Міністерство освіти і науки України

Дніпровський державний технічний університет

Кафедра електротехніки та електромеханіки

Клименко Ю.М.

КОНСПЕКТ ЛЕКЦІЙ
З ДИСЦИПЛІНИ

«ПРОМИСЛОВА ЕЛЕКТРОНІКА
ТА ПЕРЕТВОРЮВАЛЬНА ТЕХНІКА»

для здобувачів вищої освіти освітньо-професійної програми першого

(бакалаврського) рівня зі спеціальності 141 Електроенергетика,
електротехніка та електромеханіка

Затверджено редакційно-видавничою
секцією науково-методичної ради ДДТУ
___________2018р., протокол № ____

Кам’янське
2018
 Конспект лекцій з дисципліни «ПРОМИСЛОВА ЕЛЕКТРО-
НІКА ТА ПЕРЕТВОРЮВАЛЬНА ТЕХНІКА» для здобувачів вищої освіти ос-
вітньо-професійної програми першого (бакалаврського) рівня зі спеціаль-
ності 141 «Електроенергетика, електротехніка та електромеханіка» / Укл.: до-
цент каф. ЕТЕМ ДДТУ, канд.техн.наук Клименко Ю.М. – Кам’янське:
ДДТУ, 2018 р.,- стор.

Укладач: канд.. техн.наук, доцент Клименко Ю.М.

Відповідальний за випуск: зав. кафедри ЕТЕМ, докт. техн. наук,
професор Нізімов В.Б.

Рецензент канд. техн. наук, доцент Количев С.В.

Затверджено на засіданні кафедри ЕТЕМ, протокол № від 2018 р.

Коротка анотація. Конспект лекцій з дисципліни «ПРОМИСЛОВА

ЕЛЕКТРОНІКА ТА ПЕРЕТВОРЮВАЛЬНА ТЕХНІКА». Викладено фізичні
основи функціонування напівпровідникових елементів промислової та еле-
ктроніки, їх властивості та застосування. Розглянуто основні характеристики
компонентів силової (енергетичної) електроніки та принципи побудови
пристроїв перетворювальної техніки для електропривода на їх основі.
Наведено особливості схемотехніки побудови перетворювачів аналогових
сигналів на основі операційних підсилювачів в інтегральному виконанні. Для
здобувачів вищої освіти освітньо-професійної програми першого (бака-
лаврського) рівня зі спеціальності 141 «Електроенергетика, електротехніка
та електромеханіка».
 ЗМІСТ

ЧАСТИНА 1.
НАПІВПРОВІДНИКОВА ЕЛЕМЕНТНА БАЗА ПРИСТРОЇВ
ПРОМИСЛОВОЇ ТА ЕНЕРГЕТИЧНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ……….
Т1. ВСТУП….………………………………………………………………….
Т1.1 Предмет електроніки, її роль в техніці, промисловості, науці і побуті……...
Т1.2 Етапи розвитку електроніки…………….………………………………………
Т1.3 Класифікація електронних пристроїв….………………………………………...
Т2. НАПІВПРОВІДНИКИ (НП). НП ЕЛЕМЕНТИ З ОДНИМ p-n
ПЕРЕХОДОМ……………………………………………………………..
Т2.1 Загальні відомості про напівпровідники та їх електропровід-
ність………………………………………………………………………………....
Т2.2 Фізичні властивості та особливості роботи p-n переходів….…………..……...
Т2.3 Напівпровідникові діоди. Загальна характеристика ви-
прямних діодів…………………………………………………………………..
Т2.4 Стабілітрони і стабістори……………………………….… ……………………
Т2.5 Світловипромінюючі діоди……………………….………………………………
Т2.6 Варікапи………………………………………………….…………………………
Запитання для самоконтролю за розділом 2………………..…….. …………
Т3.ТРАНЗИСТОРИ…………………………………….……………………...
Т3.1 Біполярні транзистори (БТ). Загальні властивості…………...…………………
Т3.2 Оновні схеми вмикання, статичні характеристики БТ…………...………….....
Т3.3 Вхідні та вихідні характеристики біполярних транзисторів….…..…………....
Т3.4 Система h-параметрів біполярних транзисторів. Біполярний транзистор
як активний чотириполюсник……………………….………………………….
Т3.5 Складені транзистори…………….……………………………………………...
Т3.6 Польові ( уніполярні ) транзистори……………………………….……….........
Т3.6.1 Польові транзистори з керуючим p-n переходом………….……….......
Т3.6.2 СІТ-транзистори…….….………..…………………………………..…….
Т3.6.3 Польові транзистори з ізольованим затвором……....…………………..
Т3.6.4 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (БТІЗ)….………..…….
Т3.7 Електронні транзисторні підсилювачі. Класифікація…….….………………..
Т3.7.1 Основні параметри і характеристики підсилювачів….…….…………..
Т3.7.2 Принципи побудови підсилювачів………………….…….……………...
Т3.7.3 Основні режими (класи) роботи підсилювачів……… ..…..…………...
Т3.7.4 Каскад попереднього підсилення на біполярному
транзисторі з спільним емітером (СЕ)………………………………..…….
Т3.7.5 Каскад попереднього підсилення на польовому транзисторі з
спільним витоком (СВ)………………………………………………………
Т3.7.6 Багатокаскадні підсилювачі………………….….………...………….......
Т3.7.7 Вихідні каскади транзисторних підсилювачів…….…..………..………
Т3.7.8 Вибіркові підсилювачі………………….…….…….…...…………….......
Запитання для самоконтролю за розділом 3…………………………
Т4 ТИРИСТОРИ……………………………………………………………...
Т4.1 Тиристори. Загальна характеристика………………………………………….
Т4.2 Параметри та характеристики тиристорів……….….………………………...
Т4.3 Різновиди тиристорів………….………………………….…………………….
Т4.4 Системи керування тиристорами та їх захисту……………………………….
Т4.5 Принципи побудови і класифікація систем керування тиристорами….........
Т4.6 Системи імпульсно-фазового керування тиристорних перетворювачів........
Т4.7 Принципи побудови пристроїв для захисту тиристорів……………………..
 Запитання для самоконтролю за розділом 4………………..….. ……….……..
Т5. КОМПОНЕНТИ ОПТОЕЛЕКТРОНІКИ……….……………..…………
Т5.1 Загальна характеристика оптронів……….……………………………...........
Т5.2 Застосування оптронів………………………………………………………...
Запитання для самоконтролю за розділом 5…………………….. ………… …

ЧАСТИНА 2.
ПЕРЕТВОРЮВАЛЬНА ТЕХНІКА. ……………………..

Т6. СИЛОВІ ЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ ЛЕКТРОПРИВОДА…...

Т6.1 Загальна класифікація перетворювачів для електропривода….……..……..…….......
Т6.2 Тиристорні перетворювачі напруги………………….…..…………..………………
Т6.3 Імпульсні перетворювачі напруги……………………………….…………
Т6.4 Нереверсивні імпульсні перетворювачі постійної
напруги на повністю керованих вентилях…………….…….…………………
Т6.5 Перетворювачі частоти……………………………………….………………...
Запитання для самоконтролю за розділом 6…………………………………..

ЧАСТИНА 3
АНАЛОГОВА ЕЛЕКТРОНІКА…………………..
Т7 МІКРОЕЛЕКТРОННІ АНАЛОГОВІ ПРИСТОЇ.................................
Т7.1 Аналогові перетворювачі електричних сигналів……………….…………...
Т7.2 Загальна характеристика та параметри ОП…..…………………..………….
Т7.2.1 Основні параметри ОП………………………………………………..
Т7.2.2 Параметри статичних режимів…………………..………………….
Т7.2.3 Динамічні параметри ОП ……………………………..……….........
Т7.2.4 Ідеальний операційний підсилювач…………………………………..
Т7.3 Загальна теорія побудови схем на ОП…………………………………………
Т7.3.1 Диференціальне включення ОП…………………….………………….
Т7.3.2 Інвертуюче вмикання ОП………………………………………………
Т 7.3.3 Не інвертуюче включення ОП……..……………….…………………
Т7.3.4 Внутрішня структура операційних підсилювачів……………...……...
Т7.3.5 Стандартна схема ОП…………...………………………………………
Т7.3.6 Схема заміщення ОП..………………..…………………….…………..
Т7.3.7 Вхідний опір схеми з ОП…………….……………….………………...
Т7.3.8 Вихідний опір схеми………..…………………………………………...
Т7.4 Динамічні параметри ОП……………………….…………………………….
Т7.4.1 Корекція частотної характеристики………………………… …....…
Т7.4.2 Повна частотна корекція……………………………………………...
Т7.4.3 ОП з підстроюваною частотною корекцією……………..…………..
Т7.4.4 Швидкість наростання……………………………………….………..
Т7. 4.5 Компенсація ємнісного навантаження……….……………………………
Т7.5 Типи операційних підсилювачів………………………………………………
Т7.6 Схемотехніка застосування операційних підсилювачів…………….………
Т7.6.1 Масштабні підсилювачі на ОП…………………………………...........
Т7.6.2 Суматори на ОП………….…………………..…………………………
Т7.6.3 Інтегратори та диференціатори……..…………………………………
Т7.6.4 Вибіркові підсилювачі………………………..………………………...
Т7.6.5 Генератори гармонічних коливань………………..…………………..
Т7.6.6 Електричні фільтри. Основні поняття…………….…………………...
Запитання для самоконтролю за розділом 7…………………………………
 Частина 1. НАПІВПРОВІДНИКОВА ЕЛЕМЕНТНА БАЗА ПРИСТРОЇВ
ПРОМИСЛОВОЇ ТА ЕНЕРГЕТИЧНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ.

Т1. ВСТУП.
Т1.1 Предмет електроніки, її роль в техніці, промисловості, науці і
побуті
Однією з характерних особливостей розвитку науки і техніки нашого століття є
розвиток електроніки. Без електронних пристроїв нині не може існувати жодна галузь
промисловості, транспорту, зв'язку. Посилений розвиток і застосування електроніки
стимулюється самим життям. Досягнення електроніки впливають не тільки на
економічний розвиток суспільства, а й на соціальні питання, розподіл робочої сили, освіту.
Електронні пристрої все ширше застосовують в побуті, в промисловості і на транспорті.
Електроніка - галузь науки і техніки, що займається вивченням фізичних основ
функціонування, дослідженням, розробкою і застосуванням приладів, робота яких
заснована на протіканні електричного струму в вакуумі (електронні прилади) в твердому
тілі (напівпровідникові прилади), і газі (іонні прилади). Головне місце серед них в даний
час займають напівпровідникові прилади. Електроніка підрозділяється на два великих
наукових напрямки: 1) радіоелектроніка (РЕ) - застосування електроніки в радіотехніці і
телебаченні; 2) промислова електроніка (ПЕ) - застосування електроніки на транспорті, в
промисловості та електроенергетиці.
Промислова електроніка в свою чергу підрозділяється на інформаційну та
енергетичну. До інформаційної електроніки відносяться електронні системи і пристрої,
пов'язані з вимірюванням, контролем і керуванням промисловими об'єктами і
технологічними процесами. Крім того, це електронно-обчислювальна техніка і пристрої
для передачі, обробки і відображення інформації (підсилювачі сигналів, генератори
напруг, логічні схеми, лічильники, індикатори, дисплеї ЕОМ і т.д.).
Енергетична електроніка (перетворювальна техніка) займається перетворенням
одного виду електричної енергії в інший (електропривод, електрична тяга,
електроенергетика, електротермія, електротехнології і т.д.).
Радіоелектроніка та інформаційна електроніка представляють собою
слабкострумову електроніку, енергетична електроніка - силову.
В даний час майже вся електрична енергія виробляється і передається до місця
споживання на змінному струмі. Це пояснюється тим, що джерело електричної енергії
змінного струму - синхронний генератор простий як за своїм устроєм, так і з точки зору
експлуатації. Крім того, змінний струм дозволяє здійснювати трансформацію електричної
енергії, а, отже, і більш економічно передавати її на великі відстані. Однак ряд приймачів
електричної енергії потребує постійному струмі. Для одних приймачів постійний струм є
єдино прийнятним видом струму (електрохімія, рентгенотехніка), для інших - видом
струму, що забезпечує ряд технічних або економічних переваг електричної установки
(електричний транспорт, вантажопідйомні пристрої, релейний захист, автоматика і т.д.). В
даний час приблизно 40% виробленої електричної енергії перетворюється в постійний
струм.
Мікроелектроніка і мікросхемотехніка – область науки і техніки, що вивчає:
фізичні явища в напівпровідникових приладах; - мікроелектронні технології виробництва,
електричні характеристики і параметри напівпровідникових приладів; - схемотехніку
застосування і властивості пристроїв і систем, основаних на використанні
напівпровідникових приладів в інтегральному виконанні.
Перший з цих напрямків складає фізичні основи електроніки, другий і третій –
техніку використання мікроелектронних елементів в електронних виробах широкого і
спеціалізованого застосування.
Т1.2 Етапи розвитку електроніки.
В основі розвитку електроніки лежить безупинне ускладнення функцій,
виконуваних електронними пристроями. На визначених етапах стає неможливим
вирішувати нові задачі старими електронними засобами, чи, як говорять, засобами на
основі існуючої елементної бази, наприклад за допомогою електронних ламп або
дискретних транзисторів. У такий спосіб з'являються передумови для подальшого
удосконалювання елементної бази.
Основними факторами, що викликають необхідність розробки електронних
пристроїв на новій елементній базі, є підвищення надійності, зменшення габаритів, маси,
вартості і споживаної потужності.
У залежності від застосовуваної елементної бази можна виділити чотири основних
покоління розвитку промислової електроніки, а разом з нею, відповідно, і електронних
пристроїв.
I покоління (1904-1950 р.) характеризується тим, що основу елементної бази
електронних пристроїв складали електронно-вакуумні та іонні прилади, у яких простір,
ізольований газонепроникною оболонкою, має високий ступінь розрідження (вакуумні- )
або заповнено спеціальними парами чи газами (іонні- ). Дія таких приладів заснована на
використанні електричних явищ у вакуумі чи в газі.
 Електронно-вакуумний прилад - прилад, у якому електричний струм створюється
тільки вільними електронами. Іонний прилад - прилад з електричним розрядом у газі чи
парах. Цей прилад називають також газорозрядним. Сімейство таких електронних
приладів дуже велике і поєднує такі групи приладів, як електронні лампи, електронно-
променеві прилади, електровакуумні фотоелектричні прилади та ін. Число елементів в
одиниці об'єму (щільність монтажу) електронних пристроїв 1-го покоління складало
y=0,001...0,003 ел/см3.
2-ге покоління (1950 - початок 60-х років) характеризувалося застосуванням у
якості основної елементної бази напівпровідникових приладів (діодів, транзисторів і
тиристорів). Монтаж електронних пристроїв ІІ-го покоління здійснювався звичайно
автоматично з застосуванням друкованого монтажу, при якому напівпровідникові прилади
і пасивні елементи розташовувалися на друкованій платі - діелектричній пластині з
металізованими отворами для з'єднання напівпровідникових приладів і пасивних
елементів між собою провідниками. Щільність монтажу електронних пристроїв II-го
покоління за рахунок застосування малогабаритних елементів складала y ~ 0,5 ел/см 3.
3-е покоління електронних пристроїв (1960—1980 р.) пов'язано з бурхливим
розвитком мікроелектроніки на основі якісно нового типу електронних приладів -
інтегральних схем - і принципів їхнього застосування. Основою елементної бази цього
покоління електронних пристроїв стали інтегральні мікросхеми (ІМС) і мікрозбірки.
ІС являє собою сукупність декількох взаємозалежних елементів (транзисторів,
резисторів, конденсаторів і ін.), виготовлених у єдиному технологічному циклі, тобто
одночасно, на одній і тій же основі (підкладці), і виконуючих визначену функцію
перетворення інформації. Мікрозбірка являє собою ІС, до складу якої входять однотипні
елементи (наприклад, тільки діоди чи тільки транзистори).
Щільність монтажу електронних пристроїв III-го покоління складає y<50 ел/см3.
4-е покоління (з 1980 р. по дійсний час) характеризується подальшою мікро-
мініатюризацією електронних пристроїв на базі застосування ВІС і ЗВІС, коли вже окремі
функціональні блоки виконуються в одній інтегральній схемі, що представляє собою
готовий електронний пристрій обробки інформації. Щільність монтажу електронних
пристроїв IV-го покоління y = 1000 ел/см3 і вище.
Т1.3 Класифікація електронних пристроїв.
Електронні пристрої (ЕП) по способу формування і передачі сигналів керування
підрозділяються на два класи: аналогові (безперервні) і дискретні (переривчасті).
Аналогові електронні пристрої (АЕП) призначені для прийому, перетворення і
передачі електричного сигналу, що змінюється за законом безперервної (аналогової)
функції. В АЕП кожному конкретному значенню реальної фізичної величини на вході
датчика відповідає однозначне, цілком визначене значення обраного електричного
параметра постійного чи змінного струму. Це може бути напруга чи струм на ділянці
електричного ланцюга, його частота, фаза і т.п.
Перевагами АЕП є: теоретично максимально досяжні точність і швидкодія;
простота пристрою.
Недоліками АЕП є: низька завадостійкість і нестабільність параметрів, обумовлені
сильною залежністю властивостей пристрою от зовнішніх дестабілізуючих впливів,
наприклад температури, часу (старіння елементів), дії зовнішніх полів і т.п.; великі
перекручування при передачі на значні відстані; труднощі довгострокового збереження
результату; низька енергетична ефективність.
Дискретні електронні пристрої (ДЕП) - призначені для прийому, перетворення і
передачі електричних сигналів, отриманих шляхом квантування1 за часом і/чи рівню
вихідної аналогової функції x(t). Тому діючі в них сигнали пропорційні кінцевому числу
обраних по визначеному закону значень реальної фізичної величини, відображуваної у
вигляді різних параметрів імпульсів чи перепадів напруги чи струму. Оскільки звичайно
цікавляться не тільки конкретними значеннями x(t), але і її зміною, для передачі
інформації використовують послідовності імпульсів чи перепадів.
До переваг ДЕП варто віднести наступне.
1. У дискретних пристроях імпульсна Рі і середня Рср потужності зв'язані
співвідношенням Рі = f Рср .
Як видно, при великій скважності ( f ~ ) можна одержати істотне перевищення потужності
в імпульсі над середнім його значенням. Це (у порівнянні з аналоговими пристроями)
сприяє поліпшенню массогабаритних показників окремих елементів ДЕП.
2. У ДЕП підсилювальні прилади (транзистори) використовують у специфічному
режимі ключа (включений — виключений), при якому потужність, що розсіюється в них,
мінімальна. Це підвищує коефіцієнт використання підсилювального приладу
3. Властивості дискретних пристроїв у меншому ступені залежать від
нестабільності параметрів використовуваних елементів. Це пояснюється як меншим
тепловиділенням, що, знижуючи перегрів, звужує реальний діапазон робочих температур,
так і роботою напівпровідникових приладів у режимі ключа.
4. Завадостійкість ДЕП вище чим АЕП, тому що при передачі імпульсів
скорочується час, протягом якого перешкода може вплинути на переданий сигнал.
5. ДЕП характеризуються застосуванням однотипних елементів у каналах обробки,
передачі і збереження інформації. У зв'язку з цим полегшується їхнє виготовлення
засобами інтегральної технології, що забезпечує підвищену надійність, малогабаритність,
дешевину і т.п.
Зазначені переваги ДЕП обумовили їхнє широке використання в багатьох областях
як силової, так і інформаційної електроніки (радіолокації, телебаченні, обчислювальній
техніці), метрології і т.п. У свою чергу, по типу квантування сигналу ДЕП підрозділяються
на три підкласи: імпульсні, релейні і цифрові.

Т2. НАПІВПРОВІДНИКИ (НП). НП З ОДНИМ p-n ПЕРЕХОДОМ

Т2.1 Загальні відомості про напівпровідники та їх електропровідність.
Напівпровідниками називають велику групу матеріалів, що по своєму питомому
електричному опору займають проміжне положення між провідниками і діелектриками.
Звичайно до напівпровідників відносять матеріали з питомим опором ρ=10 4-10-10 Ом-см,
до провідників (металів) - матеріали з ρ<10 4 -106 Ом-см, а до діелектриків (ізоляторів) -
матеріали з ρ>10-10 Ом-см. Така класифікація дуже умовна, тому що між
напівпровідниками і діелектриками немає принципових розходжень.
Відповідно до сучасної теорії побудови речовини кожен атом складається з ядра,
навколо якого обертаються електрони, що утворять електронні оболонки. Чим далі від
ядра знаходяться електрони, тим меншою енергією зв'язку з атомом вони володіють.
Мінімальну енергію мають валентні електрони, що знаходяться на зовнішній оболонці
атома. Вони легко вступають у взаємодію з валентними електронами других атомів, і саме
вони визначають хімічні і фізичні властивості речовини.
Для характеристики речовини приводять значення енергетичних рівнів його
електронів. На рисунку 2.1 показані енергетичні рівні електронів у металі (а), напів-
провіднику (б) і діелектрику (в). Як видно з рисунка, для переходу з одної зони в іншу і з
валентної зони в зону провідності кожен електрон повинен перебороти заборонену зону,
тобто ззовні йому необхідно повідомити додаткову енергію.
Надалі нас буде цікавити тільки електропровідність, яка визначається електронами,
що знаходяться в зоні провідності, де вони мають настільки високу енергію, що стають
вільними — не зв'язаними з ядром атома. Метали (рисунок 2.1,а) відрізняються
відсутністю забороненої зони між валентною зоною і зоною провідності, тому вони
характеризуються високою електропровідністю. У напівпровідниках і діелектриках
(рисунок 2.1,б,в) заборо- нена зона є, і відрізняються вони лише шириною цієї зони. У
напівпровідниках ширина забороненої зони між валентною зоною і зоною провідності
маленька (менше 3 еВ), і вже при кімнатній температурі, коли атому повідомляється мала
кількість енергії, частина валентних електронів переходить у зону провідності. Це
приводить до того, що електропровідність напівпровідників виявляється не рівною нулю.
У діелектриках ширина забороненої зони між валентною зоною і зоною провідності
настільки велика, що практично усі валентні електрони залишаються на своїх орбітах, а це
означає, що електропровідність діелектриків дорівнює нулю.
Для виготовлення сучасних напівпровідникових приладів і особливо інтегральних
мікросхем переважно використовується кремній, що є монокристалом - твердим тілом з
регулярними кристалічними ґратами, що складається з безлічі однакових примикаючих
один до одного тетраедрів (рисунок 2.2,а). Особливість цих ґрат полягають у тому, що
кожен атом у них

Рисунок 2.1 - Енергетичні рівні електронів у металі (а), напівпровіднику (б)

і діелектрику (в): / - зона провідності; // - заборонені зони;
/// - валентна зона; IV - заповнена зона.
розташований на однаковій відстані от чотирьох сусідніх. Умовно це можна представити і
на плоскій моделі кристалічних ґрат (рисунок 2. .2,6). Зв'язок атомів у кристалічних ґратах
кремнію обумовлена специфічними обмінними силами, що виникають у результаті
попарного об'єднання валентних електронів сусідніх атомів. Такий зв'язок називають
валентним. При цьому кожен атом залишається електрично нейтральним.
Структура реального кристала ніколи не буває ідеальною, у будь-якому
напівпровіднику спостерігаються дефекти, що підрозділяють на дефекти крапкового типу
(порушення регулярності в деяких
точках кристала) і дислокації (зсуву
площин ґрат).

Рисунок 2.2 - Структури

напівпровідників
 Найбільш розповсюджений крапковий дефект ґрат складаються в заміщенні одного
з атомів кремнію атомом домішки. Ці домішки можуть бути паразитними - включеннями
тих речовин, які не удалося позбутися при первісному очищенні кремнію, чи корисними -
спеціально введеними в кристал для одержання потрібних властивостей (рисунок 2.2,в, г).
Для створення високоякісних напівпровідникових приладів вихідний матеріал повинний
мати як можна більш правильну кристалічну структуру і дуже високу чистоту. Тому
першою операцією при виготовленні напівпровідникових приладів і інтегральних
мікросхем є очищення, після якого допускається не більш одного атома домішки на 10 6 - 9
атомів кремнію. Як відзначено вище, електричний опір речовини залежить від вільних
носіїв зарядів - числа електронів, що знаходяться в зоні провідності.
У гранично чистому напівпровіднику з ідеальними кристалічними ґратами,
власному чи і-напівпровіднику (від англійського слова intrinsic - істинний), при
температурі абсолютного нуля у валентному зв'язку беруть участь усі чотири валентних
електрони кожного атома. Це означає, що усі валентні електрони знаходяться у валентній
зоні, вільні носії заряду відсутні, а провідність напівпровідника дорівнює нулю, тобто має
властивості ідеального ізолятора. З підвищенням температури кристала валентні зв'язки
між окремими атомами напівпровідника можуть порушитися, що приводить до
одночасного утворення вільного електрона і незаповненого зв'язку - дірки - поблизу того
атома, від якого відірвався електрон. Незаповнений зв'язок може бути заміщений одним з
валентних електронів сусіднього, атома, на його місці утвориться нова дірка, що
заміщається новим електроном, і т.д. Отже, дірка, що має позитивний заряд, рівний по
абсолютній величині заряду електрона, теж може переміщатися по кристалі.
Таким чином, у напівпровіднику маються два типи вільних носіїв зарядів -
електрони і дірки, причому вони завжди утворюються і зникають парами. Число
електронів ni дорівнює числу дірок pi і залежить від температури.
Власну електропровідність напівпровідника, обумовлену парними носіями
теплового походження, називають власною електропровідністю. Вона залежить не тільки
от темпе-ратури, але і від рівня енергії активації, що залежить від матеріалу
напівпровідника (для кремнію ΔЕg = l,l ев).
Електрон, що залишив атом і порушив валентний зв'язок, може знаходиться у
вільному стані тільки визначений час. При зіткненні з другими частками речовини він
зовсім втрачає енергію і, потрапивши у зону дірки, може заповнити валентний зв'язок, що
звільнився, в іншому атомі. Цей процес називають рекомбінацією, а середній час
існування вільного електрона і дірки - часом життя носіїв заряду. Рух електронів і дірок
відбувається в напівпровіднику за рахунок двох процесів: дифузії і дрейфу. Дифузія являє
собою безладний рух, носіїв заряду, пов'язаний з тепловою енергією, а дрейф -
упорядкований рух тих же зарядів під дією зовнішнього електричного поля. Швидкість
дрейфу носіїв заряду називають рухливістю.
Характер електропровідності напівпровідника істотно змінюється при додаванні в
нього домішок. У напівпровідникових приладах використовують тільки домішкові
напівпровідники, кількість домішок строго дозується - приблизно один атом домішки на
107—108 атомів основної речовини. Як домішки використовуються елементи V (сурма,
миш'як, фосфор) і III (індій, бор, алюміній) груп таблиці Менделєєва.
Напівпровідники n-типу (от англійського слова negative - негативний) одержують
при введенні в кристал кремнію атома домішки V групи (наприклад, сурми Sb) тільки
чотири її валентних електрони вступають у міцний зв'язок з чотирма сусідніми атомами
власного напівпровідника (рисунок 2.2,в). П'ятий валентний електрон сурми виявляється
слабко пов'язаним з ядром і легко переходить у зону провідності. При цьому домішковий
атом перетворюється в нерухомий позитивний іон. Вільні електрони, що відірвалися від
домішкових атомів, додаються до власних вільних електронів, і провідність
напівпровідника починає визначатися фактично електронами. Домішки, що обумовлюють
електронну електропровідність, називають донорними.
Напівпровідники р-типу (від англійського слова positive — позитивний)
одержують при введенні в кристал кремнію домішки III групи (наприклад, бора В) один з
чотирьох зв'язків між атомом домішки й атомом власного напівпровідника виявляється
незаповненим, що еквівалентно утворенню дірки (рисунок 2.2,г) і нерухомого негативного
іона. Електропровідність таких домішкових напівпровідників забезпечується за рахунок
переміщення дірок. Домішки, що обумовлюють діркову електропровідність, називають
акцепторними.
Присутність Nд атомів донорної домішки приводить до появи n рухливих
електронів, причому n~Nд. Присутність Nа атомів акцепторної домішки приводить до
появи p рухливих дірок, причому p~Na. Переважні носії електричних зарядів називають
основними, а ті, що складають меншість, - не основними. У напівпровіднику n- типу
основними носіями є електрони, а в напівпровіднику р- типy - дірки.
Розміри монокристалу в малопотужних приладах складають десяті чи соті долі
кубічних міліметрів, у потужних – одиниці чи десятки кубічних міліметрів. Розміри
корпусів малопотужних приладів не перевищують декількох міліметрів, а в потужних
приладах досягають декількох сантиметрів і іноді забезпечуються спеціальними
радіаторами для охолодження.
 Т2.2 Фізичні властивості та особливості роботи p-n переходів.

В основі роботи більшості напівпровідникових приладів і активних елементів

інтегральних мікросхем лежить використання властивостей p-n переходів. Однак p-n
перехід не може бути створений шляхом простого з’єднання двох напівпровідникових
кристалів з різними типами електропровідності, тому що при цьому між кристалами
завжди буде існувати деякий проміжний шар. Звичайно p-n переходи створюють за
допомогою спеціальних технологічних прийомів.
За технологією виготовлення p-n переходи можуть бути розділені на сплавні і
дифузійні. Для виготовлення сплавного перехода пластинку кремнію, наприклад, n- типу
ретельно шліфують до необхідної товщини, потім на її поверхні розміщують невелику
таблетку елемента III групи і поміщають у піч, де вона нагрівається до температури нижче
тточки плавлення напівпровідника, але вище точки плавлення домішки. У результаті
відбувається вплавлення в кристал домішки і формування p-n перехода. Для виготовлення
дифузійного p-n перехода напівпровідникові пластинки з захисним окисним шаром
попередньо піддають фотолітографічній обробці, створюючи «вікна» заданої конфігурації
на поверхні пластинки, через які проводять дифузію домішок.
Для виготовлення напівпровідникових приладів із заданими електричними
характеристиками необхідний дуже точно витримати . розміри областей кристала з
різними типами електропровідності.
Після створення перехода на границі між напівпровідниками з різними типами
електропровідності виникають великі градієнти концентрації рухливих носіїв зарядів. Це
приводить до того, що через границю між напівпровідниками n- і р- типу проходять
дифузійні струми (електронний з n- області, дірковий з р- області). У результаті відходу
основних носіїв на границі напівпровідників з різними типами електропровідності
створюється збіднений шар, у якому в n- області будуть знаходиться позитивно заряджені
іони донорних атомів, а в р- області - негативно заряджені іони акцепторних атомів. Цей
подвійний шар (товщиною в десяті доли мікрона) і є p-n переходом (Рисунок 2.3,а).
Розташований у p-n переході подвійний шар нерухомих електричних зарядів
створює внутрішнє електричне поле. Унаслідок цього між p- і n- областями виникає деяка
різниця потенціалів - потенційний бар'єр. Потенційний бар'єр перешкоджає руху основних
носіїв заряду з одноі області в іншу й одночасно сприяє руху неосновних носіїв, тобто під
впливом електричного поля p-n перехода дірки легко переміщаються з n- області в р-
область, а електрони - у зворотному напрямку, але переміщення дірок з р- областi в n-
область, так само як і переміщення електронів з n- області в р- область, затруднене.
 При відсутності зовнішньої напруги в p-n переході установлюється рівновага, при
якій взаємно компенсуються заряди донорних і акцепторних іонів, дрейфовий і
дифузійний струми, що проходять у протилежних напрямках. При цьому p-n перехід
виявляється електрично нейтральним, а струм через нього рівним нулю.

Рисунок 2.3 - Структура p-n

перехода і його вольт-амперна
характеристика (ВАХ).

Якщо до р- і n- областей напівпровідникового кристала, у якому створено p-n

перехід, підвести зовнішню напругу, то через великий опір перехода вона виявиться
прикладенною тільки до p-n переходу (спадом напруги на опорах р- і n- областей можна
зневажити). Зовнішня напруга порушує рівновагу в p-n перехід, і через нього починає
проходити струм.
Якщо до р- області підключений позитивний полюс джерела зовнішньої напруги, то
висота потенційного бар'єра зменшується, а дифузійний струм основних носіїв зарядів
різко .зростає. Таке включення p-n перехода називають прямим (рисунок 2.3,6). При
прямому включенні відбувається переважне введення носіїв зарядів у ті області
напівпровідникового кристала, де вони є неосновними - інжекція неосновних носіїв. Якщо
змінити полярність зовнішньої напруги (підключити до р- області негативний полюс
джерела), то висота потенційного бар'єра в p-n переході зростає, а дифузійний струм
основних носіїв заряду падає. Уже при U~ - 0,5В дифузійний струм припиняється, і при
подальшому підвищенні зовнішньої напруги через p-n перехід буде проходить тільки
дрейфовий струм неосновних носіїв, що називають зворотним. Тому що число неосновних
носіїв значно менше, ніж основних, струм через перехід буде невеликим у порівнянні зі
струмом при прямому включенні і практично постійним при зміні U у широких межах.
Зазначене включення p-n перехода називають зворотним (рисунок 2. .3,в).
Таким чином, p-n перехід володіє несиметричною вольт-амперною
характеристикою (рисунок 2.3,г). При прямому включенні через нього проходить великий
прямий струм, при зворотному - незначний зворотний струм. Зворотний струм p-n
перехода практично визначається власною електропровідністю напівпровідника, що, як
відзначалося, сильно залежить від температури середовища.
При великих негативних напругах на p-n переході спостерігається різкий ріст
зворотного струму. При досить сильному електричному полі, коли не основні носії заряду
прискорюються настільки, що іонізують атоми напівпровідника, виникає пробій p-n
перехода. При іонізації створюються електрони і дірки, що розганяються, знову іонізують
атоми і т.д., у результаті дифузійний струм через перехід різко зростає, а на вольтамперній
характеристиці p-n перехода в області великих негативних напруг спостерігається стрибок
зворотного струму. Слід зазначити, що після пробою електричний перехід виходить з ладу
тільки тоді, коли відбуваються необоротні зміни його структури.

Т2.3 Напівпровідникові діоди. Загальна характеристика випрямних

діодів.
Напівпровідниковим діодом називають прилад, що має два виводи і містить один p-
n перехід. Усі напівпровідникові діоди можна розділити на дві групи: випрямні і
спеціальні.
Випрямні діоди, як випливає із самої назви, призначені для випрямлення змінного
струму. У залежності від частоти і форми змінної напруги вони поділяються на високочас-
тотні, низькочастотні й імпульсні. Спеціальні типи напівпровідникових діодів викорис-
товують різні властивості p-n переходів; явище пробою, бар'єрну ємність, наявність
ділянок з негативним опором і ін.
Конструктивно діоди поділяються на площинні і точкові, а за технологією виго-
товлення на сплавні, дифузійні і епітаксіальні. Площинні діоди завдяки великій площі p-n
переходу використовуються для випрямлення великих струмів. Точкові діоди мають малу
площу переходу і, відповідно, призначені для випрямлення малих струмів. Для збільшення
напруги лавинного пробою використовуються випрямні стовпи, що складаються з ряду
послідовно включених діодів.
Випрямні діоди великої потужності називають силовими. Матеріалом для таких
діодів звичайно служить кремній чи арсенід галію. Германій практично не застосовується
через сильну температурну залежність зворотного струму. Кремнієві сплавні діоди
використовуються для випрямлення змінного струму з частотою до 5 кГц. Кремнієві
дифузійні діоди можуть працювати на підвищеній частоті, до 100 кГц. Кремнієві
епітаксійні діоди з металевою підкладкою (з бар'єром Шоткі) можуть використовуватися
на частотах до 500 кГц. Арсенід галлієві діоди здатні працювати в діапазоні частот до
декількох Мгц. При великому струмі через p-n перехід значна напруга падає в об’ємі
напівпровідника, і зневажати нею не можна.
Умовне графічне позначення напівпровідникового діода приведенена рисунку 2.4.а,
а його структура на рисунку 2.4.б. Електрод діода, підключений до області Р, називають
анодом (по аналогії з електровакуумним діодом), а електрод, підключений до області N, -
катодом.
Статична вольт-амперна характеристика діода показана на рисунку 2.4,в. Силові
діоди звичайно характеризують набором статичних і динамічних параметрів.
До статичних параметрів діода відносяться:
• спадання напруги Uпp на діоді при деякому значенні прямого струму;
• зворотний струм Ізвор при деякому значенні зворотної напруги;
• середнє значення прямого струму Іпр.сp;
• імпульсна зворотна напруга Uзвор.н.
До динамічних параметрів діода відносяться його часові чи частотні харак-
теристики. До основних таких параметрів відносяться:
• час відновлення tвідн зворотної напруги;
• час наростання прямого струму Iнар;
• гранична частота без зниження режимів діода fmах.
Статичні параметри можна установити по вольт-амперній характеристиці діода, що
приведена на рисунку 2.4,в. Типові значення статичних параметрів силових діодів
приведені в таблиці 2.1.
Час зворотного відновлення діода tBідновл є основним параметром випрямних
діодів, що характеризують їхні інерційні властивості. Воно визначається при
переключенні діода з заданого прямого струму Iпр на задану зворотню напругу Uзвор.
Графіки такого переключення приведені на рисунку 2.5.а. Схема іспиту, приведена на
рисунку 2.5.б, являє собою однонапівперіодний випрямляч, що працює на резистивне на-

Tаблиця 2.1 Статичні параметри силових випрямних діодів

 Рисунок 2.4 - Умовне графічне зображення напівпровідникового діода (а), його
структура (б) і вольт-амперна характеристика (в).
вантаження і дістає живлення від джерела напруги прямокутної форми.
Напруга на вході схеми в момент часу ί=0 стрибком здобуває позитивне значення
Um. Через інерційність процесу дифузії струм у діоді з'являється не миттєво, а наростає
протягом часу Iнар. Разом з наростанням струму в діоді знижується напруга на діоді, що
після Iнар стає рівним Uпр. У момент часу t1 у ланцюзі встановлюється стаціонарний
режим, при якому струм діода i=Iн~Um/Rн. Таке положення зберігається аж до моменту часу
t2, коли полярність напруги живлення змінюється на протилежну. Однак заряди,
накопичені на границі p-n переходу, якийсь час підтримують діод у відкритому стані, але
напрямок струму в діоді міняється на протилежний. Власне кажучи, відбувається
розсмоктування зарядів на границі p-n переходу. Після інтервалу розсмоктування tроз.
починається процес вимикання діода, тобто процес відновлення його замикаючих
властивостей.
Розгляд процесів включення і вимикання випрямного діода показує, що він не є
ідеальним вентилем і у визначених умовах має провідність у зворотному напрямку.
Т2.4 Стабілітрони і
стабістори.
Стабілітрони -
напівпровідникові діоди,
що працюють у режимі
лавинного пробою. При
зворотному зсуві
напівпровідникового
діода виникає лавинний
пробій рn- переходу. При цьому в широкому діапазоні зміни струму через діод напруга на
ньому міняється дуже незначно. Для обмеження струму через стабілітрон послідовно з
ним включають опір. Якщо в режимі пробою потужність, що витрачається в ньому, не
перевищує гранично припустиму, то в такому режимі стабілітрон може працювати
необмежено довго. На рисунку 2.5,а показано схематичне зображення стабілітронів, а на
рисунку 2.5,б приведені їх вольтамперні харак-теристики.

Рисунок 2.5 - Схема-тичне зображення стабі-літронів (а) і їх ВАХ (б).

Напруга стабілізації стабілітронів залежить від температури. На рисунку 2.5,б

штри-ховою лінією показане переміщення вольт-амперних характеристик при збільшенні
температури. Очевидно, що підвищення температури збільшує напругу лавинного пробою
при і зменшує його при Uст <5В. Інакше кажучи, стабілітрони з напругою стабілізації бі-
льше 5В мають позитивний температурний коефіцієнт напруги (ТКН), а при Uст <5В —
негативний. При Uст =6...5В ТКН близький до нуля.
Іноді для стабілізації напруги використовують пряме падіння напруги на діоді. Такі
прилади на відміну від стабілітронів називають стабісторами. В області прямого зсуву р-
n-переходу напруга на ньому має величину 0,7...2 В і мало залежить від струму. У зв'язку з
цим стабістори дозволяють стабілізувати тільки малі напруги (не більш 2В). Для
обмеження струму через стабістор послідовно з ним також включають опір. На відміну від
стабілітронів при збільшенні температури напруга на стабісторі зменшується, тому що
пряма напруга на діоді має негативний ТКН. Схема включення стабілітрона приведена ,на
рисунку 2.6,а, а стабістора - на рисунку 2.6,б.
Основними параметрами стабілітронів є:
- напруга стабілізації Uст;
- температурний коефіцієнт напруги стабілізації ТК Uст;
- допустимийструм через стабілітрон Іст.доп.;
- диференціальний опір стабілітрона;

Рисунок 2.6 - Схема включення стабілітрона (а) і стабістора (б).

 Крім того, для імпульсних стабілітронів нормується час включення стабілітрона
tВКЛ, а для двосторонних стабілітронів нормується несиметричність напруг стабілізації
ΔUст = Uст1- Uст2.
Диференційний опір стабілітрона — це параметр, що характеризує нахил вольт-
ам-перної характеристики в області пробою. На рисунку 2.7,а приведена лінеаризована
характеристика стабілітрона, за допомогою якої можна визначити його диференціальний
опір і побудувати схему заміщення, приведену на рисунку 2.7,б .
Використовуючи приведену на рисунку 2.7,б схему заміщення, можна розрахувати
найпростіший стабілізатор напруги, зображений на рисунку 2.8,а. Заміняючи стабілітрон
його схемою заміщення, одержимо розрахункову схему, зображенуна рисунку 2.8,б. Для
цієї схеми можна записати систему рівнянь
У результаті рішення цієї системи рівнянь одержимо напругу на виході
стабілізатора

де Ін=Р/Uн - струм навантаження.

Підставивши значення Ін одержимо остаточно
 З цього виразу випливає, що вихідна напруга стабілізатора залежить від напруги на
вході стабілізатора Івх, опорів навантаження Rн і обмеження струму Rг, а також параметрів
стабілітрона Uст і r ст.
Шифр стабілітрона включає: матеріал напівпровідника (К - кремній); позначення
підкласу стабілітронів (букву С); цифру, що вказує на потужність стабілітрона; дві цифри,
що відповідають напрузі стабілізації, і букву, що вказує особливість конструкції чи
корпуса.
Наприклад, стабілітрон КС 168А відповідає малопотужному стабілітрону (струм
менш 0,3 А) з напругою стабілізації 6,8В, у металевому корпусі.
Крім стабілізації напруги стабілітрони також використовуються для обмеження
імпульсів напруги й у схемах захисту різних елементів від підвищення напруги на них.

Т2.5 Світловипромінюючі діоди.

Світловипромінюючі діоди (СВД) перетворять електричну енергію у світлове

випромінювання за рахунок рекомбінації електронів і дірок. У звичайних діодах

рекомбінація (об'єднання) електронів і дірок відбувається з виділенням тепла, тобто без

світлового випромінювання. У СВД переважає рекомбінація з випромінюванням світла, що
називається фотонною. Звичайно таке випромінювання буває резонансним і лежить у
вузькій смузі частот. Для зміни довжини хвилі випромінювання можна змінювати
матеріал, з якого виготовлений світлодіод, чи змінювати струм. На рисунку 2.9,а показано
схематичне зображення світлодіода, а на рисунку 2.9,б приведені спектральні
характеристики випромінювання.
Для виготовлення світлодіодів найбільш часто використовують фосфід галію чи
арсенід галію. Для діодів видимого випромінювання часто використовують фосфід-
арсенід га-лію. З окремих світлодіодів збирають блоки і матриці, що дозволяють
випромінювати зображення букв і цифр.

Рисунок 2.9 - Умовне схематичне зображення світлодіода (а) і спектральні

характеристики випромінювання (б).
 Т2.6 Варікапи.
Варікапи — це напівпровідникові діоди, у яких використовується бар'єрна ємність
р-п-переходу. Ця ємність залежить від прикладеної до діода оберненої напруги і зі збі-
льшенням її зменшується. Добротність бар'єрної ємності варікапа може бути досить висо-
кої, тому що вона шунтується досить високим опором діода при зворотному зсуві.
Схематичне зображення варікапа приведене на рисунку 2.10,а , а його вольт-фарадная
характеристика —на рисунку 2.10,б. Шифр позначень варікапа містить п'ять елементів.
Перший елемент позначає матеріал, з якого виготовлений варикап (К - кремній). Другий
елемент позначає приналежність прилада до підкласу варікапів (В - варікап). Третій
елемент - цифра, що визначає призначення варікапа (1 - для підстроювальних варікапів, 2 -
для помножуючих варікапів). Четвертий елемент - це порядковий номер розробки. І
нарешті, п'ятий елемент - відповідає розбраковуванню по параметрах. Так, наприклад, на
рисунку 2.10 приведена характеристика варікапа КВ117А.Основними параметрами
варікапа є: його початкова ємність Со, добротність Qс,
Рисунок 2.10 - Схематичне зображення варікапа
(а) і залежність ємності варікапа
від зворотної напруги (б).
Кс. коефіцієнт перекриття по ємності.
Крім цього, часто вказують температурний
коефіцієнт ємності варікапа.
Варікапи знаходять застосування в різних
електронних схемах: дистанційно підстроюванних резонансних контурах, генераторах з
електронним підстроюванням, параметричних підсилювачах і ін. На рисунку 2.11 показана
схема резонансного контуру з

Рисунок 2.11 - Схема резонансного контуру з

електричною перебудовою за допомогою
варікапів.

перебудовою за допопомогою варікапів електронною перебудовою за допомогою постійної

напруги Uн- Напруги перебудови подається в середню точку двох зустрічно послідовно
включених варікапів VD1 і VD2 через додатковий резистор Rд. Таке включення варікапів
дозволяє збільшити крутість перебудови й усуває необхідність застосування розділового
конденсатора. Спеціально для таких схем промисловістю випускаються здвоєні варікапи
типів КВС11 чи КВС120..
Запитання для самоконтролю за розділом 2.

1.Поясніть, що таке напівпровідники (чисті і домішхові).

2.Що таке р-n перехід?
3.Що таке пряне і зворотне вмикання р-n переходу? Поясніть поведінку р-п переходу
при прямому і зворотному вмиканні.
4.Що таке ВАХ і який вигляд вона має у р-n переходу?
5.Вкажіть властивості р-n переходу, які використовують при побудові
напівпровідникових електронних приладів.
7.Вкажіть, як класифікують напівпровідникові електронні прилади?
8.Що таке випрямний діод?
9.Що таке вольт-амперна характеристика діода?
10.Охарактеризуйте будову діода.
11.Поясніть пряму та зворотну гілку ВАХ діода.
12.Які типи діодів Ви знаєте?
13.Поясніть принцип роботи випрямного діоду.
14.Перерахуйте статичні та динамічні параметри діодів.
15.У чому полягає особливість ВАХ стабілітрона і її відмінність від ВАХ діода?
16.Назвіть та охарактеризуйте основні параметри стабілітрона
17.Області застосування діодів та стабілітронів.
18.Що таке варікап? Для чого його застосовують?

Т3. ТРАНЗИСТОРИ
Транзистором (від TRANSfer resISTOR- такий, що перетворює опір) називається
напівпровідниковий прилад, який має один або декілька p-n переходів, три або більше
виводів і здатний підсилювати напругу, струм або потужність електричного сигналу.
Розглянемо елементарні положення процесу підсилення потужності електричного
сигналу. У найзагальнішому вигляді для підсилення необхідна схема, наведена на рисунку
3.1. Вона складається з навантаження Rн, джерела живлення Едж та деякого гіпотетичного
підсилюючого елемента ПЕ.
 Рисунок 3.1 - Елементарна схема підсилення.
Малопотужна вхідна дія (Вх.дія) змінює параметри ПЕ так, що пропорційно їй
змінюється потужність, що виділяється в Rн за рахунок Едж.

Т3.1 Біполярні транзистори (БТ). Загальні властивості.

Широко розповсюджені транзистори з двома p-n переходами, що мають назву

біполярних. Термін "біполярний" підкреслює, що процеси в цих транзисторах пов'язані з
взаємодією носіїв заряду двох типів: електронів і дірок. Для виготовлення транзисторів
вико-ристовують германій і частіше кремній. Два p-n переходи створюють за допомогою
три-шарової структури з чередуванням шарів, що мають електронну або діркову електро-
провідність.У відповідності до чергування шарів з різними типами електропровідності
біполярні транзистори поділяються на два класи: n-p-n i p-n-p типу, як показано на
рисунку 3.2.
Центральний шар біполярних транзисторів має назву "база". Зовнішній лівий шар,
що є джерелом носіїв заряду (електронів чи дірок) і, головним чином, створює струм
приладу, називається "емітером". Правий зовнішній шар, що приймає заряди від емітера,

Рисунок 3.2.- Схематична побудова та умовне позначення біполярних транзисторів

n-p-n (а) та p-n-p (б) типів.
називається "колектором". На перехід емітер-база напруга подається у прямому
напрямку, тому, навіть при незначній напрузі через перехід тече великий струм. На перехід
колектор-база напруга подається у зворотному напрямку. Зазвичай її величина на декілька
порядків перевищує напругу на переході емітер-база.
На рисунку 3.2 наведені також еквівалентні схеми транзисторів у вигляді двох
діодів (p-n переходів), увімкнених зустрічно. З них видно, що така конструкція не те що не
може забезпечувати підсилення електричного сигналу, а взагалі непрацездатна - струм від
колектора до емітера протікати не може.
Підсилюючі властивості біполярного транзистора забезпечуються тим, що p-n
переходи в ньому не незалежні, а взаємодіють один з одним, що, в свою чергу,
забезпечується технологічними особливостями виконання тришарової структури, а саме:
1) емітер виконано з великою кількістю домішки - він має велику
кількість вільних носіїв заряду;
 2) база виконана тонкою і має малу кількість основних носіїв
заряду;
3) колектор - масивний і має кількість носіїв, меншу, ніж емітер.
Розглянемо роботу транзистора типу n-p-n.

Рисунок 3.3 - Спрощена схема вмикання транзистора.

Рисунок 3.4 - Схема вмикання транзистора.

Для початку припустимо, що увімкнено лише перехід колектор-база: до нього

прикладено напругу джерела колекторного живлення ЕК , як показано на рисунку 3.3.
Емітерний струм ІЕ дорівнює нулю, у транзисторі протікає тільки зворотний струм через
колекторний перехід, бо через нього рухаються лише неосновні носії заряду, що
обумовлюють початковий струм ІК0 (незначний за величиною).
Якщо підімкнути емітерне джерело живлення ЕК як показано на рисунку 3.4,
емітерний перехід зміщується у прямому напрямку, через нього тече струм ІЕ визначеної
величини. Оскільки зовнішню напругу прикладено до емітерного переходу у прямому
напрямку, електрони долають перехід і потрапляють у зону бази, де частково
рекомбінують з її дірками, утворюючи струм бази ІБ. Більшість електронів, що є
неосновними носіями для бази, завдяки дрейфу досягають зони колектора, де вони є
основними носіями, і, потрапляючи під дію поля ЕК утворюють колекторний струм ІК .
Струм ІК практично дорівнює ІЕ
Рівняння для струмів транзистора в усталеному режимі має вигляд:

Зв'язок між струмом емітера і струмом

колектора характеризується кое-
фіцієнтом передачі струму, що вказує, яка частка повного струму через емітерний перехід
досягає колектора (передається до нього з емітера):

α = І К / ІЕ
 Для сучасних транзисторів α = 0,9 ÷ 0,995.
Транзистор р-n-р типу діє аналогічно, тільки струм через прилад зумовлений, головним
чином, дірками, а полярність підключення джерел живлення протилежна.

Т3.2 Оновні схеми вмикання, статичні характеристики БТ.

Як елемент електричного кола транзистор зазвичай використовується так, що один
із його електродів є вхідним, другий вихідним, а третій - спільний відносно входу та
виходу. У коло вхідного електроду вмикається джерело вхідного змінного сигналу
потужність якого необхідно підсилити, а у коло вихідного - навантаження, на якому
виділяється підсилена потужність. Залежно від того, який електрод є спільним для
вхідного і вихідного кіл, як це показано на рисунку 3.5, розрізняють три схеми вмикання
транзисторів: зі спільною базою - з СБ; зі спільним емітером - з СЕ; зі спільним
колектором - з СК.
Слід зазначити, що основні схеми вмикання розглядаються для сигналу напруги
змінного струму.

Рисунок 3.5 -
Схеми вмикання транзистора: а) з СБ; б) з СЕ; в) з СК.

У схемі з СБ: ІЕ - вхідний струм, ІК - вихідний, передатність струму:

 Для електричних схем на біполярних транзисторах існує чотири сім'ї статичних
вольт-амперних характеристик ("статичних" у тому розумінні, що для транзистора
задаються фіксовані значення напруги між деякими його електродами або струму в одному
з кіл, і зна-ходяться відповідні їм значення струму у другому колі або напруги між іншими
електродами - у статичному режимі):

Т3.3 Вхідні та вихідні характеристики біполярних транзисторів.

Для кожної схеми вмикання з чотирьох сімей статичних ΒΑΧ незалежними є лише
дві. Для аналізу роботи транзистора та визначення його параметрів використовують
частіше перші дві.
Для схеми з СБ статичні ВАХ, наведені на рисунку 3.6, описуються залежностями
 Рисунок 3.6 - ВАХ транзистора, увімкненого за схемою з СБ:
а) вхідні; б) вихідні характеристики.

З рисунку видно, що вихідні характеристики майже паралельні осі напруги.

Наявність невеликого нахилу (деяке збільшення ІК, з ростом UКБ) пояснюється тим, що
колек-торна напруга має вплив, хоча і слабкий, на рух носіїв до колекторного переходу (в
основному через звуження бази з ростом UКБ за рахунок розширення колекторно-базового
рn- переходу).
Вихідна характеристика описується досить точним співвідношенням:

Складова UКБ / rк надто мала і стає відчутною лише у зоні, що передує пробою через
зменшення ІК. Тому можна вважати ІК = αІЕ + ІК0. При невисоких температурах величиною
ІК0 також можна знехтувати, тоді ІК ~ αІЕ.
Вхідні характеристики утворюють щільний пучок, що пояснюється слабким
впливом колекторної напруги на струм емітера. Тому при практичних розрахунках
достатньо мати не сім’ю, а одну вхідну характеристику для колекторної напруги, зазвичай,
величиною 5В (рисунок 3.6,а).
Для схеми з СЕ статичні характеристики, що наведені на рисунку 3.7, які є
залежностями:
Рисунок 3.7 - ВАХ транзистора, увімкненого за схемою СЕ: а) вхідні; б) вихідні.

Вихідні ВАХ схеми з СЕ досить точно можна описати виразом:

Вихідні характеристики схеми з СЕ мають більший нахил, ніж у схеми з СБ (це поя-
снюється сильнішим впливом колекторної напруги на передатність струму - на коефіцієнт
β), вхідні характеристики більш лінійні.
ВАХ схеми з СК схожі з характеристиками схеми з СЕ, тому що в обох схемах
вхідним є струм бази, а вихідні струми ( ІЕ або ІК ) відрізняються незначно. Тому при
практичних розрахунках транзисторних каскадів.
Вихідні ВАХ схеми з СЕ можна використовувати як вихідні ВАХ схеми з СК, якщо заміни-
ти струм колектора на струм емітера.
Вирази для статичних характеристик схеми з СК мають такий вигляд:

Статичні характеристики біполярного транзистора вказують на те, що транзистор

далеко не ідеальний елемент. Його вхідні характеристики не є прямими, що починаються з
нуля (крім того, їх положення залежить від напруги у силовому колі транзистора), а є,
швидше, експонентами (які з допущеннями можна вважати за прямі, зміщені відносно
нуля на деяке значення напруги). Це виключає можливість підсилення малих сигналів.
Вихідні характеристики не паралельні осі напруг (мають деякий нахил: у схеми з
СЕ більший, ніж у схеми з СБ), а також, реально, нерівномірно розміщуються залежно від
рівно-мірних змін ІБ або ІЕ (наприклад, коефіцієнт β - величина непостійна для різних
значень ІЕ). Більше того, вихідні характеристики схеми з СЕ починаються не від осі ІК
через що, при малих напругах UКЕ струм ІК ≠ βІБ і транзистор втрачає керованість. Також
слід зазначити, що, як і у всіх НП приладів, параметри транзистора (а отже, і положення
його характеристик) значною мірою залежать від температури.
Основні режими роботи біполярного транзистора. Незалежно від схеми
вмикання біполярного транзистора він може працювати у трьох основних режимах, що
визначаються полярністю напруги на емітерному UE та колекторному UK переходах:
режим відтинання (UE < 0, UK < 0);
активний режим (UE > 0, UK < 0);
режим насичення (UE > 0, UK > 0).
У режимі насичення, який настає при великому відпірному вхідному сигналі,
колекторний та емітерний переходи зміщені у прямому напрямку, транзистор повністю
увімкнений і його струм Imp = Uз / Rн, тобто залежить тільки від опору навантаження Rн та
зовнішньої напруги Uз (вихідний опір транзистора знижується до дуже малої величини).
У режимі відтинання, що настає з поданням до вхідного кола транзистора
сигналу, який забезпечує повне запирання приладу, обидва переходи зміщені у зворотному
напрямі (закритий стан транзистора). При цьому у вихідному колі протікає струм, що є
зворотним струмом емі-терного та колекторного переходів, а опір транзистора високий.
Активний режим є проміжним. У ньому емітерний перехід зміщений у прямому
на-прямку, а колекторний - у зворотному. Транзистор у цьому режимі працює як
підсилювач сигналу: пропорційним змінам вхідного сигналу тут відповідають пропорційні
зміни вихідного.
Режим роботи, у якому транзистор тривалий час знаходиться в режимах відтинання
або насичення, називається ключовим режимом.
Розглянемо наведені вище режими роботи транзистора на прикладі його вмикання
за схемою з СЕ, зображеною на рисунку 3.8.

Рисунок 3.8 - Схема вмикання транзистора з СЕ

Тут

де RБ,RК - базове та колекторне навантаження;

Uке - напруга між колектором та емітером;
Ек - напруга джерела живлення.
 Останнє рівняння характеризує зв'язок вихідної напруги з вхідним струмом і нази-
вається динамічною вихідною характеристикою транзистора або лінією навантаження.
На сім'ї вихідних статичних характеристик побудуємо лінію навантаження, як
показано на рисунку 3.9. Для цього розглянемо режими холостого ходу (Х.Х.) та корот-
кого замикання (К.З.).

Рисунок 3.9 – Вихідна динамічна характеристика транзистора.

Для режиму Х.Х.: якщо ІК= 0, то Uке = Ек . Для режиму К.З.: якщо Uке = 0, то

Точки перетину лінії навантаження з будь-якою ΒΑΧ називаються робочими

точками і відповідають значенням вихідного струму ι вихідної напруги. Якщо, наприклад,
ІБ= ІОБ, то цьому відповідає точка Ρ, для якої Uвих = Uок , Івих = Іок . Коли робоча точка лежить
у межах відрізка ab, транзистор працює у активному (підсилювальному) режимі, де змінам
вхідного сигналу відповідають пропорційні зміни вихідного.
Якщо робочу точку намагатися задати нижче точки б, транзистор переходить до
режиму відтинанння, якому відповідає власне точка б (транзистор тут відтинає протікання
струму у силовому колі).
Якщо ж робочу точку задавати вище точки а - транзистор знаходиться в режимі
насичення, якому і відповідає точка а.
Взагалі режимом насичення називають такий режим, коли подальшому збільшенню
вхідної дії не відповідає збільшення вихідної реакції, що досягла деякого значення. У
режимі насичення через транзистор протікає струм
ІКН = ЕК / RК
Для того щоб транзистор увійшов до режиму насичення, необхідно забезпечитит
струм бази не менший за
ІБН = ІКН / β
Ступінь насичення характеризується коефіцієнтом насичення
 У активному режимі S < 1.
До основних параметрів біполярних транзисторів належать:
- максимально допустимий струм колектора ІК та, що в основному визначається
перетином виводів від кристалу НП, становить (0,01+100) А;
- допустима робоча напруга Uкeпт, що визначається напругою лавинного пробою
колекторного переходу, становить (20+1000) В;
- коефіцієнт передачі струму β = 20+50;
- допустима потужність на колекторі Рк = ІкUке (якщо Рк< 0,3 Вт, то маємо транзистор
малої потужності, якщо Рк= 0,3+1,5 Вт - середньої потужності, якщо Рк> 1,5 Вт - великої
потужності), за її перевищення кристал розплавиться.

Т3.4 Система h-параметрів біполярних транзисторів. Біполярний

транзистор як активний чотириполюсник.

Статичні ВАХ використовуються при розрахунках електронних схем із великими

рівнями вхідних сигналів. Якщо рівень вхідного сигналу малий і транзистор працює на
лінійній ділянці ВАХ (робота у режимі малого сигналу), його можна подати як активний
лінійний елемент (чотириполюсник), зображений на рисунку 3.10.

Рисунок 3.10 -
Активний лінійний
Величини U1, I1 є чотириполюсник
вхідними, а U2, I2 -вихідними. При аналізі роботи чотириполюсника два параметри
вибираються як незалежні змінні, а два інші є їх лінійними функціями. У зв'язку з цим ро-
боту чотириполюсника можна охарактеризувати шістьма системами лінійних рівнянь,
кожна з яких складається з двох рівнянь.
Найчастіше використовується система рівнянь, у якій незалежними змінними
величинами є вхідний струм I1 та вихідна напруга U2:
 Із системи рівнянь можна знайти повні диференціали функцій U1 та I2

Якщо замінити диференціали функцій незначними приростами амплітудних

значень струмів (di = ΔI) та (du = ΔU) і ввести нові позначення для частинних похідних, то
попередня система рівнянь матиме вигляд

Значення коефіцієнтів h знаходять при створенні режимів холостого ходу на вході

за змінною складовою струму.
І З режиму Х.Х. на вході, коли I1 = 0 , Δ I1 = 0 можуть бути визначені

Система рівнянь називається системою h-параметрів. Значення h-параметрів

наводяться у довідникових матеріалах на транзистори. Залежно від схеми вмикання
транзистора h-параметри мають різні значення. Тому вони позначаються відповідною
літерою в індексі (наприклад, для схеми з СЕ – h11E, з СБ – h11Б , з CK – h11K і т.п.).

Рисунок 3.11 - Схема заміщення

транзистора за h -параметрами

Перевагою системи h -параметрів є порівняна простота безпосереднього

вимірювання значень коефіцієнтів h (для отримання їх експериментальних значень).
Так, режим Х.Х. на вході транзистора (за змінним струмом) здійснюється
вмиканням у вхідне коло транзистора дроселя з великою індуктивністю (ωL→ ∞), а режим
К.З. - шляхом вмикання паралельно вихідному колу транзистора конденсатора великої
ємності (1/ωС→0).

Т3.5 Складені транзистори.

Для значного підвищення коефіцієнта підсилення за струмом застосовують (рисунок 3.12)
комбінації з двох і більше транзисторів, з'єднаних так, що у цілому конструкція, як і
поодинокий транзистор, має три зовнішніх виводи і називається складеним транзистором.
Тут вхідний струм є струмом бази першого транзистора. Після підсилення останнім в β1
раз він подається на базу другого транзистора, яким підсилюється β2 рази. У результаті
загальний коефіцієнт підсилення за струмом становить
β = β1 β2
На рисунку 3.12,б, наприклад, наведено еквівалентну схему потужного транзистора
КТ829, що має β > 750. Тут резистори R1 і R2 забезпечують відведення від бази зворотного
струму колекторних переходів, а діод VD захищає структуру від дії зворотної напруги.
Т3.6 Польові ( уніполярні ) транзистори.
До класу уніполярних належать транзистори, принцип дії яких ґрунтується на
використанні носіїв заряду лише одного знаку (електронів або дірок). Керування струмом
в силовому колі уніполярних транзисторів здійснюється зміною під впливом електричного
поля провідності каналу, через який протікає струм. Тому уніполярні транзистори ще
називаються польовими (ПТ).

Рисунок 3.12 – Складений транзистор за схемою Дарлінгтона.

Розрізняють ПТ з керуючим рn- переходом (із затвором у вигляді рn- переходу) та з
ізольованим затвором. Останні, в свою чергу, поділяються на ПТ з вбудованим каналом та
ПТ з індукованим каналом. ПТ з ізольованим затвором належать до різновиду МДН-
транзисторів: конструкція «метал - діелектрик - НП». Якщо як діелектрик використовують
оксид кремнію: конструкція «метал - оксид - НП», ПТ називають відповідно МОН-тран-
зистором. Характерною рисою ПТ є великий вхідний опір (108 ÷ 1014 Ом).
 НП шару р- типу, що створюють із n- шаром два рn- переходи, виконані з більш
високою концентрацією основних носіїв, ніж n- шар. Обидва p- шари електрично з'єднані і
мають зовнішній електрод, що називається затвором 3.
Широкого розповсюдження ПТ набули завдяки високій технологічності у
виробництві, стабільності характеристик і невеликій вартості при масовому виробництві.

Т3.6.1 Польові транзистори з керуючим p-n переходом.

Конструкція та принцип дії ПТ з керуючим р-n переходом пояснюється на моделі,

наведеній на рисунку 3.13. У такого ПТ канал протікання струму являє собою шар НП,
наприклад, n- типу, вміщений між двома р-n переходами. Канал має контакти із
зовнішніми електродами. Електрод, від якого починають рух носії заряду (у даному разі
-електрони), називається витоком В, а електрод, до якого вони рухаються - стоком С.
НП шару р- типу, що створюють із n- шаром два р-n переходи, виконані з більш
високою концентрацією основних носіїв, ніж n- шар. Обидва p- шари електрично з'єднані і
мають зовнішній електрод, що називається затвором 3.

Вихідна напруга підмикається між стоком і витоком ( UCB), а вхідний потенціал

(керуючий) - між витоком та затвором (φЗB), причому на затвор подається зворотна щодо
витоку напруга.
Принцип дії такого ПТ полягає у тому, що зі змінами вхідної напруги Uw
змінюється ширина рn- переходів, що являють собою ділянки НП, збіднені носіями
зарядів (запірний шар). Оскільки р- шар має більшу концентрацію домішки, зміна ширини
рn- переходів відбувається, головним чином, за рахунок більш високоомного n- шару. При
цьому змінюється переріз струмопровідного каналу, а отже і його провідність і відповідно
вихідний струм Іс.
Особливість цього транзистора полягає у тому, що на провідність каналу впливає як
керуючий потенціал φЗB, так і напруга UСВ. Вплив сих сигналів на провідність каналу
ілюструє рисунок 3.14,б, де заради спрощення не показані ділянки n- шару, розміщені
поза р-n переходами.
На рисунку 3.14,а зовнішню напругу прикладено лише у вхідному колі тран-
зистора. Збільшення зворотної напруги на р-n переході призводить до зменшення провід-
ності каналу за рахунок зменшення його перерізу (вздовж усього каналу). Та оскільки
UCB=0, вихідний струм Iс=0.
Рисунок 3.14,б ілюструє зміну перерізу каналу під впливом лише напруги UCB, ( φЗB = 0).
Коли UCB >0, через канал протікає струм. Внаслідок цього виникає розподілений по каналу
спад напруги, що зростає у напрямку стоку. Сумарний спад напруги ділянки стік-витік
дорівнює UCB. Відповідно, потенціали точок каналу вздовж нього неоднакові: зростають у
напрямку стоку від нуля до UCB. Потенціал точок р- шару відносно витоку

Рисунок 3.14 - Вплив

напруг на провідність каналу ПТ з керуючим рn- переходом:
а) при UCB = 0; б) при U3B = 0.

визначається потенціалом затвора відносно витоку і у даному випадку дорівнює нулю. У

зв'язку із зазначеним, зворотна напруга, прикладена до рn- переходів, зростає у напрямку
витік-стік і рn- переходи розширюються у напрямку стоку. Це явище призводить до
клиновидного зменшення перерізу каналу. Підвищення напруги UCB викликає збільшення
спаду напруги у каналі і подальше зменшення його перерізу, а отже, і провідності каналу.
При певному значенні UCB межі обох рn- переходів змикаються (див. рисунок 3.14,б) і
опір каналу стає великим.
Очевидно, що за сумарної дії UCB та φЗB змикання рn- переходів відбувається шви-
дше. При цьому у приладі діє автоматична система керування, що забезпечує протікання
фік-сованого значення Іс за подальшого після змикання росту UCB - струм через канал не
залежить від UCB. Аналогічно працюють транзистори з каналом р- типу, лише полярність
напруг повинна бути зворотною.
На рисунку 3.15 наведені умовні позначення ПТ з керуючим рn- переходом.
 Роботу таких транзисторів пояснюють сім'ї ВΑΧ двох видів: стокові і стік-затворні.
Стокові (вихідні) характеристики, наведені на рисунку 3.16, показують залежність
струму стоку від напруги стік-витік за фіксованої напруги затвор-витік:

На ділянці 1 (Оа) маємо значну залежність IC від вихідної напруги UCB. Це неробоча

ділянка для випадку використання приладу як підсилюючого елемента. Тут його вико-
ристовують як керований резистор.
На ділянці 2 (ав) залежність вихідного струму від вихідної напруги мала. Це робоча
ділянка у режимі підсилення. Ділянка 3 відповідає пробою приладу. Точці а відповідає
змикання р-n переходів (напруга UCB,a). Причому, чим вища напруга U3B (абсолютна
величина), тим швидше змикаються р-n переходи. Напруга на затворі, за якою струм
вихідного кола Iс = 0, називається напругою запирання або напругою відтинання U3Bn.
Числове значення U3B ( φЗB) дорівнює UCB у точці а ΒΑΧ транзистора.
Залежність струму стоку від напруги затвор-витік за фіксованої напруги стік-витік
описують виразом:

Передаточна ВАХ зображенана рисунку 3.17.

 Рисунок 3.17- Передатна ВАХ ПТ з керуючим p-n переходом. -
напруга відтинання U3B0 – напруга відтинання.

Т3.6.2 СІТ-транзистори.

У середині 70-х pp. минулого століття багаторічні дослідження (Японія, США)

завершились створенням ПТ із статичною індукцією - СІТ-транзистора. Цей транзистор,
будучи за суттю ПТ з керуючим р-n переходом, є твердотільним аналогом електрон-
новакуумної лампи - тріода, у якої вихідна характеристика при нульовому значенні
сигналу керування за формою нагадує характеристику р-n переходу. З ростом від'ємного
значення напруги керування характеристики зсуваються вправо.
На відміну від площинної горизонтальної конструкції ПТ з керуючим р-n
переходом, СІТ-транзистор має вертикальну конструкцію. Наприклад, p- шари затвору
вводяться в n- шар вертикально. Таке виконання забезпечує приладу роботу при напругах
до 2000 В й частотах до 500 кГц. А розміщення на одному кристалі великого числа
елементарних тран-зисторів із наступним їх паралельним з'єднанням забезпечує робочі
струми до 500 А - це вже є силовий електронний прилад.
Крім роботи в режимі ПТ, цей транзистор може працювати і у режимі біполярного
транзистора, коли на затвор подається додатне зміщення. При цьому падіння напруги на
приладі у відкритому стані зменшується. Умовне позначення СІТ-транзистора наведене на
рисунку 3.18.

