‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﺛﻨﺎﺋﯿﺔ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ )‪(Bipolar Junction Transistors‬‬

‫اﻟﺘﺮﻛﯿﺐ ‪:‬‬

‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ھﻮ اﺧﺘﺼﺎر ﻟﻜﻠﻤﺘﻲ ‪ Transfer Resistor‬اي ﻧﻘﻞ أﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ‪ ،‬ﯾﺘﻜﻮن اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﻦ ﺛﻼﺛﺔ ﻣﻨﺎطﻖ ﺷﺒﮫ‬
‫ﻣﻮﺻﻠﺔ‪ ،‬ﺗﻜﻮن اﻟﻤﻨﻄﻘﺘﯿﻦ اﻟﻄﺮﻓﯿﺘﯿﻦ )اﻟﺨﺎرﺟﯿﺘﯿﻦ( ﻣﺘﺸﺎﺑﮭﺘﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﻘﻄﺒﯿﺔ اي اﻧﮭﻤﺎ ﺗﻜﻮﻧﺎن ﻣﻦ ﻧﻔﺲ ﺷﺒﮫ اﻟﻤﻮﺻﻞ‪ .‬أﻣﺎ‬
‫اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻮﺳﻄﯿﺔ ﻓﺘﻜﻮن رﻗﯿﻘﺔ ﺟﺪاً وﺗﻜﻮن ﺑﻘﻄﺒﯿﺔ وﻧﻮﻋﯿﺔ ﺗﻄﻌﯿﻢ ﻣﺨﺎﻟﻔﺔ ﻟﻠﻤﻨﻄﻘﺘﯿﻦ اﻟﺨﺎرﺟﯿﺘﯿﻦ‪ .‬اﻟﻤﻨﻄﻘﺘﺎن اﻟﺨﺎرﺟﯿﺘﺎن‬
‫ﺗﺸﻜﻼن ﻛﻞ ﻣﻦ اﻟﺒﺎﻋﺚ )‪ (Emitter‬واﻟﺠﺎﻣﻊ )‪ (Collector‬اﻣﺎ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻮﺳﻄﯿﺔ ﻓﺘﺴﻤﻰ ﺑـﺎﻟﻘﺎﻋﺪة )‪.(Base‬‬

‫ﯾﻜﻮن ﺗﻄﻌﯿﻢ اﻟﺒﺎﻋﺚ )‪ (E‬ﻏﺰﯾﺮاً وﯾﻘﻮم ﺑﺤﻘﻦ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة )‪ .(B‬ﺣﯿﺚ ان اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺗﻜﻮن ﺧﻔﯿﻔﺔ اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ ورﻗﯿﻘﺔ‬
‫ﺟﺪاً وﺗﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ ﺗﻤﺮﯾﺮ ﻣﻌﻈﻢ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﻤﺤﻘﻮﻧﺔ اﻟﻰ اﻟﺠﺎﻣﻊ )‪ .(C‬ﯾﺘﺮاوح ﺗﻄﻌﯿﻢ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﺑﯿﻦ اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ اﻟﻐﺰﯾﺮ ﻟﻠﺒﺎﻋﺚ‬
‫واﻟﺘﻄﻌﯿﻢ اﻟﻘﻠﯿﻞ ﻟﻠﻘﺎﻋﺪة وﯾﺴﻤﻰ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻷﻧﮫ ﯾﺠﻤﻊ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﻣﻦ اﻟﻘﺎﻋﺪة وﯾﻜﻮن ﻣﺴﺎﺣﺘﮫ ھﻲ اﻻﻛﺒﺮ ﺑﯿﻦ اﻟﻤﻨﺎطﻖ اﻟﺜﻼﺛﺔ‬
‫ﻟﻜﻲ ﯾﺒﺪد اﻟﺤﺮارة ﺑﺼﻮرة اﻛﺒﺮ ﻣﻤﺎ ﯾﺒﺪده اﻟﺒﺎﻋﺚ واﻟﻘﺎﻋﺪة‪.‬‬

‫ھﻨﺎك ﻧﻮﻋﯿﻦ ﻣﻦ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ‪ ،‬ﻧﻮع ‪ pnp‬و ﻧﻮع ‪ ، npn‬وﯾﻜﻮن اﻟﻨﻮع اﻻول ﻣﺘﻤﻤﺎً ﻟﻠﻨﻮع اﻟﺜﺎﻧﻲ وﯾﻜﻮن اﻟﺘﯿﺎرات‬
‫واﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺎت ﻣﺘﻌﺎﻛﺴﺔ ﻓﻲ اﻟﻨﻮﻋﯿﻦ‪.‬‬

‫ﯾﺠﺪر اﻻﺷﺎرة ھﻨﺎ اﻟﻰ ان اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻟﮫ وﺻﻠﺘﯿﻦ ‪ ،‬واﺣﺪة ﺑﯿﻦ اﻟﺒﺎﻋﺚ واﻟﻘﺎﻋﺪة واﻷﺧﺮى ﺑﯿﻦ اﻟﺠﺎﻣﻊ واﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ ،‬ﻟﺬﻟﻚ ﯾﻤﻜﻦ‬
‫اﻋﺘﺒﺎره ﺛﻨﺎﺋﯿﯿﻦ اﺛﻨﯿﻦ ‪ ،‬اﻟﺜﻨﺎﺋﻲ اﻟﻮاﻗﻊ اﻟﻰ اﻟﯿﺴﺎر ﺗﺴﻤﻰ ﺛﻨﺎﺋﻲ )اﻟﺒﺎﻋﺚ – ﻗﺎﻋﺪة( او )‪ ، (Emitter Diode‬واﻟﺜﺎﻧﻲ اﻟﻮاﻗﻊ‬
‫ﻋﻠﻰ اﻟﯿﻤﯿﻦ ﯾﺴﻤﻰ ﺛﻨﺎﺋﻲ )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( أو )‪. (Collector Diode‬‬
‫ﻋﻤﻠﯿﺎ ً ‪ ،‬ﻻ ﯾﻤﻜﻦ اﻟﺤﺼﻮل ﻋﻠﻰ ﺛﻨﺎﺋﯿﯿﻦ ﻋﻨﺪ رﺑﻂ ﺛﻨﺎﺋﯿﯿﻦ اﻋﺘﯿﺎدﯾﯿﻦ وﺑﺎﻟﻄﺮﯾﻘﺔ اﻟﻤﺒﯿﻨﺔ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ اﻟﺴﺎﺑﻖ وذﻟﻚ ﻟﻮﺟﻮد ارﺑﻊ‬
‫ﻣﻨﺎطﻖ ﻣﺘﺴﺎوﯾﺔ ﻓﻲ اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ وﻛﺬﻟﻚ ﻋﺮض ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ﻣﺘﺴﺎوﯾﺔ ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ ً وھﺬا ﻣﺨﺎﻟﻒ ﻟﻤﺎ ھﻮ ﻋﻠﯿﮫ ﻓﻲ أﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬
‫ﺣﯿﺚ ان ﺳﻤﻚ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ﺑﯿﻦ اﻟﺒﺎﻋﺚ واﻟﻘﺎﻋﺪة اﻗﻞ ﻣﻤﺎ ھﻮ ﻋﻠﯿﮫ ﺑﯿﻦ اﻟﺠﺎﻣﻊ واﻟﻘﺎﻋﺪة ﻧﺘﯿﺠﺔ ﻻﺧﺘﻼف اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ‪.‬‬
‫وﻛﻨﺘﯿﺠﺔ ﻻﺧﺘﻼف اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ ﻓﻲ اﻟﻤﻨﺎطﻖ اﻟﺜﻼﺛﺔ ﻓﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﺈن ﻣﻨﻄﻘﺘﻲ اﻻﺳﺘﻨﺰاف اﻟﻤﺬﻛﻮرة اﻧﻔﺎ ً ﻻ ﺗﻤﺘﻠﻚ ﻧﻔﺲ أﻟﻌﺮض‬
‫وﺑﻤﺎ ان ﺗﻄﻌﯿﻢ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻛﺒﺮ ﻣﻦ ﺗﻄﻌﯿﻢ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻓﺈن طﺒﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف ﯾﻜﻮن ﺻﻐﯿﺮاً )او ﺗﻨﻔﺬ ﻗﻠﯿﻼ داﺧﻞ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة( ﺑﯿﻨﻤﺎ‬
‫طﺒﻘﺔ اﻻﺳﺘﻨﺰاف اﻟﺜﺎﻧﯿﺔ ﻓﺈﻧﮭﺎ ﺗﻤﺘﺪ ﻛﺜﯿﺮاً ﻓﻲ اﻟﻘﺎﻋﺪة وﺗﻨﻔﺬ ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﺑﻌﻤﻖ اﻗﻞ‪.‬‬

‫ﻣﻦ اﻟﺸﻜﻞ اﻋﻼه ﻧﻼﺣﻆ ان ﻋﺮض ﻣﻨﻄﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( اﻗﻞ ﻣﻦ ﻋﺮض طﺒﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة(‬
‫ﺑﺴﺒﺐ اﺧﺘﻼف ﻧﺴﺒﺔ اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ ﻓﻲ اﻟﻤﻨﺎطﻖ اﻟﺜﻼﺛﺔ‪.‬‬

‫ﻣﺨﻄﻂ ﺣﺰم اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ) ‪(Band Diagramof the transistor‬‬

‫اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه ﯾﻮﺿﺢ ﻣﺨﻄﻂ ﺣﺰم اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﯾﻤﻜﻦ ﻣﻼﺣﻈﺔ ان اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﺣﺰﻣﺔ اﻟﺘﻮﺻﯿﻞ ﻓﻲ اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻻﺗﻤﺘﻠﻚ‬
‫اﻟﻄﺎﻗﺔ اﻟﻜﺎﻓﯿﺔ ﻟﻠﺪﺧﻮل ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة وﻟﻜﻦ ﻋﻨﺪ وﺿﻊ اﻟﺒﺎﻋﺚ ﺗﺤﺖ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻻﻣﺎﻣﻲ ﯾﻨﺨﻔﺾ ﺗﻞ اﻟﻄﺎﻗﺔ ووﺑﺬﻟﻚ ﺗﺘﻤﻜﻦ‬
‫اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻣﻦ اﻟﻨﻔﻮذ اﻟﻰ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة‪.‬‬
 ‫اﻧﻮاع اﻧﺤﯿﺎز اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫‪ -1‬اﻧﺤﯿﺎز اﻣﺎﻣﻲ ‪ -‬اﻣﺎﻣﻲ ‪ :‬وﯾﻜﻮن ﻓﯿﮫ وﺻﻠﺘﻲ )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( و )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﻗﺎﻋﺪة( ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ اﻧﺤﯿﺎز اﻣﺎﻣﻲ وﯾﻤﺮ‬
‫ﺗﯿﺎر ‪ IE‬ﻓﻲ وﺻﻠﺔ )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( وﯾﻤﺮ ﺗﯿﺎر ‪ IC‬ﻓﻲ وﺻﻠﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﻗﺎﻋﺪة( وﯾﻌﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ‬
‫اﻻﺷﺒﺎع وﻻ ﯾﻌﺘﻤﺪ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻋﻠﻰ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة وﯾﺴﻠﻚ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻛﻤﻔﺘﺎح ﻣﻐﻠﻖ وﻻ ﯾﺴﺘﻔﺎد ﻋﻤﻠﯿﺎ ﻣﻦ ھﺬه‬
‫اﻟﺪاﺋﺮة‪.‬‬
‫‪ -2‬اﻧﺤﯿﺎز ﻋﻜﺴﻲ – ﻋﻜﺴﻲ‬
‫ھﻨﺎ ﯾﻜﻮن وﺻﻠﺘﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﻨﺤﺎزﺗﺎن ﻋﻜﺴﯿﺎ ً وﺗﺴﺮي ﺗﯿﺎرات ﺻﻐﯿﺮة ﻓﯿﮭﻤﺎ ﻧﺘﯿﺠﺔ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ واﻟﺘﻲ‬
‫ﺗﻤﺜﻞ اﻟﺘﯿﺎرات اﻟﻌﻜﺴﯿﺔ اﻟﻨﺎﺗﺠﺔ ﻋﻦ اﻟﺤﺎﻣﻼت اﻻﻗﻠﯿﺔ اﻟﺘﻮﻟﺪة ﺣﺮارﯾﺎ او ﻣﻦ ﺗﯿﺎرات اﻟﺘﺴﺮب اﻟﺴﻄﺤﻲ‪ .‬وﯾﻤﻜﻦ‬
‫اھﻤﺎل ھﺬه اﻟﺘﯿﺎرات ﻟﺼﻐﺮھﺎ واﻋﺘﺒﺎر اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻛﻤﻔﺘﺎح ﻣﻔﺘﻮح وﯾﻌﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﻄﻊ‪.‬‬
‫‪ -3‬اﻧﺤﯿﺎز اﻣﺎﻣﻲ – ﻋﻜﺴﻲ‬
‫ﻓﻲ ﻟﺤﻈﺔ ﺗﺴﻠﯿﻂ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻻﻣﺎﻣﻲ ﻋﻠﻰ ﺛﻨﺎﺋﻲ اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻻ ﺗﻜﻮن اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻗﺪ دﺧﻠﺖ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة‪ .‬ﻋﻨﺪﻣﺎ‬
‫ﺗﺼﺒﺢ ‪ VEB‬اﻛﺒﺮ ﻣﻦ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﺤﺎﺟﺰ ﺳﻮف ﺗﺴﺘﻄﯿﻊ اﻟﻌﺪﯾﺪ ﻣﻦ اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺒﺎﻋﺚ دﺧﻮل ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ ،‬وﻋﻨﺪﻣﺎ‬
‫ﺗﺴﺮي اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﺧﻼل ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻓﺈﻧﮭﺎ ﺗﺴﻘﻂ ﻓﻲ ﻓﺠﻮات وﺗﻌﯿﺪ اﻟﺘﺤﺎﻣﮭﺎ وﺗﺴﯿﺮ اﻟﻰ اﻻﺳﻔﻞ اي اﻟﻰ ﺳﻠﻚ‬
‫اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻟﺨﺎرﺟﻲ وھﺬا اﻟﺘﯿﺎر ﯾﺴﻤﻰ ﺗﯿﺎر اﻋﺎدة اﻻﺗﺤﺎد )‪ (Recombination Current‬وﯾﻜﻮن ھﺬا اﻟﺘﯿﺎر ﻗﻠﯿﻞ‬
‫ﻟﺨﻔﺔ ﺗﻄﻌﯿﻢ اﻟﻘﺎﻋﺪة )اي ﻓﺠﻮاﺗﮭﺎ ﻗﻠﯿﻠﺔ(‪.‬‬

