Міністерство освіти і науки України

Національний технічний університет ‘’ХПІ’’

Інститут комп’ютерного моделювання
кафедра‘’Комп’ютерні та радіоелектронні системи
контролю та діагностики’’

ЗВІТ
з практичного заняття №4

з дисципліни «Технологія виробництва інформаційно - вимірювальної техніки»

на тему: «ВИЗНАЧЕННЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГІЧНИХ

ХАРАКТЕРИСТИК ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ І ОСОБЛИВОСТЕЙ
ТЕХНОЛОГІЙ ЇХ ВИРОБНИЦТВА»

Студента 4 курсу
групи ІКМ-520в
Сердюкова Микити

м. Харків – 2023 рік

 Мета роботи
Ознайомлення з основними характеристиками, властивостями,
конструкціями і технологіями виготовлення різних типів інтегральних схем, а
також отримання практичних навичок вибору інтегральних схем, визначення їх
параметрів і вибору варіанта їх установки на друковані плати.

Частина друга
Завдання: На підставі даних довідкової та технічної літератури а також
ДСТУ про серіях, типах і функціональних групах мікросхем визначити і
привести в звіті:
1) Електричні параметри зазначеної групи мікросхем.
2) Часові параметри зазначеної групи мікросхем.

Варіант 5

Група мікросхем - КМОП

Електричні параметри КМОП-мікросхем:

КМОП (комплементарно-метал-оксид-полімер) є абревіатурою, яка вказує на

технологію виготовлення мікросхем. Основна ідея КМОП полягає в тому, що
використовуються транзистори з комплементарними (наприклад, n-канальними
та p-канальними) транзисторами для забезпечення кращої ефективності та
меншого споживання енергії.

До основних електричних параметрів мікросхем КМОП належать:

1. Володіння напругою (Vt): Це напруга на затворі, при якій транзистор

починає відкриватися і пропускати струм. Для n-канальних транзисторів
це буде від'ємна напруга, а для p-канальних - додатня.

2. Напруга живлення (Vdd): Це напруга, яку використовують для

живлення мікросхеми. Це також напруга, яку використовують для
 вимірювання інших параметрів. Напруга живлення мікросхем КМОП
зазвичай становить від 3 до 15 В

3. Струм стоку (Id): Це струм, який протікає від джерела до стоку через
транзистор при певній напрузі на затворі.

4. Струм перемикання: Це струм, який споживає мікросхема під час

перемикання з одного стану в інший. Струм перемикання мікросхем
КМОП зазвичай становить від 100 до 1000 мкА.

5. Коефіцієнт підсилення (β): Це відношення зміни струму стоку до зміни

напруги на затворі.

6. Робоча частота (f): Це частота, при якій транзистор може працювати на

заданих параметрах.

7. Потужність споживання (P): Це потужність, яку споживає транзистор

при роботі.

8. Час реакції (t): Це час, який потрібен для того, щоб транзистор перейшов
від одного стану в інший.

9. Напруга логічного нуля: Це напруга на вході або виході мікросхеми,

при якій мікросхема перебуває в стані логічного нуля. Напруга логічного
нуля мікросхем КМОП зазвичай становить від 0 до 0,5 В.
10.Напруга логічної одиниці: Це напруга на вході або виході мікросхеми,
при якій мікросхема перебуває в стані логічної одиниці. Напруга логічної
одиниці мікросхем КМОП зазвичай становить від 2,5 до 5 В.

Ось приклади електричних параметрів мікросхем КМОП:

1. LM324N (корпус DIP-14) - є багатоканальним операційним

підсилювачем, і його електричні параметри виглядаюьб приблизно
наступним чином:

2. Напруга вхідного затворення (Input Offset Voltage):

  Зазвичай декілька мілівольт, наприклад, менше 2 мілівольт.

3. Температурна стабільність напруги затворення (Input Offset Voltage

Drift):

 Від кількох мікровольт на градус Цельсія, наприклад, 5

мікровольт/°C.

4. Відсутність коефіцієнта поділу (Common-Mode Rejection Ratio -

CMRR):

 Величина в децибелах, наприклад, більше 70 дБ.

5. Підсилення в режимі високого входу (Open-Loop Voltage Gain):

 Зазвичай декілька сотень тисяч, наприклад, 100 000.

6. Ширина пропускання (Bandwidth):

 Зазвичай в діапазоні кількох мегагерц, наприклад, 1 МГц.

7. Інпут-Output Voltage Swing:

 Максимальне та мінімальне значення напруги на виході при

максимальному значенні входу та заряді навантаження.

8. Споживана потужність:

 Зазвичай в міліваттах, наприклад, 1 мВт.

9. Опір вхідний та опір вихідний:

 Опір вхідний зазвичай у мегаомах, опір вихідний у декілька сотень

ом.
 10.Затримка групи (Slew Rate):

 Зазвичай в декілька величин кількості вольтів на мікросекунду,

наприклад, 0.5 В/мкс.

Часові параметри КМОП-мікросхем:

Часові параметри КМОП (комплементарно-метал-оксид-полімер) мікросхем

важливі для оцінки їхньої швидкодії та ефективності. Основні часові параметри
включають:

1. Час затримки (Propagation Delay - tp):

 tpd (Delay from input to output): Це час, який потрібно сигналу для
пройдення від входу до виходу мікросхеми.

 tphl (High-to-Low): Це час затримки для спадаючого фронту

сигналу.

 tplh (Low-to-High): Це час затримки для зростаючого фронту

сигналу.

2. Час наростання і спаду (Rise Time - tr, Fall Time - tf):

 tr (Rise Time): Час, який потрібно сигналу для переходу від 10% до
90% своєї амплітуди.

 tf (Fall Time): Час, який потрібно сигналу для переходу від 90% до
10% своєї амплітуди.

3. Час настроювання (Setup Time - tsu) і час затримки (Hold Time - thd):
  tsu: Час, протягом якого вхідний сигнал повинен залишатися
стабільним до моменту зростання фронту внутрішнього тактового
сигналу.

 thd: Час, протягом якого вхідний сигнал повинен залишатися

стабільним після моменту спаду фронту внутрішнього тактового
сигналу.

4. Час відгуку (Response Time):

 Це час, який потрібно системі для відповіді на певну зміну вхідного

сигналу.

5. Час затримки випрямлення (Rectification Time - trec):

 Це час, який потрібно для випрямлення неправильного сигналу або

виправлення помилок.

Ці часові параметри визначаються електричними характеристиками

транзисторів та логічних вентилів, які входять в склад КМОП мікросхем. Вони
важливі при розробці та використанні мікросхем для забезпечення коректної
роботи при високих частотах та швидкодії.

Ось приклади часових параметрів мікросхем КМОП:

LM324N — це операційний підсилювач, і він використовує біполярну

технологію, а не КМОП. Тим не менше, я можу надати приблизні значення
часових параметрів для біполярних операційних підсилювачів, таких як
LM324N:

1. Час затримки (Propagation Delay - tp):

 Зазвичай в діапазоні від 0.3 до 1 мікросекунди.

 2. Час наростання і спаду (Rise Time - tr, Fall Time - tf):

 Зазвичай в діапазоні від 0.3 до 1 мікросекунди.

3. Час відгуку (Response Time):

 Зазвичай в діапазоні від 1 до 2 мікросекунд.

4. Час настроювання (Settling Time):

 Зазвичай в діапазоні від 2 до 10 мікросекунд, залежно від

конкретних умов використання.

Ці значення служать загальними орієнтирами, і фактичні часові параметри

можуть варіюватися залежно від виробника, конкретної моделі та технічних
характеристик пристрою. Для точних технічних характеристик LM324N
рекомендується звертатися до документації виробника чи літератури, яка
додається до пристрою.

Часові параметри КМОП-мікросхем можна знайти в їхніх даташитах

(технічних специфікаціях).

Часові параметри КМОП-мікросхем мають значний вплив на різні

характеристики цифрових систем. Основні аспекти, на які вони
впливають, включають:

1. Швидкодія (Speed): Часові параметри, такі як час затримки та час

наростання/спаду сигналу, визначають швидкодію мікросхеми. Швидші
мікросхеми можуть обробляти дані з більшою частотою та ефективніше
виконувати різні операції.

2. Частота роботи (Clock Frequency): Максимальна частота тактового

сигналу, при якій мікросхема може працювати стабільно, визначається її
часовими параметрами. Вищі часові параметри дозволяють підвищити
частоту роботи.

3. Енергоефективність (Power Efficiency): Часові параметри впливають на

енергоспоживання мікросхеми. Швидша робота може призводити до
 більшого споживання енергії, тому важливо забалансувати швидкодію та
споживання енергії для досягнення ефективності.

4. Час відгуку системи (System Response Time): Часові параметри

визначають швидкість реакції системи на вхідні сигнали. Швидше відгук
може бути важливим у високопродуктивних системах та задачах
реального часу.

5. Стабільність та Надійність (Stability and Reliability): Наявність

великого часу затримки та тривалість певних операцій може впливати на
стабільність та надійність системи. Наприклад, великі часи затримки
можуть призводити до проблем у синхронізації.

6. Вартість (Cost): Часові параметри також можуть впливати на вартість

виробництва мікросхем та цифрових систем. Виробництво більш
швидких та точних мікросхем може бути дорожчим.

7. Розмір та Потужність (Size and Power): Великі часи затримки можуть

призводити до використання більшеї кількості транзисторів та інших
ресурсів, що може вплинути на розмір та споживання енергії системи.

Забезпечення балансу між цими характеристиками є важливим завданням при

розробці та виборі цифрових систем для конкретних застосувань.