.
Т3.6.3 Польові транзистори з ізольованим затвором
(МДН-транзистори).

На відміну від ПТ з керуючим р-n переходом, у яких затвор має безпосередній

електричний контакт із суміжною зоною струмопровідного каналу, у МДН-транзисторів
затвор, що являє собою, наприклад, алюмінієву плівку (А1), ізольований від зазначеної
зони шаром діелектрика. Тому МДН-транзистори належать до класу ПТ з ізольованим за-
твором. Наявність діелектрика забезпечує високий вхідний опірцих транзисторів (1012 +
1014 Ом). Частіше як діелектрик використовують оксид кремнію (SiO2), і тоді ПТ
називають МОН-транзистором (метал - оксид - НП). Такі транзистори бувають із
вбудованим та індукованим каналами. Останні більш розповсюджені.

Рисунок 3.19 - Конструкція МДН-транзистора з

індукованим каналом n- типу.

Конструкція МДН-транзистора з індукованим каналом n-

типу зображенана рисунку 3.19. При U3B = 0 або від'ємному, Іс =0
(два p-n переходи увімкнені зустрічно). При позитивній напрузі на затворі відносно витоку
поверхневий шар на межі НП із діелектриком збагачується електронами, що притягуються
з глибини р- шару (де вони є завдяки тепловій генерації вільних носіїв заряду) до затвору:
виникає явище інверсії НП у примежовій зоні, коли р- шар стає n- шаром. Таким чином,
між зонами n- шарів наводиться (індукується) канал, по якому може протікати струм від
стоку до витоку.
При наявності струму стоку, як і у транзистора з керуючим р-n переходом, за
рахунок розподілення по довжині каналу падіння напруги від нуля до UCB, канал (р-n
перехід між з'єднаними каналом зонами n та зоною р) звужується у напрямку стоку. За
деякого значення напруги UCB канал перекривається так, що подальше збільшення струму
стоку не від-бувається. Тому вихідні ΒΑΧ ПТ з ізольованим затвором подібні до ΒΑΧ ПТ з
керуючим р-n переходом, тільки характеристики проходять вище зі збільшенням напруги
UЗВ.
Умовні позначення МДН-транзисторів наведеніна рисунку 3.20.

Рисунок 3.20 - Умовні позначення МДН-транзисторів з каналами:

вбудованим n - типу (а); вбудованим р-типу (б);
індукованим n - типу (в); індукованим р-типу (г).
У ПТ з вбудованим каналом зони n- типу з'єднано перетинкою - тонким шаром n-
типу. В результаті канал під дією напруги U3B може як розширюватись, так і звужуватись
(до повного змикання) залежно від знаку UЗB. ПТ широко використовують як дискретні
компоненти електронних пристроїв, а також у складі інтегральних мікросхем.

Т3.6.4 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (БТІЗ).

 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (БТІЗ, англійською: IGBT- insulated

gate bipolar transistor) з'явилися у 80-х роках минулого століття і відтоді інтенсивно
використовуються як силові прилади, витісняючи у
багатьох застосуваннях тиристори. Структура, умовне
позначення та еквівалентна схема БТІЗ наведені на
рисунку 3.21.
Рисунок 3.21 - Структура (а), умовне позначення (б) та
еквівалентна схема (в) БТІЗ.
Як видно, він являє собою складну багатошарову
структуру, створення якої стало можливим із розвитком
інтегральної технології: це вже, фактично, інтегральна
мікросхема.
БТІЗ поєднує властивості МОН-транзистора щодо керування з властивостями
біполярного транзистора у силовому колі.
Таку структуру ще називають схемою псевдо-Дарлінгтона (див. рисунок 3.12,а ). Ці
транзистори вико-нуються на напруги до 1200 В при частоті до 100 кГц та силі струму до
2000 А, що забезпечується паралельним з'єднанням великої кількості елементарних
транзисторів на одному кристалі (як у випадку СІТ-транзистора). Вони також
виготовляються у вигляді модулів, в яких міститься від одного до шести транзисторів, що
дозволяє зменшити габарити електронних пристроїв.

Т3.7 Електронні транзисторні підсилювачі. Класифікація.

Електронним підсилювачем називається пристрій, призначений для посилення
потужності електричного сигналу без спотворення його форми і частоти (для лінійного
підсилювача). Необхідність у підсилювачі виникає тоді, коли потужність джерела сигналу
менша від потужності навантаження. У такому разі, послідовно з навантаженням
вмикають зовнішнє джерело живлення і підсилюючий елемент ПЕ. Джерело сигналу діє
не безпосередньо на навантаження, а на вхід ПЕ і, змінюючи провідність останнього,
забезпечує пропорційні вхідному сигналу зміни струму у колі навантаження. В результаті
у навантаженні виділяється необхідна величина потужності за рахунок енергії джерела
живлення. Як ПЕ у сучасних підсилювачах зазвичай використовують транзистори
(біполярні або польові). Загальна структурна схема підсилювача наведенана рисунку 3.22.
 Рисунок 3.22 - Структурна схема
електронного підсилювача.
Вхідний сигнал від керуючого джерела енергії едж (джерела вхідного сигналу)
подасться на вхідні клеми (1)-(2) підсилювача через внутрішній опір джерела Rдж .
Потужність джерела вхідного сигналу виділяється на вхідному опорі підсилювача Rвх.
Навантаження підмикається до клем (3)-(4). Вхідний малопотужний сигнал керує
кількістю енергії, що подається у навантаження від джерела живлення значно більшої
потужності (підсилювальні властивості вихідного кола представлені за допомогою
додаткової електрорушійної сили - евих). Таким чином, завдяки використанню ПЕ і
зовнішнього джерела живлення стає можливим підсилення малопотужного вхідного
сигналу.
Підсилювачі класифікуються за такими ознаками: призначення; частота сигналу, що
підсилюється; форма сигналу; характер зміни з часом сигналу, що підсилюється. Усі ці
ознаки накладають специфічні вимоги до побудови конкретних схем підсилювачів. За
призначенням підсилювачі поділяються на підсилювачі напруги, струму та потужності. За
частотою підсилювачі поділяються на підсилювачі низької частоти (від одного герца до
десятків кілогерц), середньої частоти (від десятків кілогерц до мегагерца) та високої
частоти (більше за мегагерц).
За смугою частот робочого діапазону бувають широкосмугові підсилювачі й
вибіркові (забезпечують підсилення у дуже вузькому діапазоні частот, в ідеалі - сигналів
однієї частоти).
За формою сигналу, що підсилюється, вони поділяються на підсилювачі
гармонічних та імпульсних сигналів. За характером зміни вхідного сигналу з часом
бувають підсилювачі постійного та змінного струму.

Т3.7.1 Основні параметри і характеристики підсилювачів.

Найпростіший вузол, що забезпечує підсилення електричного сигналу, називається
підсилюючим каскадом. За видом зв'язку між джерелом сигналу, каскадами та навантажен-
ням підсилювачі поділяються на підсилювачі з безпосереднім, резис-тивним, оптронним,
резистивно-ємнісним, трансформаторним або резонансно-трансформаторним зв 'язком.
Перші три види зв'язку можуть використовуватися у підсилювачах як постійного, так і
змінного струму, решта - тільки у підсилювачах змінного струму. Надалі ми будемо
розглядати лінійні підсилювачі, у яких пропорційним змінам вхідного сигналу
відповідають пропорційні зміни вихідного.
Основні параметри і характеристики підсилювачів
Підсилювальні властивості підсилювача оцінюються такими характеристиками:
1) для лінійного підсилювача – це коефіцієнти підсилення:

2. вхідний опір за постійним або змінним (залежно від виду підсилю вача)
струмом
Rвх = Uвх / Івх
3. вихідний опір підсилювача Rвих (опір між вихідними клемами підсилювача за
вимкненого опору навантаження);
4. коефіцієнт корисної дії (к.к.д.)
η = Рвих / Рзаг
де Ρзаг - загальна потужність, що відбирається від джерела живлення.
Найважливішими характеристиками підсилювачів є амплітудна та аплітудно-
частотна, наведеніна рисунку 3.23 та рисунок 3.24 відповідно.

Рисунок 3.23 - Амплітудна характеристика

підсилювача.

Амплітудна характеристика являє собою залежність вихідної напруги від вхідної

Uвих = f (Uвх).
 На рисунку позначено: аб - робоча ділянка, на якій пропорційним змінам вхідного
сигналу відповідають пропорційні зміни вихідного; бв - режим насичення (тут із ростом
вхідного сигналу ріст вихідного припиняється, а підсилювач виходить із лінійного
режиму).
Величина

називається динамічним діапазоном підсилювача. ( Uвх mах ÷ Uвх min ) - робочий діапазон
вхідної напруги. Нелінійність характеристики при вхідних напругах, менших за Umin
пояснюється наявністю шумових сигналів.
Амплітудно-частотна характеристика (АЧХ) - це залежність коефіцієнта
підсилення КU від кругової частоти ω =2πf ; f - частота сигналу, що підсилюється.

Рисунок 3.24 - Амплітудно-частотна характеристика КU = f(ω ) підсилювача.

На рисунку 3.24 позначено: KUo - найбільший коефіцієнт підсилення;

- таке зниження підсилення звукового сигналу не фіксується чітко вухом

людини. Із АЧХ визначають робочий діапазон частот.

Т3.7.2 Принципи побудови підсилювачів.

Як правило, підсилювачі складаються із декількох каскадів, що виконують
послідовне підсилення сигналу. При цьому загальний коефіцієнт підсилення становить

Вхідні каскади та каскади попереднього підсилення виконуються, як правило, у

вигляді підсилювачів напруги. Вихідні каскади - кінцеві - зазвичай є підсилювачами
потуж-ності або струму. Підсилювачі відрізняються один від одного кількістю каскадів,
режимом роботи. Але усім їм притаманні загальні принципи побудови.
Розглянемо їх на прикладі підсилювача сигналів напруги змінного струму,
показаного на рисунку 3.25.
 Основним елементом підсилювача с ПЕ (біполярний або польовий
транзистор), що разом із навантаженням R та джерелом живлення постійного струму Е
утворюють головне вихідне коло підсилювача. Принцип підсилення полягає у
перетворенні енергії джерела постійної напруги Е в енергію змінного вихідного сигналу
шляхом зміни провідності ПЕ за законом, зумовленим формою вхідного сигналу.

Рисунок 3.25 - Структурна схема підсилювача напруги змінного струму (а)

та часові діаграми його вхідного (б) і вихідного (в) сигналів.
Оскільки вихідне коло підсилювача живиться постійною напругою, у ньому може
протікати струм лише однієї полярності. Для забезпечення отримання підсиленого
сигналу змінного струму необхідно задати його на фоні постійного сигналу зміщення Un,
як це показано на рисунку 3.25,в. При цьому для нормальної роботи підсилювача
амплітудні значення вихідних напруги та струму повинні бути меншими за постійні рівні
напруги та струму Um ≤ Un; Іm ≤ Іn (постійного струму зміщення).
Постійні рівні струму та напруги у вихідному колі задаються подачею постійного
рівня вхідної напруги Uвхn > Uвхm, (Івхn > Івхm).
Режим роботи підсилювача за постійним струмом називається режимом спокою.
Він характеризується струмом спокою та напругою спокою вихідного кола. Щоб задати
режим спокою, використовують спеціальні схеми зміщення напруги.
Вихідна напруга Uвих подається на навантаження, що ним зазвичай є наступний
каскад підсилення. За такої побудови підсилювача його навантаженням (корисним) с не
резистор R, а вхідний опір наступного (наприклад, такого ж) каскаду підсилення, на який
подається напруга Uвих.

Т3.7.3 Основні режими (класи) роботи підсилювачів.

 Режим спокою (режим роботи за постійним струмом) характеризує клас роботи
підсилюючого каскаду. Ним визначаються призначення, к.к.д., ступінь нелінійних
спотворень (порушення пропорційності вхідного і вихідного сигналів) та інші параметри
каскаду.
Найбільш широко застосовують три класи, які називають - А, В і С.
При роботі підсилювача у режимі класу А точку спокою Р , якій відповідають
струми ІОК, UОК, Іоб. вибирають посередині вихідної динамічної характеристики за
постійним струмом, як показано на рисунку 3.26 (транзистор увімкнений за схемою з
СЕ).

Рисунок 3.26 - Вихідна динамічна характеристика підсилювача в режимі класу А

а1б1 - ділянка активного режиму роботи транзистора, де нелінійні спотворення міні-
мальні; к.к.д. η = 0,25 ÷ 0,3, бо в режимі спокою споживається значна потужність. Тому
клас А застосовують переважно у каскадах попереднього підсилення.
Якщо підсилювач працює у режимі класу В, точка спокою вибирається на межі
між активним режимом та режимом відтинання: її по-
ложення приблизно відповідає точці а1на рисунку
3.27. У цьому режимі нелінійні спотворення великі, а
к.к.д. η=0,6 ÷ 0,7.
Рисунок 3.27 – Вихідна характеристика підсилювача в
режимах класів В і С.

При роботі підсилювача в режимі класу С

точка спокою Р лежить на ділянці відтинання а1а. Кут відтинання θ ≈ π /2, η ≈ 0,85.
Класи В і С застосовують при побудові підсилювачів потужності, причому
підсилення позитивної та негативної півхвиль сигналу забезпечується уданому випадку
окремими найпростішими каскадами, що разом являють собою єдиний каскад підсилення
змінного струму. Клас АВ е проміжним між класами А і В: мас менші викривлення сигна-
лу, ніж клас В, у якому вони зумовлені нелінійністю початкової ділянки вхідної ха-
рактеристики транзистора , але економічніший, ніж клас А.
Все більшого розповсюдження набувають підсилювачі класу D. У таких
підсилювачах транзистори працюють в ключовому режимі, формуючи на виході
послідовність імпульсів різної тривалості, після фільтрування якої на навантаженні
відтворюється аналоговий сигнал. к.к.д таких підсилювачів надзвичайно високий за малих
габаритів і незначного виділення тепла.

Т3.7.4 Каскад попереднього підсилення на біполярному

транзисторі з спільним емітером (СЕ).

Розглянемо їх на прикладі найбільш розповсюдженої схеми каскаду попереднього

підсилення на біполярному транзисторі з СЕ наведеної на рисунку 3.28. Розглянемо склад
схеми та призначення елементів.
VT1 - біполярний транзистор - підсилюючий елемент.
RH - навантаження, на якому виділяється підсилений сигнал.
RK - колекторне навантаження транзистора за постійним струмом.
ΕK - джерело живлення каскаду (колекторного кола).
Зазначимо: VT1 разом із RK і ЕK утворюють головне коло підсилювача, у якому
здійснюється підсилення сигналу. Решта елементів схеми виконують допоміжну роль.Так,
дільник напруги R1, R2 задає режим спокою класу А, подаючи на вхід каскаду постійну
напругу Uд . RE, СЕ - забезпечують температурну стабілізацію режиму спокою. С1, С2 -
розділяючі конденсатори: С1 виключає потрапляння постійної напруги Ud на джерело
дного сигналу; С2, виключає потрапляння постійної напруги на колекторі U0K на
навантаження (конденсатори розділяють ланцюги за постійним струмом і з'єднують за
змінним). Вхідний сигнал, що підлягає підсиленню, подається на клеми (1)-(2): едж -
джерело вхідного сигналу; Rдж - його внутрішній опір.

Рисунок 3.28 – Каскад підсилення змінного струму на біполярному

транзисторі з СЕ.
 Для цієї схеми необхідно дотримуватись таких співвідношень:

Підсилювач можна розрахувати аналітично за допомогою h-naраметрів або на

підставі фізичної моделі транзистора. Такий метод прийнятний за невеликих змін вхідного
сигналу, тобто коли транзистор працює на лінійних ділянках ΒΑΧ.
Більш універсальним є графоаналітичний метод, за якого розрахунок проводиться
по вихідній динамічній характеристиці транзистора за постійним струмом. Крім того,
використовуються вихідні статичні характеристики транзистора.

Т3.7.5 Каскад попереднього підсилення на польовому

транзисторі з спільним витоком (СВ).

При побудові цих каскадів завжди слід пам'ятати, що польові транзистори

керуються напругою, а не струмом, як біполярні. При цьому також можливі три схеми
вмикання: зі спільним витоком (з СВ), зі спільним стоком (з СС), зі спільним затвором (з
СЗ). Практичного використання набули схеми з СВ та з СС.
Схема підсилюючого каскаду з СВ
наведенана рисунку 3.29.

Рисунок 3.29 - Підсилюючий каскад з СВ

Склад схеми та призначення елементів:

VТІ - польовий транзистор з керуючим р-n
переходом і каналом n- типу;
RC - навантаження за постійним струмом;
Ес - джерело живлення каскаду (стокового кола). Ці елементи утворюють вихідне
коло каскаду, де, власне, і відбувається підсилення сигналу;
R B , K B - утворюють коло автоматичного зміщення, що задає режим спокою класу
А шляхом подачі напруги зміщення до затвору VТІ через резистор R1.
 С1, С2 розділяючі конденсатори виключають негативний зворотний зв'язок за
струмом для змінного вхідного сигналу.
Одночасно коло автоматичного зміщення R B ,-С в забезпечує температурну стабі-
лізацію режиму спокою.
Роботу каскаду ілюструють часові діаграми, наведені на рисунку 3.30.

Рисунок 3.30 - Часові діаграми роботи каскаду з СВ.

Графоаналітичний розрахунок схеми проводиться у

наступному порядку.
На стоковій характеристиці польового транзистора
будуємо лінію навантаження за постійним струмом, як це
показано на рисунку 3.31,
UC = EC – IC(RC+RB)

Рисунок 3.31 - Стокові характеристики польового транзистора з

керуючим р-п переходом і каналом n-типу та динамічна харак-
теристика каскаду з СВ.

Знаючи U03, знайдемо RB = U03 / IOC. Оскільки навантаженням транзистора є,

наприклад наступний підсилюючий каскад на польовому транзисторі з дуже великим
вхідним опором, то RН >> RС, Rн≈ ≈ RС і всі побудови за змінним струмом можна виконати
за допомогою лінії навантаження за постійним струмом.
Коефіцієнт підсилення за напругою
Ri RC
KU = S ,
Ri + RC
де S - крутизна;
R1- внутрішній опір польового транзистора.
Розглянутий каскад набув широкого розповсюдження у вхідних колах
інтегральних підсилювачів.

Т3.7.6 Багатокаскадні підсилювачі.

 Якщо один підсилюючий каскад не забезпечує потрібного рівня підсилення, то
застосовують багатокаскадні підсилювачі. Структурна схема такого підсилювача

зображена на рисунку 3.32.

Рисунок 3.32 - Структурна схема багатокаскадного підсилювача.

Загальний коефіцієнт підсилення при цьому становить Кзаг =К1К2...Кn
Найбільш широкого вжитку набули підсилювачі змінного струму з резистивно-
ємнісними міжкаскадними зв'язками (з RC- зв'язками). Вони мають добрі частотні
властивості, невеликі габарити, високу надійність і тому широко використовуються як при
створенні підсилювачів на дискретних елементах, так і у інтегральному виконанні.
На рисунку 3.33 наведена схема такого підсилювача.

Розрахунок багагокаскадного підсилювача починають із розрахунку вихідного

(останнього) каскаду Потім, знаючи його вхідну напругу, що є вихідною напругою
попереднього каскаду, приступають до розрахунку попереднього каскаду і т.д. Виходячи із
умови забезпечення однотипності, каскади попереднього підсилення виконують однако-
вими (зазвичай із найбільш можливим коефіцієнтом підсилення). Тому розрахунок завжди
зводиться фактично до розрахунку одного каскаду.
Наявність сигналу на виході підсилювача при Uвх < Uвх min і навіть при Uвх= 0,
визначається власними шумами елементів підсилювача. Цс шумовий сигнал, зумовлений,
наприклад, нестаціонарністю процесу інжекції носіїв із емітера в базу біполярного
транзистора (до речі, польові транзистори позбавлені цього недоліку, у зв'язку з чим їх
часто використовують у першому каскаді підсилювачів малих сигналів); виникають шуми
також за рахунок флуктуацій струму при його протіканні через метало композиційні,
вугільні та інші резистори і т.п. Крім того, причиною вихідних шумів є сигнали, наведені
на елементах і з'єднаннях підсилювача зовнішніми електромагнітними полями, завади, що
проникають на його вхід із кіл живлення при наявності в них пульсацій напруги.
Для зниження вихідних шумів використовують елементи з малими власними
шумами, застосовують екранування, додаткові фільтри, вибирають схеми джерел
живлення з мінімальними пульсаціями.
У підсилювачах зв'язок між каскадами може здійснюватись за допомогою
трансформаторів. Зазвичай, первинна обмотка вмикається у вихідне струмове коло
транзистора попереднього каскаду, а вторинна обмотка підмикається до входу наступного
каскаду або безпосередньо до навантаження. У першому випадку маємо справу з
підсилювачем напруги, у другому - з підсилювачем потужності. Структурна схсма
підсилювача з трансформаторними зв'язками зображена на рисунку 3.34.

Рисунок 3.34 - Двокаскадний підсилювач з трансформаторними зв'язками.

У цій схемі перший каскад - підсилювач напруги, другий - підсилювач потужності.

Використання трансформатора надає такі переваги:
1) підвищується загальний коефіцієнт підсилення як за напругою, так і за струмом;
2) забезпечуються умови максимальної передачі потужності за рахунок узгодження
вихідного опору каскаду з опором його навантаження Rвих =Rн.
Але використання трансформатора мас і свої недоліки, а саме: підвищуються маса і
габарити підсилювача, погіршуються його частотні властивості. Крім того, у наш час тран-
сформатор є нетехнологічним виробом: технологія виробництва трансформаторів карди-
нально відрізняється від технології виготовлення інших вузлів підсилювача.
Найширшого розповсюдження трансформаторні підсилювачі знаходили до недав-
нього часу як підсилювачі потужності. Будуються вони за однотактною або двотактною
схемами.
3.7.7 Вихідні каскади транзисторних підсилювачів.

Підсилюючі каскади, які були розглянуті раніше, усі однотактні: за період

підсилюваного сигналу струм у них протікає через один транзистор і у одному напрямку.
При цьому забезпечується підсилення як позитивної так і негативної півхвиль, якщо
каскад працює у режимі класу А, або півхвилі лише однієї полярності, якщо у режимах
класу В або АВ.
 Схема однотактного трансформаторного підсилювача потужності наведена на
рисунку 3.35. У колекторне коло транзистора VТ1 увімкнено первинну обмотку
трансформатора ТV1, його вторинна обмотка підімкнена до навантаження RН.
Коефіцієнт трансформації n = w1/ w2, де w1, w2 - кількість витків первинної та
вторинної обмоток відповідно. Призначення решти елементів теж саме, що і в попередніх
схемах.
Недоліками наведеної схеми є низький к.к.д.: η = 0,25÷0,3; наявність сталого
підмагнічування осердя трансформатора внаслідок протікання постійного струму ІОК по
його первинній обмотці, що призводить до збільшення габаритів трансформатора.

Рисунок 3.35 – Однотактний трансформаторний підсилювач потужності.

Вказаних недоліків позбавлені двотактні підсилювачі потужності, які будують з

двох однотактних, що як правило, працюють у режимах класу В або АВ: один каскад
забезпечує підсилення позитивної півхвилі, а другий - негативної. Отже, підсилення за
період підси-люваного сигналу - відбувається у два такти. Принципова схема такого
підсилювача зобра-жена на рисунку 3.36.
Підсилювач складається з двох однотактних каскадів, виконаних на транзисторах
VТІ і VТ2. Параметри транзисторів повинні бути практично однаковими. Трансформатор
ТV1 призначений для подачі на вхід підсилювача двох напруг Uвх1 та Uвх2 , рівних за
величиною, але зсунутих за фазою на 180 електричних градусів. Трансформатор ТV2
узгоджує вихід підсилювача з навантаженням, тобто забезпечує виконання умови передачі
максимальної потужності. Резистори R1 R2, призначені для створення режиму спокою (в
режимі класу AВ) для обох транзисторів.
 Рисунок 3.36 – 2-тактний трансформаторний підсилювач потужності.

Такий підсилювач може працювати у класі В (за відсутності дільника R1, R2) або
AВ. У трансформатора ТV2 стале підмагнічування відсутнє, оскільки по одній його
півобмотці постійний струм тече у одному напрямку, а по другій - у протилежному,
причому І0К1=І0К2
Розглянемо роботу підсилювача за дії Uвх.
Якщо полярність Uвх1 така, як вказана на схемі без дужок, транзистор VТ2 закритий, а
VТІ працює у режимі підсилення. При цьому в колекторному колі VТІ з'являється
підсилена півхвиля струму, що через верхню первинну півобмотку трансформатора ТV2
передається до навантаження.
При полярності Uвх1 , вказаній у дужках, транзистор VТІ закритий, а VТ2
знаходиться у режимі підсилення під дією Uвх2 . Напівхвиля струму, що протікає у
колекторному колі VТ2, має протилежний напрямок і через нижню первинну півобмотку
трансформатора ТV2 передається до навантаження. Таким чином, транзистори VТІ і VТ2
за період підсилюваного сигналу працюють по черзі, створюючи підсилену змінну
напругу на навантаженні за два такти.
Безтрансформаторні вихідні каскади підсилення якнайширше використовують яку
складі ІМС, так і у дискретному виконанні. Схему двотактного каскаду, виконану на
однотипних транзисторах n-р-n типу, наведенона рисунку 3.37.

Рисунок 3.37 - Безтрансформаторний каскад

підсилення на однотипних транзисторах.
 Транзистор VT2 і навантаження Rн утворюють каскад з СК, а VТЗ і Rн - каскад з СЕ.
Сигнали, що підсилюються, надходять на входи транзисторів VТ2, VТЗ із зміщенням за
фазою на 180 електричних градусів: одержання двох проти фазних напруг забезпечує
фазо-інверсний каскад на транзисторі VТІ. Транзистори VТ2 і VТЗ поперемінно відкри-
ваються позитивними напівперіодами, зумовлюючи протікання у навантаженні змінного
струму. Живлення такого каскаду можливе і від однополярного джерела. У такому випадку
навантаження підмикається через конденсатор великої ємності (1 / WH С«RH ).
Останнім часом широко використовують каскади підсилення, пооудован зисторах
різного типу провідності комплементарних (від лат.complement-доповнення) парах
транзисторів. Схема найпростішого такого каскаду наведена на рисунку 3.38.
Кожен із транзисторів разом з навантаженням тут утворює схему з СК. Працює
каскад у режимі класу В, який відзначається значними нелінійними викривленнями при
підсиленні гармонійних сигналів. Характерна особливість такої схеми: для неї не потрібен
фазоінверсний каскад.

Рисунок 3.38 – Безтрансформаторний каскад

підсилення
на комплементарних транзисторах.

Т3.7.8 Вибіркові підсилювачі.

Вибіркові підсилювачі застосовують, якщо необхідно із сукупності вхідних

сигналів широкого діапазону частот виділити групу сигналів, близьких за частотами, що
несуть корисну інформацію (наприклад, при налаштуванні радіоприймача на конкретну
станцію). ЛЧХ такого підсилювача має вузьку смугу підсилюваних частот, як це показано
на рисунку 3.39 (порівняйте з рисунком 3.31).
 Вибіркові підсилювачі зазвичай будують як підсилювачі з СЕ, колекторним
навантаженням яких є паралельний LС-контур, що налаштовується у резонанс на деяку
час-тоту ω0, тому їх ще називають резонансними підсилювачами.

Рисунок 3.39 - АЧХ вибіркового підсилювача.

Схему вибіркового (резонансного)

підсилювача наведено на рисунку 3.40. У нього

де Lк і Ск— індуктивність і ємність контуру. Зв'язок із навантаженням (часто це

наступний каскад підсилення) може бути трансформаторним як підімкнене навантаження
RH , або резистивно-ємнісним - при відімкненому навантаженні RH.

Рисунок 3.40 - Вибірковий (резонансний) підсилювач.

За низьких частот (тисячі і десятки тисяч герц) застосування LС-контурів

недоцільне, бо тут низька їх добротність, великі габарити та маса. У такому разі
застосовують підсилювачі з чаcтотнозалежними зворотними зв'язками, зазвичай рези-
стивно-ємнісними.

ЗАПИТАННЯ ДЛЯ САМОПЕРЕВІРКИ ЗА РОЗДІЛОМ 3.

1. Пояснити роботу біполярного транзистора.

2. За якими величинами вибирають тип транзистора?
3. У чому полягає відмінність між біполярними та польовими транзис-
торами?
4. У чому особливість МДН і МОН-транзисторів?
5. Що таке біполярний транзистор? Поясніть його будову та принцип дії. Наведіть
умовні позначення.
6. Як можна вмикати біполярний транзистор і який вигляд при цьому мають його
во.льт-амперні характеристики?
7. Які переваги і недоліки польових транзисторів у порівнянні з біполярними?
8. Які існують різновидності польових транзисторів?
9. Яка структура, принцип роботи польового транзистора з р-n переходом?
 10. Яка структура, принцип роботи польового МДН-транзистора?
11. Накреслити та пояснити вид стокових характеристик польових транзисторів
12. Які особливості застосування польових транзисторів?
13. Які переваги і недоліки польових транзисторів у порівнянні з біполярними?
14. Як побудований транзистор із p-n переходом?
15. Які існують різновидності польових транзисторів?
16. Яка структура, принцип роботи польового МДН-транзистора?
17. Поясніть, коли виникає потреба у електронних підсилювачах і у чому полягає
принцип підсилення.
18. Вкажіть, як класифікують підсилювачі і які основні параметри і характеристики
вони мають.
19. Що таке підсилюючий каскад? Назовіть основні елементи поодинокого
підсилювача
20. Які Ви знаєте режими роботи підсилюючого каскаду та чим вони забезпечуються?
21. Наведіть схеми задания режиму спокою підсилюючого каскаду і поясніть принцип
їхньої дії.
22. Що таке зворотні зв'язки в підсилювачах і як вони впливають на їхні параметри та
характеристики?
23. Як будують багатокаскадні підсилювачі? Поясніть особливості їхньої роботи за
допомогою амплітудної характеристики і АЧХ.
24. Як забезпечується зв'язок між каскадами багатокаскадних підсилювачів?
25. У чому полягають особливості роботи вихідних каскадів підсилення?
26. Наведіть схеми і поясніть принцип дії трансформаторних і безтрансформаторних
вихідних каскадів.

Т4 ТИРИСТОРИ.
Т4.1 Тиристори. Загальна характеристика.
Термін «тиристор» (від грецького thyra – двері + resistor – резистор) охоплює сімей-
ство чотири- і більше- шарових р-n-р-n - напівпровідникових приладів. Для них
характерні два стійких стани: закритий і відкритий та виключно ключовий режим їх
роботи.
Розрізняють 2-електродні (або діодні) тиристори – диністори та 3-електродні
(або тріодні) – триністори.
Одноопераційні тиристори. Статичні вольт-амперні характеристики тиристорів
Структура тиристора з використовуваними надалі позначеннями представленана рисунку
5.1 Вона є чотиришаровою і має три переходи: j1, j2 і j3. Тиристор має три електрода які
названі анодом А, катодом К и керуючим електродом КЕ. Анод і катод підключаються до
силового ланцюга. По керуючому ж електроду проходить невеликий струм керування,
спрямований до катода. Вольт-амперні характеристики анод - катод тиристора, що
представляють собою залежність струму Iа від прямого спаду напруги Ua показані на
рисунку 4.1. Розглянемо роботу приладу на трьох ділянках цих характеристик.
 Рисунок 4.1 – Структура (а), умовне графічне позначення (б) та ВАХ (в)
одноопераційного тиристора.

Зворотна зона вольт-амперної характеристики. У третьому квадранті коор-

динатної площини Ua, Ia характеристики тиристора аналогічні характеристикам діода.
При негативному потенціалі анода щодо катода до переходів j1 і j3 прикладена зворотна
напруга, а до переходу j2 - пряма, тому через тиристор тече невеликий (частки ¸ одиниці
міліампер) зворотний струм. Коли зворотна напруга досягає визначеного для даного
тиристора значення, яке називають напругою пробою, відбувається лавинне наростання
струму переходів j1 і j3. Якщо при цьому не обмежити струм, відбувається пробій
переходів і руйнування приладу. При зворотних напругах, не перевищуючих напругу
пробою, тиристор поводиться подібно резистору з великим опором.
Зона високої провідності. При досягненні напругою анод-катод визначеного
значення, називаного напругою переключення, відбувається лавинний пробій переходу j2 і
тиристор переводиться в стан високої провідності. При цьому напруга Uа падає від
декількох сотень вольтів до 1-2 В в залежності від типу тиристора. В зоні високої
провідності анодний струм залежить практично лише тільки від зовнішнього
навантаження, тому в цій зоні ти-ристор може розглядатися як замкнутий ключ.
Зона прямої (низької) провідності. У цій зоні потенціал анода позитивний
стосовно катода, тому до переходів j1 і j3 прикладена пряма напруга, а до j2 - зворотна. У
результаті анодний струм дуже малий. При проходженні струму через керуючий електрод
напруга, при якій відбувається переключення приладу, зменшується. Воно залежить від
струму керуючого електрода і при досить великому струмі практично дорівнює нулю. Для
використання в схемах тиристори вибираються таким чином, щоб пряма і зворотна
напруги, що прикладаються до тиристора, не перевищували паспортних значень його
напруг перемикеання і пробою відповідно. У необхідний момент часу при прямій напрузі
на тиристорі керуючий імпульс переключає прилад в зону високої провідності. Струм
керуючого електрода повинен бути вище мінімального значення, необхідного для
відкриття тиристора і, як правило, складає 10¸200 мА. Коли прямий анодний струм
перевищить визначене значення, називане струмом переключення, у збереженні керуючого
сигналу для підтримки тиристора у відкритому стані вже немає необхідності, і він може
бути знятий. Тепер ти-ристор може бути переведений у зону низької провідності лише при
зменшенні струму ниж-че визначеного значення, називаного струмом утримання, що на
практиці звичайно прий-мається рівним нулю.
Характеристики переходу тиристора у відкритий стан. Тиристор переходить у
відкритий стан при подачі позитивного імпульсу на керуючий електрод. Однак перехід зі
стану низької провідності в цілком відкритий стан, як показано на рисунку 4.2,
відбувається не миттєво. Загальний час включення tвкл може бути умовно розділене на два
періоди: час затримки tз і час лавиноподібного росту анодного струму tл (рисунок 4.2).

Рисунок 4.2 - Діаграми вмикання тиристора при

активному навантаженні.

