Fotovoltaik Teknoloji Ders Notu

Fotovoltaik Teknoloji
Dr. Osman Turan

Makine ve malat Mhendislii
Bilecik eyh Edebali niversitesi
Deerlendirme Kriterleri
Vize
% 30
dev
% 30
Final
% 40
Ders Plan
Blm 1:
Giri
Blm 2:
Genel Bilgiler : Elektriksel zellikler ve Elektrik retimi
Blm 3:
Gne Inm
Blm 4:
Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri
Blm 5:
Fotovoltaik Hcre Karakteristikleri
Blm 6:
Fotovoltaik Hcre Tasarm
Blm 7:
Fotovoltaik Hcre eitleri
Blm 8:
Fotovoltaik Sistem Tasarm ve Projelendirilmesi
Blm 9:
Fotovoltaik Sistemin Termodinamik Analizi
Dr. Osman Turan

Blm 1 : Giri
Dnya insanlara atalarndan miras kalmamtr,

insanlar onu evlatlarndan dn almlardr
Blm 1 : Giri
Enerji = Herey
Fosil Yaktlar
Kresel Isnma
Karbon Emisyonu
Sera Etkisi
Tehlikenin Farknda Myz?: Kresel Isnma
Kaynak: Prof. Dr. Mikdat Kadolu (Kresel klim Deiiklii ve Trkiye)
Blm 1 : Giri
Kt Haber: Kresel Isnma
Mitch Kasrgas 1998
1998 ylnda saatte 285 km hzla esen Mitch Kasrgasnda 10.000 l ve

$6.000.000.000 zarar ortaya kmt.
Blm 1 : Giri
Blm 1 : Giri
oC
Uzun dnemde dnyada meydana gelen deniz suyu scaklklarndaki deiimler

Kaynak : ngiltere de East Anglia niversitesi klim Aratrmalar Birimi ve Meteoroloji Ofisinin
Hadley Merkezi
Blm 1 : Giri
Blm 1 : Giri
Gnmz dnyasnda enerji, insanolu iin bir ihtiya olmann yannda zlmesi
gereken en nemli sorunlarn da banda gelmektedir.
Blm 1 : Giri yi Haber: Yenilenebilir Enerji Kaynaklar
Yenilenebilir enerji, srekli devam eden doal srelerdeki var olan enerji akndan
elde edilen enerjidir.
Yenilenebilir Enerji Kaynaklar
Hidrolik
Jeotermal
Bioktle
Gne
Rzgar
Yenilenebilir Enerji Kaynaklarnn Temel zellikleri
Fosil kaynakl( kmr,petrolvekarbontrevi) deilledir.

Elektrik enerjisi retilirken CO2 emisyonu az bir
seviyede gerekleir
evreye zarar ve etkisi konvansiyonel enerji
kaynaklarna gre ok daha dktr
Blm 1 : Giri
Istma
Elektrik
CSP (Concentrated Solar Power) Teknoloji
Blm 1 : Giri
Yllk Bileik Byme Oran
Blm 1 : Giri
Blm 1 : Giri
Blm 1 : Giri
(NREL)
There has been steady progress in the improvement of conversion efficiencies for a
number of PV technologies over the last few decades.
Blm 2: Genel Bilgiler
Elektriksel zellikler
Elektriklenme
Dr. Osman Turan

Bilim tarihi ierisinde, elektrik hakknda edinilen ilk bilgi, M. (640-546)
yllarnda Thales ile balad kabul edilmektedir.

Thales, bir kehribar ubuunu uhaya ( yne) srttnde, ubuun
kat ve ty gibi hafif paracklar ektiini fark etmitir.
Kehribar, am aacndan elde edilen bir tr talam reine
Elektrik , maddelerin atom yapsndaki elektronlarn hareket etmesiyle

oluan bir enerji trdr.
Elektron = Yunanca kehribar
katmanlar
(yrngeler)
Elektrik Akm, bir iletken iindeki elektronlarn srekli olarak akdr.
Maddelerin atomik yaplarn incelediimizde, baz maddelerin, son

katmanlarnda (yrnge veya valans yrngelerinde) serbest halde elektron veya
elektronlarn bulunduunu gzlemleriz.
katmanlar
(yrngeler)
Bir maddenin elektriksel davranlar asndan o maddenin atomlarnn son

yrngesinde bulunan serbest (valans) elektronlarn etkisi byktr.
Atomlarn son yrngelerinde en fazla 8 elektron bulunur. Bu tr atomlar
oluan elementlere soygazlar denir.
Btn atomlar, soygazlar gibi, son katmalarn (valans yrngelerini)

doldurmak isterler. Bu duruma kararl elektron dizilimi ad verilir.
Atomlar, kararl elektron dizilimine sahip olabilmek elektron alr yada veririler.
Bir maddenin elektriksel davranlar asndan o maddenin atomlarnn son
yrngesinde bulunan serbest (valans) elektronlarn etkisi byktr.
Serbest (valans) elektronlarn saysna bal olarak elementler:
Son katman
(valans yrngesi)
letken
Yariletken
Yaltkan
YALITKANLAR
Elektrik akmn iletmeyen maddelere yaltkan madde denir.
Maddelerin yaltkanlk derecesi valans yrngedeki (atomun son yrngesi)
elektron says fazlalna baldr.
Soygazlar, son yrngelerindeki elektronlar brakmazlar ve elektron almazlar.
Yani ok iyi yaltkandrlar.
Son yrngedeki elektron says azaldka yaltkanlk dereceside azalr.
Hava, cam, seramik, plastik, mika ve kat gibi maddeler yaltkanlar grubuna
girerler.
LETKENLER
Elektrik akmn ileten maddelere iletken madde ad verilir.
Maddelerin iletkenlik derecesi atomun son yrngesinde yeralan valans
elektron says azlna baldr.
Bakr, altn, alminyum, gm iyi iletkenlerdir. Bunlarda valans elektron says 2
ile 3 arasnda deiir.
YARILETKENLER
letkenlikleri; iletkenler ile yaltkanlar arasnda olan (yani ne iyi bir iletken
nede iyi bir yaltkan olan) maddelere yariletken madde ad verilir.
En yaygn olarak kullanlan yariletken maddelerden germanyum ve silisyum
Akm iddeti, bir iletkenin belirli bir kesitinden, bir saniyede geen elektron miktar.
Coulomb Kanununa gre:
Ohm Kanununa gre:
Akm iddeti, ampermetre ile llr.

Ampermetre
Akm eitleri
Doru Akm (Direct Current, DC)
Alternatif Akm (Alternate Curent, AC)
Zamana bal olarak yn ve iddeti deimez.
Zamana bal olarak yn ve iddeti deiir.
Ykn (elektronlarn) bir ynde hareketi ile oluur.
Genelde sanayi ve konutlarda kullanlr.
Genellikle elektronik devrelerde kullanlr.
Buzdolab, amar ve bulak makinleri dorudan

AC akm ile alr.
En ideal doru akm, en sabit olandr.

En sabit DC kayna pildir.
Mekanik enerjiyi doru akma eviren
jeneratrlere dinamo ad verilir.
Televizyon ve mzik seti AC akm DC akma

evirerek alr.
Gerilim (Potansiyel) fark, birim yk bana yaplan i.
Gerilim fark, voltmetre ile llr.
Diren, elektrik akmna kar diren gstererek, (ohm yasasna gre) gerilim
farknn dmne sebep olan devre elemandr.
Diren , R (Ohm, )
Ohm Yasas, elektirk akm iddeti, gerilim ve diren arasndaki ilikiyi tanmlar.
Bir iletkenin, ular arasndaki potansiyel farknn, iletkenden geen akm
iddetine oran sabittir. Bu sabit deer, iletkenin direncine eittir.
Deiken Diren (Reosta), bir iletkenin direncini deitirmek iin kullanlan devre
eleman.
Akm her zaman dirensiz yolu tercih eder. Akmn dirensiz yolu tercih etmesine
ksa devre denir.
Elektriksel : Gerilim Akm Zaman E = V . I. t (Joule)
Elektriksel G : Gerilim Akm P = V . I (Watt= Joule/s)
Elektrik Devreleri
Elektriklenme Yntemleri
Srtnme : Malzemelerin srtnmesi ile elektronlarn hareket etmesi. Kazamz aarken kan kvlcmlar gibi
Piezoelektrik Etki: Malzemelerin (yaltkan metallerdin) deformasyon sonucu elektronlarn hareketi etmesi.
Kimyasal Etki: Kimyasal tepkime sonucunda elektronlarn hareket etmesi.
Piroelektrik Etki: Malzemelerin stlmas veya soutulmas sonucu elektronlarn hareket etmesi. Scaklk
sensrleri, dedektrler gibi.
Termoelektrik Etki: Birbirine bal iki farkl metal stldnda elektronlarn hareket etmesi. ki farkl metal iki
ularndan birletirilip, bir ular dk, dier ular yksek scakla tutulursa, bu iki
metalin zerinden elektrik akm geer.
Nkleer Fzyon : ekirdek tepkimesi sonucu direkt elektrik retimi mmkn. CERN deneyi.
Nkleer Fisyon : Elektronlarn atomun radyoaktif bozunmas nedeniyle atomdan ayrlmas.

