Elektroniki elementi i sklopovi

Auditorne vjebe 1
 O kolegiju
Elektroniki elementi Elektroniki sklopovi
Poluvodii Pojaala s bipolarnim tranzistorom
Dioda Pojaala s unipolarnim tranzistorom
Tranzistor Operacijsko pojaalo
Laboratorijske vjebe 1-4 Laboratorijske vjebe 5-8
26.09. 11.11. 28.11. 20.01.
(lab. 10.10.)
Ocjena: teorija 40%, zadaci 40%, laboratorij 20%
Ispiti: ispitna grupa 13: 08.02.2017. , 22.02.2017., 30.08.2017. i 13.09.2017.
Bodovi Ocjena
50-60 dovoljan (2)
61-74 dobar (3)
75-87 vrlo dobar (4)
88-100 izvrstan (5)
Konzultacije:
o Tihomir Betti, B406, betti@fesb.hr
o Ivan Marasovi, B406, ivan.marasovic@fesb.hr

Katedra za nanoelektroniku i
2
fotonaponsku pretvorbu
Katedra za nanoelektroniku i
3
fotonaponsku pretvorbu
 to je elektronika?

Elektronika je grana znanosti i tehnologije koja

prouava/koristi usmjereno gibanje elektrona kroz
neki medij ili vakuum.
Usmjereno gibanje elektrona elektrina struja
Katedra za nanoelektroniku i
4
fotonaponsku pretvorbu
 Od ega se izrauju elektroniki ureaji?

Silicij Si (2. najrasprostranjeniji element u Zemljinoj

kori 27,7%)
Germanij Ge
Katedra za nanoelektroniku i
5
fotonaponsku pretvorbu
 Sloeni poluvodii
III-V poluvodii:
GaAs, GaN, GaP, GaSb
AlAs, AlN, AlP
InSb, InAs, InN, InP
AlGaAs, InGaAs
InGaP, AlGaP
II-VI poluvodii:
CdS, CdSe, CdTe
ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe
itd

Katedra za nanoelektroniku i
6
fotonaponsku pretvorbu
 Definicija poluvodia
Materijali ija je elektrina vodljivost vea od
vodljivosti izolatora, a manja od vodia.

10 8 S cm 10 3 S cm

Kljuni parametar je elektrina vodljivost!

Vodljivost poluvodia moe se mijenjati u irokom
rasponu vrijednosti.
Kako?
Pogledati u strukturu silicija!

Katedra za nanoelektroniku i
7
fotonaponsku pretvorbu
 Struktura silicija
vrsto tijelo
Kristalna struktura
Kovalentna veza
Gustoa atoma: 51022 cm-3

Katedra za nanoelektroniku i
8
fotonaponsku pretvorbu
 Kovalentna veza
Atom:
Jezgra
Elektroni (smjeteni u tzv. ljuskama)
Kljuni su tzv. valentni elektroni.

Katedra za nanoelektroniku i
9
fotonaponsku pretvorbu
 Slobodni elektroni
Elektrina vodljivost ovisi o broju slobodnih elektrona
Ali elektroni su u kovalentnim vezama!
Kako osloboditi elektron iz kovalentne veze???
Razbiti kovalentnu vezu!

KAKO???

Katedra za nanoelektroniku i
10
fotonaponsku pretvorbu
 Gustoa slobodnih elektrona
Gustoa slobodnih elektrona: n [cm-3]
Broj slobodnih elektrona u jedinici volumena

Ovisi o temperaturi!

Elektron se moe osloboditi iz kovalentne veze ako

mu se dovede energija (zagrijavanjem, djelovanjem
svjetla itd.).
Oslobaanjem elektrona nastaje upljina!!!

Katedra za nanoelektroniku i
11
fotonaponsku pretvorbu
 Karakteristine energije
Vrh valentnog pojasa najvea energija koju elektron
moe imati, a da je jo uvijek vezan uz atom. Ev
Dno vodljivog pojasa najmanja energija koju
elektron moe imati kad je slobodan. Ec
irina zabranjenog pojasa najmanja energija koju
treba dovesti da bi se oslobodio elektron iz
kovalentne veze. EG
Prikaz karakteristinih energija energijski dijagram.

Katedra za nanoelektroniku i
12
fotonaponsku pretvorbu
 Energijski dijagram poluvodia
E

Ec
EG EG Ec Ev
Ev

Za silicij na 300 K: EG=1,12 eV

1 eV = 1,60210-19 J
Za GaAs na 300 K: EG=1,42 eV
Katedra za nanoelektroniku i
13
fotonaponsku pretvorbu
 irina zabranjenog pojasa
Model za proraun irine zabranjenog pojasa Si u
ovisnosti o temperaturi:
2
EG T 1,17 4,73 10
4 T
[eV ]
T 636

E G T 1,17 1,059 10 5 T 6,05 10 7 T 2 eV T 170 K

E G T 1,1785 9,025 10 5 T 3,05 10 7 T 2 eV T 170 K

Katedra za nanoelektroniku i
14
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 1.
Izraunati irinu zabranjenog pojasa silicija na sljedeim
temperaturama:
1.25

a) T= 200 K 1.2

b) T= 350 K 1.15

Zbranjeni pojas [eV]

1.1
c) T= 400 K
1.05

0.95

0.9

0.85
0 200 400 600 800 1000
Temperatura [K]

Domai rad: Odrediti irine zabranjenog pojasa pri temperaturama 70 K, 250

K, 350 K i 450 K s drugim modelom i usporediti ih s rezultatima iz zadatka 1.

Katedra za nanoelektroniku i
15
fotonaponsku pretvorbu
 isti (intrinsini) silicij
Bez primjesa (neistoa).
Broj slobodnih elektrona = broj razbijenih
kovalentnih veza.
Razbijena kovalentna veza = slobodno mjesto za
drugi elektron upljina.
Gustoa upljina p [cm-3].
U intrinsinom poluvodiu:

n = p = ni
Katedra za nanoelektroniku i
16
fotonaponsku pretvorbu
 Odreivanje intrinsine gustoe
Model za odreivanje intrinsine gustoe u ovisnosti
o temperaturi za silicij:
EG
ni N c N v exp [cm3 ]
12

2 ET
N c 6,2 1015 T 3 2 [cm3 ]
N v 3,5 1015 T 3 2 [cm 3 ]
T
ET k T [eV ]
11605

k 1,381 10 23 JK 1 8,617 10 5 eVK 1 ...Boltzmannova konstanta

Katedra za nanoelektroniku i
17
fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 2.
Izraunati intrinsinu gustou u silicijskom poluvodiu
na temperaturama: 10
20

a) T = 100 K 10

Intrinsina gustoa [cm-3]

10

b) T = 200 K 0
10
c) T = 350 K
d) T = 400 K 10
-10

-20
10

-30
10
0 100 200 300 400 500 600 700
Temperatura [K]
Domai rad: Izraunati intrinsinu gustou u silicijskom poluvodiu na
zadanim temperaturama koristei irine zabranjenog pojasa izraunate u
prethodnom zadatku domaeg rada. Dobivene rezultate usporediti s
rezultatima iz zadatka 2.

Katedra za nanoelektroniku i
18
fotonaponsku pretvorbu