BÖLÜM 4

Periyodik Örgü Potansiyelinin Etkisi –

Enerji Bantları
4.1 Kısmen Serbest Elektron Teorisi

Serbest elektron teorisi, metallerin birçok özelliklerini gayet iyi açıklamakla

beraber, bazı malzemelerin neden metal bazılarının da neden yalıtkan
(izalatör) olduklarını açıklayamaz. Diğer taraftan bazı metallerde gözlenen
negatif Hall katsayısı da serbest elektron teori ile anlaşılamamaktadır.

Serbest elektron modelinin geliştirilebilmesi için ilk akla gelebilecek olay,

daha önceki yaklaşımda göz önüne almadığımız, örgü noktalarında bulunan
pozitif iyonların çekici etkileri altında elektron hareketini incelemektir.
 En basit olarak özdeş atomların
oluşturduğu bir boyutlu lineer zincirde
durumu inceleyebiliriz.
Gerçek örgü potansiyeli örgü
noktalarında kuvvetli negatif pikler
gösteren, örgü periyodu ile aynı
periyoda sahip bir potansiyeldir. (a-
örgü sabiti)
k Serbest elektron teorisi, periodik
örgü potansiyeli yerine, sabit bir
potansiyel altında elektron
hareketlerini incelemekte idi. (Mavi
renkli potansiyel kuyusu)
Kısmen Serbest Elektron Teorisi ,
serbest elektron modelindeki sabit
potansiyeli küçük periyodik potansiyel
olarak ele alır ve serbest elektron
enerjisini (dispersiyon eğrisini) nasıl
etkilediğini inceler.
 Pertürbasyonun hesaplanması 1. mertebe pertürbasyon teorisi ile yapılır.
SEM’de kullanılan potansiyel
V


 Vdx
* k
rgü potansiyeli ile uyumlu 
ertürbasyon potansiyeli   (4.1)
 dx
*

Burada V, serbest elektron teorisinin varsaydığı sabit potansiyel ile

gerçek potansiyel arasındaki farktır.  ise pertürbe olmamış dalga
fonksiyonudur.
Burada görülüyor ki; örgü potansiyeli, serbest elektron potansiyeli üzerine
küçük bir pertürbasyon olarak düşünülmektedir. Bu nedenle bu yaklaşım
kısmen serbest elektron teorisi olarak bilinir.
Gerçek periyodik potansiyeli göz önüne alınırsa pertürbasyonun gayet
büyük olduğu görülür. Bu ise, kullanacağımız pertürbasyon teorisi
sonuçlarının kalitatif olarak doğru olabileceğini gösterir.
 Eğer, serbest elektron potansiyelini, gerçek potansiyelini ortalama değeri
olarak alırsak, bir boyutlu örneğimiz için pertürbasyon potansiyelini
Fourier serileri şeklinde

 2nx 

V   Vn cos
 a


(4.2)
n 1
larak yazabiliriz.
Burada Vn , örgü noktalarındaki kuvvetli negatif potansiyeli belirleyen pozitif bir
sayı olmalıdır.
ikx
Eğer pertürbe edilmemiş 2dalgafonksiyonu için   e şeklinde ilerleyen
bir dalga alırsak,   1 olduğundan, bütün k değerleri için sonuç   0
 ikx
ve e
ikx
çıkar ki, bu durumda bir terslik olduğu açıktır. Bu terslik, e ’in
dejenere olmalarından kaynaklanır.
Pertürbe olmamış Ψ1 ve Ψ2 gibi iki dejenere durumda 1. mertebe pertürbasyon
teorisinin uygulanmasında kullanılabilecek uygun dalgafonksiyonları,

 V2 dx  0
*
1 (4.3)

koşulunu yerine getiren, Ψ1 ve Ψ2 nin ortogonal lineer kombinasyonu

olan 1 ve 2 gibi uygun iki dalga fonksiyonu olmalıdır.
Buna göre;
k nın her değeri için, bu koşulu sağlayan eikx ve e-ikx in ortogonal lineer
kombinasyonları sadece 1= sin (kx) ve 2= cos (kx) dir.

