin (yani, ışığı geçirme davranışlarının) farklı olduğu
aşikardır. Soldaki numune saydam (neredeyse, sayfa üzerinden yansıyan tüm ışık içinden geçmekte), ortadaki ve sağdaki ise
sırasıyla yarı saydam ve mat (opak) davranış sergilemektedir. Bu numunelerin hepsi aynı malzemeden (alüminyum oksit) olmakla
birlikte, en soldakinin saydam davranış sergilemesinin nedeni içinde çok az kusur bulunan ve tek kristal olarak adlandırılan yapıya
sahip olmasıdır. Ortadaki numune, birbirlerine bağlı çok sayıda küçük tek kristallerden oluşmuştur. Bu küçük kristalleri ayıran
sınırlar, yazının bulunduğu sayfadan yansıyan ışığın bir kısmının saçılmasına ve böylece malzemenin yarı saydam özellik
kazanmasına neden olur. En sağdaki numunenin yapısında ise birbirlerine bağlı çok sayıda küçük kristalin yanı sıra, birçok
gözenek ve boşluk bulunmaktadır. Yansıyan ışığın bu gözenekler tarafından oldukça etkin bir biçimde saçılması, zeminin mat
davranış sergilemesine yol açmaktadır.
Bu açıdan bu üç numunenin sahip olduğu yapıların, kristal sınırı ve gözenekliliği açısından farklı olması, optik geçirgenlik
özelliklerini doğrudan etkilemektedir. Bu malzemelerin her bir farklı işlem teknikleriyle üretilmiştir.

Şekil 1.2 Işık geçirgenlik özelliklerindeki farklılığı göstermek için, yazılı bir sayfanın üstüne konulmuş üç ince diski gösteren
fotoğraf.

 MALZEME BİLİMİ VE MÜHENDİSLİĞİNİN ÖNEMİ

Makine, inşaat, kimya ya da elektrik mühendislerinin veya bu alanlarda çalışan uygulamalı bilimcilerin çoğu, kariyerlerinin
herhangi bir aşamasında malzemeleri içeren bir tasarım problemi ile uğraşmak zorunda kalır. Bu tasarım problemlerine örnek
olarak aktarma organına ait bir dişli, bir bina yapısı, bir petrol rafineri ünitesi ya da bir entegre devre verilebilir. Malzeme
bilimcileri ve mühendisleri ise görevleri gereği zaten malzemeleri araştıran ve tasarlayan uzmanlardır.
Çoğu zaman bir malzeme problemi mevcut binlerce malzeme içinden doğru olanı seçme işlemidir. Genellikle, nihai karar
birkaç kritere göre verilir. İlk önce gerekli malzeme özelliklerinin belirlenmesi için servis koşullarının tanımlanması gerekir.
Ancak istenen bütün özelliklere tam olarak sahip olan bir malzemenin bulunması nadir olarak karşılaşılan bir durumdur. Bu
nedenle, bazen bir özelliğin sağlanması açısından diğerlerinden bir parça ödün verilmesi gerekebilir. Bu duruma klasik bir örnek,
dayanım ve sünekliktir. Genellikle, yüksek dayanıma sahip olan malzemelerin sünekliği sınırlıdır. Bu gibi durumlarda, bazı
özellikler adına diğer bazı özelliklerden bir miktar ödün verilmesi gerekli olabilir.
Malzeme özelliklerinin servis şartlarında bozulma olasılığının da göz önüne alınması gerekir. Örneğin, yüksek sıcaklıklara
ve korozif ortamlara maruz kalan malzemelerin mekanik dayanımlarında ciddi bir düşüş meydana gelebilir.

Son olarak göz önüne alınması gerekenler arasında belki de en öne çıkan maliyet olacaktır. Nihai ürünün maliyeti, kullanımı
açısından oldukça belirleyici olmaktadır. Bir malzeme, en uygun özelliklere sahip olmakla birlikte, kullanılması mümkün
olmayacak derecede pahalı olabilir. Dolayısıyla, bu durumda da bazı ödünlerin verilmesi kaçınılmaz olacaktır. Malzemeye
istenilen şeklin verilmesi için gerçekleştirilen işlemlerin masrafları da nihai parçanın maliyeti içindedir.

 MALZEMELERİN SINIFLANDIRILMASI
Katı malzemeler; geleneksel olarak metaller, seramikler ve polimerler olarak üç ana kategoriye ayrılır. Bu sınıflandırma esas
olarak kimyasal bileşime ve atom yapısına göre yapılır ve malzemelerin çoğu, bu üç farklı gruptan birine dâhildir. Bunun yanında,
iki ya da daha fazla malzemenin birlikte kullanılması sonucu oluşturulan kompozit (karma) malzemeler de vardır.
 Metaller
Bu gruptaki malzemeler demir, alüminyum, bakır, titanyum, altın ve nikel gibi bir ya da daha fazla metal elementinden ve
genellikle nispeten az miktarlarda karbon, azot ve oksijen gibi metal olmayan elementlerden oluşur. Metallerin yoğunlukları
seramik ve polimerlere göre daha yüksektir (Şekil 1.3).
 Yoğunluk (g/cm3) (logaritmik ölçekte)

Şekil 1.3 Bazı metal, seramik, polimer ve kompozit malzemelerin oda sıcaklığındaki yoğunluk değeri aralıklarını gösteren
diyagram
 Seramikler
Seramikler, metal ve metal dışı elementlerden oluşan bileşiklerdir. Seramik malzemelerin büyük bir kısmını oksitler, karbürler ve
nitrürler oluşturur. Alüminyum oksit, silisyum dioksit, silisyum karbür, silisyum nitrürün yanında, kil minerallerinden oluşan
geleneksel seramikler ve de cam ve çimento yaygın olarak kullanılan seramik malzemeler olarak sayılabilir. Mekanik özellikleri
açısından seramik malzemeler, metallerle karşılaştırılabilir mertebede yüksek rijitliğe ve dayanıma sahiptir (Şekil 1.4 ve 1.5).
Tipik olarak sertlikleri de çok yüksektir.
 cinsinden) (logaritmik ölçekte)
Rijitlik (Elastiklik Modülü GPa

Şekil 1.4 Bazı metal, seramik, polimer ve kompozit malzemelerin oda sıcaklığındaki rijitlik değeri aralıklarını gösteren diyagram.
 Dayanım (Çekme Dayanımı, MPa cinsinden)
(logaritmik ölçek)
Şekil 1.5 Bazı metal, seramik, polimer ve kompozit malzemelerin oda sıcaklığındaki rijitlik değeri aralıklarını gösteren diyagram.

Seramiklerin son derece gevrek (sünekliğin bulunmaması) davranış sergiledikleri ve kırılmaya oldukça yatkın oldukları
bilinmektedir (Şekil 1.6). Bununla beraber, kırılma dirençleri iyileştirilmiş yeni seramikler geliştirilmiştir. Bu yeni seramikler,
yemek pişirme gereçlerinde, kesici olarak ve hatta otomobil motor parçası olarak kullanılmaktadır. Ayrıca ısı ve elektrik iletkenliği
açısından tipik olarak yalıtkan (Şekil 1.7) olan seramik malzemeler, metal ve polimerlere göre, yüksek sıcaklıklara ve malzemeleri
zorlayıcı ortamlara karşı daha dayanıklıdır.
 ൫ξ𝑚൯1/2 cinsinden) (logaritmik ölçek)
Kırılma Direnci (Kırılma Tokluğu, MPa

Şekil 1.6 Bazı metal, seramik, polimer ve kompozit malzemelerin kırılma direnci değeri aralıklarını gösteren diyagram.
Elektrik İletkenliği (1/ohm-metre cinsinden)
(logaritmik ölçek)

Şekil 1.7 Metal, seramik, polimer ve kompozit malzemelerin oda sıcaklığındaki elektrik iletkenliği aralıklarını gösteren diyagram.
 Polimerler
Polimerler, plastik ve lastikten oluşur. Bunların çoğu, kimyasal olarak karbon, hidrojen ve diğer bazı metal dışı elementlerden (O,
N ve Si) meydana gelen organik bileşiklerdir. Ayrıca ana omurgasını çoğu kez karbon atomlarının oluşturduğu ve genellikle
zincire benzetilen uzun moleküller halinde bulunan, çok geniş molekül yapıları vardır. Yaygın olarak kullanılan polimerlere örnek
olarak, polietilen (PE), naylon, poli (vinilklorür) (PVC), polikarbonat (PC), polisitiren (PS) ve silikon kauçuk verilebilir. Bu
malzemeler, tipik olarak düşük yoğunluklara sahiptir. Mekanik özellikleri ise, genellikle metal ya da seramik malzemelere göre
oldukça farklıdır. Diğer malzeme türleri kadar rijit ve dayanıklı değildirler. Bunun yanında ağırlıkları dikkate alındığında, düşük
yoğunluklarından dolayı çoğu zaman ağırlık başına sağladıkları rijitlik ve dayanımları seramiklerle karşılaştırılacak mertebelere
ulaşabilir. Ayrıca polimerlerin çoğu son derecede sünektir, bu sayede karmaşık şekilleri oluşturacak biçimde kolayca
şekillendirilebilirler.

Şekil 1.8 Metal ve metal Şekil 1.9 Seramik malzemelerden imal Şekil 1.10 Polimer malzemelerden imal
alaşımlarından imal edilmiş bazı edilmiş bazı tanıdık nesneler: makas, edilmiş bazı nesneler: plastik çatal,
nesneler (soldan sağa): çatal, bıçak, porselen çay fincanı, yapı tuğlası, yer bıçak, kaşık, bilardo topları, bisiklet
makas, madeni paralar, dişli, alyans, karosu, cam vazo. kaskı, bir çift zar, çim biçme makinası
cıvata, somun. tekerleği, plastik süt şişesi.
 Kompozitler
Kompozitler (karma malzemeler); metal, seramik ve polimerlerden iki ya da daha fazla malzemenin bir araya getirilmesi ile oluşan
malzemelerdir. Kompozit malzeme tasarımında, bir malzemenin tek başına sergileyemeyeceği özelliklere ve de kendisini oluşturan
malzemelerin en iyi özelliklerine sahip olan malzemenin üretilmesi amaçlanır. Metal, seramik ve polimerlerin farklı şekillerde bir
araya getirilmeleri ile çok sayıda farklı kompozit malzeme oluşturulabilir. Ayrıca ahşap ve kemik gibi doğada kendiliğinden
oluşan kompozit malzemeler de vardır.
Teknolojik olarak diğer önemli bir malzeme de, karbon elyafların bir polimer matris içinde bulundukları karbon elyaf takviyeli
kompozitler (KETK)’ dir. Bu malzemeler, cam elyaflara göre daha yüksek rijitliğe ve dayanıma sahip olmakla birlikte, maliyetleri
daha yüksektir. KETK, bazı uçak ve uzay uygulamalarında, yüksek teknolojili spor ekipmanlarında (bisiklet, golf sopası, tenis
raketi, kayak) kullanılmaktadır.

 İLERİ MALZEMELER
İleri teknoloji uygulamalarında kullanılan malzemeler bazen ileri malzemeler olarak adlandırılır. İleri teknoloji kavramı ile
nispeten gelişmiş ve karmaşık prensiplere göre fonksiyonunu yerine getiren veya çalışan cihazlar ya da ürünler kastedilmektedir.
Bu cihaz ve ürünlere, elektronik aletler, bilgisayarlar, fiber-optik sistemler, uzay araçları, uçaklar ve askeri roketler örnek olarak
verilebilir. İleri malzemeler, tipik olarak özellikleri iyileştirilmiş geleneksel malzemeler veya yeni geliştirilmiş yüksek
performanslı malzemeler olabilir. Metal, seramik, plastik gibi bütün malzeme türlerinden olabilen bu malzemelerin genellikle
maliyetleri yüksektir.
İleri malzemeler, yarı iletkenleri, biyo-malzemeler ve “geleceğin malzemeleri” olarak adlandırabileceğimiz akıllı
malzemeler ile nano-mühendislik malzemelerini kapsamaktadır.

 Yarı İletkenler
Yarı iletken malzemelerin elektriksel özellikleri, elektriksel açıdan iletken metal ve alaşımları ile yalıtkan seramik ve polimer
malzemelerin arasındadır. Ayrıca bu malzemelerin elektriksel özellikleri, yapılarında çok düşük konsantrasyonlarda bulunan
empürite atomlarının varlığına oldukça duyarlıdır. Bu empürite atomlarının, yarı iletkenler içinde boyut olarak çok kısıtlı olan
bölgelerde, hassas bir biçimde ve çok düşük konsantrasyonlarda bulunmaları sağlanabilir.
 Biyomalzemeler
Biyomalzemeler, vücudun hastalanmış veya hasarlı kısımlarının yerine geçmek üzere insan vücuduna yerleştirilen parçalarda
kullanılır. Bu malzemelerin zehirli madde üretmemesi ve vücut dokusu ile uyumlu olması gerekir. Diğer bir ifadeyle sağlığa zararlı
biyolojik reaksiyon meydana getirmemeleri gerekir.
 Akıllı Malzemeler
Akıllı malzemeler, birçok teknoloji üzerinde önemli etkileri bulunan en yeni malzeme grubudur. Akıllı nitelemesi bu
malzemelerin, yaşayan organizmalarda görüldüğü gibi, bulundukları ortamda meydana gelen değişiklikleri hissedebildiklerine ve
önceden belirlenen bir cevap oluşturabildiklerine işaret etmektedir. Ayrıca, sözü edilen “akıllı” kavramı, hem akıllı hem de
geleneksel malzemelerden oluşan gelişmiş sistemleri kapsayacak şekilde genişletilmiştir. Bir akıllı malzeme, giriş sinyalini
algılayan bir çeşit sensör ve bu sinyale uygun bir cevap oluşturan bir uyarıcıdan oluşur. Uyarıcılardan, sıcaklıkta, elektriksel
ve/veya manyetik alanda meydana gelen bir değişikliğe karşılık olarak şekillerini, konumlarını, doğal frekanslarını ya da mekanik
özelliklerini değiştirmeleri beklenir.
Uyarıcılarda, şekil hafızalı alaşımlar, piezoelektrik seramikler, manyetostriktif malzemeler, elektroreolojik/manyetoreolojik
akışkanlar olmak üzere dört farklı malzeme türü yaygın olarak kullanılır. Şekil hafızalı alaşımlar, şekillendirildikten sonra,
sıcaklığın değişmesi halinde, ilk şekillerine geri dönen metallerdir. Piezoelektrik seramiklerde, uygulanan bir elektrik alanına
cevap olarak genişleme veya daralma meydana gelmektedir. Benzer şekilde, bu malzemeler boyutlarında meydana gelen bir
değişikliğe cevap olarak da elektrik alanı oluşturur. Manyetostriktif malzemelerin davranışları piezoelektrik malzemelere
benzemekle birlikte, bu malzemelerin verdiği cevap, elektrik alan yerine manyetik alana karşılık oluşur. Elektroreolojik ve
manyetoreolojik akışkanların ise sırasıyla uygulanan bir elektrik ve manyetik alana karşılık vizkozitelerinde büyük değişiklikler
meydana gelir.
Örneğin, helikopterlerde dönen rotor kanatlarından kaynaklanan aerodinamik kokpit gürültüsünün azaltılması için bir tür akıllı
sistem kullanılır. Kanatlara yerleştirilen piezoelektrik sensörler kanatlardaki gerilmeleri ve şekil değişimlerini izler.
 Nanomalzemeler
Nanomalzemeler, son derece dikkat çekici özellikleri ile teknolojide beklentinin yüksek olduğu bir malzeme sınıfıdır.
Nanomalzemeler, dört temel malzeme türünün (metal,seramik,polimer,kompozit) herhangi birine ait olabilir. Diğer
malzemelerden, kimyasal yapılarına göre değil, boyut açısından ayrılırlar. Nano ön eki, bu yapısal malzemelerin boyutlarının
nanometre (10-9 m) ölçeğinde ve kural olarak 100nm’nin altında olduğunu belirtir.
Parçacık boyutları atomsal boyutlara yaklaştığında, malzemelerin sergiledikleri bazı fiziksel ve kimyasal özelliklerde çarpıcı
değişiklikler meydana gelir. Örneğin, makro ölçekte mat davranan malzemeler, nano ölçekte saydam hale gelebilir. Bazı katılar
sıvı, kimyasal olarak kararlı malzemeler yanıcı, elektriksel olarak yalıtkan malzemeler iletken davranabilir. Ayrıca özellikler nano-
ölçek sınırlarında boyuta bağlı olarak değişebilmektedir. Bu etkilerin bazıları kuantum mekaniğinden kaynaklanırken diğerleri ise
yüzey ile ilgilidir. Bir parçacığın boyutu azaldıkça yüzeyinde bulunan atomların oranı çarpıcı bir şekilde artar.

