KATILARIN MANYETİK

ÖZELLİKLERİ
SPİN ENJEKSİYONU, SPİN BİRİKİMİ

SPİN TRANSFER TORKU

Kurtay ALP
20810820

1
Sunum Planı
• Spin enjeksiyonu ve spin birikimi
• Spin Transfer Torku
• GMR (Dev Magnetorezistans)
• Yarıiletkenlerde Spin Ömürleri ve Difüzyon Uzunlukları
• Pompa-Prob Deneyi ile Spin Gevşeme Süresinin Ölçülmesi
• Spin Transfer Torku

2
Spin-polarize elektron taşınmasında önemli bir kavram,
spin birikimidir.
Spin popülasyonları şöyle değiştirilebilir:
Spin popülasyonları, bir ferromanyetle normal bir metal
arasındaki temasın yakınında değişir; burada spin-polarize
elektronlar normal metale yayılır ve polarize edilmemiş
elektronlar ferromanyete yayılır.
ferromanyet Metal plaka

3
Spin popülasyonundaki denge değişiklikleri çok küçüktür,∼kBT/εF , ancak
arayüzün her iki tarafındaki manyetik bulanıklığın boyutu spin difüzyon
uzunluğudur. Arayüz boyunca akım aktığında spin popülasyonunda önemli denge
dışı değişiklikler meydana gelir. Spin-polarize elektronlar ferromanyetten normal
metale girer ve oradan difüzyona uğrar. Arayüz ve kimyasal potansiyeldeki ilişkili
değişiklikler Şekil 1’de gösterilmiştir.

(a)Elektronların bir ferromıknatıstan (F) normal

bir metale (N) aktığı bir arayüzde spin
enjeksiyonu.
(b)Spin-polarize elektronlar normal metalde
birikir.
(c)Arayüze yakın denge dışı kimyasal
potansiyeller.
(d)Manyetik olmayan metal ile ferromanyet
arasındaki arayüzde kimyasal potansiyellerin
eşleşmesi

Şekil 1 4
Denge dışı spin enjeksiyonu ile ilişkili küçük, dönüşe bağlı gerilimleri algılamanın en iyi yolu, yerel olmayan bir
taşıma ölçümüdür. Spin polarize elektronlar, ferromagnet F1'den normal metale enjekte edilir ve ondan
uzağa yayılır. Akım yolunda olmayan başka bir ferromanyetik elektrotun F2 potansiyeli ölçülür. Spin polarize
elektronlar enjektörden uzaklaşır ve (spin difüzyon uzunluğu) ölçeğinde spin-polarize bir yük bulutu oluşur.
Algılayıcı elektrotun potansiyeli, F1 ve F2'nin paralel ve antiparalel konfigürasyonları için biraz farklıdır, çünkü
↑ ve ↓ elektronları Şekil 2'de belirtildiği gibi spin birikim bölgesinde farklı kimyasal potansiyellere sahiptir.

Algılama elektrodundan bir

akım geçirmeden, denge dışı
spin birikimini araştırmak için
yerel olmayan bir elektriksel
ölçüm. p ve ap, F1 ve F2
ferromanyetlerinin paralel ve
antiparalel konfigürasyonlarını
ifade eder.

Şekil 2 5
Spine bağlı potansiyeli x'in bir fonksiyonu olarak ölçerek spin difüzyon uzunluğunu belirlemek mümkündür.
Ferromanyet-metal arasındaki arayüzdeki spin birikim voltajı olan sönümlenmesi spin difüzyon
denklemine bağlıdır. İki spin popülasyonu için difüzyon denklemleri;

Burada De, elektronik difüzyon sabitidir ve τs bir iletim elektron spin rezonans deneyinde belirlenen spin-spin
gevşeme süresi T2 ile ilgili olan spin gevşeme süresidir.
Arayüz boyunca akan akımın yarattığı fazla spin yoğunluğu
m(x,t) = n↑(x,t) − n↓(x,t)
D(ε) durumlarının spin-bölünmüş elektronik yoğunluğunun kimyasal potansiyel µ↑ veya µ↓ farkına kadar
entegre edilmesiyle elde edilir.

6
n↑ − n↓ farkına spin difüzyon denklemleri uygulandığında, spin voltajı için kararlı durum
çözümü;
Burada ve alt simge, spin voltajının
nerede değerlendirildiğini gösterir.
F-N ekleminin ferromanyetik tarafında, spin polarizasyonu, ferromanyetteki saçılımı ile
belirlenen bir uzunluk ölçeğinde oluşur (Şekil 3). Saf ferromanyetik metallerde, yaklaşık 40
nm'dir ve τs 1 ps'dir, ancak saçılmanın daha büyük olduğu Ni–Fe veya Co–Fe gibi alaşımlarda
değerler daha küçüktür.

