‫‪‬‬ ‫‪Electronics Go‬‬

‫دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‬

‫َ‬
‫ﻧﺼﻒ‬ ‫ً‬
‫ﻋﻨﴫا ذا وﺻﻠﺔ ﻣﻌﺪن –‬ ‫ُﻳﻌﺘﱪ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‬
‫َ‬
‫اﻟﻌﺰل‬ ‫ﻧﺎﻗﻞ‪ ،‬و ُﻳﻄﻠﻖ ﻋﻠﻴﻪ أﺳﻤﺎء أﺧﺮى ﻣﺜﻞ دﻳﻮد‬
‫‪ Barrier diode‬ودﻳﻮدات اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ ‪low voltage‬‬
‫‪.diodes‬‬

‫ّ‬
‫ﻓﻘﺪان اﻻﺳﺘﻄﺎﻋﺔ ﻟﺪﻳﻪ أﻗﻞ ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﺑﺎﻟ ّﺪﻳﻮد اﻟﻌﺎديّ‬
‫وأول ﻣﻦ اﻛﺘﺸﻔﻪ ﻫﻮ اﻟﻌﺎﻟﻢ واﻟﱰ‬ ‫ّ‬ ‫ذي اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪، PN‬‬
‫ﺷﻮﺗﻜﻲ ‪.Walter.H.Schottky‬‬

‫ّ‬
‫ﻋﺎم ﻣﻦ‬ ‫ّ‬
‫ﺗﺘﺸﻜﻞ اﻟﻮﺻﻠﺔ ‪ PN‬ﻓﻲ اﻟ ّﺪﻳﻮد اﻟﻌﺎدي ّﺑﺸﻜﻞ‬
‫أﻣﺎ ﻓﻲ‬‫اﻟﺘﺤﺎم ﴍﻳﺤﺔ ‪ p-type‬ﻣﻊ ﴍﻳﺤﺔ ‪ّ ، n-type‬‬
‫دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ُﺗﺴﺘﺨﺪم ﻣﻮاد ﻣﺜﻞ اﻷﻟﻤﻨﻴﻮم أو اﻟﺒﻼﺗﲔ‬
‫اﻟﴩ ﻳﺤﺔ ‪ّ p-type‬‬
‫اﻟﻨﺼﻒ ﻧﺎﻗﻠﺔ‪.‬‬ ‫ﻋﻮﺿﺎ ﻋﻦ ّ‬
‫ً‬

‫ﺑﻨﻴﺔ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪.‬‬

‫اﻟ ّﺮﻣﺰ اﻟﻜﻬﺮﺑﺎﺋ ّ‬

‫ﻲ ﻟﺪﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪.‬‬

‫ﻣﺒﺪأ ﻋﻤﻞ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪:‬‬

‫اﻟﺘﺒﺪﻳﻞ ‪ switching rate‬وﻫﺒﻮط اﻟﺠﻬﺪ‬ ‫ُﺗﻌﺘﱪ ﴎﻋﺔ ّ‬
‫اﻷﻣﺎﻣﻲ ﻣﻦ أﻫﻢ اﻟﺒﺎراﻣﱰات اﻟﻔﲒﻳﺎﺋ ّﻴﺔ ﻟﺪﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪،‬‬
‫ﻓﻬﻮ وﺻﻠﺔ ﻣﻦ ﻣﻌﺪن – ﻧﺼﻒ ﻧﺎﻗﻞ – ﻻ ﻳﻤﻜﻨﻪ ﺗﺨﺰﻳﻦ‬
‫اﻟﺸﺤﻨﺎت ﻓﻲ وﺻﻠﺘﻪ‪ ،‬وﺳﺒﺐ ذﻟﻚ ﻫﻮ ﻏﻴﺎب اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ‬ ‫ّ‬
‫اﻟﻤﺠ ّﺮدة ‪.depletion layer‬‬

‫ﻋﺎدة ﻫﺒﻮط ﻟﻠﺠﻬﺪ ﻋﲆ‬ ‫ً‬ ‫ﻳﻨﺘﺞ ﻋﻦ ﻣﺮور ّ‬

‫اﻟﺘﻴﺎر ﻓﻲ اﻟ ّﺪﻳﻮد‬
‫أﻃﺮاﻓﻪ‪ ،‬ﺗﱰاوح ﻗﻴﻤﺘﻪ ﻓﻲ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﺑﲔ ‪0.15v‬‬
‫و‪ 0.45v‬ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﻣﻊ ‪ 0.6‬و‪ 1.7‬ﻓﻮﻟﺖ ﻟﻠ ّﺪﻳﻮد اﻟﻌﺎديّ‪،‬‬
‫ً‬
‫وﺧﺮﺟﺎ‬ ‫ﻳﺤﻘﻖ ﻫﺒﻮط اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻨﺨﻔﺾ ﻓﻌﺎﻟ ّﻴﺔ‬ ‫ّ‬ ‫ﺣﻴﺚ‬
‫َ‬
‫أﻓﻀﻞ‪.‬‬
‫ّ‬
‫أﻣﺎ‬ ‫اﻟﴩ ﻳﺤﺔ ‪ N‬اﻟﻤﻬﺒﻂ‬ ‫ّ‬ ‫ّ‬
‫ﺗﻤﺜﻞ‬ ‫ﻋﻨﺪ ﺗﺼﻨﻴﻊ اﻟ ّﺪﻳﻮد‬
‫ّ‬
‫ﻓﺘﻤﺜﻞ اﻟﻤﺼﻌﺪ‪.‬‬ ‫ّ‬
‫اﻟﴩ ﻳﺤﺔ اﻟﻤﻌﺪﻧ ّﻴﺔ‬