Bu fonksiyonlar, lineer zincir potansiyeli ile uyum

içinde olup, şekilde çizilmiştir.
Dalgafonksiyonları için bu değerler kullanılırsa,
k’ nın belirli değerlerinde Δ ’nin sonlu
değerler aldığı görülür.
Şimdi, bu yeni dalga fonksiyonlarını (4.1)
denkleminde yerine koyalım;
Ψ=Sin(kx) için,


   n 1
 dx sin 2 (kx )Vn cos( 2nx a )

 dx sin 2 (kx )



 n 1 
dx1  cos2kx Vn cos2nx a 

 dx1  cos(2kx)
 Paydaki integral içindeki ifade sıfır civarında titreşir ve eğer, cos(2nx/a)
Fourier katsayılarından birine eşit değilse, uzay içinde kaybolur.
Yani kn/a ise Δ =0 olur.
 n (2nx / a)
2
Eğer, k=n/a ise, dxV cos 1
Δ   Vn (4.4)
şeklinde sıfırdan farklı bir değer alır.  dx 2

Benzer şekilde, Ψ=Cos(kx) için,

n 1
k ise    Vn (4.5)
a 2

 n 
itici potansiyelde   sin   maksimum
 a 
n=1 için
 n 
çekici potansiyelde   cos  maksimum
 a 
Serbest elektron modeli ile elde edilen dispersiyon eğrisi üzerinde,
pertürbasyonun neden olduğu enerjideki değişmeler şekilde
görülmektedir (n= 1 ve 2 için). Kesikli çizgi serbest elektronlar için
elde edilen paraboldür. Değişimler belirli k değerlerinde görülür.

İzinli Enerji Aralığı

(Bant)

Yasak Enerji Aralığı

k
İzinli Enerji Aralığı
(Bant)
2k 2

2m Yasak Enerji Aralığı

İzinli Enerji Aralığı

(Bant)
 Elde Edilen Sonuçlar-Özet
Kesikli çizgi serbest elektron modelini göstermektedir.

Kısmen serbest elektron modeline göre, pertürbasyonun etkisi

k=n/a (n= 1, 2, ...) değerlerinde kendini göstermektedir.
Yine bu k değerlerinde duran dalgalar oluşturduğundan
elektronların grup hızı dw/dk=0 olur.

k=n/a civarında ε(k)’nın şeklini, 1. mertebe pertürbasyon

teorisinden elde etmek mümkün değildir. Zira sonucu sıfır
çıkar. Ancak farklı yaklaşımla bu değerleri hesaplamak
mümkündür.

k=n/a civarında ε(k)’nın şeklini fiziksel düşünceye dayanarak

nitel olarak belirlemek mümkündür. k=n/a’da dw/dk=0
olduğu bilindiğinden bu değere yaklaşırken grup hızı
azalmaya başlar. Bu, dw/dk, yani ε(k) eğrisinin teğetinin
azalması demektir.
 Elde Edilen Sonuçlar-Özet (devam)
Kısmen serbest elektron teorisinin ortaya koyduğu en dikkati
çeken sonuç: k=n/a değerlerinde elektron seviyelerinin
bulunmamasıdır. Bu bölgelere “YASAK ARALIK” veya
“YASAK ENERJİ ARALIĞI” veya “ENERJİ ARALIĞI” denir.
Enerji seviyelerinin bulunduğu bölgelerde “Enerji Bantları”
veya kısaca “bantlar” denir.
Elektron seviyeleri üzerine örgü potansiyelinin etkisi sonucu, k
ekseni üzerinde bir takım bölgeler oluşur. Bu bölgelere
“BRILLOUIN ZONLARI” denir.

3.BZ 2.BZ 1.BZ 2.BZ 3.BZ

Kısmen serbest elektron modeli Yandaki şekilde Kısmen serbest
ile elde edilen dispersiyon elektron modeli ile elde edilen
eğrisinin farklı gösterimleri: dispersiyon eğrisinin 3 farklı
gösterimi verilmiştir. Genişletilmiş
Bölge gösterimi Serbest Elektron
Modelinin dispersiyon eğrisi ile
kıyaslama yapmak için en uygun
gösterimdir ve k’nın düzgün olarak
artırılmasıyla enerjideki değişimi
gösterir.
Tekrarlanmış bölge çizimi
dispersiyon bağıntısının
periyodikliğinin göz önüne
alınmasıyla elde edilen gösterimdir.
Tekrarlanmış bölge çizimi,
indirgenmiş bölge çizimine
dönüştürülebilir. Bu bölge tüm
fiziksel olayların açıklanabilmesi
için gerekli bilgileri içerir. Dolayısı
ile 1. Brillouin bölgesinin
incelenmesi yeterlidir.
4.2 Katı Cisimlerin Elektronik Özelliklerine göre
Sınıflandırılması

olduğu görülür.
 Bir değerli atomlar için temel seviye, εF Fermi seviyesine kadar dolmuş olan en
düşük enerji bandındaki seviyelere karşılık gelir.
Bir değerli atomlar için
N atomlu zincirde N seviye vardır. Her
seviyeye zıt spinli 2 elektron
konulacağından 2N seviye vardır. Bir
değerli atomlar için N elektron olur
Bant yarıya kadar doludur. Yani, Brillouin
zonu yarıya kadar doludur. Aynı bant içinde
boş seviyeler olduğundan bu durumda
METALİK davranış beklenir.

İki değerli atomlar için

2N elektron varsa bant tamamen doludur.
V1 Bu durumda elektronların boş seviye
bulmaları için ikinci bantta geçmeleri
gerekir. Bunun için, V1’e karşı gelen
enerjiye sahip olmaları gerekir. Mutlak sıfır
sıcaklığında bu durum yalıtkan davranış
gösterir. Sonlu sıcaklıklarda V1’in
büyüklüğü önemlidir.
Üç değerli atomlar için:
1. Bant tam doludur. 2.bant ½ dolu, ½ boştur. Dolayısı ile bir değerli
duruma benzer duruma benzer bir durum ortaya çıktığından metalik
davranış beklenir.

Bir genelleme yapmak istenirse;

Tek değerli atomlar Metalik davranış sergiler
Çift değerli atomlar Yalıtkan veya yarıiletken özelliktedir.
Bu tam doğru değildir. Zira biz sadece 1 boyutlu yapıyı inceledik.
Bir diğer nokta da atom başına valans elektron sayısı yerine primitif hücre
başına valans elektron sayısına bakmak gerekir.

Elde edilen sonuçlara göre yasak enerji aralığı V1 :

Eğer küçük değerlerde ise (bir kaç eV gibi )yarıiletken davranış
ortaya çıkar.
Eğer yeterince büyük ise (>6-7 eV) yalıtkan davranış gözlenir.
Şimdiye dek yalnızca tek boyutlu bir model gözönüne alarak sonuca ulaştık ancak iki değerlikli
metallerin varlığı elde ettiğimiz sonuçları geçersiz kılmaz.
Bazı iki değerlikli metallerde, enerji bantları çakışır. Periyodik potansiyelin pertürbasyonu ve buna
eşlik eden enerji aralığı arttıkça artık bantların çakışmadığı duruma ulaşılır. Birinci
bölgedeki tüm durumlar ikinci bölgedeki tüm durumlardan daha düşük bir enerjiye sahip
olurlar. Brillouin bölgesinin köşesindekiler gibi boş durum cepleri oluşturmak için birkaç
elektron böyle bir banttan uzaklaştırılırsa, bu negatif yükün uzaklaşması pozitif yükün
eklenmesi gibi bir etki yapar ve böylece boş durumların +e yüklü parçacıklar gibi elektriği
ilettiği görülür. Bu taşıyıcılar boşluklar olarak bilinir ve bazı 2 değerlikli metallerin pozitif
Hall katsayısına sahip olmasından sorumludur.
Genel sonuç şöyle özetlenebilir;
• Bir primitif hücredeki tek sayılı valans elektronları metalik davranışa yol açar.
• Primitif hücre başına çift sayılı valans elektronu bant çakışması varsa, metalik,
bant çakışması yoksa ve bant aralığı küçükse yarıiletken büyükse yalıtkan
davranışa yol açar.
 4.3 Sıkı Bağ Yaklaşımı
Kısmen Serbest Elektron Modelinde (KSEM -Tight Binding Model)
elektronlar periyodik örgü potansiyeli altında hareketlerinde elektronların
dalga fonksiyonları ile fazla ilgilenmedik. Dalga fonksiyonlarının şekilleri
katı cisimlerin band modelinde önemli rol oynar. KSEM’de dalga
fonksiyonlarının kuyrukları üst üste fazlaca biner.
Kovalent bağlı kristallerde ise üst üste gelme azdır. Dolayısı ile elektronlar
atom civarında bulunurlar ve atomik karakterlerini oldukça korurlar. Yani
sıkıca bağlıdırlar.
Bu olay, kalitatif (nitel) olarak, iki izole atomun birbirine olan mesafesi
azaltılarak incelendiğinde kolayca görülür.

