‫ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫أﺷﻜﺎل ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻟﻠﻤﻘﺎﺣﻞ‬

 ‫ﻣﻘﺤﻞ ﻣﺒﻜﺮ‬

‫اﻟﻤﻘﺤﻞ أو اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر]‪) [2][1‬ﺑﺎﻹﻧﺠﻠﻴﺰﻳﺔ‪:‬‬

‫ً‬
‫)اﺧﺘﺼﺎرا ﻟﻜﻠﻤﺘﻲ ‪Transfer‬‬ ‫‪(Transistor‬‬
‫ﻘﺎو ُم اﻟﻨ َْﻘﻞ( وﻫﻲ ﻧﺒﻴﻄﺔ ﺗﻌﺘﺒﺮ أﺣﺪ‬
‫‪ Resistor‬أي ُﻣ ِ‬
‫أﻫﻢ ﻣﻜﻮﻧﺎت اﻷدوات اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ اﻟﺤﺪﻳﺜﺔ ﻣﺜﻞ‬
‫اﻟﺤﺎﺳﻮب‪ ،‬اﺧﺘﺮﻋﻪ اﻟﻌﻠﻤﺎء اﻷﻣﺮﻳﻜﻴﻮن )واﻟﺘﺮ ﺑﺮاﺗﻦ(‬
‫و)ﺟﻮن ﺑﺎردﻳﻦ( و)وﻟﻴﺎم ﺷﻮﻛﻠﻲ(‪ ،‬ﻫﻮ ﺑﻠﻮرة ﻣﻦ ﻣﺎدة‬
‫ﺷﺒﻪ ﻣﻮﺻﻞ ﻣﻄﻌﻤﺔ ﺑﺎﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم أو اﻟﺴﻴﻠﻴﻜﻮن ﺗﺤﺘﻮي‬
‫ﻋﻠﻰ ﺑﻠﻮرة رﻗﻴﻘﺔ ﺟﺪً ا ﺑﺤﻴﺚ ﺗﻜﻮن اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻮﺳﻄﻰ‬
‫ﻣﻨﻬﺎ ﺷﺒﻪ ﻣﻮﺻﻞ ﻣﻮﺟﺐ أو ﺳﺎﻟﺐ وﺗﺴﻤﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة‬
‫ﺑﻴﻨﻬﻤﺎ اﻟﻤﻨﻄﻘﺘﺎن اﻟﺨﺎرﺟﻴﺘﺎن ﻣﻦ اﻟﻨﻮﻋﻴﺔ اﻟﻤﺨﺎﻟﻔﺔ وﻟﻪ‬
‫ﻗﺪرة ﻛﺒﻴﺮة ﻋﻠﻰ ﺗﻜﺒﻴﺮ اﻹﺷﺎرات اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ‪.‬‬

‫ﻟﻠﻤﻘﺤﻞ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺐ وﺻﻠﺘﻴﻦ ﻣﻦ ﻧﻮع "م س" وﺛﻼﺛﺔ‬

‫أﻃﺮاف‪ .‬ﺣﻴﺚ ﻳﺮﺑﻂ ﻃﺮﻓﺎن ﻣﻦ اﻟﻮﺻﻠﺘﻴﻦ "م س"‪ ،‬ﻓﻲ‬
‫اﻟﻌﺎدة ﻳﺮﺑﻂ اﻟﺒﺎﻋﺚ واﻟﻤﺠﻤﻊ إﻟﻰ داﺋﺮة ﺧﺎرﺟﻴﺔ‪ ،‬ﺑﻴﻨﻤﺎ‬
‫ﻳﺼﻞ اﻟﻄﺮف اﻟﺜﺎﻟﺚ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺑﺪاﺋﺮة داﺧﻠﻴﺔ‪ .‬ﻟﻜﻦ رﻓﻊ‬
‫اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻤﻄﺒﻘﺔ ﻋﻠﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻗﻠﻴﻼ ﻳﺆدي إﻟﻰ دﺧﻮل‬
‫ﻋﺪد ﻛﺒﻴﺮ ﻣﻦ اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت إﻟﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻋﺒﺮ اﻟﻮﺻﻠﺔ‬
‫اﻟﻤﻨﺤﺎزة أﻣﺎﻣﻴﺎ‪ ،‬وﻳﺘﻔﺎوت ﻫﺬا اﻟﻌﺪد ﺣﺴﺐ ﻗﻮة‬
‫اﻟﺠﻬﺪ‪ .‬وﻷن ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة رﻗﻴﻘﺔ ﺟﺪا‪ ،‬ﻳﺴﺘﻄﻴﻊ‬
‫ﻣﺼﺪر اﻟﻔﻮﻟﺘﻴﺔ ﻓﻲ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﺨﺎرﺟﻴﺔ ﺟﺬب‬
‫اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﻋﺒﺮ اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﻤﻨﺤﺎزة ﻋﻜﺴﻴﺎ‪ .‬وﻧﺘﻴﺠﺔ‬
‫ﻟﺬﻟﻚ ﻳﺴﺮي ﺗﻴﺎر ﻗﻮي ﻋﺒﺮ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﻋﺒﺮ اﻟﺪاﺋﺮة‬
‫اﻟﺨﺎرﺟﻴﺔ‪ .‬وﺑﻬﺬه اﻟﻄﺮﻳﻘﺔ ﻳﻤﻜﻦ اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ ﺳﺮﻳﺎن‬
‫ﺗﻴﺎر ﻗﻮي ﻋﺒﺮ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﺨﺎرﺟﻴﺔ‪ ،‬ﺑﺘﺰوﻳﺪ اﻟﻘﺎﻋﺪة‬
‫ﺑﺈﺷﺎرة ﺻﻐﻴﺮة‪.‬‬

‫ﺗﺎرﻳﺦ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬
 ‫ﺗﻢ ﺻﻨﻊ ﻧﺴﺨﺔ ﻃﺒﻖ اﻷﺻﻞ ﻷول ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻳﻌﻤﻞ‪.‬‬

