Міністерство освіти і науки України

Національний технічний університет ‘’ХПІ’’

Інститут комп’ютерного моделювання
кафедра‘’Комп’ютерні та радіоелектронні системи
контролю та діагностики’’

ЗВІТ
з практичного заняття №4

з дисципліни «Технологія виробництва інформаційно - вимірювальної техніки»

на тему: «ВИЗНАЧЕННЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГІЧНИХ

ХАРАКТЕРИСТИК ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ І ОСОБЛИВОСТЕЙ
ТЕХНОЛОГІЙ ЇХ ВИРОБНИЦТВА»

Студента 4 курсу
групи ІКМ-520в
Сердюкова Микити

м. Харків – 2023 рік

 Мета роботи
Ознайомлення з основними характеристиками, властивостями,
конструкціями і технологіями виготовлення різних типів інтегральних схем, а
також отримання практичних навичок вибору інтегральних схем, визначення їх
параметрів і вибору варіанта їх установки на друковані плати.

Частина Перша
Завдання: На підставі даних довідкової та технічної літератури, а також
ДСТУ про серіях, типах і функціональних групах мікросхем визначити і
привести в звіті:
1) Загальне визначення групи і серії мікросхем.
2) Загальноприйняту розгорнуту систему позначення мікросхем.
3) Класифікацію мікросхем за конструктивно-технологічним принципом і
пояснення до неї.
4) Конструкцію зазначеного типу корпусу ІС.

Варіант 5

DIP

Загальне визначення групи і серії мікросхем:

Загальноприйнята розгорнута система позначення мікросхем (маркування

мікросхем) складається з таких елементів:

 Приклад може виглядати приблизно так: "LM324N", де "LM" - префікс

виробника (наприклад, Texas Instruments), "324" - номер моделі, "N" -
індекс версії чи серії. Код підприємства-
виробника (наприклад, 324 для Texas Instruments).
 Серійне позначення LM324N.
 Варіант виконання (наприклад, N для нормальної температури).
 Кількість висновків (14 для корпусу DIP-14).
 Додаткові позначення (наприклад, L для низькошвидкісного
виконання).
Отже, "LM324N" - це операційний підсилювач в корпусі DIP (Dual Inline
Package) з 14 пінами, виготовлений компанією Texas Instruments. Ця мікросхема
часто використовується в аудіо-, вимірювальних та інших застосуваннях.
Ось приклади розгорнутих позначень мікросхем DIP:

Розгорнуті позначення для мікросхем у корпусах DIP14, DIP18 і DIP20 можуть

включати різноманітні характеристики, такі як виробник, номер моделі, версія,
технічні характеристики та інше. Наведу загальні приклади:

Для DIP14:

1. Префікс виробника:

 Наприклад, "LM" може вказувати на виробника Texas Instruments.

2. Номер моделі чи код продукту:

 Наприклад, "555" може бути номером моделі таймера.

3. Індекс версії чи серії:

 Наприклад, "P" або "N" може вказувати на різні версії або серії.

Для DIP18:

1. Префікс виробника:

 Наприклад, "SN" може вказувати на виробника Texas Instruments.

2. Номер моделі чи код продукту:

 Наприклад, "741" може бути номером моделі операційного

підсилювача.

3. Індекс версії чи серії:

 Наприклад, "N" може вказувати на стандартну версію.

Для DIP20:

1. Префікс виробника:

 Наприклад, "CD" може вказувати на виробника Texas Instruments.

2. Номер моделі чи код продукту:

  Наприклад, "4017" може бути номером моделі
дешифратора/лічильника.

3. Індекс версії чи серії:

 Наприклад, "E" може вказувати на певну версію.

Додаткові позначення в розгорнутому позначенні мікросхеми можуть

вказувати на такі характеристики:

1. Температурний діапазон:

 Наприклад, "N" може вказувати на робочий температурний

діапазон від 0°C до +70°C.

2. Швидкість/частота:

 Деякі мікросхеми можуть мати позначення, що вказує на

максимальну частоту роботи.

3. Технічні характеристики:

 Літери чи цифри, які вказують на конкретні технічні параметри,

такі як вхідна напруга, споживана потужність тощо.

4. Версія чи ревізія:

 Деякі мікросхеми можуть мати позначення, яке вказує на версію чи

ревізію продукту.

5. Особливості застосування:

 Позначення може містити інформацію про конкретне застосування

мікросхеми або особливості її функціональності.

Конструктивно-технологічна класифікація може включати розділи:

1. Монолітні і гібридні мікросхеми: Монолітні виготовляються на одному

кристалічному просторі, гібридні - на різних.
2. Масштаб інтеграції (МІ): Може бути СМІ (мала), СМІ (середня), ВМІ
(велика).
3. Технологія виготовлення: Наприклад, біполярна, КМОП
(комплементарно-метал-оксид-полімер), БІСТ (біполярно-ізольована
схема технології).
Конструкція корпусу DIP