ЛАБОРАТОРНА РОБОТА 2.

Тема: Транзисторний підсилювач з послідовним негативним зворотним

зв'язком.
Мета: Ознайомлення курсантів зі схемою включення біполярного
транзистора в режимі підсилювання. Розрахунки параметрів схеми.
План:
1. Теоретичні відомості.
2. Практичне завдання.
3. Приклад виконання.
4. Контрольні питання.
Відповідність вимогам IMO: IMO MODEL COURSE NO. 7.08 – 1.1.4 -
Electronics and power electronics: - knows parameters, properties and basic
applications of operational amplifiers

1. Теоретичні відомості
Типова схема транзисторного каскаду з загальним емітером, охопленого
послідовним негативним зворотним зв'язком (НЗЗ) по струму навантаження,
наведена на рис. 1. Цей зв'язок утворюється за рахунок введення в емітерний
ланцюг транзистора VT резистора RЕ. Струм емітера, протікаючи по резистору
Rе створює на ньому падіння напруги UНЗЗ=iЕRЕ. Ця напруга алгебраїчно
складається з вхідною напругою uвх, присутньої на резисторі подільника Rб2.
Сума напруг прикладається до емітерного переходу транзистора і, по суті, є
вхідною напругою каскаду. Зворотній зв'язок - негативний, тому що вхідна
напруга і напруга зворотного зв'язку спрямовані зустрічно.

Рис. 1 – Схема транзисторного каскаду

Введення резистора RЕ знижує загальний коефіцієнт посилення каскаду,

підвищує його вхідний і вихідний опору, розширює смугу підсилюючих частот
і знижує лінійні і нелінійні спотворення. Слід зазначити, що в реальних
підсилюючих каскадах підвищення вхідного опору дещо компенсує зниження
його загального коефіцієнта передачі за рахунок збільшення коефіцієнта
передачі вхідного дільника.
Коефіцієнт передачі каскаду (рис. 3.1), охопленого ланцюгом НЗЗ,
дорівнює

1
 KU K НЗЗ  KU K (1  KU K  bЗЗ ).
Для даної схеми bЗЗ може бути визначене в такий спосіб:
bЗЗ  U ЗЗ U вих  Rе I е RК I К .
Зазвичай через великого значення h21Э можна з достатньою точністю
вважати, що I е  I К . Тоді вираз для коефіцієнта передачі кола НЗЗ набуде
вигляду
bЗЗ  Rе RК .
Підставляючи bЗЗ у вираз для коефіцієнта передачі підсилювача з НЗЗ,
безпосередньо для транзисторного каскаду отримаємо
h21Э RK Rвх
KU K НЗЗ   h21Э RK Rвх  RЭ h21Э .
1  Rе h21Э RK RK Rвх 
Вхідний опір каскаду дорівнює
Rвх НЗЗ  Rвх 1  K U K  bЗЗ   Rвх 1  Rе h21Э RK RK Rвх   Rвх  Rе h21Э .
Можна записати вираз для коефіцієнта посилення всього каскаду
KU НЗЗ  KU K НЗЗ K ДЕЛ НЗЗ  h21Э RK Rвх  Rе h21Э  RБ ,
де RБ – еквівалентний опір подільника на резисторах RБ 1 і RБ 2 .
Вихідний опір каскаду дорівнює
Rвих НЗЗ  RК  Rе KUK  RK  Rе h21Э RK / Rвх  RK (1  Rе h21Э / Rвх ).
Розглянемо вплив введеного НЗЗ на стабільність струму спокою каскаду
на рис. 1. Основними причинами нестабільності струму колектора є зміна
температури навколишнього середовища, що викликає зміни напруги
емітерного переходу U БЕ початкового струму колектора I K 0 і коефіцієнта
передачі струму h21Э . Для сучасних кремнієвих транзисторів можна вважати, що
через малість абсолютного значення I K 0 впливом цього параметра можна
знехтувати. Тому обмежимося розглядом впливу на струм I K П тільки
температурних змін U БЕ і h21Э .
Як вже відомо, струм спокою транзистора пов'язаний зі струмом бази
співвідношенням
I K П  h21Э I Б П .
Переходячи в наведеному вираженні до приростам і використовуючи
відому з теорії кіл теорему про еквівалентний генератор можна записати
h ( R  RЕ )  h21Э I Б П U БЕ П 
I K П  21Э Б   .
RБ  (1  h21Э ) RЕ  h21Э RБ  RЕ 
h21Э ( RБ  RЕ )
Величину прийнято називати коефіцієнтом
RБ  (1  h21Э ) RЕ
нестабільності Si .
Мінімальний і максимальний струм покою транзистора визначаються
виразами