 MODERN MALZEME GEREKSİNİMLERİ

Enerji darboğazı açısından ümit vaat eden nükleer enerji konusundaki problemlerin çözümü: yakıtlar, depolama
malzemelerinin yapılarını ve radyoaktif atıkların depolanma imkânlarını içermektedir.
Ulaşım ve taşımacılığa harcanan enerji çok ciddi boyutlardadır. Araç (otomobil,uçak,tren vs.) ağırlıklarının azaltılmasını
yanında, motor çalışma sıcaklıklarının artırılması da yakıt sarfiyatını iyileştirecektir. Yüksek dayanıma ve düşük yoğunluğa sahip
yeni yapı malzemelerinin yanında, motor parçası olarak kullanılmak üzere daha yüksek sıcaklıklara uygun yeni malzemelerin de
geliştirilmesi gereklidir.
Ayrıca, ucuz yeni enerji kaynaklarının bulunması ve mevcut kaynakların daha verimli kullanılması artarak önem
kazanmaktadır. Bu konuda kaydedilen gelişmelerde malzemelerin kuşkusuz çok önemli bir payı bulunacaktır. Örneğin, güneş
enerjisinin doğrudan elektrik enerjisine dönüştürülmesi için kullanılan güneş hücrelerinde, nispeten karmaşık ve yüksek maliyetli
malzemeler kullanılır. Bu teknolojinin uygulanabilir olması için, sözü edilen dönüştürme işini yüksek verimlilikte gerçekleştirecek
ve aynı zamanda maliyeti daha düşük olan malzemelerin geliştirilmesi şarttır.
Kullandığımız malzemelerin çoğu yenilenebilir olmayan, yani tekrar oluşturulamayan kaynaklardan elde edilmektedir.
Yenilenebilir olmayan bu kaynakların zamanla tükenmekte olması; (1) yeni rezervlerin bulunmasını, (2) karşılaştırılabilir
özelliklere sahip aynı zamanda çevreye daha az zararlı yeni malzemelerin geliştirilmesini ve/veya (3) geri dönüşüm çabalarının
arttırılması ile yeni geri dönüşüm teknolojilerinin geliştirilmesini gerekli kılmaktadır.
 BÖLÜM II

 ATOM YAPISI – TEMEL KAVRAMLAR

 ATOMLARDA ELEKTRONLAR

 PERİYODİK TABLO

 KATILARDA ATOMSAL BAĞ – BAĞ KUVVETLERİ VE ENERJİLERİ

 ATOMLARARASI BİRİNCİL BAĞLAR

 İKİNCİL VEYA VAN DER WAALS BAĞLAR

 MOLEKÜLLER
 ATOM YAPISI
 Temel Kavramlar
Her atom, proton ve nötronları barındıran bir çekirdek ile bu çekirdek etrafında hareket halindeki elektronlardan oluşmaktadır.
Gerek elektronlar, gerekse protonlar büyüklüğü 1.60 x 10 -19 C olan elektrik yüküne sahiptir. Elektronlar negatif, protonlar pozitif
elektron yüklüdür, nötronlar ise elektriksel olarak nötrdürler. Atomu oluşturan bu parçacıkların kütleleri oldukça küçüktür.
Protonlar ve nötronlar 1.67 x 10-27 kg mertebelerinde yaklaşık olarak aynı kütleye sahip iken, elektronun kütlesi 9.11 x 10-31 kg
olup, proton ve nötronun kütlesine göre önemli ölçüde küçüktür.
Her bir kimyasal element, atom çekirdeği içerisindeki proton sayıları veya atom numarası (Z) ile karakterize edilir. Elektriksel
olarak nötr yani proton sayısı elektron sayısına eşit olan bir atomda, atom numarası ile elektron sayısı birbirlerine eşittir. Bu atom
numarası, 1 olan hidrojenden, en yüksek 92 olan uranyuma kadar tam sayılar şeklinde değişmektedir. Bazı elementlerin atomları
iki veya daha fazla farklı atom kütlelerine sahiptir ve bunlar izotop olarak adlandırılır. Bir elementin atom ağırlığı doğal olarak
meydana gelen izotop atomlarının atom kütlelerinin ortalama ağırlığına eşittir ve atomik kütle birimi (a.k.b.) atom ağırlığı
hesaplamalarında kullanılabilir. 1 a.k.b., karbonun en yaygın izotopu olan karbon 12 (A=12,00000)’ye ait atom kütlesinin
1/12’sine eşit alındığı bir skala oluşturulmuştur.
A≅Z+N
Bir elementin atom ağırlığı veya bir bileşiğin molekül ağırlığı a.k.b. cinsinden malzemenin atomu veya kütlesi dikkate alınarak
belirlenir. Buna göre, bir mol maddede 6.023 x 1023 (Avogadro Sayısı) kadar atom veya molekül vardır.
1 a.k.b./atom=1 g/mol

 ATOMLARDA ELEKTRONLAR
 Atom Modelleri
On dokuzuncu yüzyılın ikinci yarısında, katılarda elektronlar ile ilgili birçok olayın klasik mekaniğe göre açıklanamayacağı
anlaşılmıştır. Daha sonra kuantum mekaniği olarak bilinen, atom ve atom altı sistemlerini kontrol eden bir prensip geliştirilmiştir.
Atomlarda ve kristal yapıya sahip katılarda elektronların davranışının anlaşılabilmesi için kuantum mekaniğine ait kavramların
bilinmesi gereklidir.
 Yörünge elektronu
Kuantum mekaniğinin ilk olarak ortaya koyduğu olgu basitleştirilmiş
Çekirdek Bohr atom modelidir, burada elektronların atom çekirdeği etrafında
farklı yörüngelerde döndükleri varsayılmakta ve bir elektronun konumu
bulunduğu yörüngeye göre tanımlanmaktadır. Bu atom modeli Şekil 2.1’
de gösterilmiştir.
Kuantum mekaniğinin bir başka önemi de; elektronların enerjilerinin
nicel olması ve sadece kendilerine özgü enerji değerlerine sahip
olmasıdır. Bir elektron, enerji absorblayarak yüksek enerji seviyesine
Şekil 2.1 Bohr atomunun şematik gösterimi. veya enerji yayarak düşük enerji seviyesine geçebilir.
Bu davranışın genellikle, elektronun enerji seviyesi veya durumu ile ilişkili olduğu düşünülmektedir. Bu enerji seviyeleri ancak
belirli enerji değerleriyle değişebilir, diğer bir ifadeyle, komşu enerji seviyeleri arasında belirli bir sınır enerji farkı vardır.

Şekilde görüldüğü gibi, çekirdekten dış enerji seviyelerine doğru

enerji değerleri sıfıra yaklaşmaktadır. Enerjinin sıfır olması durumu,
elektronların çekirdeğe bağlı olmadığı veya elektronun serbest
konuma geçtiği anlamına gelir.
Enerji (eV)

Enerji (eV)
Şekil 2.2 (a) Hidrojen atomunun Bohr modelinde ilk üç enerji
seviyesi (b) Hidrojen atomunun dalga-mekanik modelinde ilk üç
yörüngeleri için elektron enerji seviyeleri.
 Daha sonra, elektronlar ile ilgili bazı olayları açıklamada yetersiz kalan
Bohr modelinin bazı önemli sınırlamalara sahip olduğu anlaşılmıştır.
Bunun için elektronun hem dalga hem de parçacık özelliğini gösterdiği
dikkate alınarak, dalga-mekanik modeli ortaya atılmıştır. Bu modelle, bir
elektronun konumu, çekirdek etrafında değişik bölgelerde bulunma
ihtimalinden daha çok, belirli bir yörüngede hareket eden bir parçacık

Olasılık
olarak düşünülmüştür.

Şekil 2.3 Elektron dağılımına göre atom modellerinin karşılaştırılması (a)

Bohr ve (b) dalga-mekanik.

Çekirdekten uzaklık

Yörünge elektronu Çekirdek

 Kuantum Sayıları
Dalga mekaniği modeline göre, bir atomda her bir elektron, kuantum sayısı olarak adlandırılan dört parametreyle belirtilir. Bir
elektronun boyutu, şekli ve olasılık yoğunluğu dağılımının uzaydaki konumu bu kuantum sayılarının 3’ü tarafından belirtilir. Bohr
enerji seviyeleri, elektron alt yörüngelerini ayrı tutarken kuantum sayıları, her bir alt yörüngedeki enerji seviyelerinin sayısını
belirtir.
 Tablo 2.1 Elektron yörünge ve alt yörüngelerde bulunan elektronların sayısı
Ana
Elektronların Sayısı
Kuantum Yörünge Alt Enerji Seviyesi
Sayısı, n Adı Yörüngeler Sayısı Alt Yörüngede Yörüngede

Yörüngeler 1 ile başlayan tam sayılardan oluşan ana kuantum sayısı n ile belirtilir. Bu yörüngeler Tablo 2.1’de gösterildiği
gibi n=1,2,3,4,5’e karşılık gelen K,L,M,N,O gibi büyük harflerle de ifade edilir. Bu kuantum sayısının sadece Bohr modeli ile
ilişkili olduğu da unutulmamalıdır. Kuantum sayısı, bir elektronun çekirdekten uzaklığı veya konumuyla ilgilidir.
İkinci kuantum sayısı l, alt yörüngeleri s,p,d veya f gibi küçük harfler ile gösterilir ve bu elektronun alt yörüngesinin şekli
ile ilgilidir. Ayrıca, alt yörüngelerin sayısı, n ana kuantum sayısı tarafından kısıtlanmaktadır. Her bir alt yörüngede enerji
seviyelerinin sayısı üçüncü kuantum sayısı olan m1 tarafından belirlenir.
Her bir elektronun aşağı ya da yukarı yönlenme özelliğine sahip bir spin (dönme) momenti vardır. m s spin momentini
1 1
oluşturan dördüncü kuantum sayısının her bir spin yönü için iki değer (+ ) ve (− ) alması mümkündür. Böylece Bohr modeli,
2 2
dalga mekaniği ile daha anlaşılır hale gelmiştir.
 Şekil 2.4 Çeşitli yörünge ve alt yörüngelerde elektronların bağıl
enerjilerinin şematik gösterimi.
Enerji

Ana kuantum sayısı,n

 Elektron Dizilişleri
Elektronların enerji seviyelerine yerleşme şekillerini belirlenmesinde bir başka kuantum-mekanik kavramı, Pauli dışarlama
prensibi kullanılır. Bu prensip, bir enerji seviyesinde zıt spinli iki elektrondan fazla elektronun bulunamayacağını zorunlu
kılmaktadır. Böylece; s,p,d ve f alt yörüngelerinde sırasıyla 2,6,10 ve 14 adet elektron bulunur ve ilk dört yörüngenin her birinde
bulunan maksimum elektron sayısı Tablo 2.1’de özetlenmiştir.
Bu noktadan sonra açıklamaların elektron dizilişlerine göre yapılması gerekir. Öncelikle valans elektronları en dış yörüngede
bulunan elektronlar olduğu belirtilmelidir. Bu elektronlar çok önemli olup atom ve molekül kümelerini oluşturmak için atomlar
arasında bağların oluşmasını sağlar. Ayrıca katıların fiziksel ve kimyasal özellikleri bu valans elektronlarına bağlıdır. Dahası bazı
atomlar kararlı elektron dizilişlerine sahiptirler yani en dış enerji seviyesi veya valans elektron yörüngesi tamamen dolmuştur.
Tablo 2.2 Yaygın olan bazı elementlerin elektron yapıları
Element
Sembol
Atom Numarası
Elektron Dizilişi
 PERİYODİK TABLO
Bütün elementler elektron yapılarına göre periyodik tabloda sınıflandırılır (Şekil 2.6). Burada, elementlerin artan atom
numarasına göre yer aldığı yatay 7 satır periyot olarak adlandırılır. Tabloda bir sütunda, yani grupta verilen bütün elementlerin
valans elektron yapısı yanı sıra, kimyasal ve fiziksel özellikleri de benzerdir. Bu özellikler, her bir yatay periyot ve düşey grup
boyunca kademeli olarak değişir.
Tamamen dolu elektron yörüngesine sahip dolayısıyla kararlı yapıda olan Grup 0’da yer alan elementler, en sağdaki
soygazlardır. Grup VIIA ve VIA elementlerinin kararlı yapıya ulaşabilmeleri için, sırasıyla bir ve iki elektron almaları gerekir. Bu
grup VIIA elementler (F,Cl,Br,I,At) bazen halojenler olarak adlandırılır. Alkali ve alkalin toprak metalleri (Li,Na,K,Be,Mg,Ca vs.)
grup IA ve IIA olarak ifade edilir ve sırasıyla kararlı yapıya nazaran bir ve iki elektron fazlalığına sahiptir. Üç uzun periyotta, grup
IIIB’den, IIB’ye kadar d enerji seviyesi kısmen dolmuş olan ve bazı durumlarda bir sonraki yüksek enerji yörüngesinde 1 ve 2
elektron bulunan elementlere geçiş elementleri denir. grup IIIA, IVA ve VA (B,Si,Ge,As vs.) valans elektron yapıları ile metal ve
ametal arasında yer alacak özelliğe sahiptir.
Periyodik tablodan görülebileceği gibi, elementlerin çoğu metal olarak sınıflandırılabilir. Bunlar, birkaç valans elektronunu
verme kabiliyetine sahip olduklarından, elektropozitif elementler olarak ifade edilir. Ayrıca, periyodik tablonun sağındakiler
elektronegatif elementlerdir, yani negatif iyon oluşturmak için kolaylıkla elektron alır veya bazen elektronları diğer atomlarla
paylaşırlar.

Şekil 2.5 Elementlerin elektronegativite

değerleri.
 Metal

Anahtar
Atom numarası Ametal
Sembol
Atom ağırlığı
Arametal

Şekil 2.6 Elementlerin periyodik tablosu.

 KATILARDA ATOMSAL BAĞ
 Bağ Kuvvetleri ve Enerjileri
Atomlar arası bağ oluşumu, sonsuz uzaklıktan birbirlerine belirli bir mesafeye yaklaştırılan yalıtılmış iki atom arasındaki etkileşim
dikkate alınarak açıklanabilir. Ara mesafe çok büyük olduğunda, atomlar birbiri üzerine etki edemeyecek kadar uzakta oldukları
için, aralarındaki etkileşimler ihmal edilebilir. Ancak, mesafe küçüldükçe, yani atomlar birbirine yaklaştıkça birbirleri üzerine
kuvvet uygularlar. Bu kuvvetler çekme (FÇ) ve itme (Fİ) olmak üzere iki türdür ve her birinin büyüklüğü atomlar arasındaki
mesafenin (r) bir fonksiyonudur. FÇ, çekme kuvveti, daha önce kısaca ifade edildiği gibi, iki atom arasında mevcut bağ tipiyle
ilişkilidir. İki atom arasındaki itme kuvvetleri, negatif yüklü elektron bulutları arasındaki etkileşimden kaynaklanır ve bu atomların
elektron yörüngelerinin aşırı derecede birbirlerine yaklaşması sadece r’nin küçük değerleri için önemlidir (Şekil 2.7).

