KONU ÖZETİ Yarı İletken Teknolojisi

Enerji Enerji Enerji

YARI İLETKEN TEKNOLOJİSİ
İletim Bandı
Yarı iletken maddeler normalde yalıtkandır. Ancak ısı,
ışık ve manyetik etki altında bırakıldığında ya da ge-
Enerji İletim Bandı
rilim uygulandığında bir miktar dış yörünge elektronu
Aralığı Enerji
serbest hale gelir madde yarı iletken özelliği kazanır.
Aralığı
İletim Bandı
Yarı iletken maddenin bu iletkenliği geçicidir ve mad- Valans Bandı Valans Bandı Valans Bandı
deye iletkenlik özelliği kazandıran saydığımız etkiler
O Yalıtkan O Yarı iletken O İletken
kalktığında yarı iletken madde yine tamamen yalıt-
kan olur.
Atomlar yan yana gelince enerji düzeylerinin yarılarak
Atomları düzensiz olarak sıralanan katılar amorf mad- genişlemesi Enerji Bantlarını oluşturur. Enerji Bantları
delerdir. Kristal katıların atomları düzgün sıralıdır. tüm kristallerde bulunur.

Yarı iletken maddeler kristal yapılıdır. Başlıca yarı ilet-
ken maddeler Germanyum (Ge), Silisyum (Si), Selen-
yum (Se), Bakır oksit (CuO), Galliyum Arsenid (GaAs)
gibi maddelerdir.
Kristaller yapı olarak katıdır. Fakat görünüş olarak sı-
vıdır.
Yarı iletkenler 4A grubu elementleridir. Bu element-
ler kararlı hale geçmek için dört adet kovalent bağ
yaparlar.
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI
Kristal atomları birbirine çok yakın olduğundan enerji
seviyeleri üst üste biner ve enerji bantları oluşur.
Bir katının atomlarının elektronlarla tümüyle ya da
kısmen dolu olan en dıştaki enerji bandına Valans
Bandı denir.
Valans Bandının üstünde ise iletkenlik (İletim) Bandı
bulunur. İletkenlik Bandı elektron bakımından tama-
miyle boş en dıştaki enerji bandıdır.
İletkenlik bandı tamamen boş olduğundan bu bant-
ta bulunan elektron küçük bir kuvvetin etkisi altında

atomdan atoma geçebilir.

Yarı iletken maddelere bazı özel maddeler katılarak
iletkenliği artırılabilir. Isı, ışık ve manyetik etki altında
bırakıldığında veya gerilim uygulandığında bir miktar
dış yörünge elektronu serbest hale geçer, yani ilet-
kenlik özelliği kazanır.
Saf Silisyuma ve Germanyuma 5 değerlikli element-
lerle katkı yapılırsa N tipi yarı iletken, 3 değerlikli ele-
mentlerle katkı yapılırsa P tipi yarı iletken elde edilir.
Yarı iletkenler tabiatta basit eleman halinde bulundu-
ğu gibi labaratuvarda bileşik eleman halinde de elde
edilir.
Valans ve iletim bandı arasında hiçbir elektronun bu-
lunamayacağı Yasak Bant (Enerji Aralığı) bulunur.
Enerjileri yeterli olmayan elektronlar bu boşluğu atla-
yarak Valans bandından iletkenlik bandına geçemez-
ler.
Elektronik devre elemanlarının üretiminde yarı ilet-
kenler kullanılır.
Yarı iletkenlerin kullanım alanları şu şekildedir.
Malzeme Kullanım Yeri

Maddelerin iletken, yalıtkan, yarı iletken olarak sınıf- Germanyum Diyot, Transistor,
landırılmasında enerji bantları oldukça etkilidir. (Basit Eleman) Entegre, Devre
Silisyum Diyot, Transistor,
Enerji bandı yalıtkanda çok geniştir ve çok az sayıda (Basit Eleman) Entegre, Devre
serbest elektron içerir. Selenyum
Diyot
(Basit Eleman)
Dolayısıyla serbest elektronlar, iletkenlik bandına at-
Bakır Oksit
layamaz. Diyot
(Bileşik Eleman)
Yarı iletken bir maddenin enerji aralığı yalıtkana göre Galliyum Arsenid Tünel Diyot, Lazer,
daha dar, iletkene göre daha geniştir. (Bileşik Eleman) Fotodiyot, Led
İndiyum Fosfor
İletkende ise valans bandı ile iletkenlik bandı ade- Diyot, Transistor
(Bileşik Eleman)
ta birbirine girmiştir. Bu durumda dışarıda bir ener-
Kurşun Sülfür
ji uygulamaksızın valans elektronların çoğu iletkenlik Güneş Pili (Fotosel)
(Bileşik Eleman)
bandına atlayabilir.

426
 KONU ÖZETİ Yarı İletken Teknolojisi

İletkenlerde sıcaklık arttıkça dirençde artar. Dolayı- Bu malzemede elektronlar azınlık taşıyıcılarıdır.
sıyla iletkenlik azalır.
P tipi madde
Yarı iletkenlerde ise sıcaklık arttıkça direnç azalır. Do-
layısıyla iletkenlik artar.
= Elektronlar
Yalıtkanlar son yörüngelerinde 6 ile 8 arasında değer- = Boşuklar (Deşikler)(Hole)
lik elektronu barındırır. Yarı iletkenlerin son yörünge-
sinde 4 adet değerlik elektronu vardır.

İyi bir iletkenin son yörüngesinde 1 adet değerlik

elektronu vardır. Yarı iletken içindeki deşik hareketi elektrik akımının
geçişini sağlar.
Yarı iletkenler ikiye ayrılır.
P ve N yarı iletkenleri tek başlarına birşey ifade et-
1) N tipi yarı iletken
mez. Bunların ikişerli ya da üçerli birleşimi ile elektro-
2) P tipi Yarı iletken
nik elemanlar üretilir.

1) N TİPİ YARI İLETKEN MALZEME

N tipi malzemelerde, elektronlar çoğunluk taşıyıcılar-
dır. Yani N tipi malzemelerde yük taşıyıcıları elektron-
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

lardır.

Akım taşıyıcılarının çoğunluğu elektron olan, Silis-

yum ve Germanyum maddesine N tipi yarı iletken DİYOTLAR (PN)
malzeme denir.
P ve N tipi yarı iletken bir araya getirilip birleştirilince
N tipi maddelerde boşluklar (deşikler) azınlık taşıyı- kristal diyot meydana gelir.
cılarıdır.
PN birleşiminde oyuklar N’ye, elektronlar P’ye hare-
N tipi madde ketlenir.

