You are on page 1of 37

Podstawy Technologii Komputerowych

dr inż. Krzysztof MURAWSKI


mgr inż. Józef TURCZYN
Tel.: 6837752, E-mail: k.murawski@ita.wat.edu.pl

34
Diody półprzewodnikowe

35
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wykaz najważniejszych oznaczeń

36
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wykaz najważniejszych oznaczeń

37
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wykaz najważniejszych oznaczeń

38
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Rodzaje diod półprzewodnikowych
Diody półprzewodnikowe

Germanowe Krzemowe

Małej mocy Prostownicze średniej Małej mocy Prostownicze średniej


i dużej mocy i dużej mocy

Małej Dużej
Detekcyjne Fotodiody Luminescencyjne częstotliwości częstotliwości

Stabilizacyjne
Fotodiody Impulsowe Pojemnościowe
(Zenera)

Diody Schottky’ego
Warikapy Waraktory

39
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Polaryzacja diody

Anoda Katoda

40
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Polaryzacja diody

Anoda Katoda

Rezystor
Rezystor

41
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Polaryzacja diody

Rezystor

IF

42
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Polaryzacja diody

Rezystor
IR

43
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Charakterystyka diody
I F [ mA]
I FMAX

UP

−U RMAX
[V ] IF [V ]
UF

I R [ µ A]
44
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Charakterystyka diody
I F [ mA]
100

80

60 Ge Si
40
U FGe = 0.4V U FSi = 0.65 ~ 0.7V
20
I F = 0.1i I FMAX U D [V ]
0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 45
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Charakterystyki diod w kierunku przewodzenia
I [ mA]
10
Dioda
Schotky'ego

Dioda pn(Si)
0 U [V ]
0.2 0.4 0.6 0.8 1 46
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wsteczne charakterystyki statyczne diod Zenera

U Z [V ] 12 10 8 6 0
12

10

V8
2D

8V2
2D

0.2

6
BZ

RZ

BZ2D
BZ

BZ2D

0.4
Pmax = 5W UWE DZ RL
0.6

0.8
t0 = 25 C

1
I Z [ A]

47
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Ogólne zasady oznaczeń elem. dyskretnych
BAYP 95A

48
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Ogólne zasady oznaczeń elem. dyskretnych

BAYP 95A

49
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Ogólne zasady oznaczeń elem. dyskretnych
BAYP 95A

50
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Ogólne zasady oznaczeń elem. dyskretnych
BAYP 95A

51
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Parametry diod prostowniczych
Parametry charakterystyczne
Parametry dopuszczalne /tamb=25oC/
/tamb=25oC/
Zasto- Obudowa U przy przy przy
Typ RWM URSM IO IFSM tj UF IR
sowanie nr rys. tj t IF UR
o o
V V A A C ms C V A µA V
max max max max - - max max - max -
DK 60 1/ 24 300 - 0,6 6 - 100 125 1,2 0,6 10 300
DK 61 1/ 24 500 - 0,6 6 - 100 125 1,2 0,6 10 500
DK 62 1/ 24 700 - 0,6 6 - 100 125 1,2 0,6 10 700
DK 63 1/ 24 100 - 0,6 6 - 100 125 1,2 0,6 10 100
BYP 401-50 2/ 19 50 - 1 50 25 10 175 1,1 1 5 50
BYP 401-100 2/ 19 100 - 1 50 25 10 175 1,1 1 5 100
BYP 401-200 2/ 19 200 - 1 50 25 10 175 1,1 1 5 200
BYP 401-400 2/ 19 400 - 1 50 25 10 175 1,1 1 5 400
BYP 401-600 2/ 19 600 - 1 50 25 10 175 1,1 1 5 600
BYP 401-800 2/ 19 800 - 1 50 25 10 175 1,1 1 5 800
BYP 401-1000 2/ 19 1000 - 1 50 25 10 175 1,1 1 5 1000
BYP 660-50R 1/ 23 50 - 0,6 15 - 10 125 1,0 0,6 10 50
BYP 660-100R 1/ 23 100 - 0,6 15 - 10 125 1,0 0,6 10 100
BYP 660-300R 1/ 23 300 - 0,6 15 - 10 125 1,0 0,6 10 300

URWM – szczytowe napięcie wsteczne; URSM – niepowtarzalne szczytowe napięcie


wsteczne; IO – średni prąd wyjściowy; tj – temperatura złącza; t – czas przejścia;
UF – stałe napięcie przewodzenia; IF – prąd przewodzenia; IR – prąd wsteczny diody;
UR – stałe napięcie wsteczne diody. 52
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Kod barwny na obudowach diod

53
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Kod barwny na obudowach diod

54
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Kod barwny na obudowach diod

55
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Kod barwny na obudowach diod

56
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Kod barwny na obudowach diod

57
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wybrane obudowy diod
DO-35 MicroMelf SOT-123 DO-214AC

LLP75-3A MiniMelf (SOD80) SOD-323 DO-41

LLP75-3B SOD-123 SOD-523 (SC79) MelfPlastic

58
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wybrane obudowy diod
MelfGlas

SOD-57

SOD-64

59
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wybrane obudowy diod

60
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wybrane obudowy diod

61
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Wybrane obudowy diod

62
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Zdejmowanie charakterystyki diody

R1 = 1K IF
A

V UF
UZ

R1=1K
A
IR

UZ UR
V

63
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Przełączania diody

U CC = +15V

IF
R2 = 3K
IR
C1
OSC

A
A

B GND
U G < 0V B

R3 = 100

64
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Prostujące działanie diody

OSC
G
U1 U2 RL A
R C1
A

B GND
B

OSC
G
U1 U2 A
R C1 RL
A

B GND
B

65
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Łącze optyczne bezprzewodowe

Ucc = +5V

R1
IR
UG
G D1 D2
UG
OSC
U D1
U D1 U R2 A
IF R2 UR2 A

B GND
B

66
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Analogowa bramka diodowa
R1, R2 = 1K
C1 D C2 RL = 10K

R2 R1
G OSC
U1 U2 RL
US
Ucc = +5V A
A

B GND
B

67
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Cyfrowa bramka diodowa

F(A,B) = ?
Ucc = +5V

R=1K
D1 I D1
A F
A •

D2 I D2
B

V
UZ UA UB UF

68
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Cyfrowa bramka diodowa

F(A,B) = ?
D1 I D1 F
A
A

B D2 I D 2

R=1K UF V
UA UB
UZ

69
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Konwencje logiczne

Konwencja
Dodatnia (+) Ujemna (-)

Napięcie zasilania

0 ⇒ 0V 0 ⇒ +U
Dodatnie (+)
1 ⇒ +U 1 ⇒ 0V

0 ⇒ -U 0 ⇒ 0V
Ujemne (-)
1 ⇒ 0V 1 ⇒ -U

Obecnie np. TTL: W komputerach II generacji,


na tranzystorach PNP, np. ODRA 1304 (1968r.)
„0” ⇒ (0 – 0.4V);
„1” ⇒ (2.4 – 5.0V).
70
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN

You might also like