2
 I K П min  h21Э I Б П h21Э при RЭ  ;

I K П max  h21Э I Б П  h21Э U БЕ RБ при RЭ  0.
Слід зазначити, що отримані вирази фактично визначають мінімальне і
максимальне значення дрейфу нуля розглянутого каскаду.
З проведеного аналізу можна зробити два практичних висновки.
1) Введенням кола НЗЗ нестабільність значення I K П не може бути
зменшена нижче величини h21Э I Б П h21Э .
2) Знаючи вихідну і необхідну нестабільності струму покою транзистора
I K П , завжди можна знайти необхідну глибину НЗЗ (величину RЕ ), необхідну
для забезпечення заданих параметрів підсилювального каскаду.
У реальних схемах Si , зазвичай лежить в діапазоні 2...5. Тоді,
вважаючи h21Э  1 і h21Э  Si , можна отримати просте розрахункове
співвідношення
RБ  RЕ ( Si  1).

2. Практичне завдання
Розрахувати каскад на базі транзистора 2N780 з послідовним негативним
зворотним зв'язком по струму навантаження за умови отримання максимальної
неспотвореної амплітуди вихідної напруги якщо задано KU – коефіцієнт
підсилення каскаду; UП – напруга живлення; Тмін…Тмакс – температурний
діапазон, оС; RН – опір навантаження.
Схема транзисторного каскаду показана на рисунку 1, основні дані для
розрахунків наведено у таблиці 1 відповідно варіанту.

Таблиця 1 – Дані для розрахунків

Варіант KU UП, В Тмін, оС Тмакс, оС RН, кОм
1. 16 6 -50 55 16
2. 7 6 0 75 5
3. 8 7 0 70 6
4. 9 8 0 65 7
5. 10 9 -5 60 8
6. 11 10 -5 55 9
7. 12 11 -5 50 10
8. 13 12 -5 45 11
9. 14 13 -10 80 12
10. 15 14 -10 75 13
11. 6 15 -10 70 14
12. 7 16 -10 65 15
13. 8 17 -15 60 16
14. 9 18 -15 55 17
15. 10 19 -15 50 18

3
Варіант KU UП, В Тмін, оС Тмакс, оС RН, кОм
16. 11 20 -15 45 19
17. 12 21 -20 80 20
18. 13 22 -20 75 4
19. 14 23 -20 70 5
20. 15 24 -20 65 6
21. 6 25 -25 60 7
22. 7 24 -25 55 8
23. 8 23 -25 50 9
24. 9 22 -25 45 10
25. 10 21 -30 80 11
26. 11 20 -30 75 12
27. 12 19 -30 70 13
28. 13 18 -30 65 14
29. 14 17 -40 60 15
30. 15 16 -40 55 16
31. 7 15 -40 50 17
32. 8 14 -40 45 18
33. 9 13 -45 55 19
34. 10 12 -45 50 20
35. 11 11 -45 45 21
36. 12 10 -45 60 12
37. 13 9 -50 65 13
38. 14 8 -50 70 14
39. 15 7 -50 50 15
40. 6 5 0 80 4

3. Приклад виконання.
ЗАВДАННЯ
Розрахувати каскад на базі транзистора 2N780 з послідовним
негативним зворотним зв'язком по струму навантаження за умови отримання
максимальної неспотвореної амплітуди вихідної напруги якщо задано KU –
коефіцієнт підсилення каскаду; UП – напруга живлення; Тмін…Тмакс –
температурний діапазон, оС; RН – опір навантаження.
Схема транзисторного каскаду показана на рисунку 1, основні дані для
розрахунків наведено у таблиці 2 відповідно варіанту.

Таблиця 2 – Дані для розрахунків

Варіант KU UП, В Тмін, оС Тмакс, оС RН, кОм
40 6 5 0 80 4

РІШЕННЯ.
За першим законом Кірхгофа запишемо рівняння для точки «а»

4
 (U П  u вих ) / RK  i K  u вих / RH .
Задамо максимально допустимий струм колектора з умови
I K max  K зап I K max доп ,
де K зап  0,7...0,8 - коефіцієнт запасу по колекторному струму;
I K max доп - максимально допустимий колекторний струм транзистора.
За довідником I K max доп  30 мА , тоді
I K max  0,75  30  22,5 мА .
З виразу для коефіцієнта посилення всього каскаду визначимо
співвідношення RЕ та RК :
KU   h21Э RK Rвх  RЕ h21Э  RБ .
Враховуючи, що RБ  RЕ ( S i  1) , h21Э  1 та RЕ (h21Э  S i  1)  Rвх ,
KU   8 (відповідно за даними за варіанта), приблизно отримаємо
KU   RK / RЕ або RЕ  0,125 RK .
По струму I K max визначимо RK . У режимі насичення VT маємо:
I K max  (U П  U КЕ нас ) /( R K  RE ) ,
де U КЕ нас - напруга між виводами колектора і емітера транзистора VT
на межі насичення.
Приймаючі U КЕ нас  0,8 В , з урахуванням знайденого співвідношення
між RЕ та RK отримаємо
U П  U КЕ нас
RK 
(1  0,125) I K max
5  0,8
RK   0,166 кОм .
1,125  22,5  10  3
Приймаємо RK  0,17 кОм.
Знайдемо RЕ
RЕ  0,125  0,17  0,021кОм  21 Ом.
Знайдемо RБ із співвідношення RБ  RЕ ( Si  1), де приймаємо S i  3,5.
Тоді
RБ  21(3,5  1)  52.5 Ом  0,0525 кОм.
Уточнимо значення коефіцієнта посилення каскаду
KU   h21Э RK Rвх  RЕ h21Э  RБ ,
де h21Э  30 за довідковими даними транзистора 2N780.
KU   30  170 0,1  21  30  52.5  7.47.
Отримане значення K U  виявилося більше заданого.
Знайдемо мінімальне значення колекторного струму. Для забезпечення
мінімальних спотворень транзистор VT повинен працювати на лінійній
ділянці своєї вхідної ВАХ, при цьому I K min  h21Э  I Б min . Струм I Б min