Çekme kuvveti FÇ
Çekme
Kuvvet F

Atomlararası mesafe r
İtme kuvveti Fİ
İtme

Net kuvvet FN

İtme enerjisi Eİ
Potansiyel enerji E
İtme

Atomlararası mesafe r
Net enerji EN
Çekme

Şekil 2.7 İzole iki atomda, atomlararası mesafenin (a) itme ve

çekme kuvvetleri üzerine (b) itme, çekme ve net potansiyel
Çekme enerjisi EÇ enerjileri üzerine olan etkisi.
 İki atom arasındaki FN net kuvveti, çekme ve itme kuvvetleri bileşenlerinin toplamıdır;
FN=FÇ+Fİ
FÇ+Fİ=0
Birçok atom için r0 mesafesi 0.3 nm’dir. Atomlar bu konuma geldiklerinde, birbirlerinde uzaklaşma durumu için çekme,
yaklaşma durumunda ise itme kuvveti oluşur.
Matematiksel olarak, enerji (E) ve kuvvet (F) birbirleriyle şu şekilde ilişkilidir:
𝐸 = ∫ 𝐹 𝑑𝑟
Atomik sistemler için,
𝑟
𝐸𝑁 = ∫∞ 𝐹𝑁 𝑑𝑟
𝑟 𝑟
= ∫∞ 𝐹Ç 𝑑𝑟 + ∫∞ 𝐹İ 𝑑𝑟
= 𝐸Ç + 𝐸İ

Burada EN, EÇ ve Eİ iki yalıtılmış ve komşu atom için sırasıyla net, çekme ve itme enerjileridir.

Katılarda iyonik, kovalent ve metalik olmak üzere üç farklı birincil bağ veya kimyasal bağ bulunur. Her bir bağ tipinde, bağ
oluşumu için valans elektronun bulunması gereklidir ve ayrıca bağ yapısı, atomların elektron yapılarına bağlıdır. Genel olarak bu
üç bağ tipi, atomların kararlı bir elektron yapısı oluşturmak için, en dış yörüngeleri tamamen dolu olan soygazlara benzeme
eğilimden ileri gelmektedir.

 ATOMLARARASI BİRİNCİL BAĞLAR

 İyonik Bağ
İyonik bağ belki de tanımlanması en kolay olan bağ tipidir. Bu bağ, periyodik tabloda metalik ve metalik olmayan elementlerin
oluşturduğu bileşiklerde bulunurlar. Metalik element atomları, valans elektronlarını metalik olmayan elementlerin atomlarına
kolayca verirler. Bu sayede tüm atomlar kararlı veya soygaz yapısına ulaşır ve ayrıca elektriksel yüke sahip olmaları nedeniyle
iyon durumuna geçerler. Sodyum klorür tipik iyonik bağ yapısına sahip bir malzemedir. Atomlararası bağ çekim kuvvetleri
kulomb türü kuvvetlerdir; yani pozitif ve negatif iyonlar, net elektrik yükü ile orantılı olarak birbirlerini çeker.
 Kulomb bağ kuvveti

Şekil 2.8 Sodyum klorürde iyonik bağın şematik gösterimi.

İzole edilmiş iki iyonda, EÇ çekim enerjisi aşağıdaki gibi atomlararası mesafenin bir fonksiyonudur.
𝐴
𝐸Ç = −
𝑟
İtme enerjisi,
𝐵
𝐸İ =
𝑟𝑛
şeklindedir.
Bu ifadelerdeki A, B ve n değerleri belirli iyonik sistemlere bağlı sabitlerdirler. n sabiti yaklaşık olarak 8’e eşittir. İyonik bağ
yapısı yönsüzdür, yani bir iyonun çevresindeki bütün yönlerdeki bağ büyüklüğü birbirine eşittir.
 Tablo 2.3 Bazı maddelerin bağ enerjileri ve ergime sıcaklıkları
Bağ Enerjisi
Bağ Tipi Madde kJ/mol eV/Atom, İyon, Molekül Ergime Sıcaklığı (℃)

İyonik NaCl 640 3.3 801

MgO 1000 5.2 2800
Kovalent Si 450 4.7 1410
C(elmas) 713 7.4 >3550
Metalik Hg 68 0.7 -39
Al 324 3.4 660
Fe 406 4.2 1538
W 849 8.8 3410
Van der Waals Ar 7.7 0.08 -189
Cl2 31 0.32 -101
Hidrojen NH3 35 0.36 -78
H2O 51 0.52 0

İyonik bağ yapısına sahip malzemeler karakteristik olarak sert ve gevrektirler, ayrıca elektrik ve ısı açısından yalıtkan özelliğe
sahiptirler.

 Kovalent Bağ
Kovalent bağda, komşu iki atom elektronlarını ortaklaşa kullanmak suretiyle kararlı elektron yapılarını oluşturdukları
varsayılmaktadır. Kovalent bağ yapısını oluşturan iki atom, bağ oluşumuna en az bir elektron kadar katkıda bulunmakta ve
paylaşılan elektronların her iki atoma ait olduğu düşünülmektedir. Kovalent bağ yönlüdür, diğer bir ifadeyle, elektronun
paylaşıldığı iki atom arasında, sadece bir yönde bağ oluşumu söz konusudur. Birçok metalik olmayan temel moleküllerin yanı sıra
CH4, H2O, HNO3 ve HF gibi farklı atomlardan oluşan moleküller de kovalent bağ yapısındadır.
Bir atomda kovalent bağ sayısı, valans elektron sayıları ile belirlenir. Nˈ valans elektronu için, bir atom, bir diğer atom ile en fazla
8-Nˈ kovalent bağ oluşturabilir. Kovalent bağlar, çok sert ve ergime sıcaklığı çok yüksek olan (>3550℃) elmasta olduğu gibi çok
kuvvetli veya 270℃ civarında ergiyen bizmutda olduğu gibi, zayıf da olabilir.
  Metalik Bağ
Birincil atom bağlarının sonuncusu olan metalik bağ, metal ve alaşımlarında bulunan bir bağ türüdür. Metalik bağı şematik olarak
ifade etmek için basit bir model önerilmiştir. Metalik malzemelerde en fazla üç valans elektronu bulunur. Bu modelde, katıdaki
valans elektronları herhangi bir atoma bağlı olmayıp tüm metal içerisinde belirli oranda hareket etme yeteneğine sahiptir. Bu
serbest valans elektronlarının metal kütle içerisinde bir “elektron denizi” veya “elektron bulutu” oluşturduğu düşünülmektedir.
Valans elektronları dışındaki diğer elektronlar ile atomun çekirdeği, iyon çekirdeğini oluşturur. Bunlar atom başına toplam valans
elektron yüküne eşit net bir pozitif yüke sahiptir. Negatif yüklü serbest elektronlar, pozitif yüklü iyon çekirdeklerini elektrostatik
itme kuvvetlerinden korurlar ve bunun sonucunda da metalik bağ yönsüz olma özelliğini kazanır. Ayrıca bu serbest elektronlar
iyon çekirdeklerini bir arada tutmak için adeta bir anlamda “yapıştırıcı” görevi görür. Metalik bağlar zayıf veya kuvvetli olabilir.
Metalik bağ periyodik tablodaki IA ve IIA grubu elementlerinde ve bütün ana metallerde bulunur. İyonik ve kovalent bağ yapısına
sahip malzemeler serbest elektrona sahip olmadıkları için elektrik ve ısı iletimi bakımından yalıtkan özelliğe sahiptirler. Metaller
ise hem elektriği hem de ısıyı iyi iletirler.

 İKİNCİL VEYA VAN DER WAALS BAĞLAR

İkincil, van der Waals veya fiziksel bağlar, birincil veya kimyasal bağlara nispeten daha zayıftırlar ve bunların bağ
enerjileri 10 kJ/mol (0.1eV/atom) mertebesindedir.

Van der Waals bağı

Atomik veya moleküler dipoller

Şekil 2.9 İki dipol arasındaki van der Waals bağın şematik gösterimi.

İkincil bağlar kararlı elektron yapısına sahip soygazlarda ve ayrıca kovalent bağlı molekül yapısındaki molekülleri arasında
yer alır. İkincil bağ kuvvetleri atomsal veya moleküle ait dipollerden kaynaklanır. Esas itibarıyla, bir atomun veya molekülün
pozitif ve negatif kutbu arasındaki mesafeden dolayı her zaman bir elektriksel dipol oluşumu söz konusudur.
 Dipolün pozitif ve negatif kutbu arasındaki Kulomb çekim kuvveti sonucu oluşur. Dipol etkileşimleri; uyarılmış dipoller,
uyarılmış dipoller ile polar moleküller ve ayrıca polar moleküllerin kendi arasında meydana gelir. Hidrojen bağı ikincil bağların
özel bir tipi olup, bağın bileşenlerinden birisi hidrojen moleküllü ise bu tür bağ oluşur.

 Değişim Kaynaklı Dipol Bağları

Normalde elektriksel açıdan simetrik olan elektronların üç boyuttaki dağılımının pozitif yüklü çekirdeğe göre simetrik olduğu bir
atomda veya molekülde dipol oluşturulabilir. Bütün atomların sabit titreşim hareketi göstermesi, bazı atom veya moleküllerde
elektriksel simetrinin ani ve kısa süreli çarpılmasına (simetrinin bozulmasına) neden olur. bu dipollerden bir tanesikomşu bir
atomun veya molekülün elektron dağılımında bir ötelenmeye yol açarak birbirine zayıf olarak bağlanmış olan ve dipol olma
potansiyeline sahip olanlar da bu hareketten etkilenir. Burada sözü edilen zayıf bağ van der Waals bağıdır. Çok sayıda atom veya
moleküller arasında kısa süreli ve zamanla değişen bu tip çekim kuvvetleri oluşabilmektedir.

Elektron bulutu Atom çekirdeği

simetrik
atom/molekül
Uyarılmış dipol

Van der Waals

Atom çekirdeği Atom çekirdeği
Elektron bulutu bağı

Şekil 2.10 (a) Elektriksel olarak simetrik bir atomun (b) uyarılmış bir atomda dipolün şematik gösterimi.

Dipol bağlarının daha fazla olduğu malzemelerde ergime ve kaynama sıcaklıkları aşırı derecede düşüktür, bu bağlar oluşabilecek
moleküller arası bağların içerisinde en zayıf olanıdır.
  Polar-Molekül Kaynaklı Dipol Bağları
Bazı moleküllerde pozitif ve negatif yüklü bölgelerin simetrik olmayan dağılımından dolayı, kalıcı dipol momentleri mevcuttur, bu
şekildeki moleküllere polar molekül adı verilir. Polar moleküller aynı zamanda komşu polar olmayan moleküllerde de dipol
oluşumunu teşvik etmekte ve iki molekül arasındaki çekim kuvvetlerinin etkisiyle aralarında bağ oluşur. Dahası, bu bağın enerjisi
değişim kaynaklı dipol bağındakinden büyüktür.
 Kalıcı Dipol Bağlar
Van der Waals kuvvetleri iki komşu polar molekül arasında da bulunur. Buradaki bağ enerjisi, uyarılmış dipol içeren bağlara göre
önemli ölçüde büyüktür. En kuvvetli ikincil bağ tipi olan hidrojen bağı, polar molekül bağın özel bir durumudur. Bu bağ,
hidrojenin flora (HF’deki gibi), oksijene (H2O’daki gibi) ve azota (NH3’deki gibi) kovalent olarak bağlandığı moleküller arasında
meydana gelir. Her bir H—F, H—O veya H—N bağındaki tek hidrojen elektronunu diğer atom ile paylaşır. Böylece bağın
hidrojen ucu, proton tarafından pozitif yükün etkisi altında kalmaktadır. Pozitif yüklü bu uç, HF için Şekil 2.11’de görüleceği gibi,
komşu molekülün negatif ucu ile kuvvetli çekim kuvveti oluşturma eğilimindedir. Esas olarak, bu tek proton negatif yüklü iki atom
arasında bir köprü oluşturabilir.

Hidrojen bağı

Şekil 2.11 Hidrojen florürde (HF) hidrojen bağının şematik gösterimi.

 MOLEKÜLLER
Yaygın olan birçok molekül, kuvvetli kovalent bağ ile birbirine bağlanmış atom gruplarından oluşur. Bu kapsama çift
atomlu basit moleküllerin (F2, O2, H2 vs.) yanı sıra çoğu bileşikler de (H2O, CO2, HNO3, C6H6, CH4 vs.) girmektedir. Yoğuşmuş
sıvı ve katı durumundaki moleküller arasındaki bağlar zayıf ikincil bağlardır. Sonuç olarak molekül yapısına sahip malzemelerin
ergime ve kaynama sıcaklıkları nispeten düşüktür. Az sayıdaki atomlardan oluşan bu küçük moleküllerin çoğu normal şartlar
altında gaz halindedir.
 BÖLÜM III
 KRİSTAL YAPILAR – TEMEL KAVRAMLAR

 BİRİM HÜCRE

 METALLERDE KRİSTAL YAPILAR

 POLİMORFİZM VE ALLOTROPİ

 KRİSTAL SİSTEMLER

 KRİSTAL KAFES NOKTALARI, DOĞRULTULARI VE DÜZLEMLERİ

 DOĞRUSAL VE DÜZLEMSEL ATOM YOĞUNLUKLARI

 SIKI-PAKET KRİSTAL YAPILAR

 KRİSTAL YAPILI OLAN VE OLMAYAN MALZEMELER

 X-IŞINI KIRINIMI: KRİSTAL YAPILARIN BELİRLENMESİ

 KRİSTALDIŞI YAPILAR
 KRİSTAL YAPILAR
 Temel Kavramlar
Katı malzemeler, atomların veya iyonların oluşturdukları düzene göre sınıflandırılabilir. Bir kristal malzemede uzun aralıkta düzen
mevcuttur. Atomlar, atomsal ölçekte uzun mesafelerde tekrar eden düzenli bir yapı oluşturur. Yani katılaşma sırasında atomlar, en
yakın komşu atomlara bağlanırken üç boyutta tekrar eden bir düzenin içinde yerlerini alırlar. Normal katılaşma koşullarında bütün
metallerde, seramik malzemelerin çoğunda ve polimerlerin bir kısmında kristal yapı oluşur. Kristalleşmeyen malzemelerde, uzun
aralıkta atomsal düzen bulunmaz.
Kristal yapıların bazı özellikleri, malzemelerin kristal yapılarına, yani atomların, iyonların ya da moleküllerin üç boyutlu olarak
meydana getirdikleri düzene bağlıdır. Katı-küre atom modeli olarak adlandırılan modelde, en yakın komşuluğa sahip olan atomları
temsil eden küreler birbirleri ile temas halinde bulunur.

Şekil 3.1 Yüzey merkezli kübik kristal yapı

için. (a) Katı-küre birim hücre gösterimi. (b)
küçük küre birim hücre gösterimi. (c) bir grup
atomun oluşturduğu bir hacim ve bu hacmin bir
köşesinde birim hücrenin gösterimi.

Şekildeki bütün atomlar birbirinin aynısıdır. Bazen kristal yapılardan bahsedilirken kafes terimi kullanılır. Kafes ya da kafes
terimi, kristal yapılarda, atomların, üç boyutlu dizilişlerinde, bulundukları yerlere karşılık gelen noktaları ifade eder. Atomların
bulundukları yerlere de kafes noktası denir.
 BİRİM HÜCRE
Kristal yapılarda bulunan atomsal düzen, yapının bir grup atomdan oluşan küçük bir birimin tekrar etmesi ile oluştuğuna
işaret eder. Çoğu kristal yapıda, birim hücreler birbirlerine paralel üç çift yüzeyi olan prizmalardan oluşur. Kristalin simetrisini
temsil edecek şekilde seçilen birim hücrenin, atom konumlarından, kenar uzunluğu kadar yapılacak ötelemelerle kristalin içindeki
bütün atom noktaları elde edilebilir. Dolayısıyla, birim hücre kristal yapıyı oluşturan temel yapı taşıdır, geometrisi ve içerdiği
atomların konumları kristal yapıyı tanımlar ve temsil eder.

 METALLERDE KRİSTAL YAPILAR

Bu malzemelerde bulunan metalsel bağlar yöne bağımlı olmadığı için, bir atomun en yakın komşuluğunda bulunan
atomların sayısı ve konumu üzerindeki kısıtlar minimumdur. Bu nedenle, metalik kristal yapılarda en yakın komşu atom sayısı ve
atomsal istiflenme nispeten yüksektir. Metallerin kristal yapıları için katı-küre modelinin kullanılması durumunda, her bir küre
serbest elektronları hariç olmak üzere bir atomu temsil eder. Yaygın olarak bilinen metallerin çoğu, yüzey merkezli kübik, hacim
merkezli kübik ve sıkı paket hekzagonal olmak üzere, nispeten basit olan üç farklı kristal yapıda bulunur.

