Blm 4: Transistrler

Giri Elektronikle ilgili sistemlerin geliip, stn Beyz Emiter seviyeye gelmesi yar iletken temelli balants balants transistrlerin bulunmasndan sonra olmutur. Transistr Uygulamada 100.000'e yakn eitte transistr oluturan yar vardr. Ayrca her geen gn, yeni zelliklere iletkenler Gvde sahip transistrler retilmektedir. Kollektr ekil 4.1'de verilen germanyumdan yaplm ucu metal ilk "nokta temasl transistrler" 1947 ylnda Bell gvdeye Telefon Laboratuvarlarnda alan W. H. bal Ayaklar Brottain ve Y. Borden adl iki bilgin tarafndan yaplmtr. ekil 4.1: Nokta temasl transistrlerin Germanyum transistrler sdan ok yapsnn basit olarak gsterilmesi etkileniyor, s ile "akmlar" artyordu. Elektrotlar aras kapasitelerinin byk olmas ise osilasyonlara (salnmlara) neden oluyordu. Daha sonraki yllarda silisyumdan transistr yapm balad. Silisyum transistrler germanyum transistrlerde ortaya kan bir ok sakncann ortadan kalkmasn salad. 1949 ylnda ise nokta temasl transistrlerden daha kolayca retilebilen, bugn kullandmz "iki polarmal (bipolar) yzey E B C temasl" tip transistrler ise, Schokley tarafndan ekil 4.2: Yzey temasl transistrlerin gelitirilmitir. ekil 4.2'de yzey temasl yapsnn basit olarak gsterilmesi transistrn yaps grlmektedir. ki polarma yzeyli transistrler teknik anlatmlarda ksaca BJT olarak da adlandrlmaktadr. (BJT: Bipolar Junction Transistr). Transistr kelimesi, transfer (aktarma) ve resistor (diren) szcklerinin ksaltlmasyla ortaya kmtr. Transistrlerin ayak adlarnn anlamlar: Emiter (emitter): Yayc. Kollektr (collector): Toplayc. Beyz (base): Taban, giri, kontrol.
89 NPN PNP

ekil 4.3: NPN ve PNP transistr sembolleri

ekil 4.4: eitli transistrler

A- TRANSSTRLERN GENEL TANIMI NPN ya da PNP eklinde dizilmi yar iletkenin birleiminden olumutur. Ayaklar beyz (B), kolektr (C), emiter (E)'dir. B ucu tetiklendiinde C-E arasnn diren deeri azalarak akm geirir. C-E arasndan geen akmn deeri, beyz ucuna uygulanan tetikleme akmnn miktarna baldr. NPN ve PNP transistrn alma ilkesi ve yaps birbirine ok benzemesine ramen, yksek frekansl sinyallere kar tepkisi daha iyi olduundan NPN tip transistrler devrelerde daha yaygn olarak kullanlmaktadr. Transistrlerin yaps a- NPN tipi transistrlerin yaps ekil 4.5'de grld gibi NPN transistr yaplrken iki adet N tipi zellie sahip yar iletken malzemenin arasna ince bir katman halinde P tipi malzemeden beyz tabakas yerletirilmitir. Araya yerletirilen beyz tabakas iki byk tabaka arasndaki elektron-oyuk geiini kontrol etme bakmndan grev yapmaktadr. Transistrleri muslua (vana) benzetmek mmkndr. Musluk, akan svy denetler (ayarlar). Transistr ise geen akm denetler. Bu zellii sayesinde kk akmlar ayn biimde olmak kaydyla bytlebilecei gibi, kk bir akm ile byk bir alcnn almas da salanabilir.
Kollektr (C)

N
Beyz (B)

P N
Emiter (E)
ekil 4.5: NPN transistrlerin yar iletken yaps

ekil 4.6'da verilen vana edeerinde B ucundan bir miktar su verildiinde yay ile tutturulmu kol aaya doru inerek C blgesinden E blgesine doru yksek miktarl bir
90

su geiini salar. B giriine uygulanan su kesildii anda, yay kolu ekerek C ile E arasndaki geii kapatr.

Kollektr (C)

P
Beyz (B)

N b- PNP tipi transistrlerin yaps P ekil 4.7'de grld gibi PNP Emiter (E) transistr yaplrken iki adet P tipi ekil 4.7: NPN ekil 4.6: Transistrlerin zellie sahip yar transistrlerin yar vana (musluk) edeeri iletken malzemenin iletken yaps arasna ince bir katman halinde N tipi malzemeden beyz tabakas yerletirilmitir. Araya yerletirilen beyz tabakas iki byk tabaka arasndaki elektron-oyuk geiini kontrol etme bakmndan grev yapmaktadr. Transistrlerin alma ilkesi a- NPN tipi transistrlerin alma ilkesi ekil 4.8'de grld gibi, UBB kaynann art (+) ucu beyz blgesini pozitif olarak ykler. UCC kaynann eksi (-) ucu E blgesindeki elektronlar yukar iter. Skan elektronlar beyz (B) tarafndan ekilir. Baka bir deyile, emiterin "iletim band"ndaki elektronlar, E-B gerilim settini aarak beyz blgesine girerler. Lakin, B blgesi ok dar olduundan, emiterden gelen elektronlarn % 1-2'lik ksm B blgesi tarafndan ekilirken, yaklak % 98-99'luk ksm C blgesine geer. UCC'nin art (+) ucu C blgesindeki elektronlar

UCC UBB
ekil 4.8: NPN transistrlerin i yaps. Not: eklin anlalr olabilmesi iin yar iletkenlerin iinde bulunan art (+) ykl ekirdekler gsterilmemitir ekil 4.9: NPN transistrlerde elektronlarn hareket ynleri 91 ekil 4.10: NPN transistrlerde oyuklarn hareket ynleri

kendine eker. Bu sayede elektron hareketi sreklilik kazanr. UBB'nin verdii beyz akm olduu srece Eden C'ye elektron ak srer. NPN transistrde elektronlar yukar giderken (ekil 4.9), oyuklar ise aa doru gider (ekil 4.10). Bu nedenle pratik anlatmda, B'ye uygulanan art (+) sinyal C'den E'ye doru akm geirir" denir. Sonu olarak, emiter akm, beyz ve kollektr akmlarnn toplamna eittir. IE = IB + IC [A].

P N

IC
-

UBB P

UCC

ekil 4.11: PNP transistrlerin i yaps. Not: eklin anlalr olabilmesi iin yar iletkenlerin iinde bulunan eksi (-) ykl ekirdekler gsterilmemitir

ekil 4.12: PNP transistrlerde elektronlarn hareket ynleri

ekil 4.13: PNP transistrlerde oyuklarn hareket ynleri

b- PNP tipi transistrlerin alma ilkesi ekil 4.11'de grld gibi, UBB kaynann eksi (-) ucu B blgesini negatif olarak ykler. UCC kaynann art (+) ucu E blgesindeki art (+) ykl oyuklar yukar iter. Skan art (+) ykler B tarafndan ekilir. Lakin B blgesi ok dar olduundan, oyuklar C blgesine geerler. UCCnin eksi (-) ucu C blgesindeki oyuklar kendine ektiinden, oyuk hareketi sreklilik kazanr. UBB akm olduu srece E'den C'ye oyuk ak srer. E'den gelen oyuklarn yaklak % 2'lik ksm UBB tarafndan yutulurken, geriye kalan % 98'lik oyuk UCC kaynann eksi (-) ucuna gider. Dikkat edilirse, oyuklar (art ykler) E'den C'ye doru giderken (ekil 4.13) elektronlar B ise C'den E'ye doru gitmektedir. (ekil 4.12.) Akm oyuklarn tadn kabul ettiimize C E gre PNP transistrde akm E'den C'ye doru N P N olmaktadr. Grld zere, NPN ve PNP transistrn alma ekli ayndr. Sadece ekil 4.14: Transistr oluturan yar iletkenlerin birinde elektronlar, dierinde ise oyuklar birleim yzeylerindeki gerilim setleri grev yaparak akm geiini salamaktadr. Transistr eklemlerinde oluan gerilim setleri ekil 4.14'de grld gibi P ve N tipi iki yar iletken birletirilince, ilk anda, birleim blgesinde bir "elektron-oyuk" hareketi balar. Yani P tipi maddenin sa tarafndaki oyuklarla, N tipi maddenin sol tarafndaki elektronlar birbirini ekerek birleirler. Bunun sonucunda P-N birleim blgesinde elektriksel olarak ntr (ne art ne de eksi ykl, yani
92

yksz) blge oluur. te bu ntr blge bir set (engel) gibi davranarak yar iletken malzemelerin iinde bulunan dier oyuk ve elektronlarn birlemesini engeller. Ancak dardan bir enerji (k, s, elektrik akm) uygulanacak olursa P-N birleiminin ntr blgesi (gerilim setti) yklr. Sonu olarak, P-N birleiminin olduu her elemanda bir gerilim setti sz konusudur.
UBB UCC

IB

IC

Bu settin almas iin elektrik akm uyguladmzda eer eleman germanyumdan yaplmsa gerilim deeri 0,2 Volt'u anca, silisyumdan yaplmsa 0,6-0,7 Volt'u anca akm geii balar.

ekil 4.15: NPN transistrn alabilmesi iin B-C-E ularna DC uygulanmas gerekir

Transistrlerde polarma (E-B-C ularna DC uygulama) Elektronik devrelerde kullanlan transistrler doru polarize edildiinde iletime, ters polarize edildiinde ise kesime giderler. Bu bakmdan NPN ve PNP transistrlerin hangi polarmada alt iyice renilmelidir. ekil 4.15'de NPN transistrlerin almas iin uygulanmas gereken DC gerilimlerin ynleri verilmitir. a- NPN ve PNP transistrlerin doru polarize edilmesi Transistrn beyz ucuna akm uygulanmadnda C-E arasndan akm geii olmaz. Yani eleman kesimde (cut-off) kalr. Transistr germanyumdan yaplmsa, B ucuna uygulanan gerilim, UBB = 0,2 Volt'u anca, silisyumdan yaplmsa, UBB = 0,6-0,7 Volt'u anca C ve E aras iletken olur. NPN tipi transistrlerin B ucuna aseye gre art (+) uygulandnda iletimin olabilmesi iin Cye art (+) ve Eye eksi (-) uygulanr. (ekil 4.16) PNP transistrlerde B ucuna eksi (-) uygulannca E'den C'ye akm geii olur. Bu srada E'ye art (+) ve C'ye (-) verilir.verilir.(ekil 4.17) Sonu olarak, transistrleri aktif ykseltme eleman olarak kullanabilmek iin B-E birleimi

UBB

ekil 4.16: NPN transistrlerin doru polarize edilmesi 93

UCC

ekil 4.17: PNP transistrlerin doru polarize edilmesi

UBB

UCC

doru polarize edilirken, B-C eklemi ters polarize edilir. ekil 4.16 ve 4.17'ye baknz.