Bir ferromanyet ve normal bir metal. Normal metalde spin birikimi için
karakteristik uzunluk ölçeği , spin-difüzyon uzunluğudur.

Şekil 3 7
Bir GMR spin valfi için kimyasal potansiyeller manyetik
olmayan tabakanın spin gevşemesinin ihmal
edilebileceği kadar ince olması durumunda Şekil 4’de
gösterilmiştir. Serbest katmanın paralelden
antiparallele çevrilmesinde, spine bağımlı
potansiyelde bir değişiklik ve dolayısıyla spin
biriktirme voltajı Vsa’da magnetodirenç olarak
adlandırılan bir değişiklik oluşur. Şekil 4. Elektrotların bir GMR spin valfinde paralel veya antiparallel
Arayüz ile direnç alanı çarpımı =Vsa /j'dir. İletkenlik hizalanması ile ↑ ve ↓ elektronları için oluşan kimyasal potansiyeller.
Ara tabakanın spin difüzyon uzunluğu ile karşılaştırıldığında ince olması
oranı α = σ ↑/σ ↓kullanılarak gerekir (F1, F2 –ferromagnetler; N – normal metal.)
şu şekilde ifade edilir:

GMR (Dev magnetodirenç)

Burada ferromanyetin direncidir ve

iki ferromanyetik tabakanın toplam kalınlığıdır.
İnce bir manyetik olmayan aralayıcı ve kalın ferromanyetik tabakaların sınırında sonuç;

Burada , ferromıknatıstaki spin difüzyon uzunluğudur. α değeri büyük olduğunda ve spin difüzyon uzunluğu ferromagnette
uzun olduğunda dirençteki değişim daha fazla olur. α = 5 ve / ≈ 0.25 ise, manyetodirenç %20 olur. Spin birikim voltajının
büyüklüğü, çok yüksek akım yoğunluklarında dahi (j ≈ 10 12 Am−2) bir milivoltu aşmaz.

Spin ömürleri ve difüzyon uzunlukları yarı iletkenlerde metallere göre çok daha uzundur, ancak elektrik spin enjeksiyonu ve
spin polarize elektronların tespiti, metal ve yarı iletken arasındaki direnç uyumsuzluğu nedeniyle problemlidir. Paralel olarak
eklenen iki spin kanalı direnci göz önüne alındığında, metal artı temas direnci spine bağlıdır, ancak çok daha büyük yarı iletken
direnci spine bağlı değildir. Her kanaldaki akım hemen hemen aynıdır, bu nedenle elektronlar önemli ölçüde polarize değildir.
Ara yüzeylerde saçılmayı özdirençten ziyade direnç açısından ele almak daha uygundur; toplam saçılma hesabı için,
potansiyelin değiştiği eklem bölgesi boyunca integral alınması gerekir.
9
Bu sorunun üstesinden gelmenin bir yolu, yarı iletken–metal arayüzüne yüksek dirençli bir Schottky bariyeri veya tünel bariyeri
yerleştirmek ve bariyerin üzerine spin polarize sıcak elektronlar enjekte etmektir. (Walter H. Schottky'nin adını taşıyan schottky
bariyeri, metal yarı iletken eklemde oluşan elektronlar için bir potansiyel enerji bariyeridir.) Bariyer, spine bağlı bir dirence
sahiptir.

Alternatif olarak, GaAs gibi doğrudan bant genişliğine sahip yarı iletkenler için dairesel polarize ışık kullanan optik spin
enjeksiyonu da bir çözümdür. Bant yapısı Şekil 5‘te gösterilmiştir, bant genişliği 1.52 eV'dir. değerlik bandı, spin-yörünge
etkileşmesi ile farklı etkin kütlelere sahip birve iki alt bandına bölünür.

GaAs şematik bant yapısı. Dairesel polarize ışık

gönderilerek mj = 1 (σ+) optik geçişleri katı
çizgilerle gösterilmiştir. Daire içine alınmış
şekiller göreceli geçiş olasılıklarıdır.

Şekil 5 Spin yörünge

etkileşmesi
10
Yarı iletken, üç değerlik alt bandından elektronları Ga 4s iletim bandına uyaracak kadar enerjik olan
dairesel polarize fotonlarla pompalandığında, elektronlar mj = ± 1/2 durumlarını eşit olarak doldurur ve net
spin polarizasyonu vermez.

