1

RAM (Random Access Memory)

แรม (RAM: Random Access Memory) หน่ วยความจำาเข้าถึง
โดยส่่ม หรือหน่ วยความจำาชัว่ คราว) เป็ นหน่ วยความจำาหลัก ที่ใช้ใน
ระบบคอมพิวเตอร์ย่ค ปั จจ่บัน หน่ วยความจำาชนิ ดนี้ อน่ญาตให้เขียน
และอ่านข้อมูลได้ในตำาแหน่ งต่างๆ อย่างอิสระ และรวดเร็วพอสมควร
ซึ่งต่างจากสื่อเก็บข้อมูลชนิ ดอื่นๆ อย่างเทป หรือดิสก์ ที่มีข้อจำากัดใน
การอ่านและเขียนข้อมูล ที่ต้องทำาตามลำาดับก่อนหลังตามที่จัดเก็บไว้ใน
สื่อ หรือมีข้อกำาจัดแบบรอม ที่อน่ญาตให้อ่านเพียงอย่างเดียว
ข้อมูลในแรม อาจเป็ นโปรแกรมที่กำาลังทำางาน หรือข้อมูลที่ใช้ใน
การประมวลผล ของโปรแกรมที่กำาลังทำางานอยู่ ข้อมูลในแรมจะหายไป
ทันที เมื่อระบบคอมพิวเตอร์ถูกปิ ดลง เนื่ องจากหน่ วยความจำาชนิ ดนี้
จะเก็บข้อมูลได้เฉพาะเวลาที่มีกระแสไฟฟ้ าหล่อเลีย ้ งเท่านั ้น
หน่ วยความจำา (RAM) ที่ ใช้งานกันส่วนใหญ่ จะมีปริมาณความ
จ่สูง และต้องจ่ายกระแสไฟฟ้ าให้เพื่อคงสถานะการเก็บข้อมูลไว้ เรียก
ว่าเป็ นหน่ วยความจำาแบบโวลาไทน์ (Volatine) ซึ่งตามเทคโนโลยีของ

RAM ได้จัดแบ่งออกเป็ นสองกล่่ม คือ

1. Static Random Access Memory ( SRAM ) สแต
ติกแรมหรือเรียกสัน
้ ๆ ว่า SRAM เป็ นหน่ วยความจำาที่ประกอบไปด้วย
วงจร flip-flop ในแต่ละ bits ของหน่ วยความจำา ทำางานได้เร็วกว่า แบบ

DRAM และไม่ต้องการวงจรไฟฟ้ าสำาหรับการ Refresh ข้อมูลที่เก็บไว้

ภายในหน่ วยความจำา ในขณะที่หน่ วยความจำาแบบ DRAM นั ้น
ต้องการวงจร Refresh แต่เนื่ องจากหน่ วยความจำาแบบ SRAM นั ้นมี
ราคาแพง ทำาให้ผู้ผลิตไม่ได้ใช้ SRAM มาทำาเป็ นหน่ วยความจำา
มาตรฐานของเครื่องคอมพิวเตอร์พีซี การใช้งานส่วนใหญ่ของหน่ วย
ความจำาประเภทนี้จะถูกจำากัดไว้เฉพาะการเป็ นหน่ วย ความจำาแคช
( Cache ) ซึ่งมีขนาดเพียงเล็กน้ อยเมื่อเทียบกับหน่ วยความจำาทัง้ หมด
ที่ติดตัง้ อยู่ใน เครื่องคอมพิวเตอร์
 2

รูปที่ 1.1 Block Diagram ของ SRAM

 3

รูปที่ 1.2 แสดงโครงสร้างของ CPU โดยหมายเลข 2 และ 4 คือ

Cache ที่ทำาจาก SRAM

ประเภทของ SRAM
1. แบ่งตามชนิ ด Transistor ที่ใช้
- BJT (Bipolar Junction Transistor) ซึ่งใช้กันในไอซี
แบบ TTL ข้อดีคือมีความเร็วสูงแต่มีการใช้พลังงาน
มาก
- MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-
effect transistor) ใช้กันในไอซีแบบ CMOS ข้อดีคือ
ใช้พลังงานตำ่าและเป็ นที่นิยมใชกันมาก
2. แบ่งตาม Function
- Asynchronous มี Clock Frequency ที่เป็ นอิสระ data
in และ data out ถูกควบค่มด้วยการส่ง Address
- Synchronous ค่าเวลา(Timing) ทัง้ หมดจะถูกกำาหนด
โดยของของ clock. Address, Data in และสัญญาณ
ควบค่มอื่นๆ มีความสัมพันธ์กับ Clock Signal
3. แบ่งตามลักษณะสำาคัญ
- ZBT (ZBT stands for zero bus turnaround)
turnaround คือจำานวนของ Clock Cycle ที่จะเปลี่ยน
 4