(a)

(b)

ekil 4.18: NPN ve PNP transistrlerin ters polarizeli olarak balanmasna ilikin rnek ekiller. Verilen emalarda transistrlerin B-E ve B-C eklemleri anlalmay kolaylatrmak iin diyot eklinde gsterilmitir

UBB b- NPN ve PNP B transistrlerin ters polarize edilmesi P Transistrlerin beyz-emiter N P C E (B-E) ular doru, beyzkollektr (B-C) ular ters polarize edilirse eleman alr. Genilemi blge ekil 4.18-a ve b'de grld ekil 4.19: B-E eklemi ters polarize edilmi PNP transistr. gibi B-E ular ve B-C ular Burada B-E ularna uygulanan ters ynl polarma gerilimi yanl polarize edilirse eleman transistrn dayanabilecei deerin zerine karsa B-E almaz. Hatta elemanda eklemi bozulur bozulma bile olabilir. yleki: B-E aras ters polarize edilirse, beyz-emiter gei eklemi ekil 4.19'de grld gibi geniler ve "set gerilimi" byr. Akm geii olmaz. B-C ular ters polarize deilde doru polarize edilirse transistr yine almaz.

Transistrlerin salamlk testi a- Ohmmetre ile salamlk testi Salamlk testinde alnmas gereken deerleri kolayca anmsayabilmek iin NPN ve PNP transistr birbirine ters seri bal iki diyota benzetebiliriz. Bu benzetimden yola karak ohmmetre ile yaplacak "6" lmde aada verilen deerler alnmaldr.
Not: Diyotlar birbirine ters balanmak suretiyle transistr elde edilemez.

ekil 4.20: PNP ve NPN tipi transistrlerin diyot edeerleri Verilen ekiller transistrlerin yapsn kolayca anlayabilmek ve salamlk testinde alnmas gereken diren deerlerini aklda tutabilmek iin kullanlr

94

Wm

Wm

Transistrlerin salamlk testinde B-C-E ayaklarnn iki ynl lmnde alnmas gereken deerlerin farkl ekilde ifade edilmesi E-C: 50 KW -200 KW / 50 KW -200 KW B-C: 300 W -3000 W / 50 KW -200 KW B-E: 300 W -3000 W / 50 KW -200 KW E-C: Byk W -Byk W B-C: Kk W -Byk W B-E: Kk W -Byk W

ekil 4.21:Transistrlerin salamlk testinin analog (ibreli) ohmmetreyle yapl

C-E: W - W B-C: 0 W - W B-E: 0 W - W

b- Polarma gerilimine bakarak salamlk testi Dijital multimetrelerin (avometre) komtatr "diyot" sembolnn bulunduu yere getirilir. Yaplan lmlerde silisyum transistrlerin B-E ve B-C eklemleri zerinde den gerilimler bir ynde yaklak 450-650 mVolt olarak okunur, dier ynde hibir deer okunamazsa (ya da "O.L: Ak devre", "1,2 V" gibi deerler de grlebilir) eleman salam demektir. Ayrca, lm srasnda B-E eik geriliminin B-C geriliminden biraz byk olduu grlr. Bu zellik sayesinde E ve C ularn kolayca belirleyebiliriz. rnek olarak, l aleti komtatr diyot konumundayken yaplan lmlerde, -BC547 kodlu transistrde UBE = 582 mV, UBC = 576 mV. -2N3055 kodlu transistrde U BE = 455 mV, UBC = 447 mV. olarak okunmutur. Ek bilgi: Bir transistr devreye balyken ohmmetre kullanlarak salamlk testi yaplacak olursa yanl sonular okunabilir. Ancak lme komtatrnde diyot sembol bulunan bir l aletiyle eleman sklmeden salamlk testi yaplabilir. yleki, l aletinin komtatr diyot iaretinin bulunduu konuma getirilir. B-E, BC ayaklar arasnda yaplan lmlerde P-N birleim yzeylerinde den gerilimler mV cinsinden (yaklak 450-650 mV) okunursa eleman salamdr. Transistrlerin tipinin belirlenmesi: Avometre komtatr ohm kademesine alnr (X1K ya da X10K konumlar) B ucuna art (+) prop, C ya da E ucuna ise eksi (-) prop dedirilir. Kk diren okunursa (300 W -3000 W ) transistr NPN, byk diren okunursa (50 KW -200 KW ) PNPdir.
95

Transistrlerin E-C-B ularnn bulunmas a- Metal gvdeli transistrlerde ayaklarn bulunuu D gvdesi metal olan transistrlerin kollektr ucu gvdeye baldr. l aletinin bir ucu gvdeye dedirilip dier u ayaa rastgele dedirilerek lmler yaplr. Her iki ynl lmde de 0 (sfr) ohm'luk direncin okunduu u kollektr olarak saptanr. Daha sonra ayak kendi arasnda llr. Her iki ynl olarak yaplan lmlerde ok yksek diren (50 KW - 200 KW ) gsteren ular bulunduunda kollektr belirlenmi olduuna gre dier u emiterdir. Geride kalan nc u ise beyzdir. b- Kataloglara (data book, hand book) bakarak ayaklarn bulunuu Transistr kataloglarnda her ICmaks= modelin ayaklarnn 150 mA dizili ekli vardr. Katalog Pmaks= kullanlarak yaplan 250 mW u belirleme hem Pmaks= ok pratik hem de 500 mW salkldr. Pratik uygulamalarda ICmaks= kullanlan transistr 50 mA says onbinlerce olmasna ramen, ekil 4.22: Transistrlerin ayaklarnn kataloglara bakarak belirlenmesi radyo, tv, video gibi yaygn olan cihazlarda kullanlan transistr says bir ka yz gememektedir. c- Parmak yntemiyle ayaklarn bulunuu Bu yntem kataloglarda zellii verilmemi olan transistrlerin ularnn bulunmasnda kullanlr.
I- Transistr NPN ise parmak yntemiyle ayaklarn bulunuu: nce byk W - byk W gsteren ular bulunur. Bunlar C ve E, dier u ise B'dir. Bundan sonra ohmmetrenin proplar (siyah ve krmz) rastgele E ve C olduklar bilinen ulara dedirilir. Ba parmak siyah proba dedirilerek, iaret parma ile B ucuna tetikleme uygulanr. Bu durumda aletin gsterdii diren ok azalyorsa ba parman ve siyah probun temas halinde olduu transistr aya C'dir. II- Transistr PNP ise parmak yntemiyle ayaklarn bulunuu: Yukardaki ilemin benzeri yol izlenir. Farkl olan udur: Bu kez ba parmak krmz proba temas eder. aret parmayla yaplan tetiklemede ohmmetre dk diren gstermeye baladnda ba parman ve krmz probun temas halinde olduu transistr aya E'dir.

d- Gvde zerindeki iaretlere bakarak ayaklarn bulunuu Metal gvdeli baz transistrlerde emiter ucu trnak olan yere yakn olan ayaktr. Bunun kars kollektr, ortadaki ise beyzdir. Eski tip transistrlerin gvdesinde ise kk bir
96

"krmz benek" bulunur. Bu benek C'yi gsterir. C'nin karsndaki u emiter, ortadaki u ise beyzdir.
E

e- Dijital multimetre kullanlarak ekil 4.23: Transistrlerin ayaklarnn ayaklarn bulunuu gvde zerindeki iaretlere baklarak lme komtatrnde diyot sembol olan bulunuuna ilikin rnek ekil avometreyle ilem yaplr. Proplarla B-E ve B-C aras gerilim lmleri yaplr. B-E aras gerilim, B-C aras gerilim deerinden biraz byk kacandan E ve C ular saptanabilir.