 Yüzey Merkezli Kübik Kristal Yapı

Birçok metalde bulunan bir kristal yapı, bütün köşelerinde ve yüzey merkezlerinde birer atomun bulunduğu, kübik geometride bir
birim hücreye sahiptir. Uygun bir şekilde yüzey merkezli kübik (YMK) kristal yapı olarak adlandırılmıştır. Bakır, alüminyum,
gümüş ve altın gibi iyi bilinen bazı metaller YMK yapıya sahiptir. Bu yapıda, küreler veya iyonlar yüzey köşegeninde birbirleri ile
temas halinde bulundukları için, küpün kenar uzunluğu, a ve atom yarıçapı, R arasında şu ilişki geçerlidir:
𝑎 = 2𝑅ξ2
YMK kristal yapıda, köşelerde bulunan her bir atom 8, yüzey merkezlerindeki her bir atom ise sadece 2 birim hücre tarafından
paylaşılır. Dolayısıyla, bir birim hücre içinde, 8 köşe atomunun 8’de 1’i, 6 yüzey atomunun yarısı olmak üzere toplam 4 atom
vardır. Aslında, köşe ve yüzey atom konumları arasında bir fark yoktur yani eşdeğerdir.
Koordinasyon sayısı ve atomsal dolgu faktörü (ADF) kristal yapılar için önemli diğer iki özelliktir. Metallerde her atomun
koordinasyon sayısı aynıdır. Her atom için en yakın komşuluğunda bulunan veya kendisiyle temas halinde bulunan atomların
sayısı aynıdır. YMK yapılar için koordinasyon sayısı 12’dir.
 𝑏𝑖𝑟𝑖𝑚 ℎü𝑐𝑟𝑒𝑑𝑒𝑘𝑖 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑙𝑎𝑟𝚤𝑛 ℎ𝑎𝑐𝑚𝑖
𝐴𝐷𝐹 =
𝑏𝑖𝑟𝑖𝑚 ℎü𝑐𝑟𝑒 ℎ𝑎𝑐𝑚𝑖

YMK için atomsal dolgu faktörü 0.74’tür. Bu aynı çapa sahip kürelerin istiflenebileceği en yüksek orandır.

Tablo 3.1 Bazı metallerin atom yarıçapları ve kristal yapıları

Metal Kristal Yapı Atom Yarıçapı (nm) Metal Kristal Yapı Atom Yarıçapı (nm)
Alüminyum YMK 0.1431 Molibden HMK 0.1363
Kadmiyum HMK 0.1490 Nikel YMK 0.1246
Krom HMK 0.1249 Platin YMK 0.1387
Kobalt SPH 0.1253 Gümüş YMK 0.1445
Bakır YMK 0.1278 Tantal HMK 0.1430
Altın YMK 0.1442 Titanyum SPH 0.1445
Demir HMK 0.1241 Volfram HMK 0.1371
Kurşun YMK 0.1750 Çinko SPH 0.1332

 Hacim Merkezli Kübik Kristal Yapı

Metallerde yaygın olarak bulunan bir diğer kristal yapı; hacim merkezinde bir ve köşelerinde sekiz atomun bulunduğu, kübik bir
birim hücreye sahip olan hacim merkezli kübik (HMK) yapıdır. Bu yapıda, merkez ve köşe atomları hacim köşegeni üzerinde
temas halinde bulundukları için, birim hücre kenarı, a ve atom yarıçapı, R arasında şu eşitlik geçerlidir:
4𝑅
𝑎=
ξ3
HMK yapı içinde toplam iki atom bulunur. HMK yapının merkezindeki atomun tamamı birim hücre içinde kalırken köşe atomları
8 birim hücre tarafından paylaşılır. Bunun yanında, köşe ve merkez atom konumları eşdeğerdir.
HMK yapıda koordinasyon sayısı 8’dir. Her merkez atomunun en yakın komşuluğunda 8 köşe atomu vardır. Koordinasyon sayısı
gibi, HMK yapının atomsal dolgu faktörü de YMK yapınınkine göre daha düşüktür. ADF, YMK yapı için 0.74 iken HMK için bu
değer 0.68’dir.

Şekil 3.2 Hacim merkezli kübik için (a)

katı-küre birim hücre. (b) küçük-kare
birim hücre gösterimi. (c) bir grup atomun
bir arada bulunduğu hacim.

 Sıkı Paket Hegzagonal Kristal Yapı

Bazı metallerin birim hücrelerinde kübik simetri bulunmaz. Ele alınacak son kristal yapı hegzagonal bir birim hücreye sahiptir.
Birim hücrenin alt ve üst yüzeyleri, merkezlerinde bulunan bir atomun etrafında düzgün altıgen oluşturan 6 atomdan meydana
gelir. Birim hücrenin içinde, alt ve üst yüzeyler arasında, 3 atomun bulunduğu başka bir düzlem vardır. Bu ara düzlemdeki
atomlar, en yakın komşuluğunda bulunan alt ve üst düzlemlerdeki atomlar ile temas halindedir. SPH kristal yapıda, bir birim
hücrede, alt ve üst yüzeylerin köşelerinde bulunan 12 atomun 6’da 1’i, alt ve üst yüzeylerin merkezinde bulunan iki atomun yarısı
ve ara düzlemdeki 3 atom olmak üzere toplam 6 atom bulunur. YMK yapıda olduğu gibi, SPH yapının koordinasyon sayısı ve
atomsal dolgu faktörü, sırasıyla 12 ve 0.74’tür. Kadmiyum, magnezyum, titanyum ve çinko gibi bazı metaller SPH yapıdadırlar.

Şekil 3.3 Sıkı paket hegzagonal yapıda (a) küçük-küre birim

hücre gösterimi (b) bir grup atomun bir arada bulunduğu bir
hacim.
 POLİMORFİZM VE ALLOTROPİ
Bazı metaller ve metal dışı malzemeler birden fazla kristal yapıda bulunabilirler. Bu özelliğe polimorfizm denir. Element
halindeki katılar için, allotropi olarak adlandırılan bu özelliğe sahip malzemelerin hangi kristal yapıda bulunduğu, sıcaklığa ve dış
basınca bağlıdır. Örneğin, normal koşullarda karbon kararlı grafit halinde bulunurken, aşırı yüksek basınçlar altında elmas oluşur.
Oda sıcaklığında HMK kristal yapıda bulunan saf demir ise 912℃’de YMK yapılı demire dönüşür. Genellikle, polimorfik
dönüşümler sırasında malzemelerin yoğunlukları ve diğer fiziksel özellikleri değişir.

 KRİSTAL SİSTEMLER
Sınıflandırma, birim hücredeki atom konumlarına bakılmaksızın, sadece birim hücre geometrisine veya uygun prizmatik
birim hücre biçimine göre yapılabilir. Bu çerçevede, x,y ve z eksenleri birim hücre kenarları üzerinde olacak şekilde, orijini birim
hücrenin bir köşesine yerleştirilen, bir xyz koordinat sistemi oluşturulur (Şekil 3.4). Birim hücre geometrisi, kenar uzunlukları
a,b,c ve iç açıları 𝛼, 𝛽, 𝛾’dan oluşan 6 parametre yardımıyla tam olarak tanımlanır. Kafes parametreleri olarak da adlandırılır. a,b,c
ve 𝛼, 𝛽, 𝛾’nın, her biri ayrı bir kristal sistemi temsil eden, 7 farklı kombinasyonu vardır. Kübik, hegzagonal, tetragonal,
rombohedral, ortorombik, monoklinik ve triklinik olmak üzere bu 7 kristal sistemin kafes parametreleri arasındaki ilişki ve birim
hücreleri gösterilmiştir (Tablo 3.2).

Şekil 3.4 x,y,z koordinat eksenleri ile eksen uzunluklarının ve eksenler arasındaki açıların gösterildiği birim hücre.
Tablo 3.2 Yedi kristal sisteminin birim hücre geometrileri ve kafes
parametreleri arasındaki ilişki
Kristal sistem
Eksenel ilişki
Eksenler arası açı ilişkisi
Birim hücre geometrisi
 KRİSTAL KAFES NOKTALARI, DOĞRULTULARI VE DÜZLEMLERİ
 Nokta Koordinatları
Birim hücre içinde her hangi noktanın yeri, birim hücre kenarları (a, b ve c) ile orantılı koordinatlarına göre belirtilir.
Koordinatların nasıl bulunduğunu göstermek için, içinde bir P noktasının bulunduğu birim hücreyi ele alalım. P’nin konumu
genelleştirilmiş q, r ve s koordinatları ile belirlenir. q, x ekseni üzerinde a ile orantılı bir uzunluğu belirtir. Benzer şekilde r, y
ekseni üzerinde b ile ve s ise z ekseni üzerinde c ile orantılı bir uzunluktur. Dolayısıyla, P’nin konumu, değerleri bire eşit ya da
birden daha küçük olabilen q r s koordinatları ile gösterilir (Şekil 3.5).

Şekil 3.5 Birim hücredeki P noktasına ait q, r, s koordinatlarının belirlenme şekli.

 KRİSTAL KAFES DOĞRULTULARI

Bir kristal kafes doğrultusu iki nokta arasında çizilen bir doğru ya da vektör ile tanımlanır. Bir doğrultuya ait üç indisinin
belirlenmesi için aşağıdaki adımlar uygulanır:
1. Uygun uzunlukta bir vektör, koordinat sisteminin orijininden geçecek şekilde yerleştirilir. Paralellik korunduğu sürece, bir
vektör kristal kafes içinde istenilen noktaya taşınabilir. Bu şekilde yapılan bir taşıma, doğrultunun miller indislerini değiştirmez.
2. Vektörün üç eksen üzerindeki iz düşüm uzunlukları belirlenir. Bu uzunluklar birim hücre boyutları a,b ve c’ye bölünür.
3. Gerektiğinde, bulunan sayıları en küçük tam sayılara dönüştürmek için, ortak bir sayı ile bölme ya da çarpma işlemi yapılır.
4. Sayılar köşeli parantezin içine virgül koymaksızın alınır [uvw]. u, v ve w tam sayıları vektörün x, y ve z eksenleri üzerindeki
indirgenmiş iz düşümlerdir.
 Her üç eksende pozitif ve negatif koordinatlar söz konusu olduğundan, indisler önlerine negatif işaret de alabilirler. Böyle
negatif işaretli indisler, üzerlerine çizilen bir eksi işareti ya da çizgi yardımıyla gösterilir. Örneğin, [11̅1] doğrultusunun –y
yönünde bir bileşeni vardır. Ayrıca, bir doğrultunun bütün indislerinin negatiflerinin alınmasıyla bulunan yeni indisler,
doğrultunun kendisine paralel, ancak zıt yönde bir doğrultuyu gösterir. [1̅11̅] doğrultusu, [11̅1] doğrultusuna göre tam ters yönde
uzanır. Belirli bir kristal yapıda birden fazla doğrultu belirlenecek ise pozitif ve negatif yönlerin bir defa belirlenmesinin ardından
değiştirilmemeleri gerekir.

Şekil 3.6 Birim hücre içinde [100], [110] ve [111] doğrultuları.

 Hegzagonal Kristaller
Hegzagonal (altıgen) simetriye sahip kristallerde eşdeğer doğrultuların aynı indislere sahip olmamaları nedeniyle ortaya çıkan bir
problem söz konusudur (Şekil 3.7). Bu durum, dört eksenli veya Miller-Bravais koordinat sisteminin kullanılmasıyla giderilebilir.
Taban düzlemi olarak adlandırılan, tek bir düzlem üzerinde bulunan a1, a2 ve a3 eksenleri arasındaki açılar 120°’dir. z ekseni taban
düzlemine dik olarak uzanır. Elde edilen doğrultu indisleri, [uvtw] şeklinde dört indis ile belirtilir. Bu indislerden ilk üçü taban
düzlemindeki a1, a2 ve a3 eksenleri üzerindeki iz düşümleri gösterir.
[𝑢′ 𝑣 ′ 𝑤 ′ ]→[uvtw]
Üç indis sisteminden dört-indis sistemine dönüşüm aşağıdaki denklemlerle gerçekleştirilir:
1
𝑢 = (2𝑢′ − 𝑣 ′ )
3
1
𝑣 = (2𝑣 ′ − 𝑢′ )
3
𝑡 = −(𝑢 + 𝑣)
𝑤 = 𝑤′
 Bu denklemlerde 𝑢′ , 𝑣 ′ ve 𝑤 ′ üç-indis sistemine ve u, v, t, w ise Bravais-Miller dört-indis sistemine ait indislerdir. Örneğin, [010]
doğrultusu [1̅21̅0] haline gelir.

Şekil 3.7 Hegzagonal birim hücre için koordinat eksen sistemi.

 KRİSTAL KAFES DÜZLEMLERİ

Kristal yapılarda düzlemler benzer bir şekilde gösterilir. Hegzagonal kristal sistemi dışında bütün düzlemler (hkl) şeklinde
üç Miller indisi ile belirtilir. Birbirlerine paralel olan herhangi iki kristal kafes düzlemi, birbirine eşdeğerdir ve aynı indislerle
gösterilir. h, k ve l indislerinin belirlenmesi için uygulanan işlemler aşağıda sıralanmıştır:
1. Düzlem orijinden geçiyorsa düzlem uygun bir şekilde paralel olarak taşınır veya orijin başka bir birim hücrenin köşesine taşınır.
2. Bu noktada kristal kafes düzlemi tüm eksenleri ya da en azından bir ekseni keser. Kesmediği eksenler varsa bu eksenlere paralel
olarak uzanıyor demektir. Düzlemin eksenleri kestiği noktaların orijine uzaklıkları a, b ve c kafes parametreleri cinsinden
belirlenir.
3. Bu sayıların çarpmaya göre tersleri alınır. Düzlemin herhangi bir eksene paralel olarak uzanması durumunda, 0 ekseni sonsuzda
kestiği düşünülür ve çarpmaya göre tersi olarak 0 sayısı alınır.
4. Gerektiğinde bu üç sayı, en küçük tamsayıları verecek bir sayı ile çarpılır ya da bölünür.
5. Son olarak indisler virgül ile ayrılmaksızın (hkl) şeklinde parantez içine alınarak yazılır.
Düzlem herhangi bir ekseni orijinin negatif tarafını kesiyorsa, ilgili indis üzerine çizilen eksi ya da çizgi işareti ile gösterilir.
 O noktasında bulunan
orijine göre (001) düzlemi
O noktasında bulunan
O noktasında bulunan
orijine göre (111) düzlemi
orijine göre (110) düzlemi

Diğer eşdeğer (001)

düzlemleri

Diğer eşdeğer (110) Diğer eşdeğer (111)

düzlemleri düzlemleri

Şekil 3.8 (a) (001). (b) (110). (c) (111) düzlemlerinin gösterimi.
 Atom Dizilişleri
Kristal kafes düzlemlerinde atom dizilişleri kristal yapılara göre farklılık gösterir. Şekil 3.9 ve 3.10’da YMK ve HMK yapıları için
(110) düzlemindeki atom dizilişleri gösterilmiştir. Her iki kristal yapı için atom dizilişlerinin farklı olduğu görülmektedir. (a)
şıkkında atomlar küçük-küre modeli ile gösterilmiş, (b) şıkkındaki kristal düzlemlerin üzerindeki atomları temsil eden daireler,
atomların katı-küre modeline göre tam boyutlarını göstermektedir.
Bir düzlem ailesi aynı atomsal dizilişe sahip eşdeğer düzlemlerden oluşur. Bir aile indisler ile {hkl} şeklinde gösterilir. Örneğin,
(111), (1̅1̅1̅), (1̅11), (111̅), (1̅1̅1), (1̅11̅) ve (11̅1) düzlemleri {111} düzlem ailesine ait düzlemlerdir.