Elektromanyetik ndksiyon: Bir iletken manyetik bir alan ierisinde dndrlmesi sonucu elektrik retimi.
Fotoelektrik Etki: Gne nlar (foton) sahip olduu enerji kullanarak elektronlarn hareket ettirilmesi.
Blm 3: Gne Enerjisi
Gnein Yaps
Gne Inm
Gne Spektrumu
Toplam Gne Inm
Gne Inmnn llmesi
Dr. Osman Turan

Gnein Yaps
Gne, gne sisteminin en uzak ve en byk yldzdr.
Dnyaya uzakl yaklak 150 milyon kilometredir
ap 1.392.000 kilometredir. Bu ap, Dnyann 109 katdr
Ktlesi, Dnya ktlesinden 333.000 kat fazladr.
Scaklk 15 Milyon oC.
Gnein Yaps
Gnein Yaps
Gne enerjisi, gnein ekirdeinde yer alan fzyon sreci (hidrojen gaznn
helyuma dnmesi) ile aa kan ma enerjisidir.
564 Milyon Ton / Saniye

Hidrojen

Helyum

Hidrojen
38 1022 kJ/saniye
Gne, enerjisini elektromanyetik malar yaparak , gne sistemine yayar.
Gnein Yaps
Gneten Saniyede Aa kan Enerji
Dnya Yllk Enerji Tketimi
90 Milyar Varil Petrol Edeeri
12 Milyar Ton Petrol Edeeri (TEP)
38 1022 kJ
5 1017 kJ
750000
Gnein Yaps
Gneten Dnyaya Gelen Enerji
Dnya Yllk Enerji Tketimi
90 Milyar Varil Petrol Edeeri
12 Milyar Ton Petrol Edeeri (TEP)
1.7 1014 kJ/saniye
5 1017 kJ/yl
Gnein Inm
Gne nlar farkl dalga boylarnda yaylr.
Gneten yaylan bu farkl dalga boylarndaki nlarn sral grnmne gne
spektrumu ad verilir.
Grnr Ik
Gnein Inm
Gne nlarnn sahip olduklar enerji, dalga boyuna bal olarak u ekilde
tanmlanr:
h : Planck sabiti = 6.6310-34 Js
: Dalga boyu (m)
c : Ik hz = 3 x 108(m/s)
Enerji artar
Dalga boyu azalr
Gnein Inm
Gnein Inm
Mikrodalga Frn Nasl alr ?
Gnein Inm
Dnyaya gelen gne enerjisi, dalga boylar 0.1 3 m arasnda deien
nlardan oluur.
Gneten gelen nlarn dalm:
%9
Mortesi
% 45
Grnr k
% 46
Kzltesi
Gne nlar, gne ile dnya

arasndaki mesafeyi yaklak 8 dk
alrlar (yani 3108 m/s k hz ile
hareket ederler).
Gne Sabiti
Atmosfer dndaki bir metrekarelik
alana dik olarak den gne
nlarnn enerjisi yaklak olarak
Isc= 1367 W/m2 deerindedir. Bu
deer gne sabiti olarak bilinir.
Isc , gne ile dnya arasndaki mesafenin (1.47 1011
1.52 1011) deiiminden kaynaklanan mevsimsel
farklardan dolay % 3.5 orannda deiim gsterir.
Gnein Inm
Zenit (Zirve) As
= Zenit as
Gne nm ile yatay dzlemin normali

arasndaki adr.
Hava Ktlesi (Air Mass, AM)
Yeryzne ulaan gne enerjisi miktar, nemli

lde gne nlarnn yeryzndeki bir noktaya
gre konumuna baldr. Sz konusu konum hava
ktlesi ( ) faktr ile ifade edilir.
Hava ktlesi ( ) faktr, gne nlarnn atmosferden geerken
izledii yolun, gnein dik olduu durumda izledii yola orandr.
Hava ktlesi ( ) faktr, gne nlarnn herhangi bir ada
atmosferdeki getikleri hava ktlesinin, gnein dik olduu durumda
atmosferden getii hava ktlesine orandr.
Gnein Inm
Zenit asnn = 0o ve = 48o karlk gelen
AM = 1 ve AM = 1.5 koullar, fotovoltaik
teknolojisi ile ilgili almalarda yaygn olarak
kullanlr.
Kosins Kural
Gne nm yzeye dik olarak gelmedii durumlarda, yzeye den gne
nm miktar, gne nlar ile yzeyin normali arasnda kalan ann kosins
ile orantl olarak azalr.
I
Ib
Gnein Inm
Dnyamza Gelen Gne Inm Bilanosu
% 30 atmosfer
tarafndan geri
yanstlr.
% 20 atmosfer ve
bulutlarda tutulur.
Dnya yzeyine ulaan gne

nlarnn % 70 yanstlr.
% 50 atmosferi
geerek Dnya
yzeyine ular.
Gnein Inm
Gne nlarnn yaklak olarak % 50si, atmosfer tarafndan Dnya yzeyine
gelmesi engellenir.
Gne nlarn atmosferde meydana gelen bu azalmas iki ekilde meydana
gelir:
1)Rayleigh yaylm
2)Ozon, Su Buhar, CO2 ve Oksijen tarafndan sorulma
Gne Inlarn Atmosferdeki Azalmas
Rayleigh Yaylm (Salm)
Ozon, Su Buhar, CO2 ve Oksijen

tarafndan sorulma
Gnein Inm
Rayleigh Yaylm (Salm)
Rayleigh Yaylm, gne nlarnn atmosferde,
dalga boyundan daha kk, herhangi bir gaz
moleklne arpmas sonucu btn
dorultularda eit olarak yaylmasdr.
Yaylm etkisi ~ 1 / 4
Mavi n ( = 400 nm) yaylmas, krmz n
( = 400 nm) yaylmasndan daha fazladr.
Bu yzden gkyz mavi grnr.
Gnein Inm
Ozon, Su Buhar, CO2 ve Oksijen tarafndan sorulma
Gneten kan nlar, atmosferi geerken, atmosferi oluturan eitli gazlar ve
toz paracklar tarafndan sourulurlar.
Yeryznn yaklak olarak 25 km ykseklikle, ozon tabakas olarak adlandrlan
ve gne nlarnn mor tesi nlarn kesen bir katman bulunur.
Ozon tabakas < 320 nm olan mor tesi (UV) nlarn sourur. Bu ilem canllar
iin son derece nemlidir. nk, mor tesi (UV) nlarn cilde ve gze zarar
verici etkileri vardr.
Kzltesi (IR) nlarn yaklak % 20si su buhar ve CO2 tarafndan sourulur.
Yaylm (veya salma) olaynn aksine sorulma ileminde Gne nlarndan
enerji kazanlr ve atmosfer snr.
Gnein Inm
Belirli dalga boyuna sahip gne nlarnn atmosferde szlerek yeryzne
gelirler.
Atmosferdeki azalmann bir sonucu olarak, yeryzne ulaan toplam gne
nm, dorudan nm ve yaygn nm olmak zere iki farkl zellie sahiptir.
Toplam gne nm = Dorudan nm + Yaygn nm
Dorudan Inm
Herhangi bir etkiye uramadan, Dnya

zerindeki herhangi bir yzeye dik ve yn
deitirmeden direkt olarak gelen nmdr.
Zenit asna, AM faktrne baldr.
Yaygn Inm
Gkyzndeki bulutlar ve tozlar tarafndan salmaya
uratlm nmdr. Bulutlu havalarda gneten gelen
nmn tamam yaygn nm eklindedir.
Gne Inm lm
Gne Inm len Aletler
Dorudan Inm
Toplam Inm
Yayl Inm
Pirheliometre
Piranometre
Piranometre
(Glgelendirilmi)
Dorudan nm, gne takip sistemi

kullanlarak pirheliometre tarafndan
llebilir. Bu aletler, alma mant
olarak piranometrelerin aynsdr. Ancak,
bu aletlerde sensr, gne nlarnn
ynnde yerletirilmiuzun bir borunun
altnda yer alr. Bylece, yayl nm
bertaraf edillmi olur.
Yayl
nm,
dorudan
nm
glgeleyerek piranometre tarafndan
llebilir. Bu tr piranometreye
glgelenmi piranometre ad verillir.
Gne Inm lm
Sinyal
ykseltici
D cam kubbe : Gne nlarn siyah gvde zerine odaklamak amacyla kullanlr.
cam kubbe : Gne nlarn siyah gvde zerine odaklamak amacyla kullanlr.
Siyah gvde (Sensr): Gne nlarn sourarak toplar.
Destek gvde : Destek gvdeye, hibir ekilde gne nm gelmez.
Termopil: (ok sayda (50 ve zeri) Termokupln (yada sliftin) seri olarak balanmasndan oluur, s
enerjisini elektrik enerjisine dntrr. Isliftlerin bir ucu siyah cismin alt yzeyine dier ucu
ise destek gvde st yzeyine baldr.
k kablosu : retilen elektrik sinyalini sinyal ykselticiye iletir.
Nem ekici : Hava iindeki su buharn absorbe ederek, su buharnn (zellikle souk gecelerde)
youmasnn nne geerek nem oluumunu engeller.
Ayak
Okuyucu
Gne Inm lm
Sinyal
ykseltici
Okuyucu
Piranometre alma Prensibi

Piranometre, zerine gelen gne nm, kubbe formundaki ift katl cam ile
siyah cisim zerine odaklanr. Siyah cisim, gelen gne nmn sourarak snr.
Bylece siyah cisme bal olan, sl iftlerin ucu snarak scakl ykselir. Gvde
ucuna herhangi bir gne nm ulamad iin, sl iftlerin gvde ucuna bal
olan ucun scakl daha dk kalr. Bylece, sl iftin ular arasnda scaklk
farkndan kaynaklanan, bir elektrik akm oluur. Elektrik akmnn sinyali
ykseltici tarafndan glendirilerek okuyucuya iletilir. Okuyucuda, glendirilen
elektrik akm sinyalinin, belirli zaman aralnda integrali alnarak gne nm
llm olur.
Blm 4: Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri
Fotovoltaik Hcre
Fotovoltaik Etki
Yariletken Fiziin Temelleri
Atomik Yap
Enerji Band Diyagram
Kristal Yap
Elektron-Boluk iftleri
Katklama: P-N Kava
Dr. Osman Turan