2N2222 2N2219 C 2N2905

BC109 BC178 2N3053

1: Emiter 2: Beyz 3: Kollektr ekil 4.24: Transistrlerin gvde ekillerine ilikin rnekler 1: Emiter 2: Beyz 3: Kollektr

Transistrlerin gvde (klf) biimleri Az g harcayan transistrler kk ve plastik gvdeli, yksek g harcayanlar ise metal gvdeli olarak retilmektedir.
Transistr gvdeleleri, SOT-32, TO-1, TO-3, TO-5, TO-12, TO-17, TO-18, TO-39, TO-46, TO59, TO-60, TO-63, TO-72, TO-77, TO-92, TO-107, TO-126, TO-202AC, TO220, TO-236 vb. eklinde kodlanmaktadr. ekil 4.24'de gvde ekillerine ilikin rnekler verilmitir.

retici firmalar, her bir transistrn zellikleri ve u balantlarn belirtmek iin bilgi formlar hazrlarlar. Balantlarda hata yapmamak iin bu kataloglara bakmak gerekir. nk ayn paket tipinde dahi deiik ayak sralamalar sz konusu olabilmektedir. Transistrlerin soutulmas Transistrlerin gvdesi, "almadan dolay" az ya da ok snr. Bu, hem transistrn bal olduu devrenin dzgn almasn engeller hem de elemann ksa srede tahrip olmasna yol aar. Ar snan transistrde btn akmlar ykselir ve alma noktas deiir. Kataloglarda verilen transistr deerleri 25C'lk scaklk deerinde geerlidir. Transistrlerde oluan sy gidermek iin gvde
97

ekil 4.25: Transistr soutucular

zerine ekil 4.25'de grld Vida gibi alminyum alamndan yaplm, s emicilii iyi plakalar (heat sink) monte Transistr edilir. ekil 4.26: Isy Yaltkan Metal gvdeli geiren ancak transistrlerin gvdesi ayn akm zamanda kollektr ucu geirmeyen olduundan bu ucun metal izolatr Alminyum soutucuya elektriksel (yaltkan) soutucu rnekleri bakmdan dememesi iin araya, sy geiren ancak akm geirmeyen izolatrler C (yaltkan) konur. B ekil 4.26'da sy geiren ancak akm geirmeyen izolatrler (yaltkan) rnekleri E grlmektedir. ekil 4.27: Transistrlerin gvdesiekil 4.28: Transistrn nde oluan snn soutucuya Transistrlerin soutucuya balanmas gemesini kolaylatran krem gvdesindeki snn ok gerektiinin ifade edilmesi grnml kimyasal madde kolayca soutucu plakaya gemesini salamak iin ekil 4.27'de verilen krem grnml kimyasal maddeler kullanlr. Herhangi bir devrede, transistr sembolnn etrafnda ekil 4.28'de grld gibi kesik izgili bir daire varsa soutucu plakaya gereksinim olduu anlalr. Transistrlerin lehimlenmesi Lehimleme ileminde iyi kalite lehim kullanlmal ve ilem ok abuk yaplmaldr. Kullanlacak havyann ucu ee ya da zmpara ile pastan (kf) temizlenmi olmaldr. Kt bir lehimleme iciliinde souk lehim olarak tanmlanan durum ortaya kar. Souk lehim nedeniyle bir sre sonra devrede temasszlk oluur. Elektronik cihaz onarmclar arza ararken, "souk lehim olumutur" dncesiyle phelendikleri yerlerin lehimlerini yeniden yaparlar. zellikle tv'lerde besleme ve yksek gerilim trafolar titretiinden ve ar sndndan, bunlarn bulunduu blgedeki lehimlerde atlamalar oluur. Bu da temasszlk yaparak cihaz arzalandrr. Eer arzal bir elektronik aygt, gvdesine vurunca ya da elemanlarn bal bulunduu plaket (emprime) esnetilince alyorsa byk olaslkla souk lehim sz konusudur ya da baskl devrenin bakr yollar krlmtr. Transistrlerin harcad g Her transistrn belli bir g harcama kapasitesi vardr. Buna disipasyon gc denir. Kk gl transistrlerin harcad gcn deeri dktr. Byk gl transistrler ise yksek g harcarlar. Transistrde harcanan g s eklinde ortaya kar. Isnan transistr ise devrenin almasn olumsuz etkilediinden, snn datlmas iin soutucular kullanlr.
98

Transistrlerin gce gre snflandrlmas I- Kk gl transistrler: 0-1 W aras g harcarlar. rnekler: BC237 (0,3 W), AC128 (1 W)... II- Orta gl transistrler: 1-20 W aras g harcarlar. rnekler: 2N1700 (5 W), BD135 (12,5 W), MJE 240 (15 W)... III- Yksek gl transistrler: 20 Wn zerinde g harcarlar. rnekler: 2N3055 (117 W), 2N1722 (50 W)... Transistrlerde kazan a. b (beta) akm kazanc Transistrler, B ucuna uygulanan akma (tetikleme sinyali) gre C-E arasndan daha byk bir akm geirir. te bu durum kazan olarak adlandrlr. Baka bir deyile, kollektr akmnn beyz akmna oran b olarak ifade edilir. Transistrlerin b akm kazanc kabaca 51000 arasnda deiir.
Beta akm kazanc kataloglarda hFE olarak da adlandrlr.

b akm kazancnn hesaplanmasnda kullanlan denklem: b = k devresi akm deimeleri/Giri devresi akm deimeleri. b = D IC/DIB ya da D b = IC/IBdir. Birimi yoktur. Basite aklarsak B ucuna 1 mA uygulandnda C-E arasndan 250 mA geirebilen transistrn kazanc 250 olmaktadr. rnek: IB = 3 mA. IC = 900 mA. zm: b = IC/IB = 300. rnek: Kollektr akm IC = 10 mA, Beyz akm IB = 80 mA (0,08 mA) olan transistrn beta akm kazancn bulunuz. zm: b = IC/IB = 10/0,08 = 125. rnek: Beta (b) akm kazanc 100, beyz akm 50 mA olan transistrn kollektr akmn bulunuz. zm: IC = b.IB = 100.50 = 5000 mA = 5 mA.
b- a (alfa) akm kazanc Kollektr akmnn emiter akmna orandr. Emiter ucundan hem beyz akm, hem de kollektr akm getiinden bu akm kollektr akmndan biraz byktr. Denklemi: a = IC / IE'dir. Birimi yoktur. Beyzi aseye bal tip transistrl ykseltelerde a akm kazanc 0,85-0,998 arasndadr. rnek: IB = 1 mA, IC = 100 mA, IE = ?, a = ? zm: IE = IB + IC = 101 mA. a = IC/IE = 100/101 = 0,99.

99

rnek: Silisyumdan yaplm transistrn IC akm 1 mA, IB akm 20 mA'dir. b, IE ve a'y bulunuz. zm: b = IC / IB = 1 / 0,02 = 50. IE = IB + IC = 0,02 + 1 = 1,02 mA. a = IC / IE = 1 / 1,02 = 0,98. Transistr kazanlarnn birbirine dntrlmesi: Ykselte hesaplamalarnda kazan deerinin birisi hesaplandktan sonra dier sonular yanda verilen denklemlerle kolayca bulunabilir. Denklemler tamamen birbirinden tretilmektedir. Ancak bu teorik ispatlar zerinde durulmayp denklemler dorudan verilmitir.
Miliampermetre

rnek: Silisyumdan yaplm A Mikroampermetre transistrn beta akm kazanc 50, RB = 1-2,2 KW emiter akm 3 mA'dir. Kollektr A 5-12 V + akmn bulunuz. zm: a = b / (b + 1) NPN UCC = 50 / (50 +1) = 0,98. + UBB a = I C /I E denkleminden, I C P 10-50 KW - 1,5 V ekilerek IC = a.IE = 0,98.3 = 2,94 mA olarak bulunur. ekil 4.29: Transistrlerin beta (b) akm rnek: Alfa (a akm kazanc ) kazancnn devre kurarak belirlenmesi 0,95 olan bir transistrn beta (b) akm kazancn bulunuz. zm: Baz transistrlerin BC547 (NPN) : 110 b akm kazanlar BC548 (NPN) : 110 b = a /(1-a) MJ2501(PNP, DARL) : 10 = 0,95 / 1-0,95 = 19. AC188 (PNP) : 100 MJ2955 (PNP) :5 Transistrlerin beta akm kazancnn belirlenmesi
BC107 (NPN) BC140 (NPN) BC160 (PNP) BC237 (NPN) BC238 (NPN) BC308 (PNP) : 110 : 40 : 40 : 110 : 110 : 75 2N3055 (NPN) BD135 (NPN) BD136 (PNP) BD137 (NPN) BD138 (PNP) : 20 : 40 : 40 : 40 : 40

a- Devre kurarak kazan belirleme: ekil 4.29'da verilen devrede IB ve IC akmlar hassas (kaliteli) ampermetreyle llr ve beta akm kazancn bulmada kullanlan denklem ile kazan belirlenir. b- l aletiyle kazan belirleme: ok fonksiyonlu l aletlerinde (multimetre) transistr kazancn lme soketleri (yuva, pin) vardr. Transistr ayaklar bu soketlere doru olarak yerletirilir. Aletin komtatr hfe konumuna alnr ve kazan belirlenir.