การอ่านไปเป็ นการเขียน ซึ่งค่า latency ระหว่าง read

และ write cycle เท่ากับ 0
- syncBurst (syncBurst SRAM or synchronous-
burst SRAM) มีค่ณสมบัติท่ีช่ ือว่า synchronous
burst ที่จะช่วยเพิ่มความเร็วในการเขียนข้อมูลของ
SRAM
- DDR SRAM เป็ นชนิ ด Synchronous, single
read/write port(มีพอร์ตสำาหรับส่งข้อมูลทัง้ อ่านและ
เขียน 1 พอร์ต),double data rate IO (มีความเร็วเป็ น
2 เท่า)
- Quad Data Rate SRAM เป็ นชนิ ด Synchronous,
seperate read/write port(มีพอร์ตสำาหรับส่งข้อมูลทัง้
อ่านและเขียนแยกจากกัน),double data rate IO (มี
ความเร็วเป็ น 2 เท่า)
-
โครงสร้างภายในของ SRAM
สแตติกแรม (Static Random Access Memory (SRAM))
เป็ นหน่ วยความจำาที่ใช้สถานะทางวงจรไฟฟ้ าเป็ นที่เก็บข้อมูล โดยวงจร
Flip-Flop ซึ่งสร้างจาก Transistor 6 ตัว แต่ละวงจรจะเก็บข้อมูล " 0
" กับ " 1 " และ คงสถานะไว้จนกว่าจะมีการสัง่ เปลี่ยนแปลง ไม่
ต้องการการรีเฟรชเซลเก็บข้อมูล เนื่ องจากมันทำางานบนทฤษฎีของ
การเคลื่อนที่ของกระแสไฟฟ้ าซึ่งมีการเปลี่ยน แปลงใน 2 ทิศทาง
( Flip Flops ) อย่างไรก็ตาม โครงสร้างของ SRAM ที่ใช้ Transistor
6 ตัวนี้ใช้พ้ืนที่มากกว่า DRAM cell ที่สร้างมาจาก Transistor 1 ตัว
และ Capacitor 1 ตัว เสียอีก
 5

รูปที่ 1.3 A six-transistor CMOS SRAM cell.

กระบวนการ Read – Write ของ SRAM

รูปที่ 1.4 SRAM Read Operation

 6

รูปที่ 1.5 SRAM Write Operation

รูปที่ 1.6 SRAM Write-Read Operation

สรุปข้อดีและข้อเสียของ SRAM
ข้อดี
- มีความเร็วในการทำางานสูงกว่า DRAM มาก
- ไม่ต้องการการ Refresh ในการเก็บข้อมูล เพราะใช้
Transistor เป็ นโครงสร้าง
- สามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบใดที่ยังมีกระแสไฟ
เลีย
้ งวงจรอยู่
ข้อเสีย
 7

- SRAM จะกินไฟมากกว่า DRAM อันเนื่ องจากการใช้ Flip-

Flop นั่ นเอง
- มีราคาสูงกว่า DRAM จึงสร้างได้ขนาดที่ไม่มาก นิ ยมใช้เป็ น
cache
- ไม่สามารถผลิตให้มีความจ่สูงๆ ภายในไอซี/ชิปเพียงตัวเดียว
ได้ ถ้าใส่ SRAM ล้วนๆ ในเครื่องคอม จะต้องมีระบบระบาย
ความร้อนแบบพิเศษ

