EVROPSKI UNIVERZITET U BRČKOM

TEHNIČKI FAKULTET
Odsjek: Inženjerska informatika

SEMINARSKI RAD
Tema: OSOBINE PIN – PREKIDAČA I RF- MEMS PREKIDAČA

STUDENT: PROFESOR:
Hasanović Fuad Prof.dr. Halid Žigić

Brčko, 2014.
1. Uvod

Rekonfigurabilne antene postoje mnogo godina. Uživaju bogatu i raznoliku povijest inovacija i izvedbi.
Rekonfigurabilnosti antena se postiže pomoću posebnih elemenata koji se zovu prekidači. Najčešće vrste
prekidača koji se koriste su prekidači s PIN-diodama i RF-MEMS prekidači.
U seminarskom radu su opisani upravo ti pokazivači. Govori se o osnovim karakteristikama prekidača,
njihovim svojstima i upotrebi. Pokazane su sličnosti rada tih pokazivača te njihova usporedba.

2. PIN dioda
PIN dioda je dioda koja se sastoji od poluvodiča p i n tipa, koji su odvojeni slojem gotovo intrinsičnog
poluvodiča. PIN dioda je zamišljena kao poboljšanje poluvodičke diode.
PIN dioda sadrži jako dopirani p tip i jako dopiran n tip poluvodiča. U idealnim uvjetima sloj između p i n tipa
poluvodiča trebao bi intrinsičan što znaći apsolutno bez primjesa. Naravno u praksi je to nemoguće ostvariti
pa je i sloj uvijek blago dopiran i može biti p ili n tipa. Takav sloj se zove π ili ν sloj, iako se u literaturi i u praksi
također vrlo često naziva intrinsični i sloj. U idealnom slučaju i sloj je potpuno bez nosilaca naboja. U
praktičnom slučaju se π sloj treba očistiti od slobodnih nosilaca, odnosno povećavanjem napona,
osiromašeno područje postaje šire sve dok se ne dostigne napon da je π sloj očišćen
U slučaju da je π sloj potpuno očišćen postizanjem reverznog napona, PIN-dioda se ponaša kao kapacitet. Taj
kapacitet je konstantan i ovisi samo o geometriji tog sloja. Takva PIN-dioda se zove reverzno polarizirana PIN-
dioda.
U propusno polaliziranoj PIN-diodi se PIN-dioda ponaša kao promjenjivi linearni otpornik. Takva dioda se
dobije povećanjem napona od vrijednosti 0 V prema većim vrijednostima. Započinje znatna injekcija nosilaca
u π sloj. Elektroni su injektirani iz n strane, a šupljine iz p strane. Injekcija rezultira koncentracijom nosilaca
naboja većom od ravnotežne. Vremena života elektrona i šupljina u π sloju je relativno velika te taj sloj ubrzo
postaje preplavljen nosiocima. To ga čini vrlo malim otporom.
Volumne PIN-diode su pločice vrlo čistog (intrinsičnog) silicija koja je jako dopirana s gornje i donje strane
kako bi se stvorili p i n sloj. Rezultat je PIN-dioda s vrlo debelim i vrlo čistim π slojem.
3. RF-MEMS prekidači

RF- MEMS sustav (eng. radiofrenquency microelectromechanical systems) je mikroelektromehanički sustav za radiofrekvencijske primjene. Mikroelektomehanički sustav je definiran kao minijaturni uređaj ili skup minijaturnih uređaja koji sadrđe električne i mehaničke komponente, a
proizvedeni su tehnologijom izrade integriranih krugova. Mikroelektromehanički sustavi su slični sustavima vrlo visokog stupnja integracije (eng. very large scale of integration, VSLI) u smislu da omogućuju izvedbu kompleksnih operacija uz dimenzije i utrošak energije nekoliko redova veličina
manje od ekvivalenata izrađenim diskretnim komponentama. Ova tehnologija dodatno omogućuje minijaturizaciju senzora i pretvornika mehaničke u električnu veličinu. RF-MEMS sustavi ne predstavljaju mikroelektromehaničke senzore koji operiraju na radijskim frekvencijama.
RF-MEMS prekidači su se počeli pojavljivati u ranim devedesetim godinama prošlog stoljeća. Nameće se kao superiorni elementi za postizanje rekonfigurabilnosti antena i općenito rekonfugurabilnosti RF-sustava.
Dva osnovna načina izvedbe RF MEMS-prekidača su SPST serijski i paralelni
prekidač. Uobičajene mehaničke strukture su jezičac (eng. cantilever) i most
(membrana), prikazani shematski na slici 1.
Tipovi kontakta koji su u primjeni kod RF MEMS-prekidača su otporni (metal-metal) i kapacitivni (metal-dielektrik-metal) kontakt. Na slici
1.a) vidljivo je da prekidač izveden kao jezičac, kontakt ostvaruje direktnim spojem metal-metal, jer jezičac u donjem položaju
premošćuje prekid mikrotrakaste linije naliježući izravno na nju. Također, evidentna je serijska konfiguracija prekidača na slici 1.a). Za
razliku od jezičca, paralelni mosni prekidačna slici 1.b) kapacitivan je, jer se kontakt između metalne trake (mosta), koja je galvanski
spojena na referentne vodiče koplanarne linije, ostvaruje s donjom elektrodom (centralni vodičkoplanarne linije) preko sloja silicij-
nitrida.
Do danas je istraženo nekoliko varijanti RF MEMS-prekidača, ali se dva tipa posebno ističu zbog toga što ih je razvijao veći broj svjetskih
relevantnih istraživačkih centara. To su:
a) serijski SPST prekidačs otpornim kontaktom;
b) paralelni SPST prekidačs kapacitivnim kontaktom u obliku mosta
(membrane).