Fotovoltaik Hcre
Fotovoltaik hcreler (gne hcreleri veya pilleri)
gne n direkt olarak elektrik enerjisine
eviren yariletken malzemelerdir.
Fotovoltaik hcrelerin, yzeylerine gne nlar
(foton) geldiinde ular arasnda elektriksel gerilim
oluur (Fotovoltaik Etki).
G kn artrmak amacyla ok sayda fotovoltaik
hcre seri veya paralel olarak balanarak
fotovoltaik modller (paneller) oluturulur.
G gereksinimine bal olarak fotovoltaik modller seri veya paralel balanarak
fotovoltaik dizinleri, dizinlerin birletirilmesi ile de birka Wattdan Mega Wattlk
enerji retim kapasitelerine sahip fotovoltaik sistemler oluturulabilir.
Hcre
Modl
Fotovoltaik Sistem
Dizin
Fotovoltaik Hcre
Fotovoltaik hcre, verimleri (yaplarna bal olarak)
gnmzde %40 seviyelerine kadar ykseltilmitir.
Uygulama koullarnda verimi %15 civarlarna olan
fotovoltaik hcre iyi olarak nitelendirilir.
Fotovoltaik hcreler, yakn zamana kadar verimleri daha yksek

olan tekli (mono) kristal yapdaki yar iletkenlerden yaplyordu.
Tane Snrlar
Tekli (mono) kristal yapdaki fotovoltaik

hcre retimi olduka zahmetli ve yksek
maliyetli olduundan son zamanlarda
retim maliyetini drmek amacyla
fotovoltaik hcreler verimleri biraz daha
dk olan oklu (poli) kristal yapdaki yar
iletkenlerken yaplmaktadr.
Mono-Kristal
Amorf
Poli-Kristal
Mono-Kristal
Fotovoltaik hcrelerin temel sorunu verimleri deil retim maliyetleridir.
Fotovoltaik Hcre
Fotovoltaik hcre retiminde kullanlan yar iletkenlerin bazlar bileik bazlar
elementtir.
Fotovoltaik Hcre retiminde Kullanlan Yar iletkenler
Silikon (Silisyum) (Si)
Element
Germanyum (Ge)
Galyum Arsenik (GaAs)

Kadmiyum Tellr (CdTe)
Bakr ndiyum Diselenid (CulnSe2)
Bileik
Kadmiyum Diarsenik (CdAs2)
ndiyum Fosfor (In P)

Kurun Slfr (PbS)
Silikon, fotovoltaik hcre retiminde en ok kullanlan yar iletkendir.
Silikon, oksijenden sonra doada en ok bulunan elementtir.
Fotovoltaik Etki
Gne nlar foton ad verilen ykl taneciklerden meydana gelir.
Fotonlar, gne nm spektrumundaki farkl dalga boylarna bal olarak farkl
miktarlarda enerji ierirler.
Bir fotonun enerjisi, k hz ve dalga boyuna bal olarak Planck Kanunu ile
hesaplanr:
h : Planck sabiti = 6.6310-34 Js

: Dalga boyu (m)
c : Ik hz = 3 x 108(m/s)
Atomik dzeyde enerji sklkla eV (1eV = 1.6 10-19 J) cinsinden ifade edildii iin dalga boyu birimi m
alnarak Plank Kanunu yukardaki gibi yazlabilir.
Fotovoltaik Etki
Bir fotovoltaik hcrede g dnmnn gerekleebilmesi iin, yar iletken
malzemenin yasak bant enerjisine (Eg) eit veya daha yksek bir fotonun hcre
tarafndan sorulmas gerekir.
Eg
Yar iletken malzeme ierisinde valans bandnda bulunan bir elektronun , yar
iletken malzemenin yasak bant enerjisine (Eg) eit veya daha yksek bir foton ile
karlaarak iletim bandna gemesi sonucu elektron-boluk ifti olumasna
fotovoltaik etki ad verilir.
Elektron-boluk ifti fotovoltaik hcredeki enerji dnmnn temelini oluturur.
Yariletken Fiziinin Temelleri

Fotovoltaik hcredeki enerji dnmn anlayabilmek iin yariletken fizii
hakknda bilgi sahibi olmak gerekir.
Elektrik enerjisinin oluturulmasn ve kontrol edilmesini maddenin atomik yaps
belirler.
Atomik yapya bal olarak elementler;
Elementler
letken
Yariletken
Yaltkan
Yar iletken fiziini incelemek iin temel atomik yapnn bilinmesi gerekir.
Yariletken Fiziinin Temelleri: Atomik Yap

Tm maddeler (yada elementler) atomlardan oluur.
Yeryznde bilinen 109 element vardr.

Btn elementlerin atomik yaplar birbirlerinden farkldr.
Bohr Atom Modeline gre atom; elektron, proton ve ntron olmak zere temel
paracktan oluur.
Atomik yapda; ntron ve proton merkezdeki
ekirdei olutururlar.
Elektronlar ise, ekirdekler etrafndaki sabit
yrngelerde dolarlar.
proton
+ ykl
ntron
Ntr
ykl
elektron

Bilinen btn elementleri birbirlerinden ayran en temel zellik, atomlarnda
bulunan proton ve ntron saylardr.
Her bir atomun proton ve ntron saylar farkldr.
Proton ve elektron saylar eit olan atomlar, elektriksel adan kararl (ntr) olan
atomlardr.
Atom Arl (Ktle Numaras) = Proton says + Ntron says
Atom Numaras = Proton says
Periyodik Tablo

Enerji Kabuklar (Bantlar) ve Yrngeler
Bir atomun, elektron ieren yrngeleri ekirdekten belirli uzaklklardadr.
ekirdee farkl uzaklklarda bulunan yrngelerin belirli enerji seviyelerine
sahiptirler.
ekirdee yakn olan yrngedeki elektronlar, ekirdee uzak olan yrngedeki
elektronlar dan daha az enerjiye sahiptir.

Enerji Kabuklar (Bantlar) ve Yrngeler
Yrngeler, kabuk (shell ) ad verilen belirli enerji bantlarnda toplanmlardr.

Ayn Enerji Band ierisinde bulunan elektronlarn enerji seviyeleri birbirine yakndr.
Enerji Bantlar arasndaki enerji seviyeleri arasndaki fark byktr.
Enerji Bantlar arasndaki blge, yasak blge (ya da yasak bant) olarak adlandrlr.
Elektronlar bu blgelerde bulunmazlar.
2n2
n: kabuk says

Valans Elektronlar
Atomun, en dtaki kabuuna Valans Band denir.
Valans Bandnda bulunan elektronlara valans (serbest) elektronlar denir.
Valans elektronlar atomun en yksek enerji seviyeli elektronlardr. Bu durum,
valans elektronlar, atomdan ayrlmaya daha eimli hale getirir.
Valans elektronlar maddelerin iletkenlik zelliini belirler.
Yariletken Fiziinin Temelleri: Enerji Band Diyagram
Yasak Bant Enerjisi

Yasak Bant Enerjisi
Bir atomda, en yksek enerji seviyesine sahip bant iletim banddr.

Esasen, iletim bandndaki elektron younluu maddelerin iletkenlik dzeyini belirler.
Elektronlarn bulunabilecei enerji seviyeleri arasndaki boluk yasak bant olarak
adlandrlr.
Bir elektronun valans bandndan iletim bandna geebilmesi iin sahip olmas gereken
enerjiye yasak bant enerjisi (Eg) ad verilir.
Yasak Bant Enerjisi

Yasak Bant Enerjisi
SORU: Neden Fotovolataik hcre retiminde

iletkenler ve yaltkanlar kullanlamaz?
Cevap : Yasak Bant Enerji
Yasak Bant Enerjisi

Yasak Bant Enerjisi

Fotovoltaik Hcre retiminde Kullanlan Yariletkenlerin
Yasak Bant Enerjileri (Eg)
Yariletken Malzeme
Eg (eV)
Silikon (Silisyum) (Si)
1.1
Germanyum (Ge)
0.7
Galyum Arsenik (Ga As)
1.4
Kadmiyum Tellr (CdTe)
1.4
Indiyum Fosfor (In P)
1.2
Kadmiyum Diarsenik (CdAs2)
1.0
Yariletken Fiziinin Temelleri: Kristal Yap

Yariletken malzemeler kristal yapya sahiptir. Yani atomlar kendini tekrar
eden dzenli bir dizilim gsterirler.
Kristal yap ierisindeki atomlar ise birbirlerine kovalent balarla balanrlar.
Kovelant ba, bir atomun valans elektronlarnn birbirleri ile etkileimi

sonucu meydana gelir.
Yariletken Fiziinin Temelleri: Kristal Yap

Her silikon atomu, kendisine komu dier 4 atomun valans elektronlar kullanarak ekildeki gibi
bir yap oluturur.
Bu yapda her atom, 8 valans elektronunun oluturduu etki sayesinde kimyasal kararllk salar.
Bu nedenle saf silikon kristali yaltkan zellik gsterir.
Her bir silikon atomunun valans elektronu, komu silikon atomunun valans elektronu ile
paylam sonucunda kovalent ba oluur.
Yariletken Fiziinin Temelleri: Elektron-Boluk iftleri

Bu blmde, enerji bantlar arasnda
elektronlarn nasl ynlendiklerini inceleyeceiz.
Eg = 1.1 ( eV )
ekilde, dardan herhangi bir enerji ile

uyarlmam (durgun) silikon kristalinin enerji
bant diyagram gsterilmitir.
Silikon (silisyum) kristalinin valans bandnda

4 elektron bulunur.
Silikon (silisyum) kristali, durgun halde, iletim
bandnda elektron bulunmaz. Bu nedenle
yaltkan zellik gsterir.
Silikon (silisyum) yariletkeninin yasak bant
enerjisi Eg = 1.1 eVtur.
Foton
Enerjisi
Eg = 1.1 ( eV )
Foton
Enerjisi
Silikon (silisyum) yariletkeninin valans bandnda bulunan bir elektron Eg = 1.1 eV deerinden
daha byk bir enerjiye sahip bir foton ile karlatnda, arkasnda pozitif ykl bir boluk
(hole) brakarak iletim bandna geer.
Elektronlar iletim bandnn alt tarafnda, boluklar
ise iletim bandnn st tarafnda kmelenirler.
Foton
Enerjisi
Eg = 1.1 ( eV )
Foton
Enerjisi
Uyarlm olan elektronlar ve boluklar ok ksa bir sre ierisinde (10-12 s) enerjilerini
kaybederler.
Neticede, her bir elektron, yasak bant enerjisine eit foton enerjisini kaybederek tekrar valans
bandndaki boluklarla birleirler.
Elektronlarn iletim bandnda kaldklar sreye mr sresi (life time) ad verilir.
Foton
Enerjisi
Eg = 1.1 ( eV )
Foton
Enerjisi
Eer, iletim bandna km olan elektronlar, mr sreleri ierisinde boluklardan (yani art
yklerden) bir ekilde ayrlmazlar ise, elektriksel akma yani fotovoltaik hcredeki enerji
dnmne katks olmayacaktr.
Yani bu durumu yle dnebiliriz; elimizde bulunan sudaki hidrojenden faydalanmak
istiyorsak onu mutlaka bir ekilde (elektroliz gibi) oksijenden ayrmamz gerekir ki kullanalm.
Fotovoltaik hcrede, elektron-boluk iftinin ayrlmasn temin edecek kuvvet elektrik alandr.
Gerekli olan bu elektriksel alan, katklama adn verilen, elektriksel iletkenlik karakteristikleri
birbirlerinden farkl olan yariletkenlerin bir araya getirilmesi ile salanr.
Yariletken Fiziinin Temelleri: Elektron-Boluk ifti

Saf (herhangi bir katklama yaplmam) Silikonun bir ksmna gerilim uygulandnda ekilde
grld gibi, iletim bandndaki serbest elektronlarn negatif utan pozitif uca hareket
ederler.
Saf Silikonun ierisindeki tpk negatif ykl elektronlar gibi pozitif ykl boluklarda hareket
ederler.
Silikon kristali ierisinde Valans bandndaki elektronlar
rahatlkla komu bir bolua tanarak bir boluktan dierine
hareket edebilir.
Bylece, kristal yap ierisindeki
boluklarda (elektronlarn hareketinin tersi ynde) hareket
etmi olacaktr.
Silikon ierisindeki elektron ve boluk hareketi (ak)

Bir fotonun, silikon yariletkeni ierisinde bir adet elektron-boluk ifti
oluturabilmesi iin sahip olmas gereken maksimum dalga boyu deeri
belirlenerek, foton enerjisi-dalga boyu grafii izilebilir.
Foton enerjisi-dalga boyu grafii kullanlabilir ve kayp enerji miktarlarnn tespiti
asndan nemlidir.
Silikon iin : Eg = 1.12 eV
Yariletken Fiziinin Temelleri: Katklama (Doping)

Katklama (doping) , saf yariletken malzemeye , yapsal zelliklerini bozmayacak
oranda, katk maddesi eklenerek, elektriksel zelliklerinin kontroll bir ekilde
deitirilmesi ilemidir.
Bir fotovoltaik hcre, yasak bant enerjisinden daha yksek enerji ieriine sahip
fotonlar tarafndan tahrik edildii srece, yariletken malzeme ierisinde elektronboluk iftlerinin oluumu devam eder.
Buradaki temel problem, elektron ve boluklarn yeniden birlemesi neticesinde, yk
tayclarnn enerji dnmn tamamlayamadan ortadan kaybolmasdr
Yeniden birlemenin nne geebilmek iin, iletim bandndaki elektronlar,
boluklardan uzak tutacak bir kuvvete ihtiya duyulur.
Bu kuvvet, yariletken malzeme ierisinde oluturulan bir elektriksel alan ile temin
edilir.
Sz konusu elektriksel alan, elektronlar ve boluklar zt ynlere doru iterek
yeniden birlemeye engel olur.
Yariletken malzeme ierisinde elektriksel alan oluturabilmek iin, kristal ierisinde
iki farkl blge meydana getirilir.

P-tipi Malzeme
Blgelerden biri, saf silikon kristaline periyodik tablonun 3A grubunda yer alan bir
elementin, ok dk konsantrasyonlarda ilave edilmesiyle oluturulur.
Bu katklama ilemi sonucunda P-tipi yariletken oluur.
N-tipi Malzeme
Dier blge ise yine saf silikon kristaline, bu sefer periyodik tablonun 5A grubunda
bulunan bir elementin eklenmesi neticesinde meydana getirilir.
Bu katklama ilemi sonucunda N-tipi yariletken oluur.

p -tipi Malzeme
Silikon kristali ierisine, 3A grubundan Bor ilave edilirse, Borun 3 adet valans
elektronu ile silisyum 4 adet valans elektronu, kendi aralarnda kovalent ba yapar ve
silikon atomuna ait bir valans elektronu bota kalr.
Silikon atomunun bota kalan valans elektronu, komu Bor atamonda bulanan
boluu doldurur. Bylece, silikonun kristal yaps ierisinde 1 elektron eksiklii
meydana gelmi olur.
Yariletken kristalinden elektron alarak elektron ihtiyacna neden olduklar iin, bu
atomlara akseptr (alc) atom ad verilir.
Silikon kristali ierisinde akseptr
atomlarnn yer ald blgede
boluk fazlal olduu iin bu
blm p - tipi malzeme olarak
isimlendirilir.
B atomundan
oluan boluk

n -tipi Malzeme
Silikon kristali ierisine, periyodik tablonun 5A grubunda yer alan Fosfor ilave
edilirse, fosforun 5 adet valans elektronu ile silisyum 4 adet valans elektronu, kendi
aralarnda kovalent ba yapar.
Fosforun beinci valans elektronu kristal ierisinde serbest kalr.
Kristale fazladan elektron brakt iin bu atomlara donr (verici) atom ad verilir.
Silisyum kristali ierisinde donr atomlarnn yer ald blgede elektron fazlal
olduu iin bu blm ise n -tipi malzeme olarak isimlendirilir.
Yariletken Fiziinin Temelleri: Katklama (Doping):

p - n Junction (Kava)
Elektron eksiklii (yada boluk fazlal) olan p -tipi malzeme ile elektron fazlal
olan n -tipi malzemenin birletirildikleri snra p-n junction (kava) ad verilir.
p-n kava bir elektriksel alan olumasn salar.
Oluan bu elektriksel alan, n-tipi malzemenin kavaa ykn blgelerindeki

hareketli elektronlarnn, arkalarnda pozitif ykl boluklar brakarak, p - tipi
malzemeye gemelerine sebep olur.
Snr geerek p-tipi malzeme ierisine gelen elektronlar kavaa yakn blgede
bulunan boluklara yerleirler.
P-N Junction

P-n kavandaki elektron ve boluk hareketi denge durumu elde edilinceye kadar
devam eder. Denge durumuna ulaldnda deplasyon blgesi ad verilen bir
tabaka oluur.
Deplasyon blgesi, boluklar p tipi malzemeye, elektronlar ise n- tipi malzemeye
iterek, elekron ve boluk hareketini engeller (bu yzden ykten arndrlm blge
olarakta isimlendirilir).
Bylece, fotovoltaik hcrede enerji dnmnn temel problemi olan, elektron ve
boluklarn yeniden birlemesi nlenmi olur.
Elektrik alan (potansiyel engel)
Deplasyon Blgesi

P-N Junction (Kava)

Elektrik alan (potansiyel engel)
Deplasyon Blgesi
Blm 5: Fotovoltaik Hcre Karakteristikleri
Fotovoltaik Hcrede Enerji Dnm
Fotovoltaik Hcre Parametreleri
I-V likisi
Yk izgisi
Ksa Devre Akm
Ak Devre Voltaj
MPP (Maximum Power Point)
Dolgu Faktr
nt Direnci
Seri Diren
Fotovoltaik Hcre Verimi
Dr. Osman Turan


Bir fotovoltaik hcre gne na maruz brakldnda, yeterli enerji ieriine
sahip fotonlar sayesinde kristal ierisinde elektron-boluk iftleri meydana gelir.
Bu hareketli yk tayclar eklem (kavak/junction) blgesine yaklatnda,
deplasyon blgesindeki (ykten arndrlm blgedeki) elektriksel alan sayesinde,
ekilde grld gibi elektronlar n blgesine; boluklar ise p blgesine doru
itilirler.

Kristalin iki kutbunda zt yklerin toplanmas, bir potansiyel fark meydana getirir.
letken bir tel ile iki kutup ekildeki gibi birletirilirse, n blgesindeki elektronlar, p
blgesindeki boluklara doru hareket eder.
Burada boluklarla yeniden birleen elektronlar devreyi tamamlarlar.
Akmn yn, elektron hareketine zt ynde gerekleir. Bir dier ifadeyle, p
blgesinden n blgesine dorudur.
Fotovoltaik Hcre Parametreleri

Fotovoltaik hcreler, gne nlar sayesinde fotovoltajlarn ve fotoakmlarn
olutuu geni alanl, dz beslemeli (ileri ynl kutuplanm/ polarlanm)
diyotlardr.
Diyot, yalnzca bir ynde akm geiren devre elemandr. Bir yndeki direnleri
ihmal edilebilecek kadar kk, br yndeki direnleri ise ok byk olan
elemanlardr
Fotovoltaik hcre parametrelerinin hassas bir ekilde tespit edilebilmesi, fotovoltaik
sistemlerle ilgili dizayn, kalite kontrol ve performans deerlendirme almalar

asndan nemlidir.
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Akm-Gerilim likisi

Fotovoltaik hcreler, gne nlar sayesinde fotovoltajlarn ve fotoakmlarn
olutuu geni alanl diyotlardr.
Fotovoltaik bir hcrede Akm-Gerilim (voltaj) ilikisi,
fotoakm
diyot akm
IS : Doyma akm
RS : Seri diren
K ve sabit saylar
q : Elektronik yk
A : dealite katsays
kB : Boltzman sabiti
T j : Kavak (junction) scakl
paralel akm
RSh : Paralel diren

Fotovoltaik Hcrede Akm Gerilim likisi
fotoakm
1 2 3 : Sabit katsaylar
E
: Gne nm aks
Eref : Referans nm aks

(1000 W/m2)
TJ
: Kavak (junction) scakl
Tref : referans scaklk (298 K)
Bu eitlii dayanarak, fotovoltaik hcre edeer devresi aadaki gibi izilebilir.

Akm Gerilim (Voltaj) (I V) karakteristii genelde iki boyutlu bir grafikte; dikey
eksen akm (Amper cinsinden), yatay eksen ise gerilimi (Volt cinsinden) temsil
edecek biimde ekildeki gibi gsterilir.

(I V) karakteristii, fotovoltaik hcrenin
ularna test direnci taklp, ak devreden
ksa devreye kadar deeri deitirilir ve bu
srada direncin zerindeki voltaj ve akm
deerleri llerek elde edilir.
Aadaki ekilde (I-V) karakteristik
erisinin llebilmesi ve izilebilmesi iin
rnek bir elektriksel devre dzenei
gsterilmitir.
Bir (I-V) erisi belirli bir gne nm aks
altnda izilir ve farkl gne nm aklar
iin lmler tekrarlanr.
Fotovoltaik
hcre
Voltmetre
Reosta
Ampermetre

Bir (I-V) erisi belirli bir gne nm aks
altnda izilir ve farkl gne nm aklar iin
lmler tekrarlanr.
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Yk izgisi

Yk izgisi, dorusal olmayan bir performans sergileyen bir aletin alma
noktasn bulmak iin kullanlan grafiksel bir tekniktir.
Herhangi bir anda, deiken direncin ular arasndaki voltaj:
Yk izgisi
Fotovoltaik hcrenin (I-V) erisi
zerine izilen yk izgisi 1/R
eimine sahip olacaktr.
S R
E
X
Y
Z

Kk R deerleri byk eim oluturur.
Byk R deerleri kk eim oluturur.
Yk izgisinin (I-V) erisini kestii nokta alma noktas (yada Q noktas) olarak
adlandrlr.
Belirli bir diren deeri iin alma noktas gne
nm aks deeri, arttka A noktasnda E noktasna
doru hareket eder.
Yk izgisi
Bunun sonucu olarak, hem yk voltaj
E
hem de yk akm gne nm aks
S R P
deeri ile artar.
X
Benzer ekilde, belirli bir gne nm
aks iin, azalan R, alma noktasn
P, R, S noktalarna doru kaydrrken;
artan R, ise alma noktasn X,Y,Z
noktalarna doru kaydrr.
Y
Z

rnek 5.1
Fotovoltaik hcrenin I-V karakteristii ekilde verildii gibidir. Fotovoltaik hcre 0.2
ohmluk dirensel yke balanmtr. Buna gre:
a) Yk izgisini izin,
b) Diren zerinden geen akm bulunuz,
c) Direncin ular arasndaki voltaj bulunuz,
d) Direteki g kaybn hesaplaynz,
e) Inm aks deeri 1000 W/m2 olduu durum iin direncin ular arasndaki
voltaj hesaplaynz.
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Ksa Devre Akm

Ksa devre akm, ISC ile gsterilir.
Ksa devre akm, ekilde grld gibi, devrenin
kutuplar ksa devre edildiinde llen akmdr.
Her gne nm aks iin farkl ksa devre akm
sz konusudur.
Ksa devre akmnda pilin ular arasndaki voltaj
(gerilim) sfrdr.
V=0
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Ksa Devre Akm

Normal gne nm aks altnda, seri diren RS ok kktr ve pratik amal
olarak hesaplamalarda ihmal edilebilir. Bylece ksa devre akm aadaki gibi
sadeleir:
RS = 0
Sonu olarak; ksa devre akm, gne nm aksna bal olan fotovoltaik akma
(fotoakma) eittir.
Bu durum (ISC = IP ), fotovoltaik hcre tasarmnda kullanlan en nemli prensiptir.
Fotovoltaik hcreyi ksa devre akmna yakn bir akmda altrarak, hcrenin zerine
den gne nm aks ile doru orantl olan akm llebilir.
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Ak Devre Gerilimi

Ak devre gerilimi, VOC ile gsterilir.
Her gne nm aks iin farkl ksa devre akm
sz konusudur.
Ak devre gerilimi, ekilde grld gibi,
devreden geen akm sfra eitken, fotovoltaik
hcrenin kutuplar arasnda okunan gerilimdir.
I=0
1 / Rsh 0
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Maksimum G

Noktas (MPP)
Maksimum g noktas belirli bir gne nm aks altnda, fotovoltaik hcrenin I-V
karakteristik erisi zerindeki, akm ve gerilim deerleri arpmnn (yani gcn)
maksimum olduu noktadr.
Yke aktarlan g , ykn direncine baldr ve fotovoltaik hcre MPP dnda bir
yerde alyor ise yke maksimum g aktarm gereklemez.
P=V.I
Pmax
Imax
MPP
Vmax
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Dolgu Faktr (FF )

Fotovoltaik hcrenin dolgu faktr, maksimum gcn ksa devre akm ile ak
devre gerilimi arpmna orandr:
ISC
Imax
Buna bal olarak sistemden elde
edilecek g de ak-devre gerilimle
(Voc) , ksa-devre akm (Isc) ve dolgu
faktrnn (FF) arpmna eittir.
Vmax
Dolgu faktr, seri ve paralel direnlerden etkilenir.
Dolgu faktr iin tipik deerler FF = 0.7 0.8 civardr.
Kaliteli fotovoltaik hcreler iin dolgu faktr FF 0.7 deerler alr.
VOC
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Seri Diren

Fotovoltaik hcredeki seri diren Rs, fotovoltaik hcre ierisindeki omik
kayplardan oluur.
Seri diren, fotovoltaik hcre ile yk arasnda seri bir ekilde yer alr.
Seri direncin deeri ok kktr ve (10 mohm civarlarnda) ve hesaplamalarda
ihmal edilebilir.
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Seri Diren

Seri diren, fotovoltaik hcrenin I-V erisi zerinde, ak devre gerilimi ile
maksimum g noktas arasnda kalan blgenin karakteristiini etkileyen bir
hcre parametresidir.
Fotovoltaik hcrenin seri direnci artmas neticesinde, ekilde de grld gibi,
I V erisi altnda kalan alan (yani dolgu faktr, FF) azalr ve buna bal olarak
da fotovoltaik modlden elde edilen k gc der.
Fotovoltaik hcre eskidike seri direnci artar.
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Paralel (nt) Diren

Fotovoltaik hcrenin paralel direnci Rsh, fotovoltaik hcrenin kutuplar
arasndaki sznt akmlar sonucu oluur.
Paralel direncin deeri ok byktr (100 ohm civar).
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Paralel (nt) Diren

Paralel diren bir fotovoltaik hcreninin I-V erisi zerinde, ksa devre akm ile
maksimum g noktas arasndaki blgenin karakteristiini etkileyen bir hcre
parametresidir.
Fotovoltaik hcrenin paralel (nt) direncinin azalmas , ekilde de grld
gibi, I-V erisi altnda kalan alan (yani dolgu faktr, FF) azaltr ve buna bal
olarak da , fotovoltaik modlden elde edilen k gc azalr.
Fotovoltaik hcre eskidike paralel diren azalr ve bunun sonucu olarak da
sznt akmlar artar ve dolgu faktr azalr.
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Scaklk Deiimleri

Fotovoltaik hcreler kavak (eklem/Junction) scaklndan etkilenirler.
Scaklk arttka potansiyel fark azalr ve bunun sonucu olarak da kk ak
devre voltaj oluur.
Silikon bir fotovoltaik hcredeki potansiyel fark 2.3 mV/oC dir.
Fotovoltaik hcre akmnn scaklkla deiimim ihmal edilir.
G, gerilim ve akm arpmna eit (P = V. I) olduuna gre, fotovoltaik hcre
scakl dtke g artar.
Fotovoltaik hcrenin rengi koyu oluu iin ok gne emer, bu nedenle,
fotovoltaik hcrenin kavak (eklem/Junction) blgesindeki scaklk evre
scaklndan yksektir.
Souk bir fotovoltaik hcre daha yksek bir gerilim oluturur.

Scaklk arttka potansiyel fark azalr ve bunun sonucu olarak da kk ak
devre voltaj oluur.
Fotovoltaik hcre akmnn scaklkla deiimi ihmal edilir.

G, gerilim ve akm arpmna eit (P = V. I) olduuna gre, fotovoltaik hcre
scakl dtke g artar.
Scaklk artyor
Fotovoltaik Hcre Parametreleri : Scaklk Kontrol

Bir fotovoltaik hcre iin verim kavram, nm enerjisinin ne oranda elektrik
enerjisine dntrlebildii eklinde tanmlanabilir.
retilen Elektrik Enerjisi
Gelen Inm Enerjisi
Fotovoltaik sistemlerde performans deerlendirme lt olarak yaygn biimde

enerji verimi ve g dnm verimi kavramlar kullanlmaktadr.
Enerji Verimi
G Dnm Verimi
Fotovoltaik Hcre Verimi: Enerji Verimi

Enerji verimi, fotovoltaik hcre tarafndan retilebilecek teorik gcn, hcre
yzeyine gelen nm enerjisine oran olarak ifade edilir.
Herhangi bir iletme koulunda bir fotovoltaik hcrenin retebilecei teorik g,
ekilde grld gibi ksa devre akm ve ak devre voltaj ile snrlanan
dikdrtgensel blgenin alanna eittir.
Fotovoltaik hcre iin
enerji verimi
ISC
: Ksa devre akm (A)
VOC : Ak devre gerilimi (V)
: Inm enerjisi (W/m2)
: Fotovoltaik hcre
yzey alan, m2)
Fotovoltaik Hcre Verimi: G - Dnm Verimi

G dnm verimi, ekil de grld gibi seri ve nt diren etkilerini dikkate
alacak ekilde, bir fotovoltaik hcreye ait erisi altnda kalan alann, hcre
yzeyine gelen nm enerjisine oran ile belirlenir.
Fotovoltaik hcre iin
G dnm verimi

Fotovoltaik hcrelerin verimleri, belirli standart koullar altnda testler yaplarak
ortaya konur.
Bu standart koullar:
Karasal Uygulamalar in ASTM G173: 25 Co
AM 1.5 (Zenit As, = 48.2o; AM = 1/cos )
1000 W/m2
Uzay Uygulamalar in
ASTM E490: AM 0 (Zenit As, = 0; AM = 1/cos )

1367 W/m2
Hcre verimleri yukarda verilen standart koullara gre test edilirken, scakln
hcre verimi zerindeki etkisini ihmal etmek amac ile hcre scakl sabit tutulur.

Hava koullar, bir fotovoltaik hcrenin retecei g deerini ve dolaysyla da
verimini nemli lde etkiler.

Gne younluu, bir fotovoltaik hcrenin retecei g deerini ve ayn zamanda
verimini nemli lde etkiler.

Fotovoltaik hcrenin rettii enerji, hava koullarnn yan sra gnele olan asna
bal olarak deiir.
Kosins Kural
Gne nm yzeye dik olarak gelmedii durumlarda, yzeye den gne
nm miktar, gne nlar ile yzeyin normali arasnda kalan ann kosins
ile orantl olarak azalr.

Enerji aktarmnn en yksek olabilmesi iin MPP noktasnn izlenmesi gerekir.
MPP
Atmosferde
kat edilen
yolun
uzunluu
Gne geli
as
Scaklk
Hcre verimini
etkileyen
Faktrler
Gnelenme
sresi
Hcre
malzemesi
Gne Inm
Younluu
Blm 6: Fotovoltaik Hcre eitleri
Kristal Yapl Hcreler
Mono-Kristal Yapl Silikon Hcre
Poli-Kristal Yapl Silikon Hcre
nce Filmli Hcreler
Fleksibl Fotovoltaik Hcreler
ok Eklemli Hcreler
Nano-Fotovoltaik Hcreler
Dr. Osman Turan


Fotovoltaik teknolojideki gelimelerin asl amac, sadece hcrelerin verimliliini
artrmak deil, ayn zamanda retim maliyetini de azaltmaktr.
Bylece, fotovoltaik teknolojinin farkl uygulamalarda kullanlmas olana ortaya
kacaktr.
Mevcut fotovoltaik teknolojide gncel olarak kullanlan drt ana hcre tipi
bulunmaktadr:
Kristal Yapl Fotovoltaik Hcreler

ncel Filmli Fotovoltaik Hcreler
ok Eklemli Fotovoltaik Hcreler

Gne hcre yzeyine ulanca, hcrenin bir tarafnda bulunan katot
tabakasndaki uyarc elektronlar, iletkene doru hareket ederek hcrenin dier
tarafndaki anota arparlar.
Eer anot ile katot birbirine balanrsa elektrik adn verdiimiz elektron ak
salanr.
Bu durumda anot ile katot arasna bir ampl balanrsa, ampln yand grlr.

Tek Kristalli
(Mono-kristal)
ok Kristalli
(Poli-kristal)
Verimleri yksek
retim Maliyeti Yksek
Verimleri Dk
retim Maliyeti Dk
Tane Snrlar
Mono-Kristal
Poli-Kristal
Mono-Kristal
Kristal Yapl Fotovoltaik Hcreler: Mono-Kristal Si Hcre

Mono-kristal silikon hcre, fotovoltaik hcre retiminde en yaygn kullanlan
malzemelerden biridir.
Mono-kristal silikon hcrelerin retim maliyetleri yksektir. Bu durum poli-kristal
silikon hcrelerin daha yaygn kullanmna neden olmutur.
Mono-kristal silikon hcrelerin mrleri uzundur.
Mono-kristal silikon hcrelerin yzeyi siyah veya ak mavi renklidirler.

Silikonun fotovoltaik hcre teknolojisinde yaygn olarak kullanlmasnn balca
nedenleri:
Elektriksel , optik ve yapsal zelliklerinin uzun sre deimemesi
Silikon retim teknolojisinde nemli baarlar salanm olmas
Saf mono-kristal silikon retimi olduka zor, zahmetli ve pahal bir teknolojidir.
Oksijenden sonra dnya zerinde en ok bulunan silikon, en ok kum ve kuvars
biiminde bulunur.
Kum ierisinde bulunan silikon oran ok yksek olmad iin kullanma uygun
deildir.
Kuvars %90n silikondur ve kuvars ilenerek %99 saflkta silika elde edilir.
Ardndan, silikandan metalurji kalitesinde silisyum elde edilir.
Bunu izleyen aamada, silisyum saflatrlarak, yar iletken zelliinde poli-kristal
silikon elde edilir.
Yar iletken zellikte ve saf zellikte mono - kristalli silikon elde etmek zere polikristal silikon yeniden eritilir, bytlr.
ekirdekler, ok dk hzla ergimi silikon banyosundan ekilerek mono-kristal
silikon elde edilir.

Kuvars
Silika
Poli-Kristal
Silikon
Mono-Kristal
Silikon
Kristal Yapl Fotovoltaik Hcreler: Czochralski Metodu

Mono-kristal malzeme retiminde kullanlan en genel teknik Czochralski Metodudur
(CZ Metodu).
Bu teknikte, ekirdek olarak bilinen mono-kristal malzemenin kk bir paras, sv
fazda olan ayn malzemenin yzeyi ile temas ettirilir ve daha sonra yavaa eriyikten
dar ekilir.
ekirdek yavaa ekildii iin kat ve sv yzeyler
arasndaki dzlemler boyunca katlama meydana
gelir.
Genelde, kristal eriyikten darya dk bir hzla
dndrlerek ekilir. Bylece eriyik kartrlarak
ierisinde daha dzenli scaklk dalm elde
edilmesi salanm olur.
Bor ve fosfor gibi kirlilik atomlarnn belirli bir
miktar bytme srasnda eriyik ierisine eklenerek
katklama ilemi gerekletirilir.
Kristal Yapl Fotovoltaik Hcreler: Poli-Kristal Si Hcre

Poli- kristal malzemelerin i yapsnda yer alan tane snrlarnn byklkleri,
malzemenin elektriksel, optik ve yapsal zelliklerinin kalitesini etkiler.
Tane snrlar arasndaki sreksizlikler, zellikle elektriksel yk tayclarn
aktarlmasnda nemli lde engelleyici rol oynar.
Bu durum, poli-kristal fotovoltaik hcrelerin verimlerinin mono-kristal hcrelere
gre daha dk olmasna yol aar.
Ancak poli-kristal silikon retim teknolojisi, mono-kristal ile karlatrldnda,
daha kolay ve daha az maliyetlidir.
Tane Snrlar
Mono-Kristal
Poli-Kristal
Ticari poli-kristal silikon (pc-Si) fotovoltaik

hcrelerin verimleri %12-15 arasnda deiir.
Kristal Yapl Fotovoltaik Hcreler: Poli-Kristal Si Hcre

Fotovoltaik endstride maliyetleri azaltma ve retim verimin artrma abalar,
yeni kristalletirme tekniklerinin gelitirilmesine neden olmutur.
Balangta, silikon maliyeti 340 $/kg iken, Fotovoltaik endstride yaygn olarak
poli-kristal malzeme kullanlmaktayd.
Ancak, zaman ierisine silikon fiyatlar 50 $/kga kadar dmesi ile birlikte, retim
verimlerinin poli-kristallere gre %15 orann daha dk olmasna ramen, monokristal retim tercih edilir duruma gelmitir.
nce Filmli Fotovoltaik Hcreler

Fotovoltaik hcre retiminde kullanlan malzemenin ve iiliin azaltlmas,
teknolojinin basitletirilerek maliyetlerinin drlmesine ynelik yaplan
aratrma ve gelitirme almalar , yar iletken malzemenin geni yzeyler
zerine ince bir film eklinde kaplanmasn gndeme getirmitir.
nce bir film yariletken malzeme byklkleri 1/103 1/106 mm arasnda deien
katmanlardan oluur.
nce Filmli Fotovoltaik Hcreler

nce filmli fotovoltaik hcrelerin verimleri, kristal silikon fotovoltaik hcreler kadar
yksek deildir.
nce filmli fotovoltaik hcrelerin verimlerinin dk olmasn temel nedeni,
kalnlklar ok az olduu iin, hcre kalnlnda daha uzun dalga boylu gne
nlarnn hcre tarafndan sorulamamasdr.
Mono-Kristal
Poli-Kristal
Verim: % 15-23
Verim: % 12-15
nce film
Verim: % 8-12
nce filmli fotovoltaik hcrelerin retimleri olduka ucuzdur. Zira, ince film hcre
retiminde kullanlan yariletken malzeme, kristal yapl fotovoltaik hcre
retiminde kullanlann yalnzca %1-2si oranndadr.
nce Filmli Fotovoltaik Hcreler: Fleksibl CIGS Hcreler

nce film teknolojisinde, son yllarda ilgi, CIGS (Bakr ndiyum Galyum Selenid)
esasl , metal veya plastik folyo zerindeki fleksibl fotovoltaik hcrelerin zerine
kaymtr.
CIGS fleksibl fotovoltaik hcrelerin en nemli avantajlar, verimleri yksek ve
kararllklarn uzun sre devam ettirebilmeleridir.
Bununla birlikte, CIGS fleksibl fotovoltaik hcreler uzaysal nma kar
toleranslarnn, yaygn olarak kullanlan Si ve GaAs hcrelerden 2-4 daha fazla
oluu nedeniyle, uzay uygulamalarnda olduka nemli bir potansiyele sahiptir.
Yine bu teknolojinin en nemli avantajlarndan
birisi, esnek yaplar sayesinde uygulanacak
geometrinin
tam
olarak
formunu
alabilmeleridir.
Dolaysyla
geometriyi
bozmazlar.
rnein,
uak
kanadna
uygulanabilirler ve kanadn aerodinamiini
herhangi bir ekilde etkilemez.
ok Eklemli (Kavakl) Fotovoltaik Hcreler

Tek eklemli fotovoltaik hcrelerin verimleri maksimum %31 dzeylerindedir.
Oysaki, gne nm spektrumu daha etkin bir ekilde kullanlarak verim daha
yksek dzeylere ekilebilir.
Bu durumu dikkate alan aratrmaclar, ok eklemli fotovoltaik hcre ile ilgili

almalara ynelmilerdir.
ok eklemli fotovoltaik hcreler, farkl yasak
bant enerjilerine sahip iki veya daha fazla
hcre birletirilerek oluturulurlar ve farkl
dalga boylarna sahip fotolarn enerjilerinden
daha yksek oranda yaralanlr.

Gnmzde, ok eklemli hcrelerin verimleri %41 seviyelerine ulamtr.