‫ﺳﺠﻞ اﻟﻔﻴﺰﻳﺎﺋﻲ ﺟﻮﻟﻴﺲ ادﺟﺮ ﻟﻴﻨﻴﻔﻠﺪ ]اﻹﻧﺠﻠﻴﺰﻳﺔ[ أول‬

‫ﺑﺮاءة اﺧﺘﺮاع ﻟﻠﻤﻘﺤﻞ ﻓﻲ ﻛﻨﺪا ﻋﺎم ‪1925‬م وﻛﺎن ﻫﺬا‬
‫اﻻﺧﺘﺮاع ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﺤﻘﻠﻲ وﻟﻜﻨﻪ ﻣﻊ ذﻟﻚ ﻟﻢ‬
‫ﻳﻨﺸﺮ أﺑﺤﺎث ﻋﻦ ﻫﺬا اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﻟﻢ ﻳﺤﻘﻖ ﻋﻤﻠﻴﺎ‬
‫ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام ﻧﺒﺎﺋﻂ واﻗﻌﻴﺔ وﻓﻲ ﻋﺎم ‪1934‬م ﻗﺎم‬
‫اﻷﻟﻤﺎﻧﻰ اوﺳﻜﺮ ﻫﻴﻞ ]اﻹﻧﺠﻠﻴﺰﻳﺔ[ ﺑﺘﺴﺠﻴﻞ ﺑﺮاءة اﺧﺘﺮاع‬
‫ﻟﻤﻘﺤﻞ ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻟﻠﻤﻘﺤﻞ اﻟﺴﺎﺑﻖ‪..‬‬
‫ﻓﻲ ﻋﺎم ‪1942‬م ﻗﺎم "ﻫﺒﺮت ﻣﺎرﺗﻴﻦ" )‪Herbert‬‬
‫‪ (marten‬ﺑﻌﻤﻞ ﺑﺘﺠﺮﺑﺔ ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام ﻣﺎ ﻳﺴﻤﻰ "اﻟﺪﻳﻮ‬
‫داﻳﻮ" )اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﺜﻨﺎﺋﻴﺔ اﻟﻤﺰدوﺟﺔ(أﺛﻨﺎء اﻟﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ‬
‫ﻻﻗﻂ ﺑﻨﻈﺎم رادار دوﺑﻠﺮ وﻫﺬه اﻟﻮﺻﻠﺔ اﻟﺜﻨﺎﺋﻴﺔ‬
 ‫اﻟﻤﺰدوﺟﺔ ﻣﻜﻮﻧﺔ ﻣﻦ اﺛﻨﻴﻦ ﻣﻦ اﻟﻮﺻﻼت اﻟﺜﻨﺎﺋﻴﺔ‬
‫ووﺻﻼت ﻣﻌﺪﻧﻴﺔ ﻋﻠﻰ ﻗﺎﻋﺪة ﻣﻦ ﺷﺒﻪ اﻟﻤﻮﺻﻞ وﻟﻜﻨﻪ‬
‫اﻛﺘﺸﻒ ﻋﺪد ﻣﻦ اﻟﻈﻮاﻫﺮ اﻟﺘﻲ ﻟﻢ ﻳﺘﻤﻜﻦ ﻣﻦ ﺗﻔﺴﻴﺮﻫﺎ‬
‫ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ اﻟﻮﺻﻠﺘﻴﻦ اﻟﻤﻨﻔﺼﻠﺘﻴﻦ واﺳﺘﺘﺒﻊ ﻫﺬا ﻇﻬﻮر‬
‫اﻟﻔﻜﺮة اﻷﺳﺎﺳﻴﺔ ﻟﻤﻘﺤﻞ اﻟﺘﻮﺻﻴﻞ‪.‬‬
‫ﻓﻲ ﻋﺎم ‪1947‬م ﻗﺎم "ﺟﻮن ﺑﺎردﻳﻦ" و"واﻟﺘﺮ ﺑﺮاﺗﻴﻦ"‬
‫ﻓﻲ ﻣﻌﺎﻣﻞ "‪" AT & T bell‬ﻓﻲ اﻟﻮﻻﻳﺎت اﻟﻤﺘﺤﺪة‬
‫اﻷﻣﺮﻳﻜﻴﺔ ﺑﻤﻼﺣﻈﺔ اﻧﻪ ﻋﻨﺪ ﺗﻮﺻﻴﻞ ﻣﺼﺪر ﻛﻬﺮﺑﻲ‬
‫ﻋﻠﻰ ﺑﻠﻮرة ﻣﻦ اﻟﺠﺮﻣﺎﻧﻴﻮم ان اﻟﻄﺎﻗﺔ اﻟﻨﺎﺗﺠﺔ أﻛﺒﺮ ﻣﻦ‬
‫ﻃﺎﻗﺔ اﻟﻤﺼﺪر اﻟﻜﻬﺮﺑﻲ اﻟﺪاﺧﻠﺔ وﻗﺪ ﻗﺎم "وﻟﻴﺎم‬
‫ﺷﻮﻛﻠﻰ" ﺑﻤﻌﺮﻓﺔ اﻟﺴﺒﺐ ﻓﻲ ذﻟﻚ وﻋﻠﻰ ﻣﺪار ﺷﻬﻮر‬
‫ﻗﻠﻴﻠﺔ ﻋﻤﻠﻮا ﻋﻠﻰ اﻟﺘﻮﺳﻊ اﻟﻜﺒﻴﺮ ﻟﻌﻠﻮم أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت‬
‫وﻗﺪ ﺟﺎء اﺳﻢ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﻦ اﻟﻜﻠﻤﺔ اﻹﻧﺠﻠﻴﺰﻳﺔ‬
‫"‪ "Transfer resistor‬اﻟﺘﻲ ﺗﻌﻨﻲ ﻧﺎﻗﻞ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ‪.‬‬

‫أﻫﻤﻴﺔ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬
‫ﻣﺜﺎل ‪ ,npn-Transistor‬ﻳﻌﻤﻞ ﻛﻤﻀﺨﻢ إﻟﻜﺘﺮوﻧﻲ‪ .‬ﻳﻨﺘﻘﻞ ﻓﻴﻪ اﻟﺘﻴﺎر‬
‫ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ اﻟﻔﺠﻮات واﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت‬

‫رﻣﺰ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ‪.‬‬

‫ﻓﻲ اﻟﻮاﻗﻊ ان اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻫﻮ أﻫﻢ اﻟﻤﻜﻮﻧﺎت‬