‫ّ‬
‫ﺑﺎﻻﺗﺠﺎه‬ ‫ﻟﺪى ﺗﻄﺒﻴﻖ اﻟﺠﻬﺪ ﻋﲆ اﻟ ّﺪﻳﻮد ﻳﻤ ّﺮ ّ‬
‫اﻟﺘﻴﺎر‬
‫اﻷﻣﺎﻣﻲّ ﻟﻪ‪ ،‬وﺗﻜﻮن ﺧﺴﺎرة اﻟﺠﻬﺪ أﺻﻐﺮ ّﻳﺔ ﻋﲆ أﻃﺮاف‬
‫اﻟ ّﺪﻳﻮد أﺛﻨﺎء ﻣﺮور اﻟﺘ ّﻴﺎر‪ ،‬ﺣﻴﺚ ﺗﺪﻋﻰ ﻫﺬه اﻟﺨﺴﺎرة ﺑﻬﺒﻮط‬
‫اﻟﺠﻬﺪ ‪. Voltage drop‬‬

‫ﺑﻨﻴﺔ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪:‬‬

‫ﻳﺸﻜﻼن‬‫ّ‬ ‫ﻳﺘﻜﻮن دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻣﻦ ﻣﻌﺪن وﻧﺼﻒ ِﻧﺎﻗﻞ‬ ‫ّ‬
‫ﻣﻌﺎ وﺻﻠﺔ أﺣﺎد ّﻳﺔ اﻟﺠﺎﻧﺐ‪ ،‬وﻳﺴﺘﻌﻤﻞ ﻓﻲ ﺻﻨﻌﻪ ﺑﻌﺾ‬ ‫ً‬
‫واﻟﻤﻮ ِﻟ ْﺒﺪﻳ ُﻨﻮم‬
‫ُ‬ ‫ّ‬
‫واﻟﻔﻀﺔ‬ ‫ّ‬
‫اﻟﺬﻫﺐ‬ ‫اﻟﻤﻌﺎدن ﻣﺜﻞ‬
‫‪ tungsten‬واﻟﺒﻼﺗﲔ‬ ‫ّ‬
‫واﻟﺘﻨﻐﺴﺘﲔ‬ ‫‪molybdenum‬‬
‫اﻟﻨﻮع ‪N‬‬‫اﻟﻨﺎﻗﻠﺔ ﻣﻦ ّ‬ ‫اﻟﻨﺼﻒ ّ‬ ‫ّ‬
‫اﻟﴩ ﻳﺤﺔ ّ‬ ‫‪ّ ، platinum‬‬
‫أﻣﺎ‬
‫ّ‬
‫اﻟﺴﻴﻠﻜﻮن ‪Silicon‬‬ ‫ﺗﺼﻨﻊ ﻣﻦ اﻟﺠﺎﻟﻴﻮم ‪ ،Gallium‬أو‬
‫اﻟﺬي ﻳﺴﺘﻌﻤﻞ ﻣﻊ ّ‬
‫اﻟﱰ ّددات اﻟﻤﻨﺨﻔﻀﺔ‪.‬‬

‫ﻳﺘﻌﻠﻖ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﺑﺸﻜﻞ ﻣﺒﺎﴍ ﺑﺎﻧﺨﻔﺎض درﺟﺔ‬ ‫ّ‬

‫ّ‬
‫ﻳﺘﻐﲑ ﺗﺮﻛﲒ‬ ‫اﻟﺤﺮارة‪ ،‬ﺣﻴﺚ ﻓﻲ أﻧﺼﺎف ّ‬
‫اﻟﻨﻮاﻗﻞ ﻧﻮع ‪N‬‬
‫ّ‬
‫وﺗﺘﺸﻜﻞ ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻣﺠ ّﺮدة ﺑﲔ‬ ‫ّ‬
‫ﺑﺘﻐﲑ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة‪،‬‬ ‫اﻹﺷﺎﺑﺔ‬
‫ّ‬
‫واﻟﱵ ُﺗﻌﺮف ﺑﺤﺎﺟﺰ‬ ‫اﻟﻮﺻﻠﺔ ﻧﺼﻒ ﻧﺎﻗﻞ – ﻣﻌﺪن‬
‫ﺷﻮﺗﻜﻲ ‪.Schottky barrier‬‬