Ancak bu teknolojini en byk dezavantaj maliyetli oluudur. Bu nedenle,
gnmzde, bu tip fotovoltaik hcreler daha ok uzay uygulamalarnda
kullanlmaktadrlar.
Teorik ideal bir fotovoltaik hcre, mor tesi ile kzl tesi nm arasndaki btn
dalga boylarndaki nmn kk aralklarna duyarl yzlerce farkl katmandan
oluabilir.
Bu durumda, %70 gibi olaanst bir verime ulamak mmkndr.
Ancak bu tr bir karmak yapdaki fotovoltaik hcre retimindeki zorluklar henz
byle bir tasarm mmkn klmamtr.
Nano-fotovoltaik, 21. yzyl fotovoltaik teknolojisidir.
Nano-mikro kristal yapl yksek enerji etkin fotovoltaik hcrelerin retimini
kapsamaktadr.
Bu teknoloji ile dier fotovoltaik hcrelere gre % 8 ile 10 arasnda daha iyi verimli
hcre retim potansiyeli mevcuttur.
Blm 7: Fotovoltaik Sistem Tasarm
Fotovoltaik Sistemler
On-Grid Sistemler
Off-Grid Sistemler
Fotovoltaik Sistem Bileenleri
Modl
Batarya
Dntrc
Dolum Kontrol Cihaz
Fotovoltaik Sistem Tasarm
Dr. Osman Turan

Gne enerjisini elektrik enerjisine eviren sistemlere "Fotovoltaik Sistemler"
denir.
ebeke balantl (on-grid)

sistemler
ebekeden bamsz
(off-grid) sistemler
Fotovoltaik Sistemler: On-Grid Sistemler

ebeke Balantl Sistemlerde, kullancnn enerji tketimi, fotovoltaik sistemin
rettii enerjiden karlanr. Tketimin retimden fazla olduu durumlarda
kullanc tketim fazlas enerjiyi ebekeden alr; buna karlk, kullancnn
tketimi retiminden az olduu durumlarda ise retim fazlas enerji ile ebeke
beslenir.
Fotovoltaik Sistemler: On-Grid Sistemler

ebeke balantl (On-Grid) fotovoltaik sistemlerin en gelimii,
fotovoltaik elektrik santralleridir.
Fotovoltaik Sistemler: Off-Grid Sistemler

ebekeden bamsz (off-grid) sistemlerde, fotovoltaik paneller ile retilen
elektrik enerjisi aklerde depolanr ve kullanc enerji ihtiyacn (gece-gndz) bu
aklerden salar. Sistemin kapasitesi, otonomi sresi boyunca (gneten elektrik
retilemedii sre) kullancnn ihtiyacn karlayacak ekilde boyutlandrlabilir.
ebekeden bamsz (off-grid) sistemlerde, akm ile beslenen bir makine, tesis
veya bir konut olabilir.

Fotovoltaik sistemlerin tek paras fotovoltaik hcreler, modller ya da
dizinler deildir.
Birok uygulamada, retilen fazla elektrii gece kullanabilmek ya da
bulutlu gnlerde kullanmak zere bataryalarda depolamak gerekir.
Ev ve iyeri uygulamalarnda ounlukla alternatif akm (AC) kullanlr.

Fotovoltaik modller ise doru akm (DC) retir. Bu nedenle DC akm bir
dntrc (inverter) ile AC akma dntrlr.
Uygulamaya gre dier kontrol ve ara yz devreleri gerekli olabilir.

Temel Bileenler
PV Modl
Batarya kontrol nitesi
Batarya
Dntrc (inverter)
Yardmc Bileenler
Saya
G izleyici
Sigorta
Diyot
Kablo
Montaj malzemeleri
Fotovoltaik Sistem Bileenleri : PV Modl

Tek bir fotovoltaik (PV) hcrenin salad g olduka kktr.
MARSROCK firmasna ait
Polycrystalline Silicon Solar Cell 156x156,
verim %17, g 4 W.
Bu nedenle, pratik uygulamalarda daha yksek miktarlarda g elde edebilmek

iin ok sayda fotovoltaik hcre birbirine balanr.
Fotovoltaik hcreler seri, paralel ve kark olmak zere farkl ekilde
balanrlar.
Hcre
Modl
Fotovoltaik Sistem
Dizin
BPSX170B (170 W)
SW 280 (280 W)
LG270S1C-A3 (270W)
Seri Balama
n tane zde fotovoltaik hcre seri balanrsa, toplam voltaj tek bir hcrenin
voltajnn n kat kadar olacaktr.
Toplam akm ise, bir hcreden geen akma eit olacaktr.
Yandaki ekil iki hcre seri balanmas
durumunda I-V karakteristiinde meydana
gelen deiimi gstermektedir.

Paralel Balama
m tane zde fotovoltaik hcre paralel balanrsa,
toplam akm tek bir hcreden geen akmn m kat
kadar olacaktr.
Toplam gerilim ise, bir hcrenin gerilimine eit olacaktr.
Aadaki ekil iki hcre seri balanmas durumunda I-V
karakteristiinde
meydana
gelen
deiimi
gstermektedir.

Kark Balama
n tane zde fotovoltaik hcre seri, m tane
zde fotovoltaik hcre paralel balanrsa,
toplam voltaj tek bir hcrenin voltajnn n kat
kadar olacaktr.
Toplam akm ise, bir hcreden geen akmn m
katna eit olacaktr.
Aadaki ekil zde iki hcre kark
balanmas durumunda I-V karakteristiinde
meydana gelen deiimi gstermektedir.
Kark balama
Fotovoltaik Sistem Bileenleri : PV Modl:

PV Modllerin Balanmas
By-pass Diyotu
By-pass diyotlar bir modln arzal

olmas durumunda dk direnli bir yol
salamak iin kullanlrlar. Modllere
paralel balanrlar.
By-pass diyotlarnn amac, modllerden
birinin zarar grmesi halinde dizinin g
retimine devam etmesini salamaktr.
Blok Diyotu
Blok diyotlar, fotovoltaik sistemin k almad
(gece veya glgelenme olduu) zamanlarda
akmn bataryadan tekrar modllere dnmesini
engelleyerek, bataryann boalmasnn nne
gemek amacyla kullanlrlar.

PV Modl Parametrelerinin Belirlenmesi
Fotovoltaik modl parametreleri, retici firmalar tarafndan, belirli standart
koullar altnda yaplan testler sonucunda belirlenir.
Karasal Uygulamalar in
ASTM G173:
Tcell = 25 Co
G = 1000 W/m2
Ayrca retici firmalar aadaki koullar altnda ve modln Normal alma

Scaklndaki (Normal Operating Cell Temperature, NOCT = 40 70 oC) modl
parametrelerini belirlerler.
Tevre = 20 Co
G = 800 W/m2
Ort. Rzgar hz : 1 m/s

LG 250 Black Mono X LG250S1C-G2

Herhangi bir alma koulu altndaki modl parametreleri, retici firma
tarafndan verilen standart deerler kullanlarak aadaki gibi belirlenebilir:
Ak Devre Gerilimi

Ksa Devre Akm
Maksimum G

rnek 7.1
36 adet fotovoltaik hcre seri olarak balanmas ile fotovoltaik bir modl hazrlanmtr.
retici firma, standart modl parametrelerini aadaki gibi tanmlamtr:
Modln aada belirtilen ortam koullarnda almas durumundaki modl

parametrelerini belirleyin.
Fotovoltaik Sistem Bileenleri : Batarya

Fotovoltaik sistemler tarafndan retilen elektrik enerjisi, genellikle istenildii
zaman kullanlmak zere depolanr.
Fotovoltaik sistemlerde elektrik enerjisinin depolanmas , zellikle uygun
maliyet/verim oran ve yksek evresel geri dnm ilikilerine bal olarak, en
uygun olarak ak ya da bataryalar ile salanr.
PV sistemlerde Kullanlacak Bataryalarda stenen Temel zellikler
Yksek kapasiteli olmal

Dk maliyetli olmal
Uzun mrl olmal
Kendi kendine boalma yzdesi dk olmal
Bakm gereksinimleri dk olmal
Yksek scakla kar dayankl olmal
Enerji giriinin dzensiz olduu durumlarda
etkin bir ekilde kullanlabilmeli.
Kolay dolum iin, dk i dirence sahip olmal

Batarya, elektrik enerjisini kimyasal enerji olarak depolayan cihazlardr.
Bir bataryann kapasitesi, o bataryada ne kadar elektrik depolanabilecei ile
llr.
Bataryann kapasitesi, ka saat boyunca ne kadar sabit akmn ekilebileceini
belirten, amper-saat (AH) cinsinden llr.
200 AH 10 saat boyunca 20A akm salar C10
200 AH 20 saat boyunca 10A akm salar C20

PV Sistemlerde Kullanlan
Batarya Trleri
Kurun-Asit Bataryalar
Nikel-Kadmiyum
Bataryalar
Yeniden arj edilebilir.
Yeniden arj edilebilir.
Ucuz ve yksek kapasiteli
Pahal ve uzun mrl
PV sistem uygulamalarn
byk ounluunda tercih
edilir.

