Elektronik Ve Uygulamaları

06.03.
2013
T.C.
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ
MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ
MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ
1 Doç. Dr. Serdar KÜÇÜK
DERSİN ADI ???
Kaynak
• Electronic Devices & Circuit Theory,

Robert BOYLESTAD, Louis NASHELSKY
• Electronic Devices & Circuits,

Jr. Theodore F. BOGART
1
06.03.2013
Elektronik ve Uygulamaları
İçerik
• İletken Kavramı  Atomik Yapı
 Elektron
• Yalıtkan Kavramı
 Oyuk
• Yarı İletken Kavramı
 Yarı İletken
 Maddede İletim
YARI İLETKEN TEORİSİ (GİRİŞ 1)
Atomun Yapısı Git
Yarı İletken Maddeler Git
Yarı İletken Maddelerdeki Akım Git
N Tipi Yarı İletken Git
P Tipi Yarı İletken Git
2
06.03.2013
ATOMUN YAPISI
Nötr Atom:
 Her bir atomdaki pozitif yüklü proton sayıları ile
negatif yüklü elektron sayıları eşit olduğundan atom
elektriksek olarak nötr durumdadır.
5 Giriş
ATOMUN YAPISI (DEVAM)
 Şekilde görülen silisyum atomun çekirdeğinde 14 proton ve 14 nötron,

etrafında ise 14 elektron bulunmaktadır.
K L M
14P
14N +
a) Silisyum atom yapısı
(b)
b) Silisyum atomunun kısa gösterimi

(a)
6 Giriş
3
06.03.2013
Elektron Sayısı:
 Elektronlar atom çekirdeğinin etrafındaki yörüngelerde
hareket halindedir.
 Yörüngedeki elektron sayısı Ne=2n2 formülü ile bulunur.
 14 elektronu bulunan silisyoum atomunun
 K=2.(1)2=2, L=2.(2)2=8, M yörüngesinde is 4 elektron bulunur.
7 Giriş
Valence Yörüngesi:
 Atomun en son yörüngesine ‘valence yörüngesi’ denir.
 Valence yörüngesinde az elektronu bulunan atomlar
kolayca serbest elektron haline gelirler.
 İletken atomlarının ‘valence yörüngelerinde’ çok az
elektron vardır (Bakır’ın 1).
8 Giriş
4
06.03.2013
Elektrik Akımı:
 İletkenlere elektrik uygulandığında bu serbest elektronlar
iletkenin bir ucundan diğer ucuna serbestçe hareket ederek,
elektrik akımının oluşmasını sağlarlar.
 Yarı iletkenlerin valence elektronları ise atom çekirdeğine
sıkı sıkıya bağlı olduğundan koparılmaları çok zordur.
9 Giriş
YARI İLETKEN MADDELER
Yarı İletken Maddelerin Özellikleri:

 Hemen hemen bütün modern elektronik devreler yarı
iletken malzemelerden yapılır.
 Yarı iletken malzeme, ne tam yalıtkan (lastik, plastik) ne de
tam iletkendir. (Alüminyum, Bakır)
 Yarı iletken, elektrik akımını çok iyi iletmeyen bir iletken
veya elektrik akımına tamamen zorluk göstermeyen bir
yalıtkan gibidir.
10 Giriş
5
06.03.2013
YARI İLETKEN MADDELER (DEVAM)
Yarı İletken Maddeler:

 İletkenler son yörüngelerinde çok az elektron
bulundururlar ve bu elektronlarını verme eğilimindedirler,
yalıtkanların son yörüngelerinde ise fazla sayıda elektron
vardır ve bunları tutma eğilimindedirler.
11 Giriş
Kristal Yapı:
 Yarı iletken atomunun son yörüngesinde 4 tane elektron
bulunur ve bu elektronların her biri komşu diğer 4 elektronla
kovalent bağ oluşturarak sabit, birbirine sıkı bağlı bir yapı
meydana getirir. Bu yapıya ‘kristal yapı’ denilir.
12 Giriş
6
06.03.2013
Kristal yapı
13 Giriş
Kristal Yapı:
 Germanyum ve silisyum atomlarının her ikisinin de son
yörüngelerindeki elektron sayıları kristal yapıyı oluşturacak
şekildedir.
 Fakat silisyumun sıcaklıkla olan ilişkisi daha iyi olduğundan
silisyum atomu daha fazla kullanılmaktadır.
14 Giriş
7
06.03.2013
YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM
Yarı İletken Maddelerin Özellikleri:

 Yarı iletken maddelerdeki elektronlar da iletkenlerde
olduğu gibi serbest elektron durumuna geçer ancak yarı
iletkendeki elektronların serbest elektron durumuna
geçebilmesi için çok daha fazla enerjiye ihtiyacı vardır.
 Çünkü kovalent bağ ile elektronlar birbirlerine çok sıkı bir
şekilde bağlanmışlardır.
15 Giriş
YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)
Serbest Elektron:
 Bir elektronun serbest elektron durumuna geçebilmesi için
gerekli enerji miktarı elektronvolt (eV) birimi ile belirlenir. 1
eV=1,602x10-19 (J)’dür.
 Valans yörüngesindeki elektronlar belli bir enerjiye sahiptir
ve ilave küçük bir enerji bu elektronları serbest elektron
yapmaya yeterlidir.
16 Giriş
8
06.03.2013
Serbest Elektron:
 İç yörüngelerdeki elektronlar ise, küçük bir enerjiye
sahiptir. Çekirdeğe daha yakın olduklarından dolayı çekirdeğe
daha sıkı bağlıdırlar, bu nedenle serbest elektron haline
geçebilmeleri için daha fazla ilave enerjiye ihtiyaçları vardır.
17 Giriş
Şekilde sürekli enerji bandı seviyesini görülmektedir.
18 Giriş
9
06.03.2013
Valans, İletim ve Yasak Bant:

 Akımın iletimini sağlayan Serbest elektronların iletim
bandındadır.
 Valans bandı elektronları enerji diyagramında da altta
gösterilir.
 Yasak bandın genişliği enerji boşluğunu ifade eder ve
elektronların valans bandından iletim bandına geçebilmesi
için bu enerji seviyesinin üzerine çıkması gerekir.
19 Giriş
Boşluk(Oyuk):
 İletkendeki elektrik ile yarı iletkendeki elektrik akımını
birbirinden ayıran en belirgin özellik yarı iletkendeki elektrik
yüklerinin hareketidir.
 Yarı iletkendeki kovalent bağ koparıldığında, kristal yapıda
elektron kaybından dolayı bir boşluk (oyuk) meydana gelir.
Elektron kaybeden atom da pozitif yüke sahip olur.
 Bir oyuk bir birim pozitif yük olarak düşünülebilir.
20 Giriş
10
06.03.2013
Şekilde tek bir oyuk akımı

görülmektedir. B atomundaki
elektron A atomundaki oyuğu
doldurduğunda geriye B atomunda
bir oyuk bırakmaktadır. Benzer
şekilde, kristal yapı içerisindeki bir
başka C atomunda B atomundaki
oyuğu dolduracaktır. Dolayısıyla
elektron akımı sağdan sola (B’den
A’ya ) doğru gerçekleşirken oyuk
akımı soldan sağa(A’dan B’ye) doğru
gerçekleşecektir.
21 Giriş
Boşluk(Oyuk):
 Buradan da anlaşılacağı gibi yarı iletkende elektron akımı
ve oyuk akımı olmak üzere akımın iki bileşeninden söz etmek
mümkün olacaktır.
 Oyuk akımı valans band seviyesinde Elektron akımı ise daima
iletim bandında gerçekleşir ve sadece serbest elektron akışını
içerir.
22 Giriş
11
06.03.2013
Boşluk(Oyuk):
 Burada elektronlar ve oyuklar yük taşıyıcılar olarak
adlandırılır. Yarı iletkenlerde meydana gelen bu oyuk akışı,
iletkenlerde yoktur.
23 Giriş
N TİPİ YARI İLETKEN
N Tipi Madde:
 Bilindiği gibi saf yarı iletken(intrinsic) maddede elektron
yoğunluğu ile oyuk yoğunluğu birbirine eşittir(ni=pi).
 Yarı iletken malzemelerin üretimi sırasında taşıyıcıların
yoğunlukları arasındaki bu denge, elektronların sayısı
oyukların sayısından fazla olacak şekilde veya tam tersi olacak
şekilde kristal yapıya dışarıdan bir katkı maddesi eklenerek
değiştirilir.
24 Giriş
12
06.03.2013
N TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)
N Tipi ve P Tipi Madde:

 Ekleme işleminden sonra bu maddelere ‘katışık(impure,
extrinsic) yarı iletken maddeler’ denir. Bu maddelerden
elektronların yoğun olanına N-tipi madde, oyukların yoğun
olanına ise P-tipi madde denilir.
25 Giriş
N Tipi Madde Oluşumu:

 Son yörüngesinde 4 elektron bulunan silisyum atomuna
son yörüngesinde 5 elektron bulunan bir katkı maddesi
(antimon(antimony)), arsenik(arsenic) veya fosfor
(phosphorus) atomu eklenirse, bu 5 elektrondan 4’ü silisyum
atomunun 4 elektronu ile kovalent bağ oluşturur ve kristal
yapının bir parçası durumuna gelir.
26 Giriş
13
06.03.2013
Doping İşlemi:
 Ancak 5.elektron kovalent bağ oluşturamadığından bu
elektron açıkta kalır. Böylece kristal yapı içerisine 1 tane
fazladan elektron ilave edilmiş olur. Bu şekilde fazladan 1
elektron oluşmasına neden olan atoma ‘donor atomu’, katkı
maddesi ekleme işlemine de ‘doping işlemi’ denir.
27 Giriş
Donor atomu içeren silisyum kristal yapısı ve n tipi madde.
Si Si Si Si
e e e e e
D D D D D
e e e e e
D D D D D
e e e e e
Si Si D Si D D D D D
e e e e e
D D D D D
D-Donor atomu
Si Si Si Si e-İlgili atoma ait elekton
28 Giriş
14
06.03.2013
N Tipi Madde Oluşumu:

 Bu fazla elektron donor atoma gevşek bir şekilde bağlıdır
ve iletim bandındadır. Bu yüzden donor atomunun kendisi
pozitif iyon durumuna geçer. Silisyum kristale çok sayıda
donor atomu ilave edilirse, aynı oranda elektron da ilave
edilmiş olur. Böylece elektronların baskın olduğu N-tipi
madde elde edilir.
29 Giriş
P TİPİ YARI İLETKEN
P Tipi Madde:
 P tipi madde de N-tipinde olduğu gibi saf silisyum
atomuna katkı maddesi eklenerek elde edilir.
 Son yörüngesinde 4 tane elektron bulunan silisyum
atomuna son yörüngesinde 3 tane elektron bulunduran bir
katkı malzemesinin (alüminyum (aluminum), bor(boron),
galyum(gallium) atomu) eklenmesi ile P tipi madde
oluşturulur.
30 Giriş
15
06.03.2013
P TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)
P Tipi Madde:
 Böyle bir atomun kristal yapıya eklenmesiyle elektron
eksikliği görülür. Çünkü silisyum atomunun 3 elektronu katkı
maddesinin 3 elektronu ile kovalent bağ oluştururken 1
elektronu açıkta kalır. Dolayısıyla katkı maddesinin olduğu her
yerde 1 oyuk meydana gelir. Bu oyuklar elektron almaya
elverişli olduğundan ‘acceptor(alıcı)’ olarak adlandırılır.
31 Giriş
Alıcı(Acceptor) atomu içeren silisyum kristal yapısı ve P tipi madde.
Si Si Si Si
h h h h h
A A A A A
hole
h h h h h
A A A A A
Si Si A Si h h h h h
A A A A A
h h h h h
A A A A A
Si Si Si Si A-Acceptor Atomu
h-İlgili atoma ait oyuk
32 Giriş
16
06.03.2013
Farklı silisyumlardaki akım akışı
+ + +
Akım
akmaz
+ + +
_ _ _
_ _ _
a) Saf silisyum kristali b) N tipi madde c) P tipi madde

33 Giriş
Akım Akışı:
 Şekil a’da ki devrelerde saf silisyum, N-tipi ve P-tipi
silisyumlarda ki akım akışı görülmektedir. Şekilde saf silisyum
görülmektedir. Bu durumda yapı içerisinde akım taşıyıcısı
bulunmadığından akım akışı gözlenmez.
34 Giriş
17
06.03.2013
Akım Akışı:
 Şekil b’de N tipi silisyum yarı iletken görülmektedir. Bu
durumda, elektronlar negatif yüklü olduğundan akım negatif
uçtan pozitif uca doğru akmaktadır. Şekil c’de P tipi silisyum
yarı iletken görülmektedir. Bu durumda ise, oyuklar pozitif
yüklü olduğundan akım pozitif uçtan negatif uca doğru
olacaktır.
35 Giriş
P-N BİRLEŞİMİ
PN Birleşimi:
 Bir P tipi madde ile N tipi madde birleştirildiğinde modern
elektronik devrelerin temelini oluşturan çok önemli bir yapı
meydana gelir. Bu iki maddenin birleştiği yer ‘PN birleşimi’
olarak adlandırılır ve transistor de dahil olmak üzere çoğu
elektronik devrenin temelini oluşturur.
36 Giriş
18
06.03.2013
P-N BİRLEŞİMİ (DEVAM)
a) P-N yüzey birleşmesi
37 Giriş
PN Birleşimi ve :
 P tipi madde ile N tipi madde birleştirildiğinde, N tipi
madde içerisindeki elektronlar P tipi maddeye, P tipi madde
içerisindeki oyuklar da N tipi maddeye doğru hızla hareket
ederler.
 Bu hareketin sonucunda P maddesinin birleşme yüzeyinde
negatif yüklü acceptorlar, N maddesinin birleşme yüzeyinde
ise pozitif yüklü donor atomları birikerek bir bölge oluşturur.
 Bu bölge akım taşıyıcılardan yoksun olduğu için ‘boşluk

bölgesi’(depletion region-barrier region) olarak adlandırılır.
38 Giriş
19
06.03.2013
b) Boşluk bölgesinin oluşması
39 Giriş
PN Birleşimi:
 İki ayrı bölgede ve farklı polaritelerde elektrik yüklerinin
toplanması, bu bölgeler arasında bir elektrik alanın
oluşmasına neden olur. Bu elektrik alanının yönü N tipi
maddeden P tipi maddeye doğrudur.
40 Giriş
20
06.03.2013
PN Birleşme bölgesindeki E elektrik alanı

E
Boşluk Bölgesi
41 Giriş
Ters Sızıntı Akımı:

 P-N birleşme yüzeyinde oluşan elektrik alanının yönü,
azınlık taşıyıcılarının yani P maddesinden N maddesine doğru
elektronların, N maddesinde P maddesine doğru oyukların
akmasını mümkün kılar. Bu akıma ‘ters sızıntı akımı’ denir ve
denge durumuna gelindiğinde bu ters sızıntı akımı da sıfır
olur. Sonuçta PN birleşme yüzeyindeki akım sıfır olur.
42 Giriş
21
06.03.2013
Bariyer Potansiyeli veya Gerilimi:

 P ve N maddelerindeki farklı yüklerin oluşturduğu
potansiyel fark ‘bariyer potansiyeli’ veya ‘bariyer gerilimi’
olarak adlandırılır. Bariyer geriliminin değeri; P ve N
maddelerindeki katkı maddelerinin yoğunluğuna, materyalin
tipine ve sıcaklığa bağlıdır.
43 Giriş
Bariyer Potansiyeli veya Gerilimi:

• Vo=Bariyer gerilimi,
• k= Boltzmann sabiti = 1,38x10-23 J/K,
• T = malzemelerin Kelvin cinsinden sıcaklığı ( K=273+0C),
• q= elektron şarjı = 1,6x10-19 coulombs,
• NA = P tipi maddedeki Acceptor yoğunluğu,
• ND = N tipi maddedeki Donor yoğunluğu,
k.T N .N
• Ni = Saf malzemenin taşıyıcı yoğunluğu, Vo ln A 2 D
q ni
• Burada termal gerilimi göstermektedir.
• ni= pi= 2,4x1013 taşıyıcı/cm3 for germanyum
• ni= pi= 1,5x1010 taşıyıcı/cm3 for silisyum
44 Giriş
22
06.03.2013
Örnek Soru:
 1022acceptors/cm3 katkılı bir P maddesi ile 1,2x1021
donors/cm3 katkılı N maddesi bir araya gelerek bir PN
birleşmesi oluşturmaktadır. 250C’de termal ve bariyer gerilimi
bulunuz.
Çözüm: T = 2 7 3+ 2 5 = 2 9 8 K
-23
k.T 1 ,3 8 .1 0 .2 9 8
VT = = -19
= 2 5 ,7 mV
q 1 ,6 .1 0
1 022.1 ,2 x1 021
ni2 = (1 ,5 x1 0
16 2 32
) = 2 ,2 5 x1 0 V o = 0 ,0 2 5 7 .ln 32
2 ,2 5 x1 0
NA.ND V o = 0,0257.(24
,6998)= 0,635V
Vo = VT .ln
ni2 45 Giriş
P-N BİRLEŞİMİNİN DOĞRU YÖNLÜ

KUTUPLANMASI
Doğru yönde kutuplama:

 P-N birleşimi doğru polarize edildiğinde, harici kaynağın
negatif kutbu elektronları N bölgesine doğru, aynı şekilde
harici kaynağın pozitif kutbu da oyukları P bölgesine doğru
iter. Böylece boşluk bölgesi oldukça daralır.
46 Giriş
23
06.03.2013
P-N BİRLEŞİMİNİN DOĞRU YÖNLÜ

POLARMALANDIRMASI (DEVAM)
h h h h e e e e
A A A A D D D D
h h h h e e e e
+ A A A A D D D D _
h h h h e e e e P-N Birleşiminin
A A A A D D D D
doğru yönlü
h h h h e e e e
A A A A D D D D polarmalandırılması
P N
Boşluk bölgesi
E
47 Giriş
P-N BİRLEŞİMİNİN TERS YÖNLÜ

POLARMALANDIRMASI
Ters Polarma:
 P-N birleşme yüzeyi ters polarize edildiğinde, oyuklar ve
elektronlar harici kaynağın pozitif ve negatif ucu tarafından
çekilir. Böylece boşluk bölgesi genişler. Boşluk bölgesi harici
ters gerilim değerine eşit gerilim seviyesine erişinceye kadar
genişler ve bu andan itibaren bütün taşıyıcılar durur. Ters
gerilim değeri arttıkça boşluk bölgesi de artar.
48 Giriş
24
06.03.2013
P-N BİRLEŞİMİNİN TERS YÖNLÜ

POLARMALANDIRMASI (DEVAM)
P N
h h e e
A A D D
h h e e
_ A A D D +
h h e e P-N Birleşiminin ters
A A D D
yönlü
h h e e
A A D D polarmalandırılması
Boşluk bölgesi
49 Giriş
E
YARI İLETKEN DİYOTUN YAPISI ve

ÇALIŞMA PRENSİBİ
Diyot:
 Diyotlar elektronik devrelerde önemli işlevleri olan P ve N
maddelerinin birleştirilmesiyle elde edilen yarı iletken bir
malzemedir. PN birleşimli diyotu oluşturan P tipi materyal
anot, N tipi materyalse katot olarak adlandırılır.
Anot P N Katot Anot Katot
(a) PN birleşimli diyotun yapısı (b) sembolü
50 Giriş
25
06.03.2013

ÇALIŞMA PRENSİBİ (DEVAM)
Özellikleri:
 Diyotlar idealde ileri yönde tamamen iletken ters yönde ise
tamamen yalıtkan özellik gösterirler. Fakat gerçekte bir
diyottan böyle bir karakteristik özellik elde etmek mümkün
değildir. Pratikte, diyot üzerine bir gerilim uygulandığında
bariyer gerilimi (silisyum için 0.7 V, germanyum için 0.3 V)
aşılana kadar iletime geçmez. Ters yönde bir gerilim
uygulandığında, diyottan daha önce de belirtildiği gibi çok
küçük bir sızıntı akımı akar.
51 Giriş

ID (mA)
Dogru kutuplama bölgesi

VD >0V, ID>0 Şekilde silikondan yapılmış
bir diyotun ileri ve ters yönde
Kutuplama gerilimi yok
VD= 0V, ID=0
+ - kutuplanmasıyla elde edilen
akım gerilim karakteristiği
ID
görülmektedir.
IS
VD (V)
-40 -30 -20 -10
0.1 A 0.3 0.5 0.7
0.2 A
0.3 A
Ters kutuplama bölgesi
VD<0V, ID=-IS 0.4 A
52
26
06.03.2013

Şekil a’daki gibi bir diyot ileri yönde kutuplandığında uygulanan gerilimin
genliğinin artmasıyla boşluk bölgesi daralır ve elektronlar birleşim
yüzeyinden geçerek devrede bir akım meydana getirirler.
Tam tersine şekildeki gibi ters yönde kutuplandığında boşluk bölgesi

genişleyerek devreden çok küçük bir sızıntı akımı dışında her hangi bir
akım akışı olmaz.
Anot Katot
a b
53 Giriş

