Лабораторна робота №2

Варіант №6

Виконав: Коніков Дмитро Андрійович

Група: ДЕ-11, ФЕЛ
 1. Виміри ємності Сзр для Д1 і Д2 при різних напругах
Uзв та визначення бар’єрної ємності p-n переходу за
формулою Сб = Сзр* - Сзр:

С*зр, пФ = 320пФ
Д1
Uзв,В 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 4 6 8
Сзр,п 266,2 266,2 266,2 271,2 262,2 279,2 267,2 282,2 286,2 292,2 288,2 294,2 299,2 304,2
Ф
Сб,пФ 53,8 53,8 53,8 48,8 57,8 40,8 52,8 37,8 33,8 27,8 31,8 25,8 20,8 15,8
1. Графічна залежність для плавного p-n переходу Д1:
70
Сб, пФ

60

50

40

30

20

10

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Uзв, В

Uзв,В 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 4 6 8

Сзр,п 289,2 292,2 302,2 305,2 310,2 312,2 313,2 315,2 314,2 315,2 317,2 318,2 317,2 316,2
Ф
Сб,пФ 30,8 27,8 17,8 14,8 9,8 7,8 6,8 4,8 5,8 4,8 2,8 1,8 2,8 3,8
Д2

1. Графічна залежність для різкого p-n переходу Д2:

35
Сб, пФ

30

25

20

15

10

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Uзв, В
 2. Для знаходження величини початкової різниці потенціалів для
діодів Д1 і Д2 потрібно побудувати графічну залежність С -3 = φ
(Uзв) та С -2 = φ (Uзв) відповідно та екстраполювати ці лінії
залежності до перетину з віссю абсцис, де точка перетину буде
значенням контактної різниці потенціалів.
Uзв, В 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 4 6 8
Д1 Сб-3,пФ-3*106 6,42 6,42 6,42 8,6 5,17 14,72 6,79 18,51 25,9 46,54 31,09 58,22 111,12 253,52
Д2 Сб-2,пФ-2*104 10,5 12,9 31,6 45,7 104,1 164,3 216,3 434,0 297, 434,02 1275,6 3086,4 1275,6 692,6
3 3

Д1
Сб^-3,пФ*10^6

300

250

200

150

100

50

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 4 6 8
Uзв, В

Д2
Сб^-2,пФ*10^4

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 4 6 8
Uзв, В
 Для Д1: Uk = 0,3 B
Для Д2: Uk = 0,7 B
3. За допомогою формул (1) та (2)

3
12С б (Uзв+ Uк)
a= 3 2e
S ( Er∗Eo)
2
2 Сб (Uзв+Uк )
N= 2
S Er∗Eo∗e

знайдемо (a) та (N)

Uзв, В 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 4 6 8

a, м*1029 3,9 6,54 9,16 8,8 17,8 7,42 18,5 7,71 6,16 3,8 6,21 6,2 4,76 2,75

N,м*1021 9,26 9,7 4,86 3,97 2 1,44 1,22 0,67 1,07 0,8 0,295 0212 0,732 1,75

4. Розрахуємо товщину d p-n переходу , та будуємо графічну

залежність товщини d від зворотної напруги
За формулами :
Uзв, В 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 4 6 8
D1*10^-
1,8549 1,8511 1,8505 2,03 1,72 2,44 1,88 2,63 2,94 3,57 3,13 3,86 4,78 6,3
7
D2*10^-
3,23 3,58 5,59 6,72 10,1 12,7 14,6 20,8 17,2 20,7 35,5 55,3 35,5 26,2
7

d1(Uзв)
7

4
D1*10^-7

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Uзв,В

d2(Uзв)
D2*10^-7

60

50

40

30

20

10

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Uзв, В
 Висновок
У ході лабораторної роботи ми виміряли залежність бар’єрної
ємності від зворотної напруги для плавного й різкого p-n переходів.
Для плавного p-n переходу контактна різниця потенціалів є більшою,
ніж для різкого переходу. Проаналізувавши ми бачимо що контактна
напруга виходить 0.3 для плавного та 0.7 для різкого переходу.
Розрахували градієнт концентрації (а) для плавного та (N) для різкого
p-n переходу. В останньому пункті ми розрахували й побудували
залежність товщини p-n переходу від зворотної напруги для Д1, Д2, і
в нас вийшли 2-і різні криві. Для д1 – експоненціальна та Д2-
поліноміальна.

Відповіді на контрольні запитання

1. Відбуваються такі явища як дифузія , рекомбінація та інші.

2. Контактна різниця потенціалів призводить до збіднення приконтактного
шару рухомими носіями зарядів. Вони виникають через відсутність зовнішньої
напруги , у р-н переходах , так як заряджені частинки створюють власне
електричне поле , а так як частинки переміщаються по дві сторони провідника
вони створюють різницю потенціалів яку називають контактною. Відносно
нашої роботи вона залежить від типу переходу.
5. У напівпровідників у переході між частинами виявляється збіднена зона , а
крізь кожну із них протікає заряд, що стає подібним до окладників
конденсатора.
6. Контактна різниця потенціалів призводить до збіднення приконтактного
шару рухомими носіями зарядів. Вони виникають через відсутність зовнішньої
напруги , у р-н переходах , так як заряджені частинки створюють власне
електричне поле , а так як частинки переміщаються по дві сторони провідника
вони створюють різницю потенціалів яку називають контактною. Відносно
нашої роботи вона залежить від типу переходу.
8.
При прямому підключенні у нас зменшується потенційний бар’єр і протікає
струм . При зворотному підключенні в нас збільшується потенційний бар’єр і
перестає протікати струм.
9. Бар'єрна: p-n перехід веде себе як своєрідний плоский конденсатор,
обкладинками якого служать області n і p типу поза переходом, а ізолятором є
область просторового заряду, збіднена носіями заряду, яка має великий опір.
Особливістю бар'єрної ємності є її залеж-ність від зовнішньої прикладеної
напруги.
Дифузійна: Крім бар'єрної ємності p-n перехід має так
звану дифузійну ємність. Дифузійна ємність пов'язана з процесами
накопичення та розсмоктування нерівноважного заряду в базі і характер-ризує
інерційність руху нерівноважних зарядів в області бази. Величина дифузійної
ємності пропорційна струму через p-n перехід. При прямій напрузі значення
дифузійної ємності може досягати десятків тисяч пікофарад. Сумарна ємність
p-n переходу визначається сумою бар'єрної та дифузійної ємностей.

10. Бар'єрна ємність проявляється при зворотній напрузі. При збільшенні

зворотної напруги товщина збідненого шару pn-переходу зростає, обкладки
конденсатора як би розсуваються, і ємність його падає. Це властивість
бар'єрної ємності дозволяє використовувати перехід як ємність, керовану
величиною зворотної напруги.
11. Різкі p-n переходи виконуються сплавною технологією, а плавні p-n
переходи – дифузійною технологією.
13. Неможливе, бо контактна різниця потенціалів визначається графічно.
Це різниця електростатичних потенціалів, яка виникає при контакті двох
різних металів. Явище виникнення контактної різниці потенціалів лежить в
основі термоелектричних ефектів, що дозволяє створення таких пристроїв
як термопари.
15. Можливість зміни бар'єрної ємності p-n переходу зовнішньою напругою
(електронне керування ємністю) корисно використовується в радіоелектроніці
для електронної перебудови (підстроювання / налаштовування) частоти
коливань і в параметричних підсилювачах (розроблені спеціальні діоди –
варикапи і варактори).