P – N arasındaki eklem bölgesinde yük akışını önle-

= Elektronlar yecek bir potansiyel oluşur. Bu potansiyel Eklem En-
= Boşuklar (Deşikler)(Hole) gel Potansiyelidir.

Diyotun üzerinden akım P’den N’ye doğru geçer.

Yarı iletken içindeki elektron hareketi elektrik akımı-

Eklem
nın geçişini sağlar.
Anot Katot

I I
P N

e− e−
2) P TİPİ YARI İLETKEN MALZEME Oyuk Elektron
Hareketi Hareketi
P tipi malzemede çoğunluk akım taşıyıcıları boşluk-
lardır (deşiklerdir). Yani P tipi yarı iletken yük taşıyıcı-
I I
ları deşiklerden oluşan kristallerdir.

427
 KONU ÖZETİ Yarı İletken Teknolojisi

PN birleşimine elektronik endüstrisinde Diyot den- Bu bölgelerin irtibatlandırıldığı bağlantı iletkenle-

mektedir. Diyotlar elektrik devresinde tek yönlü akım ri elektrot, ayak veya bağlantı ucu olarak tanımlanır.
geçiren devre elemanıdır. Akım geçişi P’den N’ye
C E
doğrudur.
P
B N B IE PNP tipi transistör
IB
P I E = I B+ I C
I I IC
E C
Akım devresini Akım devresini
tamamlayamaz. tamamlar.
PNP transistörünün devrede kullanımı
PN birleşiminin arasında ‘’Gerilim Seddi’’ denilen bir C IC
bölge (Eklem) oluşur.

Bu sed Silisyumda 0,7V, Germanyumda 0,3V civa- B

rındadır.

IB E
Polarlama gerilimi bu değerlere ulaştığında, PN birle-
şiminde iletim başlar. PN uçlarına uygulanan gerilim,
diyotu bir kez iletime geçirdikten sonra Gerilim Seddi
değeri küçülür. Akım akışı devam eder.

C C
IC
N
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

B P B NPN tipi transistör

IB IE
N I E = I B+ I C

E E

NPN transistörünün devrede kullanımı

TRANSİSTÖRLER (PNP YA DA NPN) C

Anahtarlama devre elemanıdır.

B IC
Transistörler elektrik sinyallerini yükseltmek, düşür-
mek veya kontrol etmek için kullanılır. IB E

Giriş sinyali yani voltajı düşükse, çıkış sinyalini yani

voltajını yüksek yapabilir. Bunun terside doğrudur.

Elektroniğin her alanında kulanılır. Elektronik çağını

başlatan buluştur.

PNP ve NPN olmak üzere iki türlüdür. Yani transistör-

ler üç adet katmana veya terminale sahiptir.

Transistörün her bir terminaline işlevlerinden ötürü

Emiter (E), Beyz (B) ve Kollektör (C) adları verilir. Her
terminalin işlevi farklıdır. FOTO DİYOTLAR
Emiter bölgesi (Yayıcı) akım taşıyıcıların harekete Foto diyot ışık enerjisi ile iletime geçen yarı iletken
başladığı bölge, Beyz bölgesi (Taban) transistörlerin bir elemandır.
çalışmasını etkileyen bölge, Kollektör bölgesi (Topla-
yıcı) akım taşıyıcıların toplandığı bölgedir. Bu diyotlara ışığa duyarlı diyotlarda denir.

428
 KONU ÖZETİ Yarı İletken Teknolojisi

Foto diyotların polarlama geriliminin uygulanışı nor- FOTO DİRENÇ (LDR)

mal diyotlara göre ters yöndedir. Yani anoduna nega-
tif (–), katoduna (+) gerilim uygulanır. İngilizce Photo Resistör anlamına gelmesine karşın
foto dirençler yaygın bir şekilde LDR adı ile ifade edilir.
Anot Katot
(–) (+)
LDR (Light Dependet Resistance), ortamdaki ışığın
şiddetine göre üzerine düşen direnç değerini ters
Işık orantılı olarak ayarlayabilen en basit optik sensör çe-
şididir.

Diyot çeşitlerinden biri olan foto diyot aynı zener diyot Işık
gibi ters yönde başlayıp çalıştırılabilen bir diyottur.

Üzerine düşen ışık şiddeti arttırıldığında ters yönde Foto Direnç

orantılı olarak sızıntı akım değeri artan elemandır.

Foto diyot üzerine düşen ışıkla orantılı voltajda üretir.

Foto diyotlar ışık etkisiyle katottan anoda doğru akım
geçirirler.
Foto diyotlara polarlama geriliminin uygulanışı nor-
mal diyotlara göre ters yöndedir.
Foto diyotlar ters polarlama ile beslenir. Doğru polar-
lamada normal diyotlar gibi iletken, ters polarlamada
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI
Yani foto dirençlerde direnç değeri aydınlıkta azalır,
karanlıkta artar.
Bu özelliğinden dolayı ışık şiddeti farkı ile kontrol edil-
mek istenilen tüm elektronik devrelerde kullanılabilir.
Foto dirençler hem alternatif akım (AC), hemde doğ-
ru akım (DC) devrelerinde kullanılabilir.

N ve P maddelerinin birleşiminin birleşim yüzeyine LDR ışık ile kontrol gerektiren robot projelerinde ve
ışık düşene kadar yalıtkandır. otomosyon sistemlerinde oldukça kolay bir şekilde
kullanılabilecek bir sensör modelidir.

N P Aydınlatma sistemlerinde, gece ve sokak lambaların-

da kullanılabilir. Herkesin bileceği sensör lamba ar-
matür sistemlerinde, dış kapı zillerinin buton aydınlat-
ma devresi içinde LDR vardır.