‫اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ اﻟﺤﺪﻳﺜﺔ وﻳﻌﺘﺒﺮ ﻣﻦ أﻋﻈﻢ اﻹﺧﺘﺮاﻋﺎت ﻓﻲ‬
‫اﻟﻘﺮن اﻟﻌﺸﺮﻳﻦ وﻳﺴﺘﻤﺪ أﻫﻤﻴﺘﻪ ﻓﻲ ﺣﻴﺎة اﻟﻤﺠﺘﻤﻊ ﻣﻦ‬
‫اﻟﻘﺪرة اﻟﻔﺎﺋﻘﺔ ﻋﻠﻰ إﻧﺘﺎﺟﻪ ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام ﻋﻤﻠﻴﺎت ﺗﻠﻘﺎﺋﻴﺔ‬
‫إﻟﻴﻪ "ﻋﻤﻠﻴﺎت ﺗﺼﻨﻴﻊ أﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت"ﻣﻤﺎ ﻳﺠﻌﻞ‬
‫إﻧﺘﺎﺟﻪ ﻗﻠﻴﻞ اﻟﺘﻜﻠﻔﺔ‪.‬‬
 ‫و ﻋﻠﻰ اﻟﺮﻏﻢ ﻣﻦ أن اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﺸﺮﻛﺎت ﺗﻨﺘﺞ ﺳﻨﻮﻳﺎ‬
‫ﻣﺎ ﻳﺰﻳﺪ ﻋﻦ اﻟﻤﻠﻴﺎر ﻣﻦ اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ اﻟﻤﻨﻔﺼﻠﺔ إﻻ أن‬
‫اﻟﻐﺎﻟﺒﻴﺔ اﻟﻌﻈﻤﻰ ﻣﻦ اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ اﻟﺘﻲ ﺗﻨﺘﺞ ﺗﻜﻮن ﻓﻲ‬
‫اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻠﺔ "‪ "Integrated circuit‬واﻟﺘﻲ‬
‫ﺗﺨﺘﺼﺮ إﻟﻰ "‪ "IC‬وﺗﺤﺘﻮى ﻫﺬه اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻠﺔ ﻋﻠﻰ‬
‫اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ واﻟﻮﺻﻼت اﻟﺜﻨﺎﺋﻴﺔ واﻟﻤﻘﺎوﻣﺎت‬
‫واﻟﻤﻜﺜﻔﺎت واﻟﻤﻜﻮﻧﺎت اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ اﻷﺧﺮى واﻟﺘﻲ ﺗﻤﺜﻞ‬
‫داﺋﺮة إﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ ﻛﺎﻣﻠﺔ ﺗﻘﻮم ﺑﻌﻤﻞ وﻇﻴﻔﺔ ﻣﻌﻴﻨﺔ وﻫﻨﺎك‬
‫أﻳﻀﺎ "اﻟﺒﻮاﺑﺎت اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ" )‪ (Logic gates‬واﻟﺘﻲ‬
‫ﺗﺘﻜﻮن ﻣﻦ ﻋﺪد ﻣﻦ اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ واﻟﺘﻲ ﻗﺪ ﺗﺼﻞ إﻟﻰ‬
‫اﻟﻌﺸﺮﻳﻦ ﻟﻌﻤﻞ ﺑﻮاﺑﺔ ﻣﻨﻄﻘﻴﺔ واﺣﺪة وﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎﻟﺠﺎت‬
‫اﻟﺪﻗﻴﻘﺔ "ﻣﻌﺎﻟﺞ دﻗﻴﻖ" اﻟﻤﺘﻘﺪﻣﺔ وﺻﻞ ﻋﺪد اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ‬
‫إﻟﻰ ‪ 3‬ﻣﻠﻴﺎر ﻓﻲ ﺷﺮﻳﺤﺔ واﺣﺪة ﻓﻲ ﻋﺎم ‪ 2011‬ﺣﻴﺚ‬
‫ﻛﺎن ﻗﺪ وﺻﻞ إﻟﻰ ‪ 60‬ﻣﻠﻴﻮن ﻓﻲ اﻟﺸﺮﻳﺤﺔ ﻓﻲ ﻋﺎم‬
‫‪ 2002‬وﻣﻦ أﻫﻢ ﻣﻤﻴﺰات اﻟﻤﻘﺤﻞ اﻟﺘﻜﻠﻔﺔ اﻟﻀﺌﻴﻠﺔ‬
‫اﻟﻤﺮوﻧﺔ ﻓﻲ اﻻﺳﺘﺨﺪام واﻟﺜﺒﺎت ﻣﻤﺎ ﺟﻌﻠﻪ واﺳﻊ‬
‫اﻻﺳﺘﺨﺪام واﻻﻧﺘﺸﺎر وﻗﺪ دﺧﻠﺖ اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ ﻓﻲ دواﺋﺮ‬
‫اﻟﺘﺤﻜﻢ اﻟﻤﻴﻜﺎﻧﻴﻜﻴﺔ وﺣﻠﺖ ﻣﺤﻞ اﻷدوات اﻟﻤﻴﻜﺎﻧﻴﻜﻴﺔ‬
‫اﻟﺘﻲ ﻛﺎﻧﺖ ﺗﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ ذﻟﻚ وﻳﻤﻜﻦ أﻳﻀﺎ اﺳﺘﺨﺪام‬
‫ﻣﺘﺤﻜﻢ دﻗﻴﻖ "ﻣﺘﺤﻜﻢ دﻗﻴﻖ" ﻓﻲ ﻛﺘﺎﺑﺔ ﺑﺮﻧﺎﻣﺞ ﺻﻐﻴﺮ‬
‫ﻷداء وﻇﻴﻔﺔ اﻟﺘﺤﻜﻢ اﻟﻤﻄﻠﻮﺑﺔ واﻟﻤﻜﺎﻓﺌﺔ ﻟﻠﻤﻬﻤﺔ اﻟﺘﻲ‬
‫ﻳﻘﻮم ﺑﻬﺎ اﻟﺘﺼﻤﻴﻢ اﻟﻤﻴﻜﺎﻧﻴﻜﻲ‪.‬‬

‫اﺳﺘﺨﺪاﻣﻪ‬

‫ﻛﺎن اﺳﺘﺨﺪام اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺐ )‪Bipolar‬‬

‫‪ (Junction Transistor‬وإﻟﻰ ﺗﺨﺘﺼﺮ إﻟﻰ )‪(BJT‬‬
‫ﻫﻮ اﻷﻛﺜﺮ ﺷﻴﻮﻋﺎ ﻓﻲ اﻟﺴﺘﻴﻨﻴﺎت واﻟﺴﺒﻌﻴﻨﻴﺎت ﻣﻦ‬
‫اﻟﻘﺮن اﻟﻤﺎﺿﻰ وﻟﻜﻦ ﻣﻊ ﻇﻬﻮر اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺛﻨﺎﺋﻰ‬
‫اﻟﻤﺠﺎل )‪Metal Oxide Semiconductor Field‬‬
‫‪ (Effect Transistor‬ﺗﻘﻠﺺ دور ﺛﻨﺎﺋﻰ اﻟﻘﻄﺐ إﻟﻰ‬
‫اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﺘﻨﺎﻇﺮﻳﺔ ﻣﺜﻞ اﻟﻤﻜﺒﺮات اﻟﺒﺴﻴﻄﺔ ﻟﻜﺒﺮ ﻣﻨﻄﻘﺔ‬
‫ﻋﻤﻠﻪ اﻟﺨﻄﻴﺔ " ‪"Linear Mode Operation‬‬
‫وﺳﻬﻮﻟﺔ ﺗﺼﻨﻴﻌﻪ وﻫﻨﺎك اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ‬
‫ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺛﻨﺎﺋﻰ اﻟﻤﺠﺎل ﻣﺜﻞ اﺳﺘﺨﺪاﻣﻪ ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ‬
‫ذات اﻟﻘﺪرة اﻟﻤﻨﺨﻔﻀﺔ ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام ﺗﻘﻨﻴﺔ ال " ‪C MOS‬‬
‫" واﻟﺘﻲ ﺗﻌﻨﻰ اﺳﺘﺨﺪام اﻟﻤﻌﺪن واﻷﻛﺴﻴﺪ وﺷﺒﻪ‬
‫اﻟﻤﻮﺻﻞ اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻞ واﻟﺘﻲ ﺗﺠﻌﻞ ﻣﺸﺎرﻛﺔ اﻟﺪواﺋﺮ‬
‫اﻟﺮﻗﻤﻴﺔ ﺳﻬﻠﺔ وﻫﻨﺎك اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﺗﺄﺛﻴﺮ‬
‫اﻟﻤﺠﺎل اﻟﺤﺪﻳﺜﺔ وإﻟﻰ ﺗﺠﻤﻊ ﺑﻴﻦ اﻻﺳﺘﺨﺪام ﻓﻲ دواﺋﺮ‬
‫اﻟﻘﺪرات اﻟﻌﺎﻟﻴﺔ واﻟﺪواﺋﺮ اﻟﺘﻨﺎﻇﺮﻳﺔ اﻟﻤﺆﻗﺘﺔ "‬
‫‪ " Clocked Analog circuit‬ﻣﺜﻞ ﻣﻌﺎدﻻت اﻟﺠﻬﻮد‬
‫واﻟﻤﻜﺒﺮات وﻧﺎﻗﻼت اﻟﻘﺪرة واﻟﻤﺤﺮﻛﺎت‪...‬‬