2. Dynamic Random Access Memory ( DRAM )

ไดนามิกแรมหรือเรียกสัน ้ ๆ ว่า DRAM เป็ นหน่ วยความจำาที่ถูกนำ ามา
ใช้ผลิตแรม เพื่อใช้ติดตัง้ ลงในเครื่องคอมพิวเตอร์ ซึ่งหน่ วยความจำานี้ได้
รับความนิ ยมสูง อันเนื่ องมาจากมีความจ่สูง กินไฟน้ อยและราคาถูก
กว่าหน่ วยความจำา SRAM แต่ข้อเสียก็คือมีความย่่งยากในการ
ออกแบบเพื่อการนำ าไปใช้งาน เนื่ องจาก DRAM จะทำาการเก็บข้อมูลไว้
ในตัวเก็บประจ่ (Capaciter) ซึ่งจำาเป็ นจะต้องมีการ refresh ข้อมูลอยู่
ตลอดตามระยะเวลาที่กำาหนดไว้เพื่อเก็บข้อมูลให้คงอยู่ไม่ให้ข้อมูล
สูญหายไปและเป็ นการเติมไฟฟ้ าเข้าไปเพื่อให้ข้อมูลที่กำาลังจางหายไปมี
ความ เข้มขึ้น โดยการ refresh นี้ทำาให้เกิดช่วงเวลาขึ้นในการเข้าถึง
ข้อมูล และที่ต้อง refresh ตัวเองอยู่ตลอดเวลาจึงเป็ นเหต่ให้ได้ช่ ือว่า
Dynamic Random Access Memory
จ่ดเด่นของ DRAM คือ มีความหนาแน่ นต่อชิพสูงมากเมื่อเทียบ
กับ SRAM ดังนั ้นจึงเป็ นที่นิยมใช้เพราะมีราคาถูกกว่ามาก อย่างไรก็ดี
การเชื่อมต่อเข้ากับวงจรคอมพิวเตอร์ของ DRAM มีข้อย่่งยากมากกว่า
SRAM และจากความจ่สูงมากของ DRAM (ปั จจ่บันมีความจ่ได้มาก
ถึง 512 Mbit ต่อชิพ) ดังนั ้นจึงต้องวางโครงสร้างแอดเดรสเพื่อเข้าถึง
 8
ส่วนต่าง ๆ ของหน่ วยความจำาเป็ นแบบแมทริกซ์ จะมีลก
ั ษณะเป็ นแถว
และสดมภ์

รูปที่ 2.1 Block Diagram ของ DRAM(Toshiba)

 9

รูปที่ 2.2 DRAM

โครงสร้างของ DRAM
ไดนามิคแรม (DRAM) เป็ นหน่ วยความจำาที่เป็ นลักษณะ
ของเซลประจ่ไฟฟ้ าเล็กๆ ใช้เก็บข้อมูล ในรูปของ " 0 " กับ " 1

" และต้องการการรีเฟรช ( Refresh ) เซลเก็บข้อมูล หรือการ

ประจ่ไฟ ( Charge ) ในท่กๆ ช่วงมิลลิวินาที

รูปที่ 2.3 แสดงลักษณะการทำางาน DRAM

DRAM จะเก็บท่กๆ บิตในเซลเก็บข้อมูล ประกอบด้วยตัว

เก็บประจ่ (คาปาซิเตอร์ (Capacitor)) และทรานซิสเตอร์

(Transistor) คาปาซิเตอร์จะสูญเสียประจ่ไฟฟ้ าอย่างรวดเร็ว

( Discharge ) และนั่ นเป็ นเหต่ผลว่า ทำาไม DRAM จึงต้องรี
ชาร์ต ( Re-charge )
 10

รูปที่ 2.4 DRAM Cell

รูปที่ 2.5 Capacitor Charge and Discharge Timing

ซีพียูสามารถเข้าถึงข้อมูลได้ง่าย โดยการ Random Access เข้า
ถึงแบบส่่ม ข้อมูลท่กๆ ส่วนของหน่ วยความจำาหรือพื้นที่เก็บข้อมูลได้
โดยตรง ไม่จำาเป็ นค้นหาข้อมูลเรียงตามลำาดับก่อน-หลังจากจ่ดเริ่มต้น
จากความจ่สูงมากของ DRAM จึงต้องวางโครงสร้างแอดเดรส
เพื่อเข้าถึงส่วนต่าง ๆ ของหน่ วยความจำาเป็ นแบบแมทริกซ์ จะมี
ลักษณะเป็ นแถว (ROW) และสดมภ์ (Column)
 11

รูปที่ 2.6 แสดงการเข้าถึงข้อมูลของ DRAM

รูปที่ 2.7 ภาพแสดงการต่อ DRAM Cell

 12

กระบวนการ Read-Write ของ DRAM

รูปที่ 2.8 SDRAM Read Access Timing (Left)

Precharge and Activation (Right)
 13

รูปที่ 2.9 Principle of operation of DRAM read, for simple 4

by 4 array. (Left)
 14

Principle of operation of DRAM Write, for simple 4 by 4

array. (Right)