Na slici 2. je prikazana fotografija SPTS serijskog prekidača s optornim kontaktom razvijenog u Hughes Research Laboratories. U
ovom primjeru je jezičak napravljen od dielektričnog materijala. Slika 3. prikazuje rezultate mjerenja na HRL serijskom SPTS
prekidaču.
• Slika 3. Rezultati mjerenja SPTS serijskog prekidača s otpornim kontaktom : a) prekidač ukljucen; b) prekidač isključen.
• Slika 3.a) pokazuje da su uneseni gubici manji od 0,1 dB na frekvenciji od 5 GHz i rastu do otprilike 0,25 dB na
frekvenciji 40 GHz. Iz slike 18.b) se može očitati izolacija koja je bolja od 40 dB na frekvenciji 1 GHz i kvari sedo vrijednosti
oko 20 dB na 40 GHz.
• Na slici 4. prikazan je paralelni SPTS prekidač s kapacitivnim kontaktom razvijen u Rayhteon/TI.4
 Slika 5. Rezultati mjerenja SPTS paralelnog prekidača s kapacitivnim kontaktom (Raytheon).

Na slici 5. su prikazani rezultati mjerenja na Raytheonovom prekidaču. Kad je prekidačuključen (membrana u gornjem položaju),
frekvencijska karakteristika unesenih gubitaka slična je onoj kod HRL-prekidača. Uneseni gubici se mijenjaju od 0,1 dB na
frekvenciji 1 GHz do 0,3 dB na frekvenciji 40 GHz. Frekvencijska karakteristika izolacijekapacitivnog prekidača se naprotiv veoma
razlikuje od one kod otpornog prekidača (slika 3.b)
4.Usporedba RF-prekidača

• Postoji nekoliko kriterija pomoću kojih se uspoređuju prekidači izvedeni PIN-diodom i RF-MEMS prekidači. Kriteriji su:
• 1) frekvencijsko područje rada prekidača, uneseni gubici i izolacija;
• 2) istosmjerno napajanje prekidača i potrošnja električne enegrije;
• 3) pouzdanost;
• 4) linearnost;
• 5) brzina;
• 6) cijena

• 4.1. Frekvencijsko područje rada prekidača, uneseni gubici i izolacija

• Uneseni gubici i izolacija su od presudne važnosti u mnogim primjenama(npr. utjecanje na parametre antena, poglavita
učinkovitost zračenja i dobitak antene, neželjena visoka razina ortogonalne polarizacije kod antena s rekonfigurabilnom
polarizacijom itd.).
• RF-MEMS prekidači načelno imaju manje unesene gubitke i veću izolaciju u odnosu na poluvodičke prekidače(eng. solid
state switches) izvedene PIN-diodom. Također imaju najveće frenkvencijsko radno pordučje koje se proteže od 0 Hz
(prekidač s otpornim kontaktom) pa do 100 GHz. PIN-diode imaju donju graničnu frekvenciju, ispod koje više ne rade
kao linearni elementi, porastom frekvencije karakteristike im se degradiraju zbog kapaciteta osiromašenog sloja i zbog
induktiviteta izvoda. Upotrebljive su do milimetarskog valnog područja (>50 GHz ).
 Slika 6.
Frekvencijska
karakteristika
izolacije PIN-
prekidača

Slika 7.
Frekvencijska
karakteristika
unesenih
gubitaka PIN-
prekidača
4.2. Istosmjerno napajanje prekidača i potrošnja elektične energije

Po ovom pitanju PIN-diode imaju nepovoljne značajke. Zahtijevaju za svoj radi istosmjerne struje reda veličine 50 mA. To
postaje značajan problem opskrbe električnom energijom u sustavima koji sadrže preko stotinu takvih prekidača (npr. moblinim
sustavi ili svemirke aplikacije). Za napajanje je potrebna mreža koja se često sastoji od relativno skupih prigušnica i kondenzatora, koja
će nužno i pokvariti unesene gubitke i izolaciju prekidača. Također prigušnica mora imati visoku vlastitu rezonantnu frekvenciju da
omogući rad prekidača u širokom pojasu frekvencija. Elementi mreže za istosmjerno napajanje mogu znanto promijeniti
karakteristike zračenja rekonfigurabilne antene koja koristi PIN-diodu kao prekidače.

