Chapter 3

Diyod ve Diyod Devreleri

Microelectronic Circuit Design

Richard C. Jaeger
Travis N. Blalock

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -1

McGraw-Hill
 Bölümün Hedefi
• Diyod yapısını anlamak
• pn jonksiyonu
• Diyodun matematiksel, ideal ve sabit gerilim düşümlü modeli
• Diyodun SPICE modeli
• Diyodunn çalışma bölgeleri (ileri yönde kutuplama, ters yönde
kutuplama....)
• Devrelerde çeşitli diyod modellerinin uygulanması
• Diyod çeşitleri
• Diyodun dinamik anahtar yeteneği
• Diyod uygulamaları

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -2

McGraw-Hill
 Diyod a Giriş

• Diyod n-tipi ve p-tipi

yarıiletkenin birleşmesinden
oluşur.
• pn jonksiyonu n ve p
bölgeleri arasında arayüz
oluşturur.

Diyod sembolü

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -3

McGraw-Hill
 pn Jonksiyon Elektrostatiği

Jonksiyondaki Donör ve akseptör

konsantrasyonu. Konsantrasyon
değişimi difüzyon akımına sebep
olur.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -4

McGraw-Hill
pn jonksiyonundaki boşluk yük bölgesi
oluşumu

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -6

McGraw-Hill
 Jonksiyon boyunca potansiyel

Yük yoğunluğu Elektrik alan Potansiyel

N N  kT
 j    E(x)dx  VT ln 2 , VT 
A D
 n i  q

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -7

McGraw-Hill
 Azalma Bölmesi-(Width of Depletion
Region)
Bir önceki bağıntıyı kullanarak, boşluk-yük bölgesi ya da azalma
(tükenme) bölgesi oluşturulur. Jonksiyonun her bölgesindeki
katkılama atomları, deliklerin fazlalığı ve elektronların azalması
sebebiyle dir ve azalma bölgesi olarak isimlendirilir.

2 s  1 1 
w d 0  (x n  x p )     j
q N A N D 

 Microelectronic Circuit Design Chap 3 -8

McGraw-Hill
 Azalma bölgesi genişliği (Örnek)

Problem: Verilen diyod için oluşma potansiyelini ve azalma bölgesi

genişliğini bulunuz.
Verilen veri:On p-type side: NA = 1017/cm3 on n-type side: ND = 1020/cm3
Varsayım: Oda sıcaklığı için VT = 0.025 V
Analiz:  N AND   
 1017 /cm3 10 20 /cm3
 j  VT ln 2   (0.025 V) ln 
  0.979 V
 n 
 i   1020 /cm6 

2 s  1 1


w  q     0.113m
d0 N N  j
 A D

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -9

McGraw-Hill
 Diyod da elektrik alan (Örnek)
• Problem: Verilen diyod için elektrik alanı ve pn jonksiyonun her
bölgesi için azalma bölgelerini bulunuz. (Find the electric field and size of the
individual depletion layers on either side of a pn junction for a given diode)
• Given data: p-tipi bölge: NA = 1017/cm3 , n-tipi bölge: ND = 1020/cm3
bir önceki örnekten,
 j  0.979 V wd0  0.113 m
• Assumptions: Room-temperature operation
• Analysis: 
 N D   N A 
wd 0  xn  x p  xn 1
  N A   x p 1 N D 
 

wd 0 wd 0
xn  1.1310-4 m x p   0.113 m
 N   N 
1 D  1 A 
 N   N 
 A   D 
2
EMAX  w j  2(0.979V ) 173 kV/cm
d0 0.113m

Microelectronic Circuit Design Chap 3 - 10

McGraw-Hill
 Diyodun iç akımların
(Internal Diode Currents)
Matematiksel olarak bölüm 2’de bulunduğu gibi hiç bir dış bağlantı
yokken toplam akım 0’dır.

n
j nT q n nE  qDn =0
x
T p
j p  q p pE  qD p =0
x
Dışarıdan bir kutuplama gerilimi uygulandığı zaman yukarıdaki
denklemler 0 değildir.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -11
McGraw-Hill
Farklı gerilimler için diyod jonksiyon
potansiyeli

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -12

McGraw-Hill
 Diyod i-v Karakteristikleri

Açma gerilimi (turn-on voltage )akım akmaya başladığı noktayı.

Is ters doyma akımıdır.
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -13
McGraw-Hill
 Diyod denklemi

 qv D     v  
i D  I S exp  1 I S exp D  1
 nkT    nVT  

IS = ters doyma akımı (A)

vD = diyoda uygulana gerilim (V)
 q = elektronun yükü (1.60 x 10-19 C)
k = Boltzmann sabiti (1.38 x 10-23 J/K)
T = mutlak sıcaklık
n = idealsizlik çarpanı (boyutsuz)
VT = kT/q = termal gerilim (V) (25 mV oda sıcaklığında.)

IS tipik olarak 10-18 ila 10-9 A arasındadır ve sıcaklığa ni2.’ye bağlı olduğu için
bağımlıdır. idealsizlik çarpanı tipik olarak 1 dir ama yüksek akımlı elemanlarda 2
olabilir. Burada 1 alınacaktır.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -14

McGraw-Hill
 Diyod gerilimi ve akım hesaplamaları
(örnek)
Problem: Aşağıda verilenler için diyod gerilimini hesaplayınız.
Verilenler: IS = 0.1 fA, ID = 300 A
Varsayımlar: Oda sıcaklığında VT = 0.025 V
Analiz:
I D 
 -4
VD  nVT ln 1  1(0.025V ) ln(1 310 A)  0.718 V

IS = 0.1 fA için 
I S 

 10-16 A

VD  0.603V
IS = 10 fA için


VD  0.748V
ID = 1 mA, IS = 0.1 fA

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -15
McGraw-Hill
 Ters, ileri ve sıfır kutuplama için diyod
akımları

• Ters kutuplama:   v  
iD  IS exp D 1 IS 0 1  IS
 nVT  
• Sıfır kutuplama:
  v  
iD  IS exp D 1 IS 11  0
 nVT  
• İleri
yönde kutuplama :
  v    v D 
iD  IS exp D
1 IS exp 
  nVT   nVT 

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -16

McGraw-Hill
IS ve diyod akımı karakteristiği

I S [ A]  10I S [B]  100I S [C ]


Microelectronic Circuit Design Chap 3 -17
McGraw-Hill
 Diyod akım-gerilim değişimi

İleri yönde kutupklama için diyod akımı:

v  v 
iD1  I S exp D1  iD 2  I S exp D 2 
 nVT   nVT 
İki akımı oranlarsak

iD 2 v v 
 exp D 2 D1 
iD1  nVT 

Böylece
i 
v D  v D 2  v D1  nVT ln D 2 
 i D1 

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -19

McGraw-Hill
 Ters kutuplama
External reverse bias adds to the built-in potential of the pn
junction. The shaded regions below illustrate the increase in the
characteristics of the space charge region due to an externally
applied reverse bias, vD.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -20

McGraw-Hill
 Ters kutuplama(devam)
External reverse bias also increases the width of the depletion
region since the larger electric field must be supported by
additional charge.
2 s  1 1 
w d  (x n  x p )   
q N A N D 

 j  v R 
vR
wd  wd 0 1
j


2 s  1 1 
where w d 0  (x n  x p )     j
 q N A N D 

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -21

McGraw-Hill
 Ters kutuplama doyma akımı
We earlier assumed that the reverse saturation current was constant.
Since it results from thermal generation of electron-hole pairs in
the depletion region, it is dependent on the volume of the space
charge region. It can be shown that the reverse saturation gradually
increases with increased reverse bias.

vR
IS  IS0 1 
j

IS is approximately constant at IS0 under forward bias.


Microelectronic Circuit Design Chap 3 -22
McGraw-Hill
 Ters bozulma (Reverse Breakdown)
Increased reverse bias
eventually results in the diode
entering the breakdown
region, resulting in a sharp
increase in the diode current.
The voltage at which this
occurs is the breakdown
voltage, VZ.

2 V < VZ < 2000 V

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -23

McGraw-Hill
 Bozulma bölgesi diyod modeli
(Breakdown Region Diode Model)

In breakdown, the diode is

modeled with a voltage source,
VZ, and a series resistance, RZ. RZ
models the slope of the i-v
characteristic.

Diodes designed to operate in

reverse breakdown are called
Zener diodes and use the
indicated symbol.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -26

McGraw-Hill
 Diyod devreleri analizi: Temeller
V ve R 2 kapılının Thevenin eşdeğeri
olsun. Amaç diyodun çalışma
noktasının (quiescent operating
point) bulunmasıdır.
Q-noktası = (ID, VD)
Diyod devresi için çevre denklemini
yazarsak:
V  I D R  VD
Bu aynı zaman da diyodun yük
doğrusudur. Bu denklemin çözümü şöyle
bulunur::
• yük doğrusunun grafiksel analizi.
• diyodun matematiksel modeli ile
analiz.
• İdeal diyod modeli ile analiz.
• Sabit gerilimli diyod(CVD) modeli ile
analiz model.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -33

McGraw-Hill
Yük doğrusu analizi (örnek)
Problem: Diyodun Q-noktası ?
Verilenler: V = 10 V, R = 10k.
Analiz:
10  I D 104  VD
Yük doğrusu için,
For VD  0, ID  10V 10k  1 mA
For VD  5V, ID  5V 10k  0.5 mA

Bu noktalar için yük doğrusu

çizildi.Q-noktası doğru denklemi
 ile diyod denkleminin kesişim
noktasıdır.

Q-noktası = (0.95 mA, 0.6 V)

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -34

McGraw-Hill
 Diyodun matematiksel modelini
kullanarak analiz
Problem: Verilenler için diyodu Q- •VD0 İlk değer seç
noktasını bulunuz. •f ‘yi ve türevini bu VD için hesapla
Verilenler: IS =10-13 A, n=1, VT =0.025 V •Yeni VD yi hesapla
Analiz:
1
VD  VD
0

 
f VD
0

0
 V   f ' (VD )
I D  I S exp D   1  10 13 exp40VD   1
  nVT   • 2. ve3. adımları çakışma olana kadar
10  1041013 exp40VD   1  VD terkrarlar
•Sonuç:
Q-noktası = ( 0.9426 mA, 0.5742 V)
Newton un iterasyon yöntemi ile bulunur.
Since, usually we don’t have accurate
saturation current values and significant
tolerances exist for sources and passive
f  10  10 10 exp40VD   1  VD
4 13
components, we need answers precise to
only 2or 3 significant digits.
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -35
McGraw-Hill
İdeal diyod modeli ile analiz
İleri yönde kutuplanmış ideal diyod üzerindeki
gerilim sıfırdır. Ters kutuplanmış ideal diyod
üzerineki akım sıfırdır.
vD =0 için iD >0 ve iD =0 için vD < 0
Böylece diyod ya açıktır ya kapalı.
Analiz için aşağıdaki adımları izle:
• diyod modeli seç.
• Diyodun anod ve kato uçlarını belirle ve vD ve
iD yi göster.
• Diyodun çalışma bölgesini tahmin et.
• Tahmine göre devreyi analiz et.
•Tahmin ile sonuç tutarlımı kontrol et..

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -36

McGraw-Hill
 İdeal diyod modeli ile analiz: Örnek

Diyodu kapalı farz edelim, bu durumda

Diyodu açık farz edelim
ID = 0 . Çevre denklemi:
. (10  0)V
ID   1 mA | ID  0 10  VD  10 4 ID  0
10k
VD  10V | VD  0
Tahmin doğru ve
Tahmin doğru Q-noktası = (0, -10 V)
 Q-noktası= (1 mA, 0V)

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -37
McGraw-Hill
 Sabit gerilim düşümlü diyod modeli
analizi
Analysis:

10Vluk kaynak diyod üzerinde pozitif bir akım

yapmaya zorlayacağı için diyodu açık düşünelim

(10  Von )V
ID 
10k
vD = Von için iD >0 ve (10  0.6)V
iD = 0 için vD < Von.   0.940 mA
10k

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -38

McGraw-Hill
İki diyodlu devre analizi
Analiz: İdeal diyod seçilmiş olsun. 15-V D1 ve D2
üzerinde pozitif akım ve -10V D2 üzerinde pozitif
akım oluşturmaya zorlayacağından 2 diyod da açık
farz edelim.
D1kısa devre oldğu için D noktasının gerilimi sıfırdır.

(15  0)V
I1   1.50 mA
10k
0  10V 
ID 2   2.00 mA
5k
I1  ID1  ID 2 | ID1  1.50  2.00  0.500 mA

Q-noktaları (-0.5 mA, 0 V) and (2.0 mA, 0 V)

 Fakat ID1 < 0 olması mümkün değil, tekrak dene.
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -39
McGraw-Hill
 İki diyodlu devre analizi(devam)

D1 akımı sıfır olduğu için, ID2 = I1,

1510,000I1  5,000ID2 (10) 0

25V
I1  1.67 mA
15,000
VD1 1510,000I1 1516.7 1.67 V
Analiz: D1 kapalıve D2 açık
olsun. 
Q-noktaları D1 : (0 mA, -1.67 V):kapalı
D2 : (1.67 mA, 0 V) :açık
Sonuçlar varsayımla tutarlı.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -40

McGraw-Hill
 Ters bozulma bölgesinde diyod analizi
Yük doğrusunu çizmek için 2 nokta seç (0V, -4
mA) ve (-5 V, -3 mA) . Bu i-v karaktersitiğini
Q-noktası: (-2.9 mA, -5.2 V) ile çakışır.
piecewise lineer model kullanarak:

IZ  ID  0



205100IZ  5 0
(20 5)V
IZ   2.94 mA
5100
Yük doğrusunu kullanarak: IZ > 0 olduğundan (ID < 0), sonuç Zener
20VD  5000ID
bozulması

ile tutarlıdır (the solution is
consistent with Zener breakdown.)
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -41
 McGraw-Hill
 Zener diyod ile gerilim Düzenleyicisi
(regülatörü)
VS VZ (20 5)V
IS    3 mA
R 5k
V 5V
IL  Z  1 mA | IZ  IS  IL  2 mA
RL 5k

Uygun düzenleme (regülasyon ) için, Zener

 akımı pozitif olmalıdır. Akım sıfırdan
küçük olursa zener diyod yük direncinin
gerilimini kontrol edemez.
Zener diyod Rl yük direnci
VS1 1 
R
üzerindeki gerilimi sabit IZ  V   0 | RL  
 R
R R R Z 
V
 min
tutar. Zener için IZ > 0. L  
 S 1
V
 

 Z 

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -42

 McGraw-Hill
 Zener diyodlu, Zener direncinide içeren
gerilim regülatörü uygulaması
VL  20V VL  5V VL
  0
5000 100 5000
VL  5.19 V

VL  5V 5.19V  5V
IZ   1.9 mA  0
Problem: Zener diyod akımını ve 100 100
çıkış gerilimini hesaplayınız.
Given data: VS = 20 V, R = 5 k,
RZ = 0.1 kVZ = 5 V
Analysis: çıkış gerilimi zener diyod
akımını bir fonksiyonudur.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -43

McGraw-Hill
 Hat ve yük regülasyonu
(Line and Load Regulation)
Hat regülasyonu: Çıkış geriliminin giriş gerilimine duyarlılığıdır.

dVL
Hat Regulasyonu  mV/V
dVS
RZ
For a fixed load current, Line Regulation =
R+ RZ
Yük regülasyonu: çıkış geriliminin yük akımına duyarlılığıdır.

dVL
yük regülasyon u  
dI L
For changes in load current, Load Regulation   RZ R 
 

Yük regülasyonu, yük uçlarından içeri bakınca görünen Thévenin

direncidir.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -44

McGraw-Hill
 Dorğultucu Devreleri

• Basit bit doğrultucu AC gerilimi DC gerilime çevirir.

• Filtre AC bileşeni süzüp neredeyse sabit bir DC gerilim
oluşturmayı sağlar.
• Doğrultucu devreler 120-V 60-Hz AC güç hattından gelen
sinyalleri elektronik devreler için gerekli uygun DC gerilime
dönüştürür..
•

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -45

McGraw-Hill
Resistif yüklü yarım dalga doğrultucusu

Girişin pozitif yarı turunda kaynak diyodu pozitif akım akıtmaya zorlar ve
diyod açıktır vO = vS.
Girişin negatif yarı turunda diyod akım akıtmaz, kapalıdır, ve vO =0 .

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -46

McGraw-Hill
Resistif yüklü yarım dalga
doğrultucusu(devam)
Sabit gerilim modeli çin diyodun açık olduğu
yerde vO = (VP sint)- Von. diyodun kapalı
olduğu yerde çıkış gerilimi sıfırdır.
.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -47

McGraw-Hill
Tepe Dedektör devresi

Giriş gerilimi arttıkça kapasite elemanı

giriş geriliminden diyod gerilimi kadar
eksik olana kadar dolar.
Giriş gerilimin tepe değerinde diyod akımı
geri dönmeye çalışır ve diyod kapanır.
Kapasite boşalacak yol bulamadığı için
gerilim sabir kalır.Ve çıkış gerilimi :
Vdc = VP - Von

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -48

McGraw-Hill
RC yüklü yarım dalga doğrultucusu
Giriş gerilimi ilk çeyrek peryodda diyod açık
olduğu için giriş geriliminin tepe değerine kadar
dolar
Giriş geriliminin tepe değerinde diyod akımı
ters yöne akmak ister ve diyod kapanır. Ve
kapasite gerilimi direnç(R) üzerinden üstel
olarak boşalır. Boşalma işlemi giriş gerilimi
çıkış gerilimini geçene kadar sürer.Bu işlem her
peryodda tekrar oluşur.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -49

McGraw-Hill
 RC yüklü yarım dalga doğrultucusu
(devam)
Çıkış gerilimi sabit değildir, ideal dedektörde olduğu gibi, bir
dalgalanma gerilimi (ripple voltage ) içerir Vr.
T süresine iletim (conduction interval)süresi denir. c ise iletim
açısıdır (conduction angle.)
T  T  (VP Von ) T
Vr  (VP Von ) 1 

RC  T  R C

1 2T (VP Von )  1 2Vr

T  
RC VP  VP

2Vr
c  T 
VP

 Microelectronic Circuit Design Chap 3 -50

McGraw-Hill
Yarım dalga doğrultucusu analizi: Örnek
Problem: Yarım dalga doğrultucusu içim çıkış gerilimini, çıkıl akımını
dalgalanma gerilimini, iletim süresini ve açısını bulunuz.
Veriler: secondary voltage Vrms = 12.6 (60 Hz), R = 15 , C = 25,000 F,
Von = 1 V
Analysis: Vdc VP Von  (12.6 2 1)V 16.8 V
V V
Idc  P on  16.8V 1.12 A
R 15
(V V ) T
Vr  P on  0.747 V
R C

Using discharge interval T=1/60 s, 2Vr

 c  T   0.290 rad 16.6o
VP
 
T  c  c  0.29  0.769 ms
2f 120

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -51


McGraw-Hill
Diyod tepe akımı
In rectifiers, nonzero current exists in the
diode for only a very small fraction of
period T, yet an almost constant dc current
flows out of the filter capacitor to load.
The total charge lost from the filter
capacitor in each cycle is replenished by the
diode during a short conduction interval
causing high peak diode currents. If the
repetitive current pulse is modeled as a
triangle of height IP and width T,

IP  Idc 2T  48.6 A
T

using

the values from the previous example.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -52

McGraw-Hill
 Surge Current
In addition to the peak diode currents, there is an even larger current
through the diode called the surge current that occurs when power is
first turned on.
During first quarter cycle, current through diode is approximately

d 
id (t) ic (t)C  VP sint  CVP cost

dt 
Peak values of this initial surge current occurs at t = 0+:
 ISC  CVP 168 A

using values from previous example.



Actual values of surge current won’t be as large as predicted above

because of the neglected series resistances associated with the rectifier
diode and transformer.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -53

McGraw-Hill
 Ters tepe gerilimi
(Peak Inverse Voltage Rating)
The peak inverse voltage (PIV) rating of
the rectifier diode is the diode
breakdown voltage.
When the diode is off, the reverse-bias
across the diode is Vdc - vS. When vS
reaches negative peak,

PIVVdc  vsmin VP Von (VP ) 2VP

 The PIV value corresponds to the

minimum value of Zener breakdown
voltage required for the rectifier diode.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -54

McGraw-Hill
 Diyodun güç tüketimi
Diyodun ortalama güç tüketimi

1T 1T I
PD   v D (t)iD (t)dt   Von iD (t)dt Von P T Von Idc
T0 T0 2 T

The simplification is done by assuming a triangular approximation for the

diode current and that the voltage across diode is constant at Vdc.
Average power dissipation in the diode series resistance is given by
1T 2 1 4
PD   iD (t)RS dt  ID2 RS T  T Idc
2 R
T0 3 T 3 T S

This power
 dissipation can be reduced by minimizing peak current
through the use of a minimum size of filter capacitor or by using full-
wave rectifiers.
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -55
McGraw-Hill
Tam Dalga Doğrultucusu

Full-wave rectifiers cut capacitor discharge

time in half and require half the filter
capacitance to achieve a given ripple voltage.
All specifications are the same as for half-
wave rectifiers.
Reversing polarity of the diodes gives a full-
wave rectifier with negative output voltage.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -56

McGraw-Hill
Köprü tam dalga doğrultucusu

The requirement for a center-

tapped transformer in the full-
wave rectifier is eliminated
through use of 2 extra diodes. All
other specifications are the same
as for a half-wave rectifier except
PIV = VP.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -57

McGraw-Hill
 Doğrultucu topolojilerinin
karşılaştırılması

• Filter capacitors are a major factor in determining cost, size and

weight in design of rectifiers.
• For a given ripple voltage, a full-wave rectifier requires half the filter
capacitance as that in a half-wave rectifier. Reduced peak current can
reduce heat dissipation in diodes. Benefits of full-wave rectification
outweigh increased expenses and circuit complexity (an extra diode and
center-tapped transformer).
• The bridge rectifier eliminates the center-tapped transformer, and the
PIV rating of the diodes is reduced. Cost of extra diodes is negligible.

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -58

McGraw-Hill
 Doğrultucu tasarım analizi
Problem: Design a rectifier with given specifications.
Given data: Vdc = 15 V, Vr < 0.15 V, Idc = 2 A
Analysis: Use a full-wave bridge rectifier that needs a smaller value of filter
capacitance, smaller diode PIV rating, and no center-tapped transformer.
VP Vdc  2Von 15 2
V   V 12 Vrms
2 2 2
 
T /2 
1  1 

CI  2A

dc 
 s


 0.111 F
V 

120 0.15V 


r 

1 2Vr 1 2(0.15V )
T    0.352 ms
 VP 120 17V
1/60
 s
IP  I 2

 
T
 
 2A  
 94.7 A
T 2 
dc 


 
0.352ms
Isurge  CVP 120 (0.111)(17) 711 A | PIV =VP 17 V

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -59

 McGraw-Hill
 Üç uçlu entegre devre gerilim
regülatörleri

• Regulators use feedback with high-gain amplifiers to reduce ripple voltage

at the output. Bypass capacitors provide low-impedance paths for high-
frequency signals to ensure proper operation of the regulator.
• Regulators provide excellent line and load regulation, maintaining constant
voltage even if the output current changes by many orders of magnitude.
• A main design constraint is VREG which must not fall below a minimum
specified “dropout” voltage (a few volts).

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -60

McGraw-Hill
 End of Chapter 3

Microelectronic Circuit Design Chap 3 -64

McGraw-Hill