‫ّ‬
‫ﻳﻮﺿﺢ ﺣﺎﺟﺰ ﺷﻮﺗﻜﻲ‪.‬‬ ‫ﺷﻜﻞ‬

‫ُﻳﻌﺮف ﺣﺎﺟﺰ ﺷﻮﺗﻜﻲ ﺑﺎﻟﺤﺎﺟﺰ اﻟﻜﻤﻮﻧﻲ‪ ,‬وﻫﻨﺎك ﻧﻮﻋﺎن‬

‫ّ‬
‫اﻟﻤﻘﻮم‪ ،‬ﺣﻴﺚ‬ ‫ّ‬
‫اﻟﻤﻘﻮم‪ ،‬وﻏﲑ‬ ‫ﻣﻦ ﺣﻮاﺟﺰ ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻫﻤﺎ ‪:‬‬
‫ﻧﺼﻒ ﻧﺎﻗﻞ‬‫ِ‬ ‫ٌ‬
‫ﻣﻌﺪن ﻣﻊ‬ ‫ﻳﺘﺼﻞ‬ ‫اﻷول ﻋﻨﺪﻣﺎ ّ‬
‫ّ‬ ‫اﻟﻨﻮع‬ ‫ّ‬
‫ﻳﺘﺸﻜﻞ ّ‬
‫اﻟﺜﺎﻧﻲ ﻋﻨﺪﻣﺎ‬‫اﻟﻨﻮع ّ‬ ‫ّ‬
‫وﻳﺘﺸﻜﻞ ّ‬ ‫ً‬
‫إﺷﺎﺑﺔ ﻃﻔﻴﻔﺔ‪،‬‬ ‫ﻣﺸﺎب‬
‫ٍ‬
‫اﻟﻨﺎﻗﻞ اﻟﻤﺸﺎب إﺷﺎﺑﺔ ﻛﺒﲑة‪،‬‬ ‫ﻳﻠﺘﻘﻲ اﻟﻤﻌﺪن ﻣﻊ ﻧﺼﻒ ّ‬
‫وﺑﺎزدﻳﺎد اﻹﺷﺎﺑﺔ ﻳﺰداد ﻋﺮض اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﺠ ّﺮدة‪ ،‬ﻓﻲ‬
‫اﻟﻮﻗﺖ ذاﺗﻪ‪ ،‬ﺑﻨﻘﺼﺎن ﻋﺮض ﻫﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ‪ ،‬ﺗﻨﺘﻘﻞ‬
‫اﻟﺸﺤﻨﺔ ﻋﱪ ﻧﻔﻖ ﻟﺘﺼﻞ ﻟﻠﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﺠ ّﺮدة‪.‬‬ ‫ﺣﺎﻣﻼت ّ‬
‫ً‬
‫أوﻣﻴﺎ‬ ‫ّ‬
‫ﻣﻘﻮﻣﺎ ﺑﻞ ﻳﺼﺒﺢ ﺗﻼﻣﺴﺎ‬ ‫ً‬
‫ﺳﻠﻮﻛﺎ‬ ‫ﻻ ﻳﺴﻠﻚ اﻟﺪﻳﻮد‬
‫”‬
‫ﺗﻮﻟﺪ‬ ‫‪) ohmic contact‬وﺻﻠﺔ ذات ﻣﻘﺎوﻣﺔ ﻣﻨﺨﻔﻀﺔ‬
‫ﺗﻴﺎرا ﺗﺤﺮﻳﻀﻴﺎ ﻣﻦ اﻟﻤﻌﺪن ﻟﻨﺼﻒ اﻟﻨﺎﻗﻞ(ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﺰداد‬
‫ﻧﺴﺒﺔ اﻹﺷﺎﺑﺔ‪.‬‬