Час затримки t3 визначається як інтервал між

моментами, тоді струм керуючого електрода досягає 90 %,
а струм анода - 10 % своїх сталих значень.
Час росту tл являє собою період лавиноподібної
зміни анодного струму від 10 до 90% сталого значення.
Час переходу тиристора у відкритий стан tвкл дорівнює сумі t 3 і tл і складає,
як правило, 1¸4 мкс. Ширина керуючого імпульсу тому повинна бути не менше 10 мкс, а
на практиці вона звичайно складає 20¸100 мкс. Амплітуда імпульсу струму керування
виби-рається в 3-5 разів перевищуючої мінімальне значення, необхідне для переключення
тиристора.
З діаграми (рисунок 4.2) випливає, що протягом періоду t л через тиристор протікає
великий прямий струм і до нього прикладене висока пряма напруга. Це приводить до
розсіювання значної кількості енергії в тиристорі й утворенню так званих гарячих точок,
що може привести до виходу його з ладу, і визначає необ-хідність обмеження швидкості
наростання струму. Більш докладно способи обмеження di/dt розглянемо нижче.
 Заштрихована площа під кривою потужності на рисунку 4.3 являє собою
енергію, що виділяється в тиристорі при переході його у відкритий стан. Ці втрати енергії
можуть бути дуже значними при високих частотах комутації.

Рисунок 4.3-Діаграми відключення тиристора.

Характеристики переходу тиристора в закритий стан. Коли через тиристор

протікає значний струм, він утрачає керованість по керуючому електроду. Прилад тепер
може бути знову переведений у закритий стан, коли анодний струм упаде до нуля під дією
прикладеної напруги мережі при природній комутації або буде штучно знижений при
примусовій комутації. Однак якщо відразу слідом за цим на тиристор буде знову подана
пряма напруга, він відкриється незалежно від сигналу на керуючому електроді. Це
приводить до необхідності забезпечення на тиристорі напруги зворотної полярності
протягом деякого кінцевого інтервалу часу.
Часом переходу тиристора в закритий стан називається мінімальний інтервал
між моментом проходження анодного струму через нуль і моментом, коли знову подана
пряма напруга не приводить до відкриття тиристора.на рисунку 4.3 приведені діаграми, що
ілю-струють процеси в тиристорі при його переході в закритий стан. Час t вимик складається
з двох інтервалів — часу відновлення зворотних переходів tзвор і часу відновлення прямого
переходу tпр. У момент t1 прямий анодний струм стає рівним нулю. На інтервалі
відновлення t1÷t3 він тече в зворотному напрямку. У момент t 2 з'являється зворотна анодна
напруга, при цьому зворотний струм падає, і в момент t 3 переходи j1 і j3 блокують зворотна
напруга тиристора. Однак прилад ще не в змозі утримувати пряме спадання напруги,
оскільки в переходу j2 у шарі n- ще залишається надлишковий заряд дірок. На інтервалі
t3÷t4 від-бувається рекомбінація дірок, що залишилися, з електронами, що закінчується в
момент t4 , тоді і стає можливої подача прямої напруги. Таким чином, на інтервалі t 1÷t4
відбувається повний перехід тиристора в закритий стан. Для реальних приладів t вимик
складає 10÷100 мкс.
На практиці щоб уникнути ненавмисного переходу тиристора в закритий стан і
зриву комутації схема повинна забезпечувати збереження негативної напруги на тиристорі
протягом часу toткл,сх, що перевищує tвідм. на визначене значення. Звичайні тиристори
для схем фазового керування мають відносно великий час відключення - 50÷100 мкс.
Швидкодіючі, так називані частотні тиристори, застосовувані звичайно в інверторах,
мають tвимик = 10÷50 мкс. У високочастотних схемах tвимк складає значну частину
робочого періоду, тому в них використовуються спеціальні частотні тиристори.

Т4.2 Параметри та характеристики тиристорів.

Сутність основних параметрів тиристорів розглянута в попередніх параграфах,

тому наведемо чисельні значення та температурні, залежності цих параметрів.
Напруга перемикання Uпер — пряма напруга, при якій тиристор переходить із
закритого у відкритий стан при розімкнутому виводі управління. Для різних типів
тиристорів напруга переключення має значення від 10 до 1000 в і більше. Основним
фактором, що впливає на параметри тиристорів, у тому числі і на напругу перемикання, є
зміна часу життя носіїв зарядів при зміні температури. З підвищенням температури в
робочому діапазоні температур час життя носіїв зростає, що приводить, як і в звичайних
транзисторах, до росту коефіцієнтів передачі струмів. Тому напруга перемикання з
підвищенням температури навколишнього середовища зменшується.
Струм вмикання Iвм —значення прямого струму через тиристор, вище якого
тиристор переключається у відкритий стан при розімкнутому колі виводу управління.
Струм вмикання, так само як і напруга переключення, зменшується з підвищенням
температури в зв'язку зі збільшенням часу життя носіїв та зі збільшенням коефіцієнтів
передачі струмів.
Струм керування вмиканням тиристора, Iк вм — найменший струм у колі
виводу керування, який забезпечує переключення тиристора у відкритий стан при даній
напрузі на тиристорі. Струм управління вмиканням тиристора, протікає в колі виводу
управління при деякій напрузі керування Uк вм , яку необхідно прикласти між виводом
управління та виводом від області емітеру, що прилягає до відповідної бази. З
підвищенням температури тиристора через збільшення часу життя носіїв та через
відповідний зріст коефіцієнтів передачі струмів струм управління відмиканням тиристора,
а значить і напруга управління, зменшуються.
 Час затримки tз — час, протягом якого струм через тиристор зростає до величини
0,1 сталого значення з моменту подачі на тиристор імпульсу управління, або час, протягом
якого напруга на тиристорі зменшується до 0,9 початкового значення з моменту подачі на
тиристор імпульсу управління. Обидва визначення рівноцінні при чисто активному
навантаженні в зовнішньому колі тиристора.
Час вмикання tвм — час, протягом якого струм через тиристор зростає до 0,9
сталого значення з моменту подачі на тиристор імпульсу управління. Якщо зовнішнє коло
являє собою чисто активне навантаження для тиристора, то під час включення тиристора
зі збільшенням струму відповідно зменшується і напруга на тиристорі. Тому час вмикання
в цьому випадку прийнято визначати як час, протягом якого напруга на тиристорі
зменшується до 0,1 початкового значення з моменту подачі на тиристор імпульсу
управління.
Швидкість наростання прямої напруги (максимально припустима) du/dt max —
швидкість наростання прямої напруги, при якій ще не відбувається переключення
тиристора у відкритий стан при відключеному виводі управління.
Максимально припустима швидкість наростання прямого струму di/dtmax —
швидкість наростання прямого струму через тиристор, яка не викликає необоротних
процесів у тиристорній структурі та зв'язаного з ними погіршення електричних параметрів
тиристора.
Номінальний струм Iпр.mах — максимально припустиме значення спрямленого
струму частотою 50 гц, синусоїдальної форми, що протікає через тиристор у відкритому
стані при його роботі в однофазній однопівперіодній схемі з активним навантаженням.
Номінальний струм визначається з умови, що температура тиристора при його роботі не
повинна перевищувати припустимого значення (звичайно 140°С). Нагрівання тиристора
під час роботи відбувається через електричні втрати при проходженні прямого струму,
струмів витоку в закритому тиристорі, струму в колі виводу управління і від комутаційних
утрат.
Пряме спадання напруги Uпр —середнє за період значення напруги на тиристорі
при проходженні через нього номінального струму. Іноді цю напругу називають
залишковою.
Струм вимикання Iвим (Іутр) — значення прямого струму через тиристор при
розімкнутому колі управління, нижче якого тиристор виключається. У залежності від типу
тиристора струм вимикання може бути від декількох міліамперів до декількох десятих
часток ампера.
 Час вимикання tвим —час від моменту зміни струму через тиристор із прямого на
зворотний до моменту, коли тиристор цілком відновить замикаючу здібність у прямому
напрямку. Процес вимикання тиристора зв'язаний зі зникненням надлишкових зарядів
нерівновагих носіїв у базових областях унаслідок рекомбінації та відходу нерівновагих
носіїв через р-n- переходи. Для прискорення процесу вимикання в більшості випадків до

тиристора прикладають зворотну напругу.

Т4.3 Різновиди тиристорів.

Динистори. Динистором називається двохелектродний прилад діод-тиристорного

типу, що має три p-n переходи. Крайня область р- називається анодом, а інша крайня
область N - катодом. Структура динистора приведенана рисунку 4.4,а. Три p-n переходи
динистора позначені як J1, J2 і J3. Умовне графічне зображення динистора приведене на
рисунку 4.4,б. Схему заміщення динистора можна представити у вигляді двох тріодних
структур, з'єднаних між собою. Розподіл динистора на складові транзистори і схема
заміщення приведені на рисунку 4.5. При такому з'єднанні колекторний струм першого
транзистора є струмом бази другого, а колекторний струм другого транзистора є струмом
бази першого. Завдяки цьому внутрішньому з'єднанню усередині приладу є позитивний
зворотний зв'язок. Якщо на анод подана позитивна напруга стосовно катода, то переходи
J1 і J3 будуть зміщені в прямому напрямку, а перехід J2 - у зворотному, тому вся напруга
джерела Ε буде прикладена до переходу J2. Приймемо, що коефіцієнти передачі по струму
еміттера транзисторів VT1 і VT2 мають значення α1 і α2 відповідно. Користаючись схемою
заміщення, приведенною на рисунку 4.5,б, знайдемо струм через перехід J2, дорівнює
сумі струмів колекторів обох тран-зисторів і токи витоку IК0 цього переходу:

Рисунок 4.4 - Структура динистора (а) і його умовне графічне зображення (б).

Струм у зовнішньому ланцюзі дорівнює ІЕ1=ІЕ2=ІЕ3=І , тому

 Рисунок 4.5 - Розподіл динистора на дві структури (а) і схема заміщення (б).
Поки виконується умова (α1+α2)<1 струм у динисторі буде дорівнювати І ко .
Якщо ж зробити(α1+α2)>1 , то динистор включається і починає проводити струм. Таrим
чином отримана умова включення динистора.
Для збільшення коефіцієнтів передачі струму α1 чи α2 маються два способи. При
першому способі можна збільшувати напругу на динисторі. З ростом напруги U=Uвкл. один
із транзисторів буде переходити в режим насичення.
Колекторний струм цього транзистора, протікаючи в ланцюзі бази другого
транзистора, відкриє його, а останній, у свою чергу, збільшить струм бази першого. В ре-
зультаті колекторні струми транзисторів будуть лавинообразно наростати, поки обидва
транзистора не перейдуть у режим насичення. Після включення транзисторів динистор
замкнеться і струм І буде обмежуватися тільки опором зовнішнього ланцюга. Спадання
напруги на відкритому приладі менше 2 В, що приблизно дорівнює падінню напруги на
звичайному діоді. ВАХ динистора приведенана рисунку 4.6,а, а схема імпульсного
включення зображена на рисунку 4.6,б. Виключити динистор можна, понизивши струм у
ньому до значення Івим, чи помінявши полярність напруги на аноді. Різні способи
вимикання динистора приведені на рисунку 4.7. У першій схемі переривається струм у
ланцюзі динистора. В другій схемі напруга на динисторі робиться рівною нулю. У третій
схемі струм динистора знижується до І включенням додаткового резистора RД.

Рисунок 4.6 - Вольт-амперна характеристика дннистора (а) і схема його включення (б).
 У четвертій схемі при замиканні ключа К на анод динистора подається напруга про-
тилежної полярності за допомогою конденсатора С.
Умовний шифр позначень динисторов містить інформацію про матеріал
напівпровідника (буква К - кремній), позначення типу приладу: (динистор - буква Н ), клас
по потужності (1 - струм анода <0,ЗА, 2 - струм анода >0,ЗА), порядковий номер розробки.

Рисунок 4.7 - Схеми вимикання динистора: розмиканням ланцюга (а), шунтуванням

приладу (б), зниженням струму анода (в), подачею зворотної напруги (г).

Наприклад, динистор КН102 - кремнієвий, малої потужності. До основних

параметрів динисторів відносяться: • припустима зворотна напруга U звор; • напруга у
відкритому стані Uπρ при заданому прямому струмі; • припустимий прямий струм І пр; •
час включення tвмик і вимикання tвимик.
Симістор - це симетричний тиристор, що призначений для комутації в ланцюгах
змінного струму. Він може використовуватися для створення реверсивних випрямлячів чи
регуляторів змінного струму. Структура симетричного тиристора приведенана рисунку
4.8,а, а його умовне графічне зображення на рисунку 4.8,б. Напівпровідникова структура

Рисунок 4.8 - Структура симетричного тиристора (а) і його умовне

графічне зображення (б).
симістора містить п'ять шарів напівпровідників з різним типом провідностей і має більш
складну конфігурацію в порівнянні з тиристором. Вольт-амперна характеристика
симістора приведена на рисунку 4.9. Як випливає з вольт-амперної характеристики
симістора, прилад включається в будь-якому напрямку при подачі на керуючий електрод
 Рисунок 4.9 - ВАХ симістора
КЕ позитивного імпульсу керування. Вимоги до імпульсу керування такі ж, як і для
тиристора. Основні харак-теристики симистора і система його позначень такі ж, як і для
тиристора. Симистор можна замінити двома паралельно включеними тиристорами з
самостійними електродами керування. Так, наприклад, симістор КУ208М може
комутирувати перемінний струм до 10 А при напрузі до 400В. Струм відмикання у
ланцюзі керування не перевищує 0,2 А, а час включення - не більш 10 мкс.
Двоопераційні тиристори (ДОТ). Тиристор з повним керуванням (дво-
операційний)- тиристор, що може переключатися з закритого стану у відкритий і, навпаки,
при подачі на електрод управління сигналів відповідної полярності.
Ефективність вимикання ДОТ за допомогою імпульсу управління характеризується
коефіцієнтом вимикання
К = Іа / IКВИМ
де Iа - амплітуди анодного струму при вимиканні;
IКВИМ - найменша амплітуда струму керування, необхідна для вимикання
тиристора.
У перехідному процесі вимикання через електрод керування (рисунок 4.10)
розрізняють три етапи:
- розсмоктування заряду насичення tроз;
- регенеративний спад анодного струму tрег;
- відновлення опору колекторного переходу tвід. На етапі розсмоктування під
впливом сигналу управління в базах ДОТ відбувається зменшення концентрацій носіїв,
унаслідок чого опір баз і спадання напруги на структурі
збільшується. Цьому етапу відповідає деяке незначне
зниження анодного струму
 Рисунок 4.10 Перехідний процес вимикання ДОТ.

При достатній амплітуді та тривалості імпульсу управління процес розсмоктування

зарядів у базах приводить до виходу колекторного переходу з насичення. Так як бази
транзисторів зв'язані загальним колекторним переходом, то зниження до нуля надлишкової
концентрації неосновних носіїв на його границях та зв'язаний з цим вихід з насичення
відбуваються одночасно (у момент t1). Після виходу з насичення транзистори працюють в
активному режимі, при якому їхні колекторні струми пропорційні зарядам у базах. Під
дією струму управління та унаслідок виникнення позитивного зв'язку, характерного для
активного режиму, заряди в базах та зменшення струму через структуру лавиноподібне.
Так як негативний струм управління надходить тільки в одну базу (р- типу), то першим
спадає до нуля заряд у цій базі, і транзистор попадає в область відсічення (у момент t 2). Це
викликає припинення дії позитивного зворотного зв'язку, і тому зменшення анодного
струму перестає носити регенеративний характер. Лавиноподібний процес зниження
зарядів у базах і струму через структуру складає другий етап перехідного процесу, який
називається етапом регенерації, тривалість якого
tрег = t2 + t1.
На третьому етапі перехідного процесу при відновленні опору колекторного
переходу n-р-n транзистор працює в області відсічення, унаслідок чого його колекторний
струм, потрапивши раніше в n- базу, дорівнює нулю. Тому в n- базі р-n-р транзистора
відбувається зменшення заряду через рекомбінацію і відхід основних носіїв через
емітерний перехід, чому відповідає повільний спад анодного струму після моменту t2.
Принциповим обмеженням застосування тиристорів цього типу, є те, що при
анодних струмах вище визначеного критичного значення Iа кр його коефіцієнт вимикання
стає рівним нулю (рисунок 4.11).

Рисунок 4.11 - Залежність коефіцієнту вимкнення від

анодного струму тиристора.

При Iа < Iутр - струму утримання, коли kвимк®¥ ,

прилад переходить у закритий стан при будь-якому струмі керування. При Iа = Iутр , коли
kвимк®0, ніякий вимикаючий струм управління Iк вимик не вимикає тиристор. Варто мати на
увазі, що при вимиканні струмів близьких до Iа кр виявляються неодномірні процеси, які
супроводжуються ефектом локалізації енергії з усіма наслідками: локальним перегрівом
структури, стягуванням струму в "шнур". Анодний струм необхідно обмежувати на такому
рівні, щоб не відбувалося необоротних змін у структурі, що погіршує параметри
тиристора. Вирішальним фактором, що обмежує значення анодного струму при вимкнені є
зменшення коефіцієнта вимикання.

Фототиристори й фотосимистори -Це тиристори й симистори з

фотоелектронним керуванням, у яких керуючий електрод замінений інфрачервоним
світлодіодом і фотоприймачем зі схемою керування. Основним достоїнством таких прила-
дів є гальванічна розв'язка ланцюга керування від силового ланцюга. Як приклад
розглянемо фотосимистор, що випускається фірмою «Сіменс» за назвою СІТАК.
Структура фотосимистора - на рисунку 4.12,а , а його умовне графічне зображення - на
рисунку 4.12,б . Такий прилад споживає по входу керування світло діодом струм близько
1,5мА й комутирує у вихідному ланцюзі змінний струм 0,3 А при напрузі до 600В. Такі
прилади знаходять широ-

Рисунок 4.12 - Структура фотосимистора СІТАК (а) і його

умовне графічне зображення (б).

ке застосування як ключі змінного струму з ізольованим керуванням. Вони також можуть

використовуватися при керуванні потужними тиристорами або симисторами,
забезпечуючи при цьому гальванічну розв'язку ланцюгів керування.

Тиристор – діоди. Досить широко в схемах перетворювачів використовується

комбінація тиристор-зустрічний діод (рисунок 4.13). За допомогою зустрічного діода з’яв-
ляється можливість повернення надлишкової реактивної енергії в джерело

Рисунок 4.13 - Комбінація тиристор - зустрічно-паралельний діод.

живлення після того, як тиристор виключається. Ця енергія накопичується

під час відкритого стану тирис-тора в індуктивності навантаження або
вузла комутації. Уведення зустрічно-паралельного діода звичайно дозволяє поліпшити
енергетичні показники схеми.Застосування комбінації тиристор - діод на основі
дискретних приладів може призвести до збільшення часу вимикання тиристора в схемі.
Це збільшення зв'язане насамперед із впливом індуктивностей монтажу. Під дією еле-
ктромагнітної індукції в контурі тиристор - діод виникає реактивний струм і час
відновлення зворотної замикаючої здатності тиристора різко збільшується.
Для того щоб уникнути паразитного впливу індуктивностей монтажу, комбінацію
тиристор - зустрічно-паралельний діод виготовляють у єдиній структурі (рисунок 4.14,
а). Тиристорна р-п-р-п частина структури (ліворуч) відділена від діодної р-п частини
(праворуч) пунктиром. ВАХ такого тиристор-діода наведена на рисунку 4.14,б . Пряма
гілка ВАХ відповідає прямій гілці тиристора, зворотна гілка ВАХ — це пряма гілка ВАХ
діода.

Рисунок 4.14 - Структура (а) та вихідна ВАХ тиристора-

діода (б).

Для того щоб не відбулося помилкового відмикання при різкій зміні полярності
напруги зі зворотної на пряму, між діодною і тиристорною частинами структури мається
непровідна ділянка.

Т4.4 Системи керування тиристорами та їх захисту.

Загальні зведення про системи керування тиристорами. Для включення

напівпровідникового приладу з p-n-p-n структурою необхідно зформувати достатні струм і
напругу джерела керування, що відповідають характеристикам приладу, характеру його
навантаження і джерелу живлення і не перевищуючих припустимих значень.
 Рисунок 4.15 - Статичні характеристики ланцюга керування.

Кожен тиристор при заданій анодній напрузі і визначеній температурі включається

у визначеній точці (Іу0, Uyo) своєї вхідної характеристики. Сукупність усіх точок
включення тиристорів одного типу показана заштрихованою областюна рисунку 4.15,а, б.
Лінії ab і cd - мінімальний необхідний струм для включення будь-якого тиристора
відповідно при температурі tмакс і tмін. Лінія mn - найбільша напруга на управляючому
електроді, при якому жоден тиристор не включається при tмакс, лінія ес - лінія мінімально
необхідних напруг для включення будь-якого тиристора при tмін . Область, між
заштрихованою зоною, граничними вольт-амперними характеристиками А и Е, лініям В и
Д (гранично припустимі напруга і струм вхідного ланцюга) і лінією С (гранична
потужність розсіювання на керуючому електроді), є областю керування. Навантажувальна
характеристика джерела управляючого сигналу - повинна перетинати вхідну ВАХ даного
тиристора в області керування. Графіки, зображені на рисунку 5.14 звичайно називають
пусковими характеристиками тиристорів.
На рисунку 4.16 показані найпростіші економічні схеми керування тиристорами.
Найбільш простий метод включення тиристора - використання в якості необхідного для
включення керуючого струму Іуо частини анодного струму, подаваного на керуючий елек-
трод через обмежуючий опір (рисунок 4.16,а). Діод VD2 перешкоджає появі зворотної на-
пруги між катодом і керуючим електродом під час не провідної частини періоду. Зміною
опору резистора R2 можна регулювати момент (кут) включення тиристора в деяких межах
позитивної напів- хвилі напруги, але не більш інтервалу 0...90 0. Навантаження
включається ключем S. Схема може працювати і на постійному струмі, але для вимикання
тиристора буде потрібно спеціальний пристрій на рисунку 4.16,б показана схема,
аналогічна попередній, працююча в обидва напівперіоди напруги живлення.
Введенням у схему керування реактивних елементів можна розширити діапазон
регулювання кута включення тиристора. Так, комбінація RC - ланцюга і діода (рисунок
4.16,в) дозволяє одержати кут включення в інтервалі О...180°. Під час позитивного
напівперіоду анодної напруги конденсатор заряджається до напруги включення
тиристора, а під час негативного - перезаряджається через діод VD3 до амплітуди
негативної напруги, забезпечуючи тим самим підготовку до наступного циклу. Час заряду,
а отже, і кут включення тиристора визначаються постійною часу RC-ланцюга.
На рисунку 4.16,д показані схеми керування з дроселями насичення,
працюючі в ре-лейному режимі. Дросель включається паралельно входу тиристора чи
послідовно з ним. Робота схем заснована на можливості переводу дроселя в насичений
або ненасичений стан сигналом, який подається на вхідну обмотку. На рисунку 4.16,г,
якщо

Рисуно
к 4.16 - Найпростіші схеми керування тиристорами.

сердечник дроселя не насичений, струм під час позитивного напівперіоду через резистори
R1, R2 і діод VD2 надходить до керуючого електроду тиристора і включає його. Якщо
дросель насичений, його обмотка шунтує вхідний ланцюг тиристора, який в даній схемі
включається при подачі сигналу на вхідну обмотку дроселя L, при цьому його сердечник
переводиться в ненасичений стан. Конденсатор C запобігає помилковим спрацьовуванням
тиристора при перехідних процесах у ланцюзі змінного струму.

У схемі на рисунку 4.16,д при ненасиченому дроселі L струм через резистор R3 і

діод VD2 заряджає конденсатор. Резистор R2 не дає напрузі на управляючому електроді
дорости до такої величини, щоб уключити тиристор. При подачі сигналу на вхідну
обмотку дросель L насичується, що призводить до швидкого розряду конденсатора на
керуючий електрод і включення тиристора. У схемі керування (рисунок 4.16,е)
використовується динистор VI - елемент, що має визначений поріг включення по напрузі.
Конденсатор C заряджається до напруги включення динистора, після чого швидко розря-
джаєтся на трансформатор Т.
Описані схеми не охоплюють усього різноманіття наявних схем керування. Достат-
ня простота розглянутих схем керування обумовлює і їхні недоліки, зв'язані з погір-
шенням повторюваності характеристик у межах температурного діапазону, невеликою
швидкістю наростання струму керування й ін. Для керування в перетворюючих пристро-
ях застосовуються спеціальні системи.

Т4.5 Принципи побудови і класифікація систем

керування тиристорами.

Задача системи керування тиристорних перетворювачів - формування і пересу-

вання в часі ряду послідовностей управляючих імпульсів з метою регулювання параметрів
перетворювача відповідно до керуючого сигналу. Звичайно це зв'язано зі зміною кута
регулювання α. Система керування визначає найважливіші технічні характеристики пере-
творювача.
Структурна схема системи авторегулювання показанана рисунку 4.17. Система є
сукупністю окремих елементів або пристроїв, цілеспрямовано діючих один на одного і
виконуючих кожний окремо визначену задачу. Об'єктом регулювання системи ОРС є
силова схема перетворювача. Об'єкт регулювання характеризується регульованою
величиною F

Рисунок 4.17 - Структурна схема системи автоматичного

регулювання.

(найчастіше це напруга чи струм, але може бути частота,

темпе-ратура, швидкість і ін.), яка може змінюватися при зміні
навантаження, моменту на валу двигуна, температури навко-
лишнього середовища і т.п. (зовнішнє збурювання М). Датчик Д видає сигнал φ,
пропорційний регульованій величині. В пристрої порівняння (ПП) велична φ порівнюється
з заданим значенням α*, що надходить від джерела керуючого впливу (ДКВ). Сигнал
неузгодженості х, пропорційний величині α* - φ, керує роботою виконавчого пристрою
ВП з метою усунення чи зведення до мінімуму різниці α* - φ, що досягається зміною кута
регулювання. Робота виконавчого пристрою (ВП) синхронізується сигналом F від джерела
синхронізуючого впливу (СВ). У якості такого джерела може бути спеціальний генератор
(для автономно працюючих систем), вхідна мережа перетворюючого пристрою
(наприклад, у випрямлячах), вихідна мережа перетворюючого пристрою (у інверторних
схемах із самозбудженням) і т.д.
 У перетворюючих пристроях широко застосовуються системи стабілізації напруги
чи струму, а також системи з регулюванням по заздалегідь заданій програмі, по сигналам
спеціальних датчиків, по зовнішнім сигналам. Системи керування можуть виконуватися на
електромагнітних елементах (магнітні підсилювачі, пік-дроселі, пік-трансформатори),
напівпровідникових (транзистори, тиристори) і інших електронних приладах. Системи
досить прості і надійні, але трудомісткі в виробництві, собівартість їх досить висока через
великий обсяг моткових робіт, спеціальних способів обпалювання сердечників і т. д. У
вітчизняній і закордонній практиці системи керування напівпровідникових перетворювачів
виконуються, головним чином, на напівпровідникових приладах. Вихідні каскади системи
керування в тих випадках, коли необхідна підвищена потужність (включення групового
з'єднання великої кількості тиристорів), часто виконуються на тиристорах. Застосування
інтегральних мікросхем дозволяє істотно скоротити споживання енергії і зменшити
габаритні розміри систем керування, створює можливість глибокого резервування в
необхідних випадках.
Системи керування в залежності від призначення поділяються на системи керування
випрямлячами, інверторами, перетворювачами частоти і т.п.

Т4.6 Системи імпульсно-фазового керування тиристорних

перетворювачів.
Регулювання вихідної напруги КВ полягає в затримці вмикання тиристора відносно
моменту прикладення до нього позитивної напруги за рахунок зміни кута керування а.
Вмикання тиристорів здійснюється імпульсними сигналами малої тривалості з крутим
переднім фронтом.
Отже, система імпульсно-фазового керування (СІФК) призначена для пере-
творення постійної напруги керування Uк на вході перетворювача на послідовність
імпульсів регульованої фази, які подаються на керуючі електроди тиристорів силових
вентильних комплектів.
Найпоширенішими є напівпровідникові СІФК, які діють за так званим
вертикальним принципом зміни фази керуючого імпульсу. При вертикальному принципі
керування постійна напруга керування порівнюється зі змінною (косинусоїдною,
пилкоподібною, трикутною). У момент, коли ці дві напруги стають рівними одна одній,
формується переднііі фронт керуючого імпульсу. Для регулювання фази імпульсу
змінюють значення постійної напруги.
Інформаційна частина сучасних СІФК грунтується на інтегральних мікросхемах, а
також на гібридних інтегральних схемах.Залежно від кількості каналів формування
імпульсів системи імпульсно-фазового керування поділяються на одно- та багато- ка -
нальні.
Типова функціональна схема одноканальної СІФК (рисунок 4.18) містить: пристрій
синхронізації ПС (трансформатор напруги ТV), фільтр Ф, пороговий елемент ПЕ,
генератор пилкоподібної напруги ГПН, пристрій порівняння ПП (компаратор), формувач
імпульсів ФІ, підсилювач імпульсів ПІ, кільцевий розподільник імпульсів РІ (комутатор),
ввідні пристрої ВП.
Розглянемо роботу СІФК. Пристрій синхронізації (ПС) формує змінну опорну
напругу, фаза якої збігається з фазою напруги мережі, а також забезпечує гальванічне роз-
ділення системи керування й силової мережі. Опорна напруга надходить на фільтр (Ф),
який захитає СІФК від високочастотних перешкод, а також здійснює зсув за фазою
сигналу синхронізації на ЗО ел. градусів для трифазних КВ у зв'язку з перенесенням
точки відліку кута а від початку позитивної півхвилі напруги до моменту рівності напруг
двох суміжних фаз.

Рисунок 4.18 - Функціональна схема одноканальної СІФК.

Пороговий елемент ПЕ здійснює перетворення цієї синусоїдної опорної напруги на

прямокутну імпульсну, якою періодично запускається генератор пилкоподібної напруги
ГПН, синхронно з опорною напругою. З виходу ГПН напруга пилкоподібної форми Uгпн
надходить на пристрій порівняння ПП, де порівнюється з напругою керування ик. У
момент рівності цих двох напруг ПП виробляє імпульс, шо запускає формувач імпульсів
ФІ. Останній виробляє керуючий імпульс із крутим переднім фронтом, який після
підсилення ПІ подається на кільцевий розподільник імпульсів РІ.
Комутатор РІ здійснює послідовне подавання керуючих імпульсів на пари тирис-
торів силового блока СБ відповідно до циклограми комутації, наведеноїна рисунку 5.8.
Ввідні пристрої ВП призначені для подавання керуючих імпульсів безпосередньо на
тиристори та гальванічного розділення кіл керування й силової мережі за допомогою
імпульсного трансформатора ТА .
Приклад реалізації 2-х канальної вертикальної СІФК представленийна рисунку
4.19. Вона містить два канали й може бути використана для керування тиристорами, що
відкриваються в протифазі з тиристорами однофазної мостової схеми.

Рисунок 4.19 - Структурна схема 2-х канальної

вертикальної СІФК.
СІФК складається із пристрою синхронізації ПС, генератора опорної напруги ГОН,
суматора С, нуль-органа НО, формувача тривалості імпульсів ФДІ, двох розподільників
імпульсів РІ й вихідних формувачів ВФ. Часові діаграми роботи СІФК представленана
рисунку 5.20.

Рисунок 4.20 - Часові діаграми роботи вертикальної

2-х канальної СІФК.

УС служить для одержання з напруги

живлення випрямляча неспотвореної синусоїдальної
напруги синхронізації з необхідними амплітудою й
початковою фазою, потенційно розділеного з
мережею. Напруга синхронізації використовується
ля формування широких прямокутних імпульсів і+ і й-и- відповідних тиристорів, що
дозволяють включення, у позитивні й негативні півперіоди напруги синхронізації. Крім
того, що напруга синхро-нізації необхідна для формування послідовності синхронізуючих
вузьких імпульсів u0, строго синхронізованих з моментом природного відкривання
тиристорів, щодо яких здійснюється зсув відкриваючих імпульсів.
ГОН здійснює формування пилкоподібної опорної напруги uпил. Повернення ГОН у
вихідний стан здійснюється в момент подачі імпульсу u0 замиканням розрядного ключа К.
У якості опорного в СІФК може використовуватися також косинусоїдна напруга.
Суматор С виконує операцію алгебраїчного підсумовування напруг: пилкоподібної
Uпил, керування UК й зсуву UЗС. Напруга зсуву UЗС необхідно для завдання початкового кута
відкривання αпоч, що відповідає UК = 0. У момент рівності сумарної напруги u нулю НО
змінює вихідну напругу з позитивного на негативне. При цьому ФДІ формує в кожний
півперіод синхронізуючого напруги імпульс UФД, тривалість якого достатня для надійного
відкривання тиристорів. Імпульси uфд розподіляються через розподільники РІ на відповідні
вихідні формувачі ВФ, які здійснюють посилення відкриваючих імпульсів по потужності й
потенційний поділ СІФК від силового ланцюга. При збільшенні (зменшенні) напруги UК,
що діє зустрічно напрузі зсуву, кут α зменшується (збільшується). Зміна кута відкривання
α приводить до зміни тривалості провідного стану тиристора й регулюванню значення
випрямленої напруги.

Системи керування в залежності від призначення поділяються на системи

керування випрямлячами, інверторами, перетворювачами частоти і т.п. Кожна із систем у
залежності від методу обробки інформації може бути виконана аналоговою чи цифровою.
Незалежно, від принципів побудови системи самі тиристори є елементами дискретними й
у процесі роботи включаються через визначені інтервали часу, протягом яких зворотний
зв'язок у ланцюзі регулювання розімкнутий.
Оскільки всі схеми керування тиристорами побудовані на принципі фазового керу-
вання, те головним функціональним вузлом системи керування є фазо-зсувний пристрій
(ФЗП), а інші вузли системи є підлеглими, допоміжними. У залежності від способу
одержання зрушення керуючих імпульсів розрізняють системи керування одно- і
багатоканальні, побудовані по «горизонтальному» і «вертикальному» принципах. В
одноканальній системі керування зсув всіх керуючих імпульсів (для всіх каналів
керування) здійснюється в одному загальному ФЗП. Розподіляються імпульси
комутатором (рисунок 4.21,а).
Рисунок 4.21 Одноканальний (а) і многоканальный (6) способи зсуву керуючих імпульсів
У багатоканальній системі керування зсув імпульсів у кожнім з к каналів
здійснюється окремим ФЗП (рисунок 4.21,б). Перевага багатоканальної системи - її
простота, однак при необхідності мати невелику асиметрію керуючих імпульсів
переважним являється застосування одноканальних систем.
При «горизонтальному» принципі зсуву вхідного синхронізуючого сигналу,
звичайно синусоїдальної вхідної напруги (для випрямлячів), або вихідної мережі (для
інверторів), здійснюється в часі (по горизонталі), а потім з нього формуються прямокутні
імпульси. Проста схема з горизонтальним керуванням показана на 4.22,а. З векторної
діаграми (4.22,6) видно, що зміна опору R дозволяє обертати незмінний по величині (при
відсутності зовнішнього навантаження) вектор вихідної напруги схеми Uвих у межах 0,..п.
Напруга Uвих поступає далі на формуючі каскади. "Горизонтальний" принцип унаслідок
властивих йому недоліків (залежність від форми і частоти напруги живлення) не знайшов
широкого застосування.
При «вертикальному» принципі керування напруга керування порівнюється з
опорною змінною напругою (синусоїдальним,
пилкоподібним і т.п.), у результаті чого формуються
положення переднього фронту яких у часі визначається
моментом рівності опорної і керуючої напруг.
Рисунок 4.22- Схема з «горизонтальною» СІФК

Зміною напруги керування можна регулювати

положення вихідних імпульсів для включення
тиристорів.

Т4.7 Принципи побудови пристроїв для

захисту тиристорів.