İki atomlu sistemin dalga fonksiyonları

H atomunun 1 elektronu olduğu için 1s yörüngesi yarı doludur. İki yalıtılmış
H atomunun 1s dalga fonksiyonları yukarıda gösterilmiştir. Bu iki atom
denge konumuna geldiğinde, 2 atomun oluşturduğu sistemin dalga
fonksiyonu için iki kombinasyon da mümkündür, her ikisinde de elektronlar
paylaşılır. Bu durumda izole H atomuna ait her seviye, iki ayrı seviye olur.
Düşük enerjili 1. durum temel seviyeye ait dalga fonksiyonunu diğeri ise (12
nolu slayt sağdaki çizim) eksite olmuş duruma ait dalga fonksiyonunu
göstermektedir.
İzole
H atomu Çok elektronlu atomlarda durum, genel olarak
Uyarılmış
aynı olmakla birlikte dalga fonksiyonları daha
simetrik
karmaşıktır.
1s Etkileşme sonucunda, mesafeye bağlı olarak
kor elektronları da etkilenmeye başlar. Bu
Temel seviye
durum 1s, 2s, 2p,3s,.... olmak üzere bütün
antisimetrik
seviyelerde görülür.
e Sıkı Bağ Yaklaşımında sadece valans
elektronları değil, kor elektronları da işin içine
katılır.
İzole Na atomunun
kesikli spektrumu
Atomlararası

irine yaklaşan 2 Na
munun r ye bağlı
mesafe

ktrumu
ile
spektrumlarının değişimi

gede 2 Na atomunun
enerji

kli spektrumu

tane Na atomunun
e bağlı spektrumu
gözönüne alalım.

ane Na atomunun
ngede gösterimi
ntların oluşumu)
Çok elektronlu atomlara örnek olarak
aşağıda 11 elektrona sahip sodyumu
İzole Na atomunun
kesikli spektrumu

irine yaklaşan 2 Na
munun r ye bağlı
ktrumu

gede 2 Na atomunun
kli spektrumu

tane Na atomunun
e bağlı spektrumu
Atomlararası mesafe ile enerji spektrumlarının değişimi

ane Na atomunun
ngede gösterimi
ntların oluşumu)
 Bantlarla ilgili bazı önemli sonuçlar
Sıkı bağ yöntemi ile elde edilen bantlar sadece valans elektronlarını değil aynı
zamanda kor elektronlarını da için içine katmaktadır.

Pratikte pekçok uygulamada, dolu olan en üst bant ve onu takip eden ilk
boş bant önemli rol oynar.

Kor elektronları ile dolu olan daha aşağılardaki bantlar, kristal yapının yüksek
enerjillerde uyarılması durumunda dikkate alınmalıdır.