‫وﺑﻤﺎ ان اﻟﻘﺎﻋﺪة رﻗﯿﻘﺔ ﺟﺪاً ﻓﺈن اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﺣﺰﻣﺔ اﻟﺘﻮﺻﯿﻞ اﻟﻤﺤﻘﻮﻧﺔ ﺧﻼل طﺒﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف اﻟﺠﺎﻣﻊ وﺑﻌﺪھﺎ ﺗﺪﻓﻊ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت‬
‫اﻟﻰ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﺛﻢ ﺗﺠﺮي اﻟﻰ اﻟﻄﺮف اﻟﻤﻮﺟﺐ ﻣﻦ ﻣﺼﺪر ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﺠﺎﻣﻊ‪ .‬أي ان اﻛﺜﺮ ﻣﻦ ‪ 95 %‬ﻣﻦ اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺒﺎﻋﺚ‬
‫اﻟﻤﺤﻘﻮﻧﺔ ﺗﻌﺒﺮ اﻟﻰ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻓﻲ ﻣﻌﻈﻢ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات‪ .‬اﻣﺎ اﻟﻤﺘﺒﻖ ﻣﻦ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت واﻟﺒﺎﻟﻎ ‪ 5 %‬ﺗﺴﻘﻂ ﻓﻲ ﻓﺠﻮات اﻟﻘﺎﻋﺪة‬
‫وﺗﺴﯿﺮ ﻓﻲ ﺳﻠﻚ ﺗﻮﺻﯿﻞ اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻟﺨﺎرﺟﻲ‪.‬‬

‫ﻣﻦ وﺟﮭﺔ ﻧﻈﺮ اﻟﻄﺎﻗﺔ ‪ ،‬ﻓﺈن اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻻﻣﺎﻣﻲ ﯾﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ ﺧﻔﺾ ﺗﻞ اﻟﻄﺎﻗﺔ وﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﺣﺰﻣﺔ اﻟﺘﻮﺻﯿﻞ ﻓﻲ اﻟﺒﺎﻋﺚ‬
‫ﺗﻤﺘﻠﻚ طﺎﻗﺔ ﻛﺎﻓﯿﺔ ﻟﻠﻮﺻﻮل اﻟﻰ ﺣﺰﻣﺔ ﺗﻮﺻﯿﻞ اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ .‬ھﺬه اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﺗﺼﺒﺢ ﺣﺎﻣﻼت اﻗﻠﯿﺔ ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ ‪ p‬وان ‪ 95 %‬ﻣﻦ‬
‫ھﺬه اﻟﺤﺎﻣﻼت اﻻﻗﻠﯿﺔ ﺗﻨﺘﺸﺮ ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف اﻟﺠﺎﻣﻊ وﺗﻨﺤﺪر ھﺬه اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﻰ اﺳﻔﻞ ﺗﻞ اﻟﻄﺎﻗﺔ اﻟﺨﺎﺻﺔ ﺑﺎﻟﺠﺎﻣﻊ‬
‫وﻋﻨﺪ اﻧﺤﺪار ھﺬه اﻟﺤﺎﻣﻼت )اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت( ﻣﻦ ﻋﻠﻰ اﻟﺘﻞ ﺗﺤﺮر طﺎﻗﺔ ﻋﻠﻰ ﺷﻜﻞ ﺣﺮارة وﻟﺬﻟﻚ ﯾﻜﻮن اﻟﺠﺎﻣﻊ ھﻮ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ‬
‫اﻻﻛﺒﺮ ﻣﻦ ﺣﯿﺚ اﻟﻤﺴﺎﺣﺔ اﻟﺴﻄﺤﯿﺔ ﻓﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﯿﻦ ﻣﻨﺎطﻖ اﻟﺘﻄﻌﯿﻢ اﻟﺜﻼﺛﺔ ﻟﻜﻲ ﯾﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ ﺗﺒﺪﯾﺪ اﻟﺤﺮارة اﻟﻤﺘﻮﻟﺪة ﻣﻦ‬
‫ھﺬا اﻻﻧﺤﺪار‪ .‬اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه ﯾﺒﯿﻦ ﻣﺮاﺣﻞ اﻧﺘﻘﺎل اﻻﻟﻜﺘﺮون ﻣﻦ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻰ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻣﺒﯿﻨﺎ ھﺒﻮط ﺗﻞ اﻟﻄﺎﻗﺔ ﻓﻲ ﻛﻞ ﻣﺮﺣﻠﺔ ‪.‬‬

‫(‬ ‫ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻣﺘﺪاد اﻟﻘﺎﻋﺪة )‬

‫ﺑﻤﺎ ان ھﻨﺎك طﺒﻘﺘﻲ اﺳﺘﻨﺰاف ﺗﺨﺘﺮق اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ ،‬ﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن ﻓﺠﻮات اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺗﻜﻮن ﻗﻠﯿﻠﺔ ﻻن طﺒﻘﺔ ﺷﺒﮫ اﻟﻤﻮﺻﻞ ‪ p‬اﻟﻤﻜﻮﻧﺔ‬
‫ﻟﻠﻘﺎﻋﺪة ﺳﺘﻜﻮن ﻋﻠﻰ ﺷﻜﻞ ﻗﻨﺎة ﺿﯿﻘﺔ وﺑﺰﯾﺎدة اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ ‪ VCB‬ﯾﺰداد ﻋﺮض ﻣﻨﻄﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف اﻟﺠﺎﻣﻊ واﻟﺘﻲ ﺑﺪوره‬
‫ﺗﻘﻠﻞ ﻋﺮض اﻟﻘﻨﺎة واﻟﺘﻲ ﺗﺤﺘﻮي ﻋﻠﻰ ﻓﺠﻮات اﻟﻘﺎﻋﺪة‪ .‬اي ان ھﻨﺎك ﻋﺪد اﻗﻞ ﻣﻦ ﻓﺠﻮات اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻣﻮﺟﻮدة ﻹﻋﺎدة اﻻﺗﺤﺎد‪.‬‬

‫وﺗﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ﻋﺮض اﻟﻘﻨﺎة ‪ p‬وﻋﻠﻰ ﺗﻄﻌﯿﻢ اﻟﻘﺎﻋﺪة وﻗﺪ ﺗﺼﻞ اﻟﻰ )‪(1KΩ‬‬ ‫إن ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺗﺴﻤﻰ ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻣﺘﺪاد اﻟﻘﺎﻋﺪة‬
‫ﻓﻲ ﺑﻌﺾ اﻻﺣﯿﺎن وﻧﻤﻮذﺟﯿﺎ ً ﺗﺘﺮاوح ﺑﯿﻦ )‪ (50 - 150‬اوم‪.‬‬

‫ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻻﻧﻜﺴﺎر)‪(Breakdown Voltage‬‬

‫ﻣﻦ اﻟﻤﻌﻠﻮم ان اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻋﺒﺎرة ﻋﻦ ﺛﻨﺎﺋﯿﯿﻦ ﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﻌﻜﺴﯿﺔ ﯾﻤﻜﻦ ان ﺗﺴﺒﺐ اﻻﻧﻜﺴﺎر اﻟﻨﺎﺗﺞ ﻋﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز‬
‫اﻟﻌﻜﺴﻲ ﻟﺜﻨﺎﺋﻲ )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة(‪ .‬ﻓﻌﻨﺪ زﯾﺎدة ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( اي زﯾﺎدة ‪ VCB‬ﯾﺤﺼﻞ اﻻﻧﻜﺴﺎر ﻓﻲ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﺠﺎﻣﻊ‬
‫ﺑﺴﺒﺐ اﻻﻧﮭﯿﺎر او ﺑﺴﺒﺐ ظﺎھﺮة اﻟﺘﻮاﺻﻞ )‪ (Reach through‬او اﻟﺜﻘﺐ‪.‬‬
‫ھﻨﺎ اﻟﺘﻮاﺻﻞ ﯾﻌﻨﻲ ان طﺒﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف اﻟﺠﺎﻣﻊ ﺗﺼﺒﺢ ﻋﺮﯾﻀﺔ ﺑﺤﯿﺚ ﺗﺼﻞ اﻟﻰ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف اﻟﺒﺎﻋﺚ وﻓﻲ ھﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ‬
‫ﺗﻨﺒﻌﺚ اﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻰ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻣﺒﺎﺷﺮﺗﺎ ً‪ .‬ھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﻨﻮه اﻟﻰ اﻧﮫ ﺣﺘﻰ ﻓﻲ اﻟﺘﺪاﺧﻞ اﻟﻘﻠﯿﻞ ﺟﺪاً ﺑﯿﻦ طﺒﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف‬
‫)اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﻣﻊ طﺒﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﯾﺆدي اﻟﻰ ﺗﯿﺎر ﺟﺎﻣﻊ ﻛﺒﯿﺮ وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ اﻟﻰ ﺗﻠﻒ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‪ .‬ﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ‬
‫ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ اﻋﻼه‪ .‬ﻟﺬﻟﻚ ﯾﺠﺐ ﺗﺠﻨﺐ ھﺬه اﻟﻈﺎھﺮة )اﻻﻧﮭﯿﺎر واﻟﺘﻮاﺻﻞ( ﺑﺠﻌﻞ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﺠﺎﻣﻊ اﻗﻞ ﻣﻦ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻻﻧﻜﺴﺎر وﻛﻢ‬
‫ﻣﻌﻄﻰ ﻓﻲ اﺳﺘﻤﺎرة اﻟﻤﻌﻠﻮﻣﺎت اﻟﻤﺰودة ﻣﻦ ﻗﺒﻞ اﻟﻤﺼﻨﻊ‪.‬‬

‫ھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﻨﻮه اﯾﻀﺎ ً اﻟﻰ ان زﯾﺎدة ‪ VEB‬ﺗﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ زﯾﺎدة اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﻤﺤﻘﻮﻧﺔ اﻟﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺑﯿﻨﻤﺎ زﯾﺎدة اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ‬
‫‪ VCB‬ﯾﻜﻮن ﺗﺄﺛﯿﺮه ﻗﻠﯿﻞ ﻋﻠﻰ ﻋﺪد اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﺘﻲ ﺗﺪﺧﻞ اﻟﺠﺎﻣﻊ وﻟﻜﻦ زﯾﺎدة ‪ VCB‬ﯾﺰﯾﺪ ﻣﻦ اﻧﺤﺪار ﺗﻞ اﻟﺠﺎﻣﻊ‪.‬‬

‫‪،‬‬ ‫ﻣﻌﺎﻣﻼت اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫ﺑﻤﺎ ان ‪ 95 %‬ﻣﻦ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﻤﺤﻘﻮﻧﺔ ﺗﺼﻞ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻟﺬﻟﻚ ﯾﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻣﺴﺎوﯾﺎ ً ﻟﺘﯿﺎر اﻟﺒﺎﻋﺚ ﺗﻘﺮﯾﺒﺎً اي ان‬

‫=‬

‫اﻋﻠﻰ ‪ ،‬وﻓﻲ اﻟﺤﺎﻟﺔ اﻟﻤﺜﺎﻟﯿﺔ ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﺼﻞ ﺟﻤﯿﻊ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﻰ اﻟﺠﺎﻣﻊ‬ ‫وﻛﻠﻤﺎ ﻛﺎﻧﺖ اﻟﻘﺎﻋﺪة ارق واﺧﻒ ﺗﻄﻌﯿﻤﺎ ً ﻛﺎن‬
‫ﺗﺘﺮاوح ﺑﯿﻦ )‪(0.95 – 0.99‬‬ ‫وﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن ﻗﯿﻢ‬ ‫ﻓﺈن ‪≅ 1‬‬

‫ﺣﯿﺚ ان‬ ‫ھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﺸﯿﺮ اﻟﻰ ﻣﻌﺎﻣﻞ اﺧﺮ وھﻮ اﻟﻜﺴﺐ ﻓﻲ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻤﺴﺘﻤﺮ او ﻣﺎ ﯾﺴﻤﻰ ﺑﻤﻌﺎﻣﻞ اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ‬

‫=‬ ‫‪=ℎ‬‬

‫ﺗﺘﺮاوح ﺑﯿﻦ )‪ (20 - 250‬أو اﻛﺜﺮ ﺣﺴﺐ‬ ‫وھﺬه اﻟﻤﻌﺎﻣﻼت ﺗﺴﻤﻰ ﺑﺎﻟﺜﻮاﺑﺖ اﻟﮭﺠﯿﻨﯿﺔ وان ﻗﯿﻤﺔ اﻟﻜﺴﺐ ﻓﻲ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻤﺴﺘﻤﺮ‬
‫ﻧﻮع اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫ﻣﺜﺎل )واﺟﺐ(‬

‫اﺛﺒﺖ ان‬

‫‪1-‬‬ ‫=‬

‫‪2-‬‬ ‫=‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫اذا ﻋﻠﻤﺖ ان‬

‫ﻣﺜﺎل )واﺟﺐ(‬

‫اﺣﺴﺐ ‪ βdc ، αdc ، IC‬اذا ﻋﻠﻤﺖ ان ‪ IB = 100µA‬و ‪IE = 100 mA‬‬

 ‫ﺗﻐﯿﺮ ‪ βdc‬ﻣﻊ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة‬

‫ان ﻗﯿﻤﺔ ‪ βdc‬ﻟﮭﺎ ﺗﺄﺛﯿﺮ ﻛﺒﯿﺮ ﻋﻠﻰ ﻋﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وھﻲ ﻛﻤﯿﺔ ﻏﯿﺮ ﺛﺎﺑﺘﺔ وﺗﺘﻐﯿﺮ ﻣﻊ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ IC‬ودرﺟﺔ اﻟﺤﺮارة‪ .‬ﻓﻌﻨﺪ‬
‫ﺛﺒﻮت درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة وزﯾﺎدة ﻗﯿﻤﺔ ‪ IC‬ﯾﺰداد ﻗﯿﻤﺔ ‪ βdc‬اﻟﻰ ان ﺗﺼﻞ اﻟﻰ اﻋﻠﻰ ﻗﯿﻤﺔ‪ .‬اﻣﺎ ﻣﺎ ﺑﻌﺪھﺎ ﻓﺈن اﺳﺘﻤﺮار زﯾﺎدة ‪ IC‬ﺗﻘﻞ‬
‫ﻗﯿﻤﺔ ‪ βdc‬وﻛﻤﺎ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه‬

‫وﻓﻲ اﺳﺘﻤﺎرة اﻟﻤﻌﻠﻮﻣﺎت اﻟﺘﻲ ﺗﺰودھﺎ اﻟﺸﺮﻛﺎت اﻟﻤﺼﻨﻌﺔ ﺗﻌﻄﻰ ﻗﯿﻤﺔ ‪ βdc‬ﻋﻨﺪ ﻗﯿﻤﺔ ﻣﻌﯿﻨﺔ ﻣﻦ ‪ . IC‬وﺣﺘﻰ ﻋﻨﺪ ﺛﺒﻮت‬
‫‪ IC‬ودرﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﻓﺈن ‪ βdc‬ﺗﺨﺘﻠﻒ ﻣﻦ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﻰ اﺧﺮ وﻟﻨﻔﺲ اﻟﻨﻮع واﻟﺮﻗﻢ وھﺬا ﯾﺘﻌﻠﻖ ﺑﻌﻤﻠﯿﺎت اﻟﺘﺼﻨﯿﻊ ﺣﯿﺚ‬
‫ان ﻗﯿﻤﺔ ‪ βdc‬اﻟﺘﻲ ﺗﻌﻄﻰ ﻓﻲ اﺳﺘﻤﺎرة اﻟﻤﻌﻠﻮﻣﺎت ﺗﻤﺜﻞ اﻗﻞ ﻗﯿﻤﺔ ﻟـ ‪. βdc‬‬

