Mühendislik Malzemeleri Final Konuları

KONYA ÜNİVERSİTESİ
Mühendislik ve Mimarlık Fakültesi

Metalürji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü
MÜHENDİSLİK MALZEMELERİ 2
Dr.Öğr.Üyesi Muhammed Emre AYHAN
1
Malzemelerin Sınıflandırılması
 Kovalent
Malzeme Mühendisliği  İyonik
(Bağ yapısı)  Metalik
 Van der Waals
Malzeme Mühendisliği  Kristal

(Kristal yapı)  Polikristal
 Amorf
Elektrik-Elektronik Mühendisliği  Metaller (metals)

Bilgisayar Mühendisliği  Yarı iletkenler (semi-conductors)
(Elektriksel davranış)  Yalıtkanlar (insulators)
Belki de 40-50 yıl sonra elektronikte yarı iletkenler hiç

kullanılmayacak. Polimerler veya bio-elektronikler onların yerini alacak.
FAKAT MALZEME BİLİMİ AYNI KALACAK!!!
Atomun Yapısı
İletkenler-Yalıtkanlar-Yarı iletkenler
 Atomun dış yörüngesinde 8’den fazla
elektron olamaz.
 Dış yörüngede 8 elektronu bulunan atomlar

bir nevi kararlılık kazanmıştır. 8 elektronlu
dış yörüngelere “doymuş yörünge” denir.
 Doymuş yörüngenin elektronları çekirdeğe

daha sıkı olarak bağlıdırlar. Şu halde dış
yörüngeleri doymuş olan atomlar,
elektronlarını kolay kolay bırakmazlar ve
dışarıdan elektron alamazlar.
İletkenlik
İletkenlik kontrolü modern elektronik
aygıtlarının anahtarıdır!!!!
 Metaller : Yüksek iletkenlik

 Yalıtkanlar :Düşük iletkenlik
 Yarı iletkenler :Çeşitli seviyelerde
iletkenlik
İletkenlik kontrolü:
 Akım/Gerilim kontrolü
 Anahtar devreleri
 Mikro işlemciler
 Amfiler
 Ledler
 Lazerler
 Dedektör ve sensörler, vs
Elektronik Malzeme
 Elektronik sistemlerde kullanılan, elektronları veya onların ortak
alanlarını etkileyen ayrı bir cihaz veya fiziksel bir varlıktır.
 Elektronik malzemelerin iki veya daha fazla bağlantı noktası

bulunur.(Antenler hariç. Antenlerde tek uç bulunur.)
 Bu bağlantı uçları genellikle baskı devre üzerine lehimlenerek

kullanılır. Elektronik malzemeler ayrı ayrı paketlenebileceği gibi,
bir paket içine seri halde yerleştirilebilir.
 Elektronik malzemeler pasif, aktif veya elektromekanik şeklinde

sınıflandırılır.
Elektronik Malzemelerin Sınıflandırılması
 Pasif elektronik malzemeler, tek elementten üretilen, görevini yerine
getirirken herhangi bir enerjiye (voltaja) ihtiyaç duymayan ve tek tip
maddeden yapılan elektronik malzemelerdir. Bu elemanlar, genel amaçlı
elemanlardır. Hemen hemen her elektronik devrede bulunurlar.
 Aktif elektronik malzemeler, en az iki veya daha fazla elementten

meydana gelmiş, çalışabilmeleri için enerjiye (voltaja) ihtiyacı olan
elektronik malzemelerdir. Tek başlarına kullanılsalar bile verimli bir
devre için pasif elektronik malzemelere ihtiyaç duyarlar. Bu elemanlar,
özel amaçlı elemanlardır. Kullanılacak devrenin özelliğine göre, aktif
devre elemanlarının özellikleri ve türleri de değişmektedir.
 Elektromekanik malzemeler ise hareket eden kısımları olan ve

bunlarla elektronik devreye katkı sağlayan elektronik malzemelerdir.
©2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning™ is a trademark used herein under license.
Elektrik&Elektronik Mühendisliğinin
Temelleri
Elektrik&Elektronik Mühendisliğine Genel Bakış
Elektrik sinyalinin iletimi ve ölçülmesi
Elektriksel sistemler 5 sınıfa ayrılabilir:
1) İletişim Sistemleri
Elektriksel sistemler bilgiyi oluşturur, iletir ve
yayar.
2) Bilgisayar Sistemleri
 Bilgiyi işlemek için elektrik sinyali kullanır
 Yazı işlemleri, matematiksel işlemler
3) Kontrol Sistemleri
Sıcaklık, basınç vs değerleri ayarlamak için
elektrik sinyalleri kullanır
Elektrik&Elektronik Mühendisliğine Genel Bakış
4) Güç Sistemleri
Elektriksel gücü oluşturur ve dağıtır.
5) Sinyal İşleme Sistemleri

Bilgiyi temsil eden elektrik sinyallerini kullanır
Uluslararası Birim Sistemi (SI)
Nicelik Birim adı (Sembol) Formül

Frekans hertz (Hz) s-1
Kuvvet newton (N) kg.m/ s2
Enerji joule (J) n.m
Güç watt (W) J/s
Elektrik yükü coulomb (C) A.s
Elektrik voltajı volt (V) J/C
Direnç ohm ( ) V/A
Elektriksel iletkenlik siemens (S) A/V
Elektriksel kapasite farad (F) C/V
Manyetik akı weber (Wb) V.s
İndüktans henry (H) Wb/A
Yük
•Sembol : (q) –Elektron yükü:
•Birim : Coulomb (C) qe = -1.602x10-19 C

–Proton yükü:
qp = 1.602x10-19 C
 Temel elektrik birimi.
 En küçük yük bir elektron İşaret Yönü:
ve bir proton ile Elektron yükü negatif
gerçekleştirilir. olduğu için elektron akışının
zıt yönü akımın pozitif yönü
olarak kabul edilir.
Akım
•Sembol : I q : Yüklü elektronlar(C)

Amp = C/sec
•Birim :Amper
(mA)
 Bir iletken içerisinde belirli  Akım daima bir döngü içerisinde

bir alandan elektron akışının devam eder.
oranına akım denir.
dq
I(t) =
dt
1 amper = 1 coulomb (saniyede)
Akım
Voltaj (Gerilim)
 Elektronları maruz kaldıkları elektrostatik alan kuvvetine karşı
hareket ettiren kuvvettir. Bir elektrik alanı içindeki iki nokta
arasındaki potansiyel fark olarak da tarif edilir.
 Elektrik devresinden akımın akması için bir kuvvet gerekir.
w =energy (J), q = charge (C)

•Sembol : V dw
vab  1 volt= 1 joule/coulomb
•Birim : Volt dq = 1 newton meter/ coulomb
Gerilim- Su Temsili
Voltage Voltage
Gerilim/Akım- Su Temsili
Direnç
Direncin Fiziksel Boyutu
 Direnç elektrik akımına gösterilen zorluktur. Bir iletkenin elektrik
akımına gösterdiği zorluk (yani o iletkenin direnci), iletken içinde hareket
eden elektronlarla, o iletken içindeki atom ve diğer parçacıklar arasındaki
sürtünmelerden meydana gelir.
 Bu konuda, bir borudan akan suyun karşılaştığı zorluğu örnek olarak

gösterebiliriz. Boru dar ve iç yüzeyi fazla girintili çıkıntılı ise suyun
akışına karşı belli bir zorluk ortaya çıkaracaktır. Aynı şekilde borunun
uzunluğu arttıkça, içinden geçen suya gösterdiği direnç artacaktır.
 Bir iletkenin direnci de, o iletkenin boyuna, çapına cinsine göre değişir.
Örneğin bir iletkenin uzunluğu ile direnci doğru orantılıdır. İletkenin
uzunluğu arttıkça direnç de artar.
 Buna karşılık iletkenin kesiti ile direnç ters orantılıdır. Buna göre
iletkenin kesiti arttıkça direnç azalır, kesiti azaldıkça direnç artar.
Direncin Fiziksel Boyutu
 Bunlardan başka, direnç, iletkenin cinsine göre de değişir. Örneğin

aynı uzunlukta ve aynı kesitte bakır ile alüminyum iletkenin
dirençleri birbirinden farklıdır.
 Burada öz direnç kavramı karşımıza çıkar. Özdirenç, 1 metre

uzunluğunda ve 1 mm2 kesitindeki bir iletkenin direncidir ve bütün
iletkenin özdirençleri birbirinden farklıdır.
 Özdirenç ρ sembolü ile gösterilir ve ro olarak okunur.
 Bütün bunlardan başka, ortamın sıcaklığı da iletkenin direncini

etkileyen faktördür.
Dirençlerin Kullanım Alanları:
 Elektrik devrelerinde akımı sınırlamak
 Elektrik devrelerinde gerilimi düşürmek
 Akım sağlayıcı olarak
 Sensör olarak
 Elektronik devrelerinde indirme ve kaldırma elemanı

Direnç Yapımında Kullanılan Malzemeler:
 Karbon film (Seramik çekirdek üzerine karbon film

dekompozisyonu ile)
 Karbon bileşimleri (karbon tozu ve tutkal benzeri bağlayıcı)
 Metal oksitler (seramik çekirdekler metal oksitlerle kaplanır)
 İnce metal film
 Güçlü teller
Direnç Örnekleri
Bağlantı uçları
Direnç Renk Kodları
Band color Digit Multiplier

Black 0 X1
Brown 1 X10
Color Tolerance Red 2 X100
Brown 1% Orange 3 X1000
Yellow 4 X10000
Red 2%
Green 5 X100000
Gold 5% Blue 6 X1000000
Silver 10% Purple 7 X10000000
Grey 8 X100000000
None ±20%
White 9 X1000000000
Silver - x.01
Gold - x.1
Direnç değeri= AB 10C  tol%()
47  10  5%()
2
 İlk bant sarı olduğu için 1. basamak 4

 2. bant mor olduğu için 2. basamak 7
 3. bant kırmızı olduğu için çarpan 2
 Tolerans bandı altın olduğu için %5
Direncin Sıcaklıkla Değişimi
 İletkenin direnci, sıcaklıkla doğru orantılıdır. Buna göre sıcaklık arttıkça
iletkenin direnci de artar. Devre dizaynlarında, dirençler bir bir hesaplanır öyle
seçilir.
 Bu nedenle direnç çok hassas bir noktada bağlı ise ve içinden geçen akım
sonucu ısınarak değeri değişmiş ise, devrenin çalışması etkilenebilir.
 Dirençlerin üzerinde belirtilen omik değer, oda sıcaklığındaki (20 C) direnç

değeridir. Metallerin direnci, 0(sıfır) derece ile 100(yüz) derece arasında
doğrusal olarak değişir.
 Aşağıdaki şekilde R1 bir direncin t1 sıcaklığındaki değeri, R2 ise
aynı direncin t2 sıcaklığındaki değeridir.
 Görüldüğü gibi sıcaklık arttıkça direncin omik değeri artmıştır.
 Her metalin bir T katsayısı vardır. Bu, teorik olarak o direncin

değerinin sıfır ohm olduğu sıcaklık değeri demektir.
Bir direncin değişik sıcaklıktaki değeri aşağıdaki

formüllerle hesaplanır.
TABLE 18-1 Electrical conductivity of selected materials at TF300 K* (Continued)
Doğru Akım (DA,DC)
 Zamanın fonksiyonu olarak yönü
ve şiddeti değişmeyen akıma doğru
akım denir.
 Doğru akım, D.C gerilim kaynağı

tarafından beslenen devrelerde
oluşur.
 Doğru akım iletken içinde daima

tek yönde ve aynı şiddette akan
akımdır.
 Pil, akümülatör, dinamo, doğrultmaç devresi
 Telekomünikasyon, radyo, teyp, televizyon, gibi elektronik cihazlar,

kaynak makineleri, maden arıtma (elektroliz) ve maden
kaplamacılığında (galvonoteknik), elektrikli taşıtlar, elektro
mıknatıslar, DC elektrik motorları
Alternatif Akım (AA, AC)
 Genliği ve yönü periyodik olarak
değişen elektriksel akımdır. En çok
kullanılan dalga türü sinüs dalgasıdır.
 Deniz altına yapılan enerji nakil

hatlarında üretilen AA elektrik, dalga
yapısında bozulmalara sebep
verilmemesi için DC'ye
dönüştürülerek taşınmaktadır.
 HVDC ismi verilen uygulama ile okyanus ya da deniz altından nakil
hatları işlenebilmektedir.
 Günümüzde havadan ve kablo üzerinden taşınan, ses ve radyo

dalgalarının karışmama sebebi de alternatif akımın farklı sinüzoidal
yapılarda olmasıdır.
 Sanayi ve konutlarda, santrallerde üretilen enerjinin sevkinde
HVDC ( High Voltage Direct Current)
Yüksek Doğru Gerilim
 Alternatif Gerilimin doğrultularak iletilmesi ve hedef noktada tekrardan Alternatif Akıma
çevrilmesidir.
 Farklı frekanstaki sistemler birleştirilebilir. (Alternatif Akımda bu mümkün değildir)
 AA'ya göre kayıp %40 daha azdır.
 Aynı kesitteki bir iletkenden geçebilecek güç daha yüksektir.
 İletim mesafesinde limit
 Çevreye daha az zararlıdır.
 + ve - tek iletkende taşınabildiği için iletim direkleri ve taşıma hatları daha küçüktür. Bu da
maliyeti azaltır.
 Su altında iletime daha uygundur. (AA'da özellikle okyanuslarda köpek balıkları ve bazı
yırtıcı canlı türleri iletken çevresinde oluşan manyetik alana ilgi gösterip iletim hatlarına
zarar verebilmektedir)
HVDC ( High Voltage Direct Current)
Yüksek Doğru Gerilim
Dezavantajları:
 Doğrultucu ve inverter devrelere ihtiyaç duyduğundan pahalıdır.

Bu nedenler şimdilik 50-60 km'lik ve denizaltı iletim hatlarında
tercih edilmektedir.
 Doğru akımın kesilmesi daha zordur. (Bazı büyük firmalar son

zamanlarda bu soruna çözüm bulduğunu duyurdu)
 Hat üzerinde harmonikler oluşmaktadır.
 Kontrol sistemi karmaşıktır ve uzmanlık gerektirir.
 İki nokta arasına kurulabilir. Hattın istenilen noktasına ek

yapılamaz.
Elektrik İletkenliği
Ohm Kanununun akım yoğunluğu, iletkenlik

ve elektrik alana göre ifadesi
Elektrik alan şiddeti
Metaller
Yalıtkanlar
Yarı iletkenler
 Elektronik İletkenlik
 Akım, elektron akışı kaynaklı
 Bütün iletkenler, yarı iletkenler, çoğu yalıtkan malzemeler
 Elektron sayısı
 Elektronların dizilişi İletkenliğin büyüklüğü
 Enerji seviyeleri
 Konumlara yerleşmeleri
 İyonik İletkenlik
 Akım, yüklü iyonların hareketiyle oluşur
ENERJİ BANT YAPILARI
Atomlarda Elektronlar
Kuantum Mekaniği
 Atom ve atom altı sistemlerin kontrolü

 Atomlar ve kristal yapıya sahip katılarda
elektronların davranışı
 Bohr atom modeli
 Elektronların enerjileri nicel ve kendilerine
özgü
Enerji absorblayarak Yüksek Enerji

Enerji yayarak Düşük Enerji
Elektronun enerji seviyesi veya durumuna bağlı
 Komşu enerji seviyeleri arasında belirli bir sınır enerji farkı vardır
 Çekirdekten dış enerji
seviyelerine doğru enerji
değerleri sıfıra yaklaşır.
 Enerjinin sıfır olması,

elektronların çekirdeğe
bağlı olmadığı veya
serbest konuma geçtiği
anlamına gelir.
Bohr Modeli
 Konum (elektron yörüngeleri)
a) H atomunun Bohr modelinde ilk üç
enerji seviyesi
Dalga- Mekanik Model
 Hem dalga, hem parçacık

özelliği
 Elektronun konumu, çekirdek

etrafında değişik bölgelerde
bulunma ihtimalinden çok,
belirli bir yörüngede hareket
eden bir parçacık olarak
düşünülmüştür. (Dağılıma ait
bir olasılık)
Kuantum Sayıları
 Bir elektronun boyutu, şekli ve olasılık yoğunluğu dağılımının uzaydaki
konumu kuantum sayılarının 3’ü tarafından belirlenir.
 Ana kuantum sayısı (n)
1 2 3 4 5
K L M N O
 Kuantum sayısı bir elektronun çekirdekten uzaklığı veya konumu ile
ilgilidir.
 2.kuantum sayısı (l), alt yörüngeleri s, p, d, f (alt yörünge şekli ile ilgili)
 3.kuantum sayısı (m1) alt yörüngede enerji seviyelerinin sayısını belirler
s, p, d, f
1, 3, 5, 7 (enerji seviyesi)
 Bir dış manyetik alanın bulunmaması durumunda, herbir alt

yörüngedeki enerji seviyeleri eşdeğerdir.(Manyetik alan-Alt yörüngeler)
 4.kuantum sayısı (ms), spin momenti (aşağı-yukarı yönlenme)
Elektron Yörünge ve Alt Yörüngelerde Bulunan Elektronların

