Лабораторна робота № 2-1е

ДОСЛІДЖЕННЯ ЄМНОСТІ КОНДЕНСАТОРА

Мета роботи: дослідження ємності плоского конденсатора;

визначення діелектричної проникності речовини.
Прилади та устаткування: макет плоского конденсатора зі змінною
відстанню між обкладками, набір діелектричних пластин, прилад для
вимірювання ємності (фарадометр).

Теоретичні відомості
Електрична ємність. Відомо, що у відокремленому1 провіднику заряд
q і потенціал  є прямо пропорційні одне до одного. Тому відношення цих
величин

(1)

не залежить від жодної з них. Воно є характеристикою самого провідника і

називається його електричною ємністю (або просто ємністю).
Із означення (1) випливає, що ємність визначає заряд, який міститься на
провіднику при заданому потенціалі. У цьому сенсі інколи говорять, що
ємність характеризує здатність провідника накопичувати електричний заряд.
Ємність вимірюється в фарадах (Ф), причому 1 Ф = 1 Кл/В  це ємність
такого провідника, потенціал якого збільшується на 1 В при збільшенні
заряду на 1 Кл. Фарад є дуже грубою величиною, приміром, ємність
провідної кулі із радіусом Землі (≈ 6400 км) складає всього ≈7104 Ф, тому на
практиці зазвичай використовують дольові одиниці – мікрофаради
(1 мкФ = 106 Ф), нанофаради (1 нФ = 109 Ф) і пікофаради (1 пФ = 1012 Ф).
Ємність відокремленого провідника визначається його розмірами та
формою, а також властивостями середовища, в якому він знаходиться. Це
ілюструє формула ємності відокремленої провідної кулі радіуса R в
однорідному ізотропному діелектричному середовищі з проникністю . В
такому разі заряд рівномірно розподіляється по поверхні кулі, і її потенціал
визначається кулонівською формулою

Отже, ємність відокремленої провідної кулі

1
Формально – такого, що є єдиним у всьому просторі. Реальний провідник можна вважати відокремленим,
якщо вплив на нього навколишніх тіл є неістотним.

1
 Але відокремлений заряджений провідник є абстракцією: реально в
просторі навколо даного провідника є й інші тіла, котрі впливають на
розподіл зарядів на ньому, тож і на потенціал. Через це ємність окремого
провідника не є однозначно визначеною, вона істотно змінюється при зміні
розташування навколишніх тіл і, до того ж, є дуже малою. Тому ємність
поодиноких провідників не має корисного застосування.
Конденсатори. Указаних вад позбавлені конденсатори – такі системи
провідників, які є практично нечутливі до впливу зовнішніх тіл і полів і
можуть мати велику ємність при малих розмірах.
Простий конденсатор складається з двох близько розташованих одна
від одної провідних пластин (обкладок), простір між якими зазвичай
заповнено діелектриком. На практиці найчастіше використовують плоскі
конденсатори (рис. А, Б), але в теорії розглядають іще два види простих
конденсаторів: сферичні з обкладками у формі двох концентричних сфер і
циліндрич-

Рис. А Рис. Б

ні, обкладки котрих мають форму двох коаксіальних (співосних) циліндрів.

При таких конфігураціях обкладок електричне поле конденсатора
назовні є дуже слабким. Тому конденсатор практично не впливає на зовнішні
тіла, так само, як і вони на нього. Це робить конденсатори важливими
функціональними елементами різноманітних електричних і електронних кіл.
До того ж, конденсатори мають дуже велику ємність порівняно з
поодинокими провідниками і використовуються як накопичувачі електричної
енергії.
Зазвичай для зарядки конденсатор підключають до джерела напруги.
При цьому певна кількість електронів і відповідний заряд з однієї обкладки
переносяться на іншу, тож заряди на обкладках автоматично є протилежними
за знаком і рівними по модулю: q1 = q, q2 = q; величина q > 0 називається
зарядом конденсатора. Електричне поле зарядженого конденсатора
визначається не окремо потенціалами пластин 1 і 2, а напругою
конденсатора U = (1  2) > 0. Відповідно,

ємністю конденсатора називається відношенням його заряду

до напруги:

2
 (2)