100

UCE UBE UBE UCB UBC

UEC

Emiteri ase

Beyzi ase

Kollektr ase

ekil 4.30: PNP transistrlerin ykselte olarak kullanlmas durumunda balant ekilleri

B- TRANSSTRLERLE YKSELTE YAPIMI Transistrlerde beyzden akm gemezken kollektr akm da sfr (0) Ck Cgiri RB NPN deerindedir. Beyz akm arttka kollektrden emitere RC doru geen akm da TR ykselmeye balar. Bu olaya IC "akm ykseltme katsays" IB UCC denir. Yzey temasl (bipoUBB lar) transistrlerde beyz iin ok kk de olsa bir akm IE gereklidir. Yani bu tipler akm kontrolludur. ekil 4.31: NPN transistrl emiteri ase ykselte devresi Ugiri

Not: Bipolar transistrlerden daha stn yapda olan FET ve MOSFET'lerde ise kontrol ucu olan gate (G), gerilim kumandal olduundan bu elemanlar transistrlere oranla ok ok az g harcarlar. Bu zellikleri sayesinde kontrol (G) ular akm ekmez. Bir transistr ykselte olarak kullanlaca zaman ekil 4.30'da grld gibi deiik ekilde devreye balanabilir. Bunlar: I- Emiteri ortak (ase) balama. II- Beyzi ortak (ase) balama. III- Kollektr ortak (ase) balamadr. ("Ortak" szc transistrn hangi ucunun aseye bal olduunu belirtir.) Her balantnn zellikleri geni olarak blm 6'da aklanacaktr. Transistrlerde ykseltme ilemi en kolay biimde ekil 4.31'deki emiteri ase balantl devreyle anlatlabilir. Emiteri ase balantda devrede IB, IC ve IE akmlar dolamaktadr. IB akm DC tetikleme akm olup IC akmnn geiini salamaktadr. IE akm ise IB ve IC akmlarnn toplamdr. ekil 4.31'deki devrede IB polarma akmnn deeri, IB = (UBB-UBE)/RB denklemiyle bulunabilir. Devrede kullanlan transistr silisyum ise UBE = 0,6 ila 0,7 Volt olarak kabul edilir. Verilen devrenin k blmnn akm (IC, IE), gerilim (UC, UCE) deerlerini bulmak iin, kullanlan transistrn "beta (b)" ya da "alfa (a)" akm kazancnn bilinmesi gerekir.
101

Uk

Beta akm kazanc biliniyorsa b = IC/IB denkleminden IC ekilerek, IC = b.IB yazlp kollektr akm bulunabilir. IC akmnn bulunmasyla RC direncinde den URC gerilimi ve transistrn C-E ular arasnda den UCE gerilimi aada verilen denklemlerle bulunabilir. URC = IC.RC. UCE = UCC-URC

C B E
ekil 4.32: Transistrlerin darlington balanmas ekil 4.33: Darlington bal transistr sembol

Transistrlerin darlington balanmas Transistrlerin ard arda balanmasyla daha gl, hassas ve yksek kazanl transistrler yaplabilir. ekil 4.32'de iki transistrn darlington balan grlmektedir. Darlington bal iki transistrn toplam kazanc, btoplam = b1.b2 denklemiyle bulunur. Not: Birinci transistr ok dk kollektr akmnda almak zorunda olacandan balantnn kazanc "b1.b2" deerinden biraz daha kk olmaktadr. Piyasada darlington bal olarak retilmi transistrler de vardr. rnek: b1 = 250, b2 = 100 olan iki transistr darlington balanmtr. btoplam nedir? Bulunuz. zm: btoplam = b1.b2 = 250.100 = 25000.
Pratikte kullanlan darlington bal baz transistrlerin zellikleri NPN Tipler -BC875 -BD645 -BD675 -BU808 (60 V / 1 A / 0,8 W / 200 MHz). (80 V / 8 A / 62,5 W / 7 MHz / C-E ular aras gvde iinde diyotla korumal). (45 V / 4 A / 40 W / 7 MHz / C-E aras gvde iinde diyotla korumal). (1400/700 V / 5 A / 50 W).

PNP tipler -BD902 (100 V / 8 A / 70 W / 1 MHz / C-E aras gvde iinde diyotla korumal). -MJ2501 (80 V / 10 A / 150 W).

Diyotlu g transistrleri Bobinleri ve trafolar beslemede kullanlan g transistrlerinin baz modellerinde C-E ayaklar arasna gvde iinden paralel olarak diyotlar balanmaktadr. Diyotlar, bobinlerin oluturduu yksek endksiyon gerilimlerini kendi zerlerinden (ters ynde) geirerek transistrn zarar grmesini (C-E arasnn yksek polarma gerilimi nedeniyle bozulmasn) engellerler. Kataloglarda diyotlu tip transistrlerin zellikleri aklanrken, "Di" ksaltmas kullanlr.

Di

ekil 4.34: Diyotlu g transistr

Foto transistrler (photo tr, ph-tr) Beyz ucuna k dtnde C-E arasndan akm geiini salayan elemanlardr. Foto diyotlardan farkl olarak kla retilen akm ykseltme yaparlar. Bu zellikleri sayesinde foto diyotlardan ok daha stndrler.
102

 yar iletkenin birleiminden Foto diyot oluan foto transistrlerin C-B ular C C arasna balanm olan foto diyota k enerjisi (foton) gelebilmesi iin beyz ucunun bulunduu ksma mercek B B eklinde cam yerletirilmitir. Mercek, E E n ieriye odaklanarak girmesini salamaktadr. ekil 4.36'da foto ekil 4.35: Foto ekil 4.36: Foto transistrlerin yaps verilmitir. transistr sembolleri transistrlerin yaps Foto transistrler iki ya da bacakl olarak retilir. bacakl olan modellerde mercek boyanacak olursa eleman normal transistr haline geer. Mercek boyanmaz ve beyz ucu da devreye balanacak olursa "beyze iki etki sz konusu olacandan" C-E arasndan geen akmn miktarndaki deime daha fazla olur. ki bacakl foto transistrlerde (kullanm kolayl bakmndan) beyz ucu darya karlmamtr. Bu elemanlar, tv, video, mzik seti, klima gibi cihazlarn uzaktan kumanda devrelerinde, gn na duyarl olarak eitli aygtlarn ve alarm sistemlerinin altrlmasnda vb. kullanlmaktadr. Foto diyotlarn zerinden geirebildii akm mikro amper (mA) dzeyindedir. Foto transistrler ise mili amper dzeyinde bir akm geiini mmkn klarlar. Akmn byk olmas baka bir devreyi altrmada (srmede) kolaylk salar.

ekil 4.37: Uygulamada kullanlan eitli foto transistrler

Baz foto transistrler: BP103B, BPW40, SFH309, BPY62-2, BPX99... BP103B tipi foto transistrn karakteristik zellikleri: Kollektr-emiter gerilimi (UCE): 35 V. Kollektr akm (IC): 100 mA. Kollektr-emiter sznt akm (I CEO): 5 nA. Endstriyel uygulamalarda foto transistrlerin alma ilkesine dayal olarak alan foto tristr, foto triyak, foto fet vb. gibi elemanlar da kullanlmaktadr. Darlington foto transistrler Bir foto transistr ile normal transistrn arka arkaya balanmasyla elde edilen devre elemanlarna darlington foto transistr denir. Bu elemanlarn a kar duyarllklar normal foto transistrlere oranla ok fazladr. ekil 4.38'de darlington foto transistr sembol verilmitir.
103

ekil 4.38: Darlington foto transistr sembol

C- TRANSSTRLERN ELEKTRKSEL KARAKTERSTKLER Herhangi bir transistrn zelliklerinin ortaya karlabilmesi iin karakteristik ile ilgili deneylerden yararlanlmaktadr. Bu deneyler unlardr: a- Statik ve dinamik karakteristik deneyleri Transistrlerin giri-k akmlar, gerilimleri ve gleri hakkndaki bilgileri almak iin yaplr. Statik karekteristik deneyleri sadece DC ile alma, dinamik karekteristik deneyleri ise DC besleme ve AC giri sinyali ile alma durumundaki zellikleri ortaya koymaktadr. b- Isl (termik) karakteristik deneyleri Isnan bir transistrdeki deiimlerin ortaya konmas iin yaplan deneylerdir. Uygulamada kullanlan transistrlerde ortam scaklnn her 8C'lik artnda kollektremiter aras kaak akm (beyz tetikleme akm sfr iken) yaklak iki kat artmaktadr. rnein germanyumdan yaplm bir transistrde 25C'lk ortamda kaak akm ICEO = 0,3 mA dolayndadr. Ortam scakl 33C olduunda ise kaak akm I CEO = 0,6 mA'e ykselmektedir. Grld zere transistrn gvde scakl arttka ICEO kaak akm da artmaktadr. (ICEO: Beyz akm 0 A iken C-E arasndan geen akm deeri.) Scakl artan transistrlerin verebilecei g azaldndan, devrenin almasndaki denge az veya ok bozulur. Transistr kataloglarnda verilen maksimum dayanma gleri 25C'deki deerlerdir. Bu scaklk deeri, kk gl transistrlerde ortam scakln, byk gl transistrlerde ise elemann gvde scakln belirtir. c- Frekans karakteristik deneyleri Elektronik devrelerin alma frekanslar farkl farkldr. rnein radyonun devresiyle tv devresinin alma frekanslar farkl olmaktadr. Elektronik devrelerde kullanlan transistrlerin frekanslar ykseldike g kazanlar dmekte, fiyatlar ise artmaktadr. NPN transistrlerde elektrik ykleri elektronlar tarafndan tanrken, PNP transistrlerde oyuklar tarafndan tanr. Elektronlar, oyuklara gre biraz daha hzl hareket edebildiklerinden, yksek frekansl devrelerde daha ok NPN tip transistrler kullanlmaktadr. d- Limit (snr) karakteristik deneyleri Gnmzde binlerce eit transistr, eitli elektronik sistemlerde kullanlmaktadr. Kullanlan elemanlarn teknik zellikleri kataloglarda bulunur. Eer bir transistr ar yk altnda kalr ya da anormal koullar altnda altrlrsa bozulmaktadr. O nedenle elemann snr (limit) deerlerinin zerine kmaktan kanlmaldr. Bozulan bir transistrn ayns bulunamaz ise muadili (edeeri, karl) olan eleman seimi yaplrken, limit deerlerinin uygun olup olmadna dikkat edilmelidir. Kataloglarda bulunan limit deerleri Maksimum kollektr gerilimi (VCmax, UCmax). Maksimum kollektr akm (ICmax). Maksimum dayanma gc (Pmax).
104

