Genel Bakış

 N-tipi ve P-tipi yarı iletkenler nedir?

 Has (Intrinsic) Yarıiletkenler
 Katkılanmış (Doped) Yarıiletkenler
 N-tipi ve P-tipi Yarıiletkenler
 Sürüklenme (Drift) akımı
 Difüzyon (Diffusion) akımı
 pn Jonksiyonu
İletkenler ve Yalıtkanlar
Yarıiletkenler

Grup 4 = 4 adet Valans elektronu

Neden Silisyum kullanılır?
 Silisyum bir yarıiletkendir.
 Silisyum elektriksel özellikleri doping (katkılama) adı
verilen bir işlemle değiştirilebilir.
 Silisyum aynı zamanda Dünya'da bol miktarda bulunan
bir elementtir.
 Silisyumun bolluğu, son derece uygun fiyatlı ve cazip
olmasını sağlar.
Yarıiletkenlerde İletim
• Yarı iletkenler (Si) düşük sıcaklıklarda yalıtkan ve
yüksek sıcaklıkta iletkenler gibi davranırlar.

• İletkenlik yüksek sıcaklıkta gerçekleşir, çünkü yarı

iletken atomları çevreleyen elektronlar kovalen
bağlarından kopabilir ve (lattice) kafes çevresinde
serbestçe hareket edebilir.
Yarıiletken Yapısı

• Kovalen bağ, tek bir elektronu "paylaşan"

iki atomdan oluşur.

• Her atom onu çevreleyen 4 atomla 4

kovalen bağ oluşturur.

• Bu nedenle, her bir atom ve onu

çevreleyen 4 atom arasında, 8 elektron
paylaşılmaktadır.
Silisyumun elektriksel özellikleri
Silisyum’da iki tip yük taşıyıcısı var:
 elektronlar negatif yüklüdür.
 holes (Boşluklar) pozitif yüklüdür.
· Bir yarı iletkende iletken elektronlarının ve deliklerinin konsantrasyonu (# / cm3), çeşitli
şekillerde modüle edilebilir:
· Özel katkı atomları ekleyerek ( dopants )
· elektrik alan uygulayarak
· sıcaklığı değiştirerek
· ışınlama ile (irradiation)
Silisyum
 Atom yoğunluğu: 5 x 1022 atoms/cm3
 Silisyum'nin dört valans elektronu vardır. Bu nedenle en yakın komşularından dördü
ile kovalen bağlar oluşturabilir.
 Sıcaklık yükseldiğinde, elektronlar Silisyum kafesi etrafında hareket etmek için
serbest kalabilirler.
Elektron-Delik (Hole) çifti üretimi
 Bir elektron üretildiğinde, bir boşluk da üretilir.
 Boşluklar pozitif yüklüdür.
Has Silisyumda taşıyıcı yoğunlukları
 ”Bant aralığı enerjisi (Band-gap energy )”, Eg bir elektronu
kovalen bir bağdan çıkarmak için gereken enerji miktarıdır.
 Eg
ni  5.2  10 T
15 3/ 2
exp electrons / cm 3
2kT

ni  1 1010 electrons / cm 3 at 300K

ni  1 1015 electrons / cm 3 at 600K

Oda sıcaklığında (300 K de) == 1,5

N-tipi katkılama
 Eğer Silisyum atomu, fosfor (P) ile katlanırsa, her P atomu
yapıya bir elektron verir, böylece Silisyum atomu deliklerden
daha fazla elektrona sahip olur, yani “N tipi” olur:

Not:
n = elektron konsantrasyonu
P tipi Katkılama
Silisyum’un Bor (B) atomu ile katlanması durumunda, her Bor atomu
yapıya bir delik (boşluk) verir, böylece Silisyum yapısı, elektronlardan
daha fazla delik içerecektir, yani yarıiletken “P tipi” olur:

Not
p = delik yoğunluğu
Elektron and Delik (Hole) Konsantrasyonları

Isıl denge durumunda, elektron yoğunluğu ve delik yoğunluğu her

zaman ni nin karesine eşittir:
2
np  ni

N-tipi materyal P-tipi materyal

n  ND p  NA
2 2
n ni
p i n
ND NA
Terminoloji
donor: n’ nin değerini artıran katkı atomu
acceptor: p’ nin değerini artıran katkı atomu
N-tipi materyal: elektronların sayısı, deliklerden çok daha fazladır.
P-tipi materyal: deliklerin sayısı elektronlardan çok daha fazladır.
Çoğunluk taşıyıcıları: Sayıca en fazla olan taşıyıcı
Azınlık taşıyıcıları: Sayıca en az olan taşıyıcı
Has yarıiletken: n = p = ni
extrinsic semiconductor: katkılanmış yarıiletken
P-tipi ve N-tipi yarıiletken nedir ?
 Yarıieltkenler P-tipi ve N-tipi olmk üzere 2 kısma ayrılırlar.
 P-type: P tipi bir malzeme, deliklerin çoğunluk taşıyıcısı
olduğu bir malzemedir, yani pozitif yüklü malzemelerdir. (+++
+)
 N-type: N tipi bir malzeme, elektronların çoğunlukta taşıyıcı
olduğu bir malzemedir, yani negatif yüklü malzemelerdir.(----)
 Has (Intrinsic) Yarıiletkenler
• Has yarıiletken katkılanmamış bir malzemedir
• Örneğin saf Silikon.
• Generation –elektron ve deliklerin üremesi
• Recombination –Elektron ve deliklerin yok olması.
• Isıl denge durumunda (In thermal equilibrium), generation and
recombination oranları eşittir.
Katkılanmış Yarıiletkenler
 Katkılanmış Yarıiletken (Doped
Semiconductor)
• Kristaldeki silisyum atomlarının konsantrasyonu neredeyse
1023/cm3 civarındadır.
• Tipik yarı iletken cihazlarda, Katkı atomlarının konsantrasyonları 10 15/cm3 ve
1019/cm3 aralığındadır.
• Katkı oranı çok küçük olup, yaklaşık 106 ‘da 1 dir.
• Kristalin metalik özellikleri fark edilir şekilde değişmez.
• Bununla birlikte, kristalin elektriksel özellikleri, katkılama tarafından
büyük ölçüde değiştirilmektedir.
N-tipi Yarıiletken

𝑦𝑎𝑘𝑙𝑎 ş 𝚤𝑘 𝑜𝑙𝑎𝑟𝑎𝑘 𝑒 ş 𝑖𝑡𝑡𝑖𝑟

⏞
(n)≈ ( 𝑁 ) 𝐷

n-tipi yarıiletkende elektronların Veren atomların

sayısı sayısı
P-tipi Yarıiletken

𝑦𝑎𝑘𝑙𝑎 ş 𝚤𝑘 𝑜𝑙𝑎𝑟𝑎𝑘 𝑒 ş 𝑖𝑡𝑡𝑖𝑟

⏞
( p)≈ ( 𝑁 ) 𝐴

p-tipi yarıiletkende deliklerin Alan atomların sayısı

sayısı

𝟐
𝒏𝒊
𝒏=
𝑵 𝑨
Example
Comparision
Yarıiletkenlerde Akımlar

• Yarıiletkenlerde elektrik akımı iki farklı mekanizma yoluyla

oluşur:

• Sürüklenme (Drift) Akımı

• Difüzyon (Diffusion) Akımı
Sürüklenme Akımı
 Hareketli elektrik yüklerinin elektrik alanının etkisi altında yer
değiştirmesi ile oluşan akıma sürüklenme akımı denir.
 Bu akım, iletkenlerdeki elektrik akımı ile aynı bicimde oluşur
ve değeri Ohm kanunu ile belirlenir.

I=V/R
Sürüklenme akımı

Yüklerin, bir uçtan diğer uca

geçmesi için geçecek süre

Elektronların ortalama hızı

Sürüklenme Akımı

Elektronlar 2.5 kat daha hızlı hareket ediyorlar.

Sürüklenme Akımı
Sürüklenme Akımı

p-tipi
Soru
Cevap
Cevap
Cevap
Difüzyon akımı
Yarı iletkenlerde, taşıyıcıların yüksek yoğunluklu bir bölgeden,
düşük yoğunluklu bölgeye doğru akışı, difüzyon akımına neden olur.

Elektron ve delik difüzyonunun gösterimi

 Difüzyon akımı
Hole direction Electron direction

Current direction Current direction

Delik yoğunluğu mesafeye bağlı olarak değişimi Elektron yoğunluğu mesafeye bağlı olarak değişimi

Difüzyon akımının elektron ve deliklerin oluşturduğu iki bileşenden oluşur:

Einstein Bağıntısı
Boltzman sabiti

𝑘𝑇
Isıl gerilim (Thermal voltage) VT 𝑉 𝑇=
𝑞 Elektron yükü

Difüzyon katsayısı, hareket yeteneği ve Termal

Voltaj arasındaki ilişki
Difüzyon Akımı

Yoğunluk azalması lineer ise, türev Yoğunluk azalması üstel ise, difüzyon
sabit olduğundan, difüzyon akımı akımı uzaklıkla üstel olarak azalır.
uzaklıkla değişmez…
 Sürüklenme akımı ve Difüzyon akımı
Sürüklenme akımı
Elektriksel alandan kaynaklanır.

Yönü her zaman elektriksel alan yönündedir. .

Ohm’s law: geçerlidir.

Difüzyon akımı
Difüzon akımı taşıyıcı yoğunluklarının değişiminden kaynaklanır.

Difüzyon akımının yönü, taşıyıcı konsantrasyonunun gradyanına bağlıdır.

Fick’s law: geçerlidir.