‫ﻳﻜﻮن اﻟﻤﺴﺘﻮى اﻟﻄﺎﻗﻲّ ﻟﻺﻟﻜﱰوﻧﺎت اﻟﻤﱰاﻛﻤﺔ‬

‫اﻟﻨﺎﻗﻞ ﻓﻲ اﻟﺤﺎﻟﺔ ّ‬
‫اﻟﺘﻮازﻧ ّﻴﺔ )ﻋﺪم‬ ‫ّ‬ ‫اﻟﻨﺼﻒ‬ ‫ﺑﺎﻟﴩ ﻳﺤﺔ ّ‬ ‫ّ‬
‫أﻗﻞ ﻣﻦ اﻹﻟﻜﱰوﻧﺎت اﻟﻤﺘﻮاﺟﺪة ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ‬ ‫ّ‬ ‫اﻟﺘﺤﻴﲒ(‬‫ّ‬
‫اﻟﺘﺪﻓﻖ ﻋﱪ ﺣﺎﺟﺰ‬ ‫اﻟﺴﺒﺐ ﻻﺗﺴﺘﻄﻴﻊ ّ‬ ‫ّ‬ ‫اﻟﻤﻌﺪن‪ ،‬وﻟﻬﺬا‬
‫ﺷﻮﺗﻜﻲ‪.‬‬
‫ﻳﺘﻠﻘﻰ اﻹﻟﻜﱰون اﻟﻤﻮﺟﻮد‬ ‫ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻟﺘﺤﻴﲒ اﻷﻣﺎﻣﻲ‪ّ ،‬‬
‫ﻓﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ‪ N‬ﻃﺎﻗﺔ أﻛﱪ ﻟﻴﻌﱪ اﻟﺤﺎﺟﺰ وﻳﺪﺧﻞ إﱃ‬
‫اﻟﺴﺒﺐ ﺗﺪﻋﻰ ﻫﺬه اﻹﻟﻜﱰوﻧﺎت‬ ‫ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﻌﺪن‪ ،‬وﻟﻬﺬا ّ‬
‫‪ُ ) hot carrier‬ﻳﺸﲑ ﻫﺬا اﻟﻤﺼﻄﻠﺢ إﱃ اﻹﻟﻜﱰوﻧﺎت أو‬
‫اﻟﱵ ﺗﻤﻠﻚ ﻃﺎﻗﺔ ﻛﺎﻣﻨﺔ ﻛﺒﲑة ﻧﺎﺗﺠﺔ ﻋﻦ‬ ‫ّ‬ ‫اﻟﺜﻘﻮب‬ ‫ّ‬
‫ﺗﴪﻳﻌﻬﺎ ﻓﻲ ﺣﻘﻞ ﻛﻬﺮﺑﺎﺋﻲّ(‪ ,‬وﻟﻬﺬا ﻳﺪﻋﻰ اﻟ ّﺪﻳﻮد ‪hot‬‬
‫‪.carrier Diode‬‬
‫ّ‬
‫اﻟﻤﻮﺿﺤﺔ‬ ‫˜‬
‫ﻛﻬﺮﺑﺎﺋﻴﺎ ﺑﺎﻟ ّﺪارة‬ ‫ﻳﻤﻜﻦ ﻣﻜﺎﻓﺌﺔ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‬
‫ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ‪:‬‬‫ّ‬

‫ً‬
‫ﻛﻬﺮﺑﺎﺋﻴﺎ‪.‬‬ ‫اﻟ ّ‬
‫ﺪارة اﻟﻤﻜﺎﻓﺌﺔ ﻟﺪﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‬

‫اﻟﺘﺎﱄ‪ُ ،‬‬
‫وﺗﺴﺘﺨﺪم ﻫﺬه‬ ‫ّ‬
‫ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ ّ‬ ‫ﻳﻤﻜﻦ اﺧﱱال اﻟ ّﺪارة‬
‫اﻟ ّﺪارة ّ‬
‫اﻟﺘﻘﺮﻳﺒ ّﻴﺔ ﻓﻲ اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﺘﻄﺒﻴﻘﺎت‬

‫‪.‬‬

‫ً‬
‫ﻛﻬﺮﺑﺎﺋﻴﺎ ﻟﺪﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪.‬‬ ‫اﻟ ّ‬
‫ﺪارة اﻟﻤﺨﱱﻟﺔ‬

‫ﺧﻮاص دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪:‬‬

‫ّ‬
‫ﺗﺪﻓﻖ‬ ‫ً‬
‫ﻧﻈﺮا ﻟﻌﺪم‬ ‫‪ .1‬ﻳﻌﻤﻞ ﻛﻌﻨﴫ أﺣﺎديّ اﻟﻘﻄﺐ‬
‫اﻟﻨﺎﻗﻞ ﻧﻮع ‪ ،N‬ﻓﻲ ﺣﲔ ّ‬
‫أن‬ ‫ﺗ ّﻴﺎر ﻣﻦ اﻟﻤﻌﺪن ﻟﻨﺼﻒ ّ‬
‫ﻣﺘﺼﻞ ‪) PN‬اﻟ ّﺪﻳﻮد اﻟﻌﺎدي( ﺛﻨﺎﺋﻲّ اﻟﻘﻄﺒ ّﻴﺔ‪.‬‬
‫ﻳﺨﺰن أيّ‬‫ّ‬ ‫‪ .2‬ﻻ ﻳﺤﺘﻮي اﻟﻤﻌﺪن أ ّﻳﺔ ﺛﻘﻮب‪ ،‬وﻻ‬
‫اﻟﺴﺒﺐ ﻳﻤﺘﻠﻚ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‬ ‫ّ‬ ‫ﺷﺤﻨﺎت‪ ،‬وﻟﻬﺬا‬
‫ً‬
‫ﻧﺴﺒﻴﺎ‪.‬‬ ‫اﻟﴪ ﻳﻊ ﺑﻀﺠﻴﺞ ﻗﻠﻴﻞ‬ ‫اﻟﺘﺒﺪﻳﻞ ّ‬ ‫أﻓﻀﻠ ّﻴﺔ ّ‬
‫‪ .3‬ﻟﺪﻳﻪ ﺣﺎﺟﺰ ﻛﻤﻮﻧﻲّ ﺻﻐﲑ ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﻣﻊ اﻟ ّﺪﻳﻮدات‬
‫اﻟﻌﺎد ّﻳﺔ‪.‬‬