Maksimum C-B birleim blgesi scakl (Tjmax). Maksimum C-B gerilimi (VCBmax, UCBmax). Maksimum E-B gerilimi (VEBmax, UEBmax). Kazan (b, hfe).
Ad BC140 BC141 BC237 BC308 BC547 2N3055 BD135 BD136 Baz transistrlerin limit karakteristik deerleri Tipi UCBmax UCEmax UEBmax ICmax NPN 80V 40V 7V 1A NPN 100V 60V 7V 1A NPN 50V 45V 6V 100 mA PNP 30V 25V 5V 100 mA NPN 50V 45V 6V 100 mA NPN 100V 60V 7V 15 A NPN 45V 45V 5V 1A PNP 45V 45V 5V 1A b (hfe) 40 40 110 75 110 20 40 40

Transistrlerin ykselte olarak altrlmas durumunda yaplan hesaplamalarda kullanlan 4 blge statik karakteristik erileri Transistrl ykseltelerin zelliklerini ve teknik deerlerini tam olarak ortaya koyabilmek iin drt adet deney yaplarak drt tane karakteristik 2. Blge 1. Blge erisi karlr. Bu erilere ksaca "drt blge karakteristikleri" denir. Drt blge karakteristik erileri IB (mA) retici firmalar tarafndan her transistr iin karlp kataloglarda yaynlanr. Bundan ama, 3. Blge 4. Blge transistrl devre tasarmclarnn iini kolaylatrmaktr. Drt blge statik karakteristiklerinin iyi bilinmesi, ykselte tasarm ve retiminde ekil 4.39: Transistrlerin emiteri ortak balantl hesaplamalarn kolayca almasnda 4 blge karakteristik erileri yaplabilmesini salar.
105

IB=50 mA

IB=0 mA

Ykselte olarak kullanlan transistrlerin alma zellikleri yledir: Drt blge karakteristik erilerinin nasl karldn aklamadan nce koordinatlar sistemi zerinde topluca gstermek istersek ekil 4.39 elde edilir. Bir transistrn giri devresine AC bir sinyal uygulamadan DC gerilim altnda almasna "transistrn statik almas" denir. Bu durumun aklamalar yaplrken deerler byk harflerle (UBE, UCE, IE, IB vb. gibi) gsterilir. Transistrn giri devresine AC zellikli bir sinyal uygulanarak DC gerilim altnda almasna "transistrn dinamik almas denir. Bu durumun aklamalar yaplrken deerler kk harflerle (Ube, Uce, Ie, Ib vb. gibi) gsterilir. ekil 4.40'a baknz.
a) Statik alma b) Dinamik alma

ekil 4.40 : Transistrlerin statik ve dinamik almasnda kullanlan notasyonlar (terimler)

mA

Ykselte devrelerinde kullanlan transistrlerin 4 blge karakteristikleri ekil 4.41'de verilen balant emasyla bulunabilir.

UCC UBB P 50-500 KW

ekil 4.41: Transistrlerin drt blge karakteristik erilerinin karlmasnda kullanlan deney balant emas

Transistrlerin drt blge karakteristik erilerinin blmleri a- 1. Blge karakteristii (k karakteristii) Kollektr akm ve kollektr-emiter gerilim ilikisini, yani, UCE k geriliminin deiimine gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. Sonuta, Rk=UCE/IC denklemi kullanlarak ykseltecin k direnci (empedans) saptanr.
106

Deney yaplrken: I- Parametre olarak alnan I B akm UBB kayna ile 0 Amper'e ayarlanr. II- UCC kayna ayarlanarak elde edilen kademeli UCE ve IC deerleri kaydedilir. III- U BB ayarlanarak I B parametreleri bir ka kez tekrarlanr. IV- Alnan deerlerle grafikler izilerek "U CE -I C" karakteristii karlr.

Aktif blge

Kollektr-beyzterskrlmagerilimi

IB=50 mA

Doyum blgesi

Kesim blgesi

Krlma blgesi

ekil 4.42: Transistrlerde UCE geriliminin ekil 4.42'deki kollektr akm deiimine gre IC akmnn deiimi erilerinden birisi incelenecek olursa farkl blgenin (Kesim, aktif, doyum) sz konusu olduu anlalr. ekil 4.42'de kollektr-beyz ters gerilimi krlma blgesine kadar ulam kollektr erisi grlmektedir. Transistrn maksimum kollektr-emiter gerilim oran aldnda ters polarmal kollektr beyz birleiminin ters krlma tehlikesi belirir. Bu noktada transistr bozulur. Bu deneyde, kollektr akmnn hzla artt balangtaki blge doyum blgesidir. Bu blge kollektr beyz geriliminin doru polarize edildii ve normal transistr olaynn olmad blgedir. UCB gerilimi 0,7 Volt'un altnda kald srece transistr doyumda kalr. Bu gerilimin zerine klrsa transistr aktif blgeye geer. Aktif blge, transistrn ykselte olarak alt blgedir. Bu blge, kollektr-emiter gerilimi (UCE) ekseni boyunca, erinin doyum noktas ile krlma noktas balangc olarak kalan ksmdr. Transistrn en ok altrld nokta burasdr. E-B birleimi doru, B-C birleimi ters polarmaldr. Bu nedenle, kollektr, emiterin beyze gnderdii elektronlarn byk blmn eker. Kollektr geriliminin deimesi IC akmn etkilemez. Bilindii gibi transistrn drt alma blgesi vardr. Bunlar: Aktif, kesim, doyum ve krlma blgeleridir. Transistr ykselte olarak kullanlrken aktif blgede altrlr. Yani ykselteler, dorusal (lineer) devreler olarak adlandrlr. Bu tip devrelerde giri sinyalinin deiimiyle orantl olarak k sinyali de deiir. Dijital temelli (ak-kapal, 1-0 esasl) devrelerde ve anahtarlama (altrp-durdurma) sistemlerinde ise transistrler kesim-doyum blgelerinden birisinde altrlr. zetlersek: Birinci blge karakteristik erilerinden, transistrn k direnci, akm kazanc, belirli bir RC direncine gre yk dorusu izilir.

Transistrl ykseltelerin DC yk dorusunun izimi Yk dorusu, tip ykselte (emiteri ase, kollektr ase, beyzi ase ykselteler) iin de ayn biimde tanmlanr. Yk dorusunun izimi iin transistrn kesim ve doyumda olduu noktalar saptandktan
107

sonra iki nokta birletirilir. te birletirilen iki nokta arasndaki doruya "DC yk dorusu" denir. Belirlenen deerlere gre transistrn almas bu hat zerinde olur. Yani, IC'nin deiimine karlk gelen UCE deerinin deiimi bu hat zerinde olur. I C 'nin deiimine karlk gelen U CE deerinin deiimi bu hat yardmyla belirlenir. alma noktas Yk dorusu zerinde bulunan, transistrn hangi k akm ve gerilimi ile altn gsteren noktadr.

ki noktann bulunuu yledir: I- IB akm sfr yaplr. Bu durumda IC akm da sfrdr. UCE = UCC - IC.RC'den IC = 0 A iken UCE = UCC olur. II- RB'nin diren deeri ayarlanarak IB akm doyum noktasna getirilir. Bu durumda UCE = 0 Volt ya da sfra yakn dzeyde olur. Buna gre denklem yazlrsa: 0 = UCC-IC.RC ICdoyum = UCC/RC olur. Ardndan, yukarda hesaplanan iki deer 1. blge karekteristik erileri zerinde izilerek yk dorusu bulunabilir. Sonu olarak: Transistrn beyz ucuna uygulanan akma gre C-E arasndan geen akm (IC) deiir. Beyz akm sfr olduunda transistrn IC akm sfr olur ve UCE byr. alma noktas yatay eksene doru yaklar. Beyz akm arttrldnda IC akm artar ve UCE gerilimi azalr. alma noktas dikey eksene doru yaklar. te transistrn deiik noktalarda altrlmas sonucu bir ok elektronik devre gerekletirilebilmektedir.

ekil 4.43: Deiik beyz akmlarna gre IC akmnn ve UCE geriliminin deiiminin belirlenmesi ve yk dorusunun izimi

b- 2. Blge karakteristii Kollektr akmyla beyz akmnn ilikisini, yani, IB giri akmndaki deiime gre, IC k akmndaki deiimi gsterir. 2. Blge karakteristik erisini karmak iin deney yaplrken ilk nce UCE ularna bal olan UCC kaynann gerilimi 4,5 Volt'a ayarlanr. UBB kayna ile IB akm 10 mA yaplp IC akm okunur. UBB ayarlanarak IB akm 20, 30, 40, 50, 60 mA deerleri iin IC akm okunup kaydedilir.
108

lmler yapldktan sonra alnan rakamlar karakteristik erisine aktarlr ve ekil 4.44'deki ikinci blge erisi karlr. Sonuta, b = IC/IB kullanlarak ykseltecin b akm kazanc bulunur.

IB (mA)

UCE=4,5 V (Sabit)

U BE 'nin deiimine bal olarak IB akm deimektedir

IB (mA) ekil 4.44 : Transistrlerin 2. blge karakteristii ekil 4.45: Transistrlerin 3. blge karakteristii

c- 3. Blge karakteristii (giri karakteristii) Beyz-emiter gerilimi, beyz akm ilikisini, yani, UBE giri gerilimindeki deiime gre, IB giri akmndaki deiimi gsterir. Sonuta, Rgiri = UBE/IB denklemi kullanlarak ykseltecin giri direnci (empedans) saptanr. Alnan deerler ile ekil 4.45'deki grafik izilerek "U BE-IB" karakteristii elde edilir. ekil 4.45'deki nc blge grafiine baklacak olursa silisyum transistrn beyzine uygulanan gerilim 0,6 - 0,7 V olduunda iletim (IB akmnn art) sz konusu olmaktadr. d- 4. Blge karekteristii UBE giri gerilimindeki deiime gre, UCE k gerilimindeki deiimi gsteren karakteristiktir. ekil 4.46'daki erileri karrken UBB ayarlanarak IB akm 10 mA yaplr. Sonra UCC ayarlanarak UCE gerilimi eit aralklarla ayarlanp her UCE deerine karlk gelen UBE
109

gerilim deerleri tabloya yazlr. Ayn ilem eitli IB deerleri iin tekrarlanr. Alnan deerlere gre transistrn 4. blge karakteristik erisi karlr. Transistrlerin alma noktalar a- Kesim (cut off) noktas: Bu durumda beyz (B) ucunda tetikleme yoktur ve C-E arasndan akm gememektedir. Yani eleman yaltkandr.