ลำาดับการเขียนข้อมูลใน RAM

การเขียนข้อมูลใน RAM มีลก

ั ษณะคล้ายกับการอ่าน แต่มีข้อ
แตกต่างกันอยู่บ้าง สำาหรับลำาดับการเขียนข้อมูลใน RAM มีดังนี้
1. ขัน
้ แรก จะกำาหนดแอดเดรสให้กบ
ั หน่ วยความจำาตามตำาแหน่ งที
ต้องการจะเขียนข้อมูล
2. กำาหนดสายสัญญาณข้อมูลเข้าโดยใช้สายสัญญาณ Din
3. ให้ระบบรอเวลาชัว่ ขณะหนึ่ ง เรียกช่วงเวลานี้วา่ ช่วงเวลาการเขียน
(write access time) เพื่อให้วงจรภายในได้รับการถอดรหัส กำาหนด
แอดเดรสให้เรียบร้อยก่อน และสัญญาณ /CE ต้องมารอก่อนแล้ว
4. หลังจากรอเวลา ให้กำาหนดสัญญาณ R/W เพื่อการเขียน สัญญาณ
R/W นี้จะเป็ นพัลส์เล็กๆที่พอเพียงกับการเขียนข้อมูลลงใน RAM
 15

ลำาดับการอ่านข้อมูลจาก RAM

สมมติว่า ต้องการจะอ่านข้อมูลจาก RAM ที่มีข้อมูลพร้อมอยู่แล้วมาใช้

งาน จะต้องมีลำาดับการทำางานดังนี้
1. ขัน ั RAM วงจรภายใน
้ แรก กำาหนดแอดเดรสที่ต้องการอ่านให้กบ
RAM จะทำาการถอดรหัส เพื่อกำาหนดตำาแหน่ งที่แท้จริงสำาหรับการ
อ่าน
2. กำาหนดสัญญาณที่ขา R/W ให้ถูกต้องตามลอจิก โดยการอ่านหน่ วย
ความจำาบางชิป จะต้องกำาหนดลอจิก “1″ บางชิปอาจเป็ นลอจิก “0″
การกำาหนดให้เป็ นลอจิก “0″ หรือลอจิก “1″ จะต้องพิจารณาโดยดูจาก
คู่มือของชิปนั ้นๆ ด้วย
3. จะต้องให้ระบบรออยู่ชัว่ ขณะหนึ่ ง ซึ่งเรียกชัว่ เวลานี้ว่า ช่วงเวลาการ
อ่าน (read access time) ในการอ่านนี้จะใช้สัญญาณเลือกชิปทำาการ
เลือกโดยส่งสัญญาณ /CE มาก่อน
4. ในช่วงเวลาขณะที่รอนี้ ข้อมูลที่ได้รับการอ่านจะมาปรากฏที่สาย
สัญญาณ Dout เพื่อให้ไมโครโปรเซสเซอร์รบ
ั ข้อมูลออกไป
เมื่อเขียนเป็ นแผนผังเวลาเพื่อแทนการทำางานทัง้ 4 ขัน
้ ตอนที่กล่าวถึง
นี้ จะได้ดังรูป
ดังนั ้นสัญญาณในการอ่านข้อมูลจาก RAM จึงเหมือนกับสัญญาณการ
อ่านข้อมูลที่ใช้ใน ROM
 16

ประเภทของ DRAM
- FPM Ram (Fast Page Mode DRAM )

FPM มาจากคำาว่า Fast Page Mode เป็ น DRAM ในย่คแรก

ของร่่น 486 โดยเพิ่มความเร็วในลักษณะแบ่งหน่ วยความจำาเป็ นหน้ า
ตามโครงสร้างที่แบ่งเป็ นแถวและสดมภ์ โดยหากอ่านหรือเขียนหน่ วย
ความจำาในห้องเดียวกัน ก็ไม่จำาเป็ นต้องส่งค่าแอดเดรสในระดับแถวไป
เพราะกำาหนดไว้ก่อนแล้ว คงส่งเฉพาะสดมภ์เท่านั ้น จึงทำาให้ได้
ความเร็วเพิ่มขึ้นอีก หน่ วยความจำาแบบ FPM ได้รบ ั การนำ ามาใช้ในช่วง
เวลาไม่นานนั ก ปั จจ่บันเลิกผลิตแล้ว
Fast Page DRAM (FPM) นั ้น ก็เหมือนกับ DRAM เพียงแต่
ว่า มันลดช่วงการหน่ วงเวลาขณะเข้าถึงข้อมูลลง ทำาให้ มันมีความเร็ว
ในการเข้าถึงข้อมูล สูงกว่า DRAM ปกติ ซึ่งโดยที่สัญญาณนาฬิกาใน
การเข้าถึงข้อมูล จะเป็ น 6-3-3-3 (Latency)เริ่มต้นที่ 3 clock พร้อม
ด้วย 3 clock สำาหรับการเข้าถึง page) และสำาหรับ ระบบแบบ 32 bit
จะมีอัตราการส่งถ่ายข้อมูลสูงส่ด 100 MB ต่อวินาที ส่วนระบบแบ 64
bit จะมีอัตรา การส่งถ่ายข้อมูลที่ 200 MB ต่อวินาที
- EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)