‫طﺮق رﺑﻂ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر )‪(Transistor Biasing‬‬

‫‪ -1‬طﺮﯾﻘﺔ رﺑﻂ اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻟﻤﺸﺘﺮﻛﺔ ))‪(Common Base Connection (CB‬‬

‫‪ -2‬طﺮﯾﻘﺔ رﺑﻂ اﻟﺠﺎﻣﻊ اﻟﻤﺸﺘﺮﻛﻰ ))‪(Common Collector Connection (CC‬‬
‫‪ -3‬طﺮﯾﻘﺔ رﺑﻂ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك ))‪(Common Emitter Connection (CE‬‬

‫ان اﻟﻄﺮق اﻟﻤﺬﻛﻮرة اﻋﻼه ﺗﻌﺘﺒﺮ ﻣﻦ اﻟﻄﺮق اﻻﺳﺎﺳﯿﺔ ﻟﺮﺑﻂ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ‪ ،‬وان اﻟﻄﺮﯾﻘﺔ اﻻوﻟﻰ واﻟﺜﺎﻧﯿﺔ ﺗﻌﺘﺒﺮ ﻣﻦ اﻟﻄﺮق‬
‫اﻻﻗﻞ اﺳﺘﺨﺪاﻣﺎ ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ ﻟﺬﻟﻚ ﺳﯿﻜﻮن ﺗﺮﻛﯿﺰﻧﺎ ﻋﻠﻰ اﻟﻄﺮﯾﻘﺔ اﻟﺜﺎﻟﺜﺔ ﺣﺼﺮا وذﻟﻚ ﻟﻨﮫ اﻟﺮﺑﻂ اﻻﻛﺜﺮ ﺷﯿﻮﻋﺎ‬
‫واﺳﺘﺨﺪﻣﺎ ﻓﻲ ﻣﻌﻈﻢ اﻟﺘﻄﺒﯿﻘﺎت اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ‪.‬‬

‫طﺮﯾﻘﺔ رﺑﻂ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك )‪(Common Emitter Connection‬‬

‫ﻓﻲ طﺮﯾﻘﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك ﯾﻜﻮن اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻣﺸﺘﺮﻛﺎ ﺑﯿﻦ داﺋﺮة اﻻدﺧﺎل وداﺋﺮة اﻻﺧﺮاج ﺣﯿﺚ ان داﺋﺮة )اﻟﺒﺎﻋﺚ – ﻗﺎﻋﺪة(‬
‫ﺗﻤﺜﻞ داﺋﺮة اﻻدﺧﺎل وان داﺋﺮة )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﺑﺎﻋﺚ( ﺗﻤﺜﻞ داﺋﺮة اﻻﺧﺮاج وﻛﻤﺎ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه‬
‫ﻣﻦ اﺟﻞ ﻓﮭﻢ اﻟﺪاﺋﺮة اﻋﻼه ﯾﺠﺐ اﻟﺘﻄﺮق اﻟﻰ ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻣﻦ اﻟﻌﻮاﻣﻞ اﻟﺘﻲ ﺗﺨﺺ ھﺬه اﻟﺪاﺋﺮة واﻟﺘﻲ ﺳﻮف ﻧﺘﻄﺮق اﻟﯿﮭﺎ ﺑﺸﻜﻞ‬
‫ﺗﻔﺼﯿﻠﻲ وﻛﻤﺎ ﯾﻠﻲ‬

‫‪ -1‬اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ ﻓﻲ اﻟﺘﯿﺎر )‪(β‬‬

‫ﻓﻲ رﺑﻂ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك ﯾﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻻدﺧﺎل ھﻮ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة وﺗﯿﺎر اﻻﺧﺮاج ھﻮ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ وإن اﻟﻨﺴﺒﺔ ﺑﯿﻦ اﻟﺘﻐﯿﺮ ﻓﻲ ﺗﯿﺎر‬
‫اﻟﺠﺎﻣﻊ ) ∆( اﻟﻰ اﻟﺘﻐﯿﺮ ﻓﻲ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ) ∆( ھﻮ ﻣﻌﺎﻣﻞ ﺗﻜﺒﯿﺮ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة )‪ (β‬وﯾﻌﺒﺮ ﻋﻨﮫ ﻛﻤﺎ ذﻛﺮﻧﺎ ﺳﺎﺑﻘﺎ ﺑﺎﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ‬
‫اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫∆‬
‫=‬
‫∆‬

‫ھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﻨﻮه اﻟﻰ ان اﻟﺘﻐﯿﺮ )‪ (Δ‬ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻋﻼه ﺗﻤﺜﻞ ﻣﻌﺎﻣﻞ اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ وﺟﻮد اﺷﺎرة ﻣﺘﻨﺎوﺑﺔ ﻣﻄﺒﻘﺔ ﻋﻠﻰ اﻟﺪاﺋﺮة‬
‫‪ ،‬اﻣﺎ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﻋﺪم وﺟﻮد اﺷﺎرة ﻣﻄﺒﻘﺔ ﻓﯿﺘﺤﻮل اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﻰ اﻟﺸﻜﻞ اﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫=‬

‫ﻓﻲ ﻣﻌﻈﻢ اﻻﺣﯿﺎن ﺗﻤﺜﻞ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ 5%‬ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﺒﺎﻋﺚ وﻋﻠﻰ اﻋﺘﺒﺎر ان ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻣﺴﺎوي ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ ﻟﺘﯿﺎر اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻓﺈن ‪β‬‬
‫ﻓﻲ ﻣﻌﻈﻢ اﻻﺣﯿﺎن ﺗﻜﻮن اﻛﺒﺮ ﻣﻦ ‪ 20‬وﻓﻲ اﻟﻌﺎدة ﯾﻜﻮن ﺑﯿﻦ )‪ . (20 - 500‬ان اھﻤﯿﺔ ھﺬه اﻟﺪاﺋﺮة ﺗﺄﺗﻲ ﻣﻦ اﻧﮭﺎ ﺗﻌﻄﻲ ﻛﺴﺐ‬
‫ﺟﯿﺪ ﻓﻲ ﻛﻞ ﻣﻦ اﻟﺘﯿﺎر واﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ ﻋﻠﻰ ﺣﺪ ﺳﻮاء‪.‬‬

‫ھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﺬﻛﺮ ﺑﻌﺾ اﻟﻌﻼﻗﺎت اﻟﺨﺎﺻﺔ ﺑﮭﺬا اﻟﺮﺑﻂ وھﻲ ﻣﺸﺎﺑﮭﺔ ﻟﻤﺎ ﺗﻢ ذﻛﺮه ﺳﺎﺑﻘﺎ وﻋﻠﻰ اﻟﻨﺤﻮ اﻟﺘﺎﻟﻲ‬
 ‫∆‬
‫=‬ ‫)‪… … … … (1‬‬
‫∆‬

‫∆‬
‫=‬ ‫)‪… … … … . (2‬‬
‫∆‬

‫=‬ ‫)‪… … … … … . (3‬‬

‫‪1−‬‬

‫=‬ ‫)‪… … … … … … . (4‬‬

‫‪1+‬‬

‫∆‬ ‫∆=‬ ‫∆‪+‬‬ ‫)‪… … … … … (5‬‬

‫ﻋﻨﺪ ﻣﻌﺎﯾﻨﺔ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )‪ (3‬ﻧﻼﺣﻆ اﻧﮫ ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﻘﺘﺮب ‪ α‬ﻣﻦ اﻟﻮاﺣﺪ ﻓﺈن ‪ β‬ﯾﻘﺘﺮب ﻣﻦ اﻟﻤﺎﻻﻧﮭﺎﯾﺔ وھﺬا ﺑﺪوره ﯾﻌﻨﻲ ان ﻛﺴﺐ‬
‫اﻟﺘﯿﺎر ﻓﻲ ھﺬا اﻟﺮﺑﻂ ﯾﻜﻮن ﻋﺎﻟﯿﺎ ﺟﺪاً وﻟﮭﺬا ﯾﺴﺘﺨﺪم ھﺬا اﻟﻨﻮع ﻣﻦ اﻟﺮﺑﻂ ﻓﻲ ﻣﻌﻈﻢ اﻟﺘﻄﺒﯿﻘﺎت اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ ‪.‬‬

‫‪ -2‬ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻓﻲ رﺑﻂ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … … . . (1‬‬

‫=‬ ‫→‬ ‫=‬ ‫)‪… … … … . (2‬‬

‫ﺑﻤﺎ ان وﺻﻠﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﻗﺎﻋﺪة( ﻣﺮﺑﻮطﺔ ﺑﺎﻧﺤﯿﺎز ﻋﻜﺴﻲ ﻓﯿﺠﺐ ان ﻧﺄﺧﺬ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻌﻜﺴﻲ اﻟﻨﺎﺗﺞ ﻋﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ ﺑﻨﻈﺮ‬
‫اﻻﻋﺘﺒﺎر ﻋﻨﺪ ﺣﺴﺎب ﻗﯿﻤﺔ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ اي اﻧﮫ ﯾﺠﺐ ان ﯾﻀﺎف اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻌﻜﺴﻲ ﻋﻠﻰ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ رﻗﻢ )‪ (2‬وﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‪:‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … … . . (3‬‬

‫ﺣﯿﺚ ان ‪ ICBO‬ﺗﻤﺜﻞ ﻣﻘﺪار اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻨﺎﺗﺞ ﻣﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ ﻟﻮﺻﻠﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﻗﺎﻋﺪة( ‪ .‬ﺑﺘﻌﻮﯾﺾ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )‪ (1‬ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ‬
‫)‪ (3‬ﯾﻨﺘﺞ‬

‫( =‬ ‫‪+‬‬ ‫‪)+‬‬ ‫)‪… … … … . . (3‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … … . . (4‬‬

‫‪−‬‬ ‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … … . . (5‬‬

‫= ) ‪(1 −‬‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … … . . (6‬‬

‫‪1‬‬
‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … . . (7‬‬
‫‪1−‬‬ ‫‪1−‬‬
‫ﺑﻤﻌﺎﯾﻨﺔ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )‪ (7‬ﻧﻼﺣﻆ اﻧﮫ اذا ﻛﺎن ﻗﯿﻤﺔ ‪ IB = 0‬ﻓﮭﺬا ﯾﻌﻨﻲ ان داﺋﺮة اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻗﺎﻋﺪة ﻋﺒﺎرة ﻋﻦ ﻣﻔﺘﺎح ﻣﻔﺘﻮح ﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن‬
‫ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﺳﯿﻜﻮن ھﻮ ﻧﻔﺴﮫ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻤﺎر ﻓﻲ اﻟﺒﺎﻋﺚ واﻟﻤﻤﺜﻠﺔ ﺑﺎﻟﺮﻣﺰ ‪ ICEO‬واﻟﺬي ﯾﻤﺜﻞ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻤﺎر ﺑﻜﻞ ﻣﻦ اﻟﺠﺎﻣﻊ‬
‫واﻟﺒﺎﻋﺚ ﻋﻨﺪﻣﺎ ﯾﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ﺻﻔﺮا ‪ .‬وﻋﻨﺪ وﺿﻊ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻣﺴﺎوﯾﺔ ﻟﻠﺼﻔﺮ ﯾﺼﺒﺢ ﺗﯿﺎر )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﺑﺎﻟﺼﯿﻐﺔ‬
‫اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫‪1‬‬
‫=‬ ‫)‪… … … … … … . . (8‬‬
‫‪1−‬‬

‫ﺑﺘﻌﻮﯾﺾ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )‪ (8‬ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )‪ (7‬ﯾﻨﺘﺞ‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … … … … … (9‬‬

‫‪1−‬‬

‫ﻟﺬﻟﻚ ﺗﺼﺒﺢ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﻨﮭﺎﺋﯿﺔ ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ اﻟﺘﺎﻟﻲ‬ ‫=‬ ‫وﻛﻤﺎ ھﻮ ﻣﻌﺮوف ان‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … … … … … … . . (10‬‬

‫ان ﻣﻔﮭﻮم ‪ ICEO‬ﻓﻲ رﺑﻂ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك ﻣﻤﻜﻦ وﺻﻔﮫ ﻋﻠﻰ اﻧﮫ ﺗﯿﺎر ﺟﺎﻣﻊ ﺻﻐﯿﺮ ﯾﻨﺘﺞ ﻋﻨﺪﻣﺎ ﯾﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻣﺴﺎوﯾﺎً‬
‫ﻟﻠﺼﻔﺮ )اي ان داﺋﺮ )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﻋﺒﺎرة ﻋﻦ داﺋﺮة ﻣﻔﺘﻮﺣﺔ( وﻛﻤﺎ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ )‪ (A‬ادﻧﺎه‪.‬‬

‫ﻋﻨﺪ ﺗﻄﺒﯿﻖ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ ﻋﻠﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻛﻤﺎ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ )‪ (B‬اﻋﻼه ﻓﮭﺬا ﯾﺴﺒﺐ ﺗﻮﻟﯿﺪ ﺗﯿﺎرات ﻋﺪﯾﺪة ﻣﻨﮭﺎ اﻟﺘﯿﺎرات اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫‪ -1‬ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة = ‪IB‬‬

‫‪ -2‬ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ = ‪βIB + ICEO‬‬
‫‪ -3‬ﺗﯿﺎر اﻟﺒﺎﻋﺚ = ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ +‬ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة‬

‫(=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪)+‬‬ ‫)‪= ( + 1‬‬ ‫‪+‬‬

‫‪ .‬وھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﻨﻮه اﻟﻰ ان‬ ‫=‪+1‬‬ ‫ﻋﻠﻰ اﻋﺘﺒﺎر ان‬

 ‫‪1‬‬
‫=‬ ‫)‪= ( + 1‬‬ ‫≅‬
‫‪1−‬‬

‫ﺧﺼﺎﺋﺺ رﺑﻂ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك )‪(Characteristics of Common Emitter Connection‬‬

‫‪ -1‬ﺧﻮاص اﻻدﺧﺎل‬

‫وﺗﻤﺜﻞ اﻟﻌﻼﻗﺔ ﺑﯿﻦ ﺗﯿﺎر اﻻدﺧﺎل ‪ IB‬وﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻻدﺧﺎل ‪VBE‬ﻋﻨﺪ ﺛﺒﻮت اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﻌﻜﺴﯿﺔ اﻟﻤﺴﻠﻄﺔ ﻋﻠﻰ اﻻﺧﺮاج ‪ VCE‬وﺗﻤﺜﻞ‬
‫ﺧﻮاص ﺛﻨﺎﺋﻲ )اﻟﺒﺎﻋﺚ – ﻗﺎﻋﺪة( وﻛﻤﺎ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ‬

‫ﻧﻼﺣﻆ ﻣﻦ اﻟﺸﻜﻞ اﻟﻤﺠﺎور ان ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ IB‬ﯾﺰداد ﺑﺼﻮرة‬