Одним з багатьох переваг тиристорів є їхні малі габарити. Однак невелика маса і
розміри поверхні обумовлюють малу постійну часу нагрівання і погіршення умов
тепловіддачі. Теплова чутливість тиристорів покладає велику відповідальність на засоби
їхнього захисту. Розглянемо найбільш типові аварійні режими і відповідні способи
захисту тиристорів.
 Захист від аварійних струмів. Напівпровідникові прилади мають дуже невелику
теплоємність, тому тривале перевантаження і робота при імпульсних струмах, а також
короткочасні сильні кидки струму можуть привести до неприпустимого перегріву
переходів і виходу приладу з ладу. Струмовий захист забезпечується за допомогою
автоматичних вимикачів і швидкодіючих запобіжників. Автоматичні вимикачі
використовуються для захисту від тривалих перевантажень, а запобіжники - від
короткочасних. Час спрацьовування захисної апаратури повинен відповідати
характеристикам напівпровідникового приладу, що захищається. Значення Із запобіжника
повинне приладу індивідуально. бути не більше, ніж відповідне паспортне значення для
даного приладу. Автоматичні вимикачі чи запобіжники повинні забезпечувати розрив
ланцюга до виходу з ладу тиристора, причому автоматичні вимикачі, як правило,
відключають схему цілком, а запобіжники можуть бути встановлені для кожного
тиристора.
Струмовий захист перетворювача може бути забезпечена за допомогою
автоматичного вимикача, включеного в його ланцюг живлення. При частому
спрацьовуванні автоматичного вимикача його контакти швидко виходять з ладу. Більш
того, його швидкодія часто виявляється недостатньою для надійного захисту силових
напівпровідникових елементів.
Для захисту силових ланцюгів можуть бути використані також швидкодіючі
запобіжники. Однак їхнє часте перегоряння робить такий спосіб захисту не економічним.
Простим способом струмового захисту є припинення подачі керуючих імпульсів при
збільшенні струму понад припустиме значення.на рисунку 4.23,а представлена логічна
схема, що забезпечує мак-симальний струмовий захист. Схема складається з трьох
основних вузлів: компаратора К, тригера Т с двома входами і логічним елементом І.
Часові діаграми, що ілюструють роботу схеми, приведеніна рисунку 4.23,б. Відповідно
до рисунку 4.23,а при наявності сигналу 0 на виході тригера керуючі імпульси X
передаються через елемент І на вихід схеми. При збільшенні струму в керуючі імпульси
блокуються елементом І. Сигнал Ізт представляє задане значення силовому ланцюзі
 Рисунок 4.23 - Схема струмового захисту.

понад припустиме значення сигнал на виході тригера стає низьким і припустимого

струму, а Іо - дійсне значення струму перетворювача чи двигуна. Якщо Іо стає більше 13>т,
напруга на виході компаратора К змінюється на протилежну, наприклад від +13,5 В до
-13,5 В, і рівень сигналу на виході тригера стає низьким. При цьому подача керуючих
імпульсів блокується доти, поки за допомогою кнопки повернення, що впливає на другий
вхід тригера, останній не буде переведений у вихідний стан з високим рівнем вихідного
сигналу, що дозволяє подачу на тиристори керуючих імпульсів. Стабілітрон обмежує
вхідну напругу тригера в межах 0-5 В
Обмеження di / dt У момент подачі керуючого імпульсу при прямій напрузі на
тиристорі анодний струм починає протікати через перехід у безпосередній близькості від
виводів керуючого електрода і лише потім він поширюється по всій площі переходу. При
великій швидкості наростання анодного струму унаслідок великої його щільності поблизу
керуючого електрода виникають зони перегріву, що можуть привести до виходу приладу з
ладу. Тому при включенні тиристора похідну анодного струму варто обмежувати деяким
припустимим значенням. Для цієї мети можуть бути використані невеликі реактори в
анодному ланцюзі. Граничне значення похідної струму di / dt лежить у межах 20-500
А/мкс.
Обмеження dU/ dt При прямому спаданні напруги на тиристорі до зовнішніх
переходів J1 і J2 прикладена пряма напруга, а до внутрішнього переходу J - зворотна.
Перехід J має еквівалентну ємність, унаслідок чого при подачі напруги струм через нього
задовольняє співвідношенню

i=Cj▪dUa/dt,

де С j - ємність переходу. Якщо швидкість зміни напруги на тиристорі Ua висока,

струм може досягти значення, достатнього для включення тиристора без керуючого
імпульсу. Ефект включення під впливом dU/ dt приводить до збоїв у роботі пере-
творювача.
Припустима швидкість зміни анодної напруги складає звичайно 20 -500 В/мкс.
Для захисту тиристора від ненавмисного включення при великих dU/ dt у найпростішому
випадку застосовується шунтучий RC-ланцюг, що включається паралельно тиристору.
 Тепловідвід. У відкритому стані тиристор має невеликий внутрішній опір, при
цьому спадання напруги на ньому складає 1-2 В, що при великому анодному струмі
приводить до значних теплових утрат, здатних викликати руйнування приладу, тому
тиристори завжди установлюються на pадіатори, що сприяють відводу теплоти від
тиристора і передачі його в атмосферу.

Захист від перенапруги. При незадовільній комутації, коротких замиканнях,

перехідних процесах при регулюванні, ударах блискавки і т.п. напруга на тиристорі може
перевищити припустиме значення. Захист від перенапруг здійснюється за допомогою
нелінійних елементів, що включаються паралельно тиристору, опір яких зменшується при
збільшенні напруги. При великих напругах на тиристорі вони шунтують його силовий
ланцюг. Для такого захисту звичайно застосовуються селенові стабілітрони, тиректори чи
металлооксидні варистори.

Захист ланцюга керуючого електрода. Ланцюг керуючих електродів

захищаються як від перенапруг, так і від аварійних струмів. Мала потужність цих
ланцюгів дозволяє застосовувати прості захисні засоби, такі, як стабілітрони, що
обмежують напругу на електроді, і токоотраничивающие резистори.на рисунку
представлена схема, що містить вузли захис- ту тиристора. У табл. приведені основні дані
для тиристорів двох типів.
Схемний захист. Розглянуті вище види аварійного захисту спрацьовують не у всіх
можливих випадках несправної роботи напівпровідникового приладу. Для організації
захисту ланцюгів тиристорного перетворювача можуть бути використані різні схемні
рішення.

ЗАПИТАННЯ ДЛЯ САМОПЕРЕВІРКИ ПО ТЕМІ 4

1.Поясніть роботу тиристора. В чому відмінність роботи тиристорів від транзисторів та

 діодів?
2. Що таке тиристор, диністор, симістор, оптронний тиристор, двоопераційний тиристор.
Наведіть їхні умовні позначення та загальні характеристики застосування.
3. Тиристори, будова, принципи дії. Типи тиристорів, їх особливості.
4. ВАХ тиристорів. Довідникові параметри
5. Умови вмикання та вимикання одноопераційних тиристорів. Яким умовам повинні
відповідати імпульси керування тиристорами?
6.Особливості застосування тиристорів різних типів.
7. В чому різниця в застосуванні одно – та 2-х операційних тиристорів?
8. Особливості застосування симисторів в порівнянні з одно операційними тиристорами.
9. Системи формування імпульсів керування тиристорами.
10. Особливості побудови та функціонування СІФК «вертикального типу»
11. Приведіть основні найпростіші схеми керування вмиканням тиристорів.
12. Охарактеризуйте принципи побудови пристроїв для захисту тиристорів.

Т5. Компоненти оптоелектроніки.

Т5.1 Загальна характеристика оптронів.

Оптронами називають такі оптоелектронні прилади, у яких маються джерело і
приймач випромінювання (світловипромінювач і фотоприймач) з тим чи іншим видом
оптичного й електричного зв'язку між ними, конструктивно зв'язані один з одним.
Принцип дії оптронів будь-якого виду заснований на наступному. У випро -
мінювачі енергія електричного сигналу перетворюється у світлову, у фотоприймачі,
навпаки, світловий сигнал викликає електричний відгук.
Практично поширення одержали лише оптрони, у яких мається прямий
оптичний зв'язок від випромінювача до фотоприймача і, як правило, виключені усі
види електрич-ного зв'язку між цими елементами.
По ступені складності структурної схеми серед виробів оптронної техніки
виділя-ють дві групи приладів. Оптопара (говорять також “елементарний оптрон”)
являє собою оптоелектронний напівпровідниковий прилад, що складається з
випромінюючого і фотоприймального елементів, між якими мається оптичний зв'язок,
що забезпечує електричну ізоляцію між входом і виходом. Оптоелектронна
інтегральна мікросхема являє собою мікросхему, що складається з однієї чи
декількох оптопар і електрично з'єднаних з ними одного чи декількох узгоджуючих
підсилювальних пристроїв.
 У такий спосіб в електронному ланцюзі такий прилад виконує функцію елемента
зв'язку, у якому в той же час здійснена електрична (гальванічна) розв'язка входу і виходу.
Відмінні риси оптронів. Переваги оптронів базуються на загальному оптоелектронному
принципі використання електрично-нейтральних фотонів для переносу інформації.
Основні переваги оптронів:
• можливість забезпечення ідеальної електричної (гальванічної) розв'язки між
входом і виходом;
• для оптронів не існує яких-небудь принципових фізичних чи
конструктивних обмежень по досягненню яких завгодно високих напруг і
опорів розв'язки і яких завгодно малих прохідних ємностей;
• можливість реалізації безконтактного оптичного керування електронними
об'єктами й обумовлені цим розмаїтість і гнучкість конструкторських
рішень керуючих ланцюгів;
• односпрямованість поширення інформації з оптичного каналу, відсутність
зворотної реакції приймача на випромінювач;
• широка частотна смуга пропущення оптрона, відсутність обмеження з боку
низьких частот (що властиво імпульсним трансформаторам);
• можливість передачі по оптронному ланцюзі як імпульсного сигналу, так і
постійної складової сигнала;
• можливість керування вихідним сигналом оптрона шляхом впливу (у тому
числі і неелектричного) на матеріал оптичного каналу і можливість, що
звідси випливає, створення різноманітних датчиків, а також різноманітних
приладів для передачі інформації;
• можливість створення функціональних мікроелектронних пристроїв з
фотоприймачами, характеристики яких при освітленні змінюються по
складному заданому закону;
• несприйнятливість оптичних каналів зв'язку до впливу електромагнітних
полів, що у випадку “довгих” оптронів (із протяжним волоконно-оптичним
світловодом між випромінювачем і приймачем) обумовлює їхню
захищеність від перешкод і витоку інформації, а також виключає взаємні
наведення ;
• фізична і конструктивно-технологічна сумісність з іншими напівпро-
відниковими і мікроелектронними приладами.
Недоліки оптронів:
 • значна споживана потужність, обумовлена необхідністю подвійного
перетворення енергії (електрика - світло - електрика) і невисокими ККД цих
переходів;
• підвищена чутливість параметрів і характеристик до впливу
підвищеної температури і проникаючої ядерної радіації;
• більш-менш помітна тимчасова деградація (погіршення) параметрів;
• відносно високий рівень власних шумів, обумовлений , як і два попередніх
недоліки, особливостями фізики світлодіодів;
• складність реалізації зворотних зв'язків, викликана електричною
роз'єднаністю вхідного і вихідного ланцюгів;
• конструктивно-технологічна недосконалість, зв'язана з використанням
гібридної (не планарної) технології.
Перераховані недоліки оптронів у міру удосконалення матеріалів, технології,
схемотехніки частково усуваються, але проте ще тривалий час будуть носити досить
принциповий характер. Однак переваги оптронів настільки високі, що забезпечують
упевнену їх неконкурентну спроможність серед інших приладів мікроелектроніки.
Узагальнена структурна схема (рисунок 5.1).

Рисунок 5.1 - Узагальнена структурна схема оптрона.

Як елемент зв'язку оптрон характеризується коефіцієнтом передачі Кi ,
обумовленим відношенням вихідного і вхідного сигналів, і максимальною
швидкістю передачі інформації F. Практично замість F вимірюють тривалості
наростання і спаду переданих імпульсів tнар(сп) чи граничну частоту. Можливості
оптрона як елемента гальванічної розв'язки характеризуються максимальною
напругою й опором розв'язки Uрозв і Rрозв і прохідною ємністю Cрозв.
У структурній схемі рисунок 5.1 вхідний пристрій служить для оптимізації
робочого режиму випромінювача (наприклад, зсуву світлодіода на лінійну ділянку
вольт-амперної характеристики) і перетворення (підсилення) зовнішнього сигналу.
Вхідний блок повинний мати високий ККД перетворення, високу швидкодію,
широкий динамічний діапазоном припустимих вхідних струмів (для лінійних систем),
малим значенням “граничного” вхідного струму, при якому забезпечується надійна
передача інформації з ланцюга.
Призначення оптичного середовища - передача енергії оптичного сигналу від
випромінювача до фотоприймача, а також у багатьох випадках забезпечення
механічної цілісності конструкції.
Принципова можливість керування оптичними властивостями середовища,
наприклад за допомогою використання електрооптичних чи магнітооптичних
ефектів, відбита введенням у схему пристрою керування. У цьому випадку ми
одержуємо оптрон з керованим оптичним каналом, що функціонально відрізняється від
“звичайного” оптрона: зміна вихідного сигналу може здійснюватися як по входу, так і по
ланцюзі керування.
У фотоприймачі відбувається “відновлення” інформаційного сигналу з оптичного
в електричний; при цьому прагнуть мати високу чутливість і високу швидкодію.
Нарешті, вихідний пристрій покликаний перетворити сигнал фотоприймача в
стандартну форму, зручну для впливу на наступні за оптроном каскади. Практично
обов'язковою функцією вихідного пристрою є підсилення сигналу, тому що втрати
після подвійного перетворення дуже значні. Нерідко функцію підсилення виконує і сам
фотоприймач (наприклад, фототранзистор).
Загальна структурна схема рисунок 5.1 реалізується в кожному конкретному
приладі лише частиною блоків. Відповідно до цього виділяють три основні групи
приладів оптронної техніки: раніше названі оптопари (елементарні оптрони), що
використовують блоки світловипромінювач - оптичне середовище - фотоприймач;
оптоелектронні (оптронні) мікросхеми (оптопари з додаванням вихідного, а іноді і
вхідного пристрою); спеціальні види оптронів - прилади які функціонально і
конструктивно істотно відрізняються від елементарних оптронів і оптоелектронних
ІС.
Реальний оптрон може бути улаштований і складніше, ніж схемана рисунку 39
кожний із зазначених блоків може містити в собі не один, а кілька однакових чи
подібних один одному елементів, зв'язаних електрично й оптично, однак це не змінює
істотно основ фізики й електроніки оптрона.
Параметри та характеристики оптопар і оптронних інтегральних мікросхем. При
класифікації виробів оптронної техніки враховується два моменти: тип
фотоприйомного пристрою й конструктивні особливості приладу в цілому .Вибір першої
класифікаційної ознаки обумовлений тим, що практично у всіх оптронів на вході
поміщенний світлодіод і функціональні можливості приладу визначаються вихідними
характеристиками фотоприйомного пристрою. В якості другої ознаки приймемо
конструктивне виконання, що визначає специфіку застосування оптрона.
Використовуючи цей змішаний конструктивно-схемотехнічний принцип
класифікації, логічно виділити три основні групи виробів оптронної техніки: оптопари
(елементарні оптрони), оптоелектронні (оптронні) інтегральні мікросхеми й
спеціальні види оптронів. До кожної із цих груп відноситься велика кількість видів
приладів.
Для найпоширеніших оптопар використовуються наступні скорочення:
Д - діодна, Т - транзисторна, R - резисторна, В - тиристорна, Т2 - зі складеним
фототранзистором, ДТ - діод-транзисторна, 2Д (2Т) - діодна (транзисторна)
диференціальна.
Система параметрів виробів оптронної техніки базується на системі
параметрів оптопар, що формується із чотирьох груп параметрів і режимів.
Перша група характеризує вхідний ланцюг оптопари (вхідні параметри),
друга - її вихідний ланцюг (вихідні параметри), третя - поєднує параметри, що
характеризують ступінь впливу випромінювача на фотоприймач і пов'язані із цим
особливості проходження сигналу через оптопару як елемент зв'язку (параметри
передатної характеристики), нарешті, четверта група поєднує параметри
гальванічної розв'язки, значення яких показують, наскільки наближається оптопара
до ідеального елемента розв'язки. Із чотирьох перерахованих груп визначальними,
специфічно “оптронними” є параметри передатної характеристики й параметри
гальванічної розв'язки.
Найважливішим параметром діодної і транзисторної оптопар є коефіцієнт передачі
струму. Визначення імпульсних параметрів оптронов ясно з рисунку 5.2. Відліковими
рів-нями при вимірі параметрів tнар(сп), tзд, і tвкл(викл) звичайно служать рівні 0.1 і 0.9, повний
час логічної затримки сигналу визначається за рівнем 0,5 амплітуди імпульсу.
Параметрами гальванічної розв'язки оптопар є: максимально припустима пікова
напруга між вхо-дом і виходом U розв max ; максимально допустима напруга між
входом і виходом Uрозв max; опір гальванічної розв'язки Rрозв; прохідна ємність Cрозв;
 Рисунок 5.2 - Визначення імпульсних параметрів оптопар.
максимально припустима швидкість зміни напруги між входом і виходом (dU розв/dt)max.
Найважливішим є параметр Uрозв max. Саме він визначає електричну міцність оптопари
і її можливості як елемента гальванічної розв'язки.
Розглянуті параметри оптопар повністю або з деякими змінами
використовуються й для опису оптоелектронних інтегральних мікросхем.
Діодні оптопари (рисунок 5.3) у великому ступені, чим які-небудь: інші
прилади, характеризують рівень оптронной техніки. По величині Кi можна судити об
досягнутих КПД перетворення енергії в оптроні; значення часових параметрів дозволяють
визначити граничні швидкості поширення інформації. Підключення до діодної оптопари
тих або інших підсилювальних елементів, досить корисне і зручне, але не може
забезпечити виграш ні по енергетиці, ні по граничних частотах.
Транзисторні оптопари ( рисунок 5.3,c) рядом своїх властивостей вигідно відрізняються
від інших видів оптронів. Це насамперед схемотехнічна гнучкість, що проявляється в тім,
що колекторним струмом можна управляти як по ланцюзі світлодіода (оптично), так і по
базовому ланцюзі (електрично), а також у тім, що вихідний ланцюг може працювати як у
лінійному, так і в ключовому режимі. Механізм внутрішнього
 Рисунок 5.3 - Умовні позначення оптопар.
посилення забезпечує одержання більших значень коефіцієнта передачі струму Кi,
так що наступні підсилювальні каскади не завжди необхідні. Важливо, що при
цьому інерційність оптопари не дуже велика й для багатьох випадків цілком
припустима. Вихідні струми фототранзисторів значно вище, ніж, наприклад, у
фотодіодів, що робить їх придатними для комутації широкого кола електричних кіл.
Все це досягається при відносній технологічній простоті транзисторних оптопар.
Тиристорні оптопари (рисунок 5.3,b) найбільш перспективні для комутації
потужно-струмових високовольтних ланцюгів: по сполученню потужності, що
комутирується в навантаженні, і швидкодії вони явно переважніше Т2 -оптопар.
Оптопари типу АОУ103 призначені для використання в якості безконтактних ключових
елементів у різних радіоелектронних схемах: у ланцюгах керування, підсилювачах
потужності, формувачах імпульсів і т.п.
Резисторні оптопари рисунок 5.3, d принципово відрізняються від всіх інших
ви-дів оптопар фізичними й конструктивно-технологічними особливостями, а також
складом і значеннями параметрів. В основі принципу дії фоторезистора лежить
ефект фотопровідності, тобто зміни опору напівпровідника при висвітленні.
Диференціальні оптопари для передачі аналогових сигналів. Весь викладений вище
матеріал стосується питань передачі цифрової інформації з гальванічно
розв'язаного ланцюга. У всіх випадках, коли говорилося про лінійність, про аналогові
сигнали, мова йшла про вид вихідної характеристики оптопари. У всіх випадках
керування по каналі випромінювач - фотоприймач не описувалося лінійною
залежністю. Важливе завдання являє собою передача аналогової інформації за
допомогою оптопари, тобто, забезпечення лінійності передатної характеристики вхід -
вихід. Лише при наявності таких оптопар стає можливим безпосереднє поширення
аналогової інформації з гальванічно розв'язаних ланцюгів без перетворення її до
цифрової форми (послідовності імпульсів).
Оптоелектронні мікросхеми. Оптоелектронні мікросхеми являють собою один з
найбільше широко застосовуваних перспективних класів виробів оптронної техніки. Це
обумовлено повною електричною й конструктивною сумісністю оптоелектронних
мікросхем із традиційними мікросхемами, а також їх більш широкими в порівнянні з
елементарними оптронами функціональними можливостями. Як і серед звичайних
мікросхем, найбільш широке поширення одержали перемикальні оптоелектронні
мікросхеми.
Спеціальні види оптронов різко відрізняються від традиційних оптопар і
оптоэлектронных мікросхем. До них ставляться насамперед оптрони з відкритим
оптичним каналом. У конструкції цих приладів між випромінювачем і
фотоприймачем є повітряний зазор, так що, поміщаючи в нього ті або інші механічні
перешкоди, можна управляти світловим потоком і тим самим вихідним сигналом
оптрона. Таким чином, оптрони з відкритим оптичним каналом виступають у якості
оптоелектронних датчиків, що фіксують наявність (або відсутність) предметів, стан
їхньої поверхні, швидкість переміщення або повороту й т.п.
5.2 Застосування оптронів.
Як елементи гальванічної розв'язки оптрони застосовуються: для зв'язку блоків
апаратури, між якими мається значна різниця потенціалів; для захисту вхідних
ланцюгів вимірювальних пристроїв від перешкод і наведень; і т.д.
Інша найважливіша область застосування оптронів - оптичне, безконтактне
керування потужнострумовими й високовольтними ланцюгами. Запуск могутніх
тиристорів, тріаків, симисторів, керування електромеханічними релейними пристроями.
Специфічну групу керуючих оптронів складають резисторні оптрони, призначені
для слабкострумових схем комутації в складних пристроях візуального відображення
інформації, виконаних на електролюмінісцентних (порошкових) індикаторах,
мнемосхемах, екранах.
Створення “довгих” оптронів (приладів із протяжним гнучким
волоконнооптичним світловодом) відкрило зовсім новий напрямок застосування виробів
оптронної техніки - зв'язок на коротких відстанях.
Різні оптрони (диодні, резисторні, транзисторні) знаходять застосування й у
чисто радіотехнічних схемах модуляції, автоматичного регулювання підсилення й ін.
Вплив по оптичному каналі використовується отут для виводу схеми в оптимальний
робочий режим, для безконтактної перебудови режиму й т.п.
 Можливість зміни властивостей оптичного каналу при різних зовнішніх
впли-вах на нього дозволяє створити цілу серію оптронних датчиків: такі датчики
вологості й загазованості, датчика наявності в обємі тієї чи іншої рідини, датчики
чистоти оброб-ки поверхні предмета, швидкості його переміщення й т.п.
Досить специфічним є використання оптронів в енергетичних цілях, тобто
робота діодного оптрона у фотовентильному режимі. У такому режимі фотодіод
генерує елек-тричну потужність у навантаження, а оптрон до визначеного ступеня
подібний мало-потужному вторинному джерелу живлення, цілком розв'язанного від
первинного ланцюга.
Створення оптронів з фоторезисторами, властивості яких при освітленні
змінюються по заданому складному законі, дозволяє моделювати математичні функції,
є кроком на шляху створення функціональної оптоелектроніки.
Універсальність оптронів як елементів гальванічної розв'язки й безконтактного
керування, розмаїтість і унікальність багатьох інших функцій є причиною того, що
сферами застосування цих приладів стали: обчислювальна техніка; автоматика; зв'язна й
радіотехнічна апаратура; автоматизовані системи керування; вимірювальна техніка;
системи контролю й регулювання; медична електроніка; пристрої візуального
відображення інформації.

Запитання для самоконтролю до теми 5

1. Що таке оптрон? Які види оптронів Вам відомі?

2. Основні переваги отронів.
3. Перерахуйте недоліки оптронів.
4. Що таке оптопара.
5. Поясніть призначення та особливості застосування елементів узагальненої схеми
оптрона.
6. Дайте характеристику та виконайте порівняння діодних та транзисторних
оптопар.
7. В чому особливості застосування транзисторних оптопар в порівнянні з
транзисторними оптопарами?
8. Перерахуйте області застосування оптронів

Частина 2. СИЛОВА ( ЕНЕРГЕТИЧНА) ЕЛЕКТРОНІКА.

(ПЕРЕТВОРЮВАЛЬНА ТЕХНІКА)
 В силових пристроях енергетичної електроніки (перетворювальної техніки) до
яких відносять електроприводи, джерела живлення, потужні перетворюючі установки та
ін., застосовуються напіпровідникові прилади здатні працювати при значних рівнях енергії
передаваємої навантаженням.
Розроблені й випускаються потужні багатошарові прилади - тиристори й
симистори, біполярні й уніполярні транзистори класичних конструкцій та транзисторів
нових типів: зі статичною індукцією (СІТ і БСІТ) і біполярних транзисторів з ізольованим
затвором (БТІЗ), які можуть комутирувати струми понад 2500 А при напрузі до 4000 В і на
відміну від тиристорів мають повне керування, швидкодію, яка забезпечує їх роботу на
час-тотах до 1мГц, й малі рівні споживання ланцюгів керування.
Для зниження втрат ці прилади в основному працюють у ключовому режимі.
Основні вимоги, яким повинні задовольняти силові напівпровідникові прилади, зводяться
до наступних: - малі втрати при комутації; - висока швидкість перемикання з одного стану
в інший; - мале споживання енергії ланцюгом керування; - висока робоча напруга та великі
струми комутації. Сучасні транзистори для пристроїв силової електроніки, які були
розглянуті в розділах 3.6.2, 3.6.4 знаходять обмежене застосування по причині великої їх
вартості. Основними елементами масового застосування залишаються тиристорні
структури різних типів.

Тема 6. СИЛОВІ ЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ ЕЛЕКТРОПРИВОДА

Т6.1 Загальна класифікація перетворювачів для електропривода.

Електротехнічні перетворювачі (перетворювальні пристрої електроприводів)

призначені для перетворення струму, напруги, частоти та зміни показників якості
електричної енергії для створення керуючої дії на електродвигун.
Залежно від призначення електропривода силові перетворювачі поділяють на
регульовані й нерегульовані.
Регульовані перетворювачі використовують насамперед у керованих за швидкістю
й положенням електроприводах, а також тоді, коли для поліпшення статичних і
динамічних показників нерегульованого електропривода застосовуються замкнені
системи керування.
Регульовані перетворювачі напруги поділяють на перетворювачі змінної
напруги на регульовану постійну (керовані випрямлячі); пе ретворювачі постійної
напруги на змінну (інвертори); перетворювачі незмінної за значенням постійної
напруги на регульовану постійну (перетворювачі постійної напруги);
перетворювачі змінної напруги на регульовану змінну (перетворювачі змінної
напруги).
Нерегульовані перетворювачі використовують переважно для зміни якості
показників електричної енергії та узгодження пара метрів мережі живлення й
споживачів. Прикладами таких перетворювачів є некерований випрямляч, сило-
вий узгоджувальний трансформатор, нерегульований перетворювач частоти.
За принципом побудови перетворювачі поділяють на статичні, які не
мають рухомих вузлів, і електромашинні, основним компонентом яких є обертові
електричні машини постійного або змінного струму. Водночас статичні
перетворювачі, як правило, напівпровідникові. Класифікацію статичних
напівпровідникових регульованих перетворювачів за принципом дії та
призначенням наведено на рисунку 6.1.

Рисунок 6.1 - Класифікація статичних напівпровідникових перетворювачів.

Розглянемо основні види сучасних напівпровідникових перетво рювальних

пристроїв для регульованих електроприводів постійного та змінного струму.

Т6.2 Тиристорні перетворювачі напруги.

Тиристорні перетворювачі напруги на сьогодні є найпоши ренішим видом
перетворювальних пристроїв регульованих електроприводівУ сучасних
електроприводах постійного струму для живлення якірних кіл та кіл збудження
машин широко застосовуються некеровані й керовані вентильні випрямлячі
напруги.
 У некерованому випрямлячі використовуються напівпровідникові діоди. Вихідна
напруга такого перетворювача не регулюється. Елек трична енергія з мережі
змінного струму віддається в коло постійного струму.
У керованому випрямлячі (КВ), шо називається також тиристор ним
перетворювачем (ТП), використовуються тиристори, що дає змогу змінювати
напругу перетворювача на боці постійного струму за значенням і знаком. У КВ
потік енергії може бути спрямований як із мережі змінного струму в коло
постійного струму (режим випрямлення), так і в зворотному напрямку (режим
інвертування).
Основні п е р е в а г и КВ : високі коефіцієнт підсилення та ККД, мала
потужність керування та висока швидкодія. Н е д о л і к и КВ : пульсації вихідної
напруги, низький коефіцієнт потужності при глибокому регулюванні напруги,
висока чутливість до перенапруги, викривлення в мережах живлення, підвищений
рівень випромінювання радіоперешкод.
КВ класифікують:
• за вихідною потужністю : малопотужні — до 10 кВт; середньої потужності
— десятки—сотні кіловат, потужні — понад 1000 кВт;
• за кількістю фаз напруги жи влення: однофазні й трифазні',
• за схемою вмикання вентилів і підмикання навантаження: нульові й
мостові, симетричні й несиметричні;
• за можливістю зміни полярності вихідної напруги: реверсивні і нере-
версивні.
Експлуатаційні властивості КВ характеризуються такими пара метрами й
співвідношеннями:
● середніми значеннями випрямленої напруги U d і струму І d ;
● коефіцієнтами корисної дії η| та потужності к п ;
● коефіцієнтом випрямлення (схеми) к сх = U d0 / U 2ф ;
● відношенням найбільшого середнього значення випрямленої напруги до
діючого значення фазної вхідної напруги силового блока;
● коефіцієнтом збільшення розрахункової потужності трансфор матора к т =
S T /Р d ;
●відношенням типової потужності трансформатора до номінальної
потужності випрямленого струму;
● коефіцієнтом використання вентилів за напругою кu= U зв макс / U d -
 відношенням максимальної зворотної напруги на вентилях схеми до середнього
значення випрямленої напруги;
● коефіцієнтом використання вентилів за струмом кІ = Ів.д /І d відношенням
діючого значення струму вентиля до середнього значення випрямленого
струму;
● коефіцієнтом пульсацій кп(q) = U макс(q) / U d - відношенням амплітуди певної
гармоніки пульсацій випрямленої напруги до середнього значення випрямленої
напруги;
● коефіцієнтом спотворення ν = І1(1) /І1- відношенням діючого значення
струму основної гармоніки до діючого значення повного струму первинної
обмотки трансформатора;
● зовнішньою характеристикою U d = f(І d ) - залежністю середнього значення
випрямленої напруги від середнього значення випрямленого струму;
● регулювальною характеристикою U dα = f(α) - залежністю середнього
значення випрямленої напруги від кута регулювання.
Спрощену структурну схему КВ показано на рисунку 6.2 її основні
елементи: силовий трансформатор ТV, силовий вентильний блок СБ, згладжуючий
дросель ЗД і система імпульсно-фазового керування вентильним блоком СІФК.

Рисунок 6.2 – Спрощена структурна схема КВ.

Силовий трансформатор використовується за потреби узгоджен ня напруги

мережі живлення и кола навантаження перетворювача, а також їх електричного
відокремлення. Крім того, він зменшує вплив навантаження на мережу живлення.
Силовий вентильний блок виконує функції випрямлення й регулювання напруги.
Для зменшення пульсацій випрямленого струму застосо -вується згладжувальний
дросель. Система імпульсно-фазового керування забезпе чує формування
послідовності відкриваючих імпульсів і зміну куга комутації ти -ристорів згідно з
вхідним сигналом керування U к .

Для регулювання значення випрямленої напруги в ТП викорис товується

імпульсно-фазовий метод керування. Цей метод полягає в тому, що відкриваючий
імпульс на тиристори подається з певним запізненням (зсувом за фазою) відносно
точки природного відкриття, тобто точки, яка відповідає моменту вступу в роботу
вентилів, якби це були некеровані діоди.

Т 6 . 2 . 1 Силові схеми керованих випрямлячів.

Розглянемо спочатку силові схеми нереверсивних КВ. Для зручності
порівняння силових схем їхні параметри та основні розрахункові співвідношення зведено
в табл. 6.1.
Форми струмів і напруг у різних точках схем та співвідношення між
електричними величинами залежать від характеру навантаження. В електроприводі
найчастіше використовується робота ТП на обмотку збудження або якір машини
постійного струму (проти ЕРС), тобто на активно-індуктивне навантаження (в
останньому випадку послідовно з якорем завжди вмикається велика згладжуюча ін-
дуктивність).
Таблиця 6.1

У разі нехтування комутаційними процесами й за умови, що індуктивний опір у колі

випрямленого струму Xd→∞, випрямлений струм Іd буде неперервним та ідеально
згладженим, а струми через вентилі та обмотки трансформатора стають прямокутними.
Практично при Xd ≥ ( 3 … 4 ) R d ( R d - активний опір у колі постійного струму) можна
вважати, що умови роботи реального перетворювача наближаються до ідеального
варіанта.
Часові діаграми для випрямленої ЕРС та струмів у разі ідеалізованого варіанта для
m-фазної схеми (при нехтуванні втратами у вентилях, трансформаторі та комутаційними
процесами) наведенона рисунку 6.3.
Цей рисунок ілюструє також основне призначення СІФК — перетворення
неперервного постійного сигналу (різниці між напругою сигналу керування Uк та
напругою зміщення Uкзм, що визначає початковий кут регулювання) у фазовий зсув кута а
відкриваючого імпульсу для тиристорів: збільшення напруги Uк спричинює зменшення
кута регулювання а, а отже, зростання середнього значення випрямленої ЕРС.

Рисунок 6.3 - Часові

діаграми для
випрямленої ЕРС та
струмів при
ідеалізованому варіанті
m-фазної схеми.
Однофазні
силові схеми КВ. Особливість 2-х напівперіодної нульової схеми випрямл ення
(рисунок 6.4, а) полягає в тому, що вторинні півобмотки тран-сформатора відносно його
середньої точки створюють систему напруг, зміщених одна відносно одної на кут π.
Силова схема такого перетворювача містить два тиристори й такий необхідний елемент,
як силовий трансформатор із нульовим виводом, що обмежує її використання.
Однофазні силові схеми мостових КВ містять чотири силові вентилі. Якщо
всі вентилі керовані (рисунок 6.4, б), то схема називається с и м е т р и ч н о ю . В
н е с и м е т р и ч н и х с х ем а х (рисунок 6.4, в г ) поряд із керованими застосовуються
неке-ровані вентилі. Силовий трансформатор для мостових схем не є обов'язковим
елементом і використовується лише за потреби узгодження напруги мережі живлення й
навантаження. Порівняння однофазних силових схем КВ показує, що з погляду
використання вентилів за струмом нульова (див.рисунок 6.4, а ) і мостова (див.рисунок
6.4, б ) схеми однакові. Ці схеми мають також однакові гармонічний склад випрямленої
напруги та динамічні показники. Мостова схема ліпша за нульову щодо використання
трансформатора (відповідно к л = 1,11 і к , - 1,34) і вентилів за напругою (відповідно
к и = 1,57 і к и = 3,14).

