半導體元件與測試

A. 說明為何半導體電阻的量測在精準度要求較高的情況下必須用4端的Bridge結構.
1. 降低探針電阻的影響
➢ 半導體電阻的阻值通常很低，例如金屬線的阻值每平方公分小於 0.1 歐姆，因此探針電阻的影響就會相對較大。在
兩點探針量測中，電流的提供與電壓的量測共用同一根探針，這會導致探針電阻的影響。如果探針電阻較大，則會
對測量結果產生較大的誤差。
➢ 在 4 端探針量測中，電流的提供與電壓的量測使用不同的探針，因此可以有效降低探針電阻的影響。
2. 降低寄生電容的影響
➢ 半導體器件的寄生電容也會對測量結果產生影響。在兩點探針量測中，電流的提供與電壓的量測會產生感應電流，
從而增加寄生電容的影響。
➢ 在 4 端探針量測中，電流的提供與電壓的量測使用不同的探針，因此可以有效降低寄生電容的影響。
3. 降低測量誤差的來源
➢ 在兩點探針量測中，測量誤差的來源包括探針電阻、寄生電容、接觸電阻、測量電流等因素。這些因素都會對測量
結果產生影響，因此會降低測量的精準度。
➢ 在 4 端探針量測中，可以有效降低探針電阻、寄生電容的影響，因此可以降低測量誤差的來源，提高測量的精準度。
綜合上述敘述，在精準度要求較高的情況下，使用 4 端探針量測可以有效降低探針電阻、寄生電容的影響，從而提高測量的
精準度。此外，半導體電阻的阻值通常很低，因此在兩點探針量測中，電流的流動會產生較大的壓降，這也會降低測量的準
確度。在 4 端探針量測中，電流的流動只會在測量電阻的兩個端子之間發生，因此可以降低壓降的影響。因此，在精準度要
求較高的情況下，使用 4 端探針量測是測量半導體電阻的最佳方法。
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B. 試就自己瞭解或課堂講解列出有哪些半導體的測試鍵以及如何利用其特性分析製程中參數變異
製程控制監控 (PCM) 測試結構：
PCM 測試結構專門設計用於監控基本製程步驟的穩定性，它們通常包括以下測量：
1. Resistor：電阻是半導體器件中的重要特性之一，它會影響器件的性能和可靠性。電阻的大小取決於導電材料的特性和尺
寸。在半導體測試中，電阻通常用於測量導電線和晶體管的電阻。
➢ 在半導體製造過程中，電阻的變化可以反映線寬、摻雜濃度或厚度的變化。 例如，如果線寬變窄，則會導致電阻增
加；如果摻雜濃度降低，則會導致電阻增加；如果厚度增加，則會導致電阻增加。
➢ 電阻的測量可以用於檢測和控制半導體製造過程中的工藝穩定性。 例如，如果電阻的變化超出允許範圍，則可能表
明工藝存在偏差，需要採取措施進行調整。
2. Capacitor：測量各層的電容，包括多晶矽、金屬-金屬和閘極氧化物 (GOX) 或隧道氧化物 (TOX) 厚度。
➢ 在半導體製造過程中，電容的變化可以反映介電層厚度或介電常數的變化。 例如，如果介電層厚度增加，則會導致
電容增加；如果介電常數降低，則會導致電容減少。
➢ 電容的測量可以用於檢測和控制半導體製造過程中的工藝穩定性。 例如，如果電容的變化超出允許範圍，則可能表
明工藝存在偏差，需要採取措施進行調整。
3. Continuity：評估不同層的電氣連接性和隔離性，確保電路功能正常。
➢ 在半導體製造過程中，連續性是指導電線和晶體管之間的電氣連接是否良好。 連續性不良會導致器件失效。
➢ 連續性的測量可以用於檢測和控制半導體製造過程中的工藝穩定性。 例如，如果連續性的測試結果不合格，則可能
表明工藝存在偏差，需要採取措施進行調整。
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4. Isolation：評估不同層的電氣連接性和隔離性，確保電路功能正常。
➢ 在半導體製造過程中，隔離是指不同器件之間的電氣隔離是否良好。 隔離不良會導致器件之間的干擾。
