VẬT LIỆU BÁN DẪN

PHÂN LOẠI VÀ CHẾ TẠO

 III. Phân loại vật liệu bán dẫn
III.1. Phân loại theo thành phần hoá học
Bán dẫn nguyên tố: Ở dạng tinh thể rắn, lớp vỏ điện tử ngoài cùng
gồm 2 điện tử ở trạng thái s và một số nhỏ hơn 6 điện tử ở trạng thái p.
Silic (Si) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Germani (Ge) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2
Selen (Se) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p4
Telua (Te) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 5s2 5p4

Bán dẫn hợp chất AIIIBV : Bán dẫn hợp chất AIIBVI :

Nhóm III B Al Ga In Nhóm II Zn Cd Hg

Nhóm V N P As Sb Nhóm VI S Se Te
III.1. Phân loại theo thành phần hoá học (2)
Nhóm các hợp chất hai nguyên khác: Là các hợp chất không tuân
theo qui luật tổng hoá trị của 2 nguyên tố bằng 8.

• Hợp chất AIVBVI như PbS, PbSe, PbTe có bề rộng vùng cấm hẹp, độ
linh động hạt tải lớn và hằng số điện môi cao. Bán dẫn có vùng cấm
thẳng và bề rộng vùng cấm tăng khi nhiệt độ tăng. Bán dẫn loại này
sử dụng là diode phát quang và photodetector trong vùng hồng ngoại;
• Bán dẫn oxit như Cu2O (2,1eV), Bi2O (2,8eV), ZnO (3,4eV), SnO2
(3,7eV), BaTiO2 (3eV), SrTiO3 (3,3eV) và LiNbO3 (4eV). Đây là bán dẫn
đa tinh thể, nhiều pha và kích thước hạt cỡ 1- 10 m và sử dụng trong
các linh kiện nhiệt điện trở, điện trở phi tuyến, tụ điện có hằng số điện
môi cao hay các cảm biến khí, các bộ điều biến điện - quang;
• Hợp chất AIIBV được kết hợp từ nguyên tố nhóm II (Zn, Cd) và nhóm V
(P, As, Sb) và kết tinh ở dạng ba phương, dạng thoi hay một nghiêng.
Các hợp chất loại này có nhiều tính chất nhiệt, điện đặc biệt;
• Các hợp chất khác như AIIBIV (Mg2Ge, Mg2Si, Mg2Sn), AVBVI (As2Se3,
As2Te3, BiTe3, Sb2Se3, Sb2Te3) và hợp chất AIIIBVI (In2Se3, In2Te3).
Bán dẫn hợp chất ba nguyên: Xuất phát từ các hợp chất hai
nguyên là AIIIBV và AIIBVI bằng cách thay một nửa số nguyên tử
trong một mạng con bằng các nguyên tử có hoá trị thấp hơn và
thay nửa còn lại bằng các nguyên tử có hoá trị cao hơn.
Có thể có các hệ sau:
A II B IV C V2 (như ZnSnAs2) A I B IV
2 C V
3
(như CuSi2P3)

A III
2 B IV VI
C (như Al2SnTe) A I B III C VI
2
(như CuAlS2)

* Các hợp chất này có vùng cấm thẳng với bề rộng trong khoảng 1- 3 eV.

Bán dẫn hợp chất hữu cơ: Là bán dẫn có sự đa dạng về cấu trúc
và dễ thay đổi tính chất để phù hợp với mục đích sử dụng;
Bản chất bán dẫn hữu cơ là các polymer (chuỗi phân tử) được sắp
xếp trật tự trong một vùng (như tinh thể) xen lẫn các vùng không
trật tự (vô định hình).
Ví dụ: antracen (C14H10), polyacetylene (CH)n; tetracen (C18H12)...
III.2. Phân loại theo thông số tính chất của vật liệu
III.2.1. Theo cấu trúc của vật liệu
Tính chất của vật liệu phụ thuộc vào cấu trúc nên có thể chia làm 4 loại:
Bán dẫn đơn tinh thể:
Là bán dẫn được nghiên cứu kỹ nhất, ở dạng đơn hay hợp chất, và
được sử dụng dưới hai dạng là dạng phiến hay màng mỏng epitaxy.

Bán dẫn đa tinh thể:

Bán dẫn có hai dạng là vi tinh thể (microcrystalline) và nano tinh thể
(nanocrytalline). Theo đó, kích thước hạt và phân biên hạt đóng vai
trò quyết định tính chất vật liệu.
Bán dẫn dạng gốm:
Là bán dẫn oxit chế tạo theo phương pháp gốm, đây thực chất là vật
liệu đa tinh thể với kích thước hạt lớn 1-10 m.

Bán dẫn vô định hình:

Sử dụng ở dạng màng mỏng trên các loại đế có kích thước lớn như
Selen VĐH làm màng nhạy quang, a:Si làm pin mặt trời...
III.2.2. Theo bề rộng vùng cấm
Bán dẫn vùng cấm hẹp (narrow energy-gap semiconductor):
Bán dẫn có bề rộng vùng cấm nhỏ hơn 0,5 eV và được dùng chế tạo
linh kiện quang điện tử có bước sóng nằm trong vùng IR.
Bán dẫn vùng cấm rộng (wide energy-gap semiconductor):
Là bán dẫn có bề rộng vùng cấm lớn và chịu được nhiệt độ cao như
SiC, AlN, GaN... Các bán dẫn này được sử dụng chế tạo các linh kiện
sóng ngắn, các linh kiện điện tử làm việc ở nhiệt độ cao, linh kiện
công suất và cao tần.
Bán dẫn vùng cấm thẳng (direct band-gap semiconductor):
Bán dẫn có cực tiểu VD và cực đại VHT nằm tại cùng một giá trị
véctơ sóng. Các chuyển mức thẳng không cần phonon tham gia và
bảo toàn xung lượng. BD vùng cấm thẳng có hiệu suất phát quang
lớn để chế tạo linh kiện quang điện tử.
Bán dẫn vùng cấm xien (indirect band-gap semiconductor):
Bán dẫn có cực tiểu VD và cực đại VHT không có cùng một giá trị
véctơ sóng. Các chuyển mức phải có sự tham gia của phonon và xác
suất chuyển mức thấp.
III.3. Phân loại theo lĩnh vực ứng dụng
Theo các lĩnh vực ứng dụng thì bán dẫn có thể chia làm các nhóm:

1. Bán dẫn dùng trong công nghệ chế tạo các linh kiện và mạch
điện tử như Si, Ge...
2. Các bán dẫn dùng để chế tạo các linh kiện quang điện tử, các
vật liệu nhạy quang như AIIIBV, AIIBVI...
3. Các vật liệu bán dẫn nhiệt điện: AIIBVI.
4. Các bán dẫn siêu dẫn: PbS, PbSe, PbTe, SnTe, SrTiO3.
5. Các bán dẫn có từ tính: NiO, CoO, FeO, EuO, EuSe.
III.4. Một số ứng dụng của bán dẫn (1)
Ge (0,67 eV): Photodetector, làm đế.
Si (1,12 eV): Mạch tích hợp, photodetector, pin mặt trời, làm đế.
-Si:H (1,7 eV): màng nhạy quang, pin mặt trời, transistor màng
mỏng, kỹ thuật hình ảnh.
SiC (3-3,26 eV): Linh kiện công suất, cao tần, LED xanh, UV detector.
InSb (0,17 eV) và InAs (0,36 eV): Photodetector IR.
InP (1,35 eV): L/kiện quang điện tử, vi ba, làm đế trong cấu trúc dị thể.
GaAs (1,42 eV): Quang điện tử, pin mặt trời, vi ba, linh kiện tốc độ
cao, làm đế.
III.4. Một số ứng dụng của bán dẫn (2)
GaP (2,27 eV): LED (đỏ, vàng, xanh).

GaN (3,44 eV): LED xanh.

CdTe (1,56 eV) và CdS (2,42 eV): pin mặt trời.

ZnSe (2,7 eV): LED xanh, phần tử quang học, cửa sổ bảo vệ.

ZnS (3,68 eV): cửa sổ IR, phần tử quang, hiển thị bản phẳng.

PbSe (0,8 eV) và PbS (0,41 eV): quang điện tử hồng ngoại.
CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO VẬT LIỆU BÁN DẪN
 IV. Công nghệ chế tạo vật liệu bán dẫn
Các công đoạn chính: • Công đoạn chế tạo, làm sạch nguyên liệu
• Công đoạn nuôi đơn tinh thể
• Công đoạn làm sạch, pha tạp chất
• Công đoạn gia công tinh thể

IV.1. Công đoạn chế tạo, làm sạch nguyên liệu

Với bán dẫn nguyên tố: Ví dụ chế tạo Silic
• Tạo Silic thô sạch cấp độ luyện kim (MGS - Metallurgical Grade Silicon
98%): Cát thạch anh trộn với Carbon nung trong lò cao:
SiC (rắn) + SiO2 (rắn) ----> Si (rắn) + SiO (khí) + CO (khí)
• Tạo Silic sạch cấp độ điện (EGS - Electronic Grade Silicon): Phản ứng
của Si với HCl ở 300 0C tạo Triclorosilane:
Si (rắn) + 3HCl (khí) ----> SiHCl3 (khí) + H2 (khí)
• Sản phẩm thu được đem hoàn nguyên với hydro:
SiHCl3 (khí) + H2 (khí) ----> Si (rắn) + 3HCl (khí)
Với bán dẫn hợp chất: Ví dụ chế tạo GaAs

• Để chế tạo bán dẫn hợp chất thì nguyên liệu là các đơn chất sạch
được tách từ các quặng bằng phương pháp hoá học, điện phân,
chưng cất... Sau đó, các đơn chất sẽ được tổng hợp thành hợp chất;
• Vì các hợp chất cấu tạo từ hai hay nhiều nguyên tố nên phải sử dụng
giản đồ pha biểu diễn trạng thái tinh thể vào nhiệt độ và thành phần
các nguyên tố.
IV.2. Công đoạn nuôi đơn tinh thể
Nuôi đơn tinh thể là quá trình tạo ra các pha rắn có cấu trúc
đơn tinh thể từ các vật liệu ở pha rắn, pha lỏng hay pha khí.

IV.2.1. Phương pháp Czochralski:

• Hệ thống làm lạnh thành ống;
• Hệ thống quay mẫu, điều khiển nhiệt
độ, lưu lượng khí, tốc độ kéo mẫu;
• Áp suất cao dùng Ar để tránh tạp chất;
• Sử dụng B2O3 làm lớp bọc để vật liệu
không bị phân ly;
• Có nhiều lệch mạng hơn so với
phương pháp Bridgman do có
gradient nhiệt độ lớn;
• Dễ bị tạp bẩn từ vật liệu sử dụng nồi
đun bằng Graphite.
IV.2.2. Phương pháp Bridgman:

• Mọc tinh thể từ mầm trong dung dịch nóng chảy;

• Sử dụng ống chịu nhiệt;
• Sử dụng phương pháp bù chất;
• Dễ dàng điều khiển áp suất.
IV.2.3. Phương pháp nóng chảy vùng:

• Sử dụng hệ nung cao tần;

• Bộ điều khiển khí Ar để tránh gây
nhiễm tạp chất;
• Bộ điều khiển nhiệt độ để đảm bảo
vùng nóng chảy và bộ dịch chuyển;
• Ngoài việc nuôi đơn tinh thể, còn
có tác dụng làm sạch tinh thể.
IV.2.4. Các phương pháp epitaxy:
Epitaxy từ pha khí - VPE hay CVD
thermal couple pressure
furnace quartz tube gauge
support furnace

inox connector +
gio¨ng

sample
sample support sample loading
2-stage
throttle valve
valve

outlet gas

gas
mixer

inlet gas rotary

pump

flowmeter valve

Host computer
Hệ CVD kiểu lò đứng sử dụng
chế tạo ống nano carbon
Hệ CVD kiểu lò ngang
 Hệ CVD chân không siêu cao (p ~ 10 -10 Torr)
(UHV-CVD)

IR Pyrometre

load-lock
UHV-CVD

RHEED

Pumps

Nhìn phía trước Nhìn phía sau

Một số đoạn phim minh hoạ:
- Homoepitaxy Si/Si(001);
- Homoepitaxy Si/Si(001) step;
- Homoepitaxy Si/Si(111);
- Heteroepitaxy Ge/Si(001);
- Heteroepitaxy Ge/Si(111);
Phương thức hình thành chấm lượng
tử và các modes tạo cấu trúc dị thể
(heterostructure)
A
B

a) b) c)
γ A  γ AB + γ B γ A  γ AB + γ B

mode Volmer-Weber mode Frank-van der Merwe mode Stranski-Krastanov

 Mode Stranski-Krastanov với cấu
trúc Ge/Si(001)
a
Chênh lệch hằng số mạng giữa Ge và Si:  = = 4,2%
a
1 đơn lớp nguyên tử (monolayer) = số nguyên tử / đơn vị diện tích
1 ML (Ge) = 6,20x1014 atomes /cm2 ; 1 ML (Si) = 6,78x1014 atomes /cm2

Ge
Giải phóng năng lượng

Ứng suất nén

hc = 3-6
h
MLs
Si

Tạo lớp dính ướt (wetting layer) Hình thành chấm lượng tử
Epitaxy từ pha khí - VPE hay CVD (2)
Đặc tính:
• Dựa trên cơ chế nhiệt động học: Khí mang sẽ đưa khí tích cực
"active gas" vào lò nung. Ở nhiệt độ cao, phản ứng xảy ra trên
bề mặt đế tạo pha rắn.
• Nếu sử dụng nguồn khí thì có bộ phận điều khiển lưu lượng;
• Nếu là nguồn rắn (MOVPE) thì làm trong môi trường áp suất cao;

Thuận lợi:
• Có khả năng hình thành tinh thể có chọn lọc (tại nơi mong muốn);
• Tốc độ mọc tinh thể nhanh (phụ thuộc nhiệt độ, áp suất, lưu
lượng khí);
• Có khả năng điều khiển in-situ.

Khó khăn:
• Các khí sử dụng thường độc hại.
 Epitaxy từ pha lỏng - LPE
Đặc tính:
• Tạo bán dẫn ở pha rắn bằng vật
liệu ở pha lỏng;
• Sử dụng giản đồ pha và các
đường hoá rắn (solidus) và hoá
lỏng (liquidus).

Thuận lợi:
• Đơn giản, chi phí thấp;
• Sử dụng cho các cấu trúc đơn giản;
• Có thể tạo hợp chất Al hay Sb;
Khó khăn:
• Khó tạo được các cấu trúc thấp chiều;
• Khó điều khiển thành phần và độ dày;
• Yêu cầu cần nhiệt độ cao.
 Epitaxy từ pha rắn - MBE

Đặc tính:
• Công nghệ chân không cao;
• Dùng chùm nguyên tử hay phân tử trực tiếp lắng đọng lên đế;
• Tốc độ và nhiệt độ làm việc thấp: dễ điều khiển chiều dày, tốc độ màng;
• Quá trình phân tích và điều khiển in-situ.
IV.3. Công đoạn làm sạch, pha tạp
Hệ số phân tách tạp chất:
Cs
k0 =
C l (0)
Cs: nồng độ tạp có trong tinh thể
Cl(0): nồng độ tạp trong dung dịch
tại bề mặt phân cách.

Hệ số phân tách hiệu dụng:

Cs k0
k eff = = v
Cl −
k 0 + (1 − k 0 )e D

v: tốc độ mọc tinh thể

: độ rộng hàng rào khuyếch tán (bề dày lớp tù đọng)
D: hệ số khuyếch tán của tạp chất trong tinh thể
 Hệ số phân tách tạp chất của một số bán dẫn

Với Si

Với GaAs
 Phân bố tạp chất trong tinh thể
Hàm phân bố tạp chất trong tinh thể bằng phương pháp CZ:
( k 0 −1)
Cs  M 

= k 0 1 − 
C0  M0 
M0: khối lượng vật liệu ban đầu
M: khối lượng vật liệu thành tinh thể

• Nếu k0 < 1 thì quá trình là "đào thải"

tạp chất từ tinh thể vào dung dịch và
nếu k0 > 1 thì quá trình là "cuốn hút"
tạp chất từ dung dịch vào tinh thể.
• Trong quá trình kéo đơn tinh thể,
nồng độ tạp chất có trong tinh thể sẽ
thay đổi. Nồng độ tạp sẽ tăng nếu
k0 > 1 và giảm nếu k0 < 1. Khi k0 = 1
thì tạp chất đồng đều trong tinh thể.
Phân bố tạp chất trong tinh thể bằng phương pháp nóng chảy vùng:

Hướng dịch
chuyển vùng nóng chảy

Vùng chưa qua

A L, S nóng chảy
C0 , d

0 x dx

Hàm phân bố tạp chất :

Cs  
= 1 − (1 − k eff )
k eff . x
−

C0 
L
 Đường cong phân bố tạp chất trong mẫu
 chế tạo bằng phương pháp nóng chảy
vùng với các giá trị hệ số phân tách hiệu
dụng khác nhau.
Phân bố tạp chất trong tinh thể bằng phương pháp nóng chảy vùng (2):