เป็ นหน่ วยความจำาชนิ ด DRAM ได้รับการพัฒนาโดยบริษัท

ไมครอน หน่ วยความจำาชนิ ด EDO เริ่มมีใช้สำาหรับเครื่องคอมพิวเตอร์
ระดับเพนเทียม ในย่คแรกๆ และจะมี 72 Pin สำาหรับเสียบสล็อตแบบ
SIMM ( Single Inline Memory Module ) จะทำางานในแบบ 32
บิต เพราะว่ามีหน้ าสัมผัสเพียงแค่ด้านเดียว เพราะฉะนั ้นถ้าเราจะใช้กับ
 17

ซีพียู ที่ทำางานในแบบ 64 บิต เราก็จะต้องใส่เป็ นคู่ ถึงจะสามารถทำางาน

ได้ ปั จจ่บันเป็ นแรมชนิ ดที่เก่าและทำางานได้ช้า จึงไม่นิยมใช้กันแล้ว
- SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)

ั ษณะเป็ นแผงจำานวน 168 Pin สำาหรับเสียบลงในสล็อต

มีลก
แบบ DIMM ( Dual Inline Memory Module ) เพราะว่ามีหน้ า
สัมผัสทัง้ สองด้านจึงทำางานได้ในแบบ 64 บิต เพราะฉะนั ้นถ้าเราจะใช้
เราก็สามารถเสียบลงบนเมนบอร์ดทีละ 1 อันได้เลย โดย SDRAM จะ
มีความเร็วในการส่งข้อมูลตัง้ แต่ 66 MHz, 100 MHz และ 133
MHz เป็ นต้น ปั จจ่บันหน่ วยความจำาแบบ SDRAM จะค่อยๆ ลดความ
นิ ยมไปแล้ว และคิดว่ากำาลังจะหายไปจากตลาดในไม่ช้านี้

- DDR SDRAM หรือ SDRAM II (Double Data Rate

(DDR) SDRAM)

DDR SDRAM ย่อมาจากคำาว่า Double Data Rate

Synchronous DRAM เป็ นแรมที่มีการพัฒนาต่อจาก SDRAM เพื่อที่
จะให้มีความเร็วเพิ่มขึ้นเป็ น 2 เท่าตัว DDR SDRAM ได้ถูกพัฒนาขึ้น
มาเพื่อแข่งกับแรม แบบ Rambus และ DDR SDRAM มีขนาดความจ่
ตัง้ แต่ 128 MB ขึ้นไป ซึ่งจะมีลักษณะเป็ นแผงไว้สำาหรับเสียบลงใน
สล็อต แบบ DIMM เหมือนกันกับ SDRAM เพียงแต่ว่า DDR
SDRAM จะมี 184 Pin และเป็ นแรมที่กำาลังได้รบ
ั ความนิ ยมมากที่ส่ด
 18

อยู่ในขณะนี้ แถมราคาก็ไม่แพงมากนั กเมื่อเปรียบเทียบกับ Rambus

DRAM ค่ะ โดยในปั จจ่บัน DDR SDRAM มีออกมาให้ใช้กันอยู่ 3
่ PC1600, PC2100 และ PC2700 ซึ่งในแต่ละร่่นจะมี
ร่่น คือ ร่น
ความเร็ว 200 MHz, 266 MHz และ 333 MHz ค่ะและนอกจากนี้
มันยังสามารถใช้งานกับซีพียูชนิ ดใดก็ได้ ไม่มีข้อจำากัดและในปั จจ่บัน
DDR SDRAM ยังถือเป็ นหน่ วยความจำาที่มีมาตรฐานด้วย
- RDRAM (Rambus DRAM)