Суттєво, що електричні поля указаних простих конденсаторів мають

високу симетрію і легко розраховуються теоретично. Зокрема, всередині
плоского конденсатора електричне поле є однорідним, за винятком
незначних спотворень по краях пластин. Але в теорії ними нехтують,
розглядаючи поле як скрізь однорідне (рис. А). Для такого ідеального
плоского конденсатора теорія дає просту формула ємності (“теоретична
ємність”):

, (3)

де Ф/м  електрична стала,   діелектрична проникність

діелектрика, яким заповнений конденсатор, S – площа пластини, d  відстань
між пластинами.
В реальному конденсаторі певна частка зарядів виходить на торці та
краї зовнішніх поверхонь обкладок, створюючи невелике “крайове” поле
поза конденсатором (рис. Б). При цьому через зменшення заряду на
внутрішніх поверхнях обкладок напруга між ними теж трохи змінюється, що
спричинює “крайовий ефект”  деяку відміну реальної (“істинної”) ємності
конденсатора від теоретичного значення (3), тож

Сіст= Стеор + Скр , (4)

де Скр – поправка на крайовий ефект.

У промислових конденсаторах відстань між пластинами є набагато
меншою за їхні розміри, так що d << . За такої умови крайовий ефект є
незначним і величиною Cкр можна нехтувати. Але в даній роботі дослідження
проводяться на лабораторному макеті плоского конденсатора (рис. 1) при
таких співвідношеннях , коли крайовий ефект вже є відчутним. На
результати вимірювань впливають також і з’єднувальні провідники. Тому
істинна ємність макета Сіст відрізняється від виміряної на величину
ємності з’єднувальних провідників Cпар (“паразитна ємність”):
Сіст = Свим  Cпар (5)

Відтак зв’язок між виміряною та розрахованою (теоретичною) величиною

ємності конденсатора має вигляд:
Свим = Стеор + Скр + Cпар

Експериментальна установка
Дослідження ємності проводяться на макеті плоского конденсатора
(рис. 1) за допомогою фарадометра – спеціального приладу для вимірювання

3
ємності. Макет складається з двох ізольованих одна від одної круглих
металевих пластин (обкладок), одна з яких (6) закріплена, а інша (4) за
допомогою мікрометричного гвинта (1) із шкалою (2) може встановлюватись
на потрібній відстані з точністю 0,01 мм. У макеті також передбачено
можливість розміщувати між обкладками діелектричні пластини (5) із різних
матеріалів.

Порядок виконання роботи

1. Установлюючи за допомогою мікрометричного гвинта відстань dі між
пластинами макета конденсатора з кроком 2,0 мм у межах 1,0  10,0 мм,
виміряти значення ємності Сі вим для указаних значень dі. Результати
занести до табл. 1.
2. Покласти на нижню обкладку макета конденсатора одну із запропонованих
пластин діелектрика, і за допомогою мікрометричного гвинта встановити
верхню обкладку так, аби вона щільно прилягала до пластини. Виміряти
відстань між обкладками d (товщину пластини) і ємність конденсатора C.
Результати занести до табл. 2.

4
 Для кожної пластини дослід виконати 3 рази.
3. Установити між обкладками конденсатора разом обидві пластин
діелектрика і виміряти ємність конденсатора. Результати занести до табл.
3.

Табл. 1
Радіус пластини R = 0,041 м
,×10-3м (R/dі) , пФ , пФ , пФ ,пФ
1 2 20.5 30,7 27.7 23.36 15.67
2 4 10.25 15,5 12.5 11.68 4.16
3
3 6 6.83 10,3 7.3 7.79 6.72
4 8 5.13 7,9 4.9 5.84 19.18
5 10 4.1 6,5 3.5 4.67 33.43

Варіант1 Табл.2.
№ d , мм <d>, С , пФ <С>, С0, пФ η%
і і
мм пФ
8,62 165,0
9 8,65 8.6 162,7 165.4 20,7 8 7 14.3
8,55 168,5
1,93 100,9
13 1,95 1.93 100,0 101.23 29,2 3.5 4 12.5
1,90 102,8
Варіант1 Табл. 3
С1, пФ С2, пФ С, пФ Стеор, пФ η%
65,5 66,2 32.92 28.72 14.66

Обробка результатів

5
6
7
8
9
Висновок: В процесі виконання лаборторної роботи ,ми навчилися
визначати ємність плоского конденсатора та визначати діелектричну
поникність речовин.

10
11