• Nếu quá trình nóng chảy vùng chỉ thực hiện 1 lần thì độ sạch kém so với phương
pháp CZ, nhưng thực hiện nhiều lần liên tiếp, cắt bỏ "đuôi" thì hiệu quả sạch cao;
• Thường thực hiện với vật liệu có hệ số phân tách hiệu dụng keff < 1;
• Nuôi đơn tinh thể bằng CZ và nóng chảy vùng đều có thể làm sạch, và ngược lại
có thể pha tạp chất trong quá trình nuôi đơn tinh thể.
 Quá trình pha tạp chất
• Trong phương pháp CZ, để pha tạp người ta đưa trực tiếp tạp chất
vào vật liệu nóng chảy với lượng cần thiết.
• Với Silic pha tạp loại n sẽ sử dụng P, pha tạp loại p sẽ sử dụng B;
• Với GaAs hay hợp chất AIIIBV thì pha tạp loại n sẽ sử dụng Se, Te
hay Si; pha tạp loại p sẽ sử dụng Cd, Zn;
• Trong phương pháp nóng chảy vùng, để pha tạp người ta có thể
đưa tạp chất vào vùng nóng chảy đầu tiên với lượng S0 = Cl.A.d.L,
khi nồng độ tạp chất ban đầu C0 nhỏ có thể bỏ qua. Khi đó ta có:
 k eff .x 
S 0 = S . exp   ;
 L 
 S   k eff .x 
C S = k eff   = k eff Cl . exp  − 
 A. d .L   L 

 k eff .x 
* Nếu   nhỏ thì tạp chất có thể xem là đồng đều trong thỏi tinh thể.
 L 
IV.4. Công đoạn gia công tinh thể
Các bước chính trong công đoạn này bao gồm:
Tạo hình
• Loại bỏ phần mầm tinh thể và cuối thỏi bán dẫn, cũng như các phần sai hỏng
(v/d Silic);
• Mài thỏi bán dẫn theo trục của thỏi, công việc mài thỏi sẽ kết thúc khi đạt đường
kính theo yêu cầu;
• Cắt các mặt chính (primary flat) và mặt phụ (secondary flat) theo hướng tinh
thể. Công việc này đòi hỏi phải dùng nhiễu xạ tia X để xác định hướng tinh thể;
• Cắt các phiến tinh thể đảm bảo hướng bề mặt tinh thể, độ dày phiến;
• Công đoạn mài cạnh của phiến Silic đảm bảo có độ tròn.
Movie on getting substrates Movie on cutting Si(001)

1800
primary
450

secondary

{111} n-type {111} p-type {100} n-type {100} p-type

 Xử lý hoá - ăn mòn
• Sau khi các phiến Si được cắt, cần phải làm sạch và ăn mòn những chỗ sai hỏng
trong quá trình cắt phiến;
• Sử dụng các dung dịch acide để ăn mòn: HNO3, HF hay CH3COOH (acetic acide);
• Sử dụng các dung môi như ethalon, aceton làm chất tẩy bề mặt.
Movie on cleaning substrates Movie on disposing of waste solvents

Đánh bóng bề mặt

• Là quá trình cuối cùng của công đoạn gia công tinh thể;
• Tạo bề mặt nhẵn, phẳng cho mục đích công việc;
• Bề mặt không bị nhiễm bẩn và có sai hỏng.

áp suất

giữ mẫu
dung dịch bột mài
phiến Si
tấm đánh bóng
V. Các phương pháp xác định thông số
của chất bán dẫn
V.1. Phân loại các thông số

Thông số cơ bản Thông số đặc trưng Thông số hoá lý

NV no  D C
mn* a
ND po n L k0
mp*
Na p . .
Eg . .
n . .
Ea Nd
P/pháp phân p
Ed tích cấu trúc
. 
.
. P/pháp điện R
P/pháp phân tích

P/pháp quang
V.2. Xác định độ dẫn điện
Nguyên tắc chung: Để đo điện trở
suất, ta đo điện trở và kích thước mẫu.
Tuy nhiên vật liệu BD khó gia công và
có hiện tượng phun hạt tải tại tiếp xúc
kim loại - bán dẫn, do đó cần có
phương pháp xác định điện trở suất.

V.2.1. Phương pháp hai mũi dò:

• Sử dụng phương pháp này để khắc
phục ảnh hưởng của hiện tượng phun
hạt dẫn từ các tiếp xúc ở hai đầu đo;
• Điện trở suất của mẫu được tính:

V S
= . 1-2 là mũi dò thế; 3-4 là tiếp xúc đo
I L dòng điện; 5 là điện kế một chiều;
6 là điện trở mẫu; 7 là mẫu cần đo.
V.2.2. Phương pháp mũi dò di động:
• Mũi dò di động dọc theo bề mặt mẫu
với tốc độ không đổi v;
• Dòng điện I qua mẫu không đổi;
• Điện trở suất của mẫu được tính:
S dU
 ( x) = .
Iv dt
V.2.3. Phương pháp bốn mũi dò:
• Sử dụng 2 mũi dò dòng (1, 4) và 2 mũi
dò thế (2, 3);
• Trong điều kiện lý tưởng với mẫu là
nửa không gian vô hạn, điện trở suất
của mẫu được tính:
U
 = 2 .l.
I
• Mẫu mỏng có bề dày d << đường kính D
U  U U
 = d .F .  d .  5,45 d .
I ln 2 I I
V.2.4. Phương pháp van-der-Pau:

• Là phương pháp cải tiến từ phương pháp 4 mũi dò;

• Cho phép đo điện trở suất trên các mẫu có hình dạng bất kỳ;
• Nếu cho dòng chạy qua a, b và đo thế giữa m, n ta sẽ có điện
trở Rab,mn; tương tự ta có Rbm,na.

 .d Rab .mn + Rbm .na

= . .f
ln 2 2
* f là thừa số hiệu chỉnh, phụ thuộc tỷ số giữa hai điện trở mô tả như hình bên.
V.2.5. Các phương pháp không tiếp xúc:
Phương pháp cầu
Mẫu đo được mắc vào mạch cầu cao
tần, giá trị điện trở cần đo được xác
định bằng việc thay đổi R, C đến khi
cầu ở trạng thái cân bằng

Phương pháp đo độ phẩm chất

của khung cộng hưởng
Độ phẩm chất của khung cộng hưởng, Q, được xác định là tỷ số
giữa trở kháng của khung và trở thuần của nó. Khi đưa mẫu bán
dẫn vào khung dao động thì Q thay đổi do có sự tăng tổn hao trong
khung, qua đó người ta xác định sự thay đổi Q = f(). Có hai
phương pháp đưa mẫu đo vào mạch:

• Phương pháp tụ điện: Mẫu BD được

đưa vào hai má tụ điện, đường cong
chuẩn có dạng hình vẽ.
• Phương pháp cuộn cảm: Đưa mẫu BD
vào trong lõi cuộn cảm.
V.3. Xác định nồng độ hạt dẫn và độ linh động
của các hạt tải điện
V.3.1. Hiệu ứng Hall:
Bx Bx
z z

vdn
Ey Ey
FL FL
y vdp y

Ex x Ex x

Bán dẫn loại n Bán dẫn loại p

Tốc độ của hạt dẫn: v dn, p =   n, p .E x

Điện trường Hall: E y = RH .J x .B z

Phương pháp thông dụng để xác định
nồng độ hạt dẫn, n, là đo hằng số Hall.
A
RH = − (bán dẫn loại n)
n.e
A
RH = (bán dẫn loại p) Mẫu đo Hall
p.e
Trong một vùng có nồng độ tạp phân bố
khá rộng và trong khoảng nhiệt độ khá
rộng, A có giá trị gần bằng 1, do đó:
1
RH =
p.e
Đồng thời nếu biết độ dẫn điện của mẫu,
ta sẽ xác định được độ linh động hạt dẫn:
 = RH .
Nguyên lý mạch đo
Sử dụng mẫu và sơ đồ đo Hall
V.3.2. Một số dạng cấu trúc của mẫu đo Hall:
Trường hợp đo hiệu ứng Hall của mẫu bán dẫn dạng màng mỏng
thì màng này phải được tạo trên đế cách điện và có 4 điện cực kim
loại có tiếp xúc ômic nằm đối xứng nhau.

2 1 2

1 2

1 3

4 3

4 4 3
V.3.3. Xác định độ dẫn, :
Đo hiệu điện thế giữa hai điểm 1,2 và giữa 3,4 theo chiều dòng
điện và đảo dòng điện. Ta có:

U1, 2

1 1, 2
= U  ( + I ) + U 1, 2 ( − I )  và U 3, 4 = 
1 3, 4
U  ( + I ) + U 3, 4 ( − I ) 
2 2

Khi đó, điện thế:

1 1, 2

U  = U  + U 3, 4 
2
Điện trở suất và độ U  .a.d
1
dẫn của mẫu bán dẫn:
= =
 I .l.K

2 S  1 2 2  a a
Trong đó: K = 1−  arctg + ln  ;  = =
 .l   2  + 1
2
S a.d
V.3.4. Xác định hằng số Hall, RH:
Đo hiệu điện thế giữa hai điểm 1,3 và giữa 2,4 theo chiều dòng
điện và đảo dòng điện, đồng thời theo chiều từ trường và đảo
từ trường. Ta có:

U H1,3 = 
1 1,3
U H ( + I ,+ B ) + U H1,3 ( + I ,− B ) + U H1,3 ( − I ,+ B ) + U H1,3 ( − I ,− B ) 
4
Tương tự với U H2 , 4 , ta tính được điện thế Hall:
1 1,3

U H = U H + U H2 , 4 
2
U H .d
Hằng số Hall được xác định: RH =
I .B
1
Từ đó, nồng độ hạt dẫn: p=
R H .e
RH
Và độ linh động hạt tải điện:  = RH . =

V.3.5. Cấu hình phép đo hiệu ứng Hall:
V.3.6. Các trường hợp đặc biệt:
Mẫu có hình dạng bất kỳ:
Mẫu có chiều dày d và hằng số Hall được xác định bằng phương
pháp van-der-Pau bằng cách cho dòng điện chạy qua hai điểm a,n và
ta đo thế tại hai điểm b,m:
U Hb , m .d
RH = .f
I .B
* f là hàm hiệu chính phụ thuộc vào bề dày d của mẫu.

Trường hợp bán dẫn riêng:

1 1− b
Hằng số Hall được xác định: R Hi = .
ni .e 1 + b
n  E g 
ni = ( N C .N V )
1
Trong đó: b= và 2 . exp  − 
p  2 kT 

* Với các giá trị trên ta có thể xác định được Eg và b.
V.4. Xác định thời gian sống của hạt dẫn
V.4.1. Phương pháp biến điệu độ dẫn bằng tiếp xúc điểm:
• Mũi dò kim loại tạo với mẫu đo một tiếp 
xúc điểm; tiếp xúc thứ hai là Omic;
• Ở chế độ nguồn dòng, phát hai xung
dòng dạng vuông liên tiếp cách nhau t;
• Khi bắt đầu xung thứ nhất, nồng độ hạt
dẫn gần tiếp xúc điểm tăng và sẽ giảm t
theo hàm mũ khi kết thúc xung này;
• Xung thứ hai có độ cao phụ thuộc vào
độ dẫn do xung thứ nhất gây ra, nghĩa
là phụ thuộc vào thời gian giữa hai
xung: thời gian càng nhỏ, độ cao của
xung thứ hai càng thấp;
• Như vậy, phép đo thời gian sống của hạt
tải, , được qui về phép đo thời gian
giữa hai xung khi độ cao của xung thứ 1-máy phát xung kép; 2- bộ chỉnh dòng;
hai giảm đúng bằng e lần xung thứ nhất. 3- bộ giới hạn; 4- bộ khuyếch đại; 5-dao
động ký; 6-mẫu đo; 7-bộ tạo xung.
V.4.2. Phương pháp đo theo sự suy giảm của quang dẫn:
• Khi tắt nguồn sáng, độ dẫn của
mẫu giảm theo qui luật hàm mũ:

(
 (t ) = const . exp − t

)
• Sự thay đổi độ dẫn gây ra sự thay
đổi hiệu điện thế trên điện trở R; 1-mẫu đo; 2- điện trở; 3- bộ khuyếch đại;
• Từ tín hiệu trên dao động ký, xác 4-dao động ký; 5-nguồn sáng; 6-đĩa quay.
định được thời gian sống hiệu dụng
của hạt dẫn.