Foto diyotlar televizyon veya müzik setlerinin kuman-

da alıcılarında kullanılır. GÜNEŞ PİLLERİ
Alternatif akım devrelerinde kullanılmak üzere NPN Yüzeylerine gelen Güneş Enerjisini elektrik enerjisi-
veya PNP yapılı simetrik foto diyotlarda üretilmekte- ne dönüştüren sistemlere Güneş Pilleri ya da Foto-
dir. voltaik Piller denir.
Güneş pilleri seri veya paralel olarak birbirine bağla-
N nabilir.
P
Güneş pilleri yapılarına bağlı olarak üzerine gelen
N
Güneş Enerjisini %5 ile %20 arasında bir verimlilikle
elektrik enerjisine çevirir.
Simetrik foto diyot
Güneş Pili

Foto diyotlar alarm sistemlerinde, sayma devreleri, Güneş

yangın ihbar sistemleri, elektronik hesap makineleri Enerjisi
Elektrik
gibi cihazlarda kullanılmaktadır. Enerjisi
Işık
Tanecikleri
Güneş pilleri foto diyotların uygulama alanlarından- (Fotonlar)
dır.

429
 KONU ÖZETİ Yarı İletken Teknolojisi

Güneş pillerinin yapımında en çok Silisyum, Galyum, İçinde yarı iletken malzemeden (PN) yapılmış LED
arsenit ve Kadmiyum Tellür gibi anorganik yarı iletken çipi vardır.
malzemeler kullanılır.
Bu çip ışık yayar. LED’lerin üzerinden akım geçince
Güneş pillerinin yapımında en çok Silisyum, Galyum, foton açığa çıkar ve ışık yayar.
arsenit ve Kadmiyum Tellür gibi anorganik yarı iletken
malzemeler kullanılır. LED’in hangi renkte ışık yayması isteniyorsa galyum,
arsenit, alüminyum, fosfat, indiyum, nitrit gibi kimya-
Güneş pillerinde P ve N yarı iletkenlerinden oluşan sal malzemelerden uygun oranda yarı iletken malze-
eklemler mevcuttur. meye katılır.
Böylece LED çipinin istenen dalga boyunda ışın yay-
Fotoelektrik etki ile Fotonlar tarafından koparılan ması sağlanır.
elektronlar eklemde harekete geçer ve elektrik akı-
mı oluşur. LED ışıkları serada sebze yetiştiriciliğinde, televiz-
yonlarda, iç mekan aydınlatması için ampul olarak,
Güneş enerjisi sağlık alanında (yeni doğanların sarılık tedavisinde),
fotonlar araç farlarında, stop lambalarında, trafik ışıklarında,
sokak aydınlatmalarında, akıllı cep telefonu ekranın-
da, oyun konsollarında LED teknolojisi kullanılmakta-
Ampul dır.

LED teknolojisi enerji tasarrufunu sağlar. Aydınlatma

amaçlı kullanılan ampullerde enerjinin %98’i ısıya git-
N tipi P tipi Eklem tiğinden %2 verimle kullanılıyordu ve 1000 saat da-
malzeme malzeme yanıyordu. LED’de ise verim %50’lere ulaşmıştır. Da-
hası 100000 saat dayanma gücü vardır.
Alternatif enerji kaynakları arasında Güneş Enerjisin-
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

den elektrik enerjisi elde etme metodu, tehlikesiz ve LED ampuller iç mekan aydınlatmada şu ana kadar
sonsuz olması, tükenme olasılığının az olması gibi geliştirilen telli, holojen ve tasarruflu ampullere göre
nedenlerle gittikçe önem kazanmaktadır. daha tasarrufludur.

Güneş enerjisi dünyada yenilebilir enerji kaynakları
arasında en umut verici olanıdır.
Rüzgâr enerjisi kullanımı son 10 yılda yaklaşık %25
artarken, güneş pili kullanımı yaklaşık %300 oranın-
da artmıştır.
LED’ler klasik aydınlatma sistemlerine göre düşük
enerji tüketimi, uzun ömür, sağlamlık, küçük boyut,
hızlı anahtarlama, yüksek dayanıklılık ve güvenirlilik
gibi avantajlara sahiptir.

HAL OLAYI
Akım taşıyan yarı iletken, düzleme dik manyetik alan
içinde bulunursa, manyetik kuvvetten dolayı, elektrik
yükleri (deşikler ve elektronlar) iletkenin bir köşesine
sürüklenirler.

LED TEKNOLOJİSİ
LED’ler elektrik enerjisini ışığa dönüştüren yarı ilet- ⊗B
ken devre elemanıdır. I VHAL

LED ışık yayan Diyot anlamına gelir.

LED P–N fonksiyonlu bir yarı iletken olup iletim yö- Böylece iletkenin bir kenarı (+), diğer kenarı (–) yük-
nünde kutuplandığı taktirde ışık yayacak şekilde ta- lenir. Bu yüklerden dolayı oluşan potansiyel farkına
sarlanmıştır. Hal Potansiyel Farkı denir.

430
 KONU ÖZETİ Yarı İletken Teknolojisi

Büyüklüğü (B . I) ile doğru, (n . ) ile ters orantılıdır. N tipi yarı iletkende serbest elektronlar akımın tersi
yönünde hareket ederler. Sağ el yardımıyla deşiklerin
B: Manyetik alan
ve elektronların hareket yönü bulunabilir.
I: Akım şiddeti Bu durumda sol taraf (–), sağ taraf (+) yüklü olur.
: İletkenin kalınlığı
Dört parmak → Manyetik alan
n: İletkenin birim hacmindeki yük (deşik veya elekt-
Baş parmak → Elektrik akımı
ron) sayısıdır. Avuç içi → Deşiklerin hareket yönü
Avuç dışı → Elektronların hareket yönü
B ⋅I
VH = K
n⋅
VH : Hal potansiyel farkı
K: Hal katsayısı

I
B⊗ ⊗B
+ –
P tipi
+ –
+ – SÜPERİLETKENLER
+ –
Süperiletkenler, sıcaklık belli bir değerin altına düş-
+ – tüğünde bir malzemenin direncinin tamamen sıfır ol-
+ – ması durumudur.
ϑ
+ –
1911 yılında Heike Kamerlingh Onnes tarafından
+ + –
F keşfedilmiştir.
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

+ –
B⊗ ⊗B Katı civanın elektrik direnci üzerinde çalışan Onnes,
I
4,2 Kelvin sıcaklığının altında direncin sıfıra düştüğü-
nü gözlemlemiştir. Sonraları kurşun, niyobyum nitrat
P tipi yarı iletkende deşikler elektrik akımı (I) yönün-
gibi çok sayıda başka malzemenin de süperiletkenlik
de giderler. Sağ el yardımıyla deşiklerin sola yönele-
gösterdiği bulunmuştur.
ceğini söyleyebiliriz. Bu nedenle sol kısım (+), sağ kı-
sım (–) yüklenir.
Süperiletkenlik Kuantum Mekaniği ile açıklanabilen
Dört parmak → Manyetik alan bir olgudur, Klasik Mekanik ile açıklanamaz.