‫ﻋﻤﻞ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪:‬‬

‫دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻓﻲ اﻟﺤﺎﻟﺔ اﻟﺘﻮازﻧ ّﻴﺔ )اﻟﻐﲑ‬
‫ﻣﺤﲒ(‪:‬‬

‫ﺗﻨﺘﻘﻞ اﻹﻟﻜﱰوﻧﺎت اﻟﺤ ّﺮة اﻟﻤﻮﺟﻮدة ﻓﻲ ﴍﻳﺤﺔ ﻧﺼﻒ‬

‫اﻟﻨﺎﻗﻞ ﻧﻮع ‪ N‬إﱃ اﻟﻤﻌﺪن أﺛﻨﺎء اﻟﺘﺤﺎم اﻟﻤﻌﺪن وﻧﺼﻒ‬ ‫ّ‬
‫اﻟﻨﺎﻗﻞ ﻧﻮع‪ ، N‬وﻫﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ ُﺗﺪﻋﻰ ﺑﺎﻟﺤﺎﻟﺔ ّ‬
‫اﻟﺘﻮازﻧ ّﻴﺔ‪.‬‬ ‫ّ‬
‫ً‬
‫إﻟﻜﱰوﻧﺎ‬ ‫ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﺘﺤ ّﺮك اﻹﻟﻜﱰوﻧﺎت اﻟﺤ ّﺮة ﻋﱪ اﻟﻮﺻﻠﺔ ”‬
‫ﺗﻮﻟﺪ‬
‫إﺿﺎﻓ ّﻴ ًﺎ ﻟﻠﺬ ّرات اﻟﻤﻮﺟﻮدة‪.‬‬

‫دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﻋﺪم ّ‬

‫اﻟﺘﺤﻴﲒ‪.‬‬

‫ً‬
‫إﻟﻜﱰوﻧﺎ‬ ‫ّ‬
‫ﺳﺘﺘﻠﻘﻰ اﻟﺬ ّرات ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺪن‬ ‫وﻧﺘﻴﺠﺔ ﻟﻬﺬا‬
‫إﺿﺎﻓﻴﺎ وﺗﺼﺒﺢ ذات ﺷﺤﻨﺔ ﺳﺎﻟﺒﺔ‪ ،‬وﺗﻔﻘﺪ اﻟﺬ ّرات‬ ‫˜‬
‫إﻟﻜﱰوﻧﺎت وﺗﺼﺒﺢ ذات‬
‫ٍ‬ ‫ّ‬
‫اﻟﺴﺎﻟﺐ‬ ‫اﻟﻮاﻗﻌﺔ ﻓﻲ اﻟﻘﺴﻢ‬
‫ﺗﻨﺘﺞ ﺷﺤﻨﺎت ﻣﻮﺟﺒﺔ ﻓﻲ اﻟﺠﻮار‬ ‫ﺷﺤﻨﺔ ﻣﻮﺟﺒﺔ‪ ،‬وﺑﺬﻟﻚ ُ‬
‫ﻟﻤﺘﺼﻞ اﻟﻤﻌﺪن‪ ،‬وأﺧﺮى ﺳﺎﻟﺒﺔ ﻓﻲ اﻟﺠﻮار‬ ‫ّ‬ ‫ّ‬
‫اﻟﺴﺎﻟﺐ‬
‫وﺗﺘﺸﻜﻞ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﺠ ّﺮدة ﻋﻨﺪ اﺟﺘﻤﺎع‬ ‫ّ‬ ‫اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻟﻪ‪،‬‬
‫ِ‬
‫ّ‬
‫واﻟﺴﺎﻟﺒﺔ‪.‬‬ ‫ّ‬
‫ﻫﺬه اﻟﺸﺤﻨﺎت اﻟﻤﻮﺟﺒﺔ‬

‫ﻳﺘﺪﻓﻖ ﻋﺪد أﻗﻞ ّﻣﻦ اﻹﻟﻜﱰوﻧﺎت ﻣﻦ ﻧﺼﻒ ّ‬

‫اﻟﻨﺎﻗﻞ‬ ‫ّ‬
‫ّ‬
‫وﻳﺘﻮﻗﻒ أيّ ﺗﺪﻓﻖ آﺧﺮ ﻟﻠﺘ ّﻴﺎر ﺑﺴﺒﺐ ﺟﻬﺪ‬ ‫ﻟﻠﻤﻌﺪن‪،‬‬
‫اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﺠﺮدة‪.‬‬