Şekil 3.9 (a) küçük-küre YMK birim hücresinde (110) düzlemi Şekil 3.10 (a) küçük-küre YMK birim hücresinde (110)
(b) YMK (110) düzleminin atomsal dizilişi. düzlemi (b) YMK (110) düzleminin atomsal dizilişi.
  Hegzagonal Kristaller
Hegzagonal simetriye sahip kristallerde, doğrultularda olduğu gibi, eşdeğer düzlemlerin aynı indislere sahip olmaları istenir.
Bunun için, Miller-Bravais sistemi kullanılır. Çoğu durum için tercih edilen bu (hkil) şeklindeki dört indisli sistem, hegzagonal
kristaldeki bir düzlemin yönünü daha açık bir şekilde gösterir. i indisinin belirlenmesinde aşağıda gösterildiği gibi h ve k indisleri
kullanılır. h, k ve l indisleri ise her iki indis sistemi için aynıdır.
𝑖 = −(ℎ + 𝑘)

 DOĞRUSAL VE DÜZLEMSEL ATOM YOĞUNLUKLARI

Doğrultuların eşdeğer olmaları doğrusal atom yoğunluğuna bağlıdır. Yani doğrusal atom yoğunlukları aynı olan doğrultular
eşdeğerdir. Benzer şekilde, düzlemsel atom yoğunlukları aynı olan düzlemler eşdeğerdir. Doğrusal atom yoğunlukları, DAY birim
uzunluk başına atom sayısı olarak tanımlanır. Bu hesaplamalarda, sadece merkezleri söz konusu doğrultu vektörünün üzerinde
bulunan atomlar göz önüne alınır.

𝑀𝑒𝑟𝑘𝑒𝑧𝑙𝑒𝑟𝑖 𝑑𝑜ğ𝑟𝑢𝑙𝑡𝑢 𝑣𝑒𝑘𝑡ö𝑟ü𝑛ü𝑛 ü𝑧𝑒𝑟𝑖𝑛𝑑𝑒 𝑏𝑢𝑙𝑢𝑛𝑎𝑛 𝑎𝑡𝑜𝑚 𝑠𝑎𝑦𝚤𝑠𝚤

𝐷𝐴𝑌 =
𝐷𝑜ğ𝑟𝑢𝑙𝑡𝑢 𝑣𝑒𝑘𝑡ö𝑟ü𝑛ü𝑛 𝑢𝑧𝑢𝑛𝑙𝑢ğ𝑢

Doğrusal atom yoğunluğunun birimi doğal olarak nm-1, m-1 gibi tercih edilen bir uzunluk biriminin, çarpmaya göre tersidir.

Benzer bir şekilde, düzlemsel atom yoğunluğu, DÜAY birim alan başına atom sayısı olarak tanımlanır. Burada yine merkezleri,
söz konusu düzlem üzerinde bulunan atomlar göz önüne alınır.

𝑀𝑒𝑟𝑘𝑒𝑧𝑙𝑒𝑟𝑖 𝑑ü𝑧𝑙𝑒𝑚𝑖𝑛 ü𝑧𝑒𝑟𝑖𝑛𝑑𝑒 𝑏𝑢𝑙𝑢𝑛𝑎𝑛 𝑎𝑡𝑜𝑚 𝑠𝑎𝑦𝚤𝑠𝚤

𝐷Ü𝐴𝑌 =
𝐷ü𝑧𝑙𝑒𝑚 𝑎𝑙𝑎𝑛𝚤

Düzlemsel atom yoğunluğu, nm-2, m-2 gibi tercih edilen bir alan biriminin çarpmaya göre tersi cinsinden bulunur.
 SIKI PAKET KRİSTAL YAPILAR
Sıkı paket düzlem parçasındaki atomların merkezleri A harfi ile gösterilmiş olsun. Bu düzlemin üzerindeki diğer sıkı paket
düzlem atomları, şekilde gösterilen bu düzlemdeki her üç komşu atomun arasında bulunan B konumlarına ya da C konumlarına
oturacak şekilde, iki farklı biçimde yerleşebilir. Diğer bir ifadeyle, bitişik bir düzleme ait bütün atomların merkezleri ya B ya da C
ile gösterilen noktalara denk gelecek şekilde bir yerleşim söz konusudur. Henüz sadece iki düzlem göz önüne alındığı için, bu
noktada B ve C konumları eşdeğerdir. Atomların B konumlarına yerleşmeleri durumunda, dizi sırası AB olarak adlandırılır.
YMK ve SPH arasındaki gerçek fark, üçüncü sıkı paket düzlemin yerleştiği konumdan kaynaklanır. SPH için, bu
düzlemdeki atomlar, A konumlarının tam üstünde yerlerini alırlar. Dizi sırası ABABAB…, şeklindedir ve kristal yapı bu şekilde
tekrar eden sıkı paket düzlemlerden oluşur. Doğal olarak, ACACAC…, sıralaması da eşdeğerdir.

Şekil 3.11 (a) Üzerinde A,B ve C konumlarının

gösterildiği bir sıkı paket atom düzlem parçası.
(b) Dizilme sırası AB olan iki sıkı paket atom
düzlemi.

Şekil 3.12 Sıkı paket hegzagonal yapıda sıkı paket

düzlemlerin dizilme sırası.
 YMK yapıda üçüncü düzlemdeki atomlar, merkezleri ilk düzlemdeki C konumlarının üstüne gelecek şekilde yerleşmiştir.
Dizi sırası ABCABC…, şeklindedir ve kristal yapı bu şekilde tekrar eden sıkı paket düzlemlerden oluşur.

Şekil 3.13 (a) Yüzey merkezli kübik yapıda sıkı

paket düzlemlerin dizi sırası. (b) Sıkı paket atom
düzlemlerini ile oluşturulan küp şeklindeki hacmin,
bir köşesindeki atomlar, sıkı paket atom
düzlemlerinin YMK kristal yapıda nasıl
bulunduğunun gösterimi.

KRİSTAL YAPILI OLAN VE OLMAYAN MALZEMELER

 TEK KRİSTALLER
Kristal yapılı bir katıda, tekrar eden atom düzeninin, numunenin tamamı boyunca kesintisiz devam etmesi durumunda tek
kristal yapı meydana gelir. Atom düzeninin mükemmel olduğu tek kristaller de mevcuttur. Tek kristallerde bütün birim hücreler
aynı yönde uzanır. Doğada bulunabildikleri gibi, yapay olarak da üretilebilirler. Ancak çok kontrollü bir ortam gerektiği için, tek
kristal büyütme işlemi oldukça zordur. Bazı değerli taşlarda olduğu gibi dışarıdan herhangi bir kısıtlama olmadan büyümesine izin
verilmesi durumunda, bir tek kristal, düz yüzeylere sahip, düzgün geometrilerde oluşur. Şekil 3.14’te tek kristal bir lal taşının
fotoğrafı görülmektedir.
 Şekil 3.14 Çin’in Fujian Eyaletinde, Tongbei şehrinde bulunmuş bir
tek kristal lal taşının fotoğrafı.

 ÇOK KRİSTALLİ MALZEMELER

Kristal katıların çoğu, çok sayıda küçük kristalden ya da taneden meydana gelmiştir. Böyle malzemeler çok-kristal olarak
adlandırılır. Çok kristalli bir malzemenin katılaşma evreleri şekilde gösterilmiştir. Katılaşmanın başlangıcında sıvı eriyik içinde,
çeşitli yerlerde küçük kristaller veya çekirdekler oluşur. Karelerle gösterildiği üzere bu taneciklerin her birinin yönlenmeleri
farklıdır. Eriyikte bulunan atomların, oluşmakta olan kristal yapılara katılmasıyla, bu taneler büyürler. Katılaşmanın sonuna doğru,
tanelerin dış kısımları birbirlerine dayanır. Ayrıca, tanelerin birbirlerine temas ettikleri bölgelerde atomsal olarak düzensizlik söz
konusudur ve bu bölgeler tane sınır olarak adlandırılır.

Şekil 3.15 Çok kristalli bir malzemenin çeşitli katılaşma evreleri. (a) Küçük kristal çekirdekleri. (b) Kristallerin büyümesi. (c)
Katılaşmanın sonuna doğru gelişigüzel şekillere sahip tanelerin oluşması. (d) Metallografik inceleme sırasında mikroskop
altında görülebilecek muhtemel tane yapısı.
 ANİZOTROPİ
Bazı malzemelerin tek kristallerinde fiziksel özellikler, ölçümün gerçekleştirildiği kristal doğrultulara göre değişir. Örneğin,
elastiklik modülü, elektrik iletkenliği ve kırınım indeksi [100] ve [111] doğrultularında farklı değerler alabilir. Özelliklerin bu
şekilde yöne bağlı olması anizotropi olarak adlandırılır ve kristal doğrultularda atom veya iyon dizilişlerinin farklı olmasından
kaynaklanır. Özellikleri yönden bağımsız olduğu malzemeler izotropik olarak adlandırılır. Kristal yapılarda anizotropinin derecesi
kristal yapının simetrisine bağlıdır. Triklinik yapılarda anizotropi oldukça yüksektir.

Tablo 3.3 Bazı metaller için [100], [110] ve [111] doğrultularındaki elastiklik modülü değerleri.
Elastiklik Modülü (GPa)

Metal [100] [110] [111]

Alüminyum 63.7 72.6 76.1

Bakır 66.7 130.3 191.1

Demir 125.0 210.5 272.7

Volfram 384.6 384.6 384.6

Çok kristalli malzemelerin pek çoğu için tane yönlenmesi, taneden taneye gelişigüzel bir şekilde farklılık gösterir. Bu şartlar
altında, her bir tane anizotropik olsa da, birçok taneden meydana gelen numune izotropik davranış gösterir ve ölçülen bir özellik,
yöne bağlı değerlerin bir ortalamasını temsil eder. Bazen çok kristalli malzemelerde taneler belirli bir doğrultuda yönlenmiş
olabilir. Böyle malzemelerin belirli bir dokuya (tekstür) sahip olduğu söylenir.
 X-IŞINI KIRINIMI: KRİSTAL YAPILARIN BELİRLENMESİ
 Kırınım Olayı
Bir dalga, (1) kendisinin saçılmasına yol açabilecek ve (2) dalga boyu ile karşılaştırılabilir aralıklarla düzenli bir şekilde yerleşmiş,
bir dizi engelle karşılaştığında kırınıma uğrar. Kırınım, engeller tarafından saçılmış iki ya da daha fazla dalganın fazları arasındaki
belirli etkileşimler sonucunda meydana gelir. Şekilde gösterilen, dalga boyları aynı ve 𝑂 − 𝑂′ noktasında aynı fazda olan ve 1 ve 2
dalgalarını ele alalım. Her iki dalganın farklı yol kat edecek şekilde saçıldığını kabul edelim. Saçılan dalgaların kat ettikleri
mesafeye bağlı olarak, bir faz girişimi meydana gelir. Kat ettikleri mesafelerin arasındaki farkın, dalga boylarının tam katı olması
durumunda, bu iki dalga hala aynı fazda bulunur. Bu durumda dalgalar arasında yapıcı girişim meydana gelir. Diğer bir ifadeyle,
dalgalar birbirlerini kuvvetlendirici yönde etkiler ve genliklerinin eklenmesi sonucu şeklin sağ tarafında gösterilen dalga oluşur.
Bu kırınımın bir göstergesidir. Kırınan bir ışın, birbirini kuvvetlendiren çok sayıda dalgadan meydana gelir.

Saçılım Saçılım
Dalga 1 Olayı Dalga 1’ Dalga 3 Olayı Dalga 3’
Genlik

Genlik
Dalga 2 Dalga 2’ Dalga 4
Dalga 4’
Konum Konum

Şekil 3.16 (a) Aynı dalga boyuna sahip 1 ve 2 sayıları ile gösterilen ve saçıldıktan sonra aynı fazda kalmaya devam eden iki
dalganın yapıcı girişimi. (b) 3 ve 4 sayıları ile gösterilen, dalga boyları aynı olan ve saçıldıktan sonra zıt fazlı olan iki dalganın
yıkıcı girişimi.
 X-Işını Kırınımı ve Bragg Kanunu
X-ışınları, kısa dalga boylarına sahip yüksek enerjili bir elektromanyetik ışıma biçimidir. Dalga boyları, katılardaki atomlararası
mesafeler ile aynı mertebededir. Bir x-ışını demeti, herhangi bir katı malzemenin üzerine çarptığında, bu demetin bir kısmı, kat
ettiği yol üzerinde bulunan her atom veya iyonla ilişkili elektronlar tarafından her yöne doğru saçılır.

𝑛𝜆 = ̅̅̅̅
𝑆𝑄 + ̅̅̅̅
𝑄𝑇
𝑛𝜆 = 𝑑ℎ𝑘𝑙 𝑠𝑖𝑛𝜃 + 𝑑ℎ𝑘𝑙 𝑠𝑖𝑛𝜃
= 2𝑑ℎ𝑘𝑙 𝑠𝑖𝑛𝜃

Şekil 3.17 X-ışınlarının 𝐴 − 𝐴′ ve 𝐵 − 𝐵′ atom düzlemleri tarafından kırınımı.

X-ışını dalga boyu ve atomlararası mesafeyi, kırınan ışının açısıyla ilişkilendiren bu basit denklem Bragg Kanunu olarak bilinir.
Ayrıca, yansıtma derecesini belirten n, sin𝜃’nın değeri biri geçmediği sürece, herhangi bir tamsayıya eşit olabilir (1, 2, 3…). Bragg
Kanunu sağlanmadığında, girişim yapıcı olmayacağı için, düşük şiddetli bir ışın kırınımı meydana gelir.
İki paralel ve bitişik atom düzlemi arasındaki mesafe Miller indislerine ve kafes parametresine bağlı olarak değişir.
𝑎
𝑑ℎ𝑘𝑙 =
ξℎ2 + 𝑘 2 + 𝑙 2
 KRİSTALDIŞI KATILAR
Bir katının kristal veya amorf yapıda oluşması, sıvıyken düzensiz halde bulunan atom yapısının, katılaşma sırasında kolayca
düzenli bir yapıya dönüşüp dönüşemediğine bağlıdır. Bu yüzden, özellikleri itibariyle amorf malzemeler, nispeten karmaşık ve
düzenli hale dönüşmesi kolayca gerçekleşmeyen, atom ya da molekül yapılarına sahiptir. Ayrıca, katılaşma sırasında, donma
sıcaklığı geçilirken soğuma hızının yüksek olması, düzenli bir yapının oluşması açısından süreyi kısıtladığı için, amorf bir katının
oluşma olasılığını artırır. Metaller kristal yapı oluşturarak katılaşır. Bunun yanında seramiklerin bazıları kristal yapıda, bazıları ise
amorf yapıda bulunur. Polimerler ise tamamen amorf yapıya sahip olabildikleri gibi, çeşitli kristallik derecelerine sahip yarıkristal
yapıda bulunabilir.
Silisyum atomu
Oksijen atomu

Şekil 3.18 Silisyum dioksitin (a) kristal ve (b) amorf yapılarının iki boyutlu şematik gösterimi.
 BÖLÜM IV

 GİRİŞ

 NOKTASAL KUSURLAR-ATOMSAL BOŞLUK VE KENDİNDE-ARAYER ATOMLARI

 KATILARDA EMPÜRİTELER

 BİLEŞİMİN BELİRLENMESİ

 DİĞER KUSURLAR-DİSLOKASYONLAR-ÇİZGİSEL KUSURLAR

 ARAYÜZ KUSURLARI

 ATOM TİTREŞİMLERİ

 MİKROSKOBİK İNCELEME-TEMEL KAVRAMLAR

 MİKROSKOBİK İNCELEME YÖNTEMLERİ

 TANE BOYUTUNUN BELİRLENMESİ

KATILARDA KUSURLAR
 GİRİŞ
Kristal malzemelerde, atomsal ölçekte mükemmel bir düzenin bulunduğu varsayımı yapılmıştır. Ancak gerçekte böyle
mükemmel bir kristal yoktur ve bütün kristallerde çeşitli türde çok sayıda kusur bulunur. Bu kusurların varlığı, malzemelerin
birçok özelliğinde önemli değişiklikler meydana getirir. Bununla birlikte, kusur olarak adlandırılsalar da malzemeler özelliklerini
her zaman olumsuz yönde etkilemezler, malzemelerin bazı özelliklerinin iyileştirilmesi için malzemelere kontrollü bir şekilde
bilerek eklenirler.
Kristal yapı kusuru kavramı bir veya daha fazla boyutu atom çapı mertebesinde olan kafes düzensizlikleri için kullanılır. Bu
kusurlar genellikle geometrilerine ya da boyutlarına göre sınıflandırılır.

Şekil 4.1 Atomsal boşluk ve kendinde-arayer atomu kusurlarının iki boyutta

Kendinde-arayer
şematik olarak gösterimi.
Atomsal boşluk

NOKTASAL KUSURLAR
 ATOMSAL BOŞLUK (BOŞYER) VE KENDİNDE-ARAYER ATOMLARI
Bir atomun bulunması gerekirken boş kalan atomsal boşluk (boşyer) veya diğer bir ifadeyle boş kafes noktaları en basit
noktasal kusurlardır. Atomsal boşluk bütün kristal malzemelerde bulunur ve aslında bu kusurların bulunmadığı bir malzemenin
üretilmesi imkansızdır. Boşyerlerin varlığı kristalin entropisini arttırmaktadır.
 𝑄𝑏
𝑁𝑏 = 𝑁 𝑒𝑥𝑝 (− )
𝑘𝑇
Bu ifadede, N birim hacimdeki kafes noktalarının toplam sayısı, 𝑄𝑏 bir boşluğun oluşması için gerekli enerji, T Kelvin
cinsinden mutlak sıcaklık, k ise gaz ya da Boltzmann sabitidir. k’nın değeri 𝑄𝑏 ’nin birbirine bağlı olarak 1.38 x 10-23 j/atom-K ya
da 8.62 x 10-5 eV/atom.K olarak alınır. Bu ifadeye göre, sıcaklık arttıkça boşluk sayısı üstel olarak artar.
Kristali oluşturan atomlardan biri, normal şartlarda atomların bulunmadığı arayer boşluklarına girebilir. Bu tip atomlara
kendinde-arayer atomu denir. Kendinde-arayer atomu, arayer boşluklarına göre çok daha büyük olduğundan, çevrelerindeki
kafeste nispeten büyük çarpılmalara yol açar. Bu nedenle, bu tip kusurların oluşma olasılığı pek yüksek değildir ve atomsal boşluk
konsantrasyonuna göre oldukça az oranda, çok düşük konsantrasyonlarda bulunur.

 KATILARDA EMPÜRİTELER
Yalnız tek bir element atomlarından oluşan, empürite veya yabancı atomların bulunmadığı, tamamen saf bir metalin
bulunması imkansızdır. Nispeten gelişmiş tekniklerin kullanılması durumunda bile, bir metalin %99,9999’dan daha yüksek saflığa
sahip olacak şekilde arıtılması çok zordur. Bu saflık derecesinde bile, bir metreküp malzemede 1022, 1023 mertebelerinde empürite
atomu bulunur. Bunun yanında, yaygın olarak kullanılan metallerin çoğunda, malzemelere belirli özellikler kazandırmak üzere
empürite atomları bilerek ilave edilir ve dolayısıyla saf metallerin yerine, daha çok alaşımları kullanılır.
Bir metale empürite atomlarının ilave edilmesi sonucu, empüritenin türüne, konsantrasyonuna ve alaşımın sıcaklığına bağlı
olarak katı çözelti ve/veya yeni ikinci bir faz oluşabilir. Alaşımları oluşturan elementlerin anlatımında daha çok çözen ve çözünen
terimleri kullanılır. Çözen, alaşımın ana yapısını oluşturan ve en yüksek miktarda bulunan element atomları için kullanılır. Çözen
atomlar yerine bazen matris atomları ifadesi de tercih edilebilir. Daha az miktarda bulunan element için ise çözünen ifadesi
kullanılır.
 Katı Çözeltiler
Katı çözeltiler, matris atomlarına çözünen atomların ilave edilmesiyle oluşur. Çözünen atomların kristal yapısı korunur yani yeni
bir yapı oluşmaz. Su ve alkol gibi, birbiri içinde çözünebilen iki sıvı bir kaba konulduğunda, moleküllerin karışmasıyla
konsantrsayonun her yerde homojen olduğu bir sıvı çözelti oluşur.
Empürite noktasal kusurları, katı çözeltilerde bulundukları yere göre yeralan ve arayer olmak üzere ikiye ayrılır. Yeralan türünde,
çözünen ya da empürite atomları bazı kafes noktalarında, çözen atomlarının yerlerini alır (Şekil 4.2).
 Empürite atomlarının çözen atomların yapısında ne kadar çözünebiliyor olduğu, çözünen ve çözen atomların şu şekilde sıralanan
birkaç özelliğine bağlıdır:
1. Atomsal boyut faktörü. Katı çözeltide kayda değer miktarda çözünen atom bulunabilmesi için, iki elementin atom yarıçapı
farkının %15’ten az olması gerekir, eğer boyut farkı %15’ten fazlaysa çözünen atomlar kafeste önemli miktarda çarpılmaya yol
açar ve yeni bir faz oluşur.
2. Kristal Yapıları: çözen ve çözünen atomların kristal yapılarının aynı olması gerekir.
3. Elektronegatiflikleri: elektronegatiflik değerleri yakın olmalıdır. Elektronegatiflikleri arasındaki farkın büyük olması durumunda
katı çözelti yerine metaller arası bileşik yapmaları daha olasıdır.
4. Değerlikleri: diğer faktörler sağlandığında, bir metal, değerliği kendinden daha düşük olan bir metale göre, değerliği daha fazla
olanı çözmeye daha yatkındır.
Bu şartları sağlayan elementlere örnek olarak bakır ve nikel verilebilir. Bakır ve nikel, birbirleri içinde sınırsızca çözünerek,
yeralan katı çözeltisi oluşturur. Bakır ve nikelin sırasıyla atom yarıçapları, 0,128 ve 0,125 nm, elektronegatiflikleri 1,9 ve 1,8 ve
değerlikleri +1 ve +2’dir. Her ikisi de YMK kristal yapıya sahiptir. Arayer katı çözeltilerinde, empürite atomları arayer
boşluklarını veya arayer konumlarını doldurur.

Şekil 4.2 Yeralan ve arayer empürite atomlarının iki boyutta şematik gösterimi.

Yeralan empürite
atomu

Arayer empürite atomu

 BİLEŞİMİN BELİRLENMESİ
Genellikle, bir alaşımın içerdiği elementlere göre bileşimin (ya da konsantrasyonunun) belirtilmesi gerekir. Bileşimin
belirtilmesinde yaygın olarak ağırlık oranı veya atom yüzdesi kullanılır. Ağırlık oranı (yüzdesi) bir alaşımın yapısında bulunan
belirli bir elementin ağırlığının, alaşımın toplam ağırlığı içindeki yüzde oranıdır. 1 ve 2 sayıları ile temsil edilen iki hayali
elementten oluşan bir alaşımda, %C1 olarak gösterilen element 1’in konsantrasyonu şu şekilde hesaplanır:
𝑚1
𝐶1 = 𝑥100
𝑚1 + 𝑚2
Bu ifadede m1 ve m2 sırasıyla, 1 ve 2 elementlerinin ağırlıklarını göstermektedir. 2. Elementin konsantrasyonu da benzer
şekilde hesaplanır.
Atom yüzdesi alaşımı oluşturan belirli bir elementin mol sayısının, alaşımın içindeki elementlerin toplam mol sayısı içindeki
yüzde oranıdır. Belirli bir ağırlığa sahip olan bir hayali 1 elementinin mol sayısı, n m1 aşağıdaki gibi hesaplanabilir:
𝑚1′
𝑛𝑚1 =
𝐴1
Burada 𝑚1′ ve 𝐴1 element 1’in gram cinsinden kütlesi ve atom ağırlığıdır. 1 ve 2 elementlerinden oluşan bir alaşımda, 1
elementinin atom yüzdesi açısından konsantrasyonu, 𝐶1′ aşağıdaki gibi hesaplanır:
𝑛𝑚1
𝐶1′ = 𝑥100
𝑛𝑚1 + 𝑛𝑚2
2’nin atom yüzdesi de benzer şekilde hesaplanır.
 Bileşimin Dönüştürülmesi
Bazı bileşimlerin dönüştürülmesi gerekebilir. Örneğin, ağırlık oranından atom yüzdesi bulunabilir. Bu kısımda hayali 1 ve 2
elementleri kullanılarak bu dönüşümlerin gerçekleştirileceği denklemler üzerinde durulacaktır:

𝐶1 𝐴2 𝐶2 𝐴1
𝐶1′ = 𝑥100 𝐶2′ = 𝑥100
𝐶1 𝐴2 +𝐶2 𝐴1 𝐶1 𝐴2 +𝐶2 𝐴1

𝐶1′ 𝐴1 𝐶2′ 𝐴2
𝐶1 = 𝑥100 𝐶2 = 𝑥100
𝐶1′ 𝐴1 +𝐶2′ 𝐴2 𝐶1′ 𝐴1 +𝐶2′ 𝐴2
 𝐶1 + 𝐶2 = 100 𝐶1′ + 𝐶2′ = 100

Yayınma hesaplamalarında genellikle konsantrasyon kg/m3 olarak ifade edilir. Bu şekilde ifade edilen konsantrasyonlar iki üs
kullanılarak gösterilir.
𝐶1 𝐶2
𝐶1′′ = (𝐶1 𝐶 ) 𝑥103 𝐶2′′ = (𝐶1 𝐶 ) 𝑥103
+ 2 + 2
𝜌1 𝜌2 𝜌1 𝜌2

Yoğunluğun ifadelerde g/cm3 cinsinden konulması durumunda 𝐶1′′ ve 𝐶2′′ kg/m3 olarak elde edilir. İki bileşenli alaşımlarda ağırlık
oranı veya atom yüzdesi olarak verilen bileşimden, alaşımın yoğunluğunun ya da atom ağırlığının belirlenmesi istenebilir. 𝜌𝑜𝑟𝑡 ve
𝐴𝑜𝑟𝑡 sırasıyla alaşımın yoğunluğunu ve atom ağırlığını temsil eder:
100 𝐶1′ 𝐴1 +𝐶2′ 𝐴2
𝜌𝑜𝑟𝑡 = 𝐶1 𝐶 𝜌𝑜𝑟𝑡 = 𝐶′1 𝐴1 𝐶′2 𝐴2
+ 2 + 𝜌
𝜌1 𝜌2 𝜌1 2

100 𝐶1′ 𝐴1 +𝐶2′ 𝐴2

𝐴𝑜𝑟𝑡 = 𝐶1 𝐶2 𝐴𝑜𝑟𝑡 =
+ 100
𝐴1 𝐴2

DİĞER KUSURLAR
 DİSLOKASYONLAR-ÇİZGİSEL KUSURLAR
Dislokasyonlar, çevrelerindeki bazı atomların kristal içindeki düzene bir miktar aykırı olarak konumlandıkları çizgisel
veya tek boyutlu kusurlardır. Bir kristalin içerisinde sona eren bir ek düzlem veya ek yarı düzlemin Şekil 4.3’te dislokasyon
türlerinden biri olan kenar dislokasyon şematik olarak gösterilmiştir. Bu dislokasyonun merkezinde yer alan ve ek yarı düzlemin
kristal içinde sonlandığı kenar boyunca tanımlanan çizgiye dislokasyon çizgisi denir. Kenar dislokasyonu için dislokasyon çizgisi
sayfa düzlemine dik olarak uzanmaktadır. Dislokasyon çizgisinin etrafında kafeste yerel olarak çarpılma meydana gelmiştir.
Şekilde ilave yarı düzlemin etrafında bulunan düşey atom düzlemlerinin hafifçe eğrilmesine yol açan bu çarpılma sonucu,
dislokasyon çizgisinin üzerindeki atomlar birbirlerini sıkıştırmaya, altında kalanlar ise birbirlerinden ayrılmaya zorlar. Kenar
dislokasyonlar ⊥ sembolü ile gösterilir.
 Burgers vektörü

Dislokasyon çizgisi Şekil 4.3 Bir kenar dislokasyonu etrafındaki atom konumların şematik gösterimi.

Bir diğer dislokasyon türü de vida dislokasyonudur. Bu kusurun Şekil 4.4’te gösterilen çarpılmayı oluşturacak şekilde
uygulanan bir kayma gerilmesi sonucu meydana geldiği düşünülebilir. Kristalin ön kısmı, alt kısmına göre bir atom mesafesi
büyüklüğünde sağa doğru kaymıştır. Burada vida dislokasyonundan kaynaklanan ve AB ile gösterilen dislokasyon çizgisi boyunca
gerçekleşen çarpılma da çizgiseldir. Vida dislokasyonu ismini, atom düzlemlerinin dislokasyon çizgisi etrafında spiral veya helisel
bir yol izlemesinden alır. Bazen vida dislokasyonları ↻ sembolü ile gösterilir.

Dislokasyon çizgisi

Burgers vektörü
Şekil 4.4 (a) Kristal yapıda bir vida dislokasyonu. (b) (a) şıkkındaki
dislokasyonun üstten görünüşü.
 Kristal malzemelerde dislokasyonların çoğu tek türde yani sadece kenar veya vida dislokasyonu halinde bulunmaz. Daha
çok her iki türün bir arada bulunduğu yani vida ve kenar bileşenlerinden oluşan karışık dislokasyon halinde bulunurlar. Şekil 4.5’te
bu üç dislokasyon türü şematik olarak gösterilmiştir. Kristalin iki yüzeyi arasında meydana gelen çarpılma, farklı mertebelerde
vida ve kenar bileşenlere sahip olan bir karışık dislokasyonun etrafında oluşmuştur.

Şekil 4.5 (a) Kenar vida ve karışık dislokasyonların şematik gösterimi.

(b) Bu dislokasyonun üstten görünüşü.

Bir dislokasyonun kafeste oluşturduğu çarpılmanın yönü ve büyüklüğü, b harfi ile gösterilen Burgers vektörü ile ifade edilir.
Kenar ve vida dislokasyonları için Burgers vektörleri gösterilmiştir (Şekil 4.6). Dislokasyonun türü, dislokasyon çizgisi ve Burgers
vektörünün birbirleri ile yaptıkları açı ile tanımlanır. Kenar dislokasyonunda Burgers vektörü, dislokasyon çizgisine dik, vida
dislokasyonunda ise paraleldir.
 Şekil 4.6 Bir titanyum alaşımının transmisyon elektron mikroskobu görüntüsü.

 ARAYÜZ KUSURLARI
 Dış Yüzeyler
En belirgin arayüz kusurlarından olan dış yüzeylerde, kristal yapı sona erer. Yüzey atomları yapabileceklerinden daha az sayıda
komşu atom ile bağ yaptıkları için, iç kısımlardaki atomlara göre enerjileri daha yüksektir. Yüzey atomlarının gerçekleştiremediği
bağlardan dolayı, yüzeylerde alan başına enerji (J/m2 ya da erg/cm2) olarak tanımlanan bir yüzey enerjisi söz konusudur.
Malzemeler bu enerjilerini en düşük değere getirmek için mümkünse toplam yüzey alanlarını minimize etmeye çalışırlar.
 Tane Sınırları
Tane sınırları çok kristalli malzemelerde, farklı yönlenmelere sahip küçük taneleri veya kristalleri ayıran sınırlardır. Muhtemelen
birkaç atom genişliğinde olan tane sınırı bölgesinde, bir tanenin kristal yönlenmesinden, diğer tanenin yönlenmesine geçişte, atom
dizilişinde bir süreksizlik ya da sapma meydana gelir. Komşu taneler arasında çeşitli derecelerde yönlenme farklı bulunabilir. Bu
fark, birkaç derece kadar küçük olduğunda, küçük açılı tane sınırları söz konusudur (Şekil 4.7).
Kenar dislokasyonları, Şekil 4.8’de olduğu gibi, hizalandıklarında, basit bir küçük açılı tane sınırı oluşmuş olur. bu tip sınırlar,
eğik sınır olarak adlandırılır ve yönlenmeler arasındaki açı farkı, şekilde 𝜃 ile gösterilmiştir.
 Yönlenme farkını gösteren açı

Büyük açılı
tane sınırı

Küçük açılı
tane sınırı

Yönlenme farkını gösteren açı Şekil 4.8 Kenar dislokasyonların

hizalanmasıyla yönlenme farkının 𝜃
Şekil 4.7 Küçük ve büyük açılı tane sınırlarının ve
olduğu bir eğik sınırın nasıl oluştuğunu
tane sınırı civarındaki atom konumlarının şematik
gösteren şematik çizim.
gösterimi.