Sayısı
 Ana kuantum sayısı ne

kadar düşükse enerji
seviyesi de o kadar
düşüktür.
 Herbir yörüngedeki alt

yörüngelerin seviyeleri l
kuantum sayısı ile artar.
 Komşu enerji seviyeleri

çakışabilir (d, f)
 Bir enerji seviyesinde zıt spinli 2
elektrondan fazla elektron
bulunamaz. (Pauli dışlama
prensibi)
 s p d f
2 6 10 14
 Bir atomda olası tüm seviyeler
elektronlar tarafından
doldurulamaz.
 Birçok atomda elektronlar ana ve
alt yörüngelerinde her seviyede zıt Bir atomun elektron dizilişi
işaretli olmak üzere iki elektron veya yapısı, enerji
öncelikle olası en alt enerji seviyelerinin elektronlarca
seviyelerine yerleşirler.(En düşük nasıl işgal edildiğini gösterir.
enerji (taban) durumu)
Periyodik Tablo
Elektronegativite
Elektronegativite
Bağ Kuvvetleri ve Bağ Enerjileri
 Fiziksel özellikler- Atomlar arası
kuvvetler
 Bağ oluşumu- Sonsuz uzaklıktan
yaklaştırılan atomların etkileşimi
 Çekme (Fç) ve itme (Fi)
kuvvetleri atomlar arasındaki
mesafenin (r) bir fonksiyonudur.
 Fç , bağ tipi ile alakalıdır.
 Fi , negatif yüklü elektron

bulutları arasındaki etkileşimden
kaynaklanır. Bu atomların
elektron yörüngelerinin aşırı
birbirlerine yaklaşması sadece
r’nin küçük değerleri için
önemlidir.
FN = Fç + Fi
Fç + Fi = 0 R0 (0,3 nm)
Uzaklaşma- Çekme
Yakınlaşma- İtme
Bağ Enerjisi (E0 )
 Atomları birbirinden sonsuz

mesafeye uzaklaştırmak için
gerekli olan min enerji (r0 denge
mesafesi)
 Bağ enerjisinin büyüklüğü ve
enerjinin atomlar arası mesafe ile
değişimi, bağ tipine göre
malzemeden malzemeye değişir.
 Malzeme özellikleri bağ enerjisi
grafiğindeki eğrinin şekline ve
bağ tipine bağlıdır. (Yüksek bağ
enerjili metaller- yüksek ES)
Bağ Enerjileri;
Katılar Yüksek
Sıvılar Orta
Gazlar Düşük
Atomlararası Birincil Bağlar
(Kimyasal Bağlar)
1) İyonik
2) Kovalent
3) Metallik
 Bağ oluşumu için valans elektronu bulunmalı
 Bağ yapısı atomların elektron yapılarına bağlı
 Kararlı elektron yapısı oluşturmak için soy gazlara benzeme

eğilimi
(Kimyasal Bağlar)
İyonik Bağ
 Metal- Ametal arası

 Bir iyonun çevresindeki bütün
yönlerdeki bağ büyüklüğü
birbirine eşittir( bağ yapısı yönsüz)
 İyonik malzemeler kararlıdır
(Seramikler) (+) ve(-) iyonlar net elektrik
 Bağ enerjisi (3-8 eV/atom) ve ES yükü ile orantılı olarak
yüksek. birbirlerini çekerler.
İyonik bağyapısına
Bağ enerjisi; bir elektrona verilen 1 sahip malzemeler
voltluk elektrik potansiyel değeri.  Sert ve gevrek
 Elektrik ve ısı
açısından yalıtkan
(Kimyasal Bağlar)
(Kimyasal Bağlar)
Kovalent Bağ
 Komşu iki atomun elektronlarını

ortaklaşa kullanmalarıyla kararlı
elektron yapıları oluşturulur.
 Her atom bağ oluşumuna en az 1

elektron katkıda bulunur ve paylaşılan
elektron her iki atoma aittir.
 Elektronun paylaşıldığı iki atom

arasında sadece bir yönde bağ oluşur
(yönlü bağ yapısı)
(Kimyasal Bağlar)
Kovalent Bağ
 Ametal temel moleküller (H2, Cl2, F2)

Farklı atomlardan oluşan moleküller (CH4, H2O, HNO3)
Bazı doğal katılar (Elmas-Karbon, Si, Ge)
Sağ taraf elementleri bileşikleri (GaAs, InSb, SiC)
 Kovalent bağ sayısı valans elektron sayıları ile belirlenir. (N’)
 N’ valans elektronu için bir atom en fazla 8-N’ adet kovalent bağ
oluşturabilir.
 Çok kuvvetli (elmas) veya çok zayıf (Bi)olabilir.

(Kimyasal Bağlar)
(Kimyasal Bağlar)
İyonik Bağ Özelliği
 Kısmen iyonik kısmen kovalent bağ yapısı olabilir
 Her iki bağın derecesi atomların bağıl konumuna veya

elektronegativite değerleri arasındaki farka bağlıdır.
 Periyodik tabloda elementler ne kadar birbirine yakınsa

(elektronegativite farkı düşük) kovalentlik derecesi o kadar
yüksektir.
%İyonik Özellik = {1- exp[-(0,25)(XA - XB)2]} x 100

(Kimyasal Bağlar)
Metalik Bağ
 Metalik malzemelerde en fazla 3 valans

elektronu
 Katıdaki valans elektronları herhangi bir
atoma bağlı olmayıp tüm metal içerisinde
belirli oranda hareket etme yeteneğine
sahiptir.
 Elektron denizi (Elektron bulutu)
 Valans elektronları dışındaki diğer
elektronlar ile atomun çekirdeği, iyon  Metalik bağ yönsüzdür.
çekirdeğini oluşturur.  Serbest elektronlar
 İyon çekirdekleri atom başına toplam yapıştırıcı görevi görür.
valans elektron yüküne eşit net bir pozitif  0.7-8.8eV (-39- 3410C)
yüke sahiptir.  İletkenlik (serbest elk)
(Kimyasal Bağlar)
İkincil/ Van der Waals Bağlar
(Fiziksel Bağlar)
 Daha zayıftırlar (0.1eV)
 Bütün atom ve molekküllerde bulunmakla beraber varlığının
anlaşılması güçtür. (Birincil bağlar)
 Soygazlarda ve kovalent bağlı moleküller arasında yer alır.
 Bağ kuvvetleri atomsal veya moleküle ait dipollerden kaynaklanır.
 İkincil bağ dipolün pozitif ve negatif kutbu arasındaki Kulomb
çekim kuvveti sonucu oluşur.
 Dipol etkileşimleri; uyarılmış dipoller, uyarılmış dipoller ile polar
moleküller ve polar moleküllerin kendi arasında meydana gelir.
 Bağın bileşenlerinden birisi H molekülü ise Hidrojen bağı oluşur.
KATILARDA ENERJİ BANT YAPILARI
 Elektron sayısı
 Elektronların dizilişi İletkenliğin büyüklüğü
 Konumlara yerleşmeleri
 Her bir atomdaki elektronların tamamı elektrik alanından

etkilenerek ivmelenmez.
 Elektronlar en düşük enerji seviyesine sahip konumlarda yer alır.
 İzole bir atomdaki elektron düzeni, enerji seviyelerine göre

elektronların dizilişini gösterir.
KATILARDA ENERJİ BANT YAPILARI
 Atomlararası
mesafenin nispeten
büyük olduğu
durumlarda her bir
atom diğerlerinden
bağımsızdır. (Atomik
enerji
seviyeleri/dizilişleri
farklı)
 Yaklaşma durumu- Elektron&Çekirdek etkisi
 Her bir atom konumu, birbirlerine çok kısa mesafeli bir seri
elektron konumlarına ayrılır. (Elektron enerji bandı)
 Enerji seviyelerinin genişliği atomlararası mesafeye bağlıdır.

Katılarda Enerji Bant Yapıları
 Ayrılma etkileşimi, en dış yörüngeden başlar.
 Her bir bant içerisinde enerji konumları farklıdır. (Komşular arası fark
çok küçük)
 Denge mesafesinde çekirdeğe en yakın alt yörüngede bant oluşmaz.
 Komşu iki bant arasında bir aralık (gap) vardır. (Burada elektron
bulunmaz)
 N sayıdaki atomlar tarafından katkıda bulunan tüm enerji seviyeleri

toplamına eşittir.(s bandı N enerji seviyesi, p bandı 3N enerji seviyesi)
 Bantlar izole atomlardaki enerji seviyelerine karşılık gelen elektronları

içerir. (4s bandı- 4s elektronları)
 Boş bantlar sonra kısmen doldurulabilir. (Na atomu)
 Katı bir malzemenin elektriksel özellikleri en dış elektron bant düzeni
ve buradaki elektronların bulunma şekline bağlıdır.
 İlk olarak elektronlar en dıştaki bantta kısmen yer alır.(a)

 0K’ de dolu olan mevcut elektron enerji seviyelerinin en yüksek konumuna
Fermi Enerjisi (Ef) denir.
 (a) bant yapısı özellikle bir tek s valans a sahip bazı metallerde (Cu gibi)
belirgindir.
 Dolu bant ile boş bant üst üste çakışabilir. (Mg)
 Katı oluşumunda 3s ve 3p bantları üst üste gelir. (İzole Mg’de 3s enerji-2 adet
3s valans)
 N sayıdaki atomun her bir enerji seviyesinde 2 elektron olmak üzere N enerji
seviyesi dolmuştur. (Ef bu seviyenin altında)
BANT VE ATOMİK BAĞ MODELİNE
GÖRE İLETKENLİK
 Sadece Ef seviyesinden daha yüksek enerjili elektronlar elektrik alandan
etkilenir.
 Yarı iletken ve yalıtkanlarda boşluk da bir elektrik yüküne sahiptir.
(Enerjileri Ef düşük de olsa iletime katkıları var)
 İletkenlik serbest elektron ve boşluk sayısının fonksiyonu.
 İletken ve iletken olmayan malzemelerin farkı
Metaller
 Bir elektronun serbest hale
geçmesi için Ef seviyesinin
üzerindeki boş bir enerji
seviyesine uyarılması gerekir.
 Metalik bağ modelinde
elektron bulutu oluşturulması
ve valans elektronlarının
serbest hareketi.
BANT VE ATOMİK BAĞ MODELİNE
GÖRE İLETKENLİK
Yalıtkanlar ve Yarı İletkenler
 Dolu valans bandının üst

kısmına komşu boş enerji
konumu yok. (Serbest elktron-
uyarılma)
 Bant aralığı Eg enerjisine eşit

enerji ile aşılabilir.(Bir kaç eV)
 Uyarma enerjisi ısı veya ışık kaynaklıdır.

 Uyarılan elektron sayısı, ısı ve enerji bant aralığının genişliğine bağlı.
 Bant aralığı ne kadar büyükse iletkenlik o kadar düşüktür.
 Sıcaklık arttıkça iletkenlik artar.
 Yalıtkanlar- İyonik/ Kuvvetli kovalent (serbest hareket kabiliyeti yok)
Yarı İletkenler- Zayıf Kovalent (Isıl uyarılma daha kolay)
Elektron Hareketliliği (Mobilitesi)
 (-) yüklü elektronlar elektrik alana ters
yönde ivmelenir.
 İvmelenen elektron ve atomlar arası

etkileşim yok. (kusursuz kristal)
 Elektrik akımında artış olması için tüm

serbest elektronlara elektrik alan
uygulanması gerekir. (Akım sabitlenir)
 Bunun nedeni dış elektrik alana karşı

koyan sürtünme kuvvetleridir.
Sürtünme Kuvvetleri
 Empürite atomları
 Boşluklar
 Arayer atomları Saçılmalar
 Dislokasyonlar
 Atomların ısıl titreşimleri
 Her saçılma olayı elektronun kinetik
enerjisinin azalmasına ve hareket yönünün
değişmesine sebep olur.
 Alana ters yönde bir elektron hareketi

mevcuttur ve elektriksel yükün akışı
elektrik akımına karşılık gelir.
 Elektrondaki saçılma olayı, geçen elektrik

akımına gösterilen dirençtir.
Vd : Sürüklenme hızı
Elektrik alanı etkisi altındaki elektronların kuvvet
yönündeki ortalama hızı
μe : Elektronun hareketliliği
Saçılma olayının sıklığı (m2/V.s )
Ɛ : Elektrik alan
n : Birim hacim başına (ör m3) serbest veya iletken elektron sayısı
e: Bir elektron üzerindeki mutlak elektriksel yük (1.6x10-19C)
Soru:
Bir malzeme ergime sıcaklığından aşırı hızda soğutulması
durumunda, kristal olmayan bir katıya dönüşür (ör. Metalik cam). Bu
kristal olmayan malzemenin aynı malzemenin kristal yapılı haline
göre elektrik iletkenliği yüksek midir, düşük müdür? Niçin?
 Organic yarı iletkenler 50 cm2/(V·s)
 Si 1400 cm2/ (V·s)
 Karbon nanotüpler 100,000 cm2/(V·s)
 Grafen 200,000 cm2/(V·s)

Soru1:
Oda sıcaklığında Cu için elektrik iletkenliği ve elektron
hareketliliği sırasıyla 6x107 ve 0,003 m2/V·s dir. Oda sıcaklığında
bakırda atom başına serbest elektron sayısını hesaplayınız.
Soru2:
Bütün valans elektronlarının elektrik akımına katkı sağladığını kabul
ederek
a) Cu elektronlarının hareketliliğini (mobilitesini) hesplayınız
(Cu özdirenci 1.67x10-6 n=8.466x1022)
b) 10V gerilim altında 100 cm’lik bir Cu tel için ortalama sürüklenme
hızını hesaplayınız
Metallerin Elektriksel Özdirenci
 Yapı kusurları iletkenliği sağlayan elektronlar için saçılma merkezleri
olarak davranması nedeniyle, kusur sayısının artması öz direnci artırır,
iletkenliği düşürür.
 Kusurların konsantrasyonu
 Sıcaklığa
 Bileşime
 Numunenin gördüğü soğuk şekillendirmeye bağlıdır.
Matthiesen Kuralı
 Saçılma merkezleri birbirinden
ρt : Isıl titreşim
bağımsız etkiye sahip.
ρi : Empürite
ρd : Plastik deformasyon
Tavlanmış daha sonra plastik şekil değiştirmiş Cu/Cu-

Ni alaşımı
Sıcaklığın Etkisi
 -200C’nin üzerinde, sıcaklıkla doğrusal artış. (Saf metal/ Cu-Ni
alaşımları)
 Isıl öz direncin sıcaklığa olan bağımlılığı
 Atomların ısıl titreşim hareketleri (Elektron saçılma merkezleri)
 Kafes düzensizliklerindeki (ör. Boşluklar) artış
Empüritelerin Etkisi
ρi : Empürite öz direnci
ci: Empürite konsantrasyonu(at %100)
A: Bağımsız sabit (Emp/Anametal)
 Ni atomları saçılma merkezleri

 Artan Ni konsantrasyonu ile Cu öz
direnci de artar
(İki fazlı alaşım)
Ticari Alaşımlarım Elektriksel Özellikleri
 Düşük oksijenli, düşük empüriteli, yüksek iletkenliğe(OHFC) sahip Cu
kullanılır.
 Katı çözelti alaşımlandırma/ soğuk şekillendirme

Mukavemeti artırır, iletkenliği düşürür
 Her iki özelliğin birlikte iyileştirilmesi beklenmemeli.
 İletkenliği çok fazla düşürmeden ikinci faz ilavesiyle mukavemet

artırılabilir. (Cu-Be, çökeltme ile sertleştirme)
 Fırın ısıtma elemanları gibi uygulamalar için öz direnci yüksek olan

metaller kullanılır.
 Saçılan elektronların neden olduğu enerji kaybı ısı şeklinde orataya çıkar.
 Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci, yüksek ergime sıcaklığı. (Nichcrome,

Ni-Cr)
Malzemenin Önemi
 Cu fiyatlarında artış, Al için yangın riski (uygun olmayan kurulum)
 Risk, Al-Cu bağlantı noktaları
 Isıl çevrimde genleşme ve büzülmeler (Al, Cu’dan yüksek)
 Genleşme ve büzülme farkı bağlantılarda gevşemeye sebep olur.
 Bağlantı kablolarında mekanik gerilmeler/ Al sürünme eğilimi(oda sıc.)
 Gevşeme; temas riski, direnç artışı, ısınma, Al oksit tabakası
 Bağlantı fonksiyon kaybı, elektrik arkı, yanma

Malzemenin Önemi
Bağlantıda problemin olduğu nasıl anlaşılır?
 Anahtar üzerindeki priz kapağı veya prizde ısınma
 Anahtarın kendisinde veya kablo çıkışlarında yanık plastik kokusu
 Işığın titremesi veya aniden kesilmesi
 Elektronik aletlerin çalışmasındaki olağan dışı kesintiler
YARI İLETKENLİK
YARI İLETKENLİK
Yarı İletkenler
Has Katkılı
Yarı İletkenler Yarı İletkenler
Has Yarı İletkenlik
 Valans bandı 0K’de tamamen dolu, yasak bant
aralığı 2eV’den az enerjili, iletim bandı tamamen
boş
 Si : 1,1eV
Ge : 0,7eV
 Bileşik yarı iletken malzemeleri de has yarı
iletken özelliktedir. (InSb, GaAs, CdS, ZnTe)
 İkili elementler söz konusu bileşikleri oluşturmak
için birbirlerinden uzaklaşırlar.(Elektronegativite
değerleri arasındaki fark artar.)
 Atomsal bağ iyonik özellik kazanır, Eg
büyüklüğü artar, malzeme yalıtkan olma
eğilimine girer.
Soru:
ZnS ve CdSe bileşiklerinin hangisi daha yüksek bant enerjisi
(Eg) değerine sahiptir? Neden?
Elektronegativite
Elektronegativite
Boşluk Kavramı
Yarı iletkenlerde ve yalıtkanlarda dolu olan valans bant enerji

seviyesinden, boş iletim bandı enerji seviyesine elektron geçişleri meydana
geldiğinden, valans bandında boşluklar (serbest elektronlara ilaveten)
oluşur.
Yarı iletkenler/ yalıtkanlar Metaller

Boşluk Kavramı
 Boşluklar valans elektronlarınca aralıksız
doldurulur.
 Valans bandından elektron kaybı ile hızlanır ve
pozitif yüklü boşlukların oluşmasıyla
sonuçlanır.
 Kafes kusurları hem elektronların hem de
boşlukların saçılmasına yol açar.
Has İletkenlik
p : Metreküp başına boşluk sayısı

μh : Boşluğun hareketliliği (her zaman μh düşük)
Yasak bant aralığını aşan her bir elektron valans bandında bir
boşluk bırakır;
n=p=ni ni : has yük taşıyıcının konsantrasyonu
Soru:
GaAs için elektrik iletkenliği 10-6 (Ω.m)-1 dir. Elektron ve
boşluk hareketlilikleri ise sırasıyla 0,85 ve 0,04 m2/V.s dir. Oda
sıcaklığındaki ni değeri kaçtır?
Katkılı Yarı İletkenlik
n-Tipi Katkılı Yarı İletkenlik
 Empürite konsantrasyonu çok az

bile olsa yapıda ilave elektron ve
boşluk oluşumunu sağlar.
(1012 Si- 1 empürite)
n-Tipi Katkılı Yarı İletkenlik
 Elektron bağ enerjisi empürite konumlarındaki bir elektronun iletim
bandına uyarılması için gerekli enerjiye karşılık gelir. (Donor konumu)
 Donor elektronları empürite seviyesinden uyarıldığından valans bandında
boşluk oluşmaz.(Has valans bandı geçişi ihmal edilebilir)
 İletim bandındaki elektron sayısı valans bandındaki boşluk sayısından
çok daha fazladır.(n>>p)
 n-tipi yarı iletkenlerde Fermi enerji seviyesi yasak bant aralığında yukarı
doğru donor konumunun yakınına ötelenir.(Fermi enerjisinin tam
konumu sıcaklık ve konsantrasyonun fonksiyonu)
p-Tipi Katkılı Yarı İletkenlik
 Empürite atomlarının etrafındaki kovalent bağlardan birisinin elektronu
eksiktir. (Atoma zayıf bağlı boşluk)
 Bu boşluk komşu bağdaki bir elektronun hareketi sonucu empürite

atomundan uzaklaşır.(Boşluk-elektron yer değişimi)
 Hareket eden bir boşluk uyarılmış bir konum (uyarılan bir donora
benzer) olarak düşünülebilir ve iletkenliğe katkı sağlar.
p-Tipi Katkılı Yarı İletkenlik
 Boşluk, valans bandındaki elektronun ısıl olarak uyarılması sonucu
empürite elektron konumuna geçmesiyle oluşur.
(1taşıyıcı- valansta boşluk)
 İletim bandında, yasak bant aralığında serbest elektron yok.
 Empürüite boşluğu, yerinde bir boşluk bırakarak valans bandından bir
elektronu kabul edebildiği için alıcı olarak adlandırılır.
 p>>n (iletkenlik birinci dereceden pozitif yüklü parçacıklarla sağlanır)
 Fermi enerji seviyesi yasak bant alt sınırı ile alıcı enerji seviyesi arasında.
Doping (Katkılama)
 Yüksek saflıkta, toplam empürite miktarı %10-7 mertebelerindeki
malzemelerden üretilir.
 Kontrollü şekilde verici veya alıcı ilave edilir.
 Empürite tipine bağlı olarak, oda sıcaklığında mevcut ısıl enerjiyle çok
sayıda yük taşyıcı (elektron&boşluk) üretilebilir.
 Oda sıcaklığında yüksek iletkenlikler elde edilebilir.
 Nispeten yüksek sıcaklıklarda hem donor hem de alıcının ilave edildiği

yarı iletken malzemeler, has yarı iletken özellik gösterir.
Soru:
n-tipi yarı iletken için, Ef sıcaklıkla değişimini has yarı iletken
özelliğinin görüleceği sıcaklık değerine kadar şematik olarak çiziniz. Bu
eğride valans ve iletim bandının üst ve alt konumlarına karşılık gelen enerji
seviyelerini belirtiniz.
TAŞIYICI KONSANTRASYONUNUN
SICAKLIKLA DEĞİŞİMİ
Has Yarı İletkenlerde
 Elektron&Boşluk
konsatrasyonu sıcaklıkla
artar.
 Artan sıcklıkla valans

bandından iletim bandına
elektronları uyaracak ısıl
enerjinin mevcudiyeti.
 Ge yük taşıyıcısı Si ‘dan

fazla
(Eg; 0.67-1.11eV)
Katkılı Yarı İletkenlerde  Orta sıcaklıklarda malzeme n-tipi
yarı iletkendir ve elektron
konsantrasyonu sabittir.
 Katkılı sıcaklık bölgesi

(Doymuşluk bölgesi)
 Alıcı katkılanmış (p-tipi)

malzemeler için tükenme bölgesi.
 İletim bandındaki elektronlar P

donor seviyesinden uyarılır ve
elektron konsantrasyonu yaklaşık
olarak P miktarına eşit olduğundan
nerdeyse P atomlarının tamamı
iyonize olmuştur.(Bütün
elektronları iletime katılır)
 Katkılı bölgeye ait sıcaklık aralığı
empürite konsantrasyonuna
bağlıdır.(Katı hal cihazlarının
çalıştığı sıcaklık aralığı)
 100K’nin altında elektron

konsantrasyonu düşer.(P donor
seviyesindeki elektronları iletim
bandına uyaracak ısıl enerji yeterli
değil.
(İyonlaşma-Sıcaklık Bölgesi)
Soru:
Yukarıdaki şekil esas alınarak, donor enerji seviyesi arttığında, katkılı
yarı iletkenin has yarı iletkene dönüşüm sıcaklığının aynı kalmasını mı
yoksa azalmasını mı beklersiniz? Niçin?
YÜK TAŞIYICININ HAREKETLİLİĞİNİ
ETKİLEYEN FAKTÖRLER
 Elektron ve boşluklar kristal içerisinde
kolayca hareket edebilmeli.
 Empürite atomları ve sıcaklığın neden
olduğu titreşimler elektron saçılmasına
yol açar.
 Empürite Miktarı&Sıcaklık- μe & μh
Soru:
Bir n-tipi Si yarı iletken için n-T eğrisi ve μe –T eğrisini esas alarak
1021m-3 empürite donor ile katkılanmış Si için σ-T değişim eğrisini çiziniz.
Eğrinin şeklini açıklayınız.
Hatırlatma:
Soru:
Si has yarı iletkenin 150C (423K) ‘deki elektrik iletkenliğini
hesaplayınız.
HALL ETKİSİ
 Etkin yük taşıyıcı tipi&Konsatrasyon&Mobilite
(Her zaman basit iletkenlik ölçüleriyle
belirlenemez)
Hall etkisi, yüklü bir parçacığa dik
yönde etkiyen bir manyetik alan,
parçacığın hem hareket yönüne hem de
manyetik alana dik doğrultuda bir kuvvet
uygular.
 Elektrik alan etkisiyle;

elektronlar&boşluklar x yönünde
(Ix akımı oluşur)
 z doğrultusunda pozitif yönde Bz
manyetik alanı uygulandığında, yük
taşıyıcıları y yönünde saçılırlar.
(Boşluklar sağ, elektronlar sol yüzeye)
 Hall voltajı (VH ) y yönünde
HALL ETKİSİ
Soru:
Al için elektrik iletkenliği ve elektron hareketliliği sırasıyla

3.8x107 (Ω.m)-1 ve 0.0012 m2/V.s’dir. 15mm kalınlığında içinden 25A
akım geçen ve 0.6 teslalık manyetik alana (akıma dik yönde) maruz
bırakılan Al numunede oluşan Hall voltajını hesaplayınız.
DİYOTLAR
&
DİYOT UYGULAMALARI
DİYOTLAR
 Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren, p ve n tipi iki yarı iletkenin
birleştirilmesinden oluşan malzemelerdir.
 Bir yöndeki dirençleri ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür

yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır.
Diyot Çeşitleri
 Zener diyot
 Tünel diyot
 Işık Yayan Diyot (LED)
 Foto diyot
 Ayarlanabilir kapasiteli diyot
(Varaktör-Varikap)
 Mikrodalga diyot
 Gunn diyot
 Impatt diyot (Avlanş)
 Schottky diyot (Baritt)
 Pin diyot
Çalışma Prensibi
p-n Doğrultma Birleşimi
 Yarı iletkenler (Katı-hal cihazları);
küçük boyutlu, düşük güç tüketimine
sahip, ön ısıtmaya gerek olmayan
malzemeler.
 Ara kesit yüzeyi cihazı verimsiz kılar.
 Yarı iletken malzemeler tek kristalli
olmalı.(Elektronik olaylar tane sınırında
meydana gelir.)
İleri ön gerilim-
Yüksek akım&Düşük özdirenç
Ters ön gerilim
Birleşme yeri yalıtkan
Çalışma Prensibi
Delinme Olayı (Breakdown)

Ters ön gerilimin çok yüksek
değerlerinde (birkaç yüz volt) çok sayıda
yük taşıyıcı üretilebilir ve akımda ani
artışlara sebep olur.
İdeal Diyot Modeli
Pratik Diyot Modeli
Sıcaklık Etkileri
 Sıcaklık artışı diyot yapısına ilave enerji katar.
 Bu ilave enerji kazanımı ileri yön iletimi için gerekli olan ileri
yön gerilimini düşürürken (-2.5mV/ oC), ters yöndeki sızıntı
akımında artışa (her 10 oC’lik ısı artışı sızıntı akımında 2 katlık
bir artışa yol açar) neden olur.
 Germenyum diyotlar, ısı değişimlerine Silikon diyotlara göre

daha hassastırlar.
115
Sıcaklık Etkileri
Diyotların Bozulma Sebepleri
 Aşırı akım geçmesi
 Uygulanan gerilimin aşırı artması
 Ortam sıcaklığının yükselmesi
 Mekanik (fiziksel) zorlamalar
 Lehimleme işleminin hatalı yapılması
 Diyodun kalitesiz olması

Özetlersek....
I- Diyotlar doğru polarize edildiğinde iletime geçme ancak belli bir gerilim
değerinden sonra gerçekleşmektedir.
II- Eşik gerilimi değeri diyotun üretildiği maddeye göre değişmektedir. Örneğin
Silisyumdan yapımış diyotların iletime geçmesi için gereken eşik gerilimi 0,6 ila
0,7 Volt'tur.
III- Eşik gerilimi diyotun çalışma sıcaklığına bağlı olarak bir miktar değişmektedir.
Örneğin Germanyumdan yapılmış dedektör diyotu 25 °C'da 0,2 Volt'ta, 60 °C'da
0,1 Volt'ta iletime geçmektedir. Silisyum doğrultmaç diyotları ise -50 °C'da 0,8
Volt'ta, 25 °C'da 0,65 Volt'ta, 100 °C'da 0,5 Volt'ta iletime geçmektedir.
IV- Diyotlar ters polarize edildiğinde sızıntı akımının miktarı, sıcaklığa, uygulanan
gerilime, yarı iletkenin cinsine göre değişmektedir. Örneğin, Germanyum dedektör
diyotundan 5 Volt altında, 25 °C sıcaklıkta 0,8 mA, 60 °C'da 1,8 mA sızıntı akımı
geçtiği görülür.1N4001 diyotundan ise 50 Volt'luk ters polarmada, 50 °C'da 5 mA,
100 °C'da 50 mA sızıntı akımı geçtiği görülür.
DİYOT ÇEŞİTLERİ VE KULLANIM
ALANLARI
Zener Diyot:
 Doğru yönde kutuplandıklarında
doğrultucu diyotlar gibi çalışan
yarıiletken elemanlardır.
 Ters yönde kutuplandıklarında ise

ancak zener eşik gerilimine
ulaştığında iletime geçerler ve çıkış
gerilimini zener gerilim
seviyesinde sabit tutarlar.
Zener Diyotların Kullanım Alanları
 Gerilim Regülatörü: Zener diyotlar genellikle güç kaynaklarında DC çıkış
gerilimini regüle etmek için kullanılır.
 10-20 mA gibi küçük değerli akımların çekilebileceği bir regüleli kaynağa
ihtiyaç duyulduğunda yüke paralel bağlı tek bir zener elemanı ve zener
diyota seri bağlı bir Rs direncinin kullanımı yeterli olacaktır.
 Zenere paralel bağlı bir kondansatör kullanımı da parazitik etkilerin
giderilmesinde faydalı olur.
 Zener diyotun seçiminde diyottan akacak akımın diyodun dayanabileceği
maksimum ters yön zener akımından küçük olmasına dikkat edilmelidir.
Yüksek Frekans Devrelerinde Kullanılan Hızlı
Cevap Veren Diyotlar
 Hızlı cevap veren doğrultucular, anahtarlama zamanları 150-
500 ns civarında olan uygulamalarda kullanılmaktadır.
Schottky Diyot-Baritt
 Metal ve yarıiletken kristallerin birleştirilmesi ile elde edilmektedir.
Jonksiyon direnci çok küçük olduğundan doğru yönde
kutuplamasında 0.25V’ta dahi kolaylıkla ve hızla iletim
sağlamaktadır.
 Ters yön akımları küçüktür.
 Modülatör, demodülatör, detektör devrelerinde ve mikrodalga

alıcılarında karıştırıcı olarak kullanılır.
Güç Diyotları
 Ark kaynakları gibi doğru akıma ihtiyaç duyulan bazı uygulamalarda
yüksek güç ve yüksek ısı gereksinimlerinin karşılanabilmesi için güç
diyotları kullanılır. 2W’ın üzerindeki diyotlar güç diyotları olarak
tanımlanır.
 Daha yüksek bir akım ve daha düşük ileri diyot direnci sağlamak için
jonksiyon alanları büyük 1500V-4000V arası ters gerilime ve 1000A’lik
akıma dayanabilen silikon diyotlar üretilebilmektedir.
 Akımın yüksek oluşundan kaynaklanan yüksek değerli ısının yok edilmesi

için elemandan ısıyı çekmek üzere soğutucular kullanılır.
Tünel Diyotlar
 Tünel diyot (Tunnel diode), diğer diyotlar gibi pn bitişiminden
üretilmiştir. Üretiminde germanyum veya galyum-arsenit kullanılır.
 Doğrultucu diyotlardan farklı olarak p ve n tipi eklemleri

oluşturulurken daha yoğun katkı maddesi kullanılır.
 Tünel diyot’un en belirgin özelliği negatif direnç karakteristiğidir.

Bu özellik onu özellikle salınım devrelerinin (osilatör)
tasarımında popüler kılar.
 Tünel diyotların sık kullanıldığı bir diğer uygulama alanı ise

mikrodalga yükselteçleridir.
Varaktör – Varikap Diyot
 PN bitişimi ters gerilim altında bir miktar kapasitif etki gösterir. Bu
özellikten yararlanılarak varikap diyotlar üretilmiştir.
 Varikap diyotu; ters polarma altında kapasitansı değişen diyot veya
yarıiletken kondansatör olarak tanımlayabiliriz.
 Varikap diyot, genellikle iletişim sistemlerinde kanal seçici (tuning)
devrelerin tasarımında kullanılır.
 Varikap diyotun kapasitif değerini, PN bileşiminin fakirleştirilmiş
bölgesinde belirlenmektedir.
 Üretimde kullanılan katkı maddesi ve fiziksel boyut kapasitif değeri
etkileyen diğer faktörlerdir.
Varaktör – Varikap Diyot
 Kapasitif etkinin nasıl oluştuğu aşağıdaki şekil yardımıyla
görselleştirilmiştir.
 Varikap diyota uygulanan ters polarma değerine bağlı olarak

kapasitif etkinin değiştiğine dikkat ediniz.
 Karakteristik eğriden görüldüğü gibi varikap diyota uygulanan ters

polarite artışı, diyotun kapasitif değerini azaltmaktadır.
Foto Diyotlar
 Foto-diyot (Photo-diode), ışık enerjisine duyarlı aktif devre
elemanlarındandır.
 Ters polarma altında çalıştırılmak üzere PN bitişiminden üretilmiştir.
 Tüm foto-diyotlar ışık enerjisini algılamaları için şeffaf bir pencereye
sahiptir.
 Foto-diyot; doğru polarma altında normal diyotlar gibi iletkendir. Ters
polarma altında ise, üzerine uygulanan ışık yoğunluğuna bağlı olarak
çok küçük bir akım akmasına izin verir.
 Dolayısıyla karanlık bir ortamda bulunan foto-diyot yalıtkandır.
Foto Diyotlar
 Öncelikle foto-diyot ters polarma altında çalıştırılmıştır. Şekilde
görüldüğü gibi karanlık ortamda fotodiyot’un direnci
maksimumdur ve üzerinden akım akmasına izin vermez.
 Foto-diyot üzerine bir ışık kaynağı uygulandığında ise μA ler

seviyesinde bir akım akmasına izin verir.
Işık Yayan Diyot
Light Emitting Diode (LED)
 Işık yayan diyot (LED), doğru yönde polarmalandığında görülebilir ışık
yayan yarıiletken bir devre elemanıdır.
 PN birleşiminden üretilmiştir. Bilindiği gibi germanyum veya
silisyumdan yapılan PN birleşimleri doğru polarma altında
üzerlerinden bir akım akmasına izin verir.
 Akım akışı esnasında bir enerji açığa çıkar.
 Bu enerjinin bir miktarı ısı, küçük bir miktarı ise ışık (foton) enerjisidir.
 Bu nedenle LED üretiminde silisyum veya germanyum elementleri
kullanılmaz.
 LED üretimi için P ve N maddelerinin oluşturulmasında genellikle
Galyum–Arsenit-Fosfit (GaAsP) veya Galyum-Fosfit (GaP) kullanılır.
 Bu tür maddeler doğru polarma altında görülebilir ışık elde etmek için
yeterlidir.
Işık Yayan Diyot
 LED in şematik sembolü ve doğru polarma altında PN bitişiminde
ışık enerjisinin oluşumu aşağıdaki şekilde görülmektedir.
 PN bitişiminde, bitişim bölgesinde elektron ve boşluklar yeniden

birleşir. Yeniden birleşme işlemi esnasında enerjinin büyük bir kısmı
ışık enerjisine dönüşerek görülebilmesine neden olur.
Işık Yayan Diyot
 Yarıiletken malzemeye elektrik enerjisi uygulanarak ışık enerjisi elde
edilebilir. Bu işlem “elektro-lüminesans (elektro-parlaklık)” olarak
adlandırılır.
 LED, doğru polarma atında iletime geçer ve üzerinden akım akmasına
izin verir. Doğru polarma altında üzerinde maksimum 1,2 V ile 3,2 V
arasında bir gerilim düşümüne sebep olur.
 LED lerin üzerlerinden akmalarına izin verilen akım miktarı 10–30 mA
civarındadır. Bu değer; kullanılan LED’in boyutuna ve rengine göre
farklılık gösterebilir. Gerekli maksimum değerler üretici kataloglarından
temin edilebilir.
Işık Yayan Diyot
 LED’in yaydığı ışık enerjisinin şiddeti ve rengi imalatta kullanılan

katkı maddesine göre değişmektedir. Üretiminde GaP kullanılan
LED’ler, kırmızı ya da sarı renkte görülebilir ışık yayarlar.
 GaAsP kullanılan LED’ler ise sarı renkte görülebilir ışık yayarlar.

Üretiminde GaAs kullanılan LED’ler ise “kızıl ötesi (infrared)” ışık
yayarlar. LED’lerin yaydığı ışığın görünebilir veya görünemez
olması, yayılan ışığın dalga boyu tarafından belirlenir. 500 nm –
700 nm arasında dalga boyuna sahip ışımalar görülebilir.
Işık Yayan Diyot
 800 nm – 1000 nm arasında dalga boyuna sahip ışımalar ise kızıl
ötesi olarak adlandırılır ve görülemez.
LED Gösterge
 LED diyotlar günümüzde çeşitli kombinasyonlar oluşturularak da
kullanılmaktadır.
 Özellikle sayısal elektronik uygulamalarında rakam ve yazıların
gösterimi bu tür devre elemanları ile yapılır.
 Yedi parçalı gösterge (seven-segment-display) olarak adlandırılan bu tür
optik devre elemanları ortak anot veya ortak katot bağlantılı olarak
üretilirler.
LED’lerin Kullanım Alanları
 Dijital Saatler
 Büyük Ekranlar
 Uzaktan Kumandalar
 İkaz Lambası Uygulaması

Lazer Diyotlar
 Lazer; İngilizce, Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation (uyarılmış ışın yayılmasıyla ışık kuvvetlendirilmesi)
cümlesindeki kelimelerin baş harflerinin alınmasından türetilmiş
bir kelimedir.
 Normal ışık; dalga boyları muhtelif, rengârenk, yani farklı faz ve

frekansa sahip dalgalardan meydana gelir.
 Lazer ışığı ise yüksek genlikli, aynı fazda, birbirine paralel, tek
renkli (mono-chromatic), hemen hemen aynı frekanslı dalgalardan
ibarettir. Optik frekans bölgesi yaklaşık olarak 1·109 Hz ile
3·1012 Hz arasında yer alır.
Lazer Diyotlar
 Bu bölge, kırmızı ötesi ışınları, görülebilen ışınları ve
elektromanyetik spektrumun morötesi ışınlarını kapsar. Lazer
diyot çok yüksek frekanslarda çalışır.
 Lazer ışınımının üretimi için farklı yöntemler ve malzemeler

kullanılmaktadır. Yarıiletken malzemelerden elde edilen
kristallerden yapılan lazerlere, “lazer diyot” adı verilmektedir.
 Galyum-Arsenit kristali yarıiletken lazere örnektir. Lazer diyot;

Yarı iletken diyot gibi PN malzemenin birleşmesinden
oluşturulmuştur.
Lazer Diyotlar
 Birleşim yüzeyinde, P tarafına pozitif gerilim, N tarafına ise negatif
gerilim verildiği zaman elektronlar N malzemesinden P malzemesine
geçerken enerjilerini kaybeder ve foton yayarlar.
 Bu fotonlar tekrar elektronlara çarparak bu elektronların daha çok foton
üretmesine sebep olurlar.
 Neticede yeterli seviyeye ulaşan foton yayılımı, lazer ışınını meydana
getirir. Bu tür lazerler verimli ışık kaynaklarıdır.
 Genellikle boyları bir milimetreden büyük değildir. Ancak çok verimli
çalışma için ortam sıcaklığı oda sıcaklığının çok altına düşürülmelidir.
Lazer Işınının Özellikleri
 Lazer ışınının en büyük özelliği, dağılmaması ve yön
verilebilmesidir. Dalga boyunun küçük olması dağılmayı da büyük
ölçüde azaltır.
 Uyarılan atomlar her yön yerine, belli yönlerde hareket ederler. Bu
durum lazer ışının çok parlak olmasını sağlar.
 Lazer ışını, dalga boyu tek olduğundan monokromatik özellik
taşır. Frekans dağılım aralığı, frekansının bir milyonda biri
civarındadır.
 Bu sebepten istenilen frekansta çok sayıda dalgalar lazer dalgası
üzerine bindirilmek suretiyle haberleşmede iyi bir sinyal üreteci
olarak kullanılır.
 Lazer ışını dağılmaz olduğundan kısa darbeler halinde
yayınlanabilmesi mümkündür.
 Kayıpsız yüksek enerji nakli yapılması bu özelliği ile sağlanabilir.
Yönlü bir hareket olmasından ise holografi ve ölçüm biliminde
Lazer Çeşitleri
 Günümüzde lazer ışınımının üretimi için farklı yöntemler
kullanılmaktadır. Bu nedenle lazerler; katı, gaz, kimyasal, sıvı ve
yarıiletken lazer olmak üzere sınıflara ayrılırlar.
 İlk bulunan katı lazer türü, yakut lazeridir. Yakut, az miktarda
krom ihtiva eden alüminyum oksit kristalidir. İlk yakut lazer
sadece bir darbe ile çalıştırılırdı.
 İlk gaz lazer’in üretiminde helyum ve neon karışımı şeklinde
kullanılmıştır. Helyum ve neon gazı ile çalışan lazerde, gazlar
yüksek voltaj altında iyonize hale gelir.
 Helyum atomları elektrik deşarjı esnasında elektronların
çarpması ile uyarılarak yüksek enerji seviyelerine çıkar. Bunlar,
kazandıkları enerjilerini neon atomlarındaki eş enerji seviyelerine
aktarırlar.
 Bu enerji aktarma işlemi fotonun yayılmasına sebep olur. Aynalar
vasıtasıyla yeterli seviyeye ulaştıktan sonra lazer ışını elde
Lazer Çeşitleri
 Kimyasal lazerde ise meydana getirilen gazlar kimyasal reaksiyon
yoluyla pompalanır.
 Kimyasal pompalama bir ekzotermik kimya reaksiyonunda enerji
açığa çıkmasıyla olur.
 Örneğin; hidrojen ve flüor elementleri tersine çevrilmiş bir yapıda
hidrojen flüorür meydana getirmek üzere reaksiyona girdiklerinde
lazer etkisi ortaya çıkar.
 En çok kullanılan sıvı lazer türü, organik bir çözücü içindeki
organik boyanın seyreltik bir çözeltisidir.
 Birkaç lazer paralel olarak çalıştırılabilir. Böylece saniyenin birkaç
trilyonda biri devam eden lazer darbeleri elde edilebilir.
 Boya lazerlerinin en önemli özelliği dalga boyunun geniş bir alanda
hassas bir şekilde ayarlanabilmesidir.
Lazer Işınının Kullanıldığı Yerler
 Lazer, haberleşmede kullanılabilecek özelliklere sahiptir. Lazer

ışını da güneş ışını gibi atmosferden etkilenir.
 Bu sebeple atmosfer, radyo yayınlarında olduğu gibi lazer yayını
için
 uygun bir ortam değildir.
 Bu bakımdan lazer ışınları, içi ayna gibi olan lifler içinden
gönderilirse, lifler ne kadar uzun, kıvrıntılı olursa olsun kayıp
olmadan bir yerden diğerine ulaşır.
 Bu liflerden istifade edilerek milyonlarca değişik frekanstaki bilgi
aynı anda taşınabilmektedir. Bu maksatla foto diyot kullanılmakta
ve elektrik enerjisi foto diyotta ışık enerjisine çevrilmektedir.
 Karbondioksit lazerleri metal, cam, plastik kaynak ve kesme
işlerinde kullanılır. Lazer, mesafe ölçmede kullanılır.
 Lazerle ilk mesafe ölçümü, 1962 senesinde, Ay’a yerleştirilen
Sıvı Kristal Göstergeler
Liquid Cyrstal Displays (LCD)
 LCD paneller, iki kat polarize
cam arasında yer alan
yüzbinlerce likit kristal hücreden
oluşur.
 Camların iç kısmında elektronlar

vardır, dışında ise iki kat olmak
üzere polarizatör bulunmaktadır
ve camın üstünde yansıtıcı ya da
kaynak aydınlık bulunmaktadır.
 Panelin arkasında bulunan güçlü

lambalardan gelen ışık,
yayılmayı sağlayan tabakadan
geçerek ekrana homojen bir
şekilde dağılır.
LCD’yi oluşturan katmanlar:
 (A) yansıtıcı ayna.
 (B) polarize edici cam
 (C) Indium Oksitten yapılma
negatif elektrot. Elektrot düzlemi
bütün LCD’nin tüm alanını
kaplar.
 (D) sıvı kristal katman ve pozitif
elektrot.
 (E) camdan yapılma bir filtre
katı.
 (F) Polarize edici kaplama cam
tabaka.
 Işık daha sonra TFT (Thin Film Transistor ) adı verilen ince film transistor
tabakasından ve arkasından da her likit kristal hücresine iletilen elektrik miktarını
ayarlayan renk filtrelerinden geçer.
 Voltaj farkına göre likit kristaller harekete geçer. Bu hareket şekline göre arkadan
verilen ışığın şiddeti ve kutuplaşma yönü değişir.
 Bu işlemlerin sonucunda da farklı oranda ve parlaklıkta kırmızı, mavi ve yeşil
renkleri oluşturan ve nihai görüntüyü sağlayan yüzbinlerce piksel elde edilmiş
olur.
 LCD (Liquid Crystal Display), sıvı kristal organik bir yapıya sahiptir ve bundan
dolayı yüksek ısıya, havadan ya da sudan elde ettiği oksijenden, ışıktan (UV
ışınları) etkilendiği için özelliklerinde değişikler meydana gelir.
 Kimyasal bir değişime neden olur ve kristallin bozulmasını, dağılmasını
hızlandırır.
 Bu nedenle kristal sıvı moleküllerine sahip bir ekran, havadan, sudan, yüksek
ısıdan ve ultraviole ışınlarından korunmalıdır.
 LCD televizyonlar ince yapılarından dolayı hem yer kazancı sağlarlar hem de
hafif olduklarından taşıması kolaydır. Parlak ve yüksek çözünürlükte görüntü
sunar. Titreşim ve radyasyon oluşturmaz.
 LCD televizyonlarda ekranın nokta aralıklarını göremezsiniz. Uzaktan olduğu
kadar yakından da görüntüler aynı şekilde mükemmeldir.
 LCD televizyonlar göz yormazlar, aksine odaklama sorunu olmadığından daha
keskin ve net görüntü sunarlar.
 LCD ekranları sıvı kristalden oluşmaktadır. Sıvı kristallerin tepki süreleri CRT
ekranlara göre düşüktür. Bu da hareketli görüntülerde bulanıklığa neden olur.
 Netlik, hareket fazla olduğu zamanlarda azalır, görüntü sabitleştiği anda netleşir.
 LCD teknolojisi pikseller, aktiften inaktif hale ve sonra yine aktif hale geçerek
tek bir tepki döngüsü tamamlarlar. Tepki zamanları 2 milisaniye ile 25
milisaniye arasında değişir.
 En hızlı LCD ekranlar dahi belli bir miktar hareket bulanıklığı yaşayabilirler.
 LCD pikselleri, arkalarındaki bir ışık kaynağından ışık aldıkları için LCD
ekranlar 45 derece kadar küçük açılarla izlenseler dahi kontrast ve renk
kaybı yaşabilirler.
 Yani LCD ekranlara yandan baktığınızda görüntüyü net bir şekilde
göremezsiniz.
 Yüksek kalite LCD ekran kullanan monitor veya televizyonlarda görüş
açısı 130-150 derecelere kadar çıkabilmektedir ama 150-180 dereceden
görüntü alabilmek LCD’lerde imkansızdır.
 LCD’lerde yarı ömür denilen bir terim kullanılmaktadır. Yarı ömür,
LCD’in parlaklığının, bu süre içerisinde, kapasitesinden yaklaşık yüzde
50’sini kaybedeceğini belirtmektedir.
 Bu nedenle, yaklaşık olarak 100.000 saatlik bir ömür sunan plazma
TV’lerin günde dört saat açık kalması durumunda yarı ömrü 34-36 yıla
kadar olmaktadır.
TRANSİSTÖRLER
Transistör
Transistörler bir gerilim yada akım kaynağı ile başka bir akım yada
gerilim kaynağını kontrol etmeye yarayan elektronik devre
elemanlarıdır.
Transistörün Fonksiyonları
1) Elektrik işaretlerini kuvvetlendirme (yükselteç)
2) Anahtarlama
Kullandığımız bilgisayarların işlemcileri modeline göre 100 milyondan fazla

transistör içerebilmektedir.
Transistör
BJT (Bipolar Jonksiyon Transistör)- Birleşmeli Transistörler
FET (Field-effect transistor)– Alan etkili transistör
JFET (Junction Field-Effect Transistor) – N-kanal veya P-kanal
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) – N-kanal veya P-kanal
MESFET (Metal Semiconductor FET)
HEMT (High electron mobility transistor)
 Genel olarak transistör denilince akla BJT’ler gelir.

Transistör
BJT (Bipolar Jonksiyon Transistör)- Birleşmeli
Transistörler
 BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcıları,
hem de azınlık taşıyıcıları görev
yapar.(çift kutuplu)
 Transistör imalatında kullanılan yarı
iletkenler, birbirlerine yüzey birleşimli
olarak üretilmektedir.
 NPN ve PNP
 Her bir terminale işlevlerinden ötürü; Emiter (Emiter), Beyz (Base) ve
Kollektör (Collector) adları verilir.
 Transistörlerde beyz bölgesi; kollektör ve Emiter bölgelerine göre daha
az katkılandırılır. Ayrıca beyz bölgesi; kollektör ve Emiter bölgesine
nazaran çok daha dar tutulur.
BJT (Bipolar Jonksiyon Transistör)- Birleşmeli
Transistörler
Transistörün Çalışma Prensibi
 Çok sayıda boşluk ana bölgeye (base) girer.
 Az sayıdaki taşıyıcıların bazıları çoğunluktaki elektronlarla birleşirler.
 Ana bölge çok dar ve yarı iletken malzeme uygun bir şekilde
hazırlanmışsa boşlukların çoğu tekrar birleşmeksizin ana bölgeyi terk
ederek 2. birleşim kesitinden geçereek kollektöre ulaşır.
 Emitter-Base devresinde giriş voltajındaki küçük bir artış, 2. birleşim
kesiti akımında büyük bir artışa yol açar.(Yük direncinde yüksek voltaj)
FET (Field-Effect Transistors)
Alan Etkili Transistörler
BJT’ler ile birçok noktada benzerlikler gösterirken, bazı
noktalarda ise farklılıklar sergilemektedir.
Benzerlikleri:
• Kuvvetlendirme
• Anahtarlama
Farklılıkları:
• FET’ler voltaj kontrollü iken BJT’ler ise akım
kontrollüdür.
• FET’ler daha yüksek bir giriş direncine sahip iken BJT’ler
ise daha yüksek kazançlara sahiptir.
• FET’ler IC (entegre devre) olarak daha kolay üretilebilirler
ve sıcaklık değişimlerine daha az duyarlıdırlar.
FET Tipleri
•JFET–– Junction Field-Effect Transistor
•MOSFET –– Metal-Oxide Field-Effect Transistor
D-MOSFET –– Depletion MOSFET (Azaltıcı Tip)

E-MOSFET –– Enhancement MOSFET (Çoğaltıcı Tip)
JFET’in Yapısı
 JFET’ler kendi içerisinde ikiye ayrılırlar.
•n-kanal
•p-kanal
 n-kanal en çok tercih edilen JFET tipidir.
 JFET’lerin 3 adet terminalleri mevcuttur.
1) Akıtıcı - Drain (D) (n-kanalına bağlanır)

2) Kaynak - Source (S) (n-kanalına bağlanır)
3) Kapı - Gate (G) (p-tipi malzemeye bağlanır)
Bir JFET’in Temel Çalışma Prensibi
JFET’in çalışma prensibi bir musluğa benzetilebilir.
Kaynak – Source: Basınçlı su, akıtıcı-

kaynak voltajının negatif kutbundaki
elektron birikmesini temsil etmektedir.
Akıtıcı – Drain: Uygulanan voltajın

pozitif kutbundaki elektron (yada delik)
azlığını temsil eder.
Kapı – Gate: Suyun akışını kontrol

eden bir vana gibi kapı terminali n-
kanalının genişliğini kontrol eder.
Böylece akıtıcıya geçecek olan yük
kontrolü yapılmış olur.
MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor FET)
Azaltıcı Tip MOSFET
 Akıtıcı drain (D) ve kaynak
source (S) n-tipi katkılandırılmış
malzemeye bağlanmıştır.
 Bu n-tipi bölgeler birbirleriyle bir

n-tipi kanal vasıtasıyla
ilişkilendirilmiştir. Bu n-tipi kanal
ince bir izolatör katman olan SiO2
vasıtasıyla kapı gate (G) ucuna
bağlanmıştır.
 n-tipi katkılandırılmış malzeme p-tipi katkılandırılmış malzemenin
üzerine yerleştirilir. Bu p-tipi katkılandırılmış malzemenin de bir
alt tabaka terminal bağlantısı substrate mevcuttur.
MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor FET)
Çoğaltıcı Tip MOSFET
 Akıtıcı drain (D) ve kaynak
source (S) n-tipi katkılandırılmış
bölgeler ile bağlantılıdır. Bu n-tipi
katkılandırılmış bölgeler
birbirleriyle bir n-tipi kanal ile
bağlantılı değildir.
 Kapı gate (G) p-tipi bir yüzey ile

SiO2 ’ten oluşan bir izolasyon katı
vasıtasıyla bağlantılıdır.
 n-tipi katkılandırılmış yüzey p-tipi katkılandırılmış alt tabaka ile

bağlantılıdır. p-tipi katkılandırılmış alt tabaka da substrate terminali
ile bağlantılıdır.
Bilgisayarlarda Yarı İletkenler
 Transistör ve diyotlar aktarma elemanı olarak da kullanılır. (Aritmetik ve
mantıksal işlemler&Bilgi depolama)
 Bilgisayarlarda ikili kodlama (Anahtarlama)
Hafıza Kartı (Katı-Hal Sürücü)
 Elektronik olarak programlanabilir ve
silinebilir.
 Depolanan bilgiyi saklamak için elektrik
gücüne ihtiyaç duymazlar.
 Hareket eden parça(manyetik sabit sürücü)
olmadığı için caziptir.
Mikroelektronik Devre
 Yüksek saflıktaki tek kristalli Si, silindirik ve
nispeten büyük parçaların büyütülmesiyle
başlar ve bu silindirden dairesel plakaların
kesilmesiyle devam eder. (Entegre devre-
Yonga)
 Fotolitografi tekniği
Yeni Malzemeler
 Silikon transistörlerde elektrik
akımı malzemenin içinden
doğrudan çabuk bir şekilde
geçer. Ancak Molibden Disülfit
üzerinde elektrik akımı daha
aşamalı bir yol izler.
 Kenarlar iç kısımdan daha önce
yüklenir. Böylece aynı akım
daha az güçle çok daha küçük bir
boşlukta gönderilebilir. (enerji
tasarrufu)
 Bu küçük boşluk iki boyutlu bir
Tüm parça yerine sadece yüzey yerine tek boyutlu bir
kenarlar üzerinden akım geçmesiyle kenar kullanılarak da
önemli bir biçimde güç kaybında sağlanılabilir.
azalma sağlanacağı iddia ediliyor.
İYONİK SERAMİK ve POLİMERLERDE
ELEKTRİK İLETKENLİĞİ
İyonik Seramik ve Polimerlerde Elektrik İletkenliği
Malzeme Elektrik İletkenliği
(Ω.m)-1
Grafit 3x104-2x105
Seramikler
Çimento (Kuru) 10-9
Soda-kireç camı 10-10-10-11
Porselen 10-10-10-12
Alüminyum oksit ˂10-13
Eg ˃2eV Polimerler
Artan sıcaklıkla Fenol formaldehit 10-9-10-10
iletkenlik Polimetil metakrilat ˂10-12
nispeten artar. Naylon 6,6 10-12-10-13
Polisitren ˂10-14
Polietilen 10-15-10-17
İYONİK MALZEMELERDE
İLETKENLİK
 Elektrik alanın bulunması durumunda anyon ve katyonların yer
değiştirmesi veya yayınması söz konusudur.
 Elektron hareketinden kaynaklanan mevcut akımın yanı sıra, bu
yüklü iyonların hareketiyle ilave bir elektrik akımı meydana gelir.
 Anyon ve katyonların hareketleri birbirine zıt yöndedir.
σtoplam= σelektronik+σiyonik
 Her bir iletkenliğe ait bileşen, malzemeye, malzemenin saflığına
ve sıcaklığa bağlı olarak etkin rol oynayabilir.
nI: İyonun valansı
DI: İyonun yayınma katsayısı
 Artan sıcaklıkla iyonik iletkenlik
bileşenin etkisi artar
POLİMERLERİN ELEKTRİKSEL
ÖZELLİKLERİ
 Yeterli sayıda serbest elketrona sahip olmadıkları için iletkenlikleri
kötüdür.(Yüksek saflıktaki polimerlerde iletkenlik elektronik türde)
 1,5x107(Ω.m)-1
Hacim bazında bakırın iletkenliğinin 4’te 1’i, ağırlık bazında 2 katı
 Poliasetilen  Değişken tek ve çift

 Polipropilen bağlar (valans
 Polipirol elektronları serbest)
 Polianilin  Aromatik bağlar
ÖZELLİKLERİ
 Bir metalde kısmen dolmuş bir banttaki elektronların iyon
çekirdekleri tarafından paylaşıldığı gibi, valans elektronların
polimer zincirindeki omurga atomları arasında paylaşıldığı
anlamına gelir.
 Polimerler AsF5 , SbF5 veya iyot gibi uygun empüritelerle

katkılandırıldıklarında iletken özellik kazanır.
 n-tipi veya p-tipi olabilir. (Katkı element atomu polimer atom veya
moleküllerinin yerini almaz)
ÖZELLİKLERİ
İletken Polimerlerin Kullanım Alanları
İletken polimerler düşük yoğunluğa sahiptriler ve oldukça

esnektirler.
 Şarj edilebilir bataryalar

 Uçak elektrik tesisatı
 Uzay araçları
 Elbiseler için statik olmayan kaplamalar
 Elektromanyetik perdeleme malzemeleri
 Elektronik aletler (diyot, transistör, vs)
DİELEKTRİK DAVRANIŞ
Dielektrik Davranış
Metalik olmayan ve elektriksel olarak yalıtkan davranan
malzemelere dielektrik malzeme denir.
 Bu malzemelere elektrik alan uygulanmasıyla, elektrik dipol

yapısı kazanırlar.
 Molekül ve atomsal seviyede negatif veya pozitif olarak şarj

edilen nesneler birbirinden ayrılır.
 Dipolün elektrik alan ile etkileşime girmesi sonucunda ilave

yükün kazanılması, kapasitör uygulamalarında kullanıma imkan
sağlar.
Kondansatör (Kapasitör)
 Kondansatör iki uçlu enerji depolayan elektronik bir elemandır.
 İletken levhalar arasına konulan dielektrik(elektriği iletmeyen) maddesi

elektrik yükünü depo etme özelliğine sahiptir. Çünkü, elektron ve
protonlar yalıtkan maddede hareket ederek bir yere gidemezler.
 Yalıtkan maddelerin yük depo edebilme özelliklerinden yararlanılarak en

temel elektronik devre elemanlarından biri olan kondansatör imal
edilmiştir.
Kondansatörün Şarjı
Kondansatörün Deşarjı
Kondansatör Çeşitleri
Mika Kondansatör:
 Dış kap olarak genellikle seramik maddesi kullanılmıştır.
 Genellikle 50pF ile 500 pF arasında küçük kapasiteleri elde etmek için
imal edilirler.
Kağıt Kondansatörler:
 İletken maddeler ve bunların arasındaki kağıt çok ince olup, bir silindirik
yapı oluşturmak üzere birbiri üzerine sarılmıştır.
 Dış kap olarak genellikle plastik kullanılır.
 Orta büyüklükte kondansatör elde edilmek için kullanılır.
Seramik kondansatörler:
 Aynı miktar kapasite seramik kondansatörlerde, kağıt kondansatörlere
göre çok daha küçük boyutlarda elde edilir.
 Disk biçimindeki seramik kondansatörler “mercimek kondansatörler”
olarak adlandırılmaktadır.
Değişken kondansatörler:
 Sabit metal plakalar rotor, dönebilen biçimde yataklanmış metal plakalar
ise stator oluştururlar.
 Bir mil tarafından döndürülen stator, rotoru oluşturan plakaların arasına

taraf biçiminde geçerek kapasiteyi oluşturur.
 Plakalar arasındaki hava, dielektrik madde olarak görev yapar.
 Stator ile rotoru oluşturan levhalar tam içi içe geçtiklerinde kondansatörün
kapasitesi maksimum değerine ulaşır.,
 Levhalar birbirinden tamamen ayrıldığında ise kondansatörün kapasitesi

minimum değerine iner.
 Genellikle kapasitesi 0 pF ile 500 pF arasında değişecek şekilde imal

edilirler.
 Radyo alıcılarının istasyon seçme devrelerinde kullanılır.
Elektrolitik kondansatörler:
 Asit eriyiği gibi bir elektrolitik maddenin emdirildiği bez, yalıtkan madde
olarak kullanılır.
 Bu yalıtkanın iki yanındaki alüminyum plakalar da kondansatörün iletken

kısmıdır. Bu plakalardan bir tanesi doğrudan doğruya kondansatörün dış
kabına bağlıdır.
 Büyük kapasite değerlerini sağlamak üzere imal edilirler. Tipik kapasite

değerleri bir mikrofarad ile 2000 mikrofarad arasındadır.
 Daha önce görmüş olduğumuz kondansatörlerin tersine, elektrolitik

kondansatörler kutupludur. Yani pozitif ve negatif uçları vardır.
 Bundan dolayıdır ki devreye bağlantılarında pozitif kutup pozitife negatif

negatife bağlanması gerekir aksi taktirde kondansatör patlayabilir.
KAPASİTANS
Volt başına coulomb
veya Farad
Geçirgenlik sabiti
ϵ0: 8,85x10-12 F/m
ϵ: Dielektrik
ortamın geçirgenliği
Bağıl Geçirgenlik(Dielektrik sabiti)
ϵr ˃1
Dielektrik sabit bir malzeme özelliği olup, kapasitör tasarımında birinci
önceliğe sahiptir.
ALAN VEKTÖRLERİ ve
POLARİZASYON
D: Yüzeydeki yük yoğunluğu

(Kapasitör levhası birim alanı başına düşen yük
yoğunluğu (C/m2)
D: Dielektrik Ötelenme
ALAN VEKTÖRLERİ ve POLARİZASYON
Yüzeydeki net negatif Q’ yükü
Yükün bulunmadığı bölge
Yüzeydeki net pozitif Q’ yükü

P polarizasyonu, dielektrik
malzemenin birim hacmi başına toplam dipol
P=Qı/A P: (C/m2) momenti veya dışarıdan uygulanan elektrik alan
şiddeti etkisiyle birçok atom veya molekül
dipollerin birlikte düzenlenmesi sonucu
dielektrik malzemedeki meydana gelen polarize
olmuş elektrik alanı olarak düşünülebilir.
Soru:
Alanları 6,45x10-4m2 ve aralarındaki mesafe 2x10-3m olan, üzerine
10V’luk bir voltaj uygulanan paralel levhalı bir kapasitör ele alalım.
Levhalar arasına dielektrik sabiti 6 olan bir malzeme yerleştirildiğine göre;
a) Kapasitansı
b) Her plaka üzerinde depolanan yükü
c) Dielektrik ötelenmeyi
d) Polarizasyonu hesaplayınız.
SI Birimleri
Parametre Sembol Türetilmiş Ana birim
Elektrik potansiyel
Elektrik akımı
Elektrik alan şiddeti
Direnç
Özdirenç
İletkenlik
Elektrik şarj (yük)
Kapasitans
Geçirgenlik
Dielektrik sabiti
Dielektrik ötelenme
Elektrik polarizasyon
POLARİZASYON TÜRLERİ
Alan yok Uygulanan elektrik alan
Polarizasyon, dışarıdan
uygulanan elektrik alan etkisiyle
kalıcı veya uyarılmış
atomsal/moleküler dipol
momentleridir.
 Elektronik (Tüm dielektrik
malzemelerde)
 İyonik (Kovalent bağlı
malzemelerde yok)
 Yönsel (polar)
 Dielektrik malzemeler,
malzemeye ve elektrik alana bağlı
olarak polarizasyon türlerinden
birini veya tamamını gösterir.
Dielektrik Sabitinin Frekansla
Değişimi
 Çoğu pratik durumda akım alternatif akım (AC) şeklindedir. Yani voltaj
veya elektrik alan zamanla yön değiştirir.
 Her bir yön değişiminde dipoller uygulanan alan ile yeniden yönlenme
eğilimine girer.(Bu yönlenme belirli bir zaman alır)
 Her bir polarizasyon türü için, dipollerin düzenlenme kabiliyetine bağlı

olarak değişen bir min yeniden yönlenme süresi vardır.
 Min yönlenme süresininin tersinin alınmasına gevşeme frekansı denir.
Dielektrik Sabitinin Frekansla
Değişimi
 Uygulanan alan frekansının,
gevşeme frekansını aşması
durumunda, polarizasyon
mekanizmaları fonksiyonlarını
kaybeder.
Dielektrik Kayıp
 Alternatif elektrik alanı etkisindeki bir dielektrik malzemenin
absorbladığı elektrik enerjisine dielektrik kayıp denir.
 Belirli bir malzemede, gevşeme frekansına yakın elektrik alan

frekanslarında, her bir dipol türü için bu kayıp önemli hale gelir.
 Uygulamada dielektrik kaybının düşük olması arzu edilir.

Dielektrik Dayanım
 Bir dielektrik malzeme üzerine şiddeti yüksek bir elektrik alan
uygulandığında, çok sayıdaki elektronlar aniden iletim bandı
içerisindeki enerji seviyelerine uyarılırlar.
 Bu elektronların hareketi ile dielektrik içerisindeki akım

beklenmedik şekilde artar.
 Bu artış, dielektrik malzemede bazen lokal ergimelere neden

olur.(Yanma/Buharlaşma/Hasar)
 Bu olaya dielektrik delinim denir.
 Delinime neden olan gerekli elektrik alanın büyüklüğü dielektrik

dayanım veya delinim dayanımı olarak adlandırılır.
Dielektrik Malzemeler
 Seramik-polimer Yalıtkan/Kapasitör
 Çoğu seramik, cam, porselen ve mikanın dielektrik sabiti 6 ila 10

arasında değişir. (Yüksek boyutsal kararlık- Mekanik dayanım)
 Yüksek gerilim hatları, yalıtkan elektrik anahtar tabanları, ampül

duyları.
 Titanya (TiO2) ve titanyum seramiklerinin (BaTiO3) dielektrik sabitleri

oldukça yüksektir. (Kapasitör uygulamaları)
 Seramikler daha büyük dipol momentine sahip oldukları için dielektrik

sabitleri çoğu polimerinkinden (2-5) yüksektir.
 Polimer malzemeler kapasitör, tel, kablo, motor, jeneratör vs

yalıtımında kullanılır.
DİĞER ELEKTRİKSEL
ÖZELLİKLER
FERROELEKTRİK
 Herhangi bir elektrik alan uygulanmasına gerek kalmadan malzemenin

polarizasyonu sözkonusudur.
 Ferromanyetik malzemelere benzerler ve kalıcı manyetik davranış
gösterirler.
 Ferroelektrik malzemelerde sürekli bir şekilde elektrik dipollerinin
bulunması gerekir.
 Dipol momenti, O2- ve Ti4+ iyonlarının bağıl olarak ötelenmesi sonucu
oluşur.
 Kalıcı bir iyonik dipol momenti oluşumu bir birim hücre ile ilişkilidir.
FERROELEKTRİK
 Baryum titanat Curie sıcaklığının (120C) üzerine ısıtıldığında, birim
hücre kübik olur ve bütün iyonların kübik birim hücrenin simetrik
konumlarında bulunduğu kabul edilir (perovskit kristal). Bu durumda
malzeme artık ferroelektrik davranışını yitirmiştir.
 Bu grup malzemelerin doğal polarizasyonu, aynı yönde ortak olarak

dizilmiş sürekli dipol momentlerinin aralarındaki etkileşim sonucunda
oluşur. (O2- ve Ti4+ iyonlarının kısmi ötelenmeleri, bu bölgedeki tüm
birim hücre için aynı yönde)
 Rochella tuzu (NaKC4H4O6-4H2O), potasyum dihidrojen fosfat

(KH2PO4), potasyum niobat (KNbO3), kurşun zirkonat-titanat
(Pb[ZrO3,TiO3])
 Nispeten düşük frekanslarda yüksek dielektrik sabitine

sahiptirler.(Baryum titanat için ϵr 5000)
 Bu malzemeler kullanılarak üretilen kapasitörlerin boyutları, diğer
dielektrik malzemelerle üretilenlere göre çok daha küçüktür.
Soru
Katı kurşun titanat(PbTiO3) için hangi tür polarizasyon(lar)
mümkündür? Niçin?
Not: Kurşun titanat, baryum titanat ile aynı kristal yapıya sahiptir.
PİEZOELEKTRİK
 Piezoelektrik veya basınç altında malzemenin elektriksel özellik

kazanması birkaç seramik malzemenin gösterdiği sıradışı bir
davranıştır.
 Uygulanan dış kuvvetin etkisiyle malzeme polarizasyona teşvik

edilir ve numune kesitinde bir elektrik alan oluşur.
 Uygulanan dış kuvvetin işaret değiştirmesi (çekme yada basma)

oluşan alanın yönünü değiştirir.
PİEZOELEKTRİK
 Piezoelektrik malzemeler dönüştürücülerde (transdüser) kullanılır.
Elektrik Enerjisi Mekanik Enerji
 Ses kayıt kartuşları, mikrofonlar, alarmlar, ultrasonik görüntüleme

sistemleri, bilgisayar, tıp
 Otomotiv
 Tekerlek dengeleri
 Emniyet kemeri uyarıcıları
 Lastik aşınma göstergeleri
 Piezoelektrik seramikler; baryum titanat, kurşun titanat, kurşun

zirkonat-titanat (PZT) (Pb[ZrO3,TiO3]), potasyum niobat(KNbO3)
KONYA ÜNİVERSİTESİ
MALZEME
KARAKTERİZASYON
YÖNTEMLERİ
Dr.Öğr.Üyesi Muhammed
1 Emre AYHAN
30.05.2021
METALOGRAFİ
2
30.05.2021
Giriş
3
Malzemelerin
 Fiziksel özellikleri
 Kimyasal özellikleri
 Elektronik özellikleri
 Mekanik özellikleri
 Bileşimleri
 İç yapıları
30.05.2021
Giriş
4
 Üretimde kalite kontrolü

 Yeni malzemelerin geliştirilmesi
İÇ YAPI ETÜDÜ
 Dayanıklılık
 Hasar ve kazaların sebebini araştırma
Malzemelerin iç yapısını inceleyen ilme Metalografi denir.
 Büyüteçten başka herhangi bir optik alet gerektirmeyen Makroskobik

Metalografi 19.Yuzyılın baslarında Aloys Beck Von Widmanstatten’in
meteor yüzeyini incelemesiyle baslar.
 Mikroskobik Metalografi ise 1840 da başlamasına rağmen, iç yapı etüdü

ilk defa 1863’de Prof. Henry Sorby tarafından gerçekleştirilmiştir.
30.05.2021
Giriş
5
Mikroskobik yöntemler Optik, elektronik ve nükleer

Mikroskobik olmayan yöntemler teknolojideki gelişmeler
Malzemelerin iç yapısını incelemede amaç:
 Malzemede mevcut fazları, miktarını ve dağılımını
 Tane boyutu, şekil ve dağılımı
 Genel olarak yapı kusurlarının (çatlak, porozite, segregasyon, kalıntılar v.b.)

cinsini ve miktarını saptamaktır.
30.05.2021
Giriş
6
Malzemelerin iç yapısını incelerken hangi yöntemin ve hangi cihazın

seçileceği konusunda karar verebilmek için, hem yapılacak mikroyapı etüdünün
boyutu hakkında, hem de yöntem ve cihazların bu boyuta duyarlılığı hakkında
bilgi sahibi olmak gerekmektedir.
 Tane boyutu- Optik mikroskop
 Tane sınırları- SEM veya TEM
30.05.2021
7
30.05.2021
Mikroskopların Ayırma Gücü
8
30.05.2021
NUMUNE
HAZIRLAMA
9
Numune alma
Numune kesme
Numuneyi kalıba alma
Zımparalama
Ultrasonik temizleme
Parlatma
Dağlama
30.05.2021
Numune Alma
10
 Numunelerin yönlenmeye bağlı özellikleri değişebilir.

 Bundan dolayı numune alırken yönlenme göz önüne alınması gerekebilir.
Dövülmüş/Haddelenmiş
Enine- Boyuna
Metalik olmayan kalıntılar
Dövülmüş/ Tavlanmış Enine
Karbürizasyon/ Dekarbürizasyon Enine şart
30.05.2021
Numune Alma
11
 Sinterlenmiş malzemelerin mikroyapısal özellikleri merkezde ve yüzeyde

farklılıklar gösterebilir. Örneğin gözenek (por) dağılımı sinterleme
sırasında farklı ısıya maruz kaldıklarından dolayı merkezde ve yüzeyde
farklıklar gösterebilir. Bu yüzden numune alırken bu durumun göz önüne
alınması gerekir.
 Mikroyapı incelemesi için alınacak numunenin çok büyük olmamasına

dikkat edilmesi gerekir. Büyük numunelerin hazırlanması güçlükler
çıkartır. Bundan dolayı yaklaşık 1cm2 yüzey alanına sahip bir numune
alınması yeterlidir.
30.05.2021
Kesit Alma
12
 Testere
MİNİMUM YAPI
 Keski
 Torna DEĞİŞİKLİĞİ
 Kesici taş !!!
 Çekiç
 Oksi asetilen (esas numune kesiminde kullanılmaz)
Parlatma;
a) Elle- Rahatça tutulabilmeli
b) Kalıpla- çap < 25mm
boy < 20mm
30.05.2021
Kesit Alma
13
 Kesit alma icin elmas kesme diskine

sahip hassas kesme cihazları kullanılır.
Kullanılacak kesme diskinin cinsi
kesilecek malzemenin sertliğine bağlı
olarak seçilir.
 Sürtünmeyi azaltmak ve sürtünmeden

dolayı meydana gelen ısınmayı önlemek
için kesme diskinin cinsine bağlı olarak
soğutma sıvıları kullanılır.
 Soğutma sıvısının kullanılması kesilen

numunenin yüzey kalitesinin iyi
olmasını sağlar, kesme diskinin
kullanım ömrünü uzatır.
30.05.2021
Kesit Alma
14
 Kesme işlemi yüksek hızda yapılırsa, numune yüzeyinden tanelerin kopup

ayrılması durumu söz konusu olabilir. Bu durumda yüzeyin pürüzlülüğü artar ve
takip eden numune hazırlama işlemleri (zımparalama, parlatma vs.) çok daha
uzun zaman alır.
 Elmas kesme diskleri çelik veya bronzdan yapılır ve bu disklerin üzerinde bir
bağlayıcı yardımıyla yerleştirilmiş elmas parçacıklarından oluşan bir tabaka
bulunur.
 Yüksek kesme hızlarında 0.8-2mm. kalınlığında kesme diskleri kullanılırken

düşük kesme hızlarında 0.2-0.6mm kalınlığında kesme diskleri kullanılır.
30.05.2021
KALIPLAMA
15
30.05.2021
Numuneyi Kalıba Alma
16
 Numunenin daha sonraki hazırlama işlemlerinde kolaylıkla kullanabilmek için

kalıplanması gerekir. (Dolgu levhaları, kelepçeler vs.)
 Kalıplama malzemesi olarak:
Polyester reçine
Bakalit
Epoksi reçine vs.
 Kalıplama malzemesi ve numune yüzeyi birbirlerini iyi bir şekilde tutmalıdır.

 Temizlik
 Yumuşak yüzeyler (Saf Cu, Al, Mg)
 Numune daha sonra taramalı elektron mikroskobunda incelenecekse kalıplama
malzemesi iletken olmalıdır, gözenek içermemelidir.
 Kalıplama sıcak (~150 C) veya soğuk yapılabilir. Sıcak kalıplama sırasındaki ani
sıcaklık düşüşü ve uygulanan basınç nedeniyle numunenin içinde çatlaklar
meydana gelebilir. Bu gibi durumlarda soğuk kalıplama tercih edilmelidir
30.05.2021
17
Sıcak kalıplama malzemeleri
30.05.2021
18
 Kalıbın yüksekliği kalıp çapının yaklaşık yarısı olmalıdır. Böylece zımparalama ve
parlatma sırasında numuneyi tutmak daha kolay olur.
 Kalıplamadan sonra kalıbın kenarları yuvarlanmalıdır. Bunun sebebi zımparalama ve

parlatma sırasında zımparalama ve parlatma disklerine zarar verilmesini önlemektir.
30.05.2021
Boşlukların Doldurulması
19
 Gözenekli malzemelerin zımparalanması ve parlatılması sırasında gözenekler

den dolayı yüzey hasarları meydana gelebilir. Ayrıca gözenekler zımparalama ve
parlatma sırasında yüzeyden ayrılan parçalarla dolar. Bu sebeplerden dolayı
elde edilen mikroyapı görüntüleri gerçek mikro yapıyı (gözenekler acısından)
temsil etmez.
 Gözenekler düşük viskoziteye sahip bir sentetik reçineyle doldurulur. Böylece

zımparalama ve parlatma işlemleri sırasında gerçek gözenek yapısı korunmuş
olur.
 Eğer boşluklar arasında bağlantı yoksa, her bir zımparalama (veya parlatma)
aşamasından sonra boşlukların doldurulması tekrar edilmelidir.
30.05.2021
Boşlukların Doldurulması
20
 Toz metalürjisi
numuneleri
 Kok ve kömür
 Seramik
 Mineral
 Korozyon testi
Boşlukların doldurulması işleminin vakum altında
 Kırık yüzey etüdü yapılması daha kolaydır. Bu amaçla geliştirilen
cihazlar mevcuttur.
30.05.2021
ZIMPARALAMA
21
30.05.2021
Zımparalama
22
 Numune kesme işlemi sırasında numunenin yüzeyi bir miktar deforme olur.
 Zımparalama ve takiben yapılan parlatma işlemlerinin amacı bu deforme

olmuş tabakayı ortadan kaldırmak ve orijinal içyapıyı ortaya çıkarmaktır.
Bu iş başlıca dört kademede yapılır:

1) Kaba zımparalama kademesi
2) İnce zımparalama kademesi
3) Kaba parlatma kademesi
4) İnce parlatma kademesi
30.05.2021
Zımparalama
23
(a) Kalıba alınmış ve henüz zımparalanmamış numune.
(b)Kalıba alınmış numune ok işareti ile gösterilen doğrultuda zımparalanıyor.
(c)Numune 90 derece çevriliyor ve bir küçük boyuttaki zımpara ile zımparalanıyor.
(d)Aynı boyuttaki zımpara ile isleme devam ediliyor ve bir önceki basamakta (b)
olusan cizikler tamamen yok ediliyor.
(e) Numune bir kez daha 90 derece çevriliyor ve bir sonraki boyuttaki zımpara ile
zımparalanarak bir önceki basamakta oluşan çizikler yok ediliyor.
30.05.2021
Zımparalama
24
 Aşındırıcı olarak SiC, Al2O3,B4N,B4C… kullanılır.
 Bu aşındırıcılar zımpara kağıdına bir bağlayıcı

kullanarak yerleştirilir.
 Zımpara kağıtlarının numaralandırılması ve karşılık

gelen aşındırıcı tane boyutları yanda verilmiştir.
30.05.2021
Zımparalama
25
 Zımparalama işlemi otomatik

veya manuel (elle) yapılabilir.
 Her bir zımparalama basamağından

sonra numune yüzeyi su ile
temizlenmelidir.
 Numuneye dikey yönde fazla bir

kuvvet uygulanmamalıdır!!!
30.05.2021
Ultrasonik Temizleme
26
Zımparalama işleminden
sonra numunenin ultrasonik
temizleme cihazıyla
temizlenmelidir.
Ultrasonik temizleyicinin
içinde genellikle saf su kullanılır.
Yaklaşık 4-5 dakikalık

temizleme yeterlidir.
30.05.2021
PARLATMA
27
DAĞLAMA
30.05.2021
Parlatma
28
 Zımparalamada olduğu gibi, parlatma işlemi de bir önceki

basamakta meydana gelen hasarları ortadan kaldırmalıdır.
 Parlatma işlemine başlamadan önce zımparalanan numune

mutlaka ultrasonik temizleyicide temizlenmelidir.
 Parlatma işlemi zımparalamada olduğu gibi, ardı ardına

küçülen aşındırıcı maddelerle yapılır.
BAŞARI
Uygun Yöntem
Uygun Aşındırıcı
30.05.2021
Parlatma
29
Kaba ve Nihai Parlatmada Kullanılan Aşındırıcılar
 Al2O3
 Cr2O3
Toz/ Damıtık su süspansiyonu
 MgO
 Fe2O3
 Elmas tozu Macun/ Sprey
 Numune sudan etkileniyorsa etilen, glikol, alkol, kerosen,

gliserin kullanılmalı.
 MgO, Mg, Al ve alaşımları nihai parlatma aşamasında.
 MgO içinde suda çözünen diğer alkaliler bulunmamalı.
Bulunursa lekeye ve kimyasal reaksiyona sebep olur.
30.05.2021
Parlatma
30
Elmasla Parlatma
 Çok sert/ sert&yumuşak faz
beraber bulunan numuneler
(kalıntı fazı)
 Parlatma süresi kısa

(deformasyon tabakası min)
 Seramik malzemeler
 Toz boyutları 15-0.25 mikron
 Macun/Sprey/Şırınga (parlatma çarkı)
 Düşük viskoziteli metalografi yağları (CCl4)

30.05.2021
Parlatma
31
Otomatik Parlatma
 Kısa zamanda, çok sayıda numune
 Radyoaktif numuneler
 Kimyasal parlatma
 Hiçbiri ideal değil
(çeşit, karakteristik, iş hacmi)
Vibrasyonlu parlatma
 Aynı cins numuneler
 Aynı anda parlatma
 Yüzey deformasyonu olmaz
 Kalıntı ve gevrek fazların dökülme
ihtimali düşük
30.05.2021
Parlatma
32
Tahribatsız Parlatma
Replika
30.05.2021
Parlatma
33
Elektrolitik Parlatma
 Mekanik parlatmanın zorlukları
 Kaba ve ince parlatma kademeleri yok
 Zaman/Maliyet tasarrufu
 Yüzey distorsiyonu yok (parlatma ve
dağlama tekrarı yok)
 Yumuşak malzemeler, tek fazlı alaşımlar,
paslanmaz çelikler, kolay işlem sertleşmesi
gösteren malzemeler
 Metalik olmayan kalıntılar elektrolit ile kimyasal reaksiyona
uğrayabilir. (saf Al, Al alaşımları, çelikler)
 Metaller arası bileşenlerde (çelik-sementit) parlatmadan sonra farklı
yapıdaki bileşenlerin farklı çözünme hızları sebebiyle kabartma bir
görünüş meydana gelebilir ve mikroskobik etüdler için sakıncalı bir
durum oluşturur.
30.05.2021
Parlatma
34
Kimyasal Parlatma
 Numune uygun bir çözeltiye daldırılır (sabit sıcaklıkta sürekli

karıştırılır)
 Büyük numuneler (Çekme numuneleri- deformasyonda yüzey

değişiklikleri)
 Büyük numunelerde mekanik yöntem uzun zaman gerektirir ve başarı

dersecesi çok düşüktür
 Büyük numuneler için elektrolitik parlatmada parlatma koşullarını sabit

tutmak zor
30.05.2021
Parlatma
35
Kimyasal Parlatmayı Etkileyen Faktörler
 Numunenin cinsi
 Çözeltiler taze
 Banyo bileşimi olmalı!!!
 Banyo sıcaklığı
 Saf ve tek fazlı
 Numune boyutunun çözelti miktarına oranı malzemelerde
en iyi sonuç!!!
 Ön parlatma işlemi
 Parlatma süresi
30.05.2021
Parlatma
36
30.05.2021
DAĞLAMA
37
 Parlatma sonrası sadece metalik olmayan kalıntılar, porozite, çatlak,
yüzeydeki diğer benzer kusurlar görülebilir.
 Dağlanmadan önce polorize ışık ( bazı demir dışı alaşımlar)
 Yapıda kontrast oluşturmak gerekir (Dağlama)

Malzemede gerçek iç yapı özelliklerini ortaya çıkarmak için
metalografide çoğu kez, parlatılmış numune yüzeyine uygun bir
reaktif tatbik edilir. Bu işleme DAĞLAMA (Kimyasal Dağlama)
denir.
 Parlatma sonrası görülemeyen mikroyapı karakteristikleri açığa çıkar.
 Faz cinsi tayini, dislokasyon yerlerinin belirlenmesi

30.05.2021
Dağlama
38
Dağlama Reaktifleri
 Su
 Organik&İnorganik  Alkol
asitler  Gliserin
 Alkaliler  Glikol
 Kompleks bileşikler
Aktiviteleri ve Genel Davranışları
 H iyonu konsantrasyonu
 OH iyonu konsantrasyonu
 Reaktifin bir yada daha fazla yapı bileşenlerini karartma yeteneği
30.05.2021
Dağlama
39
30.05.2021
Kimyasal Dağlama Mekanizması
40
Mikroyapı ayrıntıları yüzeyden içeri doğru ortaya çıkar (selektif

olarak)
 Çok fazlı alaşımlar
 Tek fazlı alaşımlar/ saf metaller (farklı yönde yönlenmiş taneler)
a) Çok Fazlı Alaşımlarda:
 Elektrokimyasal nitelikte
 Numune-Reaktif teması (fazlar arası potansiyel farkı)
 Daha yüksek potansiyelli faz anodik veya elektropozitifdir (çözünür)
 Diğer faz değişmez (katodik/ elektronegatif)
 Potansiyel farkı, elektropozitif fazın uygun hız ve oranda çözünmesi
için yeterli büyüklükte olmalıdır. (Aşırı dağlama kontrolü)
 Tek fazlı yapılar/ saf metaller zor dağlanır (Potansiyel farkı yok)
30.05.2021
41
a) Çok Fazlı Alaşımlarda:
 Anodik faz- Karanlık

Katodik faz- Parlak
Elektronegatif Faz Elektropozitif Faz

(Aşırı Dağlama)
 Aşırı dağlamaya maruz kalırsa tekrar ince parlatma ve dağlama

yapılır.
30.05.2021
42
b) Tek Fazlı Alaşımlarda ve Saf Metallerde:
 Elektropozitif olay
 Ana metal- Çözünmeyen kalıntılar/ Tane sınırları- Taneler

Poatansiyel farkı belirsiz (çok küçük)
 Dağlama, reaktif tarafından metalin kimyasal olarak çözünmesidir.
 Her tane, yönlenmesiyle ilişkili bir hızda çözünür.
 Yapı tek fazlı olmasına rağmen, mikroskopta aynı yöndeki taneler, aynı
parlaklıkta, farklı yöndeki taneler de farklı koyulukta görülür. Bu olaya,
yönlenmiş tane parlaklığı adı verilir.
30.05.2021
43
b) Tek Fazlı Alaşımlarda ve Saf

Metallerde:
 Tane sınırları atomik seviyede kusurlu

bölgeler olduğundan, tanenin iç
kısmına kıyasla daha yüksek enerjiye
sahiptir ve bu nedenle öncelikle
çözünerek vadiler oluşturur.
 Bu vadilerdeki ışınların dağılması

sonucu tane sınırları optik
mikroskopta ince ve karanlık hatlar
halinde görülür.
30.05.2021
Dağlama Yöntemleri
44
 Daldırma Numune yüzeyi temiz

 Alternatif Daldırma ve lekesiz olmalı
 Damlatma (Çok pahalı reaktiflerde) (üniform tesir)
 Yıkama (Büyük numunelerde)
 Silme Dağlama süresi bir kaç
 Temperleme saniyeden yarım saate
 Sıcak Dağlama kadar sürebilir.
 Termal dağlama
 Tesbit Dağlaması (Belirli fazların tayini için özel reaktif)
 Elektrolitik dağlama- Dislokasyonlar (Vp/10, bir kaç sn)
 Renklendirme Dağlaması (Tint Eching)
(40-5000nm oksit, sülfür, kompleks molibdat, elemental Se,
kromat film)
30.05.2021
Dağlanmış Numune Örnekleri
45
Döküm bloğunda primer yapı. Bir vida ve somun kesitinde

Oberhoffer ayracı ile dendritler koyu, deformasyon çizgileri, Oberhoffer
açık renkli bölgeler artık sıvı. ayracı.
30.05.2021
Dağlanmış Numune Örnekleri
46
V (merkezde, açık renkli) ve Haddeleme sırasında katlama

A (dış bölgede) segregasyonları, bölgesi, Oberhoffer ayracı.
Oberhoffer ayracı Deformasyon sonucu lifleşme ve
kristal segregasyonları. Malzemenin
plastik deformasyon ile şekil
değiştirmesi makro dağlama ile
görülmektedir 30.05.2021
MİKROSKOPİ
&
SPEKTROSKOPİ
47
Mikroskopların Tarihsel Gelişimi
48
 1878 Abbe ışık şiddet sınırını buldu
 1923 de Broglie elektronların dalga davranışına sahip olduklarını

gösterdi.
 1926 Busch elektronların magnetik alanda saptığını gösterdi.
 1932 Von Borries and Ruska TEM i icat etti.
 1935 Max Knoll ilk SEM i üretti.
 1938 Siemens ilk ticari TEM i üretti
 1965 ilk ticari SEM üretildi.

Mikroskopi ve Spektroskopi Kullanım Alanları
49
 Optical microscopy (OM)
 Scanning electron microscopy (SEM) and

energy dispersive spectroscopy (EDS) or
wavelength dispersive spectroscopy (WDS)
Elemental Dağılım  Electron probe microanalysis (EPMA)
Kimya  Transmission electron microscopy (TEM)
 Analytical electron microscopy (AEM)
 Scanning TEM (STEM) with EDS and electron

energy loss spectroscopy (EELS)
 X-ray absorption spectroscopy (XAS)

50
 Inductively coupled plasma emission

spectroscopy (ICP)
 Wet chemical analysis Atomic

absorption (AA)
Kütle bileşimi
 X-ray diffraction (XRD)
 X-ray fluorescence (XRF)
 Neutron activation analysis (NAA)

51
 X-ray photoelectron spectroscopy

(XPS,ESCA)
 Auger electron spectroscopy (AES)
 Secondary ion mass spectroscopy (SIMS)

Yüzey/Arayüzey
Kimyası  Ion scattering spectroscopy (ISS)
 Ultraviolet phoroelectron spectroscopy(UPS)
 Infrared spectroscopy (IR)
 Raman spectroscopy
52
 Thermomechanical analysis (TMA)
 Dilatometry
Kurutma ve  Thermogravimetric analysis (TGA)

termokimyasal olaylar
(decomposition and  Differential thermal analysis (DTA)
dehydration)
 Differential scanning calorimetry (DSC)
 Gas chromatography/mass spectroscopy

(GC/MS)
53
 BET gas adsorption
 Permeametry
Yüzey alanı/Gözeneklilik
 Small angle neutron scattering (SANS)
 Small angle X-ray scattering (SAXS)

54
 Mercury porosimetry
 Optical microscopy
 Scanning electron microscopy (SEM)
Yoğunluk Homojenliği  X-ray radiography
 Ultrasound
 Magnetic resonance imaging (MRI)
 Die penetration
55
 Optical microscopy (OM) and quantitative

stereology
 Scanning electron microscopy (SEM) and

Tane boyutu, quantitative stereology
dağılımı, morfolojisi,
yapısı  Transmission electron microscopy (TEM)
 Scanning transmission electron

microscopy (STEM)

56
 Electron diffraction (ED)
 Fourier transform infrared specrroscopy

(FTIR)
Phase identification
/Molecular structure
 Raman spectroscopy
 Extended X-ray analysis fine structure

(EXAFS)
 Neutron diffraction
Enstrümantal Analiz Süreci
57
Elektrik veya
Metre
Mekanik sinyal
Analitik
Dedektöre Çıkış
Sinyal
Sinyal giriş Sinyal sinyali Kaydedici
Üreteci işlemcisi
Numune
 Işık
 Isı
 Elk Akımı 12.301
 Voltaj
Dijital ölçek
Bilgisayar
Spektroskopi
58
Işın-madde etkileşmesini inceleyen bilim dalına

spektroskopi denir.
Bir örnekteki atom, molekül veya iyonların bir enerji

düzeyinden diğerine geçişleri sırasında absorplanan veya yayılan
elektromanyetik ışımanın ölçülmesi ve değerlendirilmesi şeklinde
de sınıflandırılmaktadır.
En geniş tanımıyla spektroskopi, yüklü ve yüksüz

taneciklerle maddenin etkileşmesi sonucu meydana gelen olayların
incelenmesine denir.
Işık Madde Etkileşimi
59
 Elektromanyetik ışıma, uzayda çok

büyük bir hızla hareket eden enerji
türüdür.
 Türleri arasında; görünür ışık, ısı

şeklinde algılanan infrared (kırmızı
ötesi) ışınları, X-ışınları ve radyo
dalgaları sayılabilir.
Işığın tanımlanması,
1) Dalga özellikleri
2) Tanecik özellikleri
Dalganın ilerleme yönüne dik olarak çizilen elektriksel alan vektörlerinden

ayrı, bu vektörlere dik yönde oluşan manyetik alan vektörleri de vardır.
60
Işığın Dalga Modeli

61
Absorpsiyon ve emisyon (yayılma) olaylarını açıklamak için,
ışığın dalga özelliği yetersiz kalır ve tanecik özelliği tanımlanmıştır. Buna
göre elektromanyetik ışıma enerji taşıyan ve foton denilen taneciklerden
oluşmuştur.
Işığın dalga özelliği ışımanın interferans (girişim) ve difraksiyon

(kırınım) gibi davranışlarını açıklayabilmektedir.
 Işımanın herhangi bir ortamdaki yayılma hızı, ortamın kırılma indisine

bağlı olup;
V=C/n ile verilir.
 C ışığın vakumdaki yayılma hızı olup 2,997x 108 m/s

n, ortamın kırılma indisi
Elektromanyetik Spektrum
62
Dünyanın
atmosferinden
geçebiliyor mu?
Y= Evet, N= Hayır
Radyasyon çeşidi:
Dalga boyu (m)
Dalga boyunun
yaklaşık ölçüsü
Frekans (Hz)
Çeşitli
sıcaklıktaki
nesnelerden en
yoğun yayılan
radyasyonun
dalga boyu
Işığın Girişimi
63
 İki ışık dalgası aşağıdaki  Aralarındaki faz farkı 90 derece

gibi üst üste bindirildiğinde olan 2 dalga etkileştiğinde, oluşan
yeni bir dalga oluşur ve bu yeni dalganın genliği, iki dalga
yeni dalganın genliği, genliklerinin toplamına eşittir. Buna
girişim yapan dalgalar yapıcı (kuvvetlendirici) girişim
arasındaki faz farkına bağlı denir.
olarak artar veya azalır.
 Faz farkı 180 derece olan 2 dalga
etkileştiğinde a ve frekans=υ aynı
ise birbirlerini yok ederler. Buna
bozucu (yokedici) girişim denir.
64
OPTİK
MİKROSKOP
Metalürji Mikroskobu
65
 Faz özellikleri  Porozite
 Faz dağılımları  Kalıntı
 Tane sınırları  Çatlaklıklar
 Kayma bantları
Optik Mikroskop
66
Objektifler
67
Objektif Çeşitleri Objektif Özellikleri
a) Akromatik a) Büyütme yeteneği
b) Apokromatik b) Nümerik açıklık
c) Yarı Apokromatik c) Ayırt etme gücü
d) Özel d) Derinliğine ayırt etme gücü

Objektif Özellikleri
68
Büyütme Yeteneği
 Ön büyütme (Oküler yardımına gerek yok-20X, 30X)

 Tüp içindeki birbirlerine olan mesafe
 Toplam büyütme her iki sistemin ön büyütmelerinin çarpımına
eşittir.
Nümerik Açıklık (N.A)

 Işık toplama yeteneği
 NA büyüdükçe ayırt etme yeteneği büyür
 Objektifin ön merceği ile numune yüzeyi arasındaki ortamın
kırılma indisi
69
Ayırt Etme Gücü
 Birbirine yakın detayları fark ettirebilme yeteneği
 NA ve ışığın dalga boyuna bağlı
AEG=2(NA)/ λ Ayırt Etme Sınırı=1/AEG= λ/2(NA)
Örn: NA=1, ön büyütme 100X, λ=0.00053mm (yeşil ışık)

AES= λ/2(NA)=0.00053/2x1=0.000265mm
0.000265mm ve bundan daha fazla aralıktaki çizgiler birbirinden

ayrı ve net görüntü vereceklerdir.
 İnsan gözü 250mm mesafedeki numunede yaklaşık 0.11mm aralıklı
çizgileri ve diğer ayrıntıları fark edebilir.
Toplam min büyütme (k) 0.000265x(k)=0.11

k= 0.11/0.000265=415 (100X-5X)
70
Objektifin Ayırt Etme Gücü Nasıl Artırılır?
 Önemli olan toplam büyütme değil ayırt etme gücü
 Optik sistemin geometrisi sabit, kırılma indisi ve ışığın dalga

boyu değişken
 Yeşil ışık (500nm), yağ kırılma indisi (n=1.3)
 AEG teorikte 0.2mikron, pratikte 1 mikron
 Üstün ayırt etme gücü elektron mikroskoplarında çok küçük

dalga boyuna sahip elektron ışınlarıyla mümkündür.
(λ=0.37nm, 100kV)
71
Yağlı Objektif Kullanımı
 Objektif veya numunenin üzerine bir damla yağ damlatılır.

 Kaba düşey hareket vidası sonuna kadar indirilir. (Objektifle
numune arasında mesafe var)
 Bu mesafe sadece ince düşey hareket vidası (netleştirme vidası)
ile kapatılır.
 İnce düşüey hareket vidasının hareket yönü görüntü sahasının
daha çok aydınlanmasını sağlayacak yönde olmalıdır. (Görüntü
sahası aydınlanacak ve görüntü teşekkül edecektir.)
 Sadece yağın temas ettiği yer görülür.
 Numune tablası hareket ettirilmemelidir.
 Diğer bir bölgeye bakılacaksa objektifteki yağ temizlenir
yeniden yağ damlatılır.
Mikroskopta İnceleme Yöntemleri
72
Dağlamanın yetrsiz olduğu durumlarda;

 Karanlık saha (Dark Field)
 Polarize ışık (Renkli metalografi)
 Faz-Kontrast
 Interference (Renkli metalografi)
 Renk ayırımı (Renkli metalografi)
Karanlık saha (Dark Field)

Aydınlık saha (Bright Field)
 Aydınlık bölgeler karanlık, karanlık bölgeler aydınlık görülür.
 Bu yöntem korozyon oyukları ve çatlaklardaki kontrastı artırır.
 Işık objektiften geçmez; bunun yerine çukur yansıtıcı ile
numunenin üzerine doğrudan doğruya düşürülür.
Işık Miktarı
73
Odaklama
74
Çözünürlük
75
Kontrast
76
77
OPTİK MİKROSKOPTA
YAPI ANALİZİ
78
(a) (b)
Ferritik bir çeliğin farklı kontrastlarda Işık mikroskobu görüntüleri

(a) Aydınlık alan, (b) Netlik derinliği (Aydınlık alan)
79
(b) (c) (d)
Ferritik bir çeliğin farklı kontrastlarda Işık mikroskobu görüntüleri

(b) Aydınlık alan (c) Karanlık alan, (d) Faz kontrastı
Mikroskop Kullanımında Dikkat Edilecek Noktalar
80
 Sıkıca tutularak daima iki elle taşınmalıdır.
 Konulduğu masanın sağlam, sallantısız, oturulacak taburenin yada
sandalyenin mikroskoba rahat ve yorulmadan bakmayı sağlayabilecek
biçimde yüksekliği ayarlanabilen nitelikte olması gerekir.
 Mikroskop masanın kenarına fazla yakın konmamalı ve masanın
üzerindeki gereksiz şeyler önceden kaldırılmalıdır.
 Mikroskobun kablolarının altta kalıp ezilmemesine dikkat edilmelidir.
 Mikroskop kullanılmadığı durumlarda özel kılıfı veya kutusu içinde
muhafaza edilmelidir.
 Mikroskop yumuşak dokulu, kalıntı bırakmayan, temiz bir bezle her
kullanımdan sonra temizlenmelidir.
 Çalışma bitiminde mikroskop küçük objektife ayarlı şekilde
bırakılmalıdır.
 Objektif ve okülerler gereksiz yere kesinlikle yerlerinden
çıkarılmamalıdır.
 Mikroskopların merceklerine elle dokunulmamalıdır.
Mikroskobun Temizliği ve Bakımı
81
 Başta objektifi olmak üzere mikroskobun herhangi bir yerinde

immersiyon yağ bulaşığı bırakılmamalıdır.
 İmmersiyon yağı kalıntılarını temizlemek için çok az miktarda temizleme

solüsyonu ile nemlendirilmiş yumuşak dokulu, kalıntı bırakmayan, temiz
bir bez (tülbent, mercek temizleme bezi veya kâğıdı) kullanılır.
 Temizleme solüsyonu olarak 7 kısım eter, 3 kısım ethanol karışımı

kullanılır. Bu karışım yoksa ksilol kullanılabilir.
 Optik kısım alkol, pamuk, sert dokulu bezlerle silinmemelidir.
 Objektif ksilol ile fazla ıslatılmamalı ve mikroskobun zarar görmemesi

açısından bu temizleme yoluna fazla başvurulmamalıdır.
82
TARAMALI ELEKTRON
MİKROSKOBU
83
SCANNING
ELECTRON MICROSCOPE
(SEM)
Giriş
84
Taramalı elektron miksopkobisi, bir elektron demetinin

ilgilenilen numune boyunca taranması ve bu
numuneden saçılan elektronların algılanıp görüntü
haline getirilmesi şeklinde uygulanan topografik bir
inceleme yöntemidir.
Elektron demetine nm boyutunda odaklanmak mümkün

olduğundan, bu yöntemin sağladığı çözünürlük ve detay
çok yüksektir.
Giriş
85
 Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) yüksek çözünürlüklü resim

oluşturmak için vakum ortamında oluşturulan ve aynı ortamda
elektromanyetik lenslerle inceltilen elektron demeti ile
incelenecek malzemeyi analiz etme imkanı sunar.
 Mikroskopta oluşturulan resimler, elektron demetinin malzeme ile

olan etkileşiminden ortaya çıkan ışımalar veya geri yansıyan
elektronlar sayılarak oluşturulur.
 İkincil Elektron Yansımalı(secondary electron image)

 Geri Yansımaya Uğramış Elektronlar(backscattered electrons)
 Karakteristik x ışınları
 Auger elektronları, vs.
SEM (1940)
86
SEM (2016)
87
Avantajlar-Dezavantajlar
88
 Avantajları;
 Çözme Gücü
 Çözme Derinliği
 Büyütme
Büyütme Çözme derinliği Çözünürlük

OM 4x – 1000x 15.5 μ m – 0.4 μ m ~ 0.2 μ m
SEM 10x – 300000x 4 μ m – 0.19 μ m 1-10nm
 Dezavantajları;
 Vakum
 İletken numune
 Fiyatı ve sarf malzeme masrafları
Büyütme Oranı
89
Optik Mikroskop vs SEM
90
25mm
radiolarian
OM SEM
Küçük çözme derinliği Büyük çözme derinliği
Düşük çözünürlük Yüksek çözünürlük
Kullanım Yerleri
91
Topografi
Morfoloji
Şekil, boyut, vs.
Bileşim
Kristalografi
Mikro yapı araştırmaları
Katı hal fiziği
Kimya
Jeoloji
Biyoloji
Hata Analizleri
92
OM SEM
SEM’de Bazı Cisimlerin Görüntüsü….
AFM Cantilever Tip Karınca kafası Kan hücresi
Elmas İnce Film Karbon çeliğin mikro yapısı Kalsiyum fosfat kristali
(Numerous Multifaceted Micro- (% 0.44 karbon)
crystals) 93
Sem Donanımı
94
Elektronik Konsol
 Focus (Odak ayarı)
 Magnification (Büyütme)
 Brightness (Parlaklık)
 Contrast (Renk ton farkı

ayarı)
SEM Donanımı
 Elektron tabancası
 Saptırma bobinleri
 EM Lensler
 Aperture
 Numune tutucu
 Dedektörler
95
Vakum Sistemi
96
Mekanik Pompa (Fore-Rotary)

 100-1000 lt/dk
 102 – 10−3 Pa
Turbo Moleküler Pompa (Difuzyon Pompası)

 100-1000 lt/dk
 10−2 – 10−8 Pa
Vakum Sistemi
97
 SEM’de vakum sistemi oldukça
önemlidir, basınç elektron tabancasının
çalışmasını engellemeyecek kadar
düşük olmalıdır.
 Elektron yayan yüzeylerin koroze

olmasını engellemek için düşük olması
istenir.
 Tungsten filamant için 10-5 torr olması

ve LaB6 filamant içinse 10-5 ile 10-6
torr arası ve FEG filament için 10-9
torrdur.
Lensler
98
 Lensler net ve detaylı

görüntüler elde etmede
kullanılır.
 Condenser (toplayıcı) lens  elektron demetinin çapını düşürür