‫ﻲ‪:‬‬
‫دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻻﻧﺤﻴﺎز اﻷﻣﺎﻣ ّ‬

‫اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻟﻠﺒﻄﺎر ّﻳﺔ ﻣﻊ اﻟﻘﺴﻢ‬

‫ِ‬ ‫ﻋﻨﻤﺎ ﻧﺼﻞ اﻟﻘﻄﺐ‬
‫اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻣﻊ اﻟﴩﻳﺤﺔ ّ‬
‫اﻟﻨﺼﻒ ﻧﺎﻗﻠﺔ‬ ‫اﻟﻤﻌﺪﻧﻲّ‪ ،‬واﻟﻘﻄﺐ ّ‬
‫ﻧﺤﺼﻞ ﻋﲆ اﻻﻧﺤﻴﺎز اﻷﻣﺎﻣﻲّ‪.‬‬
‫ّ‬
‫ﺗﺘﺸﻜﻞ‬ ‫ﻋﻨﺪ ﺗﻄﺒﻴﻖ ﺟﻬﺪ ّ‬
‫اﻟﺘﺤﻴﲒ اﻷﻣﺎﻣﻲّ ﻋﲆ اﻟ ّﺪﻳﻮد‪،‬‬
‫واﻟﻤﻮﺻﻞ‪.‬‬
‫ِ‬ ‫اﻟﻤﺰﻳﺪ ﻣﻦ اﻹﻟﻜﱰوﻧﺎت ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺪن‬

‫ﻲ ﻟﺪﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪.‬‬ ‫ّ‬

‫اﻟﺘﺤﻴﲒ اﻷﻣﺎﻣ ّ‬

‫ﱪ ﻣﻦ ‪ ،0.2v‬ﺗﺼﺒﺢ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﺠ ّﺮدة‬ ‫ﺟﻬﺪ أﻛ َ‬

‫ٍ‬ ‫ﻋﻨﺪ ﺗﻄﺒﻴﻖ‬
‫ﺿﻴﻘﺔ وﺗﺨﺘﻔﻲ وﻳﻤ ّﺮ ﺗ ّﻴﺎر ﻛﻬﺮﺑﺎﺋﻲّ ﻋﱪ اﻟ ّﺪﻳﻮد‪.‬‬

‫ﴘ‪:‬‬
‫ّ‬ ‫دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻻﻧﺤﻴﺎز اﻟﻌﻜ‬

‫ﻋﻜﺴﻴﺎ ﻓﻲ ﻧﺼﻒ ّ‬
‫اﻟﻨﺎﻗﻞ ﻧﻮع‪ N‬ﻟﺪى‬ ‫ً‬ ‫ﺤﲒ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‬ ‫ُﻳ ّ‬
‫ّ‬
‫اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻣﻊ اﻟﻤﻌﺪن وﻃﺮﻓﻬﺎ‬ ‫وﺻﻞ ﻗﻄﺐ اﻟﺒﻄﺎر ّﻳﺔ‬
‫اﻟﻤﻮﺻﻞ ﻧﻮع ‪ ،N‬وﻓﻲ اﻟﻮﻗﺖ ﻧﻔﺴﻪ‬
‫ِ‬ ‫اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻣﻊ‬
‫اﻟﺘﺤﻴﲒ اﻟﻌﻜﴘّ ﺳﲒداد ﻋﺮض اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ‬ ‫ﺑﺘﻄﺒﻴﻖ ﺟﻬﺪ ّ‬
‫اﻟﻤﺠ ّﺮدة‪.‬‬

‫ﴘ ﻟﺪﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪.‬‬ ‫ّ‬

‫اﻟﺘﺤﻴﲒ اﻟﻌﻜ‬
‫ّ‬

‫ﺳﻴﺘﻮﻗﻒ ﻣﺮور اﻟﺘ ّﻴﺎر ﻓﻲ ﴍﻳﺤﺔ اﻟﻤﻌﺪن وﺳﲒداد‬ ‫ّ‬ ‫ﻟﺬﻟﻚ‬

‫ﻋﺪد اﻹﻟﻜﱰوﻧﺎت اﻟﻤﻬ ّﻴﺠﺔ‪ ،‬وﻛﻨﺘﻴﺠﺔ ﻟﻬﺬا ﺳﻴﻤ ّﺮ ﺗ ّﻴﺎر‬
‫اﻟﺘﺤﻴﲒ‬ ‫ﺗﴪﻳﺐ ذو ﻗﻴﻤﺔ ﺻﻐﲑة‪ ،‬وﺑﺰﻳﺎدة أﻛﱪ ﻟﺠﻬﺪ ّ‬
‫اﻟﻌﻜﴘ ﺳﲒداد اﻟﺘ ّﻴﺎر ﻧﺘﻴﺠﺔ ﻟﻀﻌﻒ اﻟﺤﺎﺟﺰ‪.‬‬

‫ﻳﺰداد اﻟﺘ ّﻴﺎر اﻟﻜﻬﺮﺑﺎﺋﻲّ ﺑﺸﻜﻞ ﻣﻔﺎﺟﺊ ﻟﺪى ﺣﺪوث زﻳﺎدة‬

‫ّ‬
‫ﺗﻌﻄﻞ اﻟﻌﻨﴫ‬ ‫اﻟﺘﺤﻴﲒ ّ‬
‫ﻣﻤﺎ ﻳﺴﺒﺐ‬ ‫ﻏﲑ ﻃﺒﻴﻌ ّﻴﺔ ﻓﻲ ﺟﻬﺪ ّ‬
‫ﻋﻨﺪ اﻧﻬﻴﺎر اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﺠ ّﺮدة‪.‬‬

‫ﻣﻨﺤﲏ ﺧﻮاص ‪ V-I‬ﻟﺪﻳﻮد ﺣﺎﺟﺰ‬

‫ﺷﻮﺗﻜﻲ‪:‬‬
‫اﻟﺸﻜﻞ أدﻧﺎه ﻣﻨﺤﲏ ﺧﻮاص ﺟﻬﺪ‪-‬ﺗﻴﺎر ‪ V-I‬ﻟﺪﻳﻮد‬ ‫ّ‬ ‫ّ‬
‫ﻳﺒﲔ‬
‫ّ‬
‫وﻳﻤﺜﻞ اﻟﻤﺤﻮر‬ ‫ﺷﻮﺗﻜﻲ‪ّ ،‬‬
‫ﻳﺪل اﻟﻤﺤﻮر اﻟﻌﻤﻮدي ﻋﻦ اﻟﺘ ّﻴﺎر‬
‫اﻷﻓﻘﻲّ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻄ ّﺒﻖ ﻋﱪ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪ ،‬ﻛﻤﺎ ﻳﺘﺸﺎﺑﻪ‬
‫ﻣﻨﺤﲏ ﺧﻮاص ‪ V-I‬ﻟﺪﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻣﻊ اﻟ ّﺪﻳﻮد اﻟﻌﺎديّ‪.‬‬

‫ﻣﻨﺤﲏ ﺧﻮاص دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪.‬‬

‫ﻓﺈن ﻫﺒﻮط اﻟﺠﻬﺪ ﻓﻲ دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‬ ‫ّ‬ ‫ﺑﺎﻟ ّﺮﻏﻢ ﻣﻦ ﻫﺬا‬

‫ً‬
‫ﺟﺪا ﺑﻤﻘﺎرﻧﺘﻪ ﻣﻊ اﻟ ّﺪﻳﻮد اﻟﻌﺎديّ‪.‬‬ ‫ﻗﻠﻴﻞ‬

‫ﻳﺘﻨﺎﺳﺐ ﻫﺒﻮط اﻟﺠﻬﺪ اﻷﻣﺎﻣﻲ ﻣﻊ ﺗﺮﻛﲒ اﻹﺷﺎﺑﺔ ﻟﻨﺼﻒ‬

‫اﻟﻨﺎﻗﻞ ﻧﻮع‪ ، N‬وﻳﻜﻮن ﻣﻨﺤﲏ ﺧﻮاص‪ V-I‬ﻟﺪﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‬ ‫ّ‬
‫اﻧﺤﺪارا ﻧﺘﻴﺠﺔ ّ‬
‫ﻟﻠﱰﻛﲒ اﻟﻌﺎﱄ ﻟﺤﺎﻣﻼت اﻟﺘ ّﻴﺎر‪.‬‬ ‫ً‬ ‫أﻛﱶ‬

‫ﺗﻄﺒﻴﻘﺎت دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ‪:‬‬

‫ُﻳﺴﺘﺨﺪم دﻳﻮد ﺷﻮﺗﻜﻲ ﻓﻲ اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ ﺗﻄﺒﻴﻘﺎت‬
‫اﻹﻟﻜﱰوﻧ ّﻴﺎت اﻟﺼﻨﺎﻋ ّﻴﺔ ﻓﻲ دارات ّ‬
‫اﻟﺘﻘﻮﻳﻢ ﺑﺴﺒﺐ ﺧﻮاﺻﻪ‪.‬‬

‫ﻛﻤﺎ ﻳﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ ﺗﻄﺒﻴﻘﺎت ﺗﺜﺒﻴﺖ اﻟﺠﻬﺪ ﻟﻤﻨﻊ وﺻﻮل‬

‫اﻟﱰاﻧﺴﺘﻮر ﻟﻺﺷﺒﺎع‪ ،‬وﻳﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ اﻟﻌﻨﺎﴏ اﻟ ّﺮﻗﻤ ّﻴﺔ ﻣﻦ‬
‫ﺗﺘﻄﻠﺐ ﴎﻋﺔ ﺗﺒﺪﻳﻞ )ﻓﺘﺢ‬ ‫ّ‬ ‫ﻷن ﻫﺬه اﻟﻌﻨﺎﴏ‬ ‫ّ‬
‫اﻟﻨﻤﻂ ‪ّ TTL‬‬
‫وإﻏﻼق( ﻋﺎﻟﻴﺔ‪.‬‬