‫اﺳﯿﺔ ﺑﺰﯾﺎدة اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ ‪ VBE‬ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﺼﺒﺢ ﻗﯿﻤﺔ ‪ VBE‬اﻛﺒﺮ‬

‫ﻣﻦ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﺤﺎﺟﺰ ﻟﻠﻮﺻﻠﺔ‪ .‬وﻋﻨﺪ ﻗﯿﻤﺔ ﺛﺎﺑﺘﺔ ﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ اﻻدﺧﺎل اي‬

‫ﻋﻨﺪ ﻗﯿﻤﺔ ﺛﺎﺑﺘﺔ ﻟـ ‪ VBE‬ﯾﻤﻜﻦ ﻣﻼﺣﻈﺔ ان ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ﯾﻘﻞ‬

‫ﺑﺰﯾﺎدة اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﻌﻜﺴﯿﺔ اﻟﻤﺴﻠﻄﺔ ﻋﻠﻰ اﻻﺧﺮاج واﻟﺴﺒﺐ ھﻮ ان‬

‫اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﻌﻜﺴﯿﺔ ﺗﻘﻠﻞ ﻣﻦ ﻋﺮض طﺒﻘﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة )اي ﯾﺰداد اﻣﺘﺪاد‬

‫طﺒﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف اﻟﺠﺎﻣﻊ داﺧﻞ اﻟﻘﺎﻋﺪة(وﺑﺬﻟﻚ ﯾﻘﻞ ﺗﯿﺎر اﻋﺎدة‬

‫اﻻﺗﺤﺎد ‪. IB‬‬

‫‪ -2‬ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻻدﺧﺎل‬

‫ﺗﻮﺻﻒ ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻻدﺧﺎل ﻟﺮﺑﻂ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك ﺑﺎﻟﻌﻼﻗﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫∆‬
‫=‬
‫∆‬ ‫(‬ ‫)‬

‫ﻓﻲ ھﺬا اﻟﺮﺑﻂ ﯾﻜﻮن ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻻدﺧﺎل اﻋﻠﻰ ﺑﻜﺜﯿﺮ ﻣﻤﺎ ھﻮ ﻋﻠﯿﮫ ﻓﻲ ﺑﺎﻗﻲ اﻧﻮاع اﻟﺮﺑﻂ ﻟﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻗﻞ ﺑﻜﺜﯿﺮ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر‬
‫اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ IE‬وﺗﻜﻮن ھﺬه اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ ﻣﺴﺎوﯾﺔ ﻟﺒﻀﻊ ﻣﺌﺎت ﻣﻦ اﻻوم‪.‬‬

‫‪ -3‬ﺧﻮاص اﻻﺧﺮاج‬

‫وﺗﻤﺜﻞ اﻟﻌﻼﻗﺔ ﺑﯿﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ )‪ IC(mA‬واﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﻌﻜﺴﯿﺔ )‪ VCE (V‬اﻟﻤﺴﻠﻄﺔ وﻟﻘﯿﻢ ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ IB‬وﺗﺘﻜﻮن‬
‫ﻣﻦ ﺛﻼﺛﺔ ﻣﻨﺎطﻖ رﺋﯿﺴﯿﺔ‬
 ‫ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺷﺒﺎع او اﻟﺘﺸﺒﻊ )‪(Saturation Region‬‬ ‫‪‬‬

‫وھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ﺗﻜﻮن ﻋﻠﻰ ﯾﺴﺎر ﺧﺼﺎﺋﺺ اﻻﺧﺮاج ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﻤﺮﺑﻮط ﺑﻄﺮﯾﻘﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك وﻛﻤﺎ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ‬
‫ادﻧﺎه‬

‫وﻓﻲ ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ﻛﻤﺎ ذﻛﺮﻧﺎ ﻓﻲ ﺑﺪاﯾﺔ ھﺬا اﻟﻔﺼﻞ ﯾﻌﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺷﺒﺎع وﺗﻜﻮن ﻓﯿﮭﺎ ‪ VCE‬اﻗﻞ ﻣﻦ اﻟﺠﮭﺪ‬
‫اﻟﺤﺎﺟﺰ )اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻤﻀﻠﻠﺔ ﻋﻠﻰ ﯾﺴﺎر اﻟﺸﻜﻞ اﻋﻼه( ‪ .‬ھﻨﺎ ﺗﻜﻮن وﺻﻠﺘﻲ )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﻗﺎﻋﺪة( و )اﻟﺒﺎﻋﺚ – ﻗﺎﻋﺪة( ﻣﻨﺤﺎزﺗﯿﻦ‬
‫اﻣﺎﻣﯿﺎ ً ووﺑﻔﻮﻟﺘﯿﺎت اﻛﺒﺮ ﻣﻦ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﺤﺎﺟﺰ )أي اﻛﺒﺮ ﻣﻦ ‪ . (0.7 V‬وﯾﻤﻜﻦ ﺗﺤﺪﯾﺪ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺷﺒﺎع ﺑﺸﻜﻞ دﻗﯿﻖ ﻟﯿﻜﻮن‬
‫< ‪ . (0‬وھﻨﺎ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻻ ﯾﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة وﯾﺴﻤﻰ‬ ‫<‬ ‫ﻣﺤﺼﻮرة ﻓﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻮاﻗﻊ ﺑﺤﯿﺚ ﯾﻜﻮن )‬
‫ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ھﻨﺎ ﺑﺘﯿﺎر اﻻﺷﺒﺎع )‪ . IC(sat‬وﯾﻤﻜﻦ ﺗﻔﺴﯿﺮ ھﺬه اﻟﺘﺴﻤﯿﺔ ﺑﺎﻻﻋﺘﻤﺎد ﻋﻠﻰ ﻣﻌﺎدﻟﺔ اﻻﺧﺮاج اﻟﺨﺎﺻﺔ ﺑﮭﺬا اﻟﺮﺑﻂ‬
‫وﺑﺎﻟﺸﻜﻞ اﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪=0‬‬

‫∴‬ ‫=‬ ‫‪+‬‬

‫ﻛﻤﺎ ذﻛﺮﻧﺎ ﺳﺎﺑﻘﺎ ان ﻗﯿﻤﺔ ‪ VCE‬ﺻﻐﯿﺮ ﻧﺴﺒﯿﺎ وﯾﻤﻜﻦ ان ﻧﻌﺘﺒﺮه ﺻﻔﺮا ﻓﻲ ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ وﺑﺬﻟﻚ ﯾﻜﻮن‬

‫‪≅0‬‬
‫∴‬ ‫=‬ ‫(‬ ‫)‬ ‫→‬ ‫(‬ ‫)‬ ‫=‬

‫ﺣﯿﺚ ان ‪ IC‬ﯾﺰداد ﺑﺼﻮرة ﺧﻄﯿﺔ وﺗﻘﻞ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺘﻲ ﯾﺒﺪﯾﮭﺎ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﯿﻦ اﻟﺒﺎﻋﺚ واﻟﺠﺎﻣﻊ وﺗﺴﻤﻰ ﺑﻤﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺘﺸﺒﻊ وﺗﻜﻮن‬
‫ﻗﻠﯿﻠﺔ )ﺑﻀﻊ اوﻣﺎت( وﯾﻜﻮن اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﻲ ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ﻛﻤﻔﺘﺎح ﻣﻐﻠﻖ ‪.‬‬

‫ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﻘﻄﻊ )‪(Cut- off region‬‬ ‫‪‬‬

‫( وﻓﻲ ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ﯾﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ‬ ‫وﯾﻜﻮن ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ﺗﺤﺖ اﻗﻞ ﺗﯿﺎر ﻟﻠﻘﺎﻋﺪة اي ﻓﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻮاﻗﻌﺔ ﺗﺤﺖ )‪≤ 0‬‬
‫ﻣﺴﺎوﯾﺎ ً ﻟﺘﯿﺎر اﻟﺘﺸﺒﻊ اﻟﻌﻜﺴﻲ ‪ ICEO‬ﻻن وﺻﻠﺘﻲ )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﻗﺎﻋﺪة( و )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﻣﻨﺤﺎزﺗﯿﻦ ﻋﻜﺴﯿﺎً وﯾﻌﻤﻞ‬
‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻛﻤﻔﺘﺎح ﻣﻔﺘﻮح ‪.‬‬

‫اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻔﻌﺎﻟﺔ )‪(Active Region‬‬ ‫‪‬‬

‫ﻓﻲ ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ‪ ،‬ﺗﻜﻮن وﺻﻠﺔ )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﻣﻨﺤﺎزة اﻣﺎﻣﯿﺎ ً ووﺻﻠﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﻣﻨﺤﺎزة ﻋﻜﺴﯿﺎً وﺗﻜﻮن ﻓﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ‬
‫وﻋﻠﻰ ﯾﻤﯿﻦ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺷﺒﺎع ﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ اﻟﺴﺎﺑﻖ‪ .‬ھﻨﺎ ﻧﻼﺣﻆ اﻧﮫ ﻛﻠﻤﺎ ازدادت اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ‬ ‫اﻟﺘﻲ ﺗﻜﻮن ﻓﯿﮭﺎ ‪> 0‬‬
‫اﻟﻌﻜﺴﯿﺔ ‪ VCE‬ﻓﺈن طﺒﻘﺔ اﺳﺘﻨﺰاف اﻟﺠﺎﻣﻊ ﺗﺨﺘﺮق اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻛﺜﺮ وﺗﻘﻠﻞ ﻣﻦ ﻓﺮص اﻋﺎدة اﻻﺗﺤﺎد ﺑﯿﻦ اﻟﺸﺤﻨﺎت ﻓﻲ ﻣﻨﻄﻘﺔ‬
‫اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻣﻤﺎ ﯾﺆدي اﻟﻰ زﯾﺎدة ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ وﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن ‪ IC‬ﯾﺰداد ﺑﺰﯾﺎدة ‪ VCE‬وﺗﺘﺠﮫ اﻟﺨﻮاص )اي ﺗﻤﯿﻞ( اﻟﻰ اﻻﻋﻠﻰ ﻣﻘﺎرﻧﺔ‬
‫ﺑﺎﻟﺨﻮاص اﻟﻤﺴﺘﻘﯿﻤﺔ ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ رﺑﻂ اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻟﻤﺸﺘﺮﻛﺔ )‪ (CB‬وﻟﺬﻟﻚ ﺗﺰداد ﻗﯿﻤﺔ )‪ . (α‬ھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﺸﯿﺮ اﻟﻰ ان اﻟﻤﺴﺎﻓﺔ ﺑﯿﻦ‬
‫اﻟﻤﻨﺤﻨﯿﺎت ﻏﯿﺮ ﻣﺘﺴﺎوﯾﺔ وﺗﻜﻮن ﻣﺘﻘﺎرﺑﺔ ﻋﻨﺪ ﻗﯿﻢ ﺻﻐﯿﺮة ﻣﻦ ‪ IB‬وﻣﺘﺒﺎﻋﺪة ﻋﻨﺪ ﺗﯿﺎرات ﻗﺎﻋﺪة اﻋﻠﻰ وﻟﺬﻟﻚ ﺗﻜﻮن اﻟﻌﻼﻗﺔ ﻏﯿﺮ‬
‫ﺧﻄﯿﺔ ﺑﯿﻦ ‪ IB‬و ‪ IC‬واﻟﻌﻼﻗﺔ ﺑﯿﻦ ‪ IC‬و ‪ β‬ﺗﻜﻮن ﻏﯿﺮ ﺧﻄﯿﺔ اﯾﻀﺎ ً وﺗﺴﺘﺨﺪم ھﺬه اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ ﻓﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻟﺘﻜﺒﯿﺮ اﻻﺷﺎرات‬
‫اﻟﺼﻐﯿﺮة‪.‬‬

‫‪ -4‬ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻻﺧﺮاج )‪(Output Resistance‬‬

‫ﺗﻜﻮن ھﺬه اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ اﻗﻞ ﻣﻤﺎ ھﻲ ﻋﻠﯿﮫ ﻓﻲ رﺑﻂ اﻟﻘﺎﻋﺪة اﻟﻤﺸﺘﺮﻛﺔ )‪ (CB‬ﻵن ﻣﯿﻞ اﻟﻤﻨﺤﻨﻲ ﻟﺨﻮاص اﻻﺧﺮاج ﯾﻜﻮن اﻛﺒﺮ‬
‫وﻗﯿﻤﺘﮭﺎ ﺑﺤﺪود ‪ 50 kΩ‬وﺗﻮﺻﻒ ﺑﺎﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫∆‬
‫=‬
‫∆‬ ‫(‬ ‫)‬

‫‪ -5‬اﻟﺘﺤﺼﯿﻞ ﻓﻲ اﻟﺘﯿﺎر )‪(βdc‬‬

‫وﯾﻤﻜﻦ اﯾﺠﺎدھﺎ وﺳﻂ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻔﻌﺎﻟﺔ ﻟﺨﻮاص اﻻﺧﺮاج وﺗﻮﺻﻒ ﺑﺎﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫=‬ ‫‪=ℎ‬‬

‫وﺗﺘﺮاوح ﻗﯿﻤﮭﺎ ﻣﻦ )‪ (20 - 500‬وﺗﺨﺘﻠﻒ ﻣﻦ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻵﺧﺮ ﺣﺴﺐ ﻧﻮﻋﯿﺘﮭﺎ واﺣﯿﺎﻧﺎ ﺗﺰﯾﺪ ﻋﻦ ھﺬا اﻟﻤﺪى ‪ .‬وﯾﻤﻜﻢ اﯾﺠﺎد‬
‫ﻗﯿﻤﺔ ‪ βac‬واﻟﺘﻲ ﺗﻤﺜﻞ اﻟﺘﺤﺼﯿﻞ ﻓﻲ اﻟﺘﯿﺎر ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﺗﺴﻠﯿﻂ اﺷﺎرة داﺧﻠﺔ ﻋﻠﻰ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﺗﻮﺻﻒ ﺑﺎﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬
 ‫∆‬
‫=‬ ‫‪=ℎ‬‬
‫∆‬

‫≅‬

‫ﺧﻂ اﻟﺤﻤﻞ اﻟﻤﺴﺘﻤﺮ وﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ) ‪(Load line & Operating Point‬‬

‫ﻟﻨﻌﺘﺒﺮ ان اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻄﺮﯾﻘﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك وﺗﻤﺘﻠﻚ ﺧﻮاص اﺧﺮاج ﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﺑﺠﻮار اﻟﺪاﺋﺮة اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ وﻛﻤﺎ‬
‫ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه‬

‫ﻋﻨﺪ ﺗﻄﺒﯿﻖ ﻗﺎﻧﻮن ﻛﯿﺮﺷﻮف ﻋﻠﻰ داﺋﺮة اﻻﺧﺮاج اﻟﻤﺒﯿﻨﺔ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ )‪ (A‬ﯾﻨﺘﺞ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬ ‫‪=0‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)∗( ‪… … … … .‬‬

‫‪=−‬‬ ‫‪+‬‬

‫‪−‬‬
‫=‬ ‫‪+‬‬

‫وھﻲ ﻣﻌﺎدﻟﺔ ﺧﻄﯿﺔ ﻣﺸﺎﺑﮭﺔ ﻟﻠﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫=‬ ‫‪+‬‬