➢ 隔離的測量可以用於檢測和控制半導體製造過程中的工藝穩定性。 例如，如果隔離的測試結果不合格，則可能表明
工藝存在偏差，需要採取措施進行調整。
5. Leakage：評估通過各種接面和介電層的漏電流，指示潛在缺陷或製程變化。
➢ 在半導體製造過程中，漏電流是指通過半導體器件中的結或介電層的電流。 漏電流會導致功耗增加和器件可靠性降
低。
➢ 漏電流的測量可以用於檢測和控制半導體製造過程中的工藝穩定性。 例如，如果漏電流的測試結果超出允許範圍，
則可能表明工藝存在偏差，需要採取措施進行調整。
6. MOSFET 參數：監控電晶體的關鍵電氣參數，例如閾值電壓 (Vth)、飽和電壓 (Vtsat)、跨導 (gm)、汲極飽和電流 (Idsat)、
斷態電流 (Ioff) 和電壓擺幅。
➢ MOSFET是半導體器件中最重要的一種，它是許多電子產品的核心組件。 MOSFET的性能和可靠性取決於其關鍵參
數的穩定性。
➢ MOSFET 參數的測量可以用於檢測和控制半導體製造過程中的工藝穩定性。 例如，如果 MOSFET 參數的測試結果
超出允許範圍，則可能表明工藝存在偏差，需要採取措施進行調整。
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In-line 監測測試結構：
線上監控測試結構提供晶圓製造過程中製程參數的即時回饋。它們通常位於生產線內的戰略點，以及時檢測和糾正製程偏差。
範例包括：
1. 膜厚分析儀 (FTA)：膜厚分析儀 (FTA) 是一種線上監測儀，用於測量氧化、沉積、化學機械拋光 (CMP) 和蝕刻製程後介電
層的厚度。它使用光學方法（例如 OP2600、OP3260 或 FEVII）來測量介電層的厚度。
➢ FTA 的焊盤尺寸應至少為 100μm x 100μm。請注意，FTA 的蝕刻速率可能與 CT 或通孔蝕刻製程中小孔的蝕刻速率
不同。因此，FTA 蝕刻速率和小孔蝕刻速率之間需要相關性。此外，Si 溝槽蝕刻無法使用 FTA 進行監控，因此需要
在 STI 處進行階梯測量。
➢ 需要注意的是，FTA 在測量小孔的厚度時，可能會與小孔的蝕刻速率不匹配。因此，需要在 FTA 測試結果與小孔蝕
刻速率之間建立相關性。此外，FTA 無法測量 Si 溝槽的厚度，需要使用 STI 步測來進行測量。
2. SIMS and SRP ： 二次離子質譜 (SIMS) 和擴散電阻分佈 (SRP) 是兩種類型的線上監測器，用於測量半導體裝置中摻雜劑
濃度的深度分佈。
➢ SRP用於低濃度（<1E17 cm-3）分析，但它無法區分摻雜劑類型（僅識別n或p類型）。SIMS 用於淺層和高濃度分
析，檢測極限為 1E16 cm-3。SIMS 的檢測極限取決於摻雜劑類型。
➢ SIMS 和 SRP 的焊盤尺寸為 500μm x 500μm。所有焊盤應放置在一列中，以便僅在一個 SRP 樣品中同時測量所有
焊盤。
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3. SEM/TEM BAR : 是一組重複的圖案，用於線上和離線檢查。線上檢測用於監控關鍵尺寸 (CD)，而離線檢測用於監控 CD、
輪廓和過蝕刻。SEM/TEM bar也用於展示更小尺寸的新技術。
➢ 以下是 SEM/TEM bar 的一些設計指南：
• 該條應包含具有不同尺寸和密度的重複線/空間和 CT/通孔圖案。
• 用於製備 X 截面樣品時，條的長度應大於 2000μm。
• 對於孔圖案，每列應與其相鄰列平行地稍微移動。
• 請勿將所有 SEM/TEM 棒放置在遮罩的同一部分，因為這可能會導致 CMP 問題。
• 不要讓尺寸偏離最小設計規則太多，因為這可能導致 PR 塌陷、間隙填充失敗和金屬填充失敗等問題。
➢ 此外，避免在 SEM/TEM 條中包含任何奇怪的結構，因為這可能會導致強大的局部應力