‫اﻟﻌﻤﻠﻴﺎت اﻟﻤﺒﺴﻄﺔ‬

‫داﺋﺮة ﻣﺒﺴﻄﺔ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺐ‬

 ‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻛﻤﻜﺒﺮ‬

‫ﻳﺴﺘﻤﺪ اﻟﻤﻘﺤﻞ أﻫﻤﻴﺘﻪ وﺿﺮورﻳﺘﻪ ﻓﻲ اﻟﺤﻴﺎة ﻣﻦ‬

‫ﻗﺪرﺗﻪ ﻋﻠﻰ ﻣﻌﺎﻟﺠﺔ اﻹﺷﺎرات اﻟﺼﻐﻴﺮة واﻟﺘﻲ ﺗﻮﺿﻊ‬
‫ﻋﻠﻰ اﺛﻨﻴﻦ ﻣﻦ أﻃﺮاﻓﺔ وﺗﻨﺘﺞ إﺷﺎرات ﻛﺒﻴﺮة ﻋﻠﻰ‬
‫ﻃﺮﻓﻴﻦ آﺧﺮﻳﻦ وﺗﺴﻤﻰ ﻫﺬه اﻟﺨﺎﺻﻴﺔ ﺑﻨﺴﺒﺔ اﻟﺘﻜﺒﻴﺮ‬
‫)‪ (Gain‬وﻳﻤﻜﻦ اﻟﺘﺤﻜﻢ ﻓﻲ اﻟﻤﻘﺤﻞ ﺑﻤﺎ ﻳﺠﻌﻞ اﻟﺪﺧﻞ‬
‫ﻣﺘﻨﺎﺳﺒﺎ ﻣﻊ اﻟﺨﺮوج ﺑﻨﺴﺒﺔ ﻣﻌﻴﻨﺔ وﻓﻲ ﻫﺬا اﻟﺤﺎﻟﺔ‬
‫ﻳﺴﺘﺨﺪم اﻟﻤﻘﺤﻞ ﻛﻤﻜﺒﺮ و ﻳﻤﻜﻦ أﻳﻀﺎ اﺳﺘﺨﺪام‬
‫اﻟﻤﻘﺤﻞ ﻛﻤﻔﺘﺎح ﻟﻔﺘﺢ وﻏﻠﻖ اﻟﺘﻴﺎر واﻟﺬي ﻳﻤﻜﻦ اﻟﺘﺤﻜﻢ‬
‫ﻓﻴﻪ ﻋﻦ ﻃﺮﻳﻖ ﺑﻘﻴﺔ ﻋﻨﺎﺻﺮ اﻟﺪاﺋﺮة‪..‬‬

‫اﺳﺘﺨﺪام اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻛﻤﻜﺒﺮ‬

 ‫ُﺻﻤﻢ اﻟﻤﻘﺤﻞ ذو اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺘﺼﻞ ﺑﺎﻷرض ﻟﻜﻰ‬
‫ﻳﺴﺘﺠﻴﺐ إﻟﻰ اﻹﺷﺎرات اﻟﺼﻐﻴﺮة اﻟﺪاﺧﻠﺔ إﻟﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪،‬‬
‫وﻳﻘﻮم ﺑﺘﻜﺒﻴﺮ ﻫﺬه اﻹﺷﺎرات ﻋﻠﻰ اﻟﻤﺨﺮج ﻋﻨﺪ اﻟﻤﺠﻤﻊ‪،‬‬
‫وﻫﻨﺎك اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ ﺗﻜﻮﻳﻨﺎت ﻟﺪواﺋﺮ ﺗﻘﻮم ﺑﺎﻟﺘﻜﺒﻴﺮ ﻟﻬﺎ‬
‫ﻣﻤﻴﺰات ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﺳﻮاء ﻟﻠﺘﻴﺎر أو اﻟﺠﻬﺪ أو اﻻﺛﻨﻴﻦ ﻣﻌﺎ‬
‫ﺑﺤﺴﺐ اﻟﻤﻄﻠﻮب‪.‬‬

‫ﻓﻔﻲ ﺑﻌﺾ اﻟﻬﻮاﺗﻒ اﻟﻤﺤﻤﻮﻟﺔ واﻟﺘﻠﻔﺎز ﻫﻨﺎك اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ‬

‫اﻟﻤﻨﺘﺠﺎت اﻟﺘﻲ ﻳﺪﺧﻞ ﻓﻴﻬﺎ اﻟﻤﻘﺤﻞ ﻛﻤﻜﺒﺮ ﻣﺜﻞ‬
‫ﻣﻜﺒﺮات اﻟﺼﻮت أو اﻟﻨﻘﻞ اﻟﺮادﻳﻮي أو ﻣﻌﺎﻟﺠﺔ‬
‫اﻹﺷﺎرات وﻛﺎﻧﺖ أول داﺋﺮة ﻣﻘﺤﻞ ذات ﻗﺪرات ﺿﻌﻴﻔﻪ‬
‫ﺗﺼﻞ إﻟﻰ ﺑﻌﺾ اﻷﺟﺰاء ﻣﻦ اﻟﻌﺸﺮة ﻣﻦ اﻟﻮاط وﺗﻢ‬
‫ﺗﻜﺒﻴﺮﻫﺎ‪ .‬وﻣﻊ اﻟﺘﻘﺪم ازدادت ﻧﺴﺒﺔ اﻟﺘﻜﺒﻴﺮ وﻧﻘﺎﺋﻪ‬
‫ﺗﺪرﻳﺠﻴﺎ ﻋﻨﺪﻣﺎ وﺟﺪت ﻣﻘﺎﺣﻞ أﺣﺴﻦ وﺗﻢ ﺗﻘﻮﻳﻢ‬
‫ﻣﻮاﺻﻔﺎت اﻟﻤﻘﺤﻞ ووﺻﻠﺖ اﻟﻘﺪرات اﻵن إﻟﻰ ﺑﻀﻊ‬
‫اﻟﻤﺌﺎت ﻣﻦ اﻟﻮاط وﺑﺘﻜﻠﻔﺔ ﻗﻠﻴﻠﺔ‪.‬‬
 ‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻛﻤﻔﺘﺎح‬

‫اﻟﻤﻘﺤﻞ ﻫﻮ أﻛﺜﺮ اﻟﻤﻔﺎﺗﻴﺢ اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ ﻋﻠﻰ ﺣﺪ ﺳﻮاء‬

‫ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ ذات اﻟﻘﺪرة اﻟﻤﻨﺨﻔﻀﺔ ﻣﺜﻞ اﻟﺒﻮاﺑﺎت‬
‫اﻟﻤﻨﻄﻘﻴﺔ أو ذات اﻟﻘﺪرة اﻟﻌﺎﻟﻴﺔ ﻣﺜﻞ ﻣﻔﺎﺗﻴﺢ ﻣﺰودات‬
‫اﻟﻄﺎﻗﺔ وﻣﻦ أﻣﺜﻠﺔ اﻟﻤﻔﺎﺗﻴﺢ اﻟﺨﻔﻴﻔﺔ دواﺋﺮ اﻟﺒﺎﻋﺚ‬
‫اﻟﻤﺘﺼﻞ ﺑﺎﻷرض ﻓﻔﻲ اﻟﺸﻜﻞ اﻟﻤﻘﺎﺑﻞ ﻋﻨﺪﻣﺎ ﻳﺰداد ﺟﻬﺪ‬
‫اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻳﺰداد اﻟﺘﻴﺎر ﻓﻲ اﻟﻤﺠﻤﻊ وﻋﻠﻰ اﻟﺤﻤﻞ‬
‫أﺳﻴﺔ وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ﻳﻘﻞ اﻟﺠﻬﺪ ﻓﻲ‬
‫)اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ( زﻳﺎدة ّ‬
‫اﻟﻤﺠﻤﻊ ﺑﺴﺒﺐ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ وﺗﻜﻮن اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺤﺎﻛﻤﺔ ﻫﻲ‬

‫‪V(Rc)=Ice*Rc‬‬

‫‪V(Rc)+V(ce)=Vcc‬‬

‫ﻫﻮ ﻓﺮق اﻟﺠﻬﺪ ﻋﻠﻰ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ ‪ :VRc‬ﺣﻴﺚ‬

‫اﻟﺘﻴﺎر اﻟﻤﺎر ﻓﻲ اﻟﻤﺠﻤﻊ‪Ice:‬‬
‫اﻟﺠﻬﺪ ﺑﻴﻦ اﻟﻤﺠﻤﻊ واﻟﺒﺎﻋﺚ‪Vce:‬‬
 ‫ﻓﻠﻮ أﻣﻜﻦ ﺧﻔﺾ ‪ Vce‬ﻟﻠﺼﻔﺮ )ﻋﻤﻠﻴﺔ اﻟﺘﺸﺒﻊ اﻟﺘﺎم(‬
‫وﻟﻬﺬا ﻓﺎن )‪ (Ic‬ﻟﻦ ﻳﺰﻳﺪ ﻋﻦ )‪، (Vcc/Rc‬وﻛﻠﻤﺎزاد‬
‫اﻟﺘﻴﺎر‬
‫اﻟﺪاﺧﻞ إﻟﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻓﺎن اﻟﻤﻘﺤﻞ ﻳﺘﺠﻪ ﻟﻠﺘﺸﺒﻊ ‪،‬و ﻣﻦ‬
‫ﺛﻢ ﻳﻤﻜﻦ اﺧﺘﻴﺎر اﻟﺘﻴﺎر اﻟﺪاﺧﻞ ﻋﻠﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻟﺠﻌﻞ‬
‫‪ VCE‬ﻣﺴﺎوﻳﺎ ﺗﻘﺮﻳﺒﺎ ﻟﻠﺼﻔﺮ أو ﻣﺴﺎوﻳﺎ ﻟﻘﻴﻤﺔ ‪Vcc‬‬
‫)ﺟﻬﺪ اﻟﻤﺼﺪر ‪ -‬ﺣﺎﻟﺔ اﻟﻘﻄﻊ ( وﻳﺴﺘﺨﺪم اﻟﻤﻘﺤﻞ‬
‫ﻛﻤﻔﺘﺎح ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﺮﻗﻤﻴﺔ ﺣﻴﺚ ﺗﻮﺟﺪ اﻟﻘﻴﻢ ﻓﻘﻂ‬
‫ﻓﺘﺢ وﻏﻠﻖ وﻻ ﺗﺴﺘﺨﺪم اﻟﻘﻴﻢ ﺑﻴﻨﻬﻤﺎ‪ .‬ﻣﻘﺎرﻧﺔ ﺑﻴﻦ‬
‫اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت واﻟﻤﻘﺎﺣﻞ‬
‫ﻗﺒﻞ وﺟﻮد اﻟﻤﻘﺤﻞ ﻛﺎﻧﺖ اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت )‪ (Valves‬أو‬
‫اﻧﺎﺑﻴﺐ اﻟﺘﻔﺮﻳﻎ )‪ (Vacuum Tubes‬ﻫﻮ اﻟﻤﻜﻮن‬
‫اﻟﻮﺣﻴﺪ ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺪات اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ وﻟﻜﻦ ﺑﺤﻠﻮل اﻟﻤﻘﺤﻞ‬
‫أﺻﺒﺢ ﻫﻮ اﻷﻛﺜﺮ اﺳﺘﺨﺪاﻣﺎ ﻟﻤﺎ ﻟﻪ اﻟﻌﺪﻳﺪ ﻣﻦ اﻟﻤﺰاﻳﺎ‪...‬‬
‫‪ -:1‬ﺻﻐﺮ اﻟﺤﺠﻢ واﻟﻮزن واﻟﺬي ﻳﺆدى إﻟﻰ ﺗﻄﻮﻳﺮ‬
‫اﻟﺪواﺋﺮ اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ ﻓﻲ أن ﺗﻜﻮن ﺻﻐﻴﺮة ﺟﺪا‬
 ‫‪ -:2‬ﻋﻤﻠﻴﺎت اﻟﺘﺼﻨﻴﻊ اﻻﻟﻴﺔ واﻟﺘﻲ ﺗﻘﻠﻞ اﻟﺘﻜﻠﻔﺔ ﻟﻜﻞ‬
‫وﺣﺪة ﻣﻔﺮدة‬
‫‪ -:3‬اﻟﺠﻬﻮد اﻟﺼﻐﻴﺮة اﻟﺘﻲ ﻳﺴﺘﻄﻴﻊ اﻟﻌﻤﻞ ﻋﻠﻴﻬﺎ ﻣﻤﺎ‬
‫ﺟﻌﻠﻪ ﺻﺎﻟﺢ ﻟﺘﻄﺒﻴﻘﺎت اﻟﺪواﺋﺮ ذات اﻟﺒﻄﺎرﻳﺎت اﻟﺼﻐﻴﺮة‬
‫‪ -:4‬ﻻ ﺗﺤﺘﺎج إﻟﻰ دورة إﺣﻤﺎء ﻟﻤﺴﺨﻨﺎت اﻟﻜﺎﺛﻮد ﺑﻌﺪ‬
‫ﺗﻄﺒﻴﻖ اﻟﻘﺪرة‬
‫‪ -:5‬اﻻﺳﺘﻬﻼك اﻟﻀﺌﻴﻞ ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ واﻟﻜﻔﺄة اﻟﻌﺎﻟﻴﺔ ﻓﻲ‬
‫اﺳﺘﺨﺪام اﻟﻄﺎﻗﺔ‬