Підвищення ефективності роботи ТП при активно-індуктивному навантаженні

(зменшення енергії, яку споживає перетворювач, підвищення коефіцієнта потужності)
досягається за рахунок підмикання на виході перетворювача нульового (зворотного) діода
УОО і замикання при закритих тиристорах через цей діод струму, який зумовлений ЕРС
самоіндукції згладжувального дроселя та індуктивності навантаження. Водночас за
наявності нульового діода напруга перетворювача не може набувати від'ємного значення,
 Рисунок 6.4 - Однофазні силові схеми КВ.

внаслідок чого схема втрачає здатність форсувати процес зменшення струму при
індуктивному навантаженні.
Основний недолік схем із нульовим діодом — збільшення викривлення форми
струму, який споживається перетворювачем.
Тиристорний перетворювач за схемою (рисунок 6.4,б) має можливість
форсувати процес зменшення струму при індуктивному навантаженні. Схема керування
чотирма тиристорами цього перетворювача складніша, тому, коли не потрібне форсування
процесу зменшення струму, доцільно використовувати мостові схеми, наведені на рисунку
6.4, в, г. Ці схеми не можуть працювати в інверторному режимі, але мають прості схеми
керування, особливо мостова схема з об'єднаними катодами (див. рисунок 6.4, в). За
рахунок несиметричних схем перетворювачів можна досягти також збільшення
коефіцієнта потужності КВ. У схемі (рисунок 6.4,г) роль нульових діодів виконують
послідовно ввімкнені вентилі VD1 і VD2. Недолік цієї схеми — необхідність
гальванічної розв'язки кіл керування тиристорами.
Багатофазні силові схеми КВ порівняно з однофазними мають низку переваг:
меншу пульсацію випрямленої напруги та струму, симетричне навантаження фаз мережі
споживання, краще використання трансформатора та вентилів. Так, т р и ф а з н а
н ул ь о в а с х ем а (рисунок 6.5, а ) порівняно з однофазними забезпечує вдвоє меншу
амплітуду пульсацій випрямленої напруги і в 1,5 раза менше значення коефіцієнта
використання вентилів за струмом, проте коефіцієнт використання вентилів за напругою
тут у 1,33 раза більший. У цій схемі можливе форсування процесу зменшення струму при
активно-індуктивному навантаженні, але магніторушійні сили стержнів трансформатора
не зрівноважують одна одну, внаслідок чого виникає потік вимушеного намагнічування,
що насичує осердя тран- сформатора. Через це виникає необхіднсть збільшення перерізу
стержнів магнітопроводу й відповідного збільшення типової потужності
трансформатора.

Рисунок 6.5 Багатофазні перетворювачі

Тр и ф а з н у м о с т о в у с х ем у (рисунок 6.5, б ) можна розглядати як з'єднання

двох трифазних нульових схем; при цьому подвоюється значення випрямленої напруги
при подвійній кількості вентилів. Це найдосконаліша схема з погляду використання
трансформатора й вентилів за напругою (кT, і кu близькі до одиниці). Пульсації
випрямленої напруги мають шестикратну частоту (300 Гц), тому побудовані за цією
схемою схеми КВ перетворювачі іноді називають умовно- шестифазними.
Невелика амплітуда й досить висока частота пульсацій, ефективне використання
трансформатора й низька зворотна напруга на вентилях, простота схеми й конструкції
трансформатора, можливість інверnорного режиму, високий ККД тощо зумовили
переважне застосування трифазної мостової схеми (схеми Ларіонова) в системах
автоматизованого електропривода. Позитивним показником трифазної мостової схеми є й
те, що її можна застосовувати і в безтрансформаторному варіанті. Недолік трифазної
симетричної мостової схеми - підвищений рівень споживання реактивної енергії при
глибокому регулюванні вихідної напруги.
На відміну від трифазної нульової схеми, струм вторинної обмотки
трансформатора в мостовій трифазній схемі не має постійної складової, тому в цій схемі
відсутнє вимушене намагнічування осердя трансформатора.
Послідовність відкривання тиристорів визначається чергуванням фаз трифазної
системи напруг джерела живлення. Так, на рисунку 6.5, б тиристори перетворювача
пронумеровані в порядку подавання відкриваючих імпульсів. Порядок комутації
тиристорів трифазної мостової схеми проілюстровано циклограмою (рисунок 6.6), на
якій показано ділянки спільної роботи вентилів різних груп.
Якщо не виникає потреби в інверторному режимі роботи КВ, трифазну мостову
схему можна виконувати як несиметричну (рисунок 6.5, в, г). Таке спрощення пов'язане зі
зменшенням частоти й збільшенням амплітуди пульсацій випрямленого струму.

Рисунок 6.6 - Порядок комутації тиристорів трифазної мостової схеми.

Т 6 . 2 . 2 Інверторний режим роботи

КВ.
Розрізняють два режими роботи
перетворювача: випрямлення та інвертування. Під час роботи в режимі випрямлення
потік енергії спрямований від мережі змінного струму в коло постійного струму. Напрям
ЕРС перетворювача ^збігається з напрямом струму (рисунок 6.7, а). При цьому ЕРС кола
постійного струму £ (самоіндукції або якоря двигуна) спрямована назустріч ЕРС
перетворювача. Середнє значення струму визначається різницею ЕРС:

Рисунок 6.7 - Напрями ЕРС

перетворювача

У разі зміни напряму ЕРС кола постійного струму Е на протилежний

(рисунок 6.7, б) КВ переходить в інверторний режим. Для інвертора мережа змінного
струму є навантаженням, тому вентилі повинні відкриватися в момент часу, коли напруга
мережі протягом більшої частини часу провідності кожного вентиля виконує роль проти
ЕРС (спрямована зустрічно до напряму протікання струму), шо має місце при 90<α< 180
ел. градусів. У зв'язку з цим інверторний режим можливий, якщо додаткова ЕРС у колі
постійного струму, під дією якої струм протікатиме крізь вентилі при негативній напрузі,
прикладеній до них, перевищує ЕРС інвертора. Невиконання цієї умови залишає інвертор
у підготовленому стані, але струм інвертування дорівнюватиме нулю. Комутація вентилів
в інверторі примусова під дією напруги, що інвертується.
 В інверторному режимі напрям струму збігається з напрямом ЕРС кола
постійного струму, тобто електрична енергія з кола постійного струму передається в
мережу змінного струму. Інверторний режим виникає при роботі КВ на індуктивне
навантаження внаслідок дії ЕРС самоіндукції за рахунок установлення певного значення
кута α > 90 ел. градусів. Ця ЕРС підтримує проходження струму через тиристори після
прикладення до них негативної напруги мережі, тобто миттєве значення потужності
змінює свій знак на протилежний, що відповідає поверненню енергії, накопиченої
індуктивністю, до мережі живлення. Цей вид інвертування енергії має місце в
нереверсивних симетричних схемах КВ.
Водночас у разі роботи ТП на якір двигуна, крім зміни кута а, потрібно ще
перемикнути полярність ЕРС машини, яка при гальмуванні зберігає свій напрям. Отже,
інверторний режим КВ при роботі на проти ЕРС двигуна постійного струму
безконтактним способом може бути здійснений лише в схемах реверсивних КВ, які
розглянуті далі.
При значеннях кута керування α = 180 ел. градусів умови закривання
тиристора порушуються, оскільки при відкриванні чергового тиристора до вентиля, крізь
який до цього проходив струм, не може бути прикладена закриваюча зворотна ЕРС. При
цьому струм увесь час протікатиме через один тиристор, через який до навантаження буде
прикладена синусоїдна фазова вхідна напруга. Такий режим називається перекиданням
інвертора, супроводжується збільшенням струму в силових колах і розглядається як
аварійний. Щоб уникнути перекидання інвертора, вдаються до обмеження максимального
значення кута керування на 15...30 ел. градусів.
Отже, зі збільшенням проти ЕРС тривалість проходження струму крізь
вентилі протягом кожного півперіоду зменшується. Це призводить до того, що при рівних
середніх значеннях струмів їхні діючі значення будуть більшими в режимі з меншими
кутами провідності (більшими значеннями Е0). Це погіршує використання вентилів за
струмом. Водночас погіршується використання трансформатора.
Аналіз силових схем нереверсивних КВ дає змогу зробити такі в и с н о в к и .
▪ Трифазні силові схеми за використанням потужності трансформатора й
вентилів за напругою, пульсаціями випрямленої напруги мають
незаперечні переваги порівняно з однофазними схемами перетворення.
▪ Мостові силові схеми за використанням потужності трансформатора й
вентилів за напругою, а також частотою та амплітудою пульсацій
випрямленої напруги ліпші, ніж нульові силові схеми перетворювачів.
 ▪ Безтрансформаторні схеми мають кращі масогабаритні показники
порівняно з трансформаторними схемами перетворення.
▪ Найраціональнішою для електроприводів постійного струму є трифазна
мостова силова схема перетворення.

Т 6 . 2 . 3 Реверсивні тиристорні перетворювачі напруги.

За необхідності зміни напрямку струму в навантаженні використовують

реверсивні перетворювачі. їх поділяють на одно- та двокомплектні.
Однокомплектні КВ з перемикачем (реверсором) реалізуються за схемами, які
не відрізняються від схем нереверсивних перетворювачів. Полярність напруги на виході
таких перетворювачів (рисунок 6.8) змінюється контактними або безконтактними
комутуючими апаратами К1, К4 і К2, КЗ. Така схема забезпечує роботу перетворювача в
режимах випрямлення та інвертування для обох полярностей випрямленої напруги. .До
переваг однокомплектних реверсивних КВ з перемикачем належать простота схем силових
кіл, добрі масогабаритні показники й низька вартість, до недоліків — складність
сполучення зовнішніх характеристик без стрибків при переході перетворювача з режиму
інверторний, і навпаки, невисока швидкодія.

Рисунок 6.8 –Однокомплектні КВ з перемикачем (реверсором)

2-х комплектиі КВ складаються за зустрічно-паралельними або

перехресними схемами. За зустрічно-парапельного вмикання
(рисунок 6.9, а, б) обидва вентильні комплекти живляться від
трансформатора з однією вторинною обмоткою. В перехресній
схемі (рисунок 6.9, г) кожен вентильний комплект живиться від
окремої вторинної обмотки триобмоткового трансформатора.
Найпоширенішою є зустрічно-парательна схема з'єднання вентильних
комплектів (рисунок 6.9, б), що пояснюється такими її перевагами: наявністю простого
дво-обмоткового трансформатора з найменшою типовою потужністю (на 20 % менша
порівняно з трансформатором у перехресній схемі); можливістю живлення безпосередньо
від трифазної мережі через струмообмежувальні реактори, а також можливістю
максимальної уніфікації конструкцій реверсивних і нереверсивних перетворювачів. Проте
порівняно із зустрічно- паралельними схемами в перехресних схемах за одночасного вми-
кання обох вентильних комплектів аварійні процеси відбуваються легше, тому у важливих
електроприводах цілком обгрунтованим може виявитися застосування перехресної схеми.
Можливе використання двокомплектного перетворювача й за Н-схемою (рисунок 6.9, в ) .
У цій схемі групи вентилів В забезпечують полярність випрямленої напруги одного знака,
а групи вентилів Н — полярність випрямленої напруги іншого знака.

Рисунок 6.9 - Схеми 2-х комплектних КВ зустрічно-паралельними та

перехресними схемами.

Можливе використання двокомплектного перетворювача й за Н-схемою (рисунок 6.9, в ) .

У цій схемі групи вентилів В забезпечують полярність випрямленої напруги одного знака,
а групи вентилів Н — полярність випрямленої напруги іншого знака.
У двокомплектних перетворювачах застосовують два основні способи
керування вентильними комплектами: сумісний та роздільний. Сумісне керування, своєю
чергою, може бути узгодженим і неузгодженим.
За с ум і с н о г о ке р у в а н н я відкриваючі імпульси подаються водночас на
обидва вентильні комплекти. При цьому фазування імпульсів на одному з них відповідає
режиму випрямлення, а на іншому - режиму інвертування. За узгодженого сумісного
керування середні значення напруг обох комплектів рівні між собою при будь-яких кутах
керування й протилежні за знаком.
За неузгодженого сумісного керування середнє значення напруги
вентильного комплекту, що працює в інверторному режимі, перевищує напругу
вентильного комплекту, який працює в режимі випрямлення. При цьому кут β1 беруть
незмінним і мінімальним.
У двокомплектних перетворювачах із сумісним керуванням, навіть за
рівності середніх значень напруг обох комплектів, миттєві значення напруг не дорівнюють
одне одному. Це спричинює протікання в контурі, утвореному тиристорними групами та
обмотками трансформатора, статичного зрівнювального струму. При перехідних
процесах, коли змінюються ЕРС обох комплектів, динамічний зрівнювальний струм може
в багато разів перевищувати статичний. Основною причиною появи динамічного
зрівнювального струму є властива тиристорам неповна керованість. Зрівнювальні струми
створюють додаткові втрати в обмотках трансформатора, навантажують вентилі, а іноді,
особливо при перехідних процесах, можуть призвести до аварій-них режимів.
Для обмеження зрівнювального струму в схеми перетворювачів вводять
зрівнювальні реактори (ЗР), індуктивність яких вибирається такою, щоб значення
зрівнювального струму не перевищувало 10 % номінального випрямленого струму.
Вцілому узгоджене керування дає змогу дістати кращі динамічні показники,
проте призводить до підвищення маси та габаритних розмірів електропривода.
Неузгоджене керування застосовується в електроприводах із невисокими вимогами до
якості керування.
За роздільного керування керуючі імпульси подаються лише на
робочий комплект вентилів двокомплектного перетворювача. Це дає змогу позбутися
зрівнювальних струмів та обійтися без зрівнювальних реакторів. Подавання керуючих
імпульсів на робочий комплект вентилів та зняття імпульсів із неробочого комплекту
перетворювача здійснюється логічним перемикальним пристроєм (ЛПП). Цей пристрій
визначає момент, коли струм перетворювача дорівнює нулю, блокує імпульси комплекту,
який закінчує роботу, і після паузи, що може становити 0,008...0,01 с, уможливлює подачу
керуючих імпульсів на вентилі іншого комплекту. Поява безструмової паузи дещо
збільшує тривалість перехідних процесів.
Схему реверсивного двокомплектного КВ з ЛПП наведено на рисунку 6.10:
КВ1, КВ2 — комплекти вентилів; ДНС1, ДНС2 - датчики наявності струму; Uк - сигнал
керування.
 Рисунок 6.10 - Схема реверсивного двокомплектного КВ з ЛПП.
Заборона (блокування) роботи вентильних комплектів здійснюється згідно з
умовам и запобігання аварійному режимові:
● не припускається одночасне подавання відкриваючих імпульсів на обидва
вентильні комплекти;
● забороняється вмикання одного вентильного комплекту при наявності
струму в іншому;
● забороняється зняття відкриваючих імпульсів із працюючого вентильного
комплекту.
Застосування роздільного способу керування знижує ймовірність перекидання
інвертора, зменшує втрати й збільшує коефіцієнт корисної дії (ККД) перетворювача
завдяки відсутності зрівнювальних струмів. Однак роздільне керування висуває високі
вимоги до надійності роботи ЛПП; при цьому схема керування перетворювачем
ускладнюється, в регулювальній і зовнішніх характеристиках спостерігається розрив
унаслідок переривчастого характеру струму, коли 4 близький до нуля.
Щоб пояснити особливості роботи реверсивного КВ у системі
електропривода постійного струму, розглянемо схему (рисунок 6.11), на якій кожен із
Рисунок 6.11 – Схема реверсивного КВ у системі електропривода постійного струму з
вентильними комплектами КВ1, КВ2 і регульованими джерелами ЕРС Еd1, Еd2.

вентильних комплектів КВ1, КВ2 представлено регульованим джерелом ЕРС Еd1, Еd2 і
Внутрішній опір випрямлячів імітується резисторами Rв, навантаження має ак-
тивно-індуктивний характер (Lн, RH) та містить джерело проти ЕРС Eдв, що відповідає
роботі КВ на якірне коло двигуна постійного струму. Безперервними лініями на схемі
показано випадок, коли КВ1 працює в режимі випрямлення, а КВ2 - в режимі
інвертування.
Щоб виключити проходження зрівнювальних струмів, ЕРС вентильних
комплектів та Ел підтримуються однаковими в усьому діапазоні зміни кутів регулювання
тиристорів, що забезпечується СІФК. У разі зменшення сигналу задання КВ1 його Еd1 стає
меншою, ніж протиЕРС двигуна £д„. Водночас ЕРС Еd2 стає меншою за Eдв. Це призводить
до замикання КВ1, струм навантаження Іd змінює свій напрям і проходить через КВ2.
Здійснюється рекуперативне гальмування двигуна з віддачею енергії до мережі.
Швидкість і ЕРС двигуна зменшуються, і коли Eдв і Еd2 зрівняються, струм через КВ2
припиняється, гальмування закінчується і двигун знову працює у двигуновому режимі,
але з меншою швидкістю. Зменшуючи сигнал задання до нуля, можна забезпечити
рекуперативне гальмування двигуна до зупинки. Визначальною прикметою
рекуперативного гальмування в інверторному режимі є проходження струму назустріч
ЕРС перетворювача.
Для обмеження пульсацій випрямленої напруги для всіх видів КВ
застосовуються згладжувальні дроселі, які вмикаються послідовно в коло випрямленого
струму. Згладжувальний дросель збільшує габарити й масу перетворювача, знижує
швидкодію КВ. Тому дуже важливий раціональний вибір індуктивності такого дроселя.
Критерієм для вибору індуктивності згладжувального дроселя є наближення умов роботи
двигуна (за комутацією та нагріванням) у тиристорному електроприводі до умов його
роботи при живленні від генератора постійного струму.
Щоб забезпечити нормальну роботу двигуна, пульсуюча складова якірного
струму не повинна перевищувати 2 % його середньо- квадратичного значення.
У регульованих електроприводах постійного струму використовують усі
розглянуті вище силові схеми й способи керування реверсивними КВ. За допустимої
тривалості зміни полярності напруги на виході перетворювача 0,1 с і більше в
розімкнених системах керування можна рекомендувати однокомплектні перетворювачі з
перемикачем (реверсором). Якщо погрібна висока швидкодія, то використовують схеми з
двокомплектними перетворювачами. При цьому узгоджене сумісне керування забезпечує
максимальну швидкодію, тоді як за роздільного керування тривалість зміни полярності на-
пруги на виході перетворювача досягає 0,01 с. За масогабаритними параметрами найкращі
показники мають однокомплектні перетворювачі з реверсором, потім — двокомплектні з
роздільним керуванням. Найнижчі показники в перетворювачів з узгодженим сумісним
керуванням.

Т6.3 Імпульсні перетворювачі напруги .

Для живлення деяких споживачів електричної енергії, які потребують

регулювання підведеної до них напруги, використовуються імпульсні перетворювачі
напруги (ІПН). Вони перетворюють сталу за значенням постійну чи змінну напругу на
регульовану величину шляхом періодичного підмикання навантаження до джерела
живлення. При цьому тривалість такого підмикання можна змінювати, регулюючи тим
самим середнє або діюче значення підведеної до навантаження напруги. Якщо ключ, що
керує роботою ІПН, ідеальний, то при підмиканні навантаження до джерела напруга на
ньому дорівнює напрузі джерела, а при відмиканні (під час паузи) — нулю.
Імпульсні перетворювачі постійної напруги широко застосовуються в
електроприводах постійного струму для верстатів, у системах регулювання та стабілізації
постійної напруги живлення, в бортових автономних системах, на електротранспорті та
ін. Імпульсні перетворювачі змінної напруги використовуються в установках для плавного
безреостагного пуску потужних асинхронних двигунів, у замкнених системах
електроприводів змінного струму для різноманітних виконавчих механізмів, для
регулювання потужності нагрівальних та освітлювальних установок і т. д.
Імпульсні перетворювачі напруги мають такі п е р е в а г и : високий ККД,
незначна чутливість до коливань температури, малі габарити та маса, постійна готовність
до роботи. До їх н ед ол і к і в слід віднести необхідність установлення вихідних фільтрів,
що збільшує інерційність пристрою, та високі швидкості перемикання ключів, що
спричинює виникнення перенапруг у схемі та створення радіоперешкод.
Роль ключів в ІПН можуть виконувати повністю керовані вентилі
(двоопераційні тиристори, транзистори, IGBТ-транзистори) або одноопераційні тиристори
з вузлами примусової комутації. При розробці сучасних ІПН перевага віддається ключам,
виконаним на повністю керованих вентилях.

Т6.4 Нереверсивні імпульсні перетворювачі постійної

напруги на повністю керованих вентилях

 Вихідна напруга ІПН постійного струму являє собою послідовність
однополярних імпульсів напруги прямокутної форми з тривалістю tімп і паузою між ними
tп. Сума цих часів становить період проходження імпульсів вихідної напруги Т = tімп + tп
співвідношення між ними впливає на значення вихідної напруги Uвих = Uн. Форма
вихідного струму і„ залежить від характеру навантаження. При R-L навантаженні
вихідний струм складається з ділянок експонент.
За способом вмикання ключа та дроселя фільтра ІПН поділяють на три типи.
У перетворювачах першого типу ключ і дросель вмикаються послідовно з навантаженням.
У перетворювачах другого типу дросель вмикається послідовно, а ключ — паралельно до
навантаження. У перетворювачах третього типу дросель підмикається паралельно до
навантаження, а ключ — послідовно з ним.
Схему перетворювача першого типу та
часові діаграми для нього наведенона
рисунку 6.12, а, б відповідно.

Рисунок 6.12- Перетворювач з послідовним

вммиканням ключа, дроселя і навантаження.
У перетворювачі, зображеномуна рисунку 6.12, а, роль ключа К виконує двоопе-
раційний тиристор VS, а діод VD (зворотний), шо шунтує навантаження Rн÷Lн, необхідний
для забезпечення протікання струму в навантаженні тоді, коли ключ VS закритий і
проходить розряд електромагнітної енергії, накопиченої в індуктивності LH. За значної
індуктивності та великого струму навантаження останній матиме неперервний характер.
Є два основні способи регулювання вихідної напруги ІП: широтно-імпульсний та
частотно-імпульсний. Іноді використовується й комбінація цих двох способів.
Широтно-імнульсне регулювання (ІІІІР) характеризується тим, що середнє
значення вихідної напруги змінюється за рахунок співвідношення між tімп і tп при Т= const,
тобто при постійній частоті комутації ключа tімп і паузою між ними tп =1/7= const.
Частотно-імнульсне регулювання (ЧІР) характеризується тим, що ширина
імпульсу (або паузи) залишається сталою (tімп = const), а частота слідування імпульсів fімп =
1/ Т= var.
Метод ЧІР має низку н е д о л і к і в : частота fімп повинна змінюватися в дуже
широких межах (від 0 до fmax); ускладнюється розрахунок згладжу вального дроселя, який
має працювати в цьому діапазоні частот; при низьких вихідних напругах (низьких
частотах) виникає небажаний режим переривчастих струмів. Тому, враховуючи ці
недоліки, перевагу віддають ІПН з ІІІІР при fімп = const.
 Перетворювач, в якого комутуючий елемент увімкнутий послідовно з
навантаженням, наприклад якорем двигуна постійного струму, називають послідовним
імпульсним перетворювачем, який забезпечує регулювання вихідної напруги (напруги на
якорі Uя) лише вниз від Ud. Машина М (рисунок 6.13, а) при цьому може працювати в
режимі двигуна й забезпечує характиристики в І квадранті (Uя> 0, Ія>0). При цьому для
такого навантаження може бути два режими: режим неперервних струмів та режим
переривчастих струмів. Перший режим є основним.
У п е р е т в о р ю в а ч а х д р у г о г о т и п у, коли ключовий елемент
вмикається паралельно до навантаження (паралельний імпульсний перетворювач),
можна дістати напругу на навантаженні Uн більшу від напруги живлення Ud. Схему
такого перетворювача наведено на рисунку 6.14, а .

Рисунок 6.13 - Імпульсний перетворювач послідовного типу.

Рисунок 6.14 -
Перетворювач з
паралельним
вмиканням
ключового
елемента і навантаження.
При відкритому ключі у дроселі VS протікає струм від джерела Ud в ньому
накопичується електромагнітна енергія, а напруга на навантаженні ZH у цей час дорів-
нює нулю. Після закриття енергія від дроселя передається в навантаження через діод
VD. При цьому напруга Ud та ЕРС самоіндукції дроселя е s діють спільно і створюють
струм Iн. Напруга на навантаженні стає тепер більшою від напруги джерела живлення
Ud (Uн>Ud).
Цей принцип використовується при рекуперативному гальмуванні машини,
яка живиться від ІП. Для цього двигун вмикається за схемою, зображеноюна рисунку
6.14,б. Тут роль джерела живлення при рекуперації виконує машина М з ЕРС Е м, а роль
 навантаження - мережа з напругою Ud до якої через діод VD прикладається на-пруга
Uн.

Напрям струму змінюється, а напруга Uн зберігає свій знак ( Uн= Uя > 0; Ія< 0),
тому передавання енергії йде тепер від машини до джерела живлення Ud. Для
забезпечення рекуперації енергії в мережу в міру гальмування машини й зменшення £ м,
потрібно підтримувати нерівність и„> і!ф зменшуючи (1 - є), тобто збільшуючи коефіцієнт
регулювання є' (збільшуючи інтервал провідності УЯ). Зовнішні характеристики машини
лежать тепер у II квадранті.
Т6.5 Перетворювачі частоти.

У сучасних електроприводах змінного струму з асинхронними та синхронними

двигунами найчастіше використовуються вентильні перетворювачі частоти.
Електроприводи з частотним регулюванням за своїми регулювальними властивостями не
поступаються електроприводам постійного струму, а за економічними та
масогабаритними показниками здебільшого переважають їх.
Сучасні перетворювачі частоти будуються на основі силових напівпровідникових
приладів, таких як тиристори (одно- та двоопераційні) й силові транзистори (в тому числі
ЮВТ-транзистори).
Схеми тиристорних перетворювачів частоти (ТПЧ) дуже різноманітні, й
застосування тієї чи іншої схеми визначається конкретними вимогами до привода
змінного струму.
За принципом роботи та побудовою силової частини ТПЧ поділяються на дві
групи: ТПЧ з безпосереднім зв'язком навантаження з мережею живлення та ТПЧ з
проміжною ланкою постійного струму.
До ТПЧ ставляться такі вимоги: надійність роботи та простота схеми, високий
ККД, мінімальна потужність встановленого обладнання, широкий діапазон незалежного
регулювання вихідної напруги та частоти, можливість працювати в режимі холостого
ходу, стабільність вихідної напруги при дії зовнішніх чинників, можливість рекуперації
енергії в гальмівних режимах та близька до синусоїдної форма напруги.

Т6.5.1 Тиристорні перетворювачі частоти з безпосереднім зв'язком.

ТПЧ з безпосереднім зв'язком (БПЧ), які ще називають цикло-конверторами,

одноступінчасто перетворюють напругу живлення з частотою f = 50 Гц на напругу з
частотою f2. При цьому є основним недоліком цього виду перетворювачів частоти.
 Силова частина БПЧ по суті не відрізняється від силових кіл двокомплектних
реверсивних ТП постійного струму. Змінний струм у навантаженні створюється
почерговим відкриттям тиристорних груп із певною частотою.
Оскільки БПЧ будуються на основі схем реверсивних ТП, то їхні динамічні
властивості здебільшого відповідають властивостям реверсивних двокомплектних ТП,
викладеним вище.

Т6.5.2 Перетворювачі частоти з проміжною ланкою постійного струму.

Перетворювачі частоти з проміжною ланкою постійного струму (ПЧ з ЛПС)

поєднують у собі випрямляч змінної напруги мережі (f = const) в постійний струм та
автономний інвертор АІ, що здійснює перетворення постійної напруги на змінну напругу
іншої частоти f2, яка може бути сталою або регульованою. Між випрямлячем та
інвертором вмикається згладжувальний L- або LС- фільтр. Залежно від типу випрямляча
та інвертора ПЧ з ЛПС поділяються на ТПЧ з керованим та некерованим випрямлячем, з
автономним інвертором струму або напруги.
Якщо випрямляч керований, то функцію регулювання напруги на виході ТПЧ
виконує випрямляч, а функцію регулювання частоти - автономний інвертор АІ. У випадку
некерованого випрямляча обидві функції виконує автономний інвертор.
Блок-схема ПЧ з ЛПС (рисунок 6.15) містить випрямляч В, автономний
інвертор АІ, фільтр Ф, систему керування випрямлячем СКВ, систему керування
автономним інвертором СКАІ.

Рисунок 6.15 – Структурна схема ПЧ з ЛПС.

Випрямляч В може бути складений за будь-якою нереверсивною схемою ТП,
але перевага віддається трифазним мостовим схемам випрямлення, що забезпечує менші
габарити фільтра. В разі некерованого випрямляча блок СКВ відсутній. Схеми АІ, які
найчастіше використовують у ПЧ з ЛПС, розглядатимуться нижче.
Роль СКВ така сама, як і роль СІФК у ТП постійного струму, а призначення
СКАІ полягає в тому, щоб забезпечити заданий алгоритм вмикання вентилів інвертора та
тривалість роботи кожного з них, що дає змогу регулювати частоту а в ПЧ з некерованим
випрямлячем СКАІ, крім того, реалізує ще спосіб регулювання значення вихідної
напруги. ПЧ з ЛПС дають змогу регулювати вихідну частоту в широких межах (як вверх,
так і вниз від частоти мережі живлення), а також значення вихідної напруги від нуля до
максимуму.
Недоліком ПЧ з ЛПС є подвійне перетворення електричної енергії, що знижує
ККД перетворювача та збільшує його масогабаригні показники.

Автономні інвертори працюють на автономне (не пов'язане з мережею

живлення) навантаження. Залежно від характеру електромагнітних процесів, які відбува-
ються в автономних інверторах, їх поділяють на автономні інвертори напруги, струму та
резонансні. У перетворювачах частоти для електроприводів змінного струму
застосовуються автономні інвертори напруги (АІН) та автономні інвертори струму (АІС).
Резонансні інвертори (АІР) застосовуються переважно в електротермії.
Схеми силових кіл ТПЧ аналогічні нереверсивним схемам ТП постійного
струму. Найчастіше в ТПЧ застосовуються однофазні (для малих потужностей) та
трифазні (для середніх та великих потужностей) мостові схеми. Далі зупинимося на АІН
та АІС із застосуванням мостових схем.
Автономні інвертори з ланкою постійного струму. До автономних інверторів
висувають наступні вимоги:
● комутація повинна бути стійкої при будь-якій частоті й будь-якому
навантаженню на валу, тому слід вибирати такі схеми автономних
інверторів, у яких частота, значення й характер навантаження мало
впливають на комутаційну здатність;
● відхилення форми вихідної напруги перетворювача від синусоїдальної
повинне бути мінімальним, тому що наявність вищих гармонік
приводить до підвищених втрат у двигуні й до нерівномірного ходу
двигуна на нижній межі частоти.
Коли двигун працює в дуже вузькому діапазоні зміни частоти або засто-
совується автономний інвертор із широтно-іпульсним регулюванням вихідної напруги,
можна випрямляч виконувати на нерегульованих вентилях. В інших випадках випрямляч
виконують регульованим на тиристорах з різними схемами фазового або широтно-
імпульсного керування напругою.
Запитання для самоконтролю до теми 6

1.Приведіть класифікацію напівпровідникових перетворювачів ( НП) та поясніть основні

особливості кожного типу.
2. Дайте визначення вирямлячів, приведіть основні схеми, охарактеризуйтеособливості
побудови та застосування.
3. Для керованих випрямлячів ( КВ) приведіть їх класифікацію, вкажіть особливості
застосування, недоліки та переваги кожної з схем.
4. Приведіть сасові діаграми випрямленної ЕРС та струмів для ідеальної 3-х фазної
схеми випрямляча.
5. Поясніть роботу однофазних симетричних та несиметричних КВ. Вкажіть недоліки
та переваги кожного різновиду.
6.Для багатофазних НП приведіть схеми, вкажіть особливості засосування, переваги
та недоліки кожної.
7. Привеліть порядок комутації тиристорів симетричної схеми мостового КВ.
8. Пояснітьнеобхідність засосування інверторного режиму роботи КВ та його
відмінність від випрямного режиму.
9. Наведіть схеми реверсивних тиристорних КВ, охарактеризуйте особливості
роботисхем при роздільному та сумісному керуванні.
10. Поясніть поботу імпульсних перетворювачів напруги постійного струму
послідовного та паралельного типу, виконаних на повністю керованих ветилях.
11. Порівняйте схеми, особливості побудови, функціонування та застосування
перетворювачів з беспосереднім звязком та проміжною ланкою постійного струму.

ЧАСТИНА 3.
Т7. МІКРОСХЕМОТЕХНІКА АНАЛОГОВИХ ПРИСТРОЇВ.
Мікросхемотехніка – розділ електроніки предмет якого складають
принципи і прийоми побудови інтегральних мікросхем (ІМС), способи їх
застосування та експлуатації. ІМС - це мікроелектронний виріб, що виконує
певну функцію перетворення і обробки електричних сигналів, має високу
щільність пакування електрично з'єднаних елементів (більше ніж 5 елементів
на 1 см3, може досягати кількості сотень і навіть тисяч елементів на 1 см 3 ) і з
точки зору виготовлення і експлуатації розглядається ж єдине ціле, що
складається, у свою чергу, з елементів і компонентів. ІМС притаманні:
висока надійність, малі габарити (розміри і вага), низьке енергоспоживання.
Т7.1 Аналогові перетворювачі електричних сигналів.
Аналогові перетворювачі (AП) - це функціонально закінчені
електронні пристрої, які здійснюють обробку електричних сигналів, що
послідовно й плавно змінюються в часі, називається . Загалом такі пристрої
характеризуються коефіцієнтом перетворення Кпер = Авих / Ввх , де Ввх
- вхідний електричний сигнал; Авих - вихідний (загалом можливо
неоднорідний з вхідним) електричний сигнал.
За функціональним призначенням АП поділяються на:
а) підсилювачі електричних сигналів - електронні пристрої, які забез-
печують збільшення енергії підсилювальних сигналів без помітних
спотворень їхньої форми;
б) перетворювачі аналоових електричних сигналів ( ПАЕС) -
електронні пристрої, які забезпечують лінійні або нелінійні
перетворення електричних сигналів.
в) аналогові електронні ключі - електронні пристрої, які забезпечують
замикання або розмикання ланцюгів протікання струму
електричних сигналів;
Лінійні ПАЕС мають лінійну амплітудну характеристику, тобто
їхній коефіцієнт перетворення не залежить від амплітуди вхідного сигналу.
До лінійних перетворювачів електричних сигналів належать:
• Масштабні підсилювачі - це підсилювачі електричних сигналів з
нормованим коефіцієнтом підсилення Кп. У підсилювачах вхідний та
вихідний сигнали однорідні
Uвux = Kn-Uвx.
• Лінійні перетворювачі струм-напруга та напруга-струм.
Перетворювач струм-напруга - цс електронний пристрій, вихідна напруга
якого пропорційна вхідному струму й не залежить від опору навантаження
Uвux = Кпсн • lвx. Перетворювач напруга-струм - це електронний
пристрій, вихідний струм якого пропорційний вхідній напрузі й не залежить
від опору навантаження Івих - Кпнс • Uвx.
• Конвертори опорів - це електронні пристрої, що створюють ефект
ціле-спрямованої зміни (конверсії) опору електричного ланцюга.
• Фазозсуваючі пристрої - це електронні пристрої, що забезпечують зсув
фази вихідного сигналу відносно фази вхідного сигналу.
 • Інтегруючі пристрої - це електронні пристрої, вихідна напруга яких
пропорційна інтегралу в часі від вхідної напруги відповідно
Uввихін = Ud dux(0) + Кінт • ∫ Uв вx(t)dt.
· Диференціюючі пристрої - це електронні пристрої, вихідна напруга
яких пропорційна похідній від вхідної напруги
Ueux(t) = Мдиф dUвх/dt.
· Активні фільтри - це підсилювачі електричних сигналів, що мають
вибіркові якості за частотою.
· Магнітоелектричні перетворювачі електричних сигналів - це
пристрої, що складаються з магнітних й електричних компонент, які
визначально впливають на їхні характеристики.
Нелінійні перетворювачі електричних сигналів мають коефіцієнт
перетворення, який суттєво залежить від амплітуди вхідного сигналу. їхня
амплітудна характеристика суттєво нелінійна (рисунок 7.1).