Ancak, foton enerjisi 1.52 eV ile 1.84 eV arasındaysa, mj = -1/2 ve mj = +1/2 3:1 oranında doldurulur, bu
nedenle olarak tanımlanan iletim elektronlarının net polarizasyonu:

= (1 - 3)/(1 + 3) = -%50

olarak hesap edilir.

elektronları, nanosaniyelik bir spin ömrüne sahipken, delikleri, spin-yörünge saçılması nedeniyle daha hızlı
(yaklaşık 100 ps'de) bir şekilde depolarize olur. Spin-polarize taşıyıcılar, elektronların ve deliklerin
rekombinasyonu ile yayılan dairesel polarize lüminesans gözlemlenerek tespit edilir. Spin polarizasyonu
Faraday veya Kerr etkileri kullanılarak da tespit edilebilir.

11
 Pompa-Prob Deneyi ile Spin Gevşeme Süresinin Ölçülmesi

GaAs'ta spin polarize elektronların ömrünü belirlemek

için bir pompa-sonda deneyi.
Şekil 6

• Spin ömrünü belirlemek için Şekil 6’da gösterilen pompa-prob deneyi yapılabilir.
• Yarı iletkenin değerlik bandının en yüksek enerjisine ayarlanmış bir lazerden çıkan dairesel polarize ışık darbesi spin-
polarize taşıyıcılara enjekte edilir.
• Değerlik bandından uyarılan bir grup polarize spin, uygulanan B magnetik alanı ile Larmor frekansında presesyon
yapar. Bu frekans
• Pompa dalgasından zaman süresi sonra doğrusal kutuplu prob dalgası gönderilir. Bu dalga Faraday dönüşü ile oluşan
polarizasyonu ölçmeye yarar.
• Yarı iletkenlerdeki faktörü 2'den oldukça farklı olabilir. Tekrarlanan darbelerin ortalaması alınarak gözlenebilir bir
Faraday rotasyonu elde edilebilir.
• Spin gevşeme süresi sönümlenme eğrisinden elde edilir. Faraday rotasyonunun zamana bağlı ifadesi şu şekildedir:

12
 SPİN-TRANSFER TORKU (STT)
Bir manyetik tünel bağlantısındaki veya döndürme valfindeki bir manyetik tabakanın yönünün, bir döndürme-polarize akım kullanılarak
değiştirilebildiği bir etkidir.
Yük taşıyıcılar (elektronlar gibi) , taşıyıcıya özgü küçük bir açısal momentum miktarı olan spin olarak bilinen bir özelliğe sahiptir . Bir elektrik
akımı genellikle polarize değildir (%50 spin-up ve %50 spin-down elektronlarından oluşur); spin polarize akım, her iki spinden de daha fazla
elektron içeren akımdır. Kalın bir manyetik katmandan (genellikle “sabit katman” olarak adlandırılır) bir akım geçirerek, spin-polarize bir akım
üretilebilir. Bu spin-polarize akım ikinci, daha ince bir manyetik katmana ("serbest katman") yönlendirilirse, açısal momentum, yönünü
değiştirerek bu katmana aktarılabilir.

İki anti-hizalı katman için basit bir döndürme-aktarım torku modeli. Sabit
katmandan akan akım spin-polarizedir. Serbest katmana ulaştığında, çoğu
dönüş, süreçte serbest katmana bir tork uygulayarak zıt dönüşün düşük
enerjili durumlarına gevşer.

Döner valf/manyetik tünel bağlantısının şematik diyagramı. Bir döndürme

valfinde ara katman (mor) metaliktir; bir manyetik tünel kavşağında
yalıtkandır.

13
 Spin-polarize akım ve spin-transfer torku (STT)
anahtarlama. M1, M1 yönünde spin-polarize
olan gelen elektronlara bir tork uygular. Bu spin-
polarize akım sırayla M2 üzerinde bir tork
uygulayarak M2 presesyonuna ve
anahtarlamaya neden olur.