Yarı iletken malzemeden yapılmış bir VD

diyot ileri ve ters yönde kutuplandığında
k
TK
devreden geçen akım sağdaki gibi ifade ID IS (e 1)
edilebilir.
Denklemde,
IS ters doyum akımı,
k 11,600 / burada germanyum için 1 , silisyum için 2 ’dir.
TK=TC+273o’dir.
54 Giriş
27
06.03.2013
DİYOTUN DC DİRENCİ
Statik Direnç:
 Diyota DC bir gerilim uygulandığında , diyot üzerinden
belirli bir akım akar. Diyotun DC direnci diyot üzerindeki DC
gerilimin, diyot içinden geçen akıma bölünmesiyle elde edilir.
Bu direnç aynı zamanda ‘statik direnç’ olarak ta bilinir ve RD
ile gösterilir.
V
RD = D ohm.
ID
55 Giriş
DİYOTUN DC DİRENCİ (DEVAM)
Diyotun DC direnci, o diyotun akım-gerilim grafiğine bağlıdır.
Herhangi bir çalışma noktasında

diyotun DC direncinin bulunması
56 Giriş
28
06.03.2013
Örnek Soru:
 Şekilde akım-gerilim
grafiği verilen diyotun
aşağıdaki çalışma
noktalarındaki DC
dirençlerini bulunuz.
• ID=2mA
• ID=20mA
• VD=-10V
57 Giriş
Çözüm:
a) ID=2mA iken VD=0,5V olduğundan;
VD 0,5V
RD = = = 2 5 0Ω
ID 2mA
b) ID=20mA iken VD=0,8V olduğundan;

VD 0,8V
RD = = = 4 0Ω
ID 2 0mA
c) VD=-10V iken ID = IS = -1μA olduğundan;
VD -1 0 V
RD = = = 1 0MΩ
ID - 1μA
58 Giriş
29
06.03.2013
DİYOTUN AC VEYA DİNAMİK DİRENCİ
Dinamik Direnç:
 Diyotun DC direnci, çalışma noktasındaki gerilimin yine
çalışma noktasındaki akıma bölünmesiyle elde edilmişti.
Diyotun bu çalışma noktasına Q(Quiescent) noktası denilir. Bu
noktada direnç, akım-gerilim grafiğinin şeklinden bağımsızdır.
Diyota DC yerine, AC bir kaynak uygulandığında, AC sinyal
değişmeleri diyotun Q çalışma noktasını uygulanan sinyalinin
büyüklüğüne göre değiştirir.
59 Giriş

(DEVAM)
Diyotun AC direncinin bulunması
Buradaki Q noktasından eğriye

çizilen teğetin eğimi diyotun AC veya
dinamik direncinin bulunmasında
kullanılır. Q noktasındaki doğrunun
eğimi veya diyotun dinamik direnci
aşağıdaki formülle bulunur;
ΔVd
rd =
ΔId
Burada kullanılan ∆ sembolü akım veya
gerilimdeki değişimleri göstermektedir.
60 Giriş
30
06.03.2013

(DEVAM)
Örnek Soru:
 Şekilde akım-gerilim
grafiği verilen diyotun
aşağıdaki çalışma
noktalarındaki AC(dinamik)
dirençlerini bulunuz.
• ID=2mA
• ID=25mA
61

(DEVAM)
Çözüm:
a) ID=2mA için; bu noktadaki doğrunun eğimini bulmak için ∆Id ve ∆Id
bulunursa;
ΔId = 4mA - 0mA = 4mA Vd 0,12V
rd 30
ΔVd = 0,7V - 0,58V= 0,12V Id 4mA
b) ID=25mA için; bu noktadaki doğrunun eğimini bulmak için ∆Id ve
∆Id bulunursa;
ΔId = 30mA - 20mA= 10mA ΔVd 0,0 2V
rd = = = 2Ω
ΔVd = 0,74V - 0,72V= 0,02V ΔId 1 0mA
62 Giriş
31
06.03.2013
DİYOTUN DC ANALİZİ
DC Analiz:
 Diyotlar DC olarak yük doğrusu analizi ve matematik analiz
olmak üzere iki farklı yöntem kullanılarak incelenebilir. Yük
doğrusu analizinde yorucu matematiksel işlemlerden
kaçınılarak diyotun akım-gerilim karakteristiğinden
faydalanılır. Matematiksel analizde ise diyot modellenip,
devre içerisinde bu model kullanılarak devredeki akım ve
gerilimler belirlenir.
63 Giriş
DİYOTUN DC ANALİZİ (DEVAM)
Diyotun Yük Doğrusu Analizi:

Diyot doğru yönde kutuplandığından ID ve VD değerleri pozitiftir. Bu
durumda diyotun genel karakteristik eğrisi Şekil b’deki gibi olur. Şekil
a’ daki devrede gösterilen diyotun yük doğrusunu çizmek için sırasıyla
ID 0 ve VD 0 koşullarının sağlanması gereklidir.
a) Seri diyot devresi
1. ID 0
b) Karakteristik eğrisi E IDR VD
E 0 R VD
VD E ID 0 A
2. VD 0 ise,
E IDR VD
E IDR 0
E
ID
64
VD 0
R
32
06.03.2013
Diyotun Yük Doğrusu:

 Elde edilen bu değerler birleştirilirse diyotun yük doğrusu
elde edilir. Yük doğrusu ile diyot karakteristiği birlikte çizilirse
çalışma noktası elde edilir ve bu nokta kısaca Q şeklinde
gösterilir. Q noktasının VD ekseni üzerindeki görüntüsü
diyotun çalışma gerilimini verirken, ID ekseni üzerindeki
görüntüsü de çalışma noktasındaki akımını verir. Diyotun bu
akım ve gerilim değerleri bulunduktan sonra devre analizinde
bu değerler kullanılır.
65 Giriş
Diyotun yük doğrusunun çizilmesi

ve çalışma noktasının bulunması.
66 Giriş
33
06.03.2013
Örnek Soru:
 Şekilde diyotun • VDQ ve IDQ
karakteristik eğrisi • VR değerlerini bulunuz.
verilmiştir. Buna göre.
67
Çözüm:
i-
VD E ID 0A ise VD 10V ve
E 10V
ID VD 0 ise ID 10mA bulunur.
R 1K
Bulunan bu ifadeler yük doğrusunun elemanlarıdır ve elde edilen bu

noktalar birleştirilerek Şekildeki yük doğrusu çizilir. Yük doğrusu ile diyotun
karakteristik eğrisinin çakıştığı Q noktası bulunur. Q noktasında göre
diyotun akım ve gerilim değerleri yaklaşık olarak aşağıdaki gibi olur.
VDQ 0.78V ve IDQ 9.25mA bulunur.

68
34
06.03.2013
Çözüm:
69
Çözüm:
ii-
VR IRR IDQR 9.25mA 1K 9.25V
(devre seri olduğundan IR IDQ )
E VR VDQ
10V VR 0.78V
VR 10V 0.78V 9.22V olur.
70
35
06.03.2013
Diyot Modelleri ve Matematik Analizi:

 Diyotların ideal, pratik ve detaylı olmak üzere üç farklı
modeli vardır.
71 Giriş
İdeal Diyot Modeli:

 Diyot doğru yönde kutuplandığında içinden geçen akım artsa bile
üzerinde düşen gerilimin sabit kaldığı görülür. Buradan hareketle,
doğru yönde kutuplanmış ideal bir diyotun direnci sıfıra eşit kapalı
bir anahtar olduğu anlaşılır. Ters yönde kutuplama bölgesinde ise
diyotun içersinden geçen akım sıfıra eşittir. Başka bir ifade ile ters
yönde kutuplanmış ideal bir diyot sonsuz direnç gösteren açık bir
anahtardır.
72 Giriş
36
06.03.2013
İdeal diyot modeli
73 Giriş
Pratik Diyot Modeli:

 Gerçekte doğru yönde kutuplanmış diyotun iki ucu arasında
küçük bir gerilim düşer. Bu gerilim eğer diyot silisyumdan yapılmışsa
0,7V, germanyumdan yapılmışsa 0,3V olur.
74 Giriş
37
06.03.2013
Pratik diyot modeli
75 Giriş
Ayrıntılı Diyot Modeli:

 Ayrıntılı diyot modelinde diyot ters yönde kutuplandığında, çok
yüksek bir dirence sahip olur ve içerisinden çok küçük bir sızıntı
akımı akar. Bu akım silisyum diyotlarda nanoamperler
seviyesindedir. Doğru yönlü kutuplamada ise diyot küçük bir dirence
sahip olur. Ayrıntılı diyot modeli daha çok diyotun AC
modellenmesinde kullanılır.
76 Giriş
38
06.03.2013
Ayrıntılı diyot modeli
77 Giriş
Diyotun Gerilim Kaynağı Gibi Kullanılması:

 Doğru yönde kutuplanmış bir silisyum diyota eşik gerilim
değerinin üzerinde bir gerilim uygulanmaktadır. Eşik gerilim değeri
aşılan silisyum diyot üzerinde 0.7V gerilim düşer ve devrede bir
akım akışı meydana gelir. Kirchhoff’un gerilimler kanununa göre bu
devrede,
78 Giriş
39
06.03.2013
E = IDR + VD formülü ile hesaplanır. Şekilde seri bir devre

E - VD olduğu için devreden ve diyot üzerinden aynı akım
ID = geçer.
R (I ID)
E - 0.7V Ayrıca, şekilde üzerine 0.7 V gerilim düşen diyot
ID =
R yerine 0.7 voltluk bir gerilim kaynağı, şekilde
(VD = 0.7V) görüldüğü gibi bağlanabilir.
R R
E I 0,7V E I 0,7V
79 Giriş
a) b)
Örnek Soru:
 Şekildeki devreden geçen • Devreden 4mA geçerse R direncinin
minimum akım 2mA alacağı değeri bulunuz.
değerindedir. Kullanılan • Yukarıdaki şıkta bulunan direnç
diyot silisyum olduğuna değerini kullanarak, devreden akım
göre; R geçebilmesi için minimum kaynak
geriliminin (E) değerini bulunuz.
E=5V I D
Örnek için kullanılacak devre