‫ﻫﺎﻣ ًﺎ ﻓﻲ أﺟﻬﺰة اﻟﺤﺎﺳﺐ‬

‫ّ‬ ‫ﻣﻜﻮ ً‬
‫ﻧﺎ‬ ‫ّ‬ ‫ُﺗﻌﺘﱪ دﻳﻮدات ﺷﻮﺗﻜﻲ‬
‫ً‬
‫ﻧﻈﺮا ﻻﻋﺘﻤﺎد أداء اﻟﺤﺎﺳﺐ ﻋﲆ ﴎﻋﺔ ﺗﺒﺪﻳﻞ‬ ‫اﻟ ّﺮﻗﻤ ّﻴﺔ‪،‬‬
‫اﻟ ّﺪﻳﻮدات‪.‬‬

‫اﻟﻤﺼﺪر ‪ :‬ﻫﻨﺎ‬
‫ﻲ ﻫﻤﺪر ‪ ،‬ﻣﺮاﺟﻌﺔ‪ :‬ﻋﲇ اﻟﻌﲇ‬ ‫ﺗﺮﺟﻤﺔ‪ :‬ﻣ ّ‬
‫‪ ،‬ﺗﺪﻗﻴﻖ ﻟﻐﻮي‪ :‬ﺳﻼم أﺣﻤﺪ ‪ ،‬ﺗﺼﻤﻴﻢ‪ :‬وﻟﻴﺪ‬
‫ﺑﺮﻫﻮم ‪ ،‬ﺗﺤﺮﻳﺮ‪ :‬ﻛﺮﻳﻢ ﺳﻠﻮم‬

‫‪PDF‬‬

‫ﻣﻘﺎﻻت‬ ‫!‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫ﺷﺎرﻛﻬﺎ‪:‬‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬

‫اﻟﺴﺎﺑﻖ‬
‫رﺑﻂ ﺷﺎﺷﺔ ‪ LCD‬ﻣﻊ ﻟﻮﺣﺔ اﻟﺘﻄﻮﻳﺮ أردوﻳﻨﻮ‬

‫اﻟﺘﺎﱄ‬
‫ّ‬
‫وﺣﺴﺎس‬ ‫ي ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام اﻷردوﻳﻨﻮ‬
‫ﻧﻈﺎم ر ّ‬
‫ّ‬
‫ﻗﻴﺎس رﻃﻮﺑﺔ اﻟﱰﺑﺔ‪.‬‬

‫ﻣﻘﺎﻻت ﻗﺪ ﺗﻬﻤﻚ‬

‫اﻟﻔﺮق ﺑﲔ ﻟﻮﺣﺔ )‪(Blue Pill‬‬

‫وﻟﻮﺣﺔ )‪(Black Pill‬‬
‫! ﻟﻮﺣﺎت ﺗﻄﻮﻳﺮ‪ ,‬ﻣﻘﺎﻻت‬

‫ﺣﺴﺎﺳﺎت اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺤﺮار ّﻳﺔ‬

‫ّ‬
‫وﻣﺒﺪأ ﻋﻤﻠﻬﺎ‬
‫! ﺗﺤﻜﻢ ﺻﻨﺎﻋﻲ‪ ,‬ﻣﻘﺎﻻت‬

‫اﻟﺼﻴﺎﻧﺔ اﻟﺘﻨﺒﺆﻳﺔ ﻋﱪ ﻣﺮاﻗﺒﺔ‬

‫اﻻﻫﱱازات‬
‫! ﺗﺤﻜﻢ ﺻﻨﺎﻋﻲ‪ ,‬ﻣﻘﺎﻻت‬

‫ﻣﻨﺼﺔ اﻟﻜﱰوﻧﻴﻜﺲ ﻏﻮ‬

‫اﻟﻤﻮﻗﻊ اﻟﺮﺳﻤﻲ ﻟﻤﻨﺼﺔ ‪Electronics Go‬‬

‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬ ‫‪‬‬

‫‪‬‬

‫اﻻﺧﺘﺼﺎرات‬

‫‪ ‬اﻟﺼﻔﺤﺔ اﻟﺮﺋﻴﺴﻴﺔ‬

‫‪ ‬اﻟﻔﺮﻳﻖ‬

‫‪ ‬ﻣﻌﻠﻮﻣﺎت ﻋﻨﺎ‬

‫‪ ‬ﺗﻮاﺻﻞ ﻣﻌﻨﺎ‬
‫ّ‬
‫ﺗﻄﻮع ﻣﻌﻨﺎ‬ ‫‪‬‬

‫ﺟﻬﺎت اﻻﺗﺼﺎل‬

‫اﻟﴩق اﻷوﺳﻂ‬ ‫‪‬‬

‫‪info@electronics-go.com‬‬ ‫✉‬

‫‪WhatsApp‬‬ ‫‪‬‬

‫ﺣﻘﻮق اﻟﻨﴩ ‪ .© 2024‬ﺟﻤﻴﻊ اﻟﺤﻘﻮق ﻣﺤﻔﻮﻇﺔ‪.‬‬

‫⌃‬

‫ﺗﻮاﺻﻞ ﻣﻌﻨﺎ‬ ‫‪‬‬ ‫اﻟﻤﻘﺎﻻت‬ ‫‪%‬‬