МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

СУМСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

КОНОТОПСЬКИЙ ІНСТИТУТ

Кафедра електронних
приладів і автоматики

РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНА РОБОТА
з дисципліни «Твердотіла електроніка»
Варіант 13

студент групи ЕІ-91к М. О. Плутахін

Викладач М. П. Матвієнко

Конотоп 2021
 Контрольне завдання №2
Для схем стабілізаторів, наведених на рис. 2.1, вибрати стабілітрони VD,
транзистор VT та розрахувати параметри резисторів R, використовуючи дані
табл.. 2.1.

а б
Рис.2.1
Таблиця 2.1
№
Uвх (В) Uвих(В)
варіанта
1 15 5
2 25 10
3 10 5
4 20 10
5 10 3
6 18 6,8
7 15 6
8 13 4,7
9 25 15
10 10 5
11 9 4,7
12 15 7
13 12 6,8
14 25 13
15 15 5
16 10 4,7
17 15 10
18 10 6,8
19 12 6,8
20 25 15
21 10 4,7

Розв’язання
а) Стабілітрон VD – КС168В. Основні характеристики: номінальна напруга
стабілізації – 6,8 В; струм стабілізації стабілітрона - 10 мА; мінімальний
струм стабілізації – 3 мА.
Транзистор VT – КТ201А. Основні характеристики: максимально допустима
напруга колектор-база – 20В; максимально допустима напруга колектор-
емітер – 20 В; максимально допустимий струм колектора - 20 мА; коефіціент
передачі струму – 40.
Максимальний струм бази:
I к 20 ∙10−3 А
I б мах = = =5 00 мкА .
β 40

Значення резистора:
U вх −U вих 1 2 В−6,8 В
R= = ≅ 1485 Ом .
I ст. мін + I б мах 3 ∙10−3 А+5 ∙ 10− 4 А

б) Стабілітрон VD – КС168В. Основні характеристики: номінальна напруга

стабілізації – 6,8 В; струм стабілізації стабілітрона - 10 мА.
Баластовий резистор:
U вх −U вих 1 2 В−6,8 В 5,2 В
R= = = =520 Ом .
I ст + I н 10 мА 10 ∙10−3 А

Контрольне завдання №3
На рис.3.1наведена схема використання фотодіода в фотодіодному
режимі.Використовуючи вольт-амперні характеристики діодів ФД1 і ФД3,
при Еж і Rн наведених в табл.3.1 розрахувати, який потік Ф необхідно подати
на світлодіод, щоб Uвих було максимальним.

Рис.3.1

Таблиця 3.1
 № Rн(кОм)
Еж(В)
варіанту
1 20 10
2 12 5
3 10 8
4 5 20
5 20 5
6 8 20
7 12 10
8 10 20
9 5 8
10 20 5
11 5 20
12 12 8
13 10 10
14 5 20
15 20 5
16 5 8
17 12 10
18 10 20
19 5 8
20 20 5

Розв’язання
Світлова чутливість (S) для даного фотодіода становить 20мА/лм.
Струм даного фотодіода:
EЖ 10 В
I ф= = =0,001 А=1 мА .
R Н 10 000 Ом

Світлова чутливість S:
Iф
S= .
Ф
Світловий потік Ф:
Iф 1 мА −5
Ф= = =5∙ 10 лм .
S 20 мА / лм
Відповідь:Ф=5∙ 10−5 лм .

Контрольне завдання №4
 Визначити напругу насичення «колектор-емітер» транзистора VT КТ315Г
при його включенні по схемі, наведеній на рис. 4.1, і даних Еж, R1, R2, Uвх,
приведених в табл. 4.1.