80
40
06.03.2013
Çözüm:
i-
Şekilde kaynak gerilimi E=5V verilmiştir. Ayrıca devreden akım
geçtiğinde diyot üzerinde 0.7V gerilim düşer. Bu durumda direnç değeri
aşağıdaki gibi hesaplanır.
E - 0.7V E - 0.7V 5 - 0.7V
ID = R= R 1075
R ID 4mA
ii-
Soruda diyotun minimum iletim akımının 2mA olduğu verilmiş ve
akım sınırlayıcı seri direncin değeri R 1075 bulunduğuna
göre, kaynak gerilimi aşağıdaki gibi bulunur.
E - 0.7V E 0.7V 2mA 1075 E 0.7V
ID = 2m A 2mA
R 1075
81
E 2,15V 0.7V E 2,85V
SERİ DİYOT DEVRELERİ
Seri Diyot:
 Elektronik devrelerde özellikle doğrultmaç devrelerinde
diyot yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu devrelerde diyot
devreye seri veya paralel olarak bağlanabilmektedir. Bu
devrelerin analizi yapılırken öncelikle devrede kullanılan
diyotun iletimde veya kesimde olduğunu belirlenmesi
gereklidir.
82 Giriş
41
06.03.2013
SERİ DİYOT DEVRELERİ (DEVAM)
Seri Diyot:
 Bir diyotun iletimde olabilmesi için kaynak tarafından
sağlanan gerilimin diyotun eşik gerilim değerinden daha fazla
olması gerekir. Bu gerilim değerlerine diyotun iletime
geçebilmesi için gerekli olan eşik gerilim değerleri denir ve VT
ile gösterilir.
83 Giriş
Seri Diyot:
 Kaynağın sağladığı gerilim eşik gerilimden daha düşük
olursa diyot iletime geçemez.
E VT diyot iletimde
E VT diyot kesimde
84 Giriş
42
06.03.2013
Devrede kullanılan diyot iletime

geçtiğinde diyot 0.7 voltluk bir gerilim
kaynağı gibi davranır ve devreden bir I
akımı geçer. b) Seri diyot eşdeğer devresi
ID ID
+ _
Dsi + + VD=0,7V - +
+ +
E R VR E IR R VR
_ _
I
a) b)
85 Giriş
Şekil b’deki diyotun iletime geçmesi

için aşılması gereken VT eşik gerilimi,
diyotun üzerinde tuttuğu VD kaynak
gerilimine eşittir. b) Seri diyot eşdeğer devresi
ID
VD VT
ID
+ _
Dsi + + VD=0,7V - +
+ +
E R VR E IR R VR
_ _
I
a) b)
86 Giriş
43
06.03.2013
Şekildeki R akım sınırlama direnci ile

diyot bir birlerine seri olduğundan
devreden geçen ID diyot akımı, IR a) Seri diyot devresi
direnç akımı ve I devre akımı bir birine
b) Seri diyot eşdeğer devresi
eşittir. I
D ID IR I ID
+ _
Dsi + + VD=0,7V - +
+ +
E R VR E IR R VR
_ _
I
a) b)
87 Giriş
Şekil b’deki devreye Kirchhoff’un

Gerilim Kanunu uygulanırsa aşağıdaki
eşitlikler elde edilir.
ID
E VD VR
ID
+ _
Dsi + + VD=0,7V - +
+ +
E R VR E IR R VR
_ _
I
a) b)
88 Giriş
44
06.03.2013
denklemde,
VR IR R veya a) Seri diyot devresi
VR ID R ’dir. b) Seri diyot eşdeğer devresi
ID ID
VR
ID IR
+ Dsi
_ R + VD=0,7V -
+ +
+ +
E R VR E IR R VR
_ _
I
a) b)
89 Giriş
Diyot eğer şekil a’daki gibi ters

çevrilirse, devreden her hangi bir akım
akmaz.
ID
+ V Dsi=E -
+ _
D si + I D=0 +
+ +
E R VR E R VR
_ _
a) b)
90 Giriş
45
06.03.2013
Diyot ters yönde kutuplandığından

devre akımına karşı çok büyük bir a) Seri devreye diyotun
direnç gösterir ve Şekil b’de görüldüğü ters bağlanması
gibi açık devre olur. b) Eşdeğer devresi
ID
+ V Dsi=E -
+ _
D si + I D=0 +
+ +
E R VR E R VR
_ _
a) b)
91 Giriş
Örnek Soru:
 Şekildeki devrede ID akımını ve V0 çıkış gerilimini bulunuz.
D Ge D Si
+
ID
+
E=10V R=4,7K Vo
92 Giriş
46
06.03.2013
Çözüm:
Devrede kullanılan diyotları, eşdeğer gerilim kaynağı kullanarak

şekildeki gibi gösterelim. Şekildeki devreye Kirchhoff’un Gerilim Kanunu
uygulanırsa;
V T1=0,3V V T1=0,7V
+ - + -
E VDGe VDSi VR
+
+ 10 0.3V 0.7V VR
E=10V R=4,7K Vo
_ VR 10 0.3V 0.7V 9V
93 Giriş
Çözüm:
R direnci üzerine düşen gerilim aynı zamanda çıkış gerilimidir ve

V0=VR=9 volttur.Devreden geçen akım ise;
V T1=0,3V V T1=0,7V VR 9V
ID 1.914mA
+ - + -
R 4.7K
+
olarak bulunur.
+
E=10V R=4,7K Vo
94 Giriş
47
06.03.2013
PARALEL ve SERİ DİYOT DEVRELERİ
Paralel Diyot:
 Şekilde görüldüğü gibi DGe1 ve DGe2 diyotları bir birine
paralel, her ikisi ise DSi diyotuna ve R direncine seri
bağlanmıştır.
R D Si
Seri ve paralel bağlı