Baş parmak → Elektrik akımı Süperiletkenler kalıcı bir akıma sahiptir. Akımın dev-
rede ilerlemesi için potansiyel beslemesine ihtiyaç
Avuç içi → Deşiklerin yönü yoktur.

Avuç dışı → Elektronların yönü Civanın sıcaklığı düşürüldükçe direncide yavaş ya-
vaş düşer. Daha sonra aniden kritik sıcaklık (4,2 K)
olarak adlandırılan bir sıcaklıkta, hemen hemen sıfıra
I düşer. Kritik sıcaklığın altında civa süperiletkenliktir
B⊗ ⊗B
– – + ve bu durumda akım direnç görmeden geçer.
F
– +
Direnç ( Ω )
– ϑ +
– +
– +
– + Sıfır
Direnç
– +
Durumu
– +
N tipi
– +
B⊗ ⊗B
I Sıcaklık (K)
4,2

431
 KONU ÖZETİ Yarı İletken Teknolojisi

Bilinen süperiletkenlerin birçoğu alaşım veya bile-
şiktir. Kendisini oluşturan kimyasal elementler süpe-
riletken olmasa bile bir bileşiğin süperiletken olması
mümkündür.
Örnek olarak gümüş – florid ve karbon – potasyum bi-
leşiği verilebilir.
Kalay – tellrid gibi bazı yarı iletken bileşikler uygun
bir şekilde yabancı atomlarla yüklenirse süperiletken
olabilir.
Birçok metal ve alaşım düşük sıcaklıklarda süperilet-
kenliğe geçiş fazına sahiptir.
Ulaşılan sıcaklıklarda süperiletken olmayan yaygın
metaller yani iyi iletkenler bakır, gümüş, altın, alkali
metaller, demir, nikel ve kobalt gibi manyetik olarak dü-
zenli metallerdir. Normalde iyi iletken olan elementler
soğutulduklarında süperiletken hale geçememektedir.
Manyetik olarak düzenli metaller süperiletken olama-
maktadır.
Süperiletken malzemeleri, süperiletkenlik gösterme-
ye başladıkları kritik sıcaklığa kadar soğutmak için
genellikle sıvı azot kullanılır. Bu yüzden kritik sıcak-
lığı azotun kaynama sıcaklığı olan 77 Kelvin’den dü-
şük olan malzemelere düşük sıcaklık, süperiletkenlik-
leri yüksek olanlara ise yüksek sıcaklık süperiletken-
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI
Süperiletken maddelerin en önemli özelliklerinden
biri mükemmel Diyamanyetik olmasıdır.
1933 yılında Meissner ve Ochsenfeld bir metalin sü-
periletken olduktan sonra içinden manyetik akım ge-
çişine izin vermediğini görterdiler.
Madde süperiletken olduğunda dahi Ferromanyetik
özellik göstermez.
Kritik sıcaklığın altında soğutulmuş bir süperiletken
hafiif fakat güçlü bir mıknatısa yaklaştırıldığında, sü-
periletken havada kalır.
Buna süperiletken metallerin Levitasyon özelliği de-
nilmektedir.
Süperiletken maddelerde görülen manyetik itme kuv-
veti (Meissner Etkisi) halk arasında uçan trenler diye
adlandırılan, manyetik yastık üzerinde kayan MAG-
LEV trenlerinin yapılması fikrini doğurmuştur. MAG-
LEV trenleri bugüne kadar 500 km/saat hıza ulaşa-
bilmiştir.
Direncin sıfır olması kritik bir değerden çok daha bü-
yük bir manyetik alanın varlığında söz konusu ola-
maz. Bu nedenle süperiletkenlik için önemli olan di-
ğer bir parametrede kritik manyetik alandır. Bu kri-
tik manyetik alan süperiletkenlik için kritik sıcaklık ile

likleri denir. kuvvetli bir uyum içindedir. Bu nedenle süperiletken

malzemeleri kritik manyetik alan durumlarına göre 1.
Süperiletkenlerin tamamı Meisser etkisi olarak adlan- Tip ve 2. Tip süperiletken olarak ikiye ayrılır.
dırılan bir özellik gösterilir. Meisser etkisi, süperilet-
ken malzemelerin süperiletken durumundayken (sı-
caklığı kritik sıcaklığın altındayken) manyetik alanı
dışlamasıdır.
Harici bir manyetik alan şiddeti, süperiletken bir mal-
zemenin içine girdikten çok kısa bir mesafe sonra sı-
fıra düşer. Çoğu süperiletken malzeme için bu mesa-
fe 100 nanometre civarındadır.

Bir malzemenin süperiletken olabilmesi için iki şart

gereklidir.
1) Kritik sıcaklığın altında direncin sıfıra düşmesi ge-
rekir. 1. TİP SÜPERİLETKEN
2) Belirli bir sıcaklığın altında yakınlarında bulunan
Sadece belirli bir kritik manyetik alan değerinin altın-
manyetik alanı uzaklaştırması gerekir. (Yani manye-
da süperiletken davranışı gösterir.
tik alanı dışlamalıdır)
Manyetik Alan

B B B B B B B B B B B B

B=0
B=0 Normal
B=0

Düzgün manyetik Kritik sıcaklığın Kritik sıcaklığın

alan içine konulan altındaki altındaki
kritik sıcaklığın süperiletkenin süperiletkenin Süperiletken
üstündeki manyetik alanı etrafındaki
süperiletken değiştirmesi manyetik alanı
uzaklaştırması kaldırması TC Sıcaklık