Рисунок 7.1 - Амплітудні характеристики перетворювачів

електричних сигналів.

Нелінійними перетворювачами електричних сигналів є:

1.Підсилювачі з нелінійною амплітудною характеристикою (ло
гарифммічною, антилогарифмічною, квадратичною та інші).
2.Амплітудні обмежувачі (просто обмежувачі) електричних
сигналів - цс функціональні перетворювачі, вихідна напруга яких
пропорційна вхідній до певного значення, а при досягненні цього
значення (яке називається рівнем обмеження) залишається
незмінною.
3.Перемножувачі сигналів та пристрої виконання математичних
операцій
 (добування кореня, ділення сигналів та ін.).
4.Детектори електричних сигналів (лат. detektor - розкриваючий)
- це елек
тронний пристрій, вихідний сигнал якого пропорційний значенню
певного па-
раметра вхідного сигналу.
Гармонічний сигнал характеризується такими параметрами:
амплітуда фаза та частота. Тому розрізняють такі детектори:
- амплітудний детектор - електронний пристрій, вихідний сигнал
якого (напруга чи струм) пропорційний амплітуді вхідного
сигналу (напруги чи струму);
- частотний детектор - електронний пристрій, вихідна напруга
якого пропорційна частоті (чи відхиленню частоти від певного
значення) вхідного сигналу;
- фазовий детектор - електронний пристрій, вихідна напруга якого
пропорційна зсуву фаз між вхідним і опорним (еталонним)
сигналом;
- часовий детектор - електронний пристрій, що формує вихідну
напругу пропорційну зміщенню в часі двох сигналів.
Частотний, фазовий та часовий детектори ще називаються
відповідно дискримінаторами, тобто розрізнювачами.

Т7.2 Загальна характеристика та параметри

операційних підсилювачів.

ОПЕРАЦІЙНИМ ПІДСИЛЮВАЧЕМ (ОП) називають підсилювач

електричних сигналів, призначений для виконання різноманітних операцій
над аналоговими й імпульсними сигналами при роботі зі зворотними
зв'язками.

Перший ламповий ОП K2W був розроблений в 1942 році Л.Джули

(США). Він містив два подвійних электровакуумных тріоди. Перші ОП
являли собою громіздкі й дорогі пристрої. Із заміною ламп транзисторами
операційні підсилювачі стали менше, дешевше, надійніше, і сфера їхнього
застосування розширилася. Перші операційні підсилювачі на транзисторах
з'явилися в продажі в 1959 році. Р.Малтер (США) розробив ОП Р2, що
включав сім германійових транзисторів і варікапний місток. Вимоги до
збільшення надійності, поліпшенню характеристик, зниженню вартості й
розмірів сприяли розвитку інтегральних мікросхем, які були винайдені в
лабораторії фірми Texas Instruments (США) в 1958 р. Перший інтегральний
ОП μа702, що мав ринковий успіх, був розроблений Р.Уидларом (США) в
1963 році. У цей час номенклатура ОП нараховує сотні найменувань. ОП
випускаються в інтегральному виконанні, в малогабаритних корпусах і мають
низьку вартість, що сприяє їхньому масовому поширенню.
ОП являють собою підсилювачі постійного струму з низькими
значеннями напруги зсуву нуля й вхідних струмів і з високим коефіцієнтом
підсилення. По розмірах і ціні вони практично не відрізняються від окремого
транзистора. У той же час, перетворення сигналу схемою на ОП майже
винятково визначається властивостями ланцюгів зворотних зв'язків
підсилювача й відрізняється високою стабільністю й відтворюваністю. Крім
того, завдяки практично ідеальним характеристикам ОП реалізація різних
електронних схем на їхній основі виявляється значно простіше, ніж на
окремих транзисторах. Тому операційні підсилювачі майже повністю
витиснули окремі транзистори як елементи схем ("цеглинки") у багатьох
областях аналогової схемотехніки.
В даний час промисловість випускає операційні підсилювачі в
інтегральному виконанні, побудовані у вигляді підсилювачів постійного
струму зі зворотнім зв’язком.
Основу ОП складають диференціальні каскади , перший каскад
забезпечує коефіцієнт підсилення, що досягає кількох сотень тисяч і одиниць
мільйонів. Вхідний каскад , у якому часто використовуються польові
транзистори, забезпечує вхідні характеристики ОП, зокрема його високий
вхідний опір. Вихідним каскадом є безтрансформаторний двотактний
підсилювач потужності (емітерний повторювач, який працює в класі
підсилення В або АВ). Він служить для узгодження високого вихідного опору
першого диференціального каскаду ОП з низькоомним навантаженням, що
досягається за рахунок низького вихідного опору ОП. Крім того, до складу
сучасних ОП входять ланцюги захисту входу від перенапруг і виходу від
перевищення вихідного струму.
В даний час операційні підсилювачі, що виготовляються по
інтегральній технології, є самими універсальними і масовими аналоговими
пристроями. ОП широко застосовуються не тільки в підсилювачах, але також
при побудові аналогових обчислюючих пристроїв, різноманітних
генераторів, перетворювачів, стабілізаторів напруги, компараторів, джерел
еталонних напруг, активних фільтрів, електронних ключів і т.д.
Широкі функціональні можливості при порівняно невеликому числі
стандартних типів ОП, що серійно випускаються промисловістю,
досягаються за рахунок застосування різноманітних зовнішніх ланцюгів в
зворотніх зв'язках. ОП спроможні працювати в діапазоні температур від –60°
6
до +125°С. Вони мають коефіцієнт підсилення 10 і більше при підсиленні
сигналів з частотами від нуля до одиниць мегагерц. Надійність операційного
підсилювача, що включає в себе декілька сотень елементів і більш, відповідає
надійності окремого транзистора. Це забезпечується інтегральною
технологією, при використанні якої всі елементи (транзистори, діоди,
резистори й ін.) і з’єднання між ними виготовляються в єдиному
технологічному циклі . На рисунку 7.2 приведені еквівалентні умовні
 Рисунок 7.2 – Умовні графічні позначення ОП на принципових
схемах електронних пристроїв.
Перевага надається зображенням ОП з прямокутниками

Позначення операційних підсилювачів з різними рівнями деталізації

зображень: - спрощене без показу ланцюгів корекції напруги зсуву (7.2.а),
частотної корекції (7.2.b) та виводів живлення (7.2.а); - повне (7.2,c; 7.2,d) на
якому показують тільки виводи вмикання зовнішніх ланцюгів частотної
корекції( FCn) та зсуву нуля (FNm), де n =2,3,4; m=2,3,4 – кількість допо-
міжних електродів відповідної корекції.
ОП мають два входи і один вихід. При цьому вихідна напруга ОП
знаходиться в фазі і співпадає по знаку з вхідною напругою, якщо остання
подається на так званий НЕІНВЕРТУЮЧИЙ вхід який позначають як
показано на рисунку 7.3.а .Якщо полярності сигнали входу і виходу не
співпадають, то вхідний сигнал подано на ІНВЕРТУЮЧИЙ вхід (рисунок
7.3.б.) . Виводи, до яких підключаються джерела напруги живлення U+ і U - ,
а також допоміжні ланцюги на принципових схемах які є типовими для ОП
даного типу звичайно не позначають.

На рисунку 7.3.в зображена одна з найважливіших - СТАТИЧНА харак-

теристика ОП. Вона встановлює залежність Uвых = f(U вх) при нульовій частоті. Крива 1
відповідає подачі вхідної напруги на вхід , що інвертує, крива 2- на вхід , що не інвертує.
Ці характеристики одержують при подачі вхідної напруги на один із входів при
відсутності напруги на іншому вході. Похилі лінійні ділянки характеристик підкреслюють
лінійність залежності Uвих.= f (U вх ) Горизонтальні ділянки - відповідають режиму роботи
ОП, при якому вхідна напруга виходить за межі лінійних передавальних характеристик.
Максимальні амплітуди вихідних напруг +Uвих.max і -U вих. max які характеризують ці
ділянки, звичайно на 1-2 В менше напруги живлення.

7.2.1 Основні параметри ОП.

При розробці схем аналогових пристроїв на ОП вибір типу підсилювача та
розрахунок необхідних параметрів схеми виконуються з застосуванням довідкових да-
них про їх статичні та динамічні параметри основними з яких є :
7.2.2 Параметри статичних режимів.
КОЕФІЦІЄНТ ПІДСИЛЕННЯ Кu . Являє собою відношення приросту вихідної
напруги до обумовившому його приросту вхідної напруги. Сучасні ОП мають Кu при
нульовій частоті досягає значень від десятків і сотень тисяч, до декількох мільйонів. По
куту нахилу лінійної ділянки амплітудної характеристики визначають коефіцієнт
підсилення.
Коефіцієнт підсилення ОП залежить від стабільності напруги живлення, струму
навантаження підсилювача, температури навколишнього середовища. З цієї причини ОП
(за винятком компараторів) не застосовуються без ланцюгів зовнішніх зворотних зв'язків,
що обмежують та стабілізують коефіцієнт підсилення.
НАПРУГА ЗСУВУ Есm. Визначається вхідною напругою , при якому вихідна
напруга дорівнює нулю (рисунок 7.3). Напруга зсуву з’являється внаслідок розкиду
параметрів транзисторів ОП або змін режимів роботи вхідних транзисторів за рахунок
неузгодженостей у вхідних ланцюгах ОП. Звичайно в ОП широкого застосування Ecm
=(5÷20 ) мB. Напруга зсуву залежить від температури і напруги джежела живлення. Зміна
Ecm у залежності від температури для ОП широкого застосування складає приблизно 50
мк/град. Для усунення напруги зсуву на вході ОП вводять спеціальні електричні ланцюги.
ВХІДНИЙ СТРУМ I вх. Це струм у вхідному ланцюзі ОП , що може скласти 0-
100 мкА. Його необхідно враховувати при підключенні до обом входів ОП зовнішніх
електричних ланцюгів. Якщо опори зовнішніх електричних ланцюгів по інвертуючому та
неінвертуючому входах неоднакові, то різниця падінь напруг на них викликає додаткові
напруги, що складаються з напругою зсуву. Для виключення цього недоліку опори
ланцюгів живлення виконують рівними.
ВХІДНИЙ ОПІР R вх. Розрізняють вхідні опори для диференціального сигналу (R
вх. д. ) і синфазного сигналу (R вх. сф) . Структуру зв’язку вхідних ланцюгів ОП показано
на схемі заміщення ОП (рисунок 7.4). Для одержання великого вхідного опору
перший каскад ОП виконують на польових транзисторах. Серійно випускаємі ОП
 мають величину Rвх. д. від декількох кілоом для підсилювачів на біполярних тран-
зисторах до декількох одиниць і десятків мОм для ОП на польових транзисторах при
R вх.сф > 100 мОм.
Для аналізу роботи ОП часто користуються схемою заміщення, зображеною на
рисунку4. Вхідна частина схеми заміщення визначається вхідним диференціальним
опором R , а вихідна частина містить джерело ЕРС К u(Uвх2-Uвх1) і резистивний
вх. д.

елемент з опором Rвих. Для зручності розрахунків пристроїв на ОП вводять поняття

ідеального ОП в якому:
- коефіцієнт підсилення є безкрайнім в нескінченно широкій смузі частот ;
-вхідний диференціальний опір R вх.д. наближається до безкрайності ;
-вихідний опір Rвих наближається до нуля;
-вихідна напруга дорівнює нулю при нульовій вхідній напрузі .

Рисунок 7.4- Схема заміщення ОП при роботі з вхідними сигналами

постійного струму.

ВИХІДНИЙ ОПІР Rвих. – це опір, вимірюваний з боку навантаження. Він

являє собою опір вихідних каскадів ОП , побудованих на емітерних повторювачах.
Величина цього опору складає Rвых.=20÷2 000 Ом. Підсилення сигналів різно-
манітних частот визначається амплітудно-частотною характеристикою (рисунок 7.
6.а), а підсилення імпульсних (звичайно прямокутних) сигналів - швидкістю зміни
вихідної напруги (рисунок 7.5,б), яка визначається виразом: V = U / t .

7.2.3 Динамічні параметри ОП

ЧАСТОТА ЗРІЗУ Fср , значення якої відповідає зниженню модуля коефіцієнта
підсилення ОП в √2 раз (3 дб );
ЧАСТОТА ОДИНИЧНОГО ПІДСИЛЕННЯ Fт , при якій модуль коефіцієнта
підсилення ОП зменшується до одиниці (для сучасних ОП f Т =15-20 мГц);
 Рисунок 7.5 – Амплітудно-частотна (а) та перехідна (б) характеристика ОП.
МАКСИМАЛЬНА ШВИДКІСТЬ НАРОСТАННЯ ВИХІДНОЇ НАПРУГИ V u
вих, що визначає найбільшу швидкість зміни вихідної напруги ОП (рисунок7.5, б) при
впливі прямокутного вхідного імпульсу; швидкість наростання визначається як
відношення Uвих. до t (для сучасних ОП V u вх = 0. 1÷100 В/мкс);
ЧАС ВСТАНОВЛЕННЯ t вуст , що визначає зміну вихідної напруги ОП від рівня
0.1 (рисунок 7.5.б) до рівня 0.9 від сталої вихідної напруги при впливі на вхід
прямокутного імпульсу (для ОП широкого застосування t вуст. = 0. 05-2 мкс). Однією з
важливих властивостей ОП є послаблення синфазних сигналів. ОП характеризується
коефіцієнтом послаблення синфазних сигналів до К ос. сф. = 20 lg (К /К u ) (для ОП
загального призначення К ос. сф. =(70÷120 ) дб). На рисунку 7.6 дане схемне позначення
операційного підсилювача. Вхідний каскад його виконується у вигляді диференціального
підсилювача, так що операційний підсилювач має два входи. Надалі будемо, при не-
обхідності, позначати, що не інвертуючий вхід, буквою p (positive - позитивний), а
інвертуючий - буквою n (negative - негативний). Вихідна напруга Uвих перебуває в одній
фазі з різницею вхідних напруг:
Uвых = U1 - U2

Рисунок 7.6 - Умовне графічне позначення ОП.

Щоб забезпечити можливість роботи операційного підсилювача як з позитивними,

так і з негативними вхідними сигналами, варто використовувати двухполярну напругу
живлення. Для цього потрібно передбачити два джерела постійного струму, які, як це
показано на рисунку7.6, підключаються до відповідних зовнішніх виводів ОП. Звичайно
інтегральні ОП працюють з напругою живлення +/-15В. Надалі, розглядаючи схеми на ОП,
ми, як правило, не будемо вказувати виводи живлення. Нарешті, дуже важлива
обставина: операційний підсилювач майже завжди охоплений глибоким негативним
зворотним зв'язком, властивості якої й визначають властивості схеми з ОП. Принцип
введення негативного зворотного зв'язку ілюструє рисунок 7.7.
Частина вихідної напруги вертається через ланцюг зворотного зв'язку до входу
підсилювача. Якщо, як це показано на рисунку 7.7, напруга зворотного зв'язку відні-
мається із вхідної напруги, зворотний зв'язок називається негативним. Для фізичного
аналізу схеми, представленої на рисунку 7.7, допускаємо припущення, що вхідна напруга
змінилася від нуля до деякого позитивного зна чения Uвх. У перший момент вихідна
напруга Uвых, а отже, і напруга зворотного зв'язку ΔUвых також дорівнюють нулю. При
цьому напруга, прикладена до входу ОП , складе Uд = Uвх. Тому що ця напруга
підсилюється підсилювачем з більшим коефіцієнтом підсилення KU, то величина Uвих

Рисунок 7.7 - Принцип негативного зворотнього зв'язку.

швидко зросте до деякого позитивного значення й разом з нею зросте також величина
ΔUвых. Це приведе до зменшення напруги Uд, прикладеного до входу підсилювача. Той
факт, що вихідна напруга впливає на вхідну напругу, причому так, що цей вплив
спрямований убік, протилежний змінам вхідної величини і є прояв негативного зворотного
зв'язку. Після досягнення стійкого стану вихідна напруга ОП :

Uвих =KUUд =KU(Uвх - βUвих).

Вирішивши це рівняння відносно Uвых, одержимо:
K=Uвих /Uвх =KU/(1 + βKU) (7.1)
Таким чином, із цього співвідношення треба, що коефіцієнт підсилення ОП зі
зворотним зв'язком визначається майже винятково тільки зворотним зв'язком і мало
залежить від параметрів самого підсилювача. У найпростішому випадку ланцюг
зворотного зв'язку являє собою резистивний дільник напруги. При цьому схема з ОП
працює як лінійний підсилювач, коефіцієнт підсилення якого визначається тільки
коефіцієнтом ослаблення ланцюга зворотного зв'язку. Якщо як ланцюг зворотного зв'язку
застосовується RC-ланцюг, то утвориться активний фільтр. Нарешті, включення в ланцюг
зворотного зв'язку ОП діодів і транзисторів дозволяє реалізувати нелінійні перетворення
сигналів з високою точністю.

7.2.4 Ідеальний операційний підсилювач.

Для з'ясування принципів дії схем на ОП й наближеного їхнього аналізу
виявляється корисним увести поняття ідеального операційного підсилювача. Будемо
називати ідеальним операційний підсилювач, що має наступні властивості:
 нескінченно великий диференціальний коефіцієнт підсилення по напрузі
KU= ΔUвих /Δ(U1 - U2) (у реальних ОП від 1 тис. до 100 млн.);
 нульова напруга зсуву нуля Uсм, тобто при рівності вхідних напруг вихідна напруга
дорівнює нулю (у реальних ОП Uсм, наведене до входу, перебуває в межах від 5 мкВ
до 50 мВ);
 нульові вхідні струми (у реальних ОП від сотих часток па до одиниць мкА);
 нульовий вихідний опір (у реальних малопотужних ОП від десятків Ом до
одиниць кОм);
 коефіцієнт підсилення синфазного сигналу дорівнює нулю;
 миттєвий відгук на зміну вхідних сигналів (у реальних ОП час установлення
вихідної напруги від одиниць наносекунд до сотень мікросекунд).
Операційний підсилювач, призначений для універсального застосування, з
міркувань стійкості повинен мати таку ж частотну характеристику, що й фільтр нижніх
частот першого порядку (інерційна ланка), причому ця вимога повинне задовольнятися

принаймні аж до частоти одиничного посилення fт, тобто такої частоти, при якій |KU| =1.
На рисунку 7.8 представлена типова логарифмічна амплітудно-частотна
характеристика (ЛАЧХ) скомпенсованого операційного підсилювача.
 Рисунок 7.8 - Типова ЛАЧХ операційного підсилювача

Вище частоти fп, що відповідає границі смуги пропущення на рівні 3 дБ, модуль
коефіцієнта підсилення KU обернено пропорційний частоті. Таким чином, у цьому
діапазоні частот виконується співвідношення
|KU| f = |KU| fп = fт
На частоті fт модуль диференціального коефіцієнта підсилення |KU| = 1. Як
треба з останнього вираження, частота fт дорівнює добутку коефіцієнта підсилення на
ширину смуги пропущення.

7.3 Загальна теорія побудови схем на ОП.

7.3.1 Диференціальне включення ОП.

На рисунку 7.9 наведена схема диференціального включення ОП. Знайдемо
залежність вихідної напруги ОП від вхідних напруг. Внаслідок властивості а) ідеального
операційного підсилювача різниця потенціалів між його входами p і n дорівнює нулю.
Співвідношення між вхідною напругою U 1 і напругою Up між входом, що не інвертує, і
загальною шиною визначається коефіцієнтом розподілу дільника на резисторах R3 і R4:

Up = U1R4/(R3+R4) (7.3)

Рисунок 7.9 - Диференціальне

включення ОП.

Оскільки напруга між

входом, що інвертує, і
загальною шиною Un = Up, струм I1 визначиться співвідношенням:

I1 = (U2 - Up) / R1 (7.4)

Внаслідок властивості ідеального ОП I1=I2. Вихідна напруга підсилювача в такому

випадку дорівнює:
 Uвих = Up - I1R2 (7.5 )

Напруга на виході ОП
(7.6)

При виконанні співвідношення R1R4 = R2R3,

Uвих = (U1 - U2)R2 / R1 (7.7)

Примітка 1: Неважко переконатися, що співвідношення (7.6 ), (7.7 ) справедливі й

у випадку, якщо замість резисторів R1 і R2 включені двухполюсники, що містять у
загальному випадку конденсатори й котушки індуктивності, з операторним вхідним
опором, відповідно, Z1(s) і Z2(s).
7.3.2 Інвертуюче включення ОП
При включенні, що інвертує, що не інвертує вхід ОП з'єднується із
загальною шиною (рисунок7.10).

(7.8)

Рисунок 7.10 - Інвертуюче включення ОП .

Таким чином, вихідна напруга підсилювача при інвертуючому включенні

перебуває в протифазі стосовно вхідної. Коефіцієнт підсилення вхідного сигналу по
напрузі цієї схеми залежно від співвідношення опорів резисторів може бути як більше, так
і менше одиниці.
 Знайдемо вхідний опір схеми. Оскільки напруга на не інвертуючому вході, щодо
загальної шини дорівнює нулю, відповідно до властивості ідеального ОП вхідний струм
схеми I1 = U2 / R1. Отже, вхідний опір схеми Rвх = R1. Оскільки напруга на не інвертуючому
вході підсилювача дорівнює нулю, а відповідно до властивості ідеального ОП різниця
потенціалів між його входами дорівнює нулю, то інвертуючий вхід у цій схемі іноді
називають віртуальним (тобто уявлюваним) нулем.

7.3.3 Не інвертуюче включення ОП.

При такому включенні вхідний сигнал подається на не інвертуючий вхід ОП, а

на інвертуючий вхід, через дільник на резисторах R1 і R2 надходить сигнал з виходу
підсилювача (рисунок 7.11). Тут коефіцієнт підсилення схеми K знайдемо, поклавши в
(7. ) U2 = 0, R3 = 0, R4 нескінченно велике. Одержимо:

Рисунок 7.11 - Неінвертуючий ОП.

Як видно, тут вихідний сигнал синфазний вхідному.

Коефіцієнт підсилення по напрузі не може бути менше
одиниці. У граничному випадку, якщо вихід ОУ накоротко з'єднаний із входом, що
інвертує, цей коефіцієнт дорівнює одиниці. Такі схеми називають не повторювачами, що
інвертують, і виготовляють серійно у вигляді окремих ІМС по кілька підсилювачів в
одному корпусі. Вхідний опір цієї схеми в ідеалі - нескінченно. Нижче буде показано, що в
повторювача на реальному операційному підсилювачі цей опір звичайно, досить великий.

7.3.4 Внутрішня структура операційних підсилювачів.

Для достатньої стійкості й виконання математичних операцій над сигналами з

високою точністю реальний операційний підсилювач повинен мати наступні властивості:
1. високим коефіцієнтом підсилення по напрузі, у тому числі й по постійному;
2. малою напругою зсуву нуля;
3. малими вхідними струмами;
4. високим вхідним і низьким вихідним опором;
5. високим коефіцієнтом ослаблення синфазної складової ;
6. амплітудно-частотною характеристикою з нахилом в області високих частот
-20дб/дек.
ОП повинен бути підсилювачем постійного струму (ППС) з високим
коефіцієнтом підсилення по напрузі й, отже, містити кілька каскадів підсилення напруги.
Як буде показано нижче, з ростом числа каскадів посилення напруги збільшується
небезпека порушення стійкості ОП зі зворотними зв'язками й ускладнюються ланцюги
корекції. Навіть підсилювачі із трьома каскадами посилення напруги (наприклад, 140УД2,
153УД1, 551УД1) мають складні схеми включення, і розроблювачі намагаються їх не
застосовувати. Це викликає необхідність застосування підсилювальних каскадів з дуже
високим коефіцієнтом підсилення по напрузі. Більші труднощі проектування підси-
лювачів постійного струму зв'язані також зі зсувом нуля ОП.
Зсув нуля ОП проявляється в тім, що при вхідній диференціальній напрузі, рівній
нулю, вихідна напруга не дорівнює нулю. Звичайно визначають зсув нуля, наведений до
входу, як таку диференціальну напругу, яку потрібно прикласти до входу підсилювача,
щоб його вихідна напруга дорівнювала б нулю. Зсув нуля по суті є адитивною
погрішністю виконання математичних дій ОП над вхідними сигналами. Зсув нуля може
мати істотні температурний і часовий дрейфи. Операційні підсилювачі на дискретних
транзисторах мали незадовільний зсув нуля, пов'язаний з неідентичністю транзисторів.
Тільки застосування й удосконалення інтегральної технології, що дозволила виготовляти
парні транзистори диференціального каскаду в єдиному виробничому циклі й на відстані
кілька мікронів друг від друга, привело до істотного зниження зсуву нуля й дрейфів.
Блок-схема операційного підсилювача, у великій мірі задовольняючим вимогам,
пропонованим до ОП, наведена на рисунку 7.12.

Рисунок 7.12 - Блок-схема ОП.

Перший каскад визначає найважливіші точностные параметри ОП, такі, як

напруга зсуву нуля, коефіцієнт ослаблення синфазноїої тридцятилітньому, вхідні струми й
вхідний опір, тому він виконується за схемою диференціального підсилювача (рисунок
7.13).
 Рисунок 7.13 -Схема
найпростішого диференціального підсилювального каскаду.

Коефіцієнт підсилення по диференціальній напрузі каскаду визначається

вираженням:

,
де rэ - динамічний опір емітера транзистора.
Диференціальна напруга звичайно підсилюється таким каскадом не більш, ніж в 100 разів.
Для того, щоб визначити коефіцієнт підсилення синфазного сигналу, на
обидва входи підсилювача потрібно подати те саме напруга u вх. У цьому випадку обоє
транзистора зі своїми колекторними навантаженнями включені по суті паралельно.
Через резистор Rэ протікають обоє емітерних струми. Тому

опір rэ звичайно багато менший Rэ і ним зневажають. Коефіцієнт ослаблення синфазного

сигналу (КОСС) визначається відношенням
 7.3.5 Стандартна схема операційного підсилювача.
Операційні підсилювачі універсального застосування повинні
забезпечувати Тому вони значно більший диференціальний коефіцієнт підсилення,
чим здатний дати один каскад. будуються в основному по двухкаскадной схемі.
Спрощена схема "класичного" двухкаскадного ОП μА741 (повна схема включає 24
транзистора) наведена на рисунку 7.14. Вхідний каскад виконаний за схемою
диференціального підсилювача на p-n-p транзисторах Т 1 і Т2. Як навантаження
використане струмовим дзеркалом на n-p-n транзисторах Т 3 і Т4. Для вихідного
струму вхідного каскаду, отже, можна записати наступне співвідношення:Iд= Iк2 -Iк1

Рисунок 7.14 -
Спрощена схема двухкас кадного ОП
Завдяки тому, що вихідним сигналом диференціального каскаду є різницевий
струм, синфазні зміни колекторних струмів вхідних транзисторів взаємно компенсу-ються,
що значно послабляє синфазні вхідні сигнали.
Джерело струму емітерів виконане на транзисторі Т9. У деяких ОП
(наприклад, 140УД12) для цього також використовується струмове дзеркало, причому його
вхідний струм задається опором зовнішнього резистора й може їм програмуватися, що
дозволяє регулювати параметри ОП, зокрема, споживаний їм струм. Другий щабель
посилення утворить каскад із загальним емітером на транзисторі Т 6. Він має як
навантаження джерело струму на транзисторі Т 10. Для підвищення вхідного опору цього
каскаду на його вході включений
емітерний повторювач на транзисторі
Т5. Конденсатор Ск забезпечує
операційному підсилювачу частотну
характеристику виду, наведеного на
рисунку 7.15 емітерний повторювач
на транзисторах Т7, Т8. Напруга на ділянці ланцюга із двох послідовних діодів, включених
у прямому напрямку, забезпечує малий початковий струм спокою цих транзисторів (режим
класу АВ), що дозволяє усунути перехідні спотворення сигналу. Така схема забезпечує
симетрію вихідного опору ОП при різній полярності вихідної напруги.

Рисунок 7.15 - Типова ЛАЧХ операційного підсилювача.

Як правило, вихідний каскад включає ланцюг захисту від корот-кого замикання

виходу.

7.3.6 Схема заміщення операційного підсилювача

При побудові високоточних схем на ОП необхідно враховувати вплив неіде-
альності підсилювача на характеристики схеми. Для цього зручно представити підсилювач
схемою заміщення, що містить істотні
елементи неідеальності. Повна схема
заміщення ОП для малих повільних змін
сигналів представлена на рисунку 7.16.
Рисунок 7.16- Схема заміщення
реального операційного підсилювача для
малих сигналів
В ОП з біполярними
транзисторами на вході вхідний опір для диферен-ціального сигналу r д становить долі
мегаОм, а вхідний опір для синфазного сигналу rвх кілька гігаОм. Вхідні струми,
обумовлені цими опорами, мають величину порядку декількох наноампер. Істотно більші
значен ня мають постійні струми, що протікають через входи операційного підсилювача й
обумовлені зсувом транзисторів диференціального каскаду.
Для універсальних ОП вхідні струми перебувають у межах від 10 на до 2 мкА, а
для підсилювачів із вхідними каскадами, виконаними на польових транзисторах, вони
становлять частки наноампер. Для ілюстрації впливу власних опорів підсилювача на
характеристики схеми на ОП розглянемо схему не інвертуючого підсилювача.

7.3.7 Вхідний опір схеми.

Завдяки наявності зворотного зв'язку до опору rд прикладена дуже мала напруга

Uд = Uвых/KU = U1/(1+KUb),
де b = R1/(R1+R2) - коефіцієнт передачі дільника в ланцюзі зворотного зв'язку.
 Таким чином, через цей опір протікає тільки струм, рівний U1/rд(1+KUβ). Тому
диференціальний вхідний опір, завдяки дії зворотного зв'язку, множиться на коефіцієнт
1+KUβ. Згідно з рисунком 7.17, для результуючого вхідного опору схеми маємо:

Rвх= rд(1+KUb)||rвх
Ця величина навіть для операційних підсилювачів з біполярними
транзисторами на входах перевищує 109 Ом. Треба однак пам'ятати, що мова йде
винятково про диференціальну величину; це значить, що зміни вхідного струму малі, тоді
як середнє значення вхідного струму може приймати незрівнянно більші значення.

Рисунок 7.17 - Схема підсилювача, що не

інвертує, з обліком власних опорів ОП.

7.3.8 Вихідний опір схеми.

Реальні операційні підсилювачі досить далекі від ідеалу відносно вихідного
опору. Так, розглянутий вище ОП типу μА741 має rвих порядку 1 воно, щоправда, у значній
мірі зменшується застосуванням негативного зворотного зв'язку по напрузі. Зниження
вихідної напруги схеми, викликане спаданням напруги на rвых при підключенні
навантаження, передається на n-вхід підсилювача через дільник напруги R1, R2.
Виникаюче при цьому збільшення диференціальної напруги компенсує зміна
вихідної напруги.
Вихідний опір операційного підсилювача, не охопленого зворотним зв'язком,
визначається виразом:

При роботі
підсилювача, охопленого зворотним зв'язком, величина Uд не залишається постійної, а
змінюється на величину
dUд= - dUn = -dUвых.
Для підсилювача з лінійною передатною характеристикою зміна вихідної напруги
становить dUвых=KUdUд - rвых dIвых.
Величиною струму, що відгалужується в дільник напруги зворотного зв'язку в
цьому випадку можна зневажити. Підставивши в останній вираз, одержимо
 Якщо, наприклад, Δ =0,1, що відповідає посиленню вхідного сигналу в 10 разів, а
KU=105 , той вихідний опір підсилювача μ741 знизиться з 1 кОм до 0,1 Ом.
Вищевикладене, загалом кажучи, справедливо в межах смуги пропущення
підсилювача fп, що для μА741 становить усього тільки 10 Гц. На більше високих частотах
вихідний опір ОП зі зворотним зв'язком буде збільшуватися, тому що величина |K U| з
ростом частоти буде зменшуватися зі швидкістю 20дБ на декаду (див. рисунок7.10). При
цьому воно здобуває індуктивний характер і на частотах більше fт стає рівним величині
вихідного опору підсилювача без зворотного зв'язку.

7.4 Динамічні параметри операційних підсилювачів.

Параметри, що характеризують швидкодію ОП, можна розділити на параметри

для малого й великого сигналів. До першої групи динамічних параметрів ставляться смуга
пропущення fп, частота одиничного посилення fт і час установлення tу. Ці параметри
називаються малосигнальними, тому що вони виміряються в лінійному режимі роботи
каскадів ОП (ΔUвих <1В). До другої групи ставляться швидкість наростання вихідної
напруги r і потужнісна смуга пропущення fр. Ці параметри виміряються при великому
диференціальному вхідному сигналі ОП (більше 50 мВ). Деякі із цих парамерів розглянуті
вище. Час установлення відлічується від моменту подачі на вхід ОП сходи вхідної напруги
до моменту, коли востаннє стане справедливим рівність |Uвих.вуст - Uвих(t)| = δ, де Uвих.вуст -
стале значення вихідної напруги, δ - припустима помилка.
Потужнісна смуга пропущення ОП визначається по виду амплітудно-частотної
характеристики, знятої при максимально можливій амплітуді неспотвореного вихідного
сигналу. Спочатку на низьких частотах установлюють таку амплітуду сигналу від
генератора гармонійних коливань, щоб амплітуда вихідного сигналу U вих.макс небагато не
доходив до границь насичення підсилювача. Потім збільшують частоту вхідного сигналу.
Мощностная смуга пропущення fр відповідає значенню Uвих.макс рівному 0,707 від
первісного значення. Величина мощностной смуги пропущення знижується при
збільшенні ємності коригувального конденсатора.

7.4.1 Корекція частотної характеристики.

Внаслідок наявності паразитних ємностей і багатокаскадної структури
операційний підсилювач по своїх частотних властивостях аналогічний фільтру нижніх
частот високого порядку. Системи такого роду, що мають великий коефіцієнт підсилення,
при наявності зворотного зв'язку схильні до нестійкості, що проявляється в тім, що навіть
при відсутності сигналу на вході системи, на її виході існують коливання щодо великої
амплітуди. Стійкість ОП зі зворотним зв'язком зручно досліджувати по його частотних
характеристиках. Типові логарифмічні асимптотичні амплітудно-частотні (ЛАЧХ) і
фазово-частотна (ЛФЧХ) характеристики (діаграма Боде) ОП без частотної корекції
наведені на рисунку 7.18.