5
повинен знаходитися на вхідний ВАХ транзистора. В даному випадку ця
характеристика відсутня, тому I K min знайдемо з умови I K min  I K max / 10 :
IK min  U П  0,1 /( RK  RE ),
I K min  5  0,1 /(170  21)  2,6 мА.
Визначимо мінімальну вихідну напругу
U вих min  I K max RE  U КЕ нас  [U П /( R K  RE )]R E  U КЕ нас ,
U вих min  5  21 /(170  21)  0,8  1,35 В.
Знайдемо максимальну вихідну напругу. Для цього скористаємося
виразом за першим законом Кірхгофа для точки «а»:
(U П  u вих ) / RK  i K  u вих / RH .
U вих max  (U П / R K  I K max )[ R K RH /( RK  R H ),
U вих max  (5 / 170  0.0225)[170  4000 /(170  4000)]  1.12 В.
Знайдемо параметри режиму спокою:
U вих СП  (U вих max  U вих min ) / 2 ,
U вих СП  (1.12  1.35) / 2  1.235 В;
IK CП  (U П  U вих СП ) / RK  U вих СП / RH ,
IK CП  (5  1.235) / 170  1.235 / 4000  21.8 мА;
I Б CП  I K CП / h21Э ,
I Б CП  21.8 / 30  0,726 мА.
Знайдемо температурні зміни колекторного струму:
 h21 Э U БЕ 
I K  S i  I Б СП  .
 h21 Э R  R 
 E Б 
dh 1
За довідковими даними на заданий транзистор  0,28 o ,
dT C
dU БЕ В
 2  10  3 о .
dT С
Значення I K визначимо для половини заданого температурного
діапазону.
 0,28  35 3
2  10  35 
I K  3,5 0,726    4.16 мА.
 30 0 .021  0 ,0525 
Знайдемо температурні зміни напруги спокою
U вих (T , o C )  I K [ RK RH /( RK  RH )],
U вих (T , oC )  2,72[0,3  6 /(0,3  6)]  0,78 В.
Визначимо максимально можливу амплітуду вихідної напруги
U max вих  (U вих max  U вих min ) / 2  U вих (T , o C ),
U max вих  (1.12  1,35) / 2  0,78  0.895 В.

6
 Визначимо параметри вхідного дільника. При цьому скористаємося
теоремою про еквівалентний генератор:
RБ  RБ1 RБ 2 /( RБ1  RБ 2 ),
U Б  R Е ( I K СП  I Б СП )  U БЕ 0  Rвх I Б СП ,
U Е  U Б  RБ I Б СП  U П RБ 2 /( RБ1  RБ 2 ),
 U U Е 
RБ U Е 1  П 
 U Е ,
RБ 2 
U П U Е
RБ1  RБ 2 [(U П  U Е ) / U Е ].
Виконаємо розрахунки:
U Б  21(0.0218  0.000726)  0,65  0,1  0,000726  1.12 В,
U Е  1.12  52.5  0.000726  1,15 В,
 5  1,15 
52.5  1,151  
 1,15 
RБ 2   68.1 Ом,
5  1,15
RБ1  68.1(5  1,15) / 1,15  228 Ом.

4. Контрольні питання.
1. Від яких параметрів залежить коефіцієнт посилення каскаду на
транзисторі, включеному за схемою з загальним емітером?
2. Які методи стабілізації режиму спокою Вам відомі?
3. Доведіть, що коефіцієнт посилення емітерного повторювача по
напрузі завжди менше одиниці.
4. Чому дорівнює вхідний опір емітерного повторювача?
5. Яка властивість біполярного і польового транзисторів
використовується при побудові схем генераторів струму?
6. Для чого призначена схема «струмового дзеркала»?
7. При виконанні яких умов вихідний струм схеми «струмового
дзеркала» дорівнює його вхідному струмі?