432
 KONU ÖZETİ
2. TİP SÜPERİLETKEN
Alt ve üst kritik alanlar olmak üzere iki kritik manyetik
alan değeri gösterir.
Manyetik Alan
Normal
Normal ve
süperiletkenlik
karışımı
Süperiletken
TC Sıcaklık
NANOTEKNOLOJİ
Nanoteknoloji moleküler boyutta sistemler üreterek
daha büyük sistemleri kontrol etmek amacı ile kulla-
nılmaktadır.
Nanobilim insanın saç kılının 80 binde biri büyüklü-
ğünde ‘’nano’’ ölçüde parçalarla uğraşan bir bilimdir.
Nanoteknoloji yeni nano yapılar tasarlayıp sentezle-
meyi ya da nano yapılara yeni olağanüstü özellikler
kazandırmayı ve bu özellikleri yeni işlevlerde kullan-
mayı amaçlar.
Nanoteknoloji bilinen molekülleri yeni atom ve mole-
küller ekleyerek işlevsel duruma sokar.
Nano seviyesindeki malzemelerin mekanik, manye-
tik, optik, kimyasal elektrik ve fiziksel özellikleri de-
ğişir.
Nano malzeme ve teknolojilerinin genel anlamda kul-
lanım alanları elektronik, opto – elektronik, enerji de-
polama, yeni malzeme geliştirme ve yarı iletkenler ol-
makla beraber nano teknoloji disiplinler ararı (fizik,
kimya, biyoloji, malzeme bilimi ve mühendisliği, bilgi
teknolojileri, makine ve elektrik – elektronik mühen-
dislikleri gibi bilimleri buluşturan) bir bilim dalıdır.
Malzemenin boyutu nano boyutuna indiğinde klasik
davranışların yerini Kuantum davranışları alır.
Yarı İletken Teknolojisi
Nano malzemeler, nanoteknolojide kullanılan malze-
melere verilen genel addır. Nano malzeme bilimi ise
malzemelerin nano seviyede nasıl davrandıklarını in-
celeyen bilim dalıdır.
Nano boyutlu partiküller doğada karbon veya gü-
müş gibi çeşitli minarellerden meydana gelmiştir. Fa-
kat nano malzeme olarak tanımlamak için bunların en
azından tek boyutunun 100 nanometreden küçük ol-
ması gerekir.
Nanopartiküller farklı morfolojilere sahip enfeksiyonla
mücadelede kullanılan kollodial yapılardır.
Nano teller iletken ya da yarı iletkenlerden yapıldığı
gibi organik ya da inorganik moleküller ünitelerden de
oluşturulur.
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI
Nanoteknoloji ile üretilmiş birçok ürün hayatımızı ko-
laylaştırmaktadır.
Leke tutmayan ve koku gideren tekstil malzemele-
ri, eskimeyen ayakkabılar, nano tüplerle geliştirilmiş
tenis raketi, kendi kendini temizleyen güneş gözlüğü
bunlardan bir kaçıdır.
Nanoteknoloji ile su ve kir tutmayan yüzeyler, çizil-
meye karşı etkili ve parlak boya, su itici, kir tutmayan,
kolay temizlenen ayna ve camlar, nanofiltreli klima,
yosun ve deniz hayvanlarının tutunamadığı boyalar
ve yüzeyler geliştirildi.
Nanobiliminin Nanoteknolojilerin
Uygulama Alanları Uygulama Alanları
● Nanofotonik, nanoe- ● Malzeme ve imalat
lektronik, nanomanye- ● Elektrik – elektronik
tizma
ve bilgisayar teknolojisi
● Nano yapılar ● Uzay çalışmaları ve
● Yakıt hücreleri ve havacılık
enerji ● Tıp ve sağlık
● Nanokarekterizasyon ● Çevre ve enerji
● Nanometeroloji
433
 TEST 1 Yarı İletken Teknolojisi

1. I. Bir atomun en dış orbitalinin elektronlarına Va- 4. Aşağıdakilerden hangisi yapıldığında yarı ilet-
lans elektronu denir. ken madde iletkenlik özelliği göstermez?
II. Bağdan bağa geçerek katının atomları arasın-
da dolaşan elektronlar serbest elektronlardır. A) Sıcaklığını artırmak
III. Atomlar yan yana gelince enerji düzeylerinin
yarılarak genişlemesi Enerji bantlarını oluştu- B) Manyetik etki altında bırakmak
rur.
C) Foton bombardımanı ile
İfadelerinden hangileri doğrudur?
D) Islatılarak
A) Yalnız I B) Yalnız II C) I ve III
E) Gerilim uygulanarak
D) II ve III E) I, II ve III

SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

2. Bir katının Valans ve iletkenlik bantları arasın-

daki bölgeye ne ad verilir?

A) Ses Bandı B) Yasak Bant C) Serbest Bölge

D) Frekans Bandı E) Kutup Bölgesi

5. I. Enerji bantları katı ve sıvılarda olur.

II. Yarı iletken bir maddenin enerji aralığı, yalıtka-
na göre daha dar, iletkene göre daha geniştir.
III. Yarı iletkenler 4B grubu elementleridir.
3. Aşağıdakilerden hangisi yarı iletken madde de-
ğildir? İfadelerinden hangileri doğrudur?

A) Silisyum B) Germanyum C) Potasyum A) Yalnız I B) Yalnız II C) I ve II

D) Selenyum E) Bakır Oksit D) II ve III E) I ve III

434
 TEST 1 Yarı İletken Teknolojisi
6. Işık enerjisini elektrik enerjisine dönüştüren 8. Saf yarıiletkene katkı maddesi katıldığında aşa-
sistem aşağıdakilerden hangisidir? ğıdakilerden hangisi gerçekleşmez?

A) Güneş Pili B) Diyot C) Transistör A) İletkenlik artabilir.

D) LED E) Ampul B) Yasak bölgenin enerji seviyesi artar.

C) Deşik sayısını artırabilir.

D) Sabit değerde akım oluşmasını sağlayabilir.

E) Serbest elektron sayısını artırabilir.

SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

7. Yarı iletkenlerin akım şiddetinin (I) mutlak sı-

caklığa (K) bağlı grafiği aşağıdakilerden hangi-
si gibidir?
A) I B) I

T T

C) I D) I

9. E C E C E C

T T
B B B
E) I
Şekil – 1 Şekil – 2 Şekil – 3

Şekilde verilen transistörlerden hangisi ya da

hangileri NPN transistörüdür?

A) Yalnız I B) Yalnız II C) I ve II
T
D) I ve III E) II ve III
435
 TEST 1 Yarı İletken Teknolojisi

10. Aşağıdakilerden hangisi yanlıştır? 12. Yarı iletkenlerde;

I. İletkenlik bandındaki elektron
A) Yarıiletkenlerde akım deşiklerde taşınıyorsa P II. Valans bandındaki elektron
tipi yarıiletkendir. III. Yasak bölgelerdeki elektron
B) Yarıiletkenler kristal yapıya sahiptir. yukarıdaki verilenlerden hangisi serbest elekt-
rondur?
C) Yarıiletkenlerde yük dengesi bozulmuştur.
A) Yalnız I B) Yalnız II C) Yalnız III
D) Yarıiletkenler mutlak sıfır noktasında yalıtkandır.
D) I ve II E) I ve III
E) Yarıiletkenlerde akım elektronlarla taşınıyorsa,
N tipi yarıiletkendir.

SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

11. P N P P N N P
13. Saf yarıiletkene katkı maddesi katılmasının ne-
deni;
I. Yasak bölgeyi büyütmek
Şekil – 1 Şekil – 2 Şekil – 3 II. Akım taşıyıcıların sayısı arttırmak
III. Akım taşıyıcıların sayısını sabit tutmak
P ve N yarıiletkenlerinden oluşan şekildeki
devrelerde hangisi ya da hangilerinden akım gerekçelerinden hangisi ya da hangileri olabi-
geçer? lir?

A) Yalnız I B) Yalnız III C) I ve II A) Yalnız I B) Yalnız II C) Yalnız III

D) II ve III E) I ve III D) II ve III E) I ve II

436
 TEST 2 Yarı İletken Teknolojisi
1. İletkenlik bandı için aşağıdakilerden hangisi 4. R
yanlıştır?

A) Tüm kristallerde bulunur.

B) Sadece iletkenlerde bulunur.

C) Bir katının tümüyle boş olan en dış enerji ban- Şekildeki devrede üretecin potansiyeli ε olduğun-
da diyotun potansiyeli 2V olmaktadır ve devrede
dıdır.
akım geçişi başlamaktadır.
D) Yarıiletkenlerde bulunabilir. Üretecin potansiyeli 2ε yapıldığında diyotun
E) Yarıiletkenlerde iletkenlik bandı ile, valans ban- potansiyeli aşağıdakilerden hangisi olabilir?
dı arasında yasak bant bulunur.
A) 2V B) 1,8V C) 4V D) 5V E) 8V

2. Aşağıdakilerden hangisi yanlıştır?

A) Süperiletkenler kalıcı bir akıma sahiptir.

SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

B) Bilinen süperiletkenlerin birçoğu alaşım ve bile-

şiktir.

C) Normalde iyi iletken olan maddeler soğutul-

duklarında süperiletken haline kolayca geçebil-
mektedir.

D) Manyetik olarak düzenli metaller süperiletken

olamazlar.

E) Farklı süperiletkenlerin kritik sıcaklıklarıda fark-

lıdır.

5.  2B
⊗B
2I 4I
V1 V2

3. Süperiletken teknolojisi ile aşağıdaki cihazlar- Özdeş yarıiletkenler B ve 2B şiddetli manyetik

dan hangisi geliştirilmiştir? alanlara konulmakta ve üzerlerinden 2I ve 4I şid-
detli akım geçirilmektedir.
A) Röntgen
Yarıiletkenler üzerinde V1 , V2 şiddetinde potan-
B) Ultrason V1
siyel farklar oluştuğuna göre oranı nedir?
C) MAGLEV treni V2

D) Sonar 1 1 1
A) 2 B) C) 4 D) E)
E) Tomografi 2 4 8
437
 TEST 2 Yarı İletken Teknolojisi

6. Yarıiletkenlerin hal potansiyeli, 8.

I
⊗B
I. Manyetik alan
II. Elektrik akımı 
III. İletkenin kalınlığı
Şekildeki yarıiletkenin hal potansiyeli 3 volttur.
ifadelerinden hangisinin artması ile artar?
Yarıiletkenlerden geçen akım 2I, manyetik alan
4B, kalınlığı 6 yapılmaktadır.
A) Yalnız I B) Yalnız II C) Yalnız III
Buna göre yarıiletkenin hal potansiyel, kaç volt
D) I ve II E) II ve III olur?
(İletkenin birim hacmindeki yük sabittir.)

4 2
A) B) C) 4 D) 8 E) 6
3 3

SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

7. I 2I
⊗B B
+ + + + + – – – – –
K L

⊗B
+ + + + I
M

K, L, M yarıiletkenlerinden şekillerdeki gibi manyetik

alanlar (B) ve elektrik akımlar (I ve 2I) geçmektedir.
Deşiklerin ve elektronların hareketi şekillerdeki
gibi olduğuna göre K, L, M iletkenlerinin hangi-
si P tipi, hangisi N tipi yarıiletkendir?
K L M 9. Bir yarıiletkenin soğurduğu ışığın dalgaboyu 'dir.
A) P P N Buna göre bu yarıiletkenin enerji aralığı aşağı-
B) N P N daki bağıntılardan hangisi ile bulunabilir?
C) P N P
D) P P P h λ hc λ
A) B) C) D) E) hcλ
E) N N P λ h λ hc

438
 TEST 2
10. Aşağıdakilerden hangisi yanlıştır?
A) Kristaller yapı olarak katı, görünüş olarak sıvıdır.
B) Yalıtkan maddelerin son yörüngesinde 6 ile 8
arasında valans elektronu bulunur.
C) Diyottan akım geçtiği andan sonra gerilim sed-
di değişmez.
Yarı İletken Teknolojisi
12. Transistörlerle ilgili;
I. Anahtarlama devre elemanı olarak kullanılır.
II. Yükselteç olarak çalışma özelliğine sahip bir
devre elemanıdır.
III. Her bir katmanın işlevi aynıdır.
ifadelerinden hangileri söylenemez?
A) Yalnız I B) Yalnız II C) Yalnız III

D) Saf Silisyuma veya Germanyuma 3 değerlikli D) I ve II E) II ve III

elementlerle katkı yapıldığında P tipi yarıiletken
elde edilir.

E) Diyotlar PN birleşiminden oluşur.

SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

11. Aşağıdakilerden hangisi yanlıştır?

13. Bir transistörün Emitör akımı (I E ) , Beyz akımı

A) Diyotların anot terminalini P tipi, katot terminali-
ni N tipi madde oluşturur. (I B ) ve Kollektör akımı (I C ) arasındaki ilişki

B) Yarıiletkenlerde akım taşıyıcısı, N tipinde elekt- aşağıdakilerden hangisi gibidir?

ronlar, P tipinde boşluklardır.
A) I B = I E + I C
C) İyi bir iletkenin son yörüngesinde 1 tane valans
B) I E = I C+ I B
elektronu bulunur.
C) I C= I E + I B
D) Kristaller her sıcaklık değerinde oluşabilir.
D) I E = I C⋅ I B
E) Kristaller gelen ışığın özelliğini değiştirerek
elektrik gücünü düşürür. E) I B = I E⋅ I C
439
 TEST 3 Yarı İletken Teknolojisi

1. 1 3. I2 I3
– +
N
2 P
N
I1
3 + –
Şekilde NPN transistörü verilmiştir. Şekilde verilen transistör düzeneği ile ilgili;
Buna göre 1, 2, 3 numaralı terminallerin doğru
I. I2 akımı Emiter akımıdır.
isimleri aşağıdakilerden hangisidir?
II. NPN tipidir.
1 2 3
III. I 3 = I 2 − I 1
A) C B E
B) E B C ifadelerinden hangileri doğrudur?
C) C E B
D) B C E A) Yalnız I B) I ve III C) Yalnız II
E) B E C D) II ve III E) I, II ve III
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

2. 1

3
Şekilde PNP transistörünün terminalleri verilmiştir. 4. Güneş pilleri ile ilgili;
Buna göre 1, 2, 3 terminallerinin isimleri aşağı- I. Güneş pilleri doğru akım üretir.
dakilerden hangisidir? II. Yapımında süperiletkenler kullanılır.
III. Güneş enerjisini %80, %95 arasında bir verim-
1 2 3 le elektrik enerjisine çevirir.
A) E C B
B) B C E yazılarından hangileri doğrudur?
C) E B C
A) Yalnız I B) I ve II C) Yalnız II
D) B E C
E) C E B D) II ve III E) I, II ve III
440
 TEST 3 Yarı İletken Teknolojisi
5. Aşağıdakilerden hangisi yanlıştır? 7. Aşağıdakilerden hangisi nanoteknoloji ürünü
değildir?
A) Güneş pillerine fotovoltaik piller de denir.
A) Beyazlatıcı krem
B) Tüm süperiletkenlerin kritik sıcaklıkları aynıdır.
B) Stres çarkı
C) Güneş pilleri fotoelektrik etkiyle çalışır.
C) Koku gideren kumaş
D) Bilinen süperiletkenlerin birçoğu alaşım veya
bileşiktir. D) Kendi kendini temizleyen güneş gözlüğü

E) Manyetik Rezonans süperiletken teknolojisi ile E) Yosun ve deniz hayvanlarının tutunamadığı

üretilen cihazlardandır. boya

SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

6. Direnç (ohm)

Sıcaklık (Kelvin)
0 4,1 4,2 4,5 5

Civaya ait direnç – sıcaklık grafiği şekilde görül-

mektedir.
8. I. Nanoteller iletken, yarıiletken, organik ve inor-
Buna göre;
ganik molekül ünitelerinden oluşturulabilir.
I. Civa 0K ile 4,2K arasında süperiletkendir. II. Nano seviyesindeki malzemenin kimyasal özel-
II. 4,2K'de civanın direnci sıfırdır. liği değişir ama fiziksel özelliği değişmez.
III. Civanın 4,5K'deki direnci, 5K'deki direncinden III. Nanometre boyutunda Kuantum davranışları
daha büyüktür. etkindir.
ifadelerinden hangileri doğrudur? İfadelerinden hangileri doğrudur?

A) Yalnız III B) I ve II C) Yalnız I A) Yalnız I B) II ve III C) Yalnız III

D) Yalnız II E) I ve III D) I ve III E) I, II ve III

441
 TEST 3 Yarı İletken Teknolojisi

9. 11. I. Işık şiddeti arttıkça foto direncin direnç değeri

artar, ışık şiddeti azaldıkça direnç değeri azalır.
R II. Foto dirençler sokak lambalarında kullanılır.
III. Foto dirençler hem doğru akım, hemde alterna-
tif akımda aynı özelliği gösterir.

s
Alternatif akım devresine direnç ve diyot şekildeki İfadelerinden hangileri doğrudur?
gibi bağlanmıştır.
A) I ve II B) Yalnız III C) II ve III
Buna göre dirençten geçen akımın (I), zama-
na (t) bağlı grafiği aşağıdakilerden hangisi gi- D) Yalnız II E) I, II ve III
bidir?

A) I B) I

t t

C) I D) I

t t
12. I. Alarm sistemlerinde
II. Hesap makinelerinde
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

III. Televizyonlarda
E) I Foto diyotlar yukarıdaki sistemlerin hangilerin-
de kullanılır?

A) I ve II B) Yalnız I C) Yalnız II
t D) I ve III E) I, II ve III

10. I. Süperiletken kullanılan sistemlerde ısınma so-

runu olmaz.
13. Foto diyot ile ilgili,
II. Manyetik Rezonans teknolojisinde süperilet-
kenler kullanılır. I. Işık enerjisi ile iletime geçen diyottur.
III. Bir sistemin süperiletken olması için elektrik II. Ters polarlama ile çalışır.
akımını kayıpsız bir şekilde iletmesi yeterlidir. III. Güneş pilleri bir çeşit foto diyottur.
İfadelerinden hangileri doğrudur? yazılanlardan hangileri doğrudur?

A) I ve III B) Yalnız I C) I ve II A) Yalnız I B) I ve II C) II ve III

D) II ve III E) I, II ve III D) Yalnız II E) I, II ve III

442
KONU ÖZETİ Yarı İletken Teknolojisi

Işık Modellerinin Açıklayabildiği ve Açıklayamadığı Fiziksel Olaylar

Işık olayları Dalga modeli Tanecik modeli

Işığın yayılması Açıklar Açıklar
Işığın yanması Açıklar Açıklar
Işık demetlerinin birbiri içinden geçişi Açıklar Açıklar
Işığın basıncı Açıklar Açıklar
Aydınlanma Açıklar Açıklar
Işığın kırılması Açıklar Açıklar
Işığın aynı anda hem kırılması hem de yanması Açıklar –
Işığın renklerine ayrılması Açıklar –
Işığın girişimi Açıklar –
Işığın kırınımı Açıklar –
Fotoelektrik olay – Açıklar
X – ışınları – Açıklar
Compton olayı – Açıklar
Siyah cisim ışıması – Açıklar

443
 Cevap Anahtarı

Vektörler Bir Boyutta Hareket

Test - 1 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B A D B B C E E D A C D A E D B B D D D B D B B A E C D

Test - 2 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C D E C C E D A B C C E A E D C A A C B B D A E D A B D C C

