Elektronik-1

Ders -1
➢ Kaynakça: Behzad Razavi «Fundamentals of Microelectronics»
kitabı sunumları
➢ Covid-19 salgını nedeniyle sınırlı kullanım için notlar
sunulmuştur.
➢ Dersin kitabı: Behzad Razavi’nin yukarıdaki kitabının İngilizce
veya Türkçe çevirisi («Mikroelektroniğin Temelleri» Palma
Yayınevi)

CH1 Why Microelectronics? 1

 Elektronik 1

➢ CH1 Mikroelektroniğe giriş

➢ CH2 Yarıiletkenlerin temel fiziksel özellikleri
➢ CH3 diyot modelleri ve devreleri
➢ CH4 Bipolar transistörlerin fiziksel
özellikleri
➢ CH5 Bipolar Kuvvetlendiriciler
➢ CH6 MOS transistörlerin fiziksel özellikleri
➢ CH7 CMOS Kuvvetlendiriciler
➢ CH8 Bir kara kutu olarak İşlemsel
Kuvvetlendiriciler

2
 Chapter 1 Mikroelektroniğe giriş

➢ 1.1 Elektronik ve Mikroelektronik

➢ 1.2 Elektronik Sistem Örnekleri: Hücresel telefon

➢ 1.3 Analog’a karşı Sayısal

3
 Hücresel telefon

➢ Mikroelektroniğin önemli bir örneği.

➢ Mikroelektronik, alınan ve iletilen ses sinyallerini işleyen
kara kutularda bulunur.
CH1 Why Microelectronics? 4
 Frekansı yükseltme

➢ Ses, iki sinüzoidin çarpılmasıyla üst frekansa çıkarılır.

➢ Zaman alanında iki sinüzoidal çarpılırken, spektrumları
frekans alanında konvolusyon olur.
CH1 Why Microelectronics? 5
 Verici

➢ (A) 'da iki frekans çarpılır ve bir anten tarafından yayılır.

➢ Sinyali güçlendirmek için (b) 'ye bir güç kuvvetlendiricisi eklenir.
➢ Ses bandı: 20 Hz -20 kHZ
➢ Anten boyu yaklaşık olarak dalga boyunun %25 olması gerekir. İdeal
de dalga boyu kadardır
➢ Dalga boyu=ışık hızı/frekans
➢ Bu durumda: 1.5*10^7 m ile 1.5*10^4 m olması gerekir. (ideal olarak)
➢ Anten boyu 5cm seçilirse, 20cm dalga boyu olacak. Frekansı ise
1.5GHz olacaktır.
CH1 Why Microelectronics? 6
 Alıcı

➢ Yüksek frekans, fC ile çarpılarak DC'ye çevrilir.

➢ Aşırı gürültü olmadan sinyal güçlendirmek için düşük
gürültülü bir kuvvetlendirici gereklidir.
CH1 Why Microelectronics? 7
 Sayısal mı Analog mu?

➢ X1(t) 100 Mb / sn'de çalışıyor ve X2 (t) 1 Gb / sn'de çalışıyor.

➢ Çok yüksek frekansta çalışan bir dijital sinyal çok "analog"
dur.

CH1 Why Microelectronics? 8

Bölüm 2 Yarıiletkenlerin temel fiziksel özellikleri

➢ 2.1 Yarıiletken malzemeler ve özellikleri

➢ 2.2 PN jonksiyonu

➢ 2.3 Ters Kırılma

9
 Yarıiletken Fiziği

➢ Yarıiletken elemanlar, mikroelektroniğin kalbi olarak hizmet

eder.
➢ PN bağlantısı, en temel yarıiletken elemandır.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 10

 Yarıiletkende Yük taşıyıcıları

➢ PN bağlantısının IV özelliklerini anlamak için, yük

taşıyıcılarının katı maddelerdeki davranışını, taşıyıcı
yoğunluklarının nasıl değiştirileceğini ve farklı yük akışı
mekanizmalarını anlamak önemlidir.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 11

 Periyodik Tablo

➢ Bu kısaltılmış tablo, Si en önemlisi olmak üzere, üç ila beş

değerlik elektronlu elementler içerir.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 12

 Silikon

➢ Si, dört değerlik elektronuna sahiptir. Bu nedenle, dört

komşusuyla kovalent bağlar oluşturabilir.
➢ Sıcaklık yükseldiğinde, kovalent bağdaki elektronlar
serbest kalabilir.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 13

 Elektron-Delik Çifti Etkileşimi

➢ Serbest elektronların kovalent bağları koparmasıyla delikler

oluşur.
➢ Delikler, diğer serbest elektronları çekerek doldurulabilir, bu
nedenle etkili bir şekilde bir yük taşıyıcı akışı vardır.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 14

 Verilen Bir Sıcaklıkta Serbest Elektron Yoğunluğu

− Eg
ni = 5.2  1015 T 3/ 2 exp electrons / cm3
2kT
ni (T = 3000 K ) = 1.08  1010 electrons / cm3
ni (T = 6000 K ) = 1.54  1015 electrons / cm3

Eg = 1.12eV = 1.792 *10 ^ −19 J

k = 1.38*10 ^ −23J/ K

➢ Eg veya bant aralığı enerjisi, bir elektronun kovalent

bağından kopması için ne kadar çaba gerektiğini belirler.
➢ Serbest elektron yoğunluğu ile bant aralığı enerjisi
arasında üstel bir ilişki vardır.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 15