 Faz Sınırları
Çok fazlı malzemelerde, sınırın iki tarafında başka fazların bulunduğu faz sınırları bulunur. Ayrıca alaşımı oluşturan her fazın
kendine özgü fiziksel ve/veya kimyasal özellikleri vardır.
 İkiz Sınırları
İkiz sınırı, kristal kafeste ayna simetrisi oluşturan, yani bu sınırın bir tarafında bulunan atomların, diğer taraftaki atomların ayna
görüntüsü konumlarında bulunduğu bir tür tane sınırıdır. Bu sınırların arasında kalan bölgede bulunan malzeme ikiz olarak
adlandırılır (Şekil 4.9).
 İkiz düzlemi (sınırı)

Şekil 4.9 İkiz düzlemi ya da sınırı ve bitişik atomlara ait şematik gösterim.

 ATOM TİTREŞİMLERİ
Katı malzemelerdeki bütün atomlar, kristal kafes noktalarında çok hızlı bir şekilde titreşir. Atomların yerlerinde sabit
durmadıkları göz önüne alındığında, atom titreşimleri de kusur olarak düşünülebilir. Herhangi bir anda, bütün atomlar aynı
frekans, genlik ve enerjide titreşmez. Sıcaklık arttıkça, ortalama enerji artar ve aslında katıların sıcaklığı atomların veya
moleküllerin ortalama titreşim aktivitelerinin bir ölçüsüdür. Oda sıcaklığında atomların tipik titreşim frekansı saniyede 10 13
titreşim ve genliği ise nanometrenin birkaç binde biri mertebesindedir.

MİKROSKOBİK İNCELEME
 MİKROSKOBİ İLE İLGİLİ TEMEL KAVRAMLAR
Bazı yapı öğeleri makro (makroskobik) boyuttadır, diğer bir deyişle yardım almadan gözle gözlemlenebilecek kadar
büyüktür. Örneğin, çok kristalli numunenin yapısında bulunan tanelerin şekli ve ortalama boyutu veya çapı önemli yapısal
özelliklerdendir (Şekil 4.10). Alüminyumdan imal edilmiş cadde ışıklandırma direklerine ve otobanlarda yol kenarlarında bulunan
metal bariyerlere yakından bakıldığında, makro boyutlarda taneler bariz bir şekilde görülebilir. Bununla birlikte, malzemelerin
çoğu, ayrıntılarının ancak bazı mikroskopların kullanılması durumunda incelenebileceği, mikron 6 mertebelerinde ya da mikro
boyutlarda tanelerden meydana gelir.
 Şekil 4.10 Merkezden dışarı doğru uzanan iğne şeklinde tanelerin görüldüğü silindirik bir bakır ingot kesiti.

Tane boyutu ve şekli mikroyapı özelliklerinden iki tanesidir. Malzemelerin mikroskobik incelemesinde optik, elektron ve
tarama uç mikroskopları yaygın olarak kullanılır. Bütün malzeme türleri için, mikroyapı özelliklerinin incelemesinde bu araçlar
kullanılmaktadır. Bu tekniklerin bazılarında, mikroskobun yanında bir fotoğraf çekme ünitesi de bulunur ve bu ünite vasıtası ile
çekilen ve kaydedilen fotoğraf fotomikrograf olarak adlandırılır. Bunun yanında, mikroyapı görüntülerinin çoğu bilgisayar ile
oluşturulmuş ve/veya iyileştirilmiştir.

 MİKROSKOBİK İNCELEME YÖNTEMLERİ

 Optik Mikroskop ile İnceleme
Bu yöntemin uygulandığı mikroyapı incelemelerinde, ana elemanları görüntüleme ve ışıklandırma sistemleri olan ışık mikroskobu
kullanılır. Görünür ışığı geçirmeyen yani opak malzemeler için, malzemelerin sadece yüzeylerinin incelenmesi mümkündür ve ışık
mikroskobu yansıtma modunda kullanılmalıdır. Mikroskop ile bakıldığında, mikroyapıdaki çeşitli bölgelerin ışığı farklı
yansıtmasından dolayı, iç yapı görüntülerinde farklı tonlarda bölgeler görülür. Bu yöntemle ilk önce metaller incelendiğinden, bu
tip incelemeler genellikle metalografik olarak adlandırılmıştır (Şekil 4.11).
Önemli mikroyapı detaylarının ortaya çıkarılması için, dikkatli ve özenli yüzey hazırlama faaliyetleri yapılmalıdır. İlk önce
düzgün, ışığı ayna gibi yansıtan bir yüzey elde edilinceye kadar, numune yüzeyine, zımparalanma ve parlatma işlemleri uygulanır.
Daha sonra uygun bir dağlayıcının yüzeye uygulanmasıyla gerçekleştirilen dağlama işlemi sonucu mikroyapı ortaya çıkarılır.
Ayrıca, kimyasal olarak daha aktif olmalarından dolayı, tane sınırlarındaki atomlar, tane içindekilere göre daha hızlı bir şekilde
çözünür. Sonuçta, dağlama sırasında tane sınırlarında meydana gelen hızlı malzeme kaybı sonucunda, bu sınırlar boyunca küçük
oyuklar oluşur (Şekil 4.12).

Mikroskop

Parlatılmış ve
dağlanmış yüzey

Şekil 4.11 (a) Parlatılmış ve dağlanmış tanelerin optik mikroskopta nasıl görünebileceğini, (b) (a)şıkkında görülen tanelerin
bulunduğu bölgenin kesitinde kristal yönlenmelerinin farklı olmasından dolayı, dağlama davranışlarının ve dağlama sonucu oluşan
yüzey dokularının, taneden taneye nasıl değişebileceğini gösteren şematik resimler.
 Mikroskop

Parlatılmış ve
dağlanmış yüzey
Yüzey
oyuğu

Tane sınırı

Şekil 4.12 (a) Dağlama sonucu tane sınırında oluşan oyuğun ve bu oyuğun civarında ışığın muhtemel yansıma şeklinin gösterildiği
bir tane sınırı kesitinin şematik gösterimi. (b) Tane sınırlarının koyu gösterimi bir çok kristal demir-krom alaşımının mikroyapı
fotoğrafı.

 Elektron Mikroskobu ile İnceleme

Bir optik mikroskop ile elde edilebilecek en büyük büyütme oranının üst sınırı yaklaşık 2000 büyütmedir. Bunun yanında, bazı
yapısal öğeler optik mikroskop ile inceleme yapılmasına olanak vermeyecek kadar ince ve küçüktür. Bu gibi durumlarda, çok daha
büyük büyütmelerin mümkün olduğu elektron mikroskopları kullanılabilir.
Görünen ışık yerine elektron ışımasının kullanılmasıyla incelenen yapının bir görüntüsü oluşturulur. Küçük dalga boylarına sahip
elektron ışınlarının sayesinde bu tip mikroskoplarda yüksek çözünürlük ve yüksek büyütme oranlarının elde edilmesi mümkün
olmaktadır. Elektron demetini odaklamak ve görüntü oluşturmak için manyetik lenslerin kullanılması dışında, mikroskobu
oluşturan parçaların geometrisi temelde optik sistemler ile aynıdır.
 Transmisyon (geçirimli) Elektron Mikroskobu
Bir transmisyon elektron mikroskobu (TEM) ile elde edilen bir görüntü, numune içinden geçen elektron ışınları tarafından
oluşturulur ve bu yöntem ile numunenin iç kısımlarında bulunan mikroyapı ayrıntılarının gözlenmesi mümkündür. Görüntüdeki
farklı kontrastlardaki bölgeler, çeşitli mikroyapı öğelerinde ya da kusurlarında farklı açılarda kırınan ya da saçınan elektron ışınları
sayesinde meydana gelir. Katı malzemeler elektron ışınlarını yüksek oranda absorbe eder. Bu nedenle, incelenecek numunenin,
üzerlerine gelen elektron ışınlarının kayda değer bir kısmının içlerinden geçmesini sağlayacak şekilde, çok ince bir folyo halinde
hazırlanması gerekir. Görüntünün oluşturulması için, numune içinden geçen elektron ışınları bir floresan ekran ve fotoğraf filmi
üzerine yansıtılır. TEM’de, x1 000 000’a yakın büyütme oranlarının elde edilmesi mümkündür.
 Tarama Elektron Mikroskobu
Tarama elektron mikroskobu (Scanning electron microscopy-SEM) çok daha yeni ve son derece kullanışlı bir inceleme aracıdır.
İncelenecek numunenin yüzeyi bir elektron demeti ile taranır ve yansıyan elektron ışınları toplanır ve tarama hızı ile aynı hızda
katot ışınım tüpü üzerinde gösterilir. İstenildiğinde fotoğraf olarak da kaydedilebilen ekrandaki görüntüsü numunenin yüzey
ayrıntılarını gösterir. SEM incelemesi öncesi yüzeye parlatma ve dağlama işlemlerin uygulanmasına gerek yoktur ancak
istendiğinde yüzeye parlatma ve dağlama işlemi uygulanabilir. Bunun yanında yüzeyin mutlaka elektriksel açıdan iletken olması
gerekir ve elektriği geçirmeyen malzemelerin yüzeylerine çok ince bir metalik kaplama uygulanmalıdır.
 Tarama Uç (probe) Mikroskobu
Birkaç farklı çeşidi bulunan tarama uç mikroskobu (TUM) görüntünün oluşturulmasında ışık veya elektron kullanmadığı için optik
ve elektron mikroskoplarından ayrılır. Bu mikroskop diğerlerinden farklı olarak atomsal ölçekte, incelenen numunenin yüzey
özelliklerini ve detaylarını temsil eden bir topoğrafik harita oluşturur. TUM yöntemini diğerlerinden ayıran bazı özellikler
şunlardır:
 Diğer mikroskobik yöntemlere göre çok daha iyi çözünürlüklere ulaşılabilir.
 İlgilenen özellikler hakkında topoğrafik bilgi edinilmesini sağlayan büyütülmüş üç-boyutlu görüntüler oluşturulabilir.
 Bazı TUM’lar vakum, hava, sıvı gibi çeşitli ortamlarda çalışabilir.
Tarama uç mikroskoplarında numune yüzeyinin incelenmesi çok ince ve sivri bir uç ile gerçekleştirilir. Yüzeyin incelenmesi
sırasında, bu uç numune yüzeyin çok yakınına getirilir ve ardından yüzey düzlemi boyunca, satır düzeninde tarama yapılır. Tarama
sırasında uç ile numune yüzeyi arasında gerçekleşen elektronik ya da diğer etkileşimler, ucun tarama yaptığı düzleme dik
doğrultuda hareket etmesine yol açar. Ucun dik yönde aşağı veya yukarı doğru yaptığı hareketler, elektronik olarak izlenir ve
bilgisayara aktarılarak kayıt edilir.
 Yapı öğelerinin boyutları (m) Kullanılabilir çözünürlük aralıkları (m)
Atom-altı parçacıkları
Tarama uç mikroskopları
Atom/iyon çapları
Transmisyon elektron mikroskopları
Birim hücre kenar uzunlukları
Dislokasyonlar (genişlik) Tarama elektron mikroskopları
İkinci faz parçacıklar
Optik mikroskopları
Taneler
Çıplak göz
Mikroyapı özellikleri(gözenekler,boşuklar,çatlaklar)

Yapı öğelerinin boyutları (m) Kullanılabilir çözünürlük aralıkları (m)

Şekil 4.13 (a) Malzemelerde bulunan bazı yapıların boyut aralıklarını (b) bu bölümde anlatılan mikroskobik yöntemler ve çıplak
göz ile gerçekleştirilen incelemeler için kullanışlı boyut çözünürlük aralıklarının yatay çizgilerle gösterildiği grafikler.

 TANE BOYUTUNUN BELİRLENMESİ

Çok kristalli malzemelerin özellikleri açısından genellikle tane boyutunun bilinmesi gerekir. Bu amaçla, tane boyutunun,
ortalama tane hacmi, çapı ya da alanı olarak belirtildiği çeşitli yöntemler mevcuttur. Örneğin, tane boyutu çizgi kesim yöntemiyle
belirlenebilir. Tane yapısını gösteren, birkaç mikroyapı fotoğrafı üstünde, aynı uzunlukta doğrular çizilir. Her doğru parçasının kestiği
tane sayısı belirlenir ve daha sonra doğru uzunluğu, doğruları kesen ortalama tane sayısına bölünür. Bu değerin mikroyapı
fotoğrafının büyütme oranına bölünmesi ile ortalama tane boyutta bulunur.
Bunun yanında, muhtemelen en fazla kullanılan yöntem, ASTM (America Society for Testing and Material) tarafından
geliştirilmiş olan yöntemdir (Ortalama tane boyutunun belirlenmesi için standart deney modu). ASTM farklı ortalama tane boyutu
mertebeleri için birkaç adet karşılaştırma tablosu hazırlanmıştır. Her bir tabloda, tane boyutlarına, tane boyutu numarası olarak
adlandırılan, 1’den 10’a kadar numaralar verilmiştir.
ASTM tane boyutu numarasının belirlenmesi için aşağıdaki ifade kullanılır. Bu ifadede n ASTM tane boyutu numarasını ve
′
𝑁 ise büyütme oranı x100 olan bir mikroyapı fotoğrafının bir santimetre karesinde bulunan ortalama tane sayını gösterir.
𝑁 ′ = 0.155 𝑥 10(0.301)(𝑛−1)
 BÖLÜM V

 GİRİŞ

 YAYINMA MEKANİZMALARI

 KARARLI YAYINMA

 KARARSIZ YAYINMA

 YAYINMAYI ETKİLEYEN FAKTÖRLER

 YARI İLETKEN MALZEMELERDE YAYINMA

 DİĞER YAYINMA YOLLARI

YAYINMA
 GİRİŞ
Malzemelere ait işlemlerde önemli olan reaksiyon ve süreçlerin çoğu, belirli bir katı içinde veya bir sıvı/gazdan ya da bir
başka katı fazdan malzeme içine doğru gerçekleşen kütle transferine dayanır. Bu olaylar tamamen atomsal hareketlerle,
malzemenin bir yerden başka bir yere taşınması olan yayınma ile gerçekleşir.
Yayınma olayı, bir yüzeylerinden birbirlerine sıkı bir şekilde temas ettirilmiş iki farklı metal çubuktan oluşan bir yayınma
çifti yardımıyla açıklanabilir (Şekil 5.1). Bu durum, nikel-bakır çifti için, arayüzey boyunca atomların konum ve
konsantrasyonlarını içeren şekilde gösterilmiştir. Bakır-nikel yayınma çifti, her iki metalin ergime sıcaklığının altındaki bir
sıcaklıkta, uzunca bir süre ısıtılmasından ve arkasından oda sıcaklığına soğutulmasından sonra yapılacak bir kimyasal analiz yani
arayüzden uzak bölgelerde saf bakır ve nikelin bulunduğu ve bu bölgelerin arasında, nikel ve bakır atomlarının bir arada
bulunduğu bir alaşım bölgesinin varlığını ortaya çıkarır. Her iki metalin konsantrasyonları Şekil 5.2’de görüleceği gibi mesafeyle
değiştiği ve buradan, bakır atomlarının nikel içerisine, nikelin de bakırın içerisine doğru yayındığı anlaşılır. Bir metale ait
atomların diğerinin içerisine yayınmasıyla gerçekleşen bu olaya birbirinde yayınma veya empürite yayınması denir.

Şekil 5.1 (a) Isıl işlem öncesindeki bakır-nikel

Ni konsantrasyonu
yayınma çifti (b) Yayınma çiftinde bakır ve nikel
atomlarının konumuna ait şematik gösterimi (c)
Bakır ve nikel konsantrasyonunun kesit içerisinde
Mesafe mesafeyle değişimi.