Test - 3 Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C C D D B A E E A B D B B A E C B A A D D B E C B D A
Test - 4 Test - 4
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
A B C E C D E E C C D A D E C D B E E B D A C B D E B
Test - 5 Test - 5
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C E A D B D C B A B D A C D B E E A E C C B E D A C B A

Test - 6
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D B C D B C C E D C B C D

Bağıl Hareket Atış Hareketleri

Test - 1 Test - 1
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
A D B E D A B C B E A D C A B E D B C A C D C A D E D D C E B D D C
Test - 2 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B D C A A E D A B C E D C B A B A E A D D C A C B C C D A D B A B

Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C E D B D C E D E B E C E C

Test - 4
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B E D A E C A B A C E D B D C C

Newton’un Hareket Yasaları (Dinamik)

Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C C E E C E B B B D C B C A İtme ve Momentum
Test - 2 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B B E D B B C D A E E E E D B C D B B D D A B E C B A

Test - 3 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C D A A B D B C A C A A B D A D B C C A D A A D A D E A D D D A

Test - 4 Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D A D C B D A C B A C C C E B D C B E B A C A C B

Test - 5 Test - 4
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C A D A A C E C B D A B C C A A C E B A D C A E C

Test - 6 Test - 5
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C D C B C A A D B D E C B C D D C E B A A D C A

444
 Cevap Anahtarı

Denge ve Moment Basit Makineler

Test - 1 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D C B C A D A A D D B D E E C C B D C A E D A B A C B C B

Test - 2 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C A C B A B B D C E C A D B D E B E D B C E E A E B C C

Test - 3 Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C A C C D A A D B E B D C B A D C E B E B B D E C D B D

Test - 4 Test - 4
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C A D B D A E C D E B E A B A C C E B B C B C C D A D E

Test - 5 Test - 5
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E A C D E A D D C B A B D A E C D B E D A A E E C B D A

Test - 6 Test - 6
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C B D B E B C E A E D B B D E A B C C A C A D C A B C B C

Test - 7 Test - 7
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C E A D D D D C C B A C D B D D A D A A E B D D A A C A

Test - 8 Test - 8
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
A B D C A C D C A B B C D E C D A D E A E E D D E D C D B
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

Test - 9
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
A A E D D A D B E D B A D D

Ağırlık ve Kütle Merkezi

Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Elektriksel Kuvvet - Elektriksel Alan - Elektriksel Potansiyel -
E C E B A A B D D E B B E A D Paralel Levhalar
Test - 2 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C E B C B D B A B D D C B A E E D E A B C D C E B E B B C

Test - 3 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B C D A C A B D A B A C A C C B D D D B C C D E A E E C

Test - 4 Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B A E A E D B D E B A E D E D B A A E C B C B D C D C A A E

Test - 5 Test - 4
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E C B D C B E B C B C A D D C D D D A D D C D A C B E C

445
 Cevap Anahtarı

Kondansatör Manyetizma, İndüksiyon ve Alternatif Akım (Karma Test)

Test - 1 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E C C C A B A E A B B C B C D A E D C B D D A C C

Test - 2 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D B E D A C C E B D B C A C E B C A B A A E E A D D C C A D D B

Manyetik Alan Düzgün Çembersel Hareket

Test - 1 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E E C D E D A D D E B B A E B C
D B D C E D E A B B E E D D B

Test - 2 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C B D D A B D C D D C E E D A B D
C C A D C B E B A B A C B D D C
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

Açısal Momentum
İndüksiyon Akımı ve Özindüksiyon Akımı Test - 1
Test - 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 C C B A E E D B C B A B A B
D E C B A C A C E E C E B

Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
A C A E D E B C A B D C A C D C

Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E E B E A B D B B E B E D C C D C E
Genel Çekim Yasası
Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B A A B B D E E D C B C D D A B

Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D C B E A A D C A B E E D C E B C

Alternatif Akım ve Transformatörler

Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E C E A C B D B A E A C D E B C

Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D C E D C E D A E B E A C Basit Harmonik Hareket
Test - 3 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
A D E B C D B D E D D D C B A D B B D A D D C E A C C C B B A C

Test - 4 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E E E C E B D A C B A D D E C B D B C D A B A C D B D C D B E A A C D

446
 Cevap Anahtarı

Su Dalgalarında Girişim Elektromanyetik Dalgalar

Test - 1 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B D A E E A E E E E D E C C D D A C A C D B C B E D D E A C A

Test - 2 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
A C B E E D B B A E E E E C D A C D E C D C E C B A C D

Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D D C D C D D E D C A C

Test - 4
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B E C E A A B A D D D B

Atom Modelleri
Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C E B E D E B E A E E C

Test - 2
Çift Yarıkta Girişim (Young Deneyi) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D D E A B D A B B A B
Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Test - 3
E B A C E B D A B A B A B E C 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

C E E C D A C E C D A B
Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C B E D D B C D

Modern Atom Teorisi

Tek Yarıkta Girişim (Kırınım Olayı) Test - 1
Test - 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 B D C B C C D E B D D E B C C
D A B D E A D D B D A A E D C E A C B
Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C E D B D B A C A D E E B D

Young ve Kırınım Deneyleri (Karma Test)

Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C D C B A B B D C E C A D B B Big Bang Teorisi
Test - 2 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E C E B C E E D A B B C C E D E E A B D C D C D E D C D D D B D E B E D E D

447
 Cevap Anahtarı

Atom Altı Parçacıklar Fotoelektrik Olay

Test - 1 Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E D A E B C D E C B A C D B B D C C D C E A C A B E B A A C D C E B D D E C E E

Test - 2 Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B D B C E D B D B B A E E D C C E C D C E E C D D D E D E B A C B D E E B E

Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C B A A B E C C D E D A B E C E C D

Radyoaktivite
Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E A C D A A A E C C B D C B E E D

Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
D E C B D D C A C C D A E B D A C

Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları

SIRADIŞIANALİZ YAYINLARI

Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C B E D C A D B A E D A A D C D A D E

Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B C D E D D C A E B C

Özel Görelilik (Einstein Rölativitesi) (İzafiyet Teorisi)

Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
B E C C E C E B E E C B E B A D E D C

Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C C E C E B D A C D D B B C B C C C

Yarı İletken Teknolojisi

Test - 1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
E B C D B A B B E C C A D

Test - 2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Kara Cisim Işıması B C C B D D E C C C D C B

Test - 1 Test - 3
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
C E E E A C D B B B A A E E B C A C E A B B B D C C C A E

448