Elektronlarla dolu olan en üst banta “VALANS BANDI” ve onu takip eden ilk
boş banta “İLETKENLİK BANDI” adı verilir. Bu mantıklı bir tanımdır,
zira en son dolu bandı oluşturan, kristaldeki atomların valans
elektronlarıdır. Bir katı cismin iletkenlik özelliği gösterebilmesi için,
seviyelerin çok fazla olduğu, yani rahatça hareket edecekleri yerde
bulunmaları gerekir. ilk boş bantta elektronlar bu ortamı bulduklarından
elektriği iletebilirler.
 Enerji Bantlarına Göre Katı Cisimlerin Tekrar Sınıflandırılması
(Şematik Gösterim)
Enerji

ALITKAN METAL YARIMETAL YARIİLETKEN YARIİLETKEN

T ≠ 0K T = 0K

T = 0K’DE; SAF BİR YARIMETALİN BİR BANTI

Dolu Bantlar HEMEN HEMEN DOLU, DİĞER İSE HEMEN HEMEN
BOŞTUR. BU NEDENLE METALİK DAVRANIR. ANCAK
Boş Bantlar T = 0K’ DE SAF (ASAL) YARIİLETKENLER
Sıkı Bağ Yaklaşımı ile bant yapılarının hesabında çok çeşitli yöntemler
kullanılmaktadır.
Bunlara bazı örnekler:
Atomik Yörüngelerin Lineer Kombinasyonu
Hücresel Yöntem
Ortagonalize edilmiş Düzlem Dalgalar
Green Fonksiyonları
Psödö-potansiyel Yöntemi
......gibi

Biz bu derslerde bant yapılarının hesabı ile ilgilenmeyeceğiz. Sadece

elde edilen gerçek bant yapılarının özellikleri ve şekilleri hakkında genel
bilgiler edineceğiz.
Göreceğimiz yapılar, uygulama alanları yaygın olan önemli birkaç
malzeme ile ilgili olacaktır. Silisyum ve GaAs gibi,
Bu yapılarda ortaya çıkan genel özellikler pekçok malzeme için de
geçerlidir.
 Enerji bant yapılarını (Elektronların dispersiyon bağıntıları) anlayabilmek için,
bunların hesaplanmasında göz önüne alınan 1.Brillouin Zonunun şeklinin ve
hesaplarda kullanılan parametrelerin anlamı bilinmelidir.

 noktası daima k=0 olarak alınır.

,  ve  doğrultuları fcc yapının
bütün simetri işlemlerini içeren 3
önemli doğrultudur.
, L ve K noktaları ,  ve 
doğrultularında 1.BZ nu kesen
noktalardır.

fcc yapının k-uzayındaki 1. BZ’ nun şekli

Gerçek uzayda fcc yapı

fcc yapının k-uzayında 1.

Brillouin Zonu ve içinde çizilen
(110) düzlemi. Solda bu şekil
üzerindeki önemli simetri
eksenleri
GaAs kristalinin Bant yapısı (Elektronların dispersiyon eğrileri)

İletkenlik bandı
minimumu k=0 da
olduğundan direk bant
yapısına sahiptir.
En Üst
Yasak Aralık

Yasak Aralık

Valans bandının
maksimumu daima k=0
olarak alınır
Silisyum Kristalinin Bant Yapısı
İletkenlik bandı minimumu
k ≠ 0 da olduğundan
indirek bant yapısına
sahiptir.

En Üst
Yasak Aralık
İndirek bantlı bir kristalde,
valans bandı maksimumunda
bulunan bir elektronun
iletkenlik bandına geçebilmesi
için yasak aralığa eşit enerji
kazanması yetmez, Zira k=0
değerinde bu enerjiyi alırsa
yasak aralık içinde duramaz.
İletkenlik bandının minimumu
k≠0 olduğundan bu
elektronun k değeri yani
momentumu da değişmedir.
Bu momentum değişmesi ise
fononlarla mümkün olur
Alüminyum’ün bant yapısı

Yasak Aralık Bulunmamaktadır.

4.4 BANT YAPISINDA ETKİN KÜTLE
Daha önce, kristal yapı içinde periyodik
potansiyel altında iletkenlik elektronlarının
kütlelerinin serbest elektron kütlesinden farklı
olacağını ve buna etkin kütle adı verildiğini
söylemiştik. Şimdi bantlar içinde bu durumu
inceleyelim.