‫اي ﯾﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ﻗﯿﻤﺔ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ اﻟﻤﺴﺘﻤﺮة ‪ RC‬وﻟﺬﻟﻚ ﺗﺴﻤﻰ ﺧﻂ اﻟﺤﻤﻞ‬ ‫‪=−‬‬ ‫وھﻲ ﺗﻤﺜﻞ ﻣﻌﺎدﻟﺔ ﺧﻂ ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ ﻣﯿﻠﮫ‬

‫اﻟﻤﺴﺘﻤﺮ واﻟﻤﻘﻄﻊ ﻋﻠﻰ ﻣﺤﻮر اﻟﺘﯿﺎر ﯾﺴﺎوي )‪ .(c‬وﻹﯾﺠﺎد اﻟﻤﻘﻄﻊ )‪ (c‬ﻧﻀﻊ ‪ VCE = 0‬ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )*( وﺑﺬﻟﻚ‬
‫وﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬ ‫=‬ ‫(‬ ‫ﯾﻜﻮن)‬

‫(‬ ‫=)‬ ‫=‬

 ‫وﺑﺬﻟﻚ ﻧﺤﺼﻞ ﻋﻠﻰ اﻟﻨﻘﻄﺔ ) )‪ A(0 , IC(Sat‬اﻟﻤﺒﯿﻨﺔ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ )‪ (B‬اﻋﻼه ‪ .‬وﻋﻨﺪﻣﺎ ﻧﻀﻊ ‪ IC = 0‬ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )*( ﻓﯿﻜﻮن‬

‫(‬ ‫=)‬

‫وﺗﻤﺜﻞ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﺘﻘﺎطﻊ ﻣﻊ اﻟﻤﺤﻮر اﻟﺴﯿﻨﻲ )‪ .B(VCC , 0‬ووﺑﺬﻟﻚ ﻧﺘﻤﻜﻦ ﻣﻦ رﺳﻢ ﺧﻂ ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ ﺑﯿﻦ اﻟﻨﻘﻄﺘﯿﻦ )‪ A‬و ‪( B‬‬
‫اﻟﻤﺒﯿﻨﺘﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ )‪ (B‬وھﻲ ﺗﻤﺜﻞ ﺧﻂ اﻟﺤﻤﻞ اﻟﻤﺴﺘﻤﺮ ‪ .‬اﻣﺎ اﺣﺪاﺛﯿﺎت ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﻓﯿﻤﻜﻦ ﺗﺤﺪﯾﺪھﺎ ﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫(‬ ‫)‬
‫=‬ ‫‪,‬‬ ‫=‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬

‫وﻛﻤﺎ ﻣﻮﺿﺢ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻠﯿﻦ ادﻧﺎه‬

‫وﻣﻦ اﻻﻓﻀﻞ اﺧﺘﯿﺎر ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﻓﻲ ﻣﻨﺘﺼﻒ ﺧﻂ اﻟﺤﻤﻞ ﻣﻦ اﺟﻞ ان ﯾﻌﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﻲ ﻣﻨﺘﺼﻒ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻔﻌﺎﻟﺔ ﻋﻨﺪ‬
‫اﺳﺘﺨﺪاﻣﮫ ﻛﻤﻜﺒﺮ ﺣﯿﺚ ﯾﻜﻮن اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ ﻓﻲ اﻟﺘﯿﺎر ﻋﺎﻟﻲ وﺣﺘﻰ ﻋﻨﺪ ﺗﺬﺑﺬب اﺷﺎرة اﻻدﺧﺎل ﺗﺒﻘﻰ اﺷﺎرة اﻻﺧﺮاج ﺑﺪون ﺗﺸﻮﯾﮫ‪.‬‬

‫اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ ﻓﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر‬

‫ﻣﻦ ﺗﻄﺒﯿﻘﺎت اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﯿﺔ ھﻮ اﺳﺘﺨﺪاﻣﮫ ﻓﻲ دواﺋﺮ ﺗﻜﺒﯿﺮ اﻻﺷﺎرة ‪ ،‬وﻻﺟﻞ اﻟﺤﺼﻮل ﻋﻠﻰ ﺗﻜﺒﯿﺮ‬
‫ﻣﺜﺎﻟﻲ اي ان ﺗﻜﻮن اﻻﺷﺎرة اﻟﺨﺎرﺟﺔ ﻣﻜﺒﺮة وﻣﻄﺎﺑﻘﺔ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ﻟﻼﺷﺎرة اﻟﺠﯿﺒﯿﺔ اﻟﺪاﺧﻠﺔ وﺑﺪون ﺗﺸﻮﯾﮫ ﯾﺠﺐ ان ﺗﺘﻮﻓﺮ ﺷﺮوط‬
‫ﻣﺤﺪدة واھﻤﮭﺎ ‪:‬‬

‫‪ -1‬ﯾﺠﺐ ﺗﻮﻓﺮ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻧﺤﯿﺎز ﻣﻨﺎﺳﺒﺔ ﻟﻮﺻﻠﺔ )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ‪ :‬اي ان ﺗﺴﺎوي او ﺗﻜﻮن اﻛﺒﺮ ﻣﻦ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﺤﺎﺟﺰ‬
‫وﺧﻼل ﺟﻤﯿﻊ اوﺿﺎع اﻻﺷﺎرة اﻟﺪاﺧﻠﺔ‪.‬‬
‫‪ -2‬ﺗﻮﻓﯿﺮ ﺗﯿﺎر ﺟﺎﻣﻊ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﺑﺪون وﺟﻮد اﺷﺎرة داﺧﻠﺔ ﻣﻄﺒﻘﺔ )‪ :(Zero signal Collector Current‬ﺣﯿﺚ‬
‫ﯾﺠﺐ ان ﺗﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ اﻛﺒﺮ او ﯾﺴﺎوي ﺗﯿﺎر اﻻﺷﺎرة اﻟﺪاﺧﻠﺔ وﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه‬
 ‫( وﺗﻤﺜﻞ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ اﻟﻤﺴﺘﻤﺮ ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻻﺷﺎرة اﻟﻤﺘﻨﺎوﺑﺔ ﺻﻔﺮاً )أي ﻋﺪم وﺟﻮد اﺷﺎرة‬ ‫=‬ ‫(‬ ‫))‬ ‫ﺣﯿﺚ ان‬
‫ذروة ﻗﯿﻤﺔ ﺗﯿﺎر اﻻﺷﺎرة اﻟﻤﺘﻨﺎوﺑﺔ اﻟﺪاﺧﻠﺔ وﻛﻤﺎ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ اﻋﻼه‪.‬‬ ‫(‬ ‫)‬ ‫ﻣﻄﺒﻘﺔ ﻋﻠﻰ ادﺧﺎل اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر( ‪ .‬ﺣﯿﺚ ﺗﻤﺜﻞ‬

‫ﻣﻦ ﻣﻼﺣﻈﺔ اﻟﺸﻜﻞ اﻋﻼه ﻧﻼﺣﻆ ان ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﻋﺪم ﺗﺴﻠﯿﻂ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ داﺧﻠﺔ )ﻋﺪم وﺟﻮد اﺷﺎرة داﺧﻠﺔ( ﯾﻤﺮ ﺗﯿﺎر ﻣﺴﺘﻤﺮ ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻣﻊ‬
‫ﻧﺘﯿﺠﺔ ﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ اﻻﻧﺤﯿﺎز ‪ VBB‬وھﻮ ﺗﯿﺎر ﻣﺴﺘﻤﺮ‪ .‬ھﻨﺎ ﯾﻤﻜﻦ ﺗﻤﯿﯿﺰ ﺣﺎﻟﺘﯿﻦ‬

‫ﻧﻔﺮض ان اﻟﺤﺎﻟﺔ اﻻوﻟﻰ ﯾﻜﻮن ﻓﯿﮭﺎ ﻛﻞ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ وﺗﯿﺎر اﻻﺷﺎرة اﻟﺪاﺧﻠﺔ ﻣﺘﺴﺎوﯾﺔ‬ ‫‪‬‬
‫( ‪ ،‬ﻓﻌﻨﺪ ﺗﺴﻠﯿﻂ اﻻﺷﺎرة اﻟﻤﺘﻨﺎوﺑﺔ ﻓﻲ اﻻدﺧﺎل وﻋﻨﺪ ﻣﺮور اﻟﺠﺰء اﻟﻤﻮﺟﺐ‬ ‫‪=1‬‬ ‫‪,‬‬ ‫(‬ ‫)‬ ‫‪=1‬‬ ‫)‬
‫ﻟﻼﺷﺎرة ﻓﻲ داﺋﺮة اﻻدﺧﺎل ﯾﺰداد اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻻﻣﺎﻣﻲ ﻣﻤﺎ ﯾﺴﺒﺐ زﯾﺎدة ﻓﻲ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ وﯾﺤﺼﻞ اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ ﺑﺪون ﺗﺸﻮﯾﮫ‪.‬‬
‫أﻣﺎ ﻋﻨﺪ دﺧﻠﻮ اﻟﺠﺰء اﻟﺴﺎﻟﺐ ﻣﻦ اﻻﺷﺎرة اﻟﺪاﺧﻠﺔ ﺗﻘﻞ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻻﻣﺎﻣﯿﺔ اﻟﻤﺴﻠﻄﺔ ﻋﻠﻰ وﺻﻠﺔ )اﻟﺒﺎﻋﺚ –‬
‫( ﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ‬ ‫=‬ ‫(‬ ‫))‬ ‫ﻗﺎﻋﺪة ( ﻣﻤﺎ ﯾﺆدي اﻟﻰ ﺗﻘﻠﯿﻞ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ وﯾﺤﺪث ﺗﻜﺒﯿﺮ ﻓﻲ اﻻﺷﺎرة اﻟﺨﺎرﺟﺔ ﻷن‬
‫اﻟﺸﻜﻞ ) (اﻋﻼه ‪.‬‬
‫( ﻓﻌﻨﺪ ﺗﺴﻠﯿﻂ ﻧﻔﺲ ﻗﯿﻤﺔ اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ ﻟﻼﺷﺎرة‬ ‫‪= 0.5‬‬ ‫‪,‬‬ ‫(‬ ‫)‬ ‫‪=1‬‬ ‫ﻓﻲ اﻟﺤﺎﻟﺔ اﻟﺜﺎﻧﯿﺔ ﻧﻔﺮض ان )‬ ‫‪‬‬
‫‪ (1‬ﻓﺈن ﺟﺰء ﻣﻦ اﻟﻤﻮﺟﺔ اﻟﺨﺎرﺟﺔ ﺳﺘﻈﮭﺮ ﻣﺸﻮھﺔ او ﻣﻘﻄﻮﻋﺔ ﻓﻲ اﻻﺧﺮاج وﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ ) (‬ ‫اﻟﺪاﺧﻠﺔ )‬
‫(‪.‬‬ ‫=‬ ‫(‬ ‫))‬ ‫اﻋﻼه‪ .‬ﻟﺬﻟﻚ ﻣﻦ ﺷﺮوط اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ اﻟﻤﺜﺎﻟﻲ ان ﯾﻜﻮن‬
‫‪ -3‬ﺗﻮﻓﯿﺮ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻧﺤﯿﺎز )‪ (VBE‬ﻣﻨﺎﺳﺒﺔ ‪ :‬ﻟﻠﺤﺼﻮل ﻋﻠﻰ ﺗﻜﺒﯿﺮ ﻣﺜﺎﻟﻲ ﯾﺠﺐ ﺗﻮﻓﺮ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ )ﺑﺎﻋﺚ – ﻗﺎﻋﺪة( اي ان‬
‫ﺗﻜﻮن )‪ (VBE‬اﻛﺒﺮ ﻣﻦ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﺤﺎﺟﺰ ‪ .‬ﺑﻤﺠﺮد ﺗﺠﺎوز اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﻤﺴﻠﻄﺔ ﻋﻠﻰ )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﻟﻠﺠﮭﺪ اﻟﺤﺎﺟﺰ‬
‫ﯾﺰداد ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﺑﺼﻮرة ﻛﺒﯿﺮة ‪ .‬وﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن اي ﻧﻘﺼﺎن ﻓﻲ اﻟﺠﮭﺪ اﻟﻤﺴﻠﻂ ﻋﻠﻰ وﺻﻠﺔ )اﻟﺒﺎﻋﺚ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﺧﻼل‬
‫اي ﺟﺰء ﻣﻦ اﻻﺷﺎرة اﻟﺪاﺧﻠﺔ ﺳﻮف ﺗﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ ﺗﻘﻠﯿﻞ اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ ﻓﻲ ذﻟﻚ اﻟﺠﺰء ﻣﻤﺎ ﯾﺆدي اﻟﻰ ﺗﻜﺒﯿﺮ ﻏﯿﺮ ﻣﺜﺎﻟﻲ‪.‬‬
‫‪ -4‬ﺗﻮﻓﯿﺮ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ ﻣﻨﺎﺳﺒﺔ ﺑﯿﻦ )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬اﻟﻘﺎﻋﺪة( اي ﺗﻮﻓﯿﺮ )‪ (VCE‬ﻣﻨﺎﺳﺒﺔ ‪ :‬ﻓﻔﻲ ھﺬه اﻟﺤﺎﻟﺔ وﻻﺟﻞ اﻟﺤﺼﻮل ﻋﻠﻰ‬
‫ﺗﻜﺒﯿﺮ ﻣﺜﺎﻟﻲ ﯾﺠﺐ ان ﻻﯾﻜﻮن اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ ﺑﯿﻦ اﻟﺠﺎﻣﻊ واﻟﺒﺎﻋﺚ )‪ (VCE‬اﻗﻞ )‪ (0.5 Volt‬ﻟﻠﺠﺮﻣﺎﻧﯿﻮم و ) ‪(1 Volt‬‬
‫ﻓﻲ ﺗﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات ﻟﻠﺴﻠﯿﻜﻮن وﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه‪.‬‬
‫ﻋﻨﺪﻣﺎ ﺗﻜﻮن )‪ (VCE‬اﻗﻞ ﻣﻦ اﻟﻘﯿﻢ اﻟﻤﺒﯿﻨﺔ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ اﻋﻼه ﻋﻨﺪھﺎ ﻻ ﺗﻜﻮن وﺻﻠﺔ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻣﺤﯿﺰة ﺑﺸﻜﻞ ﻣﻨﺎﺳﺐ وﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن‬
‫اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻻ ﯾﻤﻜﻨﮫ ﺟﺬب اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت اﻟﻤﺤﻘﻮﻧﺔ ﻣﻦ اﻟﺒﺎﻋﺚ وﺑﺬﻟﻚ ﯾﻜﻮن اﻟﺠﺰء اﻻﻋﻈﻢ ﻣﻦ اﻻﻟﻜﺘﺮوﻧﺎت ﺗﺬھﺐ اﻟﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة‪.‬‬
‫وھﺬا ﺑﺪوره ﯾﻘﻠﻞ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ وﯾﺰﯾﺪ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻣﻤﺎ ﯾﺴﺒﺐ ﻓﻲ ﻧﻘﺼﺎن ﻓﻲ ﺗﻜﺒﯿﺮ اﻟﺘﯿﺎر ‪ . β‬وﻟﺬل ﻓﺈن ﻧﻘﺼﺎن ‪VCE‬‬
‫ﺧﻼل اي ﺟﺰء ﻣﻦ اﻻﺷﺎرة اﻟﺪاﺧﻠﺔ ﻓﺈن ذﻟﻚ اﻟﺠﺰء ﻣﻦ اﻻﺷﺎرة ﺳﻮف ﺗﻜﺒﺮ ﺑﺼﻮرة اﻗﻞ ﻧﺘﯿﺠﺔ ﻟـ ﻧﻘﺼﺎن ‪ β‬واﻟﻌﻜﺲ ﺻﺤﯿﺢ‪.‬‬