V.4.3. Phương pháp so pha:

• Sử dụng nguồn sáng thay đổi theo
qui luật hình sin: J = J0.sin(t);
• Điện thế trên trở R sẽ bị dịch pha:
UR = U0 .sin(t+);
• Pha dịch chuyển có liên quan đến
thời gian sống: tg = ; do đó ta có
thể xác định được thời gian sống 1-nguồn sáng; 2- diapham; 3- mẫu đo;
của hạt tải nhờ xác định độ dịch pha. 4-bộ khuyếch đại; 5-bộ so pha; 6-tế bào
quang điện.
 II. Quá trình hấp thụ và tái hợp bức xạ
Vùng dẫn Vùng dẫn

photon

Vùng hoá trị Vùng hoá trị

Hấp thụ photon (ánh sáng, sóng Sự dịch chuyển của điện tử từ
điện từ) sinh ra cặp điện tử-lỗ vùng dẫn về vùng hoá trị dẫn
trống, theo đó điện tử chuyển từ đến bức xạ photon.
vùng hoá trị lên vùng dẫn.
 II.1. Các đặc trưng quang
I R ( ) I0
• Hệ số phản xạ: R(λ ) =
I 0 ( )
IT()
I T ( )
• Hệ số truyền qua: T(λ ) = I0
I 0 ( ) I R(  )
• Hệ số hấp thụ:
I(x)
Ph/trình Buger-Lamber I(x) = I 0 (1 − R)e − α(λ).x
1 I 0 (1 − R) 1 (1 − R) 2
α(λ) = ln = ln Io (1-R)Io (1-R)Ioe-x (1-R)2I e-x
o

x I(x) x T RIo R(1-R)Ioe-2x R(1-R)Ioe-x

Trường hợp chưa biết R, với hai mẫu có R(1-R)2Ioe-2x R2(1-R)I e-2x
o R2(1-R)Ioe-3x R2(1-R)2Ioe-3x

bề dày x1 và x2 ta sẽ đo IT qua hai mẫu: R3(1-R)Ioe-4x R3(1-R)Ioe-3x

R3(1-R)2e-4x R4(1-R)Ioe-4x R4(1-R)Ioe-5x R4(1-R)2Ioe-5x

1 I T1
α(λ) = ln
x 2 − x 1 I T2 Xác định hệ số hấp thụ của
mẫu bán dẫn
II.2. Tổng quan về các cơ chế hấp thụ ánh sáng

1, 1a: Hấp thụ cơ bản

2, 2a: Hấp thụ do các hạt dẫn tự do và giữa các vùng con
3, 3a, 3b, 3c: Hấp thụ do tạp chất
4: Hấp thụ giữa các mức acceptor và donor
5, 5a: Hấp thụ exciton
* Ngoài ra còn hấp thụ phonon, hấp thụ plasma ...
II.2.1. Hấp thụ cơ bản hay là chuyển mức VHT-VD

Vùng dẫn - Bán dẫn hấp thụ photon --> phát sinh
cặp điện tử-lỗ trống, điện tử nhận
năng lượng chuyển từ VHT lên VD;

Chuyển mức
- Chuyển mức thẳng (vectơ sóng k
thẳng không đổi), và chuyển mức xiên (có
photon sự tham gia của phonon);
Chuyển mức
xiên - Bán dẫn là trong suốt với ánh sáng
có tần số:
Vùng hoá trị
ΔE g
E ν
k 
 Chuyển mức thẳng
Một chuyển mức thẳng của e Vùng dẫn
- Quan hệ về trạng thái năng lượng để e hấp
thụ một photon chuyển từ mức Ei lên Ef : Ef
Eg
E f = h − Ei
h
Vì VD và VHT có dạng parabol nên:
 2k 2  2k 2 0 Ei
E f − Eg = và Ei =
2 me* 2 mh* Vùng hoá trị
 2k 2
Do đó: h − E g =
2 mr* (cm-1)
Hệ số hấp thụ trong trường hợp chuyển
mức thẳng được phép:
 (h ) = B (h − E g ) 2
1

 (h ) = B (h − E g ) 2
1
h
h 0 = E g
 Chuyển mức xiên
Vùng dẫn
Chuyển mức xiên đòi hỏi có sự thay đổi
về xung lượng và năng lượng → tham
dự của phonon (âm học hay quang học).
Eg
Chuyển mức từ Ei lên Ef : 2 giai đoạn Eg+Ephn
(e hấp thụ photon chuyển lên trạng thái giả Eg-Ephn
định, và từ trạng thái giả định sang đáy VD
bằng cách hấp thụ hay phát sinh phonon)

h = E f − Ei  E phn
(+) phát sinh phonon
(-) hấp thụ phonon Vùng hoá trị

Tính đến quá trình hấp thụ và phát

1
sinh phonon:  2

 (h ) =  a (h ) +  e (h ) T2 >T1

1
A1 ( h − E g + E phn ) 2
A2 ( h − E g − E phn ) 2 e 2 T1
= +
E   − E phn 
exp  phn  − 1 1 − exp 
1

kT  kT  a 2
   ( E g 2 + E phn ) h
( E g 2 − E phn ) ( E g1 − E phn ) ( E g1 + E phn )
 Sự dịch chuyển bờ hấp thụ cơ bản
Các yếu tố ảnh hưởng:
Nhiệt độ: Ở nhiệt độ thấp hơn nhiệt độ Debye
(T< TD = hphn/k) sự tham gia của phonon là
không đáng kể. Khi T > TD thì có đóng góp của
hấp thụ phonon âm học;
Ngoài ra, nhiệt độ tăng làm giảm bề rộng vùng
cấm → bờ hấp thụ riêng dịch về phía năng lượng
photon nhỏ hơn (v/d Ge).
Pha tạp: Sự pha tạp dẫn đến tồn tại mức Fermi
ở VD → hấp thụ xảy ra với năng lượng photon
lớn hơn Eg (dịch chuyển Burstein-Moss).

Ví dụ: Chuyển mức thẳng

trong bán dẫn InSb (a)
trong trường hợp không
h
pha tạp (1b) và pha tạp
mạnh loại n (2b).
h
II.2.2. Hấp thụ exciton
Ec
Exciton: tương tác giữa cặp điện tử
Ex (2)
- lỗ trống trong tinh thể;
Ex (1)
Năng lượng của các exciton: ~ vài meV
Eg
1 −m q * 4 n = 1,2,3,.. dấu (-) thể
Ex = 2 r
hiện năng lượng tính
n 2h  2 2
từ mốc là đáy VD.