I D1 ID2
I diyotların bulunduğu
+ örnek devre
E D Ge1 D Ge2
95 Giriş

(DEVAM)
Örnek Soru:
 Şekildeki devrede I, ID1 ve ID2 akımları ile V0 çıkış gerilimini
bulunuz.
2,7K D Si
+
ID1 I D2
I
+
E=15V D Ge1 D Ge2 Vo
-
96 Giriş
48
06.03.2013

(DEVAM)
Çözüm:
Şekildeki devrenin çıkışı bir birine paralel iki DGe diyotundan

alınmaktadır. Paralel kollarda gerilimler aynı olduğundan olur. Şekil deki
devrede ana koldan geçen akım,
E VR VDSi VDGe
E VDSi VDGe 15V 0.7V 0.3V
I 5.18 m A bulunur.
R 2.7K
97 Giriş

(DEVAM)
Çözüm:
Paralel kollardaki diyotların her ikisi de germanyumdan yapıldığından,

her iki koldan geçen akım bir birine eşit olur.
I 5.18 mA
ID1 ID2 2.59 mA
2 2 olur.
2,7K 0,7V
+
+
I D1 I D2
I
+ + +
E=15V 0,3V 0,3V Vo
-
98 Giriş
49
06.03.2013

(DEVAM)
Örnek Soru:
 Şekildeki devrede ana koldan geçen I, akımını ve V0 çıkış
gerilimini bulunuz
D Si1
D Ge1
I
D Si2 D Ge2
+
E=12V
+
R=9,1K Vo
99 Giriş

(DEVAM)
Çözüm:
Örnekteki devrenin, eşdeğeri aşağıdaki gibi olur
D Si1
A B
C
+
+
0,3V 0,7V D Ge2
+
E=12V D
+
R=9,1K Vo
I
-
100 Giriş
50
06.03.2013

(DEVAM)
Çözüm:
Eşdeğer çizimde A-B arasındaki iki diyottan eşik gerilim değeri

düşük olan önce iletime geçer ve paralel kolda diyotun eşik
gerilimi (VDGe1=0.3V) görülür. Silisyumdan yapılmış diyotun eşik
gerilimi 0.7V olduğundan bu diyot hiçbir zaman iletime geçemez
ve böylelikle DSi1 diyotu açık devre olur. C-D arasındaki
diyotlardan DGe2 ters, DSi2 ise doğru yönde kutuplanmıştır.
Bunlardan doğru yönde kutuplanan DSi2 diyotu iletime geçerken,
DGe2 diyotu açık devre olur.
101 Giriş

(DEVAM)
Çözüm:
Devrede ana koldan geçen akım
E VDGe1 VDSi VR
2
E VDGe1 VDSi2 IR
E VDGe1 VDSi2 12V 0.3V 0.7V 11V

I 1.208mA
R 9.1K 9.1K
Çıkış gerilimi
Vo IR 1.208mA 9.1K 10.99V
102 Giriş
51
06.03.2013
Tesekkür Ederim..
103
52

Elektronik Ve Uygulamaları

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronik Ve Uygulamaları

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

06.03.

1 Doç. Dr. Serdar KÜÇÜK

DERSİN ADI ???

• Electronic Devices & Circuit Theory,

• Electronic Devices & Circuits,

• İletken Kavramı  Atomik Yapı

YARI İLETKEN TEORİSİ (GİRİŞ 1)

Atomun Yapısı Git

Yarı İletken Maddeler Git

Yarı İletken Maddelerdeki Akım Git

N Tipi Yarı İletken Git

P Tipi Yarı İletken Git

ATOMUN YAPISI (DEVAM)

 Şekilde görülen silisyum atomun çekirdeğinde 14 proton ve 14 nötron,

b) Silisyum atomunun kısa gösterimi

ATOMUN YAPISI (DEVAM)

ATOMUN YAPISI (DEVAM)

ATOMUN YAPISI (DEVAM)

YARI İLETKEN MADDELER

Yarı İletken Maddelerin Özellikleri:

YARI İLETKEN MADDELER (DEVAM)

Yarı İletken Maddeler:

YARI İLETKEN MADDELER (DEVAM)

YARI İLETKEN MADDELER (DEVAM)

YARI İLETKEN MADDELER (DEVAM)

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM

Yarı İletken Maddelerin Özellikleri:

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)

Şekilde sürekli enerji bandı seviyesini görülmektedir.

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)

Valans, İletim ve Yasak Bant:

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)

Şekilde tek bir oyuk akımı

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)

YARI İLETKEN MADDELERDE AKIM (DEVAM)

N TİPİ YARI İLETKEN

N TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

N Tipi ve P Tipi Madde:

N TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

N Tipi Madde Oluşumu:

N TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

N TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

Donor atomu içeren silisyum kristal yapısı ve n tipi madde.

N TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

N Tipi Madde Oluşumu:

P TİPİ YARI İLETKEN

P TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

P TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

Alıcı(Acceptor) atomu içeren silisyum kristal yapısı ve P tipi madde.

P TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

Farklı silisyumlardaki akım akışı

a) Saf silisyum kristali b) N tipi madde c) P tipi madde

P TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

P TİPİ YARI İLETKEN (DEVAM)

P-N BİRLEŞİMİ (DEVAM)

a) P-N yüzey birleşmesi

P-N BİRLEŞİMİ (DEVAM)

 Bu bölge akım taşıyıcılardan yoksun olduğu için ‘boşluk

P-N BİRLEŞİMİ (DEVAM)

b) Boşluk bölgesinin oluşması