МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

Національний авіаційний університет

Кафедра автоматизації та енергоменеджменту

Лабораторна робота № 5

на тему: “ Дослідження біполярного транзистора”

Роботу виконав:
студент 314-ї групи АКФ
Палій Д.І

Перевірив:
С. В Єгоров

КИЇВ 2022
 Мета роботи: отримання та дослідження статичних і динамічних характеристик
біполярного транзистора.

Виконання роботи

1. Визначення статичного коефіцієнта передачі струму транзистора.

1.1. Зібрати схему, зображену на рис.5.9.

1.2. Включити схему. Записати результати виміру струму колектора, струму бази й
напруги колектор - емітер, при різних значеннях Еb, у табл.5.1. За отриманими
результатами підрахувати статичний коефіцієнт передачі транзистора βDС. Результат
записати в табл.5.1

Таблиця 5.1. Результати вимірювань

Напруга джерела ЕРС Еb,В 5,7 2,68 5
Струм бази транзистора Ib,А 0,05*10-3 0,02*10-3 0,043*10-3
Струм колектора Ik,А 8,9*10-3 3,34**10-3 7,62*10-3
Напруга колектор-эмитер Uke,В 10 10 10
 Статичний коефіцієнт передачі βDС 179 167 177

2. Вимір зворотного струму колектора.

2.1. Встановити номінал Ек рівним 10 В. На схемі рис. 5.9 змінити номінал джерела
ЕРС Eb до 0 В. Включити схему. Записати результати виміру струму колектора для
даних значень струму бази й напруги колектор-емітер у табл.5.2.

Таблиця 5.2. Результати вимірювань

Зворотний струм колектора Iко,А 0,011*10-9
Струм бази транзистора Ib,А 0,013*10-9
Напруга колектор-емітер Uke,В 10

3. Одержання вихідної характеристики транзистора в схемі з ЗЕ.

3.1. На схемі (рис. 5.9) провести виміри струму колектора Ik для кожного значення
Uk і Ub і заповнити таблицю 5.3. За даними таблиці побудувати сімейство графіків
залежностей f= Ik(Ek).

Таблиця 5.3. Результати вимірювань

Ec, B Eb = 1.66 B Eb = 3.68 B Eb = 5.7 B

Ic , mA Rout , Ом Rin , Ом Ic , mA Rout , Ом Rin , Ом Ic , mA Rout , Ом Rin , Ом

0.1 0,254 393 630 0,76 131 240 1,252 80 44

0.5 1,341 373 621 4,584 109 234 7,884 63 35

 1 1,35 740 1452 4,615 217 461 7,937 126 62

5 1,422 3516 7522 4,865 1027 2204 8,364 598 90

10 1,513 6609 1325 5,175 1932 3851 8,9 1123 150

20 1,695 11800 21055 5,794 3452 5631 9,972 2005 1100

Ік f= Ik(Ek)
12

10

0
0,1 0,5 1 5 10 20 Ek
Eb=1,66 Eb=3,68 Eb=5,7

4. Одержання вхідної характеристики транзистора в схемі з ЗЕ.

4.1. Зібрати схему, зображену на рис.5.9.

4.2. Установити значення напруги джерела Ек рівним 10 В і провести виміри

струмів бази Ib, напруги база-емітер Ube струму емітера Ie для різних значень напруги
джерела Еb відповідно до табл.5.5. Звернути увагу, що колекторний струм приблизно
дорівнює струмові в колі емітера.

Таблиця 5.5. Результати вимірювань

Ec, B Ib , A Ube , B Ik , A Ie , A rвх , Ом S , mA/B βAC

1.66 9.88*10-6 0.674 1,51*10-3 1,52*10-6 68218 0,0023 153
2.68 0.02*10-3 0.695 3.33*10-3 3.35*10-3 34750 0,0048 167
3.68 0.03*10-3 0.707 5.175*10-3 5.204*10-3 17675 0,007 173
4.68 0.04*10-3 0.715 7.03*10-3 7.065*10-3 17875 0,0099 176
5.7 0.05*10-3 0.722 8.9*10-3 8.95*10-3 14440 0,0123 178

Додаткове завдання

1.1. За даними табл. 5.5 побудувати графіки залежностей Ib=f(Ub) і Ic=f(Ub).

Іb Ib=f(Ub)
0,73

0,72

0,71

0,7

0,69

0,68

0,67

0,66

0,65
9,88*10-6 0,02*10-3 0,03*10-3 0,04*10-3 0,05*10-3 Ub
Ib=f(Ub)
 Іc Ic=f(Ub)
0,73

0,72

0,71

0,7

0,69

0,68

0,67

0,66

0,65
1,51*10-6 3,33*10-3 5,204*10-3 7,065*10-3 8,95*10-3 Ub
Ib=f(Ub)

1.2. Зібрати схему, зображену на рис.5.9.

1.3. Замалювати осцилограму вхідної характеристики транзистора,

дотримуючи масштабу.
 1.4. По вхідній характеристиці знайти опір rвх= 1239 Ом.

2. Динамічні характеристики

2.1. На графіках сімейств вихідних характеристик побудувати динамічну

характеристику. При Rн рівному 50, 55, 61 Ом.
 3. Висновки. У висновках відбити:

3.1. Від чого залежить струм колектора транзистора?

Колекторний струм транзистора залежить від базового струму зміщення. Резистор

спільно з транзисторами управляють базовим струмом. При збільшенні напруги на
колекторі транзистора збільшується струм, що протікає через резистор.

3.2. Чи залежить коефіцієнт βDС від струму колектора? Якщо так, то в якому
ступені? Обґрунтувати відповідь.

Так залежить. Оскільки коефіцієнт βDС – це статичний коефіцієнт передачі струму

який визначається як відношення струму колектора Ik до струму бази Ib:

3.3. Що таке струми витоку транзистора в режимі відсічення?

Струм через транзистор в режимі відсічення залежить від опору ланцюга емітер-
база, від потенціалу бази але відношенню до емітера, від температури переходу.

3.4. Що можна сказати по вихідних характеристиках про залежність струму

колектора від струму бази й напруги колектор-емітер?

Якщо збільшити струм бази, то це викликає збільшення струму колектора, то

падіння напруги на опорі Rн зросте й напруга, що залишилася на колекторі знизитися.

3.5. Чи однаково значення rвх у будь-якій крапці вхідної характеристики?

Диференціальний опір re переходу база-емітер для біполярного транзистора
порівнянне з диференціальним вхідним опором rвхоб транзистора в схемі із загальною
базою, яке визначається при фіксованому значенні напруги база-колектор. Воно може
бути знайдене як відношення збільшення до викликаного їх збільшенню струму
емітера:
 де rb - розподілений опір базової області напівпровідника, re - диференціальний
опір переходу база-емітер, що визначається з виразу: re = 25/Ie, де Ie - постійний струм
емітера в міліамперах. Перший доданок rb у виразі багато менше другого, тому їм
можна знехтувати: rвх = βAC re

3.6. Чи однаково значення re при будь-якому значенні струму емітера?

Диференціальний опір re переходу база-емітер для біполярного транзистора

порівнянне з диференціальним вхідним опором rвхоб транзистора в схемі із загальною
базою, яке визначається при фіксованому значенні напруги база-колектор. Воно може
бути знайдене як відношення збільшення до викликаного їх збільшенню струму
емітера:

Через параметри транзистора цей опір визначається виразом:

Першим доданком у виразі можна знехтувати, тому можна вважати, що

диференціальний опір переходу база-емітер приблизно рівно: