Professional Documents
Culture Documents
Ders 12
Ders 12
•Böyle bir katı cisim üzerine bir dış elektrik alan uygulanırsa veya belirli
bir doğrultu boyunca bir sıcaklık gradyenti varsa, dağılım fonksiyonu
geçerliliğini yitirir.
Bu etkiler sonucu;
•Dış elektrik alan varsa Elektrik yükünün
•Sıcaklık gradyenti varsa Isının transportu (taşınması) söz konusu olur.
dω 1 dε k p 2k 2
v
dk dk me me 2me
Elektronlar, safsızlık atom yoğunluğu çok düşük olan kristallerde iki çarpışma arasında
atomlararası uzaklığın 20 katında daha fazla yol alabilirler. Bu nedenle bu durum yalnızca
elektronun dalga karakteristiği ile açıklanabilir.
me dv dt eE ev B
• Bu denkleme göre, dış elektrik alan altında elektronlar üzerine etkiyen kuvvet nedeni ile
elektronlar sürekli olarak hızlanacaktır. Bu durum, elektriksel direnç kavramı ile ters
düşmektedir. Zira, uygulamalarda deneysel olarak bilinmektedir ki, elektronların hızı sonsuza
kadar artmamaktadır.
• Bu durumda elektronların hızı, kristal içindeki çeşitli çarpışma olayları ile düşer. Bu olaylar,
fononlarla çarpışmalar, kristal içindeki yabancı atomlar ile çarpışmalar, kristal içindeki düzen
bozuklukları ile çarpışmalar vs ortaya çıkar ve hareket denkleminde ekstra bir terim olarak
kendini gösterir.
• Bu durumda, hareket denklemi;
d v v
me eE
dt τ
Burada v elektrik alan nedeni ile elektronun sürüklenme hızıdır. Bu hız ısıl
dengede elektronun sahip olduğu termal hızın üzerine eklenen bir
hızdır. Elektrik alan ortadan kaldırılsa v sürüklenme hızı zaman
sabiti ile eksponansiyel olarak sıfıra gider.
: relaksasyon (gevşeme) zamanı
E
- +
v
V
a) Elektrik alan altında bir katı cisim
içinde elektronun izleyeceği yol, b)
yol-zaman profili ve c) sabit elektrik
alan altında elektronun ivmelenmesi ve
saçılmalarla hızının değişimi.
Hız
max.
Sürüklenme hızı
Zaman
• Bir dc elektrik alan altında, yukarıda verilen hareket denkleminin çözümünden kararlı durum iletkenliği elde edilir.
Bu durumda sürüklenme hızı, hareket denkleminin çözümünden;
Elektriksel İletkenlik
•
eτ
v E
me
(-) işareti, elektronlar için E ile v nin zıt yönlerde olduğunu göstermektedir.
1 1
en
Saf ve ideal yapıdaki bir metalde, iletkenlik elektronlarının fononlarla
çarpışmaları etkin rol oynarlar.
Elektron-fonon çarpışmalarında çarpışma zamanı fonon(0) sıcaklığa bağlıdır.
1 1 1 şeklinde verilir.
....
τ τ fonon(T) τ 0
• Saçılma olaylarını ve Mattheissen kuralını gözönüne alarak;
me me me
2 2 2
ne ne fonon (T ) ne 0
I (T ) 0
Artık direnç
İdeal direnç
Kusurlu
Saf
•k uzayında elektriksel iletkenliği nasıl ele alabiliriz? Bir elektrik akımına eşlik eden v
sürüklenme hızı herbir elektronon dalga vektöründe k kadar bir değişikliğe karşılık gelir:
• Burada gazlardan farklı olarak, ortalama hız yerine Fermi hızı vF alınmıştır.
Çünkü termal iletkenliğe neden olan elektronlar Fermi seviyesi civarında kBT
enerjisi mertebesindeki seviyelerde bulunan elektronlardır.
1 2
l v F E F me vF
2
1
l v F 1 2
K CV vF E F me vF
3 2
2
1 2 1 2
N T 2 2
nk B T
K CV vF
k B F
3 3 2 V TF me 3me
L=2,45x10-8 WK 2
Wiedemann-Franz Yasası’nın
ara sıcaklık bölgelerinde
geçerliliğini yitirmesinin nedeni,
elektrik ve ısıl iletkenlikteki
çarpışma zamanlarının aynı
olduğunu varsaymamızdan
kaynaklanmaktadır.
Sonlu sıcaklıktan dolayı Fermi yüzeyinin altında bazı boş durumlar
(içi boş daireler) ve Fermi yüzeyinin üstündeki bazı işgal edilmiş
durumlar (içi dolu daireler) olacaktır. Sıcaklığın artması fonon-
fonon ve fonon-elektron saçılmalarını arttıracağından ısıl iletkenliği
sınırlayan fazla sayıda saçılma süreci etkindir ve ısıl iletkenlik için
çarpışma zamanı, elektriksel için olandan daha kısadır, bu nedenle
Wiedemann–Franz Yasası’ndan sapmalar sıcaklık arttıkça
gözlenmektedir.
Bir metal üzerine, bir E elektrik alanı ve buna dik bir manyetik alan
uygulanırsa, bu ikisinin oluşturduğu düzleme dik bir elektrik alan oluşur. Buna
Hall olayı, bu alana Hall alanı denir.
E H RH B x J
RH orantı katsayısı, Hall katsayısı olarak adlandırılır.
Hall Olayının fiziksel nedeni; Lorenz kuvvetidir: F e E ev x B
Fx eE x
Fy e( E y v x Bz )
Kararlı
durumda,
E y v x Bz 0
VH
Ey Hall elektrik alanı
w
E y v x Bz
Jx
J x envx v x Hall voltajı üstteki durum için
en ön ve arka yüzeyler arasında oluşur.
J x Bz Ix
Ey ; Jx
en wd
I B
VH x z
end
1
RH
en Hall katsayısı
I x Bz
VH RH Hall voltajı RH
d
Bir metalden +x doğrultusunda akım geçsin ve metale
+ z doğrultusunda sabit bir manyetik alan uygulansın.
Metaldeki elektronlar vx hızına sahip olurlar. Manyetik
kuvvetin etkisiyle ( F = -evxB) –y doğrultusunda
saptırılırlar. Bu nedenle metalin üst yüzeyi alt yüzeyine
göre daha pozitifmiş olur ve üst ile alt yüzeyi arasında
bir potansiyel fark oluşur. Bu potansiyel farka Hall
potansiyeli denir.Üst ve alt yüzey arasında oluşan Hall
elektrik alanı oluşur. Elektriksel kuvvet ve magnetik
kuvvetin birbirini dengelemesiyle yüklerin sürüklenmesi
(y doğrultusunda) durur ve kararlı duruma ulaşılır.
l
t
VH I
z E H RH B J RH B
t t
IB
VH RH
Hall voltajı formülü uygulanan manyetik alan ve metalden geçen akımın
yönüne göre değişir.
Bazı metallerin Hall ölçümleri sonuçları
?
?
N birim hacim başına atomların sayısı ise -1/(RHNe) büyüklüğü n/N’e eşit olup, atom başına iletkenlik
elektronları için bir tahminde bulunur. Pozitif değerler negatif yüklü elektronların iletime katkısı olduğunu
gösterirken, negatif değerleri pozitif yüklü parçacıkların iletime katkısı olduğunu temsil etmektedir.