Рисунок 7.18 - Типові логарифмічні

амплітудно-частотна і фазово-частотна
характеристики ОП

Вище частоти f1 частотна

характеристика визначається інерцій-
ною ланкою з максимальної постійної
часу. Коефіцієнт підсилення в цій
області убуває зі швидкістю -20 дБ/дек.
Вище частоти f2 починає діяти друга
інерційна ланка, коефіцієнт підсилення убуває швидше (-40 дБ/дек), а фазове зрушення
між Uд і Uвых досягає α = -180°. Частота, при якій виконується ця умова, називається
критично fкр. Частота, при якій модуль коефіцієнта підсилення петлі зворотного зв'язку
(коефіцієнта петльового підсилення) |Kп| = |βKU|=1, називається частотою зрізу fср.
Коефіцієнт β у цьому співвідношенні є коефіцієнтом передачі ланцюга зворотного зв'язку.
Як для що інвертує, так і для включення, що не інвертує, ОΓ при резистивному
зворотному зв'язку він визначається як β = R1/(R1+R2)
Відповідно до виразів (7.8), (7.9), між β і коефіцієнтом підсилення вхідного
сигналу схеми на ОУ K існує наступний взаємозв'язок:
для включення, що інвертує
для включення, що не інвертує (7.14 )
Відповідно до логарифмічного варіанта критерію Найквиста для мінімально-
фазових систем, до яких можна віднести ОУ з негативним зворотним зв'язком, підсилювач
буде стійкий, якщо для логарифмічних частотних характеристик розімкнутої петлі
зворотного зв'язку βKU виконана умова:

fср< fкр (7.15 )

При резистивному зворотному зв'язку ЛФЧХ петлі збігається із ЛФЧХ

підсилювача, а ЛАЧХ петлі проходить на 20lg(1/β) нижче ЛАЧХ підсилювача, так що
частота зрізу fср відповідає крапці перетинання графіка ЛАЧХ підсилювача з
горизонтальної прямої, проведеної на 20lg(1/β) вище осі частот. На діаграмі рисунок7.13
видно, що при більших значеннях K (і, відповідно, малих β) умова (7.15) виконується,
причому є достатній запас стійкості по фазі α . При K<200 операційний підсилювач із
частотними характеристиками, такими, як на рисунку7.19, нестійкий. Ступінь стійкості, а
також міра загасання перехідних процесів приблизно визначається запасом стійкості по
фазі. Під цією величиною розуміється додатковий до 180° кут до фазового запізнювання
на критичній частоті:

α =180° + φ(fкр).

На рисунку 7.19 представлені типові графіки перехідних функцій (реакцій на

одиничний стрибок) операційного підсилю-
вача, включеного за схемою повторювача,
що не інвертує, при різних запасах стій-
кості по фазі α.

Рисунок 7.19 - Перехідні

характеристики ОП, охопленого зворотним
зв'язком
По діаграмі Боде для розімкненого
ОП можна безпосередньо визначити, яка
величина загасання виявиться в схеми підсилю-вача із заданим значенням β . Як приклад
розглянемо на рисунку 7.13 випадок для 1/β =8000. При цьому з діаграми знаходимо fкр
=100 кГц і α =65°. Таким чином, для такого зворотного зв'язку виходить прийнятна
величина загасання. У випадку більше глибокого зворотного зв'язку величина a швидко
зменшується й при 1/β =200 досягає нуля.

7.4.2 Повна частотна корекція.

Якщо операційний підсилювач розробляється для універсального
застосування, то фазове зрушення його при |KU| >1 повинен бути по абсолютній величині
менше 120°. При цьому для будь-якого коефіцієнта зворотного зв'язку 0<kзз<1 запас по
фазі буде становити не менш 60°. Ця вимога виконується корекцією частотної характе-
ристики, причому корекція здыйснюэться так, щоб при |KU|>1 вона була аналогічна
характеристиці фільтра нижніх частот першого порядку. Тому що небажані інерційні
ланки із частотами зрізу f2 і f3, як це показано на рисунку 7.20, не можуть бути усунуті зі
схеми підсилювача, те необхідно шляхом вибору конденсатора корекції Ск так зменшити
частоту зрізу f1 основної інерційної ланки, щоб умова |KU| <1 було б виконане до того, як
почнеться істотний вплив другої інерційної ланки. Можна відзначити також, що через
наявність частотної корекції смуга пропущення розімкнутого ОП істотно звужується.
Частотна корекція підсилювача на нижніх частотах збільшує його фазове зрушення на 90°,
а на більше високих частотах практично на нього не впливає. Для багатьох універсальних
ОП достатня ємність коригувального конденсатора Ск= 30пФ. У підсилювачів з повною
внутрішньою корекцією, таких як, наприклад, 40УД6, 140УД7, 140УД17 і ін.,
корректуючий конденсатор виконано в мікроелектронному вигляді.

Рисунок 7.20 - Логарифмічні

частотні характеристики ОП з
повною частотною корекцією й
без неї.

7.4.3 ОП з
підстроюваною частотною корекцією.
Повна частотна корекція операційного підсилювача гарантує достатній запас
стійкості по фазі для резистивного негативного зворотного зв'язку з будь-якими
параметрами. Однак цей спосіб має той істотний недолік, що ширина смуги пропущення
підсилювача, охопленого зворотним зв'язком, обернено пропорційна коефіцієнту
підсилення K.
Зміст цього співвідношення пояснений на рисунку 7.21. При менш глибокому зво-
ротному зв'язку для стабілізації підсилювача досить було б меншого зниження підсилення
в області середніх і високих частот, тому що в цьому випадку крапка |βKU| = 1 досягається
при |KU| =1/β >1.

Рисунок 7.21 - Залежність смуги

пропущення від коефіцієнта підсилення
при підстроюваній частотній корекції

Як видно з рисунку 7.21, при

1/β=10 ширину смуги пропущення ОП
без зворотного зв'язку можна збільшити
з 10 Гц до 100 Гц зменшенням С к від 30
пФ до 3 пФ. При цьому смуга пропущен-
ня підсилювача зі зворотним зв'язком зросте з 100 кГц до 1 Мгц.
 Для того, щоб можна було здійснити такі зміни частотної корекції, випускаються
операційні підсилювачі, у яких відсутній коригувальний конденсатор, а замість нього
виведені відповідні крапки схеми (наприклад, 153УД6, 140УД14). В інших варіантах,
наприклад, у підсилювачах 544УД2, здійснюється неповна частотна корекція зі зменшеним
значенням коригувальної ємності. Для підключення додаткового конден-сатора (щоб
забезпечити стійкість при значеннях β, близьких до одиниці) також є відповідні виводи. У
паспортних даних деяких типів ОП вказуються мінімальні значення коефіцієнтів
підсилення ОП в неінвертовуючому включенні, при яких підсилювач зберігає стійкість.
Виготовляються підсилювачі з однаковою схемотехнікою, одні йз яких мають убудований
коригувальний конденсатор, а інші - без такого конденсатора. Наприклад, деякі фірми
випускають ОП типу ОР-27 і ОР-37 (вітчизняні аналоги, відповідно, 140УД25 і 140УД26).
Перший з них має убудований коригувальний конденсатор, частоту одиничного посилення
fт = 8 МГц, максимальну швидкість наростання - 2,8 В/мкс, і працює стійко аж до 100%-
ний зворотного зв'язку. ОП типу ОР-37 не має коригувального конденсатора. Його частота
одиничного посилення fт = 60 МГц, швидкість наростання - 17 В/мкс. Він працює стійко
при коефіцієнтах підсилення вхідного сигналу більше п'яти.
У комплексі заходів щодо забезпечення стійкості схеми з ОП (особливо
швидкодіючим) важливе місце займає його правильний монтаж. Провідники, що з'єднують
резистори зворотного зв'язку із входом, що інвертує, підсилювача, повинні мати
мінімальну довжину. При невиконанні цього правила на вході ОП утвориться паразитна
ємність, що при наявності площин заземлення може становити 0,4 пФ на міліметр
провідника. Ця ємність разом з резисторами зворотного зв'язку утворить додаткову
інерційну ланку в петлі зворотного зв'язку, що зменшує запас стійкості по фазі. Деяку
компенсацію цього ефекту дає включення конденсатора рівної ємності між виходом ОП й
інвертуючим входом.

7.4.4 Швидкість наростання.

Поряд зі зниженням смуги пропущення підсилювача частотна корекція дає ще один
небажаний ефект: швидкість наростання вихідної напруги обмежується при цьому досить
малою величиною. Максимальне значення швидкості наростання r визначається в
основному швидкістю заряду коригувального конденсатора:
 Максимальний вихідний струм диференціального каскаду дорівнює току джерела в
ланцюзі емітерів транзисторів Т1 і Т2. Приймаючи його рівним 20 мкА, знайдемо для
ємності коригувального конденсатора Ск=30 пФ: Δ макс = 0,67 В/мкс. Внаслідок обмеженого
значення цієї величини, при швидких змінах вихідної напруги виникають характерні
перекручування сигналу, які не можуть бути усунуті шляхом введення негативного
зворотного зв'язку. Їх називають динамічними перекручуваннями. Якщо вхідний сигнал
підсилювача - синусоїда, те, чим більше її амплітуда, тим при меншій частоті з'являються
динамічні перекручування.

7.4.5 Компенсація ємнісного навантаження.

Якщо операційний підсилювач має ємнісне навантаження, то остання разом з
вихідним опором підсилювача утворить інерційну ланку, що дає додаткове фазове
зрушення вихідної напруги. Все це зменшує запас по фазі, і схема підсилювача може
самозбудитися вже при незначній величині навантажувальної ємності. Часом досить тор-
кнутися виходу підсилювача щупом осцилографа, щоб підсилювач почав
самозбуджуватися. Для усунення цього явища в ланцюг зворотного зв'язку включається
додатковий конденсатор Сф (рисунок 7.22). У
цьому випадку зворотний зв'язок являє собою
додаткову інтегруючу ланку , і фазооперед-
жуючу диференціючу ланку, що створює в око-
Рисунок 7.22 - Компенсація ємніс- лиці
частоти зрізу позитивне фазове зрушення, що
ного навантаження. що компенсує запізнювання, внесене ємністю навантаження.
Експлуатаційні параметри ОП визначають припустимі режими роботи його вхідних і
вихідних ланцюгів і вимоги до джерел живлення, а також температурний діапазон роботи
підсилювача. Обмеження експлуатаційних параметрів обумовлені кінцевими значеннями
пробивних напруг і припустимих струмів через транзистори ОП. До основних
експлуатаційних параметрів ставляться: номінальне значення живлячої напруги U п;
припустимий діапазон живлячих напруг; струм, споживаний від джерела I пот;
максимальний вихідний струм Iвых.макс; максимальні значення вихідної напруги при
номінальному живленні; максимально-припустимі значення синфазних і диференціальних
вхідних напруг.

Т7.5 Типи операційних підсилювачів.

У цей час у світі виготовляються сотні найменувань інтегральних ОП. Все це
різноманіття можна розділити на групи, об'єднані загальною технологією й
схемотехнікою, точнісними, динамічними або експлуатаційними характеристиками,
причому ці групи можуть перетинатися, тобто включати загальні елементи.
З погляду внутрішньої схемотехніки операційні підсилювачі можна розділити на
біполярні, біполярно-польові й КМОП (на комплементарних польових транзисторах з
ізольованим затвором). У біполярно-польових ОП польові транзистори з керуючої p-n
переходом або Моп-Транзистори звичайно використовуються в якості вхідних у
диференціальному вхідному каскаді. За рахунок цього досягається високий вхідний опір і
малі вхідні струми.
Більша частина номенклатури ОП ставиться до підсилювачів загального
призначення. Це дешеві підсилювачі середньої швидкодії, невисокій точності й малій
вихідній потужності. Звичайні параметри: KU = 20 000 - 200 000; Uсм = 0,1 - 20 мВ; fт = 0,1 -
10 Мгц. Типові приклади: 140УД6, 140УД8, 153УД6.
Швидкодіючі підсилювачі при середніх точностных параметрах мають високі
динамічні характеристики (fт = 20÷1000 МГц, r = 10÷1000 В/мкс). Швидкодія ОП обмежує
дві обставини. По-перше, до складу вхідного диференціального підсилювача входять n-p-
транзистори, відносно низькочастотні через меншу рухливість дірок у порівнянні з
вільними електронами. По-друге, швидкість наростання обмежена швидкістю заряду
коригувального конденсатора Ск. Вплив першого фактора усувають, використовуючи у
вхідному каскаді більше швидкодіючі р-канальні польові транзистори. Збільшити
швидкість заряду Ск можна або збільшивши струм диференціального каскаду, або
зменшивши ємність Ск. У першому випадку збільшується струм споживання ОП, а в
другому погіршується стійкість. Підвищити стійкість можна, уводячи додаткові
фазовипереджуючі ланки в схему підсилювача або поза ним. Як наслідок, швидкодіючі ОП
схильні до нестійкості. Типові приклади: 140УД10, 574УД3, 154УД4, ОРА634.
Прецизійні підсилювачі мають високий диференціальний коефіцієнт підсилення по
напрузі, мала напруга зсуву нуля й малий вхідний струм звичайно при низькій або
середній швидкодії. Збільшення KU можливе шляхом удосконалення каскадів посилення
по напрузі або застосуванням трьохкаскадної схеми (наприклад, 551УД1), що ускладнює
частотну корекцію. Радикально зменшити зсув нуля дозволяє застосування модуляції-
демодуляції (МДМ), або періодична компенсація дрейфу (переривання). Типові приклади:
140УД26, (без переривання), ICL7652, 140УД24, (з перериванням).
Мікропотужні підсилювачі використовуються в приладах, що одержують живлення
від гальванічних або акумуляторних батарей. Ці підсилювачі споживають дуже малий
струм від джерел живлення (наприклад, ОП МАХ406 споживає струм не більше 1,2 мкА).
Всі інші параметри (особливий швидкодія) у них звичайно невисокі. Для того, щоб дати
можливість проектувальникові знайти компроміс між малим споживанням і низькою
швидкодією деякі моделі мікропотужних ОП виконують програмувальними.
Програмований ОП має спеціальний вивід, що через зовнішній резистор з'єднується із
загальною крапкою або джерелом живлення певної полярності. Опір резистора задає
струм системи фотополяриметрів дзеркал підсилювача, які виконують функції генераторів
стабільного струму й динамічного навантаження каскадів підсилювача. Зменшення цього
резистора приводить до збільшення швидкодії ОП й збільшенню споживаного струму.
Збільшення - до зворотного результату. Типові приклади: 140УД12, 1407УД2, ОР22.
Звичайна величина струму споживання для мікропотужної й програмувальних ОУ -
десятки мікроамперів. Мікропотужні ОП, як правило, допускають живлення від досить
низьких напруг. Наприклад, ОП типу МАХ480 допускає роботу від джерел з напругою від
+/-0,8 до +/-18 В при струмі споживання 15 мкА.
Якщо джерело сигналу однополярне (наприклад, фотодіод), доцільно
використовувати ОП із однополярним живленням. Це дозволить живити підсилювач від
однієї батареї або навіть елемента, наприклад, від літієвого елемента напругою 3 вольти.
Основна вимога, пропонована до ОП з однополярним живленням, - діапазон вхідного
синфазного сигналу повинен простиратися нижче негативної напруги живлення (звичайно
прив'язаного до потенціалу землі), а розмах вихідної напруги повинен бути обмежений
знизу практично напругою живлення (потенціалом землі). Існують підсилювачі, діапазони
вхідних і вихідних напруг яких майже досягають і верхньої й нижньої границі живлення
(так звані, rail-to-rail вхід і вихід), причому вхідні напруги можуть навіть заходити за ці
границі. Типові приклади: МАХ495, що споживає від однополярного джерела струм 150
мкА, LMV321, що споживає струм 145 мкА, від джерела 1,8 У.
Багато фірм випускають багатоканальні підсилювачі. Це мікросхеми, що мають на
одному кристалі два, три або чотири однотипних ОП. Наприклад, ІМС типу 140УД20 має
у своєму складі два ОП 140УД7. Потужні й високовольтні операційні підсилювачі.
Більшість типів ОУ розраховані на напругу живлення +/-15 В. Деякі допускають живлення
від джерел аж до +/-22 В. Цього недостатньо для керування, наприклад,
п'єзоелектричними перетворювачами, для деяких фізичних і біологічних досліджень. Тому
промисловість робить високовольтні ОП, що допускають більш високі напуги живлення та
вихідні напруги. До високовольтних відносять операційні підсилювачі, що мають різницю
позитивних і негативних напруг живлення понад 50 вольт. Проблема підвищення напруг в
інтегральних напівпровідниках (монолітних) ОП пов'язана із труднощами створення
інтегральних високовольтних транзисторів і міцної ізоляції між елементами в кристалі.
Тому більшість ОП з напругою живлення понад 100В виготовляються у вигляді гібридних
ІМС. У той же час, фірма Apex Microtechnology (США) робить напівпровідникові
інтегральні ОП РА90, PA92 і РА94, з номінальною напругою живлення +/-200 В, вихідною
напругою +/-170 В и вихідним струмом до 14 А.
Операційні підсилювачі загального застосування звичайно допускають вихідний
струм до 5 мА. Для керування потужним навантаженням застосовуються потужні ОП. До
потужних звичайно відносять підсилювачі, що допускають вихідний струм понад 500 мА.
Прикладом напівпровідникового інтегрального потужного ОП може служити LM12 з
вихідним струмом до 10 А и розсіюємою потужністю до 90 Вт. Фірма Apex
Microtechnology випускає надпотужний гібридний ОП РА30, що допускає вихідний струм
до 100 А и здатний віддати в навантаження потужність до 2000 Вт при рідинному
охолодженні. Подальше збільшення вихідної потужності підсилювачів можливо шляхом
використання режиму класу D (ключовий режим). Рекордними є характеристики
гібридного підсилювача фірми Apex SA08 із широтно-імпульсною модуляцією на частоті
22 кГц: 10 кВт при напрузі до 500 У и струмі до 20 А. При цьому ККД підсилювача
досягає 98%.

Τ7.6 Схемотехніка застосування операційних підсилювачів.

На операційних підсилювачах реалізують всі основні пристрої аналогової техніки.

Τ7.6.1 Масштабні підсилювачі на ОП.

Вхідна напруга Uвх (Рисунок 7.23) подається на інвертуючий вхід через резистор
R1 . За допомогою резистора Rос здійснюється негативний зворотний зв'язок по
напрузі. Неінвертуючий хід підсилювача при цьому заземлено. Аналіз цієї схеми
вмикання ОП значно спрощується при допущенні, що ОП ідеальний . Тоді при будь-
якому значенні Rн нерівному нулю і кінцевому значенні вихідної напруги (вона не
може бути більше напруги живлення ОП) вхідна напруга буде рівною нулю.
У цьому випадку інвертуючий та неінвертуючий входи при U вх. = 0 як
би замкнуті “накоротко” . Це так зване віртуальне замикання. На відміну від
звичайного короткого замикання, при віртуальному замиканні струм між входами
відсутній , тобто
IОП = 0 і IВХ = IЗЗ. Тоді U вх =R1 Iвх і U вих = - RЗЗ ІЗЗ . (7.16)

Рисунок 7.23 - Принципові схеми масш-

 табного підсилювача (а) та повторювача
сигналів (б).
Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилювача
Ku = - U вих / U вх = - R зз I зз / R 1 Iвх = - R зз /R1 (7.17)
Знак “-“ у виразі (7.17) означає, що и інвертуючому підсилювачі вхідна і вихідна
напруги знаходяться в противофазі. Неважко переконатись, що вхідний опір
інвертуючого підсилювача

RВХ ЗЗ  R1 (7.18)

Вихідний опір
Rвих зз Rвих (1+ R зз /R 1) / K u (7.19)
При Кu®¥ значення R вих зз буде наближатися до нуля. Для усунення розходження
опорів у вхідних ланцюгах інвертуючих та неінвертуючих входів ОП , викликаного під-
ключенням до входу опорів R1 . R ЗЗ, - у ланцюг неінвертуючого входу , включають
резистор R2 = R1 RЗЗ / (R 1 + Rос ) (рисунок 7.19,а).

Рисунок 7.24 - Принципові схеми інвертуючого (а) та неінвертуючого

масштабних підсилювачів на ОП з «вирівнюючими резисторами R2.
Якщо вхідний сигнал подати на неінвертуючий вхід ОП, а на інвертуючий - за
допомогою ланцюга зворотного зв’язку , через резистор RЗЗ подати частину вихідної
напруги, тобто здійснити послідовний негативний зворотній зв'язок по вихідній напрузі,
то утвориться підсилювач , що не інвертує, ( рисунок 7.19,б). При такому вигляді зворот-
ного зв'язку у відповідності з другим законом Кірхгофа для вхідного ланцюга рівняння
запишеться так:
Uвх=Uо+Uвх (R1 /(R1+RЗЗ)). (7.20)
Внаслідок «віртуального замикан-ня» неінвертуючого та інвертуючого входів Uо=0
і тоді UВХ =UВИХ R 1 / (R 1 + RЗЗ) . (7.20’)
Коефіцієнт підсилення не інвертуючого підсилювача
KuЗЗ =1+RЗЗ /R 1. (7.21)
Вхідний опір цього підспідсилювача
Rвх.ЗЗ =R ВХ.Д (1+ Ku)  RВХ.Д( Ku R1 / ( R1+RЗЗ)) , (7.22)
де =R 1 /(R1 + RЗЗ)-коефіцієнт зворотнього зв'язку.
 При Ku близькому до безкрайності, вхідний опір теж стає близьким до безкрайності.

З формули (7.22) очевидно, що вхідний опір неінвертуючого масштабного

підсилювача, досить великий. Відзначимо, що значення Rвх.ос у підсилювача, що не
інвертує, значно більше, ніж у інвертуючого. Вихідний опір підсилювача, що не інвертує
Rвих.ос = Rвих / (1+ (β Ku) ) (7.23)
При Ку ~ спрямованого до безмежності , вихідний опір схеми спрямований до нуля.
З огляду на те, що в неінвертуючого ОП, опір R вх.зз дуже великий, а Rвих зз – ма-лий, то
такий підсилювач застосовують часто як елемент, для узгодження високоомного джерела
сигналу з низькоомним навантажувальним пристроєм. Такі пристрої називають
повторювачами сигналів. Коефіцієнти підсилення напруги в цих схемах дорівнює
одиниці. Схема такого застосування ОП показана на рисунку 7. 25.б.
Звичайно для підсилювачів великий вхідний опір непотрібний, тому що при цьому
вони виявилися б дуже чутливими до змін вхідного струму флуктуаційного походження.
Тому у вхідний ланцюг підсилювача включають резистор R2 R вх., який визначає
вхідний опір неінвертуючого підсилювача . Значення опору R2 вибирають у межах 0. 5÷1
мОм.
При реалізації елементів аналогової обчислювальної техніки на ОП з підви-
щеними вимогами до точності завдання коефіцієнтів передачі використовують схему,
що показана на рисунку 7.25. В цій схемі з метою підвищення точності та

Рисунок 7.25 – Схема ОП при точному встановленні коефіцієнта

передачі КU.

оперативності налагоджування КU незалежно від природного розкиду резисторів, який

досягає  (одиниці - десятки) % від номінальних розрахункових, використовують
регулюємий потенціометр R01. При цьому співвідношенням резисторів Rзз / Rn для n-
ого входу задається Kun, який на  (30÷ 50)% більший від необхідного, а далі за
допомогою R01 встановлюють його точне значення. З цією метою на вхід R01 подають
напругу Uвх=1 або Uвх=10 в від еталонного джерела, інші входи при цьому необхідно
заземлити. До виходу ОП підключають цифровий вольтметр з відповідною
розрядністю. Регулюючи R01 встановлюють необхідний коефіцієнт Kun при якому
напруга на виході ОП буде рівною Uвих = Kun Uвх. Перед виконанням операцій
встановлення коефіцієнтів по кожному з входів, ОП повинен бути збалансований.

Т7.6.2 Суматори на ОП.

На основі ОП з інвертуючим та неінвертуючим входами при використанні
різних ланцюгів зворотних зв'язків можуть бути побудовані різноманітні електронні
суматори електричних сигналів. На рисунку 7.26,а зображена принципова схема
суматора сигналів Uвх1 - UвхN з інвертуванням знаку одержаної суми. Якщо як і
раніше вважати ОП ідеальним, то при подачі на інвертуючий вхід ОП вхідних напруг
Uвх1.. UвхN через резистори R 1, …, Rn вихідна напруга відповідно до виразу (7.17)
буде рівною сумі вхідних напруг:
Uвих = - (K1Uвх1+…..+КnU вхN), (7.24)
де К1=Rзз/R1; …..Кn=Rзз/Rn. При використанні одночасно
інвертуючого і неінвертуючого входів ОП можна побудувати суматор вхідних сигналів з
різними за знаком коефіцієнтами передачі, тобто суматор здібний виконувати операції
вирахування алгебраічної суми сигналів на ОП. Такий суматор називають “паралельним”
(див. рисунок 7.26,б). Вихідна напруга такого суматора для прикладу при двох групах
входів 1…9 та 10…19 кожна з котрих підключена до відповідно до інвертуючого та
неінвертуючого входів сигналів дорівнює :

Рисунок 7.26 -Принципові схеми суматорів електричних сигналів з

інвертуванням знаку результату (а) та «паралельного» суматора (б).

UВИХ = -( UВХ1 K 1 +... .+UВХ9 K9)+UВХ10 K 10 +... +UВХ19 K19 (7.25)

де K1=Rзз/R1, ..., K9= Rзз/R9, ……K19 =Rзз/R19 - коефіцієнти передачі відповід-
них входів суматора.
Вирівнювання коефіцієнтів по входах ОП досягають відповідним вибором
опорів Rв1 і Rв2 величини яких залежать не тільки від параметрів ОП та величини
вхідних сигналів, а і від кількості входів суматора. На практиці побудова такого
суматора неможлива , якщо загальна кількість входів більша ніж три. На рисунку 7.27
показана принципова схема суматора на здвоєному ОП використання якої дозволяє
уникнути характерних для “паралельних” суматорів недоліків та обмежень. При цьому
пристрій дозволяє обчислити алгебраїчну суму будь-якої кількості електричних сигналів

при автономному для кожного з них регулюванні коефіцієнта передачі. В приведеному

прикладі побудовано суматор на 19 входів що дозволяє одержати суму сигналів U1 –
U19 з різними коефіцієнтами та знаками складових в загальному результаті.
Масштабування кожного з сигналів виконується одночасним узгодженим вибором
співвідношень резисторів R1-R20, Rзз1, Rзз2 з постійним опором та регульованих
резисторів R01-R020. Напруга на виході пристрою формується згідно з рівнянням:
UВИХ=K020K20(U1 K1 K01 +…+U9 K9 K09 )-U10 K10 K010 -…-U19 K19 K019 , (7.26)
де K1 = Rзз1/ R1; ...; K9 = Rзз1 / R9; K10 = Rзз2 / R10; …; K20 = Rзз2 / R20;

Рисунок 7.27 – Принципова схема пристрою на ОП для «складення-віднімання»

електричних сигналів U1÷U19.

K01;…K020 – змінні коефіцієнти величина яких встановлюється регулюванням

резисторів R01; …; R 020 при налагоджуванні.
Для виконання пристрою можна застосувати як спеціалізовані ОП з двома,
чотирма підсилювачами (наприкл. К140УД20, К157УД2, К1401УД2 та ін. ).

Т7.6.3 Інтегратори та диференціатори.

Якщо в інвертуючому підсилювачі резистор Rос замінити конденсатором С, то
утвориться ІНТЕГРАТОР ( рисунок 7.28,а). Дійсно,
U вх =R1*I вх U вих=Uс I вх = - Iзз = - C dUвх /dt,
де U вх /R 1 = - C dUвх / dt
Отже, проінтегрувавши попередній вираз, одержимо:
Uвих = - 1/ (RC)  Ubxdt (7.27)

Рисунок 7.28 - Принципові схеми активного інтегратора (а) на

 ОП та диференціатора (б).
При заміні резистора R конденсатором С схема рисунок 7.28,а перетворюється
в схему диференціатора (рисунок 7.28,б) . Так як U вх =Uс, а U вих = - Rзз Iзз, з
огляду на те, що Iзз = С dUвх /dt одержимо
U вих = - R C dUвх /dt (7.28)
В інтегруючих і диференціюючих RС- ланцюгах ступінь точності інтегрування
вхідного сигналу залежить від ступеня виконання нерівності Uвих  Uвх. Чим точніше
RС- ланцюг робить ту або іншу названу операцію, тим меншою повинна бути вихідна на-
пруга. Інтегратори і диференціатори на ОП в даний час цілком витіснили відповідні па-
сивні RС – ланцюги з імпульсної й обчислювальної техніки через більш високу точність.

Т7.6.4 Вибіркові підсилювачі.

Якщо ввести інтегрально-диференціючий зворотний зв'язок в ОП, як показано на
рисунку 7.29,а , то утвориться ВИБІРКОВИЙ RС- ПІДСИЛЮВАЧ. Такий підсилювач на
частоті квазірезонансу fо=1/(2R1R2C1C2) має коефіцієнт підсилення (рисунок 7.29,б),
обчислюємий по формулі
Kзз max=R2C2/R1(C1+C2).

Добротність даного підсилювача

Q= ( R1 / R 2 ) C1C 2) / (C1 + C 2) (7.30)

Звичайно вибирають С1=С2. Тоді

Kзз max=R2/2R1, a Q=(R1/R2)/2 (7.31)
Вибіркові RC- підсилювачі називають також активними фільтрами, які застосову-
ються на частотах до 5 мГц.

Рисунок 7.29 - Принципова схема (а) та амплітудно-частотна характеристика

(б) вибіркового RC - підсилювача на ОП.
 Т7.6.5 Генератори гармонійних коливань.
Генераторами гармонічних коливань називають електронні пристрої, які пере-
творюють енергію джерела постійного струму в енергію незатухаючих синусоЇдальних
коливань заданої частоти та потужності. До складу таких генераторів входять активний
елемент, частотно-вибіркова система зворотного зв'язку, а в разі необхідності –
підсилювач потужності. Як активні елементи в генераторах використовують тунельні
діоди, які мають відрізок від’ємного опору ; транзистори та інтегральні підсилювачі (осо-
бливо ОП). На рисунку 7.30 зображена принципова схема RC- автогенератора
гармонічних коливань на ОП з мостом Віна. Відомо, що частота автоколивань у та-
ких генераторах визначається формулою
1
f = , (7.32)
2    R 1 C 1C 2 R 2

а згасання в частотно-залежній гілці зворотного зв'язку на частоті

R1 C2
= 1+ +
0 R 2 C1 .

Для поліпшення форми кривої вихідної напруги частотно-незалежну гілку від

ємного зворотнього зв’язку (ВЗЗ) у мості Віна звичайно виконують інерційно-нелінійною.

Необхідний характер нелінійності забезпечується тоді, коли з ростом амплітуди

сигналу зменшується опір R3 або збільшується опір R4. Тому в якості R3 використовується
напівпровідниковий терморезистор. У якості інерційно-нелінійного резистора
застосовують перехід виток-сток польового транзистора, на затвор якого подають
випрямлену та згладжену вихідну напругу генератора.
В цих генераторах застосовують двохступінчаті ланцюги ВЗЗ. Перший ступінь
резистор R3 і польовий транзистор, другий ступінь - опори R4, R5.
R3 R C 
При   1 + 2  в генераторі виникають автоколивання, частота яких
R4  R 2 C1 

1
визначається формулою f = . Звичайно використовують у частотно-
2    R 1 C1 C 2 R 2
залежній гілці мосту Віна R1=R2=R, C1=C2=C, величину яких визначають згідно з
необхідною частотою автоколивань:
1
f0 = (7.33),
2RC
причому автоколивання виникають за умови, що коефіцієнт підсилення ОП заданий
співвідношенням опорів R3/R4, більший ніж три, інакше кажучи, повинна бути виконана

R3
умова  2. Сталі автоколивання в замкненому ланцюзі можливі тільки за умови точної
R4
рівності одиниці одиничного коефіцієнта петльового підсилення на частоті f 0. Але, для
виникнення автоколивань потрібно, щоб на початку коефіцієнт петльового підсилення був
більшим 1. Після виникнення автоколивань їхня амплітуда стабілізується в кінцевому
рахунку на рівні, при якому за рахунок нелінійного елемента в петлі коефіцієнт змен-
шується до 1. Якщо не вжити спеціальних заходів, то згадана нелінійність проявиться в
амплітудній характеристиці ОП, а форма автоколивань у такому випадку буде помітно
відрізнятися від синусоїди. Необхідний характер нелінійності забезпечується тоді, коли
при збільшенні амплітуди сигналу зменшується опір R3 або зростає опір R4.
При побудові генераторів із частотно-залежними ланцюгами, що забезпечують на
частоті автоколивань зсув фази, рівний 0, - зручно використовувати потенціально-
струмові різновиди селективних ланцюгів. Такі ланцюги призначені для використання
разом із ОП, що мають малі вхідний та вихідний опори. Розрахунок таких генераторів
зводиться до вибору номіналів опорів та конденсаторів. Наприклад, для забезпечення
автоко-ливань (квазірезонансу) з частотою =2 кГц згідно з формулою

1
f = при R1=R2, C1=C2 вибираємо, опір R1=820 Ом (із ряду Е24) типу
2    R 1 C1 C 2 R 2

1 1
МЛТ 0,25. Виходячи з формули (10) „1 = =  0.1“ , типу К53-30.
2R1 2  3.14  820

Т7.6.6 Електричні фільтри. Основні поняття.

В електричних, радіотехнічних і телемеханічних установках часто вирішується
завдання: із сукупного сигналу, що займає широку смугу частот, виділити один або кылька
сигналів з більш вузькою смугою. Сигнали заданої смуги виділяють за допомогою
частотних електричних фільтрів.
До частотних електричних фільтрів різної апаратури пред'являються різні, часом
суперечливі вимоги. В одній області частот, що називається смугою пропущення, сигнали
не повинні послаблятися, а в іншій, названій смугою затримування, ослаблення сигналів
не повинне бути менше певного значення. Фільтр уважають ідеальним, якщо в смузі
пропущення відсутнє ослаблення сигналів і фазо-частотна характеристика лінійна (немає
спотворень форми сигналів), а поза смугою пропущення сигнали на виході фільтра
відсутні.
Залежно від діапазону частот смуги пропущення розрізняють низькочастотні,
високочастотні, смугові, вибірні (селективні) і загороджуючі (режекторні) фільтри.
Властивості лінійних фільтрів можуть бути описані передатною функцією, що дорівнює
відношенню зображень по Лапласу вихідного й вхідного сигналів фільтра.

Запитання для самоконтролю до теми 7

перетворювачі електричних сигналів - електронні пристрої, які за-

безпечують лінійні або нелінійні перетворення електричних
сигналів.
ПАЕСПідсилювачі з нелінійною амплітудною характеристикою
.Перемножувачі сигналів та пристрої виконання математичних операцій
Детектори електричних сигналів Амплітудні обмежувачі (просто обмежувачі) електричних сигналів
 Конспект лекцій з дисципліни «Промислова електроніка та
перетворювальна техніка» для здобувачів вищої освіти ос-вітньо-
професійної програми першого (бакалаврського) рівня зі спеціальності 141
«Електроенергетика, електротехніка та електромеханіка».

Укладач: Ю.М.Клименко, доцент, канд.техн.наук

51918, м.Камянське, вул.Дніпробудівська, 2

Підписано до друку
Формат 80/34 1/16. Обсяг д.а.
Тираж екз. Замовлення_______________