Kurun-Asit Bataryalar
Anot (pozitif elektrot): PbO2
Katot (negatif elektrot): Pb
Elektrolit: Seyreltilmi H2SO4 (Slfirik asit)

zeltisi
Batarya kullanldka her iki elektrotta SO4 (slfat) iyonlarn toplar ve elektrolit
aadaki gibi iyonlaarak biraz daha zayf bir asit halini alr.
Batarya kullanldka negatif elektrotta aadaki reaksiyon gerekleir:
Serbest kalan iki elektron ykn zerinden geerek pozitif elektrota ilerler ve
aadaki kimyasal reaksiyon oluur:
Fotovoltaik Sistem Bileenleri : Batarya Kontrol nitesi

PV sistemlerde batarya kontrol niteleri
PV modl ile batarya arasnda kullanlr.
Batarya Kontrol nitesi kullanm sebepleri
4
2
PV Modl
Batarya
Dntrc (inverter)
Bataryay fazla arjdan korumak

Bataryalar tamamen boalmaktan korumak
Sistem performansn belirlemek
Maksimum g aktarmn salamak
DC DC evrimi
Fotovoltaik Sistem Bileenleri : Dntrc

Dntrc (inverter) temel ilevi,
fotovoltaik modl tarafndan retilen
DC akm AC akma evirmektir.
1
Off Grid inverter
4
2
On Grid inverter
1
PV Modl
Batarya
Dntrc (inverter)
Gnlk elektrik ihtiyac hesab

Batarya kapasitesi hesab
PV modl says hesab
Dntrc boyutu hesab
Fotovoltaik Sistem Tasarm : Gnlk Elektrik htiyac Hesab

Gnlk elektrik ihtiyac, kullanlacak aletlerin trne ve miktarna baldr.
Gnlk elektrik ihtiyacn hesaplayabilmek iin her aletin g tketiminin ve
kullanm saatinin bilinmesi gerekir.
Fotovoltaik Sistem Tasarm : Gnlk Elektrik htiyac Hesab

DC ve AC elektrik tketimini belirlemek zere Tablo 7.2 de gsterildii gibi her
aletin gnlk ve haftalk kullanm saatleri ve toplam g gereksinimi belirtilmelidir.
Tablo 7.2. Toplam Elektrik Tketimi Hesaplama izelgesi
DC
DC + 1.2 x AC
AC
=
12 V ya da 24 V
Toplam (WH/hafta)
Batarya Voltaj (V)
Toplam (WH/hafta) / Batarya Voltaj
Toplam (AH/hafta)
Toplam (AH/hafta) / 7
Toplam (AH/gn)
Wsaat/hafta
Gn/hafta
Saat/gn
Watt
Miktar
Alet
Wsaat/hafta
AC Elektrik Tketimi
Gn/hafta
Saat/gn
Watt
Miktar
Alet
DC Elektrik Tketimi
Fotovoltaik Sistem Tasarm : Batarya Kapasitesi Hesab

Batarya kapasitesini hesaplamak iin gerekli aamalar Tablo 7.3 de verilmitir.
Boalma derinlii batarya trne bal olup, bir emniyet katsaysdr ve genelde 0.5 olarak
dikkate alnr.
Batarya scaklk katsays (Tablo 7.4)
ortam scaklna baldr.
Batarya scaklk katsays k aylarnda
daha yksek deerler alr.
Sistem hem k hem de yaz aylarnda
alacak ise, batarya scaklk katsays
ortalama deer alnmaldr.
Tablo 7.3. Batarya Kapasitesi Hesaplama izelgesi

Toplam Elektrik Tketimi
B1
(AH/gn)
B2
Bulutlu Gnler (gn)
Boalma Derinlii = 0.5
B3
Boalma Derinlii
Tablo 7.4
B4
Batarya Scaklk Kats.
B5= (B1) x (B2) x (B3) x (B4)
B5
Gerekli Batarya Kapasitesi (AH)
B6
Seilen Batarya Kapasitesi (AH)
B7 = (B5)/(B6)
Batarya Says
B7
Fotovoltaik Sistem Tasarm : PV Modl Says Hesab

Gerekli PV modl saysn hesaplamak iin gerekli aamalar Tablo 7.5 de verilmitir.
Batarya arj etme/boalma zamanlarndan dolay %20 lik etkinlik kayb bulunmaktadr. Bu
yzden amper - saat (AH) hesab 1.2 ile arplr.
Tablo 7.5. PV Modl Says Hesaplama izelgesi

C1
(AH/gn)
Etkinlik Kayb = 1.2
C2
Etkinlik Kayb
C3
Ort. Etkili Gne Saati (gn/H)
C4
Bir PV Modln Etkili Amperi (A)
C5
Toplam Modl Says
C5 = (C1) x (C2) x (C3) / (C4)
Fotovoltaik Sistem Tasarm : Dntrc Hesab

Gerekli dntrc (inverter) kapasitesini hesaplamak iin gerekli aamalar Tablo 7.6 de
verilmitir.
Dntrc kayb genelde %20 olarak dikkate alnr.
Tablo 7.6. Dntrc Kapasitesi Hesaplama izelgesi

Toplam AC Elektrik Tketimi
D1
Dntrc Kayb = 1.2
D2
Dntrc Kayb
D3 = (D1) x (D2)
D3
Dntrc Kapasitesi (W)

rnek 7.2
Kk bir kulbe iin fotovoltaik bir sistem tasarlanacaktr. Kullanlacak aletler ve
kullanm sreleri aadaki tabloda verilmitir. Sadece AC aletlerin kullanlacan
varsaynz.
Lamba
Lamba
TV
PC
DC
DC + 1.2 x AC
12 V ya da 24 V
Toplam (WH/hafta) / Batarya Voltaj
Toplam (AH/hafta) / 7
=
=
=
3
2
1
1
11
15
40
120
Wsaat/hafta
Gn/hafta
Saat/gn
Watt
Miktar
Alet
Wsaat/hafta
Gn/hafta
Saat/gn
Watt
Miktar
Alet
Tablo 7.2. Toplam Elektrik Tketimi Hesaplama izelgesi

DC Elektrik Tketimi
AC Elektrik Tketimi
3
2
4
5
4
5
2
3
396
300
320
1800
AC
2816
Toplam (WH/hafta) 3379.2

Batarya Voltaj (V)
12
Toplam (AH/hafta) 281.6
Toplam (AH/gn) 40.229
Tablo 7.3. Batarya Kapasitesi Hesaplama izelgesi

(AH/gn) 40.229
B1
Bulutlu Gnler (gn)
B2
10
Boalma Derinlii
Boalma Derinlii = 0.5
B3
0.5
Batarya Scaklk Kats.
Tablo 7.4
B4
1.19
Gerekli Batarya Kapasitesi (AH) 239.36
B5= (B1) x (B2) x (B3) x (B4)
B5
Seilen Batarya Kapasitesi (AH)
B6
60
Batarya Says 3.9893
B7 = (B5)/(B6)
B7
Tablo 7.5. PV Modl Says Hesaplama izelgesi
(AH/gn) 40.229
C1
Etkinlik Kayb
Etkinlik Kayb = 1.2
C2
1.2
Ort. Etkili Gne Saati (gn/H)
C3
6.5
Bir PV Modln Etkili Amperi (A)
C4
120
Toplam Modl Says 2.6149
C5 = (C1) x (C2) x (C3) / (C4)
C5
Tablo 7.6. Dntrc Kapasitesi Hesaplama izelgesi
W
Toplam AC Elektrik Tketimi
D1
Dntrc Kayb
Dntrc Kayb = 1.2
D2
Dntrc Kapasitesi (W)
D3 = (D1) x (D2)
D3
186
1.2
223.2

Fotovoltaik Teknoloji Ders Notu

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Fotovoltaik Teknoloji Ders Notu

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Fotovoltaik Teknoloji

Dr. Osman Turan

Genel Bilgiler : Elektriksel zellikler ve Elektrik retimi

Fotovoltaik Teknolojinin Temelleri

Fotovoltaik Hcre Karakteristikleri

Fotovoltaik Hcre Tasarm

Fotovoltaik Hcre eitleri

Fotovoltaik Sistem Tasarm ve Projelendirilmesi

Fotovoltaik Sistemin Termodinamik Analizi

Dr. Osman Turan

Dnya insanlara atalarndan miras kalmamtr,

Tehlikenin Farknda Myz?: Kresel Isnma

Kaynak: Prof. Dr. Mikdat Kadolu (Kresel klim Deiiklii ve Trkiye)

Kt Haber: Kresel Isnma

Mitch Kasrgas 1998

1998 ylnda saatte 285 km hzla esen Mitch Kasrgasnda 10.000 l ve

Uzun dnemde dnyada meydana gelen deniz suyu scaklklarndaki deiimler

gereken en nemli sorunlarn da banda gelmektedir.

Blm 1 : Giri yi Haber: Yenilenebilir Enerji Kaynaklar

Yenilenebilir Enerji Kaynaklarnn Temel zellikleri

Fosil kaynakl( kmr,petrolvekarbontrevi) deilledir.

CSP (Concentrated Solar Power) Teknoloji

Yllk Bileik Byme Oran

Dr. Osman Turan

yllarnda Thales ile balad kabul edilmektedir.

Elektrik , maddelerin atom yapsndaki elektronlarn hareket etmesiyle

Maddelerin atomik yaplarn incelediimizde, baz maddelerin, son

Bir maddenin elektriksel davranlar asndan o maddenin atomlarnn son

Btn atomlar, soygazlar gibi, son katmalarn (valans yrngelerini)

Serbest (valans) elektronlarn saysna bal olarak elementler:

Coulomb Kanununa gre:

Ohm Kanununa gre:

Akm iddeti, ampermetre ile llr.

Alternatif Akm (Alternate Curent, AC)

Zamana bal olarak yn ve iddeti deimez.

Zamana bal olarak yn ve iddeti deiir.

Ykn (elektronlarn) bir ynde hareketi ile oluur.

Genelde sanayi ve konutlarda kullanlr.

Genellikle elektronik devrelerde kullanlr.

Buzdolab, amar ve bulak makinleri dorudan

En ideal doru akm, en sabit olandr.

Televizyon ve mzik seti AC akm DC akma

Gerilim fark, voltmetre ile llr.

Elektriksel : Gerilim Akm Zaman E = V . I. t (Joule)

Elektriksel G : Gerilim Akm P = V . I (Watt= Joule/s)

Kimyasal Etki: Kimyasal tepkime sonucunda elektronlarn hareket etmesi.

Nkleer Fisyon : Elektronlarn atomun radyoaktif bozunmas nedeniyle atomdan ayrlmas.

Dr. Osman Turan

564 Milyon Ton / Saniye

560 Milyon Ton / Saniye

4 Milyon Ton / Saniye

Gne, enerjisini elektromanyetik malar yaparak , gne sistemine yayar.

Dnya Yllk Enerji Tketimi

90 Milyar Varil Petrol Edeeri

12 Milyar Ton Petrol Edeeri (TEP)

Dnya Yllk Enerji Tketimi

90 Milyar Varil Petrol Edeeri

12 Milyar Ton Petrol Edeeri (TEP)

1.7 1014 kJ/saniye

Gne nlar, gne ile dnya

Gne nm ile yatay dzlemin normali

Hava Ktlesi (Air Mass, AM)

Yeryzne ulaan gne enerjisi miktar, nemli

Dnya yzeyine ulaan gne