Bán dẫn vùng cấm thẳng: Hấp thụ exciton xảy ra khi năng lượng
photon thoả mãn:
E (1) Phổ gián đoạn (nhoè đi
h = E g − E x = E g − x
2
khi n2 do dao động nhiệt,
n sai hỏng...)

n=1
II.2.2. Hấp thụ exciton (2)
Bán dẫn vùng cấm xiên: Hấp thụ exciton phải có sự tham gia
của phonon, khi đó năng lượng photon thoả mãn:

h = E g  E phn − E x
* Các phonon tham gia có thể một hay nhiều phonon âm học hoặc quang học
* Dạng phổ trong chuyển mức xiên là các "bước nhảy" chứ không phải các đỉnh

Dạng phổ hấp thụ lân cận bờ Dạng phổ hấp thụ lân cận bờ
hấp thụ cơ bản của Silic hấp thụ cơ bản của GaP
II.2.3. Hấp thụ tạp chất
Năng lượng photon thấp: chuyển Năng lượng h > Eg-Ei: chuyển
mức giữa donor trung hoà với VD (a) mức giữa VHT với donor ion hoá
hoặc VHT với acceptor trung hoà (b) (c) hay acceptor ion hoá với VD (d);

Ec
Ei
Ed +

Ea _
Ev
a) b) c) d)
Phổ hấp thụ tạp chất của Si pha tạp Bo nằm
trong vùng IR; còn với trường hợp InSb hấp
thụ tạp chất thể hiện ở các điểm "gấp khúc".
InSb

Si pha tạp Bo

7,9 meV
h
II.2.4. Hấp thụ giữa Acceptor và Donor
Ec
ED
h

EA
EV

- Hấp thụ acceptor-donor có thể xảy ra giữa mức pha tạp

acceptor (e điền đầy một phần hoặc hoàn toàn) với mức
donor (e chưa điền đầy hoàn toàn);

- Nếu kể đến tương tác Coulomb giữa các acceptor và

donor thì quá trình hấp thụ xảy ra khi:

q2
h = E g − E D − E A +
 .r
II.2.5. Hấp thụ giữa các vùng con (Intra band)
Bán dẫn loại p: VHT có 3 (2-1)
Fp (3-1)
nhánh lỗ trống, có 3 khả
(3-2)
năng chuyển mức: 3-1 2-1
3-2
3-1: lỗ trống trung bình - nặng
3-2: lỗ trống trung bình - nhẹ
2-1: lỗ trống nhẹ - nặng p - Ge
* Khi thay đổi nồng độ pha tạp hay nhiệt độ
có sự dịch chuyển các vạch phổ (v/d p-Ge)

Bán dẫn loại n: điện tử

chuyển mức giữa các vùng
n - GaP
con, thường là hấp thụ chọn
lọc và là chuyển mức thẳng.
0,27 eV
Ví dụ: n-GaP có phổ hấp thụ
chuyển mức giữa X1 → X3 là 0,27
eV tại cực tiểu theo [100], nếu
đưa As vào thì 1 sẽ dần là cực
tiểu thấp nhất (tập trung e), nên
dịch chuyển X1 → X3 biến mất.
II.2.6. Hấp thụ của các hạt dẫn tự do
Hạt dẫn tự do có thể dịch chuyển từ E
trạng thái năng lượng này tới trạng
thái năng lượng khác trong cùng một E2
vùng cho phép có sự tham gia của
phonon hay do tán xạ giữa các hạt,
do đó phổ hấp thụ là liên tục. E1
k
Lý thuyết cổ điển - hệ số hấp thụ:
Nq 2 2
= * 2 3
m 8 nc  độ dốc = 3/2

Lý thuyết lượng tử Drude-Lorenz:

3 5 7
 (  ) = A 2 + B 2 + C  2
Ge
tán xạ trên
phonon âm học
tán xạ trên ion
tán xạ trên tạp chất
phonon quang
Hệ số hấp thụ vs. nồng độ ion tạp chất
II.2.7. Hấp thụ phonon
- Quá trình tinh thể bán dẫn hấp thụ năng lượng photon và
chuyển hoá thành các dao động mạng tinh thể (phonon).
- Hiện tượng tán xạ của photon:
* trên phonon quang học → tán xạ Raman - Mandenstamm
* trên phonon âm học → tán xạ Brillouin

CdS
Si

Phổ tán xạ Raman của CdS cho thấy Phổ Raman của Si đơn tinh thể
các phonon quang được sinh ra và cho thấy tương tác của tinh thể
có hiện tượng phát huỳnh quang. với photon sinh ra các phonon.
II.3. Các phương pháp vi sai nghiên cứu tính chất
quang của bán dẫn
Mục đích:
- Nghiên cứu phổ hấp thụ và phản xạ cho biết cấu trúc vùng
năng lượng;
- Nghiên cứu sự thay đổi của các thông số vùng năng lượng
dưới tác dụng của kích thích ngoài (điện trường, từ trường,
nhiệt độ, áp suất...).

Nguyên lý: Đo phổ tại lân cận các điểm đặc biệt (Van-Hove)
dưới tác dụng của kích thích bên ngoài

R R ( w) − R ( 0 )
=
R (0) R (0)

R(w): hệ số phản xạ khi có kích thích bên ngoài

R(0): hệ số phản xạ không có kích thích
II.3.1. Phương pháp điện-vi sai
E

Vùng dẫn

đuôi vùng dẫn dưới tác

dụng của điện trường

Vùng hoá trị

Dưới tác dụng của một điện trường đủ mạnh (~4kV), ở đáy
vùng dẫn biến dạng và xuất hiện "cái đuôi". Do đó, hệ số hấp
thụ sẽ thay đổi tại điểm đặc biệt Eg. Ta xác định điểm này nhờ
giá trị  = (E) - (0).
II.3.2. Các phương pháp khác