Şekil 5.2 (a) Isıl işlem sonrası bakır-nikel

Ni konsantrasyonu

yayınma çiftinde alaşımlanmış bölgenin oluşumu

Cu atomlarının yayınması (b) Yayınma çiftinde bakır ve nikel atomlarının
Cu-Ni alaşımı konumuna ait şematik gösterimi (c) Bakır ve
Ni atomlarının yayınması
Mesafe nikel konsantrasyonunun kesit içerisinde
mesafeyle değişimi.
 Makro ölçekte, birbirinde yayınma, Cu-Ni yayınma çifti örneğinde olduğu gibi, uzun bir süre sonra konsantrasyonda oluşan
değişimle fark edilebilir. Burada yüksek konsantrasyonlu bölgeden düşük konsantrasyonlu bölgeye atomların sürüklenmesi veya
taşınması söz konusudur. Saf metallerde de yayınma gerçekleşir ancak konumlarını değiştiren atomların hepsi aynı tür atom
olduklarından bu kendinde-yayınma olarak adlandırılır.

 YAYINMA MEKANİZMALARI
Atomik açıdan, yayınma tam olarak, atomların bir kafes boşluğundan diğerine adım adım yaptıkları yer değiştirmedir.
Aslında, katı malzemelerdeki atomlar sürekli hareket halindedir ve hızlı bir şekilde konumlarını değiştirirler. Bir atomun böyle bir
hareketi yapabilmesi için iki şartın sağlanması gereklidir: (1) bitişiğinde boş bir yer olmalı ve (2) komşu atomlarla arasındaki bağı
koparacak ve sonrasında, yer değiştirme sırasında oluşacak kafes çarpılmalarını karşılayacak kadar enerjiye sahip olmalıdır. Bu
enerji atomların titreşim hareketleri yapmasını sağlayan enerjisidir.
 Boşluk Yayınması
Şekil 5.3’te şematik olarak gösterildiği gibi bu mekanizmada, normal kafes noktasındaki bir atom ile komşu kafes boşluğunun yer
değiştirmesi söz konusudur. Dolayısıyla da bu mekanizmaya boşluk yayınması adı verilmiştir. Doğal olarak, bu mekanizma için
boş yerlerin bulunması gerekir ve yayınmanın etkinliği var olan bu kusurların sayısına bağlı olarak değişir. Yüksek sıcaklıklarda,
metaller önemli oranda boşluk konsantrasyonuna sahiptir.
Matris veya yeralan
atomunun hareketi
Arayer atomunun yayınma
Arayer atomunun yayınma
sonrası konumu
öncesi konumu

Boşluk

Boşluk

Şekil 5.3 (a) Boşluk ve (b) arayer yayınmasının şematik gösterimi.

  Arayer Yayınması
Bu yayınma türünde arayer konumunda bulunan bir atom, komşu bir diğer arayer boşluğuna yayınır. Hidrojen, karbon, azot ve
oksijen gibi arayer boşluğuna yerleşebilecek kadar küçük empürite atomlarının yayınması bu mekanizmayla gerçekleşir. Matris
veya yeralan empürite atomları nadiren arayer konumunda bulunurlar ve bu atomlar normalde bu mekanizmayla yer değiştirmez.
Küçük çaplı empürite atomlarının yaptıkları bu yayınma türüne, doğal olarak arayer yayınması adı verilmiştir.

 KARARLI YAYINMA
Yayınma, zamana bağlı olarak gerçekleşen bir olay olduğu için, makro ölçekte taşınan elementin miktarı zamanın bir
fonksiyonu olarak değişir. Çoğu zaman yayınma veya kütle transfer hızının bilinmesi gereklidir. Yayınma akısı (J) olarak ifade
edilen hız, katı içerisinde birim kesit alanına dik olarak, birim zamanda yayınan kütle, M olarak tanımlanır.
𝑀
𝐽=
𝐴𝑡
Burada A yayınmanın gerçekleştiği kesit alanını, t ise yayınma süresini işaret etmektedir.
1 𝑑𝑀
𝐽=
𝐴 𝑑𝑡
J’nin birimi, bir metre kareden bir saniyede yayınan atomun ağırlıkça ya da sayıca miktarıdır (kg/m2s veya atom/m2s).
Yayınma akısı zamanla değişmiyorsa, kararlı yayınma hali söz konusudur. Her iki yüzeyindeki konsantrasyonun sabit
tutulduğu bir metal plakada, kesit boyunca gaz atomlarının yayınması kararlı yayınma için verilen tipik bir örnektir.
Katı içerisindeki karbon (C) konsantrasyonun konumla, x’e göre değişimi çizildiğinde elde edilen eğri konsantrasyon profili,
bu eğri üzerinde belirli bir noktadaki eğim ise konsantrasyon gradyeni olarak adlandırılmıştır.
𝑑𝐶
𝑘𝑜𝑛𝑠𝑎𝑛𝑡𝑟𝑎𝑠𝑦𝑜𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑𝑦𝑒𝑛𝑖 =
𝑑𝑥

∆𝐶 𝐶𝐴 − 𝐶𝐵
𝑘𝑜𝑛𝑠𝑎𝑛𝑡𝑟𝑎𝑠𝑦𝑜𝑛 𝑔𝑟𝑎𝑑𝑦𝑒𝑛𝑖 = =
∆𝑥 𝑥𝐴 − 𝑥𝐵

𝑑𝐶
𝐽 = −𝐷
𝑑𝑥
 Buradaki D orantı sabiti yayınma katsayısı olarak adlandırılır ve metre kare bölü saniye şeklinde ifade edilir. Bu
denklemdeki eksi işareti, yayınma yönündeki konsantrasyonun azaldığını işaret eder ve bu Fick’in birinci kanunu olarak anılır.
Genelde “itici güç” terimiyle bir reaksiyonun gerçekleşmesini sağlayan etkenler kastedilir.
İnce metal plaka
PA>PB ve sabit

Yayınma atomların konsantrasyonu, C

PB basıncındaki
gaz

PA basıncındaki Gaz atomların

gaz yayınma
doğrultusu

Alan, A

Şekil 5.4 (a) İnce bir plakada kararlı yayınma (b) (a)’daki yayınma halinde doğrusal konsantrasyon profili.

 KARARSIZ YAYINMA
Pratikte gerçekleşen yayınmaların çoğu kararlı değildir. Kararsız yayınma sırasında, bir katı içerisinde yayınan atomların
birikmesi veya eksilmesi sonucunda, belirli bir noktadaki yayınma akısı ve konsantrasyon gradyeni zamanla değişir. Bu durum, üç
farklı yayınma süresi için konsantrasyon grafiğinin şematik olarak çizildiği Şekil 5.5’te gösterilmiştir. Fick’in ikinci kanunu olarak
bilinen aşağıdaki denklem kullanılır:
𝜕𝐶 𝜕 𝜕𝐶
= (𝐷 )
𝜕𝑡 𝑥 𝜕𝑥
Yayınma katsayısı bileşime bağımlı değilse şu denklem kullanılır:
𝜕𝐶 𝜕2𝐶
=𝐷 2
𝜕𝑡 𝜕𝑥
Yayınan atomların konsantrasyonu

Şekil 5.5 Kararsız yayınmada üç farklı sürede t1, t2 ve t3 için çizilen konsantrasyon profilleri.

Mesafe

Uygulamada önemli bir çözüm, yüzey konsantrasyonun sabit tutulduğu bir yarı sonsuz katı için yapılmıştır. Genelde yayınan
atomların kaynağı kısmi basıncı sabit bir değerde tutulan bir gaz fazı kullanılır. Ayrıca aşağıdaki kabuller söz konusudur:
1. Yayınma öncesinde, katı içerisindeki çözelti atomlarının konsantrasyonları C0’dır ve bu atomlar üniform olarak dağılmışlardır.
2. x’in değeri yüzeyde sıfırdır ve katı içerisinde yüzeyden içeriye doğru mesafeyle değeri artmaktadır.
3. Yayınma başlamadan hemen önce süre sıfır olarak alınır.
Sınır şartları kısaca,
t=0 için, 0 ≤ x ≤ ∞ iken C=C0
t>0 için, x=0’da C=Cy (sabit yüzey konsantrasyonu)
x=∞’da C=C0
şeklinde ifade edilir.
𝐶𝑥 −𝐶0 𝑥
= 1 − 𝑒𝑟𝑓 ( )
𝐶𝑦 −𝐶0 2ξ𝐷𝑡

erf(x/2ξ𝐷𝑡) ise Gaussian hata fonksiyonu olup, fonksiyonun aldığı değerler farklı x/2ξ𝐷𝑡 değerleri için matematiksel tablolarda
verilmiştir (Tablo 5.1).
 Tablo 5.1 Hata fonksiyonuna ait değerler

Konsantrasyon parametreleri, belirli bir yayınma süresi için çizilen Şekil 5.6’daki konsantrasyon profiili üzerinde
gösterilmiştir. C0, Cy ve D’nin bilinmesi durumunda, bu denklem kullanılarak, boyutsuz x/ ξ𝐷𝑡 parametresinin bir fonksiyonu olan
Cx verilen bir süre ve mesafe için belirlenebilir.
Bir alaşımda belirli bir çözelti konsantrasyonu, C1 oluşturulmak istendiğini varsayalım:
𝐶1 − 𝐶0
= 𝑠𝑎𝑏𝑖𝑡
𝐶𝑦 − 𝐶0

𝑥
= 𝑠𝑎𝑏𝑖𝑡
2ξ𝐷𝑡

𝑥2
= 𝑠𝑎𝑏𝑖𝑡
𝐷𝑡
 Konsantrasyon, C
Şekil 5.6 Kararsız yayınmada konsantrasyon profili .

Arayüzden olan mesafe

 YAYINMAYI ETKİLEYEN FAKTÖRLER

 Yayınan Atomların Türü
Yayınma katsayısı D’nin büyüklüğü, yayınan atomların hızının bir göstergesidir. Çeşitli metal yayınma çiftleri için kendinde-
yayınma ve birbirinde-yayınmaya ait katsayılar Tablo 5.2’de listelenmiştir. Yayınma katsayısının büyüklüğü, gerek yayınan
gerekse matris atomlarına göre değişmektedir.
Tablo 5.2 Yayınmaya ait veriler.
Yayınan Atom Matris Metal D0 (m2/s) kJ/mol eV/atom T(℃) D(m2/s)

Fe 𝛼-Fe 2,8x10-4 251 2,60 500 3,0x10-21

(BCC) 900 1,8x10-15

Fe 𝛾-Fe 5,0x10-5 284 2,94 900 1,1x10-17

(FCC) 1100 7,8x10-16
C 𝛼-Fe 6,2x10-7 80 0,83 500 2,4x10-12
900 1,7x10-10
C 𝛾-Fe 2,3X10-5 148 1,53 900 5,9x10-12
1100 5,3x10-11
 Yayınma katsayısının sıcaklıkla olan ilişkisi,
𝑄𝑦
𝐷 = 𝐷0 𝑒𝑥𝑝 (− )
𝑅𝑇
denklemiyle verilir. Burada,
𝐷0 =sıcaklıktan bağımsız bir malzemeye sabiti (m2/s)
𝑄𝑦 =yayınma için aktivasyon enerjisi (J/mol veya eV/atom)
R=gaz sabiti, 8.31 j/mol.K veya 8.62x10-5 eV/atom.K
T=mutlak sıcaklık (K)
𝑄𝑦 1
𝐼𝑛 𝐷 = 𝐼𝑛 𝐷0 − (𝑇)
𝑅
𝑄𝑦 1
log 𝐷 = 𝑙𝑜𝑔𝐷0 − ( )
2,3𝑅 𝑇
𝑦 = 𝑏 + 𝑚𝑥
Burada y ve x, sırasıyla logD ve 1/T değişkenlerine benzemektedir. Dolayısıyla, mutlak sıcaklığın çarpmaya göre tersine bağlı
olarak logD’nin değişimi çizilirse, eğimi ve kesişim noktası sırasıyla –Qy/2.3R ve logD0 olan bir doğruyu vermelidir.

Sıcaklık (℃)
Yayınma katsayısı (m2/s)

Şekil 5.7 Bazı metaller için logaritmik yayınma

katsayısının mutlak sıcaklığın tersiyle değişimi.

Sıcaklığın çarpmaya göre tersi (1000/K)

 YARI İLETKEN MALZEMELERDE YAYINMA
Yarı iletken entegre devrelerin (ED) üretimi katı hal yayınmasının kullanıldığı bir teknolojidir. Entegre devre yongalarının
her biri 6 x 6 x 0,4 mm boyutlarında ince bir kare plakadır ve birbirlerine bağlı milyonlarca elektronik parça ve devre bu yonganın
bir yüzeyinde gömülü halde bulunur. Birçok ED’nin ana malzemesi tek kristali silisyumdur. ED’lerin kendinden beklenen görevi
yerine getirebilmeleri için, empürite atomlarının çok hassas miktarda ve silisyum yonga içerisinde, belirli bölgelere, oldukça
karmaşık ve hassas bir dizilişle yerleştirilmesi gereklidir. Bunu gerçekleştirmenin bir yolu, atomsal yayınmanın uygulanmasıdır.
Bunun için genellikle iki ısıl işlemden oluşan bir yöntem kullanılır. Birincisinde ya da ön-biriktirme adımında, genellikle bir gaz
fazından, kısmi basıncı sabit tutulan empürite atomları silisyum içerisine yayındırılır. Bu şekilde gerçekleştirilen bir yayındırma
işlemi sırasında, yüzeydeki empürite konsantrasyonu sabit kalacağı için, silisyum içindeki empürite konsantrasyonu mesafeye ve
süreye göre uygun bir şekilde değişir. Ön-biriktirme işlemleri genelde 900 ile 1000℃ sıcaklık aralığında ve bir saatten kısa
sürelerde gerçekleştirilir.
Empürite konsantrasyonunu artırmaksızın daha uygun bir konsantrasyon dağılımının sağlanması için, içeride-yayındırma
olarak da bilinen ikinci bir işlemle, empürite atomları silisyum içinde daha uzak mesafelere taşınır. Bu ısıl işlem, ön-biriktirme ısıl
işlemine göre daha yüksek sıcaklıklarda ve yüzeyde bir oksit filminin oluşması için, oksitleyici bir atmosferde gerçekleştirilir.

Yayınan atomların konsantrasyonu (C)

Yayınan atomların konsantrasyonu

Mesafe Silisyum içerisindeki mesafe (x)

Şekil 5.8 Yarı iletkenlerde içeride-yayındırma Şekil 5.9 Yarı iletkende (1) ön-biriktirme ve (2)
kademesinde üç farklı işlem süresi için oluşan içeride-yayındırma işlemi sonucu oluşan
konsantrasyon profilleri. konsantrasyon profilleri.
 Fick’in ikinci yayınma kanununun çözümü aşağıdaki formu alır:
𝑄𝑡 𝑥2
𝐶(𝑥, 𝑡) = 𝑒𝑥𝑝 (− )
ξ𝜋𝐷𝑡 4𝐷𝑡

𝐷ö𝑛 𝑡ö𝑛
𝑄0 = 2𝐶𝑦 √
𝜋

1/2
𝑄0
𝑥𝑗 = [൫4𝐷𝑦 𝑡𝑦 ൯𝑙𝑛 ( )]
𝐶𝐵 √𝜋𝐷𝑦 𝑡𝑦

Burada Dy ve ty sırasıyla içeride-yayındırma adımında yayınma katsayısı ve işlem süresidir.

 DİĞER YAYINMA YOLLARI

Atomsal yer değiştirme, dislokasyonlar boyunca, tane sınırları ve dış yüzeyde de meydana gelebilir. Buralarda oluşan
yayınmaların hızı, hacim içerisinde gerçekleşenkilere göre çok daha yüksek olduğundan, bunlara bazen “kısa-devre” yayınma
yolları denir. Ancak bu tip yayınmada kesit alanın aşırı derecede küçük olması nedeniyle, çoğu durumdan kısa-devre yayınmasının
toplam yayınma akısına olan katkısı son derece küçüktür.