Bir spin-polarize elektron akımı manyetik bir tabakadan geçtiğinde, spin açısal momentumunu bu tabakaya aktarır
ve bu da mıknatıslanma üzerinde bir tork ile sonuçlanır. Bu, spin-transfer torku (STT) etkisi olarak bilinir. Esasen,
dönme momentumunun transferi yoluyla bir tork üretilir. Tork, mıknatıslanmadaki salınımları uyarır ve yeterince
güçlüyse mıknatıslanma yönünün dönmesine neden olabilir. Bir dönme valfi veya manyetik tünel kavşağı (MTJ)
durumunda, spin-polarize akımı üretmek için sabit bir mıknatıslanma yönüne sahip bir manyetik tabaka kullanılır:
sadece dönüşü mıknatıslanma yönüyle hizalanmış elektronları geçen bir dönüş filtresi görevi görür. Spin-polarize
akım daha sonra geçer ve mıknatıslanması serbestçe dönebilen daha ince bir manyetik tabakada bir tork üretir: eğer
yeterince güçlüyse, tork bu tabakanın mıknatıslanmasının ters yöne geçmesine neden olur. 14
STT anahtarlamasının gözlemlenmesi için çeşitli koşullar gereklidir. İlk olarak, manyetik tabakaların yeterince ince, tipik olarak
birkaç nanometre olması gerekir, aksi takdirde spin saçılması spin polarizasyonunun kaybolmasına neden olur. İkincisi,
manyetik tabakaların yanal boyutlarının yeterince küçük, tipik olarak 100 nanometreden daha az olması gerekir, aksi takdirde
tabakalardan geçen yüksek akım yoğunluğu tarafından üretilen manyetik alan STT etkisine müdahale eder.
Spin transfer torku, manyetik rastgele erişimli bellekteki aktif elemanları çevirmek için kullanılabilir. Döndürme transfer torku
manyetik rastgele erişimli bellek (STT-RAM veya STT-MRAM), SRAM ve DRAM gibi şarj tabanlı belleklere göre büyük bir avantaj
olan sıfıra yakın kaçak güç tüketimine sahip kalıcı bir belletir. STT-RAM ayrıca, aktif elemanları çevirmek için manyetik alanlar
kullanan geleneksel manyetorezistif rastgele erişimli bellekten (MRAM) daha düşük güç tüketimi ve daha iyi ölçeklenebilirlik
avantajlarına sahiptir. Zamanla açısal momentumdaki bir değişiklik bir torka eşdeğerdir, bu nedenle elektronlardan
ferromanyete bir STT etkisi vardır. Bu etki kullanılarak akım kontrollü manyetorezistif rasgele erişim belleği (STT-MRAM) fikri
geliştirilmiştir. Bu çözüm yalnızca işlem için gereken gücü azaltmakla kalmayacak, aynı zamanda okuma ve yazma sürelerini de
azaltacak ve bu da onu aşınmayan kalıcı olmayan bir bellek haline getirecektir. Spin-transfer tork teknolojisi, düşük akım
gereksinimlerini ve düşük maliyeti birleştiren MRAM cihazlarını mümkün kılma potansiyeline sahiptir.

15
 SPİN DİNAMİĞİ

https://tsapps.nist.gov/publication/get_pdf.cfm?pub_id=32601
Shehzu Kaka, Steve Russek, Tom Silva National Institute of Standards and Technology, Boulder, CO 16
Landau-Lifshitz denklemi
Bir ferromagnette, mıknatıslanma M dahili olarak değişebilir,
ancak her noktada büyüklüğü, Ms doygunluk manyetizasyonuna
eşittir. Landau-Lifshitz-Gilbert denklemi, torklara yanıt olarak
manyetizasyonun dönüşünü tahmin eder.
1955'te Gilbert, Landau – Lifshitz (LL) denklemindeki
sönümleme terimini manyetizasyonun zaman türevine bağlı
olan bir terimle değiştirdi. Spin sönümleme, harici bir manyetik
alan boyunca spin hizalama işlemini tanımlar. Hem spin yukarı
hem de spin aşağı seviyeleri kısmen doldurulur. Bir spin-down
elektronu spin-up seviyesine geçtiğinde, polarize bir foton
yayılır ve spin presesyon açısı azalır. Bu işleme spin sönümleme
denir.

1996'da Slonczewski modeli, spin transfer torkunu , yani

ferromagnet içinden akan spin- polarize akımın manyetizasyon
üzerine indüklenen torku hesaba katacak şekilde genişletti .
17
Kaynaklar
• Chengcen Sha, Yüksek Lisans Tezi, ‘Spin torque driven magnetization
dynamics in nanoscale magnetic tunnel junctions’, University of
California, Irvine, Physics, ABD, 2016.
• Spin Torque for Dummies, Matt Pufall, Bill Rippard Shehzu Kaka, Steve
Russek, Tom Silva, National Institute of Standards and Technology,
Boulder
• Spin-Transfer Torque:
https://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=10010
• Ferromanyetik Süperörgüler Prof. Dr. Mürsel ALPER Uludağ Üniversitesi,
Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü Temmuz 2008, Çanakkale
18
DİNLEDİĞİNİZ İÇİN TEŞEKKÜRLER.

19