 Objective lens  Elektron demetini odaklar
Elektron Tabancaları
99
Elektron tabancaları numune üzerine yoğunlaştıracak kadar
elektron üreten kaynaklardır.
3 tür elektron tabancası mevcuttur:
1) Hairpin Tungsten
2) Lanthanum hexaboride (LaB6)
3) Field emission electron tabancaları (FEG)
100
 Filament, elektrik akımı verilerek ısıtılır. Bu sayede yeterli enerjiye sahip

elektronlar filamentin ucunda birikerek bir elektron bulutu oluştururlar.
 Eğer filamente verilen akım kaldırılısa bu elektronlar filament tarafından

tekrar absorbe edilirler.
 Eğer filamentin yanına bir pozitif yüklü bir plaka (Anot) yerleştirilirse,
elektronlar bu anotun çekim etkisi altında kalırlar. Bu durumda da
elektronlar anot tarafından absorbe edilirler.
 Eğer anotla elektron bulutu arasına negatif yüklü bir plaka (katod)
yerleştirilirse anoda doğru yönlenen elektronlardan dikey doğrultuda bir
ışınım elde edilir.
101
Tungsten Tabanca
102
 Bu kaynakta yayınım yüzeyinin çok küçük olması için 120 um
tungsten tel ince uç biçimi verecek şekilde bükülmüştür. İçinden
geçen akımla filament ısınır.
 2700 C ye kadar ısınır.
 50-150 saat ömrü vardır.
 Ucuzdur.
 10−3 Pa çalışma vakumuna ihtiyaç duyar

Lanthanum Hexaboride (LaB6) Tabanca
103
 LaB6 elektron tabancası kristal haldeki LaB6 nın Tungsten veya

Rhenium üzerine oturtulması ile oluşturulmuştur. Voltaj
uygulandığında kristal ısınır ve elektron yaymaya başlar.
 Düşük sıcaklıklarda çalışır.
 Yüksek akımları kaldıracak kadar

dayanıklıdır.
FEG Tabanca
104
 Yüksek vakumda ve yüksek manyetik alan etkisiyle elektronlar

telden çekilir. Bu tabancada ısıtma yoktur.
 Ömrü Tungsten filamantınkinden 1000 kat daha fazladır.
 FEG tabanca tungsten-zirconium

uca sahiptir
 En iyi çözme gücüne ve performansa

sahiptir.
Dedektörler
105
Backscattered electron
detector:
(Solid-State Detector)
Secondary electron detector:

(Everhart-Thornley)
 Secondary electrons: Everhart-Thornley Detector

 Backscattered electrons: Solid State Detector
 X-rays: Energy dispersive spectrometer (EDS)
Dedektörler
106
EDS
SEM’in Çalışma Prensibi
107
 Görüntü oluşturmak için elektron kullanır.
Metalik filamentin ısıtılmasıyla mikroskobun
tepesinde bir elektron demeti üretilir.
 Elektron demeti mikroskop kolonu boyunca
düşey bir yolu takip eder. Elektron demeti
elektromanyetik lenslerden geçerek numune
üzerinde odaklanır.
 Elektron demeti numuneye çarpar çarpmaz
diğer elektronlar (backscattered ve/veya
ikincil) numuden dışarı saçılır.
 Dedektörler saçılan bu elektronları toplar,
sinyale dönüştürür ve ekranda görüntü
oluşturulur
Demet Numune Etkileşimi ve Sonuçları
108
 Yüksek enerjili demet
elektronları, numune
atomlarının dış yörünge
elektronları ile elastik
olmayan girişimi sonucunda
düşük enerjili Auger
elektronları oluşur.
 Bu elektronlar numune yüzeyi

hakkında bilgi taşır ve Auger
Spektroskopisinin çalışma
prensibini olusturur. Su Damlası Görünümü
Yüksek voltaj altında ivmelendirilen
elektron demeti ile numune arasındaki
etkileşim
109
 Yine yörünge elektronları ile olan girişimler sonucunda

yörüngelerinden atılan veya enerjisi azalan demet elektronları
numune yüzeyine doğru hareket ederek yüzeyde toplanırlar. Bu
elektronlar ikincil elektron (seconder electrons) olarak tanımlanır.
 İkincil elektronlar numune odasında bulunan sintilatörde

toplanarak ikincil elektron görüntüsü sinyaline çevrilir.
 İkincil elektronlar numune yüzeyinin 10 nm veya daha düşük

derinlikten geldiği için numunenin yüksek çözünürlüğe sahip
topografik görüntüsünün elde edilmesinde kullanılır.
110
111
 Numune üzerine odaklanan elektron demeti, numune atomları ile
ayrıca elastik girişimlerde de bulunabilir. Bu girişimlerde demet
elektronları, numune atomlarının çekirdeğinin çekim kuvveti ile
saptırılarak numune yüzeyinden geri saçılmaktadır.Bu elektronlar geri
saçılmış (back scattered) elektronlar olarak tanımlanır ve objektif
merceğin altında yer alan özel üç adet silikon dedektörde toplanarak
görüntü oluşumunda kullanılır. Böyle bir görüntü geri saçılmış (back
scattered) elektron görüntüsü Demet Numune Etkileşimi ve Sonuçları
olarak tanımlanır.
 Geri saçılmış elektron miktarı, numunenin atom numarasıyla

orantılıdır. Bu nedenle geri saçılmış elektron görüntüsü özellikle çok
fazlı sistemlerde atom numarası farkına dayanan kontrast içerir.
112
 Geri saçılmış elektron dedektöründe sinyaller toplandığında (A+B)

atom numarası kontrastına bağlı kompozisyon görüntüsü elde edilir.
 Eger sinyal farkı alınarak görüntü elde edilirse (A-B), topografik

bileşim görüntüsü oluşur.
 Ayrıca üçüncü algılayıcı (C), bir açı altında tutulup sinyaller

toplandığında (A+B+C) gölge görüntüsü (shadow) de elde edilir.
 Geri saçılmış elektronlar, ikincil elektronlara göre numune yüzeyinin

daha derin bölgesinden geldiği için görüntünün ayırım gücü düşük
olmaktadır. Bu nedenle geri saçılmış elektron görüntüleri en fazla x2000
büyütmeye kadar olan incelemelerde kullanılmaktadır.
PbO sıvı fazında sinterlenmiş ZnO kristalleri
113
114
 Numune atomları ile elektron
demeti arasında elastik olmayan
girişimler sonucu numunede
karakteristik X-ışınları ve
sürekli ışımalar da meydana
gelmektedir.
 Karakteristik ışımalar, dalga

boyu veya enerji dağılımlı X-
ışını, analitik sistemlerde
değerlendirildiğinde, numunenin
kimyasal bileşimi hakkında bilgi
vermektedir.
Elektron-örnek etkileşimi
115
Gerisaçılan Elektronlar
116
 Gerisaçılan elektronlar, gelen

elektronlar ile incelenen örnekteki
atomların çekirdekleri arasındaki
elastik çarpışmalardan dolayı oluşur.
 Örnekteki atomların atom numarası ne

kadar büyük olursa o kadar çok sayıda
geri saçılan elektron elde edilir.
 Elastik çarpışmada gelen elektronların

enerji kaybı çok küçüktür. (<1eV)
Gerisaçılan Elektronlar
117
 Gerisaçılan elektronlar ile elde edilen

görüntüler, incelenen numunedeki
atomların atom numaraları hakkında bilgi
verir.
 Atomik numarası küçük olan elementler

daha az sayıda elastik elektron yansıtır
(düşük parlaklık) ve atom numarası
büyüdükçe elastik bir şekilde yansıtılan
elektronların sayısı artar (yüksek
parlaklık).
 Atom numarasına bağlı olarak ortaya çıkan bu durum SEM
fotoğrafında bir kontrast meydana getirir.
İkincil Elektronlar
118
 Bu elektronlar gelen elektronlar
ile iletkenlik bandındaki zayıf
bağlı elektronlar veya valans
elektronları arasındaki elastik
olmayan (enerji transferine yol
açan) çarpısmadan dolayı
meydana gelir.
 Transfer edilen enerji

elektronların bağlanma
enerjilerini yenmeye yeterli
büyüklüktedir. Böylece incelenen
numuneden elektron koparılmış
olur. Bu elektronlar ikincil
elektronlar olarak isimlendirilir.
İkincil Elektronlar
119
 İkincil elektronlar düşük enerjili
elektronlardır.
 Dedektöre 100-300V arasında bir pozitif

voltaj uygulanması ile kolaylıkla
toplanabilirler.
 Bu yolla ikincil elektronların %50-100

arasındaki kısmı toplanabilir. Böylece
incelenen bölgenin 3 boyutlu görüntüsü
elde edilmiş olur.
 Çukurda kalan bölgelerden kaynaklanan ikincil elektronların sayısı,
tümseklerden kaynaklanan elektronların sayısından farklıdır. Bundan
dolayı fotoğrafta değişik bölgeler icin kontrast görülür.
Görüntüleme Modları
120
Numune Hazırlama
121
Numune hazırlama esnasında hesaba katılabilecek faktörler
aşağıda verilmistir:
1. Numunenin büyüklüğü (gerekirse), numuneyi koyacak veya tutacak yere

(holders and stages) uyması için küçültülmelidir.
2. Madde SEM içindeki yüksek vakuma karşı koyabilmelidir. Maddenin

şekli değişmemeli ve fazla gaz çıkarmamalıdır. Burada soğuk stage
yardımcı olabilir.
3. Numune temiz, tozsuz, lekesiz ve yağsız olmalıdır. (Bunların oluşu yük

birikimi ve kirlenme etkilerine yol açabilir.)
Numune Hazırlama
122
4. Hazırlama işlemlerinden dolayı yüzey yapısının herhangi bir zarar

görmesi bazı yüzeysel ayrıntılara yol açacaktır ve bunlar resimleri
kaydetme aşamasındaki büyüklükte anlaşılmaya çalısılmalıdır.
5. Ortaya çıkan sonucun hazırlama işleminden dolayı olduğundan

şüpheleniliyorsa kontrol numunesi kullanılmalıdır.
6. Numunenin yüzeyi ile numunenin stub'ı arasında iyi bir elektrik teması
olmalıdır. Mesela numuneye gümüş-dağ gibi iletken boyalar sürülür ve
gerekirse numune yeteri kadar kaplanır.
Numune Hazırlama
123
7. Numune stub'ı mümkün olduğunca az backscattered ve secondary
elektronlara yol açmalıdır. Genellikle alüminyum stub'lar kullanılır, X
ışını mikroanaliz uygulamalarında karbon stub'lar kullanılabilir.
8. Küçük parçacıklar en az background sinyal vermesi için mass foil'e

çok iyi monte edilir. Mesela alüminyum halkası üzerinde uzanan
naylon film gibi.
9. Numune, numune tutucusuna (stub) iliştirilmeli; böylelikle elektron

ısınına maruz bırakıldığında hareket etmez.
10. Mevcut aşama hareketlerini (yan yatırmak, döndürmek, X, Y, Z)

kullanılarak bütün yüzeyin çalışılabilmesi için numune, numune
tutucuya (stub) iliştirilmelidir.
Numune Hazırlama
124
SEM içinde incelenen numuneler iletken olanlar ve olmayanlar

şeklinde iki kategoriye ayrılabilir.
İletkenler
Metaller, genellikle mükemmel iletkenlikleri vardır ve hazırlığa
ihtiyaç yoktur. 10-10 ohm'dan daha az bir rezistans ile yarı-iletken
numuneler hazırlıksız incelenebilir.
İletken Olmayanlar
Bu grup elektriksel iletkenliği olmayan tüm numuneleri içine alır.
Mesela fiberler, plastikler polimerler, 10-10 ohm'dan daha büyük bir
rezistans ile yarı-iletken gibi. Bunlar uçucu ihtiva etmezler. Biyolojik ve
botanik numuneler genellikle uçucu ihtiva ederler.
Numune Hazırlama
125
Sputter Coating
(Saçılma Yoluyla Kaplama);
 Metalik olmayan numuneyi iletken yapmak
 Metali katoddan koparmak için Ar ve elektrik

alan kullanılır.
 Metal, numunenin üzerine düşürülerek

malzeme kaplanır.
 Karbon- Elemental analiz
Metal- Yüksek çözünürlüklü görüntüleme
işlemleri
Numune Hazırlama
126
Organik Malzemelerde;
Sabitleme  Yapıyı korumak
Kurutma  Nemi izole etmek
Kaplama  Numuneyi iletken yapmak
A spider coated with Au - thenallyblog.com
Metalik Numune;
Hazırlığa gerek yok
Metalik Olmayan Numune;

Kaplama yapılmalı
Numune Hazırlama
127
128
EDS
(ENERGY DİSPERSİVE SPEKTROMETRY)
ANALİZİ
Elektron-Numune Etkileşimi
129
Filamentten elde edilen elektronlar numune ile çarpışması

sonucu iki çeşit sinyal oluşur.
Elektron sinyalleri ve Foton sinyalleri
SEM + EDS
130
 Numunenin yüzeyine yüksek enerjili
elektronlar çarptığında bu çarpışmalardan
dolayı, numune yüzeyinde bazı elektronlar
kopar.
 Eğer bu elektronlar içteki (çekirdeğe yakın)

orbitallerden koparılmışlarsa atomlar
kararlıklarını kaybederler. Tekrar kararlı hale
gelebilmek için dış orbitalerdeki elektronlar
iç orbitaldeki boşlukları doldururlar.
 Dış orbitallerdeki elektronların enerjileri iç orbitallerdeki elektronların

enerjilerinden daha yüksek olduğu için, dış orbital elektronların iç
orbitalleri doldururken belli bir miktar enerji kaybetmek zorundadır.Bu
kaybedilen enerji x-ışını şeklide ortaya çıkar.
SEM + EDS
131
Ortaya çıkan X-ışınlarının enerjisi ve dalgaboyu sadece

atomla ilgili olmayıp o atomun alışverişte bulunduğu orbitalleri ile
ilgili karakteristik bir özelliktir.
SEM + EDS
132
Orbitaller arasındaki elektron geçişi ve oluşan

X-ışınlarının isimlendirlmesi.
SEM + EDS
133
 Örnekten çıkan x-ışınları yarıiletken dedektör tarafından

algılanır.
 İletkenlik bandına geçen elektronlar, elektrik sinyaline
dönüştürülür.
SEM + EDS
134
Numune içerisindeki elementlerin yüzdeleri,

elementlerin piklerinin altındaki alanlarla orantılıdır.
SEM + EDS
135

Mühendislik Malzemeleri Final Konuları

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Mühendislik Malzemeleri Final Konuları

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

KONYA ÜNİVERSİTESİ

Mühendislik ve Mimarlık Fakültesi

Dr.Öğr.Üyesi Muhammed Emre AYHAN

Malzeme Mühendisliği  Kristal

Elektrik-Elektronik Mühendisliği  Metaller (metals)

Belki de 40-50 yıl sonra elektronikte yarı iletkenler hiç

 Dış yörüngede 8 elektronu bulunan atomlar

 Doymuş yörüngenin elektronları çekirdeğe

 Metaller : Yüksek iletkenlik

 Elektronik malzemelerin iki veya daha fazla bağlantı noktası

 Bu bağlantı uçları genellikle baskı devre üzerine lehimlenerek

 Elektronik malzemeler pasif, aktif veya elektromekanik şeklinde

 Aktif elektronik malzemeler, en az iki veya daha fazla elementten

 Elektromekanik malzemeler ise hareket eden kısımları olan ve

5) Sinyal İşleme Sistemleri

Nicelik Birim adı (Sembol) Formül

•Birim : Coulomb (C) qe = -1.602x10-19 C

•Sembol : I q : Yüklü elektronlar(C)

 Bir iletken içerisinde belirli  Akım daima bir döngü içerisinde

w =energy (J), q = charge (C)

 Bu konuda, bir borudan akan suyun karşılaştığı zorluğu örnek olarak

 Bunlardan başka, direnç, iletkenin cinsine göre de değişir. Örneğin

 Burada öz direnç kavramı karşımıza çıkar. Özdirenç, 1 metre

 Özdirenç ρ sembolü ile gösterilir ve ro olarak okunur.

 Bütün bunlardan başka, ortamın sıcaklığı da iletkenin direncini

 Elektrik devrelerinde gerilimi düşürmek

 Akım sağlayıcı olarak

 Elektronik devrelerinde indirme ve kaldırma elemanı

 Karbon film (Seramik çekirdek üzerine karbon film

 Karbon bileşimleri (karbon tozu ve tutkal benzeri bağlayıcı)

 Metal oksitler (seramik çekirdekler metal oksitlerle kaplanır)

 İnce metal film

Band color Digit Multiplier

 İlk bant sarı olduğu için 1. basamak 4

 Dirençlerin üzerinde belirtilen omik değer, oda sıcaklığındaki (20 C) direnç

 Görüldüğü gibi sıcaklık arttıkça direncin omik değeri artmıştır.

 Her metalin bir T katsayısı vardır. Bu, teorik olarak o direncin

Bir direncin değişik sıcaklıktaki değeri aşağıdaki

 Doğru akım, D.C gerilim kaynağı

 Doğru akım iletken içinde daima

 Telekomünikasyon, radyo, teyp, televizyon, gibi elektronik cihazlar,

 Deniz altına yapılan enerji nakil

 Günümüzde havadan ve kablo üzerinden taşınan, ses ve radyo

 Farklı frekanstaki sistemler birleştirilebilir. (Alternatif Akımda bu mümkün değildir)

 AA'ya göre kayıp %40 daha azdır.

 Aynı kesitteki bir iletkenden geçebilecek güç daha yüksektir.

 İletim mesafesinde limit

 Çevreye daha az zararlıdır.

 Doğrultucu ve inverter devrelere ihtiyaç duyduğundan pahalıdır.

 Doğru akımın kesilmesi daha zordur. (Bazı büyük firmalar son

 Hat üzerinde harmonikler oluşmaktadır.

 Kontrol sistemi karmaşıktır ve uzmanlık gerektirir.

 İki nokta arasına kurulabilir. Hattın istenilen noktasına ek

Ohm Kanununun akım yoğunluğu, iletkenlik

Elektrik alan şiddeti

 Atom ve atom altı sistemlerin kontrolü

Enerji absorblayarak Yüksek Enerji

Elektronun enerji seviyesi veya durumuna bağlı

 Enerjinin sıfır olması,

 Hem dalga, hem parçacık

 Elektronun konumu, çekirdek

 Bir dış manyetik alanın bulunmaması durumunda, herbir alt

Elektron Yörünge ve Alt Yörüngelerde Bulunan Elektronların

 Ana kuantum sayısı ne