№ Uвх,(В)
Еж,(В) R1,(кОм) R2,(кОм)
варіанта
1 15 2 5 6
2 25 5 1 4
3 50 1 2 5
4 20 1 3 7
5 30 3 1 8
6 25 5 2 5
7 15 3 0,5 6
8 50 1 1,5 6
9 25 2 2,5 5
10 50 2 1 4
11 20 1 2,5 8
12 15 4 1,5 5
13 50 1 1,2 6
14 25 3 1,5 5
15 30 2 1,5 5
16 15 3 1 7
17 70 4 1 6
18 50 5 1 5
19 25 1 1,4 6
20 15 5 1 7

Розв’язання
Для транзистора КТ315Г опір насичення колектор-емітер дорівнює RКЕ(нас)
= 20 Ом;

Колекторний струм:
EЖ 50 B
IK= = =0,0 416 А=41,6 мА .
R2 12 00 Ом

Базовий струм:
 U ВХ 6B
I Б= = =0,00 6 А=6 мА .
R1 1 000 Ом

Згідно із першого закону Кірхгофа:

I Е =I K + I Б =41,6 мА +6 мА =47,6 мА .

Напруга насичення колектор-емітер:

U КЕ ( нас)=47,6 ∙10−3 A ∙ 20 Ом=0 , 952 В .

Відповідь: U КЕ ( нас)=0,952 В .

Контрольне завдання №5
Для схеми Дарлінгтона, заданої на рис. 5.1, знайдіть базовий струм ІБ
необхідний для її насичення, при умові даних UКЕ(нас),β1 ,β2 , Еж і Rк , які
приведені в табл.5.1.

Рис. 5.1
№ UКЕ(нас)(В) Rк)(Ом)
Еж,(В) β1 β2
варіанта
1 15 20 50 0,2 250
2 25 25 50 0,4 350
3 50 10 100 0,5 500
4 20 15 50 0,2 650
5 30 30 100 0,3 350
6 25 15 100 0,5 500
7 15 35 50 0,2 650
8 50 10 150 0,3 250
9 25 20 250 0,3 650
10 50 25 100 0,4 350
11 20 15 250 0,2 500
12 15 40 150 0,5 650
13 50 15 120 0,3 350
14 25 35 150 0,2 250
15 30 25 150 0,5 650
16 15 30 100 0,3 500
 17 70 40 150 0,2 250
18 50 50 150 0,5 650
19 25 10 140 0,4 500
20 15 55 150 0,2 350

Розв’язання
Базовий струм:
IK
I Б= .
βД

Колекторний струм:
Е ж−U KE (нас ) 50 В−0 ,3 В
IK= = =0 , 142 А=142 мА .
Rк 3 50Ом

Коефіцієнт підсилення транзисторів:

β Д = β1 ∙ β 2=15 ∙ 12 0=18 00.

Обчислимо базовий струм:

142 ∙10−3 А −5
I Б= =7 ,888 ∙ 10 А .
18 00

Відповідь: I Б=7,888∙ 10−5 А .

Контрольне завдання №6
В схемі приведеній на рис. 5.1 використовується звичайний
одноперехідний транзистор (ЗОПТ) VT. Розрахуйте період і частоту
коливань генератора, виконаного на ЗОПТ, де значення опору R1, С, Еж і η
наведені в табл.6.1. Під η розуміють власний коефіцієнт перемикання ЗОПТ,
який знаходять відношенням напруги на базі Б1 до напруги на базі Б2;
 Рис. 6.1
№ η
Еж,(В) R1,(кОм) C (мкФ)
варіанта
1 15 20 0,5 0,6
2 25 25 0,1 0,4
3 50 10 0,1 0,5
4 20 15 0,3 0,7
5 30 30 0,1 0,8
6 25 15 0,2 0,5
7 15 35 0,5 0,6
8 50 10 0,15 0,6
9 25 20 0,25 0,5
10 50 25 0,1 0,4
11 20 15 0,25 0,8
12 15 40 0,15 0,5
13 50 15 0,12 0,6
14 25 35 0,15 0,5
15 30 25 0,15 0,5
16 15 30 0,1 07
17 70 40 0,1 0,6
18 50 50 0,1 0,5
19 25 10 0,14 0,6
20 15 55 0,1 0,7

Розв’язання
Період коливань:

Т =RC ∙ ln
[ ]
1
1–η
3 −6
=15 ∙10 Ом ∙0,1 2 ∙10 Ф ∙ ln
[ 1
1– 0,6 ]
=1 , 6 мс.

Частота коливань:
1 1
f= = =625 Гц .
T 1,6 мс

Відповідь: Т =1,6 мс ; f =625 Гц .