Лабораторна робота №1

Варіант № 6
ВИЗНАЧЕННЯ ШИРИНИ ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ В НАПІВПРОВІДНИКАХ

Мета роботи – визначити графоаналітичним методом ширину забороненої зони

напівпровідника за результатами вимірювання залежності опору напівпровідника від
температури.

Основні теоретичні відомості

 Номер ітерації #1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 #8 #9 #10
Напруга термопари, 2,16 2,46 2,5 2,76 3,16 3,46 4,96 5,66 6,16 6,86
мВ 6
Значення опору , кОм
r1 8.36 8,76 9,1 9,46 9,86 10,26 10,96 9,36 8,46 6,36
6
r2 8,06 8,56 8,8 9,16 9,66 9,96 11,06 9,56 7,26 6,56
6
r3 7,16 7,66 7,8 8,16 8,56 8,86 9,86 8,66 6,66 6,06
6
r4 7,86 8,36 8,6 8,96 9,36 9,76 10,46 9,06 6,86 6,06
6
r`1 8,36 8,86 9,1 9,56 9,96 10,46 10,96 9,36 6,86 6,16
6
r`2 7,96 8,46 8,6 9,06 9,46 9,86 10,26 8,86 6,56 5,86
6
r`3 7,26 7,66 7,9 8,26 8,66 9,16 9,96 8,66 6,56 5,86
6
r`4 7,96 8,46 8,6 9,06 9,46 9,96 10,56 9,16 6,76 5,86
6
r`c 7,87 8,34 8,6 8,96 9,37 9,78 10,51 9,08 6,99 6,09
2

4. Із градуювальної таблиці візьмем значення температури, і підставимо в таблицю

значень провідності до температури
0,127 0,119 0,116 0,111 0,106 0,102 0,095 0,11 0,143 0,164
Т 376.5 382.5 385 389 397 401 431 448 456 471
Залежність провідності від температури
5. Розрахуємо ln σ та відповідно -1/T
ln -2.06 -2.12 -2.15 -2.19 -2.24 -2.28 -2.35 -2.2 -1.94 -1.8
σ
1/ 0.0026 0.0026 0.0025 0.0025 0.0025 0.0024 0.0023 0.0022 0.0021 0.0021
T 5 1 9 7 1 9 2 3 9 2
Залежність lnσ від 1/T
 ∆ln σ = |-2.35+1.8 |= 0.55
Розрахуємо кут нахилу лінійної апроксимації :
∆ln σ = φ∆(1/T) ⇒ φ = ∆ln σ/∆(1/T) = (|-2.35+1.8|)/(|0.00235-0.00212|)= 2391,30
З таблиці значень тангенса кутів знайдемо тангенс кута:
tg φ=1,2482
Знайдемо ширину забороненої зони:
∆E = 2K (∆ln σ )/∆(1/T) ) =2*1.38*10-23((|-2.35+1.8|)/(|0.00235-0.00212|))=
7.59*10-20Дж. Переведемо одиниці ширини забороненої зони в електронвольти
= 0,47 еВ, отже це напівпровідник
За таблицею хімічних елементів це є (Германій)
6. Висновок : На цій лабораторній роботі ми ознайомилися з структурною схемою
вимірювальної установки, для кожної температури напівпровідникового зразка виміряли 8
значень його опору та побудували графічну залежність провідності напівпровідника від
температури, і за нею визначили верхню температуру діапазону виснаження домішок. Також
визначили приріст функції ∆ln σ і розрахували тангенс кута лінійної апроксимації.
За формулою , визначали ширину забороненої зони
напівпровідника та дізналися що за типом, це є напівпровідник, так як ширина забороненої
зони склала менше 2еВ.
У результаті можлива похибка при вимірюванні та неточністю приладів.

Відповіді до контрольних запитань

1. Всього є 3 основні зони: 1) Валентна зона 2) Зона провідності 3) Заборонена
зона Найважливішими для визначення фізичних властивостей кристалу зонами
є валентна зона і зона провідності. Ці властивості вкрай важливі для напівпровідників.
У випадку напівпровідників і діелектриків рівень Фермі збігається з верхом валентної
зони, тобто валентна зона повністю заповнена. Наступна за нею зона
називається зоною провідності, оскільки провідності кристалів
визначається електронами, які потрапляють у зону провідності при збудженні
кристалу. У випадку металів, валентна зона заповнена наполовину, а тому є водночас
і зоною провідності.

2. Умовно прийнято вважати, що тверді тіла з шириною забороненої зони менше 2еВ
є напівпровідниками, а при більшій ширині – діелектриками . Таким чином, розподіл
твердих тіл на напівпровідники і діелектрики по їх електропровідності не має
принципового значення. Звідси виходить що належність твердого тіла характеризує
ширина забороненої зони.

3. Якщо в напівпровідниках або в діелектриках знаходяться атоми інших елементів

(домішки), то всередині забороненої зони утворюються так звані домішкові рівні.
Вони можуть бути розташовані близько до самого нижнього рівня зони
провідності(дна). Вони називаються донорними і є постачальниками електронів в
зону провідності.

4. Концентрація носіїв заряду залежить від температури й від таких характеристик

напівпровідника, як ширина забороненої зони й ефективні густині станів у зоні
провідності й валентній зоні. Наприклад під час нагрівання металу або інших речей
передається теплова енергія, саме тому концентрація носіїв заряду збільшується.

5. Із збільшенням температури рухливість носіїв заряду зростає. Але, в інтервалі

робочих температур, при яких в більшості випадків застосовують напівпровідники, як
правило, рухливість електронів і дірок з ростом температури зменшується. При
середніх і відносно високих температурах, коли основним механізмом розсіювання є
розсіювання на теплових коливаннях гратки, рухливість носіїв заряду із збільшенням
температури зменшується. В домішкових напівпровідниках при достатньо високих
температурах провідність являється власною, а при низьких –домішковою.
6. Суть експериментального методу полягає в тому, що нам треба визначити ширину
забороненої зони у напівпровіднику, і за результатами визначити тип напівпровідника