RF-MEMS prekidači su naponski upravljani uređaji i istosmjerna struja upravljanja u stacionarnom stanju im je jednaka nuli.
Troše jako malu enegriju prilikom prekapčanja i to im je velika prenost u odnosu na PIN-diode. Ovakav način upravljanja dopušta
enentualno razdvajanje RF i DC signala otpornicima velike vrijednosti, što naravno nije moguće kod PIN-dioda jer bi pad napona na
otpornicima bio prevelik. Naime kod nekih izvedbi RF-MEMS prekidača kod kojih nije kontrolna elektroda odvojena od RF-dijela
mreže, mogu se koristit kao linije s velikim gušenjem(naravno osim otpornika). Dodatna prednost takvog rješenja je što će
karakteristike zračenja rekonfigurabilne antene biti minimalno rarušene mrežom za napajanje

4.3. Pouzdanost

PIN prekidači imaju praktički neograničeno vrijeme života i zbog toga su jako pouzdani. RF-MEMS prekidači, zbog svoji
mehaničkih pomičnih dijelova, pojave topljenja elektroda na mjestu kontakta i tuneliranja naboja imaju znatno skromnije
vrijeme života i stoga su prikladni za aplikacije u kojima učestalnost prekapčanja nije velika. Međutim u posljednje vrijeme je
pouzdanost RF-MEMS prekidača znatno porasla što im bitno povećava područje moguće primjene.

4.4. Linearnost

Zbog inheretnog linearnog kontakta, RF-MEMS prekidači generiraju mnogo manja, često nemjerljiva, harmonička i
intermodulacijska izobličenja u odnosu na prekidače izvedene PIN-diodama. Ta činjenica ih čini potencijalnim kandidatima za
prekidače u širokopojasnim sustavima koji imaju veliku dinamiku.
• 4.5. Brzina
•
• RF-MEMS prekidači su zbog mehaničkog principa prekapčanja dva do tri reda veličine sporiji od
prekidača izvedeni PIN diodama. Zbog nepostojanja pn spoja, a i time nepostojanja akumulacije
naboja, RF-MEMS prekidači su brži od prekidača izvedeni PIN-diodama.
•
• 4.6. Cijena
•
• Cijena RF-MEMS prekidača je potencijalno nešto niža od cijene PIN. Razlog je što PIN i RF-MEMS
prekidači se proizvode sličnom tehnologijom, a to je proizvodnja velikog broja prekidača istovremeno
na jednoj poluvodičkoj pločici (eng. semiconductor batch processing). No postoji i problem. Problem
RF-MEMS prekidača je pakiranje u kućište, koje je nužno da se zaštiti predikidač od vanjskih utjecaja, a
da se pritom kvaliteta ne naruši. Cijena kučišta iznosi čak 70-80% cijene cijelog RF-MEMS prekidača.
Visoka cijena kučišta je zato sto se kučišta proizvode pojedinačno, a ne odjednom na razini
poluvodičke pločice (eng. water level). Kao rješenje ovog problema predložena je nova tehnologija
pakiranja, kompatibilna s proizvodnjom samog RF-MEMS prekidača. Tehnologija se zove eng. water
level microencapsulation (WLµE), odnosno kučišta se grade istovremeno kad i sami prekidači, na razini
poluvodičke pločice. Gubici takvog lkučišta su ispod 0,1 dB do frekvencije 110 GHz.
• 5. Zaključak

• U današnjim antenama za rekonfigurabilnosti antena su u uporabi i PIN prekidači i RF-MEMS prekidači. RF-MEMS
prekidači su novija tehnologija i na više područja usporedbe pokazuju daleko bolje rezultate nego PIN prekidači. Iako u
nekim stvarima PIN prekidači su bolji od RF-MEMS prekidača, svakim danom MEMS tehnologija se unapređuje i pokušava
iskorijeniti ulogu PIN dioda kao prekidača. PIN prekidači pokazuju prednosti na području linearnosti i cijeni kompletnog
prekidača. RF-MEMS prekidači na svim ostalim područjima pokazuju znatnu prednost, a najvažnije su veća pouzdanost,
manji gubici, veća izolacija, najveće radno frekvencijsko područje, brzinu ...
• 6.Literatura

• - Tomislav Debogović, „Višefunkcijske antene za pokretne komunikacije“, Magistarski rad, Fakultet elektrotehnike i
računarstva, Zagreb, 2009.
• - Z.Prijić. T.Pešić, „Osnove mikroelektronike“ Elektronski fakultet Niš
• Katedra za mikroelektroniku Predavanja 2006.