IB=10 mA

b- Doyum (saturasyon, satuekil 4.46: Transistrlerin 4. blge karakteristii deneyinde ration) noktas: Transistrn alnmas gereken deerler ve 4. blge karakteristii beyzine uygulanan tetikleme akm maksimum dzeydedir ve C-E aras iletkendir. Transistr, tayabilecei en yksek akm geirmektedir. c- Aktif alma noktas: Transistr kesim ile doyum noktalar arasnda srekli olarak deikenlik gsterecek biimde almaktadr. Ykselte devresinde kullanlan bir transistr srekli olarak aktif blgede alr. D- TRANSSTRLERN ETL KULLANIM ALANLARI a- Transistrlerin anahtarlama (on-off) eleman olarak kullanlmas Transistrn kesim (yaltm) ve doyum (tam iletim) + 9-12 V durumunda olmas, elemann "anahtarlama" yapc S olarak altrlmasdr. Aktif blgede alma ise 330 W 10 ykselte devrelerinde geerlidir. KW L Anahtarlama eleman olarak kullanlacak transistrn ama kapama (on-off) zamanlarnn "ok NPN BC237 ksa" olmas gerekir. zellikle yksek frekansl 10 devrelerde, zaman rlelerinde, peryodik alan KW sistemlerde, dijital dzeneklerde ama-kapama sreleri ok nemlidir. ekil 4.47: Transistrlerin Alclar mekanik anahtarlarla ve alterlerle altrp anahtar olarak altrlmas durdururuz. Yk (Rout, Ry, RL) bydke yksek akml anahtar (alter) kullanmak gerekir. Bu ise devrede hem ok yer kaplar hem de maliyeti arttrr. te bu nedenle uygulamada, transistr, tristr, triyak vb. gibi elemanlar kullanlarak kk bir anahtarla byk alclara kumanda edilebilmektedir. Byk akmn getii alterlerin olumsuz ynleri I- alter alp kapatlrken byk fiziksel kuvvet gerekir.
110

II- Alp kapanma esnasnda grlt, kvlcm, ark (erare) olur. III- Kontaklar ark nedeniyle belli bir sre sonra geirgenliini kaybeder (bozulur). ekil 4.47'de verilen devrede S mini anahtaryla L alcs (led, lamba, stc, motor vb.) altrlabilir. yleki: S kapatlnca transistrn beyzine kk bir akm gider. Bu akm transistrn C-E ular arasndan yksek deerli bir akm gemesine neden olur. Bu sayede L alcs almaya balar. Aslnda anahtarlama ilemi sadece alc altrmayla snrl deildir. yleki: Baz devrelerde osilasyonlu (salnml) sinyaller elde edebilmek iin transistrl a-kapa (on-off) yapc devreler kullanlr. Yani transistr, C-E arasndan geen akm srekli verir-keser. Bu ileme de anahtarlama denir.
Transistrlerin anahtar olarak kullanlmas durumunda yklerin eitleri ve zellikleri: Transistrl devrelerde alc olarak balanan yklerin herbirinin kendine gre zellikleri vardr. rnein bir lamba ile bir rlenin transistr zerindeki etkileri farkl olmaktadr. imdi bu yklerin etkilerini inceleyelim. I- Omik zellikli ykler: Devrenin almas normaldir. Ama-kapama esnasnda elektriksel olarak bir lineerlik (dorusallk) sz konusudur. Yani alc zerine den gerilim arttka, alcdan geen akm artar. Omik alcnn transistr zerinde herhangi bir yan etkisi sz konusu deildir. II- Endktif zellikli (bobinli) ykler: Anahtarla devreye akm uyguland anda bobin, transistrn aniden iletken olmasn geciktirir. Bu durum bobinlerin kendine has zelliinden dolaydr. Transistre uygulanan akm kesildiinde ise bobin yksek deerli bir endksiyon gerilimi retir. Oluan bu gerilimin deeri bobinin endktans deerine (L) baldr. Bu sebeple, bobinin yaratt yksek endksiyon geriliminin transistre zarar vermesini engellemek iin bobine paralel olarak diyot, kondansatr ya da VDR balanr. (Bobinlerin DC ve AC akmlara kar davranlar endstriyel elektronik dersinde incelenmektedir.)

9-12 V

P 10-50 KW T BC237 R2 1 KW S

III- Kapasitif zellikli (kondansatr) ykler: Kapasitif yk, devreye enerji verilince akm ykselmesine neden olur. Ama esnasnda ise bu yk akm hzla azaltr. Bunu engellemek iin kapasitif zellikli yke paralel olarak uygun deerli bir diren balanr.

ekil 4.48: Transistrlerin ayarl diren olarak kullanlmas

b- Transistrlerin ayarl diren (reosta) olarak kullanlmas Byk gl alclarn akm ayar, yksek akml ve byk gvdeli reostalarla yaplabilir. Fakat reostalar hem ok yer kaplar, hem de ek bir enerji tketirler. Ancak, pot ve transistr temeli zerine kurulu devrelerle daha iyi akm kontrolu yaplabilir. ekil 4.48'de verilen devrede Pnin deeri deitirildike beyze giden tetikleme akm deiir ve buna bal olarak Cden Eye geen akm ayarlanarak Lnin gc kontrol edilmi olur.
111

9-12 V

R1 3.3KW

E- TRANSSTRLERN YKSELTE OLARAK KULLANILMASI Transistrler kullanlarak teyplerin "okuyucu kafas", "mikrofon" vb. gibi dzeneklerin rettii zayf elektrik sinyalleri glendirilebilir. Ck rnein mikrofon, ses Cgiri DC polarma direnci dalgalarn, iindeki mini bobin sayesinde Ykseltilecek TR elektrik sinyallerine sinyal buradan eviririr. Bu sinyaller uygulanr ok kk deerli olduundan hoparlr Ykseltilmi besleyemez (sremez). sinyal buradan alnr te bu nedenle araya transistrl (ya da entegreli) ykselte ekil 4.49: Transistrlerin ykselte olarak devresi konulur. kullanlnn basite gsterilmesi Ykselte olarak altrlan bir transistrn, I- Akm kazanc. II- Gerilim kazanc. III- G kazanc salamas istenir. Transistrlerin ykselte olarak kullanlmasyla ilgili geni bilgi 6. blmde verilmitir. F- TRANSSTRN ALIMA KARARLILIINI OLUMSUZ YNDE ETKLEYEN (TRANSSTR BOZAN) UNSURLAR a- Ar yklenme (limit deerlerin zerine kma): Her transistrn dayanabilecei bir akm, gerilim, frekans deeri vardr. Bunlar kataloglarda verilmektedir. Transistre tayabilecei deerden fazla ykleme yaplrsa, almas dengesizleir. Hatta eleman bozulabilir. reticiler deiik frekans bantlar (aralklar) iin ayr ayr transistrler yaparlar. Yani her transistrn alma frekans farkldr. Uygulamada kullanlan transistrler alma frekans bakmndan, alak, yksek ve ok yksek (mikro dalga) frekans transistrleri olarak snflandrlrlar. Frekans ykseldike transistrn g kazanc dmektedir. Ayrca frekans ykseldike elemann ayaklar (elektrotlar) aras kaak kapasite artmaktadr. Kaak kapasite etkisini azaltmak iin eleman retilirken beyz yzeyi olabildiince ince yaplp beyz direnci arttrlr. Ayrca elektrotlarn (B-E-C) duru ekli deitirilir. lave olarak yksek frekansl transistrlere drdnc bir ayak eklenir ve bu ayak montaj srasnda devrenin asesine balanr. b- Yksek scaklk: Transistrler ve dier yar iletken devre elemanlar scaklktan olumsuz etkilenirler. Yani scaklk ar artnca transistr oluturan yar iletkenlerde kovalent balarn bir ksm bozulur ve serbest hale geen elektron says artar. Bu ise ktan alnan deerlerin deimesine yol aar. te yandan, scaklk artnca kollektr sznt akmlar (I CBO, ICEO) ykselir. Transistrl devrelerde iki sdan sz edilir. Bunlar, d ve i sdr. D s devrenin bulunduu
112
Yk direnci