‫‪ -:6‬اﻻﻋﺘﻤﺎدﻳﺔ اﻟﻌﺎﻟﻴﺔ واﻟﺘﺤﻤﻞ اﻟﻔﻴﺰﻳﺎﺋﻲ‬

‫‪ -:7‬ﻃﻮل اﻟﻌﻤﺮ اﻻﻓﺘﺮاﺿﻲ ﺣﻴﺚ ﻳﻌﻤﻞ ﺑﻌﻀﻬﺎ إﻟﻰ ﻣﺎ‬

‫ﻳﺼﻞ إﻟﻰ أﻛﺜﺮ ﻣﻦ ﺧﻤﺴﻴﻦ ﻋﺎﻣﺎ‬

‫‪ -:8‬وﺟﻮد اﻟﻨﺒﺎﺋﻂ اﻟﻤﻜﻤﻠﺔ وﺳﻬﻮﻟﺔ ﺑﻨﺎء اﻟﺪواﺋﺮ‬

‫اﻟﻤﺘﻜﺎﻣﻠﺔ اﻟﻤﺘﻤﺎﺛﻠﺔ وﻫﻮ اﻷﻣﺮ اﻟﻤﺴﺘﺤﻴﻞ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ‬
‫اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت‬
 ‫‪ -:9‬ﻋﺪم اﻟﺤﺴﺎﺳﻴﺔ ﻟﻠﺼﺪﻣﺎت اﻟﻤﻴﻜﺎﻧﻴﻜﻴﺔ واﻻﻫﺘﺰاز‬
‫ﻣﻤﺎ ﺳﻬﻞ ﺣﻞ ﻫﺬه اﻟﻤﺸﻜﻠﺔ ﻣﺜﻼ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ‬
‫اﻟﻤﻴﻜﺮوﻓﻮﻧﺎت‬

‫ﻗﻴﻮد اﻻﺳﺘﺨﺪام‪-: ‬‬

‫ﻻ ﺗﻌﻤﻞ ﺟﻬﻮد اﺷﺒﺎه اﻟﻤﻮﺻﻼت ﻋﻨﺪ ﺟﻬﻮد أﻋﻠﻰ ﻣﻦ‬

‫‪ 1000‬ﻓﻮﻟﺖ )ﻋﻠﻰ اﻟﺮﻏﻢ ﻣﻦ أن ﻫﻨﺎك ﺑﻌﺾ اﻟﻨﺒﺎﺋﻂ‬
‫ﺗﻌﻤﻞ ﻋﻨﺪ ‪ 3000‬ﻓﻮﻟﺖ( وﻋﻠﻰ ﻧﻘﻴﺾ ذﻟﻚ ﻓﻬﻨﺎك‬
‫ﺑﻌﺾ اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت اﻟﺘﻲ ﺗﺘﺤﻤﻞ ﺟﻬﻮدا ﺗﺼﻞ إﻟﻰ ﻣﺌﺎت‬
‫اﻵﻻف ﻣﻦ اﻟﻔﻮﻟﺘﺎت‬

‫ﻋﺪم ﻗﺪرة اﻟﻨﻤﺎذج اﻷوﻟﻴﺔ اﻟﻤﺼﻨﻌﺔ ﻣﻨﻪ ﻋﻠﻰ اﻟﻌﻤﻞ‬

‫ﻣﻊ ﺣﺎﻟﺔ اﻟﻘﺪرات اﻟﻌﺎﻟﻴﺔ واﻟﺘﺮددات اﻟﻌﺎﻟﻴﺔ ﻣﺜﻞ‬
‫ﺗﻠﻚ اﻟﺘﻲ ﺗﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ اﻟﺒﺚ اﻟﺘﻠﻔﺰﻳﻮﻧﻲ اﻟﻬﻮاﺋﻲ‬
‫ﺣﻴﺚ ﻛﺎﻧﺖ اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت أﻓﻀﻞ أداء ﻣﻦ اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ‬
‫ﻧﺘﻴﺠﺔ ﻗﺎﺑﻠﻴﺔ اﻟﺤﺮﻛﺔ اﻟﻌﺎﻟﻴﺔ ﻟﻺﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﻓﻲ‬
‫أﻧﺎﺑﻴﺐ اﻟﺘﻔﺮﻳﻎ ﻋﻨﻬﺎ ﻓﻲ اﻟﻤﻘﺤﻞ ‪ .‬وأﺷﺒﺎه‬
 ‫اﻟﻤﻮﺻﻼت اﺿﻌﻒ ﺗﺤﻤﻼ ﺑﻜﺜﻴﺮ ﻣﻦ اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت ﻋﻨﺪ‬
‫ﺗﻌﺮﺿﻬﺎ ﻟﻠﻨﺒﻀﺎت اﻟﻨﺎﺗﺠﺔ ﻣﻦ اﻻﻧﻔﺠﺎر اﻟﻨﻮوي‪.‬‬

‫أﻧﻮاع اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات‬
‫إن ﻧﻮﻋﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻳﺨﺘﻠﻔﺎن ﻋﻦ ﺑﻌﻀﻬﻤﺎ اﺧﺘﻼﻓﺎ‬
‫ﻃﻔﻴﻔﺎ ﻓﻲ ﻛﻴﻔﻴﺔ وﺿﻌﻬﻤﺎ ﻓﻲ داﺋﺮة ﻣﻌﻴﻨﺔ ﻓﻜﻞ ﻣﻨﻬﺎ‬
‫ﻟﻪ ﺛﻼﺛﺔ اﻃﺮاف ﺗﺴﻤﻰ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻟﻤﻘﺤﻞ ﺛﻨﺎﺋﻰ اﻟﻘﻄﺐ‬
‫ﺑـ‪ : ‬اﻟﻘﺎﻋﺪة "‪ " Base‬واﻟﺒﺎﻋﺚ "‪ " Emitter‬واﻟﻤﺠﻤﻊ‬
‫"‪ " Collector‬وﺑﻤﺮور ﺗﻴﺎر ﻣﺘﻐﻴﺮ ﻓﻲ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺳﻴﻈﻬﺮ‬
‫ﺗﺄﺛﺮه ﻣﺠﻤﻌﺎ ﻓﻲ اﻟﻤﺠﻤﻊ واﻟﺒﺎﻋﺚ‪ ،‬وﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﻣﻘﺤﻞ‬
‫ﺗﺄﺛﻴﺮ اﻟﻤﺠﺎل ﺗﺴﻤﻰ اﻟﺒﻮاﺑﺔ "‪ ،" Gate‬اﻟﻤﻨﺒﻊ "‪Source‬‬
‫"‪ ،‬اﻟﻤﺼﺐ "‪ " Drain‬وﻳﺘﺤﻜﻢ اﻟﺠﻬﺪ ﻋﻠﻰ اﻟﺒﻮاﺑﺔ ﻓﻲ‬
‫ﻓﺮق اﻟﺠﻬﺪ ﺑﻴﻦ اﻟﻤﻨﺒﻊ واﻟﻤﺼﺐ‪..‬‬

