You are on page 1of 7

Міністерство освіти і науки України

Вінницький технічний фаховий коледж

Лабораторна робота №2
Розрахунок та моделювання схеми параметричного стабілізатора

Виконав
студент гр. 2РТ 1
Ковальов Валерій
Прийняв викладач
Степанова О.О.

Вінниця 2023

Лабораторна робота 2 .
Згідно варіанту розрахувати та підібрати по параметрам стабілітрон та
резистор. Змоделювати схему електричну принципову параметричного
стабілізатора. Оформити звіт , промоделювати схему та надіслати файл, як
результат роботи для оцінювання.
Варіанти завдань
№ Uвх(V) Uст(V) Iн(mА)
1. 6 2.4 20
2. 6 2.7 20
3. 7 3 20
4. 7,3 3.3 76
5. 7,6 3.6 69
6. 7,9 3.9 64
7. 8,3 4.3 58
8. 8,7 4.7 53
9. 9,1 5.1 49
10. 9,6 5.6 45
11. 10,2 6.2 41
12. 10,8 6.8 37
13. 11,5 7.5 34
14. 12,2 8.2 31
15. 15,1 9.1 28
16. 16 10 25
17. 17 11 23
18. 19 12 21
19. 20 13 19
20. 21 15 17
21. 25 16 15.5
22. 24 18 14
23. 26 20 12.5
24. 28 22 11.5
25. 30 24 10.5
26. 31 27 9.5
27. 36 30 8.5
28. 37 33 7.5
29. 40 36 7
30. 43 39 6.5

Короткі теоретичні відомості


Тепловий пробій виникає за рахунок інтенсивної термогенерації носіїв в p-
n-переході при неприпустимому підвищенні температури. Процес носить
лавиноподібний характер і розвивається локально. Лавиноподібний розвиток
теплового пробою обумовлюється тим, що збільшення числа носіїв заряду за
рахунок підвищення температури приводить до збільшення зворотного струму,
а отже, ще більший розігрів ділянки p-n-переходу. Процес закінчується
розплавлюванням цієї ділянки й виходом приладу з ладу. Тепловий пробій
може відбутися в результаті перегріву ділянки p-n-переходу внаслідок
протікання великого зворотного струму при лавинному або тунельному пробої.
Зростає ймовірність теплового пробою при загальному перегріві p-n-переходу
через погіршення умов тепловіддачі. У цьому випадку він може відбутися при
меншій напрузі, минаючи стадії лавинного або тунельного пробою. З метою
виключення пробою величину припустимої зворотної напруги встановлюють
на рівні (0,5 - 0,8 Uзв.доп).
Розрізняють електричний пробій і тепловий пробій. Електричний пробій, у
свою чергу, може бути лавинним і тунельним. Лавинний пробій обумовлений
лавинним ростом носіїв в p-n-переході в результаті ударної іонізації атомів
кристалічних ґрат неосновними носіями заряду, що надходять в p-n-перехід при
дії зворотної напруги. Для розвитку цього процесу носіям заряду необхідно
надати енергію, достатню для відриву валентних електронів. При цьому
додаткові пари носіїв заряду, прискорюючись полем, при зіткненні з атомами
також створюють додаткові носії заряду. Описаний процес носить лавинний
характер. Лавинний пробій виникає в широких p-n-переходах, де при русі під
дією електричного поля носії заряду, зустрічаючись із більшою кількістю
атомів кристала, у проміжку між зіткненнями отримують достатню енергію для
їхньої іонізації. При тунельному пробої відрив валентних електронів від атомів
кристалічних ґрат під дією сильного електричного поля. Цей пробій
розвивається у вузьких p-n-переходах, де при порівняно невеликій зворотній
напрузі є висока напруженість поля. Лавинний і тунельний пробої
супроводжується появою майже вертикальної ділянки і є зворотними
процесами. Це означає, що вони не приводять до ушкодження діода й при
зниженні зворотної напруги його властивості зберігаються.

Мета роботи:
За заданими параметрами скласти принципову схему параметричного
стабілізатора в середовищі Proteus

Рис.1 Принципова електрична схема параметричного стабілізатора


Порядок роботи

1) Згідно заданих напруги стабілізації (Uст) та струму навантаження (Iн)


обрати з довідника відповідний стабілітрон

27варіант
Uвх(V) Uст(V) Iн(mА)
11.5 7.5 34

Обираємо: 1N4737A|Uст=7.5V |Iст=10мА|Рmax = 300 мВт|Uст min=6.12B|Uст


max=7.48B|Iст min=3мА|Iст max=34mA Тк max=125°С

Починаємо розрахунок

2) Розраховуємо спад напруги на баластному резисторі

Ur1 = Uвx — Uвыx = 11.5-7.5=4В


3)Знаходимо опір баластного резистора
R1 = Ur1 / Iст = 4/ 0.034=117Ом

4)Знаходимо мінімальну потужність резистора

Рr1 = Ur1 * Iст = 4* 0,034 = 0.136 Вт


Варто зазначити, що окрім струму стабілітрона через резистор протікає
струм навантаження, тому необхідно потужність резистора обрати вдвічі більшу

Рr1 = 0,040* 2 = 0,08Вт


По найближчому номінальному ряду (в більшу сторону) це відповідає
потужності 0,125Вт

Моделюємо схему
1) Відкриваємо середовище Proteus

2) Відкриваємо бібліотеку
3) Знаходимо в переліку групу елементів під назвою Simulator Primitives, та
обираємо джерело живлення VSOURCE.

4) Знаходимо в переліку групу елементів під назвою Diodes, в підгрупі Zener


обираємо потрібний нам стабілітрон .
5) Знаходимо в переліку групу елементів під назвою Resistors потрібний нам
резистор
6) Знаходимо амперметр і вольтметр для перевірки значень

7) Моделюємо схему та перевіряємо значення


Висновки: Я навчився Розраховувати та моделювати схеми параметричного
стабілізаторав програмі протеус.

You might also like