• Phương pháp nhiệt - vi sai: Dựa vào sự biến thiên nhiệt độ

nung tinh thể bằng điện áp hay Laser có tần số thấp để
tránh quán tính nhiệt;
• Phương pháp áp - vi sai: Nghiên cứu quang phổ dưới tác
dụng của áp suất biến điệu dọc theo các trục tinh thể;
• Phương pháp quang - vi sai: Sử dụng Laser có cường độ
lớn để làm thay đổi tính chất về cấu trúc của bán dẫn;
• Phương pháp cathode - vi sai: Sử dụng chùm e nhanh để
bắn phá, tạo các cặp điện tử-lỗ trống và đo phổ của chúng;
• Phương pháp từ - vi sai: Sử dụng từ trường biến thiên để
biến điệu quá trình phản xạ.
II.4. Tái hợp bức xạ hay chuyển mức phát quang
II.4.1. Tái hợp bức xạ: 1 e có thể nu mức NL trên
chuyển từ mức năng lượng cao
(trạng thái kích thích) về mức năng
h
lượng thấp hơn và phát ra photon. Pul

Tốc độ tái hợp bức xạ: nl mức NL dưới

R = nu .nl .Pul

Hấp thụ bức xạ Tái hợp bức xạ

- Suy giảm photon tới do tạo các
cặp điện tử-lỗ trống;
- Có sự tham gia của tất cả các
trạng thái NL → phổ rộng.
- Phát sinh photon do tái hợp điện
tử-lỗ trống;
- Xảy ra với một số nhỏ trạng thái
chứa e và số nhỏ trạng thái
chứa lỗ trống → phổ hẹp.

Điều kiện xảy ra tái hợp bức xạ: Bán dẫn ở trạng thái không cân
bằng do bị kích thích bởi (dòng điện, quang, chùm e hay cơ học).
II.4.2. Các đặc trưng tái hợp bức xạ
Quan hệ giữa tốc độ tái hợp và hệ số hấp thụ
(biểu thức van Roosbroeck - Shockley)
R ( ) d = P ( ). p ( ) d P() : xác suất hấp thụ photon
1 c
 ( )8 n2 2 P ( ) = =  ( ).
R ( ) d = d  ( ) n
2  h   p()d : mật độ photon có tần
c exp   − 1 số  trong một khoảng d
  kT   n : chỉ số khúc xạ
1 n. p
Với bán dẫn pha tạp: R =
 2 ni2
Hiệu suất phát quang
u
R 1 h1
= =
Rtotal 1 +  h
i
' h2
 : thời gian chuyển mức u → l l
' : thời gian chuyển mức u → i → l
Dịch chuyển Stockes và anti-Stockes
a → b : hấp thụ photon hi ; E
b → c: chuyển về cực tiểu của mức kích thích b
đầu tiên kèm phát sinhphonon; c
c → d : bức xạ photon hd < hi ; hi hd
d → a : chuyển về cực tiểu của mức cơ bản
kèm phát sinh phonon;
a d k
 d =  i   phn
Dấu (-) ứng chuyển Stockes, vạch phổ năng lượng bức xạ
thấp hơn năng lượng photon kích thích;
k d = k i  k phn Dấu (+) ứng hấp thụ phonon gây dịch chuyển anti-Stockes.

 d , kd  d , kd
 i , ki  i , ki

 phn , k phn  phn , k phn

dịch chuyển Stockes dịch chuyển anti-Stockes
II.4.3. Tái hợp exciton
Tái hợp điện tử ở mức
exciton với lỗ trống ở VHT Eg
Ex
Chuyển mức có NL photon:
Chuyển mức Chuyển mức
E x(1) thẳng
h = E g − E x = E g − 2 (direct)
xiên
Ephn
n
h = E g − E x − E phn (indirect) E
k

Ex

Ephn
Ephn Ephn
Chuyển mức phát sinh nhiều phonon:
h = E g − E x − mE phn
II.4.4. Chuyển mức giữa VD - VHT
Chuyển mức thẳng E

L ( ) = B (h − E g )
1
2 Eu
Eg
* Hệ số bức xạ photon giống hệ số hấp thụ h

Khi tăng nhiệt độ hay thay đổi nồng độ pha 0 El

tạp, các trạng thái ở đáy VD và đỉnh VHT bị
điền đầy, dẫn đến sự thay đổi mức Fermi.
Khi đó, bức xạ phát sinh có năng lượng cao
k
→ dịch đỉnh phổ về phía NL cao.

n-InAs
Chuyển mức xiên

Chuyển mức xiên có sự tham

 hoặc L
gia của các phonon;
Eg
Nếu phát sinh phonon:
h min = E g − E phn  E g direct
Ephn
Nếu hấp thụ phonon:
h min = E g + E phn  E g E indirect
k h
→ phổ bức xạ trong chuyển mức Eg-Ephn Eg
chỉ phát sinh phonon:
L ( ) = B ' (h − E g + E phn )
2

có sự tự
Tính đến quá trình tự hấp thụ: hấp thụ
L( ) = (1 − R ) L0 ( )e − ( ). x bức xạ
Mẫu có chiều dày d và hấp thụ là đồng đều:
1 − e − .d
L ( ) = (1 − R ) L0 Ge
 .d
 II.4.5. Chuyển mức giữa 1 vùng và mức tạp chất
Chuyển mức nông Chuyển mức sâu
• Chuyển mức từ VD với donor trung • Chuyển mức của e từ donor về
hoà hay từ acceptor trung hoà về VHT; VHT hay từ VD về acceptor;
• Phổ bức xạ nằm trong vùng FIR • Xác suất chuyển mức nhỏ hơn 4
lần xác suất chuyển mức VD - VHT.
Ec Ec
Ei Ed Ed

Ea Ea
Ev Ev
Chuyển mức giữa donor và acceptor Chuyển mức giữa các vùng con
• Chuyển mức của e từ donor về acceptor • Tái hợp của e từ V1 → V2 dưới tác dụng
có tính đến tương tác Coulomb: E
6.6 m
2
q (0.19 eV)
h = E g − E A − E D +
 .r
Ec
Ge
h

r
Ev
Kết thúc chương