‫ﻳﻤﻜﻦ ﺗﻘﺴﻴﻢ اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ إﻟﻰ ﻋﺪة ﻓﺌﺎت ﺣﺴﺐ اﻟﺘﻘﺴﻴﻢ‪::‬‬

‫‪ -:1‬ﻃﺒﻘﺎ ﻟﺸﺒﻪ اﻟﻤﻮﺻﻞ‪:‬‬

 ‫ﺟﺮﻣﺎﻧﻴﻮﻣﻲ‪ -‬ﺳﻠﻴﻜﻮﻧﻲ – ﺟﺎﻟﻴﻮﻣﻲ – زرﻧﺨﻴﻰ –‬
‫ﻛﺮﺑﻴﺪي ﺳﻠﻴﻜﻮﻧﻲ‬

‫‪ -:2‬ﻃﺒﻘﺎ ﻟﻠﺒﻨﺎء‪:‬‬

‫‪ BJT‬ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺐ‪ MOSFET ،‬ﺗﺄﺛﻴﺮ اﻟﻤﺠﺎل‪IGBT ،‬‬

‫اﻟﻤﻘﺤﻞ ذو اﻟﺒﻮاﺑﺔ اﻟﻤﻌﺰوﻟﺔ‬

‫‪ -:3‬ﻃﺒﻘﺎ ﻟﻠﻘﻄﺒﻴﺔ‪:‬‬

‫‪) NPN‬س م س( اﻟﻤﻘﺤﻞ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع اﻟﺴﺎﻟﺐ وﻳﻌﻨﻰ‬

‫ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻳﻠﻴﻬﺎ ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع‬
‫اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻳﻠﻴﻬﺎ ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع اﻟﺴﺎﻟﺐ‬

‫‪) PNP‬م س م( اﻟﻤﻘﺤﻞ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع اﻟﻤﻮﺟﺐ وﻳﻌﻨﻰ‬

‫ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع اﻟﻤﻮﺟﺒﺔ ﻳﻠﻴﻬﺎ ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع‬
‫اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻳﻠﻴﻬﺎ ﻣﻨﻄﻘﺔ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع اﻟﻤﻮﺟﺐ‬

‫‪ -:4‬ﻃﺒﻘﺎ ﻟﻘﺪرة اﻟﺘﺸﻐﻴﻞ‪:‬‬

 ‫ﺻﻐﻴﺮ – ﻣﺘﻮﺳﻂ – ﻛﺒﻴﺮ‬

‫‪ -:5‬ﻃﺒﻘﺎ ﻷﻗﺼﻰ ﺗﺮدد ﺗﺸﻐﻴﻞ‪:‬‬

‫ﻣﻮﺟﺎت رادﻳﻮﻳﺔ أو ﻣﻮﺟﺎت اﻟﻤﻴﻜﺮوﻣﺘﺮﻳﺔ وﻳﻌﻄﻰ‬

‫أﻗﺼﻰ ﺗﺮدد وﻓﻌﺎل ﺑﺠﻬﺪ اﻟﺜﻘﻞ وﻳﺮﻣﺰ ﻟﻪ ﺑﺎﻟﺮﻣﺰ ‪FT‬‬
‫واﻟﺬي ﻳﻨﺘﺞ ﻧﺴﺒﺔ ﺗﻜﺒﻴﺮ ﻣﺴﺎوﻳﺔ ﻟﻠﻮﺣﺪة ‪.‬‬

‫‪ -:6‬ﻃﺒﻘﺎ ﻟﻠﺘﻄﺒﻴﻖ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪم ﻓﻴﻪ‪:‬‬

‫ﻣﻔﺘﺎح – ﻣﺘﻌﺪد اﻷﻏﺮاض – ﺻﻮﺗﻲ ﻋﺎﻟﻲ اﻟﺠﻬﺪ –‬

‫زوﺟﻲ ﻣﺘﻤﺎﺛﻞ – ﻋﺎﻟﻲ ﻧﺴﺒﺔ اﻟﺘﻜﺒﻴﺮ‬

‫‪ -:7‬ﻃﺒﻘﺎ ﻟﻠﺘﻐﻠﻴﻒ اﻟﻔﻴﺰﻳﺎﺋﻲ‪:‬‬

‫ذو اﻟﺜﻘﺐ اﻟﻤﻌﺪﻧﻲ ‪ -‬ذو اﻟﺜﻘﺐ اﻟﺒﻼﺳﺘﻴﻜﻲ – اﻟﻤﺤﻤﻞ‬

‫ﺳﻄﺤﻴﺎ – ﺳﻠﺴﻠﺔ ﺷﺒﻜﺔ اﻟﻜﻮر – ﻣﻐﻴﺮ اﻟﻘﺪرة‬

‫‪ -:8‬ﻃﺒﻘﺎ ﻟﻤﻌﺎﻣﻞ اﻟﺘﻜﺒﻴﺮ )‪:(hfe‬‬

 ‫ﻟﺬﻟﻚ ﻓﺎن ﻣﻘﺤﻞ ﻣﻌﻴﻦ ﻳﻤﻜﻦ أن ﻳﻮﺻﻒ ﺑﻬﺬا اﻟﻮﺻﻒ‬
‫)ﺳﻠﻴﻜﻮﻧﻲ – ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﻘﻄﺐ ﻣﻦ اﻟﻨﻮع اﻟﺴﺎﻟﺐ – ﻣﻐﻴﺮ‬
‫ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ ﻋﺎﻟﻲ اﻟﺘﺮدد – ﻣﻔﺘﺎح(‪.‬‬

‫ﺗﻔﻮق اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻋﻠﻰ اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت‬

‫اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ‬
‫ﻣﻦ اﻷﺳﺒﺎب اﻟﺘﻲ دﻋﺖ ﻟﻼﺳﺘﻐﻨﺎء ﻋﻦ اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت‬
‫اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ واﺳﺨﺪام اﻟﻤﻘﺎﺣﻞ ﻓﻲ ﻣﻌﻈﻢ اﻟﺘﻄﺒﻴﻘﺎت‬
‫اﻵﺗﻲ‪:‬‬

‫ﻻ ﻳﻮﺟﺪ اﺳﺘﻬﻼك ﻟﻠﻄﺎﻗﺔ اﻟﻜﻬﺮﺑﺎﺋﻴﺔ ﻟﺘﺴﺨﻴﻦ‬

‫اﻟﻜﺎﺛﻮد ‪،‬‬
‫ﺣﺠﻢ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺻﻐﻴﺮ وﻗﻠﻴﻞ اﻟﻮزن ‪ ،‬ﻳﺘﻴﺢ اﺑﺘﻜﺎر‬
‫وﺗﺼﻨﻴﻊ دواﺋﺮ ﻛﻬﺮﺑﺎﺋﻴﺔ ﺑﺤﺠﻢ ﺻﻐﻴﺮ‪.‬‬
‫ﻳﻌﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﺠﻬﺪ أﻗﻞ ﻛﺜﻴﺮا ﻣﻦ اﻟﺠﻬﺪ اﻟﻼزم‬
‫ﻟﺘﺸﻐﻴﻞ اﻟﺼﻤﺎم )ﺟﻬﺪ اﻷﻧﻮد ﻟﻠﺼﻤﺎم اﻟﺜﻼﺛﻲ ﻧﺤﻮ‬
‫‪ 200‬ﻓﻮﻟﺖ‪ ،‬ﻓﻲ ﺣﻴﻦ ﺟﻬﺪ اﻟﻤﺼﺐ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ‪12‬‬
‫‪ 30 -‬ﻓﻮﻟﺖ(‬
‫ﻻ ﻳﺤﺘﺎج اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻟﺘﺴﺨﻴﻦ اﺑﺘﺪاﺋﻲ ‪.‬‬
‫ﺗﺨﺮج ﻣﻨﻪ ﻃﺎﻗﺔ ﺣﺮارﻳﺔ ﻣﺸﺘﺘﺔ أﻗﻞ وﻛﻔﺎءﺗﻪ أﻋﻠﻰ‬
‫‪.‬‬
‫اﺳﺘﻤﺮارﻳﺔ ﻓﻲ اﻟﻌﻤﻞ وﻗﺪرة ﻋﻠﻰ ﺗﺤﻤﻞ اﻟﺼﺪﻣﺎت‪.‬‬
‫ﻋﻤﺮ أﻃﻮل ‪ ،‬ﺑﻌﺾ اﻷﺟﻬﺰة اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ ﻻ زاﻟﺖ‬
‫ﺗﻌﻤﻞ ﻣﻨﺬ ﻧﺤﻮ ‪ 50‬ﻋﺎم‪.‬‬
‫ﻳﺘﻴﺢ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻋﻤﻞ اﻟﻠﻮاﺋﺢ اﻟﻤﻀﻐﻮﻃﺔ اﻟﻤﻌﻘﺪة‬
‫‪ ،‬ﻫﺬا اﻟﺸﻲء ﻟﻢ ﻳﻜﻦ ﻣﻮﺟﻮدا ﻣﻊ اﻟﺼﻤﺎﻣﺎت‬
‫اﻹﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺔ‪.‬‬
‫ﺣﺴﺎﺳﻴﺔ ﺑﻌﺾ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﻟﻠﻀﻮء ﺟﻌﻠﺘﻬﺎ‬
‫ﺗﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ اﻟﺘﺼﻮﻳﺮ )أﻧﻈﺮ ﺳﻲ ﺳﻲ دي(‪.‬‬

‫ً‬
‫أﻳﻀﺎ‬ ‫اﻧﻈﺮ‬
‫وﺻﻠﺔ ﺑﻲ إن‬
 ‫ﺳﻲ ﺳﻲ دي‬
‫ﺻﻤﺎم ﺗﻀﺨﻴﻢ ﺿﻮﺋﻲ‬
‫ﻏﺮﻓﺔ ﻧﻈﻴﻔﺔ‬
‫ﺻﻤﺎم ﻋﺰم ﻣﻐﺰﻟﻲ‬
(‫ﻣﻀﺨﻢ )إﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺎت‬
‫ارﺗﺪاد أرﺿﻲ‬

‫وﺻﻼت ﺧﺎرﺟﻴﺔ‬
The CK722 Museum. Website devoted
to the "classic" hobbyist germanium
transistor
Jerry Russell's Transistor Cross
. Reference Database
The DatasheetArchive. Searchable
database of transistor specifications
.and datasheets
 The Transistor Educational content
from Nobelprize.org
BBC: Building the digital age photo
history of transistors
The Bell Systems Memorial on
Transistors
IEEE Global History Network, The
Transistor and Portable Electronics. All
about the history of transistors and
.integrated circuits
Transistorized. Historical and
‫ ﺑﻲ ﺑﻲ‬technical information from the
‫إس‬
This Month in Physics History:
November 17 to December 23, 1947:
 Invention of the First Transistor. From
‫ اﻟﺠﻤﻌﻴﺔ اﻟﻔﻴﺰﻳﺎﺋﻴﺔ اﻷﻣﺮﻳﻜﻴﺔ‬the
Years of the Transistor. From 50
Science Friday, December 12, 1997
Charts showing many characteristics
and giving direct access to most
datasheets for 2N, 2SA, 2SB. 2SC,
. 2SD, 2SH-K, and other numbers
Common transistor pinouts
Large table of transistor
characteristics

‫ﻣﺮاﺟﻊ‬
.‫ ﻟﺒﻨﺎن‬،‫ ﺑﻴﺮوت‬،‫ اﻟﺒﻌﻠﺒﻜﻲ‬،‫ ﻗﺎﻣﻮس اﻟﻤﻮرد‬.1
‫ ﺗﺮﺟﻤﺔ أﺣﻤﺪ‬.‫ ﺣﺴﺐ اﻟﻤﻮﺳﻮﻋﺔ اﻟﻌﻠﻤﻴﺔ اﻟﻤﻴﺴﺮة‬.2
‫ ﻟﺒﻨﺎن‬،‫ ﺑﻴﺮوت‬.‫ﺷﻔﻴﻖ اﻟﺨﻄﻴﺐ وآﺧﺮﻳﻦ‬
 ‫ﻓﻲ ﻛﻮﻣﻨﺰ ﺻﻮر وﻣﻠﻔﺎت ﻋﻦ‪ :‬ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬
‫ﺑﻮاﺑﺔ اﻟﻔﻴﺰﻳﺎء‬
‫ﺑﻮاﺑﺔ إﻟﻜﺘﺮوﻧﻴﺎت‬
‫ﺑﻮاﺑﺔ ﺗﻘﻨﻴﺔ اﻟﻨﺎﻧﻮ‬
‫ﺑﻮاﺑﺔ ﺗﻘﺎﻧﺔ‬
‫ﺑﻮاﺑﺔ ﻛﻬﺮﺑﺎء‬

‫ﻣﺠﻠﻮﺑﺔ ﻣﻦ "?‪https://ar.wikipedia.org/w/index.php‬‬
‫‪&oldid=38761879‬ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر=‪"title‬‬

‫آﺧﺮ ﺗﻌﺪﻳﻞ ﺗﻢ ﻗﺒﻞ ‪ 5‬أﻳﺎم ﺑﻮاﺳﻄﺔ ‪JarBot‬‬

‫اﻟﻤﺤﺘﻮى ﻣﺘﺎح وﻓﻖ ‪ CC BY-SA 3.0‬إن ﻟﻢ ﻳﺮد ﺧﻼف ذﻟﻚ‪.‬‬