Tek boyutlu zincirimize bir elektrik alan

uyguladığımızda, elektronlar alanın
varlığından eEx elektrostatik potansiyeline
sahip olurlar ve bu potansiyel periyodik örgü
potansiyelinin üzerine eklenir.

Böylece, yerel olarak ortalama potansiyel

enerji bir eE gradyantı kazanır. Bu durum,
enerji bantlarının şekilde görüldüğü gibi
uygulanan eE potansiyeline paralel olarak
eğilmesine neden olur. Bu şekilde eğilmiş bir
enerji bandında, -durumların üstüste
konmasıyla oluşan- bir elektron dalga
paketinin hareketini inceleyelim.
Uygulanan alan ile, ortalama potansiyel enerjideki değişim, elektronun E(k)
dispersiyon bağıntısını değiştirmeyecek kadar küçüktür.

Dalga paketi herhangi bir t anında  enerjisinde ve k değerinde bulunsun.

Bu dalga paketinin t zaman aralığındaki hareketinii hesaplayalım. Bunun
için varsayımlarımız:
i) Dalga paketinin hızı grup hızıdır. yani d 1 d
v  (1
dk  dk )
 ii) Bu dalga paketinin hareketi, toplam enerjisi sabit kalan klasik bir
tanecik gibi davransın. Bu durumda, dalga paketi t zaman aralığında x
kadar yol aldığında kinetik enerjisi
  eE xx (2)

bağıntısı ile belirlenen  kadar değişir.

Aynı t zaman aralığı içinde k’daki değişim (1)’den yararlanarak;
dk 1
k    
d v
Burada, tanecik düşüncesini göz önüne alarak, v = dx/dt ve (2)
denklemini kullanarak,
dk 1 d eE dx eE
  
dt v dt v dt 
veya dk
  eE (3)
dt
Bu ifade, hareket denkleminin, momentumdaki değişme oranının uygulanan
kuvvete eşit olduğunu belirten şeklidir.
 Momentumdaki değişim sadece bu elektrona ait değildir, kristalin bütünü ile
ilgilidir. Bu nedenle buna “KRİSTAL MOMENTUMU” adı verilir.

Etkin kütle kavramını kullanarak, elektron için gerçek momentum

veya kristal momentumu arasındaki farkı düşünmeden, hareket
denklemini yazmak mümkün olur.

Bunun için eşitlik (1)’de yazdığımız grup hızı ifadesinin zamana göre
türevinden ve (3) ifadesinden

dυ 1 d  dε  1 d 2 ε dk 1 d 2ε
 .   . 2 .   2 . 2 eE (4)
dt  dt  dk   dk dt  dk
elde edilir. Diğer taraftan bu ifadeyi, me kütleli –e yüklü bir taneciğin klasik
hareket denklemi; dv
me  eE (5)
dt
ile kıyaslarsak,
2
me  
d 2 (6)
olarak elde edilir. dk 2
Solda şeklin üst tarafında tipik 1-boyutlu bir
kristal için elde ettiğimiz (k) değişimi
grafik olarak tekrar çizilmiştir.
Matematiksel olarak bu eğrinin [yani
(k) eğrisinin] 2.türevi alınarak grafik
olarak çizilse, alttaki şekil elde edilir.

Görüldüğü gibi, sarı ile taranmış

bölgelerde elektronun etkin kütlesi
negatif çıkmaktadır. Belirli bir noktada
etkin kütle - dan + a gitmektedir.
Yani, bir teklik noktası, belirsizlik
noktasıdır.

Bunlara karşılık, enerji bandının alt

kısımlarında, yani k = 0 civarında
oldukça sabit bir değerde kalmaktadır.
Bandın üst kısmında yani /a civarında
da oldukça sabittir.
Negatif etkin kütle kavramı, bandın üst kısımlarına yani
pratikte dolu bantlara ait bölgeleri ilgilendirdiğinden daha
ziyade bu bölgelerdeki elektronların seviyeden ayrılması ile
ortaya çıkan “boşluk” kavramı ile kolay anlaşılabilir. Boşluk,
kavramı yarıiletkenlerde önemli bir kavram olarak karşımıza
çıkmaktadır.