เป็ นแรมที่มีความเร็วมากที่ส่ด และมีราคาแพงมากที่ส่ด จะ

มีจำานวน 184 Pin และ RDRAM เป็ นเทคโนโลยีใหม่ท่ีถูกพัฒนาขึ้น
มาโดย บริษัท Rambus และมี บริษัท Intel เป็ นผู้สนั บสน่นด้วย แรม
ชนิ ดนี้ถูกพัฒนาขึ้นเพื่อรองรับความเร็วระบบบัสที่สูงขึ้นถึง 400 MHz
และ 800 MHz ซึ่งจะเหมาะกับการใช้งานประเภทมัลติมีเดีย อย่างเช่น
การใช้แสดงภาพ 3 มิติ เป็ นต้น และจะทำาได้อย่างมีประสิทธิภาพด้วย
และก็มีลักษณะเป็ นแผงโดยแต่ละแผงจะเสียบลงในช่องของ Rambus
หนึ่ งช่อง ซึ่งจะเรียกว่า RIMM คือ Rambus Inline Memory
Module ซึ่งจะใส่แค่เพียงหนึ่ งช่อง แค่นี้เครื่องคอมพิวเตอร์ของค่ณก็
จะสามารถทำางานได้แล้ว และแรมชนิ ดนี้ Intel ตัง้ ใจจะนำ ามาใช้งานกับ
่ Pentium 4 เท่านั ้น และเมนบอร์ดก็จะต้องใช้ชิปเช็ตที่
ซีพียู ร่น
สนั บสน่นด้วย ซึ่งได้แก่ ชิปเซ็ต i850 ของอินเทลเป็ นต้น ปั จจ่บันไม่
ค่อยนิ ยมใช้กันมากนั ก เพราะว่ามีราคาแพง
 19

รูปที่ 2.10 ภาพเปรียบเทียบค่ณสมบัติของ DRAM แต่ละชนิ ด

รูปที่ 2.11 ภาพแสดงการพัฒนาของ DRAM

สรุปข้อดีและข้อเสียของ DRAM
ข้อดี
- ใช้พลังงานน้ อยกว่า SRAM มาก
 20

- มีความหนาแน่ นต่อชิพสูงมากเมื่อเทียบกับ SRAM ดังนั ้นจึง

เป็ นที่นิยมใช้เพราะมีราคาถูกกว่ามาก
- สามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบใดที่ยังมีกระแสไฟ
เลีย้ งวงจรอยู่
- มีการพัฒนาให้มีความจ่และความเร็วเพิ่มขึ้นเรื่อยๆ(ปั จจ่บัน
ความจ่สูงส่ดต่อ 1 แผงคือ 2 GB ความเร็วสูงส่ด DDR3
800 MHz)
ข้อเสีย
- ประจ่ไฟฟ้ าจะมีการรัว่ ไหลออกไปเรื่อยๆ จึงต้องมีวงจรอีกส่วน
ทำาหน้ าที่ “เติมประจ่” ไฟฟ้ าให้เป็ นระยะๆ เรียกว่า (Refresh)
(ต้องมีไฟเลีย ้ งแล้ว DRAM
้ งตลอดเวลา และนอกจากไฟเลีย
ยังต้องการ การ Refresh ข้อมูลเป็ นระยะๆ เสมือนการเตือน
ความทรงจำา)
- มีความเร็วในการทำางานช้ากว่า SRAM
 21

บรรณานุกรม

แรม (RAM). (11 มกราคม 2552). Available URL:

http://www.bcoms.net/hardware/ram.asp
แรม . (11 มกราคม 2552). Available URL:
http://th.wikipedia.org/wiki/RAM
Random-Access Memory (RAM) .(11 มกราคม 2552).
Available URL:
http://www.sec.psu.ac.th/download/mculab/mcu_html/Micro_spe
c1.htm#04
หน่ วยที่ 3 ประเภทของแรม .(11 มกราคม 2552). Available
URL:
http://std.kku.ac.th/4930501912/kai/contents/data-03.html
ZDNet Definition for: Memory Types.(11 มกราคม 2552).
Available URL:
http://dictionary.zdnet.com/definition/memory+types.html
คอมพิวเตอร์เบื้องต้น.(11 มกราคม 2552). Available URL:
http://saramagazine.blogspot.com/2008_08_01_archive.html
Commodity Hardware Today.(11 มกราคม 2552).
Available URL:
http://lwn.net/Articles/250753/
Static random access memory.(11 มกราคม 2552).
Available URL:
http://en.wikipedia.org/wiki/Static_random_access_memory
 22

Dynamic random access memory.(11 มกราคม 2552).

Available URL:
http://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random_access_memory