National Sun Yat-sen University

EXPERIMENT OF MEMS FABRICATION PROCESS

微機電製程實務

製程實驗報告-4

授課教授：潘正堂 教授

組別：第 1 組

姓名：B113025001 楊庭溢

實驗日期：113/03/29
一、實驗參數與操作流程 (可加入操作實驗時之照片以及機台(設備)照片，以及
實驗注意事項)
1. 晶元清洗
進行微影之前晶元可能會有一些有機污染物(光阻、蝕刻的副產品、細菌、操作
人員的皮屑)和無機污染物,而清洗過後可以幫助光阻在晶元上有較好的附著
力。
先使用丙酮(比酒精更強的清潔劑),再用蒸餾水清洗,一定要將丙酮清洗乾淨。
2. 晶元加熱
將晶元放於加熱平臺上,將水分烤乾,用 100℃考六十秒。
因為較差的附著會導致光阻的圖案失效,若水分沒考乾,可能會導致後續蝕刻的
結果不良。
將水分烤乾後,記得將晶元放在一旁冷卻六十秒到室溫。因為若晶元溫度與室溫
存有溫差,可能會導致後續在光阻塗布時,會因為熱脹冷縮導致光阻塗布分佈的
不平均。
3. 光阻塗布
在實作時,將晶元放在塗布機時,記得放在旋轉塗布機吸盤的正中間,然後在添加
光阻時,記得平穩的滴在正中間(十塊到五十塊大小)。
先以每秒 400 轉旋轉 15 秒,再以每秒 1600 轉旋轉 45 秒。
啟動旋轉塗布機前,記得先將蓋子蓋上,接著按電源鍵,再按一個橘色的按鈕(控
制吸盤),然後手壓著蓋子按啟動鍵,若有突發狀況可以按左手邊的緊急停鈕。
4. 軟烘烤
將晶元放在加熱平臺上，用 100℃烤 60 秒。
此舉目的主要是將多餘的光阻劑蒸發，並強化光阻塗層的結構。
結束後放置桌面冷卻 60 秒。
5. 曝光
將晶元放在接觸式曝光系統裡，並將光阻片平平放在光阻層上。
接著給它曝光 60 秒。
接著軟烤 60 秒加固。
再冷卻 60 秒。
6. 顯影
將晶元放在顯影劑裡面（1:3），讓圖案顯形。
7.硬烘烤
將晶元片放在加熱平臺上，用 120℃烤 2 分鐘。
二、實驗結果 (量測後之尺寸、成品照片等)

三、實驗結果討論 (針對本實驗的過程、結果及發現的問題或困難，做一詳盡的
討論)
這次的實驗結果相較上次成功很多，我們認為在顯影劑濃度比上次低卻仍可以顯
影出如此清楚的圖像可能是因為我們拉長了塗布機的時間，讓多餘的光阻都清除
掉。
四、實驗心得 (至少 100 字)
這次我們的實驗成功很多，雖然因為是時段的最後一組導致收尾工作又差點來不
及做完，但是最後有驚無險。關於最後成果的成功我覺得除了顯影劑的問題外，
有可能是因為我們拉長了塗布機的時間，讓多餘的光阻和溶劑都去除了，才有如
此成功。不然沒道理在顯影劑濃度變小下，反而這次成功了。
五、補充資訊與問題討論 (如有收集資料或任何問題都可記錄討論)
1. 解釋四種對準與曝光系統
(1)接觸式:
70 年代中期前被使用
解析度為次微米
光罩與晶圓直接接觸而會限制光罩的壽命
會產生微粒
(2)鄰接式
光罩距離光阻 10μm ~ 20μm
不直接接觸元件
光罩壽命較長
解析度：> 3μm
(3)投影式
像高射投影機一般
影像以 1：1 比例聚焦於晶圓上
最小圖形尺寸可達 1μm
(4)步近機
在後階段的 IC 製程被廣泛利用的微影技術設備
高解析度使得縮小圖形尺寸
小至 0.25 μm 甚至更小
非常昂貴
2. 解釋成品要求條件中的：解析度、良率與關鍵大小。
(1)解析度:圖案清晰，如日常生活中常提到的畫質。解析度越高，圖案顯影的
就越清晰。
(2)良率:製程中所製造出的成品有多少比例是達到要求可以使用的。
(3)關鍵大小: 表面上不合規格的事物,如刮痕、針孔、瑕疵、污染物