‫‪ -5‬ﺗﺄﺛﯿﺮ ﻣﻮﻗﻊ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ‪ :‬ان ﻟﻤﻮﻗﻊ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﺗﺄﺛﯿﺮ ﻛﺒﯿﺮ ﻋﻠﻰ اﻻﺷﺎرة اﻟﺨﺎرﺟﺔ وﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ اﻟﺘﺎﻟﻲ‬
 ‫اﻟﻌﻮاﻣﻞ اﻟﻤﺆﺛﺮة ﻋﻠﻰ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻋﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﺗﺄﺛﯿﺮ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة‬

‫ھﻨﺎك اﻟﻌﺪﯾﺪ ﻣﻦ اﻟﻌﻮاﻣﻞ اﻟﺘﻲ ﺗﺆﺛﺮ ﻋﻠﻰ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻋﻤﻞ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر اﻟﺘﻲ ﯾﻤﻜﻦ ﺗﻔﺼﯿﻠﮭﺎ ﺑﺎﻟﺸﻜﻞ اﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫‪ -1‬اﻟﻘﺪرة اﻟﻤﺒﺪدة ﻓﻲ اﻟﺠﺎﻣﻊ‬

‫ﺗﻌﻄﻰ ﻓﻲ اﺳﺘﻤﺎرة اﻟﻤﻌﻠﻮﻣﺎت اﻟﺨﺎﺻﺔ ﺑﺎﻟﺸﺮﻛﺔ اﻟﻤﺼﻨﻌﺔ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻣﺠﻤﻮﻋﺔ ﻋﻮاﻣﻞ وﻣﻦ ﺿﻤﻨﮭﺎ )‪ PD(Max‬اي اﻟﻘﺪرة‬
‫اﻟﺘﻲ ﯾﺴﺘﻄﯿﻊ ﺗﺒﺪﯾﺪھﺎ اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻋﻨﺪ وﺻﻠﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( واﻟﺘﻲ ﯾﻤﻜﻦ ان ﯾﻮﺻﻒ ﺑﺎﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫=‬

‫ان زﯾﺎدة ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﺗﺆدي اﻟﻰ زﯾﺎدة اﻟﻘﺪرة اﻟﻤﺒﺪدة واﻟﺘﻲ ﺑﺪورھﺎ ﺗﺮﻓﻊ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﻟﻮﺻﻠﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬
‫زﯾﺎدة ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ وإن ھﺬه اﻟﺰﯾﺎدة ﻓﻲ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﺗﺴﺒﺐ ﺗﻠﻒ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ‪ ،‬وﻟﺬﻟﻚ ﯾﺠﺐ اﻻﻧﺘﺒﺎه اﻟﻰ ﻗﯿﻤﺔ )‪PD(Max‬‬
‫ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﯾﻜﻮن اﻟﻤﻨﺤﻨﻲ اﻟﺨﺎص ﺑﮭﺎ ﻣﻮﺻﻮف ﺑﺸﻜﻞ ﻗﻄﻊ ﻣﻜﺎﻓﻰء)اﻟﻘﻄﻊ اﻟﻤﺎر ﺑﺎﻟﻨﻘﻄﺘﯿﻦ ‪ B‬و ‪ (C‬ﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ‬
‫اﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫‪ : Βdc -2‬ﺗﻌﺘﻤﺪ اﯾﻀﺎ ﻋﻠﻰ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﺣﯿﺚ ان ﺗﻐﯿﺮ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﺗﺆدي اﻟﻰ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ IC‬وﺑﻤﺎ ان‬
‫ﻓﺈن ﺗﻐﯿﯿﺮ ‪ IC‬ﯾﻐﯿﺮ ﻣﻦ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ‪.‬‬ ‫=‬
‫‪ -3‬طﺮق اﻧﺤﯿﺎز ﻣﻨﺎﺳﺒﺔ ‪ :‬ﻟﺘﺠﻨﺐ ﻋﺪم اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻟﺤﺮارﯾﺔ ﯾﺠﺐ ان ﺗﺼﻤﻢ دواﺋﺮ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻓﺼﻞ درﺟﺔ ﻣﻦ‬
‫اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻟﺤﺮارﯾﺔ وﺳﻮف ﻧﺘﻨﺎول ھﺬا اﻟﻤﻮﺿﻮع ﻻﺣﻘﺎ ﻓﻲ اﻟﻘﺴﻢ اﻟﻤﺨﺼﺺ ﻟﺪواﺋﺮ اﻻﻧﺤﯿﺎز‪.‬‬
‫‪ -4‬اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻗﺎﻋﺪة )‪ : (VBE‬ﺣﯿﺚ ان ھﺬه اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ ﺗﺘﻐﯿﺮ ﺑﺘﻐﯿﯿﺮ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة وﺑﻤﻌﺪل‬
‫)‪ . (2.5mV/Co‬ھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﻨﻮه اﻟﻰ ان ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ IB‬ﺗﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ‪ VBE‬وﺑﻤﺎ ان ‪ IC‬ﯾﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ﻗﯿﻤﺔ ‪IB‬‬
‫وﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ IC‬ﯾﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ‪ VBE‬ﻓﻌﻨﺪﻣﺎ ﯾﺤﺼﻞ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻓﻲ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﺗﺘﻐﯿﺮ ﻣﻮﻗﻊ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ‪.‬‬

‫إن ﻣﺮور اﻟﺘﯿﺎر ﻓﻲ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﯾﺴﺒﺐ ارﺗﻔﺎع درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﻣﻤﺎ ﯾﺆدي اﻟﻰ ﺗﻮﻟﯿﺪ اﻟﻤﺰﯾﺪ ﻣﻦ اﻟﺤﺎﻣﻼت اﻷﻗﻠﯿﺔ ﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن‬
‫اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻌﻜﺴﻲ ‪ ICEO‬ﻓﻲ وﺻﻠﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ -‬ﻗﺎﻋﺪة( ﯾﺰداد وﺣﺴﺐ اﻟﻌﻼﻗﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬
 ‫)‪= ( + 1‬‬

‫وان ھﺬا اﻟﺘﯿﺎر ﯾﺘﻀﺎﻋﻒ ﻟﻜﻞ ‪ 10 Co‬وﻛﻤﺎ ﺑﯿﻨﺎ ﻓﻲ اﻟﻔﺼﻮل اﻟﺴﺎﯾﻘﺔ ﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻌﻜﺴﻲ ‪ ICEO‬ﺳﻮف ﯾﺰداد اﯾﻀﺎً وھﺬا‬
‫ﺑﺪوره ﯾﺰﯾﺪ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ وﺣﺴﺐ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫=‬ ‫‪+‬‬

‫إن ھﺬه اﻟﺰﯾﺎدة ﻓﻲ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﯾﻌﻤﻞ ﻋﻠﻰ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﺑﺄﺗﺠﺎه ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻻﺷﺒﺎع وﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺮﺳﻢ ادﻧﺎه‬

‫طﺮق اﻧﺤﯿﺎز اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك )‪(Common Emitter Biasing Methods‬‬

‫ﺗﻢ ﻓﻲ اﻟﻔﻘﺮات اﻟﺴﺎﺑﻘﺔ اﻻﺷﺎرة اﻟﻰ اھﻢ اﻟﻌﻮاﻣﻞ اﻟﺘﻲ ﺗﺆﺛﺮ ﻋﻠﻰ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر وﺗﻢ ذﻛﺮ اھﻢ اﻻﻣﻮر اﻟﺘﻲ ﯾﺠﺐ‬
‫اﻷﺧﺬ ﺑﮭﺎ ﻟﻠﺨﻔﺎظ ﻋﻠﻰ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ وﻣﻦ اھﻢ ھﺬه اﻻﻣﻮر ھﻲ ﺗﻮﻓﯿﺮ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻤﻨﺎﺳﺐ ﻟﻠﺪاﺋﺮة‪ .‬وﻟﺘﺠﻨﺐ ﻋﺪم‬
‫اﻻﺳﺘﻘﺮار اﻟﺤﺮاري ﻟﻠﺪاﺋﺮ ‪ ،‬ﯾﺠﺐ ﺗﺼﻤﯿﻢ دواﺋﺮ اﻧﺤﯿﺎز ﺗﻮﻓﺮ اﻓﻀﻞ درﺟﺔ اﺳﺘﻘﺮار ﺣﺮاري‪ .‬اي ﯾﺠﺐ ان ﯾﻜﻮن اﻟﺘﻐﯿﯿﺮ ﻓﻲ‬
‫ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ طﻔﯿﻔﺎ ً ﻣﮭﻤﺎ ﺗﻐﯿﺮ درﺟﺔ اﻟﺤﺮاة اي ان ﯾﻜﻮن اﻟﺘﻐﯿﯿﺮ ﻓﻲ ﻛﻞ ﻣﻦ )‪ (VCEQ , ICQ , IBQ‬أﻗﻞ ﻣﺎ ﯾﻤﻜﻦ ﺑﺤﯿﺚ ﺗﺒﻘﻰ‬
‫ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﻓﻲ وﺳﻂ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻔﻌﺎﻟﺔ‪ .‬إن دواﺋﺮ اﻻﻧﺤﯿﺎز ﺗﻌﻤﻞ اﯾﻀﺎ ﻋﻠﻰ اﻻﺑﻘﺎء ﻋﻠﻰ ﻓﻮﻟﺘﯿﺔ اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻻﻣﺎﻣﻲ ﻟـ )اﻟﺒﺎﻋﺚ –‬
‫ﻗﺎﻋﺪة ( ﻓﻲ ﺣﺪود )‪ (0.6 – 0.7 V‬واﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻌﻜﺴﻲ ﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﺑﺎﻋﺚ ( اي ان ﻻ ﺗﺼﻞ )‪ (VCE‬اﻟﻰ ﻣﻨﻄﻘﺔ‬
‫اﻟﻘﻄﻊ ‪ .‬ﺑﺎﻻﺿﺎﻓﺔ اﻟﻰ ذﻟﻚ‪ ،‬ﯾﺠﺐ ان ﯾﻜﻮن ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻣﻨﺎﺳﺐ وﻻ ﯾﺼﻞ اﻟﻰ ﻣﻨﻄﻘﺔ اﻟﺘﺸﺒﻊ وان ﺗﻜﻮن اﻻﺷﺎرة اﻟﺪاﺧﻠﺔ‬
‫ﺻﻐﯿﺮة ﻟﻜﻲ ﯾﻮﻓﺮ ﺗﯿﺎر ﻗﺎﻋﺪة ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻟﻠﻌﻤﻞ‪ .‬ھﻨﺎك ﻋﺪة طﺮق ﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﺒﺎﻋﺚ اﻟﻤﺸﺘﺮك ﻣﻦ اھﻤﮭﺎ ‪:‬‬

‫‪ -1‬اﻧﺤﯿﺎز اﻟﺒﺎﻋﺚ ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام ﻣﺼﺪرﯾﻦ‬

‫ﻓﻲ ھﺬا اﻻﻧﺤﯿﺎز ﯾﻜﻮن وﺻﻠﺔ )اﻟﺒﺎﻋﺚ – ﻗﺎﻋﺪة ( ﻣﻨﺤﺎزاً اﻣﺎﻣﯿﺎ ً ﺑﻮاﺳﻄﺔ اﻟﻤﺼﺪر ‪ VBB‬وﯾﻜﻮن وﺻﻠﺔ )اﻟﺠﺎﻣﻊ – ﻗﺎﻋﺪة(‬
‫ﻣﻨﺤﺎزاً ﻋﻜﺴﯿﺎ ً ﻋﻦ طﺮﯾﻖ اﻟﻤﺼﺪر ‪ VCC‬وﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه ‪:‬‬
 ‫ﺑﺘﻄﺒﯿﻖ ﻗﻮاﻧﯿﻦ ﻛﯿﺮﺷﻮف ﻋﻠﻰ داﺋﺮﺗﻲ اﻻدﺧﺎل واﻹﺧﺮاج ﻧﺤﺼﻞ ﻋﻠﻰ‬

‫=‬ ‫‪+‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ :‬ﺟﺪ ﻗﯿﻢ ﺗﯿﺎرات اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﻓﻲ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﻤﺒﯿﻨﺔ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ اذا ﻛﺎﻧﺖ ‪ ، β = 100‬اھﻤﻞ ﻗﯿﻤﺔ ‪ICEO‬‬

‫‪−‬‬ ‫‪5 − 0.7‬‬

‫=‬ ‫=‬ ‫‪= 43‬‬
‫‪100 × 10‬‬

‫ﻋﻠﻰ اﻋﺘﺒﺎر ان اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﯾﻌﻤﻞ ﻓﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻔﻌﺎﻟﺔ ﻓﻨﺤﺼﻞ‬

‫ﻋﻠﻰ ‪:‬‬

‫=‬ ‫‪= 100 × 43 × 10‬‬ ‫‪= 4.3‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫→‬ ‫=‬ ‫‪−‬‬

‫‪= 10 − 4.3 × 10‬‬ ‫‪× 2 × 10 = 1.4‬‬

‫ﻣﻦ ﻣﻼﺣﻈﺔ ﻗﯿﻤﺔ ‪ VCE‬ﻧﺠﺪ ان ﻗﯿﻤﺘﮭﺎ ﺻﻐﯿﺮة ﻓﻨﺴﺘﻨﺘﺞ ان‬

‫اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﯾﻌﻤﻞ ﻓﻲ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻔﻌﺎﻟﺔ‬

 ‫ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ) ‪(Stability factor‬‬

‫ھﻨﺎك دواﺋﺮ اﻧﺤﯿﺎز وﺗﻘﻨﯿﺎت ﻣﺨﺘﻠﻔﺔ ﺑﺎﺳﺘﺨﺪام اﻟﺜﻨﺎﺋﯿﺎت ‪ ،‬اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮرات واﻟﺜﺎﯾﺮوﺳﺘﺮ ﻟﻠﻤﺤﺎﻓﻈﺔ ﻋﻠﻰ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ‬
‫وﺛﺒﻮﺗﮭﺎ ﺿﻤﻦ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻔﻌﺎﻟﺔ‪ .‬ﺣﯿﺚ ان ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﺗﻤﻜﻨﻨﺎ ﻣﻦ ﺗﺼﻤﯿﻢ داﺋﺮة اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﻤﻨﺎﺳﺒﺔ ﻣﻦ ﺧﻼل اﻟﻤﻘﺎرﻧﺔ‬
‫ﺑﯿﻨﮭﻢ ﻣﻦ ﺣﯿﺚ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ‪ .‬ھﻨﺎك ﻋﺪة اﻧﻮاع ﻣﻦ ﻋﻮاﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻣﻨﮭﺎ ﻣﺎﯾﺴﻤﻰ )‪ (S‬واﻟﺬي ﯾﻌﺒﺮ ﻋﻦ ﻣﺪى ﺗﻐﯿﺮ ﺗﯿﺎر‬
‫اﻟﺠﺎﻣﻊ ‪ IC‬ﺑﺴﺒﺐ اﻟﺘﻐﯿﺮ ﻓﻲ ﻗﯿﻢ ﻛﻞ ﻣﻦ )‪ (VBE , ICEO , β‬ﻧﺘﯿﺠﺔ ﻟﺘﻐﯿﺮ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ‪ .‬ﻛﻠﻤﺎ ﻗﻠﺖ ﻗﯿﻤﺔ ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ‬
‫)ﻗﺮﯾﺒﺔ ﻣﻦ اﻟﻮاﺣﺪ( ﻛﻠﻤﺎ ازدادت اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻟﺤﺮارﯾﺔ ﻟﻠﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ‪.‬‬

‫ان ﻋﺪم اﻻﺳﺘﻘﺮار اﻟﻨﺎﺗﺞ ﻋﻦ اﻟﺘﻐﯿﺮ ﻓﻲ اﻟﺘﯿﺎر اﻟﻌﻜﺴﻲ ‪ ICEO‬و ‪ VBE‬وﻛﺬﻟﻚ ‪ β‬ﻣﻊ اﻟﺘﻐﯿﺮ ﻓﻲ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﯾﻤﻜﻦ ان ﯾﻘﺴﻢ‬
‫اﻟﻰ ﺛﻼﺛﺔ ﺻﯿﻎ رﯾﺎﺿﯿﺔ‬

‫‪ ‬ﻋﺎﻣﻞ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ )‪(IC‬‬

‫=‬
‫‪,‬‬ ‫‪,‬‬

‫وﻻﺷﺘﻘﺎق ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻋﻼه ﻧﺴﺘﻌﯿﻦ ﺑﻤﻌﺎدﻟﺔ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ اﻟﻤﺬﻛﻮرة ﺳﺎﺑﻘﺎ ً‬

‫=‬ ‫)‪+ ( + 1‬‬

‫=‬ ‫)‪+ ( + 1‬‬

‫=‪1‬‬ ‫)‪+ ( + 1‬‬

‫‪1−‬‬ ‫)‪= ( + 1‬‬

‫‪1−‬‬
‫=‬
‫)‪( + 1‬‬

‫)‪( + 1‬‬
‫∴‬ ‫=‬ ‫=‬
‫‪1−‬‬

‫ﻓﯿﺘﺤﻮل اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻋﻼه اﻟﻰ اﻟﺼﯿﻐﺔ‬ ‫وﻋﻠﻰ اﻋﺘﺒﺎر ان ‪ IB‬ﻻ ﯾﻌﺘﻤﺪ ﻋﻠﻰ ‪ IC‬وﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن ‪= 0‬‬ ‫=‬ ‫ﺑﻤﺎ ان‬

‫اﻟﻤﺒﺴﻄﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫=‬ ‫=‬ ‫‪+1‬‬

‫ﻛﺒﯿﺮة ‪ ،‬وﻧﺘﯿﺠﺔ‬ ‫ﻧﺠﺪ اﻧﮭﺎ ﻛﺒﯿﺮة ﻟﮭﺬا اﻟﻨﻮع ﻣﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز )اﻧﺤﯿﺎز ﻣﺼﺪرﯾﻦ( وذﻟﻚ ﻷن‬ ‫ﻣﻦ ﻣﻼﺣﻈﺔ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﻨﮭﺎﺋﯿﺔ ﻟـ‬
‫ﻟﻌﺪم ﺗﻮﻓﺮ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﺟﯿﺪة ﯾﻤﻜﻦ ان ﯾﺤﺚ اﻟﮭﺮوب اﻟﺤﺮاري ‪ .‬ﻛﻨﺘﯿﺠﺔ ﻟﻠﺴﻠﺒﯿﺎت اﻟﻤﻮﺟﻮدة ﻓﻲ ھﺬا اﻟﻨﻮع ﻣﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز ﻓﺈﻧﮭﺎ‬
‫ﻻﺗﺴﺘﺨﺪم ﻓﻲ اﻟﺘﻄﺒﯿﻘﺎت اﻟﻌﻤﻠﯿﺔ‬

‫(‬ ‫‪ ‬ﻋﺎﻣﻞ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ )‪ (VBE‬او )‬

‫=‬
‫‪,‬‬

‫"‬
‫(‬ ‫‪ ‬ﻋﺎﻣﻞ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ) ( أو )‬

‫"‬
‫=‬
‫‪,‬‬

‫‪ -2‬اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﺜﺎﺑﺖ ﻟﻠﻘﺎﻋﺪة‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)ﻣﻌﺎدﻟﺔ اﻷﺧﺮاج(‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)ﻣﻌﺎدﻟﺔ اﻻدﺧﺎل(‬

‫‪−‬‬
‫=‬ ‫)∗( … … … … …‬

‫≅‬ ‫→‬ ‫‪(V‬‬ ‫≫‬ ‫)‬ ‫ﻷن‬

‫ھﻨﺎ ﯾﺠﺐ ان ﻧﻨﻮه اﻟﻰ ان ﻓﻲ ﺣﺎﻟﺔ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻗﯿﻤﺔ ‪ IB‬ﻓﺈن ﻛﻞ ﻣﻦ ‪ VCC‬و ‪ VBE‬ﻻ ﺗﺘﻐﯿﺮ ﻟﺬﻟﻚ ﯾﻜﻮن اﻟﺘﻐﯿﺮ ﻓﻲ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻣﻊ‬

‫( وﺑﺘﻌﻮﯾﺾ ھﺬه اﻟﻜﻤﯿﺔ ﻓﻲ ﻣﻌﺎدﻟﺔ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﯾﻨﺘﺞ‬ ‫اﻟﺘﻐﯿﺮ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻣﺴﺎوي ﻟﻠﺼﻔﺮ أي ان )‪= 0‬‬

‫‪1+‬‬ ‫‪1+‬‬
‫=‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪+1‬‬
‫‪1−0‬‬
‫‪1−‬‬

‫ﻹﯾﺠﺎد ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ) ( ﻟﮭﺬا اﻟﻨﻮع ﻣﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز ﻧﺘﺒﻊ اﻟﺨﻄﻮات اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫=‬
‫‪,‬‬
 ‫=‬ ‫)‪+ ( + 1‬‬

‫ﺑﺎﻟﺘﻌﻮﯾﺾ ﻋﻦ ﻗﯿﻤﺔ ‪ IB‬اﻟﻤﺒﯿﻨﺔ ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )∗( ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻋﻼه ﯾﻨﺘﺞ‬

‫‪−‬‬
‫=‬ ‫)‪+ ( + 1‬‬

‫=‬ ‫‪−‬‬ ‫)‪+ ( + 1‬‬ ‫)∗∗( ‪… … … … … .‬‬

‫‪−‬‬
‫‪= 0−‬‬ ‫=‪+0‬‬

‫‪−‬‬
‫∴‬ ‫=‬

‫ﻛﺒﯿﺮة ﺟﺪاً ‪.‬‬ ‫ﻣﻦ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻋﻼه ﻧﻼﺣﻆ ان زﯾﺎدة اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﯾﺘﻄﻠﺐ ان ﯾﻜﻮن‬

‫ﻣﻦ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ )∗∗( وﻧﺸﺘﻘﮫ ﺑﺎﻟﻨﺴﺒﺔ ﻟـ ‪ β‬ﻓﯿﻨﺘﺞ‬ ‫ﻧﺎﺧﺬ ﻗﯿﻤﺔ‬ ‫=‬ ‫ﻻﯾﺠﺎد ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ‬
‫‪,‬‬

‫=‬ ‫‪−‬‬ ‫‪+‬‬ ‫=‬ ‫‪+‬‬

‫ﻓﺈن‬ ‫≫‬ ‫وﺑﻤﺎ ان‬

‫=‬ ‫=‬

‫ﻣﻦ ﻣﺤﺎﺳﻦ داﺋﺮة اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﺜﺎﺑﺖ ﻟﻠﻘﺎﻋﺪة ﻣﺎ ﯾﺄﺗﻲ ‪:‬‬

‫‪ -1‬ﺑﺴﯿﻄﺔ اﻟﺘﺮﻛﯿﺐ ﻟﻘﻠﺔ اﻟﻌﻨﺎﺻﺮ اﻟﻤﺴﺘﺨﺪﻣﺔ اي ﯾﺤﺘﺎج ﻓﻘﻂ ‪ RB‬ﻛﺸﺮط ﻟﻼﻧﺤﯿﺎز‬

‫‪ -2‬ﯾﻤﻜﻦ ﺗﺜﺒﯿﺖ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﻓﻲ اي ﻧﻘﻄﺔ ﻣﻦ اﻟﻤﻨﻄﻘﺔ اﻟﻔﻌﺎﻟﺔ ﻋﻦ طﺮﯾﻖ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ ‪ RB‬ﺣﯿﺚ اﻧﮭﺎ ﻛﻠﻤﺎ ﻛﺎﻧﺖ اﻛﺒﺮ‬
‫ازدادت اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻟﺪاﺋﺮة‬

‫ﻣﻦ ﻣﺴﺎوئ داﺋﺮة اﻻﻧﺤﯿﺎز اﻟﺜﺎﺑﺖ ﻟﻠﻘﺎﻋﺪة ﻣﺎﯾﺄﺗﻲ ‪:‬‬

‫ﻟﺬﻟﻚ ﻓﺈن ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻛﺒﯿﺮ اي ان ھﻨﺎك ﻓﺮﺻﺔ ﻟﻠﮭﺮوب اﻟﺤﺮاري‬ ‫=‬ ‫‪ -1‬ﺑﻤﺎ ان ‪+ 1‬‬
‫ﺗﺘﻐﯿﺮ اﯾﻀﺎ ً )ﻟﻨﻔﺲ اﻟﻨﻮع واﻟﺮﻗﻢ( وﺑﺬﻟﻚ ﻓﺈن ﺗﯿﺎر‬ ‫ﻓﻌﻨﺪ اﺳﺘﺒﺪال اﻟﺘﺮاﻧﺰﺳﺘﻮر ﺑﺎﺧﺮ ﻓﺈن‬ ‫=‬ ‫‪ -2‬ﺑﻤﺎ ان‬
‫ﯾﺘﻐﯿﺮ ﻣﻤﺎ ﯾﺆدي اﻟﻰ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ‬ ‫اﻟﺠﺎﻣﻊ‬
‫ﯾﺰداد اﯾﻀﺎ ً ‪ ،‬وﻓﻲ ھﺬه اﻟﺪاﺋﺮة ﻟﻢ ﯾﺆﺧﺬ ھﺬه اﻟﺰﯾﺎدة ﺑﻨﻈﺮ اﻻﻋﺘﺒﺎر وﻟﺬﻟﻚ‬ ‫‪ -3‬ﻋﻨﺪ ارﺗﻔﺎع درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﻓﺈن‬
‫ﺑﻲ اﻟﺠﺎﻣﻊ واﻟﻘﺎﻋﺪة ‪.‬‬ ‫ﻻﯾﻮﺟﺪ اﺳﺘﻘﺮار ﺣﺮاري وﻟﺬﻟﻚ ﺗﺮﺑﻂ ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة‬
 ‫ﻣﺜﺎل ‪ :‬ﻓﻲ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﻤﺒﯿﻨﺔ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه ‪ ،‬اﺣﺴﺐ ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ‬

‫ﻣﻦ داﺋﺮة اﻻﺧﺮاج‬

‫‪−‬‬ ‫‪10 − 4‬‬

‫=‬ ‫=‬ ‫‪=3‬‬
‫‪2 × 10‬‬

‫‪−‬‬ ‫‪10 − 0.7‬‬

‫=‬ ‫=‬ ‫‪= 93‬‬
‫‪100 × 10‬‬

‫‪3 × 10‬‬
‫=‬ ‫=‬ ‫‪= 32.258‬‬
‫‪93 × 10‬‬

‫=‬ ‫‪+ 1 = 32.258 + 1 = 33.258‬‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ :‬ﻓﻲ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﻤﺒﯿﻨﺔ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ‪ ،‬ارﺳﻢ ﺧﻂ اﻟﺤﻤﻞ اﻟﻤﺴﺘﻤﺮ وﺣﺪد ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ‬

‫ﻟﺮﺳﻢ ﺧﻂ اﻟﺤﻤﻞ ﻧﺘﺒﻊ اﻵﺗﻲ‬

‫(‬ ‫)‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫× ‪.‬‬

‫‪= 20‬‬ ‫→‬ ‫‪ℎ‬‬ ‫(‬ ‫)‪=0‬‬

‫(‬ ‫)‬ ‫=‬ ‫‪= 30‬‬ ‫→‬ ‫‪ℎ‬‬ ‫(‬ ‫)‪= 0‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬

‫‪−‬‬ ‫‪30 − 0.7‬‬

‫∴‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪= 75‬‬ ‫=‬
‫‪390 × 10‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬

‫=‬ ‫→‬ ‫=‬ ‫‪= 80 × 75 × 10‬‬ ‫‪=6‬‬

‫∴‬ ‫=‬ ‫‪−‬‬ ‫‪= 30 − (6 × 10‬‬ ‫‪× 1.5 × 10 ) = 21‬‬

‫ﻓﺈذا ﺧﻂ اﻟﺤﻤﻞ وإﺣﺪاﺛﯿﺎت ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﯾﺒﯿﻦ ﺑﺎﻟﺮﺳﻢ وﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫ﻣﺜﺎل )واﺟﺐ( ‪ :‬ارﺳﻢ ﺧﻂ اﻟﺤﻤﻞ اﻟﻤﺴﺘﻤﺮ وﻋﯿﻦ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﺛﻢ ﺟﺪ ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻟﻠﺪاﺋﺮة اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫ﻣﺜﺎل )واﺟﺐ( ‪ :‬ﻓﻲ اﻟﺪاﺋﺮة اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ اﺣﺴﺐ ‪ IC‬و ‪VCE‬‬

 ‫‪ -3‬داﺋﺮة اﻧﺤﯿﺎز اﻟﺠﺎﻣﻊ اﻟﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة )اﻟﺘﻐﺬﯾﺔ اﻟﺨﻠﻔﯿﺔ ﻟﻠﺠﺎﻣﻊ(‬

‫ﯾﻤﺮ ﺧﻼل ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﻘﺎﻋﺪة واﻟﺘﯿﺎر‬ ‫ﺑﯿﻦ اﻟﺠﺎﻣﻊ واﻟﻘﺎﻋﺪة ﺣﯿﺚ ان‬ ‫ﻣﻦ اﺟﻞ ﺗﺤﺴﯿﻦ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻟﻠﺪاﺋﺮة ﺗﺮﺑﻂ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ‬
‫وﻛﻤﺎ ﻣﺒﯿﻦ ﻓﻲ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه‬ ‫ﯾﻤﺮ ﻋﺒﺮ ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺠﺎﻣﻊ‬ ‫(=‬ ‫‪+‬‬ ‫اﻟﻜﻠﻲ )‬

‫ﻋﺒﺮ اﻻدﺧﺎل )اﻟﻘﺎﻋﺪة( واﻹﺧﺮاج )اﻟﺠﺎﻣﻊ( ‪ ،‬اي ان ﺟﺰء ﻣﻦ اﻻﺧﺮاج ﯾﻐﺬي اﻻدﺧﺎل‬ ‫ﻓﻲ ھﺬه اﻟﺪاﺋﺮة ﺗﺮﺑﻂ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ‬
‫وﺑﺬﻟﻚ ﻓﺈن اﻟﺰﯾﺎدة اﻟﺤﺎﺻﻠﺔ ﻓﻲ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﯾﻘﻠﻞ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة ‪ .‬ان ھﺬا اﻟﻨﻮع ﻣﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز ﺗﻮﻓﺮ ﺗﻐﺬﯾﺔ ﺧﻠﻔﯿﺔ ﺳﺎﻟﺒﺔ ﻓﻲ‬
‫اﻟﺪاﺋﺮة وﻟﺬﻟﻚ ﯾﻄﻠﻖ ﻋﻠﻰ ھﺬا اﻟﻨﻮع ﻣﻦ اﻟﺮﺑﻂ ﺑﺎﻧﺤﯿﺎز اﻟﺘﻐﺬﯾﺔ‬

‫اﻟﺨﻠﻔﯿﺔ ﻟﻠﺠﺎﻣﻊ‪ .‬ﯾﻤﻜﻦ اﺳﺘﺨﺮاج ﻣﻌﺎدﻟﺔ اﻻدﺧﺎل وﺗﯿﺎر اﻻدﺧﺎل‬

‫ﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬

‫(=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬

‫→‬ ‫=‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬

‫=‬ ‫‪( + 1) +‬‬ ‫‪+‬‬

‫=‬ ‫)‪[( + 1‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪]+‬‬

‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬
‫=‬ ‫=‬
‫‪( + 1) +‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬

‫ﻓﻲ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ‬ ‫وﻟﺬﻟﻚ ﯾﺼﺒﺢ ﺑﺎﻹﻣﻜﺎن اھﻤﻞ ﻗﯿﻤﺔ‬ ‫≫‬ ‫ﻗﻠﯿﻞ ﻓﯿﻤﻜﻦ اھﻤﺎﻟﮫ وﻧﻼﺣﻆ اﯾﻀﺎ ان ﻗﯿﻤﺔ‬ ‫ﺑﻤﺎ ان‬
‫اﻋﻼه ﻟﯿﺼﺒﺢ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﻨﮭﺎﺋﯿﺔ ﺑﺎﻟﺼﯿﻐﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫≅‬
‫‪+‬‬

‫ﻓﯿﻤﻜﻦ اﯾﺠﺎده ﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬ ‫اﻣﺎ ﻗﯿﻤﺔ‬

‫(=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬ ‫‪+‬‬

‫→‬ ‫=‬ ‫(‪−‬‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬

‫( ﻓﯿﺼﺒﺢ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻋﻼه ﺑﺎﻟﺼﯿﻐﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬ ‫ﻓﯿﻤﻜﻦ ان ﻧﮭﻤﻞ اﻟﻜﻤﯿﺔ )‬ ‫≫‬ ‫ﺑﻤﺎ ان‬
 ‫=‬ ‫‪+‬‬

‫ﺑﻄﺮﯾﻘﺔ اﺧﺮى وﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬ ‫و‬ ‫وﯾﻤﻜﻦ اﯾﺠﺎد ﻗﯿﻤﺔ‬

‫=‬ ‫‪+‬‬

‫‪−‬‬
‫=‬ ‫=‬

‫ﺛﺎﺑﺘﺔ‬ ‫( ‪ ،‬وﺑﻤﺎ ان‬ ‫وﯾﺰداد ھﺒﻮط اﻟﺠﮭﺪ ﻋﻠﻰ ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺠﺎﻣﻊ )‬ ‫ﺗﺰداد وﯾﺰداد‬ ‫ﻋﻨﺪ زﯾﺎدة درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﻓﺈن‬
‫ﯾﻨﺨﻔﺾ وﯾﺮﺟﻊ اﻟﻰ ﻗﯿﻤﺘﮫ اﻻﺻﻠﯿﺔ ﻣﻤﺎ ﯾﺴﺎﻋﺪ‬ ‫( ﻓﺈن‬ ‫=‬ ‫وﺑﻤﺎ ان ﻗﯿﻤﺔ )‬ ‫ﻣﻤﺎ ﯾﻘﻠﻞ ﻗﯿﻤﺔ‬ ‫اﻟﻘﯿﻤﺔ ﻓﺘﻘﻞ ﻗﯿﻤﺔ‬
‫ﻋﻠﻰ اﺳﺘﻘﺮار اﻟﺪاﺋﺮة‪ .‬اﻣﺎ ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻟﮭﺬه اﻟﺪاﺋﺮة ﻓﺘﻮﺻﻒ ﺑﺎﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ ‪:‬‬

‫‪+1‬‬
‫=‬
‫‪−‬‬
‫‪1−‬‬ ‫‪+‬‬

‫ﻣﻦ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻋﻼه ﻧﺴﺘﻨﺘﺞ ان ھﺬا اﻟﻨﻮع ﻣﻦ اﻻﻧﺤﯿﺎز ﺗﻤﺘﻠﻚ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻓﻀﻞ ﻻن ﻣﻌﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮار اﻗﻞ ﻣﻤﺎ ھﻮ ﻋﻠﯿﮫ ﻓﻲ‬
‫( ﻗﻠﯿﻼن اﯾﻀﺎ‪.‬‬ ‫اﻻﻧﻮاع اﻻﺧﺮى وھﺬا ﺑﺪوره ﯾﺠﻌﻞ ﻣﻌﺎﻣﻼت اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ) ( و )‬

‫ﻋﻠﻰ اﻟﺮﻏﻢ ﻣﻦ ان ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻗﻞ ﻣﻤﺎ ھﻮ ﻋﻠﯿﮫ ﻓﻲ اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﺴﺎﺑﻘﺔ اﻻ اﻧﮫ ﻻ ﯾﺰال ﻛﺒﯿﺮاً ﻧﺴﺒﯿﺎً وﯾﻤﻜﻦ ان ﯾﺘﺴﺒﺐ ﻓﻲ‬
‫ﻛﺘﻐﺬﯾﺔ ﺧﻠﻔﯿﺔ‬ ‫ﺗﻐﯿﺮ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﻟﻠﺪاﺋﺮة ﻣﻊ زﯾﺎدة درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة وﻟﻜﻦ ﺑﺪرﺟﺔ اﻗﻞ‪ .‬ﺑﺎﻹﺿﺎﻓﺔ اﻟﻰ ذﻟﻚ ﺗﻌﻤﻞ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ‬
‫ﻣﺴﺘﻤﺮة ﻣﻦ اﻟﺠﺎﻣﻊ اﻟﻰ اﻟﻘﺎﻋﺪة ﻣﻦ اﺟﻞ اﺳﺘﻘﺮار ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ وﻟﻜﻦ ﺑﻨﻔﺲ اﻟﻮﻗﺖ ﺗﺆدي اﻟﻰ ﻧﻘﺼﺎن اﻟﺘﺤﺼﯿﻞ ﻓﻲ اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ‬
‫ﻟﻠﻤﻜﺒﺮ وھﻮ اﻣﺮ ﻏﯿﺮ ﻣﺮﻏﻮب ﻓﯿﮫ وﻟﺬﻟﻚ ﻧﺎدراً ﻣﺎ ﺗﺴﺘﺨﺪم ھﺬه اﻻﻧﺤﯿﺎزات ﻓﻲ اﻟﻤﻜﺒﺮات اﻟﺘﺸﻐﯿﻠﯿﺔ ‪.‬‬

‫ﻟﻠﺪاﺋﺮة اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬ ‫و‬ ‫ﻣﺜﺎل ‪ :‬اﺣﺴﺐ‬

‫‪12‬‬
‫=‬ ‫=‬ ‫‪= 18.18‬‬
‫‪+‬‬ ‫‪100 × 600 + 600 × 10‬‬

‫=‬ ‫‪= 100 × 18.18 × 10‬‬ ‫‪= 1.818‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪= 18.18 × 10‬‬ ‫‪+ 1.818 × 10‬‬ ‫≅ ‪= 1.836‬‬

‫=‬ ‫‪−‬‬ ‫‪= 12 − 1.818‬‬

‫‪818 × 10‬‬ ‫‪× 600 = 10.9‬‬
 ‫ﻣﺜﺎل )واﺟﺐ( ‪ :‬ﺟﺪ اﺣﺪاﺛﯿﺎت ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﻟﻠﺪاﺋﺮة اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫‪ -4‬اﻧﺤﯿﺎز ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ )‪(Emitter Resistor Biasing‬‬

‫ﯾﺒﯿﻦ اﻟﺸﻜﻞ ادﻧﺎه اﻧﺤﯿﺎز ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ ﺣﯿﺚ ﯾﺘﻢ اﺿﺎﻓﺔ ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ وذﻟﻚ ﻟﺘﺤﺴﯿﻦ ﻋﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ وﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪… … … … … (1‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫)‪= ( + 1‬‬ ‫)‪… … … … … . (2‬‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫))‪+ ( + 1‬‬

‫‪−‬‬
‫=‬ ‫≅‬
‫)‪+ ( + 1‬‬ ‫)‪+ ( + 1‬‬

‫ﻣﻌﺎدﻟﺔ اﻻﺧﺮاج‬

‫=‬ ‫‪+‬‬ ‫‪+‬‬

‫→‬ ‫=‬ ‫(‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬ ‫(→‬ ‫=‬ ‫)‬

‫وﻟﻤﻌﺮﻓﺔ ﺗﺄﺛﯿﺮ درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﻋﻠﻰ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻟﺪاﺋﺮة ﻧﺒﺴﻂ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ رﻗﻢ )‪ (1‬وﻛﺎﻟﺘﺎﻟﻲ‬

‫‪−‬‬ ‫‪−‬‬
‫=‬

‫ﺑﺈھﻤﺎل اﻟﺠﮭﺪ اﻟﺤﺎﺟﺰ ﯾﻨﺘﺞ‬

‫‪−‬‬
‫=‬
‫وﺑﻤﺎ ان‬ ‫ﻣﻦ ﻣﻼﺣﻈﺔ اﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻋﻼه ﻧﺠﺪ ان ﺑﺰﯾﺎدة درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ﯾﺰداد ﺗﯿﺎر اﻟﺘﺸﺒﻊ اﻟﻌﻜﺴﻲ وﺑﺎﻟﺘﺎﻟﻲ ﯾﺰداد ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ‬
‫( ﻣﻤﺎ ﯾﻘﻠﻞ ﻣﻦ ﺗﯿﺎر اﻟﻘﺎﻋﺪة وھﺬا‬ ‫ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻣﺴﺎوي ﺗﻘﺮﯾﺒﺎ ﻟﺘﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ﻓﯿﺰداد ھﺒﻮط اﻟﺠﮭﺪ ﻋﻠﻰ ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ )‬
‫ﺑﺪوره ﯾﺴﺒﺐ ﻧﻘﺼﺎن ﻓﻲ ﺗﯿﺎر اﻟﺠﺎﻣﻊ ) ( وارﺟﺎﻋﮫ اﻟﻰ اﻟﻘﯿﻤﺔ اﻻﺻﻠﯿﺔ وﺑﮭﺬا ﺗﺘﺤﺴﻦ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ‪.‬‬

‫إن اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ھﺬا اﻻﻧﺤﯿﺎز ﺗﻮﺻﻒ ﺑﺎﻟﻤﻌﺎدﻟﺔ اﻟﺘﺎﻟﯿﺔ‬

‫‪1+‬‬
‫)‪= ( + 1‬‬
‫‪1+‬‬ ‫‪+‬‬

‫‪ When‬‬ ‫→ ‪is small‬‬ ‫‪=1‬‬

‫‪ When‬‬ ‫→ ‪is large‬‬ ‫)‪= ( + 1‬‬

‫ﻣﺤﺎﺳﻦ ھﺬا اﻻﻧﺤﯿﺎز‬

‫داﺋﺮة ﺑﺴﯿﻄﺔ ﺗﺤﺘﻮي ﺛﻼﺛﺔ ﻣﻘﺎوﻣﺎت )‪ (RC ، RB ، RE‬واﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ اﻓﻀﻞ ﻣﻦ اﻟﺪواﺋﺮ اﻟﺴﺎﺑﻘﺔ‬

‫ﻣﺴﺎوئ ھﺬا اﻟﺮﺑﻂ‬

‫ﻧﻼﺣﻆ ان ﻣﻌﺎﻣﻞ اﻻﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻻزال ﻣﺮﺗﻔﻌﺎ ﺣﯿﺚ ان اﻟﺘﻐﺬﯾﺔ اﻟﺨﻠﻔﯿﺔ اﻟﻤﺴﺘﻤﺮة ﺗﺴﺎﻋﺪ ﻓﻲ اﺳﺘﻘﺮارﯾﺔ ﻧﻘﻄﺔ اﻟﻌﻤﻞ ﻟﻜﻦ ﺑﻨﻔﺲ‬
‫اﻟﻮﻗﺖ ﺗﻌﻤﻞ اﻟﺘﻐﺬﯾﺔ اﻟﺨﻠﻔﯿﺔ اﻟﻤﺘﻨﺎوﺑﺔ ﻋﻠﻰ ﺗﻘﻠﯿﻞ اﻟﺘﺤﺼﯿﻞ ﻓﺐ اﻟﻔﻮﻟﺘﯿﺔ ﻟﻠﻤﻜﺒﺮ وھﺬا ﻏﯿﺮ ﻣﺮﻏﻮب ﻓﯿﮫ وﻟﺬﻟﻚ ﺗﻮﺿﻊ اﻟﻤﺘﺴﻌﺔ‬
‫ﻋﻠﻰ اﻟﺘﻮازي ﻣﻊ ﻣﻘﺎوﻣﺔ اﻟﺒﺎﻋﺚ ﻟﺘﻮﻓﺮ ﻣﻤﺮ ﺳﮭﻞ ذو ﻣﻤﺎﻧﻌﺔ ﻗﻠﯿﻠﺔ ﻟﻠﺘﯿﺎر اﻟﻤﺘﻨﺎوب )اﻻﺷﺎرة اﻟﻤﺘﻨﺎوﺑﺔ( وﻻ ﺗﺴﻤﺢ ﻟﮭﺎ‬
‫ﺑﺎﻟﻤﺮور ﻓﻲ اﻟﻤﻘﺎوﻣﺔ ‪ RE‬وﺑﺬﻟﻚ ﺗﻘﻞ اﻟﺘﻐﺬﯾﺔ اﻟﺨﻠﻔﯿﺔ اﻟﻤﺘﻨﺎوﺑﺔ وﻻ ﺗﺘﺄﺛﺮ ﻋﻤﻠﯿﺔ اﻟﺘﻜﺒﯿﺮ ‪.‬‬