ortamdan kaynaklanr. s ise, elemandan geen akmn istenmeyen ekilde artmasyla oluur. Germanyum transistrler yaklak 85C, silisyum transistrler ise yaklak 195Cden sonra bozulur. Bu nedenle, tad akm yksek olan elemanlar alminyum alaml soutuculara balanr. Hatta ok hassas olan elemanlarn zerinde (bilgisayar entegrelerinde vb.) fanl (pervaneli) DC motorlar vardr. c- Manyetik alanlar: Elektronik devre elemanlar d manyetik alanlardan olumsuz etkilenirler. zellikle hassas transistr ve entegreler ar manyetik alanda yanl almaya balarlar. Uygulamada d manyetik alanlarn bozucu etkisini yok etmek iin Faraday kafesiyle ekranlama (perdeleme) yaplr ve ekranlayc olarak kullanlan metal kutunun gvdesi aseyle (eksi u, toprak, gnd) irtibatlandrlr. d- Transistrleri ters polarize etme (ters gerilimlerle altrma): Transistrn ayaklarna uygulanan gerilimlerin ynne ok dikkat edilmelidir. Yanl balama yaplr ve uygulanan gerilimin deeri transistrn dayanabilecei maksimum deerden yksek olursa eleman tahrip olabilir. e- Kt lehim ve kirlenme: Transistrlerin lehimlenmesi dzgn ve abuk yaplmaldr. Kalitesiz havya ve lehimle yaplan ilemde souk lehim ad verilen kt temasl lehim olur. Bu da devrelerin abucak arzalanmasna yol aar. Lehimleme ileminden sonra allan yer, fra, tiner, alkol, ispirto vb. temizleyicilerle artlmaldr. Toz, nem, gne ve yksek scaklk elektronik devreleri olumsuz etkiler. nk, toz ve nem birletii zaman elektronik devrede ksa devreye yol aabilir. Arzalar azaltmak iin, ar tozlanm elektronik cihazlar zaman-zaman (kirlenme durumuna gre), emici ya da fleyici elektrikli sprge (kompresr) ile temizlenmelidir. Nemin bir baka etkisi: Televizyonu ya da bilgisayar souk ve nemli d ortamdan scak bir ortama getirdiiniz zaman hemen altrmaynz. nk, d ortamdaki nem, tplerin arka ksmndaki cam yzeyde ince bir su tabakas oluturur. Cihaz altrlnca tpe 20.000 ila 25.000 Volt dolaynda bir gerilim uygulandndan, elektriksel atlamalar olabilir. Bu ise tpn ya da hassas entegrelerin arzalanmasna yol aar. f- Sarsnt: Elektronik cihazlar (tv, bilgisayar vb.) alrken sarslmamaldr. nk sarsnt lehim balantlarnn kopmasna, atlamasna yol aabilir.

G- TRANSSTRLERDE ALIMA NOKTASININ STABLZE EDLMES (DENGEL HALE GETRLMES)

Transistrl devrelerin dengeli bir ekilde uzun sreli olarak alabilmesini salamak iin tasarlanan devrelerin hesaplamalar titizlikle yaplr. Bunun yannda devre retiminde kaliteli elemanlar kullanlr. lkemizde son derece kt kaliteli elemanlar kolayca satlabilmektedir. En basit bir rnekle durumu aklayacak olursak, ok yaygn kullanlan BC237 adl transistrn "markal" ve "markasz" olmak zere iki tipi vardr. Markasz olan BC237, markalnn yar fiyatna satldndan ok tercih edilmektedir. Haliyle, ucuz ve kalitesiz elemanla yaplan devrenin uzun mrl olmayaca bir gerektir. O nedenle hassas alma istenilen yerlerde kaliteli eleman kullanlmaldr. Yar iletkenler scakla ok duyarl elemanlardr. 25 C ortam scaklnda alacak ekilde tasarlanm bir elektronik devrede, ortam scakl ykseldii anda, IB, IC, UCE deerleri hemen deiir. Devrede akm-gerilim ve kazancn deimesi ktan alnan sinyalleri de deitirir. 6. Blmde transistrl ykseltelerin dengeli almasn salamak iin uygulanacak yntemler geni olarak aklanmtr.
113

H- TRANSSTRLERN ETL STANDARTLARA GRE KODLANMASI Transistrler eitli gvde biimlerinde ve teknik zelliklerde retilirler. Yani her transistrn karakteristii farkldr. Uygulamada kullanlan transistrlerin gvdelerinde, retici firma kodu, teknik zellik belirten kodlar, ayak adlar ile ilgili bilgiler bulunmaktadr. Transistrlerin kodlanmasnda kullanlan standartlar a- Eski Avrupa standart: OC, OD ile balayp iki ya da rakam ile devam eden kodlamadr (OC445 gibi). O: Elemann germanyumdan yapldn belirtmektedir. Bu tip kodlu elemanlar eski model cihazlarda karmza kmaktadr. Nadiren karlald iin genie anlatlmayacaktr. rnekler OA71: Germanyumdan yaplm dk gl ses frekans transistr. AF126: Germanyumdan yaplm dk gl yksek frekans transistr. ASZ16: Germanyumdan yaplm dk gl anahtarlama transistr. nc harf Z ise, elemann endstriyel amal olduunu belirtir. b- Yeni Avrupa (pro electron) standart Birinci harf: Elemann yapmnda kullanlan yar iletkenin cinsini belirtir: A: Germanyum. B: Silisyum (silikon). C: Galyum arsenik. D: ndiyum antimuan. R: Polikristal (oklu kristal) yar iletken.

ekil 4.50: Transistrlerin Avrupa standartlarna gre kodlanmas

kinci harf: Elemann cinsini ve kullanld yeri belirtir. A: Ses frekans nykselte devrelerinde kullanlr. C: AF (alak frekans, ses frekans), dk gl k devrelerinde kullanlr. D: Ses frekans (AF) g transistr. F: Yksek frekansl, gsz transistr. L: YF (yksek frekans) g transistr. P: Ia duyarl devre eleman. (Foto transistr vb.) S: Kk gl anahtarlama transistr. U: Gl anahtarlama (switching) transistr. Z: Yksek gl anahtarlama transistr. nc harf ve rakamlar: X, Y, Z: Elemanlarn endstriyel (profesyonel, yksek kaliteli) amal olduunu gsterir. Rakamlar ise dier retim bilgilerini verir. rnekler: -AC...: Germanyum, dk gl, alak frekansl transistr. -BC...: Silisyum, dk gl, alak frekansl transistr. -BD...: Silisyum, orta gl, alak frekansl transistr. -BF...: Silisyum, dk gl, yksek frekansl transistr. -BDX...: Silisyum, orta gl, alak frekanslarda alan endstriyel amal transistr. -BC337: Anahtarlama ve ykselte (zellikle dk gl k katlar) devrelerinde kullanlabilir. Kollektr-emiter doyum gerilimi (UCES): 50 V. Ters ynl emiter-beyz gerilimi (UEB0): 5 V. Kollektr akm (IC): 800 mA. Maksimum kollektr akm (ICmaks): 1 A. Beyz akm (IB): 100 mA. G harcamas (Ptot, Ptoplam): 625 mW. Jonksiyon scakl (Tj): 150 C. -BF257: Silisyumdan yaplm dk gl yksek frekans transistr.
114

c- ABD (EIA, Amerikan) standart "2N" ile balayan kodlara sahip transistrler ABD standartndadr. 2N575, 2N3055. Dier ABD kodlar: ZN, CK. Amerikan standartna gre yaplan kodlamalarda ekil 4.51: Transistrlerin 1: Diyot. 2: Transistr. 3: FET. Amerikan standartlarna 4: Optokuplr anlamna gelir. gre kodlanmas ABD standartlarna gre kodlamalarda birinci harften sonra gelen N harfi elemann yapmnda kullanlan maddenin silisyum olduunu belirtir. N'den sonra gelen saylar ise firma tarafndan verilen imalat seri numaralardr. rnek -2N3055: NPN, Si, ICmax: 15 A, UCBmaks: 100 V, UCEmax: 60 V, UEBmax: 7 V, TCmax: 200C, ABD standartlarna gre karl: 2N3713, Avrupa standartlarna gre karl: BDX10, Kullanm alan: G transistr. d- Japon standart 2S ile balar. Baz tiplerde 2S rumuzu kullanlmadan dier rumuzlar kullanlr. rnein 2SC403, C403 olarak ifade edilebilir. ekil 4.52: Transistrlerin 0: Foto diyot. 1: Diyot. 2: Transistr, tristr. S: Yar iletkenin Japon standartlarna gre kodlanmas silisyum olduunu belirtir. 2Sden sonra gelen harfler: A: PNP yksek frekans transistr. B: PNP alak frekans transistr. C: NPN yksek frekans transistr. D: NPN alak frekans transistr. F: Tristr. J: P kanall fet. K: N kanall fet. M: Triyak. rnekler -2SD386A: 2: Transistr, S: Silisyum, D: NPN tip, alak frekansl, 386: EIAJ kuruluunun verdii seri numara. A: Gelitirilmesine ait imalat numaras. e- zel kodlu firma standartlar Baz firmalar taklidi nlemek iin zel kodlu transistrler retmektedir. Firma kodlaryla ilgili bilgiler: MPM, MPQ, HEP, MD, MF, MHQ, MJ, MJC, MJE, MM, MMCF,
MMCM, MMCS, MMF, MMT, MP...: Motorola kodlar. NS: National firmasnn kodu. TF, XA,XB, XC...: Siemens kodlar. HJ: Hitachi kodu. PL, TM...: Texas kodlar. TK, TS...: ITT kodlar. SGS: Semitron kodu. GFT: Te Ka De kodu. OT: Lukas kodu.

Transistr standartlar "kalite" bakmndan ikiye ayrlr

a- Ticari standartlar: Transistrn kodunun ba tarafnda iki harf vardr. ki harfli kodlamaya sahip transistrler yksek kaliteli deildir. BC237, BC238, BC140, BD135... gibi. b- Endstriyel (profesyonel) standartlar: Ba taraf harf ile kodlanmtr (X, Y, Z). Yksek kalitelidir.
115

rnekler
BCX...: Pro elektron standart, silisyum, dk gl, dk frekansl, endstriyel amal transistr. BDX...: Pro elektron standart, silisyum, orta gl, alak frekansl, endstriyel amal transistr.