 Katkılama (N tipi)

➢ Saf Si, elektriksel özelliklerini değiştirmek için diğer

elementlerle katkılanabilir.
➢ Örneğin Si, P (fosfor) ile katkılı ise, o zaman daha fazla
elektrona sahip olur veya N tipi (elektron) olur.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 16

 Katkılama (P tipi)

➢ Si, B (bor) ile katkılı ise, o zaman daha fazla deliğe sahip
olur veya P tipi olur.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 17

 Yük Taşıyıcılarının Özeti

CH2 Basic Physics of Semiconductors 18

 Elektron ve Delik Yoğunlukları

➢ Katkısız yarıiletkene fosfor/bor gibi saflığı bozan bir

maddenin kontrollü olarak eklenmesine KATKILAMA olarak
adlandırılır.
➢ Bu fosfor/bor’un kendisine katkı (dopant) olarak adlandırılır.
➢ Katkılanmış silisyum kristali KATKILI (extrinsic) olarak
adlandırılır.
➢ Serbest elektronların bolluğunu belirtmek için n-tipi madde,
➢ Serbest Deliklerin bolluğunu belirtmek için ise p-tipi madde olarak
adlandırılır.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 19

 Elektron ve Delik Yoğunlukları
np = ni
2

P tipinde
p  NA
Çoğunluk Taşıyıcıları:
ni 2
n
Azınlık Taşıyıcıları: NA

N-tipinde
Çoğunluk Taşıyıcıları: n  ND
ni 2
Azınlık Taşıyıcıları: p
ND

➢ Elektron ve delik yoğunluklarının çarpımı DAİMA katkılama

seviyelerine bakılmaksızın katkısız elektron yoğunluğunun
(ni) karesine eşittir.
➢ n : elektron yoğunluğu p:delik yoğunluğu

CH2 Basic Physics of Semiconductors 20

 Örnek

➢ Örnek: bir parça silisyum kristali, fosfor atomları ile

homojen bir şekilde katkılanmıştır. Katkı yoğunluğu 10^16
atom/cm3. bu malzemedeki elektron ve delik yoğunluklarını
oda sıcaklığında hesaplayınız.

Çözüm: 10^16 fosfor atomu eklenmesi ile her cm3’de aynı

sayıda serbest elektron ortaya çıkar.
n:10^16 elektron/cm3

T=300 K için ni:1.08*10^10 elektron/cm3

P=ni^2/n=1.17*10^4 delik/cm3

CH2 Basic Physics of Semiconductors 21

 1-Yük taşıyıcıların taşınması: Sürüklenme

→ →
vh =  p E
→ →
ve = −  n E

➢ Yük parçacıklarının bir elektrik alanı nedeniyle hareket ettiği

sürece sürüklenme denir.
➢ Yük parçacıkları, elektrik alanla orantılı bir hızda hareket
edecektir.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 22

 Akım Akışı: Genel Durum

I = −v W  h  n  q

➢ Elektrik akımı, yük «v» m/s hızıyla hareket ederse, bir enine
kesitten geçen v metre cinsinden yük miktarı olarak
hesaplanır.
CH2 Basic Physics of Semiconductors 23
 Akım Akışı: Sürüklenme

J n = n E  n  q
J tot =  n E  n  q +  p E  p  q
= q(  n n +  p p) E

➢ Hız E'ye eşit olduğundan, genel akım denkleminde V'nin

E ile değiştirilmesiyle sürüklenme karakteristiği elde edilir.
➢ Toplam akım yoğunluğu hem elektronlardan hem de
deliklerden oluşur.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 24

 Hız doyumu

0
=
1 + bE
0
vsat =
b
0
v = E
0 E
1+
vsat
➢ Gerçekte hız, elektrik alanla doğrusal olarak artmaz.
Sonunda kritik bir değere doyacaktır.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 25

 2-Yük taşıyıcıların taşınması: Difüzyon

➢ Yük parçacıkları, yüksek konsantrasyonlu bir bölgeden

düşük konsantrasyonlu bir bölgeye hareket eder. Sudaki
mürekkep damlacığı örneğine benzer.
CH2 Basic Physics of Semiconductors 26
 Akım Akışı: Difüzyon

dn dp
I = AqDn J p = − qD p
dx dx
dn dn dp
J n = qDn J tot = q ( Dn − Dp )
dx dx dx

➢ Difüzyon akımı, akım akış yönü boyunca yük gradyanı (dn /

dx) ile orantılıdır.
➢ Toplam akım yoğunluğu hem elektronlardan hem de
deliklerden oluşur.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 27

 Örnek: Doğrusal ve Doğrusal Olmayan Yük
Yoğunluğu Profili

dn N dn − qDn N −x
J n = qDn = −qDn  J n = qD = exp
dx L dx Ld Ld

➢ Doğrusal yük yoğunluğu profili, sabit difüzyon akımı

anlamına gelirken, doğrusal olmayan yük yoğunluğu profili,
değişken difüzyon akımı anlamına gelir.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 28

 Einstein İlişkisi

D kT
=
 q

➢ Sürüklenme ve difüzyon akımlarının ardında yatan fizik

tamamen farklı olsa da, Einstein'ın ilişkisi ikisi arasında
gizemli bir bağlantı sağlar.

CH2 Basic Physics of Semiconductors 29