Transistr kataloglarnda bulunan deerlerin incelenmesi Kataloglar, retici firmalarn retikleri elemanlarn zelliklerini kullanclara aktarmaya yararlar. Katalog bilgilerini ksmda inceleyebiliriz. a- Maksimum gerilim snrlar: Transistrn alma snrlarn belirleyen en nemli zellikler maksimum gerilim snrlardr. rnein transistr kesimdeyken C-E gerilimi (UCEO,VCE0), C-B gerilimi (UCB0), B-E ters polarma gerilimi (UEB0) izin verilen snrlarn zerine kmamaldr. UCEO : B ucu akken, C-E arasna uygulanabilecek en yksek gerilim deeridir. UCB0: E ucu akken, C-B arasna uygulanabilecek maksimum ters gerilim deeridir. UEB0: C ucu akken, E-B arasna uygulanabilecek maksimum ters gerilim deeridir. b- Maksimum akm snrlar: Transistrler ektikleri (tayabildikleri) maksimum kollektr akmyla bilinirler. Devre tasarmnda, ekilecek akm deeri belirlenirken, harcanan g deeri almayacak biimde seim yaplr. rnein, 2N3904 kodlu transistrde maksimum akm deeri 200 mA'dir. c- Maksimum g harcama snr: alma srasnda kollektr akm (IC) ile C-E geriliminin (UCE) arpm transistrde harcanan gc verir. P = UCE.IC [W] Kataloglarda bu deer 25 C ortam scakl iin verilir. Pratik hesaplamalarda her 1C'lk scaklk art iin gc bir ka mW azaltmak gerekir. Her 1C'lk arta gre yaplacak azaltma miktarna "azaltma faktr" denir. Yksek scaklkta altrlan bir transistrn gc azaldna gre IC akmnn da decei unutulmamaldr. Yani, 25 C'da 1 Amper tayabilen bir transistrn akm 50 ila 60 C'lk scaklklarda % 50 ila 75 orannda azalr. Transistr kataloglarnda verilen baz ksaltmalarn anlamlar f: Frekans. fo: Test frekans. fb: Kesim frekans. fT: Gei frekans. Icmax (IC): Maksimum kollektr akm. UCC (VCC): Transistrl devreyi beslemede kullanlan DC besleme kayna. UCEsat (VCEsat): IB ve belirli bir ICde kollektr-emiter doyum gerilimi. Ptot: Transistrn gc. b (hfe): Kazan. IB: Beyz akm.
116

Tjmax (Tj): Eklem scakl (jonksiyon blgesinin dayanabilecei maksimum scaklk deeri). Tcase: Klf ss. Case: ase. Type: Tip (NPN ya da PNP).

TUN: Herhangi bir NPN transistr, TUP: Herhangi bir PNP transistr.
ekil 4.53: TUN ve TUP transistrlere ilikin rnekler

Komplementer (elenik, ayn zellikte ancak birbirinin ztt) transistr rnekleri

NPN BC107 BC108 BC140 BC141 BC237 BC238 BC239 BC337

PNP BC177 BC178 BC160 BC161 BC307 BC308 BC309 BC327

NPN BC338 BC546 BC547 BC548 BC635 BCW60 BCX70 BCY58

PNP BC328 BC556 BC557 BC558 BC636 BCW61 BCX71 BCY78

NPN BD135 BD137 BD139 BD175 BD201 BD235 BD643 BD679

PNP BD136 BD138 BD140 BD176 BD202 BD236 BD644 BD680

Sorular 1- Transistrn tanmn yapnz ve alma ilkesini aklaynz. 2- Transistrn drt blge karakteristik erilerinin karlmas bize hangi bilgileri verir? Yaznz. 3- BC237, BC308, BC547 kodlu transistrlerin zelliklerini katalogdan bakarak belirleyiniz 4- a b g akm kazanlar hakknda bilgi veriniz. , , 5- Transistrn anahtar olarak kullanlmasn ekil izerek anlatnz. 6- Transistrlerin dzgn alabilmesi iin alnan nlemler nelerdir? Anlatnz. 7- Transistrn salamlk testinin ohmmetreyle nasl yapldn aklaynz.

117

Ad Ad AC126 AC127 AC187K AC188K AD149 BC107 BC108 BC109 BC140 BC141 BC148 BC149 BC160 BC161 BC168 BC237 BC238 BC239 BC307 BC308 BC327 BC328 BC337 BC546 BC547 BC548 BC549 BC556 BC557 BC558 BC559 BC635 BD135 BD136 BD139 BD140 BD233 BD237 BD239 BD240 BD242 BD244 BF257 BPW14-C MJ2500 MJE3055 2N1613 2N1711 2N2219 2N2222 2N3053 2N3055 2SC1384 2SD970 TIP140 TIP3055

Yaygn olarak kullanlan baz transistrlerin teknik zellikleri

Yapld madde ve tipi Klf ekli zellii zellii

Karlklar Karlklar

GE-PNP 2 GE-NPN 2 GE-NPN 1 GE-PNP 1 GE-PNP 16 S-NPN 4 S-NPN 4 S-NPN 4 S-NPN 3 S-NPN 3 S-NPN 12 S-NPN 12 S-PNP 3 S-PNP 3 S-NPN 8 S-NPN 9 S-NPN 9 S-NPN 9 S-PNP 9 S-PNP 9 S-PNP 9 S-PNP 9 S-NPN 9 S-NPN 9 S-NPN 9 S-NPN 9 S-NPN 9 S-PNP 9 S-PNP 9 S-PNP 9 S-PNP 9 S-NPN 8 S-NPN 17 S-PNP 17 S-NPN 17 S-PNP 17 S-NPN 17 S-NPN 17 S-NPN 14 S-PNP 14 S-PNP 14 S-PNP 14 S-NPN 3 S-NPN 7 S-PNP 16 S-NPN 17 S-NPN 3 S-NPN 3 S-NPN 3 S-NPN 3 S-NPN 3 S-NPN 16 S-NPN 8 S-NPN-DARLNGTON 19 S-NPN 15 S-NPN 16

32V-0,2A 32V-0,5A-0,34W 25V-1A-1W 25V-1A-1W 50V-3,5A-27,5W 45V-0,2A-0,3W 20V-0,2A-0,3W 20V-0,2A-0,3W 80V-1A-0,75W 60V-1A-0,75W 30V-0,2A-0,3W 30V-0,2A-0,3W 40V-1A-0,75W 60V-1A-0,75W 30V-0,2A-0,3W 50V-0,2A-0,3W 30V-0,2A-0,3W 30V-0,2A-0,3W 50V-0,2A-0,3W 30V-0,2A-0,3A 50V-0,8A-0,625W 30V-0,8A-0,625W 50V-0,8A-0,625W 65V-0,2A-0,5W 45V-0,2A-0,5W 30V-0,2A-0,5W 30V-0,2A-0,5W 65V-0,2A-0,5W 45V-0,2A-0,5W 30V-0,2A-0,5W 30V-0,2A-0,5W 45V-1A-0,8W 45V-1,5A-12,5W 45V-1,5A-12,5W 80V-1,5A-12,5W 80V-1,5A-12,5W 45V-2A-25W 100V-2A-25W 45V-2A-30W 45V-2A-30W 45V-3A-40W 45V-6A-65W 160V-0,1A-0,8W FOTOTRANSSTR 60V-10A-150W 70V-10A-90W 75V-0,5A-0,8W 75V-0.5A-0.8W 60V-0.8A-0.8W 60V-0,8A-0,8W 60V-0,7A-1W 100V-15A-117W 60V-1A-0,75W 120V-8A-50W 60V-10A-125W 100V-15A-90W

AC122(5), AC151(2)... AC176(2), AC187(2)... AC176K(1), AC194K(1)... AC128K(1), AC153K... AD166(16), 2N1540(16), 2N2148(16)... BC547(9), BC237(9), BC207(5)... BC238(9), BC548(9), BC208(5)... BC173(9), BC184(9), BC239(9)... BC301(3), 2N1613(3), 2N1711(3)... 2N1613(3), 2N1711(3)... BC108(4), BC208(5), BC238(9)... BC109(4), BC239(9)... BC304(3), BC460(3)... BC303(3), BC461 (3)... BC108(4), BC238(9)... BC547(9),BC582(9),BC107(4),BC171(9)... BC108(4) BC548(9)... BC109(4), BC549(9), BC584(9)... BC557(9), BC177(4)... BC178(4), BC558(9)... BC297(4), BC727(10)... BC298(4), BC728(10)... BC377(4), BC737(10)... BC174(9), BC190(4)... BC107(4),BC171(9),BC237(9),BC382(9)... BC108(4), BC172(9), BC238(9)... BC109(4), BC239(9)... BC256(9), BC448(10)... BC177(4), BC204(5), BC307(9)... BC178(4), BC205(5), BC308(9)... BC309(9), BC206(9)... BC337(9), BC527(10)... BD226(17), BD233(17)... BD166(17), BD176(17), BD227(17)... BD169(17), BD179(17),BD237(17)... BD170(17), BD180(17), BD238(17)... BD175(17), BD375(17), BD437(17)... BD179(17), BD379(17), BD441(17)... BD241(14), BD243(14), BD575(18)... BD242(14), BD244(14), BD576(18)... BD244(14), BD576(18), BD586(18)... BD596(18), BD606(18)... BF337(3), BF658(3)... BDX64(16),BDX66(16)... BD207(17), BD213(15)... BC141(3), BC301(3)... BC141(3), BC301(3)... BC140(3), BC302(3)... BC546(9), BC637(8)... BC140(3), BC302(3)... BD130(16)... BC337(9), BC337(4)... BDX65(16), MJE3000(16)... BD245(15), BD249C(15)...

118

Krmz nokta

ekil 1

ekil 2

ekil 3

ekil 4

ekil 5

ekil 6

ekil 7

ekil 8

ekil 9

ekil 10

ekil 11

ekil 12

ekil 13

ekil 14

ekil 15

ekil 16

ekil 17

ekil 18

ekil 19

ekil 20

ekil 21

ekil 22

ekil 23

ekil 24

ekil 25

ekil 26

ekil 27

ekil 4.54: Yaygn olarak kullanlan transistrlerin ayaklarnn dizilii

119